Growth method for vertically aligned carbon nanotubes by changing the morphologies of a transition metal thin films
Номер патента: KR100513713B1
Опубликовано: 07-09-2005
Автор(ы): 김종민, 이내성, 이병수, 이영희, 최영철, 최원봉
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-09-2005
Автор(ы): 김종민, 이내성, 이병수, 이영희, 최영철, 최원봉
Принадлежит: 삼성에스디아이 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for preferential growth of semiconducting vertically aligned single walled carbon nanotubes
Номер патента: US20110024717A1. Автор: Liming Dai,Liangti Qu. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2011-02-03.