Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Memory Devices, Memory Device Operational Methods, and Memory Device Implementation Methods

Memory Devices, Memory Device Operational Methods, and Memory Device Implementation Methods

Номер патента: US20160118087A1
Опубликовано: 28-04-2016
Автор(ы): Kitagawa Makoto, LUTHRA Yogesh
Принадлежит: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device for performing temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: EP3961629A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-02.

Semiconductor memory device and method of performing setting operation in semiconductor memory device

Номер патента: US9312003B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Chika Tanaka,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Resistive memory device and method for reading data in the resistive memory device

Номер патента: US11798621B2. Автор: Chan Kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory device having stable self-refresh operation and operating method thereof

Номер патента: US20240079043A1. Автор: Sang Hoon Lee,Sang Jin Byeon,Kyo Yun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Storage device, operation method of storage device and method of accessing storage device

Номер патента: US09958845B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Goeun JUNG,Seung-Cheol Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device heating in cold environments

Номер патента: US20240170029A1. Автор: Poorna Kale,Christopher Joseph Bueb,Aravind Ramamoorthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile memory device including high voltage switching circuit, and operation method of the non-volatile memory device

Номер патента: US20210391015A1. Автор: Hyunjin SHIN,Sanggyeong Won,Dohui Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory device and its operating method and storage system including memory device

Номер патента: CN110349607A. Автор: 李在珉,许民虎,金承日,金湧澔,崔善煐. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-18.

Memory device for performing in-memory-search and operating method thereof

Номер патента: US20240274165A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device for write operation including verification and operating method thereof

Номер патента: US20210319839A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20240071540A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US11848061B2. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11809838B2. Автор: Yung-Chun Lee,Han-Wen Hu,Bo-Rong Lin,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20230238069A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20100118624A1. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Method of operating memory device and methods of writing and reading data in memory device

Номер патента: US9589674B2. Автор: Chul-woo Park,Jung-hwan Choi,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son,Kyo-Min Sohn,Won-Il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of counting number of cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Minseok Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory device and method of improving the reliability of a memory device

Номер патента: US20080043544A1. Автор: Michael Markert,Stefan Dietrich,Corvin Liaw,Milena Dimitrova. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-21.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: US20240153565A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: EP4365902A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Memory device and read operation method thereof

Номер патента: US20150023120A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chia-Jung Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20220171688A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20200293417A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11734142B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11256588B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Memory and operating method thereof

Номер патента: US20240203491A1. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-06-20.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09536605B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240233788A9. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240135977A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: EP4362018A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Ramp-based biasing and adjusting of access line voltage in a memory device

Номер патента: US11769552B2. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device

Номер патента: US20230134975A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Memory device

Номер патента: US12087354B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory devices providing a refresh request and memory controllers responsive to a refresh request

Номер патента: US09978430B2. Автор: Chul-woo Park,Hong-Sun Hwang,Eun-Sung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

DLL with reduced size and semiconductor memory device including DLL and locking operation method of the same

Номер патента: US20070263460A1. Автор: Eun Jung Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Memory device with timing overlap mode

Номер патента: US20150124524A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Memory device with timing overlap mode

Номер патента: US20170084324A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device with timing overlap mode and precharge timing circuit

Номер патента: US09552849B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20190004915A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I ADHAM. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20230342272A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory and operating method thereof

Номер патента: US11996147B2. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device and semiconductor memory device operation method

Номер патента: US20100110814A1. Автор: Hiroshi Furuta,Takayuki Shirai,Kenjiyu Shimogawa,Shunsaku Naga. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Data processing system and operation method of data processing system

Номер патента: US20210124578A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Data processing system and operation method of data processing system

Номер патента: US20220318011A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12106070B2. Автор: Yung-Chun Lee,Han-Wen Hu,Bo-Rong Lin,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device, memory system, and read/verify operation method of the memory device

Номер патента: US09978458B2. Автор: Ji-Su Kim,Se-heon BAEK,Seong-Ook Jung,Yo-Han Lee,Jin-Young Chun,Ji-Suk Kim,Jun-young Ko,Chang-Yeon YU. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Apparatus, method and system for memory device access with a multi-cycle command

Номер патента: US09721641B2. Автор: Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220375523A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yung-Feng Lin,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Access methods and circuits for memory devices having multiple banks

Номер патента: US09666255B2. Автор: Jun Li,Thinh Tran,Joseph Tzou. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210035622A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device, memory system including the same, operation method of the memory system

Номер патента: US09892778B1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory device for increasing write margin during write operation and reducing current leakage during standby operation and operation method thereof

Номер патента: US11776621B2. Автор: Jinn Shyan Wang,Chien Tung LIU,Chih Jung LIU. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Nonvolatile memory device for supporting fast checking function and operating method of data storage device including the same

Номер патента: US09899094B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and refresh operating method

Номер патента: US20160064062A1. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Non-volatile memory device and corresponding operating method with stress reduction

Номер патента: US09564231B2. Автор: Maria GIAQUINTA,Alfredo Signorello,Francesca Grande,SantiNunzioAntonino Pagano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Memory device and program operation method thereof

Номер патента: US12094536B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile memory device comprising page buffer and program verification operation method thereof

Номер патента: US09520201B2. Автор: Dongku Kang,Dae Yeal LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of repairing a memory device and method of booting a system including the memory device

Номер патента: US09472305B2. Автор: Mi-Kyoung Park,Do-Geun Kim,Dong-yang Lee,Sun-Young Lim,Ju-Yun JUNG,Bu-Il Jung,Min-Yeab CHOO,Hyuk HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory device pre-charging common source line and operating method of the same

Номер патента: US20240221836A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US12045470B2. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US12057180B2. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for programming memory device and associated memory device

Номер патента: US09478288B1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device for effectively checking program state and operation method thereof

Номер патента: US20240038312A1. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device and related operating methods

Номер патента: US20120206987A1. Автор: Michael Dreesen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Resistive memory device, resistive memory system, and method of operating resistive memory device

Номер патента: US09633726B2. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor memory device maintaining verification data during program suspend, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298679A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device including row-hammer tracking circuit and operating method thereof

Номер патента: US20240355375A1. Автор: Jun Seok Noh,No Geun JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and test operation method thereof

Номер патента: US09607718B2. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device for realizing sector erase function and operating method thereof

Номер патента: US09489995B2. Автор: Nai-Ping Kuo,Cai-Yun Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Process for producing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20020036316A1. Автор: MASUOKA Fujio,Kenichi Tanaka,Hiroaki Shimizu,Yoshihisa Wada,Takuji Tanigami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Memory device and flash memory device with improved support for staircase regions

Номер патента: US12094814B2. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09966126B2. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-28.

Memory device and an operating method of a memory device

Номер патента: US20210050066A1. Автор: Jun Hyuk Lee,Yong Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Data processing system and operation method of data processing system

Номер патента: US12014175B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device, electronic device including the same, and operating method of electronic device

Номер патента: EP4283478A1. Автор: Byungwook SO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20210183458A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device, electronic device including the same, and operating method of electronic device

Номер патента: US20230386563A1. Автор: Byungwook SO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device with in-memory searching array and operation method thereof for implementing finite state machine

Номер патента: US11776618B2. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device, a memory controller, a storage device including the memory device and the memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20190294362A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung Ho Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210035641A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device with improved threshold voltage distribution and operating method thereof

Номер патента: US20240161842A1. Автор: Changhwan Shin,Woojae Jang,Sejun Park,Joonam KIM,Hyeji Lee,Kangin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Operation methods for ovonic threshold selector, memory device and memory array

Номер патента: US20220415391A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Hengyuan Lee,Elia Ambrosi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220284952A1. Автор: Dai-Ying LEE,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US11810623B2. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20200381074A1. Автор: Jui-Wei Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Operation methods for ovonic threshold selector, memory device and memory array

Номер патента: US11990182B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Hengyuan Lee,Elia Ambrosi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and operation method of the semiconductor memory device

Номер патента: EP3805936A1. Автор: Sunjung Lee,Jaehyun Park,Jungho Ahn,Byeongho Kim,Seungwoo Seo,Jaewan Choi,Wonkyung JUNG,Minbok WI,Eojin LEE,Jongwook CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-14.

Memory device with SRAM cells assisted by non-volatile memory cells and operation method thereof

Номер патента: US11929115B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and operation method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210398597A1. Автор: Sunjung Lee,Jaehyun Park,Jungho Ahn,Byeongho Kim,Seungwoo Seo,Jaewan Choi,Wonkyung JUNG,Minbok WI,Eojin LEE,Jongwook CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory device including a processing circuit, memory controller controlling the memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US20200356305A1. Автор: Wonjun Lee,Changhyun KIM,Seon Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11798639B2. Автор: Yao-Wen Chang,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang,Chun-Liang Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US11854624B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Write operation circuit, semiconductor memory device, and write operation method

Номер патента: EP3905251A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20230154543A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory devices, memory device constructions, constructions, memory device forming methods, current conducting devices, and memory cell programming methods

Номер патента: WO2009142884A3. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-02-18.

