Methods for in-situ chamber clean utilized in an etching processing chamber
Номер патента: US9533332B2
Опубликовано: 03-01-2017
Автор(ы): Chung Nang Liu, Meihua Shen, Nicolas Gani, Noel Sun, Radhika C. Mani
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-01-2017
Автор(ы): Chung Nang Liu, Meihua Shen, Nicolas Gani, Noel Sun, Radhika C. Mani
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods for in-situ chamber clean utilized in an etching processing chamber
Номер патента: US20130087174A1. Автор: Meihua Shen,Nicolas Gani,Noel Sun,Chung Nang Liu,Radhika C. Mani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-04-11.