Storage device generating multi-level chip enable signal and operating method thereof
Номер патента: US11869860B2
Опубликовано: 09-01-2024
Автор(ы): ChiWeon Yoon, Daehoon Na, Hyunsuk Kang
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-01-2024
Автор(ы): ChiWeon Yoon, Daehoon Na, Hyunsuk Kang
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Computing array based on 1t1r device, operation circuits and operating methods thereof
Номер патента: US20210327505A1. Автор: Yi Li,LONG Cheng,Yaxiong Zhou,Xiangshui Miao,Zhuorui WANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-21.