Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Electronic structure having in-situ resistors

Номер патента: WO2002031867A3
Опубликовано: 17-10-2002
Автор(ы): Cyril Cabral Jr, Kwong Hon Wong, Lawrence Clevenger, Louis Lu-Chen Hsu
Принадлежит: Ibm, Ibm Uk
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Electronic structure having in-situ resistors

Номер патента: WO2002031867A2. Автор: Lawrence Clevenger,Louis Lu-Chen Hsu,Cyril Cabral, Jr.,Kwong Hon Wong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor structure having in-situ formed unit resistors and method for fabrication

Номер патента: US6831369B2. Автор: Lawrence Clevenger,Louis Lu-Chen Hsu,Cyril Cabral, Jr.,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Electronic structure having in-situ resistors

Номер патента: AU2001292090A1. Автор: Lawrence Clevenger,Louis Lu-Chen Hsu,Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-04-22.

Semiconductor structure having in-situ formed unit resistors and method for fabrication

Номер патента: TW510046B. Автор: Lawrence Clevenger,Louis Lu-Chen Hsu,Keith Kwong Hon Wong,Cyril Cabral Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-11-11.

Method for fabricating device structures having a variation in electrical conductivity

Номер патента: US20090203185A1. Автор: Shyue Seng Tan,Elgin Kiok Boone Quek,Lee Wee Teo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-13.

Method for fabricating device structures having a variation in electrical conductivity

Номер патента: SG155114A1. Автор: Tan Shyue Seng,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-09-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: US20240312991A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: EP4432338A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Integrated circuit structures having memory with backside dram and power delivery

Номер патента: US20230422485A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: EP4394875A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

CMOS sense structure having silicon dioxide outer ring around sense region

Номер патента: US20010034092A1. Автор: Jui-Hsiang Pan,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit structures having aoi gates with routing across nanowires

Номер патента: US20230420533A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: US20240047559A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: EP3678171A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: US20230369399A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: US11830933B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: US11764263B2. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuit structures having inverters with contacts between nanowires

Номер патента: US20230422462A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: US20240222360A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Systems and methods for integrating different channel materials into a CMOS circuit by using a semiconductor structure having multiple transistor layers

Номер патента: US9209201B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor structure having bottom isolation and enhanced carrier mobility

Номер патента: US11923363B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent deep via substrate contacts for sub-fin electrical contact

Номер патента: US20240055497A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent deep via substrate contacts for sub-fin electrical contact

Номер патента: US11837641B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Systems and Methods for a Semicdonductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20170287773A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20180374742A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20200126845A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

ELECTRONIC STRUCTURES COMPRISING MULTIPLE, ADJOINING HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS AND RELATED ELECTRONIC DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS

Номер патента: US20210343736A1. Автор: Surthi Shyam,Hill Richard J.,Carlson Chris M.,Resnati Davide. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuits having in-situ constraints

Номер патента: US09697317B1. Автор: Qi-De Qian. Владелец: IYM Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of forming FINFETs with locally thinned channels from fins having in-situ doped epitaxial cladding

Номер патента: US09627378B2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Takashi Ando,Isaac Lauer,Ghavam G. Shahidi,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING IN-SITU CONSTRAINTS

Номер патента: US20210073455A1. Автор: Qian Qi-De. Владелец: IYM Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-11.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Electronic structure having two field effect transistors

Номер патента: US11978744B2. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale,Brian Hardy Cobb,Feras ALKHALIL. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods of manufacturing electronic structures

Номер патента: US20230387145A1. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale,Brian Hardy Cobb,Feras ALKHALIL. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Electronic structures and their methods of manufacture

Номер патента: US20200035720A1. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale,Brian Hardy Cobb,Feras ALKHALIL. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Electronic structures comprising multiple contiguous high-k dielectric materials and related electronic devices, systems, and methods

Номер патента: KR20230002973A. Автор: 리차드 제이. 힐,샤이암 수르티,크리스 엠. 칼슨,다비드 레스나티. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2023-01-05.

Electronic structures and their methods of manufacture

Номер патента: WO2018178657A1. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale,Brian Hardy Cobb,Feras ALKHALIL. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Electronic structures and their methods of manufacture

Номер патента: GB201705270D0. Автор: . Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Structure having different gate dielectric widths in different regions of substrate

Номер патента: US20230326924A1. Автор: Hong Yu,Anton V. Tokranov,Edward P. Reis, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Integrated circuit structures having differentiated channel sizing

Номер патента: US20230317808A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Brian Greene,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4199044A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit structures having memory with backside power delivery

Номер патента: US20230420368A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor structure having fin structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115381A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit structures having gate cut plugremoved from trench contact

Номер патента: US20240105802A1. Автор: Robert Joachim,Robert Robinson,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Marie Conte,Kyle T. HORAK,Brandon PETERS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having necked feature

Номер патента: US20230317786A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Mohammad Hasan,Cory Weber,Varun Mishra,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US20240266353A1. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: EP3678170A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Ic structure with short channel gate structure having shorter gate height than long channel gate structure

Номер патента: US20210272851A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Shallow trench isolation structure having a nitride plug

Номер патента: US09443929B2. Автор: Byeong Y. Kim,Shreesh Narasimha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: EP3869547A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257452A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US11581404B2. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257453A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Integrated circuit structures having vertical shared gate high-drive thin film transistors

Номер патента: US20240222520A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: EP4345876A1. Автор: Allen GARDINER,Leonard GULER,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures having conductive structures in fin isolation regions

Номер патента: US20230317731A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer-deposition wide cut gates with non-merged spacers

Номер патента: US20230299165A1. Автор: Walid M. Hafez,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Esd structure having different thickness gate oxides

Номер патента: WO2007008411A1. Автор: Philippe Deval,Randy Yach. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2007-01-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having backside contact with enhanced area relative to epitaxial source

Номер патента: US20230307514A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Leonard P. GULER,Nafees A. Kabir,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US12068314B2. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Advanced structures having mosfet transistors and metal layers

Номер патента: EP4434092A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US20240363628A1. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using backside removal approach

Номер патента: EP4105979A1. Автор: Tahir Ghani,Charles Wallace,Leonard GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Integrated circuit structures having raised epitaxy on channel transistor

Номер патента: US20240006483A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP3627541A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US11862635B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures in a tub architecture

Номер патента: US20230317807A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20200091144A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: US20240154037A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20240088142A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit structures having lookup table decoders for fpgas

Номер патента: US20240222276A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US11862636B2. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit structures having recessed channel transistor

Номер патента: US20240006412A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having airgaps for backside signal routing or power delivery

Номер патента: US20240006305A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having vertical keeper or power gate for backside power delivery

Номер патента: US20240006317A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having source or drain structures with substrate connection portions

Номер патента: US20230207651A1. Автор: Nitesh Kumar,Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Pratik Patel,Stephen M. Cea,Mohammad Hasan,Anant H. JAHAGIRDAR,Rushabh Shah,Tricia Meyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates with etch back process

Номер патента: US20240072145A1. Автор: Megan BECK,Ryan Wood,Joseph BRICE,Krishna T. MARLA,Derek Caselli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium-diffused nanoribbon channel structures

Номер патента: EP4020589A1. Автор: Guillaume Bouche,Jack Kavalieros,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Adjacent gate-all-around integrated circuit structures having non-merged epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP3971952A1. Автор: Walid Hafez,Hsu-Yu Chang,Sairam Subramanian,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Integrated circuit structures having vertical transistor

Номер патента: US20240006531A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20240006541A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator FIN on insulator substrate

Номер патента: US11862702B2. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20210305388A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Integrated circuit structures having vertical power gate transistor for backside power delivery

Номер патента: EP4300561A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US20240145549A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium nanowire channel structures

Номер патента: US11978784B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: US20240145568A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit structures having gate cut plug removed from trench contact using angled directional etch

Номер патента: US20240096881A1. Автор: Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Ala ALAZIZI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: US20240105716A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having embedded GeSnB source or drain structures

Номер патента: US11990513B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Siddharth Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates

Номер патента: US11990472B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Oleg Golonzka,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Michael K. Harper,Niels Zussblatt,Jeffrey Miles Tan,Benjamin Kriegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: EP4328966A1. Автор: Tanay Karnik,Mondira Pant,Ragh Kuttappa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates

Номер патента: US20240178226A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Oleg Golonzka,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Michael K. Harper,Niels Zussblatt,Jeffrey Miles Tan,Benjamin Kriegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20210407997A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US12002810B2. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20240088153A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20220262796A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having embedded gesnb source or drain structures

Номер патента: US20240186378A1. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Siddharth Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US11923421B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: EP4345879A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA,Marie Conte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20240088254A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: US20240071870A1. Автор: Tanay Karnik,Ragh Kuttappa,Mondira Deb PANT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure having fin structures

Номер патента: US11963345B2. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure having fin structures

Номер патента: US20230232610A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US20200006492A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: US20240105804A1. Автор: Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11908856B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent structures for sub-fin electrical contact

Номер патента: US20240006504A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US11869891B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Gate-all-around integrated circuit structures having epitaxial source or drain region lateral isolation

Номер патента: WO2023121790A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pratik Patel,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11824116B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US20240096896A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent structures for sub-fin electrical contact

Номер патента: US11799009B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240145471A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having conductive contact stressor between epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP4020590A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: US20240113111A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: US20230197717A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240038889A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Gate-all-around integrated circuit structures having raised wall structures for epitaxial source or drain region confinement

Номер патента: WO2023113913A1. Автор: Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Mohammad Hasan,Andy Chih-Hung Wei,Aryan NAVABI-SHIRAZI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: EP4345875A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuit structures having bit-cost scaling with relaxed transistor area

Номер патента: US20240224508A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Fabrication of integrated circuit structures having uniformity among varying gate trench widths

Номер патента: US20240178227A1. Автор: Venkata Aditya Addepalli,Shyam Benegal KADALI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates

Номер патента: US12113068B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for fabricating a semiconductor structure having selective dopant regions

Номер патента: US7419883B2. Автор: Nicola Vannucci,Sven Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-02.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures having routing across layers of channel structures

Номер патента: US20240222271A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Gate Structures Having Neutral Zones to Minimize Metal Gate Boundary Effects and Methods of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240234421A1. Автор: Shih-Hao Lin,Lien-Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: US20230290851A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A2. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A3. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Gate structures having neutral zones to minimize metal gate boundary effects and methods of fabricating thereof

Номер патента: US11908866B2. Автор: Shih-Hao Lin,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuit structures having differentiated workfunction layers

Номер патента: US20200219775A1. Автор: Florian Gstrein,Ashish Agrawal,Ying Pang,Dan S. Lavric,Robert Niffenegger,Padmanava Sadhukhan,Robert W. Heussner,Joel M. Gregie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Gate Structures Having Neutral Zones to Minimize Metal Gate Boundary Effects and Methods of Fabricating Thereof

Номер патента: US20200176447A1. Автор: Shih-Hao Lin,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor devices including capacitor structures having improved area efficiency

Номер патента: US20190280083A1. Автор: Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory devices including capacitor structures having improved area efficiency

Номер патента: US09722014B2. Автор: Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device having in-situ in-memory stateful vector logic operation

Номер патента: US20190258482A1. Автор: Kaushik Roy,Amogh Agrawal,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-08-22.

Transistor having in-situ doped nanosheets with gradient doped channel regions

Номер патента: US20210336038A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device having in-situ in-memory stateful vector logic operation

Номер патента: US20190258482A1. Автор: Kaushik Roy,Amogh Agrawal,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-08-22.

Transistor having in-situ doped nanosheets with gradient doped channel regions

Номер патента: US20210336038A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Electronic structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4235779A1. Автор: Akihiro Iino,Takahito Suzuki,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Hironori Furuta,Shinya Jumonji,Yuuki SHINOHARA,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Electronic structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230268219A1. Автор: Akihiro Iino,Takahito Suzuki,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Hironori Furuta,Shinya Jumonji,Yuuki SHINOHARA,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

PiN diode structure having surface charge suppression

Номер патента: US10971538B2. Автор: John J. Drab,Christian M. BOEMLER,Justin Gordon Adams Wehner. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-04-06.

Package structure having packaged light detecting components within and package method thereof

Номер патента: US12113081B2. Автор: Shuo-Ting Yan,Chen-Chung Chang,Tsung-Jui Lin. Владелец: Taiwan Redeye Biomedical Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Soi cmos structure having programmable floating backplate

Номер патента: US20110115553A1. Автор: Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238276A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Pixel structure having high aperture ratio and circuit

Номер патента: US09704937B2. Автор: Chihyuan Tseng,Wenhui Li,Changcheng Lo,Yutong HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09704880B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure having a capacitor and metal wiring integrated in a same dielectric layer

Номер патента: US09577030B2. Автор: Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and structure having monolithic heterogeneous integration of compound semiconductors with elemental semiconductor

Номер патента: US8575666B2. Автор: William E. Hoke,Jeffrey R. LaRoche,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-11-05.

Structure having monolithic heterogeneous integration of compound semiconductors with elemental semiconductor

Номер патента: WO2013048693A1. Автор: William E. Hoke,Jeffrey R. LaRoche,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2013-04-04.

Integrated circuit structures having memory access transistor with backside contact

Номер патента: US20240008253A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Package structure having packaged components within and package method thereof

Номер патента: US20230178573A1. Автор: Shuo-Ting Yan,Chen-Chung Chang,Tsung-Jui Lin. Владелец: Taiwan Redeye Biomedical Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Pin diode structure having surface charge suppression

Номер патента: US20150035014A1. Автор: John J. Drab,Christian M. BOEMLER,Justin Gordon Adams Wehner. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-02-05.

PiN DIODE STRUCTURE HAVING SURFACE CHARGE SUPPRESSION

Номер патента: WO2015020805A1. Автор: John J. Drab,Christian M. BOEMLER,Justin Gordon Adams Wehner. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2015-02-12.

PiN DIODE STRUCTURE HAVING SURFACE CHARGE SUPPRESSION

Номер патента: EP3031082A1. Автор: John J. Drab,Christian M. BOEMLER,Justin Gordon Adams Wehner. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-06-15.

Pin diode structure having surface charge suppression

Номер патента: US20160086998A1. Автор: John J. Drab,Christian M. BOEMLER,Justin Gordon Adams Wehner. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-03-24.

Soi cmos structure having programmable floating backplate

Номер патента: US20130015912A1. Автор: Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Jin Cai,Robert H. Dennard,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20240008252A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Image sensing device including grid structures having different heights

Номер патента: US20230170362A1. Автор: Min Su Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Image sensing device including grid structures having different heights

Номер патента: US11557617B2. Автор: Min Su Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Method for manufacturing a semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20240008261A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure having tapered bit line

Номер патента: US20230403845A1. Автор: Chao-Wen Lay,Pei-Rou Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Pixel structure having capacitor compensation

Номер патента: US8242507B2. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Soi cmos structure having programmable floating backplate

Номер патента: WO2011057917A1. Автор: Ali Khakifirooz,Jin Cai,Jeng-Bang Yau,Tak Hung Ning,Robert Heath Dennard. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-05-19.

Conductive container structures having a dielectric cap

Номер патента: US7199415B2. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Alan R. Reinberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-03.

Semiconductor structure having an integrated quadruple-wall capacitor for embedded dynamic random access memory (edram) and method to form the same

Номер патента: WO2012177313A2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Satyarth Suri,Ramanan V. Chebiam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-12-27.

ELECTRONIC STRUCTURE, AND ELECTRONIC STRUCTURE ARRAY

Номер патента: US20180061789A1. Автор: Kung Chen-Yueh,Chang Wen-Yuan,Chen Wei-Cheng. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-03-01.

ELECTRONIC STRUCTURE PROCESS

Номер патента: US20180061790A1. Автор: Kung Chen-Yueh,Chang Wen-Yuan,Chen Wei-Cheng. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-03-01.

Electronic structures with reduced capacitance

Номер патента: US6958526B2. Автор: Alfred Grill,Stephen McConnell Gates. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Quasi-vertical structure having a sidewall implantation for high voltage MOS device and method of forming the same

Номер патента: US09735244B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit structure having tap cell

Номер патента: US20240203976A1. Автор: Bao-Ru Young,Chun-Chia Hsu,Tung-Heng Hsieh,Yung-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Electronic structure having at least one metal growth layer and method for producing an electronic structure

Номер патента: US09786868B2. Автор: Wiebke Sarfert,Guenter Schmid,Erwin Lang,David Hartmann,Sabine Szyszkowski,Florian Eder,Philipp SCHWAMB. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of connecting first electronic structural element with second structural element

Номер патента: RU2567477C2. Автор: Маттхиас КЛЯЙН,Рихард ГРЮНВАЛЬД,Берт ВАЛЛ. Владелец: Вектрон Интернэшнл Гмбх. Дата публикации: 2015-11-10.

Method for fabricating a flexible electronic structure and a flexible electronic structure

Номер патента: US09723711B2. Автор: William J. Arora,Roozbeh Ghaffari,Bassel de Graff,Xiaolong Hu,Brian David Elolampi. Владелец: MC10 Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Electronic structure, a battery structure, and a method for manufacturing an electronic structure

Номер патента: US09847326B2. Автор: Marko Lemke,Stefan Tegen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Electronic package, electronic structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258121A1. Автор: Yi-Ling Chen,Kuan-Wei Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Electronic structure, manufacturing method of electronic structure, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: EP4439643A1. Автор: Takuma Ishikawa,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Hironori Furuta,Yusuke Nakai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Electronic structure, manufacturing method of electronic structure, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240332454A1. Автор: Takuma Ishikawa,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Hironori Furuta,Yusuke Nakai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing an electronic structural element as a stack

Номер патента: US09972765B2. Автор: Claus Zumstrull,Thomas Richter. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2018-05-15.

Electronic structure process

Номер патента: US09905519B1. Автор: Wei-Cheng Chen,Chen-Yueh Kung,Wen-Yuan Chang. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Flexible electronic structure

Номер патента: EP3973572A1. Автор: Richard Price,Brian COBB. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Electronic package, manufacturing method for the same, and electronic structure

Номер патента: US20240379534A1. Автор: Lung-Yuan Wang,Feng Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method to Form a Stacked Electronic Structure

Номер патента: US20190131286A1. Автор: Chi-Feng Huang,Da-Jung Chen,Bau-Ru Lu. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Graphene-based electronic structure

Номер патента: WO2015159080A1. Автор: Joydeep PAL,Max MIGLIORATO,Umberto MONTEVERDE,Mohamed MISSOUS,Ursel BANGERT. Владелец: THE UNIVERSITY OF MANCHESTER. Дата публикации: 2015-10-22.

Composite electronic structure with partially exposed and protruding copper termination posts

Номер патента: US09642261B2. Автор: Dror Hurwitz,Alex Huang. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers and Electronic Substrate Solutions Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Multilayer electronic structures with vias having different dimensions

Номер патента: US20130319747A1. Автор: Dror Hurwitz. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers and Electronic Substrate Solutions Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Flexible electronic structure and method for producing same

Номер патента: US11812559B2. Автор: Xavier Baillin,Jean-Charles Souriau. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-07.

Electronic structure, electronic package structure and method of manufacturing electronic device

Номер патента: US11749593B2. Автор: Shun-Tsat TU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Electronic device, electronic structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240105527A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Electronic device, electronic structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240105526A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Electronic structure, electronic package structure and method of manufacturing electronic device

Номер патента: US20230018762A1. Автор: Shun-Tsat TU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Electronic package and manufacturing method thereof, and electronic structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047420A1. Автор: Yi-Ling Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Electronic package and electronic structure thereof

Номер патента: US20230369268A1. Автор: Po-Kai Huang,Yung-Ta Li. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Electronics Structures Using a Sacrificial Multi-Layer Hardmask Scheme

Номер патента: US20080251284A1. Автор: Sampath Purushothaman,Sujatha Sankaran,Conal E. Murray,Matthew Earl Colburn,Xiao Hu Liu,Ricardo Alves Donaton,Satyanarayana Venkata Nitta,Thedorus Eduardus Fransiscus Maria Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Flexible electronic structure

Номер патента: WO2020234582A1. Автор: Richard Price,Brian COBB. Владелец: Pragmatic Printing Ltd.. Дата публикации: 2020-11-26.

Flexible electronic structure

Номер патента: EP3973569A1. Автор: Richard Price,Brian COBB. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Flexible electronic structure

Номер патента: US20220238472A1. Автор: Richard Price,Brian COBB. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Circuit structure and electronic structure

Номер патента: US11894293B2. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Electromagnetic shielding element, and transmission line assembly and electronic structure package using the same

Номер патента: US20200205321A1. Автор: Chia-Yu Wu,Ming-Goo Chien,Hao-Wei Fong. Владелец: Hotek Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Ceramic three dimensional electronic structures

Номер патента: GB2255451A. Автор: Elizabeth Anne Logan,Kevin Joseph Lodge. Владелец: Marconi Co Ltd. Дата публикации: 1992-11-04.

