Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method for growing beta-ga2o3-based single crystal

Номер патента: US20160032485A1
Опубликовано: 04-02-2016
Автор(ы): Haruka MATSUBARA, Kazuyuki Iizuka, Kei DOIOKA, Shinya Watanabe, Takekazu Masui
Принадлежит: Koha Co Ltd, Tamura Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for growing beta-ga2o3-based single crystal

Номер патента: US20160032485A1. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Haruka MATSUBARA,Kei DOIOKA,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal, and beta-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915009B2. Автор: Shinya Watanabe,Kimiyoshi KOSHI. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for growing B-Ga2O3-based single crystal

Номер патента: US09926646B2. Автор: Shinya Watanabe,Kazuyuki Iizuka,Kimiyoshi KOSHI,Daiki Wakimoto,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for growing beta phase of gallium oxide (beta-ga2o3) single crystals from the melt contained within a metal crucible

Номер патента: EP3242965A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2017-11-15.

Method for cultivating β-Ga2O3-based single crystal, and β-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same

Номер патента: US09915010B2. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

METHOD FOR GROWING BETA PHASE OF GALLIUM OXIDE (β-Ga2O3) SINGLE CRYSTALS FROM THE MELT CONTAINED WITHIN A METAL CRUCIBLE

Номер патента: WO2016110385A1. Автор: Zbigniew GALAZKA,Reinhard Uecker,Matthias Bickermann,Detlef Klimm. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2016-07-14.

Device and method for producing tubular single crystals

Номер патента: EP3805436A1. Автор: Masatoshi Harada,Ichiro SAKANO,Akeo Fukui. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

METHOD FOR CULTIVATING BETA-Ga2O3 SINGLE CRYSTAL, AND BETA-Ga2O3-SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20160115621A1. Автор: Kimiyoshi KOSHI,Masaru Takizawa,Takekazu Masui. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for simulating the shape of the solid-liquid interface between a single crystal and a molten liquid, and the distribution of point defects of the single crystal

Номер патента: US20010042504A1. Автор: Naoki Ono,Kounosuke Kitamura. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Method and apparatus for growing high quality single crystal

Номер патента: EP1201793A4. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-02-05.

Single crystal silicon ingot having axial uniformity

Номер патента: US20210363657A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Apparatus for growing crystalline bodies from the melt

Номер патента: GB1319893A. Автор: . Владелец: Tyco Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-06-13.

Apparatus for growing shaped single crystals

Номер патента: US4957713A. Автор: Dmitry Y. Kravetsky,Lev M. Zatulovsky,Leonid P. Egorov,Boris B. Pelts,Leonid S. Okun,Efim A. Freiman,Viktor V. Averyanov,Alexandr L. Alishoev. Владелец: VSESOJUZNY NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKY PROEKTNO-KONSTRUKTORSKY I TEKHNOLOGICHESKY INSTITUT ELEKTROTERMICHESKOGO OBORUDOVANIA. Дата публикации: 1990-09-18.

Single crystal beryllium oxide growth from calcium oxide-beryllium oxide melts

Номер патента: US3768983A. Автор: P Elkins,S Austerman. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1973-10-30.

Method for growing monocrystals of substances with density exceeding density of their melt

Номер патента: RU2600381C1. Автор: Иван Александрович Каплунов,Александр Игоревич Колесников,Сергей Андреевич Третьяков,Ольга Юрьевна Колесникова,Кристина Александровна Морозова,Игорь Константинович Долгих,Михаил Альбертович Миняев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет". Дата публикации: 2016-10-20.

Single crystal silicon ingot having axial uniformity

Номер патента: US20210079553A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Apparatus for growing hollow crystalline bodies from the melt

Номер патента: US5398640A. Автор: John W. Locher,Joseph E. Madsen. Владелец: Saphikon Inc. Дата публикации: 1995-03-21.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal film, and crystalline layered structure

Номер патента: US11982016B2. Автор: Ken Goto,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Kohei Sasaki,Hisashi Murakami. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal film, and crystalline layered structure

Номер патента: CN105992841A. Автор: 熊谷义直,佐佐木公平,村上尚,后藤健,绞缬明伯. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

Method For Growing Single-Crystal Silicon Ingots and Single-Crystal Silicon Ingots

Номер патента: US20240263351A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Device for growing monocrystals of fluorides and synthesis method thereof

Номер патента: RU2599672C1. Автор: Александр Кондратьевич Наумов,Олег Александрович Морозов,Александр Владимирович Ловчев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2016-10-10.

Czochralski apparatus for growing crystals and purification method of waste salts using the same

Номер патента: US20090139444A1. Автор: Yoon-Sang Lee,In-Tae Kim,Jong-Hyeon Lee,Eung-ho Kim,Han-Soo Lee. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20060107889A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Apparatus and method for producing single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US20080038179A1. Автор: Kazuyuki Egashira,Norihito Fukatsu,Senrin Fu. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US20040244674A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Hideshi Nishikawa,Shigeru Umeno,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for producing Si ingot single crystal, Si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US12037696B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Growth method for single crystals of magnesium aluminate spinel by edge-defined film-fed growth technique

Номер патента: US20240200225A1. Автор: Xiaoliang Wang,Haili Wang,Cunxin Huang,Muyun Lei. Владелец: Sinoma Synthetic Crystals Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for producing si ingot single crystal, si ingot single crystal, and apparatus thereof

Номер патента: US20210363656A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Single crystal silicon ingots having doped axial regions with different resistivity and methods for producing such ingots

Номер патента: WO2018063967A1. Автор: Soubir Basak,Salvador Zepeda. Владелец: Corner Star Limited. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245895A3. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245894A2. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245895A2. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Apparatus for producing Si ingot single crystal

Номер патента: US12037697B2. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for producing a silicon single crystal doped with nitrogen and having a controlled amount of carbon impurities

Номер патента: US12084788B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245894A3. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Si ingot single crystal

Номер патента: US20230304185A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Systems and methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: US20240309541A1. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

System for growing crystal sheets

Номер патента: US11761119B2. Автор: Nathan Stoddard,Melissa Seitz. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: US11795571B2. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: WO2021018883A1. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-02-04.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: EP4004261A1. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Single crystal of silicon with <100> orientation, which is doped with n-type dopant, and method for producing such a single crystal

Номер патента: US20200270764A1. Автор: Jochen Friedrich,Georg Raming,Alfred Miller,Matthias Daniel,Ludwig STOCKMEIER. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-08-27.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: US20240279840A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: WO2024177846A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Modeling thermal donor formation and target resistivity for single crystal silicon ingot production

Номер патента: EP4416321A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Michael Robbin Seacrist. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Methods for forming single crystal silicon ingots with improved resistivity control

Номер патента: US12024789B2. Автор: Nan Zhang,Hyungmin Lee,Robert Standley,Soubir Basak,Richard J. Phillips,Parthiv Daggolu,Jae-Woo Ryu,Eric Gitlin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods for forming single crystal silicon ingots with improved resistivity control

Номер патента: US20180179660A1. Автор: Nan Zhang,Hyungmin Lee,Robert Standley,Soubir Basak,Richard J. Phillips,Parthiv Daggolu,Jae-Woo Ryu,Eric Gitlin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Improved resistivity stabilization measurement of fat neck slabs for high resistivity and ultra-high resistivity single crystal silicon ingot growth

Номер патента: EP4209625A1. Автор: Hyungmin Lee,Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Richard J. Phillips,Robert Wendell Standley. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Improved resistivity stabilization measurement of fat neck slabs for high resistivity and ultra-high resistivity single crystal silicon ingot growth

Номер патента: WO2020139584A1. Автор: Hyungmin Lee,Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Richard J. Phillips,Robert Wendell Standley. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: EP4244411A1. Автор: Richard Joseph Phillips,Salvador Zepeda. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: US12110609B2. Автор: Richard Joseph Phillips,Salvador Zepeda. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

System for growing crystal sheets

Номер патента: US20220162772A1. Автор: Nathan Stoddard,Melissa Seitz. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

System for Growing Crystal Sheets

Номер патента: US20210262120A1. Автор: Nathan Stoddard,Melissa Seitz. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

METHOD FOR GROWING BETA-Ga2O3-BASED SINGLE CRYSTAL FILM, AND CRYSTALLINE LAYERED STRUCTURE

Номер патента: US20160265137A1. Автор: MURAKAMI Hisashi,Goto Ken,SASAKI Kohei,Koukitu Akinori,KUMAGAI Yoshinao. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Method for measuring distance between reference reflector and melt surface, method for control the position of melt surface using same, and silicon single crystal producing apparatus

Номер патента: EP2011905A4. Автор: Izumi Fusegawa,Masahiko Urano. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-29.

Wet-tip die for efg crystal growth apparatus and method for growing tubular crystalline bodies therewith

Номер патента: IL98267A. Автор: . Владелец: Mobil Solar Energy Corp. Дата публикации: 1995-06-29.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: US11891718B2. Автор: Sang Hee Kim,Kyung Tae Park,Hyun Ju HWANG. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods for growing a single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: WO2020214531A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods for growing a single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: US20200332439A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Powder for growing gallium oxide single crystal and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240158254A1. Автор: Myung Hyun Lee,Si Young Bae,Seong Min JEONG,Yun Ji SHIN. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor single crystal pulling apparatus

Номер патента: US20020073919A1. Автор: Masahito Watanabe,Minoru Eguchi,Souroku Kawanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for cd1-xznxte single crystals growing, where 0≤x≤1, for inoculation at high pressure of inert gas

Номер патента: RU2633899C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;КристалсНорд&#34;. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for calculating resistivity of materials in residual pot for continuously drawing single crystal rod

Номер патента: CN111364099A. Автор: 林通,河野贵之,马国忠,梁万亮,丁亚国,顾燕滨. Владелец: Ningxia Yinhe New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-03.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148C. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-08-07.

Large-scale compound semiconductor single crystal growth system and method

Номер патента: US20240229291A1. Автор: Yang Wang,Shujie Wang,Xiaolan Li,Huisheng Liu,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU,Xin Ou,Ruiliang SONG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon single crystal growing apparatus and method for growing silicon single crystal

Номер патента: US09783912B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and Apparatus for Reducing Impurities in a Single Crystal Based on Ingot Length

Номер патента: US20140102357A1. Автор: Keith Ritter. Владелец: Siemens Medical Solutions USA Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: US20240247398A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: WO2024155776A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control

Номер патента: WO2023131634A8. Автор: Matteo Pannocchia,Maria Porrini. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-22.

A Silicon Single Crystal Ingot and Wafer, Growing Apparatus and Method Therof

Номер патента: US20070022943A1. Автор: Hyon-Jong Cho,Hong Lee,Young Ho Hong,Man Kwak,III-Soo Choi. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for growing high-quality heteroepitaxial monoclinic gallium oxide crystal

Номер патента: US12049709B2. Автор: Fatih AKYOL. Владелец: Yildiz Teknoloji Transfer Ofisi AS. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for growing long-seed dkdp crystal by two-dimensional motion

Номер патента: US20230227995A1. Автор: Bin Wang,Hang Liu,Chuan Zhou,Hongji QI,Jianda SHAO,Duanyang Chen,Mingwel Li,Huawei Yin. Владелец: Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20140238292A1. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: EP1500722A4. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-10-10.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US09863060B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shou Takashima,Yuuichi Miyahara,Yasuhiko Sawazaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for growing a gaas single crystal by pulling from gaas melt

Номер патента: CA1228524A. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai. Дата публикации: 1987-10-27.

Single-crystal growing crucible, single-crystal production method and single crystal

Номер патента: US11946155B2. Автор: Minoru Fujita,Jun Hirabayashi,Makio Kondo,Katsumi Kawasaki,Daisuke Inokuchi,Jun Arima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for growing single crystals of dissociative compound semiconductor

Номер патента: US4750969A. Автор: Koichi Sassa,Kenji Tomizawa. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1988-06-14.

Process for producing a raw material powder to grow a single crystal and the single crystal

Номер патента: US20010018887A1. Автор: Minoru Imaeda,Akihiko Honda,Masahiro Murasato,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Process for producing a raw material powder to grow a single crystal and the single crystal

Номер патента: EP1127963A3. Автор: Masahiro c/o NGK Insulators Ltd. Murasato,Katsuhiro c/o NGK Insulators Ltd. Imai,Minoru c/o NGK Insulators ltd. Imaeda,Akihiko c/o NGK Insulators Ltd. Honda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-11-19.

Process for producing a raw material powder to grow a single crystal and the single crystal

Номер патента: US6402835B2. Автор: Minoru Imaeda,Akihiko Honda,Masahiro Murasato,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-06-11.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: US20100089309A1. Автор: Masahiro Mori,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Non-dash neck method for single crystal silicon growth

Номер патента: EP1012357A1. Автор: Kyong-Min Kim,Sadasivam Chandrasekhar. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2000-06-28.

Method for Growing Single Crystals of Metals

Номер патента: US20090120351A1. Автор: James R. Ciulik,Eric M. Taleff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US5037503A. Автор: Tsutomu Kajimoto,Daizou Horie,Shin-ichi Sakurada. Владелец: Kyushu Electronic Metal Co Ltd. Дата публикации: 1991-08-06.

Method for growing a semiconductor single-crystal

Номер патента: US5858085A. Автор: Yoshiaki Arai,Norihisa Machida,Keisei Abe. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingots

Номер патента: US20240003047A1. Автор: Woo Tae Kim. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control

Номер патента: WO2023131634A1. Автор: Matteo Pannocchia,Maria Porrini. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-13.

Langasite-type oxide material, method for production thereof and raw material used in production method

Номер патента: RU2552476C2. Автор: Акира ЙОСИКАВА,Юуи ЙОКОТА,Ко ОНОДЕРА,Казусиге ТОХТА,Масато САТО. Владелец: Тдк Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-10.

Magnesium Oxide Single Crystal Having Controlled Crystallinity and Method for Producing the Same, and Substrate Using the Single Crystal

Номер патента: US20080081767A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: Tateho Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Crystal holding mechanism of single crystal pulling device and method for producing single crystal ingot

Номер патента: US20130319318A1. Автор: Ayumi Suda,Takuya Yotsui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Single crystal pulling apparatus and method for pulling single crystal

Номер патента: US20240076800A1. Автор: Kiyotaka Takano,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface coustic wave device

Номер патента: US20040137727A1. Автор: Satoshi Uda,Shouqi Wang. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for producing aluminum antimonide crystals for radiation detectors

Номер патента: WO2004031456A3. Автор: Jick Hong Yee,John W Sherohman,Arthur W Coombs Iii. Владелец: Univ California. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for producing aluminum antimonide crystals for radiation detectors

Номер патента: WO2004031456A2. Автор: Arthur W. Coombs, III,John W. Sherohman,Jick Hong Yee. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2004-04-15.

Gallium oxide single crystal particle and method for producing the same

Номер патента: US20230122462A1. Автор: Hiroyuki Shibata,Jun Yoshikawa,Miho Maeda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for producing semiconductor wafers from silicon

Номер патента: US20220356601A1. Автор: Sergiy BALANETSKYY,Matthias Daniel. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-11-10.

Determination of mass/time ratios for buffer members used during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: US12091769B2. Автор: Matteo Pannocchia,Francesca Marchese,James Ho Wai Kitt. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatus and meth0d for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: US20180094359A1. Автор: Hyun Woo Park,Nam Seok Kim,Su Jin Son,Young Ho Hong. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Use of quartz plates during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: EP4352283A1. Автор: Paolo Tosi,Matteo Pannocchia,Francesca Marchese. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Use of quartz plates during growth of single crystal silicon ingots

Номер патента: WO2022258634A1. Автор: Paolo Tosi,Matteo Pannocchia,Francesca Marchese. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-15.

Use of arrays of quartz particles during single crystal silicon ingot production

Номер патента: EP4430234A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Richard Joseph Phillips. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for achieving sustained anisotropic crystal growth on the surface of a silicon melt

Номер патента: US09970125B2. Автор: Brian H. Mackintosh,Peter L. Kellerman,Dawei Sun. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for Growing Large-size Crystal By Laser Assisted Heating and Dedicated Device

Номер патента: US20210062359A1. Автор: Hao Jin,Zhongyuan ZHANG,Quangang XIAN. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for prolonging service life of crucible for solar-grade large-size single crystal growth

Номер патента: CN110983428A. Автор: 张小虎,李世超,闫斌,马新星,段俊飞. Владелец: Baotou Meike Silicon Energy Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

Method for optimizing solid-liquid interface oxygen distribution regulation in Czochralski silicon single crystal growth process

Номер патента: CN107747122B. Автор: 张晶,任俊超,刘丁,张新雨. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2020-03-31.

Apparatus for producing single crystals and method for producing single crystals

Номер патента: US20020005160A1. Автор: Kouji Kitagawa,Kouji Mizuishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09850595B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09822468B2. Автор: Kazuaki Seki,Kazuhiko Kusunoki,Yutaka Kishida,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for growing monocrystalline silicon and monocrystalline silicon ingot prepared thereof

Номер патента: US09834861B2. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for growing single crystals of vanadium dioxide

Номер патента: GB1095805A. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1967-12-20.

Apparatus and method of growing single crystal of semiconductor

Номер патента: US6497761B2. Автор: Masahito Watanabe,Minoru Eguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-24.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: WO2024155595A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for producing quartz glass crucible for use in pulling silicon single crystal and quartz glass crucible produced by said method

Номер патента: EP1601823A1. Автор: Hiroshi Matsui,Yasuo Ohama. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-12-07.

Methods for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: US20210079554A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: US20210363658A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20240240355A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for reducing the range in resistivities of semiconductor crystalline sheets grown in a multi-lane furnace

Номер патента: EP2643847A2. Автор: Weidong Huang,Scott Reitsma,Christine Richardson,Brian D. Kernan,Gary J. Tarnowski. Владелец: Evergreen Solar Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method for reducing the range in resistivities of semiconductor crystalline sheets grown in a multi-lane furnace

Номер патента: WO2012071341A2. Автор: Weidong Huang,Scott Reitsma,Christine Richardson,Brian D. Kernan,Gary J. Tarnowski. Владелец: EVERGREEN SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for horizontal ribbon crystal growth

Номер патента: US4316764A. Автор: Masamichi Yoshioka,Bosshi Kudo. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1982-02-23.

Single crystal growth and diameter control by magnetic melt agitation

Номер патента: US3607139A. Автор: Charles W Hanks. Владелец: Air Reduction Co Inc. Дата публикации: 1971-09-21.

Methods and devices for growing oxide crystals without annealing

Номер патента: US20210054527A1. Автор: Min Li,Yu Wang,Weiming Guan. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods and devices for growing oxide crystals in oxygen atmosphere

Номер патента: US11828001B2. Автор: Min Li,Yu Wang,Weiming Guan. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods and devices for growing oxide crystals in oxygen atmosphere

Номер патента: US20240052523A1. Автор: Min Li,Yu Wang,Weiming Guan. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for growing crystal boule

Номер патента: US20200208293A1. Автор: FAN Qi,Qiankun LIU,Fengbo Wu,Jianyun Yu,Pin-Hui HSIEH. Владелец: Fujian Jingan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for discharging silicon oxide using carrier gas and pulling device of single crystal using same

Номер патента: KR940018491A. Автор: 히로시 야스다,카즈히로 이께자와,아끼라 타니가와,히로유끼 코지마,코지 호소다,요시후미 고바야시. Владелец: 미쯔비시 머테리얼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-08-18.

Method for automatically controlling the growth of the neck portion of a single crystal.

Номер патента: DE69202996T2. Автор: Kenji Araki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-16.

Method for growing mixed crystals of cobalt-nickel-potassium sulfate for optical filters of ultraviolet range

Номер патента: RU2758652C1. Автор: Наталья Александровна Васильева,Алексей Эдуардович Волошин,Владимир Михайлович Масалов,Андрей Анатольевич Жохов,Геннадий Анатольевич Емельченко,Надежда Сергеевна Сухинина,Вера Львовна Маноменова,Елена Борисовна Руднева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2021-11-01.

Method for preparing a charge for growing fluoride single crystals

Номер патента: RU2747503C1. Автор: Степан Эрвандович Саркисов,Валентин Александрович Юсим. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение &#34;Национальный исследовательский центр &#34;Курчатовский институт&#34;. Дата публикации: 2021-05-05.

Method for growing crystals of multicomponent fluorides with the structure of fluorite in mf2-cef3 systems

Номер патента: RU2659274C2. Автор: Борис Павлович Соболев,Денис Нуриманович Каримов,Всеволод Вадимович Киреев,Наталья Альбертовна Ивановская. Владелец: Федеральное государственное учреждение &#34;Федеральный научно-исследовательский центр &#34;Кристаллография и фотоника&#34; Российской академии наук&#34;. Дата публикации: 2018-06-29.

Method for growing a silicon single crystal while suppressing a generation of slip dislocations in a tail portion

Номер патента: US09988736B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing etched SiC substrate and grown SiC substrate by material tranportation and method for epitaxial growth by material transportation

Номер патента: US11952678B2. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for growing silicon carbide crystal

Номер патента: US09945047B2. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

METHOD FOR REPEATED USE OF A SOLUTION-MELT IN THE SYNTHESIS OF 57FeBO3

Номер патента: RU2769681C1. Автор: Игорь Савельевич Любутин,Юлия Александровна Могиленец,Кира Андреевна Селезнева,Марк Борисович Стругацкий,Сергей Владимирович Ягупов,Никита Игоревич Снегирёв,Марианна Владимировна Любутина. Владелец: Федеральное государственное учреждение &#34;Федеральный научно-исследовательский центр &#34;Кристаллография и фотоника&#34; Российской академии наук&#34;. Дата публикации: 2022-04-05.

Method, apparatus, and computer-readable storage medium for growing single crystal by using czochralski technique

Номер патента: US20220389610A1. Автор: QIAO LI,Zhengyuan Wang,Feifei DOU. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for growing a silicon single crystal

Номер патента: US20170044685A1. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method of forming a temperature gradient in a thermal unit of a furnace for growing fluoride crystals and a device for its implementation

Номер патента: RU2765962C1. Автор: Александр Кондратьевич Наумов,Стелла Леонидовна Кораблева,Радик Дависович Аглямов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Казанский (Приволжский) федеральный университет» (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2022-02-07.

Method for producing single crystal, and method for producing silicon wafer

Номер патента: US10233562B2. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa,Masayuki Uto. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Crystal puller and method for growing a monocrystalline ingot

Номер патента: US8147613B2. Автор: Milind Kulkarni. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2012-04-03.

