Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Phase change inks comprising organic pigments

Номер патента: CA2813360C
Опубликовано: 11-10-2016
Автор(ы): Daryl W. Vanbesien, Gabriel Iftime, Jennifer L. Belelie, Kentaro Morimitsu, Naveen Chopra, Peter G. Odell
Принадлежит: Xerox Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Phase change inks comprising crystalline amides

Номер патента: US09938422B2. Автор: Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Naveen Chopra,Kentaro Morimitsu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Phase change inks comprising crystalline amides

Номер патента: US09528016B2. Автор: Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Naveen Chopra,Kentaro Morimitsu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Phase change inks

Номер патента: CA2568936C. Автор: Bo Wu,Patricia A. Wang,Trevor J. Snyder,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Phase change ink comprising a modified polysaccharide composition

Номер патента: CA2832614C. Автор: Peter G. Odell,Christopher A. Wagner,Salma Falah Toosi,Mihaela Maria Birau,Biby Esther Abraham,C. Geoffrey Allen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Phase change inks

Номер патента: CA2568928C. Автор: Donald R. Titterington,Bo Wu,Patricia A. Wang,Trevor J. Snyder,Jule W. Thomas, Jr.,Randall R. Bridgeman,Mark H. Tennant. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Phase change inks containing specific colorants

Номер патента: CA2568767A1. Автор: Jeffrey H. Banning,Bo Wu,Trevor J. Snyder,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Oxazoline containing compositions of solid ink with phase change

Номер патента: RU2598472C2. Автор: Адела ГОРЕДЕМА,Гуэрино Г. САКРИПАНТЕ,Рина КАРЛИНИ,Кэролайн М. ТУРЕК,Эдвард Г. ЗВАРТЦ. Владелец: Ксерокс Корпорэйшн. Дата публикации: 2016-09-27.

Phase change ink compositions comprising aromatic ethers

Номер патента: CA2813484C. Автор: Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Stephan V. Drappel,Naveen Chopra,Kentaro Morimitsu,Corey L. Tracy. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Phase change ink compositions and sulfonated compounds for use in the same

Номер патента: US20130276666A1. Автор: Peter G. Odell,James D. Mayo,Salma Falah Toosi,Mihaela Maria Birau,C. Geoffrey Allen,Biby Abraham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Phase change ink compositions comprising diurethanes as amorphous materials

Номер патента: US20130284059A1. Автор: Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Jeffrey H. Banning,Stephan V. Drappel,Naveen Chopra,Kentaro Morimitsu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Phase change inks containing crystalline trans-cinnamic diesters and amorphous isosorbide oligomers

Номер патента: CA2783990C. Автор: Edward G. Zwartz,Caroline M. Turek,Rina Carlini,Guerino G. Sacripante,Adela Goredema. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2015-02-03.

Phase-changing inks containing crystalline trans-cinnamon diesters and polyterpene resins

Номер патента: RU2593865C2. Автор: Адела ГОРЕДЕМА,Рина КАРЛИНИ,Каролин М. ТУРЕК,Эдвард Г. ЦВАРТЦ. Владелец: Ксерокс Корпорэйшн. Дата публикации: 2016-08-10.

Methods for coating a light-transmissive substrate to promote adhesion of a phase-change ink

Номер патента: US4992304A. Автор: Donald R. Titterington. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1991-02-12.

Phase change inks

Номер патента: CA2488086C. Автор: C. Geoffrey Allen,Stephan V. Drappel,Caroline M. Turek,Raymond W. Wong,Paul F. Smith. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Phase change inks containing crystalline trans-cinnamic diesters and polyterpene resins

Номер патента: CA2795966C. Автор: Edward G. Zwartz,Caroline M. Turek,Rina Carlini,Adela Goredema. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Photochromic phase change ink compositions

Номер патента: CA2838598C. Автор: Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Stephan V. Drappel,Naveen Chopra,Daryl W. Vanbesien,Adela Goredema. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Phase change ink containing amorphous amides

Номер патента: US09447297B2. Автор: Barkev Keoshkerian,Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Naveen Chopra,Adela Goredema,Kentaro Morimitsu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Phase change inks

Номер патента: CA2607097C. Автор: Christopher A. Wagner,Caroline M. Turek,Raymond W. Wong,Adela Goredema. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-03-22.

Phase change ink imaging component with nano-size filler

Номер патента: US20040109055A1. Автор: Santokh Badesha,David Pan. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Phase Change Inks Containing Oligomeric Rosin Esters

Номер патента: US20140137767A1. Автор: Edward G. Zwartz,Rina Carlini,Adela Goredema,Kentaro Morimitsu,Gail Song. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Phase change inks with improved image permanence

Номер патента: US20040226476A1. Автор: Marcel Breton,H. Goodbrand,Christine Bedford. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Isocyanate-derived materials for use in phase change ink jet inks

Номер патента: US20030164116A1. Автор: Donald R. Titterington,Loc V. Bui,Jeffrey H. Banning,Clifford R. King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Phase change inks containing curable amide gellant compounds

Номер патента: US7714040B2. Автор: Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Eniko Toma. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Alkylated tetrakis(triaminotriazine) compounds and phase change inks containing same

Номер патента: US20040050295A1. Автор: Marcel Breton,H. Goodbrand,James Wuest,Jeffrey Banning,Marie-Eve Perron,Donald Titterington,Danielle Boils-Boissier,Jule Thomas,Francis Monchamp,Hugues Duval. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Phase change inks containing fischer-tropsch waxes

Номер патента: CA2660508C. Автор: Christopher A. Wagner,Bo Wu,Raymond W. Wong. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Phase change inks containing fischer-tropsch waxes

Номер патента: CA2660508A1. Автор: Christopher A. Wagner,Bo Wu,Raymond W. Wong. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-10-03.

Ink set and manufacturing process for phase change inks

Номер патента: CA2757593C. Автор: Marcel P. Breton,Michelle N. Chrétien,Barkev Keoshkerian,Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Naveen Chopra. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Phase Change Inks Containing Quinacridone Pigments and Synergists

Номер патента: US20140144348A1. Автор: Peter G. Odell,C. Geoffrey Allen,Maria M. BIRAU,Biby E. Abraham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Phase change ink compositions comprising crystalline diurethanes and derivatives thereof

Номер патента: US20130284056A1. Автор: Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Jeffrey H. Banning,Naveen Chopra,Kentaro Morimitsu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Phase change ink compositions comprising crystalline diurethanes and derivatives thereof

Номер патента: US09528015B2. Автор: Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Jeffrey H. Banning,Naveen Chopra,Kentaro Morimitsu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Compositions of pigment concentrates in phase change inks

Номер патента: US20140142231A1. Автор: Barkev Keoshkerian,Jennifer L. Belelie,Daryl W. Vanbesien,Adela Goredema,James Daniel Mayo. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Phase change ink containing amphiphilic molecule

Номер патента: US20080100684A1. Автор: Peter G. Odell,Tyler B. NORSTEN. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Solid or phase change inks with improved properties

Номер патента: CA2705983C. Автор: Marcel P. Breton,Peter G. Odell,Stephan V. Drappel,Caroline M. Turek,Paul J. McConville,Mojgan Rabbani,James R. Larson,Jennifer Rea. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

Bio-renewable fast crystallizing phase change inks

Номер патента: CA2832618C. Автор: Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Caroline M. Turek,Rina Carlini,Adela Goredema,Kentaro Morimitsu,Corey L. Tracy,Nathan M. Bamsey. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Phase change ink compositions

Номер патента: CA2400930A1. Автор: Thomas W. Smith,H. Bruce Goodbrand,Kathleen M. McGrane,Daniel Foucher,Dina Popovic. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-03-07.

Phase change inks

Номер патента: US7501015B2. Автор: Christopher A. Wagner,C. Geoffrey Allen,Rina Carlini,Stephan Drappel,Paul F. Smith,Peter Gordon Odell,Jennifer Lynne Belelie,Eniko Toma. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-03-10.

Phase change inks

Номер патента: US20060016369A1. Автор: Bo Wu,Jeffrey Banning,Donald Titterington,Randall Bridgeman. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

Phase change ink compositions

Номер патента: US20090082489A1. Автор: Marcel P. Breton,Caroline M. Turek. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Waterfast high gloss hyperthermogelling aqueous phase change ink and method for use

Номер патента: US5554212A. Автор: Donald R. Titterington,Loc V. Bui,Bhalchandra M. Karandikar,Clifford R. King. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1996-09-10.

Isocyanate-derived colored resins for use in phase change ink jet inks

Номер патента: US5780528A. Автор: Donald R. Titterington,Loc V. Bui,Jeffery H. Banning,Clifford R. King. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Pigmented phase change inks containing low molecular weight pigment dispersants

Номер патента: CA2724929C. Автор: Peter G. Odell,Christopher A. Wagner,C. Geoffrey Allen,Caroline M. Turek,Raymond W. Wong,Adela Goredema,Maria Birau,Maxine Haberl. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

Hot melt phase change ink containing Diels-Alder polymerization precursor

Номер патента: US6042227A. Автор: Michael B. Meinhardt,Clifford R. King. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Phase change ink for ophthalmic lens marking

Номер патента: US09567472B2. Автор: Bo Wu,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Water dispersible phase change ink suitable for use as a photo-mask

Номер патента: US09481803B2. Автор: Bo Wu,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Pigment dispersion and curable phase change inks containing the same

Номер патента: US20120123040A1. Автор: Michelle N. Chrétien,Barkev Keoshkerian,Naveen Chopra,Daryl W. Vanbesien. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Nonpolar liquid and solid phase change ink compositions comprising nanosized particles of benzimidazolone pigments

Номер патента: US20100300326A1. Автор: C. Geoffrey Allen,Rina Carlini. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Phase Change Magnetic Ink And Process For Preparing Same

Номер патента: US20120162306A1. Автор: Peter G. Odell,Gabriel Iftime,C. Geoffrey Allen,Caroline Turek. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for realizing anti-icing of aircraft surface by lubricating with phase-change material

Номер патента: NL2029566B1. Автор: Liu Hong,Li Xiaofei,Huang Xiaobin,Kong Weiliang. Владелец: Univ Shanghai Jiaotong. Дата публикации: 2023-06-01.

Nanostructured phase change materials for solid state thermal management

Номер патента: US09963627B2. Автор: Sumitra RAJAGOPALAN,Giovanni Alexander Fabra Prieto. Владелец: Bioastra Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

System and method for preparing conductive structures using radiation curable phase change gel inks

Номер патента: CA2708056A1. Автор: Barkev Keoshkerian,Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Christopher A. Wagner,Naveen Chopra,Michelle C. Chretien. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Microencapsulation of a phase change meterial with enhanced flame resistance

Номер патента: WO2010042566A1. Автор: Timothy James Riazzi,Danny Allen Davis,Dale Ellis Work. Владелец: Microtek Laboratories, Inc.. Дата публикации: 2010-04-15.

Thermal energy storage and temperature stabilization phase change materials comprising alkanolamides and diesters and methods for making and using them

Номер патента: US20170044414A1. Автор: William Rusty Sutterlin,Aymara M. ALBURY. Владелец: Entropy Solutions LLC. Дата публикации: 2017-02-16.

Phase change inks containing wax-soluble near-infrared dyes

Номер патента: US09738811B2. Автор: Jeffrey H. Banning,Stephan V. Drappel,Bo Wu,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Phase change ink formulations, colorant formulations, and methods of forming colorants

Номер патента: US20060155135A1. Автор: Clifford King,Jeffrey Banning,Donald Titterington,Michael Meinhardt. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Phase change solid imaging material

Номер патента: US6133353A. Автор: Loc V. Bui,My T. Nguyen. Владелец: 3D Systems Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Composite coatings containing phase change materials

Номер патента: US20210340387A1. Автор: Narayanan Neithalath,Matthew Aguayo,Aashay Arora. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-04.

Dynamic thermal infrared stealth composite material based on dual phase change and preparation method thereof

Номер патента: US20210324254A1. Автор: Jian Chen,Chuanchang LI,Baoshan XIE. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-21.

Polyurethane phase-change nanocapsule, phase-change polyurethane pouring sealant and preparation method therefor

Номер патента: US20240309256A1. Автор: Zhi Yu,Jianjun Chen,Jun Song,Hengchao HUANG,Mingsong Miao,You Rao. Владелец: Guangzhou Baiyun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: US20240298825A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-09-12.

Process for preparing phase change microcapsule having thermally conductive shell

Номер патента: US09480960B2. Автор: Yi-Hsiuan Yu,Yen-Feng Shih,Hou-An Hsieh,Yen-Lin Tseng. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of encapsulating a phase change material

Номер патента: US20230295918A1. Автор: Georgios Polyzos,Jaswinder K. Sharma. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09803123B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09695349B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Neal Energy Management LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

A phase change material composition and method of preparation thereof

Номер патента: US20210292629A1. Автор: Tao Tang,Qiang Zhu,Jian Wei Xu,Ying YingLesley LOW,Xian Yun Debbie SOO. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2021-09-23.

Dynamic thermal infrared stealth composite material based on dual phase change and preparation method thereof

Номер патента: US11807797B2. Автор: Jian Chen,Chuanchang LI,Baoshan XIE. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

Process for incorporation of a phase change material into gypsum wallboards and other aggregate construction panels

Номер патента: CA1332683C. Автор: Jean Paris,Jean-Francois Houle. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 1994-10-25.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: AU2022311328A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-02-01.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: CA3225533A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2023-01-19.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: EP4369993A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-05-22.

Refrigerator Having A Water Dispensing Assembly And A Phase Change Material

Номер патента: US20170203948A1. Автор: Frank Bailly,Bernd Brabenec,Michael Laudahn. Владелец: BSH HAUSGERAETE GMBH. Дата публикации: 2017-07-20.

Phase-change suspension fluid composition including polyethylene oxide particles and method for manufacturing the same

Номер патента: US09914105B2. Автор: Jae Sik Seo,Jong Min Park,Hyung Jin Choi,Kyung Mo Yang,Dae Sung CHANG. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-03-13.

Polyurethane phase-change compositions and methods of manufacture thereof

Номер патента: GB2583389A. Автор: WEI MING,Litke Brian. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: EP3344381A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2018-07-11.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: US20180223146A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: College Of North Atlantic - Qatar. Дата публикации: 2018-08-09.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: EP3733276A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: College Of North Atlantic Qatar. Дата публикации: 2020-11-04.

Phase-change suspension fluid composition including fumed silica particles and method for preparing the same

Номер патента: US9719003B2. Автор: Jae Sik Seo,Jong Min Park,Kyung Mo Yang,Dae Sung CHANG,Hyoung Jin CHOI. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-08-01.

Thermal energy storage phase change materials comprising boronic acids and methods of making and using them

Номер патента: US20170226395A1. Автор: William Rusty Sutterlin,Andre Williams. Владелец: Entropy Solutions LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Heat sink phase change material

Номер патента: US20190212080A1. Автор: Gregory John Quinn,Daniel J. Kehoe. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Battery pack containing phase change material

Номер патента: US20180053977A1. Автор: Normand Lebreux,Eric Menard. Владелец: Consortium de Recherche BRP Universite de Sherbrooke SENC. Дата публикации: 2018-02-22.

Phase change material

Номер патента: EP3303501A1. Автор: Hans-Peter Hentze,Bjarne Nielsen. Владелец: DUPONT NUTRITION BIOSCIENCES APS. Дата публикации: 2018-04-11.

Phase change material

Номер патента: US20220064511A1. Автор: Hans-Peter Hentze,Bjarne Nielsen. Владелец: DuPont Industrial Biosciences USA LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Phase change material

Номер патента: WO2016189090A1. Автор: Bjarne Nielsen,Hans Peter HENTZE. Владелец: DUPONT NUTRITION BIOSCIENCES APS. Дата публикации: 2016-12-01.

Phase change material

Номер патента: CA2978991C. Автор: Hans-Peter Hentze,Bjarne Nielsen. Владелец: DUPONT NUTRITION BIOSCIENCES APS. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change material

Номер патента: EP3971258A1. Автор: Hans-Peter Hentze,Bjarne Nielsen. Владелец: DuPont Industrial Biosciences USA LLC. Дата публикации: 2022-03-23.

Battery pack containing phase change material

Номер патента: US20190051955A1. Автор: Normand Lebreux,Eric Menard. Владелец: Consortium de Recherche BRP Universite de Sherbrooke SENC. Дата публикации: 2019-02-14.

Phase-change microcapsule, separator, electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: EP4262006A1. Автор: Shaojun Niu,Fengsheng Han. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Phase-change microcapsule, separator, electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: US20230395903A1. Автор: Shaojun Niu,Fengsheng Han. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: MY137459A. Автор: PULLEN David,Terrance J Dishongh,Damion T Searls. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-30.

