Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Integrated circuit structures having backside capacitors

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: US20240215256A1
Опубликовано: 27-06-2024
Автор(ы): Abhishek Anil Sharma, Anand S. Murthy, Pushkar Ranade, Sagar SUTHRAM, Tahir Ghani, Wilfred Gomes
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: EP4401525A2. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Multi-dimensional photonic integrated circuits and memory structure having optical components mounted on multiple planes of a multi-dimensional package

Номер патента: US11862736B2. Автор: Danny Rittman,Aliza Schnapp. Владелец: GBT Tokenize Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit structure with backside power delivery for multi-height standard cell circuits

Номер патента: US20240063210A1. Автор: Richard E. Schenker,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,Somashekar BANGALORE PRAKASH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated circuit with guard ring structure

Номер патента: EP4362090A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Keith Zawadzki,Kimberly Pierce,June CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Integrated circuit structures having differentiated interconnect lines in a same dielectric layer

Номер патента: US12080643B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Shem O. Ogadhoh,Yih Wang,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Iso-level vias for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4199053A1. Автор: Charles H. Wallace,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Seung-June Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit system having stripline structure

Номер патента: US09520368B1. Автор: Samuel D. Tonomura,John G. Heston,Chad Patterson,Ethan S. HEINRICH,Michael M. Fitzgibbon,Anthony M. Petrucelli,Cynthia Y. Hang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-12-13.

Integrated circuit structure, voltage-controlled oscillator and power amplifier

Номер патента: US20190019749A1. Автор: Sheng-Hung Lin,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Integrated circuit structures having two-transistor gain cell

Номер патента: US20240221821A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4443484A2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit line ends formed using additive processing

Номер патента: US09418935B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Lars W. Liebmann,Dongbing Shao,Lei L. Zhuang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuit structures having backside high

Номер патента: US20240213140A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Ibrahim Ban,Pratik KOIRALA,Thomas Hoff,Samuel James Bader,Nityan NAIR,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: US20240332166A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: EP4443483A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008782A1. Автор: Ping-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Integrated circuit structure with through-semiconductor via

Номер патента: US20150115460A1. Автор: Fen Chen,Timothy D. Sullivan,Minhua Lu,Ping-Chuan Wang,Lijuan Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Via profile shrink for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4191651A1. Автор: Weimin Han,Charles H. Wallace,Sudipto NASKAR,Shashi Vyas,Tiffany Zink. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Integrated FinFET structure having a contact plug pitch larger than fin and first metal pitch

Номер патента: US09653346B2. Автор: Shih-Chin Lin,Chen-Hsien Hsu,Ming-Jui Chen,Kuei-Chun Hung,Jerry Che Jen HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US09741687B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit structure with refractory metal alignment marker and methods of forming same

Номер патента: US09806032B1. Автор: Wei Lin,Upinder Singh,Nailong He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Grounded die seal integrated circuit structure for RF circuits

Номер патента: US09640494B1. Автор: Vikas Sharma. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit structure with recessed self-aligned deep boundary via

Номер патента: US20230420360A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Conor P. PULS,Makram Abd El Qader,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structure with metal crack stop and methods of forming same

Номер патента: US09589911B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit structure with recessed self-aligned deep boundary via

Номер патента: EP4300558A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Conor P. PULS,Makram Abd El Qader,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230275088A1. Автор: Xiangdong Chen,Wei-Ling Chang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO,Hsiang-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143150A1. Автор: Xiangdong Chen,Wei-Ling Chang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO,Sang-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09704802B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing a low dielectric constant inter-level integrated circuit structure

Номер патента: US5880018A. Автор: Terry Grant Sparks,Bruce Allen Boeck,Jeff Thomas Wetzel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Integrated circuit with test circuit

Номер патента: US09646954B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-Wen Liu,Shih-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for protecting data stored in a memory, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US12125808B2. Автор: Fabrice Marinet,Pascal Fornara. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-10-22.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A3. Автор: Duncan Stewart,Frederick A Perner,R Stanley Williams,Gregory S Snider,Phillip J Kuekes. Владелец: Phillip J Kuekes. Дата публикации: 2007-08-16.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: EP1872398A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-01-02.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2006-11-02.

90 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6541873B1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US09984964B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US09716056B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Non-hierarchical metal layers for integrated circuits

Номер патента: US09543193B2. Автор: Dian-Hau Chen,Shyue-Shyh Lin,Li-Chun Tien,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US09478492B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Dielectric plugs for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105597A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Power grid layout techniques on integrated circuits

Номер патента: EP1503416A3. Автор: John Campbell,Kim R. Stevens,Luigi De Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Integrated circuit with protective element

Номер патента: US20240274595A1. Автор: Edgardo Laber,James Edwin Vinson. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: US20240332172A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: EP4443515A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram ADB EI QADER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit structure with backside power delivery

Номер патента: EP4202991A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Marni NABORS,Kevin Fischer,Curtis Tsai,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuit structure with backside power staple

Номер патента: US20230420512A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,June CHOI,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structure with backside power staple

Номер патента: EP4300565A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,June CHOI,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Layout designs of integrated circuits having backside routing tracks

Номер патента: US11908852B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuit structures with pre-epitaxial deep via structure

Номер патента: US20230317595A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Sukru Yemenicioglu,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: US20230299157A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: EP4246563A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345871A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US20240363530A1. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit structures having memory with backside dram and power delivery

Номер патента: US20230422485A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having memory with backside power delivery

Номер патента: US20230420368A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit package substrate with microstrip architecture and electrically grounded surface conductive layer

Номер патента: US09972589B1. Автор: Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Jiun Hann Sir,Hoay Tien Teoh,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit structures having routing across layers of channel structures

Номер патента: US20240222271A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US12080641B2. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Layout designs of integrated circuits having backside routing tracks

Номер патента: US20220320070A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20180150589A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Shang-Chih Hsieh,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Meng-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12057492B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220059400A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20240304544A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240332399A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with crack stop and method of forming same

Номер патента: US09589912B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Layout designs of integrated circuits having backside routing tracks

Номер патента: EP3944311A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Integrated circuit having a contact etch stop layer

Номер патента: US09508814B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Contact over active gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11031487B2. Автор: Tahir Ghani,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Atul Madhavan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Layout designs of integrated circuits having backside routing tracks

Номер патента: US20240178214A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Layout designs of integrated circuits having backside routing tracks

Номер патента: US20220020738A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20210343342A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US11837539B2. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105598A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for forming an integrated circuit having transistor gates over an interconnection structure

Номер патента: US12062658B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355820A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US12087684B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Three dimensional integrated circuit structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09583465B1. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yi-Hsiu Chen,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and method of forming same

Номер патента: US20240201458A1. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258221A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US20240363523A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20210343645A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US20240047348A1. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259773A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Integrated Circuit Structure and Method for Reducing Polymer Layer Delamination

Номер патента: US20210351173A1. Автор: Hsien-Wen Liu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Min-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115266A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US12125746B2. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Integrated circuit structure and method for reducing polymer layer delamination

Номер патента: US09583424B2. Автор: Hsien-Wen Liu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Min-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Dual metal gate structure having portions of metal gate layers in contact with a gate dielectric

Номер патента: US11955532B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Three-dimensional integrated circuit structure and bonded structure

Номер патента: US09620488B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit chips, integrated circuit packages including the integrated circuit chips, and display apparatuses including the integrated circuit chips

Номер патента: US20200235091A1. Автор: Woon-bae Kim,Young-Mok Kim,Dae-cheol Seong,Yune-seok CHUNG,Jung-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Integrated circuit structures having recessed channel transistor

Номер патента: US20240006412A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having airgaps for backside signal routing or power delivery

Номер патента: US20240006305A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having vertical keeper or power gate for backside power delivery

Номер патента: US20240006317A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having vertical power gate transistor for backside power delivery

Номер патента: EP4300561A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: EP4328966A1. Автор: Tanay Karnik,Mondira Pant,Ragh Kuttappa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Integrated circuit structure with recessed trench contact and deep boundary via

Номер патента: US20240178101A1. Автор: Feng Zhang,Guowei Xu,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: US20240071870A1. Автор: Tanay Karnik,Ragh Kuttappa,Mondira Deb PANT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit structures having lookup table decoders for fpgas

Номер патента: US20240222276A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Device contact sizing in integrated circuit structures

Номер патента: EP3886176A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Multiple driver pin integrated circuit structure

Номер патента: US09935057B2. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit structures having ultra-high conductivity global routing

Номер патента: US20240006416A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Multi-height & multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US20240304549A1. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit structures having aoi gates with routing across nanowires

Номер патента: US20230420533A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structure with through-metal through-substrate interconnect and method

Номер патента: US12062574B2. Автор: Zhong-Xiang He,Mark D. Levy,Alvin J. Joseph,Richard J. Rassel,Jeonghyun Hwang,Ramsey M. Hazbun. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US09786592B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Three dimensional integrated circuit structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09633917B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Wen-Ching Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming conductive and resistive circuit structures in an integrated circuit or printed circuit board

Номер патента: EP3278359A1. Автор: Juan Alejandro Herbsommer,Benjamin S. Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Metallization Process for an Integrated Circuit

Номер патента: US20230197514A1. Автор: Naoto Horiguchi,Zsolt Tokei,Serge Biesemans,Julien Ryckaert,Bilal Chehab,Victor Hugo VEGA GONZALEZ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11887838B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105520A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit packages

Номер патента: US12057439B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit packages

Номер патента: US20240355782A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Wireless communicating among vertically arranged integrated circuits (ICs) in a semiconductor package

Номер патента: US09570420B2. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Arya Reza Behzad,Sam Ziqun Zhao,Michael BOERS,Jesus Alfonso Castaneda. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Epitaxial source or drain structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11411095B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Subhash Joshi,Michael J. Jackson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11948997B2. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11837456B2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240038578A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240162332A1. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Integrated circuit with reduced stress on circuit components and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP3872849A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield SPALDING. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-09-01.