Methods of forming electronic structures including conductive shunt layers and related structures

Номер патента: US20080026560A1. Автор: Glenn Rinne,Krishna Nair,William Batchelor. Владелец: Unitive International Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for Producing an Electronic Structural Element as a Stack

Номер патента: US20170062695A1. Автор: Claus Zumstrull,Thomas Richter. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2017-03-02.

Electronic package including electronic structure and electronic component

Номер патента: US11973047B2. Автор: Lung-Yuan Wang,Feng Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Electronic package including electronic structure and electronic component

Номер патента: US20240162180A1. Автор: Lung-Yuan Wang,Feng Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Electronic structures including conductive shunt layers

Номер патента: US6960828B2. Автор: Glenn A. Rinne,William E. Batchelor,Krishna K. Nair. Владелец: Unitive International Ltd. Дата публикации: 2005-11-01.

Electronic-structure modulation transistor

Номер патента: US20100214012A1. Автор: Hassan Raza. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-08-26.

Cooling system, in particular for electronic structural units

Номер патента: EP2291859A1. Автор: Axel Krause. Владелец: BRUSA ELEKTRONIK AG. Дата публикации: 2011-03-09.

Electronic package, manufacturing method for the same, and electronic structure

Номер патента: US20240162140A1. Автор: Lung-Yuan Wang,Feng Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Electronic package, manufacturing method for the same, and electronic structure

Номер патента: US11984393B2. Автор: Lung-Yuan Wang,Feng Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Electronic structure and method of manufacturing an electronic structure

Номер патента: WO2023218301A1. Автор: John Cotte,David Abraham. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Stacked Electronic Structure

Номер патента: US20180308829A1. Автор: Chi-Feng Huang,Da-Jung Chen,Bau-Ru Lu. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Method for fabricating electronic structure with conductive elements arranged for heating process

Номер патента: US20210351097A1. Автор: Chih-Hsien Chiu,Chia-Yang Chen,Chih-Chiang He,Yu-Wei Yeh,Chih-Yi Liao,Chang-Chao Su. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Electronic structure and method of manufacturing complex film

Номер патента: EP4184598A1. Автор: Akihiro Iino,Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Shinya Jumonji,Yuuki SHINOHARA,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Electronic structure and method for the production thereof

Номер патента: WO2024042023A1. Автор: Martin Becker,Jacek Rudzki,David Benning,Mohammad GOUSHEGIR. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2024-02-29.

Group iii-nitride structure having successively reduced crystallographic dislocation density regions

Номер патента: WO2018183176A1. Автор: William E. Hoke,Theodore D. Kennedy,Brian D. Schultz,Amanda Kerr. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-10-04.

Group iii-nitride structure having successively reduced crystallographic dislocation density regions

Номер патента: EP3602608A1. Автор: William E. Hoke,Theodore D. Kennedy,Brian D. Schultz,Amanda Kerr. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-02-05.

Method for manufacturing metal structure having different heights

Номер патента: US20050136636A1. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Hoon Song,Chan-bong Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-23.

Methods for preparing AlN based template having Si substrate and GaN based epitaxial structure having Si substrate

Номер патента: US12020925B2. Автор: Hong Zhou,LU Hao,Yue Hao,Zhihong Liu,Junwei Liu,Jincheng Zhang,Weihang Zhang,Yachao Zhang,Kunlu SONG,Shenglei ZHAO. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-06-25.

Nitride structures having low capacitance gate contacts integrated with copper damascene structures

Номер патента: AU2019336103A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-12-17.

Nitride structures having low capacitance gate contacts integrated with copper damascene structures

Номер патента: EP3847684A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-07-14.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Integrated circuit structures having differentiated interconnect lines in a same dielectric layer

Номер патента: US12080643B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Shem O. Ogadhoh,Yih Wang,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for preparing a device structure having a wafer structure deposited on a composite substrate having a matched coefficient of thermal expansion

Номер патента: WO2004095554A2. Автор: Jeffrey M. Peterson. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2004-11-04.

Manufacturing process of a vertical-conduction misfet device with gate dielectric structure having differentiated thickness and vertical-conduction misfet device thus manufacture

Номер патента: US20100167481A1. Автор: Giuseppe Arena,Angelo Magri',Domenico Repici,Orazio Battiato,Fabrizio Marco Di Paola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor structures having nucleation layer to prevent interfacial charge for column iii-v materials on column iv or column iv-iv materials

Номер патента: US20130161699A1. Автор: William E. Hoke. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-06-27.

Chip structure having redistribution layer and fabrication method thereof

Номер патента: US8097491B1. Автор: Hung-Yuan Hsu,Sui-An Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-17.

Mesoporous silica film structure having ultra-large pore and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210300770A1. Автор: Seok Lee,Joon Seok Lee,In Ae Lee,Deok Ha Woo,Hui Jin JUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor structures having a gate field plate and methods for forming such structure

Номер патента: US20160149006A1. Автор: John P. Bettencourt,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor package structure having hollow chamber and bottom substrate and package process thereof

Номер патента: US09508676B1. Автор: Yen-Ting Chen,Cheng-Hung Shih,Yung-Wei Hsieh,Shu-Chen Lin,Fu-Yen Ho. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Substrate structure having electronic components and method of manufacturing substrate structure having electronic components

Номер патента: US09485878B2. Автор: Jae Soo Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Composition for forming conductive pattern, method of forming conductive pattern using the same, and resin structure having conductive pattern

Номер патента: US20170096566A1. Автор: Ha Na Lee,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Eun Kyu Seong,Su Jeong Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Conductive line structure having corrugated surface

Номер патента: US20230197610A1. Автор: Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Ran Xing Ong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: EP4401525A2. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: EP3736851A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US11769836B2. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for manufacturing embedded package structure having air resonant cavity

Номер патента: US20210399400A1. Автор: LEI FENG,Xianming Chen,Benxia Huang,Jindong FENG,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for manufacturing embedded package structure having air resonant cavity

Номер патента: US12040526B2. Автор: LEI FENG,Xianming Chen,Benxia Huang,Jindong FENG,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Solar cell structures having III-V base layers

Номер патента: US9666742B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Packaging substrate having a holder, method of fabricating the packaging substrate, package structure having a holder, and method of fabricating the package structure

Номер патента: US09916990B2. Автор: Wen-Lung Lai,Yuan-Liang Lo. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Solar cell structures having III-V base layers

Номер патента: US09666742B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Package structure having an integrated waveguide configured to communicate between first and second integrated circuit chips

Номер патента: US09537199B2. Автор: Duixian Liu,Bing Dang,Jean-Olivier Plouchart,Alberto Valdes-Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12022648B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Backside emitter solar cell structure having a heterojunction and method and device for producing the same

Номер патента: US11967662B2. Автор: Marcel Koenig,Jun Zhao. Владелец: Meyer Burger Germany GmbH. Дата публикации: 2024-04-23.

Chip package structure having π filter

Номер патента: US6870250B2. Автор: Nai-Shung Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2005-03-22.

Photovoltaic array structure having low line loss

Номер патента: US20230253917A1. Автор: Zhengrong Shi,Chengrong LIAN,Biao CUI,Taotao XIE. Владелец: Sunman Zhenjiang Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Chip package with redistribution structure having multiple chips

Номер патента: US12046548B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Hao Tsai,Feng-Cheng Hsu,Shuo-Mao Chen,Po-Yao Chuang,Techi WONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Metal pattern structure having positioning layer

Номер патента: US20160141239A1. Автор: Babak Radi,Shih-Hong Chen,Tzu-Wen Chuang. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2016-05-19.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US20160099337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Mtj structure having vertical magnetic anisotropy

Номер патента: US20160359102A1. Автор: Jinpyo Hong,Jabin LEE. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-12-08.

Two-phase immersion-cooling heat-dissipation structure having skived fins

Номер патента: US20240280332A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Package structure having substrate thermal vent structures for inductor cooling

Номер патента: US20200006287A1. Автор: Michael J. Hill,Mathew MANUSHAROW,Leigh E. Wojewoda,Siddharth KULASEKARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetoresistive structure having two dielectric layers, and method of manufacturing same

Номер патента: US20190157550A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Magnetoresistive Structure having Two Dielectric Layers, and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20170148980A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Two-phase immersion-cooling heat-dissipation structure having skived fins

Номер патента: US20240268078A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Heat dissipation structure having heat pipe

Номер патента: US20240102741A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Silicon-on-insulator structure having bipolar stress, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190304998A1. Автор: Changfeng Wang,Duanquan LIAO,Yanfei Ma. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Nanowire structures having wrap-around contacts

Номер патента: US11757026B2. Автор: Sadasivan Shankar,Stephen M. Cea,Cory E. Weber,Patrick H. Keys,Seiyon Kim,Michael G. Haverty. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Solar cell in stack structure having no step

Номер патента: US20170271534A1. Автор: Mi Yeon Song,Sang Hak Kim,Moon Jung Eo,Eun Yeong Lee. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-09-21.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for manufacturing structure having air gap

Номер патента: US20150270336A1. Автор: Hsin Tai,Chan-Tsun Wu,Ming-Hsin Yeh. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US12087718B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Photodiode structure having mask to reduce leakage current

Номер патента: US6140670A. Автор: Tsun-Tsai Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Method of manufacturing semiconductor structure having fins

Номер патента: US20240347376A1. Автор: Chen-Tsung LIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339399A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: US20240332166A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339398A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: EP4443483A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Pixel structure having high aperture ratio and circuit

Номер патента: US09947737B2. Автор: Chihyuan Tseng,Wenhui Li,Changcheng Lo,Yutong HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Magnetoresistive structure having two dielectric layers, and method of manufacturing same

Номер патента: US09893275B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Structure having isolated deep substrate vias with decreased pitch and increased aspect ratio and related method

Номер патента: US09887123B2. Автор: Arjun Kar-Roy,David J. Howard. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor structures having T-shaped electrodes

Номер патента: US09887089B2. Автор: Adrian D. Williams,Kiuchul Hwang,Dale M. Shaw. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US09716161B2. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Nanowire structures having non-discrete source and drain regions

Номер патента: US09564522B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Martin D. Giles,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetoresistive structure having two dielectric layers, and method of manufacturing same

Номер патента: US09548442B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Monolithic integrated circuit (MMIC) structure having composite etch stop layer and method for forming such structure

Номер патента: US09478652B1. Автор: Adrian D. Williams. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure having nanocrystalline core and nanocrystalline shell pairing with compositional transition layer

Номер патента: US09428691B2. Автор: Juanita N. Kurtin. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Metal pattern structure having positioning layer

Номер патента: US09385084B2. Автор: Babak Radi,Shih-Hong Chen,Tzu-Wen Chuang. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor interconnect structure having a graphene-based barrier metal layer

Номер патента: US09324635B2. Автор: Junjing Bao,Xuesong Li,Shaoning Yao,Samuel S. S. Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: US20230420531A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: EP4300564A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Yen Ting Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Backside emitter solar cell structure having a heterojunction

Номер патента: US20240128392A1. Автор: Marcel Koenig,Jun Zhao. Владелец: Meyer Burger Germany GmbH. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride structures having low capacitance gate contacts integrated with copper damascene structures

Номер патента: US20200083167A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-03-12.

Group iii - nitride structure having successively reduced crystallographic dislocation density regions

Номер патента: US20180286954A1. Автор: William E. Hoke,Theodore D. Kennedy,Brian D. Schultz,Amanda Kerr. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-10-04.

Projecting electrode structure having a double-layer conductive layer

Номер патента: US5668410A. Автор: Mitsuhiko Yamamoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-16.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US20230352561A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US11742410B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing semiconductor structure having vias with different dimensions

Номер патента: US20230369210A1. Автор: Shing-Yih Shih,Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure having vias with different dimensions and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369264A1. Автор: Shing-Yih Shih,Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structures having nucleation layer to prevent interfacial charge for column iii-v materials on column iv or column iv-iv materials

Номер патента: EP2700087A1. Автор: William E. Hoke. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2014-02-26.

Integrated circuit structures having ultra-high conductivity global routing

Номер патента: US20240006416A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Photodiode structure having an enhanced blue color response

Номер патента: CA1090457A. Автор: Savvas G. Chamberlain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-11-25.

Semiconductor device of heterojunction structure having quantum dot buffer layer

Номер патента: US20010023942A1. Автор: Moon-Deock Kim,Seong-Guk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-27.

Reliable via structures having hydrophobic inner wall surfaces and methods for making the same

Номер патента: EP1064676A1. Автор: Rao V. Annapragada. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-01-03.

Lateral transistor structure having self-aligned base and base contact and method of fabrication

Номер патента: CA1179786A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-12-18.

Multi-chip stack structure having through silicon via and method for fabrication the same

Номер патента: US20090032928A1. Автор: Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Jung-Pin Huang,Chi-Hsin Chiu,Chiang-Cheng Chiang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for fabricating layer structure having target topological profile

Номер патента: US11961741B2. Автор: Akiko Kobayashi,Nobuyoshi Kobayashi,Eiichiro Shiba,Yoshinori Ota,René Henricus Jozef Vervuurt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of manufacturing semiconductor structure having vertical fin with oxidized sidewall

Номер патента: US11588029B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Method of manufacturing semiconductor structure having vertical fin with oxidized sidewall

Номер патента: US20220085178A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Trench structure having a void and inductor including the trench structure

Номер патента: US7326625B2. Автор: Chul-ho Chung,Joo-Hyun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20200105753A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20230116170A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor structure having multiple-porous graphene layers and the fabrication method thereof

Номер патента: US20180097066A1. Автор: Chao-Sung Lai,Cher-Ming TAN,Preetpal Singh. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor structure having a single or multiple layer porous graphene film and the fabrication method thereof

Номер патента: US10396160B2. Автор: Chao-Sung Lai,Cher-Ming TAN,Preetpal Singh. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2019-08-27.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US11862703B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for fabricating layer structure having target topological profile

Номер патента: US20240128090A1. Автор: Akiko Kobayashi,Nobuyoshi Kobayashi,Eiichiro Shiba,Yoshinori Ota,René Henricus Jozef Vervuurt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor devices including a drain captive structure having an air gap and methods of forming the same

Номер патента: US11862693B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Graphene structure having nanobubbles and method of fabricating the same

Номер патента: US20160122189A1. Автор: Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

Integrated circuit interconnect structure having metal oxide adhesive layer

Номер патента: US20190164821A1. Автор: Shruti Rajeev Jaywant. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Cmp polishing pad with protruding structures having engineered open void space

Номер патента: US20230311269A1. Автор: Bryan E. Barton,John R. McCormick. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US20230387324A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Packaging structure having organic interposer layer and method for manufacturing same

Номер патента: US20240063029A1. Автор: Yenheng CHEN,Chengchung LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of forming structure having coating layer and structure having coating layer

Номер патента: US11764057B2. Автор: Chun-Hung Chen,Chuan-Pu Liu,Yin-Wei CHENG,Jun-Han Huang,Shih-An Wang,Bo-Liang Peng,Yi-Chang Li. Владелец: Che Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor structure having copper pillar within solder bump and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006360A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for manufactunring a multilayer circuit structure having embedded trace layers

Номер патента: US20220201853A1. Автор: Chih-Liang Chu,Yu Cheng Yuan,Christian Mathias Schmid. Владелец: Gebrueder Schmid GmbH and Co. Дата публикации: 2022-06-23.

Electronic component packaging structure having two-layer moisture-proof coating and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100002401A1. Автор: Atsushi Yamaguchi,Hidenori Miyakawa,Hideyuki Tsujimura,Koso Matsuno,Hiroe Kowada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor package structure having antenna module

Номер патента: US20190198466A1. Автор: Yenheng CHEN,Chengchung LIN,Chentar WU. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor structure having an electrical contact

Номер патента: US11948991B2. Автор: Cheng-Yan Ji,Chu-Hsiang HSU,Chen-Hao LIEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US20240088253A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US20220359697A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A Si SUBSTRATE HETEROINTEGRATED WITH GaN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200373153A1. Автор: Edward Yi Chang,Chieh-Hsi Chuang,Jessie Lin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-11-26.

Integrated circuit structures having partitioned source or drain contact structures

Номер патента: EP3647263A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha,Stephanie Bojarski,Babita DHAYAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Magneto-electric spin orbit (meso) structures having functional oxide vias

Номер патента: US20190259935A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Robert L. Bristol,Chia-Ching Lin,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: US20240215256A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A Si SUBSTRATE HETEROINTEGRATED WITH GaN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210118670A1. Автор: Edward Yi Chang,Chieh-Hsi Chuang,Jessie Lin. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2021-04-22.

Antenna array feeding structure having circuit boards connected by at least one solderable pin

Номер патента: RU2673059C2. Автор: Чао ВАН,Нань ВАН,Орвилль НИХУС. Владелец: Ханивелл Интернешнл Инк.. Дата публикации: 2018-11-22.

Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips projecting from a support surface, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof

Номер патента: US7368924B2. Автор: Daniel Peter Morris,Brian Samuel Beaman,Keith Edward Fogel,Paul Alfred Lauro,Yun-Hsin Liao,Da-Yuan Shih. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Method for removal of carbonaceous residues from ceramic structures having internal metallurgy

Номер патента: CA1222832A. Автор: Ananda H. Kumar,Robert W. Nufer,Raj N. Master,Lester W. Herron. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-06-09.

Multi-layered glass-ceramic structures having an internal distribution of copper-based conductors

Номер патента: CA1123115A. Автор: Rao R. Tummala,Raj N. Master,Lester W. Herron. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-05-04.

Semiconductor structures having increased channel strain using fin release in gate regions

Номер патента: US10056474B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Semiconductor device of MOS structure having p-type gate electrode

Номер патента: US5189504A. Автор: Satoshi Nakayama,Tetsushi Sakai. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Substrate structure having N-SMD ball pads

Номер патента: US7911056B2. Автор: Pai-Chou Liu,Yu-Hsin Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2011-03-22.

Light-emitting diode structure having progressive work function layer

Номер патента: US9397256B2. Автор: Cheng-Yi Liu,Chih-Yi Hsieh,Yen-Shou Liu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-07-19.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor structure having tapered bit line

Номер патента: US11882690B2. Автор: Chao-Wen Lay,Pei-Rou Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Gate-all-around integrated circuit structures having underlying dopant-diffusion blocking layers

Номер патента: US20220416024A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Patrick Keys,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Dax CRUM,Ted COOK, JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure having vertical fin with oxidized sidewall and method of manufacturing the same

Номер патента: US11417737B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor structure having vertical fin with oxidized sidewall and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220028987A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor structure having tapered damascene aperture and method of the same

Номер патента: US20170243829A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Chen-Hsiang LU,Wei Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Group iii-v semiconductor structures having crystalline regrowth layers and methods for forming such structures

Номер патента: EP4238137A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-09-06.

Group III-V semiconductor structures having crystalline regrowth layers and methods for forming such structures

Номер патента: US11784248B2. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior,Eduardo M. Chumbes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor structure having conductive pad with protrusion and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240063153A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure having common gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20140197480A1. Автор: Qiuhua Han,Xiaoying Meng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Stacking structure having material layer on graphene layer and method of forming material layer on graphene layer

Номер патента: US20150194233A1. Автор: Hyeon-jin SHIN,Seong-Jun Park,Hyoung-Sub Kim,Seong-Jun JEONG,Yea-hyun GU,Jae-Hyun Yang. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2015-07-09.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US20230253355A1. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips projecting from a support surface, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20020089344A1. Автор: Keith Fogel,Daniel Morris,Yun-Hsin Liao,Da-Yuan Shih,Paul Lauro,Brian Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Conductor path structure having a component received in a vibration-damped manner

Номер патента: CA3001497C. Автор: Dietmar Kurzeja,Frédéric Morgenthaler. Владелец: Possehl Electronics Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-12-14.

Package structure having a stacked semiconductor dies with wavy sidewalls and method of forming the same

Номер патента: US20240153821A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chang-Ching Lin,Hsu-Hsien Chen,Chi-Yen Lin,Ting Hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor structure having dummy conductive member and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096828A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor package structure having interconnections between dies and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240021527A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structures having t-shaped electrodes

Номер патента: EP3108498A1. Автор: Adrian D. Williams,Kiuchul Hwang,Dale M. Shaw. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-12-28.

