Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung, umfassend eine ätzung eines halbleitermaterials
Номер патента: DE102017106202A1
Опубликовано: 27-09-2018
Автор(ы): Hans-Joachim Schulze, Ingo Muri, Iris Moder, Sophia Friedler
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-09-2018
Автор(ы): Hans-Joachim Schulze, Ingo Muri, Iris Moder, Sophia Friedler
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Verfahren zum Herstellen einer FinFET-Vorrichtung mit epitaktischen Elementen mit flacher Oberseite
Номер патента: DE102016119024B4. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee,Li-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.