Methods and apparatus for integrated circuit failsafe fuse package with arc arrest

Номер патента: US09865537B1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steve Kummerl,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Integrated circuit structures with contoured interconnects

Номер патента: US20230317597A1. Автор: Jiho KANG,Ebubekir Dogan,Ramanan Ehamparam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11955534B2. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Dual metal silicide structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11961767B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Jeffrey S. LEIB,Srijit Mukherjee,Vinay BHAGWAT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240047556A1. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A3. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Dual metal silicide structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240178071A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Jeffrey S. LEIB,Srijit Mukherjee,Vinay BHAGWAT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Dual metal gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240186403A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit package with embedded passive structures

Номер патента: US09673173B1. Автор: Zhe Li,Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit structure including fuse and method thereof

Номер патента: US20160049367A1. Автор: I-Cheng Rou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Fin patterning for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11881520B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis Ward,Heidi M. MEYER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Gallium nitride (gan) three-dimensional integrated circuit technology

Номер патента: NL2029033A. Автор: Radosavljevic Marko,Choi Beomseok,KOIRALA Pratik,TALUKDAR Tushar,GOMES Wilfred,Wui Then Han,S Chau Robert,A Elsherbini Adel,M Swan Johanna,K Thomas Nicole,B Fischer Paul. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Gallium nitride (gan) three-dimensional integrated circuit technology

Номер патента: EP4218054A1. Автор: Paul B. Fischer,Robert S. Chau,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Nicole K. Thomas,Wilfred Gomes,Pratik KOIRALA,Tushar TALUKDAR,Beomseok CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Integrated circuit structure

Номер патента: US12021021B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Integrated circuit package

Номер патента: US20140070421A1. Автор: Martin Mchugh,Michael Anthony Higgins,Piers Tremlett. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Integrated circuit with backside power rail and backside interconnect

Номер патента: US20240258298A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Guo-Huei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit packaging configuration for rapid customized design and unique test capability

Номер патента: WO1988002553A2. Автор: Robert John Wojnarowski,Charles William Eichelberger,Kenneth Brakeley Ii Welles. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1988-04-07.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210020584A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzu Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit power device with automatic removal of defective devices

Номер патента: WO1991018417A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1991-11-28.

Integrated circuit device and fabrication method thereof

Номер патента: US12132011B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Ball amount process in the manufacturing of integrated circuit

Номер патента: US09997483B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09601577B1. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Stacked integrated circuits with redistribution lines

Номер патента: US09449914B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jeng-Shyan Lin,Cheng-Ying Ho,Ying-Ling Tsai,Feng-Chi Hung,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Integrated circuit packaging system with photoimagable dielectric-defined trace and method of manufacture thereof

Номер патента: US09406531B1. Автор: HeeJo Chi,Zigmund Ramirez Camacho,Bartholomew Liao Chung Foh,Sheila Marie L. Alvarez,Dao Nguyen Phu Cuong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220223717A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11799015B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20230420545A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Damaging integrated circuit components

Номер патента: US09859227B1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Damaging integrated circuit components

Номер патента: US10043765B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit structure and seal ring structure

Номер патента: US09627332B1. Автор: Shih-Wei Liang,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Packaged integrated circuit device with cantilever structure

Номер патента: US09871007B2. Автор: Bilal Khalaf,John G. Meyers,Brian J. Long,Sireesha GOGINENI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit system with distributed power supply comprising interposer and voltage regulator

Номер патента: US09406597B2. Автор: Yun-Han Lee,Shyh-An Chi,Mark Shane Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Integrated circuit device with protective antenna diodes integrated therein

Номер патента: US11862624B2. Автор: Sujeong Kim,Daeseok Byeon,Taemin OK,Inmo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuits on a wafer and methods for manufacturing integrated circuits

Номер патента: US09620456B2. Автор: Heimo Scheucher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

System For Shielding Integrated Circuits

Номер патента: US20080093742A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Power integrated circuit with high insensitivity to parasitic inductances of wires for connection to a package and package for said integrated circuit

Номер патента: US20090073625A1. Автор: Edoardo Botti,Pietro Mario Adduci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-19.

120 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6617699B2. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

120 Degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098508A1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114504B2. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220052069A1. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Integrated circuit packaging system with chip stacking and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530753B2. Автор: Daesik Choi,YoungJoon Kim,DaeSup Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: WO2023023238A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-02-23.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: EP4388588A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20220302054A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20240274560A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

3d integrated circuit (3dic) structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240258222A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit structure with flourescent material, and related methods

Номер патента: US20220375871A1. Автор: Vibhor Jain,Sebastian T. Ventrone,Siva P. Adusumilli,Sunil K. Singh,Johnatan A. Kantarovsky,Yves T. Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Multi-layer etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12119344B2. Автор: Dragos SEGHETE,David J. Towner,Christopher R. Ryder,Anthony V. Mule',Angel Aquino Gonzalez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Metal interconnect stack for integrated circuit structure

Номер патента: US6087726A. Автор: Shouli Steve Hsia,Zhihai Wang,Fred Chen. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Circuit structure for testing through silicon vias in three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US11749648B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Chun-Lin Lu,Shou-Zen Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Patterned conductive epoxy heat-sink attachment in a monolithic microwave integrated circuit (mmic)

Номер патента: EP3224861A1. Автор: David H. Altman,Shahed Reza,Susan C. Trulli. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-10-04.

Integrated circuit structures having two-level memory

Номер патента: US20240224488A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures in package substrates

Номер патента: WO2019194917A1. Автор: Sanka Ganesan,Zhichao Zhang,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Michael James Hill,Zhenguo Jiang,William James Lambert,Stephen Andrew Smith. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-10.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US12113027B2. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240371782A1. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Wafer structure for electronic integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09799653B2. Автор: David B. Kerwin,Joseph M. Benedetto. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Wafer structure for electronic integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09786608B2. Автор: David B. Kerwin,Joseph M. Benedetto. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Integrated circuit interposer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455193B2. Автор: Ido Bourstein,Carol Pincu. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance

Номер патента: US09899329B2. Автор: Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit structure having reduced cross-talk and method of making same

Номер патента: US5689134A. Автор: Nicholas F. Pasch,Aldona M. Butkus. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for improving prompt dose radiation response of mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20120306050A1. Автор: John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuit packaging system with chip stacking and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130075915A1. Автор: Daesik Choi,YoungJoon Kim,DaeSup Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Three-dimensional integrated circuit, and process and device for three-dimensional integrated circuit alignment

Номер патента: EP4099369A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Riqing Zhang,Weihua Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Integrated circuit to dielectric substrate transition

Номер патента: EP4395066A2. Автор: Ekrem Oran,Fatih Kocer,Arun Raj,Santosh Anil Kudtarkar,Christoph Maximilian STEINBRECHER,Sacid Oruc. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated circuit to dielectric substrate transition

Номер патента: EP4395066A3. Автор: Ekrem Oran,Fatih Kocer,Arun Raj,Santosh Anil Kudtarkar,Christoph Maximilian STEINBRECHER,Sacid Oruc. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240332280A1. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Tao Yu,Chun-Yao Ku,Kuan-Ting Chen,Jyun-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Packages for integrated circuits and methods of packaging integrated circuits

Номер патента: US09786838B2. Автор: Angelo V. Ugge. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US11996375B2. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: EP1465249A3. Автор: Anthony M Chiu,Tom Q Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-20.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: US20040195685A1. Автор: Anthony Chiu,Tom Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-07.