Chip package structure having filter

Номер патента: US20030219925A1. Автор: Nai-Shung Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Substrate structure having N-SMD ball pads

Номер патента: US20080042278A1. Автор: Pai-Chou Liu,Yu-Hsin Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

Manufacturing method of semiconductor package structure having interconnections between dies

Номер патента: US20240021528A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure having elastic member within via

Номер патента: US20230386968A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Light-emitting diode structure having progressive work function layer

Номер патента: US20150243838A1. Автор: Cheng-Yi Liu,Chih-Yi Hsieh,Yen-Shou Liu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2015-08-27.

Inverse t-shaped contact structures having air gap spacers

Номер патента: US20190334011A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Electrodeposition method of forming a probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips projecting from a support surface

Номер патента: US8486250B2. Автор: Daniel Peter Morris,Brian Samuel Beaman,Keith Edward Fogel,Paul Alfred Lauro,Yun-Hsin Liao,Da-Yuan Shih. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-16.

Gate-all-around integrated circuit structures having underlying dopant-diffusion blocking layers

Номер патента: EP3647262A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Patrick Keys,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Dax CRUM,Ted COOK JR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Immersion-type heat dissipation structure having high density heat dissipation fins

Номер патента: US20240085125A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for Fabricating Semiconductor Structure Having Enhanced Hole Linear Rashba Spin-Orbit Coupling Effect

Номер патента: US20230395705A1. Автор: Yang Liu,Shan GUAN,Jiaxin Xiong,Junwei Luo,Shushen Li. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2023-12-07.

Chip package structure having molding layer

Номер патента: US20240006367A1. Автор: Shin-puu Jeng,Feng-Cheng Hsu,Shuo-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Structure and method for manufacturing interconnect structures having self-aligned dielectric caps

Номер патента: EP2567400A2. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-13.

Structure and method for manufacturing interconnect structures having self-aligned dielectric caps

Номер патента: WO2011139417A2. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,David V. Horak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor structure having conductive pad with protrusion and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240063151A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure having epitaxial structure

Номер патента: US11756824B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Organic light-emitting circuit structure having temperature compensation function

Номер патента: US20180006097A1. Автор: Zhiyong XIONG,Duzen PENG,Jianjie ZHU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Photovoltaic Structures Having Multiple Absorber Layers Separated by a Diffusion Barrier

Номер патента: US20180204970A1. Автор: James B. Hannon,Richard A. Haight,Satoshi Oida,Arthur W. Ellis,Priscilla D. Antunez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Backside emitter solar cell structure having a heterojunction and method and device for producing the same

Номер патента: AU2020343894A1. Автор: Jun Zhao,Marcel Konig. Владелец: Meyer Burger Germany GmbH. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor interconnect structure having a graphene-based barrier metal layer

Номер патента: US20150041981A1. Автор: Junjing Bao,Xuesong Li,Shaoning Yao,Samuel S.S. Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20180211922A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor structure having dummy conductive member and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096829A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure having epitaxial structure and method for forming the same

Номер патента: US20200381289A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit structures having backside high

Номер патента: US20240213140A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Ibrahim Ban,Pratik KOIRALA,Thomas Hoff,Samuel James Bader,Nityan NAIR,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit structures having two-transistor gain cell

Номер патента: US20240221821A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures having two-level memory

Номер патента: US20240224488A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Electrochemical cell having 'in situ generated' component

Номер патента: WO2005015676A2. Автор: Alexander Gilmour. Владелец: Lexcel Technology Limited. Дата публикации: 2005-02-17.

Metal-air battery having in-situ generatable electrolyte

Номер патента: US6566000B1. Автор: Alexander M. Iarochenko,Evgeny B. Kulakov. Владелец: Eontech Group Inc. Дата публикации: 2003-05-20.

Electrochemical Cell Having "In Situ Generated" Component

Номер патента: US20080044729A1. Автор: Alexander Gilmour. Владелец: Lexcel Technology Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Electronic structure having a transformer

Номер патента: US12094644B2. Автор: Chi-Feng Huang,Da-Jung Chen. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Electronic structure

Номер патента: US12111525B2. Автор: Yu-Chia Huang,Chu-Hong Lai,Yu-Chih Tseng. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Electronic structure

Номер патента: US20240036370A1. Автор: Yu-Chia Huang,Chu-Hong Lai,Yu-Chih Tseng. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and sleeve for connecting power-electronics structural elements and printed circuit boards

Номер патента: US11081818B2. Автор: Stefan Goetz. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2021-08-03.

Mouse pad structure having wireless charging coil and manufacturing procedure thereof

Номер патента: US20200225774A1. Автор: Hung-Jen Chou. Владелец: Hades Gaming Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Mouse pad structure having wireless charging coil and manufacturing procedure thereof

Номер патента: US11061495B2. Автор: Hung-Jen Chou. Владелец: Hades Gaming Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Antenna using complex structure having periodic, vertical spacing between dielectric and magnetic substances

Номер патента: US20110193760A1. Автор: Byung Hoon Ryou,Won Mo Sung,Jeong Keun Ji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Composition and method for forming conductive pattern, and resin structure having conductive pattern thereon

Номер патента: US09668342B2. Автор: Shin Hee Jun,Jae Hyun Kim,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Sang Yun Jung. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Structure having a characteristic of conducting or absorbing electromagnetic waves

Номер патента: US20080011511A1. Автор: Takuya Niino. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2008-01-17.

Cavity resonator structure having improved cavity arrangement

Номер патента: WO1998042040A1. Автор: Guanghua Huang,Lasse Beli Ravaska,Kimmo Antero Kyllonen,Lenny Russell Hill. Владелец: Adc Solitra, Inc.. Дата публикации: 1998-09-24.

Electricity storing/discharging device with multiple-layer package structure having electrode plate pair with multiple-sided electric conductive terminals converted into single input/output electric conductive interface

Номер патента: US09911963B2. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Multilayer structure having at least one metal layer and at least one polyamide layer

Номер патента: US09950499B2. Автор: Georg Stoppelmann,Gabriel Garcia. Владелец: EMS PATENT AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Composition for forming conductive pattern, method for forming conductive pattern using same, and resin structure having conductive pattern

Номер патента: US09872386B2. Автор: Shin Hee Jun,Jae Hyun Kim,Ha Na Lee,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Eun Kyu Seong,Su Jeong Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Structure having nanoantenna and method for manufacturing same

Номер патента: US09801998B2. Автор: Young Keun Kim,Jung Rae Park,Sung Hoi Choi. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-31.

Composition for forming conductive pattern and resin structure having conductive pattern thereon

Номер патента: US09756725B2. Автор: Shin Hee Jun,Jae Hyun Kim,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Switch structure having display and playback device

Номер патента: US20100163387A1. Автор: Gear Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Composition and method for forming conductive pattern, and resin structure having conductive pattern thereon

Номер патента: US09967974B2. Автор: Shin Hee Jun,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Composition and method for forming conductive pattern, and resin structure having conductive pattern thereon

Номер патента: US09659682B2. Автор: Shin Hee Jun,Jae Hyun Kim,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Jae Jin Kim,Han Nah Jeong,Eun Kyu Seong,Su Jeong Lee,Sang Yun Jung. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Film and hidden switch structure having the same

Номер патента: US20200130330A1. Автор: Ki Ho Kim. Владелец: Seoyon America Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Tubular structure having transverse magnetic field with gradient

Номер патента: US5347254A. Автор: Herbert A. Leupold. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1994-09-13.

Porous fuel cell electrode structures having conformal electrically conductive layers thereon

Номер патента: CA2472232A1. Автор: Chung M. Chan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Structure having symbols printed thereon and method for implementing the same

Номер патента: US20100012474A1. Автор: Ching Cheng Tsai. Владелец: Chicony Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Bipolar plate structure having optimized gas flow channels

Номер патента: US20180151892A1. Автор: Sung-En Wang,Jenn-Jiang Hwang,Wei-Hong Weng,Chih-Hong Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Cavity resonator structure having improved cavity arrangement

Номер патента: EP1010208A1. Автор: Guanghua Huang,Lasse Beli Ravaska,Kimmo Antero Kyllonen,Lenny Russell Hill. Владелец: ADC Solitra Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Structure having photonic crystal and surface-emitting laser

Номер патента: EP2023454B1. Автор: Takeshi Uchida,Yasuhiro Nagatomo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-12-15.

Electrically insulative structure having holes for feedthroughs

Номер патента: US8672667B2. Автор: Steven Kennedy,Desmond A. Mccusker,Mark Spalding,Steven J. Berry,Nicholas C. K. Pawsey. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Electrical feedthrough assemblies for containment structures having specially controlled environments

Номер патента: US3803531A. Автор: D Sorensen. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1974-04-09.

Fuel cell plate structure having baffles in wet seal area

Номер патента: US20070231659A1. Автор: Dana Kelley,Mohammad Farooque,Chao-Yi Yuh,Zhiwen Ma,William Beesley. Владелец: Fuelcell Energy Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Fuel cell plate structure having baffles in wet seal area

Номер патента: EP2002500A2. Автор: Mohammad Farooque,Chao-Yi Yuh,Zhiwen Ma,William Beesley,Dana A. Kelley. Владелец: Fuelcell Energy Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Fuel cell plate structure having baffles in wet seal area

Номер патента: WO2007117739A2. Автор: Mohammad Farooque,Chao-Yi Yuh,Zhiwen Ma,William Beesley,Dana A. Kelley. Владелец: FuelCell Energy, Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Switch structure having forcedly opening-and-locking mechanism equipped therewith for emergency use

Номер патента: US6100483A. Автор: Hiroyuki Hirose,Yoshiyuki Horie. Владелец: Satori Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-08.

Vertical cavity surface-emitting laser epitaxial structure having a current spreading layer

Номер патента: US20230307889A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai,Jhao-Hang He. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Inductor structure having vertical coil with symmetrical pins

Номер патента: US20220310306A1. Автор: Martin Kuo,Nanhai Zhu. Владелец: Itg Electronics Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for predicting c-axis length of lithium compound crystal structure, method for building learning model, and system for predicting crystal structure having maximum c-axis length

Номер патента: US20230012643A1. Автор: Yuji Iwaki,Kunihiko Suzuki,Kenta Nakanishi,Kazuki HIGASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Shelf holding structure having attachable and detachable power supply

Номер патента: US11986093B2. Автор: Yunsun YANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-21.

Secondary battery structure having windable flexible polymer matrix solid electrolyte and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200328472A1. Автор: Jung-Chi Tai,Fei-Yi Hung. Владелец: Kang Na Hsiung Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Secondary battery structure having windable flexible polymer matrix solid electrolyte and manufacturing method thereof

Номер патента: US11876175B2. Автор: Jung-Chi Tai,Fei-Yi Hung. Владелец: Kang Na Hsiung Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Secondary battery structure having windable flexible polymer matrix solid electrolyte and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3723168A1. Автор: Jung-Chi Tai,Fei-Yi Hung. Владелец: Kang Na Hsiung Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-14.

Tube structure having metal on inner surface thereof

Номер патента: US20190173095A1. Автор: JungHun Choi,Byoungkuk SON,Minchul Jang,Eunkyung Park,Jang Wook Choi,Byung Gon Kim,Donghyeon KANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-06-06.

Tunable antenna structure having a variable capacitor

Номер патента: US20120038528A1. Автор: Chi-Ming Chiang. Владелец: Auden Techno Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Forming electronic structures having dual dielectric thicknesses and the structure so formed

Номер патента: KR100441700B1. Автор: 만델만잭에이,휴루이스엘,라덴스칼제이,스트럽리차드에이,톤티윌리엄알. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2004-07-27.

Use the advanced electronics structure of semiconductor structure and superlattices

Номер патента: CN106537617B. Автор: P.阿塔纳科维奇,M.戈弗雷. Владелец: Uv Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor substrate for photonic and electronic structures and method of manufacture

Номер патента: US20150243546A1. Автор: Gurtej Sandhu,Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor substrate for photonic and electronic structures and method of manufacture

Номер патента: US20140175596A1. Автор: Gurtej Sandhu,Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor substrate for photonic and electronic structures and method of manufacture

Номер патента: EP2939266A1. Автор: Gurtej Sandhu,Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-04.

ELECTRONIC STRUCTURE COMPRISING HIGH AND LOW VOLTAGE TRANSISTORS AND CORRESPONDING METHOD OF MANUFACTURING

Номер патента: FR2773266B1. Автор: Olivier Pizzuto,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2001-11-09.

Micro-electronic structure

Номер патента: TW490843B. Автор: Zvonimir Gabric,Oswald Dr Spindler,Gerhard Dr Beitel,Nicolas Dr Nagel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-11.

Stacked Electronic Structure

Номер патента: US20200286980A1. Автор: LU BAU-RU,ZENG Jianhong,LU CHUN HSIEN. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Multilayer Electronic Structures with Embedded Filters

Номер патента: US20180367114A1. Автор: HURWITZ DROR,Huang Alex. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substra te Solutions Technologies Co. Ltd.. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12148791B2. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Integrated electronic structure and data communication between components of the structure

Номер патента: US20240105676A1. Автор: Erez Halahmi. Владелец: Zero Ec Sa. Дата публикации: 2024-03-28.

Electronic device, and electronic structure provided with electronic device

Номер патента: US09980407B2. Автор: Takashi YOSHIMIZU,Yuuki Sanada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

ELECTRONIC STRUCTURE HAVING AT LEAST ONE METAL GROWTH LAYER AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC STRUCTURE

Номер патента: US20150311471A1. Автор: Schmid Guenter,Sarfert Wiebke,Lang Erwin,Hartmann David,Szyszkowski Sabine,SCHWAMB Philipp,Eder Florian. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-10-29.

Nanowire sized opto-electronic structure and method for modifying selected portions of same

Номер патента: US09799796B2. Автор: Scott Brad Herner,Daniel Bryce THOMPSON,Cynthia LEMAY. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatus and method for control of tunneling in a small-scale electronic structure

Номер патента: WO2006077585A3. Автор: Shye Shapira. Владелец: Shye Shapira. Дата публикации: 2009-02-05.

Nanowire sized opto-electronic structure and method for modifying selected portions of same

Номер патента: US09722135B2. Автор: Nathan Gardner,Carl Patrik Theodor Svensson. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-08-01.

Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09419183B2. Автор: Ghulam Hasnain,Truls Lowgren. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-08-16.

Graphene enhanced and engineered materials for membrane touch switch and other flexible electronic structures

Номер патента: EP4335557A3. Автор: Bawa Singh,Keith Paul Parsons,Rahul RAUT,Siuli Sarkar,Nirmalya Kumar Chaki,Anna Jane Harris,Chetan Pravinchandra SHAH,Barun DAS,Supriya Devarajan,Anubhav RUSTOGI,Jeffrey William BRAHAM. Владелец: MacDermid Autotype Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated electronic structure and data communication between components of the structure

Номер патента: IL291536A. Автор: . Владелец: Zero Ec Sa. Дата публикации: 2022-05-01.

Nanopyramid sized opto-electronic structure and method for manufacturing of same

Номер патента: US09444007B2. Автор: Olga Kryliouk,Nathan Gardner,Giuliano Portilho Vescovi. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-09-13.

Forming electronic structures having dual dielectric thicknesses and the structure so formed

Номер патента: US20030207533A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Jack Mandelman,Richard Strub,William Tonti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Systems and Methods for Providing Approximate Electronic-Structure Models from Calculated Band Structure Data

Номер патента: US20180129765A1. Автор: Kurt Stokbro,Mattias Palsgaard. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Electronic structure, a battery structure, and a method for manufacturing an electronic structure

Номер патента: US20150084157A1. Автор: Marko Lemke,Stefan Tegen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-26.

METHOD FOR FABRICATING A LAYER OF MATERIAL IN AN ORGANIC ELECTRONIC STRUCTURE, AN ORGANIC ELECTRONIC STRUCTURE AND A PEROVSKITE PRECURSOR INK FOR USE IN FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190189363A1. Автор: Tsang Sai Wing,Cheng Yuanhang,Xu Xiuwen,Xie Yuemin. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Method and corresponding electronic structure including the manufacture electronic structure by planarization reduction welded gasket topological variation

Номер патента: CN105308732B. Автор: J.雷,S.阿克拉姆,S.希亚菲诺,A.H.尼克尔,M.G.吴. Владелец: Lumileds Holding BV. Дата публикации: 2018-11-27.

Process of electronic structure and electronic structure

Номер патента: TW201238422A. Автор: Chung W Ho. Владелец: Subtron Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-16.

An electronic structure and method for electrically coupling a semiconductor device to a substrate or chip carriers

Номер патента: TWI227941B. Автор: Krishna Darbha,Charles G Woychik,Sanjeev B Sathe,Miguel A Jimarez,Matthew M Reiss. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-02-11.

Graphene enhanced and engineered materials for membrane touch switch and other flexible electronic structures

Номер патента: EP4383960A3. Автор: Bawa Singh,Keith Paul Parsons,Rahul RAUT,Siuli Sarkar,Nirmalya Kumar Chaki,Anna Jane Harris,Chetan Pravinchandra SHAH,Barun DAS,Supriya Devarajan,Anubhav RUSTOGI,Jeffrey William BRAHAM. Владелец: MacDermid Autotype Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Graphene-based electronic structure

Номер патента: GB201406788D0. Автор: . Владелец: University of Manchester. Дата публикации: 2014-05-28.

ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC STRUCTURE PROVIDED WITH ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20170290187A1. Автор: YOSHIMIZU Takashi,SANADA Yuuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

FLEXIBLE ELECTRONIC STRUCTURE AND ITS DEVELOPMENT PROCESS.

Номер патента: FR3084556B1. Автор: Xavier Baillin,Jean-Charles Souriau. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-11-06.

Stretchable electronic structures and techniques for the formation thereof

Номер патента: US20200343340A1. Автор: Hui Fang,Kyung Jin Seo,Xun HAN. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of fabricating a three dimensional electronic structure

Номер патента: US20180358300A1. Автор: Matthias Koch,Michelle Yvonne Simmons,Joris Gerhard KEIZER. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2018-12-13.

Nanowire sized opto-electronic structure and method for modifying selected portions of same

Номер патента: EP2912699A1. Автор: Nathan Gardner,Carl Patrik Theodor Svensson. Владелец: Svensson Carl Patrik Theodor. Дата публикации: 2015-09-02.

ELECTRONIC PACKAGE, MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME, AND ELECTRONIC STRUCTURE

Номер патента: US20220068801A1. Автор: Wang Lung-Yuan,Kao Feng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-03.

Systems and Methods for Providing Approximate Electronic-Structure Models from Calculated Band Structure Data

Номер патента: US20180129765A1. Автор: Kurt Stokbro,Mattias Palsgaard. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Electronic structure and electronic package component for increasing the bonding strength between inside and outside electrodes

Номер патента: US20140247575A1. Автор: Yu-Chia Chang,Chun-Pin Huang,Ming-Fung Hsieh,Yung-Chang Peng. Владелец: Inpaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

METHOD OF FORMING AN ELECTRONIC STRUCTURE USING REFORMING GAS, SYSTEM FOR PERFORMING THE METHOD, AND STRUCTURE FORMED USING THE METHOD

Номер патента: US20200395209A1. Автор: Yoshikawa Jun,NOZAWA Toshihisa,Yoshimoto Shinya. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method

Номер патента: US11476109B2. Автор: Toshihisa Nozawa,Jun Yoshikawa,Shinya Yoshimoto. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-10-18.

Method, system and formed structure for forming electronic structures using reformed gases

Номер патента: CN112071754A. Автор: 野泽俊久,S.吉本,J.吉川. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-12-11.

Methods of forming electronic structures including conductive shunt layers and related structures

Номер патента: US7879715B2. Автор: Glenn A. Rinne,William E. Batchelor,Krishna K. Nair. Владелец: Unitive International Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Methods of forming electronic structures including conductive shunt layers and related structures

Номер патента: AU2003256360A1. Автор: Glenn A. Rinne,William E. Batchelor,Krishna K. Nair. Владелец: Unitive International Ltd. Дата публикации: 2004-01-06.

Electronic structure and electronic package component for increasing the bonding strength between inside and outside electrodes

Номер патента: US8933343B2. Автор: Yu-Chia Chang,Chun-Pin Huang,Ming-Fung Hsieh,Yung-Chang Peng. Владелец: Inpaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-13.

Methods of forming electronic structures including conductive shunt layers and related structures

Номер патента: WO2004001837A3. Автор: Glenn A Rinne,Krishna K Nair,William E Batchelor. Владелец: Unitive Int Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Integrated electronic structure and data communication between components of the structure

Номер патента: WO2021074916A1. Автор: Erez Halahmi. Владелец: Oec Sa. Дата публикации: 2021-04-22.