Multi-component phase change material flame retardant, method for preparing, and application thereof

Номер патента: US20240327711A1. Автор: Li He,Dan Wang,Guolin Liu,Fei REN,Congling Shi,Honglei Che,Xiaodong QIAN,Jingyun JING,Mei Wan. Владелец: China Academy of Safety Science and Technology CASST. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: EP1264343A2. Автор: Damion T. Searls,Terrance J. Dishongh,David H. Pullen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Multifunctional composite phase change material supported by nickel-plated foam and mxene collaboratively, and preparation method thereof

Номер патента: NL2033966A. Автор: XUE Bai,Cheng Ziling. Владелец: Univ Guizhou. Дата публикации: 2023-03-07.

Multifunctional composite phase change material supported by nickel-plated foam and mxene collaboratively, and preparation method thereof

Номер патента: NL2033966B1. Автор: XUE Bai,Cheng Ziling. Владелец: Univ Guizhou. Дата публикации: 2023-07-28.

Phase-Change emulsion heat-transfer medium, preparation method therefor, and battery heat management system

Номер патента: GB2595152A. Автор: Zhang Zhengguo,FANG Xiaoming,Wang Fangxian,Ling Ziye. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2021-11-17.

Gel comprising a phase-change material, method of preparing the gel, thermal exchange implement comprising the gel

Номер патента: EP3122335A1. Автор: Richard M. Formato,Dimitrios P. Bakllas,Amrut N. Biswal. Владелец: Cold Chain Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-01.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: US09890313B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Nidhi Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-13.

Forced air cooling system with phase change material

Номер патента: US20190390096A1. Автор: Giti Karimi-Moghaddam,Pietro CAIROLI,Taosha Jiang. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-12-26.

Removable phase change material to produce conformable interface for recharging an implanted neurostimulator

Номер патента: US20230310869A1. Автор: Robert J. Monson,Andrew Thomas Fried. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-10-05.

Gel comprising a phase-change material, method of preparing the gel, thermal exchange implement comprising the gel, and method of preparing the thermal exchange implement

Номер патента: US09598622B2. Автор: Richard M. Formato,Dimitrios P. Bakllas,Amrut N. Biswal. Владелец: Cold Chain Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Photoresponsive, form-stable phase change composites and photodetectors made therefrom

Номер патента: US09834714B2. Автор: Zhenqiang Ma,Shaoqin GONG,Yunming Wang,Hongyi Mi. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-12-05.

Solid state martensitic transformation phase change material components for thermal energy storage and transient heat transfer systems

Номер патента: US12071583B2. Автор: Brian Donovan,Darin J. Sharar,Ronald Warzoha. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2024-08-27.

Polymer composition containing heat-accumulating phase change material, process for preparing said composition and product containing said composition

Номер патента: RU2415899C2. Автор: Херман РЕЕЗИГТ,Бартоломеус Вильхельмус Мария РАУВЕРС,Хендрик ГЛАСТРА. Владелец: Капзо Интернэшнл Б.В.. Дата публикации: 2011-04-10.

Phase Change Inhibited Materials for Lithium-ion Battery Cooling

Номер патента: AU2020100654A4. Автор: Dongya Lu,Qinglong Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-04.

Shape stable phase change materials

Номер патента: GB2626197A. Автор: Busch Rainer,Stuart Biggin Ian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-17.

Phase change material

Номер патента: US20230265332A1. Автор: LIN Cong,Yulong Ding,Derek Chapman,Boyang ZOU. Владелец: Hubbard Products Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Phase change materials

Номер патента: WO2024153920A1. Автор: Rainer Busch,Ian Stuart Biggin. Владелец: Ian Stuart Biggin. Дата публикации: 2024-07-25.

Phase change material with shape stabilisation, method for producing thereof and use thereof

Номер патента: EP4455248A1. Автор: Kinga Pielichowska,Martyna SZATKOWSKA. Владелец: Akademia Gomiczo Hutnicza. Дата публикации: 2024-10-30.

Gel comprising a phase-change material, method of preparing the gel, and thermal exchange implement comprising the gel

Номер патента: US09556373B2. Автор: Richard M. Formato,Dimitrios P. Bakllas. Владелец: Cold Chain Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Cu-doped Sb-Te system phase change material, phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: US11807798B2. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

Cu-DOPED Sb-Te SYSTEM PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230287253A1. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-14.

Phase change heat storage rubber, method for preparing the same, and using method thereof

Номер патента: US20220081601A1. Автор: Liqiang Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Ultra-low temperature phase change gel

Номер патента: US20230028657A1. Автор: Tao Tang,Xiaoshan FAN. Владелец: Pregis New Materials Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Shape-stabilized phase change materials for energy storage

Номер патента: US20210102106A1. Автор: Mohammad Mizanur Rahman,Md. Hasan Zahir,Mohammed Mozahar HOSSAIN,Salhi BILLEL. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2021-04-08.

Epoxy based phase change material, composition and method thereof

Номер патента: WO2024023846A1. Автор: Shashikant Sangmeshwar PAYMALLE,Amol Murlidharrao KENDHALE. Владелец: Elantas Beck India Limited. Дата публикации: 2024-02-01.

Constant temperature packaging system and phase change formulation

Номер патента: CA2300618C. Автор: Ted J. Malach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-20.

A composite phase change material

Номер патента: GB2501393A. Автор: Dezhong Yang,Hao Du,Jianjun Shuang. Владелец: Chevron HK Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Superheated phase changing nanodroplets for hydrocarbon reservoir applications

Номер патента: US11932810B2. Автор: Amr I. Abdel-Fattah,Jesus Manuel Felix Servin. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: WO2014064518A3. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Samit JAIN,Nidhi AGRAWAL. Владелец: Agrawal Nidhi. Дата публикации: 2014-07-03.

Superheated phase changing nanodroplets for hydrocarbon reservoir applications

Номер патента: US20230313025A1. Автор: Amr I. Abdel-Fattah,Jesus Manuel Felix Servin. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-10-05.

Sub-zero phase change materials with multiple crystallisation events

Номер патента: CA3207280A1. Автор: David Oliver,Andrew Bissell,Gylen ODLING,Kate FISHER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-09.

Sub-zero phase change materials with multiple crystallisation events

Номер патента: EP4301826A1. Автор: David Oliver,Andrew Bissell,Gylen ODLING,Kate FISHER. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Sub-zero phase change materials with multiple crystallisation events

Номер патента: US20240141221A1. Автор: David Oliver,Gylen ODLING,Kate FISHER. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Flexible phase change material

Номер патента: US20220380651A1. Автор: Johannes Ijsbrand Tiesnitsch. Владелец: TIESNITSCH BEHEER BV. Дата публикации: 2022-12-01.

Thermally reflective encapsulated phase change pigment

Номер патента: WO2007019447A2. Автор: James V. Bellemare. Владелец: The Government of the USA, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2007-02-15.

Phase change materials composite formulations

Номер патента: US12031084B2. Автор: Claudia Catalina Luhrs. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-07-09.

Mattress assemblies and components including phase change materials

Номер патента: WO2022108873A4. Автор: Ryan P. LIVELY,Sheri McGuire,Stephen J. A. DEWITT,Yun-Ho Ahn. Владелец: DREAMWELL, LTD.. Дата публикации: 2022-07-21.

Flexible phase change material

Номер патента: EP4028483A1. Автор: Johannes Ijsbrand Tiesnitsch. Владелец: TIESNITSCH BEHEER BV. Дата публикации: 2022-07-20.

Flexible phase change material

Номер патента: NL2023799B1. Автор: Ijsbrand Tiesnitsch Johannes. Владелец: Tiesnitsch Beheer B V. Дата публикации: 2021-05-17.

Process for manufacturing a phase change material for a temperature-controlled shipping package

Номер патента: GB2615569A. Автор: Chu Tay. Владелец: Hydropac Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Phase change heat-storing mechanisms for substrates of electronic assemblies

Номер патента: US11754343B2. Автор: Shailesh N. Joshi,Ercan M. Dede. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Mattress assemblies and components including phase change materials

Номер патента: EP4247912A1. Автор: Ryan P. LIVELY,Sheri McGuire,Stephen J. A. DEWITT,Yun-Ho Ahn. Владелец: Dreamwell Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Phase change composite apparatus for battery packs and methods of making

Номер патента: US20220302520A1. Автор: Said Al-Hallaj,Hexu WANG,Samuel T. PLUNKETT,Scott Morehouse,De'Nard HARPER,Reem KHOURY,Hamdi MOHAMED,Dan BAGBY. Владелец: Beam Global. Дата публикации: 2022-09-22.

Compositions Comprising Phase Change Materials and Methods of Making the Same

Номер патента: US20230250327A1. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Compositions Comprising Phase Change Materials and Methods of Making the Same

Номер патента: US20230227704A1. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Micro-encapsulated phase-change material, preparation method thereof, and pillow comprising the same

Номер патента: US20230090981A1. Автор: Yong Wan. Владелец: Wuxi JHT Homewares Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Compositions comprising phase change materials and methods of making the same

Номер патента: US12077707B2. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Phase change material composition

Номер патента: EP4424792A1. Автор: Robin Studer,Poppy Jayne Patricia Hurst O'Neill,Remo Waser. Владелец: Cowa Thermal Solutions Ag. Дата публикации: 2024-09-04.

Phase change material composition

Номер патента: WO2024180405A1. Автор: Robin Studer,Poppy Jayne Patricia Hurst O'Neill,Remo Waser. Владелец: Cowa Thermal Solutions Ag. Дата публикации: 2024-09-06.

Method of modulated exothermic chemical systems through phase change materials

Номер патента: US09976068B2. Автор: Aydin K. Sunol,Sermin G. Sunol. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2018-05-22.

Compositions comprising phase change materials and methods of making the same

Номер патента: US09914865B2. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of modulated exothermic chemical systems through phase change materials

Номер патента: US09481821B2. Автор: Aydin K. Sunol,Sermin G. Sunol. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2016-11-01.

Composite phase change material

Номер патента: CA2812332C. Автор: Dezhong Yang,Hao Du,Jianjun Shuang. Владелец: Chevron HK Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Delayed phase changing agent for invert emulsion drilling fluid

Номер патента: CA2514592C. Автор: Frank E. Evans,Robert L. Horton,Mark Luyster,Bethicia B. Prasek,Steve Mason,Taylor Green. Владелец: MI LLC. Дата публикации: 2010-03-23.

Thermally conductive phase-change composition, methods of manufacture thereof, and articles including the composition

Номер патента: GB2611901A. Автор: Smith Ian,Tan Kuitian,William Baker David. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Fabrication of a phase change material (PCM) integrated insulation

Номер патента: US11828060B2. Автор: Liping Cai,Sheldon Q. Shi,Weihuan Zhao. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2023-11-28.

Dissipating heat using phase change material

Номер патента: US10524392B1. Автор: Tsung-Yu Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: US11795360B2. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-24.

Thermal Conduction Enhanced Organic Composite Shape-stabilized Phase Change Material and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20200095489A1. Автор: Bingtao Tang,Shufen Zhang,Yuang Zhang,Rongwen Lv,Xiaoqiao FAN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2020-03-26.

Reusable phase-change thermal interface structures

Номер патента: US09826662B2. Автор: Tao Deng,Binoy Milan Shah,Joo Han Kim,Yogen Vishwas Utturkar,Graham Charles Kirk,Jay Todd Labhart,Pramod Charmarthy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-11-21.

Phase change composition containing a nucleating agent

Номер патента: WO2002081589A3. Автор: Ival O Salyer. Владелец: Energy Storage Technologies In. Дата публикации: 2002-12-19.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: WO2020161507A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: SUNAMP LIMITED. Дата публикации: 2020-08-13.

Controllable phase change material bag and preparation method thereof and application thereof

Номер патента: US20220307773A1. Автор: Hong Yu,Lizhi Zhang,Chuanshuai DONG. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-09-29.

Phase change composite and preparation method and use thereof

Номер патента: US20240076497A1. Автор: Xiaoqing Yang,Guoqing Zhang,Ziqian Wu,Yuming LI,XinXi LI. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-07.

Phase-change Energy Storage Solar Panel and Preparation Method Therefor

Номер патента: AU2021100025A4. Автор: Jun Xu,Shuwei Wang,Ran Bi,Guosheng YANG,Qiongming Jiang,Zhonglin Nong,Meinan Wang,Yingming ZHOU. Владелец: Beibu Gulf University. Дата публикации: 2021-04-15.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: EP3921383A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: CA3128739A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: US20220195281A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Methods of making shape stable phase change material compositions

Номер патента: WO2024102900A1. Автор: Brian Chapman,Emmanuel MENA,Reyad Sawafta,Ryan McDaniel,Venu KUTURU,Mark Mcneill. Владелец: Phase Change Energy Solutions, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: EP4299548A2. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-03.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: US20200190382A1. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-18.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: EP4299548A3. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-03.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: EP3652266A1. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-20.

Density stabilized phase change material

Номер патента: MY121401A. Автор: James A Robinson,David John Czarnecki. Владелец: Modine Mfg Co. Дата публикации: 2006-01-28.

Hydrated mgcl2 or mg(no3)2/mgcl2 reversible phase change compositions

Номер патента: AU7740081A. Автор: George Ashel Lane,Harold Everett Rossow. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1982-07-01.

Methods for preparing liquid-solid phase change proppant with a controllable particle size based on emulsified resin

Номер патента: US11708527B1. Автор: Wei Zhang,MING Chen,Caili DAI,Yunpeng Wang,Xiaoqiang LIU,Jianchun Xu,Jiacheng Fan,Tiankui GUO,Hangyu Li. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2023-07-25.

Phase-change temperature control material compounded from hybrid fibers and preparation method thereof

Номер патента: AU2020101808A4. Автор: Guodong Li,Xiaobin Dong,Jiaojiao SUN,Wenjia Han,Shoujuan WANG,Fangong KONG. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2020-09-17.

Shape-stabilized phase change materials for energy storage based on hierarchically porous calcium magnesium carbonate

Номер патента: US20210147736A1. Автор: Md. Hasan Zahir,Abbas Saeed Hakeem,Mohammed Mozahar HOSSAIN,Md. SHAFIULLAH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2021-05-20.

Photoresponsive, form-stable phase change composites and photodetectors made therefrom

Номер патента: US20160319175A1. Автор: Zhenqiang Ma,Shaoqin GONG,Yunming Wang,Hongyi Mi. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-11-03.

Hydrated mgcl2 or mg(no3)2/mgcl2 reversible phase change compositions

Номер патента: AU546535B2. Автор: George Ashel Lane,Harold Everett Rossow. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1985-09-05.

Method of containing a phase change material in a porous carbon material and articles produced thereby

Номер патента: CA2382070C. Автор: David Burton,Chi Tang,Douglas Moseley,Douglas Fate,Max Lake,Joseph Hager. Владелец: Aircraft Braking Systems Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Phase Change Inhibited Materials for Solar Panel Cooling

Номер патента: AU2020100650A4. Автор: Dayong Hu,Dongya Lu. Владелец: Pci Green Tech Pty Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Thermal interface materials including polymeric phase-change materials

Номер патента: US11130845B2. Автор: Dylan J. Boday,Joseph Kuczynski,Timothy C. Mauldin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Phase change material for a temperature-controlled shipping package

Номер патента: GB2615086A. Автор: Chu Tay. Владелец: Hydropac Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Thermal interface materials including polymeric phase-change materials

Номер патента: US20190256665A1. Автор: Dylan J. Boday,Joseph Kuczynski,Timothy C. Mauldin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Thermal storage system using phase change materials in led lamps

Номер патента: WO2009110987A1. Автор: Matthew Weaver,James Kingman. Владелец: Lighting Bug, Llc. Дата публикации: 2009-09-11.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: WO2004011550A3. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 2004-04-08.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: WO2004011550A2. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2004-02-05.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: EP1525262A2. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2005-04-27.

Novel modular gypsum board based on phase-change material and construction method therefor

Номер патента: LU505579B1. Автор: Xiao Dong,Yun Zhang,Zhiqing Chen,Chi XU,Deyu KONG,Dianle Qiu. Владелец: Zhejiang Province Institute Of Architectural Design And Res. Дата публикации: 2024-05-21.

A device for effecting an exothermic reaction to drive a phase change from a liquid to a gas

Номер патента: WO2017218961A1. Автор: Brian P. Roarty. Владелец: Roarty Brian P. Дата публикации: 2017-12-21.

Insulated chamber with phase change material

Номер патента: US09927169B2. Автор: Milton F Baker,Dale C Barnett,Robert W Dotterer,David N Figel,Stephen C Keiser. Владелец: CARON PRODUCTS AND SERVICES Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Thermoset additive manufactured articles incorporating a phase change material and method to make them

Номер патента: US20190248065A1. Автор: Daniel L. Dermody,Craig F. GORIN,Aleksander J. Pyzik,Sharon Allen,Niranjan MALVADKAR,Daniel P. Sophiea,Sanjay C. SOLANKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-15.

