Semiconductor device and method of manufacturing the same
Номер патента: US11876077B2
Опубликовано: 16-01-2024
Автор(ы): Chiang-Lin Shih, Ching Hung Chang, Hsih Yang Chiu, Yi-Jen Lo
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-01-2024
Автор(ы): Chiang-Lin Shih, Ching Hung Chang, Hsih Yang Chiu, Yi-Jen Lo
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Stacked semiconductor device test circuits and methods of use
Номер патента: US20220344223A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.