Integrated circuit structure having dies with connectors

Номер патента: US09653423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: EP4394875A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Three-dimensional integrated circuit structures providing thermoelectric cooling and methods for cooling such integrated circuit structures

Номер патента: US09847272B2. Автор: WEI Liu,Kheng Chok Tee,Juan Boon Tan,Kam Chew Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuit structures having vertical shared gate high-drive thin film transistors

Номер патента: US20240222520A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures with recessed conductive contacts for package on package

Номер патента: US09865568B2. Автор: Robert L. Sankman,Islam A. Salama,Ram S. Viswanath,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Kyu-Oh Lee,Babak Sabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: EP2614524A1. Автор: Shahed Reza,Roberto W. Alm,Edward Swiderski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-07-17.

Monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: WO2012033641A1. Автор: Shahed Reza,Roberto W. Alm,Edward Swiderski. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2012-03-15.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09892970B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrating chip scale packaging metallization into integrated circuit die structures

Номер патента: US20040245631A1. Автор: Martin Alter. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Package structure having an integrated waveguide configured to communicate between first and second integrated circuit chips

Номер патента: US09537199B2. Автор: Duixian Liu,Bing Dang,Jean-Olivier Plouchart,Alberto Valdes-Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220384303A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210020601A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240379635A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US09484530B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Three-dimensional silicon structure for integrated circuits and cooling thereof

Номер патента: US09997494B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit structures with extended conductive pathways

Номер патента: US20190109063A1. Автор: Yen Hsiang Chew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Methods of manufacturing three-dimensional integrated circuit structures

Номер патента: US12136619B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated circuit structures having memory access transistor with backside contact

Номер патента: US20240008253A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Structure and formation method of integrated circuit structure

Номер патента: US10134807B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wen-Chun YOU,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: US20240222360A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3D integrated circuits

Номер патента: US09817928B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Multi-component integrated circuit contacts

Номер патента: US7115998B2. Автор: Warren M. Farnworth,William M. Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-03.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit package with plated heat spreader

Номер патента: US09559036B1. Автор: Yuanlin Xie,Steven Hsieh. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using jumping drops vapor chambers

Номер патента: US20190393193A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Integrated circuit component and package structure having the same

Номер патента: US10957610B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Chao-Hsiang Yang,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

Hybrid system including photonic and electronic integrated circuits and cooling plate

Номер патента: US12100701B1. Автор: Ramakanth Alapati,Gabriel J. Mendoza. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748203B2. Автор: Kyunghwan Kim,DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Donor cores to improve integrated circuit yield

Номер патента: US09612988B2. Автор: Gerald K. Bartley,William P. Hovis,Darryl J. Becker,Philip R. Germann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Offset integrated circuit packaging interconnects

Номер патента: US09478482B2. Автор: Leilei Zhang,Zuhair Bokharey. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuit package and method of forming the same

Номер патента: US09455241B2. Автор: Kiyoshi Kuwabara,Yonggang Jin,Xavier Baraton. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Integral circuit assembly

Номер патента: RU2145732C1. Автор: Удо Детлеф,Киршбауер Йозеф,Менш Ханс-Георг,Штампка Петер,Штекхан Ханс-Хиннерк. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2000-02-20.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US20180108566A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: US20120063097A1. Автор: Shahed Reza,Roberto W. Alm,Edward Swiderski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-03-15.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Integrated circuit package system with integrated circuit support

Номер патента: US20070108559A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan,Henry Bathan,Zigmund Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A4. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2006-05-31.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: WO1999046965A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Technology, LLC. Дата публикации: 1999-09-16.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2000-12-27.

Methods of forming integrated circuit packages

Номер патента: US20240379602A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Shih Ting Lin,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Package to mount chip in integrated circuit and process of its assembly

Номер патента: RU2191445C2. Автор: Стефен Уэсли МАККВЭРРИ,Уэйн Расселл СТОРР,Джеймс Уоррен УИЛСОН. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2002-10-20.

Stacked integrated circuit chip assembly

Номер патента: WO2007047808A2. Автор: Chad A. Vos. Владелец: LITTELFUSE, INC.. Дата публикации: 2007-04-26.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US12027472B2. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Ramji Sitaraman LAKSHMANAN,Laurence Brendan O'Sullivan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Stackable integrated circuit package and method therefor

Номер патента: EP1644976A2. Автор: Hem P. Takiar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Integrated circuit package system with interconnect support

Номер патента: US20090250798A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey D. Punzalan,Henry D. Bathan,Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure

Номер патента: US20240258220A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit package with improved electro-static discharge protection

Номер патента: US20050242415A1. Автор: Robert Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Multiple ball grid array (bga) configurations for a single integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20210066178A1. Автор: Dinesh Somasekhar,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: WO2001095377A3. Автор: Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M Graettinger,Steven D Cummings. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Transfer molding of integrated circuit packages

Номер патента: US20050275091A1. Автор: Marie-Claude Paquet,Catherine Dufort,Marie-France Boyaud,Real Tetreault. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Integrated circuit package system with leadframe substrate

Номер патента: SG142329A1. Автор: Cheonhee Lee,Youngnam Choi. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Through-silicon via layout for multi-die integrated circuits

Номер патента: US12107076B2. Автор: Edward Chang,Alan D. Smith,Jasmeet Singh Narang,John Wuu,Wonjun Jung,Tyrone HUANG,Christopher KLEMENT. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US20240304569A1. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Laurence Brendan O'Sullivan,Ramji Sitaraman Lakshmanan et al.. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit wafer integration with catalytic laminate or adhesive

Номер патента: US09922951B1. Автор: Konstantine Karavakis,Kenneth S. Bahl. Владелец: Sierra Circuits Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09875913B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of making thermally-isolated silicon-based integrated circuits

Номер патента: US09824932B1. Автор: Roy Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods for producing integrated circuits with interposers and integrated circuits produced from such methods

Номер патента: US09799571B2. Автор: Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

High density integrated circuit package structure and integrated circuit

Номер патента: US09768101B2. Автор: Dazhong LIANG. Владелец: CHINA CHIPPACKING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit package

Номер патента: US09754913B2. Автор: Jurgen Leonardus Theodorus Maria Raben. Владелец: Sencio BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit package

Номер патента: US09685425B2. Автор: Matthias Sauer. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Thermally-isolated silicon-based integrated circuits and related methods

Номер патента: US09646874B1. Автор: Roy H. Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Air-cooled heatsink for cooling integrated circuits

Номер патента: US09609785B1. Автор: Gerhard I. Meijer,Eric A. Eckberg,Matthew A. Butterbaugh,David R. Motschman,Raymond F. Babcock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Removable substrate for controlling warpage of an integrated circuit package

Номер патента: US09425171B1. Автор: Joseph Minacapelli,Teckgyu (Terry) Kang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit metal gate structure having tapered profile

Номер патента: US09455344B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Chiung-Han Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

INTEGRATED CIRCUIT METAL GATE STRUCTURE HAVING TAPERED PROFILE

Номер патента: US20140246712A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Yeh Chiung-Han,WU Ming-Yuan,Thei Kong-Beng,Liang Mong-Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-04.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory ultilizing aluminum metallization layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US09490423B2. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11956967B2. Автор: Sunggil Kim,Kyengmun KANG,Hyeeun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory and methods for fabricating the same

Номер патента: US09673388B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit structures with backside conductive source or drain contact having enhanced contact area

Номер патента: US20240332302A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Debaleena Nandi,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: EP4246587A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader,Tanir Ghani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290844A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A3. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290825A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Elliot N. Tan,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having backside contact with enhanced area relative to epitaxial source

Номер патента: US20230307514A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Leonard P. GULER,Nafees A. Kabir,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: US20240332077A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside source or drain contact selectivity

Номер патента: US20240332377A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: EP4439673A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit structures with backside gate cut or trench contact cut

Номер патента: US20220392896A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Fabrication of integrated circuit structures having uniformity among varying gate trench widths

Номер патента: US20240178227A1. Автор: Venkata Aditya Addepalli,Shyam Benegal KADALI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4199044A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit structures having differentiated channel sizing

Номер патента: US20230317808A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Brian Greene,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structures having conductive structures in fin isolation regions

Номер патента: US20230317731A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: US20230317788A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: EP4254480A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US20240266353A1. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: EP3678170A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: EP3736851A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US11769836B2. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Gate-all-around integrated circuit structures having necked feature

Номер патента: US20230317786A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Mohammad Hasan,Cory Weber,Varun Mishra,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with sub-fin isolation

Номер патента: US20240332301A1. Автор: Patrick Morrow,Willy Rachmady,Prashant Wadhwa,Chun-Kuo HUANG,Conor P. PULS,Giorgio Mariottini,Caleb Barrett,Daniel James Harris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures having gate cut plugremoved from trench contact

Номер патента: US20240105802A1. Автор: Robert Joachim,Robert Robinson,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Marie Conte,Kyle T. HORAK,Brandon PETERS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: EP4345876A1. Автор: Allen GARDINER,Leonard GULER,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: US20240312991A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates

