Exhausting method and means in a dry etching apparatus
Номер патента: US6551520B1
Опубликовано: 22-04-2003
Автор(ы): Ron-Fu Chu
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-04-2003
Автор(ы): Ron-Fu Chu
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
System, method and apparatus for ion milling in a plasma etch chamber
Номер патента: US09899227B2. Автор: Joydeep Guha,Aaron Eppler,Jun Hee Han,Butsurin JINNAI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-02-20.