Method for producing silicon ingot single crystal

Номер патента: US20230160095A1. Автор: Kazuo Nakajima,Masami Nakanishi,Wen-Ching Hsu,Yu Sheng Su. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for preparing single crystal, and silicon crystal

Номер патента: EP4459013A1. Автор: Wei Wu,Chun-Hung Chen,Shuangli WANG. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Methods for producing off-orientation single crystal silicon wafers

Номер патента: US20240218557A1. Автор: Peter Albrecht,Carlo Zavattari,Maria Porrini,Michael RAFFEINER,Pietro Valcozzena,Fabrizio BONDA,Paolo Delpero,Massimo Gariddi,Patrizio Pregnolato. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for Producing Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot and Nitrogen-Doped Single Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240287704A1. Автор: Yang Li,Xun Lan. Владелец: Xi’ An Eswin Material Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic semiconductor material and method for preparation thereof

Номер патента: US20040014244A1. Автор: Katsuaki Sato,Takayuki Ishibashi,Gennadiy Medvedkin. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Method for Manufacturing Boride Single Crystal and Substrate

Номер патента: US20070022944A1. Автор: Shinji Inoue,Kenji Hori,Mineo Isogami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Crystal Puller and Method for Pulling Single-Crystal Silicon Ingot, and Single-Crystal Silicon Ingot

Номер патента: US20240271317A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus for growing silicon crystals

Номер патента: US5264189A. Автор: Ichiro Yamashita,Koutaro Shimizu,Yoshiaki Banba. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 1993-11-23.

Method for tailoring the dopant profile in a laser crystal using zone processing

Номер патента: US09926644B2. Автор: Robert W. Byren. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods for growing large-volume single crystals from calcium fluoride and their uses

Номер патента: US20010025598A1. Автор: Burkhard Speit,Lutz Parthier,Gunther Wehrhan,Joerg Staeblein,Andreas Weisleder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control

Номер патента: US11866845B2. Автор: Matteo Pannocchia,Maria Porrini. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control

Номер патента: US20230212778A1. Автор: Matteo Pannocchia,Maria Porrini. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for pulling a single crystal composed of silicon from a melt contained in a crucible, and single crystal produced thereby

Номер патента: US09988739B2. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Pulling a semiconductor single crystal according to the Czochralski method

Номер патента: US09856576B2. Автор: Thomas Kayser,Walter Lehmann,Michael Hünermann. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Apparatus and Method for Regulating Hot Zone for Single Crystal Growth

Номер патента: US20240158952A1. Автор: Hao Pan,Hyunguk JEON. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for growing crystals

Номер патента: US5611856A. Автор: Peter G. Schunemann,Thomas M. Pollak. Владелец: Lockheed Sanders Inc. Дата публикации: 1997-03-18.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: EP4394095A2. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: WO2020263455A1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-30.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: EP3990683A1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-04.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: US20200407869A1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: EP4394095A3. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: US09863059B2. Автор: Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Process and device for growing single crystals, especially of caf2

Номер патента: US20030019422A1. Автор: Patrick Herve. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

PROCESS AND DEVICE FOR GROWING SINGLE CRYSTALS, ESPECIALLY OF CaF 2?

Номер патента: EP1266053A1. Автор: Patrick J. P. Herve. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-12-18.

Sample rod resistivity measurement during single crystal silicon ingot production

Номер патента: EP4317546A3. Автор: Hyungmin Lee,Jaewoo Ryu,Robert Standley,Carissima Marie Hudson,Richard J. Phillips,YoungJung Lee. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Method for fabrication of halide perovskite single crystal comprising low-temperature solvation process

Номер патента: US20230203703A1. Автор: Hye Ri Jung,William Jo,Yun Ae CHO. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2023-06-29.

Method and apparatus for growing potassium lead chloride crystals

Номер патента: US7964158B1. Автор: Steven R. Bowman,Nicholas J. Condon,Shawn P. O&#39;Connor. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2011-06-21.

Apparatus for manufacturing silicon single crystal and melt inlet pipe of the same

Номер патента: US10415150B2. Автор: Mitsuaki Hayashi,Wataru Sugimura,Ippei SHIMOZAKI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Crucible-supporting pedestal, quartz crucible-supporting device, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20200283925A1. Автор: Kenji Munezane. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for producing semiconductor wafers

Номер патента: US20230243069A1. Автор: Timo Mueller,Michael SKROBANEK,Gudrun Kissinger,Michael Gehmlich,Karl Mangelberger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for reusing a solution-melt in the synthesis of iron borate

Номер патента: RU2771168C1. Автор: Юлия Александровна Могиленец,Кира Андреевна Селезнева,Марк Борисович Стругацкий,Сергей Владимирович Ягупов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского&#34;. Дата публикации: 2022-04-27.

Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible

Номер патента: EP2203395A1. Автор: Narsi Devanathan,Theodore P. Kircher,Richard Lee Hansen. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-07.

Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible

Номер патента: WO2009035530A1. Автор: Narsi Devanathan,Theodore P. Kircher,Richard Lee Hansen. Владелец: Momentive Performance Materials Nc.. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for forming heteroepitaxial film

Номер патента: EP4414483A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Junya Ishizaki,Toshiki Matsubara,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Pseudo-substrate with improved efficiency of usage of single crystal material

Номер патента: US12112976B2. Автор: Oleg Kononchuk,Fabrice Letertre. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-10-08.

METHOD FOR OBTAINING EPITAXIAL LAYER OF A BINARY SEMICONDUCTOR MATERIAL ON A SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE BY ORGANOMETALLIC CHEMICAL DEPOSITION FROM A GAS PHASE

Номер патента: RU2013138480A. Автор: Валерий Анатольевич Буробин,Андрей Владимирович Зверев,Алексей Андреевич Арендаренко. Владелец: Алексей Андреевич Арендаренко. Дата публикации: 2015-02-27.

Method for manufacturing substrate

Номер патента: US20160104620A1. Автор: Yuto Kurokawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for manufacturing substrate

Номер патента: US9330919B1. Автор: Yuto Kurokawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for manufacturing substrate for solar cell and substrate for solar cell

Номер патента: US11901475B2. Автор: Hiroyuki Otsuka,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for making semimetal compound of Pt

Номер патента: US11001937B2. Автор: Yang Wu,Shou-Shan Fan,Shu-Yun Zhou,Ke-Nan Zhang,Ming-Zhe Yan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Method for making semimetal compound of pt

Номер патента: US20180087178A1. Автор: Yang Wu,Shou-Shan Fan,Shu-Yun Zhou,Ke-Nan Zhang,Ming-Zhe Yan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for making semimetal compound of Pt

Номер патента: US10280529B2. Автор: Yang Wu,Shou-Shan Fan,Shu-Yun Zhou,Ke-Nan Zhang,Ming-Zhe Yan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

Method for making semimetal compound of pt

Номер патента: US20190177873A1. Автор: Yang Wu,Shou-Shan Fan,Shu-Yun Zhou,Ke-Nan Zhang,Ming-Zhe Yan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for producing a laminated body having a1-based group-iii nitride single crystal layer, laminated body produced by the method, method for producing a1-based group-iii nitride single crystal substrate employing the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: CA2712148A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

METHOD FOR PRODUCING A LAMINATED BODY HAVING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL LAYER, LAMINATED BODY PRODUCED BY THE METHOD, METHOD FOR PRODUCING Al-BASED GROUP-III NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE EMPLOYING THE LAMINATED BODY, AND ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20110018104A1. Автор: Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima,Masanari Ishizuki,Akira Hakomori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Method for manufacturing sintered bulk of raw materials, and growing nethod for single crystal using sintered bulk

Номер патента: KR101480491B1. Автор: 김장열,서한석,이승석,은태희,여임규,김흥락. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2015-01-12.

Growth of semiconductor single crystals

Номер патента: US6294017B1. Автор: Donald Thomas James Hurle,Gordon Charles Joyce,Kathryn Elizabeth Mckell. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 2001-09-25.

Quartz crucible for growing silicon single crystal, method of manufacturing quartz crucible for growing silicon single crystal and method of manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20130276694A1. Автор: Hidetoshi Utsuro,Masafumi Okamoto,Naoya Ryoki,Ryo Kuwabara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Apparatus and Method for Growing a Crystal and Heating an Annular Channel Circumscribing the Crystal

Номер патента: US20090007840A1. Автор: Olexy V. Radkevich,Keith Ritter,Mehmed Becirovic. Владелец: Siemens Medical Solutions USA Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and method for producing bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: US12012668B2. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal, faraday rotator, optical isolator, and method for producing bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal

Номер патента: EP4141150A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Satoru Fukuda. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Double crucible for single crystal growth

Номер патента: CA1272106A. Автор: Ryusuke Nakai,Kohji Tada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1990-07-31.

Semiconductor Wafer Composed Of Monocrystalline Silicon And Method For Producing It

Номер патента: US20160053405A1. Автор: Timo Mueller,Gudrun Kissinger,Andreas Sattler,Dawid Kot. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-02-25.

System and method for crystalline sheet growth using a cold block and gas jet

Номер патента: US09957636B2. Автор: Ala Moradian,Frank Sinclair,Peter L. Kellerman,Dawei Sun,Frederick M. Carlson,David Morrell,Nandish Desai,Brian Mackintosh. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible

Номер патента: EP1945586A1. Автор: Narsi Devanathan,Theodore P. Kircher,Richard Lee Hansen. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-23.

Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible

Номер патента: WO2007047783A1. Автор: Narsi Devanathan,Theodore P. Kircher,Richard Lee Hansen. Владелец: Momentive Performance Materials Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for epitaxial growth of monocrystals of metals nitrides of 3a group of chemical elements

Номер патента: RU2097452C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Юрий Александрович Водаков,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Сергей Юрьевич Карпов,Марк Спиридонович Рамм. Владелец: Марк Спиридонович Рамм. Дата публикации: 1997-11-27.

Monocrystalline zirconia without low-temperature degradation properties and method for growing same

Номер патента: US20170137961A1. Автор: Jae Kun Lee. Владелец: Woojin Wtp Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414480A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: EP4414481A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263346A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

System for manufacturing a high-quality semiconductor single crystal, and method of manufacturing same

Номер патента: US20240263347A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for growing a GaN single crystal film on a buffer layer on a ScAlMgO4 substrate and performing cooling so that the GaN film is peeled from the ScAlMgO4 substrate

Номер патента: US12065755B2. Автор: Haitao Zhang,Bin Xu,Bo PANG,Lianghong Liu. Владелец: Wuxi Wuyue Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Sublimation System And Method Of Growing At Least One Single Crystal

Номер патента: US20240309546A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal of a semiconductor material

Номер патента: EP4431644A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

Sublimation System and Method of Growing at Least One Single Crystal of a Semiconductor Material

Номер патента: US20240309545A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Sublimation system and method of growing at least one single crystal

Номер патента: EP4431643A1. Автор: Ralf Müller,Michael Vogel,Bernhard Ecker,Matthias Stockmeier,Philipp Schuh. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2024-09-18.

METHOD FOR PRODUCING Bi4Ge3O12 BISMUTH GERMANATE BY CASTING

Номер патента: RU2753671C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Сибирский федеральный университет&#34;. Дата публикации: 2021-08-19.

Monocrystalline zirconia without low-temperature degradation properties and method for growing same

Номер патента: US20160010240A1. Автор: Jae Kun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for forming nitride crystals

Номер патента: EP2078105A1. Автор: Steven Alfred Tysoe,Dong-Sil Park,Kristi Narang,Huicong Hong,Mark D&#39;Evelyn,John Thomas Leman. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2009-07-15.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US9932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US09932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing single crystal sic

Номер патента: RU2761199C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Александр Владимирович Марков,Наталья Владимировна Андреева,Андрей Олегович Лебедев,Юрий Олегович Быков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2021-12-06.

Reactor for extended duration growth of gallium containing single crystals

Номер патента: US20030221619A1. Автор: Yuri Melnik,Vladimir Dmitriev,Vitali Soukhoveev,Vladimir Ivantsov,Katie Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Method for growing silicon whisker crystals

Номер патента: RU2750732C1. Автор: Нада Свайкат. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образования учреждение высшего образования &#34;Воронежский государственный технический университет&#34;. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for producing nitrogen-free diamond crystals

Номер патента: RU2766902C1. Автор: Юрий Николаевич Пальянов,Игорь Николаевич Куприянов,Александр Федорович Хохряков,Юрий Михайлович Борздов,Денис Валерьевич Нечаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и менералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2022-03-16.

Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate

Номер патента: US20110081531A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing base substrate, and method for producing single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: EP4431634A1. Автор: Hitoshi Noguchi,Hiroshi Hashigami,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for producing bismuth silicate bi12sio20 by crystalization method in crubicle

Номер патента: RU2665626C1. Автор: Тимофей Владимирович Бермешев,Владимир Павлович Жереб. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Сибирский федеральный университет&#34;. Дата публикации: 2018-09-03.

Method for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210230768A2. Автор: Yohei FUJIKAWA,Hidetaka Takaba. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-29.

Method and device for manufacturing silicon carbide single-crystal

Номер патента: US20130239881A1. Автор: Shin Harada,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Shinsuke Fujiwara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for growing an .alpha.-sic bulk single crystal

Номер патента: CA2368380C. Автор: Rene Stein,Johannes VÖLKL,Harald Kuhn. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2008-07-29.

Method for growing single crystals of dissociative compounds

Номер патента: US4664742A. Автор: Koichi Sassa,Kenji Tomizawa,Yasushi Shimanuki. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1987-05-12.

Method for growing iii nitride single crystal

Номер патента: EP2000567A9. Автор: Hideaki Nakahata,Shinsuke Fujiwara,Tomohiro Kawase,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-03-25.

Method for Producing Single Crystal Diamond and Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240318348A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20180187328A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20150023862A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Yuji Kagamitani,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for producing silicon carbide single crystal in a solution process using a seed crystal having a bottom face with a circular shape and at least a partially removed section

Номер патента: US10260167B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for producing heteroepitaxial wafer

Номер патента: EP4431645A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Toshiki Matsubara,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US09976229B2. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-05-22.

Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20050155543A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for growing single crystals

Номер патента: US20240035200A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2024-02-01.

Shield member and apparatus for growing single crystal equipped with the same

Номер патента: US20120318198A1. Автор: Akihiro Matsuse. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20180100247A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20240110309A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: US20240068129A1. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing rectangular parallelepiped-shaped single crystal, rectangular parallelepiped-shaped single crystal, method for manufacturing ceramics, ceramics, piezoelectric element, piezoelectric device, and electronic device

Номер патента: US20160273125A1. Автор: Takayuki Watanabe,Makoto Kubota,Shunsuke Murakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416A1. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US20160190069A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4148167A1. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416B2. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Device for growing an artificially produced single crystal, in particular a sapphire single crystal

Номер патента: AU2021414416A9. Автор: Robert Ebner,Jong Kwan Park,Ghassan Barbar,Gourav SEN. Владелец: Fametec GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Laminate substrate, freestanding substrate, method for manufacturing laminate substrate, and method for manufacturing freestanding substrate

Номер патента: US20240332362A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09982365B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Katsunori Danno. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for producing SiC single crystal substrate in which a Cr surface impurity is removed using hydrochloric acid

Номер патента: US09873955B2. Автор: Akinori Seki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries

Номер патента: RU2749534C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Ольга Леонидовна Семерикова,Алексей Алексеевич Трофимов,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Анастасия Максимовна Леонова,Наталия Максимовна Леонова,Диана Михайловна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-11.

Apparatus for growing a SiC single crystal ingot comprising a filter unit having a porous body surrounding an opening unit that is located under a seed crystal

Номер патента: US11859305B2. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of growing semi-insulating silicon carbide single crystal ingot and apparatus for growing silicon carbide single crystal ingot

Номер патента: US20230193506A1. Автор: Jung-Gyu Kim,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for growing single crystals

Номер патента: US20230357952A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2023-11-09.

Feed rod for growing magnetic single crystal, magnetic single crystal, and method of producing a magnetic single crystal

Номер патента: US20030041797A1. Автор: Mikio Geho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method for gettering transition metal impurities in silicon crystal

Номер патента: US7157354B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-01-02.

Method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20160340796A1. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for manufacturing diamond single crystal substrate, and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20060216220A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Zinc oxide free-standing substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20160145768A1. Автор: Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Hirofumi Yamaguchi,Morimichi Watanabe. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Method for forming identification marks on refractory material single crystal substrate, and refractory material single crystal substrate

Номер патента: US9318443B2. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Assembly and method for growing crystalline ornament, and same

Номер патента: US20230302847A1. Автор: Lianwu Huang. Владелец: Shenzhen Black Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and a waveguide polarization mode converter using the same

Номер патента: WO2001075195A3. Автор: Miguel Levy,Richard M Osgood Jr,Antonije M Radojevic. Владелец: Antonije M Radojevic. Дата публикации: 2002-02-28.

Laminate substrate, freestanding substrate, method for manufacturing laminate substrate, and method for manufacturing freestanding substrate

Номер патента: US12040362B2. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US11840772B2. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University Research Foundation (CURF). Дата публикации: 2023-12-12.

Hydrothermal method for growth of alkaline earth metal stannate bulk single crystals and crystals formed thereby

Номер патента: US20220235488A1. Автор: Joseph W. Kolis,Colin D. McMillen,Rylan J. Terry. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-07-28.

Method and apparatus for growth of high purity 6h-sic single crystal

Номер патента: EP2262934A1. Автор: Brian Wagner,Sean R. McLaughlin,David J. Knuteson,David Kahler,Thomas J. Knight,Narsingh B. Singh,Travis J. Randall,Andre E. Berghmans,Mark Usefara. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2010-12-22.

Method for growing crystals of III-V compound semiconductors

Номер патента: US4004953A. Автор: Mutsuyuki Otsubo,Hidejiro Miki,Kiyoshi Shirahata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1977-01-25.

Sic single crystal substrate and production method therefor

Номер патента: EP4421219A1. Автор: Jun Yoshikawa,Kiyoshi MATSUSHIMA,Fumiyasu NOZAKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for growing low-defect single crystal heteroepitaxial films

Номер патента: WO2003027363A1. Автор: Philip G. Neudeck,J. Anthony Powell. Владелец: The Government Of The United States Of America, As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration (Nasa). Дата публикации: 2003-04-03.

Method for growing high quality group-III nitride thin film by metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20020192373A1. Автор: Ok-Hyun Nam,Cheol-soo Sone,Hyeong-soo Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Methods for production of single-crystal graphenes

Номер патента: US09845551B2. Автор: Zheng Yan,James M. Tour. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for preparing single-crystal high-vanadium high-titanium high-water manganess olivine

Номер патента: LU503016B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-05-16.

Method for harvesting single crystals from a peritectic melt

Номер патента: WO1996021756A1. Автор: Donglu Shi,Suvankar Sengupta,Volker R. Todt. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 1996-07-18.

Purification method for copper foil

Номер патента: US20240328026A1. Автор: Zhiqiang Zhang,Zhi Huang,Kaihui Liu,Enge Wang,Jinzong KOU,Xiangbin YUE,Menglin HE. Владелец: Zhongke Crystal Materials Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Self-healing method for fractured SiC single crystal nanowires

Номер патента: US10942099B2. Автор: Zhenyu Zhang,Junfeng Cui,Yuefeng DU,Dongming GUO. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-03-09.

Seed selection and growth methods for reduced-crack group III nitride bulk crystals

Номер патента: US09909230B2. Автор: Tadao Hashimoto,Edward Letts,Daryl Key. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

System for horizontal growth of high-quality semiconductor single crystals, and method of manufacturing same

Номер патента: EP3760765A1. Автор: Erwin Schmitt,Michael Vogel. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2021-01-06.

Device for growing single crystals, in particular single crystals of silicon carbide

Номер патента: US20230332330A1. Автор: Robert Ebner,Ghassan Barbar,Kanaparin Ariyawong,Chih-yung Hsiung. Владелец: EBNER INDUSTRIEOFENBAU GMBH. Дата публикации: 2023-10-19.

Production method for a low-dislocation bulk aln single crystal and low-dislocation monocrystalline aln substrate

Номер патента: US20100255305A1. Автор: Thomas Straubinger,Ralph-Uwe Barz. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2010-10-07.

Boat for growing a single crystal of a semiconductor compound

Номер патента: WO1993010284A1. Автор: Ki Chul Shin,Yong Chung Roh,Han Jun Ko. Владелец: Goldstar Cable Co., Ltd.. Дата публикации: 1993-05-27.

Methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US12071709B2. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Monocrystalline zirconia without low-temperature degradation properties and method for growing same

Номер патента: US10066321B2. Автор: Jae Kun Lee. Владелец: Woojin Wtp Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Single crystal diamond component and method for producing

Номер патента: WO2023280842A1. Автор: Matthew Lee Markham,Jonathan Newland. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2023-01-12.

Device and method for manufacturing aiii-bv - compound semiconductor single crystals as well as aiii-bv - compound semiconductor single crystal and wafer

Номер патента: WO2024153791A1. Автор: Gunnar Leibiger,Stefan Eichler,Marc Dietrich,Dmitry SUPTEL,Ulrich Kretzer,Berndt Weinert,Max Scheffer-Czygan,Theodor Milek. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2024-07-25.

Single crystal diamond component and method for producing

Номер патента: US20240309554A1. Автор: Matthew Lee Markham,Jonathan Christopher NEWLAND. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Shielding member and apparatus for growing single crystals

Номер патента: US20190338444A1. Автор: Yohei FUJIKAWA,Yoshiteru HOSAKA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-11-07.

Process for producing single crystal-like silver films

Номер патента: WO2023249493A1. Автор: Kaiying Wang,Kim Robert Gustavsen. Владелец: University of South-Eastern Norway. Дата публикации: 2023-12-28.

High temperature superconductor film, method for forming the same and superconductor element

Номер патента: US6690957B2. Автор: Kazunori Yamanaka,Teru Nakanishi,Akihiko Akasegawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-10.

Synthetic single crystal diamond and method for producing the same

Номер патента: US20240279843A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method For Growing A Single Crystal By Crystallizing The Single Crystal From A Float Zone

Номер патента: US20160177469A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Crystal growth system and method for lead-contained compositions using batch auto-feeding

Номер патента: US20130312657A1. Автор: Pengdi Han,Jian Tian. Владелец: H C Materials Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Crystal growth system and method for lead-contained compositions using batch auto-feeding

Номер патента: US20150159296A1. Автор: Pengdi Han,Jian Tian. Владелец: CTG Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2015-06-11.

Crystal growth system and method for lead-contained compositions using batch auto-feeding

Номер патента: US9260794B2. Автор: Pengdi Han,Jian Tian. Владелец: CTG Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2016-02-16.