Номер патента: US12113068B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: EP4432338A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US12068314B2. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US20240363628A1. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods

Номер патента: US20180190628A1. Автор: Benjamin Cook,Steve Kummerl,Robert Alan Neidorff,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated circuit structure having through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09805977B1. Автор: John J. Garant,Jorge A. Lubguban,Vijay Sukumaran,Thuy L. Tran-Quinn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer-deposition wide cut gates with non-merged spacers

Номер патента: US20230299165A1. Автор: Walid M. Hafez,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: EP4044231A1. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: US20240355819A1. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: US12051692B2. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit structure with back-side contact selectivity

Номер патента: US20240313096A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structure having thin gate dielectric device and thick gate dielectric device

Номер патента: US09806161B1. Автор: Shahab Siddiqui,Joseph F. Shepard, Jr.,Unoh Kwon,Shahrukh A. Khan,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240153947A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20210035972A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20210305436A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Substrate-less vertical diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4020597A1. Автор: Brian Greene,Avyaya Jayanthinarasimham,Suresh Vishwanath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Structure for realizing integrated circuit having schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20080096361A1. Автор: Seong-Hearn Lee,Sang-wook Kwon,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240276698A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Nano-wall Integrated Circuit Structure with High Integrated Density

Номер патента: US20220149198A1. Автор: Ke Feng,FAN Lin,Ping Li,Tao He,Xianghe ZENG,Yongbo Liao,Zhaoxi Hu,Yaosen LI,Chenxi PENG,Xuanlin XIONG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-05-12.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: EP3869547A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257452A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US11581404B2. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257453A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US12073170B2. Автор: Stefan Rusu,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of forming an integrated circuit on a low loss substrate

Номер патента: US20030008441A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Robert Scheer. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US20230282639A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Yi-Hsun CHIU,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using backside removal approach

Номер патента: EP4105979A1. Автор: Tahir Ghani,Charles Wallace,Leonard GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: US20240154037A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Integrated circuit device including peripheral circuit and cell array structures, and electronic system including same

Номер патента: US12107061B2. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US20180061976A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred J. Eller,Jerome J. B. Ciavatti. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US09842927B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jerome J. B. Ciavatti,Manfred J Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US20230352561A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20240006541A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US11742410B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit structures including a titanium silicide material

Номер патента: US12046654B2. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,John F. Richards,Srijit Mukherjee,Dan S. Lavric,Suresh Vishwanath,Jitendra Kumar JHA,Thomas T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components

Номер патента: WO2006084237A9. Автор: Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,John Fangman,Dave Piede. Владелец: Dave Piede. Дата публикации: 2006-11-09.

Improved integrated circuit structures and methods to facilitate accurate measurement of the ic devices

Номер патента: WO1998008250A1. Автор: Jeffrey C. Kalb. Владелец: California Micro Devices Corporation. Дата публикации: 1998-02-26.

Integrated circuit structures including a titanium silicide material

Номер патента: US20240332392A1. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,John F. Richards,Srijit Mukherjee,Dan S. Lavric,Suresh Vishwanath,Jitendra Kumar JHA,Thomas T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures with gate volume reduction

Номер патента: US20240105801A1. Автор: Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having source or drain structures with substrate connection portions

Номер патента: US20230207651A1. Автор: Nitesh Kumar,Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Pratik Patel,Stephen M. Cea,Mohammad Hasan,Anant H. JAHAGIRDAR,Rushabh Shah,Tricia Meyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20230116170A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium-diffused nanoribbon channel structures

Номер патента: EP4020589A1. Автор: Guillaume Bouche,Jack Kavalieros,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Adjacent gate-all-around integrated circuit structures having non-merged epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP3971952A1. Автор: Walid Hafez,Hsu-Yu Chang,Sairam Subramanian,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US20240145549A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium nanowire channel structures

Номер патента: US11978784B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: US20240145568A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: US20240105716A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having embedded GeSnB source or drain structures

Номер патента: US11990513B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Siddharth Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Different poly pitches for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220068907A1. Автор: Ahmet TURA,Steven G. Jaloviar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Gate-all-around integrated circuit structures having embedded gesnb source or drain structures

Номер патента: US20240186378A1. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Siddharth Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US11923421B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated circuit structures with source or drain contacts having enhanced contact area

Номер патента: US20240178273A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Guowei Xu,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: EP4345879A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA,Marie Conte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures having partitioned source or drain contact structures

Номер патента: EP3647263A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha,Stephanie Bojarski,Babita DHAYAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20240274718A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating metal-bearing integrated circuit structures having low defect density

Номер патента: US20110306207A1. Автор: Richard A. Faust,Srinivas Raghavan,Thomas E. Lillibridge,Kalyan Cherukuri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Integrated circuit structures with channel cap reduction

Номер патента: US20240105771A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: US20240047559A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: EP3678171A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US11862636B2. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: US20230369399A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20200105753A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US11862703B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: US11830933B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: US11764263B2. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US20230387324A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20210407997A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US12002810B2. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Integrated circuit structures with cavity spacers

Номер патента: US20240186398A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Justin Weber,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Anh Phan,Stephen M. Cea,Salim BERRADA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20240088153A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20220262796A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US20240088253A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US20220359697A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US20200006492A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

FIN shaping using templates and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US11749733B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Mark Armstrong,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates with etch back process

Номер патента: US20240072145A1. Автор: Megan BECK,Ryan Wood,Joseph BRICE,Krishna T. MARLA,Derek Caselli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP3627541A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US11862635B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit structures with trench contact depopulation structure

Номер патента: US20240105803A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Saurabh Acharya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator FIN on insulator substrate

Номер патента: US11862702B2. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20210305388A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20200091144A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates

Номер патента: US11990472B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Oleg Golonzka,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Michael K. Harper,Niels Zussblatt,Jeffrey Miles Tan,Benjamin Kriegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates

Номер патента: US20240178226A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Oleg Golonzka,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Michael K. Harper,Niels Zussblatt,Jeffrey Miles Tan,Benjamin Kriegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20240088142A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20240088254A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same

Номер патента: US09660075B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit structures having gate cut plug removed from trench contact using angled directional etch

Номер патента: US20240096881A1. Автор: Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Ala ALAZIZI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Layer transfer transistor for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203979A1. Автор: Han Wui Then,Samuel James Bader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Fin doping and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: EP4064334A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,Patrick Keys,Cory Weber,Seahee Hwangbo,Leonard C. Pipes,Jack YAUNG,Tzu-Min Ou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Esd structure having different thickness gate oxides

Номер патента: WO2007008411A1. Автор: Philippe Deval,Randy Yach. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2007-01-18.

Multi version library cell handling and integrated circuit structures fabricated therefrom

Номер патента: US12067338B2. Автор: Mark T. Bohr,Barbara A. Chappell,Ranjith Kumar,Andrew W. Yeoh,Quan Shi,Sourav Chakravarty,M. Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371932A1. Автор: Yi-Chun Liu,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Kung-Ying Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-11-07.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures in a tub architecture

Номер патента: US20230317807A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: US20230290851A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: US20240113111A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A2. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A3. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Gate-all-around integrated circuit structures having raised wall structures for epitaxial source or drain region confinement

Номер патента: WO2023113913A1. Автор: Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Mohammad Hasan,Andy Chih-Hung Wei,Aryan NAVABI-SHIRAZI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: EP4345875A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US20150123213A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240347465A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4418312A2. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas Kybert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor devices having backside probing capability

Номер патента: US6078057A. Автор: David P. Vallett. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: US20240105804A1. Автор: Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: US20230420531A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: EP4300564A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Yen Ting Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having epitaxial source or drain region lateral isolation

Номер патента: WO2023121790A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pratik Patel,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit structures with source or drain dopant diffusion blocking layers

Номер патента: US20230343826A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Anupama Bowonder,Aaron Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: US20240222356A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: EP4398299A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098755A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for forming integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US09576847B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: US20230197717A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuit with micro-bumps and test bumps

Номер патента: WO2023235148A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Yangyang Sun,Lily Zhao,Dongming He,Amer Christophe Gaetan CASSIER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuit using finfets and having a static random access memory (sram)

Номер патента: WO2007120292A2. Автор: Leo Mathew,James D. Burnett,Byoung W. Min. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Circuit Structure and Driving Method Thereof, Chip and Authentication Method Thereof, and Electronic Device

Номер патента: US20190088325A1. Автор: HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu,Yachuan PANG. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-21.

