Integrated circuit device and method of manufacturing the same
Номер патента: US11956967B2
Опубликовано: 09-04-2024
Автор(ы): Hyeeun HONG, Kyengmun KANG, Sunggil Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-04-2024
Автор(ы): Hyeeun HONG, Kyengmun KANG, Sunggil Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated circuits with self aligned contacts and methods of manufacturing the same
Номер патента: US09576852B2. Автор: Theodorus Standaert,Jim Kelly,Ming He,Yann Mignot,Seowoo Nam,Raghuveer Patlotta. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-21.