Phase-change information recording medium, manufacturing method for the same, sputtering target, method for using the phase-change information recording medium and optical recording apparatus

Номер патента: US7438965B2. Автор: Masaki Kato,Kazunori Ito,Masaru Shinkai,Makoto Harigaya,Mikiko Abe,Hiroshi Deguchi,Hiroyoshi Sekiguchi,Hiroko Ohkura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-21.

Skived foam article containing energy absorbing phase change material

Номер патента: US5851338A. Автор: Robert J. Pushaw. Владелец: Wyner R H Associates Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Phase change adsorbents for chemical storage and separation applications

Номер патента: US20240024848A1. Автор: Jeffrey R. Long,Colin A. Gould,Ever O. Velasquez,Mercedes K. Taylor. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-01-25.

Polyurethane foam pillow with temperature self-adjusting function based on phase change microcapsule and preparation method thereof

Номер патента: AU2021107056A4. Автор: Yong Wan. Владелец: Wuxi JHT Homewares Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Phase-change recording film with stable crystallization rate, target and process for producing the phase-change recording film

Номер патента: US20080220197A1. Автор: Hung-Chuan MAI,Jonq-Ren Lee,Yuan-Chang Lai,Tsung-Eong Hsieh. Владелец: Solar Applied Material Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US20170125675A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Novel phase change solvents

Номер патента: EP1562998B1. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-05-12.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US09911916B2. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Doped phase change material and pram including the same

Номер патента: US20080149908A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Phase change material layers and phase change memory devices including the same

Номер патента: US20090179185A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Cheol-Kyu Kim,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Youn-Seon Kang,Tae-Yon Lee,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Phase change memory device

Номер патента: US8263963B2. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-11.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20110180774A1. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Composition and method for preparing microencapsulated phase change materials

Номер патента: EP4423159A1. Автор: Wei Li,Liang Zhang,Jiguang Zhang,Minbiao HU. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Nonvolatile phase change magnetic material, manufacturing method thereof, and nonvolatile phase change magnetic memory using the same

Номер патента: US8105704B2. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile Phase Change Magnetic Material, Manufacturing Method Thereof, and Nonvolatile Phase Change Magnetic Memory Using the Same

Номер патента: US20080026257A1. Автор: Hidenori Takagi,Tomohiro Takayama. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-01-31.

Flexible, heat-conducting, insulating, and viscous phase change heat dissipation sheet, and preparation method therefor and battery thermal management system thereof

Номер патента: US20240213580A1. Автор: YI WU,Xiaoming Fang,Zhengguo Zhang,Ziye LING. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-06-27.

Preparation method of shape stabilized phase change material via microporous carbon derived from chitin aerogel and application in thermal storage

Номер патента: LU502456B1. Автор: HUI Li,Xiaomin DENG,Lingbin Kong,Junchi Wang,Xiaobo Yan,Wenyao Guo. Владелец: Univ Shandong Jianzhu. Дата публикации: 2023-01-06.

Composition of microwavable phase change material

Номер патента: US9765201B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20120108037A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Phase change solvents for thermoplastic polymers

Номер патента: CA2489571C. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-02-22.

Phase change solvents for thermoplastic polymers

Номер патента: CA2489571A1. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Method and apparatus for casting molten materials using phase-change material

Номер патента: US20020195733A1. Автор: John Cortum,Michael Mathiasmeier,Louis Stoecker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Phase-change material, memory unit and method for electrically storing/reading data

Номер патента: US20090185412A1. Автор: Sung-Li Wang,Chien-Yu Chen,Lung-Han Peng,Meng-Kuei Hsieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2009-07-23.

Novel phase change solvents

Номер патента: EP1562998A2. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2005-08-17.

Novel Phase Change solvents

Номер патента: EP1832570B1. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-07-07.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20130017664A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Tellurium (Te) Precursors for Making Phase Change Memory Materials

Номер патента: US20130129603A1. Автор: Manchao Xiao,Thomas Richard Gaffney. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Microstructural surface incorporation of phase change materials for thermal management

Номер патента: US20240026560A1. Автор: Claudia Catalina Luhrs,Forest Douglas Shaner,Christopher James Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-01-25.

Phase changing formulations of nucleic acid payloads

Номер патента: US09790498B2. Автор: Sujit Kumar Basu,Bob Dale Brown. Владелец: Dicerna Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Phase-change hydrous salt polymeric filling material and methods for preparing and using same

Номер патента: LU502423B1. Автор: Pengcheng Zhang,Haihui XIN,Jinhu LIU,Changkun Shi. Владелец: XUZHOU MINING GROUP CO Ltd. Дата публикации: 2023-01-02.

Method for making a peg phase change composite

Номер патента: US20200181346A1. Автор: Mohammad Mizanur Rahman,Md. Hasan Zahir. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-06-11.

Calcium-doped magnesium carbonate-polymer-based synergistic phase change composite

Номер патента: US20200032020A1. Автор: Mohammad Mizanur Rahman,Md. Hasan Zahir. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-01-30.

Composition and method for preparing microencapsulated phase change materials

Номер патента: CA3235659A1. Автор: Wei Li,Liang Zhang,Jiguang Zhang,Minbiao HU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-04.

Composite target sputtering for forming doped phase change materials

Номер патента: US20130234093A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chieh-Fang Chen,Simone Raoux,Yen-Hao Shih,Matthew J. Breitwisch,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Pressure roller two-layer coating for phase-change ink-jet printer for direct on paper printing

Номер патента: US20100020146A1. Автор: Paul J. McConville,Santokh S. Badesha,David J. Gervasi,James E. Williams,Jignesh P. Sheth. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Waste Phase Change Ink Recycling

Номер патента: US20120176454A1. Автор: Steven Van Cleve Korol,Steven Ross Slotto,Britton T. Pinson,Brian Edward Williams,Clifford Alan Bell. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Coordination of pressure and temperature during ink phase change

Номер патента: US20120200621A1. Автор: Eric J. Shrader,Scott J. Limb,John Steven Paschkewitz. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for applying an image using a UV curable phase change ink

Номер патента: US09586414B2. Автор: Paul Kuiper,Hassan Nnafie. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2017-03-07.

Cartridge and method of using a cartridge for phase change ink in an ink jet apparatus

Номер патента: US4823146A. Автор: Theodore M. Cooke,Arthur Mikalsen,Ernest O. Belmont,R. H. Van Brimer. Владелец: Ricoh Printing Systems America Inc. Дата публикации: 1989-04-18.

System For Detecting Leakage of Phase Change Inks

Номер патента: US20130155138A1. Автор: Ali R. Dergham,Glenn D. Batchelor,Randall E. Kaufman,Chad E. Labarge. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

System for Loading and Feeding Solid Ink Sticks to an Ink Melter in a Phase Change Ink Printer

Номер патента: EP1964682A3. Автор: Brent Rodney Jones,Brian Walter Aznoe. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-04-22.

Apparatus and method for heating ink to a uniform temperature in a multiple-orifice phase-change ink-jet print head

Номер патента: US5424767A. Автор: Nasser Alavizadeh,Douglas M. Stanley,Bryan F. Johnson. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1995-06-13.

Method for applying an image using a uv curable phase change ink

Номер патента: EP3038837A1. Автор: Paul Kuiper,Hassan Nnafie. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2016-07-06.

Systems and methods of using phase change material in power plants

Номер патента: US09476648B2. Автор: Ying Sun,Matthew McCarthy,Young I. Cho,Qinghua Xie,Baolan Shi,Han Hu,Philipp Boettcher. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

Single-Crystal Phase Change Material on Insulator for Reduced Cell Variability

Номер патента: US20140069577A1. Автор: Guy Cohen,Simone Raoux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: EP3860407A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: WO2020070709A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2020-04-09.

Phase change materials for refrigeration and ice making

Номер патента: US09528730B2. Автор: Patrick J. Boarman. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of Operating A Linear Friction Welding System With Phase Change Assembly

Номер патента: US20200156181A1. Автор: Stephen A. Johnson. Владелец: APCI LLC. Дата публикации: 2020-05-21.

Electrostatic phase change generating apparatus

Номер патента: WO2009047645A3. Автор: . Владелец: Albonia Innovative Technologies Ltd.. Дата публикации: 2011-01-20.

Phase change material injection device and structure for removing moisture of head lamp with the same

Номер патента: US09534841B2. Автор: Jeong Gyu Yang,Byung-Ook Park,Sae-Jun Park. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for reducing rub-off from a toner image using a phase change composition with a rotary brush

Номер патента: US20030030711A1. Автор: John Crichton,Dana Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US09584092B2. Автор: Mark A. Lantz,Johan B. C. Engelen,Wabe W. Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: EP3259645A1. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2017-12-27.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: US20160238968A1. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Degradable, biodegradable, and/or compostable packages containing phase change material

Номер патента: WO2022251336A1. Автор: Reyad I. Sawafta,Byron C. OWENS. Владелец: Phase Change Energy Solutions, Inc.. Дата публикации: 2022-12-01.

Die casting machine with dispenser for solid lubricant, adapted to cause phase change of the lubricant prior to be dispensed to the shot sleeve

Номер патента: EP1476263A1. Автор: Dean Edwards. Владелец: Chem Trend LP. Дата публикации: 2004-11-17.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: US09835986B2. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: US09464837B2. Автор: Mingyu Wang,Prasad S. Kadle,Edward Wolfe, IV. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2016-10-11.

Aerostat with phase change adjustment airbag

Номер патента: GB2612398A. Автор: Zheng Wei,Zhang Xiaojun,Li Zhibin,WU Hongxin,ZHU Rongchen,ZHOU Donghua,Zhang Guilin,Miao Jinggang,Yin Yongjuan,Wen Junchen. Владелец: Zhi Bin Li. Дата публикации: 2023-05-03.

Phase-change optical information recording medium and information recording and reading method using the recording medium

Номер патента: US20050007938A1. Автор: Michiaki Shinotsuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Phase-change optical information recording medium and information recording and reading method using the recording medium

Номер патента: US7048983B2. Автор: Michiaki Shinotsuka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-23.

Phase change memory device using carbon nanotube and method for fabricating the same

Номер патента: US7749801B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Yang-Kyu Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-07-06.

System and method of generating a momentum change in a vehicle by phase changing matter in a closed system

Номер патента: EP4278079A1. Автор: Ivaylo Trendafilov Vasilev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-22.

Shipping package with phase-change material

Номер патента: WO2024042496A1. Автор: Jeffrey Thomas Whitely,Anthony Scott ALLEVA,Ryan Lawrence McKenzie SANDERS,Curtis Brian SCOTT,Chantal Ann WALKER. Владелец: Rapid Aid Corp.. Дата публикации: 2024-02-29.

System and method of generating a momentum change in a vehicle by phase changing matter in a closed system

Номер патента: US11897637B2. Автор: Ivaylo Trendafilov Vasilev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-13.

Phase change material energy storage for electric vehicle thermal management system and method

Номер патента: EP4382331A2. Автор: Weiye Yuan,Hong Quan Lu. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Phase change material panel and passive thermally controlled shipping container employing the panels

Номер патента: WO2023288171A2. Автор: Jason Miller,Kai Goellner. Владелец: Peli Biothermal LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Permanent Magnets with Integrated Phase Change Materials

Номер патента: US20240213834A1. Автор: Maged IBRAHIM,Jean-Michel Lamarre,Roger Pelletier,Fabrice Bernler. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2024-06-27.

Phase change material energy storage for electric vehicle thermal management system and method

Номер патента: EP4382331A3. Автор: Weiye Yuan,Hong Quan Lu. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Phase change material panel and passive thermally controlled shipping container employing the panels

Номер патента: EP4370848A2. Автор: Jason Miller,Kai Goellner. Владелец: Peli Biothermal LLC. Дата публикации: 2024-05-22.

Phase change material panel and passive thermally controlled shipping container employing the panels

Номер патента: WO2023288171A3. Автор: Jason Miller,Kai Goellner. Владелец: Peli Biothermal LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Thermal energy storage assembly with phase change materials

Номер патента: EP3039366A1. Автор: Zidu Ma,Mary Teresa LOMBARDO,Warren CLOUGH,Ivan Rydkin,Robert A. Chopko. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2016-07-06.

Quick disconnect single shutoff fitting for phase changing material

Номер патента: US09989181B2. Автор: Annie Liu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Controlling temperature in exothermic reactions with a phase change material

Номер патента: US09943992B2. Автор: Karl M. Nelson,Geoffrey Allen Butler. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for detecting phase change temperatures of molten metal

Номер патента: US09719976B2. Автор: Jason Black. Владелец: Heraeus Electro Nite International NV. Дата публикации: 2017-08-01.

Printer for forming a phase change inkjet image

Номер патента: US09649860B2. Автор: Lodewijk T. Holtman,Henricus A. M. Janssen. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods, devices and processes for multi-state phase change devices

Номер патента: US09437287B2. Автор: Davide Colombo,Davide Erbetta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Encapsulated phase change cell structures and methods

Номер патента: US8058095B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-15.

Catalytic phase change dielectric sphere for methanol combustion and preparation method therefor

Номер патента: US11014081B2. Автор: Bin Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-25.

Catalytic Phase Change Dielectric Sphere for Methanol Combustion and Preparation Method Therefor

Номер патента: US20200055038A1. Автор: Bin Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-20.

Battery cell with phase change core

Номер патента: US20200303790A1. Автор: Ying Liu,Brennan Campbell,Scott Monismith,Yifan Tang,Derek Wong. Владелец: SF Motors Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Phase change material injection device and structure for removing moisture of head lamp with the same

Номер патента: US20140283405A1. Автор: Jeong Gyu Yang,Byung-Ook Park,Sae-Jun Park. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Single Crystal Phase Change Material

Номер патента: US20110108792A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Chieh-Fang Chen,Chung Hon Lam. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Battery thermal interfaces with microencapsulated phase change materials for enhanced heat exchange properties

Номер патента: US8927131B2. Автор: Xiaohui Jasmine Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2015-01-06.

Encapsulated phase change material heat sink and method

Номер патента: EP3126774A1. Автор: Adam C. Wood. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-08.

System and method for feedback-based colloid phase change control

Номер патента: US20240033701A1. Автор: Krishnan Thyagarajan,Christopher Somogyi. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: US20130248166A1. Автор: Mingyu Wang,Prasad Shripad Kadle,Edward Wolfe, IV. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: EP2839224A1. Автор: Mingyu Wang,Prasad Shripad Kadle,Edward Wolfe. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2015-02-25.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: WO2013142462A1. Автор: Mingyu Wang,Prasad Shripad Kadle,Edward Wolfe. Владелец: DELPHI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US20170163239A1. Автор: Mark A. Lantz,Wabe W. Koelmans,Johan B.C. Engelen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US20160308470A1. Автор: Mark A. Lantz,Wabe W. Koelmans,Johan B.C. Engelen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US9887685B2. Автор: Mark A. Lantz,Johan B. C. Engelen,Wabe W. Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Fluid phase change thermal management arrangement and method

Номер патента: AU2020390566A1. Автор: Malcolm Barry James. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-18.

Propulsion method based on liquid carbon dioxide phase change and propulsion device thereof

Номер патента: US11858666B2. Автор: Cong Wang,Guanjun ZHANG,Zhengshi CHANG. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2024-01-02.

Thermal receptacle with phase change material

Номер патента: US20200237126A1. Автор: Raymond Booska. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-30.

Feedback-based colloid phase change control

Номер патента: WO2024025583A1. Автор: Krishnan Thyagarajan,Christopher Somogyi. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-01.

Microcapillary films containing phase change materials

Номер патента: EP2731796A2. Автор: Juergen Hoeppner,Rudolf J. Koopmans,Luis G. Zalamea Bustillo,Colmar WOCKE. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-05-21.

Method and apparatus for cooling with a phase change material and heat pipes

Номер патента: EP1218965A1. Автор: James L. Haws,Byron Elliott Short, Jr.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2002-07-03.

Degradable, biodegradable, and/or compostable packages containing phase change material

Номер патента: US20240217715A1. Автор: Reyad I. Sawafta,Byron C. OWENS. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Phase-change memory cell, phase-change memory, electronic device and preparation method

Номер патента: EP4343869A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Methods of forming a phase change layer and methods of fabricating a phase change memory device including the same

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Thermal energy storage with phase change materials having an adjustable transition temperature

Номер патента: US20230187686A1. Автор: Gao Liu,Ravi Prasher,Joseph Papp,Jonathan Lau,Sumanjeet Kaur,Christopher Dames,Drew Lilley,Piyachai Khomein. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-15.