Crystal growth system and method for lead-contained compositions using batch auto-feeding

Номер патента: US8728238B2. Автор: Pengdi Han,Jian Tian. Владелец: H C Materials Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Process for growing crystalline thin film

Номер патента: CA2048517C. Автор: Hideya Kumomi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-10-27.

Process for growing crystalline thin film

Номер патента: US5318661A. Автор: Hideya Kumomi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-06-07.

Method for forming nitride crystals

Номер патента: US7642122B2. Автор: Mark Philip D&#39;Evelyn,Steven Alfred Tysoe,Dong-Sil Park,Huicong Hong,Kristi Jean Narang,John Thomas Leman. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2010-01-05.

Silicon carbide single crystal wafer, and methods for manufacturing silicon carbide single crystal ingot and the silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20210108334A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Yuichiro TOKUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Metastable single-crystal rare earth magnet fine powder and method for producing same

Номер патента: US12121963B2. Автор: Kenta Takagi,Yusuke Hirayama,Akihide HOSOKAWA. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: EP1736572B1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIROTA,Seiji c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. NAKAHATA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20230042620A1. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Synthetic single crystal diamond and method for producing the same

Номер патента: US20240287706A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

CRYSTAL PRODUCING APPARATUS, SiC SINGLE CRYSTAL PRODUCING METHOD, AND SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150167197A1. Автор: Kazuaki Seki,Can Zhu,Toru Ujihara,Mitsuya Nagaoka,Shunta HARADA. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2015-06-18.

Method and apparatus for growing high purity single crystal silicon carbide

Номер патента: US5985024A. Автор: Godfrey Augustine,Vijay Balakrishna,R. Noel Thomas,Richard H. Hopkins,H. McDonald Hobgood. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Silicon carbide single crystal and production thereof

Номер патента: US20060254507A1. Автор: Daisuke Kondo,Takayuki Maruyama,Shigeki Endo,Masashi Otsuki,Takuya Monbara. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Apparatus for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120325150A1. Автор: Daisuke Kondo,Wataru Seki. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for growing monocrystalline diamonds

Номер патента: WO2009154577A1. Автор: Devi Shanker Misra. Владелец: Nozomi Technotron Pte Ltd. Дата публикации: 2009-12-23.

Method for producing silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US7361219B2. Автор: Ken Yoshizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Crystal growth device and method for growing a semiconductor

Номер патента: US20240044044A1. Автор: Thomas Straubinger,Carsten HARTMANN. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for producing silicon carbide single-crystal ingot and silicon carbide single-crystal ingot

Номер патента: US20180066380A1. Автор: Tatsuo Fujimoto,Takayuki Yano,Kazuaki Seki,Hiroshi Tsuge,Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Komomo TANI. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Devices and methods for growing crystals

Номер патента: US20220056612A1. Автор: Tian Yang,Min Li,Yu Wang,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for manufacturing a composite structure comprising a thin film of monocrystalline sic on a carrier substrate of polycrystalline sic

Номер патента: US20240271321A1. Автор: Eric Guiot,Frederic Allibert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for growing alumino-yttrium garnet doped with vanadium

Номер патента: RU2641828C1. Автор: Виктор Александрович Письменный,Александр Витальевич Сандуленко,Лариса Ивановна Крутова,Дмитрий Иванович Клименченко. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра &#34;Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова&#34; (АО &#34;НИТИОМ ВНЦ &#34;ГОИ им. С.И. Вавилова&#34;). Дата публикации: 2018-01-22.

METHOD FOR PRODUCING CRYSTALS OF ALLOYS OF FLUORITE SOLID SOLUTIONS М1-X М'XF2, WHERE M = CA, SR, BA; M' = PB, CdD, X IS MOLE FRACTION OF VOLATILE COMPONENT M'F2 (VARIANTS)

Номер патента: RU2742638C1. Автор: Денис Нуриманович Каримов,Ирина Игоревна Бучинская,Юрий Меерович Дымшиц. Владелец: Федеральное государственное учреждение &#34;Федеральный научно-исследовательский центр &#34;Кристаллография и фотоника&#34; Российской академии наук&#34;. Дата публикации: 2021-02-09.

Group III nitride semiconductor and method for producing same

Номер патента: US10923346B2. Автор: Hiroshi Ono,Akihiko Ishibashi,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Methods of exfoliating single crystal materials

Номер патента: US20200395213A1. Автор: William Edwin McMAHON,Andrew Gordon Norman,Celeste Louise Melamed,Eric Steven Toberer. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Device for growing profiled crystals from solution

Номер патента: RU2133307C1. Автор: В.И. Кацман. Владелец: Институт прикладной физики РАН. Дата публикации: 1999-07-20.

Apparatus for growing crystals

Номер патента: US4332773A. Автор: Delmer H. Kimberling. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-06-01.

Method for controlling functioning of temperature mode of crystallization plant

Номер патента: RU2765556C1. Автор: Владимир Анатольевич Федоров,Владимир Владимирович Арсеньев,Владимир Михайлович Каневский,Евгений Вячеславович Антонов,Вячеслав Георгиевич Карайченцев. Владелец: Федеральное государственное учреждение &#34;Федеральный научно-исследовательский центр &#34;Кристаллография и фотоника&#34; Российской академии наук&#34;. Дата публикации: 2022-02-01.

Process for growing silicon carbide single crystal and device for the same

Номер патента: US20130305982A1. Автор: Young Shol Kim,Sung Wan Hong. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

A method for growing single crystals

Номер патента: WO2001090449A1. Автор: Moshe Einav. Владелец: Nanogate Ltd.. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for growing compound semiconductor crystal

Номер патента: US4853066A. Автор: Toshio Kikuta,Seikoh Yoshida,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-08-01.

Sic seed crystal and method for producing same, sic ingot produced by growing said sic seed crystal and method for producing same, and sic wafer produced from said sic ingot and sic wafer with epitaxial film and methods respectively for producing said sic wafer and said sic wafer with epitaxial film

Номер патента: EP4403677A3. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Sic seed crystal and method for producing same, sic ingot produced by growing said sic seed crystal and method for producing same, and sic wafer produced from said sic ingot and sic wafer with epitaxial film and methods respectively for producing said sic wafer and said sic wafer with epitaxial film

Номер патента: EP4403677A2. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Nonlinear optical and photoluminescent material of rare earth samarium scandoborate and method for synthesis thereof

Номер патента: RU2759536C1. Автор: Валерий Анатольевич Светличный,Артем Борисович Кузнецов,Константин Александрович Кох,Надежда Георгиевна Кононова,Вячеслав Сергеевич Шевченко,Екатерина Александровна Симонова,Александр Егорович Кох,Аммар Жамус. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН). Дата публикации: 2021-11-15.

Method for growing thin film

Номер патента: US20090324824A1. Автор: Suyoun Lee,Jeung-Hyun Jeong,Taek Sung Lee,Won Mok Kim,Kyeong Seok Lee,Young Joon Baik,Jong-Keuk Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-12-31.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU7917991A. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-01-02.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and¹their preparation

Номер патента: IE912296A1. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1992-01-15.

Isotopically pure single crystal epitaxial diamond films and their preparation

Номер патента: AU642744B2. Автор: Thomas Richard Anthony,William Frank Banholzer,Dennis Mark Williams. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-10-28.

Method for producing piezoelectric composite substrate and method for producing piezoelectric element

Номер патента: US20110220275A1. Автор: Hajime Kando,Norihiro Hayakawa,Ippei HATSUDA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Device for growing of protein single crystals

Номер патента: RU2040595C1. Автор: В.Н. Кузнецов,Г.А. Простова,О.В. Митичкин,В.Я. Другов. Владелец: Головное конструкторское бюро научно-производственного объединения &#34;Энергия&#34; им.акад.С.П.Королева. Дата публикации: 1995-07-25.

Method for making jewelry from synthetic gemstone (options)

Номер патента: RU2770399C1. Автор: Тюл-Хун ТЁЙ,Дун-Вук СИНЬ,Инь-Сан ЁОН,Чун-Минь КИМ. Владелец: Виеа Лоджис Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-04-15.

PREPARATION METHOD FOR GROWING GERMANIUM SULFIDE (GeS2) SINGLE-CRYSTAL THIN FILM ON SiO2 SUBSTRATE

Номер патента: US20240120431A1. Автор: SHENG Chen,Guoqiang Li,Wenliang Wang,Jixing CHAI. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-04-11.

Silicon carbide ingot, method for manufacturing silicon carbide ingot, and method for manufacturing silicon carbide wafer

Номер патента: US20230193510A1. Автор: Takeshi Okamoto,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO,Akiyoshi HORIAI,Kiyoshi Betsuyaku. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for evaluating degree of crystal orientation in polycrystalline silicon, selection method for polycrystalline silicon rods, and production method for single-crystal silicon

Номер патента: US20150047554A1. Автор: Shigeyoshi Netsu,Junichi Okada,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for producing single crystal diamond, and single crystal diamond

Номер патента: EP4365338A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for producing heteroepitaxial wafer

Номер патента: EP4407077A1. Автор: Tatsuo Abe,Atsushi Suzuki,Toshiki Matsubara,Keitaro Tsuchiya,Tsuyoshi Ohtsuki,Yukari Suzuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Carbon-doped silicon single crystal wafer and method for manufacturing the same

Номер патента: US11761118B2. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor apparatus, method for growing nitride semiconductor and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20060145166A1. Автор: Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Toshiya Matsuda,Takanori Yasuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for growing a semiconductor assembly and semiconductor assembly

Номер патента: US20230360908A1. Автор: Armin Dadgar,Florian Hörich. Владелец: Otto Von Guericke Universitaet Magdeburg. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for pretreatment of base substrate and method for manufacturing layered body using pretreated base substrate

Номер патента: US09896780B2. Автор: Hiroshi Furuya,Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for controlling donor concentration in Ga2O3-based and method for forming ohmic contact

Номер патента: US9611567B2. Автор: Kohei Sasaki,Masataka Higashiwaki. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Magnesium oxide single crystal and method for producing the same

Номер патента: US20090053131A1. Автор: Yoshifumi Kawaguchi,Masaaki Kunishige,Atsuo Toutsuka. Владелец: TATEHO CHENMICAL Ind Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Method for heat-treating silicon single crystal wafer

Номер патента: US20210062366A1. Автор: Tadashi Nakasugi,wei feng Qu,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for growing nitride film

Номер патента: EP4184553A1. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Method for growing nitride film

Номер патента: US20230175121A1. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Method for Growing Epitaxial Crystal

Номер патента: US20070261631A1. Автор: Manabu Kawabe,Ryuichi Hirano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-15.

Vanadium-compensated 4H and 6H single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US12060650B2. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal substrate

Номер патента: US20230212782A1. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for controlling donor concentration in silicon single crystal substrate

Номер патента: EP4131341A1. Автор: Hiroshi Takeno. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Vanadium-compensated 4h and 6h single crystals of optical grade, and silicon carbide crystals and methods for producing same

Номер патента: US20240352617A1. Автор: Ilya Zwieback,Andrew E. Souzis,Varatharajan Rengarajan,Gary Ruland. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for heat treatment of silicon single crystal wafer

Номер патента: US09938640B2. Автор: Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for regulating the content of gallium in scintillators based on gadolinium-gallium garnets

Номер патента: RU2670865C2. Автор: Марк С. АНДРЕАКО,Питер Карл КОЭН,Александер Эндрю КЭРИ. Владелец: СИМЕНС МЕДИКАЛ СОЛЮШЕНС ЮЭсЭй, ИНК.. Дата публикации: 2018-10-25.

Method for growing GZO (ZnO:Ga) crystals

Номер патента: US9458553B2. Автор: Qiang Wang,Yue Wang,Yunfeng Ma,Yijian Jiang,Xiaoping Mei,Chunping ZHANG,Yangli Xu. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-10-04.

METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL GaN ON SILICON

Номер патента: EP1642327A2. Автор: Andrzej Peczalski,Thomas E. Nohava. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

Device and method for growing diamond in a liquid phase

Номер патента: US20130228120A1. Автор: Chien-Min Sung. Владелец: Ritedia Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods and devices for growing scintillation crystals

Номер патента: US20240076545A1. Автор: Min Li,Yu Wang,Weiming Guan. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for the production of single crystals

Номер патента: US3634033A. Автор: Bernard J Sturm,Charles T Butler. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1972-01-11.

A boride-based substrate for growing semiconducting layers thereon and a semiconductor device using the same

Номер патента: EP1176231A3. Автор: Shigeki Otani,Jun Suda,Hiroyuki Kyocera Shiga Factory Kinoshita. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Method for producing high-photoelectric-conversion-efficiency solar cell and high-photoelectric-conversion-efficiency solar cell

Номер патента: US20180342402A1. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami,Hiroyuki Ohtsuka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Seed substrate for epitaxial growth and method for producing same, and semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4424888A1. Автор: Koichi Higuchi,Yoshihiro Kubota,Shigeru Konishi,Hiroshi Mogi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US12076818B2. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods and devices for growing scintillation crystals

Номер патента: US12116517B2. Автор: Min Li,Yu Wang,Weiming Guan. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Production method for turbine component, repairing method, and turbine component

Номер патента: EP4260966A1. Автор: Hiroshi Harada,Toru Tanaka,Akihiro Sakamoto,Kyoko Kawagishi,Tadaharu Yokokawa,Toshio Osada,Yutaka Koizumi,Yoshiaki Sakai,Rie Sumiya,Hideshi Nakano,Makoto Osawa,Takehisa Hino,Kazuhiro Kitayama. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Method for producing barium titanium oxide single-crystal piece using containerless processing

Номер патента: US7544245B2. Автор: Takehiko Ishikawa,Shinichi Yoda,Kentei Yono,Paul-Francois Paradis. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2009-06-09.

Method for making MnBi2Te4 single crystal

Номер патента: US10883188B2. Автор: Yang Wu,HAO LI,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Epitaxial wafer for ultraviolet light emitting elements, method for producing metal bonded susbtrate for ultraviolet light emitting elements, method for producing ultraviolet light emitting element, and method for producing ultraviolet light emitting element array

Номер патента: EP4223912A1. Автор: Masato Yamada,Yoshihiro Kubota,Junya Ishizaki,Minoru Kawahara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Method for depolarization suppression of rhombohedral relaxor-based ferroelectric single crystals

Номер патента: US11678580B2. Автор: Shuangjie ZHANG,Piqi SONG. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2023-06-13.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

Номер патента: US09960048B2. Автор: Tomohisa Kato,Takanori Kido. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for controlling resistivity and n-type silicon single crystal

Номер патента: US20170260645A1. Автор: Kiyotaka Takano,Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20130153928A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: EP2563950A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: US20110266556A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for controlled growth of silicon carbide and structures produced by same

Номер патента: WO2011137202A1. Автор: Hudson M. Hobgood,Robert Tyler Leonard,William A. Thore. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2011-11-03.

Apparatus for growing compound semiconductor single crystals

Номер патента: US4734267A. Автор: Masakatu Kojima. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-29.

Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices

Номер патента: US20160056313A1. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Flexible single-crystal film and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1751788A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-wan Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-14.

Method for preparing high-nickel, high-zinc and high-water single-crystal diopside under high-temperature and high-pressure condition

Номер патента: LU503141B1. Автор: Haiying Hu,Lidong Dai. Владелец: Inst Geochemistry Cas. Дата публикации: 2023-06-07.

Epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258462A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and materials for growing iii-nitride semiconductor compounds containing aluminum

Номер патента: WO2007133512A3. Автор: Shuji Nakamura,Tadao Hashimoto,Benjamin A Haskell,Derrick S Kamber. Владелец: Derrick S Kamber. Дата публикации: 2008-01-17.

Method for growing a nitride compound semiconductor

Номер патента: USRE38613E1. Автор: Fumihiko Nakamura,Hiroji Kawai,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

Method for forming crystalline deposited film

Номер патента: AU651568B2. Автор: Yutaka Hirai,Akira Sakai,Masao Ueki,Jinsho Matsuyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-07-28.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US20130295780A1. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US8853103B2. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US20110143526A1. Автор: Shinya Sadohara. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for single crystal growth of photovoltaic perovskite material and devices

Номер патента: US09812660B2. Автор: Jinsong Huang,Qingfeng Dong. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound

Номер патента: US4521272A. Автор: William A. Gault. Владелец: AT&T Technologies Inc. Дата публикации: 1985-06-04.

Method for evaluating defect in monoclinic gallium oxide

Номер патента: US12038388B2. Автор: Soon-ku HONG,Si Trong NGO,Quoc Vuong NGUYEN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2024-07-16.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US20210222322A1. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-22.

Method for manufacturing a turbine engine vane and turbine engine vane

Номер патента: US12031447B2. Автор: Baptiste Romain Larrouy,Olivier Philippe David BERTEAUX,Philippe Gabriel Louis BELAYGUE. Владелец: Safran Helicopter Engines SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US11859308B2. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods for producing low oxygen silicon ingots

Номер патента: US09951440B2. Автор: Hyungmin Lee,Carissima Marie Hudson,Soubir Basak,Hariprasad Sreedharamurthy,Kirk D. Mccallum,Gaurab Samanta,Jae-Woo Ryu. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for producing zinc oxide single crystal

Номер патента: US09816198B2. Автор: Jun Yoshikawa,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Raw material for growth of ingot, method for fabricating raw material for growth of ingot and method for fabricating ingot

Номер патента: WO2013015630A3. Автор: Bum Sup Kim,Kyoung Seok MIN. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for synthesizing intergrown twin Ni2Mo6S6O2/MoS2 two-dimensional nanosheet

Номер патента: US11946161B2. Автор: Qiong Liu,Hui Cheng,Fuxian WANG,Liling WEI. Владелец: Institute Of Analysis Guangdong Academy Of Sciences China National Analytical Center Guangzhou. Дата публикации: 2024-04-02.

Apparatus for analyzing target materials and methods for fabricating an apparatus for analyzing target materials

Номер патента: US20030021732A1. Автор: Aroon Tungare,George Valliath. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20150010726A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4386116A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of manufacturing a pressure vessel for growing single crystals

Номер патента: US09926642B2. Автор: Yoshihiko Yamamura,Osamu Wakao,Yuji Sasagawa,Keiichiro Matsushita,Shigeharu Akatsuka. Владелец: Furuya Metal Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Growing single crystals in a crucible

Номер патента: CA1038268A. Автор: Frederick Schmid. Владелец: Crystal Systems Inc USA. Дата публикации: 1978-09-12.

Crucible for growing crystals

Номер патента: US20140174341A1. Автор: Bernd Kleinpass,Hermann Walser. Владелец: Plansee Se. Дата публикации: 2014-06-26.

Method for reducing growth of non-uniformities and autodoping during column iii-v growth into dielectric windows

Номер патента: EP3039709A1. Автор: William E. Hoke,Jeffrey R. LaRoche,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-07-06.

Light-assisted deposition method for fabricating a compliant substrate for epitaxial growth of monocrystalline materials

Номер патента: US20030022520A1. Автор: Barbara Barenburg,Zhiyi Yu,Alexander Demkov. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for producing III-N single crystals, and III-N single crystal

Номер патента: US09896779B2. Автор: Eberhard Richter,Frank Habel,Marit Gründer,Frank Brunner,Markus Weyers. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US09777404B2. Автор: Keiji Wada,Jun Genba,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Device for growing a flat single crystal from a seed crystal in a crystallisation solution and process for manufacturing this single crystal

Номер патента: US20190249329A1. Автор: Bruno Pintault,Pascal Vissie,Max Grosil. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-15.

Synthetic single crystal diamond and method for manufacturing same

Номер патента: US20230220584A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Crystal growth system and method for lead-contained compositions using batch auto-feeding

Номер патента: US20160251773A1. Автор: Pengdi Han,Jian Tian. Владелец: CTG Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2016-09-01.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4442868A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Laser device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20170294762A1. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-12.

Solid solution material of rare earth element fluoride (polycrystal and single crystal), and method for preparation thereof, and radiation detector and test device

Номер патента: EP1754808A4. Автор: Tsuguo Fukuda,Kenji Aoki,Akira Yoshikawa,Kei Kamada,Tomohiko Satonaga. Владелец: Stella Chemifa Corp. Дата публикации: 2009-06-17.

Laser device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20180331504A1. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for manufacturing SOQ substrate

Номер патента: US20080118757A1. Автор: Koichi Tanaka,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Preparation of single-crystal layered cathode materials for lithium- and sodium-ion batteries

Номер патента: US12077879B2. Автор: QI Liu,He Zhu. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for Manufacturing a Component by Means of Layered Construction

Номер патента: US20240263339A1. Автор: Carolin Körner,Julian Pistor. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for polishing single-crystal diamond

Номер патента: US20220241927A1. Автор: Jing Lu,Ping Xiao,Yanhui WANG,Xipeng XU,Qiufa LUO. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for preparing single-crystal cubic sesquioxides and uses

Номер патента: US09945049B2. Автор: Philippe Veber,Matias Velazquez,Oudomsack Viraphong,Gabriel Buse. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor wafer and a method for producing the semiconductor wafer

Номер патента: US09923050B2. Автор: Ming Zhao,Norbert Werner,Peter Storck,Sarad Bahadur Thapa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-20.

Systems and methods for growth of silicon carbide over a layer comprising graphene and/or hexagonal boron nitride and related articles

Номер патента: US20240153763A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,David Kurt Gaskill,Takuji Maekawa,Jeehwan Kim,Wei Kong,Noriyuki Masago,Kuan Qiao. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor film and method for manufacturing same

Номер патента: US20230162978A1. Автор: Kohei Sasaki,Quang Tu THIEU. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Systems and methods for growth of silicon carbide over a layer comprising graphene and/or hexagonal boron nitride and related articles

Номер патента: WO2019246515A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,David Kurt Gaskill,Takuji Maekawa,Jeehwan Kim,Wei Kong,Noriyuki Masago,Kuan Qiao. Владелец: The Government of the United State of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2019-12-26.

Systems and methods for growth of silicon carbide over a layer comprising graphene and/or hexagonal boron nitride and related articles

Номер патента: WO2019246515A8. Автор: Rachael L. Myers-Ward,David Kurt Gaskill,Takuji Maekawa,Jeehwan Kim,Wei Kong,Noriyuki Masago,Kuan Qiao. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for fabricating diamond films on nondiamond substrates and related structures

Номер патента: WO1994011548A2. Автор: Wei Zhu,Peichun Yang,Jeffrey T. Glass. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1994-05-26.

Method for evaluating silica glass crucible, method for producing silicon single crystals

Номер патента: US09809902B2. Автор: Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara,Makiko Kodama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for growing multilayer semiconductor nitride heterostructure

Номер патента: RU2316075C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Станислав Игоревич Петров,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко. Владелец: Закрытое Акционерное Общество &#34;Светлана-Рост&#34;. Дата публикации: 2008-01-27.