Integrated circuit structure with avalanche junction to doped semiconductor over semiconductor well

Номер патента: US12068308B2. Автор: You Li,Tsung-Che Tsai,Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Meng Miao. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit structure with niobium-based silicide layer and methods to form same

Номер патента: US20210249518A1. Автор: Wei Hong,Hong Yu,Yanping SHEN,Domingo A. Ferrer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Integrated circuit implementing standard cells with metal layer segments extending out of cell boundary

Номер патента: US09977854B2. Автор: Ioan Cordos,Omid Rowhani,Kerry HAMEL,Donald Clay. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits having copper bonding structures with silicon carbon nitride passivation layers thereon and methods for fabricating same

Номер патента: US09859236B2. Автор: Xuesong Rao,Chim Seng Seet,Xiaohua ZHAN,Meng Meng Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit structure with insulated memory device and related methods

Номер патента: US09825041B1. Автор: Byeong Y. Kim,William L. Nicoll. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for isolation of circuit regions in monolithic integrated circuit structure

Номер патента: US3834958A. Автор: K Bean,P Gleim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-09-10.

Gate-all-around integrated circuit structures having underlying dopant-diffusion blocking layers

Номер патента: US20220416024A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Patrick Keys,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Dax CRUM,Ted COOK, JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: WO2019055041A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

Integrated circuit structures having raised epitaxy on channel transistor

Номер патента: US20240006483A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent structures for sub-fin electrical contact

Номер патента: US20240006504A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US11869891B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US11887860B2. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20200227267A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US20240096896A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent structures for sub-fin electrical contact

Номер патента: US11799009B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having underlying dopant-diffusion blocking layers

Номер патента: EP3647262A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Patrick Keys,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Dax CRUM,Ted COOK JR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20230343599A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of forming integrated circuit structure for joining wafers and resulting structure

Номер патента: US20200066667A1. Автор: Mukta G. Farooq,Tanya A. Atanasova. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit structure and chip

Номер патента: US20240321828A1. Автор: Liang-Cai Zeng,Yun-Ju Hsieh. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit structure and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09711408B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit structure with methods of electrically connecting same

Номер патента: US09659941B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit structure with dual thickness cobalt silicide layers and method for its manufacture

Номер патента: US6040606A. Автор: Christopher S. Blair. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-21.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240090240A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit structure, display module, and inspection method thereof

Номер патента: US20180188572A1. Автор: Neng-Yi Lin,Chien-Chih Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-05.

Metallization in integrated circuit structures

Номер патента: US11018222B1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher J. WIEGAND,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Lukas M. Baumgartel,Timothy Michael Duffy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Rare-earth materials for integrated circuit structures

Номер патента: US20220059668A1. Автор: Scott B. Clendenning,Sudarat Lee,Charles Cameron Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Molded composite enclosure for integrated circuit assembly

Номер патента: US09607914B2. Автор: Paul J. Gwin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit process compatible surge protection resistor

Номер патента: US4133000A. Автор: Eugene Greenstein. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1979-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent deep via substrate contacts for sub-fin electrical contact

Номер патента: US20240055497A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent deep via substrate contacts for sub-fin electrical contact

Номер патента: US11837641B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11824116B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Integrated circuit structures having vertical transistor

Номер патента: US20240006531A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having conductive contact stressor between epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP4020590A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Integrated circuit structures having differentiated workfunction layers

Номер патента: US20200219775A1. Автор: Florian Gstrein,Ashish Agrawal,Ying Pang,Dan S. Lavric,Robert Niffenegger,Padmanava Sadhukhan,Robert W. Heussner,Joel M. Gregie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240038889A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated Circuit Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20130075856A1. Автор: David Yen,Yao-Jen Tsai,Chih-Fu Chang,Chih-Kang Chuang,Yee-Ren Wuang,Yuan-Jen Liao,Shih-Che Fang,Hung-Che Hsueh,Chih Mou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US20240249946A1. Автор: Gurpreet Singh,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,David Nathan Shykind,Mohit K. HARAN,Charles Henry Wallace,Sean Michael Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

High-speed, flexible integrated circuits and methods for making high-speed, flexible integrated circuits

Номер патента: US20200084891A1. Автор: Zhenqiang Ma,Namki Cho,Guoxuan Qin. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-12.

Integrated circuit structure with stepped epitaxial region

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Steven Bentley,Puneet H. Suvarna,Mark V. Raymond,Peter M. Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Integrated circuits having converted self-aligned epitaxial etch stop

Номер патента: US20190333993A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Ruilong Xie,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100327356A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100201429A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Device, system and method for alignment of an integrated circuit assembly

Номер патента: US09625256B1. Автор: Deepak Goyal,Mario Pacheco,Purushotham Kaushik Muthur Srinath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Metal gate transistor, integrated circuits, systems, and fabrication methods thereof

Номер патента: US09620421B2. Автор: Chun-Hung Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Alex Kalnitsky,Chih-Ping Chao,Hua-Chou Tseng,Jye-Yen Cheng,Chien-Chih Ho,Chia-Yi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit structure having a plurality of separable circuits

Номер патента: US3993934A. Автор: Richard C. Stevens,Majid Ghafghaichi,Theodore H. Baker,Daniel Tuman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11908856B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240145471A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Measuring current and resistance using combined diodes/resistor structure to monitor integrated circuit manufacturing process variations

Номер патента: US20130161615A1. Автор: Edward J. Nowak,Robert R. Robison,Lyndon R. Logan,II Jonathan K. Winslow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Measuring current and resistance using combined diodes/resistor structure to monitor integrated circuit manufacturing process variations

Номер патента: US20140191235A1. Автор: Edward J. Nowak,Robert R. Robison,Lyndon R. Logan,Jonathan K. Winslow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Integrated circuit structures having bit-cost scaling with relaxed transistor area

Номер патента: US20240224508A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit structures having inverters with contacts between nanowires

Номер патента: US20230422462A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit structure

Номер патента: US9966378B2. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor structure having both gate-all-around devices and planar devices

Номер патента: US12046684B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures

Номер патента: EP1039520A3. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for preparing integrated circuit structure with polymorphous material

Номер патента: US20090298284A1. Автор: Da Yu Chuang,Tzu Lun Cheng,Cheng Da Wu,Wei Heng Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US12135667B2. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit structure to resolve deep-well plasma charging problem and method of forming the same

Номер патента: US09449888B2. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20150115381A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20160204038A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20150287646A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US09881841B2. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Wafer structure for electronic integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09799516B2. Автор: David B. Kerwin,Joseph M. Benedetto. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods for fabricating integrated circuits using designs of integrated circuits adapted to directed self-assembly fabrication to form via and contact structures

Номер патента: US09305834B1. Автор: Ji xU,Azat Latypov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

Method for making an integrated circuit structure

Номер патента: US5529941A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1996-06-25.

Electroless copper plating method for forming integrated circuit structures

Номер патента: US5801100A. Автор: Chwan-Ying Lee,Tzuen-Hsi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-09-01.

Back side processing of integrated circuit structures to form insulation structure between adjacent transistor structures

Номер патента: US11894262B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11961838B2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20220344519A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US11869987B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Method and apparatus for sharing clocks between separate integrated circuit chips

Номер патента: US12095463B1. Автор: Hongwei Dai,Xiaofeng Tang,Gongqiong Li. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus providing optical input/output through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: WO1999032910A1. Автор: Mario J. Paniccia,Valluri R. M. Rao. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-07-01.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US12085442B2. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Substrate-less nanowire-based lateral diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4109561A1. Автор: Rui Ma,Lin Hu,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Sabih OMAR,Brian Greene,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Integrated Circuit Structure of Group III Nitride Semiconductor, Manufacturing Method Thereof, and Use Thereof

Номер патента: US20230044911A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12016170B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12027424B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith

Номер патента: US20130171933A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Distributed multi-modal power maximizing integrated circuit for solar photovoltaic modules

Номер патента: US20240275174A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Sigmagen Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus and method for preventing configurable system-on-a-chip integrated circuits from beginning I/O limited

Номер патента: US7982321B2. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: AU2021366690A9. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985031B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuit having field-effect trasistors with dielectric fin sidewall structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922975B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit dies with through-die vias

Номер патента: US09799629B2. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit product comprising lateral and vertical FinFet devices

Номер патента: US09443976B1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Yield enhancing vertical redundancy method for 3D wafer level packaged (WLP) integrated circuit systems

Номер патента: US09425110B1. Автор: Xianglin Zeng,Jose G. Padilla,Roger S. Tsai,Shih-En Shih,Philip W. HON. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of making polysilicon/tungsten silicide multilayer composite on an integrated circuit structure

Номер патента: US5940733A. Автор: Israel Beinglass,Ramanujapuram A. Srinivas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230420934A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230238798A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091105A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

ESD protection for integrated circuit devices

Номер патента: US11973342B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230253784A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

