DEEP TRENCH CAPACITOR WITH A FILLED TRENCH AND A DOPED REGION SERVING AS A CAPACITOR ELECTRODE
Номер патента: US20190148481A1
Опубликовано: 16-05-2019
Автор(ы): Huang Shih-Fen, TSUI FELIX YING-KIT
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-05-2019
Автор(ы): Huang Shih-Fen, TSUI FELIX YING-KIT
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device with capacitor electrodes
Номер патента: US20030116799A1. Автор: Koji Taniguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-26.