Method for operating host device and memory device and vehicle comprising the host device and memory device

Номер патента: US11780451B2. Автор: Young San KANG,Kwang Won Park,Byung Yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device for performing temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US20220068399A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device and operating method

Номер патента: US20080008022A1. Автор: Yoon-Gyu Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Voltage control circuit, a voltage control method and a semiconductor memory device having the voltage control circuit

Номер патента: US20080144420A1. Автор: Sung Soo Xi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile memory device and its operating method

Номер патента: US20240206187A1. Автор: Younghyun Kim,Simin Chen,Seongui An,Taewon Jin,Taehyeon Noh. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device having first and second memory architecture and memory system using the same

Номер патента: US20030076702A1. Автор: Kye-Hyun Kyung,Byung-sick Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20200233608A1. Автор: Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of reducing reliability degradation of nonvolatile memory device, nonvolatile memory device using the same and method of testing nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11915770B2. Автор: Minseok Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for performing writing management in a memory device, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20190235789A1. Автор: Ming-Yen Lin,Chin-Pang Chang,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Methods and systems for memory devices with asymmetric switching characteristics

Номер патента: US20130223162A1. Автор: An Chen,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Nonvolatile memory device, memory system including same, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220230695A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for performing writing management in a memory device, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20190377517A1. Автор: Ming-Yen Lin,Chin-Pang Chang,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Memory device including processing circuit, and electronic device including system on chip and memory device

Номер патента: US20240086345A1. Автор: Nam Sung Kim,Jaeyoun Youn,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory device configured to reduce verification time and operating method thereof

Номер патента: US20230367480A1. Автор: Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Variable low resistance line nonvolatile memory device and method for operating same

Номер патента: US20220077164A1. Автор: Jong Hwa Son,Jong Yeog Son. Владелец: VMemory Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory device including processing circuit, and electronic device including system on chip and memory device

Номер патента: US20210157751A1. Автор: Nam Sung Kim,Jaeyoun Youn,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory device including processing circuit, and electronic device including system on chip and memory device

Номер патента: US11860803B2. Автор: Nam Sung Kim,Jaeyoun Youn,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20230350578A1. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Controller controlling non-volatile memory device, storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US11841767B2. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Controller controlling non-volatile memory device, storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240061746A1. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Variable low resistance line nonvolatile memory device and method for operating same

Номер патента: US20210313336A1. Автор: Jong Hwa Son,Jong Yeog Son. Владелец: VMemory Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory device and method of controlling access to such a memory device

Номер патента: US20080141067A1. Автор: Vivek Nautiyal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Non-volatile memory device and corresponding operating method with stress reduction

Номер патента: US20160351264A1. Автор: Maria GIAQUINTA,Alfredo Signorello,Francesca Grande,SantiNunzioAntonino Pagano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

Magnetic memory device comprising a current pulse generator, and method of operating such a magnetic memory device

Номер патента: EP4141871A1. Автор: Marc Drouard,Sylvain Martin,Victorien Brecte,Fabien Leroy,Julien Louche,Jérémie VIGIER. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2023-03-01.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US20230091464A1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-23.

Methods of erasing data in nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices performing the same

Номер патента: US20200411106A1. Автор: Sang-Wan Nam,Dong-Hun Kwak,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Encoding method and system for memory device including qlc cells

Номер патента: US20190213074A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Aman BHATIA. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Single-loop memory device, double-loop memory device, and zq calibration method

Номер патента: EP4328918A1. Автор: Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Memory device and program operation method thereof

Номер патента: US20230290412A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Single-loop memory device, double-loop memory device, and zq calibration method

Номер патента: US20240096409A1. Автор: Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US7672173B2. Автор: Tsukasa Ooishi,Shinya Miyazaki,Tomohiro Uchiyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of controlling the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Hiroyuki Kaga,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for programming memory device and associated memory device

Номер патента: US20160307627A1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Voltage control circuit, a voltage control method and a semiconductor memory device having the voltage control circuit

Номер патента: US7729190B2. Автор: Sung Soo Xi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Semiconductor memory device, controller, and operating methods thereof

Номер патента: US20210191664A1. Автор: Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20120039120A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Methods for supplying power supply voltages in semiconductor memory devices and semiconductor memory devices using the same

Номер патента: US7936615B2. Автор: Jung Sunwoo,Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: US20240028246A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: US20230307040A1. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device including memory chip and peripheral memory chip and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US11721655B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Page buffer, semiconductor memory device with page buffer, and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US11842773B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: US11782633B2. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: US20210405910A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory device including phase change memory cell and operation method thereof

Номер патента: US11948632B2. Автор: Jungyu Lee,Jongryul Kim,Hyunkook Parak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device including memory chip and peripheral memory chip and method of manufacturing the memory device

Номер патента: EP4002373A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: WO2020240226A8. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory device including memory chip and peripheral memory chip and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US20230317655A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Error correction code circuit, memory device including error correction code circuit, and operation method of error correction code

Номер патента: US20240185942A1. Автор: Daehyun Kim,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device including three dimensional array structure and operating method thereof

Номер патента: US20240212754A1. Автор: KyuSub YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of programming data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20240212761A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device having memory cells with floating gates and memory cell threshold voltage control method

Номер патента: US20050174843A1. Автор: Takuya Fujimoto,Yoshiaki Hashiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of reading data in ferroelectric memory device and ferroelectric memory device

Номер патента: US20040240250A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

One-time programmable memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20230377672A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device maintaining verification data during program suspend, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11791002B2. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods of testing nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US20240127883A1. Автор: Jongchul Park,Myeongwoo Lee,Yeonwook JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: US20210110869A1. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: EP3891745A1. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Memory device detecting and correcting data error and operating method thereof

Номер патента: US20190221248A1. Автор: Sang-Ho Lee,Seok-Cheol Yoon,Yun-Young Lee,Seok-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: EP3899949A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,Hongtao Liu,Yali SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Manufacturing method of semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20210265378A1. Автор: Naoki Yamamoto,Kojiro Shimizu,Shunpei TAKESHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Memory device and flash memory device

Номер патента: US20220406709A1. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Sub word-line driver circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11818881B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240135987A1. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory device with dynamic garbage collection and method of dynamic garbage collection for a memory device

Номер патента: US20190121728A1. Автор: Sung-hyun Cho,Ju-Young Lee,In Tae Hwang,Jun Ho Ahn,Sang Won Jung,Bum Hee Lee,Young Pil Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Memory device transmitting small swing data signal and operation method thereof

Номер патента: US20210225423A1. Автор: Byongmo Moon,SungOh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Memory device for effectively performing read operation, and operation method thereof

Номер патента: US20230289083A1. Автор: Beom Ju Shin,Tae Hee YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory device, method of calibrating signal level thereof, and memory system having the same

Номер патента: EP3968327A1. Автор: Jaewoo Park,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Youngdo Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-16.

Memory device, method of calibrating signal level thereof, and memory system having the same

Номер патента: US11782618B2. Автор: Jaewoo Park,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Youngdo Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device, method of calibrating signal level thereof, and memory system having the same

Номер патента: US20230418488A1. Автор: Jaewoo Park,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Youngdo Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system for optimizing erase loop operations

Номер патента: US09786374B2. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US12057194B2. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US20230298645A1. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09589636B1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Programming memory devices

Номер патента: US20180286483A1. Автор: Tommaso Vali,Akira Goda,Pranav Kalavade,Carmine Miccoli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device with selective command delay and associated methods and systems

Номер патента: US20240304269A1. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Garrett Harwell. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12105644B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US20240345967A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09548118B1. Автор: Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with modified command and associated methods and systems

Номер патента: US11755412B2. Автор: Debra M. Bell,Joshua E. Alzheimer,Todd M. BUERKLE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09881696B2. Автор: Ju Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory controller, memory system including the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US20240272808A1. Автор: Younsoo Cheon,Haedong No,Youjin JEON,Minjin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240281166A1. Автор: Jae Woong Jeong,In Bo Shim,Dal Gon KIM,Na Yeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Built-in-self-test and self-repair methods and devices for computer memories comprising a reconfiguration memory device

Номер патента: US20020019957A1. Автор: Yervant Zorian,Hai Quang Pham,Ilyoung Kim,Goh Komoriya,Frank P. Higgins. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods and apparatus for dynamically adjusting performance of partitioned memory

Номер патента: US20220351770A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: WO2019231589A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

Bank sharing and refresh in a shared multi-port memory device

Номер патента: WO2009073331A1. Автор: Dongyun Lee. Владелец: SILICON IMAGE, INC.. Дата публикации: 2009-06-11.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and system for validating a memory device

Номер патента: US20220043708A1. Автор: Abhinav Sharma,Rengaraja Sudarmani,Sachin Suresh Upadhya,Prathiksha Gautham,Uday Kumar N B. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Nonvolatile memory device, storage device including the nonvolatile memory device, and operating method of the storage device

Номер патента: US09659658B2. Автор: Dae Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005533A1. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: WO2023278073A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2023-01-05.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09761282B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

System and method for providing configurable latency and/or density in memory devices

Номер патента: WO2010151481A1. Автор: Christopher S. Johnson,Todd D. Farrell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-12-29.