Sb—Te—Ti phase-change memory material and Ti—Sb2Te3 phase-change memory material

Номер патента: US10276234B2. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2019-04-30.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US20240263806A1. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Superlattice phase-change thin film with low density change, phase-change memory and preparation method therefor

Номер патента: US20220344584A1. Автор: MENG Xu,Ming Xu,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Jinlong Feng. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-10-27.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: US20230284541A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: EP4354525A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US12130022B2. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-29.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Phase-change chamber with patterned regions of high and low affinity to a phase-change medium for electronic device cooling

Номер патента: US09685393B2. Автор: Bin Wang,Zhen Sun,Xiaodan Chen,Huihe Qiu. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2017-06-20.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Multi-layer phase change material

Номер патента: US09543510B2. Автор: Hao Tong,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor photonic devices using phase change materials

Номер патента: US20190339585A1. Автор: John Heck,Haisheng Rong,Charles Dennison,DerChang Kau,Harel Frish,Jeffrey Driscoll,George A. GHIURCAN,Jonathan K. Doylend,Michael E. Favaro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200373483A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: US20240130253A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20210376237A1. Автор: Yu Zhu,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

State of charge sensor for phase change material thermal energy storage

Номер патента: US20240310082A1. Автор: Joseph D. Rendall,Anthony C. Gehl,Jerald A. Atchley,Diana Hun,Som S. Shrestha,Zhenglai Shen. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US20150048291A1. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US09653683B2. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20150364678A1. Автор: Sung-Lae Cho,Dong-ho Ahn,Jung-Hwan Park,Hideki Horii,Jeong-hee Park,Zhe Wu,Jun-Ku Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Phase change memory and method for making the same

Номер патента: US20220231224A1. Автор: Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-21.

Phase change of a recording layer under a temporary capping layer

Номер патента: EP1265235A3. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-09-17.

Method to fabricate smooth-surfaced crystalline phase-change layer for atomic resolution storage device

Номер патента: US20020182363A1. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-12-05.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US20080068872A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase change material for use in a phase change random access memory, the phase change material having uniformly distributed insulating impurities

Номер патента: US7956342B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Sang-mock Lee,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Phase change flame retardant fiber material and preparation method for thermal management of lithium-ion battery in enclosed space

Номер патента: US20230340702A1. Автор: Fan Yi,Peng Dong,Zhirong Wang,Junling Wang,Yuxin Zhou,Wenxi Wang,Yuhui Xia,Haoze Yang. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-26.

Y-branch type phase-change all-optical boolean logic device and all-binary logic implementation method therefor

Номер патента: US20240319563A1. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yunlai ZHU,Zhuli HE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-26.

Phase change initiator for use with an exothermic phase change material

Номер патента: WO2010089586A2. Автор: Richard Thom,Jim Shaikh,Adam Kyte. Владелец: Feed Me Bottles Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Electronic device assemblies and vehicles employing dual phase change materials

Номер патента: US09478478B2. Автор: Shailesh N. Joshi,Ercan Mehmet DEDE. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US09369130B2. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-06-14.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Heat retentive food servingware with temperature self-regulating phase change core

Номер патента: AU3822897A. Автор: Brian L. Clothier,Amil J. Ablah. Владелец: Thermal Solutions Inc. Дата публикации: 1998-02-20.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US7978490B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Phase change material based temperature sensor

Номер патента: US20090001336A1. Автор: Robert Mcmahon,Chung Hon Lam,Nazmul Habib. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Configurable circuits using phase change switches

Номер патента: US20080029753A1. Автор: Yang Xu,Mehdi Asheghi,Lawrence Pileggi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Data recording method and device, and phase-change optical disc

Номер патента: EP1241665A3. Автор: Fumiya Ohmi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-18.

Phase change memory cell with heater and method therefor

Номер патента: US20120007031A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dharmesh Jawarani,Leo Mathew,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase change memory devices, methods of manufacturing and methods of operating the same

Номер патента: US20110068317A1. Автор: Ji-hyun Hur,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Yoon-Ho Kang,Hyo-sug Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Thinned phase change material in bridge cell memory as a weight for artificial intelligence application

Номер патента: US20240147876A1. Автор: Michael RIZZOLO,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change material switch with efficient heat spreader and methods for forming the same

Номер патента: US20240276897A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yu-Wen Wang,Han-Yu Chen,Chang-Chih Huang,Yi-Han CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Calibration and control system for a climate system utilizing closed loop feedback and a phase change cell

Номер патента: US09909935B1. Автор: Rachele Barbara Cocks,Michael Terry Biers,Joseph David Bender,Dominick Samuel Lee,John Russell Holder. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2018-03-06.

Phase change memory element

Номер патента: US09847479B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Phase change memory cells

Номер патента: US09773977B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Electronic chip with two phase change memories

Номер патента: US20230309423A1. Автор: Remy Berthelon,Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-09-28.

Spike-timing-dependent plasticity using inverse resistivity phase-change material

Номер патента: WO2023011885A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-09.

Phase change multilayer heterostructure with multiple heaters

Номер патента: US20240081159A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US20220351026A1. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor devices using semiconductor-metal phase change materials

Номер патента: EP4401149A2. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Heat sink with internal chamber for phase change material

Номер патента: WO2020148728A1. Автор: Salah Addin Burhan Al Omari. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-23.

Phase change memory device based on nano current channel

Номер патента: US11765987B2. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangjun Liu,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG,Yunlai ZHU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor stack incorporating phase change material

Номер патента: US20140061580A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

High-efficient central chiller plant system with variable load by phase change material thermal energy storage

Номер патента: US12055303B2. Автор: Kam Biu Richard CHAN. Владелец: Boca International Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Shallow trench type quadri-cell of phase-change random access memory (pram)

Номер патента: WO2010118346A3. Автор: Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for fabricating phase change memory

Номер патента: US20140162428A1. Автор: Yoshihiro Hirota,Kenichi Oyama,Hajime Nakabayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Phase change memory with finite annular conductive path

Номер патента: US20100328994A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Wafer bonded access device for multi-layer phase change memory using lock-and-key alignment

Номер патента: US20110049455A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

System and Method of Generating a Momentum Change in a Vehicle by Phase Changing Matter in a Closed System

Номер патента: US20240191701A1. Автор: Ivaylo Trendafilov Vasilev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase change memory with metastable set and reset states

Номер патента: US20160125938A1. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Sangbum Kim,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US20150318469A1. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Optical phase change apparatus and method of changing a phase of an optical signal

Номер патента: US20240348336A1. Автор: Jonathan Lavoie,Leonhard NEUHAUS,Xiruo YAN,Luiz SACKNIES SILVA M VILLALOBOS. Владелец: Xanadu Quantum Technologies Lnc. Дата публикации: 2024-10-17.

Phase-change device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09691974B2. Автор: Lei Wang,Ying Li,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Phase change material-based data center cooling system

Номер патента: US09681589B1. Автор: James R. Hamilton,Peter G. Ross,Michael P. Czamara. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit having phase-change layer

Номер патента: US09419221B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Stereoscopic image display device including light shielding pattern formed using phase change ink composition

Номер патента: US9826223B2. Автор: Joon-Hyung Kim,Yong-Sung Goo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Phase change memory using multiple phase change layers and multiple heat conductors

Номер патента: US20200395537A1. Автор: Wei Wang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kevin W. Brew,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US9837604B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Filter support with a phase-changing medium

Номер патента: EP2732261A1. Автор: Menno Willem Jose Prins,Mikhail Mikhaylovich Ovsyanko,Arie Rombertus Van Doorn,Freek VAN HEMERT. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-05-21.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365203A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium

Номер патента: EP1170740A3. Автор: Gian Anton Zardini,Eiji Hitachi Computer Peripherals Co. Ltd Sahota,Yasumi Hitachi Computer Horiguchi. Владелец: Pfeiffer Vacuum Systems (International) AG. Дата публикации: 2003-01-08.

Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium

Номер патента: US20010054604A1. Автор: Eiji Sahota,Yasumi Horiguchi,Gian Zardini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US20080219046A1. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US7796455B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: EP3238283A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20160181324A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20170125671A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US20090080243A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20100283027A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-11-11.

Phase change memory device

Номер патента: US20090194759A1. Автор: Chien-Min Lee,Chin-Fu Kao,Tsung-Shune Chin,Ming-Jinn Tsai. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2009-08-06.

Optimized phase change write method

Номер патента: US20090161416A1. Автор: Thomas Happ,Mark Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Content addressable memory using phase change devices

Номер патента: US20100002481A1. Автор: Chung H. Lam,Brian L. Ji,Bipin Rajendran,Robert K. Montoye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-07.

Phase change memory

Номер патента: US20100165723A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase change material switch with ovonic threshold switching material selector and methods for forming the same

Номер патента: US20240276893A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Phase change memory

Номер патента: US20120230099A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chinag. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2012-09-13.

Data storage method and phase change memory

Номер патента: US09899084B2. Автор: ZHEN Li,Junfeng Zhao,Qiang He,Xiangshui Miao,Shujie Zhang,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Inspection apparatus for thermo-hygrometer based on phase change and methods for controlling and inspecting the same

Номер патента: US09846262B2. Автор: Jong Cheol Kim,Sang Wook Lee,Yong-Gyoo Kim,Byung Il Choi,Sang Bong WOO. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2017-12-19.

Distributed computing with phase change material thermal management

Номер патента: US09792961B2. Автор: Manish Arora,Gabriel H. Loh,Michael J. Schulte,Srilatha Manne,Nuwan Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods and systems for verifying cell programming in phase change memory

Номер патента: US09747977B2. Автор: Raymond W. Zeng,Doyle Rivers,Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Double self-aligned phase change memory device structure

Номер патента: US09640757B2. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US09627055B1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Electrosurgical devices with phase change materials

Номер патента: US09526566B1. Автор: Eric Johnson. Владелец: Ethicon Endo Surgery LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Thermal management system with phase change and auxiliary cooling systems

Номер патента: US20220418168A1. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US7773409B2. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090225589A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: WO2016105750A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Thermal management system including an elastically deformable phase change device

Номер патента: US09733680B1. Автор: Andrew Douglas Delano,David William Voth. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US09559146B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Ir photodetector with graphene and phase change layers and related methods

Номер патента: US20230082228A1. Автор: Michael N. Leuenberger,Muhammad Waqas Shabbir. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase change liquid cooling heat dissipation device

Номер патента: EP4239671A1. Автор: Xin Nie,Ruohan Yang,Yongheng WANG. Владелец: Thero New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Solar phase-change energy storage heating ventilation partition wall and modular heating system thereof

Номер патента: US20230417425A1. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-28.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20200126616A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-23.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US20070014173A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-18.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: WO2017192235A1. Автор: Philip Campbell,Larry W. Akers,Joseph F. Wrinn,David GRAZIOSE. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2017-11-09.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12048258B2. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Phase Change Memory

Номер патента: US20100165722A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Energy adjusted write pulses in phase-change memory cells

Номер патента: US20080106928A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-08.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: US20230123642A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: WO2021181173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-16.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: GB2609776A. Автор: LI NING,Sadana Devendra,KIM WANKI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Phase-change memory cell with asymmetric structure, a memory device including the phase-change memory cell, and a method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20230240160A1. Автор: Andrea Redaelli,Mario Allegra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-27.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: US20230189669A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: CA3194448A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: WO2022117264A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Perpendicular magnetic recording head laminated with AFM-FM phase change material

Номер патента: US20120087042A1. Автор: Kunliang Zhang,Yuchen Zhou,Kenichi Takano,Moris Dovek,Joe Smyth,Kowang Liu,Liejie Guan. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US7327623B2. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-05.

Phase-change memory element and method of storing data therein

Номер патента: US20040145944A1. Автор: Boil Pashmakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120077324A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Phase change memory device accounting for volume change of phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US8093632B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Thermal energy storage system combining sensible heat solid material and phase change material

Номер патента: US20160201995A1. Автор: Oriol LEHMKUHL BARBA,Carlos David PÉREZ SEGARRA,Joaquim RIGOLA SERRANO,Jesús CASTRO GONZÁLEZ,Carles OLIET CASASAYAS,Ivette RODRÍGUEZ PÉREZ,Xavi TRIAS MIQUEL,Roser CAPDEVILA PARAMIO,Ramiro ALBA QUEIPO,Manuel Miguel ORDOÑO MARTÍNEZ,Asensi OLIVA LLENA,Pedro Andrés GALIONE KLOT. Владелец: Universitat Politecnica de Catalunya UPC. Дата публикации: 2016-07-14.

Phase change memory device capable of satisfying reset current characteristic and contact resistance characteristic

Номер патента: US20100117044A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Phase change memory

Номер патента: US8014194B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Metal oxide liner for cross-point phase change memory cell

Номер патента: US20220102625A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Hari Chandrasekaran,Hoi-sung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of initializing phase-change optical disk and phase-change optical disk

Номер патента: US20010012262A1. Автор: Yutaka Kasami,Kazumine Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Driver circuit for phase-change memory cells and method of driving phase-change memory cells

Номер патента: US20230021601A1. Автор: Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo,Agatino Massimo Maccarrone,Marco Ruta,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-26.

Phase change material in substrate cavity

Номер патента: US20200118990A1. Автор: Cheng Xu,YING Wang,Chong Zhang,Junnan Zhao,Yikang Deng,Zhimin Wan,Kyu-Oh Lee,Chandra Mohan M. Jha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Control method and device for phase-change energy storage type cold and heat combined supply system with multi-heat source heat pump

Номер патента: AU2023266311B1. Автор: Xu Jing,Ma Lin,Wu Hui,Zhang Weiya,Zhou Dongxu,Zhou Hengjun,Xia Jiahua,Fan Kefei,Gao Shengyu,Liang Zhengdong. Владелец: Nanjing Jiangbei New Area Public Utilities Holding Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Data center and phase change coolant distribution unit thereof

Номер патента: US20240365517A1. Автор: Shu-Jung Yang,Chih-Yao Wang,Heng-Chieh Chien. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-10-31.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240349630A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Commutator structure comprising several channels of phase change material and interdigitated control electrodes

Номер патента: US09934922B2. Автор: Bruno Reig,Damien Saint-Patrice,Gabriele Navarro,Alexandre Leon,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-03.

Phase change storage device with multiple serially connected storage regions

Номер патента: US09882126B2. Автор: Sangbum Kim,Wei-Chih Chien,Matthew J. BrightSky,Chiao-Wen Yeh,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Thermal energy storage system combining sensible heat solid material and phase change material

Номер патента: US09841243B2. Автор: Oriol LEHMKUHL BARBA,Carlos David PÉREZ SEGARRA,Joaquim RIGOLA SERRANO,Jesús CASTRO GONZÁLEZ,Carles OLIET CASASAYAS,Ivette RODRÍGUEZ PÉREZ,Xavi TRIAS MIQUEL,Roser CAPDEVILA PARAMIO,Ramiro ALBA QUEIPO,Manuel Miguel ORDOÑO MARTÍNEZ,Asensi OLIVA LLENA,Pedro Andrés GALIONE KLOT. Владелец: Universitat Politecnica de Catalunya UPC. Дата публикации: 2017-12-12.

Multi-level phase change memory

Номер патента: US09747975B2. Автор: Charles C. Kuo,Ilya V. Karpov. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Battery pack with phase change material

Номер патента: US09742047B2. Автор: Troy C. Thorson,Michael Kolden,Jeremy R. Ebner,Cameron R. Schulz,Todd M. Gehring. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Phase change memory element

Номер патента: US09735352B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Phase change memory

Номер патента: US09515259B2. Автор: Yang Wu,Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Jia-Ping Wang,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Phase change memory having a funnel-shaped heater and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508927B1. Автор: Yu-Jen Lin,Yi-Fang Tao. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Thermal management in electronic apparatus with phase-change material and silicon heat sink

Номер патента: US09502740B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-22.

Barrier film techniques and configurations for phase-change memory elements

Номер патента: US09419212B2. Автор: Dale W. Collins,Allen Mcteer,Christopher W. Petz,Yongjun J. Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Resolving doppler unambiguity in tdm-mimo radars based on spatial phase change rate

Номер патента: US20240103128A1. Автор: Mattias Simonsson,Anders MANNESSON,Stefan Adalbjörnsson,Anders LLOYD,Bertil Roslund. Владелец: AXIS AB. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory cell with high read margin at low power operation

Номер патента: EP1846961A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-24.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US12051792B2. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: AU2021234173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: US20220173309A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Phase-change material-based XOR logic gates

Номер патента: US12058943B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20190096480A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-03-28.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US11107525B2. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-31.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US11735786B1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Phase change storage unit and phase change memory

Номер патента: US20240268242A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Heatsinks comprising a phase change material

Номер патента: US12082374B2. Автор: Jason Graham. Владелец: Simmonds Precision Products Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Single mask adder phase change memory element

Номер патента: US20120168709A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Phase change heatsink, manufacturing process thereof, and communication device having the heatsink

Номер патента: US20240349455A1. Автор: Haijiang Wang,Shuaijun Li. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-10-17.