Method for sorting silicon wafers according to their bulk lifetime

Номер патента: US20190247889A1. Автор: Jordi Veirman,Wilfried Favre,Elenore Letty. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US12071707B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321576A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Group III nitride single crystal substrate and method for production thereof

Номер патента: US12116697B2. Автор: Toru Nagashima. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US20240368804A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Group iii nitride semiconductor, and method for producing same

Номер патента: US20170338101A1. Автор: Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US20180266012A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-20.

Methods for producing piezoelectric bulk and crystalline seed layers of different c-axis orientation distributions

Номер патента: US20170111023A1. Автор: John BELSICK,Kevin MCCARRON. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Epitaxial silicon wafer and method for manufacturing same

Номер патента: US20120112319A1. Автор: Akira Inoue,Masahiro Yoshikawa,Tadashi Kawashima,Yoshiya Yoshida,Kazuhiro Iriguchi,Toshiyuki Isami. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12091774B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatus and method for manufacturing a light-emitting device using a neutral particle beam

Номер патента: US20140017827A1. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2014-01-16.

Destructive inspection method and quality determination method for vitreous silica crucible

Номер патента: US09964478B2. Автор: Takashi Watanabe,Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Group III nitride semiconductor, and method for producing same

Номер патента: US09899213B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Magneto-optical material, method for producing same and magneto-optical device

Номер патента: US09891452B2. Автор: Masanori Ikari. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20230160104A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Chiaki Sasaoka,Yoshitaka Nagasato,Junji Ohara. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Ferrite material having composition gradient for measuring magneto-optical-effect properties and method for evaluating properties of ferrite

Номер патента: US20110305890A1. Автор: Masashi Kawasaki,Yosuke Iwasaki,Tomoteru Fukumura. Владелец: JFE Mineral Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for growing niobium oxynitride layer

Номер патента: US20170088975A1. Автор: Toru Nakamura,Hideaki Murase,Satoru Tamura,Kazuhito Hato,Ryosuke Kikuchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for growing thin film

Номер патента: US8247031B2. Автор: Suyoun Lee,Jeung-Hyun Jeong,Taek Sung Lee,Won Mok Kim,Kyeong Seok Lee,Young Joon Baik,Jong-Keuk Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-08-21.

Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same

Номер патента: US20030015702A1. Автор: Ravindranath Droopad,Kurt Eisenbeiser,Zhiyi Yu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Sic epitaxial wafer and method for manufacturing sic epitaxial wafer

Номер патента: US20180016706A1. Автор: Daisuke Muto,Koji Kamei,Akira Miyasaka,Yoshiaki KAGESHIMA,Jun NORIMATSU. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-01-18.

Lithium ion secondary battery and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074272B2. Автор: Nobuhiro Inoue,Takahiro Kawakami,Junpei Momo,Tomoya Futamura,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

n-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SAME AND SiC EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20190252504A1. Автор: Tomohisa Kato,Hiromasa SUO,Kazuma ETO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-08-15.

SiC EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING SIC EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20240274671A1. Автор: Naoto Ishibashi,Keisuke Fukada. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for producing beta-ga2o3/beta-ga2o3 multilayer body

Номер патента: EP4411028A1. Автор: Hideyuki Sekiwa,Hiroaki Tadokoro. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor element and production method for semiconductor element

Номер патента: US20240290843A1. Автор: Koichi Kitahara,Naoteru Shigekawa,Keisuke Kawamura,Jianbo Liang. Владелец: UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION OSAKA. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing a composite body having at least one functional layer, or for further production of electronic or opto-electronic components

Номер патента: US09951442B2. Автор: Yilmaz Dikme. Владелец: AIXATECH GMBH. Дата публикации: 2018-04-24.

Pressure vessel for growing single crystal

Номер патента: EP1837420A1. Автор: Yuji c/o The Japan Steel Works Ltd. SASAGAWA,Osamu c/o The Japan Steel Works Ltd. WAKAO,Yoshihiko c/o The Japan Steel Works YAMAURA,Shigeharu c/o Furuya Metal Co. Ltd. AKATSUKA,Keiichiro c/o Furuya Metal Co. Ltd. MATSUSHITA. Владелец: Solvothermal Crystal Growth Technology Research Al. Дата публикации: 2007-09-26.

Methods for growing doped cesium lead halides

Номер патента: US20230378388A1. Автор: Mercouri G. Kanatzidis,Yihui He. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20160155808A1. Автор: Tomohiro Kawase,Tsutomu Hori,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for growing group iii nitride crystal

Номер патента: US20120031324A1. Автор: Hiroaki Yoshida,Shinsuke Fujiwara,Koji Uematsu,Yuki Hiromura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for growing nitride III-V compound semiconductor layers and method for fabricating a nitride III-V compound semiconductor substrate

Номер патента: US5993542A. Автор: Masao Ikeda,Katsunori Yanashima,Satoshi Tomioka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Method for growing a metastable crystalline structure which is a 2-dimensional planar film from a nanowire metastable seed crystal provided inside a template structure

Номер патента: US11756788B2. Автор: Heinz Schmid,Philipp Staudinger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US9293327B2. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Solar Carbide Sarl. Дата публикации: 2016-03-22.

Single Crystal Rhombohedral Epitaxy of SiGe on Sapphire at 450°C - 500°C Substrate Temperatures

Номер патента: US20170178903A1. Автор: Sang Hyouk Choi,Adam J. Duzik. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2017-06-22.

Bonded body comprising mosaic diamond wafer and semiconductor of different type, method for producing same, and mosaic diamond wafer for use in bonded body with semiconductor of different type

Номер патента: US20240258195A1. Автор: Hideaki Yamada,Hideki Takagi,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara,Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza,Yuuichi KURASHIMA,Eiji Higurashi,Koji YOSHITSUGU,Yusuke SHIRAYANAGI,Takashi MATSUMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-08-01.

High transmittance single crystal YAP scintillators

Номер патента: US09958555B2. Автор: Jan KUBÁT,Tomas Marek,Jan Polak,Martin Klejch. Владелец: CRYTUR. Дата публикации: 2018-05-01.

Beta-Ga2O3-Based Single Crystal Substrate

Номер патента: US20150249185A1. Автор: Watanabe Makoto,Watanabe Shinya,Koshi Kimiyoshi,Wakimoto Daiki,YAMAOKA Yu,TAKIZAWA Masaru. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

Method for inspecting for surface defects on a cast part made of single-crystal metal and system for implementing same

Номер патента: US20240310294A1. Автор: Franck Michaud. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US11927511B2. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for statistical distribution characterization of dendritic structures in original position of single crystal superalloy

Номер патента: US20220252488A1. Автор: Lei Zhao,Haizhou Wang,Qingqing Zhou,Dongling LI,Xuejing Shen,Weihao WAN,Haozhou Feng. Владелец: NCS TESTING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods for growing carbon nanotubes on single crystal substrates

Номер патента: WO2007047949A3. Автор: Zhifeng Ren,Dezhi Wang,Guangyong Xiong,Baoqing Zeng. Владелец: Baoqing Zeng. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for growing fly larvae and processing organic wastes

Номер патента: RU2734522C1. Автор: Андрей Николаевич Максимов,Георгий Викторович Зорин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;ЭНТОПРОТЕИН&#34;. Дата публикации: 2020-10-19.

Stable crystalline form of tipiracil hydrochloride and method for its crystallization

Номер патента: RU2674441C1. Автор: Хидеки КАДЗУНО,Томонобу МУЦУМИ. Владелец: Тайхо Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-10.

Method for growing tomato in field with returned straw

Номер патента: AU2023202135A1. Автор: Hong Wei,Yingying HU,Chuanwei ZHANG,Yongjun Hu,Youxin Xu,Guiyu Lin,Subo Tian,Yansu LI,Ronghuan ZHANG. Владелец: Shandong Colorful Manor Vegetable And Food Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Stable crystalline form of typiracyl hydrochloride and method for its crystallization

Номер патента: RU2640417C2. Автор: Хидеки КАДЗУНО,Томонобу МУЦУМИ. Владелец: Тайхо Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for growing lysine-producing gram-positive bacterium for biologically active compounds delivery to ruminant animals; feed supplement (versions) and ruminant animals feeding method

Номер патента: RU2416636C2. Автор: Лайл М. РОУД,Джеймс К. НЬЮБОЛД. Владелец: Сейдж Байосайенсиз Инк.. Дата публикации: 2011-04-20.

Method for obtaining dispersion of silicon 2d nano-crystals in an organic solvent for photovoltaic applications

Номер патента: RU2672160C2. Автор: Валерий Николаевич Захаров,Леонид Александрович Асланов,Александр Васильевич Яценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова&#34; (МГУ). Дата публикации: 2018-11-12.

Device and method for holding water for accommodating and growing aquatic organisms

Номер патента: EP1365644A1. Автор: Peter Alexander Henkemans. Владелец: Ecodeco Bv. Дата публикации: 2003-12-03.

Device and method for holding water for accommodating and growing aquatic organisms

Номер патента: WO2002069701A1. Автор: Peter Alexander Henkemans. Владелец: Ecodeco B.V.. Дата публикации: 2002-09-12.

Cellular line human immortalized keratinocytes (variants) and method for immortalizing human skin cells

Номер патента: RU2244005C2. Автор: Маркус БАУР. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2005-01-10.

Method for evaluating crystal defects in silicon carbide single crystal wafer

Номер патента: US20240142390A1. Автор: Toru Takahashi,Yutaka Shiga,Hisao Muraki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Device and method for holding water for accommodating and growing aquatic organisms

Номер патента: AU2002236358B2. Автор: Peter Alexander Henkemans. Владелец: Ecodeco Bv. Дата публикации: 2006-08-17.

Device and method for holding water for accommodating and growing aquatic organisms

Номер патента: EP1365644B1. Автор: Peter Alexander Henkemans. Владелец: Ecodeco Bv. Дата публикации: 2004-08-25.

Mulching biodegradable polymer film and method for production thereof (embodiments)

Номер патента: RU2737425C1. Автор: Елена Евгеньевна Масталыгина,Петр Васильевич Пантюхов,Анатолий Анатольевич Попов,Зубаржат Рафисовна Ахметшина,Анастасия Юрьевна Анпилова. Владелец: Петр Васильевич Пантюхов. Дата публикации: 2020-11-30.

Method for depolarization suppression of rhombohedral relaxor-based ferroelectric single crystals

Номер патента: US20230117560A1. Автор: Shuangjie ZHANG,Piqi SONG. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2023-04-20.

Dry methods for modification of single-crystal battery cathode materials

Номер патента: WO2024147963A1. Автор: Susi JIN,Van At NGUYEN,Nutthaphon PHATTHARASUPAKUN,Kate Elise GONZALEZ WOODS,Ryan FIELDEN,Mark Mcarthur. Владелец: Novonix Battery Technology Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating metal substrates with high-quality surfaces

Номер патента: US7758695B2. Автор: LI Wang,Fengyi Jiang,Chuanbing Xiong,Wenqing Fang,Guping Wang. Владелец: Lattice Power Jiangxi Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

METHOD FOR IMPROVING HIGH-TEMPERATURE MECHANICAL PROPERTY OF Ni3Al ALLOY

Номер патента: NL2030132B1. Автор: Liu Xin,Wang Jiang,Yin Li,Wu Shijun,REN Zhongming,SHUAI Sansan. Владелец: Univ Shanghai. Дата публикации: 2023-06-27.

Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturizing surface of single crystal and polycrystal silicon substrates

Номер патента: EP2611881A1. Автор: Andreas Klipp,Christian Bittner,Cornelia RÖGER-GÖPFERT,Simon Braun,Chengwei Lin,Meichin Shen. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-07-10.

Apparatus for growing carbon nanotube forests, and generating nanotube structures therefrom, and method

Номер патента: US09815697B2. Автор: Leif T. Stordal,Charles A. Lemaire,Alexander B. Lemaire,Dale J. Thomforde. Владелец: GrandNano LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for producing monocrystalline ethanol solvate of acetate cortizone

Номер патента: RU2637504C1. Автор: Александр Владимирович Князев,Николай Викторович Сомов,Анастасия Сергеевна Шипилова,Екатерина Вадимовна Гусарова,Светлана Сергеевна Князева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского&#34;. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for growing plants on soils of heavy granulometric composition

Номер патента: RU2756925C1. Автор: Вячеслав Михайлович Сычев,Юрий Александрович Кирсанов,Михаил Юрьевич Карпухин,Юрий Леонидович Байкин,Анна Андреевна Серебренникова,Алексей Сергеевич Гусев,Надежда Викторовна Вашукевич,Алексей Анатольевич Беличев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Уральский государственный аграрный университет&#34; (ФГБОУ ВО Уральский ГАУ). Дата публикации: 2021-10-07.

An apparatus and method for growing bacteria, for use in wastewater treatment, biological pest management, bioremediation of soil and wastes, and other applications

Номер патента: WO2005042724A3. Автор: Robert Rawson,Douglas J Nelson. Владелец: Pseudonym Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for fabricating metal substrates with high-quality surfaces

Номер патента: US20080166582A1. Автор: LI Wang,Fengyi Jiang,Chuanbing Xiong,Wenqing Fang,Guping Wang. Владелец: Lattice Power Jiangxi Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Systems and methods for growing cells in vitro

Номер патента: WO2018011805A3. Автор: YAAKOV Nahmias. Владелец: YISSUM Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem LTD.. Дата публикации: 2018-02-22.

Method for growing adult cells

Номер патента: US20080009059A1. Автор: Patrick Casey,Richard Fry,Kerri Fry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for forming a catalyst suitable for growth of carbon nanotubes

Номер патента: US20110315951A1. Автор: Philippe M. Vereecken,Ann Witvrouw,Hari Pathangi Sriraman. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for producing clean lead molybdate in ionic melts

Номер патента: RU2629294C1. Автор: Жамал Ахматович Кочкаров,Залина Аслановна Сокурова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова&#34; (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-28.

Compositions and methods for obtaining human alveolar cells and related uses thereof

Номер патента: WO2024092181A3. Автор: Jason Spence,Tristan FRUM. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for suppression or reversing of cellular aging

Номер патента: US20050227219A1. Автор: David Kaplan,Vladimir Volloch. Владелец: TUFTS UNIVERSITY. Дата публикации: 2005-10-13.

Method for suppression or reversing of cellular aging

Номер патента: WO2004003137A2. Автор: David Kaplan,Vladimir Volloch. Владелец: TUFTS UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-01-08.

Apparatus and method for algae growth

Номер патента: WO2022147616A1. Автор: Arthur DEANE. Владелец: Deane Arthur. Дата публикации: 2022-07-14.

Apparatus and method for making fullerene nanotube forests, films, threads and composite structures

Номер патента: WO2007145647A3. Автор: Charles A Lemaire. Владелец: Charles A Lemaire. Дата публикации: 2008-08-14.

Apparatus and method for making fullerene nanotube forests, films, threads and composite structures

Номер патента: WO2007145647A2. Автор: Charles A. Lemaire. Владелец: Lemaire Charles A. Дата публикации: 2007-12-21.

Laser-based method for growing an array of carbon nanotubes

Номер патента: US20140363586A1. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Zhuo Chen,Chun-Xiang Luo. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-11.

Method for growing and metabolizing microbes

Номер патента: US20120298353A1. Автор: F. Prescott Ward. Владелец: MRIGlobal Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Silicon Etching Solution, Method for Treating Substrate, and Method for Manufacturing Silicon Device

Номер патента: US20240170294A1. Автор: Tatsuya Hitomi,Yoshiki Seike,Kohsuke NORO,Kohshiro OKIMURA. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Manufacturing method for carbon nanotube aggregates

Номер патента: EP4112545A1. Автор: Akiyoshi Shibuya,Keiichi Kawata. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2023-01-04.

Method for growing plants

Номер патента: EP4033903A1. Автор: Jean-Michel Rabasse,Nico VERGOTE,Tina KYNDT,Richard Raj SINGH. Владелец: Taminco BV. Дата публикации: 2022-08-03.

Method for growing plants

Номер патента: US20230210112A1. Автор: Jean-Michel Rabasse,Nico Achiel VERGOTE,Tina KYNDT,Richard Raj SINGH. Владелец: Taminco BV. Дата публикации: 2023-07-06.

Apparatus and method for making fullerene nanotube forests, films, threads and composite structures

Номер патента: EP1943094A2. Автор: Charles A. Lemaire. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-16.

Apparatus and method for making fullerene nanotube forests, films, threads and composite structures

Номер патента: WO2007145647B1. Автор: Charles A Lemaire. Владелец: Charles A Lemaire. Дата публикации: 2008-09-25.

Apparatus and method for making fullerene nanotube forests, films, threads and composite structures

Номер патента: WO2007145647A9. Автор: Charles A Lemaire. Владелец: Charles A Lemaire. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for enhancing shelf life of biological growth media

Номер патента: US5989851A. Автор: Robert D. Hall,Jim Self,Daniel R. Webster. Владелец: Biomed Diagnostics Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for growing zinc-catecholate frameworks on bio-fibers and their electronic applications

Номер патента: EP4399181A1. Автор: HUI Bin,Kewei Zhang,Kai Liu,Zhe Chen,Yanzhi XIA,Xiankai LI. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-17.

Composite piezomaterial and method for its manufacture

Номер патента: RU2751896C1. Автор: Александр Анатольевич Панич,Алексей Анатольевич Нестеров,Евгений Анатольевич Панич,Михаил Игоревич Толстунов,Любовь Александровна Дыкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южный федеральный университет». Дата публикации: 2021-07-19.

Electrolytic method for producing ammonia

Номер патента: RU2686465C2. Автор: Эгилль СКУЛАСОН. Владелец: Хасколи Айлэндз. Дата публикации: 2019-04-26.

Pairing probiotics and prebiotics, methods for growth and use, separately and in combination

Номер патента: US12036252B2. Автор: Michael Benson,Shayne Morris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-16.

Compositions and methods for indoor air remediation

Номер патента: US20240318129A1. Автор: Patrick TORBEY. Владелец: Neoplants Sas. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for producing thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion material, and production apparatus used in the method

Номер патента: US20130101733A1. Автор: Akifumi Nishiwaki,Toshitada Shimozaki. Владелец: Kyushu Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for growing 2d/3d carbon-based nano- and submicron- sized structures

Номер патента: EP4384477A1. Автор: Yusuf Ziya Menceloglu,Burcu Saner Okan. Владелец: Sabanci Universitesi. Дата публикации: 2024-06-19.

System and Method for Creating Tissue

Номер патента: US20240254427A1. Автор: Jason A. Demers,Dirk A. Van Der Merwe,Dean Kamen,Christopher C. Langenfeld,David Blumberg, Jr.,Richard J. Lanigan,Brian D. Tracey,Frederick Morgan,Timothy D. MOREAU,Matthew WARE,Michael A. Baker,Derek G. Kane,Thomas J. Bollenbach,Michael C. Tilley,Stuart A. Jacobson,John F. Mannisto,Richard E. Andrews,David D.B CANNAN,Dane C. Fawkes. Владелец: Deka Products LP. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for growing carbon nanatubes having a predetermined chirality

Номер патента: US20090060827A1. Автор: Salvatore Coffa,Francesco Buonocore,Vincenzo Vinciguerra,Maria Fortuna Bevilacqua. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-05.

Method for growing 2d/3d carbon-based nano- and submicron- sized structures

Номер патента: WO2023018386A1. Автор: Yusuf Ziya Menceloglu,Burcu Saner Okan. Владелец: Sabanci Universitesi. Дата публикации: 2023-02-16.

Methods for preparing positive electrode material for rechargeable lithium ion batteries

Номер патента: EP3774661A1. Автор: Jens Paulsen,Dae-Hyun Kim,Shinichi Kumakura,TaeHyeon YANG,Hyejeong Yang. Владелец: Umicore Korea Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Method for growing carbon nanotubes having a predetermined chirality

Номер патента: US8470283B2. Автор: Salvatore Coffa,Francesco Buonocore,Vincenzo Vinciguerra,Maria Fortuna Bevilacqua. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-25.

Method for growing carbon nanotubes having a predetermined chirality

Номер патента: WO2006117196A2. Автор: Salvatore Coffa,Francesco Buonocore,Vincenzo Vinciguerra,Maria Fortuna Bevilacqua. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2006-11-09.

Method for producing fungus structures

Номер патента: US09951307B2. Автор: Philip Ross. Владелец: Mycoworks Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for growing carbon nanotubes

Номер патента: US09850132B2. Автор: Takashi Matsumoto,Kenjiro Koizumi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for fabrication of layered heterojunction polymeric devices

Номер патента: US20120056167A1. Автор: Tomas Trebicky,Leo W.M. Lau,Heng Yong Nie. Владелец: University of Western Ontario. Дата публикации: 2012-03-08.

Repair of a single crystal nickel based superalloy article

Номер патента: EP1258312A3. Автор: Norman Pietruska,David J. Kline. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2004-05-19.

Method for recovering and purifying argon gas from silicon single crystal manufacturing apparatus and apparatus for recovering and purifying argon gas

Номер патента: US09890044B2. Автор: Hideaki Matsushima,Wataru Yajima,Ichiro Onozawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Mycelium growth bed with perforation layer and related method for creating a uniform sheet of mycelium from a solid-state medium

Номер патента: US20240284837A1. Автор: Matthew L. Scullin,Philip Ross,Jordan CHASE,Nicholas WENNER,Quinn MILLER,Phil MCGAUGHY,Ryan Salditos. Владелец: Mycoworks Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Chiral platinum complex, method for preparing the same, and method for using the same

Номер патента: US20210115079A1. Автор: Mei Luo. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2021-04-22.

Apparatus and method for growing neural cells and compartmentalizing axons and dendrites

Номер патента: US20240034993A1. Автор: Anne Marion Taylor. Владелец: Xona Microfluidics Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Bioactive protein, use thereof and method for its production

Номер патента: EP3107395A1. Автор: Francesco Vinale,Matteo Lorito,Michelina Ruocco,Sheridan Lois Woo. Владелец: Koppert BV. Дата публикации: 2016-12-28.

Bioactive protein, use thereof and method for its production

Номер патента: US10875898B2. Автор: Francesco Vinale,Matteo Lorito,Michelina Ruocco,Sheridan Lois Woo. Владелец: Koppert BV. Дата публикации: 2020-12-29.

Systems and methods for treating oil, fat and grease in collection systems

Номер патента: US09969633B2. Автор: Robert Whiteman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for recultivation of degraded areas

Номер патента: EP3707114A1. Автор: Gabor Kovacs,Sandor Horvath,Bálint Gábor HEIL,István KLING,Júlia KLING. Владелец: Eszak Dunantuli Hulladekhasznosito Kft. Дата публикации: 2020-09-16.

