Finfet device and method of forming same
Номер патента: US20230378362A1
Опубликовано: 23-11-2023
Автор(ы): Shahaji B. More, Shih-Chieh Chang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-11-2023
Автор(ы): Shahaji B. More, Shih-Chieh Chang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
High voltage semiconductor device and the associated method of manufacturing
Номер патента: US20140015017A1. Автор: Lei Zhang,Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-16.