System and method for providing configurable latency and/or density in memory devices

Номер патента: EP2446366A1. Автор: Christopher S. Johnson,Todd D. Farrell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-02.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180075916A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile memory device including memory area storing information used for searching erased page, data storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09640268B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory device and computing method thereof

Номер патента: US12094564B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Skewing expected wearout times of memory devices

Номер патента: US09798476B2. Автор: Steven R. Hetzler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device and operating method for resistive memory cell

Номер патента: US09711217B1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu,Tien-Yen Wang,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570187B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory core characteristic screening method and system thereof

Номер патента: US20240212728A1. Автор: Hyeon Jae Lee,Jeong Ho Bang,Ki Hyung Ryoo,Kwang Rae Cho,Sun Byeong Yoon,Wol Jin LEE. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4460822A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09646687B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Non-volatile memory device optimized for a surface mount technology (smt) process and an operating method thereof

Номер патента: US20230251781A1. Автор: Joohee Son,Wandong Kim,Hune Seo,Dongcheul Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190051357A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US20180322925A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Method and apparatus for testing a non-standard memory device under actual operating conditions

Номер патента: US20030080762A1. Автор: Sang-Jun Park,Sun-Ju Kim,Hyun-Ho Park,Chang-Nyun Kim,Jin-Seop Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-01.

Memory device and operation method thereof for performing multiply-accumulate operation

Номер патента: US12040015B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10503439B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10049746B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-14.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: EP3958265A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-23.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Storage device, memory cell array, method for manufacturing memory cell array, magnetic head, and electronic device

Номер патента: US20240274178A1. Автор: Hiroyuki Uchida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Line termination methods and apparatus

Номер патента: US09529713B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory device security and row hammer mitigation

Номер патента: US12067270B2. Автор: YANG LU,Robert M. Walker,Elliott C. Cooper-Balis,Sujeet Ayyapureddi,Danilo Caraccio,Amitava Majumdar,Ameen D. Akel,Cagdas Dirik,Edmund J. Gieske. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240363189A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and operation method thereof for performing multiply accumulate operation

Номер патента: US12033699B2. Автор: Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: WO2021126838A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of erasing a resistive memory device

Номер патента: US20080130392A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Yi-Ching Jean Wu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20240256131A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20210193252A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Memory device operative in a stress mode, method for performing burn in stress on a memory device, and method for detecting leakage current on a memory device

Номер патента: TW201227752A. Автор: Shi-Huei Liu,Ming-Hong Kuo,Te-Yi Yu,Tzu-Hao Chen. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-01.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20230197181A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Independently controlled virtual memory devices in memory modules

Номер патента: EP2313891A1. Автор: Norman P. Jouppi,Jung Ho Ahn,Jacob B. Leverich. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-04-27.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Headroom management during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20230105208A1. Автор: Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Van der Waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US11705200B2. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research, National University of. Дата публикации: 2023-07-18.

Van der waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US20210391009A1. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research Institute, National University of. Дата публикации: 2021-12-16.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US12040036B2. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09946586B2. Автор: Jun-Seo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Dynamic control of power consumption based on memory device activity

Номер патента: US09898059B2. Автор: Barak Rotbard,Assaf Shappir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09886381B2. Автор: Eun-Soo Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Electroentropic memory device

Номер патента: US09679630B2. Автор: Sean William Reynolds,David Reginald Carver,Bradford Wesley Fulfer,Sean Claudius Hall,Jaime Hayes GIBBS,Chase Koby Andrepont. Владелец: Carver Scientific Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US09569640B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US09563228B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Stacked memory device with interface die

Номер патента: EP4423813A1. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Etch stop layer for memory device formation

Номер патента: US20240321635A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory devices and systems configured to communicate a delay signal and methods for operating the same

Номер патента: US20240312512A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240345737A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Non-overlapped-extension-implantation nonvolatile memory device capable of being treated with anti-fuse operation

Номер патента: US09991269B2. Автор: Syang-Ywan Jeng. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US09990144B2. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Throttling memory in response to an internal temperature of a memory device

Номер патента: US09746383B2. Автор: Jun Shi,Animesh Mishra,Pochang Hsu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09646981B2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20190066794A1. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

RAM memory device selectively protectable with ECC

Номер патента: US8566670B2. Автор: Andre Roger,Charles Aubenas,Sergio Bacchin. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2013-10-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device and operation method

Номер патента: US20220413748A1. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Systems and methods for improving fuse systems in memory devices

Номер патента: US20190198127A1. Автор: Yu-feng Chen,Scott E. Smith,John E. Riley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Memory devices including tri-state memory cells

Номер патента: US20240282370A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of identifying information related to an eye open monitor (EOM) operation performed in a memory device, and memory system performing the method

Номер патента: US12067292B2. Автор: Won Ho Kang,Chang Min Jeon,Young San KANG,Sung Tack HONG,Kwang Won Park,YeJin Cho,Hyunsoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

Electronic memory device and a method of manipulating the electronic memory device

Номер патента: US20210134366A1. Автор: Muhammad Irfan,Zahid Ullah,Ray C. C. Cheung. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory device and method for protecting a memory device from the effect of row hammering

Номер патента: US20240185910A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Memory device having a controller to enable and disable mode control circuitry of the controller

Номер патента: US09965208B1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Controller to detect malfunctioning address of memory device

Номер патента: US09659671B2. Автор: Fan Ho,Adrian E. Ong. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-05-23.

Access methods and circuits for memory devices having multiple channels and multiple banks

Номер патента: US09640237B1. Автор: Jun Li,Joseph Tzou. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US11709606B2. Автор: Jae Gwang Lee,Gyung Min PARK,Keon Yeong LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Operating a memory device using a program order stamp to control a read voltage

Номер патента: US09715341B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Frame protocol of memory device

Номер патента: US20200159687A1. Автор: Brent Keeth,James Brian Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Dual function compatible non-volatile memory device

Номер патента: US20110242906A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Error correction operations in a memory device

Номер патента: EP2973588A2. Автор: William Lam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: EP2954415A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

Memory device and method having on-board processing logic for facilitating interface with multiple processors, and computer system using same

Номер патента: US09959929B2. Автор: David Resnick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device configuration commands

Номер патента: US09940052B2. Автор: Umberto Siciliani,Anna Chiara Siviero,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Non-volatile one-time programmable memory device

Номер патента: US09876123B2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Jun Yuan,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Nonvolatile memory devices and storage devices including nonvolatile memory devices

Номер патента: US09685211B2. Автор: Sunghoon Kim,Jeunghwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device and a method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US09653168B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US09576640B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US09520168B2. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device, operation method of the memory device and semiconductor die

Номер патента: US20240062817A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Dual function compatible non-volatile memory device

Номер патента: WO2009079752A8. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-14.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Error correction operations in a memory device

Номер патента: WO2014152627A2. Автор: William Lam. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US20160254038A1. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-01.

Folding circuit and nonvolatile memory devices

Номер патента: US09704589B1. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device using spin hall effect and methods of manufacturing and operating the memory device

Номер патента: US09530478B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device with self-lock security and associated methods and systems

Номер патента: WO2021091651A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-14.

Semiconductor device with self-lock security and associated methods and systems

Номер патента: US20210141944A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device with self-lock security and associated methods and systems

Номер патента: EP4055509A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-14.

Memory system comprising non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US20130088928A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-11.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240233831A1. Автор: ByungKyu Cho,Hyunkook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20240153550A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240249774A1. Автор: Sung Min Lee,Sang Tae Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: WO2016007254A3. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-24.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US20060146588A1. Автор: Richard Bailey,John Rodriguez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US12067290B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: US20240290404A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory devices having a carbon nanotube

Номер патента: US20090289322A1. Автор: Xiaofeng Wang,Dong-Woo Kim,Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Seong-ho Moon,Subramanya Mayya. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-26.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240282394A1. Автор: Chang Beom WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20240221855A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Wei Hu,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: WO2024178393A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: US09953703B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU,Joo-kwang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US20240370206A1. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240221833A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and operation method of the semiconductor memory device

Номер патента: EP3805936B1. Автор: Sunjung Lee,Jaehyun Park,Jungho Ahn,Byeongho Kim,Seungwoo Seo,Jaewan Choi,Wonkyung JUNG,Minbok WI,Eojin LEE,Jongwook CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-16.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Memory apparatus and memory testing method thereof for correcting ROM code having error by ECC processing unit after determined to transition to safe mode

Номер патента: US12067283B2. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180342302A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chun-Yu Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080056036A1. Автор: Jong-Won Lee,Sung-Kwon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240347490A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12057421B2. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US09792206B2. Автор: Dawoon Jung,Moosung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device with adaptive voltage scaling based on error information

Номер патента: US09786356B2. Автор: Jonathan Liu,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Flash memory device having physical destroy means

Номер патента: US09704586B1. Автор: Chih-Chieh Kao. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device capable of operation in a burn in stress mode, method for performing burn in stress on a memory device, and method for detecting leakage current of a memory device