Compositions and methods for obtaining suspension human intestinal organoids having a serosal mesothelial layer

Номер патента: WO2024059208A3. Автор: Jason Spence,Meghan CAPELING. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for facilitating plant growth

Номер патента: US20180244993A1. Автор: W. Robert Womack. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-30.

A method for graphene and carbon nanotube growth

Номер патента: WO2015189575A1. Автор: Sembukuttiarachilage Ravi SILVA,Muhammad AHMAD. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2015-12-17.

Methods for controlling geometric regularity and homogeneity of aerial mycelium topologies and products of aerial mycelium with geometrically regular or homogeneous

Номер патента: WO2023172696A1. Автор: Jacob Michael Winiski,Eben D. BAYER,Asa Trench SNYDER. Владелец: Ecovative Design LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus and method for growing biological material

Номер патента: US20240247217A1. Автор: Karl Alwyn Lawton. Владелец: Byron Bioreactor Technologies Pty Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for processing bauxite residues from the bayer process, and mineral product obtained by said method

Номер патента: AU2023252047A1. Автор: Steven Philip Rosenberg,Markus GRAEFE,Richard John Haynes. Владелец: Dubai Aluminium PJSC. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional culture device and methods for dynamic culture of cell aggregates

Номер патента: US11873472B2. Автор: Teng MA,Ang-Chen Tsai,Xuegang Yuan. Владелец: Florida State University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

System and method for in-situ ameliorationremediation of saline-alkali soil using microalgae

Номер патента: US20230255154A1. Автор: Haiyan PEI,Ze YU. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for extracting flake graphitized carbon body in human hair with transition metal alloy as catalyst

Номер патента: EP4206128A1. Автор: Kexiao YE. Владелец: Zhe Jiang Tip Top Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Device and method for detecting water flow through at least one layer of biological cells

Номер патента: US20230324363A1. Автор: Joachim Wegener,Florian URBAN,Kathrin ZÖPFL. Владелец: UNIVERSITAET REGENSBURG. Дата публикации: 2023-10-12.

System and Method for Growing Algae

Номер патента: US20240084232A1. Автор: Simak BEHRAMAND. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing carbon nanotube film

Номер патента: US20150023864A1. Автор: Shou-Shan Fan,Chang-Hong Liu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Crystalline strontium titanate (sto) and method for deposition of the sto on a substrate

Номер патента: US20240242964A1. Автор: Nagendra Nagaraja,Pinakin Mansukhlal Padalia,Amlan Mukherjee,Manjunath Gangaiah,Balaji Sompalle,Purnima Sethi Josan,Subhash Kannappa Manoharan. Владелец: Superq Technologies India Private Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Compositions and methods for modulating plant parasitic nematodes

Номер патента: US9526252B2. Автор: Hai SU,Pamela Marrone,Timothy B. Johnson,Lijuan XING,Phyllis Himmel. Владелец: Marrone Bio Innovations Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Compositions and methods for modulating plant parasitic nematodes

Номер патента: US20150118192A1. Автор: Hai SU,Pamela Marrone,Timothy B. Johnson,Lijuan XING,Phyllis Himmel. Владелец: Marrone Bio Innovations Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for highly efficient utilization of poultry manure

Номер патента: RU2733792C1. Автор: Алексей Сергеевич Ахлюстин,Валентина Александровна Никулина,Кирилл Алексеевич Лозовой. Владелец: Кирилл Алексеевич Лозовой. Дата публикации: 2020-10-06.

Systems and methods for quantum dot on nanoplatelet heterostructures with tunable emission in the shortwave infrared

Номер патента: US12031075B2. Автор: Justin CARAM,Stephanie Tenney. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-09.

Systems and methods for lung cell expansion and differentiation

Номер патента: EP4017961A1. Автор: Brigid Hogan,Hiroaki Katsura,Purushothama Rao TATA. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2022-06-29.

System and method for the generation of high cell density seed culture

Номер патента: US20220372425A1. Автор: Jens-Christoph Matuszczyk,Sebastian RÜHL,David James POLLARD,Johannes Lemke. Владелец: SARTORIUS STEDIM BIOTECH GMBH. Дата публикации: 2022-11-24.

Device and method for the detection of microorganisms which produce low-molecular-weight metabolites

Номер патента: US5348884A. Автор: Hans Kulla. Владелец: Lonza AG. Дата публикации: 1994-09-20.

Cell carriers and methods for culturing cells

Номер патента: US09926523B2. Автор: Scott Michael Miller,David Gilles Gascoyne,Andrew Arthur Paul Burns. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-03-27.

Enzymatic method for preparing epotilones, crystalline form of epotilone b and its using

Номер патента: RU2268306C2. Автор: Ханс ХОФМАНН,Марион МАНКЕ,Клаус МЕММЕРТ,Франк ПЕТЕРСЕН,Томас ШУПП,Эрнст КЮСТЕРС,Михаэль МУТЦ. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2006-01-20.

Microfluidic device and method for determining cell electrical barrier properties

Номер патента: EP3746784A1. Автор: Hywel Morgan,Riccardo REALE. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2020-12-09.

Microfluidic device and method for determining cell electrical barrier properties

Номер патента: WO2019149531A1. Автор: Hywel Morgan,Riccardo REALE. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2019-08-08.

Apparatus and method for producing carbon nanotubes

Номер патента: US20070110659A1. Автор: Bor-Yuan Hsiao. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Method for manufacturing spherical blue fluorescent substance

Номер патента: EP1341870A1. Автор: Min-soo Kang,Tae-Hyun Kwon,Gyun-Joong Kim. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-10.

Method of producing fodder soya-maize substrate for growing probiotic fodder crops

Номер патента: RU2685886C1. Автор: Виктор Вячеславович Шишкин,Галина Юрьевна Шишкина,Евгений Андреевич Шульженко,Вячеслав Сергеевич Усанов,Владимир Васильевич Михалёв. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Дальневосточный научно-исследовательский институт механизации и электрификации сельского хозяйства (ФГБНУ ДальНИИМЭСХ). Дата публикации: 2019-04-23.

Method for cultivation of microalgae chlorella vulgaris

Номер патента: RU2769152C1. Автор: Николай Михайлович Наумов,Гаяне Агасовна Свазлян,Александра Юрьевна Королева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Курский федеральный аграрный научный центр&#34;. Дата публикации: 2022-03-28.

Method for growing of the optional-anaerobic microorganisms

Номер патента: RU2668172C2. Автор: Людмила Александровна Краева,Галина Николаевна Хамдулаева,Александр Леонидович Панин. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки &#34;Санкт-Петербургский научно-исследовательский институт эпидемиологии и микробиологии им. Пастера Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека&#34; (ФБУН НИИ эпидемиологии и микробиологии имени Пастера). Дата публикации: 2018-09-26.

Liquid phase deposition method for growing a titanium dioxide on a gallium arsenide substrate

Номер патента: US6153539A. Автор: Wen-Han Hung,Ming-Kwei Lee. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2000-11-28.

Method for producing nutrient substrate for growing anthrax microbe

Номер патента: RU2748307C1. Автор: Сергей Владимирович Логвинов,Андрей Анатольевич Лещенко,Дмитрий Александрович Мохов,Галина Владимировна Филимонова,Алексей Геннадьевич Лазыкин,Дмитрий Александрович Шаров,Елена Александровна Коваленко,Сергей Валерьевич Багин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение &#34;48 Центральный научно-исследовательский институт&#34; Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2021-05-21.

Bioreactor for growing plant material and method to this end

Номер патента: RU2403279C2. Автор: Кит ЭВЕРЕТТ,Р. Эдвард БРЕНСОН,Боб ХЕСТЕР,Тимоти Б. ВИКЕРС. Владелец: Биолекс Терапьютикс Инк.. Дата публикации: 2010-11-10.

Methods for growing light emitting devices under ultra-violet illumination

Номер патента: US20180122989A1. Автор: Tsutomu Ishikawa,Isaac WILDESON,Erik Charles NELSON,Parijat DEB. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods For Growing Light Emitting Devices Under Ultra-Violet Illumination

Номер патента: US20200127166A1. Автор: Tsutomu Ishikawa,Isaac WILDESON,Erik Charles NELSON,Parijat DEB. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

System and method for growing biomass

Номер патента: US20240034975A1. Автор: Nathalie Berezina. Владелец: Nbtech Ab. Дата публикации: 2024-02-01.

Single crystal cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: CA3197618A1. Автор: Richard K. Holman,Adrian Pullen,John COLWELL,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Single crystal cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: EP4281215A1. Автор: Richard K. Holman,Adrian Pullen,John COLWELL,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Ultraviolet light generating target, electron-beam-excited ultraviolet light source, and method for producing ultraviolet light generating target

Номер патента: US20140034853A1. Автор: Koji Kawai,Takashi Suzuki,Yoshinori Honda,Norio Ichikawa,Fumitsugu Fukuyo,Takeaki HATTORI,Shucheng Chu. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-02-06.

System and method for automated extraction of multi-cellular physiological parameters

Номер патента: US10752872B2. Автор: Yuriy Alexandrov,Albert Francis Santos. Владелец: GE Healthcare UK Ltd. Дата публикации: 2020-08-25.

Method for inducing differentiation of stem cells

Номер патента: EP3344754A1. Автор: Egbert Oosterwijk,Alan Edward Rowan,Wouter Franciscus Joannes FEITZ,Silvia Maria MIHAILA. Владелец: Stichting Katholieke Universiteit. Дата публикации: 2018-07-11.

Methods for growing and harvesting algae and methods of use

Номер патента: US20110016773A1. Автор: James R. Scott,Everett J. Nichols. Владелец: Halosource Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Direct recycling and converting cathode materials into high-performance single crystal cathode materials

Номер патента: US20240145801A1. Автор: Jie Xiao,Ran Yi,Yujing BI,Bingbin Wu. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Silicon target for sputtering film formation and method for forming silicon-containing thin film

Номер патента: US09812300B2. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for growing or for removing circoviruses from biological material

Номер патента: CA2357404A1. Автор: Dieter Bernhardt,Thomas Weimer,Albrecht Groener. Владелец: Aventis Behring GmbH. Дата публикации: 2002-03-08.

Systems and methods for in vitro and in vivo liver organoid growth and differentiation

Номер патента: WO2024020326A1. Автор: Natesh Parashurama. Владелец: Khufu Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for growing aquatic organisms capable of photosynthesis in a controlled aqueous environment

Номер патента: CA3139076A1. Автор: Dick Van Velzen,Hendrik Jan HULSHOFF,Jarno STEL,Filips Gustaaf Hendrik JAGER. Владелец: O&n BV. Дата публикации: 2020-11-11.

Method for growing aquatic organisms capable of photosynthesis in a controlled aqueous environment

Номер патента: US20220213418A1. Автор: Dick Van Velzen,Hendrik Jan HULSHOFF,Jarno STEL,Filips Gustaaf Hendrik JAGER. Владелец: O&n BV. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for stripping gamma-gamma prime coating from gamma-gamma prime alloy

Номер патента: SG188032A1. Автор: Parkos Joseph,S Tryon Brian,M Morin Thomas,H Riewe Curtis. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for growing single crystalline thin film to grow high quality single crystal without crystal defect

Номер патента: KR100464296B1. Автор: 이재원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-08.

Single crystal u-mos gates using microwave crystal regrowth

Номер патента: US20130023096A1. Автор: Robert J. Purtell,Steve Sapp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for fabricating high-speed thin-film transistors

Номер патента: WO2008030802A2. Автор: Zhenqiang Ma,Hao-Chih Yuan,Guogong Wang. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2008-03-13.

Methods for manufacture and repair and resulting components with directionally solidified or single crystal materials

Номер патента: US6331361B1. Автор: Hans van Esch,Wayne Greaves. Владелец: Hickham Industries Inc. Дата публикации: 2001-12-18.

Method and device for growing plants in single or multi-tiered hydroponic installations

Номер патента: RU2757985C1. Автор: Александр Иосифович Селянский,Евгений Васильевич Лобашев. Владелец: Александр Иосифович Селянский. Дата публикации: 2021-10-25.

Method for growing giant oyster crassostrea gigas in black sea

Номер патента: RU2541459C1. Автор: Анна Васильевна Пиркова,Людмила Владимировна Ладыгина. Владелец: Институт биологии южных морей им. А.О. Ковалевского. Дата публикации: 2015-02-10.

Autonomous transportable module based on the iso-container for growing plants, autonomous transportable complex based on autonomous transportable modules based on iso-containers for growing plants, method of growing plants in an autonomous transportable module based on an iso-container and in a complex based on autonomous transportable modules based on iso-containers

Номер патента: RU2720919C1. Автор: Борис Германович Левин,Сергей Викторович Пасечник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;ГридПоинт Дайнамикс&#34;. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for controlling and regulating of plant growing process and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2282979C1. Автор: Александр Владимирович Дубровин,Александр Николаевич Обыночный. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2006-09-10.

Method for determining optimal amount of tilapia for growing in tank within mixed culture

Номер патента: RU2264710C1. Автор: А.В. Жигин. Владелец: ФГУП Всероссийский научно-исследовательский институт рыбного хозяйства и океанографии (ВНИРО). Дата публикации: 2005-11-27.

Method of creating a water mode of soil for growing seedlings from seeds of flowering plants

Номер патента: RU2711014C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2020-01-14.

Method for growing fish fry in an artificial biostimulating medium

Номер патента: RU2741648C1. Автор: Павел Евгеньевич Гарлов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Санкт-Петербургский государственный аграрный университет&#34;. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for complex utilization of water and coastal areas of complex-purpose basins

Номер патента: RU2262845C1. Автор: В.И. Белякова,кова В.И. Бел,Г.Е. Серветник,А.М. Наумова,А.Ю. Наумова,И.А. Алимов,Л.В. Домбровска,Л.В. Домбровская,Л.С. Чистова,О.А. Пронина,И.Н. Скворцова,н Е.А. Шахпендер,Е.А. Шахпендерян. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт ирригационного рыбоводства Росельхозакадемии. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for planting, growing crops and selective felling with the harvesting of assortments by machines on artificially renewable forest areas

Номер патента: RU2769472C1. Автор: Владимир Николаевич Коновалов,Юрий Александрович Ширнин,Александр Юрьевич Ширнин,Ильшат Гилазтинович Гайсин,Сергей Владимирович Марихин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Поволжский государственный технологический университет&#34;. Дата публикации: 2022-04-01.

Method for growing calves with ard

Номер патента: RU2709748C1. Автор: Михаил Иванович Барашкин,Ольга Григорьевна Петрова,Андрей Анатольевич Петров,Игорь Маркович Мильштейн,Сергей Витальевич Патрушев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждения Высшего Образования &#34;Уральский Государственный Аграрный Университет&#34; (ФГБОУ ВО Уральский ГАУ). Дата публикации: 2019-12-19.

Devyatkin slate method for growing carrots and device for its implementation

Номер патента: RU2733436C1. Автор: Викторий Данилович Девяткин. Владелец: Викторий Данилович Девяткин. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for growing of green crops

Номер патента: RU2289912C1. Автор: Михаил Васильевич Авдеев,Виталий Матвеевич Попов,Елена Михайловна Басарыгина. Владелец: Министерство сельского хозяйства Российской Федерации Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Челябинский государственный агроинженерный университет&#34; (ФГОУ ВПО ЧГАУ). Дата публикации: 2006-12-27.

Method for growing of broiler chickens

Номер патента: RU2736967C1. Автор: Лидия Владимировна Карпунина,Надежда Александровна Фокина,Галина Тимофеевна Урядова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Саратовский государственный аграрный университет имени Н.И. Вавилова&#34;. Дата публикации: 2020-11-23.

Biodegradable growing media for growing plants, assembly provided therewith, and method for manufacturing such growing media

Номер патента: WO2022066006A8. Автор: Martijn BELJAARS,Vincent VAN ASSEN,Wilfred ROO,Floris Lodewijk KROL. Владелец: FOAMPLANT B.V.. Дата публикации: 2023-01-05.

Structure and method for fabricating and facilitating dataflow processor

Номер патента: US20030034488A1. Автор: Mihir Pandya,Peter Wilson,Raymond Essick. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for growing skill of game character in game-guild and system thereof

Номер патента: WO2007066894A1. Автор: Dae Il Kim. Владелец: NHN CORPORATION. Дата публикации: 2007-06-14.

Methods for fabricating a laser cavity

Номер патента: US20030030062A1. Автор: Joyce Yamamoto,Paige Holm,Barbara Barenburg,Fred Richard. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Feed supplement for growing colostural calves under extreme conditions

Номер патента: RU2771181C1. Автор: Василий Павлович Короткий,Виктор Анатольевич Рыжов,Иван Васильевич Короткий,Надежда Ивановна Гибалкина,Владимир Викторович Мунгин,Николай Петрович Буряков,Мария Алексеевна Бурякова,Дарья Алексеевна Баженова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-Технический Центр &#34;Химинвест&#34;. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for growing of broiler chickens

Номер патента: RU2738353C1. Автор: Людмила Николаевна Скворцова,Андрей Сергеевич Короткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина&#34;. Дата публикации: 2020-12-11.

Method for growing potatoes with sprouts

Номер патента: RU2638840C1. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Заурбек Ахсарбекович Царикаев,Солтан Сосланбекович Басиев,Лариса Ильинична Вайсфельд,Зарема Адесовна Болиева,Магомет Дзанхотович Газдаров,Эмма Темболатовна Кибизова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Горский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2017-12-18.

Method for increasing productivity of rabbits

Номер патента: RU2711917C1. Автор: Лариса Игоревна Лыткина,Евгения Сергеевна Шенцова,Елена Евгеньевна Курчаева,Игорь Владимирович Максимов,Александр Викторович Востроилов,Софья Алексеевна Переверзева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Воронежский государственный университет инженерных технологий&#34; (ФГБОУ ВО &#34;ВГУИТ&#34;). Дата публикации: 2020-01-23.

Method for forming a super-noise-resistant bistable thermomagnetic storage element for recording and storing information

Номер патента: RU2771596C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Великанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Федеральный исследовательский центр &#34;Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук&#34;. Дата публикации: 2022-05-06.

Method for growing green hydroponic fodders

Номер патента: RU2727329C1. Автор: Владимир Николаевич Кравченко,Юрий Васильевич Мазаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Российский государственный аграрный университет - МСХА имени К.А. Тимирязева&#34; (ФГБОУ ВО РГАУ - МСХА имени К.А. Тимирязева). Дата публикации: 2020-07-21.

Method for growing of broiler chickens

Номер патента: RU2716211C1. Автор: Василий Иванович Комлацкий,Лариса Анатольевна Зеленская,Анастасия Николаевна Комирняя. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина&#34;. Дата публикации: 2020-03-06.

Structure and method for fabricating semiconductor structures having instruction decoders and dispatchers formed of monocrystaline compound semiconductor material

Номер патента: US20030034503A1. Автор: Timothy Johnson,David Gurney,Raymond Essick,Dale Bengtson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Foam substrate for growing plants wherein the foam substrate is configured as a plug, and method for manufacturing of such plug

Номер патента: WO2021066651A1. Автор: Martin TIETEMA,Martijn BELJAARS,Vincent VAN ASSEN,Marjolein VENHUIZEN. Владелец: FOAMPLANT B.V.. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for growing betula pubescens birch wood

Номер патента: RU2725473C1. Автор: Сергей Вениаминович Залесов,Юрий Валерьевич Зарипов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Уральский государственный лесотехнический университет&#34;. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for growing winter wheat in the conditions of the southern regions of russia

Номер патента: RU2760750C1. Автор: Ольга Леонидовна Овсиенко,Людмила Александровна Чайковская,Валентина Васильевна Ключенко,Марина Ивановна Баранская,Нина Николаевна Клименко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки &#34;Научно-исследовательский институт сельского хозяйства Крыма&#34;. Дата публикации: 2021-11-30.

Method for breeding diamondback moth plutella xylostella l

Номер патента: RU2735251C1. Автор: Ирина Валерьевна Андреева,Елена Игоревна Шаталова,Екатерина Георгиевна Ульянова. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР АГРОБИОТЕХНОЛОГИЙ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СФНЦА РАН). Дата публикации: 2020-10-29.

Method for manufacturing single-crystal sensing elements for high-voltage optical measuring voltage transformers

Номер патента: RU2748973C1. Автор: Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Светлана Сергеевна Базалевская,Дина Генриховна Евтушенко,Алексей Николаевич Забелин,Анатолий Анатольевич Мололкин. Владелец: Акционерное Общество &#34;ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ&#34;. Дата публикации: 2021-06-02.

Method for manufacturing elastic elements from single-crystal silicon

Номер патента: RU2770165C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Александр Евгеньевич Мишанин,Фархад Анвярович Абдуллин,Вера Владимировна Алексеева. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-исследовательский институт физических измерений&#34;. Дата публикации: 2022-04-14.

An independent aeroponic farming unit and method for independent aeroponic farming

Номер патента: FI20205971A1. Автор: Raine HERMANS,Sami TUOMINEN,Markku Peittola. Владелец: Aeropod Oy. Дата публикации: 2022-04-06.

Optical element made from fluoride single crystal, method for manufacturing optical element, method for calculating birefringence of optical element and method for determining direction of minimum birefringence of optical element

Номер патента: US20010024314A1. Автор: Shigeru Sakuma,Shuuichi Takano. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

A method for growing botanical items and providing a decorative cover for same

Номер патента: CA2099904A1. Автор: Donald E. Weder,William F. Straeter. Владелец: Highland Supply Corp. Дата публикации: 1994-01-31.

Cultivation system for energy crops having rhizome, growing medium for this purpose, and method for growing energy crops having rhizome

Номер патента: EP4430943A1. Автор: Farkas Bela. Владелец: Envirotis Holding Zartkoerueen Muekoedoe Reszvenytarsasag. Дата публикации: 2024-09-18.

Growing methods for plants in containers

Номер патента: US20190208712A1. Автор: Elie Gendloff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, method for manufacturing substrate for ultraviolet ray emission device, epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, and substrate for ultraviolet ray emission device

Номер патента: US20240234623A9. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Automatic vertical farming system and method for growing plants in a soilless growing environment

Номер патента: WO2022023333A1. Автор: . Владелец: Infarm - Indoor Urban Farming GmbH. Дата публикации: 2022-02-03.

