MEMORY CONTROL METHOD, MEMORY STORAGE DEVICE AND MEMORY CONTROL CIRCUIT UNIT
Номер патента: US20210064284A1
Опубликовано: 04-03-2021
Автор(ы): Kuo Che-Yueh
Принадлежит: PHISON ELECTRONICS CORP.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-03-2021
Автор(ы): Kuo Che-Yueh
Принадлежит: PHISON ELECTRONICS CORP.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and a memory controller for managing memory operations in a storage device
Номер патента: US20240329884A1. Автор: Rakesh Balakrishnan,Manoj Kumar TANGELLA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.