Номер патента: US20120163107A1. Автор: Shi-Huei Liu,Ming-Hong Kuo,Te-Yi Yu,Tzu-Hao Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190304515A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028220A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12068039B2. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307063A1. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240290393A1. Автор: Kang Woo Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Memory device

Номер патента: US12082391B2. Автор: Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160155504A1. Автор: Jung Hyuk YOON,In Soo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

Memory device and reading method thereof

Номер патента: US20240371456A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20180052638A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Memory device deserializer circuit with a reduced form factor

Номер патента: US12073918B2. Автор: Guan Wang,Luigi Pilolli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20240268096A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12089414B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device

Номер патента: US20240365554A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Managing asynchronous power loss in a memory device

Номер патента: US20240194279A1. Автор: Yu-Chung Lien,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20130237008A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Yoshio Ozawa,Shinichi Nakao,Ichiro Mizushima,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US11995320B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor nonvolatile memory device

Номер патента: US20120026798A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Daisuke Okada,Tetsuya Ishimaru,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Monitoring entropic conditions of a flash memory device as an indicator for invoking erasure operations

Номер патента: US20030161186A1. Автор: Yongqi Yang,Jered Aasheim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Phase change memory device

Номер патента: US8263963B2. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-11.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20110180774A1. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Resistive memory device and method relating to a read voltage in accordance with variable situations

Номер патента: US09990991B2. Автор: Seok Joon KANG,Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Stack type semiconductor memory device

Номер патента: US09960082B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Resistive memory device and method relating to a read voltage in accordance with variable situations

Номер патента: US09875796B2. Автор: Seok Joon KANG,Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Magnetic memory devices

Номер патента: US09825219B2. Автор: Sungmin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Magnetic memory device having cobalt-iron-beryllium magnetic layers

Номер патента: US09825217B1. Автор: Woojin Kim,Jaewoo JEONG,Keewon Kim,Mahesh Govind Samant,S. P. Stuart Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09755169B2. Автор: Jea Gun Park,Jong Sun Lee,Sung Ho Seo,Woo Sik Nam. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US09754957B2. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Magnetic memory device

Номер патента: US09508925B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Timing signal delay compensation in a memory device

Номер патента: US20220076720A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Timing signal delay compensation in a memory device

Номер патента: US20210319816A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180366195A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-12-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240221832A1. Автор: Joonsuk Lee,Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Mfms-fet, ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2009054707A3. Автор: Byung-Eun Park. Владелец: Univ Seoul Ind Coop Found. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for and Flash Memory Device Having Improved Read Performance

Номер патента: US20130051154A1. Автор: Oron Michael. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

MEMORY DEVICE, OPERATING METHOD OF MEMORY DEVICE, AND OPERATING METHOD OF TEST SYSTEM INCLUDING MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190180835A1. Автор: JANG Seong-Gwon,YUN Joosung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-13.

Test operation for memory device, operation method of test device testing memory device, and memory device with self-test function

Номер патента: KR20210109085A. Автор: 이정혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-09-06.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051175A1. Автор: Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Block family-based error avoidance for memory devices

Номер патента: WO2021127298A1. Автор: Peter Feeley,Bruce A. Liikanen,Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek,Mustafa N. Kaynak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Block family-based error avoidance for memory devices

Номер патента: US20210191617A1. Автор: Peter Feeley,Bruce A. Liikanen,Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek,Mustafa N. Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Block family-based error avoidance for memory devices

Номер патента: US20220091741A1. Автор: Peter Feeley,Bruce A. Liikanen,Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek,Mustafa N. Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Block family-based error avoidance for memory devices

Номер патента: US11886726B2. Автор: Peter Feeley,Bruce A. Liikanen,Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek,Mustafa N. Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Block family-based error avoidance for memory devices

Номер патента: US20240111445A1. Автор: Peter Feeley,Bruce A. Liikanen,Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek,Mustafa N. Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

TEST METHOD FOR MEMORY DEVICE, OPERATION METHOD OF TEST DEVICE TESTING MEMORY DEVICE, AND MEMORY DEVICE WITH SELF-TEST FUNCTION

Номер патента: US20220293206A1. Автор: LEE JUNG HYUK. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Test method for memory device, operating method of test device testing memory device, and memory device with self-test function

Номер патента: US20210265003A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Memory device including phase change memory cell and operation method thereof

Номер патента: EP3985671B1. Автор: Jungyu Lee,Jongryul Kim,Hyunkook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240184487A1. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: EP4379561A1. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Data flip-flop circuit of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20240204760A1. Автор: Joonyoung Kim,ChiWeon Yoon,Jungjune PARK,Sanglok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: EP3891745B1. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for operating semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: TW454337B. Автор: Takaaki Suzuki,Toshiya Uchida,Kotoku Sato,Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-11.

Methods for operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: EP1050882B1. Автор: Kotoku c/o Fujitsu Limited Sato,Toshiya C/O Fujitsu Limited Uchida,Takaaki c/o Fujitsu Limited Suzuki,Yoshimasa c/o Fujitsu Limited Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

Semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit system using the same, and control method of semiconductor memory device

Номер патента: TWI309416B. Автор: Toshiya Uchida. Владелец: Fujitsu Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2009-05-01.

Memory device, non-volatile memory device and micro-processing system

Номер патента: TW200729212A. Автор: Yue-Der Chih,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Memory device, non-volatile memory device and micro-processing system

Номер патента: TWI304215B. Автор: Yue Der Chih,Chin Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-12-11.

Single-loop memory device, double-loop memory device, and zq calibration method

Номер патента: EP4328918A4. Автор: Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Voltage generator, semiconductor memory device having the same, and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US09607709B2. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with modified access and associated methods and systems

Номер патента: US20240078153A1. Автор: Debra M. Bell,Joshua E. Alzheimer,Scott E. Smith,Brett K. Dodds,Aaron Jannusch. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11646087B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210343352A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US11881251B2. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US20240161809A1. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230253057A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11942166B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20180005700A1. Автор: Ju Seok Lee,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory operation of paired memory devices

Номер патента: US8996935B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Girisankar Paulraj,Edgar R. Cordero. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Operation method of memory controller configured to control memory device

Номер патента: EP4152333A2. Автор: Hong Rak Son,Dong-Min Shin,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song,Yeongcheol JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-22.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US20240020000A1. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with selective command delay and associated methods and systems

Номер патента: WO2021137948A1. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Garrett Harwell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240038304A1. Автор: Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory system and operating method of the memory system inputting an additional read enable toggle signal to output status information of memory device

Номер патента: US11880599B2. Автор: Dae Sung Kim,Sung Ho Ahn,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Error correcting code poisoning for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US20230119341A1. Автор: Joshua E. Alzheimer,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170344301A1. Автор: Reum Oh,Hak-soo Yu,Je Min RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory system, memory module, and operation method of memory system

Номер патента: US20200142772A1. Автор: Hoiju CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: WO2021091655A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-14.

Method and system for controlling a memory device

Номер патента: GB2616467A. Автор: Gao Zhi,Varma Uppalapati Venkata Suneel. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US11735247B2. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device with selective command delay and associated methods and systems

Номер патента: US20210202023A1. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Garrett Harwell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device with selective command delay and associated methods and systems

Номер патента: US11990195B2. Автор: Boon Hor Lam,Karl L. Major,Shawn M. Hilde,Garrett Harwell. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Error correcting code poisoning for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US12003252B2. Автор: Joshua E. Alzheimer,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11995343B2. Автор: Jae Woong Jeong,In Bo Shim,Dal Gon KIM,Na Yeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US12020767B2. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with word line degradation monitor and associated methods and systems

Номер патента: US20210201981A1. Автор: Debra M. Bell,Gitanjali T. Ghosh,Roya Baghi,Arunmozhi R. Subramaniam,Deepika Thumsi Umesh,Sue-Fern Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device and operating method of the memory device and host device

Номер патента: US11740966B2. Автор: Walter JUN,Young San KANG,Ye Jin CHO,Sung Tack HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240005998A1. Автор: Byoung Jun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013837A1. Автор: Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Serial memory device i/o mode selection

Номер патента: EP4004919A1. Автор: Tarun Kumar,Sunil PILLAI,Gopal Karmakar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240038306A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Serial memory device i/o mode selection

Номер патента: WO2021021645A1. Автор: Tarun Kumar,Sunil PILLAI,Gopal Karmakar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-02-04.

Flash memory device with data fragment function

Номер патента: WO2019169078A1. Автор: Hung Vuong,Hyunsuk Shin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-06.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240012568A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

A runtime programmable bist for testing a multi-port memory device

Номер патента: WO2010129127A2. Автор: Michael Nicolaidis,Slimane Boutobza. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2010-11-11.

Voltage generator circuitry of memory device and methods of operating the same

Номер патента: US20210225422A1. Автор: Sanghoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Flash memory device with data fragment function

Номер патента: US20190272110A1. Автор: Hung Vuong,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US11954049B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11842767B2. Автор: Quansheng LI. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

A runtime programmable bist for testing a multi-port memory device

Номер патента: WO2010129127A3. Автор: Michael Nicolaidis,Slimane Boutobza. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2011-01-20.