Apparatus, system and methods for improved vertical farming

Номер патента: US20240215507A1. Автор: Jacob David Counne. Владелец: Wilder Fields LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for piglets colibacillosis prevention and treatment

Номер патента: RU2739305C1. Автор: Вера Михайловна Усевич,Михаил Иванович Барашкин,Анатолий Дмитриевич Алексеев,Ольга Григорьевна Петрова,Игорь Маркович Мильштейн,Светлана Юрьевна Кочергина,Сергей Витальевич Патрушев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Уральский государственный аграрный университет&#34; (ФГБОУ ВО Уральский ГАУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Control systems and methods for managing a localized growing environment

Номер патента: CA3215653A1. Автор: Ulf Jonsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-27.

Lighting assembly, enclosure and method for growing plants using specific wavelength LED's

Номер патента: NZ583334A. Автор: Johannes Otto Rooymans. Владелец: Lemnis Lighting Patent Holding B V. Дата публикации: 2012-04-27.

Method for growing leaf vegetables and/or herbs and/or potato plants and device there for

Номер патента: CA3239829A1. Автор: Thomas Peters,Hendricus Johannes Richard BRUINS,Sina SAMIMI-SEDEH,Robert Luc TISSINGH,Ronaldus Cornelis Maria PETERS,Theun PETERS. Владелец: Ferr Tech BV. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US9252025B2. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Piezoelectric single crystal transducer element and a method for its manufacturing

Номер патента: WO2024161205A1. Автор: VENKATACHALAM Natarajan,Elangovan VARADARAJAN,Chandramohan MANIKANDAN,Sarveswaran GANESAMOORTHY,Ramaiyan Mahadevan SARGUNA,Palanimuthu VIJAYAKUMAR,Prabu Amaladass EDWARD,Mani AWADHESH,Shekar Nagar Venkataraman CHANDRA,Abisekaraj Isaac Abraham REGIVA. Владелец: Chairman, Defence Research And Development Organization. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for growing leaf vegetables and/or herbs and/or potato plants and device there for

Номер патента: EP4404732A1. Автор: Thomas Peters,Hendricus Johannes Richard BRUINS,Sina SAMIMI-SEDEH,Robert Luc TISSINGH,Ronaldus Cornelis Maria PETERS,Theun PETERS. Владелец: Ferr Tech BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Hydrogel material based on a chitosan-containing salt and a method for production thereof

Номер патента: RU2707973C1. Автор: Татьяна Григорьевна Хонина,Ольга Николаевна Малинкина,Анна Борисовна Шиповская,Юлия Юрьевна Журавлева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского&#34;. Дата публикации: 2019-12-03.

Compositions and methods for growing the population of microorganisms in a gut of monogastric animals

Номер патента: WO2020249246A1. Автор: Emmanuelle Apper,Mathieu CASTEX,Caroline ACHARD. Владелец: DANSTAR FERMENT AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Devices and methods for growing crops using ventilated lighting and non-fibrous substrate

Номер патента: WO2024049436A1. Автор: Schuyler MILTON. Владелец: Kappa Agtech, Llc. Дата публикации: 2024-03-07.

Group iia metal fluoride single crystals suitable for below 200 nm optical lithography and a method for selecting such crystals

Номер патента: US20050031970A1. Автор: Chong An,Charlene Smith. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Compositions and methods for growing the population of microorganisms in a gut of monogastric animals

Номер патента: EP3982749A1. Автор: Emmanuelle Apper,Mathieu CASTEX,Caroline ACHARD. Владелец: DANSTAR FERMENT AG. Дата публикации: 2022-04-20.

Compositions and methods for growing the population of microorganisms in a gut of monogastric animals

Номер патента: US20230069477A1. Автор: Emmanuelle Apper,Mathieu CASTEX,Caroline ACHARD. Владелец: Danstar Ferment Ag Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Methods and apparatuses for growing marine plants and macroalgae and an apparatus for seeding cultivating and harvesting marine plants and macroalgae

Номер патента: US20240260528A1. Автор: Brian Von Herzen,Paul Coteus. Владелец: Climate Foundation. Дата публикации: 2024-08-08.

Group iia metal fluoride single crystals for lithography below 200 nm and method for selecting such crystals

Номер патента: WO2005017626A3. Автор: Chong Pyung An,Charlene M Smith. Владелец: Charlene M Smith. Дата публикации: 2005-04-14.

Group iia metal fluoride single crystals for lithography below 200 nm and method for selecting such crystals

Номер патента: WO2005017626A2. Автор: Chong Pyung An,Charlene M. Smith. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2005-02-24.

Method for breeding improved non-dehiscent sesame

Номер патента: US8581028B2. Автор: Derald Ray Langham. Владелец: Sesaco Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

A sheet substrate, a growing arrangement and a method for producing a sheet substrate

Номер патента: WO2024200618A1. Автор: Martin Jarvekulg,Triin Kangur,Helery HAREND. Владелец: Click & Grow Ou. Дата публикации: 2024-10-03.

A sheet substrate, a growing arrangement and a method for producing a sheet substrate

Номер патента: EP4437824A1. Автор: Martin Jarvekulg,Triin Kangur,Helery HAREND. Владелец: Click & Grow Oue. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for growing broiler chickens

Номер патента: RU2756496C1. Автор: Андрей Георгиевич Кощаев,Ирина Павловна Салеева,Иван Афанасьевич Егоров,Альбина Владимировна Лунева,Азамат Хазретович Шантыз,Алексей Андреевич Бойко,Анна Николаевна Гнеуш,Евгений Юрьевич Марченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Кубанский государственный аграрный университет имени И.Т. Трубилина&#34;. Дата публикации: 2021-09-30.

Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same

Номер патента: US20070089781A1. Автор: Kazuo Nakajima,Kyojiro Kaneko,Michio Kida,Kozo Fujiwara,Wugen Pan,Noritaka Usami. Владелец: Sumco Solar Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method for growing plants in a greenhouse, a system for storing a container within a greenhouse and a conveyor module

Номер патента: EP3474657A1. Автор: Gerrit Johannes VAN STAALDUINEN. Владелец: Logiqs BV. Дата публикации: 2019-05-01.

Mocvd method for growing inalgan/gan heterostructure

Номер патента: US20240213020A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Xia-Xi Zheng. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for producing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230230926A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Led lighting device for growing plants

Номер патента: WO2009022016A1. Автор: Johannes Otto Rooymans. Владелец: Lemnis Lighting Patent Holding B.V.. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for producing semiconductor element

Номер патента: US20210327722A1. Автор: Toshimasa Hara,Motohisa Kado,Katsunori Danno,Hayate Yamano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Optical element made from fluoride single crystal and method for manufacturing the optical element

Номер патента: EP1271185A3. Автор: Shigeru Nikon Corp. Sakuma (Intell. Prop. HQ.),Shuuichi Nikon Corp. Takano (Intell. Prop. HQ.). Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-07-02.

Carbon-layered grain-free single-crystal cathode particles and method for preparing same

Номер патента: US20240234728A1. Автор: Youngho Shin. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US09959611B2. Автор: Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

GAS SENSOR, A CHEMORESISTIVE TYPE MULTI-SENSOR RULER BASED ON OXIDIZED TWO-DIMENSIONAL TITANIUM CARBIDE (MXene) AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: RU2709599C1. Автор: Денис Валерьевич Кузнецов,Игорь Николаевич Бурмистров,Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Илья Анатольевич Плугин,Анна Ивановна Позняк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.&#34; (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-12-18.

Method for increasing current density and degradation resistance of auto-emission codes on silicon plates

Номер патента: RU2654522C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Сергей Николаевич Орлов,Геннадий Яковлевич Красников,Валерий Петрович Тимошенков,Равиль Кяшшафович Яфаров,Евгений Сергеевич Горнев,Андрей Равильевич Яфаров. Владелец: Акционерное общество &#34;Научно-исследовательский институт молекулярной электроники&#34; (АО &#34;НИИМЭ&#34;). Дата публикации: 2018-05-21.

Method for manufacturing of acousto-optic device

Номер патента: RU2762515C1. Автор: Сергей Иванович Чижиков,Владимир Яковлевич Молчанов,Василий Викторович Гуров,Александр Ильич Чижиков. Владелец: Александр Ильич Чижиков. Дата публикации: 2021-12-21.

Substrate for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: EP4379774A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Led lighting device for growing plants

Номер патента: EP2184967A1. Автор: Johannes Otto Rooymans. Владелец: Lemnis Lighting Patents Holding BV. Дата публикации: 2010-05-19.

Method for obtaining a harmonic frequency using a potassium bromate nonlinear optical component

Номер патента: US3815973A. Автор: S Haussuehl. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-06-11.

Planter and method for growing plants with air pruning

Номер патента: WO2023075707A2. Автор: Nam-Hai Chua,Bong Soo Park,Savitha DHANDAPANI. Владелец: TEMASEK LIFE SCIENCES LABORATORY LIMITED. Дата публикации: 2023-05-04.

Piezoelectric single-crystal element, mems device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230120240A1. Автор: Sang Goo Lee. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Seed and method for growing plants

Номер патента: US20190124823A1. Автор: Kiyomi Ejiri. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for manufacturing an SOI substrate

Номер патента: EP1981079A3. Автор: ITO Atsuo,Koichi Tanaka,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-23.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313086A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Composite substrate, semiconductor structure, and manfufacturing method for composite substrate

Номер патента: US20240304675A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for assembling solar modules a monolithic solar module from cells of photoelectric converters by using an adhesive layer

Номер патента: RU2663543C1. Автор: Алексей Валерьевич Кукин,Алексей Сергеевич Титов,Дмитрий Александрович Андроников. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Хевел&#34;, ООО &#34;Хевел&#34;. Дата публикации: 2018-08-07.

Method for reducing plant stress, fungi, and mycotoxins

Номер патента: WO2024086627A3. Автор: Maria Soledad Sacristan Benayas,Rosa Maria Perez Jimenez,Frédéric Brunner,Sandra DÍAZ GONZÁLEZ,Carlos GONZÁLEZ SANZ,Palmira DEL PRADO POLONIO,Patricia MARÍN GARCÍA,Anne RUNKEL. Владелец: Plant Response, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

A method for growing poultry

Номер патента: EP2105048B1. Автор: Ingrid Dr. Halle,Barbara Dr. Tzschentke. Владелец: Humboldt Universitaet zu Berlin. Дата публикации: 2011-08-24.

Method for making semiconductor device including a superlattice and enriched silicon 28 epitaxial layer

Номер патента: US12046470B2. Автор: Hideki Takeuchi,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Preform produced by electrospinning, method for producing the same and use of such a preform

Номер патента: US20140025156A1. Автор: Franciscus Petrus Thomas Baaijens. Владелец: Eindhoven Technical University. Дата публикации: 2014-01-23.

Preform produced by electrospinning, method for producing the same and use of such a preform

Номер патента: US20170202689A1. Автор: Franciscus Petrus Thomas Baaijens. Владелец: Eindhoven Technical University. Дата публикации: 2017-07-20.

Preform produced by electrospinning, method for producing the same and use of such a preform

Номер патента: US20160220398A1. Автор: Franciscus Petrus Thomas Baaijens. Владелец: Eindhoven Technical University. Дата публикации: 2016-08-04.

Preform produced by electrospinning, method for producing the same and use of such a preform

Номер патента: EP1740747A2. Автор: Franciscus Petrus Thomas Baaijens. Владелец: Eindhoven Technical University. Дата публикации: 2007-01-10.

METHOD FOR PRODUCING NANO-PROFILED ULTRA-THIN FILM Al2O3 ON SURFACE OF POROUS SILICON

Номер патента: RU2634326C2. Автор: Илья Сергеевич Тарасов,Александр Дмитриевич Бондарев,Иван Никитич Арсентьев,Александр Сергеевич Леньшин,Павел Владимирович Середин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования &#34;Воронежский государственный университет&#34; (ФГБУ ВО ВГУ). Дата публикации: 2017-10-25.

Method for growing of planting stock by cuttings on hydroponics

Номер патента: RU2374833C1. Автор: Иван Венедиктович Екимов,Татьяна Николаевна Морозкова,Сергей Валентинович Сапелкин,Александр Владиславович Седякин,Надежда Федоровна Медведева,Игорь Олегович Ригов. Владелец: Иван Венедиктович Екимов. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for evaluating work-modified layer, and method of manufacturing semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20240241064A1. Автор: Kiyoshi Kojima,Tadaaki Kaneko,Yoshinobu Nakura,Kazunobu Asakawa. Владелец: YGK Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Grow light and ocular light therapy arrangements and methods for growing plants and for treating neurological disorders

Номер патента: US20220184413A1. Автор: David S. MacKenzie. Владелец: Norb Lighting LLC. Дата публикации: 2022-06-16.

Decorative grower's containers and methods for using same

Номер патента: US20030019154A1. Автор: Donald Weder. Владелец: SOUTHPAC TRUST INTERNATIONAL Inc NOT INDIVIDUALLY BUT AS TRUSTEE OF FAMILY TRUST U/T/A DATED DECEMBER 8 1995 AUTHORIZED SIGNATORY CHARLES A CODDING. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for making silicon wafers

Номер патента: US4597822A. Автор: John L. Benjamin,William R. Van Dell. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-07-01.

Method for producing electrophotographic photosensitive member, electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus using the same

Номер патента: EP1394619A3. Автор: Junichiro c/o Canon K. K. Hashizume,Toshiyuki c/o Canon K. K. Ehara,Hideaki c/o Canon K. K. Matsuoka,Ryuji c/o Canon K. K. Okamura,Koji c/o Canon K. K. Hitsuishi,Satoshi c/o Canon K. K. Kojima,Hironori c/o Canon K. K. Ohwaki,Kazuto c/o Canon K. K. Hosoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-07-28.

Method for measuring an amount of strain of a bonded strained wafer

Номер патента: US20070166845A1. Автор: Isao Yokokawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for reducing contamination prior to epitaxial growth and related structure

Номер патента: US20020182882A1. Автор: Klaus Schuegraf,David Chapek. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for forming quantum dot

Номер патента: US20040053469A1. Автор: Sung-Eon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Method for forming quantum dot

Номер патента: US6730531B2. Автор: Sung-Eon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-04.

Method for making semiconductor device including a superlattice and enriched silicon 28 epitaxial layer

Номер патента: US20240339319A1. Автор: Hideki Takeuchi,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for growing barium titanate thin film

Номер патента: US20010004547A1. Автор: Hsin-Chih Liao,Ming-Kwei Lee. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-06-21.

Multi-stack three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867952A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120058612A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Grinding and polishing tool for diamond, method for polishing diamond, and polished diamond, single crystal diamond and single diamond compact obtained thereby

Номер патента: US20020192470A1. Автор: Hitoshi Hashimoto,Toshihiko Abe,Shu-Ichi Takeda. Владелец: Applied Diamond Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Plasma display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100244687A1. Автор: Yoshiyuki Kaneko,Takashi Kawasaki,Takahiro Ueno,Hiroyuki Tachihara,Yasuhito Yamaryo,Atsuo OHTOMI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for determining crystal defect concentration lower than 10 ppm in semiconductor materials based on photomodulated reflectance measurement

Номер патента: WO2023175362A1. Автор: György Nádudvari,Laszlo Balogh,Jozsef Gallai,Zsolt ZOLNAI,János SZIVOS. Владелец: SEMILAB Zrt.. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for slicing semiconductor single crystal ingot

Номер патента: US09876078B2. Автор: Hiroshi Noguchi. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for obtaining microplants of medicinal plant stephania glabra (roxb.) miers

Номер патента: RU2757318C1. Автор: Татьяна Юрьевна Горпенченко,Юлия Витальевна Верещагина,Галина Кирилловна Чернодед. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки &#34;Федеральный научный центр биоразнообразия наземной биоты Восточной Азии&#34; Дальневосточного отделения Российской академии наук (ФНЦ Биоразнообразия ДВО РАН). Дата публикации: 2021-10-13.

Scaffold for growing neuronal cells and tissue

Номер патента: US20180221415A1. Автор: Shulamit Levenberg,Jacob BLUMENTHAL. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Single Crystal Silicon Membrane with a Suspension Layer, Method for Fabricating the Same, and a Micro-Heater

Номер патента: US20130062738A1. Автор: Chung-Nan Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Single crystal silicon membrane with a suspension layer, method for fabricating the same, and a micro-heater

Номер патента: US8895448B2. Автор: Chung-Nan Chen. Владелец: National Kaohsiung University of Applied Sciences. Дата публикации: 2014-11-25.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20110287605A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Akihisa Shimomura,Junpei Momo,Taiga MURAOKA,Kosei Nei. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method for growing plants

Номер патента: WO2013178493A1. Автор: Vadim Gogichev. Владелец: PHILIPPE SAINT GER AG. Дата публикации: 2013-12-05.

Nitride semiconductor substrate, and method for producing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4435833A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Cultivating device and method for growing plants

Номер патента: AU2021351143A9. Автор: Ivan Mallinowski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate

Номер патента: US20050106849A1. Автор: Shangir Gwo. Владелец: Shangir Gwo. Дата публикации: 2005-05-19.

Method for growing germanium epitaxial films

Номер патента: WO2011019540A1. Автор: Craig M. Hill,Vu A. Vu,Andrew T.S. Pomerene,Daniel H. Carothers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.. Дата публикации: 2011-02-17.

Single crystal silicon substrate, liquid discharge head, and method for manufacturing single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230364910A1. Автор: Koji Kitahara,Masahiro Fujii,Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Compositions and methods for improving plant health and controlling plant disease

Номер патента: US20240251801A1. Автор: Esther Gachango,Mathias Twizeyimana,Matthew Bryon BIGGS,Kestrel Lannon MCCORKLE,David Joseph Ingham. Владелец: AgBiome Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method For Growing Multiple Layers of Source Drain Epitaxial Silicon in FDSOI Process

Номер патента: US20230274984A1. Автор: PENG Zhao,Nan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for producing epitaxial wafer with buried diffusion layer and epitaxial wafer with buried diffusion layer

Номер патента: US7799652B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Takashi Itami,Norimichi Tanaka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-21.

Container for growing of plants and method for supplying gas to plants.

Номер патента: NL2023244B9. Автор: Johannes Van Staalduinen Gerrit. Владелец: LOGIQS B.V.. Дата публикации: 2022-01-17.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: EP3867953A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: WO2020124879A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-06-25.

Enhanced structure and method for buried local interconnects

Номер патента: EP1535341A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Jack A. Mandelman,Carl J. Radens,Ramachandra Divakaruni,Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

Method For Growing Germanium Epitaxial Films

Номер патента: US20160181096A1. Автор: Craig M. Hill,Daniel N. Carothers,Andrew TS Pomerene,Vu An Vu. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for growing plants

Номер патента: EP2854505A1. Автор: Vadim Gogichev. Владелец: PHILIPPE SAINT GER AG. Дата публикации: 2015-04-08.

Devices and methods for growing crops with non-fibrous, non-porous and non-consumable substrate

Номер патента: WO2024178408A2. Автор: Schuyler MILTON. Владелец: Kappa Agtech, Llc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Apparatus and method for growing plants, a biomass, or microrganisms in water through photosynthesis

Номер патента: WO2009023273A1. Автор: Chaim Lieberman,Israel Horowitz. Владелец: Israel Horowitz. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for predicting toxicity of tungsten to wheat root elongation by using biotic ligand model

Номер патента: NL2027968B1. Автор: Li Shaojing,Che Guangjie. Владелец: Univ Qingdao Agricultural. Дата публикации: 2021-10-14.

Simox substrate and method for production thereof

Номер патента: EP1264339A1. Автор: Keisuke c/o NIPPON STEEL CORPORATION KAWAMURA,Atsuki c/o NIPPON STEEL CORPORATION MATSUMURA,Toshiyuki c/o NIPPON STEEL CORPORATION MIZUTANI. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Method for manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US20110318864A1. Автор: Junpei Momo,Fumito Isaka,Sho Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for evaluating thermionic electron emitter in situ

Номер патента: US20240290594A1. Автор: Victor Katsap. Владелец: Nuflare Technology America Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Organic single crystal field effect circuit and preparing method thereof

Номер патента: US09893286B2. Автор: Xiaoli Zhao,Yichun Liu,Yanhong Tong,Qingxin Tang. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for producing optical waveguides, optical waveguides and frequency converting devices

Номер патента: US20020191934A1. Автор: Kenji Kato,Yoshimasa Kondo,Takashi Yoshino,Makoto Oomori. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for predicting toxicity of arsenic to wheat root elongation by using biotic ligand model

Номер патента: NL2028028B1. Автор: Li Shaojing,SONG Ningning. Владелец: Univ Qingdao Agricultural. Дата публикации: 2021-10-14.

Soi substrate and method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20100025804A1. Автор: Koichi Tanaka,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-04.

Electron source, method for manufacturing the same, and electron beam device using the same

Номер патента: US20210327674A1. Автор: Minoru Kaneda,Tomihiro Hashizume,Takashi Ohshima,Toshiaki Kusunoki,Noriaki Arai,Hiromitsu Seino,Keigo Kasuya,Soichiro Matsunaga. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for growing of fish in rice checks (versions)

Номер патента: RU2275801C2. Автор: Александр Макарович Салдаев,Владимир Иванович Козлов,Вячеслав Петрович Зволинский,В чеслав Петрович Зволинский. Владелец: Государственное научное учреждение Прикаспийский научно-исследовательский институт аридного земледелия Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2006-05-10.

Method for growing arrays of aligned nanostructures on surfaces

Номер патента: US20080008844A1. Автор: Martin Bettge,Stephan Burdin,Scott Maclaren,Ivan Petrov,Ernie Sammann. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2008-01-10.

Growing medium structures based on sphagnum moss and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2656551C2. Автор: Туомо ХЬЕЛЬТ,Карита КИННУНЕН,Ари ЭРККИЛЯ,Кирси ИММОНЕН,Антти ОКСАНЕН,Ристо ТАХВОНЕН,Лииса СЯРККЯ,Юха НЯККИЛЯ,Кари Йокинен. Владелец: Луоннонваракескус. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for estimating twin defect density

Номер патента: US11733177B2. Автор: Jungkuk LEE,Soon-ku HONG,Si Trong NGO,Duy Duc LE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2023-08-22.

Integrated organic light emitting diode display apparatus and methods for making the same

Номер патента: US20180211596A1. Автор: Jing Gu. Владелец: Viewtrix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Apparatus and method for sawing single crystal ingot

Номер патента: WO2012050307A2. Автор: Ki-Soo Kwon,Heui-Don Cho,Dong-Ouk Ji. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for fabricating semiconductor device with EMI protection structure

Номер патента: US11587885B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Plant glutamine synthetase inhibitors and methods for their identification

Номер патента: WO2014088697A3. Автор: Huazhang Huang,Ratnakar Asolkar,Pamela Marrone. Владелец: MARRONE BIO INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2014-08-21.