Alignment of integrated circuit chip stack

Номер патента: US20150024549A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Qinghuang Lin,Sri M. Sri-Jayantha,Vijayeshwar D. Khanna,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Robert L. Wisnieff,Peter J. Sorce,Steven A. Cordes,Kenneth Latzko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20220285837A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Enhanced jet impingement leak prevention for integrated circuit

Номер патента: US20240175917A1. Автор: Kelly Lofgreen,Joseph Petrini,Paul Diglio,Sami Alelyani,Craig Yost,Ruben NUNEZ BLANCO,Christopher Ackerman,Varun NARAYAN,Jensen STENBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: ZA202301991B. Автор: Nikolas Radosevic (Deceased),Wijk Adrian Van. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Structural and thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US12046534B2. Автор: Brett W. Degner,Michael E. Leclerc,Kevin J. Ryan,Eric R. Prather,Simon J. TRIVETT,Mahesh S. Hardikar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Multi-orientation integrated cell, in particular input/output cell of an integrated circuit

Номер патента: US09735772B2. Автор: Emmanuel Josse,Alexandre Dray. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Dynamic operating surface for integrated circuits

Номер патента: US09563220B1. Автор: Preminder Singh. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating integrated circuits, integrated circuit component mask layout set, and component photomask set

Номер патента: US09443838B2. Автор: Ran-Hong Yan,Han-Chang Kang,Li-Ping Yang,Pi-Cheng Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Integrated-circuit protective system

Номер патента: RU2232420C2. Автор: Михель СМОЛА,Ян ОТТЕРШТЕДТ,Михель РИХТЕР,Мартин АЙЗЕЛЕ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-07-10.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Porous semiconductor layer transfer for an integrated circuit structure

Номер патента: WO2018044494A1. Автор: Richard Hammond,Sinan Goktepeli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of forming complementary bipolar and MOS transistor having power and logic structures on the same integrated circuit substrate

Номер патента: US5256582A. Автор: Dan M. Mosher,Joe R. Trogolo,Cornelia H. Blanton,Larry Latham,David R. Cotton,Bob Todd. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-10-26.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using unidirectional heat transfer devices

Номер патента: US20190343017A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20230359803A1. Автор: Stefan Rusu,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: EP1982352A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-22.

Method of providing a gettering scheme in the manufacture of silicon-on-insulator (soi) integrated circuits

Номер патента: WO1999034432A1. Автор: Rene P. Zingg,Theodore J. Letavic. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-07-08.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Optical bus in 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012003530A9. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: US7355443B2. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-08.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: WO2007086019A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-08-02.

Integrated circuits including abutted blocks and methods of designing layouts of the integrated circuits

Номер патента: US20230297752A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Sanghoon Baek,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: EP1520298B1. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-29.

Integrated circuit with mixed row heights

Номер патента: US20190164949A1. Автор: Jack Liu,Jiann-Tyng Tzeng,Shang-Wei Fang,Kam-Tou SIO,Yi-Chuin Tsai,Sing-Kai Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Photonic integrated circuit package

Номер патента: US20170194309A1. Автор: Jiaming Zhang,Fred A. Kish, Jr.,John W. Osenbach,Peter W. Evans,Miguel Iglesias Olmedo,Maria Anagnosti. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Apparatus For Implementing Multiple Integrated Circuits Using Different Gate Oxide Thicknesses On A Single Integrated Circuit Die

Номер патента: US20090289323A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

An integrated circuit package, and a method for producing an integrated circuit package having two dies with input and output terminals of integrated circuits of the dies directly addressable for testing of the package

Номер патента: EP1979757A1. Автор: Noel A. Mcnamara. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-10-15.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US9275994B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20170186741A9. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20140299913A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Integrated circuits using guard rings for ESD systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US9748361B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Enhanced static-dynamic stress techniques to accelerate latent defects for integrated circuits

Номер патента: US20240210466A1. Автор: Thomas Pompl,Steve Herndon,Andres Maldonado. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

A method of determining the location of a defect in an integrated circuit and how to use this integrated circuit

Номер патента: EP1204122A3. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-02.

Method and device for removing integrated circuits

Номер патента: US09987836B2. Автор: Wei Wang,LONG Yan,Jun Zhang,Yong Sun,Daocheng Zhu,Zhiyu QIAN,Xianzhen TANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US09917087B2. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuits and molding approaches therefor

Номер патента: US09842776B2. Автор: Roelf Anco Jacob Groenhuis,Tonny Kamphuis,John Suman Nakka. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuits using guard rings for ESD systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US09748361B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit manufacture using direct write lithography

Номер патента: US09672316B2. Автор: Gregory Munson Yeric. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Architectures for an implantable stimulator device having a plurality of electrode driver integrated circuits with shorted electrode outputs

Номер патента: US09656081B2. Автор: Jordi Parramon,Emanuel Feldman,Göran MARNFELDT,Paul J. Griffith,Jess Shi,Robert Tong. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09653417B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Mechanisms for forming radio frequency (RF) area of integrated circuit structure

Номер патента: US09589831B2. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Film interposer for integrated circuit devices

Номер патента: US09490240B2. Автор: Alan E. Johnson,Alan E. LUCERO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US09466701B2. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

System and method for calibrating temperatures sensor for integrated circuits

Номер патента: US09442025B2. Автор: Jun Zhai,Yizhang Yang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit including a directional light sensor

Номер патента: US09419043B2. Автор: Roel Daamen,Erik Jan Lous,Nebojsa NENADOVIC. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-16.

Optical bus in 3D integrated circuit stack

Номер патента: US09401346B2. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-26.

Circuit, structure and method of testing a semiconductor, such as an integrated circuit

Номер патента: US6111269A. Автор: Nathan Y. Moyal. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Cooling structure for integrated circuit

Номер патента: CA2088821C. Автор: Hironobu Ikeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Fin trim isolation with single gate spacing for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20200335625A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20180151411A1. Автор: Stefan Rusu,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Integrated circuits including magnetic random access memory structures having reduced switching energy barriers for dual bit operation and methods for fabricating the same

Номер патента: US20190259809A1. Автор: Jaiswal Akhilesh,Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: EP1616380A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-18.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: WO2004091067A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Integrated circuit, circuit board, and electronic apparatus

Номер патента: US20220385289A1. Автор: Yohei Ogawa,Yukio Ito,Keisuke Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit formed with microphone transducer

Номер патента: WO2011081998A2. Автор: Marie Denison,Wei-Yan Shih,Brian E. Goodlin,Lance W. Barron. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-07-07.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20160099169A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Radio frequency oscillator with ceramic resonator and surface-mounted integrated circuit package

Номер патента: WO2024205890A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09960801B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09698854B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Optical integrated circuit device array having bi-directional characteristics and optical system using the same

Номер патента: US20190227150A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Bum Lee,Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Seong-Gu Kim,Jung-Ho Cha,Chang-Gyun Shin,Yong-Hwack SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Integrated circuit structures having backside power delivery and signal routing for front side dram

Номер патента: US20240215222A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit structures having layer select transistors for shared peripherals in memory

Номер патента: US20240224536A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of forming integrated circuit structures for capacitive sense NAND memory

Номер патента: US12080356B2. Автор: Shuji Tanaka,Yoshihiko Kamata,Masashi Yoshida,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Circuit structure to measure outliers of process variation effects

Номер патента: US12025658B2. Автор: Christos VEZYRTZIS,Peter Holm,Steve Beccue. Владелец: Bitmain Development Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit structures having off-axis in-hole capacitor and methods of forming

Номер патента: US20150195914A1. Автор: Janak G. Patel,Peter Slota, Jr.,David B. Stone,Mark C. Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-14.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: WO2010053554A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-05-14.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Electronic circuit structure

Номер патента: US5689600A. Автор: Michael E. Griffin. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1997-11-18.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit chip and its impedance calibration method

Номер патента: US09838011B2. Автор: Rifeng Mai. Владелец: Capital Microelectronics Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Radiation hardened chip level integrated recovery apparatus, methods, and integrated circuits

Номер патента: US09438025B1. Автор: Stephan P. Athan. Владелец: Defense Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Method and apparatus for controlling or managing bandwidth of a filter circuit within a system having two integrated circuits

Номер патента: US20140084996A1. Автор: Dale G. Schwent,Ryan J. Goedken. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Integrated circuit system and integrated circuit

Номер патента: US09854531B2. Автор: Kentaro Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus and method for providing a public key for authenticating an integrated circuit

Номер патента: US09813392B2. Автор: Ivan Hugh Mclean,Roberto Avanzi,Dean Lorenz,Boris Dolgunov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Integrated circuit-based nano-relay

Номер патента: US12088082B2. Автор: Wei Xi,Yang Yu,Peng Li,Xiaobo Li,Hao Yao,Xiangjun Zeng,Tiantian CAI. Владелец: Digital Grid Research Institute China Southern Power Grid. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12095380B2. Автор: Shinji Matsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Interface for data communication between chiplets or other integrated circuits on an interposer