Method and apparatus for controlling access to a common bus by multiple components

Номер патента: US9684622B2. Автор: Gregory A. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Composite semiconductor memory device with error correction

Номер патента: EP2550661A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-01-30.

Method for managing bad memory blocks in a nonvolatile memory device, and nonvolatile memory device implementing the management method

Номер патента: EP1607984B1. Автор: Nicola Guida,Massimo Iaculo,Andrea Ruggiero. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-15.

Memory system having memory devices each including a programmable internal register

Номер патента: US6044426A. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2000-03-28.

Controller and operation method thereof

Номер патента: US20200334148A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11604596B2. Автор: Jee Yul KIM,Hyeong Ju NA,Tae Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-14.

Controller and operation method thereof for managing read count information of memory block

Номер патента: US20210397556A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element and associated operating method

Номер патента: US20090003048A1. Автор: Byung-Gil Choi,Yu-Hwan Ro,In-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240127892A1. Автор: Yun Cheol Kim,Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods and apparatus for dynamically adjusting performance of partitioned memory

Номер патента: US20210098047A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240047004A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20230352086A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200321066A1. Автор: Hae Soon Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20150016189A1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Memory circuit, memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220399059A1. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2022-12-15.

Bank sharing and refresh in a shared multi-port memory device

Номер патента: EP2243139A1. Автор: Dongyun Lee. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2010-10-27.

Memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US20240212776A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US12014775B2. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory circuit, memory device and operation method thereof

Номер патента: US12014780B2. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-06-18.

Determining a location of a memory device in a solid state device

Номер патента: US9405679B2. Автор: Troy Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices

Номер патента: US6081878A. Автор: Petro Estakhri,Berhanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2000-06-27.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: US20190371373A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Storage controller generating read voltages for soft decision decoding based on read information and decoding information, storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240079073A1. Автор: Hong Rak Son,Kangseok Lee,Yongsung KIL,Soonyoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Storage controller generating read voltages for soft decision decoding based on read information and decoding information, storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: EP4336507A1. Автор: Hong Rak Son,Kangseok Lee,Yongsung KIL,Soonyoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Memory device and computing method thereof

Номер патента: US20240046970A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887663B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory device sensors

Номер патента: US20240036629A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

A flash memory device and control method

Номер патента: IES85799Y1. Автор: Sullivan Joseph,Maurice Ryan Conor. Владелец: Nvmdurance Limited. Дата публикации: 2011-06-22.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: WO2023226417A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-30.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US8902651B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Memory systems including memory controllers that use status input pins to check memory operation statuses of memory devices

Номер патента: US20230152976A1. Автор: Suhyun KIM,Donggeun Lim,Seonghoon Woo,Taeeun Park,Yukyeong Kim,Yejin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device and operation method of swizzling data

Номер патента: US11742046B2. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Magnetic memory device and operation method thereof

Номер патента: US11871678B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshihiro Okamoto,Yasuaki Nakamura,Syuta HONDA. Владелец: Ehime University NUC. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device sensors

Номер патента: US11789519B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Controller, memory system, and operating methods thereof

Номер патента: US20210026767A1. Автор: Jeen PARK,Hyeong Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device and operating method for computing-in-memory

Номер патента: US11908545B2. Автор: Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Wei-Chang Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of operating memory device and method of operating memory system

Номер патента: US20180151218A1. Автор: Min-Su Kim,Sung-Joon Kim,So-Ra Park,Chang-Ho Yun,Hyun-Jung Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory systems including memory controllers that use status input pins to check memory operation statuses of memory devices

Номер патента: EP4187537A1. Автор: Suhyun KIM,Donggeun Lim,Seonghoon Woo,Taeeun Park,Yukyeong Kim,Yejin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Memory device for improving speed of program operation and operating method thereof

Номер патента: EP4177896A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887664B2. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: EP4364142A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Clock locking for packet based communications of memory devices

Номер патента: US11837318B2. Автор: James Brian Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device including racetrack and operating method thereof

Номер патента: US20230335172A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US12027215B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device having data input and output ports and memory module and memory system including the same

Номер патента: TWI344086B. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-21.

Configuring file structures and file system structures in a memory device

Номер патента: US20040177229A1. Автор: Daniel Brown,Christopher Moore,Roger March. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-09.

Memory devices and methods for use therewith

Номер патента: MY128904A. Автор: Roger W March,Christopher S Moore,Daniel T Brown,Thomas H Lee,Mark G Johnson. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Circuitry and methodology to test single bit failures of integrated circuit memory devices

Номер патента: US5633828A. Автор: David C. McClure,Mark A. Lysinger,Frank J. Sigmund,John A. Michlowsky. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1997-05-27.

Semiconductor memory device and operation setting method thereof

Номер патента: US10817189B2. Автор: Makoto Senoo,Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Memory device and operation method thereof for performing multiply-accumulate operation

Номер патента: US20230420043A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20190267070A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11775459B2. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170200504A1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

A flash memory device and control method

Номер патента: IE20100615U1. Автор: Sullivan Joseph,Maurice Ryan Conor. Владелец: Nvmdurance Limited. Дата публикации: 2011-03-30.

Memory device with configurable input/output interface

Номер патента: US20200118605A1. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US20230386587A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Systems and methods for pre-read scan of memory devices

Номер патента: US11862226B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2021034431A8. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210057003A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11854655B2. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Read algorithm for memory device

Номер патента: US11869565B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US11914863B2. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-02-27.

Advanced memory device having improved performance, reduced power and increased reliability

Номер патента: US20120300570A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Paul W. Coteus,Kevin C. Gower,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Daniel M. Dreps,George L. Chiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20230022530A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory devices, modules and systems having memory devices with varying physical dimensions, memory formats, and operational capabilities

Номер патента: EP3899736A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory devices, modules and systems having memory devices with varying physical dimensions, memory formats, and operational capabilities

Номер патента: US20240111707A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory devices, modules and systems having memory devices with varying physical dimensions, memory formats, and operational capabilities

Номер патента: US11789890B2. Автор: Thomas H. Kinsley,Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11769565B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Degradation signaling for a memory device

Номер патента: US11763906B2. Автор: Todd A. Merritt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device for improving speed of program operation and operating method thereof

Номер патента: US11972111B2. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

System on chip, memory device, electronic device comprising the soc and memory device, and method for storing data in the electronic device

Номер патента: US20210182223A1. Автор: Ji Hyun Choi,Seung-Hyun Cho,Hyun-Joong Kim,Woong-jae SONG,Soo-Woong AHN,Joon Sik SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Systems, methods, and apparatuses for using the same memory type to support an error check mode and a non-error check mode

Номер патента: EP1989712B1. Автор: Kuljit Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20230036141A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Simulating a floating wordline condition in a memory device, and related techniques

Номер патента: US20060209617A1. Автор: Robert Perry,Norbert Rehm,Jan Zieleman. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-21.

Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240126707A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for performing memory access management with aid of machine learning in memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190347573A1. Автор: Po-Yi Shih. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20190279705A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: WO2019164547A8. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: EP3759712A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-06.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20200234753A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20190267071A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US11922990B2. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Testing a memory device having field effect transistors subject to threshold voltage shifts caused by bias temperature instability

Номер патента: EP2289071A1. Автор: Nan Chen,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Sian-Yee Sean Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory chiplet having multiple arrays of memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230389341A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Systems, methods, and apparatuses for using the same memory type to support an error check mode and a non-error check mode

Номер патента: EP1989712A2. Автор: Kuljit Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Memory architectures including non-volatile memory devices

Номер патента: WO2006074176A3. Автор: David S Choi,John D Villasenor. Владелец: John D Villasenor. Дата публикации: 2007-05-31.

Memory device test method, apparatus, and system, medium, and electronic device

Номер патента: US11867755B2. Автор: YU Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device and operating method for the same

Номер патента: US20140189283A1. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: US20230066757A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Ims memory cell, ims method and ims memory device

Номер патента: US20240194229A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240203464A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods and systems for memory devices

Номер патента: TW200832423A. Автор: Tien-Chun Yang,Nian Yang,Yong-Gang Wu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10923192B2. Автор: Kyung-Bum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Memory device, memory controller and memory system

Номер патента: US20100146201A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Hitoshi Ikeda,Toshiya Uchida,Tetsuo Miyamoto,Yoshinobu Yamamoto,Shinnosuke Kamata,Masanori Kurita,Hidenaga Takahashi,Ayako Sato,Tatsushi Otsuka,Tatsuya Kanda,Satoru Shirakawa,Tomohiro Kawakubo,Syusaku Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US20230112719A1. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20160260502A1. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220036952A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210280251A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11189346B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-30.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20160116938A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-04-28.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20210049118A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-02-18.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20170192912A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-07-06.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20190196992A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-06-27.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20230359572A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11900983B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multipage data

Номер патента: US11815982B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: US20240020187A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Reading and writing method of memory device and memory device

Номер патента: US11862229B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Magnetic Memory Device

Номер патента: US20230410931A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US11837312B1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20230402074A1. Автор: Sungyong Cho,Hye-Ran Kim,Jaehyeok Baek,Min Ho MAEING,Moonchul Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory device for setting channel initialization time based on inhabition count value and method of the memory device

Номер патента: US11804273B2. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US20230262990A1. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-08-17.