Methods for detecting defects in a single crystal silicon structure

Номер патента: US20240255438A1. Автор: Armando Giannattasio,Maria Porrini,Fabrizio Nicolini,Silvana Zampieri,Moreno Lorenzino Morici. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatus and method for sawing single crystal ingot

Номер патента: EP2627488A2. Автор: Ki-Soo Kwon,Heui-Don Cho,Dong-Ouk Ji. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Capacitor with single crystal tantalum oxide layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20070001204A1. Автор: Do-Hyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Robust activation method for negative electron affinity photocathodes

Номер патента: US20090322222A1. Автор: Gregory A. Mulhollan,John C. Bierman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating semiconductor device with emi protection structure

Номер патента: US20220084956A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods for detecting defects in a single crystal silicon structure

Номер патента: WO2024160838A1. Автор: Armando Giannattasio,Maria Porrini,Fabrizio Nicolini,Silvana Zampieri,Moreno Lorenzino Morici. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-08.

Active polymer materials for growing more vigorous, larger and healthier plants

Номер патента: US12108711B2. Автор: Zev Samuel BASSIN,David Drew HORINEK. Владелец: Hologenix LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of producing paper, hydrophobic, antiseptic wastes from waste paper for growing green plants

Номер патента: RU2699840C1. Автор: Александр Иванович Смоляков,Денис Геннадьевич Кондратьев,Михаил Леонидович Яскевич. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;ЦЕНТР ИННОВАЦИЙ &#34;СОЛАРПАЛП&#34;. Дата публикации: 2019-09-11.

Method for growing of sturgeon fish in ponds

Номер патента: RU2299561C1. Автор: Татьяна Анатольевна Никитина,Тать на Анатольевна Никитина. Владелец: Татьяна Анатольевна Никитина. Дата публикации: 2007-05-27.

Systems and method for integrated devices on an engineered substrate

Номер патента: WO2019113045A1. Автор: Cem Basceri,Vladimir Odnoblyudov,Dilip Risbud,Ozgur Aktas. Владелец: QROMIS, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US20130102126A1. Автор: Hiroji Aga,Nobuhiko Noto,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7732316B2. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Systems and methods for a vertical planter

Номер патента: US09986694B2. Автор: Alex E. Billingsley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for cultivating crops in radio active nuclide contaminated soil

Номер патента: RU2077831C1. Автор: Николай Иванович Бохан,Владимир Петрович Кащеев,Иван Васильевич Черненок,Юрий Николаевич Шадуро. Владелец: Белорусский Комитет &#34;Дети Чернобыля&#34;. Дата публикации: 1997-04-27.

Group iii nitride light-emitting element and method for producing the light-emitting element

Номер патента: US20190386177A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Systems and methods for automated care of marine aquaculture

Номер патента: WO2024050313A1. Автор: Scott MacDonald,Julia Lee,Kevin Mori,Peter Lowe,Michael Risse,Serry Park,Daniel HILLS-BUNNELL,Blake CROWE,Nicole GONZALES,Robby TONG. Владелец: Seafoundry Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for forming an undoped region under a source/drain

Номер патента: US12068395B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Meng-Ku Chen,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming an undoped region under a source/drain

Номер патента: US20240363729A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Meng-Ku Chen,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09864134B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Mirja Richter,Bert Jan Offrein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for growing of fiber flax

Номер патента: RU2314665C2. Автор: Александр Васильевич Кучин,Сергей Леонидович Белопухов,Татьяна Владимировна Хуршкайнен,Андрей Владимирович Захаренко. Владелец: Государственное учреждение Институт химии Коми научного центра Уральского отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2008-01-20.

Method for growing broiler chickens

Номер патента: RU2764794C1. Автор: Александр Иванович Петенко,Денис Васильевич Осепчук,Андрей Анатольевич Свистунов,Наталья Васильевна Агаркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Краснодарский научный центр по зоотехнии и ветеринарии&#34; ФГБНУ КНЦЗВ. Дата публикации: 2022-01-21.

Method for growing parental flock egg-laying hens

Номер патента: RU2503250C2. Автор: Елена Викторовна Шацких,Марина Юрьевна Борихина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Уральская государственная сельскохозяйственная академия (УрГСХА) (отдел по научной работе и инновациям). Дата публикации: 2014-01-10.

Matrix auto emission cathode and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2666784C1. Автор: Михаил Георгиевич Путря,Валерий Петрович Тимошенков,Александр Анатольевич Голишников,Татьяна Юрьевна Крупкина,Евгений Павлович Кицюк,Роман Михайлович Рязанов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Национальный исследовательский университет &#34;Московский институт электронной техники&#34;. Дата публикации: 2018-09-12.

Systems and methods for operating a grow pod

Номер патента: US20180359945A1. Автор: Mark Gerald STOTT,Gary Bret Millar,Todd Garrett TUELLER,John David Tueller. Владелец: Grow Solutions Tech LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

Systems and methods for operating a grow pod

Номер патента: EP3638004A1. Автор: Mark Gerald STOTT,Gary Bret Millar,Todd Garrett TUELLER,John David Tueller. Владелец: Grow Solutions Tech LLC. Дата публикации: 2020-04-22.

Biodegradable growing media for growing plants, assembly provided therewith, and method for manucturing such growing media

Номер патента: WO2022066006A1. Автор: Martijn BELJAARS,Vincent VAN ASSEN,Wilfred ROO,Floris Lodewijk KROL. Владелец: FOAMPLANT B.V.. Дата публикации: 2022-03-31.

Film structure, method for producing film structure and apparatus for producing film structure

Номер патента: EP4391781A1. Автор: Akio Konishi,Takeshi Iizuka,Hiroaki Kanamori. Владелец: I Pex Piezo Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Plug-shaped implant for the replacement and regeneration of biological tissue and method for preparing the implant

Номер патента: CA3144225A1. Автор: Giles William Melsom,Egidius Gerardus Maria Hermsen,Petrus Mattheus Egidius Adrianus FRANSEN,Everardus Johannes Hubertus VAN BUUL. Владелец: JOINTSPHERE BV. Дата публикации: 2020-12-30.

Plug-shaped implant for the replacement and regeneration of biological tissue and method for preparing the implant

Номер патента: AU2020303837A1. Автор: Giles William Melsom,Egidius Gerardus Maria Hermsen,Petrus Mattheus Egidius Adrianus FRANSEN,Everardus Johannes Hubertus VAN BUUL. Владелец: JOINTSPHERE BV. Дата публикации: 2022-01-20.

Plug-shaped implant for the replacement and regeneration of biological tissue and method for preparing the implant

Номер патента: EP3989882A1. Автор: Giles William Melsom,Egidius Gerardus Maria Hermsen,Petrus Mattheus Egidius Adrianus FRANSEN,Everardus Johannes Hubertus VAN BUUL. Владелец: JOINTSPHERE BV. Дата публикации: 2022-05-04.

Plug-shaped implant for the replacement and regeneration of biological tissue and method for preparing the implant

Номер патента: WO2020263086A1. Автор: Giles William Melsom,Egidius Gerardus Maria Hermsen,Petrus Mattheus Egidius Adrianus FRANSEN,Everardus Johannes Hubertus VAN BUUL. Владелец: Jointsphere B.V.. Дата публикации: 2020-12-30.

Method for suppressing metal propagation in solid electrolytes

Номер патента: EP3635804A1. Автор: Travis Thompson,Jeffrey Sakamoto,Nathan Taylor,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK,Asma Sharafi. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2020-04-15.

Plug-shaped implant for the replacement and regeneration of biological tissue and method for preparing the implant

Номер патента: AU2020305595A1. Автор: Giles William Melsom,Egidius Gerardus Maria Hermsen,Petrus Mattheus Egidius Adrianus FRANSEN,Everardus Johannes Hubertus VAN BUUL. Владелец: JOINTSPHERE BV. Дата публикации: 2022-02-17.

Plug-shaped implant for the replacement and regeneration of biological tissue and method for preparing the implant

Номер патента: WO2020263087A1. Автор: Giles William Melsom,Egidius Gerardus Maria Hermsen,Petrus Mattheus Egidius Adrianus FRANSEN,Everardus Johannes Hubertus VAN BUUL. Владелец: Jointsphere B.V.. Дата публикации: 2020-12-30.

Methods for producing Raphanus sativa sprouts with increased anthocyanin levels

Номер патента: NZ521140A. Автор: Gerrit Koppert. Владелец: Gain Harvest Dev Ltd. Дата публикации: 2004-03-26.

Low lead content magnetic garnet single crystal film, method for manufactuing the same and magnetostatic wave device having the same

Номер патента: US20010006038A1. Автор: Masaru Fujino. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for cultivating strawberry

Номер патента: US12108710B2. Автор: Yuki Matsuda. Владелец: Md Farm Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for suppressing metal propagation in solid electrolytes

Номер патента: US12125967B2. Автор: Travis Thompson,Jeffrey Sakamoto,Nathan Taylor,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK,Asma Sharafi. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-10-22.

Robotic autonomous module for growing plants on artificial media using automated life support tools for plants at all stages of growing

Номер патента: RU2748379C1. Автор: Борис Германович Левин,Сергей Викторович Пасечник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Флора Спейс&#34;. Дата публикации: 2021-05-25.

Effective and beneficial vessels and method for growing plants to manipulate root growth

Номер патента: IL278002B. Автор: Chvily Tov-Chai. Владелец: Tov Chai Chvily. Дата публикации: 2021-07-29.

Structure and method for fabricating semiconductor structures having memory systems with pre-computation units, utilizing the formation of a compliant substrate

Номер патента: US20030034502A1. Автор: Mihir Pandya,David Gurney,Raymond Essick. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Vibrator device and method for manufacturing vibrator device

Номер патента: US12052009B2. Автор: Katsuya Suzuki,Kenichi Kurokawa,Naruki Teradaira. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Light emitting diode element and method for producing the same

Номер патента: US20120037923A1. Автор: Toshiyuki Kondo,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Takuya Nishimura,Motoaki Iwaya,Fumiharu Teramae. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-16.

Ink jet recording head, method for manufacturing the same, and ink jet recorder

Номер патента: EP1116588A4. Автор: Akira Matsuzawa,Yoshinao Miyata,Masato Shimada,Tsutomu Nishiwaki,Hiroyuki Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-11.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: WO2022115683A3. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Crystal Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-14.

Dual alloy turbine rotors and methods for manufacturing the same

Номер патента: EP3617455A1. Автор: Jason Smoke,David K. Jan,Don Mittendorf,Amendine MINER. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12125697B2. Автор: Bishnu Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Piezoelectric vibrator and frequency adjustment method for piezoelectric vibrator

Номер патента: US20160294355A1. Автор: Toshihiko Unami,Eitaro Kameda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for growing broilers without feed antibiotics

Номер патента: RU2731420C1. Автор: Елена Викторовна Шацких,Юрий Александрович Кирсанов,Людмила Ивановна Дроздова,Ольга Александровна Васильева,Ольга Геннадьевна Лоретц,Ольга Петровна Неверова,Данис Минниянович Галиев,Виктория Андреевна Горохова,Юлия Владимировна Клепова,Ульяна Ивановна Кундрюкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Уральский государственный аграрный университет&#34; (ФГБОУ ВО Уральский ГАУ). Дата публикации: 2020-09-02.

Method for growing plants in conditions of protected ground, device for growth of plants in conditions of protected ground and collapsible multi-tier rack for growing plants in conditions of protected ground

Номер патента: RU2391812C2. Автор: Геннадий Викторович Курочкин,Галина Петровна Курочкина. Владелец: Галина Петровна Курочкина. Дата публикации: 2010-06-20.

Method for stimulating growth and development of lettuce crops in closed agrobiotechnological systems

Номер патента: RU2701496C1. Автор: Владимир Борисович Новиков,Петр Аркадьевич Верник,Валерий Николаевич Зеленков,Мария Ивановна Иванова,Вячеслав Васильевич Латушкин,Нина Владимировна Поверина. Владелец: Автономная некоммерческая организация &#34;Институт социально-экономических стратегий и технологий развития&#34;. Дата публикации: 2019-09-26.

Hair growth apparatus and method for growing hair

Номер патента: RU2488413C2. Автор: Тосеи ХАМАДА,Такехиро НАКАГАВА. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2013-07-27.

Method for growing of broiler chickens

Номер патента: RU2728254C1. Автор: Олег Александрович Завьялов,Галимжан Калиханович Дускаев,Борис Георгиевич Рогачев,Шамиль Гафиуллович Рахматуллин,Алексей Николаевич Фролов,Дмитрий Геннадьевич Дерябин,Ксения Сергеевна Инчагова. Владелец: Федеральное Государственное бюджетное научное учреждение &#34;Федеральный научный центр биологических систем и агротехнологий российской академии наук&#34;. Дата публикации: 2020-07-28.

Method for intensive lawn growing with water enrichment of soil using superabsorbent during irrigation

Номер патента: RU2751851C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко,Сергей Александрович Апреликов. Владелец: Сергей Александрович Апреликов. Дата публикации: 2021-07-19.

Method for forming root system on grapevine

Номер патента: RU2769245C1. Автор: Александр Анатольевич Ладно. Владелец: Александр Анатольевич Ладно. Дата публикации: 2022-03-29.

Method for growing broilers

Номер патента: RU2655850C1. Автор: Ирина Михайловна Донник,Ольга Васильевна Горелик,Альбина Геннадьевна Исаева,Анна Сергеевна Кривоногова,Павел Викторович Шаравьев,Ольга Геннадьевна Лоретц,Ольга Петровна Неверова,Анна Александровна Стяжкина,Олег Александрович Ваничкин,Елена Николаевна Ваничкина. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования &#34;Уральский Государственный Аграрный Университет&#34; (ФГБОУ ВО Уральский ГАУ) (отдел по научной, инновационной работе и докторантуре). Дата публикации: 2018-05-29.

Method for growing high-productive broilers

Номер патента: RU2665485C1. Автор: Ирина Михайловна Донник,Ирина Анатольевна Лебедева,Альбина Геннадьевна Исаева,Анна Сергеевна Кривоногова,Алиса Сергеевна Романова,Наталья Олеговна Захарова,Анастасия Аликовна Романова,Олег Александрович Ванечкин,Ольга Олеговна Савчук. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Компания Полный Дом&#34;. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for preventing coccidiosis of broiler chickens when raising them for meat

Номер патента: RU2653018C1. Автор: Бамматгерей Исламгереевич Шапиев,Садрутдин Шамшитович Кабардиев,Карине Альбертовна Карпущенко,Рабият Магомедовна Бакриева,Абдулгамит Асадуллаевич Алиев,Бадрутдин Магомедсаидович Гаджиев,Асият Багаутдиновна Дагаева,Наибхан Абдулгамидович Алиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Прикаспийский зональный научно-исследовательский ветеринарный институт&#34;. Дата публикации: 2018-05-04.

Method and arrangement for growing plants

Номер патента: AU2012331632A1. Автор: Hans HASSLE. Владелец: Plantagon Int AB. Дата публикации: 2014-05-01.

Foam substrate for growing plants wherein the foam substrate is configured as a plug, and method for manufacturing of such plug

Номер патента: EP4037470A1. Автор: Martin TIETEMA,Martijn BELJAARS,Vincent VAN ASSEN,Marjolein VENHUIZEN. Владелец: Foamplant BV. Дата публикации: 2022-08-10.

An apparatus and a method for growing invertebrates

Номер патента: WO2017198895A1. Автор: Ari RIIHIMAA. Владелец: Entoprot Oy. Дата публикации: 2017-11-23.

Vertical cultivation system for growing plants and method for growing of plants

Номер патента: US20240196822A1. Автор: Rodrigo PRIETO PADILLA. Владелец: Arctic Farming Oy. Дата публикации: 2024-06-20.

An apparatus and a method for growing invertebrates

Номер патента: US20190297863A1. Автор: Ari RIIHIMAA. Владелец: Entoprot Oy. Дата публикации: 2019-10-03.

An apparatus and a method for growing invertebrates

Номер патента: EP3457841A1. Автор: Ari RIIHIMAA. Владелец: Entoprot Oy. Дата публикации: 2019-03-27.

Method for producing a 3d semiconductor device and structure including power distribution grids

Номер патента: US20230043191A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Systems and methods for integration of heterogeneous circuit devices

Номер патента: US20050095790A1. Автор: YI Su,Jingkuang Chen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

System and method for tracking batches of vegetation through different zones

Номер патента: US20230320282A1. Автор: Jason Richard George Stephens. Владелец: Argus Control Systems Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for manufacturing image display device and image display device

Номер патента: US20230290808A1. Автор: Hajime Akimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867954A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US10600763B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

X-ray tube, x-ray generator, and method for producing window member

Номер патента: US20240290568A1. Автор: Atsushi Ishii,Ryosuke Yabushita,Naofumi Kosugi,Naonobu Suzuki,Ginji Sugiura,akimichi Shimizu. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-29.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194403A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: EP4131342A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Method for manufacturing organic semiconductor element, semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US20140264314A1. Автор: Osamu Goto,Yosuke Murakami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Improved substrate compositions and methods for forming semiconductor on insulator devices

Номер патента: WO2009058245A2. Автор: Matthew John Dejneka,Kishor P Gadkaree,Adam J Ellison. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-07.

System For Growing Vegetation On An Open Body of Water

Номер патента: US20100263276A1. Автор: Daniel F. Becker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-21.

Quantum size effect type micro electron gun and flat display unit using it and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030109091A1. Автор: Shunri Oda,Katsuhiko Nishiguchi,Xinwei Zhao. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for the manufacture of semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20020109139A1. Автор: Kramadhati Ravi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20120184085A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for grinding single-crystal diamond

Номер патента: US12097589B2. Автор: Jing Lu,Yanhui WANG,Xipeng XU,Qiufa LUO,Zhongqiang MA. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240332081A1. Автор: Mitsuru Morimoto,Makoto Takamura,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for manufacturing a turbine nozzle with single crystal alloy nozzle segments

Номер патента: US09844826B2. Автор: Jason Smoke,Bradley Reed Tucker,Ardeshir Riahi,Ed Zurmehly. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for growing pine seedlings

Номер патента: RU2632954C2. Автор: Геннадий Николаевич Колесников,Елена Вильямовна Робонен,Мария Игоревна Зайцева,Наталья Андреевна Горбачева,Павел Владимирович Луньков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Петрозаводский государственный университет&#34;. Дата публикации: 2017-10-11.

System for growing plants

Номер патента: RU2649855C2. Автор: Эльке Гьялт Хемпениус,Пауль Жак Луи Юбер Баувенс,ГРОТ Якоб Франк ДЕ. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2018-04-05.

Method and device for adjusting environmental conditions for growing plants

Номер патента: RU2638843C2. Автор: Синьюй ЛЮ,Ке ВУ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2017-12-18.

Device and Method for Growing Plants Upon an Undulating Surface

Номер патента: US20220338426A1. Автор: David G. Ruger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-27.

Methods for growing living organisms

Номер патента: US20150040476A1. Автор: Daniel J. Wilson,Cheryl A. Herzer-Wilson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-12.

Vertical cultivation system for growing plants and method for growing of plants

Номер патента: CA3220695A1. Автор: Rodrigo PRIETO PADILLA. Владелец: Arctic Farming Oy. Дата публикации: 2022-12-15.

Vertical cultivation system for growing plants and method for growing of plants

Номер патента: EP4351317A1. Автор: Rodrigo PRIETO PADILLA. Владелец: Arctic Farming Oy. Дата публикации: 2024-04-17.

Light, apparatus and method for growing plants

Номер патента: US20240172603A1. Автор: Klaus Richter,Zhelio Andreev,Harun Özgür. Владелец: Wuerth Elektronik Eisos GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-30.

A Device and Method for Growing Plants Upon an Undulating Surface

Номер патента: US20230148491A1. Автор: David K. Ruger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

System and methods for thermal root regulation and expansive root growth of growing plants

Номер патента: EP3454641A1. Автор: Richard James BAILEY Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-20.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12033884B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method for plant production

Номер патента: WO2024130317A1. Автор: Peter Fox. Владелец: Peter Fox. Дата публикации: 2024-06-27.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Structure and method for fabricating an optical bus

Номер патента: WO2003009398A3. Автор: George Valliath. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-04.

Structure and method for fabricating an optical bus

Номер патента: WO2003009398A2. Автор: George Valliath. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for resurrecting negative electron affinity photocathodes after exposure to an oxidizing gas

Номер патента: US20110201244A1. Автор: Gregory A. Mulhollan,John C. Bierman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130017671A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for producing a composite structure comprising a thin monocristalline layer on a carrier substrate

Номер патента: US12087631B2. Автор: Gweltaz Gaudin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for estimating depth of latent scratches in SiC substrates

Номер патента: US09991175B2. Автор: Satoru Nogami,Satoshi TORIMI,Norihito YABUKI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Greenhouse with tray for growing plants

Номер патента: RU2479985C2. Автор: Петер Эдуард Мария ЛАНСЮ. Владелец: Делфтзихт Бехер Б.В.. Дата публикации: 2013-04-27.

Method of multitiered automated growing plants in protected volume with regulated environment and multitiered automated device of conveyor type for growing plants in protected volume with regulated environment

Номер патента: RU2504950C1. Автор: Дахир Курманбиевич Семенов. Владелец: Дахир Курманбиевич Семенов. Дата публикации: 2014-01-27.

Light, apparatus and method for growing plants

Номер патента: CA3213185A1. Автор: Klaus Richter,Zhelio Andreev,Harun Özgür. Владелец: Wuerth Elektronik Eisos GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-09-29.

System For Growing Plants In A Mobile And Controlled Environment And Method For Making The System

Номер патента: US20180192597A1. Автор: Jomo Fuller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-12.

Aeroponic farming system and method for aeroponic farming

Номер патента: FI130706B1. Автор: Raine HERMANS,Markku Peittola. Владелец: Aeropod Oy. Дата публикации: 2024-01-31.

Method for manufacturing a plurality of nozzle sectors using casting

Номер патента: US11712737B2. Автор: Ngadia Taha Niane,Said Boukerma,Camille Mettoux. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2023-08-01.

System and method for a self-protecting separator for a battery

Номер патента: US20240243436A1. Автор: Zhe Li,Xingcheng Xiao,Jing Gao. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for growing group iii-v nitride film and structure thereof

Номер патента: US20110316001A1. Автор: Wei I LEE,Hsin Hsiung Huang,Kuei Ming Chen,Yen Hsien Yeh. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-12-29.