Номер патента: US11809800B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US09755867B2. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit packages including damming and charge protection cover for harsh environments

Номер патента: US20080112143A1. Автор: Hugh Patton Hanley. Владелец: PathFinder Energy Services Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: US20040051516A1. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: EP1547246A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2005-06-29.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: WO2004027827A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2004-04-01.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for multiplexing pins of an integrated circuit

Номер патента: US20140091728A1. Автор: Donald Pannell. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Modifying clock signals output by an integrated circuit

Номер патента: US20060139083A1. Автор: Ban Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-29.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit and an electronic device including integrated circuit

Номер патента: US20230097976A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee,Je Kyun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: US20240354483A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

A buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: EP4451565A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated circuit and method

Номер патента: US12100445B2. Автор: Mei-Chen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems for provisioning universal integrated circuit cards

Номер патента: US09886690B2. Автор: David K. Smith,Walter Cooper Chastain,David Harber,Brian Keith Rainer,Shih-Ming Wang,Stephen Emille Chin,Clifton Ashman Campbell. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrated circuit having flexible reference

Номер патента: US09661248B2. Автор: Guangbin Zhang,Dennis Tunglin LEE. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Level shifters and integrated circuits thereof

Номер патента: US09634665B2. Автор: Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Frequency specific closed loop feedback control of integrated circuits

Номер патента: US09548725B2. Автор: James B. Burr,Kleanthes G. Koniaris. Владелец: INTELLECTUAL VENTURES HOLDING 81 LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Circuits for and methods of controlling power within an integrated circuit

Номер патента: US09438244B2. Автор: Steven P. Young,Brian C. Gaide,Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Amplifier circuit, integrating circuit, and light-detection device

Номер патента: US20130038393A1. Автор: Shinya Ito,Haruhiro Funakoshi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-02-14.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US20050117266A1. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US7215523B2. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Circuits and methods for transferring two differentially encoded client clock domains over a third carrier clock domain between integrated circuits

Номер патента: WO2021127772A1. Автор: Kamran Rahbar,Peter Meyer,Drew Jenkins. Владелец: Microsemi Semiconductor ULC. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Coupling of speakers with integrated circuit

Номер патента: US20100220868A1. Автор: Srinath Sridharan,Lionel Cimaz,Shyam Somayajula,Ramkishore Ganti,Sanjeev Ranganathan,Arnold D'Souza. Владелец: ST Ericsson India Pvt Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Method and apparatus for fully integrating a voltage controlled oscillator on an integrated circuit

Номер патента: WO2000067376A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars G. Jansson,Lars Henrick Mucke. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Integrated circuit and power supply device

Номер патента: US12068694B2. Автор: Yuta Endo,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Integrated circuit (IC) with primary and secondary networks and device containing such an IC

Номер патента: US09606176B2. Автор: Marc Miller,Steven Teig,Brad Hutchings,Jason Redgrave,Danny Thom. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240241424A1. Автор: Chang-Hung Tien,Ming-Hsing Chung,Ting-Jhang LIAO,Bo-Hong Ma. Владелец: Cloud Light Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrating manufacturing feedback into integrated circuit structure design

Номер патента: US09858368B2. Автор: Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Xiaoyue Wang,Jeffrey G. Hemmett,Nathan C. Buck,John P. Dubuque,Brian M. Dreibelbis,Vladmimir Zolotov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240126017A1. Автор: Hsiao Che Wu,Ping Ming Liu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for generating information for a window view of an integrated circuit from layout-formatted data

Номер патента: US20020166102A1. Автор: Yu Du,Kuo-Chun Lee,Tsung-Yen Chen,Ke-Qin Gu. Владелец: Oridus Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US9953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US09953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-07-24.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Photonic integrated circuit and light detection and ranging system

Номер патента: EP4399553A1. Автор: George Rakuljic,Eduardo Temprana Giraldo,William HAYENGA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Peripheral access control for secondary communication channels in power management integrated circuits

Номер патента: EP4292006A1. Автор: Chris Rosolowski,Uma Mahesh Revuri,Aruna Kumar Tripathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Data processing method of generating integrated circuits using prime implicants

Номер патента: US5502648A. Автор: Jonathan T. Kaplan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1996-03-26.

Integrated circuit structure formation method

Номер патента: US20220244647A1. Автор: Sungjin Kim. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit chip and a method for testing the same

Номер патента: US09506986B2. Автор: Christian Zoellin,Wilhelm Haller,Ulrich Krauch,Markus Kaltenbach,Nicolas Maeding. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuit system having decoupled logical and physical interfaces

Номер патента: US09454484B2. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Charles Marino,Michael S. Siegel,Jeff A. Stuecheli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit built-in self-test structure

Номер патента: US5130645A. Автор: Paul S. Levy. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1992-07-14.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09625524B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated circuit device packages including optical elements

Номер патента: US09541716B2. Автор: Seung-hyuk Chang,Ho-Chul Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09494650B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for testing integrated circuit and integrated circuit configured to facilitate performing such a method

Номер патента: US09494646B2. Автор: Divya Pratap,Sung Jin Jo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated circuit device having a burn-in mode for which entry into and exit from can be controlled

Номер патента: US20010054909A1. Автор: David McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-12-27.

Integrated circuit, an apparatus for testing an integrated circuit, a method for testing an integrated circuit and a computer program for implementing this method using magnetic field

Номер патента: US20230099503A1. Автор: Frank Mielke. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US09665141B2. Автор: Gaurav Kapoor,Kit-Man Wan,Keith Cox. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for optical coupling between a photonic integrated circuit and an external optical element

Номер патента: US09529154B2. Автор: Gunther Roelkens,Dries Van Thourhout,Geert Van Steenberge. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-12-27.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US09459317B2. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040059959A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240135892A1. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Package structure having photonic integrated circuit

Номер патента: US20240255697A1. Автор: Chih-Chung Hsu,Chih-Chung Wu,Chih-Wei Peng,Zuon-Min Chuang. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US12050341B2. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Package structure having photonic integrated circuit

Номер патента: US20240319438A1. Автор: Chih-Chung Hsu,Chih-Chung Wu,Zuon-Min Chuang. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE87492B1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-27.

Display driver integrated circuit architecture with shared reference voltages

Номер патента: US09952264B2. Автор: Hopil Bae,Kingsuk Brahma,David A. STRONKS,Wei H. Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit having regulated voltage island power system

Номер патента: US09760106B2. Автор: Christopher P. Miller,Christopher Scoville,Donald W. Labrecque,Steffen A. Loeffler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for the characterization and monitoring of integrated circuits

Номер патента: US09568540B2. Автор: Peilin Song,Franco Stellari,Raphael P. Robertazzi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated circuit having regulated voltage island power system

Номер патента: US09335775B2. Автор: Christopher P. Miller,Christopher Scoville,Donald W. Labrecque,Steffen A. Loeffler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240233663A9. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Photonic integrated circuit, light detection and ranging system and method for operating the same

Номер патента: WO2021133445A1. Автор: Amnon Yariv,George Rakuljic,Naresh Satyan,Israel Petronius,Yaakov VILENCHIK,Daniel Grodensky,Ron Friedman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A2. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Cornelis Van Eijk. Владелец: Magma Design Automation, Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US20240272353A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Method and apparatus for increasing security in a system using an integrated circuit

Номер патента: US20100244888A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Thomas E. Tkacik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

All-resonant actuation of photonic integrated circuits

Номер патента: US20240118537A1. Автор: Dirk Robert Englund,Mark DONG,Gerald Neal GILBERT,Matthew Scott EICHENFIELD. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: WO2002086884A2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Method and an integrated circuit for executing a trusted application within a trusted runtime environment

Номер патента: US09927995B2. Автор: Patrik Ekdahl,Arash VAHIDI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit and method for establishing scan test architecture in integrated circuit

Номер патента: US09535120B2. Автор: Jianguo Ren,Chong Dai,Wen-Hao Hsueh,Fengguo GAO,Shang-Bin HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuit structure and memory structure

Номер патента: US20230282271A1. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit generator using a provider

Номер патента: US20240211665A1. Автор: Henry Cook,Megan Wachs,Jack Koenig. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190347380A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190065657A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20210117608A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10534891B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10977419B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Tester for integrated circuits on a silicon wafer and integrated circuit

Номер патента: US20160259002A1. Автор: Alexandre Croguennec,Cyrille LAMBERT,Sébastien Bayon. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20140320160A1. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2014-10-30.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20220138391A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Check tool and check method for design rule check rule deck of integrated circuit layout

Номер патента: US20210383053A1. Автор: Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Recommending changes in the design of an integrated circuit using a rules-based analysis of failures

Номер патента: WO2024078160A1. Автор: Charles Gates,Kerim Kalafala,Steven Joseph Kurtz,Chaitra M. Bhat,Morgan D. Davis,SheshaShayee K. Raghunathan,Debra Dean,Chris Cavitt,Richard William Taggart. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-18.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20210248295A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US11657200B2. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-05-23.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089187A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-09-29.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089178A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

Multi-height cell library design solution for integrated circuits

Номер патента: US20240202416A1. Автор: Wei-Yi Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: WO2022035850A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-02-17.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Socket for testing of an integrated circuit

Номер патента: EP4407323A1. Автор: Gianluigi Frigerio,Alessandro Copeta. Владелец: Officina Meccanica Di Precisione G3. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Methods and systems for performing timing sign-off of an integrated circuit design

Номер патента: US20120089383A1. Автор: Rajkumar Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of testing multiple modules on an integrated circuit

Номер патента: US20030221150A1. Автор: Prashant Balakrishnan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-27.

