Vias for Cobalt-Based Interconnects and Methods of Fabrication Thereof
Номер патента: US20200126855A1
Опубликовано: 23-04-2020
Автор(ы): CHANG Yu-Jen, Chen Hua Feng, Hsieh Min-Yann, PAN Kuo-Hua
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-04-2020
Автор(ы): CHANG Yu-Jen, Chen Hua Feng, Hsieh Min-Yann, PAN Kuo-Hua
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Partial Barrier Free Vias for Cobalt-Based Interconnects and Methods of Fabrication Thereof
Номер патента: US20230361042A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Shen-Nan Lee,Chen-Hao WU,Tsung-Ling TSAI,Chung-Wei Hsu,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.