Semiconductor device and method of manufacturing the same
Номер патента: EP4287248A1
Опубликовано: 06-12-2023
Автор(ы): Hiroaki ASHIDATE, Hisashi Kato, Tomoyuki Takeishi
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-12-2023
Автор(ы): Hiroaki ASHIDATE, Hisashi Kato, Tomoyuki Takeishi
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having gate electrode with multi-layers and electronic system including the same
Номер патента: US11937431B2. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.