Graphene enhanced and engineered materials for membrane touch switch and other flexible electronic structures

Номер патента: EP4335557A2. Автор: Bawa Singh,Keith Paul Parsons,Rahul RAUT,Siuli Sarkar,Nirmalya Kumar Chaki,Anna Jane Harris,Chetan Pravinchandra SHAH,Barun DAS,Supriya Devarajan,Anubhav RUSTOGI,Jeffrey William BRAHAM. Владелец: MacDermid Autotype Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method

Номер патента: US11908684B2. Автор: Toshihisa Nozawa,Jun Yoshikawa,Shinya Yoshimoto. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-20.

Lead-free solder joining of electronic structures

Номер патента: US20190006312A1. Автор: Thomas Weiss,Charles L. Arvin,Christopher D. Muzzy,Thomas A. Wassick,Clement Fortin,Brian W. Quinlan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method

Номер патента: US20240162037A1. Автор: Toshihisa Nozawa,Jun Yoshikawa,Shinya Yoshimoto. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Lead-free solder joining of electronic structures

Номер патента: US20200161272A1. Автор: Thomas Weiss,Charles L. Arvin,Christopher D. Muzzy,Thomas A. Wassick,Clement J. Fortin,Brian W. Quinlan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

NANOWIRE SIZED OPTO-ELECTRONIC STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130092900A1. Автор: HASNAIN Ghulam,Lowgren Truls. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2013-04-18.

Nanopyramid Sized Opto-Electronic Structure and Method for Manufacturing of Same

Номер патента: US20140077220A1. Автор: KRYLIOUK OLGA,Gardner Nathan,Vescovi Giuliano Portilho. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2014-03-20.

ELECTRONIC STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210005524A1. Автор: Chiu Chih-Hsien,Chen Chia-Yang,He Chih-Chiang,Yeh Yu-Wei,Liao Chih-Yi,Su Chang-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

LEAD-FREE SOLDER JOINING OF ELECTRONIC STRUCTURES

Номер патента: US20190006312A1. Автор: Arvin Charles L.,Muzzy Christopher D.,Weiss Thomas,Fortin Clement,Quinlan Brian W.,Wassick Thomas A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Nanowire Sized Opto-Electronic Structure and Method for Modifying Selected Portions of Same

Номер патента: US20140117307A1. Автор: HERNER Scott Brad,THOMPSON Daniel Bryce,Lemay Cynthia. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2014-05-01.

ELECTRONIC STRUCTURES AND THEIR METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20200035720A1. Автор: Price Richard,Ramsdale Catherine,COBB Brian Hardy,ALKHALIL Feras. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

PRINTABLE 3D ELECTRONIC STRUCTURE

Номер патента: US20180042110A1. Автор: Cok Ronald S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Nanowire Sized Opto-Electronic Structure and Method for Modifying Selected Portions of Same

Номер патента: US20140138620A1. Автор: Gardner Nathan,Svensson Carl Patrik Theodor. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for Producing an Electronic Structural Element as a Stack

Номер патента: US20170062695A1. Автор: Richter Thomas,Zumstrull Claus. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2017-03-02.

ELECTRONIC STRUCTURES STRENGTHENED BY POROUS AND NON-POROUS LAYERS, AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20160079138A1. Автор: Uzoh Cyprian,Katkar Rajesh. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Multilayer electronic structure with integral faraday shielding

Номер патента: US20160081201A1. Автор: Dror Hurwitz. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers and Electronic Substrate Solutions Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR PHOTONIC AND ELECTRONIC STRUCTURES AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20140175596A1. Автор: Sandhu Gurtej,Meade Roy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

Nanowire Sized Opto-Electronic Structure and Method for Modifying Selected Portions of Same

Номер патента: US20160099379A1. Автор: Nathan Gardner,Carl Patrik Theodor Svensson. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-04-07.

ELECTRONIC STRUCTURE

Номер патента: US20180116053A1. Автор: LIN Po-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Method to Form a Stacked Electronic Structure

Номер патента: US20190131286A1. Автор: LU BAU-RU,Chen Da-Jung,Huang Chi-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Nanowire Sized Opto-Electronic Structure and Method for Modifying Selected Portions of Same

Номер патента: US20160141450A1. Автор: HERNER Scott Brad,THOMPSON Daniel Bryce,Lemay Cynthia. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

LEAD-FREE SOLDER JOINING OF ELECTRONIC STRUCTURES

Номер патента: US20200161272A1. Автор: Arvin Charles L.,Muzzy Christopher D.,Weiss Thomas,Quinlan Brian W.,Wassick Thomas A.,FORTIN CLEMENT J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Nanopyramid Sized Opto-Electronic Structure and Method for Manufacturing of Same

Номер патента: US20150207033A1. Автор: KRYLIOUK OLGA,Gardner Nathan,Vescovi Giuliano Portilho. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

NANOWIRE SIZED OPTO-ELECTRONIC STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150207037A1. Автор: HASNAIN Ghulam,Lowgren Truls. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

ELECTROMAGNETIC SHIELDING ELEMENT, AND TRANSMISSION LINE ASSEMBLY AND ELECTRONIC STRUCTURE PACKAGE USING THE SAME

Номер патента: US20200205321A1. Автор: WU Chia-Yu,CHIEN MING-GOO,FONG HAO-WEI. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Method for Producing an Electronic Structural Element as a Stack

Номер патента: US20150228884A1. Автор: Richter Thomas,Zumstrull Claus. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2015-08-13.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR PHOTONIC AND ELECTRONIC STRUCTURES AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150243546A1. Автор: Sandhu Gurtej,Meade Roy. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHODS OF MANUFACTURE ELECTRONIC STRUCTURES

Номер патента: US20210265395A1. Автор: Price Richard,Ramsdale Catherine,COBB Brian Hardy,ALKHALIL Feras. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

ELECTRONIC STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200251395A1. Автор: Chiu Chih-Hsien,Chen Chia-Yang,He Chih-Chiang,Yeh Yu-Wei,Liao Chih-Yi,Su Chang-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

NANOWIRE SIZED OPTO-ELECTRONIC STRUCTURE AND METHOD FOR MODIFYING SELECTED PORTIONS OF SAME

Номер патента: US20170301823A1. Автор: Gardner Nathan,Svensson Carl Patrik Theodor. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Stacked Electronic Structure

Номер патента: US20180308829A1. Автор: LU BAU-RU,Chen Da-Jung,Huang Chi-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

MAGNETIC DEVICE and STACKED ELECTRONIC STRUCTURE

Номер патента: US20200303112A1. Автор: LIN WENYU,Lu TsungHao,Chang Hao Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Stretchable electronic structures and techniques for the formation thereof

Номер патента: US20200343340A1. Автор: Hui Fang,Kyung Jin Seo,Xun HAN. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2020-10-29.

METHOD OF FABRICATING A THREE DIMENSIONAL ELECTRONIC STRUCTURE

Номер патента: US20180358300A1. Автор: KOCH Matthias,Simmons Michelle Yvonne,KEIZER Joris Gerhard. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Multilayer electronic structure and its preparation

Номер патента: US5849396A. Автор: Mir Akbar Ali,Carl W. Peterson,Harry C. Jones. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-15.

Electronic structure

Номер патента: KR100530306B1. Автор: 아담스차롯테,스탬퍼앤쏘니. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2005-11-22.

Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8350251B1. Автор: Ghulam Hasnain,Truls Lowgren. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2013-01-08.

Multi-feature-size electronic structures

Номер патента: US6606247B2. Автор: Roger Green Stewart,Thomas Lloyd Credelle,Glenn Gengel,William Hill Joseph. Владелец: Alien Technology LLC. Дата публикации: 2003-08-12.

Multilayer electronic structures with integral vias extending in in-plane direction

Номер патента: US9440135B2. Автор: Dror Hurwitz. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers and Electronic Substrate Solutions Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Electronic structure, especially an IC chip, has an insulating support formed by particle irradiation of a semiconductor wafer

Номер патента: FR2784794A1. Автор: Michel Bruel,Claude Jaussaud,Jean Pierre Joly. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2000-04-21.

ELECTRONIC STRUCTURE ON CERAMIC SUPPORT

Номер патента: FR3037719B1. Автор: Alain Straboni,Alioune Sow,GuoCai SUN,Jean-Baptiste Brette. Владелец: STILE. Дата публикации: 2018-07-27.

METHOD FOR PREPARING A SAMPLE SAMPLE FOR TOMOGRAPHIC PROBE ANALYSIS OF ELECTRONIC STRUCTURES

Номер патента: FR2998091B1. Автор: Sebastien Duguay,Jean-Paul Barnes,Adeline Grenier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-02-19.

ELECTRONIC STRUCTURE ON CERAMIC SUPPORT

Номер патента: FR3037719A1. Автор: Alain Straboni,Alioune Sow,GuoCai SUN,Jean-Baptiste Brette. Владелец: S Tile. Дата публикации: 2016-12-23.

Electronic structure with components connected via solderable connecting elements and method for its production

Номер патента: DE102005055487B3. Автор: Markus Brunnbauer,Jens Pohl,Michael Bauer,Irmgard Escher-Poeppel,Christian Stuempfl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-16.

Multilayer electronic structure with stepped holes

Номер патента: US9161461B2. Автор: Dror Hurwitz,Simon Chan,Alex Huang. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers and Electronic Substrate Solutions Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-13.

Stacked electronic structure

Номер патента: TW201728240A. Автор: 黃啟峰,呂保儒,陳大容. Владелец: 乾坤科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-08-01.

Storehouse electronic structure

Номер патента: CN107026575A. Автор: 黄启峰,陈大容,吕保儒. Владелец: Qiankun Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Electronic structure manufacturing process

Номер патента: CN107403734B. Автор: 宫振越,张文远,陈伟政. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

Flexible electronic structure and method for producing same

Номер патента: WO2020025889A1. Автор: Xavier Baillin,Jean-Charles Souriau. Владелец: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming a copper conductor in an electronic structure

Номер патента: JP4151590B2. Автор: ケネス・パーカー・ロツドベル,パナイオティス・コンスタンチノ・アンドリカコス,シリル・カブラル、ジュニア,クリストファ・カール・パークス,ロジャー・エン−ルエン・ツァイ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-17.

Electronic structure

Номер патента: GB2391388A. Автор: Anthony Stamper,Charlotte Adams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-02-04.

Method for the production of a lead-free tin, silver, copper alloy solder composition and an electronic structure

Номер патента: EP1483419B1. Автор: Sung K. Kang,Donald W. Henderson,Da-Yuan Shih,Won K. Choi,Charles C. Goldsmith,Timothy A. Gosselin,Karl J. Puttlitz, Sr.. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2013-08-28.

Method for preparing a point sample for analysis of electronic structures in a tomographic probe

Номер патента: EP2733730A2. Автор: Sebastien Duguay,Jean-Paul Barnes,Adeline Grenier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-05-21.

Nanowire sized opto-electronic structure and method for modifying selected portions of same

Номер патента: EP2912698B1. Автор: Scott Brad Herner,Daniel Bryce THOMPSON,Cynthia LEMAY. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2018-04-04.

Electronic Structure Component for Logically Connecting Qubits

Номер патента: US20220335322A1. Автор: Matthias Künne,Hendrik Bluhm,Lars Schreiber. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2022-10-20.

Micro-electronic structure manufacturing method, involves preparing donor substrate with semiconductor material surface, forming coating layer on surface, and mounting molecule of free surface of layer on face of receptor substrate

Номер патента: FR2922359A1. Автор: Marc Rabarot,Aurelie Tauzin,Jean Sebastien Moulet,Christophe Dubarry. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-04-17.

Electronic structures including barrier layers and/or oxidation barriers defining lips and related methods

Номер патента: US8487432B2. Автор: Glenn A. Rinne,J. Daniel Mis. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-16.

ELECTRONIC STRUCTURE INCLUDING INTERCONNECTION FILM

Номер патента: FR3126259A1. Автор: Adeline Fournier,Jean-Charles Souriau,Julia De Girolamo. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-02-24.

Graphene enhanced and engineered materials for membrane touch switch and other flexible electronic structures

Номер патента: EP3630376A4. Автор: Bawa Singh,Keith Paul Parsons,Rahul RAUT,Siuli Sarkar,Nirmalya Kumar Chaki,Anna Jane Harris,Chetan Pravinchandra SHAH,Barun DAS,Supriya Devarajan,Anubhav RUSTOGI,Jeffrey William BRAHAM. Владелец: MacDermid Autotype Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Electronic structures strengthened by porous and non-porous layers, and methods of fabrication

Номер патента: WO2016044179A3. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2016-05-12.

Electronic structure processing procedure

Номер патента: CN107403734A. Автор: 宫振越,张文远,陈伟政. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Stacked electronic structure

Номер патента: US11024702B2. Автор: Jianhong Zeng,Bau-Ru Lu,Chun Hsien Lu. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Electronic structure including an epitaxial layer on sintered silicon

Номер патента: WO2010112782A2. Автор: Alain Straboni. Владелец: S'tile. Дата публикации: 2010-10-07.

Electronic structure

Номер патента: GB2391388B. Автор: Anthony Stamper,Charlotte Adams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-10-26.

ELECTRONIC STRUCTURE WITH EPITAXED LAYER ON SILICON FRITTE

Номер патента: FR2944142A1. Автор: Alain Straboni. Владелец: S Tile. Дата публикации: 2010-10-08.

Integrated through hole multilayer electronic structure extending in a direction in plane

Номер патента: CN103337493A. Автор: 卓尔·赫尔维茨. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers and Electronic Substrate Solutions Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-02.

METHOD FOR PREPARING A SAMPLE SAMPLE FOR TOMOGRAPHIC PROBE ANALYSIS OF ELECTRONIC STRUCTURES

Номер патента: FR2998091A1. Автор: Sebastien Duguay,Jean-Paul Barnes,Adeline Grenier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-05-16.

Method for forming a copper conductor in an electronic structure

Номер патента: JP3565491B2. Автор: ケネス・パーカー・ロツドベル,パナイオティス・コンスタンチノ・アンドリカコス,シリル・カブラル、ジュニア,クリストファ・カール・パークス,ロジャー・エン−ルエン・ツァイ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-15.

Manufacturing method for electronic structure using 3d photolithography

Номер патента: KR100784753B1. Автор: 김용환. Владелец: (주)넴스프로브. Дата публикации: 2007-12-13.

Nanowire sized opto-electronic structure and method for modifying selected portions of same

Номер патента: US9178106B2. Автор: Scott Brad Herner,Daniel Bryce THOMPSON,Cynthia LEMAY. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2015-11-03.

Graphene enhanced and engineered materials for membrane touch switch and other flexible electronic structures

Номер патента: EP3630376B1. Автор: Bawa Singh,Keith Paul Parsons,Rahul RAUT,Siuli Sarkar,Nirmalya Kumar Chaki,Anna Jane Harris,Chetan Pravinchandra SHAH,Barun DAS,Supriya Devarajan,Anubhav RUSTOGI,Jeffrey William BRAHAM. Владелец: MacDermid Autotype Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Flexible electronic structure

Номер патента: GB2584106B. Автор: Price Richard,hardy cobb Brian. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Graphene enhanced and engineered materials for membrane touch switch and other flexible electronic structures

Номер патента: US20230287232A1. Автор: Bawa Singh,Keith Paul Parsons,Rahul RAUT,Siuli Sarkar,Nirmalya Kumar Chaki,Anna Jane Harris,Chetan Pravinchandra SHAH,Barun DAS,Supriya Devarajan,Anubhav RUSTOGI,Jeffrey William BRAHAM. Владелец: MacDermid Autotype Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Graphene enhanced and engineered materials for membrane touch switch and other flexible electronic structures

Номер патента: EP4383960A2. Автор: Bawa Singh,Keith Paul Parsons,Rahul RAUT,Siuli Sarkar,Nirmalya Kumar Chaki,Anna Jane Harris,Chetan Pravinchandra SHAH,Barun DAS,Supriya Devarajan,Anubhav RUSTOGI,Jeffrey William BRAHAM. Владелец: MacDermid Autotype Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Cooling chip structures having a jet impingement system and assembly having the same

Номер патента: US20200161217A1. Автор: Shailesh N. Joshi,Naoya TAKE. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Nitride Structures Having Low Capacitance Gate Contacts Integrated with Copper Damascene Structures

Номер патента: MY195186A. Автор: Jeffrey R Laroche,Thomas E Kazior,Eduardo M Chumbes,Kelly P Ip. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-01-11.

LED packaging structure having stacked arrangement of protection element and LED chip

Номер патента: US09646957B2. Автор: Tsung-Lin Lu,Chih-Min Lin,I-Chun Hung,Jen-Hsiung Lai,Yu-Ching Fang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods and apparatus for defining power grid structures having diagonal stripes

Номер патента: WO2004109753A3. Автор: Akira Fujimura,Steven Teig,Hengfu Hsu. Владелец: Cadence Desing Systems Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Flash memory cell structure having separate program and erase electron paths

Номер патента: US20230253507A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,James McClay,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Bipolar transistor structure having split collector region and method of making the same

Номер патента: US09647065B2. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Power overlay structure having wirebonds and method of manufacturing same

Номер патента: US09613843B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-04-04.

Directly bonded metal structures having aluminum features and methods of preparing same

Номер патента: US20240222315A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Directly bonded metal structures having aluminum features and methods of preparing same

Номер патента: WO2024145034A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Engineering change order cell structure having always-on transistor

Номер патента: US20200074041A1. Автор: Wei-Ling Chang,Li-Chun Tien,Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor structure having self-aligned insulating feature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240234545A1. Автор: Yi-Hsien Chen,Yi-Ren CHEN,Chun-Ting Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Interconnect structures having varied materials

Номер патента: US20220375791A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Guanyu Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Modular electronic structures

Номер патента: GB2545906A. Автор: Redman Thomas,WILCOCK REUBEN. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2017-07-05.

Via-less electronic structures and methods

Номер патента: TW200426861A. Автор: Yutaka Doi,Bruce W Lee. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2004-12-01.

Via-less electronic structures and methods

Номер патента: WO2004034410A9. Автор: Bruce Lee,Yutaka Doi. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2004-06-10.

Via-less electronic structures and methods

Номер патента: AU2003282583A1. Автор: Bruce Lee,Yutaka Doi. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-05-04.

Via-less electronic structures and methods

Номер патента: WO2004034410A3. Автор: Bruce Lee,Yutaka Doi. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

System and method for making electronic structures and antenna coupled terahertz films with nanoimprint or roll-to-roll

Номер патента: WO2020172476A1. Автор: Patrick K. Brady,Craig Perlov,Bradley PELZ,Zachary THACKER. Владелец: Redwave Energy, Inc.. Дата публикации: 2020-08-27.

GRAPHENE ENHANCED AND ENGINEERED MATERIALS FOR MEMBRANE TOUCH SWITCH AND OTHER FLEXIBLE ELECTRONIC STRUCTURES

Номер патента: US20200087528A1. Автор: Sarkar Siuli,Raut Rahul,Singh Bawa,Chaki Nirmalya Kumar,Das Barun,Devarajan Supriya,Parsons Keith Paul,RUSTOGI Anubhav,SHAH Chetan Pravinchandra,HARRIS Anna Jane,BRAHAM Jeffrey William. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

METHOD AND SLEEVE FOR CONNECTING POWER-ELECTRONICS STRUCTURAL ELEMENTS AND PRINTED CIRCUIT BOARDS

Номер патента: US20200169014A1. Автор: Goetz Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

MODULAR ELECTRONIC STRUCTURES

Номер патента: US20170187156A1. Автор: Redman Thomas,WILCOCK REUBEN. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

System and Method for Making Electronic Structures and Antenna Coupled Terahertz Film with Nanoimprint or Roll-to-Roll

Номер патента: US20200274234A1. Автор: Brady Patrick K.,Pelz Bradley,Thacker Zachary,Perlov Craig. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

An Electron Structure of a Large Current Duo Plasmatron Ion Source for BNCT Accelerator and an Apparatus Comprising the Same

Номер патента: KR101983294B1. Автор: 김효진,최병호,김동수,이수영,박선순,황정진,이강선. Владелец: 주식회사 다원메닥스. Дата публикации: 2019-05-28.

Integrated electronic structure

Номер патента: US8988172B1. Автор: Marc T. Angelucci. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Carbon material having novel surface electronic structure and method for producing the same

Номер патента: JP3005670B2. Автор: 勲 持田,清志 横川,誠司 福山,白 安,雅満 吉村. Владелец: 工業技術院長. Дата публикации: 2000-01-31.

Via-less electronic structures and methods

Номер патента: WO2004034410A2. Автор: Bruce Lee,Yutaka Doi. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-04-22.

Flexible electronics structure

Номер патента: GB202009333D0. Автор: . Владелец: Prevayl Ltd. Дата публикации: 2020-08-05.

Flexible electronics structure

Номер патента: GB2596125B. Автор: John Lynch Michael. Владелец: Prevayl Innovations Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Customizable wire harness form board sub-assembly structure having simple, quick-change wire routing exchange point capability

Номер патента: US20190363469A1. Автор: John D Tillotson, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-11-28.