Resolving doppler unambiguity in TDM-MIMO radars based on spatial phase change rate

Номер патента: US12146981B2. Автор: Mattias Simonsson,Anders MANNESSON,Stefan Adalbjörnsson,Anders LLOYD,Bertil Roslund. Владелец: AXIS AB. Дата публикации: 2024-11-19.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: WO2024081081A1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Optical recording medium having a plurality of discrete phase change data recording points

Номер патента: WO1997022468A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Hellmut Fritzsche. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-06-26.

Phase-change recording element for write once applications

Номер патента: US20020160304A1. Автор: Yuan-Sheng Tyan,Giuseppe Farruggia,Thomas Cushman,Bruno Primerano,Fridrich Vazan,George Olin,James Barnard. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-10-31.

Phase-change recording element for write once application

Номер патента: EP1235213A3. Автор: Yuan-Sheng C/O Eastman Kodak Company Tyan,Thomas Richard c/o EASTMAN KODAK COMPANY Cushman,Giuseppe c/o Eastman Kodak Company Farruggia,George Russell c/o Eastman Kodak Company Olin,Bruno c/o Eastman Kodak Company Primerano,Fridrich C/O Eastman Kodak Company Vazan,James Arthur c/o Eastman Kodak Company Barnard. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-09-05.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205B2. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Thermoelectric cooling and/or moderation of transient thermal load using phase change material

Номер патента: WO2006047240A3. Автор: Uttam Ghoshal. Владелец: NanoCoolers Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US20240257871A1. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: GB2590323A. Автор: Wang Ruoya,J Barrett Jennifer. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: WO2020023577A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent, Inc.. Дата публикации: 2020-01-30.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Passive temperature control method of biological tissue based on optical phase change nanoparticles

Номер патента: GB2607645A. Автор: Yao Gang,Chen Qin,Li Huaxin,QI Hong,Ren Yatao. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-12-14.

Phase change memory element and method of making the same

Номер патента: US7456460B2. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang-Lan Lung,Geoffrey W. Burr. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Sb-te-ti phase-change memory material and ti-sb2te3 phase-change memory material

Номер патента: US20160099050A1. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-04-07.

Phase change switch device

Номер патента: WO2023227773A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin,Christian BUTSCHKOW,Jochen Braumueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: EP3622556A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: WO2018206919A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Phase-change storage unit, phase-change memory, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240114808A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Phase change memory unit and phase change memory

Номер патента: EP4391016A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Phase-change memory structure and phase-change memory device including the same

Номер патента: US20240107778A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Chemical phase change heat stores

Номер патента: WO1985000214A1. Автор: Norman A. Dutton,Richard J. Howling. Владелец: Lingard Engineering Limited. Дата публикации: 1985-01-17.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: US20070097740A1. Автор: Colin Murphy,Narbeh Derhacobian. Владелец: Cswitch Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Artificial intelligence device cell with improved phase change material region

Номер патента: WO2023046363A1. Автор: Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-30.

Phase-change memory device with tapered thermal transfer layer

Номер патента: US20240237560A1. Автор: Yu-Wen Wang,Fu-Ting Sung,Tsung-Hsueh Yang,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Wind turbine nacelle with phase change material which controls temperature using AI

Номер патента: AU2021102254A4. Автор: Mohanraj A.,Selvakumar A.,Balaji Devarajan,Bharathi E.,Ghayathri J.,Jagan Raj Jayapandiyan,Venkatesan M.,Gopinath P.,Murugesan P.,Meenakshi Devi P.,Mani R.,Vasanthakumar R.,Karthigai S.,Prasath S.,Rajakumareswaran V.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-17.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: WO2023066649A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-04-27.

Heating and cooling systems and apparatuses with phase change materials

Номер патента: US11994348B2. Автор: Erik HATFIELD,Daniel Larsen,Hannah MALLALIEU,Jordan KENNIE. Владелец: Stash Energy Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20140097399A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A3. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

3d phase change memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240224541A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US11609443B2. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-03-21.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200379276A1. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-03.

Phase change material with filament electrode

Номер патента: US20090275168A1. Автор: Eric A. Joseph,Gerhard Ingmar Meijer,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. Breitwisch,Roger W. Cheek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

The computer (1) during in operation gets heated up because of the rotating compounds. In existing cooling unit requires external power source to operate, which increase the cost for using that device. The present invention focuses on using phase change material which absorbs the heat during in operation and after operation phase change material starts cool. During cool it attains the real state of material, which doesn’t require any external power source. It obviously reduces the cost involved in the system as well as increase the life of the computers.

Номер патента: AU2020102051A4. Автор: Balaji Devarajan,Priya A. K.,Arulmurugan B.,Rajeshkumar L.,Priyadharshini Muthukrishnan,Bhuvaneswari Venkateswaran. Владелец: Venkateswaran Bhuvaneswari Mrs. Дата публикации: 2020-10-08.

Apparatus and method for ultra-fast crystallization in phase - change rf switches

Номер патента: WO2022172277A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2022-08-18.

Switch based on a phase change material

Номер патента: US20240122083A1. Автор: Antonio Clemente,Bruno Reig,Cecilia Dupre,Benoit Charbonnier. Владелец: Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Altermatives. Дата публикации: 2024-04-11.

Applying inert ion beam etching for improving a profile and repairing sidewall damage for phase change memory devices

Номер патента: US20230165169A1. Автор: Robert L. Bruce,Sebastian Ulrich Engelmann,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac,Thitima Suwannasiri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: WO2007056272A3. Автор: Narbeh Derhacobian,Colin N Murphy. Владелец: Colin N Murphy. Дата публикации: 2009-05-14.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: WO2007056272A2. Автор: Narbeh Derhacobian,Colin N. Murphy. Владелец: Cswitch Corporation. Дата публикации: 2007-05-18.

Artificial intelligence device cell with improved phase change material region

Номер патента: EP4406389A1. Автор: Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Laser Chalcogenide Phase Change Device

Номер патента: US20090179201A1. Автор: Robert Hainsey,Andy E. Hooper,Allen Kawasaki. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: WO2007109021A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-09-27.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Storage nodes including a phase chang layer and methods of manufacturing and operating the same, phase change memory devices and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US7871906B2. Автор: Jong-wook Lee,Jun-Ho Lee,Sung-Kwan Kang,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-18.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US7932102B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Cooling fin using phase change material and battery module including the same

Номер патента: US20240213570A1. Автор: Kihoon AHN. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Regenerative preheater for phase change cooling applications

Номер патента: US20230247795A1. Автор: Bahgat Sammakia,Sadegh Khalili. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2023-08-03.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US12075713B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20190006421A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Etching process for phase-change films

Номер патента: US20090246964A1. Автор: Yi-Chou Chen,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Phase-change heat dissipater and power module

Номер патента: US20230360999A1. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Nianan PAN,Jie Ding,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Qiyao Zhu. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Short bridge phase change memory cells and method of making

Номер патента: US20090289243A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-26.

Laser chalcogenide phase change device and method

Номер патента: WO2009088910A3. Автор: Robert Hainsey,Andy E. Hooper,Allen Kawasaki. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2009-09-11.

Laser chalcogenide phase change device and method

Номер патента: WO2009088910A2. Автор: Robert Hainsey,Andy E. Hooper,Allen Kawasaki. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2009-07-16.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US20130048936A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Phase change memory device with improved performance that minimizes cell degradation

Номер патента: US20110255333A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Reducing shunts in memories with phase-change material

Номер патента: US20050136557A1. Автор: Chien Chiang,Daniel Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-23.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067487A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase Change Memory Cell Design with Adjusted Seam Location

Номер патента: US20080179591A1. Автор: Alejandro Gabriel Schrott,Thomas Happ,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Phase change memory

Номер патента: US20110193047A1. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Switch based on a phase-change material

Номер патента: US20240298552A1. Автор: Bruno Reig,Denis Mercier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-05.

Swich based on a phase-change material

Номер патента: US20240298554A1. Автор: Bruno Reig,Denis Mercier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-05.

Apparatus and method for ultra-fast crystallization in phase - change rf switches

Номер патента: US20240313766A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Phase-change material distributed switch systems

Номер патента: EP3195403A1. Автор: Michael J. Lee,Robert Miles Young,Matthew Russell King,Pavel Borodulin,Nabil Abdel-Meguid El-Hinnawy. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-26.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20150357563A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: EP4420497A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Battery with selective phase change features

Номер патента: AU2024220103A1. Автор: Lewis Romeo Hom. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Phase-change memory including phase-change elements in series with respective heater elements and methods for manufacturing, programming, and reading thereof

Номер патента: US12120967B2. Автор: Giovanni Campardo,Massimo Borghi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-15.

Phase-change heat exchanger and heat exchange core thereof

Номер патента: AU2023201948B2. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Lele TAN. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

A multifunctional tunable metasurface using vo2 phase changing material

Номер патента: WO2024197816A1. Автор: Huanhuan Gu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with phase-change material and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240357948A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems and methods for full spectrum solar thermal energy harvesting and storage by molecular and phase change material hybrids

Номер патента: US12061018B2. Автор: T. Randall Lee,Hadi Ghasemi,Varun Kashyap,Siwakorn SAKUNKAEWKASEM. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2024-08-13.

Phase-change memory cell

Номер патента: US12114580B2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-10-08.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US09991316B2. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-05.

Phase-change material based reconfigurable antenna

Номер патента: US09923267B1. Автор: Arash Ahmadivand,Nezih Pala,Burak Gerislioglu,Mustafa Karabiyik. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2018-03-20.

Sterile status indicator by means of phase change

Номер патента: US09789218B2. Автор: Corvin Motz,Gerold Zieris,Joachim Amann. Владелец: Aesculap AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US09698346B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase change cooler and electronic equipment provided with same

Номер патента: US09605907B2. Автор: Hitoshi Sakamoto,Minoru Yoshikawa,Kenichi Inaba,Takeya Hashiguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Multi-level phase change device

Номер патента: US09564585B1. Автор: Jeffrey Lille,Luiz M. Franca-Neto. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile logic device based on phase-change magnetic materials and logic operation method thereof

Номер патента: US09543955B2. Автор: Yi Li,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-10.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US09525130B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Thermal energy storage, dissipation and EMI suppression for integrated circuits using porous graphite sheets and phase change material

Номер патента: US09501112B2. Автор: Mark Gallina,Steven Lofland,Daryl Nelson,Kevin Daniel,Daniel Chiang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of programming a phase change memory and phase change memory device

Номер патента: US09472271B2. Автор: Quentin Hubert,Carine Jahan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-18.

Phase changing device for camshaft

Номер патента: RU2560860C2. Автор: Манабу ТАТЕНО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-08-20.

Boron Surface Passivation of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099166A1. Автор: Robert L. Bruce,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Luxherta Buzi,Charlie Tabachnick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Phase-change metasurface for programmable waveguide mode conversion

Номер патента: WO2021216282A1. Автор: Mo Li,Changming Wu. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2021-10-28.

Phase change nano electro-mechanical relay

Номер патента: US11742162B2. Автор: James Best,Gianluca Piazza. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-29.

Phase change nano electro-mechanical relay

Номер патента: US20240062975A1. Автор: James Best,Gianluca Piazza. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200303638A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10720575B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006646A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US10811607B2. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10923653B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160276585A1. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn,H.S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-22.

Phase change memory cell with superlattice based thermal barrier

Номер патента: US20230077912A1. Автор: Takashi Ando,Kevin W. Brew,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase change memory with conductive rings

Номер патента: US20220416157A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase change heterostructure, and phase change memory device including the same

Номер патента: US20240065118A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Changyup Park,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006645A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Immunity of phase change material to disturb in the amorphous phase

Номер патента: US09570163B2. Автор: Tyler A. Lowrey,James Reed,Ward D. Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey Kostylev,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky,George A. Gordon. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for multilevel programming of phase change memory cells using a percolation algorithm

Номер патента: US7639526B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-29.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US20090020741A1. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20240065120A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change memory device having phase change material layer containing phase change nano particles and method of fabricating the same

Номер патента: US20090278108A1. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Wil-Liam Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the pcm material

Номер патента: US20230284542A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase-change random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230403956A1. Автор: Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN,Chia-Wen Zhong,Chin I WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory device including phase-change material

Номер патента: US20230380195A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: EP2534710A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Alejandro G. Schrott,Lam H. Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

Post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: WO2011100079A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Alejandro G. Schrott,Lam H. Chung. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Spatial light modulator using phase-change materials with improved fill factor

Номер патента: US11808937B1. Автор: Jeong-Sun Moon,Kyung-Ah Son,Hwa Chang Seo,Kangmu Lee. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US8717809B2. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-05-06.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US20120294074A1. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-11-22.

Phase change memory with concentric ring-shaped heater

Номер патента: US20220416161A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US7687795B2. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Hydrogen and Hydrocarbon Plasma Treatment of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099163A1. Автор: Robert L. Bruce,John M. Papalia,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change memory with graded heater

Номер патента: US20220416162A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Nonvolatile logic gate circuit based on phase change memory

Номер патента: US20150236697A1. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiaomin Cheng,Huajun Sun,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-08-20.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the PCM material

Номер патента: US11963469B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Pahse chang material for phase chang memory and preparation method therefor

Номер патента: US20180315921A1. Автор: Feng Rao,Yong Wang,Zhitang Song,Keyuan Ding. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-11-01.

Phase change memory with multi-level programming

Номер патента: US20230301207A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: WO2011095902A1. Автор: Godefridus Adrianus Hurkx,Jesus Perez Gonzalez. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor Device Including a Phase Change Material

Номер патента: US20150318272A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-05.

Temperature self-adjustment leather comprising phase-change microcapsules and method for preparing the same

Номер патента: AU2021104307A4. Автор: Yong Wan. Владелец: Wuxi JHT Homewares Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device including a phase change material

Номер патента: US09972613B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Liquid cooling with parasitic phase-change pumps

Номер патента: US09709324B1. Автор: Ryan J. Legge,Qizhou Matthew YAO. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Phase-change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060006374A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Modular passive solar energy heating unit employing phase change heat storage material state

Номер патента: CA1209429A. Автор: Douglas C. Taff,Robert B. Holdridge. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-08-12.

Phase change heat exchanger

Номер патента: US5220954A. Автор: William J. Longardner,Robert L. Longardner. Владелец: Shape Inc. Дата публикации: 1993-06-22.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20230343531A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Ultrasound devices incorporating phase change materials and systems and methods using the devices

Номер патента: US20200022714A1. Автор: Paul Douglas Corl. Владелец: Sonomotions Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Phase change memory with gradual conductance change

Номер патента: US20200219933A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US11910734B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: US11889773B2. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Phase change memory cell

Номер патента: GB2617734A. Автор: Mehta Sanjay,Sankarapandian Muthumanickam,OK Injo,Bao Ruqiang,Saulnier Nicole,Herbert Simon Andrew,Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Phase Change Memory with Various Grain Sizes

Номер патента: US20140110656A1. Автор: Fu-Liang Yang,Tzyh-Cheang Lee,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20200168792A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-05-28.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20220029094A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Phase change memory cell with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230309422A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Robert L. Bruce,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory cell with post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: US20130119339A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Encapsulated phase change porous layer

Номер патента: US20200258811A1. Автор: Shailesh N. Joshi. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20230363299A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Shoumian Chen,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Multi-bit phase change memory devices

Номер патента: US20100220520A1. Автор: Hong-Sik Jeong,Gi-Tae Jeong,Young-Nam Hwang,Soon-Oh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4266482A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-25.

Phase change memory cell with a wrap around and ring type of electrode contact and a projection liner

Номер патента: US20220181546A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Sanjay C. Mehta,Ruqiang Bao,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: WO2022142647A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-07-07.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: GB2617946A. Автор: OK Injo,Saulnier Nicole,Ping Han Jin,Joseph Brightsky Matthew,W Brew Kevin,Mathew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Phase change memory devices including two-dimensional material and methods of operating the same

Номер патента: US20180061490A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO,Jinseong Heo,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Small footprint phase change memory cell

Номер патента: US20140166967A1. Автор: Eric A. Joseph,Chung H. Lam,Hsiang-Lan Lung,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US11417395B2. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-16.

Aerosol-generating device comprising multiple solid-liquid phase-change materials

Номер патента: CA2898248C. Автор: Michael Roger Cane,Patrick Charles Silvestrini,Christopher James Rowe,Marie Farine. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2020-08-25.