Storage device, memory device, and system including storage device and memory device

Номер патента: US20230350832A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US11948661B2. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Operation method of storage controller using history table, and storage device including the storage controller

Номер патента: US11941293B2. Автор: Minkyu Kim,Sanghyun Choi,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240071478A1. Автор: Yoshinao Suzuki,Masami Masuda,Hideyuki Kataoka,Kazuyoshi Muraoka,Yoshikazu HOSOMURA,Mai SHIMIZU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: EP3770764A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park,Jangseon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-27.

Non-volatile memory devices and systems with volatile memory features and methods for operating the same

Номер патента: EP3785267A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Memory device testing, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US11456049B2. Автор: Jason M. Johnson,Dennis G. Montierth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Memory device storing a plurality of digital media files and playlists

Номер патента: WO2009151524A1. Автор: Kevin M. Conley,Richard C. Spence. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2009-12-17.

Memory device storing a plurality of digital media files and playlists

Номер патента: EP2286353A1. Автор: Kevin M. Conley,Richard C. Spence. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US09934165B2. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Host controlled enablement of automatic background operations in a memory device, and associated memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240311012A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US09747041B2. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory devices, systems, and methods for updating firmware with single memory device

Номер патента: WO2019118130A1. Автор: Yuichi Ise,Cliff Zitlaw,Stephan Rosner,Sergey Ostrikov. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-20.

Memory devices and systems for host controlled enablement of automatic background operations in a memory device

Номер патента: US12032827B2. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Error correction code circuit, memory device including error correction code circuit, and operation method of error correction code

Номер патента: EP4379555A1. Автор: Daehyun Kim,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Memory device management system, memory device management method, and non-transitory computer-readable recording medium erasing data stored in memory device if a value of a first key and second key are different

Номер патента: US11573912B2. Автор: Takayuki Fukutani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Transferring data to a memory device based on importance

Номер патента: US20240095200A1. Автор: Robert Bielby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240095178A1. Автор: Min-Nan CHENG. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US20160342533A1. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Memory device management system, memory device management method, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20210141743A1. Автор: Takayuki Fukutani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

System for alternatively transferring data from external memory to memory device and from memory device to internal memory depending upon processing unit's operational

Номер патента: US5745785A. Автор: Ichiro Nakajima,Daisuke Tabuchi,Wataru Shoji. Владелец: Sofmap Future Design Inc. Дата публикации: 1998-04-28.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US10324869B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-18.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US11216394B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20180004433A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory devices, systems, and methods for updating firmware with single memory device

Номер патента: US20210026620A1. Автор: Yuichi Ise,Stephan Rosner,Sergey Ostrikov,Clifford Zitlaw. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory devices, systems, and methods for updating firmware with single memory device

Номер патента: US20200301698A1. Автор: Yuichi Ise,Cliff Zitlaw,Stephan Rosner,Sergey Ostrikov. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Stacked memory device, optical proximity correction (opc) verifying method, method of designing layout of stacked memory device, and method of manufacturing stacked memory device

Номер патента: US20170250195A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Hyang-Ja Yang,Chang-Bum Kim,Woo-Joung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-31.

Memory device for adjusting memory capacity per channel and memory system including the same

Номер патента: US11836097B2. Автор: Je-Min Ryu,Jae-Hoon Jung,Jae-Won Park,Sang-Hoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device for performing target refresh operation and operating method thereof

Номер патента: US20240104209A1. Автор: Jeong Jin HWANG,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor memory device and erase operation method thereof

Номер патента: US20240220148A1. Автор: Yun-Heub Song,Jae Min SIM,SeonJun CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device capable of improving write processing speed and memory control method

Номер патента: US20120140561A1. Автор: Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Memory device for performing target refresh operation, and operation method thereof

Номер патента: US20240202328A1. Автор: Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Predictive infusion device operations and related methods and systems

Номер патента: US12017044B2. Автор: Salman Monirabbasi,Louis J. Lintereur,Lane DESBOROUGH,Cesar C. Palerm,Kris R. Holtzclaw. Владелец: Medtronic Minimed Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Multiprocess clustering-based ransomware attack detection device and method, and recording medium for recording program for implementing method

Номер патента: EP4246350A1. Автор: Jung Soo Park,Tae Hoon Kim,Dong Ho Choi,Kyu Ho Lee,Sung Geun Lee,Ki Yoong HONG. Владелец: Secuve Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Multi-process clustering-based ransomware attack detection device and method, and recording medium for recording program for implementing method

Номер патента: US20230334151A1. Автор: Kyu-Ho Lee,Tae-hoon Kim,Sung-Geun Lee,Ki-Yoong Hong,Jung-Soo Park,Dong-Ho CHOI. Владелец: Secuve Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Operating method, memory controller, and memory system

Номер патента: US20240211144A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Operating methods, memory controllers, and memory systems

Номер патента: US20240176519A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Using a persistent byte-addressable memory in a compute express link (cxl) memory device for efficient power loss recovery

Номер патента: US20240311019A1. Автор: Rohit Sehgal,Vishal TANNA,Eishan MIRAKHUR. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and device to protect data

Номер патента: RU2488876C2. Автор: Алекс ВИНОКУР. Владелец: Акссана (Израэль) Лтд.. Дата публикации: 2013-07-27.

Method and system for automated commissioning of electrical equipment

Номер патента: RU2747513C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Владелец: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device with user defined operations and associated methods and systems

Номер патента: US12045129B2. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with user defined operations and associated methods and systems

Номер патента: US20240370332A1. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12099639B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240345758A1. Автор: Minji Kim,Jinwoo Park,Sangwon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230305741A1. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Storage device and operating method utilizing a buffer when a write failure occurs

Номер патента: US12141471B2. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Data storage apparatus and operation method thereof

Номер патента: US20210191655A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Method and apparatus for concurrently communicating with multiple embedded dynamic random access memory devices

Номер патента: US20030014606A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Storage device including memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: EP4024220A1. Автор: Duckho Bae,Huijeong Kim,Cheolho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-06.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210382824A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US11513960B2. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Encryption/decryption methods and devices utilizing the same

Номер патента: US7882355B2. Автор: Meng-Huang Chu,Haw-Kuen Su,Pei-Chieh Hu. Владелец: Tian Holdings LLC. Дата публикации: 2011-02-01.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Memory device for providing data in a graphics system and method and apparatus thereof

Номер патента: US09734549B2. Автор: Milivoje Aleksic,Anthony Asaro,Carl K. Mizuyabu,Raymond M. Li,Danny H. M. Cheng. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Accessing circuit of memory device and operation method about reading data from memory device

Номер патента: US11762768B2. Автор: Chih-Wea Wang,Yung-Hui YU. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and apparatus for adaptive data chunk transfer

Номер патента: US20160048331A1. Автор: Karsten Gjoerup. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-18.

Method and apparatus for adaptive data chunk transfer

Номер патента: US09772778B2. Автор: Karsten Gjoerup. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-09-26.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Shared function for multi-port memory device

Номер патента: US20240241823A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and system for accelerating application performance in solid state drive

Номер патента: EP4290380A1. Автор: JING Yang,Rekha Pitchumani,Jingpei Yang,Shuyi PEI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-13.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: EP4246330A1. Автор: Tae-hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

A Portable Memory Device For Use With An Infusion Device

Номер патента: US20230056279A1. Автор: Joshua Guthermann. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Parallel scheduling of write commands to multiple memory devices

Номер патента: US09952779B2. Автор: Barak Baum,Etai Zaltsman,Moti Altahan,Roman Gindin,Yoni Labenski,Yoram Harel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and system for a meta-recipe control software architecture

Номер патента: US09727045B2. Автор: Benno Orschel,Mike Wolfram. Владелец: SunEdison Semiconductor Pty Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system for loading and updating mapping information to host memory area

Номер патента: US12072809B2. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of operating a memory device

Номер патента: US09971549B2. Автор: In-su Choi,Yong-Jun Yu,Doo-Hwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Protecting a memory device from becoming unusable

Номер патента: US09606853B2. Автор: Nitin V. Sarangdhar,Sudhakar Otturu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory controller for reducing the number of error bits in read data and memory system including the same

Номер патента: US12105988B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Error correction method and memory device capable of reading pages continuously

Номер патента: US09678831B2. Автор: Chun-Yu Chen,Mong-Ling Chiao,Tuan-Chieh WANG,Chi-Chih Kuan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Fft engine having combined bit-reversal and memory transpose operations

Номер патента: US20200192968A1. Автор: Indu Prathapan,Sai Ram Prakash JAYANTHI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Fft engine having combined bit-reversal and memory transpose operations

Номер патента: US20210279298A1. Автор: Indu Prathapan,Sai Ram Prakash JAYANTHI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

FFT engine having combined bit-reversal and memory transpose operations

Номер патента: US11734382B2. Автор: Indu Prathapan,Sai Ram Prakash JAYANTHI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method and System for Maintenance Allocation Between NVM Groups

Номер патента: US20230071705A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ran ZAMIR,Dudy David Avraham. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Mapping a physical address differently to different memory devices in a group

