Method for planarizing a dielectric layer of a flash memory device
Номер патента: US6688969B2
Опубликовано: 10-02-2004
Автор(ы): Chi-Tung Huang
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-02-2004
Автор(ы): Chi-Tung Huang
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods for chemical mechanical polishing and forming interconnect structure
Номер патента: US20210391186A1. Автор: Chi-hsiang Shen,Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Kei-Wei Chen,Ji Cui,Ting-Hsun CHANG,Chun-Chieh Lin,Tang-Kuei Chang,Fu-Ming HUANG,Ting-Kui CHANG,Hung Yen,Wei-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.