Optical data storage system with multiple rewritable phase change recording layers

Номер патента: US5761188A. Автор: Hal Jervis Rosen,Kurt Allan Rubin,Wade Wai-Chung Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

High-density phase change cell array and phase change memory device having the same

Номер патента: US7136299B2. Автор: Jung Ho Kim,Eu Gene Chu,Ju Ho Mo,Seong Taek Park,Hyun Yong Lim,Pyeong Han Lee,Ja Choon Jeong. Владелец: BeyondMicro Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Aerosol-generating device comprising multiple solid-liquid phase-change materials

Номер патента: US10010112B2. Автор: Michael Roger Cane,Patrick Charles Silvestrini,Christopher James Rowe,Marie Farine. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2018-07-03.

Electric device with phase change material and metod of manufacturing the same

Номер патента: US20060017076A1. Автор: Franciscus Widdershoven,Erwin Meinders,Martijn Lankhorst,Robertus Wolter,Wilhelmus Sebastianus Ketelaars. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-26.

Methods Of Manufacturing Non-Volatile Phase-Change Memory Devices

Номер патента: US20120088347A1. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Phase-change device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US20150333255A1. Автор: Lei Wang,Ying Li,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Memory constructions comprising thin films of phase change material

Номер патента: US20140110658A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Phase Change Switch with Multi Face Heater Configuration

Номер патента: US20230119033A1. Автор: Hans Taddiken,Hans-Dieter Wohlmuth,Christoph Glacer,Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss,Martin Bartels. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-20.

Integrated switch using stacked phase change materials

Номер патента: US20220285614A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Apparatuses and methods for optical or visual detection of temperature change via phase change material

Номер патента: US20240003754A1. Автор: Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Padraig L. FITZGERALD,Michael P. Lynch,Alfonso Berduque,Alan O'Donnell,Gavin P. Cosgrave,Stanislav Jolondcovschi,Shaun Stephen Bradley,Michael J. CLIFFORD,Javier CALPE. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatuses and methods for temperature detection using phase change materials

Номер патента: US20240003752A1. Автор: Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Padraig L. FITZGERALD,Michael P. Lynch,Alfonso Berduque,Gavin Cosgrave,Stanislav Jolondcovschi,Shaun Stephen Bradley,Michael J. CLIFFORD,Javier CALPE,Alan ODONNELL. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatuses and methods for implementing digital ledgers via phase change materials

Номер патента: US20240003753A1. Автор: Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Padraig L. FITZGERALD,Michael P. Lynch,Alfonso Berduque,Alan O'Donnell,Gavin Cosgrave,Stanislav Jolondcovschi,Shaun Stephen Bradley,Michael J. CLIFFORD,Javier CALPE. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatuses and methods for temperature detection using electrical sensors with phase change materials

Номер патента: US20240003756A1. Автор: Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Padraig L. FITZGERALD,Michael P. Lynch,Alfonso Berduque,Alan O'Donnell,Gavin P. Cosgrave,Stanislav Jolondcovschi,Shaun Stephen Bradley,Michael J. CLIFFORD,Javier CALPE. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-01-04.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US11812661B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Phase-change device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US9419054B2. Автор: Lei Wang,Ying Li,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Phase change memory structure comprising phase change alloy center-filled with dielectric material

Номер патента: US20130284999A1. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory device with improved phase change material nucleation rate

Номер патента: US20210305318A1. Автор: Dan Gealy,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Contact resistance of a metal liner in a phase change memory cell

Номер патента: US11957069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor devices using insulator-metal phase change materials

Номер патента: WO2020154028A1. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2020-07-30.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20140369114A1. Автор: Charalampos Pozidis,Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Electric device comprising a layer of phase change material and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1576677A2. Автор: Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Franciscus P. Widdershoven,Robertus A. M. Wolters,Wilhelmus S. M. M. Ketelaars. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2005-09-21.

Electric device comprising a layer of phase change material and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1576677B1. Автор: Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Franciscus P. Widdershoven,Robertus A. M. Wolters,Wilhelmus S. M. M. Ketelaars. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-12-01.

Write Operation Method and Device for Phase Change Memory

Номер патента: US20150117096A1. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Multi-level programming of phase change memory device

Номер патента: WO2023104452A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change electric water heater and water temperature control method

Номер патента: EP3757478A1. Автор: Ming Wang,Yun Zeng,Shaohe QU. Владелец: Wuhu Midea Kitchen and Bath Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Electric device comprising phase change material

Номер патента: EP1554763A2. Автор: Femke K. De Theije,Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Ronald M. Wolf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-20.

Phase change memory device and fabrication thereof

Номер патента: US20100213432A1. Автор: Chien-Min Lee,Ming-Jeng Huang,Jen-Chi Chuang,Jia-Yo Lin,Min-Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Phase Change Switch Device Having a Set of Heaters Arranged to Heat a Phase Change Material and Method of Operating the Phase Change Switch Device

Номер патента: US20240056072A1. Автор: Hans Taddiken,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20150001457A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor devices using insulator-metal phase change materials and method for fabrication

Номер патента: US11018296B1. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Apparatuses and methods for implementing digital ledgers via phase change materials

Номер патента: WO2024003297A1. Автор: Michael Lynch,Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Alfonso Berduque,Padraig Fitzgerald,Alan O'Donnell,Gavin Cosgrave,Shaun Bradley,Stanislav Jolondcovschi,Javier CALPE,Michael Clifford. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatuses and methods for optical or visual detection of temperature change via phase change material

Номер патента: WO2024003294A1. Автор: Michael Lynch,Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Alfonso Berduque,Padraig Fitzgerald,Alan O'Donnell,Gavin Cosgrave,Shaun Bradley,Stanislav Jolondcovschi,Javier CALPE,Michael Clifford. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatuses and methods for temperature detection using phase change materials

Номер патента: WO2024003296A1. Автор: Michael Lynch,Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Alfonso Berduque,Padraig Fitzgerald,Alan O'Donnell,Gavin Cosgrave,Shaun Bradley,Stanislav Jolondcovschi,Javier CALPE,Michael Clifford. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2024-01-04.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US11989644B2. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-21.

Apparatuses and methods for temperature detection using electrical sensors with phase change materials

Номер патента: WO2024003298A1. Автор: Michael Lynch,Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Alfonso Berduque,Padraig Fitzgerald,Alan O'Donnell,Gavin Cosgrave,Shaun Bradley,Stanislav Jolondcovschi,Javier CALPE,Michael Clifford. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2024-01-04.

Thermal management using phase change material

Номер патента: US20170176118A1. Автор: Michael K. Patterson,Andrew C. Alduino. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Non-volatile content addressable memory using phase-change-material memory elements

Номер патента: EP1908076A1. Автор: Louis L. C. Hsu,Hon-Sum Philip Wong,Brian L. Ji,Chung Hon Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-09.

Non-volatile content addressable memory using phase-change-material memory elements

Номер патента: EP1908076A4. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Chung Hon Lam,Brian L Ji,Louis L C Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-17.

Semiconductor Devices Using Insulator-Metal Phase Change Materials and Method for Fabrication

Номер патента: US20200235293A1. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor devices using insulator-metal phase change materials

Номер патента: EP3915154A1. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-12-01.

Method of inducing crystallization of chalcogenide phase-change material and application thereof

Номер патента: US20220336743A1. Автор: Hao Tong,Xiangshui Miao,Ruizhe Zhao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-10-20.

Phase change cold storage agent for strawberry preservation and method for preparing the same

Номер патента: NL2026475A. Автор: Li Li,Luo Zisheng,Xu Yanqun,Ying Tiejin. Владелец: Univ Zhejiang. Дата публикации: 2021-01-26.

Projected phase change memory devices

Номер патента: US20210305503A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Timothy Mathew Philip,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Novel Nanocomposite Phase-Change Memory Materials and Design and Selection of the Same

Номер патента: US20220407001A1. Автор: Mo Li,Ichiro Takeuchi,Changming Wu,Heshan Yu,Aaron Gilad Kusne. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2022-12-22.

Coherent receiver having low voa-induced phase changes

Номер патента: WO2023177640A1. Автор: Francois Pelletier,Tom Luk,Sean Sebastian O'Keefe,Michel Poulin,Antoine Bois. Владелец: Ciena Corporation. Дата публикации: 2023-09-21.

Phase change memory with reduced programming current

Номер патента: US20230284543A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: WO2024120160A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-13.

Self-aligned embedded phase change memory cell

Номер патента: US20200161370A1. Автор: Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method and system for mitigating write amplification in a phase change memory-based storage device

Номер патента: WO2019010044A1. Автор: Shu Li,Ping Zhou. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2019-01-10.

Bipolar switching operation of confined phase change memory for a multi-level cell memory

Номер патента: US20190325954A1. Автор: Wanki Kim,Yu Zhu,Yujun Xie,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: WO2021205456A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2021-10-14.

Phase change memory mask

Номер патента: EP2973579A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Phase change memory mask

Номер патента: US20150085570A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Phase change memory mask

Номер патента: US20170025171A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: WO2023165853A1. Автор: Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN,Kevin BREW. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-07.

Portable Apparatus and Methods Using Phase Change Materials for Creating a Temperature Stabilized Environment

Номер патента: US20210180809A9. Автор: James H. Goldie,Stephen Macomber. Владелец: Fruition LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Coherent receiver having low voa-induced phase changes

Номер патента: EP4282094A1. Автор: Francois Pelletier,Tom Luk,Sean Sebastian O'Keefe,Michel Poulin,Antoine Bois. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2023-11-29.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: US20240196766A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Thermal management of integrated circuits using phase change material and heat spreaders

Номер патента: EP2842161A1. Автор: LIANG Cheng,Zhongping Bao,James D. BURRELL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: EP4133599A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Phase change material variable capacitor

Номер патента: US20140376149A1. Автор: Mark C. Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Lateral phase change memory

Номер патента: US20110003454A1. Автор: Richard Dodge,Guy Wicker. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-01-06.

Rewritable phase-change optical recording medium

Номер патента: US20080310279A1. Автор: Hideki Hirata,Tatsuya Kato,Yasuhiro Takagi,Hiroshi Takasaki,Masanori Kosuda,Hiroshi Shingai,Masaki Sobu. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-12-18.

Phase change material pack

Номер патента: EP2786076A2. Автор: Mathew Holloway,Zsolt Bako-Biro. Владелец: VKR Holding AS. Дата публикации: 2014-10-08.

Phase change material pack

Номер патента: WO2013079728A2. Автор: Mathew Holloway,Zsolt Bako-Biro. Владелец: VKR Holding A/S. Дата публикации: 2013-06-06.

Determining a position of user equipment by using adaptive phase-changing devices

Номер патента: EP4162287A1. Автор: Jibing Wang,Erik Richard Stauffer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Coherent receiver having low voa-induced phase changes

Номер патента: CA3210052A1. Автор: Francois Pelletier,Tom Luk,Sean Sebastian O'Keefe,Michel Poulin,Antoine Bois. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2023-09-17.

Computing device with phase change material thermal management

Номер патента: US20150271908A1. Автор: Manish Arora,Michael J. Schulte. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-24.

Skating rink that retains refrigeration energy by way of a phase-change material

Номер патента: US20240207714A1. Автор: Jacques Mouchet. Владелец: Sun Ice Energy Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Container for phase-change material

Номер патента: US20240159443A1. Автор: Jacques Mouchet. Владелец: Sun Ice Energy Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20140004680A1. Автор: Seong-Ho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Portable Apparatus and Methods Using Phase Change Materials for Creating a Temperature Stabilized Environment

Номер патента: US20200041147A1. Автор: James H. Goldie,Stephen Macomber. Владелец: Fruition LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

Chalcogenide phase change materials and their use

Номер патента: WO2011114173A1. Автор: Konstantin B. Borisenko. Владелец: ISIS INNOVATION LIMITED. Дата публикации: 2011-09-22.

Phase change memory device with dummy cell array

Номер патента: US20090190393A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20180090542A1. Автор: Laurent Favennec,Emmanuel Gourvest,Yannick Le Friec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-03-29.

Heat dissipating apparatus using phase change heat transfer

Номер патента: US20210156620A1. Автор: Chih-Wei Wang,Yi-Chung Chen,Chun-Hung Lin,Chun-Teng Chiu. Владелец: Taiwan Microloops Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US20170220266A1. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad Gh. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2017-08-03.

Phase change cooling device and control method

Номер патента: US20200224983A1. Автор: Masanori Sato,Minoru Yoshikawa,Arihiro Matsunaga,Koichi TODOROKI,Mizuki WADA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Phase Change Device for Interconnection of Programmable Logic Device

Номер патента: US20120112788A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Phase change material (pcm)-based conductive thermal actuator switch

Номер патента: US20230081977A1. Автор: James E. Benedict,Andrew J. Pitts. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase-change memory with supply-voltage regulation circuit

Номер патента: EP3767627A1. Автор: Mr. Michele LA PLACA,Mr. Fabio Enrico Carlo DISEGNI,Mr. Federico GOLLER. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-20.

Electric generator comprising a plurality of electric accumulators and at least one heat-sink device incorporating a phase-change material

Номер патента: US20220158286A1. Автор: Thomas Scherer,Philippe PENE. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2022-05-19.

Pulsing synaptic devices based on phase-change memory to increase the linearity in weight update

Номер патента: WO2022268416A1. Автор: Wanki Kim,Sangbum Kim,Matthew Joseph BrightSky,Maxence Bouvier,Fabia CARTER. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-12-29.

Detecting Unidirectional Resistance Drift Errors In A Multilevel Cell of a Phase Change Memory

Номер патента: US20160085617A1. Автор: Yan Solihin. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Phase-change recording element for write once applications

Номер патента: US20030099805A1. Автор: Yuan-Sheng Tyan,Giuseppe Farruggia,Thomas Cushman,Bruno Primerano,Fridrich Vazan,George Olin. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2003-05-29.

Determining a position of user equipment by using adaptive phase-changing devices

Номер патента: AU2021309975B2. Автор: Jibing Wang,Erik Richard Stauffer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device based on phase change memory for deep neural network and method for storing weight thereof

Номер патента: US20240161823A1. Автор: Joon-Sung Yang. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-16.

Time interleaved writing of phase change material for infrared spatial light modulator

Номер патента: US10755782B1. Автор: Jeong-Sun Moon,Daniel M. Zehnder. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2020-08-25.

Thermal buffering of downhole equipment with phase change material

Номер патента: WO2013096550A1. Автор: Sandrine Lelong-Feneyrou. Владелец: Schlumberger Holdings Limited. Дата публикации: 2013-06-27.

Phase change random access memory device

Номер патента: US11765988B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Post-probe upstream metering pump for insuring ngl phase change completion in sample conditioning

Номер патента: MY196878A. Автор: Micah A Curtis. Владелец: MUSTANG SAMPLING LLC. Дата публикации: 2023-05-08.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Phase-change memory device

Номер патента: US20100149860A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Thermal Energy Storage With A Phase-Change Material In A Non-Metal Container

Номер патента: US20160157333A1. Автор: Gerald Ho Kim,Jay Eunjae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-02.

Phase change memory device

Номер патента: US20120120724A1. Автор: Hyuck-Soo Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

Phase change sensor

Номер патента: EP1644473A2. Автор: Ray F. Stewart. Владелец: Bay Materials LLC. Дата публикации: 2006-04-12.

Forming phase change memory cells

Номер патента: US20100163827A1. Автор: Fabio Pellizzer,Yudong Kim. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase-change memory

Номер патента: US20240276894A1. Автор: Philippe Boivin,Roberto Simola,Yohann MOUSTAPHA-RABAULT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-08-15.

Phase change photovoltaic thermal management device

Номер патента: US20240266457A1. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory cell with a variable element and a phase change memory

Номер патента: US20240215462A1. Автор: Ning Li,Kangguo Cheng,Juntao Li,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Jin Ping HAN,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods and systems for measuring state of charge of a phase change material thermal battery

Номер патента: US20240210121A1. Автор: Ryan Young,Eugene Jansen,Craig English,Eric Donovan,Nader Maharmeh. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Solar photovoltaic powered phase change material thermal energy storage system

Номер патента: US20240125492A1. Автор: Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-04-18.

A modular phase change material system

Номер патента: GB201115174D0. Автор: . Владелец: Dublin Institute of Technology. Дата публикации: 2011-10-19.

Phase change material (pcm)-based conductive thermal actuator switch

Номер патента: EP4402417A1. Автор: James E. Benedict,Andrew J. Pitts. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-24.

Phase change random access memory device

Номер патента: US12089513B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Portable Regulated Temperature Container with Phase Change Materials

Номер патента: US20240310086A1. Автор: Uttam Ghoshal,Dan GRIMM,James Borak,Key Kolle. Владелец: Sheetak Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Solar photovoltaic powered phase change material thermal energy storage system

Номер патента: US12092360B2. Автор: Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-09-17.

Crockery system comprising thermal buffer material and phase- change material

Номер патента: US20240315472A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-09-26.