Номер патента: US09934143B2. Автор: Kuljit S. Bains,John H. Crawford,Brian S. Morris,Suneeta Sah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US09875038B2. Автор: Songho Yoon,Bomi KIM,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Storage device comprising volatile and nonvolatile memory devices, and related methods of operation

Номер патента: US09772940B2. Автор: Eun-Ju Park,Wan-soo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Portable memory device having mutually exclusive non-volatile electronic data storage

Номер патента: US20200241800A1. Автор: Chad Dustin Tillman,Evan Michael DORSEL. Владелец: Ipxcl LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor system and operating method thereof

Номер патента: US09575888B2. Автор: Eui Jin Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device, waveform data editing method

Номер патента: US09818390B1. Автор: Kenji Hirano,Atsushi Hoshiai,Satoshi Kusakabe. Владелец: Roland Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Multi-device memory serial architecture

Номер патента: US09575662B2. Автор: Mostafa Naguib Abdulla,August Camber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system having first and second memory devices and driving method thereof

Номер патента: US09552314B2. Автор: Dong-Hwi Kim,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Neuronal to memory device communication

Номер патента: US20240160288A1. Автор: John D. Hopkins,Mohad Baboli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US12038806B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Reducing cryptographic update errors in memory devices using cyclical redundancy checks

Номер патента: US12066887B2. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240320093A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Controller and operating method thereof

Номер патента: US20190138447A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Cheon-Ok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

In memory computing (imc) memory device and method

Номер патента: US20240219437A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Virtualized system and method of controlling access to nonvolatile memory device in virtualization environment

Номер патента: US12124369B2. Автор: Dongouk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Ecc decoder and memory controller including the same

Номер патента: US20240143442A1. Автор: Jaehong Kim,Hongrak Son,Yongsung KIL,Soonyoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory addressing methods and associated controller, memory device and host

Номер патента: EP3732574A1. Автор: Chao-Kuei Hsieh. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Memory addressing methods and associated controller, memory device and host

Номер патента: US20240354011A1. Автор: Chao-Kuei Hsieh. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory addressing methods and associated controller, memory device and host

Номер патента: US12061801B2. Автор: Chao-Kuei Hsieh. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Initialization methods and associated controller, memory device and host

Номер патента: US20230350592A1. Автор: Chao-Kuei Hsieh. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory control method and system of memory device

Номер патента: TW201039346A. Автор: Kun-bin Lee,Shao-Kuang Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-11-01.

Semiconductor device with user defined operations and associated methods and systems

Номер патента: US20240004754A1. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Storage device including memory controller implementing journaling and operating method of the memory controller

Номер патента: US11983440B2. Автор: Duckho Bae,Huijeong Kim,Cheolho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor devices with security lock and associated methods and systems

Номер патента: US20220100397A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor devices with security lock and associated methods and systems

Номер патента: WO2022066371A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Method and apparatus for testing memory devices under load

Номер патента: US5961656A. Автор: Billy J. Fuller,Thomas G. Whitten. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1999-10-05.

Error Logging for a Memory Device with On-Die Wear Leveling

Номер патента: US20230350574A1. Автор: Donald M. Morgan,John David Porter,Jeffrey P. Wright,Alan J. Wilson,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Storage device for setting a flag in a mapping table according to a sequence number and operating method thereof

Номер патента: US11841795B2. Автор: Min Jun Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US11775212B2. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11954347B2. Автор: Sung Jin Park,Mi Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Error correction code offload for a serially-attached memory device

Номер патента: US20230297244A1. Автор: Jonathan Hinkle. Владелец: Lenovo Global Technology United States Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Error correction code offload for a serially-attached memory device

Номер патента: US11809272B2. Автор: Jonathan Hinkle. Владелец: Lenovo Global Technology United States Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: WO2021091650A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-05-14.

Nonvolatile memory module and operating method for the same

Номер патента: US20170277464A1. Автор: Hyunju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: US20170177244A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220004340A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory system for updating firmware when SPO occurs and operating method thereof

Номер патента: US11966603B2. Автор: Joo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: EP3391229A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Method and apparatus for initializing a device

Номер патента: US5935242A. Автор: Graham Hamilton,Peter W. Madany,Alan G. Bishop. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method, server and mobile communication device for managing unique memory device identifications

Номер патента: EP2174481B1. Автор: Ismaila Wane,Alexandre Corda,Dominique Brule. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-10.

Computing system including cxl switch, memory device and storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230359578A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Computing system including cxl switch, memory device and storage device and operating method thereof

Номер патента: EP4276642A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240045806A1. Автор: Ji Hoon SEOK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10437489B2. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Non-volatile memory device and controlling apparatus, having extension activating and control parts, where memory device can be operated in an optimum operation mode

Номер патента: US10565137B2. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-18.

Methods and system for efficient access to solid state drive

Номер патента: US20240134801A1. Автор: Rekha Pitchumani,Yang Seok KI,Marie Mai NGUYEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods and system for efficient access to solid state drive

Номер патента: EP4357928A1. Автор: Rekha Pitchumani,Yang Seok KI,Marie Mai NGUYEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Chained bus method and device

Номер патента: WO2010019860A3. Автор: Victor Tsai,William Henry Radke,Bob Leibowitz. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-05-20.

Memory device and operation method performed by the same

Номер патента: US20230266913A1. Автор: Seungwon Lee,Changin CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170322741A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Selectively disabling power delivery to a grouping of memory devices of an information handling system

Номер патента: US20230065935A1. Автор: Lee Zaretsky,Isaac Q. Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-03-02.

Chained bus method and device

Номер патента: WO2010019860A2. Автор: Victor Tsai,William Henry Radke,Bob Leibowitz. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-02-18.

Volatile/non-volatile memory device access provisioning system

Номер патента: US10146704B2. Автор: Jinsaku Masuyama,Ching-Lung Chao,Mukund Khatri. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-12-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20230289059A1. Автор: Sung Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Digitally enabled pelvic assessment and diagnosis device method and devices

Номер патента: US11864738B1. Автор: Stiliyana Ilieva Minkovska,Stoyanka Spasova Minkovska. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190286561A1. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Apparatus and method for controlling a pooled memory device or a memory expander

Номер патента: US20240126469A1. Автор: Jun Hee Ryu,Kwang Jin KO,Ho Kyoon LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Storage system including host and storage device and operation method thereof

Номер патента: US11822800B2. Автор: Sanghyun Choi,Heewon Lee,Hyunkyo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP4006709A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Method and apparatus for viewing the visual properties of a gemstone associated with a packaging unit

Номер патента: EP1782413A2. Автор: Dave Overseas Diamonds Technologies N.V. LAPA,Chrstiaan Louis Cecile Keersmaekers,Marc Frans Alida Van De Velde,Christian Marie Joseph Ghislain Cornille Lenaerts,Martí Guixé ROCA. Владелец: OVERSEAS DIAMONDS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2007-05-09.

Method and apparatus for viewing the visual properties of a gemstone associated with a packaging unit

Номер патента: WO2006021239A2. Автор: Dave Lapa,Chrstiaan Louis Cecile Keersmaekers,Marc Frans Alida Van De Velde,Christian Marie Joseph Ghislain Cornille Lenaerts,Martí Guixé ROCA. Владелец: Overseas Diamonds Technologies N.V.. Дата публикации: 2006-03-02.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US11880275B2. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Commands for testing error correction in a memory device

Номер патента: US20240070014A1. Автор: Francesco Lupo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Data Transfer Between Memory Devices on Shared Bus

Номер патента: US20200371703A1. Автор: Chun-Lien Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Digitally enabled pelvic assessment and diagnosis device method and devices

Номер патента: US20240172935A1. Автор: Stiliyana Ilieva Minkovska,Stoyanka Spasova Minkovska. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-30.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20210124530A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Cache device for coupling to a memory device and a method of operation of such a cache device

Номер патента: US8200902B2. Автор: Nigel Charles Paver,Stuart David Biles,Dam Sunwoo,Prakash Shyamlal Ramrakhyani. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

Advanced detection of memory device removal, and methods, devices and connectors

Номер патента: US8189420B2. Автор: Victor Tsai,James Cooke,Peter Feeley,William H. Radke,Chad Cobbley,Neal Galbo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-29.

Storage device managing a multi-tier cache memory and operating method thereof

Номер патента: US11768625B2. Автор: Kyung Soo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

System for forensic tracing of memory device content erasure and tampering

Номер патента: US20240078348A1. Автор: Sourin Sarkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11853890B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Dai-Ying LEE,Chao-Hung Wang,Ming-Liang WEI. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US11886361B2. Автор: Sung Yeob Cho,Young Jo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US20230266895A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Storage device, memory device, and system including storage device and memory device

Номер патента: EP4273706A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Reducing power consumption by preventing memory image destaging to a nonvolatile memory device

Номер патента: US11880262B2. Автор: Adam Kupczyk,Gabriel Benhanokh. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US11977752B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor memory device performing command merge operation and operation method thereof

Номер патента: US20200341686A1. Автор: Hyun Kim,Hyuk-Jae Lee,Moonsoo KIM,Hyokeun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory device and operation method

Номер патента: US20210357317A1. Автор: Chengyu Xu,Chien Chuan Wang. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200019496A1. Автор: Jong-Min Lee,Hyeong-Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US11977772B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for performing initialization in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190294354A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Wireless memory device authentication

Номер патента: WO2013144416A1. Автор: Jan-Erik Ekberg,Harald Kaaja. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Configurable verify level for a set of data in a memory device

Номер патента: US11861177B2. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory device with enhanced data reliability capabilities

Номер патента: US20220317900A1. Автор: Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory system, data processing system and operating method thereof

Номер патента: US11194587B2. Автор: Joo-young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-07.