Electrode structure having alternating composite layers

Номер патента: US09806337B2. Автор: Kenzo Oshihara,Xiaoguang Hao. Владелец: Nissan North America Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Circuit board for electronic structural components

Номер патента: RU2367126C2. Автор: Мартин ЛАНГ,Вольфганг Ройтер,Хорст БЕССЕРЕР,Ахмет САВАСДЖИ. Владелец: Ритталь Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2009-09-10.

Stretchable electronic structures formed of thin films integrated with soft heterogeneous substrate

Номер патента: US09826625B2. Автор: Stephanie Lacour,Hugues Vandeparre. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2017-11-21.

Solution-Processed Organic Electronic Structural Element with Improved Electrode Layer

Номер патента: US20090085472A1. Автор: Wiebke Sarfert,Andreas Kanitz,Ralph Pätzold,Riikka Suhonen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-02.

Integrated electronic structure

Номер патента: WO1998021822A1. Автор: Anthony Lonsdale,Bryan Lonsdale. Владелец: Bryan Lonsdale. Дата публикации: 1998-05-22.

Solution-Processed Organic Electronic Structural Element with Improved Electrode Layer

Номер патента: US20120220075A1. Автор: Wiebke Sarfert,Andreas Kanitz,Ralph Pätzold,Riikka Suhonen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-30.

Stretchable electronic structures formed of thin films integrated with soft heterogeneous substrate

Номер патента: US20150143925A1. Автор: Stephanie Lacour,Hugues Vandeparre. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2015-05-28.

Flexible electronic structures

Номер патента: US20230363092A1. Автор: Ronald S. Cok,António José Marques Trindade,Alexandre Chikhaoui. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US11895778B2. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US20230199969A1. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Techniques for enabling wireless communications using subframe structures having different subframe durations

Номер патента: US09648500B2. Автор: Tao Luo,Hao Xu,Peter Gaal,Wanshi Chen,Naga Bhushan,Srinivas YERRAMALLI,Tingfang JI,Durga Prasad Malladi,Yongbin Wei,Aleksandar Damnjanovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Two-phase immersion-cooling heat-dissipation structure having shortened evacuation route for vapor bubbles

Номер патента: US20240276676A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having fins for facilitating bubble generation

Номер патента: US12108574B2. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Angle-adjustable and/or angled printed circuit board structure having at least two printed circuit board sections and method for producing the same

Номер патента: US09474149B2. Автор: Markus WÖLFEL. Владелец: JUMATECH GMBH. Дата публикации: 2016-10-18.

Package structure having solder mask layer with low dielectric constant and method of fabricating the same

Номер патента: US20220240367A1. Автор: Kuo-Wei Li,Ming-Hao Wu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having skived fins

Номер патента: US20240040747A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having fins with different thermal conductivities

Номер патента: US11761719B1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Stator structure having a printed board

Номер патента: US20030218393A1. Автор: Shigeru Nishida,Atsushi Kindaichi. Владелец: Tamagawa Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12058848B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Shaftless fan structure having axial air slit

Номер патента: US09887609B2. Автор: TSUNG-WEI Lin,Fu-Lung Lin,Shih-Wei Huang. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of fabricating a circuit board structure having an embedded electronic element

Номер патента: US09433108B2. Автор: Yung-Ching Lin,Ta-Han Lin,Chih-Kuie Yang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Electrodynamic speaker structure having MEMS technology

Номер патента: US09327961B2. Автор: Guy Lemarquand,Johan Moulin,Valerie Lemarquand,Elie Marie Lefeuvre,Marion Alexandra Laurence Woytasik,Fabien Jean François PARRAIN. Владелец: Universite Paris Sud Paris 11. Дата публикации: 2016-05-03.

Image pickup apparatus comprising an image pickup optical system including an optical element having optical incident and optical emergent surfaces and a fine textured structure having a mean pitch shorter than a wavelength of visible light, and an image pickup unit configured to receive an image formed by the image pickup optical system, and meeting a specified diameter condition

Номер патента: US8325267B2. Автор: Kazuhiko Momoki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Circuit and structure having high input impedance and DC return

Номер патента: US4050031A. Автор: Paul R. Gray,Mark L. Stephens. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1977-09-20.

Configurable circuit structure having reduced susceptibility to interference when using at least two such circuits to perform like functions

Номер патента: US20060033546A1. Автор: Axel Thomsen,Ligang Zhang,Yunteng Huang. Владелец: Yunteng Huang. Дата публикации: 2006-02-16.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having skived fin with high porosity

Номер патента: US20240142181A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Static structure having a plurality of detachable mobile components

Номер патента: EP3804080A1. Автор: Patrick NEY,Stephen SHAHEEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-14.

Integrated circuit structures having off-axis in-hole capacitor and methods of forming

Номер патента: US20150195914A1. Автор: Janak G. Patel,Peter Slota, Jr.,David B. Stone,Mark C. Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Static structure having a plurality of detachable mobile components

Номер патента: AU2019280972B2. Автор: Patrick NEY,Stephen SHAHEEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-18.

Static structure having a plurality of detachable components

Номер патента: US11934224B2. Автор: Patrick NEY,Stephen SHAHEEN. Владелец: Definitive Technology Group LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having fins for facilitating bubble generation

Номер патента: US20240155809A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having high density heat dissipation fins

Номер патента: US20240090173A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit structures having backside power delivery and signal routing for front side dram

Номер патента: US20240215222A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit structures having layer select transistors for shared peripherals in memory

Номер патента: US20240224536A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Recording medium with data structure having graphical data, and method and device for recording and playing back

Номер патента: RU2378721C2. Автор: Канг Соо СЕО,Биунг Дзин КИМ,Хиунг Сун КИМ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2010-01-10.

Display structure having opaque, light-blocking layer arranged between colour filter (CF) and thin-film transistor (TFT) layers

Номер патента: GB2499492A. Автор: Jun Qi,Dinesh C Mathew,Keith J Hendren,Victor H Yin,Thomas Wilson Jr,Adam T Garelli. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Corrugated plate structure having solar panel

Номер патента: EP2378220A2. Автор: Ching-Chieh Lin,Tzu-Hsiu Chen,Mei-Hsiu Lin,Chun-Hsien Chou. Владелец: a2peak Power Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-19.

Composite structure having an externally accessible electrical device embedded therein and a related fabrication method

Номер патента: US5851645A. Автор: Matthew M. Thomas,Robert A. Glowasky,Jack H. Jacobs,Bruce E. McIlroy. Владелец: McDonnell Douglas Corp. Дата публикации: 1998-12-22.

Utility structure having a utility pole and a closure apparatus

Номер патента: US5483019A. Автор: Paul T. Tourigny. Владелец: Angel Guard Products Inc. Дата публикации: 1996-01-09.

Method for fabricating embedded flash ROM structure having code cells and data cells and operations for the same

Номер патента: US6898127B2. Автор: Tung-Cheng Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-24.

Hub structure having anti-lock braking system

Номер патента: US20230109531A1. Автор: Chien-Yuan Tsai. Владелец: Joy Industrial Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Magnetoresistive structure having two dielectric layers, and method of manufacturing same

Номер патента: US11925122B2. Автор: Sanjeev Aggarwal,Jason Janesky,Kerry Nagel. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Microphone encapsulation structure having a plurality of transducers

Номер патента: US20210185419A1. Автор: Jinghua Ye. Владелец: Zilltek Technology Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Shaftless fan structure having axial air slit

Номер патента: US20160115962A1. Автор: TSUNG-WEI Lin,Fu-Lung Lin,Shih-Wei Huang. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Copper foil structure having blackened ultra-thin foil and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140141274A1. Автор: Ming-Jen Tzou,Kuo-Chao Chen,Ya-Mei Lin. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Garment structure having adjustment mechanism for abutting at least one pad unit firmly against skin to provide at least one of electrotherapy and heat therapy

Номер патента: US11849778B2. Автор: Hoi Ming Michael HO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-26.

Copper foil structure having blackened ultra-thin foil and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150068912A1. Автор: Ming-Jen Tzou,Kuo-Chao Chen,Ya-Mei Lin. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having acute-angle notched structures

Номер патента: US20240155807A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh,Yu-Wei Chiu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Two-phase immersion-type heat dissipation structure having porous structure

Номер патента: US20240147662A1. Автор: Chun-Te Wu,Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Polymer-metal sandwich structure having in situ-formed flame retardant and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220388290A1. Автор: Seongchan Pack,Venkateshwar R. Aitharaju. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Electrophoretic analysis system having in-situ calibration

Номер патента: EP1330773A1. Автор: Changsheng Liu,Hequan Zhao. Владелец: Spectrumedix Corp. Дата публикации: 2003-07-30.

Length-adjustable ossicular prosthesis having in-situ elongation out of the head plate

Номер патента: US20240041589A1. Автор: Harald Haas,Matthias Mertens,Alexander Sander,Thomas Stiegele. Владелец: Heinz Kurz GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory storage device having in situ copy protection and data security capability

Номер патента: WO1994011823A1. Автор: PING Wang,Ching-Shi Jenq. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 1994-05-26.

Polyolefin Films Having in-situ Formed Elongated Polyolefin Structures Therein

Номер патента: US20200347195A1. Автор: Nino RUOCCO,Tamara L. BLANTON,Joseph A. THROCKMORTON,Brain J. Rohde. Владелец: ExxonMobil Chemical Patents Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Electrophoretic analysis system having in-situ calibration

Номер патента: US20050161328A1. Автор: Changsheng Liu,Hequan Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Electrolysis System Having In Situ Enhancement Gas Storage

Номер патента: US20240301816A1. Автор: Evan Charles Johnson,Adam Anthony Filkins,Henry White Dean,Phillip Edward Jennings,Hebert Daniel Deming. Владелец: Hytech Power LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Electrophoretic analysis system having in-situ calibration

Номер патента: AU2001288978A1. Автор: Changsheng Liu,Hequan Zhao. Владелец: Spectrumedix Corp. Дата публикации: 2002-03-26.

Length-adjustable ossicular prosthesis having in-situ elongation out of the head plate

Номер патента: US20230404746A1. Автор: Matthias Mertens,Alexander Sander,Thomas Stiegele. Владелец: Heinz Kurz GmbH. Дата публикации: 2023-12-21.

Adjustable Bent Drilling Tool Having in situ Drilling Direction Change Capability

Номер патента: US20130153297A1. Автор: Orban Andre,Abney David,Crow Morgan,Muse Anthony C.,Weise Stan. Владелец: DAVID L. ABNEY, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

ADDITIVE MANUFACTURING SYSTEM HAVING IN-SITU FIBER SPLICING

Номер патента: US20180065317A1. Автор: Tyler Kenneth Lyle. Владелец: CC3D LLC. Дата публикации: 2018-03-08.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING IN-SITU CONSTRAINTS

Номер патента: US20180181697A1. Автор: Qian Qi-De. Владелец: IYM Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING IN-SITU CONSTRAINTS

Номер патента: US20180181698A1. Автор: Qian Qi-De. Владелец: IYM Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING IN-SITU CONSTRAINTS

Номер патента: US20180181699A1. Автор: Qian Qi-De. Владелец: IYM Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

ADDITIVE MANUFACTURING SYSTEM HAVING IN-SITU REINFORCEMENT FABRICATION

Номер патента: US20180207866A1. Автор: Stockett Ryan C.,Tyler Kenneth Lyle. Владелец: CC3D LLC. Дата публикации: 2018-07-26.

Adjustable Bent Drilling Tool Having in situ Drilling Direction Change Capability

Номер патента: US20150267478A1. Автор: Orban Andre,Muse Anthony C.,Abney David L.,Crow Morgan L.,Weise Stanley A.. Владелец: DAVID L. ABNEY, INC.. Дата публикации: 2015-09-24.

Electrolysis System Having In Situ HHO Storage

Номер патента: US20180320585A1. Автор: Johnson Evan Charles,Filkins Adam Anthony,Deming Herbert Daniel,Dean Henry White,Jennings Phillip Edward. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Polyolefin Films Having in-situ Formed Elongated Polyolefin Structures Therein

Номер патента: US20200347195A1. Автор: Ruocco Nino,Throckmorton Joseph A.,Blanton Tamara L.,Rohde Brain J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING IN-SITU CONSTRAINTS

Номер патента: US20160371424A1. Автор: Qian Qi-De. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Polyolefin films having in-situ formed elongated polyolefin structures therein

Номер патента: WO2020222916A1. Автор: Nino RUOCCO,Brian J. ROHDE,Tamara L. BLANTON,Joseph A. THROCKMORTON. Владелец: ExxonMobil Chemical Patents Inc.. Дата публикации: 2020-11-05.

Golf ball compositions having in-situ or reactive impact modified silicone-urea or silicone urethane

Номер патента: US20070117656A1. Автор: Murali Rajagopalan,Kevin Harris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Composite panel having in-situ thermoset foamed core

Номер патента: CA2675547C. Автор: Phu Nguyen,Hongbin Shen,Matthew Lowry. Владелец: Gill M C Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Cosmetic compositions having in-situ hydrosilylation cross-linking

Номер патента: US7750106B2. Автор: Tao Zheng,Prithwiraj Maitra,John C. Brahms,Derrick B. McKie. Владелец: Avon Products Inc. Дата публикации: 2010-07-06.

Cosmetic composition having in-situ silicone condesation cross-linking

Номер патента: WO2007117284A3. Автор: Maitra Prithwiraj,Tao Zheng,John C Brahms,Derrick B Mckie. Владелец: Derrick B Mckie. Дата публикации: 2007-12-13.

Additive manufacturing system having in-situ fiber splicing

Номер патента: CA3032622A1. Автор: Kenneth Lyle Tyler. Владелец: CC3D LLC. Дата публикации: 2018-03-15.

Panel units having in situ formed moldings

Номер патента: US20020076527A1. Автор: Takanori Tanaka,Tomohiro Sakagami,Naotaka Hanai,Toshiaki Kakuto. Владелец: Tokai Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Cosmetic compositions having in-situ hydrosilylation cross-linking

Номер патента: WO2007102859A3. Автор: Tao Zheng,Prithwiraj Maitra,John C Brahms,Derrick B Mckie. Владелец: Derrick B Mckie. Дата публикации: 2008-07-10.

Additive manufacturing system having in-situ fiber splicing

Номер патента: WO2018048502A1. Автор: Kenneth Lyle Tyler. Владелец: CC3D LLC. Дата публикации: 2018-03-15.

Electronic structure having at least one metal growth layer and method for producing an electronic structure

Номер патента: KR101702359B1. Автор: 귄터 슈미트,에르빈 랑,필립프 슈밤프,다비드 하르트만,플로리안 에데르,자비네 스지츠코브스키,비브케 자르페르트. Владелец: 오스람 오엘이디 게엠베하. Дата публикации: 2017-02-03.

Multiple in-mold electronics structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4124183A1. Автор: Sung-hoon Jung,Tae Yong Hong. Владелец: Intops Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

Elimination of thermal deformation in electronic structures

Номер патента: US20060132698A1. Автор: David Patton,Richard Wien,Edward Furlani,Tabrez Ebrahim. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2006-06-22.

METHOD FOR FABRICATING A FLEXIBLE ELECTRONIC STRUCTURE AND A FLEXIBLE ELECTRONIC STRUCTURE

Номер патента: US20150342036A1. Автор: Hu Xiaolong,Ghaffari Roozbeh,De Graff Bassel,Elolampi Brian David,Aurora William J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Integrated electronic structure

Номер патента: AU739653B2. Автор: Anthony Lonsdale,Bryan Lonsdale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Integrated electronic structure

Номер патента: AU5126198A. Автор: Anthony Lonsdale,Bryan Lonsdale. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-06-03.

Continuous lamination of electronic structures

Номер патента: US5705022A. Автор: Alfred Viehbeck,David Andrew Lewis,Stanley Joseph Whitehair. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Electronic structure comprising a matrix array of electronic devices having improved thermal performances

Номер патента: US20190342987A1. Автор: Bertrand Chambion. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-11-07.

ELECTRONIC STRUCTURE INCLUDING A MATRIX OF ELECTRONIC DEVICES PRESENTING IMPROVED THERMAL PERFORMANCES

Номер патента: FR3061625B1. Автор: Bertrand Chambion. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-07-24.

ELECTRONIC STRUCTURE COMPRISING A MATRIX OF ELECTRONIC DEVICES HAVING IMPROVED THERMAL PERFORMANCE

Номер патента: FR3061625A1. Автор: Bertrand Chambion. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-07-06.

Multilayer Electronic Structures with Improved Control of Dielectric Thickness

Номер патента: US20140102765A1. Автор: HURWITZ DROR,Huang Alex. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd.. Дата публикации: 2014-04-17.

Multilayer Electronic Structures with Embedded Filters

Номер патента: US20150042415A1. Автор: HURWITZ DROR,Huang Alex. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd.. Дата публикации: 2015-02-12.

Electronics structure comprising at least one barrier impermeable to fine particles

Номер патента: US20140168871A1. Автор: Pierre Salles,Philippe Pons. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2014-06-19.

STRETCHABLE ELECTRONIC STRUCTURES FORMED OF THIN FILMS INTEGRATED WITH SOFT HETEROGENEOUS SUBSTRATE

Номер патента: US20150143925A1. Автор: VANDEPARRE Hugues,Lacour Stephanie. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

Three-Dimensional Electronic Structure with Integrated Phase-Change Cooling

Номер патента: US20190191589A1. Автор: Fitch John Stuart. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

STACKED ELECTRONIC STRUCTURE

Номер патента: US20170223834A1. Автор: LU BAU-RU,Chen Da-Jung,Huang Chi-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Electronic structure for passing signals across voltage differences

Номер патента: US6791359B1. Автор: Lauren Vail Merritt. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2004-09-14.

Multilayer electronic structure with improved dielectric thickness control

Номер патента: TWI603450B. Автор: Dror Hurwitz,Alex Huang. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers&Electronic Substrate Solutions Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-21.

Method and device for printing electrical or electronic structures by means of cold foil transfer

Номер патента: DE102013007702A1. Автор: Alexander Weber,Dr. Schmitt-Lewen Martin. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2014-11-06.

COMPONENT CARRIER FOR ELECTRICAL / ELECTRONIC STRUCTURAL ELEMENTS

Номер патента: RU2015130282A. Автор: Асмус КОХ,Инга ХАЙНЦЕН,Ян ФАССЕЛЬ,Ян СУК. Владелец: Кикерт Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2017-01-27.

Packaging device for electronic structural components

Номер патента: RU2153221C2. Автор: Бруно Фюрбахер,Фридрих Лупп,Вольфганг Паль,Гюнтер Трауш. Владелец: СИМЕНС МАЦУШИТА КОМПОНЕНТС ГмбХ УНД Ко. КГ. Дата публикации: 2000-07-20.

Intelligent cellular electronic structures

Номер патента: US20110001512A1. Автор: Mark J. Pavicic,Chao You. Владелец: NORTH DAKOTA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for printing electrical and/or electronic structures and film for use in such a method

Номер патента: EP1743510B1. Автор: Thomas Walther. Владелец: manroland sheetfed GmbH. Дата публикации: 2012-11-28.

ELECTRONIC STRUCTURE COMPRISING AT LEAST ONE PARTICLE-SEALED BARRIER

Номер патента: FR2999819A1. Автор: Pierre Salles,Philippe Pons. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2014-06-20.

Electronics structure comprising at least one barrier impermeable to fine particles

Номер патента: US9888608B2. Автор: Pierre Salles,Philippe Pons. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2018-02-06.

Method For Printing Electrical And/Or Electronic Structures And Film For Use In Such A Method

Номер патента: US20070215376A1. Автор: Thomas Walther. Владелец: MAN Roland Druckmaschinen AG. Дата публикации: 2007-09-20.

Apparatus containing memory array structures having multiple sub-blocks

Номер патента: US12112805B2. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Camera module structure having electronic device connections formed therein

Номер патента: US09703173B2. Автор: Qiang Yang,Yoshiyuki Takase,Douglas Stuart Brodie,Takeshi Ichimiya,Shaolong Sui. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory array structures having multiple sub-blocks, apparatus containing such memory array structures, and operation of such apparatus

Номер патента: EP4397151A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for producing an electronic structure on a glass pane and glass sheet having at least one glass pane of this type

Номер патента: US12065374B2. Автор: THOMAS Rainer,Heinrich Ostendarp,Bernhard Hötger. Владелец: Hegla Boraident GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and electronic apparatus for predicting electronic structure of material

Номер патента: US20190065968A1. Автор: Chansoo Kim,Donghun Kim,Sang Soo Han,Byung Chul YEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-02-28.