Phase change material

Номер патента: US20240292762A1. Автор: Fumio Sato,Yoshimasa Matsushita. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Phase change photovoltaic thermal management device

Номер патента: US12113143B2. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-10-08.

Multiple-input, multiple-output transmissions using adaptive phase-changing devices

Номер патента: EP4437656A1. Автор: Jibing Wang,Erik Richard Stauffer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-02.

Electric generator comprising a plurality of electric accumulators and at least one heat-sink device incorporating a phase-change material

Номер патента: US12027716B2. Автор: Thomas Scherer,Philippe PENE. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-07-02.

Thermal energy storage with a phase-change material in a non-metal container

Номер патента: US09924588B2. Автор: Gerald Ho Kim,Jay Eunjae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-20.

Cooling mechanism for high-brightness X-ray tube using phase change heat exchange

Номер патента: US09905390B2. Автор: Xiaodong Xiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-27.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09892785B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US09891843B2. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad G H. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2018-02-13.

Sensing phase-change memory/test cells for determining whether a cell resistance has changed due to thermal exposure

Номер патента: US09875794B2. Автор: Jason Snodgress,Jason Brand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Phase-change nanoparticle

Номер патента: US09872902B2. Автор: Raphael Hof,Raz KHANDADASH,Ella FREMDER. Владелец: NEW PHASE LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Cooling mechanism for batteries using L-V phase change materials

Номер патента: US09865907B2. Автор: Xiaodong Xiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

Support frame with integrated phase change material for thermal management

Номер патента: US09836100B2. Автор: QIAN Han. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Devices for modulation of temperature and light based on phase change materials

Номер патента: US09797187B2. Автор: Dale Timothy Clifford,Shi-Chune Yao. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-24.

MIMO antenna with no phase change

Номер патента: US09768505B2. Автор: Ja Kwon Ku,Jeong Hoon Cho,Kyung Suk Kim,Sung Tek Kahng,Geon Ho Jang,Seong Ryong Yoo. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of INU. Дата публикации: 2017-09-19.

Materials and components in phase change memory devices

Номер патента: US09741930B2. Автор: Davide Erbetta,Valter Soncini. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US09673256B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Phase change memory structure to reduce leakage from the heating element to the surrounding material

Номер патента: US09660188B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Chang-Ming Wu,Po-ken Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Metal nitride keyhole or spacer phase change memory cell structures

Номер патента: US09627612B2. Автор: Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Matthew Joseph BrightSky,Norma Edith Sosa Cortes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09583187B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Bone-sealed audio device having insertion part with adhesive and phase-changing material

Номер патента: US09554216B2. Автор: Henning Knak Poulsen. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2017-01-24.

Seasoning phase change memories

Номер патента: US09536606B2. Автор: Ward D. Parkinson,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Phase change memory device with voltage control elements

Номер патента: US09525007B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Writing multiple levels in a phase change memory

Номер патента: US09502107B2. Автор: Scott C. Lewis,Chung H. Lam,Thomas M. Maffitt,Jack R. MORRISH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US09437816B2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Phase change insulation for subsea flowlines

Номер патента: US6000438A. Автор: Theodore R. Ohrn. Владелец: McDermott Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Phase change memory and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2004055916A3. Автор: Charles H Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Extraction from large thermal storage systems using phase change materials and latent heat exchangers

Номер патента: CA2893160C. Автор: Frank Antonio MUCCIARDI,Alan Leighton Wesley POWELL,Andrew Leighton Wesley POWELL. Владелец: 7837003 CANADA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Multi-terminal phase change devices

Номер патента: WO2007056171A3. Автор: Vei-Han Chan,Antonietta Oliva,Narbeh Derhacobian,Louis C Ii Kordus. Владелец: Louis C Ii Kordus. Дата публикации: 2009-04-30.

Phase change memory cell including multiple phase change material portions

Номер патента: EP1783844A3. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philip. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-12-08.

Vertical phase change bridge memory cell

Номер патента: US11683998B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Phase-Change Materials and Optical Limiting Devices Utilizing Phase-Change Materials

Номер патента: US20100309539A1. Автор: Anthony Bresenhan Kaye,Richard Forsberg Haglund, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-09.

Phase change random access memory

Номер патента: US7504652B2. Автор: Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Phase-change materials and optical limiting devices utilizing phase-change materials

Номер патента: WO2010141168A1. Автор: Anthony Bresenhan Kaye,Richard Forsberg Haglund. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2010-12-09.

Phase change memory devices and their methods of fabrication

Номер патента: US7598112B2. Автор: Jae-hee Oh,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Storage node, phase change random access memory and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070200108A1. Автор: Ki-Joon Kim,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Self-aligned process for manufacturing a phase change memory cell and phase change memory cell thereby manufactured

Номер патента: EP1469532A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Low heat loss and small contact area composite electrode for a phase change media memory device

Номер патента: US20030189200A1. Автор: Heon Lee,Dennis Lazaroff. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-10-09.

Phase change switch device and method of operating a phase change switch device

Номер патента: US11863168B2. Автор: Hans Taddiken,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-02.

Phase Change Switch Device and Method of Operating a Phase Change Switch Device

Номер патента: US20230021991A1. Автор: Hans Taddiken,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-26.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20240032445A1. Автор: Hans Taddiken,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Phase-change memory with an insulating layer on a cavity sidewall

Номер патента: US11800821B2. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Thermal management system including an elastically deformable phase change device

Номер патента: EP3430491A1. Автор: Andrew Douglas Delano,David William Voth. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-01-23.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: WO2022117279A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase change material switch with improved thermal confinement and methods for forming the same

Номер патента: US20230403954A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Chyuan Tzeng,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Phase-change material reconfigurable circuits

Номер патента: US20140266300A1. Автор: Robert S. Howell,Robert Miles Young,Harold Clifton Hearne, Iii,Pavel Borodulin,Nabil Abdel-Meguid El-Hinnawy,Marc Eisenzweig Sherwin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4312484A1. Автор: Hans Taddiken,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-31.

Phase change switch with multi face heater configuration

Номер патента: US11563174B2. Автор: Hans Taddiken,Hans-Dieter Wohlmuth,Christoph Glacer,Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss,Martin Bartels. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-24.

Method for manufacturing phase change memory

Номер патента: US20200098986A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Koukou Suu,Chung Hon Lam,Fabio Carta,Fraczak Gloria Wing Yun FRACZAK,Matthew BRIGHTSKY. Владелец: Ulvac Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Lateral phase change memory cell

Номер патента: US20230309425A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Tuning emission wavelengths of quantum emitters via a phase change material

Номер патента: US11848400B2. Автор: Darius Urbonas,Rainer F. Mahrt,Thilo Hermann Curt Stoeferle,Michael A. Becker,Fabio Scafirimuto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Low current phase-change memory device

Номер патента: US20230397510A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Phase change material cell with stress inducer liner

Номер патента: US20120147666A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Phase change material cell with piezoelectric or ferroelectric stress inducer liner

Номер патента: WO2012078456A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US11276818B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Memory arrays having confined phase change material structures laterally surrounded with silicon nitride

Номер патента: US9755145B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Tuning emission wavelengths of quantum emitters via a phase change material

Номер патента: EP4323834A1. Автор: Michael Becker,Rainer Mahrt,Thilo Stoeferle,Darius Urbonas,Fabio Scafirimuto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Vertical phase change memory device

Номер патента: WO2024037524A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase-change memory device, phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US20080049490A1. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2008-02-28.

Multi-Bit Storage Device Using Phase Change Material

Номер патента: US20240016071A1. Автор: Timothy Crockett,Lester Bartus, JR.. Владелец: Toshiba Global Commerce Solutions Holdings Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20060289850A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Norikatsu Takaura. Дата публикации: 2006-12-28.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20050156150A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Reducing contact resistance of phase change memory bridge cell

Номер патента: US20230165170A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Bridge cell phase change memory

Номер патента: US20230200266A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Electric device comprising phase change material

Номер патента: EP1787329B1. Автор: Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Franciscus P. Widdershoven,Robertus A. M. Wolters. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-10-27.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023468A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury,Philippe Cathelin,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023465A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury,Philippe Cathelin,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023467A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Phase Change Switch with Multi Face Heater Configuration

Номер патента: US20210320250A1. Автор: Hans Taddiken,Hans-Dieter Wohlmuth,Christoph Glacer,Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss,Martin Bartels. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: WO2023041296A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW,Anirban Chandra. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-23.

Heat sink for semiconductor die employing phase change cooling

Номер патента: WO2003073475B1. Автор: Ajit Dubhashi. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Magnetic Phase Change Material for Heat Dissipation

Номер патента: US20190096780A1. Автор: Michael Roesner,Christoph Bergmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-03-28.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US20200287130A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Phase-change memory

Номер патента: US20200381617A1. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-12-03.

Electric device comprising phase change material

Номер патента: EP1787329A2. Автор: Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Franciscus P. Widdershoven,Robertus A. M. Wolters. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-05-23.

Phase change memory using multiple phase change layers and multiple heat conductors

Номер патента: US20220102627A1. Автор: Wei Wang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kevin W. Brew,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Phase change memory cell with projection liner

Номер патента: GB2616808A. Автор: OK Injo,Bhosale Prasad,Bao Ruqiang,Saulnier Nicole,Herbert Simon Andrew,Brew Kevin,Rashid Saraf Iqbal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Thermal management system including an elastically deformable phase change device

Номер патента: WO2017160565A1. Автор: Andrew Douglas Delano,David William Voth. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2017-09-21.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11127790B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Phase change material switch with improved thermal dissipation and methods for forming the same

Номер патента: US20240099167A1. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: EP4256631A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Phase change memory device having protective layer for protecting phase change material and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090242867A1. Автор: Dae Ho Rho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20190363136A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Phase Change Switch Arrangement

Номер патента: US20240122081A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin,Christian BUTSCHKOW,Jochen Braumueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-11.

Phase change memory cell with heater

Номер патента: US20240130256A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Arthur Roy Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Tuning emission wavelengths of quantum emitters via a phase change material

Номер патента: WO2022268716A1. Автор: Michael Becker,Rainer Mahrt,Thilo Stoeferle,Darius Urbonas,Fabio Scafirimuto. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Vertical phase change memory device

Номер патента: US20240065119A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change ram device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240147875A1. Автор: Seok Man Hong,Shinhyun Choi,See-On PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase-change memory cell with reduced heater size

Номер патента: US20230292637A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US7781753B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2010-08-24.

Phase change memory cell with heater

Номер патента: WO2024083094A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Arthur Roy Gasasira. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Multi-bit storage device using phase change material

Номер патента: US12004433B2. Автор: Timothy Crockett,Lester Bartus, JR.. Владелец: Toshiba Global Commerce Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Filter support with a phase-changing medium

Номер патента: US20140147883A1. Автор: Menno Willem Jose Prins,Mikhail Mikhaylovich Ovsyanko,Arie Rombertus Van Doorn,Freek VAN HEMERT. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-05-29.

Phase change memory structures

Номер патента: WO2009042293A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao,Tushar P. Merchant. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-04-02.

All-photonic Boolean logic device based on phase change straight waveguide and full binary logic implementation method thereof

Номер патента: US11906876B2. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yunlai ZHU,Zhuli HE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-02-20.

Set/reset methods for crystallization improvement in phase change memories

Номер патента: US20200365204A1. Автор: Neil Leslie Robertson,Gerardo A. Bertero,Michael K. Grobis,Mac D. Apodaca,Michael Nicolas Albert Tran,Zhaoqiang BAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Phase change memory device suitable for high temperature operation

Номер патента: WO2011060032A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Simone Raoux,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch,Daniel Krebs. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.. Дата публикации: 2011-05-19.

Method and structure for peltier-controlled phase change memory

Номер патента: WO2006121473A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Tissue products including a temperature change composition containing phase change components within a non-interfering molecular scaffold

Номер патента: CA2777854C. Автор: Scott W. Wenzel,Corey Thomas Cunningham,Helen Kathleen Moen,Jeffery Richard Seidling. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Phase change and shape change materials

Номер патента: EP2868299A2. Автор: Valery PEREVALOV,Refael Hof. Владелец: NEW PHASE LTD. Дата публикации: 2015-05-06.

Phase change material memory device

Номер патента: US6881603B2. Автор: Stefan K. Lai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Phase change memory structure with multiple resistance states and methods of programming and sensing same

Номер патента: WO2008150576A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-11.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: US20240107900A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase-change memory

Номер патента: US11817146B2. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2023-11-14.

Phase change memory cell with projection liner

Номер патента: WO2022123367A1. Автор: Ruqiang Bao,Injo OK,Nicole Saulnier,Kevin BREW,Prasad Bhosale,Iqbal Rashid Saraf,Andrew Herbert Simon. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2022-06-16.

Thermal management system with phase change and auxiliary cooling systems

Номер патента: US11889664B2. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Multi-value recording phase-change memory device, multi-value recording phase-change channel transistor, and memory cell array

Номер патента: US7932508B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2011-04-26.

Phase-change memory device, phase-change channel transistor and memory cell array

Номер патента: US8120007B2. Автор: Takashi Ono,Sumio Hosaka,Masaki Yoshimaru,Mayumi Nakasato,Hayato Sone. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2012-02-21.

Methods and apparatus for phase change detection using a resonator

Номер патента: US20230370313A1. Автор: Benjamin P. Dolgin,Gary M. Graceffo,Andrew Kowalevicz. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-11-16.

Confined bridge cell phase change memory

Номер патента: US11980111B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Andrew Herbert Simon,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase-change memory

Номер патента: US20220215878A1. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2022-07-07.

Electric device comprising phase change material

Номер патента: EP1576676A1. Автор: Erwin R. Meinders,Liesbeth Van Pieterson,Martijn H. R. Lankhorst,Robertus A. M. Wolters. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-21.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20230337554A1. Автор: Hans-Dieter Wohlmuth,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: WO2024060645A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change material switch device and related method

Номер патента: WO2023198632A1. Автор: Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Phase-change memory and semiconductor recording/reproducing device

Номер патента: US09490428B2. Автор: Susumu Soeya,Toshimichi Shintani,Takahiro Odaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Forming phase change memories

Номер патента: MY135719A. Автор: Chien Chiang,Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-06-30.

Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory

Номер патента: US20030164515A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Daniel Xu. Дата публикации: 2003-09-04.

Recording method for phase-change recording medium

Номер патента: US6606292B2. Автор: Takashi Ohno. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2003-08-12.

Phase change memory element and method for forming the same

Номер патента: US20090250691A1. Автор: Chen-Ming Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Novel phase change magnetic material

Номер патента: WO2007046769A1. Автор: Tow Chong Chong,Wendong Song,Xiangshui Miao,Luping Shi. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2007-04-26.

Metal chalcogenide film, memory element including same, and method for manufacturing phase-change heterolayer

Номер патента: US20240057347A1. Автор: Hyungjun Kim,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Hajun SUNG,Sangyoon Lee,Changyup Park,Seung-Min Chung,Inkyu Sohn. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-02-15.

Biomembrane phase-change droplets (pcd), drug carrier and use thereof

Номер патента: US20160317441A1. Автор: Chih-Kuang Yeh,Shih-Tsung Kang,Chien-Wen Chang,Chen-Chan HSIEH,Yee-Hsien LIN,Pei-Ying Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-11-03.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US20230093026A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Phase change switch with self-aligned heater and rf terminals

Номер патента: EP4106023A3. Автор: Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-26.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4261905A1. Автор: Hans-Dieter Wohlmuth,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-18.

Phase Change Switch Fabricated with Front End of the Line Process

Номер патента: US20230389451A1. Автор: Matthias Markert,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US10879463B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: US11910731B2. Автор: Robert L. Bruce,Ching-Tzu Chen,Jin Ping HAN,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Phase change material cell with piezoelectric or ferroelectric stress inducer liner

Номер патента: US20130309782A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Phase-change nonvolatile memory and manufacturing method therefor

Номер патента: US8026502B2. Автор: Tomoyasu Kakegawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-09-27.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: EP1829110A2. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-09-05.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: US20120230100A1. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: WO2010125540A3. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Harry Wondergem. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-04-07.

Phase Change Material for a Phase Change Memory Device and Method for Adjusting the Resistivity of the Material

Номер патента: US20120091416A1. Автор: Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt,Robertus Adrainus Maria Wolters. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material

Номер патента: US8792265B2. Автор: Robertus Andrianus Maria Wolters,Hendrikus Jan Wondergem,Michael Antoine Armand In 'T Zandt. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-29.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US20210012836A1. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-14.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-13.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B9. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-11.

Shunted phase change memory

Номер патента: US20070242504A1. Автор: Guy Wicker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Shunted phase change memory

Номер патента: US7916514B2. Автор: Guy Wicker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120009757A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase-change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074334A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-19.

