Memory device and manufacturing method thereof
Номер патента: US20210202354A1
Опубликовано: 01-07-2021
Автор(ы): Chung-Shi Liu, Han-Ping Pu, Hsin-Yu Pan, Lipu Kris Chuang, Ming-Kai Liu, Ting-Chu Ko
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-07-2021
Автор(ы): Chung-Shi Liu, Han-Ping Pu, Hsin-Yu Pan, Lipu Kris Chuang, Ming-Kai Liu, Ting-Chu Ko
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.