具有埋入電源軌的半導體裝置及製造其的方法
Номер патента: TW201719835A
Опубликовано: 01-06-2017
Автор(ы): 洪俊九, 雷維基 森古普塔, 馬克 S. 羅德爾
Принадлежит: 三星電子股份有限公司
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-06-2017
Автор(ы): 洪俊九, 雷維基 森古普塔, 馬克 S. 羅德爾
Принадлежит: 三星電子股份有限公司
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor devices including low-k metal gate isolation and methods of fabrication thereof
Номер патента: US12009259B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.