Rfic device and method of fabricating same
Номер патента: US20180331010A1
Опубликовано: 15-11-2018
Автор(ы): XiaoChuan Wang
Принадлежит: Ningbo Semiconductor International Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-11-2018
Автор(ы): XiaoChuan Wang
Принадлежит: Ningbo Semiconductor International Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device and a testing method of the same
Номер патента: US7816154B2. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-19.