Molded electronic structures in body-mountable devices

Номер патента: WO2015100266A1. Автор: Zenghe Liu,James ETZKORN,Daniel Patrick Barrows,Jeffrey George Linhardt. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2015-07-02.

Electronic structure

Номер патента: US20240161532A1. Автор: Kazuyuki Hashimoto. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Simulating electronic structure with quantum annealing devices and artificial neural networks

Номер патента: US20240071576A1. Автор: Arne-Christian Voigt,Tanja Graf,Thomas Schladt,Florian NEUKART,Michael Streif,David VON DOLLEN,Jonthan Edward MUELLER. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-02-29.

Simulating electronic structure with quantum annealing devices and artificial neural networks

Номер патента: US11776666B2. Автор: Arne-Christian Voigt,Tanja Graf,Thomas Schladt,Jonathan Edward MUELLER,Florian NEUKART,Michael Streif,David VON DOLLEN. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Simulating electronic structure with quantum annealing devices and artificial neural networks

Номер патента: US12033728B2. Автор: Arne-Christian Voigt,Tanja Graf,Thomas Schladt,Jonathan Edward MUELLER,Florian NEUKART,Michael Streif,David VON DOLLEN. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Techniques for obtaining accurate diagonal electronic structure hamiltonians

Номер патента: WO2019203874A1. Автор: Ryan BABBUSH,Jarrod Ryan MCCLEAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-10-24.

Techniques for obtaining accurate diagonal electronic structure hamiltonians

Номер патента: US20210035009A1. Автор: Ryan BABBUSH,Jarrod Ryan MCCLEAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Techniques for obtaining accurate diagonal electronic structure hamiltonians

Номер патента: CA3093230A1. Автор: Ryan BABBUSH,Jarrod Ryan MCCLEAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-10-24.

Techniques for obtaining accurate diagonal electronic structure hamiltonians

Номер патента: CA3093230C. Автор: Ryan BABBUSH,Jarrod Ryan MCCLEAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Techniques for obtaining accurate diagonal electronic structure hamiltonians

Номер патента: EP3750161A1. Автор: Ryan BABBUSH,Jarrod Ryan MCCLEAN. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-12-16.

Orbital mixer machine learning method for predicting an electronic structure of an atomic system

Номер патента: US20230359929A1. Автор: Jonathan MAILOA,Mordechai Kornbluth,Jeremy KOLTER,Devin Willmott,Ivan BATALOV,Kirill SHMILOVICH. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for producing an electronic structure on a glass pane and glass sheet having at least one glass pane of this type

Номер патента: US20210363053A1. Автор: THOMAS Rainer,Heinrich Ostendarp,Bernhard Hötger. Владелец: Hegla Boraident GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-11-25.

First-principles-derived effective mass approximation simulation method and system for accurate and efficient computational design of electronic structure and optical properties of quantum nanostructures

Номер патента: US20220180977A1. Автор: Yong-Hoon Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-06-09.

Self-supported structures having active materials

Номер патента: RU2720940C1. Автор: Джон Ф. БРОДИ,Пол Дж. ТИНДАЛЛ,Брэдли ВУЛЕР,Франческо Дж. АЛЬТЕРА,И Ду. Владелец: Эксонмобил Апстрим Рисерч Компани. Дата публикации: 2020-05-14.

Eyeglasses assembly structure having nose support

Номер патента: US09958702B1. Автор: Pen-Wei Chen. Владелец: Prohero Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacture of fibrous structure having variable thickness, by three-dimensional weaving

Номер патента: RU2523251C2. Автор: Доминик КУП,Эрик БУЙОН,Бруно ДАМБРИН. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2014-07-20.

Lamellar structure with lens-like effect creating structure having optical diffraction property

Номер патента: RU2317574C2. Автор: Уэйн Роберт ТОМПКИН,Андреас ШИЛЛИНГ. Владелец: Овд Кинеграм Аг. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for three-dimensional or multilayer weaving of a fibrous structure and fibrous structure having a three-dimensional or multilayer weave

Номер патента: US20240229307A9. Автор: Dominique Marie Christian Coupe,Célline KRIBS,Adrienne RETIVEAU-LECA. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-07-11.

Fan dynamic pressure structure having a plastic frame integrally formed around an oil-containing sintered metal powder bearing

Номер патента: US20200362872A1. Автор: Ping-Ling Wang. Владелец: F&p Precision Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Hybrid structure having suspension quality

Номер патента: EP3984814A1. Автор: Ilan Ben Meir. Владелец: Tetro Ltd. Дата публикации: 2022-04-20.

Method for controlling structure of nano-scale substance, and method for preparing low dimensional quantum structure having nano-scale using the method for controlling structure

Номер патента: US20110209980A1. Автор: Koichi Inoue,Kenzo Maehashi,Kazuhiko Matsumoto,Yasuhide Ohno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Method for controlling structure of nano-scale substance, and method for preparing low dimensional quantum structure having nano-scale using the method for controlling structure

Номер патента: US20110214983A1. Автор: Koichi Inoue,Kenzo Maehashi,Yasuhide Ohno,Kazuhike Matsumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Method for controlling structure of nano-scale substance, and method for preparing low dimensional quantum structure having nano-scale using the method for controlling structure

Номер патента: US7964066B2. Автор: Koichi Inoue,Kenzo Maehashi,Kazuhiko Matsumoto,Yasuhide Ohno. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2011-06-21.

Layered structure having double order frequency-selective characteristic

Номер патента: RU2405216C2. Автор: Кристиан Томас,Мартин ВАНДЕЛЬ,Кристиан ТОМАС (DE),Мартин ВАНДЕЛЬ (DE). Владелец: Эйрбас Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2010-11-27.

Structure having gel-like covering on its surface

Номер патента: RU2671908C1. Автор: Йосуке Акуцу,Синия Ивамото,Кейсуке НИУУ,Томоюки Миядзаки,Есиаки ОКАДА. Владелец: Тойо Сейкан Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-11-07.

Protective element with structure having optically alternating properties

Номер патента: RU2417897C2. Автор: Карлхайнц МАЙЕР,Петер ФРАНЦ,Кристоф БАЛЬДУС,Рогер АДАМЧИК. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2011-05-10.

Protection element with structure having optically variable properties

Номер патента: RU2427472C2. Автор: Петер ФРАНЦ. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2011-08-27.

Structure having solid particles, distributed on its surfaces

Номер патента: RU2684076C1. Автор: Йосуке Акуцу,Синия Ивамото,Кейсуке НИУУ,Томоюки Миядзаки,Есиаки ОКАДА. Владелец: Тойо Сейкан Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-04-03.

Board structure having articulated joints and splice object having the same

Номер патента: US20230400054A1. Автор: Lung-Pan Cheng,Chiao Fang,Vivian Hsin-Yueh Chan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-12-14.

Lampshade structure having better light-penetrating effect

Номер патента: US20020114163A1. Автор: Chia-Teh Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Fan structure having integrated rotor impeller, and methods of producing the same

Номер патента: US20200072232A1. Автор: Peter Hall,Shawn Alstad,Ryan Bonde. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Board structure having articulated joints and splice object having the same

Номер патента: US12078201B2. Автор: Lung-Pan Cheng,Chiao Fang,Vivian Hsin-Yueh Chan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonwoven multilayer structures having nanofiber layers

Номер патента: CA3136256C. Автор: Vikram Gopal,Albert E. Ortega,Wai-Shing Yung,Joseph MENNER. Владелец: Ascend Performance Materials Operations LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Systems and methods for designing and fabricating multi-layer structures having thermal expansion properties

Номер патента: US20060257096A1. Автор: Phillip Barth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Rigid fiber network structures having improved post-yield dimensional recovery, method of making same, and articles incorporating same

Номер патента: EP1034071A1. Автор: Joseph S. W. Haas,William E. Bessey,Gerald Peter Rumierz,Clinton Dale Felton. Владелец: HNA Holdings Inc. Дата публикации: 2000-09-13.

Method of fabricating fiber reinforced composite structure having stepped surface

Номер патента: US09770872B2. Автор: Jack A. Woods,Andrew E. Modin,Robert D. Hawkins. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-09-26.

Multilayer structures having annular profiles

Номер патента: US09481143B2. Автор: Robert E. Wrisley,Joseph Dooley,Mark A. Barger,Sam L. Crabtree,Calvin L. Pavlicek,Jeffrey M. Robacki. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Automotive glass structure having feature lines and related method of manufacture

Номер патента: EP4100373A1. Автор: Michael Pilliod,Rosemary MOTTSMITH,William S. SWENEY,Christos GOUGOUSSIS,Gregoire HAMEL. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Method and apparatus for testing a semiconductor structure having top-side and bottom-side connections

Номер патента: US20070096760A1. Автор: David Patten,Addi Mistry,Edmond Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Liquid-cooling heat dissipation structure having nonlinear fin array and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240247882A1. Автор: Kuo-Wei Lee,Chien-Cheng Wu,Tze-Yang Yeh,Chun-Lung Wu. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Bedhead frame and bed frame structure having the bedhead frame

Номер патента: US20180084920A1. Автор: Suk Kan Oh. Владелец: Grantec (xiamen) Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of driving pixel arrangement structure having plurality of subpixels, driving chip for driving pixel arrangement structure having plurality of subpixels, display apparatus, and computer-program product

Номер патента: EP3895153A1. Автор: Lujiang Huangfu,Wenjing TAN,Zhenzhen LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-20.

Linear motion bearing with plate retaining structure having a plurality of pieces

Номер патента: EP2593687A1. Автор: Alison Ng. Владелец: Thomson Industries Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Substrate structure having cold sprayed layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220234071A1. Автор: Chih-Hung Shih,Hung-An Chao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Rigid fiber network structures having improved post-yield dimensional recovery, method of making same, and articles incorporating same

Номер патента: AU1468699A. Автор: William E. Bessey,Gerald Peter Rumierz,Clinton Dale Felton. Владелец: HNA Holdings Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Fastening structure having two members and fluid filter that uses the same

Номер патента: US20090084723A1. Автор: Masahiro Tomita,Tsutomu HANASE. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Catalyst structure having a core-shell structure with a controlled surface morphology and preparation method thereof

Номер патента: US20230234031A1. Автор: Jieun Kim,Doohwan Lee,Dohyeon HAN. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2023-07-27.

Network structure having excellent compression durability

Номер патента: US09970140B2. Автор: Teruyuki Taninaka,Shinichi Kobuchi,Hiroyuki Wakui. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Interposer structure having optical fiber connection and related fiber optic connector for the same

Номер патента: US09551849B2. Автор: James Phillip Luther,James Scott Sutherland,Douglas Llewellyn Butler,Micah Colen Isenhour,Dennis Michael Knecht. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Electronic device having touch screen panel, vibration mechanisms, and peripheral support structures having different rigidities

Номер патента: US09459713B2. Автор: Yusuke Adachi,Ryo Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

System and method for slip forming monolithic reinforced composite concrete structures having multiple functionally discrete components

Номер патента: US09435085B1. Автор: Patrick Shawn Free,Eric C Kontos. Владелец: Raptor LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Structure having fibres which are adhesively bonded to one another in locations

Номер патента: US09345808B2. Автор: Wolfgang Witt,Christoph Classen,Swen FRANZEN,Harrie VAN BAARS,Andreas Henseler,Frank Willems. Владелец: OCCLUTECH HOLDING AG. Дата публикации: 2016-05-24.

Structure having liquid film and method for production thereof

Номер патента: RU2682500C1. Автор: Йосуке Акуцу,Синия Ивамото,Кейсуке НИУУ,Томоюки Миядзаки,Есиаки ОКАДА,Микио АСАКУРА. Владелец: Тойо Сейкан Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-03-19.

Equipment and method for manufacturing frozen confectionery product with layered structure, having external shell

Номер патента: RU2640426C2. Автор: Томас Алоизиус Валентинус АМЕНД,Чанпу МА. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2018-01-09.

Structures having sirp-alpha domain or its version

Номер патента: RU2740672C2. Автор: Хауме Понз,Лаура Деминг,Кори Гудман,Банг Джанет СИМ,Стивен Эллиот КАУДЕР,Хун ВАНЬ,Трэйси Чиа-Чиэнь КО. Владелец: ЭйЭлЭкс Онколоджи Инк.. Дата публикации: 2021-01-19.

Method to make structure having prefabricated wooden frame and structure produced by this method

Номер патента: RU2526941C2. Автор: Пьер-Эмманюэль ЛИТЕЗ. Владелец: Эльмер. Дата публикации: 2014-08-27.

Aerodynamic structure having airfoil, with corrugated reinforcing element

Номер патента: RU2523726C2. Автор: Кристофер ПЕЙН,Дэвид ГРОВЗ. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Лимитед. Дата публикации: 2014-07-20.

Connection structure having dumbbell-shaped bidirectional tapered external thread and traditional thread having large left taper and small right taper

Номер патента: US20210010521A1. Автор: Yihua You. Владелец: Amicus Veritatis Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4074650A3. Автор: Tao Lu,Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-10-26.

Additive manufactured airframe structure having a plurality of reinforcement elements

Номер патента: AU2022421040A1. Автор: John F. Gundlach,Jacob S. Allen. Владелец: Rapidflight Holdings LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Load cell with roberval structure having anti-offset function, and weighing device

Номер патента: EP4241050A1. Автор: LI YANG,Lei Xu,Hongzhi LIN. Владелец: Mettler Toledo Changzhou Precision Instruments Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Reflector structure having three-dimensional curvature

Номер патента: US20240004147A1. Автор: JING Yang,Suresh Venkatesan,Yong Meng Lee,Lucas Soldano. Владелец: Poet Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Alpha gallium oxide thin-film structure having high conductivity obtained using selective area growth in hvpe growth manner and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240158953A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK,Jae-Kyoung Mun. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2024-05-16.

Building frame structure having edge beam and construction method thereof

Номер патента: AU2018217198B2. Автор: Conrad Tin Cheung Wong,Rosana Wai Man Wong. Владелец: Yau Lee Wah Concrete Precast Products Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Pinnacle die structure having scrap collecting opening

Номер патента: WO2007064067A1. Автор: Sun-Hoo Park. Владелец: Kds Intech Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-06-07.

Porous polymer structure having smooth surface, method for producing same, and protective film comprising same

Номер патента: US20240124675A1. Автор: Dong Rip Kim,Haeyeon LEE,Hanmin JANG,Sungwon JO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and system of air/environmental parameter based automatic closing of one or more valves to isolate breathable air supplied to one or more levels of a structure having a firefighter air replenishment system implemented therein

Номер патента: WO2024006172A1. Автор: Anthony J. Turiello. Владелец: Rescue Air Systems, Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Main frame structure having box-section bearing beams of launch vehicle engine

Номер патента: US12037141B1. Автор: Xu Guo,Zhi SUN,Wenyu Hao,Tichang Jiao,Shurui YE. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Package structure having photonic integrated circuit

Номер патента: US20240255697A1. Автор: Chih-Chung Hsu,Chih-Chung Wu,Chih-Wei Peng,Zuon-Min Chuang. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Footwear sole structure having a fluid-filled chamber including a tensile member

Номер патента: US20230309653A1. Автор: Shaun J. Hensley,Sean Conway,Bret P. Liebeno,Deni MEI,Sean STAM,Geoff WESTON,Gregory P. Ponitz. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Sound absorbing structure having one or more acoustic scatterers attached to or forming a vehicle structure

Номер патента: US11776521B2. Автор: Debasish Banerjee,Xiaoshi Su,Kai AIZAWA,Steven R. Sorenson. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Reflector structure having three-dimensional curvature

Номер патента: US20240004148A1. Автор: JING Yang,Suresh Venkatesan,Yong Meng Lee,Lucas Soldano. Владелец: Poet Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Pallet structure having preset shape for holding support

Номер патента: US20240278955A1. Автор: Ming-Yuan Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-22.

Composite polymer structure having an aluminum polymer anchoring layer, and etching method

Номер патента: US20240208181A1. Автор: Rainer Adelung,Melike Baytekin-Gerngroß,Mark-Daniel Gerngroß,Juergen Carstensen. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2024-06-27.

Float structure having supplementary floating bodies

Номер патента: US20070289520A1. Автор: Shou-Te Chen,Chih-Hsiung Feng. Владелец: CHEN SHOU-TU. Дата публикации: 2007-12-20.

Surface structure having function freezing delay and icing layer separation and manufacturing method thereof

Номер патента: US12077867B2. Автор: SUMIT Barthwal,Sihyung LIM,Bok Hyun Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2024-09-03.

Package structure having photonic integrated circuit

Номер патента: US20240319438A1. Автор: Chih-Chung Hsu,Chih-Chung Wu,Zuon-Min Chuang. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Structure having several annular shaver cutter nets capable of rotating forwardly and reversely

Номер патента: EP3858564A1. Автор: Rui Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-04.

Evaluating a structure having a microscopic dimension with a low energy x-ray beam

Номер патента: WO2024134250A1. Автор: David A. Reed,Bruno W. Schueler. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Airtight loose powder case structure having powder puff

Номер патента: US20240324748A1. Автор: Haiying Yang. Владелец: Shyahsin Packaging China Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Thin film polymer structure having different modification on opposite sides thereof

Номер патента: US09956751B2. Автор: Takahiro Goto,Shinji Takeoka,Toshinori Fujie,Yosuke Okamura,Saori Utsunomiya. Владелец: Nanotheta Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Article of footwear with sole structure having frusto-conical structures

Номер патента: US09949529B2. Автор: Denis Schiller,Timothy J. Smith,Ruzica Krstic,Caleb W. Dyer. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Bicycle frame structure having rear frame and front frame

Номер патента: US09908582B1. Автор: Sung Dae Lim,Jungnam CHOI. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-03-06.

Structures having cavities containing coupler portions

Номер патента: US09644476B2. Автор: John R. Lovell. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Composite structures having improved heat aging and interlayer bond strength

Номер патента: US09597861B2. Автор: Olaf Norbert Kirchner,Martyn Douglas Wakeman,Andri E. Elia,Shengmei Yuan. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2017-03-21.

Composite structures having reduced area radius fillers and methods of forming the same

Номер патента: US09592651B2. Автор: Lyle R. Deobald,Aaron N. Rinn,Madhavadas Ramnath,Kenneth H. Griess,Ying Shan,Derek P. Vetter,Michael J. Graves. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-03-14.

Vehicle body structure having detachable roof

Номер патента: US09527372B2. Автор: Takeshi Ishikawa,Ryo Suesada,Masaki Soda,Yuujiro Tashima. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Composite structures having improved heat aging and interlayer bond strength

Номер патента: US09475265B2. Автор: Olaf Norbert Kirchner,Martyn Douglas Wakeman,Andri E. Elia,Shengmei Yuan. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Cu-based catalyst supported on complex metal oxide structures having meso- and macropores for preparing 1, 2-propanediol

Номер патента: US09415377B1. Автор: Sang Yong Lee,Jae Sun Jung,Dong Ju Moon,Gi Hoon HONG,Sung Soo LIM,Ji In Park,Sea On Lee,Kwang Hyeok Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-08-16.

Hydrogenated polymers with radial structure having core based on calixarenes and use thereof in lubricant compositions

Номер патента: RU2672421C2. Автор: Клаудио КАВАЛЛО,Марчелло Нотари,Альберто РОСЕЛЛИ,Алессандро КАЗНАТИ,Франческо САНЗОНЕ,Алессандро БУРЛИНИ. Владелец: ВЕРСАЛИС С.п.А.. Дата публикации: 2018-11-14.

Safety element with several structures having optically variable parameters

Номер патента: RU2463169C2. Автор: Петер ФРАНЦ,Кристоф БАЛЬДУС,Рогер АДАМЧИК. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2012-10-10.

Controlled stratification of foliated structures having separate closed areas of material

Номер патента: RU2279266C2. Автор: Джеффри И. ФИШ,Дженнифер Э. ГРИФФИТС. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2006-07-10.

Toner supply roll including porous cylindrical polyurethane sponge structure having skin layer having openings and alternate protrusions and recesses, and method of producing the same

Номер патента: US6149564A. Автор: Keita Shiraki,Akitoshi Nozawa. Владелец: Sumitomo Riko Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-21.

Cellulosic fibrous structures having at least three regions distinguished by intensive properties, an apparatus for and a method of making such cellulosic fibrous structures

Номер патента: AU667192B2. Автор: Paul Dennis Trokhan,Dean Van Phan. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1996-03-14.

Nut structure having anchor pin blocking split sleeve against rotation in nut body

Номер патента: US5980176A. Автор: Robert Akashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-11-09.

Door frame structure having quick mounting hinge means

Номер патента: CA1115134A. Автор: Eugene F. Cecil (Deceased). Владелец: United States Gypsum Co. Дата публикации: 1981-12-29.