Cache management based on memory device over-provisioning

Номер патента: WO2022103925A1. Автор: Peter Feeley,Yun Li,Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Sampath K. Ratnam,Daniel J. Hubbard,Kevin R. Brandt,Christopher S. Hale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory device with enhanced data reliability capabilities

Номер патента: US11966600B2. Автор: Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20230342302A1. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Life expectancy monitoring for memory devices

Номер патента: US11947806B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Scott D. VAN DE GRAAFF,Todd J. Plum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device and associated access method

Номер патента: US20200371710A1. Автор: Yi-Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Accessing stored metadata to identify memory devices in which data is stored

Номер патента: US20230236747A1. Автор: Hongyu Wang,Samuel E. Bradshaw,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Shivasankar Gunasekaran,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Resistive switching memory devices and method(s) for forming the resistive switching memory devices

Номер патента: US12075712B2. Автор: Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Wee Chen Gan. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US20040233757A1. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Memory devices including staircase structures, and related 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015971A1. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory devices including staircase structures, and related 3D NAND flash memory devices

Номер патента: US12108600B2. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device having cylinder-type stacked capacitor and method for fabricating such a semiconductor memory device

Номер патента: US6873002B2. Автор: Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-29.

Semiconductor memory device, and semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US20240315041A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta,Takamasa HAMAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nor type memory device and manufacturing method therefor, and electronic apparatus comprising memory device

Номер патента: EP4307376A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-17.

Method of fabricating a resistance based memory device and the memory device

Номер патента: US7659566B2. Автор: Seung-Eon Ahn,Hye-Young Kim,Byoung-ho Park,Jung-Bin Yun,You-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-09.

Method of fabricating a resistance based memory device and the memory device

Номер патента: US20070037351A1. Автор: Seung-Eon Ahn,Hye-Young Kim,Byoung-ho Park,Jung-Bin Yun,You-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and method of manufacturing flat panel display device provided with the nonvolatile memory device

Номер патента: US8216900B2. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US7193287B2. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-03-20.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20100148181A1. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160254319A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20140326939A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20150295174A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230354610A1. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US9627401B2. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20200176469A1. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230301094A1. Автор: Kyosuke Nanami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Access authorization method and device for its implementation

Номер патента: RU2608710C1. Автор: Виктор Николаевич Фомченко,Александр Петрович Кушнарев,Андрей Васильевич Клюшев,Сергей Владимирович Елагин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" (ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ"). Дата публикации: 2017-01-23.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Memory structures having a single access transistor for multiple memory devices

Номер патента: US20240284687A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3262680A2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Organic electric memory device based on phosphonic acid or trichlorosilane-modified ITO glass substrate and preparation method thereof

Номер патента: US09818963B1. Автор: Jianmei Lu,Jinghui HE. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09589981B2. Автор: Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional and planar memory device co-integration

Номер патента: US20200286956A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716129B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang,Kyu-Rie SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: US11758722B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09666592B2. Автор: Ji Young Kim,Joon Hee Lee,Tae Hwan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US20210066336A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240334690A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor storage device including staggered semiconductor memory devices on opposed surfaces

Номер патента: US20240260194A1. Автор: BO Yang,Chun Sean Lau,Fu Xing Chan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09825221B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Flash memory devices

Номер патента: US09799664B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device having ultra-lightly doped region

Номер патента: US20240196595A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile memory device having multi-level resistance and capacitance characteristics, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200313085A1. Автор: Jae Hyung JANG,Rani Anoop,Se I Oh. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Integrated thin film resistor and memory device

Номер патента: US11742283B2. Автор: Kah Wee Gan,Yun Ling Tan,Benfu Lin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Manufacturing method of memory device

Номер патента: US20230301210A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Shih-Wei Su,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile memory device using two-dimensional material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583639B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Jinseong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09559115B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Manufacturing method of memory device

Номер патента: US12108691B2. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Shih-Wei Su,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Wing-type projection between neighboring access transistors in memory devices

Номер патента: US09947678B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Po-Kai Hsu,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho,Chen-Ming Huang,Josh Lin,Nai-Chao Su,Shih-Ching Lee,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Resistive memory device

Номер патента: US09728721B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620521B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing sidewall spacers on a memory device

Номер патента: US20130161700A1. Автор: Panda Durga,Robert Kerr,Jaydip Guha. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230012513A1. Автор: Wonjun JANG,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Heeyoon Noh. Владелец: Industry Academic Cooperation Foudation Yonsei University. Дата публикации: 2023-01-19.

Non-volatile memory device having vertical cell

Номер патента: US09721965B2. Автор: Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215254A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210335798A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12048150B2. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US11711918B2. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240251545A1. Автор: Jin-Seong Park,Seung Hee Lee,Dong-Gyu Kim,Tae Won Kim,Yu Rim KIM,Yong-Suk Tak,Dong-Hyeon Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11778805B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US20230189500A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129701A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device

Номер патента: US12058867B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298436A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082410B2. Автор: Hyung Joon Kim,Hyun Jung Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334682A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240357796A1. Автор: Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Bottom select gate contacts for center staircase structures in three-dimensional memory devices

Номер патента: US12133385B2. Автор: Qiang Tang,Jason Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349499A1. Автор: Chung-Hsien Liu,Tzu-Yun Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming memory device

Номер патента: US20240357826A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240373620A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357823A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12114513B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile charge trap memory device having a deuterated layer in a multi-layer charge-trapping region

Номер патента: US09741803B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Fredrick Jenne,Sagy Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240381653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244838A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066493A1. Автор: Kuo-Feng Huang,Yu-Chi Kuo,Che-Jui HSU,Ying-Fu Tung,Chun-Sheng Lu,Wang-Ta Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12082395B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Memory devices including barrier layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060077743A1. Автор: Hyun-Sang Hwang,Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-13.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080230829A1. Автор: Tzyh-Cheang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357810A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240373653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230065769A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282770A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing magnetic memory device and magnetic memory device

Номер патента: TW200901390A. Автор: Chen Eugene,Huai Yiming,WANG LIEN-CHANG,Takeharu Kuroiwa,Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Tatsuya Fukumura,Ryoji Matsuda. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of manufacturing magnetic memory device, and magnetic memory device

Номер патента: TWI228327B. Автор: Makoto Motoyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-21.

Semiconductor memory device, phase change memory device and method of manufcturing the same

Номер патента: TW200725613A. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-07-01.

Method and apparatus for electro-optically sensing, transmitting and recording pictorial information in particular facsimile transmission systems

Номер патента: US4203136A. Автор: Ruediger Sommer,Klaus Wellendorf. Владелец: Dr Ing Rudolf Hell GmbH. Дата публикации: 1980-05-13.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240032301A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-25.

A method for forming a textured polysilicon layer, a substrate processing apparatus used to implement this method, and a semiconductor memory device

Номер патента: TW402774B. Автор: Sumioi Sakai. Владелец: Anelva Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-21.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230403853A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US10418377B2. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-17.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US20180233512A1. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor memory device with a buried drain and its memory array

Номер патента: US8994095B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-31.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM, METHOD, AND APPARATUS FOR TRIGGERING AN ALARM

Номер патента: US20120001756A1. Автор: Eckert Lee H.,MERCIER MICHAEL,SHAFER Gary Mark. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus for Implementing a Multiple Display Mode

Номер патента: US20120001829A1. Автор: JUNG Younghee,Anttila Akseli,Tanaka Yumiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS, CONTROL METHOD, AND CONTROL APPARATUS

Номер патента: US20120002233A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and device for protecting computer memory against unauthorized access

Номер патента: RU2222043C2. Автор: Алексей Юрьевич Шевченко. Владелец: Алексей Юрьевич Шевченко. Дата публикации: 2004-01-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PROCESSING DIGITAL DATA IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY DEVICE FOR IMPLEMENTING THE METHOD

Номер патента: RU2004103028A. Автор: Дмитрий Викторович Огородник,Дмитрий Викторович Огородник (RU). Владелец: Дмитрий Викторович Огородник (RU). Дата публикации: 2005-07-10.

Memory stack connection method and multi-layer memory device formed by applying the method

Номер патента: TW591783B. Автор: Jeng-Shiun Tsai. Владелец: Jeng-Shiun Tsai. Дата публикации: 2004-06-11.

An electronic memory device and correction operation method thereof

Номер патента: TW201101319A. Автор: Hsiang-An Hsieh,Shih-Fang Hung,Tzu-Wei Fang. Владелец: A Data Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-01.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.