Phase change memory elements using energy conversion layers, memory arrays and systems including same, and methods of making and using same

Номер патента: US20120281466A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Phase change material containing carbon, memory device including the phase change material, and method of operating the memory device

Номер патента: US7737527B2. Автор: Dong-Seok Suh,Youn-Seon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-15.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: WO2006043230A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A3. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2007-11-01.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: US11980110B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Anirban Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: EP4256630A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Phase change random access memory (PRAM) device

Номер патента: US20060285380A1. Автор: Byung-Gil Choi,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-21.

Phase change memory and control method thereof

Номер патента: US7773411B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

A non-volatile memory cell comprising a dielectric layer and a phase change material in series

Номер патента: WO2006078505A3. Автор: S Brad Herner. Владелец: S Brad Herner. Дата публикации: 2009-06-04.

Buoyancy-based platform assembly for phase change material thermal management

Номер патента: US20230119645A1. Автор: Comas Haynes. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Phase change memory coding

Номер патента: US20140119110A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih,Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Solar phase-change energy storage heating ventilation partition wall and modular heating system thereof

Номер патента: US11994304B2. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Phase-change water heater

Номер патента: EP4012288A1. Автор: Ming Wang,Yun Zeng,Shaohe QU. Владелец: Wuhu Midea Kitchen and Bath Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Heat exchanger device comprising a phase-change material

Номер патента: US20230194188A1. Автор: Rui Pedro DE JESUS TEIXEIRA. Владелец: Edge Innovation Aveiro Unipessoal Ltda. Дата публикации: 2023-06-22.

Phase-change memory

Номер патента: US20140175370A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2014-06-26.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840A1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-18.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840B1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-05-26.

Phase change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080121863A1. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2007-09-13.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US20200035919A1. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: EP4292141A1. Автор: Robert Bruce,Jin-Ping Han,Ching-Tzu Chen,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Microelectromechanical system pressure sensor with pressure sensing element having phase-change material

Номер патента: WO2024087110A1. Автор: Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change memory cell structures and methods

Номер патента: US20110291065A1. Автор: Joseph N. Greeley,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Memory device including switching material and phase change material

Номер патента: US20240046986A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Young Jae Kang,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Yongyoung PARK,Hajun SUNG,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Phase change memory device

Номер патента: EP1878065A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-16.

Phase change memory device

Номер патента: WO2006117063A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Phase-change memory

Номер патента: US20130196467A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2013-08-01.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120007036A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

A phase change material electronic memory structure

Номер патента: EP1369925A3. Автор: Kurt Ulmer,David Punsalan,Heon Lee,Peter Fricke,Andrew Koll,Dennis Lazaroff,Andy Van Brocklin,Neal Meyer,Jim Ellenson,Ken Kramer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2005-06-15.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: US20170322253A1. Автор: Philip Campbell,Larry Akers,David GRAZIOSE,Joseph Wrinn. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device having reset gate and phase change layer

Номер патента: US9825222B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

All-photonic boolean logic device based on phase change straight waveguide and full binary logic implementation method thereof

Номер патента: US20230221619A1. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yunlai ZHU,Zhuli HE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-13.

Power supplying circuit and phase-change random access memory including the same

Номер патента: US20090122601A1. Автор: Won-seok Lee,Kwang-Ho Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-14.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US20230260574A1. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2023-08-17.

Phase Change Material In An Electronic Switch Having A Flat Profile

Номер патента: US20240341205A1. Автор: Tsung-Hsueh Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Phase change material including deuterium

Номер патента: US20240324475A1. Автор: Kangguo Cheng,Amlan Majumdar,Juntao Li,Louis Zuoguang Liu,Arthur Roy Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Self-referenced and regulated sensing solution for phase change memory with ovonic threshold switch

Номер патента: US11875847B2. Автор: Philippe Boivin,Jean-Michel PORTAL,Vincenzo DELLA MARCA,Jean-Pierre WALDER,Julien GASQUEZ. Владелец: Stmicroelectro Crolles 2 Sas. Дата публикации: 2024-01-16.

High flux diode packaging using passive microscale liquid-vapor phase change

Номер патента: US09768584B2. Автор: Robert J. Deri,Todd Bandhauer,John W. Elmer,Jack Kotovsky,Susant Patra. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Heating and/or cooling unit with phase-change material

Номер патента: US20240369311A1. Автор: Jacques Mouchet. Владелец: Sun Ice Energy Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Self-adjusting phase change memory storage module

Номер патента: US09563371B2. Автор: Jing Li,Dinesh C. Verma. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Conditioning phase change memory cells

Номер патента: US09558817B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Chip comprising a phase change material based protecting device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09520366B2. Автор: Luca Perniola,Yann Lamy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-12-13.

Device for generating a phase-shifted signal with smooth phase change between elementary pulses

Номер патента: RU2661908C1. Автор: Иван Николаевич Маснев,Геннадий Симонович Нахмансон,Андрей Викторович Суслин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2018-07-23.

Piezoelectric mems resonator with integrated phase change material switches

Номер патента: EP3132473A1. Автор: Gwendolyn HUMMEL,Mateo RINALDI. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2017-02-22.

Printed circuit board assembly embedded thermal management system using phase change materials

Номер патента: US20240080966A1. Автор: Karthikeyan Paramanandam,Pedro Luis Lebron. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US11978511B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Reconfigurable photonic integrated chip based on phase change material film and processing method therefor

Номер патента: US20240168320A1. Автор: Zhaohui Li,Hongfei Chen. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2024-05-23.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US20240120578A1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Resolving doppler ambiguity in tdm-mimo radars based on spatial phase change rate

Номер патента: EP4343363A1. Автор: Mattias Simonsson,Anders MANNESSON,Stefan Adalbjörnsson,Anders LLOYD,Bertil Roslund. Владелец: AXIS AB. Дата публикации: 2024-03-27.

Adaptive Phase-Changing Devices for Non-Terrestrial Networks

Номер патента: US20240372604A1. Автор: Jibing Wang,Erik Richard Stauffer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of manufacturing phase-change random access memory devices

Номер патента: US20100323492A1. Автор: Tae-Yon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-23.

Process for manufacturing a phase change memory array in Cu-damascene technology and phase change memory array manufactured thereby

Номер патента: US7259040B2. Автор: Fabio Pellizer,Roberto Bez. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-21.

Chemical mechanical polishing stop layer for fully amorphous phase change memory pore cell

Номер патента: US8492194B2. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

PRAMS having phase-change layer pattern with electrode contact area and methods of forming the same

Номер патента: US7214957B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Young-Nam Hwang,Se-Ho Lee,Su-Youn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-08.

Block erase for phase change memory

Номер патента: US7755935B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Phase change memory device

Номер патента: US9779805B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Roberto Gastaldi,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method to integrate dc & rf phase change switches into high-speed sige bicmos

Номер патента: US20230056901A1. Автор: Robert M. Young,Patrick B. Shea,Keith H. Chung,Andris Ezis,Ishan Wathuthanthri. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Planar phase-change memory cell with parallel electrical paths

Номер патента: US8685785B2. Автор: Michele M. Franceschini,John P. Karidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Phase-change heat transfer coupling for aqua-ammonia absorption systems

Номер патента: CA2426526A1. Автор: Paul Sarkisian,Uwe Rockenfeller,Lance D. Kirol. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material

Номер патента: WO1999054128A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,David A. Strand,Boil Pashmakov,Sergey Kostylev,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-10-28.

Heating and cooling systems and apparatuses with phase change materials

Номер патента: WO2020198846A1. Автор: Erik HATFIELD,Daniel Larsen,Hannah MALLALIEU,Jordan KENNIE. Владелец: Stash Energy Inc.. Дата публикации: 2020-10-08.

Phase change material matrix for incorporation in construction panels formed of gypsum or aggregate materials

Номер патента: CA1261696A. Автор: Jean Paris,Jean-Francois Houle. Владелец: Canadian Patents and Development Ltd. Дата публикации: 1989-09-26.

Phase change memory device, manufacturing method thereof and operating method thereof

Номер патента: US20090067228A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Device and Method for Cooling Components Using Magnetizable Phase-Change Material

Номер патента: US20110167838A1. Автор: Udo Schulz,Thomas Proepper,Andre Lischeck,Reinhold Danner,Heinrich Barth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Phase change memory array with integrated polycrystalline diodes

Номер патента: US20190165043A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20230389450A1. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: US11812676B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

One-mask phase change memory process integration

Номер патента: WO2012019843A1. Автор: Chung Hon Lam,Matthew Joseph Breitwisch,Eric Andrew Joseph,Hasiang-Lan Lung. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2012-02-16.

Phase-change memory device for improving resistance drift and dynamic resistance drift compensation method of the same

Номер патента: US11848049B2. Автор: Yunheub Song,Yoonseong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Phase-change heat exchanger and heat exchange core thereof

Номер патента: EP4253890A1. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Lele TAN. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Accessing a Phase Change Memory

Номер патента: US20100020595A1. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ward Parkinson. Дата публикации: 2010-01-28.

Optimized phase change memory structure to improve nucleation time variation

Номер патента: US20230371408A1. Автор: LU LIU,Hemant P. Rao,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11856795B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical phase change switch devices and methods

Номер патента: US20230422644A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: US7679953B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Heat radiation apparatus, phase-change cooling apparatus including the same, and method for radiating heat

Номер патента: US20190003776A1. Автор: Masanori Sato,Minoru Yoshikawa,Masaki Chiba,Arihiro Matsunaga,Koichi TODOROKI,Mizuki WADA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Transfer length phase change material (PCM) based bridge cell

Номер патента: GB2603612A. Автор: Ando Takashi,Gong Nanbo,M Cohen Guy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Phase change memory apparatus having row control cell

Номер патента: US20120081954A1. Автор: Kyoung Wook Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Portable apparatus and methods using phase change materials for creating a temperature stabilized environment

Номер патента: EP3777600A2. Автор: James Goldie,Stephen Macomber. Владелец: Fruition LLC. Дата публикации: 2021-02-17.

Portable apparatus and methods using phase change materials for creating a temperature stabilized environment

Номер патента: EP3777600A3. Автор: James Goldie,Stephen Macomber. Владелец: Fruition LLC. Дата публикации: 2021-05-12.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US20210249592A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Phase change memory and operation method of the same

Номер патента: US20110044097A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Phase-change memory (PCM) including liner reducing resistance drift

Номер патента: US11805711B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Kevin W. Brew,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Systems and methods for phase change material based thermal assessment

Номер патента: US11812674B2. Автор: Chien-Mao Chen,Hung-Jen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Energy storage device and method based on carbon dioxide gas-liquid phase change

Номер патента: US20240019216A1. Автор: FENG Yang,Lei Sun,Yuqi Wang,Di Zhang,XiaoYong Wang,Qin Wang,Yonghui Xie,Yongliang GUO. Владелец: Exa Energy Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US20210202837A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Phase change material switch and method of fabricating same

Номер патента: AU2021237822B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Kevin BREW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change thermal management device

Номер патента: US11976885B2. Автор: Yi-Tseng LI,Yion-Ni Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase change materials for storage media

Номер патента: WO2004067624A3. Автор: Mercouri G Kanatzidis. Владелец: Mercouri G Kanatzidis. Дата публикации: 2004-11-11.

Selection element-integrated phase-change memory and method for producing same

Номер патента: US11980109B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for producing a memory device having a phase change film and reset gate

Номер патента: US10026893B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-07-17.

Systems and methods for phase change material based thermal assessment

Номер патента: US20230397509A1. Автор: Chien-Mao Chen,Hung-Jen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Phase-Change Memory and Method of Forming Same

Номер патента: US20230320239A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of Forming Phase-Change Memory Layers on Recessed Electrodes

Номер патента: US20230309424A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Pilot interpolation for a gated pilot with compensation for induced phase changes

Номер патента: WO2003065609A3. Автор: Peter J Black,Raghu Challa. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2003-11-13.

Set and reset operation in phase change memory and associated techniques and configurations

Номер патента: US9613698B2. Автор: DerChang Kau,Prashant Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Davide Fugazza,Gerard H. Joyce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Set and reset operation in phase change memory and associated techniques and configurations

Номер патента: US20160254052A1. Автор: DerChang Kau,Prashant Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Davide Fugazza,Gerard H. Joyce. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Multilayer structure comprising a phase change material layer and a method of producing the same

Номер патента: EP2232602A1. Автор: Romain Delhougne,Vasile Paraschiv,Judit Lisoni. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-29.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: WO2024093753A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-05-10.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850B2. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: WO2021191696A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: CA3168067A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: GB2608771A. Автор: CLEVENGER Lawrence,Brew Kevin,Matthew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20230024030A1. Автор: Chung-Hon Lam,Dong Gan. Владелец: Beijing Advanced Memory Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067488A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase-change heat exchanger and heat exchange core thereof

Номер патента: AU2023201948A1. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Lele TAN. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Phase-change heat exchanger and heat exchange core thereof

Номер патента: US20230349643A1. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Lele TAN. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Position control of adaptive phase-changing devices

Номер патента: AU2021277195B2. Автор: Jibing Wang,Erik Richard Stauffer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Phase Change Inhibited Heat Transfer Materials for LED Cooling

Номер патента: AU2021105612A4. Автор: Lei Li,Dayong Hu,Dongya Lu,Qinglong Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-14.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US11950518B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Phase-change spatial light modulator

Номер патента: US20200341264A1. Автор: Abram L. Falk,William Green,Damon B. Farmer,Jessie C. Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Accessing a phase change memory

Номер патента: US8120943B2. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: US20240147874A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210320147A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Artificial intelligence device cell with improved phase change material region

Номер патента: US20230099419A1. Автор: Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Phase change random access memory and layout method of the same

Номер патента: US20090231899A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240186090A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury,Frederic Gianesello,Philippe Cathelin,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-06.

Phase change memory devices, method for encoding, and methods for storing data

Номер патента: US20130155766A1. Автор: Zhiyong Liu. Владелец: INTERMEC IP CORP. Дата публикации: 2013-06-20.

Phase-change memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20070120106A1. Автор: Shinpei Iijima,Tsutomu Hayakawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20170373120A1. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-28.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20120074370A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Optical data storage system with multiple write-once phase-change recording layers

Номер патента: WO1997002564A1. Автор: Wayne Isami Imaino,Hal Jervis Rosen,Kurt Allan Rubin,Wade Wai-Chung Tang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 1997-01-23.

Position control of adaptive phase-changing devices

Номер патента: US12015459B2. Автор: Jibing Wang,Erik Richard Stauffer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Regenerative preheater for phase change cooling applications

Номер патента: US20240032250A1. Автор: Bahgat Sammakia,Sadegh Khalili. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-01-25.

Heat sink with condensing fins and phase change material

Номер патента: US20200340752A1. Автор: Salah Addin Burhan Al Omari. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-29.

An electronic assembly with phase-change material for thermal performance

Номер патента: AU2020202790A1. Автор: William F. Cooper,Christopher J. Schmit,Andrew SCHEFTER. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2020-11-19.

Metering pump located upstream after the probe and ensuring the natural gas liquid condensate fluid phase change completion during the sample conditioning

Номер патента: RU2679908C1. Автор: Мика А. КЁРТИС. Владелец: Мустанг Сэмплинг Ллк. Дата публикации: 2019-02-14.

Phase changing circuit

Номер патента: CA1250349A. Автор: Tatsuro Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-21.

Immunity of Phase Change Material to Disturb in the Amorphous Phase

Номер патента: US20140328121A1. Автор: Tyler A. Lowrey,James Reed,Ward D. Parkinson,Gianpaolo Spadini,Sergey Kostylev,Ilya V. Karpov,Semyon D. Savransky,George A. Gordon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Ink stick for a phase change ink jet printer

Номер патента: CA126018S. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-04-24.

Ink stick for a phase change ink jet printer

Номер патента: CA126020S. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-04-24.

Ink stick for a phase change ink jet printer

Номер патента: CA126017S. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-04-24.

Ink stick for a phase change ink jet printer

Номер патента: CA126019S. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-04-24.

Ink stick for a phase change ink jet printer

Номер патента: CA126016S. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-04-24.

Ink stick for a phase change ink jet printer

Номер патента: CA126015S. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-04-24.

Ink stick for a phase change ink jet printer

Номер патента: CA126054S. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-04-24.

Composite low-temperature phase change cold storage agent and preparation method therefor

Номер патента: ZA202307360B. Автор: ZHEN Wang,HAO Yi,Cong GUO,Liling LU,Guangfeng Dong,Songliang Ma,Jingrong Fang,Xiaocheng Xiang,Shaoxian Song. Владелец: SDIC XINJIANG LUOBUPO POTASH CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Phase change sensor

Номер патента: WO2005003821A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2006-02-02.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.