Projecting lamp structure having light adjusting device

Номер патента: US20180313522A1. Автор: Chin-Hung Lin,Yuh-Sheng Lin,Che-Chun CHANG. Владелец: Arex(twn) International Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for three-dimensional or multilayer weaving of a fibrous structure and fibrous structure having a three-dimensional or multilayer weave

Номер патента: US20240133084A1. Автор: Dominique Marie Christian Coupe,Célline KRIBS,Adrienne RETIVEAU-LECA. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-04-25.

Hybrid structure having suspension quality

Номер патента: US11981109B2. Автор: Ilan Ben Meir. Владелец: Tetro Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Printing plates with printing structures having multiple elevations and, systems and process for manufacture, and methods for use of the same

Номер патента: EP4252075A1. Автор: Thomas Klein,Ben Ezra Barry,Pascal Thomas,Robert Bruce,Shahar Golan,Wolfgang Sievers. Владелец: Esko Graphics Imaging GmbH. Дата публикации: 2023-10-04.

Polymeric structures having a micro-void space and systems and methods for making same

Номер патента: WO2024086096A1. Автор: Joseph M. Desimone,Gabriel E. LIPKOWITZ,Ian A. COATES. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-25.

Fan dynamic pressure structure having a plastic frame integrally formed around an oil-containing sintered metal powder bearing

Номер патента: EP3739228A1. Автор: Ping-Ling Wang. Владелец: F&p Precision Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-18.

Method of reinforcement of span metal structure having a crack in weld seam

Номер патента: RU2700133C1. Автор: Сергей Александрович Бокарев,Андрей Михайлович Усольцев,Екатерина Германовна Попова,Александр Иванович Служаев,Михаил Юрьевич Маликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет путей сообщения" (СГУПС). Дата публикации: 2019-09-12.

Architectural glass with low emission coating, having a multilayer structure, having a high strength, and / or way of its manufacture

Номер патента: RU2683727C2. Автор: Хасан ИСМАИЛ,Бирсел ДЕНИЗ. Владелец: Тюркийе Шише Ве Кам Фабрикалари А.Ш.. Дата публикации: 2019-04-01.

Flexible laminated structures having the shut separate fields of the material

Номер патента: RU2293659C2. Автор: Джеффри Е. ФИШ,Дженифер Э. ГРИФФИТС,Ричард Э. БОРДЕРС,Роджер Б. КВИНСИ III. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2007-02-20.

Absorbent structures having enhanced flexibility

Номер патента: US20050148258A1. Автор: David Zenker,Jayant Chakravarty,James Van Himbergen. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2005-07-07.

Mount for an optical structure having a grooved protruding member and method of mounting an optical structure using such mount

Номер патента: CA2769519C. Автор: Itai Vishnia,Zvi Bleier. Владелец: PLX Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Fibrous structure having increased surface area and process for making same

Номер патента: CA2422772C. Автор: Paul Dennis Trokhan,David William Cabell. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2007-09-18.

Modular stairway system for installation on structures having non-linear walls

Номер патента: CA1077671A. Автор: Wesley D. Matthews. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-05-20.

Reinforced hose structure having a tough flexible cover

Номер патента: CA1209494A. Автор: Robert C. Schisler,George W. Eisenzimmer. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1986-08-12.

Hair clip structure having a comb concealed therein

Номер патента: US5896862A. Автор: Huoy-Jen Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-04-27.

Fiber and a fiber structure having a high flame-retarding property and high moisture-absorptive property

Номер патента: US7696283B2. Автор: Ryosuke Nishida,Masao Ieno. Владелец: Japan Exlan Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Structure having plural conductive regions and process for production thereof

Номер патента: WO2009148144A2. Автор: Makoto Takagi,Chienliu Chang,Atsushi Kandori. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-12-10.

Compliant polymeric structures having polymeric microneedles and methods for making and using same

Номер патента: WO2023205341A1. Автор: Joseph M. Desimone,Maria T. Dulay,Micah Lawrence,Netra RAJESH,Cooper Owen SHEA,Dan ILYIN,Gunilla B. Jacobson,Jean Won KWAK,Kaiwen HSIAO,Madison M. DRISKILL,Olayemi Oluwatosin AJAO. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-26.

Fibrous network structure having excellent compression durability

Номер патента: US11970802B2. Автор: Teruyuki Taninaka,Shinichi Kobuchi,Hiroyuki Wakui. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

A method for making three-dimensional structures having nanometric and micrometric dimensions

Номер патента: EP1398296B1. Автор: Piermario Repetto,Piero Perlo,Vito Lambertini. Владелец: Centro Ricerche Fiat SCpA. Дата публикации: 2007-08-15.

Eyeglasses assembling structure having ancillary frame

Номер патента: US20210063772A1. Автор: Pen-Wei Chen. Владелец: Prohero Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method and apparatus for making absorbent structures having divided particulate zones

Номер патента: US5879751A. Автор: Michael Scott Bogdanski. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1999-03-09.

Aqueous polyacrylate dispersions and their use for the production of self-adhesive structures having good low temperature adhesion

Номер патента: US4898909A. Автор: Wolfgang Druschke,Gundo Brauch,Peter Pfoehler,Juergen Vietmeier,Albrecht Zosel. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1990-02-06.

Vane structure having improved cooled operation in stationary combustion turbines

Номер патента: CA1190480A. Автор: Sterling F. Arlington. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1985-07-16.

Multi-channel magnetic transducer structure having full width erase head in non-magnetic housing

Номер патента: US3684841A. Автор: Robert M Boehme. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1972-08-15.

Fibrous structure having roughened surface and process for producing same

Номер патента: CA1217625A. Автор: Takao Akagi,Shinji Yamaguchi. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-10.

Paper structure having at least three regions, and apparatus and process for making the same

Номер патента: CA2192316C. Автор: Paul Dennis Trokhan,Dean Van Phan. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2001-05-15.

Paper structures having at least three regions including a transition region interconnecting relatively thinner regions disposed at different elevations, and apparatus and process for making the same

Номер патента: US5776312A. Автор: Paul Dennis Trokhan,Dean Van Phan. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1998-07-07.

Method and device for manufacturing structure having pattern, and method for manufacturing mold

Номер патента: US8293125B2. Автор: Takashi Nakamura,Toru Den,Aya Imada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Laminated structure having a renewable tacky surface

Номер патента: US3734816A. Автор: J Swasey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-05-22.

Method and apparatus for making absorbent structures having divided particulate zones

Номер патента: CA2240145C. Автор: Michael Scott Bogdanski. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2003-11-25.

Carton structure having easily openable compression resistant end

Номер патента: CA1248067A. Автор: Gerald E. Vance. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1989-01-03.

High durabel photocatalyst film and structure having surface exhibiting photocatalytic function

Номер патента: US20050249943A1. Автор: Naoki Tanaka,Norihiro Nakayama,Ryouzo Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-10.

Linear motion bearing with plate retaining structure having a plurality of pieces

Номер патента: WO2012009616A1. Автор: Alison Ng. Владелец: Thomson Industries, Inc.. Дата публикации: 2012-01-19.

Organic-inorganic composite layered structure having high adhesive properties, and high hardness or excellent transparency

Номер патента: CA3024463C. Автор: Hiroaki Noda,Hiroki Tsuda,Nobuo Sakamoto,Jun Akedo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2021-08-10.

Disposable absorbent structure having a surfactant treated intermediate layer

Номер патента: CA1124951A. Автор: John D. Roberts,Raymond L. Bendure. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1982-06-08.

Composite overhead cable structure having high seal properties and a process for producing the same

Номер патента: CA2017878C. Автор: Kazuya Abe,Toshiya Shinozaki,Masaru Akinaga. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 1994-03-29.

3-d structures having high temperature stability and improved microporosity

Номер патента: US11787109B1. Автор: Hsiang H. Liu,James O. Hardin, IV,John D. Berrigan. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2023-10-17.

Rigid fiber network structures having improved post-yield dimensional recovery, method of making same, and articles incorporating same

Номер патента: EP1034211B1. Автор: William E. Bessey,Gerald Peter Rumierz,Clinton Dale Felton. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2002-06-12.

Illumination alert apparatus structure having cap for use in switch control

Номер патента: US8764218B2. Автор: Hsueh-Chu Yeh. Владелец: Day Sun Industrial Corp. Дата публикации: 2014-07-01.

Furniture and large-scale play structures having ideal modularity

Номер патента: US11896917B2. Автор: Abigail Sullivan,Christian W. Brown. Владелец: Pollywog Toys LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Furniture and large-scale play structures having ideal modularity

Номер патента: EP4021602A1. Автор: Sullivan Abigail,Christian W. Brown. Владелец: Pollywog Toys LLC. Дата публикации: 2022-07-06.

Mounts for an optical structure having a grooved protruding member with a damping ring disposed in or on the groove and methods of mounting an optical structure using such mounts

Номер патента: US20150008304A1. Автор: Itai Vishnia,Zvi Bleier. Владелец: PLX Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Olive-shaped bidirectional tapered thread bolt and nut connection structure having large left taper and small right taper

Номер патента: US20210003166A1. Автор: Yihua You. Владелец: Amicus Veritatis Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Structures having selectively metallized regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2015095617A2. Автор: William Carter,Alan J. Jacobsen,Sophia S. YANG,Zak C. ECKEL,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2015-06-25.

System for forming a structure having load-bearing capabilities

Номер патента: WO2006135598A2. Автор: Larry R. Decamp,James C. Martin. Владелец: M-Pact Worldwide, L.L.C.. Дата публикации: 2006-12-21.

Illumination Alert Apparatus Structure Having Cap for Use in Switch Control

Номер патента: US20130141214A1. Автор: Hsueh-Chu Yeh. Владелец: Day Sun Industrial Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Interposer structure having optical fiber connection and related fiber optic connector for the same

Номер патента: US20160170163A1. Автор: James Phillip Luther,James Scott Sutherland,Douglas Llewellyn Butler,Micah Colen Isenhour,Dennis Michael Knecht. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2016-06-16.

Rigid fiber network structures having improved post-yield dimensional recovery, method of making same, and articles incorporating same

Номер патента: EP1034211A1. Автор: William E. Bessey,Gerald Peter Rumierz,Clinton Dale Felton. Владелец: HNA Holdings Inc. Дата публикации: 2000-09-13.

Lock shielding structure having fingerprint module and smart lock

Номер патента: US20230279695A1. Автор: ZHENG Li,Jingke Wang. Владелец: Guangdong Yongding Technology CoLtd. Дата публикации: 2023-09-07.

Shape memory polymer structure having lattic frame

Номер патента: WO2002083767A1. Автор: Cheong Seok Hong,Byung Nam Hyun. Владелец: Byung Nam Hyun. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of protecting indicated information and cellular structure having its surface information protected by the protecting method

Номер патента: EP1486255A4. Автор: Masayasu Ishikawa,Masayoshi Miwa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-03-22.

Structure having flow channel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210197165A1. Автор: Makoto Kubota,Hiroshi Saito,Nobuhiro Yasui,Kanako Oshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Structures having selectively metallized regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190137661A1. Автор: William Carter,Alan J. Jacobsen,Sophia S. YANG,Zak C. ECKEL,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2019-05-09.

Structures having selectively metallized regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP3084044A2. Автор: William Carter,Alan J. Jacobsen,Sophia S. YANG,Zak C. ECKEL,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-10-26.

Structures having selectively metallized regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2015095617A4. Автор: William Carter,Alan J. Jacobsen,Sophia S. YANG,Zak C. ECKEL,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2015-10-15.

Interposer structure having optical fiber connection and related fiber optic connector for the same

Номер патента: EP2954356A2. Автор: James Phillip Luther,James Scott Sutherland,Douglas Llewellyn Butler,Micah Colen Isenhour,Dennis Michael Knecht. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2015-12-16.

Polymeric structure having improved barrier properties and method of making same

Номер патента: US4770944A. Автор: James A. Wachtel,Christopher J. Farrell,Boh Tsai. Владелец: American Can Co. Дата публикации: 1988-09-13.

Cleaning articles comprising a cellulosic fibrous structure having discrete basis weight regions treated with a high internal phase inverse emulsion

Номер патента: US6133166A. Автор: David William Cabell,Steven Lee Barnholtz,Nicholas James Nissing. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2000-10-17.

Absolute filter pack structure having a toroidal section

Номер патента: US3807150A. Автор: C Maracle. Владелец: HEPA Corp. Дата публикации: 1974-04-30.

Shaped structures having a self-adherent coating of a water-insoluble ionizable salt of a collagen

Номер патента: US3649347A. Автор: Orlando A Battista. Владелец: FMC Corp. Дата публикации: 1972-03-14.

Synchronous robotic operation on a structure having a confined space

Номер патента: CA2657085C. Автор: Branko Sarh,David H. Amirehteshami. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2015-12-22.

Structures having an insulated concrete component

Номер патента: CA2254451A1. Автор: Benoit Guindon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-05-24.

Thin film structure having magnetic and color shifting properties

Номер патента: CA1319052C. Автор: Roger W. Phillips,Paul G. Coombs. Владелец: Flex Products Inc. Дата публикации: 1993-06-15.

Osmotic and capillary absorbent structure having differential density and process of manufacture therefor

Номер патента: SG54287A1. Автор: Paul Dennis Trokhan. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 1998-11-16.

Thermoplastic film structures having improved barrier and mechanical properties

Номер патента: CA2408770C. Автор: Chad Mueller,Roger Kaas,Bertrand Fillon,Sandrine Tournier,Jean-Jacques Lerda. Владелец: Pechiney Emballage Flexible Europe SAS. Дата публикации: 2009-04-14.

Coating material for highly corrosion-resistant zinc alloy-plated steel member and steel structure having coating film made of such coating material

Номер патента: NZ550694A. Автор: Masahiro Yamamoto. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2010-01-29.

Single-cast, high-temperature thin wall structures having a high conductivity member connecting the walls and methods of making the same

Номер патента: US5924483A. Автор: Donald J. Frasier. Владелец: Allison Engine Co Inc. Дата публикации: 1999-07-20.

Cleaning articles comprising a cellulosic fibrous structure having discrete low basis weight regions and an inverse emulsion

Номер патента: CA2295743C. Автор: David William Cabell,Steven Lee Barnholtz,Nicholas James Nissing. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2003-04-22.

Turbine structure and gate structure having flexible joint and inside stuffing for tidal power plant

Номер патента: US20100014920A1. Автор: Jae Hoon Kim,Kyung Soo Jang,Jong Ah Lim,Young Mook Chyung,Jae Hee Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Cleaning articles comprising a cellulosic fibrous structure having discrete low basis weight regions and an inverse emulsion

Номер патента: WO1999001536A1. Автор: David William Cabell,Steven Lee Barnholtz,Nicholas James Nissing. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 1999-01-14.

Method for forming composite structures having sections extending in different directions

Номер патента: CA1273766A. Автор: Richard B. Freeman. Владелец: Budd Co. Дата публикации: 1990-09-11.

Polymeric structure having improved barrier properties and method of making same

Номер патента: US4816342A. Автор: James A. Wachtel,Christopher J. Farrell,Boh Tsai. Владелец: American National Can Co. Дата публикации: 1989-03-28.

Latex-modified, pretensioned and prestressed structures having enhanced structural load bearing capacity

Номер патента: US4151145A. Автор: Daniel Moldovan,Gale L. Emig. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1979-04-24.

Paint for highly corrosion-resistant zinc-alloy coated steels and steel structure having coated film of said paint

Номер патента: CA2564890C. Автор: Masahiro Yamamoto. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2010-10-05.

Composite structure having predetermined temperature/time profiles, and method of making same

Номер патента: US5270550A. Автор: Richard T. Martorana,Harland E. Alpaugh, Jr.,Edward S. Hickey,David R. Fairbanks,Ingrid L. Gorman,Kristie A. DePrete. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 1993-12-14.

Process for the production of a strip of a chromium stainless steel of a duplex structure having high strength and elongation as well as reduced plane anisotropy

Номер патента: CA1305911C. Автор: Hiroshi Fujimoto,Teruo Tanaka,Katsuhisa Miyakusu. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-04.

Transparent laminated structure having peel-away film layers for use on aircraft windscreens

Номер патента: CA2574106C. Автор: Brent W. Barbee,E. Andrew Hough. Владелец: VTOL LLC. Дата публикации: 2015-02-10.

Method for producing a ceramic honeycomb structure having no cracks

Номер патента: CA1063324A. Автор: Isao Tanabashi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1979-10-02.

Metallic tubular structure having improved collapse strength and method of producing the same

Номер патента: CA1196584A. Автор: Kenichi Tanaka,Katsuyuki Tokimasa. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1985-11-12.

Container structure having reclosable cap that is heat-sealed on lid film

Номер патента: WO2011052997A3. Автор: Ki Min Rhyu,Tae Hong Cheong,Gu Hoan Cha,Kyoung Sik Jo. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP.. Дата публикации: 2011-10-13.

Novel Technique to Fabricate Molded Structures Having a Patterned Porosity

Номер патента: US20080102438A1. Автор: Alessandro Sannino,Ioannis V. Yannas,Abel Z. Hastings,Brendan Harley. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2008-05-01.

Ceramic cellular structure having high cell density and method for producing same

Номер патента: US3943994A. Автор: Joseph J. Cleveland. Владелец: GTE Sylvania Inc. Дата публикации: 1976-03-16.

Concrete structures having pre-cast columns joined by metal joints

Номер патента: GB2315287A. Автор: Colin Richard Banks,Raymond Gabriel O'rourke. Владелец: R O ROURKE AND SON Ltd. Дата публикации: 1998-01-28.

Supporting member, retaining wall structure having the same and building method thereof

Номер патента: CA2626713C. Автор: Seung Jong Shin,Byeong Kuk Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-27.

Fibrous structures having a contact surface

Номер патента: CA3043525A1. Автор: Antonius Lambertus De Beer,Hailing Bao,Cunming SONG. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-06-14.

Method and system of air/environmental parameter based automatic closing of one or more valves to isolate breathable air supplied to one or more levels of a structure having a firefighter air replenishment system implemented therein

Номер патента: US20240001170A1. Автор: Anthony J. Turiello. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-04.

Garment structure having adjustment mechanism for abutting at least one pad unit firmly against skin to provide at least one of electrotherapy and heat therapy

Номер патента: AU2021204227B2. Автор: Hoi Ming Michael HO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Hydrogenated polymers with a radial structure having a core based on calixarenes and use thereof in lubricant compositions

Номер патента: MY182850A. Автор: Claudio Cavallo,Marcello Notari,Alessandro Casnati,Alberto Roselli,Francesco Sansone,Alessandro Burlini. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2021-02-05.

Method and apparatus for movable structure having alternative accessible sides

Номер патента: EP1636100A2. Автор: William Jefferson Stone, Iii. Владелец: Pi Squared Design Inc. Дата публикации: 2006-03-22.

Additive manufactured airframe structure having a plurality of reinforcement elements

Номер патента: US11840323B2. Автор: John F. Gundlach,Jacob S. Allen. Владелец: Rapidflight Holdings LLC. Дата публикации: 2023-12-12.

Foam pad structure having protective film

Номер патента: US20230102636A1. Автор: Hung Ya Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-30.

Shoe structure having a lace capable for penetrating through itself

Номер патента: US20170188653A1. Автор: Chun-Teng Hsieh,Tsung-Yu Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-06.

Vehicle body structure having head-up display

Номер патента: US11718178B2. Автор: Kazuo Sakurai,Yohei KURIHARA. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Vehicle body structure having head-up display

Номер патента: US20220289027A1. Автор: Kazuo Sakurai,Yohei KURIHARA. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Airtight loose powder case structure having powder puff

Номер патента: EP4356780A1. Автор: Haiying Yang. Владелец: Shyahsin Packaging China Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Package structure having photonic integrated circuit

Номер патента: US20220050245A1. Автор: Chih-Chung Hsu,Chih-Chung Wu,Chih-Wei Peng,Zuon-Min Chuang. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2022-02-17.

Honeycomb structure having improved thermal conductivity

Номер патента: US20230286234A1. Автор: Laurent Caliman,Florian Ravise,Arnaud Bourhis. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2023-09-14.

Supporting member, retaining wall structure having the same and building method thereof

Номер патента: WO2007037574A1. Автор: Seung Jong Shin,Byeong Kuk Kwon. Владелец: Byeong Kuk Kwon. Дата публикации: 2007-04-05.

Structure having space reserved for gel overflow of electronic product

Номер патента: US20070025824A1. Автор: Steven Wang,Yung-Chi Yang. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Stirling cooler structure having multiple cooling modules

Номер патента: US11725853B2. Автор: Ching-Hsiang Cheng,Shang-Ting Huang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-08-15.