Method, computer system and computer-readable storage medium for creating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US20150213185A1. Автор: Rainer Mann,Ulrich Hensel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit card for reducing power consumption

Номер патента: US20060085655A1. Автор: Hyuk-Jun Sung,Ki-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-20.

Management method for information of universal integrated circuit card and device thereof

Номер патента: EP2538374A4. Автор: Heyong WANG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-16.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Design system of integrated circuit and its design method and program

Номер патента: US20030061585A1. Автор: Sho Matsumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Apparatuses, test cards and methods for testing photonic integrated circuits, and photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023156271A1. Автор: Stefan Richter,Tobias Härter,Heiner Zwickel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

Integrated circuit assembly cleaning apparatus and method

Номер патента: US20020134408A1. Автор: John Pratt,William Hanna,Pamela Christison,Lawrence Houdek,Russell Bjorlie,Perry Pierce. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-26.

System for testing integrated circuits

Номер патента: US20050283331A1. Автор: Yih-Min Lin. Владелец: PROGenic Tech Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: US20220049945A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-02-17.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: EP4196744A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-06-21.

Latency reduction for transitions between active state and sleep state of an integrated circuit

Номер патента: US20240319781A1. Автор: Ashish Jain,Randall Brown,Gia Tung Phan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit

Номер патента: US20240319266A1. Автор: Takahiro Yoneda. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit generation with improved interconnect

Номер патента: US20240338329A1. Автор: David Parry,Henry Cook,Robert P. Adler,Rick H. Y. Chen. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Timing analysis of a digital integrated circuit using intent based timing constraints

Номер патента: US20240330551A1. Автор: Hemlata Gupta,Kerim Kalafala,Eric Foreman,Manish Verma,Adil Bhanji,Jack DiLullo,Jennifer Elizabeth Basile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Electrical design rule checking method and device for integrated circuit

Номер патента: US12086527B2. Автор: Yaquan TANG. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US12067339B2. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit modeling method using resistive capacitance information

Номер патента: US09996643B2. Автор: Chin-Sheng Chen,Tsun-Yu YANG,Wei-Yi Hu,Jui-Feng Kuan,Ching-Shun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Accommodating engineering change orders in integrated circuit design

Номер патента: US09953121B2. Автор: Alok Verma,Saurabh Gupta,Jayaprakash Udhayakumar,Ayan Datta,Rajesh Veerabhadraiah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus for three dimensional integrated circuit testing

Номер патента: US09952279B2. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin,Ching-Fang Chen,Chung-Sheng Yuan,Chung-Han Huang,Meng-Lin Chung,Wen-Wen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit and method for detecting a stress condition in the integrated circuit

Номер патента: US09910087B2. Автор: William P. Taylor,Jeffrey Eagen,Maxim Klebanov. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US20240370630A1. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit with on-chip power profiling

Номер патента: US09696775B2. Автор: Thuyen Le,Tian Yan Pu,Lars MELZER,Chenbo Liu. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Machine-learning accelerator (MLA) integrated circuit for extracting features from signals and performing inference computations

Номер патента: US09691034B2. Автор: Kyong Ho Lee,Naveen Verma. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-27.

High diagnosability, quality managed-compliant integrated circuit for implementing ASIL B-compliant automotive safety-related functions

Номер патента: US09677480B2. Автор: Giovanni Dallara,Piero Carbonaro,Loris Lambertini,Alberto Pezzoli,Alessandro Fusari,Francesco Traversi. Владелец: Magneti Marelli SpA. Дата публикации: 2017-06-13.

Apparatus, system and method for a common unified debug architecture for integrated circuits and SoCs

Номер патента: US09632895B2. Автор: Sridhar Valluru,Sankaran M Menon,Ramana Rachakonda,Eyal Dolev,Rajendra S Yavatkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method, computer system and computer-readable storage medium for creating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US09613175B2. Автор: Rainer Mann,Ulrich Hensel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US09435857B2. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2016-09-06.

Cell library and method for designing an asynchronous integrated circuit

Номер патента: US09430600B2. Автор: Pascal Vivet,Yvain Thonnart. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3905247A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: US20210249056A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3923285A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Method and system for powering an integrated circuit

Номер патента: US7446559B2. Автор: Emmanuel Alie. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

INTEGRATED CIRCUIT AND DESIGN STRUCTURE HAVING REDUCED THROUGH SILICON VIA-INDUCED STRESS

Номер патента: US20120181700A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

Multi-Voltage Level, Multi-Dynamic Circuit Structure Device

Номер патента: US20120002500A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing structures for integrated circuits with insulated components

Номер патента: RU2197033C1. Автор: . Владелец: Зайцев Константин Анатольевич. Дата публикации: 2003-01-20.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Casing of integral circuit

Номер патента: RU2329568C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-07-20.

Method for nondestructive check for moisture content in under- package space of integrated circuits

Номер патента: RU2263369C2. Автор: А.В. Андреев,М.И. Горлов,Л.П. Ануфриев,Н.А. Золотарева. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for comparative evaluation of reliability of integrated circuit lots

Номер патента: RU2467339C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Роман Михайлович Тихонов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-11-20.

Integrated circuit housing

Номер патента: RU2457575C2. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,Вячеслав Леонидович Троицкий. Владелец: ЗАО "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ". Дата публикации: 2012-07-27.

Method for determining potentially unstable digital integral circuits

Номер патента: RU2257591C1. Автор: М.И. Горлов,И.А. Шишкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи". Дата публикации: 2005-07-27.

Electrical pin used in integrated circuit test sockets

Номер патента: CA134434S. Автор: . Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Device for protecting leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on sos (silicon-on-sapphire) and soi (silicon-on-insulator) structures from static electric discharges

Номер патента: RU2467431C1. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов,Николай Иванович Плис. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2012-11-20.

Method of selecting highly reliable integrated circuits

Номер патента: RU2365930C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Екатерина Александровна Золотарева,Николай Николаевич Козьяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-08-27.

Large-scale integrated circuit (version)

Номер патента: RU2006991C1. Автор: Константин Иванович Баринов,Анатолий Демьянович Масляный,Владимир Евгеньевич Власов,Юрий Иванович Горбунов,Татьяна Сергеевна Володина. Владелец: Татьяна Сергеевна Володина. Дата публикации: 1994-01-30.

Method of integrated circuit division upon reliability criterion

Номер патента: RU2324194C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Леонидович Ануфриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-05-10.

Integrated circuit

Номер патента: RU2065653C1. Автор: Б.А. Гарбуз,В.Л. Опалев,С.А. Коновалов. Владелец: Акционерное общество "Кремний". Дата публикации: 1996-08-20.

Method for manufacturing microwave integrated circuit

Номер патента: RU2557317C1. Автор: Константин Владимирович Дудинов,Михаил Петрович Духновский,Александр Михайлович Темнов,Александр Юрьевич Городецкий. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-07-20.

Integrated circuit case

Номер патента: RU2331138C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько,Вячеслав Леонидович Троицкий,В чеслав Леонидович Троицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-08-10.

Method to make hybrid integral circuit of shf band

Номер патента: RU2536771C1. Автор: Юрий Николаевич Калашников,Виктор Анатольевич Иовдальский,Константин Владимирович Дудинов,Татьяна Сергеевна Кудрова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток". Дата публикации: 2014-12-27.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2290719C2. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Виктор Григорьевич Моргунов,Александр Андреевич Лисицин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2006-12-27.

Method for manufacturing thin-film structure of microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2293400C1. Автор: Татьяна Николаевна Курбанова,Вера Сергеевна Гвоздаева,Анатолий Юрьевич Павлов,Тать на Николаевна Курбанова (RU),Вера Сергеевна Гвоздаева (RU),Анатолий Юрьевич Павлов (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2007-02-10.

Method to make hybrid integral circuit of shf band

Номер патента: RU2537695C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Константин Владимирович Дудинов,Татьяна Сергеевна Кудрова,Александр Генрихович Далингер. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2015-01-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.