Memory controller, storage device, and host device
Номер патента: US12056390B2
Опубликовано: 06-08-2024
Автор(ы): Byung Jun Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-08-2024
Автор(ы): Byung Jun Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory control method, memory storage device and memory control circuit unit
Номер патента: US20220137877A1. Автор: Chia-Hsiung Lai. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.