Load cell with roberval structure having anti-offset function, and weighing device

Номер патента: US20240003761A1. Автор: LI YANG,Lei Xu,Hongzhi LIN. Владелец: Mettler Toledo Changzhou Precision Instruments Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods for reinforcing existing lattice frame structures having hollow steel primary elements, particularly steel towers with tubular legs

Номер патента: WO2009098528A1. Автор: Meir Silber. Владелец: Meir Silber. Дата публикации: 2009-08-13.

Foam pad structure having protective film

Номер патента: US11957252B2. Автор: Hung Ya Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-16.

Aerodynamic structures having lower surface spoilers

Номер патента: US20170259908A1. Автор: Gregory M. Santini,Stephen Roger Amorosi,Paul M. Vijgen,Christopher Andrew Konings,Kevin Mark Johnsen,Brian E. GEPPERT,Sean C. Omeara. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-09-14.

Package structure having photonic integrated circuit

Номер патента: US11988867B2. Автор: Chih-Chung Hsu,Chih-Chung Wu,Chih-Wei Peng,Zuon-Min Chuang. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4074650A2. Автор: Tao Lu,Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-10-19.

Recombinant expression vector and lipid membrane structure having said vector encapsulated therein

Номер патента: US11814640B2. Автор: Takuya Ishikawa,Hidetaka Akita,Hideyoshi Harashima,Yuma Yamada. Владелец: Luca Science Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Nuclear fuel pellet laminate structure having enhanced thermal conductivity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358645A1. Автор: Dong-Joo Kim,Jae-Ho Yang,Hyun Gil Kim,Dong Seok Kim,Heung Soo LEE,Jihae Yoon. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2021-11-18.

Delivery tool and method for forming a structure having a layer of hardened paste and particles under the layer

Номер патента: US20200367953A1. Автор: Jiin-Huey Chern Lin,Chien-Ping Ju,Yen-Chun Chen,Bing-chen YANG. Владелец: Joy Medical Devices Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Crash structure having adjustable rigidity for a deformation element for a vehicle

Номер патента: US20130207407A1. Автор: Thomas Friedrich,Bernd Goetzelmann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-08-15.

Crash structure having adjustable rigidity for a deformation element for a vehicle

Номер патента: US8882181B2. Автор: Thomas Friedrich,Bernd Goetzelmann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-11-11.

Pulley and structure having the same connected with driven unit

Номер патента: US20230003286A1. Автор: Zerui Wang. Владелец: Cornerstone Technology Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for providing approximate electronic-structure models from calculated band structure data

Номер патента: US11023639B2. Автор: Kurt Stokbro,Mattias Palsgaard. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Electronic structure comprising a multi-application component; methods and coding key for its implementation

Номер патента: AU1711095A. Автор: Jerome Gilbert. Владелец: Euro CP Sarl. Дата публикации: 1995-08-21.

Real-Time Mapping of Electronic Structure with Single-Shot Two-Dimensional Electronic Spectroscopy

Номер патента: US20130222801A1. Автор: Harel Elad,Engel Gregory S.. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2013-08-29.

Multi-electrode electron excitation based simulation method for non-equilibrium electronic structures of nanodevices and apparatus therefore

Номер патента: US20210049316A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Juho Lee,Han Seul Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-02-18.

METHOD AND ELECTRONIC APPARATUS FOR PREDICTING ELECTRONIC STRUCTURE OF MATERIAL

Номер патента: US20190065968A1. Автор: KIM Donghun,KIM Chansoo,HAN Sang Soo,YEO Byung Chul. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-02-28.

METHOD AND ELECTRONIC DEVICE FOR PREDICTING ELECTRONIC STRUCTURE OF MATERIAL

Номер патента: US20190251459A1. Автор: KIM Seung Chul,Kim Dong Hun,HAN Sang Soo,YEO Byung Chul. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-08-15.

FLEXIBLE ELECTRONIC STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160034104A1. Автор: LU Tien-Rong,LEE Hsing-Ying,TANG Da-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

TECHNIQUES FOR OBTAINING ACCURATE DIAGONAL ELECTRONIC STRUCTURE HAMILTONIANS

Номер патента: US20210035009A1. Автор: Babbush Ryan,McClean Jarrod Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

First-principles-derived effective mass approximation simulation method and system for accurate and efficient computational design of electronic structure and optical properties of quantum nanostructures

Номер патента: US20220180977A1. Автор: Yong-Hoon Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-06-09.

METHODS FOR A MULTI-SCALE DESCRIPTION OF THE ELECTRONIC STRUCTURE OF MOLECULAR SYSTEMS AND MATERIALS AND RELATED APPLICATIONS

Номер патента: US20150142398A1. Автор: MILLER,III Thomas F,MANBY Frederick R. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Electronic Structures on Swollen Hydrogels

Номер патента: US20170156621A1. Автор: Bettinger Christopher J.,Wu Haosheng,Zhu Congcong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Molded Electronic Structures in Body-Mountable Devices

Номер патента: US20150173602A1. Автор: Liu Zenghe,Etzkorn James,Barrows Daniel Patrick,Linherdt Jeffrey George. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

METAL OXIDE INK, A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND A METHOD FOR MANUFACTURING AN ORGANIC ELECTRONIC STRUCTURE

Номер патента: US20190185695A1. Автор: Yu Binbin,Tsang Sai Wing,Cheng Yuanhang,Ma Yuhui. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Method and system for an electronic, structured content management and delivery platform

Номер патента: US20200184586A1. Автор: Thomas Ervin. Владелец: Eagree Business Systems Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

EMBEDDING ELECTRONIC STRUCTURE IN CONTROLLABLE QUANTUM SYSTEMS

Номер патента: US20200242501A1. Автор: Love Peter,Babbush Ryan,Aspuru-Guzik Alan. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

EMBEDDING ELECTRONIC STRUCTURE IN CONTROLLABLE QUANTUM SYSTEMS

Номер патента: US20160283857A1. Автор: Love Peter,Babbush Ryan,Aspuru-Guzik Alan. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Methodology To Create Constraints And Leverage Formal Coverage Analyzer To Achieve Faster Code Coverage Closure For An Electronic Structure

Номер патента: US20190278884A1. Автор: Surisetty Vinay Kumar,George Nivin Ninan,Vedantham Hari Pramoda Sri Sesha Arun,Kamasani Chaitanya. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2019-09-12.

SIMULATING ELECTRONIC STRUCTURE WITH QUANTUM ANNEALING DEVICES AND ARTIFICIAL NEURAL NETWORKS

Номер патента: US20200286595A1. Автор: Graf Tanja,Schladt Thomas,Neukart Florian,Streif Michael,Von Dollen David,Voigt Arne-Christian,Mueller Jonathan Edward. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

CRYSTALLINE IONIC OXIDES WITH MODIFIED ELECTRONIC STRUCTURE

Номер патента: US20200346938A1. Автор: KANDIANIS Michael. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

ELECTRONIC STRUCTURE FOR REPRESENTING FREEFORM OPTICAL SURFACES IN OPTICAL DESIGN SOFTWARE

Номер патента: US20200386925A1. Автор: Rogers John Rice,Stone Bryan D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Tailoring a metal or modifying an electronic structure thereof

Номер патента: NZ701434A. Автор: John T Preston,Christopher J Nagel. Владелец: Electromagnetics Corp. Дата публикации: 2016-01-29.

Design method of high-entropy ceramic thermal protection material based on electronic structure cooperation

Номер патента: CN112358301B. Автор: 罗晓光,俞继军,邓代英,陈连忠,艾邦成,陈思员. Владелец: China Academy of Aerospace Aerodynamics CAAA. Дата публикации: 2022-06-03.

Air guide device for influencing wind direction of heat supply from heat-generating electronic structural elements has several guide elements arranged inside on outlet opening and spread out round bearing to reduce noise

Номер патента: DE10330088A1. Автор: Bor-Haw Chang,Wen-Hao Liu. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Electronic structure for and method of random tool selection

Номер патента: CA1026851A. Автор: James L. Koontz,James D. Lewelling,Robert S. Sutton,Drake C. Fink. Владелец: Ex-Cell-O Corp. Дата публикации: 1978-02-21.

Computer-aided medicine design system of electronic structure

Номер патента: CN111312342A. Автор: 曹小伍,雷铭轩. Владелец: Hangzhou Yisheng Medical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-19.

Hybrid optical/electronic structures fabricated by a common molding process

Номер патента: US20080310799A1. Автор: Casimer DeCusatis,Lawrence Jacobowitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-18.

Adhesive tape for encapsulating electronic structure

Номер патента: CN109642125B. Автор: T.克拉温克尔,C.舒赫. Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2021-10-26.

Self-assembling bacterial S-layer protein with modified electronic structure, process for its preparation and its use

Номер патента: DE102004042286B4. Автор: Alexander Kirchner,Michael Dr. Mertig,Wolfgang Prof. Pompe,Denis Dr. Vyalikh,Steffen Dr. Danzenbächer,Yuriy Dr. Dedkov,Serguei Dr. Molodtsov. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2008-11-13.

Electronic structure for and method of random tool selection

Номер патента: CA972942A. Автор: James L. Koontz,James D. Lewelling,Robert S. Sutton,Drake C. Fink. Владелец: Ex-Cell-O Corp. Дата публикации: 1975-08-19.

Method for organizing a process for internet trading of stock-exchange resources and electronic structure for implementing same

Номер патента: WO2012134326A1. Автор: Яков Михайлович Ашкиназий,Альберт Эрикович ВАЛИЕВ. Владелец: Ashkinazy Yakov Mikhailovich. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for producing an electronic structure on a glass pane and glass sheet having at least one glass pane of this type

Номер патента: WO2020079252A3. Автор: THOMAS Rainer,Heinrich Ostendarp,Bernhard Hötger. Владелец: Hegla Boraident Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2020-07-02.

Hybrid optical/electronic structures fabricated by a common molding process

Номер патента: US7898736B2. Автор: Casimer DeCusatis,Lawrence Jacobowitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Electronic structure for representing freeform optical surfaces in optical design software

Номер патента: US20200386925A1. Автор: Bryan D. Stone,John Rice Rogers. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Seamless unitary deflection member for making fibrous structures having increased surface area and process for making same

Номер патента: US11761151B2. Автор: John Allen Manifold,James Michael Singer,John Leslie Brent. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2023-09-19.

Seamless unitary deflection member for making fibrous structures having increased surface area and process for making same

Номер патента: US09926667B2. Автор: John Allen Manifold,John Leslie Brent, JR.,James Michael Singer. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-03-27.

Sole structure masters, sole structure molds and sole structures having indicia and/or texture

Номер патента: US09474327B2. Автор: Dennis D. Bunnell,Michael Hughes. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Secondary moisture drainage system for structures having pre-manufactured exterior cladding systems

Номер патента: WO2003023159A1. Автор: Michael W. Ryan. Владелец: Clark Pacific. Дата публикации: 2003-03-20.

Honeycomb body with radial honeycomb structure having transition structural component and extrusion die therefor

Номер патента: EP3676483A1. Автор: Amit Halder. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Honeycomb body with radial honeycomb structure having transition structural component and extrusion die therefor

Номер патента: US20200254433A1. Автор: Amit Halder. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Exhaust structure having rib

Номер патента: US20240309793A1. Автор: Vikas Sheth,Nataraj SRINIVASAN. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Structural object for road and road structure having the same

Номер патента: US09777449B2. Автор: Kenji Tadakuma. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Leaching method for underground non-ferrous metal ore having in situ reducers

Номер патента: RU2264535C2. Автор: Г.С. Гребнев,В.А. Кравцов,А.И. Заболоцкий,Н.В. Савен,Н.В. Савеня,И.П. Агалаков,В.В. Левин. Владелец: Левин Всеволод Вадимович. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of laser 3d scanning of operative definition of deformation degree of structure having complex structural shape

Номер патента: RU2572054C1. Автор: Андрей Юрьевич Тараканов,Олег Анатольевич Медведев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт по проблемам гражданской обороны и чрезвычайных ситуаций МЧС России" (федеральный центр науки и высоких технологий). Дата публикации: 2015-12-27.

Polymeric structures having polymeric microneedles and methods for making and using same

Номер патента: WO2024227075A1. Автор: Joseph M. Desimone,YUE Xu,Curtis W. Frank,Maria T. Dulay,Hsiang-Hua Hung,Gunilla B. Jacobson,Madison M. DRISKILL,Ian A. COATES,Jillian PERRY,Shaomin TIAN,Netra U. RAJESH,Stephanie M. BOCZEK,Emily QIAN. Владелец: The University of North Carolina at Chapel Hill. Дата публикации: 2024-10-31.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of laser 3d scanning of operative definition of deformation degree of structure having complex structural shape

Номер патента: RU2572056C1. Автор: Андрей Юрьевич Тараканов,Олег Анатольевич Медведев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт по проблемам гражданской обороны и чрезвычайных ситуаций МЧС России" (федеральный центр науки и высоких технологий). Дата публикации: 2015-12-27.

Method to determine change in deflected mode of building structure or structure having complicated three-dimensional shape

Номер патента: RU2292433C1. Автор: Александр Юрьевич Степанов,Владимир Владимирович Гурьев,Александр Николаевич ДМИТРИЕВ,Владимир Михайлович Дорофеев,Юрий Пантелеймонович Григорьев. Владелец: Государственное унитарное предприятие города Москвы Московский научно-исследовательский и проектный институт типологии, экспериментального проектирования (ГУП МНИИТЭП). Дата публикации: 2007-01-27.

Articles of composite structure having appearance of wood

Номер патента: CA2474224A1. Автор: Tommy L. Liittschwager,Amado Domas,Tim Mccleery,Dennis W. Albright. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of production of dielectric layer of mis structures having effect of conductivity switching

Номер патента: RU2529442C2. Автор: Александр Степанович Рудый,Аркадий Евгеньевич Бердников,Александр Александрович Мироненко,Валерий Николаевич Гусев,Виктор Николаевич Геращенко,Александр Александрович Орликовский,Александр Афанасьевич Попов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-27.

Method of laser 3d scanning of operative definition of deformation degree of structure having complex structural shape

Номер патента: RU2572055C1. Автор: Андрей Юрьевич Тараканов,Олег Анатольевич Медведев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт по проблемам гражданской обороны и чрезвычайных ситуаций МЧС России" (федеральный центр науки и высоких технологий). Дата публикации: 2015-12-27.

Structure of dielectric layer for mis structures having conductivity switching effect

Номер патента: RU2563553C2. Автор: Александр Степанович Рудый,Аркадий Евгеньевич Бердников,Александр Александрович Мироненко,Валерий Николаевич Гусев,Александр Александрович Орликовский,Александр Афанасьевич Попов,Владимир Дмитриевич Черномордик. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук. Дата публикации: 2015-09-20.

Elastomeric structures having controlled surface release characteristics

Номер патента: CA1292916C. Автор: Myron D. Sanders,Cleo M. Williams,William C. Cook. Владелец: Firestone Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1991-12-10.

Structure having a movable panel

Номер патента: CA1280317C. Автор: James Alexander Webster. Владелец: Click Systems Ltd. Дата публикации: 1991-02-19.

Scaffold equipment set to erect buildings and building structures having cast-in-place frame

Номер патента: RU2296841C2. Автор: Владимир Юрьевич Еранов. Владелец: Владимир Юрьевич Еранов. Дата публикации: 2007-04-10.

Shoe sole structure having controlled slippage

Номер патента: CA1185428A. Автор: Frederick J. Diamant. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-04-16.

Articles of composite structure having appearance of wood

Номер патента: CA2474224C. Автор: Tommy L. Liittschwager,Amado Domas,Tim Mccleery,Dennis W. Albright. Владелец: Jeld Wen Inc. Дата публикации: 2005-06-14.

Fixing structure of electronic structure

Номер патента: TWM289917U. Автор: Tsz-Huei Shiu. Владелец: Tsz-Huei Shiu. Дата публикации: 2006-04-21.

PROCESS OF ELECTRONIC STRUCTURE AND ELECTRONIC STRUCTURE

Номер патента: US20120228015A1. Автор: Ho Chung W.. Владелец: SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-13.

MULTILAYER ELECTRONIC STRUCTURE WITH INTEGRAL STEPPED STACKED STRUCTURES

Номер патента: US20130319737A1. Автор: HURWITZ DROR. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

MULTILAYER ELECTRONIC STRUCTURE WITH THROUGH THICKNESS COAXIAL STRUCTURES

Номер патента: US20130319738A1. Автор: HURWITZ DROR,Huang Alex,Chan Simon. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

GaN-based Semiconductor Light Emitting Devices of Quantum Well Electronic Structures Resonating with Two-dimensional Electron Gas

Номер патента: KR100330228B1. Автор: 조장연,김근주. Владелец: (주)나리지* 온. Дата публикации: 2002-03-25.

Fixing structure of electronic structure

Номер патента: TWM289916U. Автор: Tsz-Huei Shiu. Владелец: Tsz-Huei Shiu. Дата публикации: 2006-04-21.

Solution-Processed Organic Electronic Structural Element with Improved Electrode Layer

Номер патента: US20120220075A1. Автор: Kanitz Andreas,Pätzold Ralph,Sarfert Wiebke,Suhonen Riikka. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

MULTILAYER ELECTRONIC STRUCTURES WITH INTEGRAL VIAS EXTENDING IN IN-PLANE DIRECTION

Номер патента: US20130319736A1. Автор: HURWITZ DROR. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

MULTILAYER ELECTRONIC STRUCTURES WITH VIAS HAVING DIFFERENT DIMENSIONS

Номер патента: US20130319747A1. Автор: HURWITZ DROR. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

MULTILAYER ELECTRONIC STRUCTURE WITH NOVEL TRANSMISSION LINES

Номер патента: US20130321104A1. Автор: HURWITZ DROR. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

MULTILAYER ELECTRONIC STRUCTURE WITH INTEGRAL FARADAY SHIELDING

Номер патента: US20130322029A1. Автор: HURWITZ DROR. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

MULTILAYER ELECTRONIC STRUCTURE WITH STEPPED HOLES

Номер патента: US20130333934A1. Автор: HURWITZ DROR,Huang Alex,Chan Simon. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

ELECTRONIC STRUCTURE CONTAINING A VIA ARRAY AS A PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTION

Номер патента: US20140042627A1. Автор: EDELSTEIN Daniel C.,Gates Stephen M.,Pfeiffer Dirk,Fritz Gregory M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR PHOTONIC AND ELECTRONIC STRUCTURES AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20140341503A1. Автор: Sandhu Gurtej,Meade Roy. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Methods for adjusting and controlling graphene film electronic structure

Номер патента: CN105132883A. Автор: 金虎,周振义,蔡晓岚. Владелец: 2d Carbon (changzhou) Tech Inc Ltd. Дата публикации: 2015-12-09.

The computational methods and its system of Electronic Structure

Номер патента: CN107644111A. Автор: 刘磊,朱煜,郭鸿. Владелец: Micro Technology (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Device for examining electronic structure of substance

Номер патента: SU1322800A1. Автор: С.А. Воробьев,А.П. Потылицын. Владелец: Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова. Дата публикации: 1992-05-30.

Mixer with electronic structure of swaing

Номер патента: CN213434184U. Автор: 单志超. Владелец: Dongguan Rilong Food Co ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Container for small electronic structural components

Номер патента: USD265989S. Автор: Bobby J. Harris,James P. Sayers. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-08-31.

Electronic structure process

Номер патента: TWI643275B. Автор: 張文遠,陳偉政,宮振越. Владелец: 上海兆芯集成電路有限公司. Дата публикации: 2018-12-01.

Electronic structure Computer-Aided Drug Design system and method

Номер патента: CN109671472A. Автор: 吴晓东,周林祥,周文瑾. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-04-23.

Experimentation board for studing electronic structure of car

Номер патента: KR200244023Y1. Автор: 정연종. Владелец: 정연종. Дата публикации: 2001-10-15.

Method for characterizing grain boundary properties and fracture characteristics of ferrous material using electronic structure parameter

Номер патента: CN1279354C. Автор: 马钺,章晓中,齐俊杰,张丽娜. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2006-10-11.

Photo- and electron structure-forming information medium

Номер патента: MD3895F1. Автор: Andrei Andries,Valeriu BIVOL,Stefan Robu,Dmitri Mitcov,Alexei Mesalchin,Alexandru Prisacar,Serghei Sergheev,Ghenadii Triduh. Владелец: Institutul De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Moldovei. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for manufacturing anti-interference flexible electronic structure

Номер патента: CN105320336A. Автор: 卢添荣,李杏樱,唐大庆. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2016-02-10.

Multi layer printed circuit board electronic structure and method for fabricating the same

Номер патента: TW201143557A. Автор: Hsien-Chieh Lin. Владелец: Nan Ya Printed Circuit Board. Дата публикации: 2011-12-01.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.