Method and device for growing grafted grape seedlings

Номер патента: RU2688419C1. Автор: Лариса Анатольевна Титова,Григорий Павлович Малых,Павел Григорьевич Малых,Елена Владимировна Солодовник,Татьяна Александровна Майстренко,Абуза Абдулхамидович Батукаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Федеральный Ростовский аграрный научный центр&#34; (ФГБНУ ФРАНЦ). Дата публикации: 2019-05-21.

Method and apparatus for growing sprouts

Номер патента: US11219167B2. Автор: Mansour Samadpour. Владелец: Institute for Environmental Health Inc. Дата публикации: 2022-01-11.

System and method for growing and installing a plant

Номер патента: US20230320280A1. Автор: Ronald E. Zillmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-12.

Apparatus and method for growing arthropods, plant including said apparatus

Номер патента: EP4285718A1. Автор: Fulvio Antonio De Asmundis. Владелец: De Asmundis Green Research BV. Дата публикации: 2023-12-06.

Growing system and method for growing plants on water

Номер патента: EP2919579A1. Автор: Johannes Petrus Maria Botman. Владелец: JALMAJA HOLDING BV. Дата публикации: 2015-09-23.

Means and methods for growing plants in high salinity or brackish water

Номер патента: EP2763522A2. Автор: Izhak Levi Lotvak,Gil Shani,Eyal Ronen. Владелец: SEANOVO Ltd. Дата публикации: 2014-08-13.

Means and methods for growing plants in high salinity or brackish water

Номер патента: WO2013050945A3. Автор: Izhak Levi Lotvak,Gil Shani,Eyal Ronen. Владелец: Shani Gil. Дата публикации: 2013-08-08.

Means and methods for growing plants in high salinity or brackish water

Номер патента: WO2013050945A2. Автор: Izhak Levi Lotvak,Gil Shani,Eyal Ronen. Владелец: Shani Gil. Дата публикации: 2013-04-11.

System and method for growing trellised plants

Номер патента: AU2020233088A1. Автор: Eliezer Israel Shraga EDELSTEIN. Владелец: Biomimechanical Systems Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Control systems and methods for managing a localized growing environment

Номер патента: EP4326051A1. Автор: Ulf Jonsson. Владелец: Soli Organic Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal

Номер патента: WO2012102539A3. Автор: Moo Seong Kim,Yeong Deuk Jo,Bum Sup Kim,Chang Hyun Son. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-20.

Apparatus and method for growing arthropods, plant including said apparatus

Номер патента: CA3201237A1. Автор: Fulvio Antonio De Asmundis. Владелец: De Asmundis Green Research BV. Дата публикации: 2023-11-30.

A method for growing a game character by using arbitrary distribution of points and a system thereof

Номер патента: WO2006075818A1. Автор: Ji Hyun Park. Владелец: NHN CORPORATION. Дата публикации: 2006-07-20.

Network farming method for customers who instruct growing conditions and receive harvest

Номер патента: US20010044097A1. Автор: Takahiro Kurumizawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

System and method for growing trellised plants

Номер патента: EP3934413A1. Автор: Eliezer Israel Shraga EDELSTEIN. Владелец: Biomimechanical Systems Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

System and method for growing trellised plants

Номер патента: CA3169282A1. Автор: Eliezer Israel Shraga EDELSTEIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-10.

System and method for growing trellised plants

Номер патента: US20220151165A1. Автор: Eliezer Israel Shraga EDELSTEIN. Владелец: Biomimechanical Systems Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040056274A1. Автор: Toshihiro Wakabayashi,Hidekazu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Analytical method to measure nitrogen concentration in single crystal silicon

Номер патента: US20030068826A1. Автор: Robert Falster,Roberto Scala,Vladimir Voronkov,Maria Porrini,Maria Pretto,Paolo Collareta. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS SPA. Дата публикации: 2003-04-10.

Thermal print head, thermal printer, and method for manufacturing thermal print head

Номер патента: US12077005B2. Автор: Satoshi Kimoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for processing semiconductor wafer

Номер патента: US09881783B2. Автор: Toshiyuki Tanaka,Tomohiro Hashii,Yasuyuki Hashimoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for growing large-sized rare-earth-doped barium yttrium fluoride single crystals

Номер патента: CN104562183A. Автор: 姚超,罗辉,官周国,官周牛,郭春艳. Владелец: South West Institute of Technical Physics. Дата публикации: 2015-04-29.

Method for growing high-quality ZnO thin-film material on ZnO single-crystal substrate at low temperature

Номер патента: CN104790033A. Автор: 顾然,姚峥嵘,郑有炓,叶建东,朱顺明,顾书林,汤琨,黄时敏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-07-22.

Method for producing high-purity silicon carbide powder for producing silicon carbide single crystal

Номер патента: JP3934695B2. Автор: 正洙 金本,忍 遠藤,誠夫 橋本. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2007-06-20.

METHOD FOR MAKING CASTINGS FROM HEAT-RESISTANT ALLOYS WITH A DIRECTED AND SINGLE CRYSTAL STRUCTURE

Номер патента: SU839153A1. Автор: В.А. Никишин,А.В. Рогов,В.Н. Толораия,Д.А. Петров,В.М. Торопов,А.В. Яковлева. Владелец: Д.А. Петров. Дата публикации: 2000-07-27.

Method for controlling process of alloying source raw metal in production of single crystals

Номер патента: SU1125305A1. Автор: Валентина Алексеевна Соболева,Виталий Григорьевич Атаманенко,Татьяна Андреевна Щегляева,Хасан Ильич Макеев,Ольга Леонидовна Богословская,Надежда Алексеевна Шишкова,Николай Иванович Казимиров,Вячеслав Михайлович Юшкин,Виталий Филиппович Розин,Георгий Оскарович Розенталь,Юрий Иванович Ульянов. Владелец: Государственный Всесоюзный Центральный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Комплексной Автоматизации. Дата публикации: 1984-11-23.

Method for rapidly growing large-size high-purity semi-insulating silicon carbide single crystal

Номер патента: CN104947182A. Автор: 徐永宽,张政,张皓,窦瑛,徐所成,孟大磊. Владелец: CETC 46 Research Institute. Дата публикации: 2015-09-30.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE CRYSTAL COOLING APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL GROWER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000416A1. Автор: Wang Hak-Eui,Na Gwang-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing of sapphire single crystals from melt

Номер патента: RU2350699C2. Автор: Николай Иванович Каргин,Маргарита Васильевна Николенко,Эдуард Викторович Еськов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Концерн Энергомера&#34;. Дата публикации: 2009-03-27.

Method for growing single crystals of lanthanum-gallium silicate

Номер патента: RU2108417C1. Автор: О.А. Бузанов. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма &#34;ФОМОС&#34;. Дата публикации: 1998-04-10.

Method for growing silicon single crystals

Номер патента: RU2077615C1. Автор: З.А. Сальник,Ю.А. Микляев. Владелец: Акционерное общество &#34;Подольский химико-металлургический завод&#34;. Дата публикации: 1997-04-20.

Method for production of single crystals of potassium and niobium silicate

Номер патента: RU2093616C1. Автор: О.В. Димитрова,Е.Е. Стрелкова. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1997-10-20.

COMPOSITION AND METHOD FOR CONTROLLING PLANT DISEASES

Номер патента: US20120004099A1. Автор: Kurahashi Makoto,Matsuzaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing lithium iodate monocrystal out of solution at continuous drawing of grown crystal outside growth chamber

Номер патента: RU2291919C1. Автор: Олег Григорьевич Портнов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Московский государственный институт стали и сплавов&#34; (технологический университет). Дата публикации: 2007-01-20.

Using amosov method for growing monocrystals from melt

Номер патента: RU2261297C1. Автор: В.И. Амосов. Владелец: Амосов Владимир Ильич. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for production of single crystal lithium aluminate

Номер патента: RU2245402C2. Автор: Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья&#34; (ФГУП &#34;ВНИИСИМС&#34;). Дата публикации: 2005-01-27.

Microcarrier for growing substrate-dependent animal cells in vitro

Номер патента: RU2328527C1. Автор: Александр Вадимович Белявский,Владимир Васильевич Кузнецов,Олег Феофанович Кандараков,Тать на Сергеевна Гриненко,Татьяна Сергеевна Гриненко,вский Александр Вадимович Бел. Владелец: Государственное учреждение Институт молекулярной биологии им. В.А. Энгельгардта Российской Академии Наук. Дата публикации: 2008-07-10.

Apparatus and Method for Viewing an Object

Номер патента: US20120004513A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing of fruit trees

Номер патента: RU2273984C2. Автор: Владимир Иванович Сусов,Виталий Михайлович Индолов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Московская сельскохозяйственная академия им. К.А. Тимирязева&#34;. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for growing edible pleurotus fungi

Номер патента: RU2442823C2. Автор: Ольга Владимировна Камзолкина,Максим Юрьевич Дьяков,Ольга Александровна Кудрявцева,Дарья Николаевна Новоселова. Владелец: Биологический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2012-02-20.

Method for local crystallisation of lanthanum borogermanate glass

Номер патента: RU2579080C1. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Сергей Викторович Лотарев,Татьяна Олеговна Липатьева,Мария Олеговна Шааб. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2016-03-27.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR USING NADH OXIDASES

Номер патента: US20120003688A1. Автор: Bommarius Bettina,Bommarius Andreas,Hirano Jun-Ichiro,Thangavel Vaijayanthi,Park Jonathan Taejoo. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing of oyster mushrooms

Номер патента: RU2284099C1. Автор: Виктор Владимирович Стрельников,Алексей Михайлович Кудр,Алексей Михайлович Кудря. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2006-09-27.

Reaction cell of high-pressure gang-punch apparatus for growing asymmetrically zonal diamond monocrystals

Номер патента: RU2162734C2. Автор: А.А. Чепуров,А.И. Чепуров,И.И. Федоров,В.М. Сонин,нцев Д.Г. Багр,Д.Г. Багрянцев,Е.И. Жимулев,Ю.М. Григораш. Владелец: Ооо &#34;Маин&#34;. Дата публикации: 2001-02-10.

METHOD FOR TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OF FERROMAGNETIC CONIAL ALLOY WITH CONTENT OF Ni 33 -35 at% AND Al 29 -30 at%

Номер патента: RU2641598C1. Автор: Юрий Иванович Чумляков,Елена Юрьевна Панченко,Анна Сергеевна Ефтифеева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Национальный исследовательский Томский государственный университет&#34; (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-01-18.

Method for growing garlic

Номер патента: RU2388202C1. Автор: Павел Хаджумарович Цаболов,Зита Таймуразовна Айлярова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Горский государственный аграрный университет&#34;. Дата публикации: 2010-05-10.

Method for growing edible mushroom lentinus edodes

Номер патента: RU2239983C1. Автор: В.Е. Никитина,О.М. Цивилева. Владелец: Институт биохимии и физиологии растений и микроорганизмов Российской Академии наук. Дата публикации: 2004-11-20.

Method for growing broiler chickens

Номер патента: RU2517745C2. Автор: Денис Васильевич Осепчук,Людмила Николаевна Скворцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Кубанский государственный аграрный университет&#34;. Дата публикации: 2014-05-27.

Method for growing of plant material of fruit and tree crops

Номер патента: RU2310307C1. Автор: Александр Макарович Салдаев,Анатолий Александрович Астахов,Анатолий Вениаминович Ломтев,Александр Васильевич Маслов,Игорь Олегович Яблонский. Владелец: Игорь Олегович Яблонский. Дата публикации: 2007-11-20.

Method for growing of water melon on unirrigated land

Номер патента: RU2106077C1. Автор: Гасан Юсиф оглы Кулиев,Шикар Аббас оглы Алиев. Владелец: Шикар Аббас оглы Алиев. Дата публикации: 1998-03-10.

Device for growing of the rectangular monocrystals of sapphire

Номер патента: RU2310020C2. Автор: Николай Иванович Блецкан. Владелец: Ф и Джи СЭПФАЙЕ Текнолоджи Корп.. Дата публикации: 2007-11-10.

Yeast having higher sulphur content, method for sampling and cultivation thereof

Номер патента: RU2557292C2. Автор: Сергей Павлович Синеокий,Марина Геннадьевна Тарутина,Татьяна Анатольевна ДУТОВА,Хироаки НИСИУТИ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов (ФГУП ГосНИИгенетика). Дата публикации: 2015-07-20.

Method for manufacturing of gas permeable membrane

Номер патента: RU2365403C1. Автор: Александр Васильевич Бобыль,Владимир Петрович Улин,Геннадий Федорович Терещенко,Михаил Петрович Федоров,Федор Юрьевич Солдатенков,Самуил Гиршевич Конников,Александр Николаевич Чусов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет&#34; (ГОУ &#34;СПбГПУ&#34;). Дата публикации: 2009-08-27.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing of fruit crop seedlings on clone rootstocks

Номер патента: RU2270556C2. Автор: Василий Иванович Деменко,Василий Иванович Деменко (RU). Владелец: Московская сельскохозяйственная академия им. К.А. Тимирязева (МСХА). Дата публикации: 2006-02-27.

Method for manufacturing of high-temperature superconducting josephson junction

Номер патента: RU2105390C1. Автор: Михаил Юрьевич Куприянов,Сергей Николаевич Поляков,Анатолий Михайлович Балбашов,Олег Васильевич Снигирев,Эрнст Константинович Ковьев,Игорь Иванович Венгрус,Игорь Юрьевич Парсегов. Владелец: Игорь Юрьевич Парсегов. Дата публикации: 1998-02-20.

Method for promoting growth and development of seedlings

Номер патента: RU2275788C2. Автор: Михаил Валентинович Драпалюк,Иван Михайлович Бартенев,Руслан Николаевич Кораблев,Юли Владимировна Дерюгина,Юлия Владимировна Дерюгина. Владелец: Воронежская государственная лесотехническая академия. Дата публикации: 2006-05-10.

Method for binding of diamond single crystal with metal

Номер патента: RU2347651C2. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Вячеслав Максимович Прохоров,Рустэм Хамитович Баграмов,Владимир Давыдович Бланк (RU),Рустэм Хамитович Баграмов (RU),В чеслав Максимович Прохоров (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение &#34;Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов&#34; (ФГУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2009-02-27.

Method for preparing colza (brassica napus l) fertility restorer

Номер патента: RU2366705C2. Автор: Владимир Владимирович Карпачев,Екатерина Борисовна Горягина,Владимир Алексеевич Никоноренков,Ольга Анатольевна Подвигина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский и проектно-технологический институт рапса. Дата публикации: 2009-09-10.

RECOMBINANT PLASMID DNA pACYC-LANS(KM), STRAINS OF Escherichia coli BL21(DE3), TRANSFORMED RECOMBINANT DNA pACYC-LANS(KM) AND METHOD FOR PRODUCING A SUBSTANCE OF THE RECOMBINANT L-ASPARAGINASE FROM Erwinia carotovora

Номер патента: RU2441916C1. Автор: Михаил Анатольевич Эльдаров,Ольга Владимировна Гончарова,Николай Николаевич Соколов,Марина Владимировна Покровская,Владимир Григорьевич Богуш,Константин Васильевич Сидорук,Надежда Михайловна Чугунова,Светлана Серебеджановна Александрова,Наталья Михайловна Омельянюк. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Научно-исследовательский институт биомедицинской химии имени В.Н. Ореховича РАМН (ИБМХ РАМН). Дата публикации: 2012-02-10.

Method for growing of rice

Номер патента: RU2310319C1. Автор: Вячеслав Тимофеевич Островский,Акоп Карписович Семерджян,В чеслав Тимофеевич Островский,Николай В чеславович Островский,Николай Вячеславович Островский,Александр Сергеевич Шишкин,Антон Вячеславович Варнаков,н Акоп Карписович Семердж,Антон В чеславович Варнаков,ков Антон Сергеевич Треть,Антон Сергеевич Третьяков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2007-11-20.

Device for growing of refractory single crystal

Номер патента: RU2361020C1. Автор: Сергей Николаевич Соловьев,Евгений Андреевич Гарибин,Алексей Александрович Демиденко,Игорь Алексеевич Миронов. Владелец: Закрытое акционерное общество (ЗАО) &#34;ИНКРОМ&#34;. Дата публикации: 2009-07-10.

Method for growing tuberculosis mycobacterium

Номер патента: RU2272285C2. Автор: Галина Ивановна Алексеева,Николай Герасимович Павлов,Ирина Абдулзьяновна Фазульянова,Марина Валерьевна Черных,Галина Ивановна Алексеева (RU),нова Ирина Абдулзь новна Фазуль (RU),Марина Валерьевна Черных (RU),Николай Герасимович Павлов (RU). Владелец: Государственное учреждение Якутский научно-исследовательский институт туберкулёза Министерства здравоохранения Республики Саха (Якутия), (ГУ Якутский НИИ туберкулёза МЗ РС (Я). Дата публикации: 2006-03-20.

Method for obtaining carbon fibre modified with multi-layered carbon nanotubes

Номер патента: RU2379387C1. Автор: Тельман Джамалдинович Каримбаев,Эдуард Григорьевич Раков,Илья Викторович Аношкин,Бахытжан Мыктыбеков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова&#34;. Дата публикации: 2010-01-20.

Device for growing of single-crystal pipes and method of their obtaining

Номер патента: RU2531823C1. Автор: Виктор Александрович Письменный,Александр Витальевич Сандуленко,Лариса Ивановна Крутова,Василий Николаевич Ветров. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра &#34;Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова&#34; (ОАО &#34;НИТИОМ ВНЦ &#34;ГОИ им. С.И. Вавилова&#34;). Дата публикации: 2014-10-27.

Method for presowing treatment of seeds of lycopersicon esculentum mill tomatoes of nightshade solanaceae family

Номер патента: RU2199847C1. Автор: А.М. Салдаев,А.В. Галда,А.Ф. Рогачев. Владелец: Волгоградская государственная сельскохозяйственная академия. Дата публикации: 2003-03-10.

Hydrothermal method for growing quartz crystals

Номер патента: RU2213168C1. Автор: А.Ф. Белименко,В.М. Дубовик,Ю.Н. Колобов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Особо чистое кварцевое стекло&#34;. Дата публикации: 2003-09-27.

Method for etching of langasite single crystals

Номер патента: RU2052546C1. Автор: В.С. Исаев,О.В. Димитрова,В.Б. Грузиненко,Е.Е. Стрелкова,Б.И. Высоцкий,Г.Р. Рошкован,В.В. Безделкин. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1996-01-20.

Method for growing single crystals

Номер патента: RU2035530C1. Автор: Геннадий Николаевич Кожемякин. Владелец: Геннадий Николаевич Кожемякин. Дата публикации: 1995-05-20.

Method for manufacture of matrix of multipoint autoemissive cathode based on single-crystal silicon

Номер патента: RU2484548C1. Автор: Равиль Кяшшафович Яфаров. Владелец: Равиль Кяшшафович Яфаров. Дата публикации: 2013-06-10.

Mixture for growing corundum single crystals of violet gamma

Номер патента: RU2049832C1. Автор: Тамара Александровна Дербенева,Людмила Николаевна Райская. Владелец: Людмила Николаевна Райская. Дата публикации: 1995-12-10.

Method for growing of goat's rue

Номер патента: RU2384047C1. Автор: Клим Прохорович Данилов,Павел Васильевич Ласкин,Клим Прохорович Данилов (RU),Павел Васильевич Ласкин (RU). Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Чувашская государственная сельскохозяйственная академия&#34;. Дата публикации: 2010-03-20.

Method for investigating radiation emitted by living organism for diagnosing cancerogenesis processes

Номер патента: RU2308881C2. Автор: Александр Борисович Колесников,Иль Георгиевич Стародумов,Илья Георгиевич Стародумов,Вадим Юрьевич Соколов,Станислав Игоревич Ермоленко,Эльмира Шамильевна Стародумова,Андрей Николаевич Апанаскевич. Владелец: Станислав Игоревич Ермоленко. Дата публикации: 2007-10-27.

Method for investigating radiation emitted by living organism for diagnosing cancerogenesis processes

Номер патента: RU2308879C2. Автор: Александр Борисович Колесников,Иль Георгиевич Стародумов,Илья Георгиевич Стародумов,Вадим Юрьевич Соколов,Станислав Игоревич Ермоленко,Эльмира Шамильевна Стародумова,Андрей Николаевич Апанаскевич. Владелец: Станислав Игоревич Ермоленко. Дата публикации: 2007-10-27.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods For In-Situ Passivation Of Silicon-On-Insulator Wafers

Номер патента: US20120003814A1. Автор: Ries Michael J.,Witte Dale A.,Stefanescu Anca,Jones Andrew M.. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Cantilever with whisker probe and method for manufacturing same

Номер патента: RU2275591C2. Автор: Евгений Инвиевич Гиваргизов,Михаил Евгеньевич Гиваргизов,Евгения Сергеевна Машкова,Лиди Николаевна Оболенска,Лидия Николаевна Оболенская,Алла Николаевна Степанова,Евгени Сергеевна Машкова. Владелец: Михаил Евгеньевич Гиваргизов. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for preparing wheat leaven

Номер патента: RU2208934C2. Автор: Р.Д. Поландова,Р.К. Еркинбаева,Т.Г. Богатырева,Л.Н. Клюйко. Владелец: Государственное унитарное предприятие Государственный научно-исследовательский институт хлебопекарной промышленности. Дата публикации: 2003-07-27.

Method for production of castings by directional crystallization

Номер патента: RU2093305C1. Автор: Е.В. Воробьева,В.И. Некрасов,Е.Н. Каблов,В.В. Герасимов,И.М. Демонис,Е.М. Висик,А.С. Шалимов. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов. Дата публикации: 1997-10-20.

Method for harvesting single crystals from a peritectic melt

Номер патента: WO1996021756A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-10-03.

Device for growing of silicon single crystals

Номер патента: RU2052547C1. Автор: Леонид Кунонович Куценогий,Станислав Иванович Петров,Юрий Григорьевич Сергиенко,Анатолий Игнатьевич Бузунов,Юрий Мойсеевич Гельгафт,Петр Инокентьевич Панов. Владелец: Красноярский машиностроительный завод. Дата публикации: 1996-01-20.

Method for presowing soil treatment and seed sowing and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2284094C2. Автор: Игорь Васильевич Лобарев,Игорь Васильевич Лобарев (RU). Владелец: Игорь Васильевич Лобарев. Дата публикации: 2006-09-27.

Device for growing single crystals

Номер патента: RU2040598C1. Автор: Иван Григорьевич Белых. Владелец: Иван Григорьевич Белых. Дата публикации: 1995-07-25.

Method for producing new forms of plants and apparatus for directed transfer of hereditary information

Номер патента: RU2090062C1. Автор: Юрий Витальевич Гавинский,Борис Степанович Котов. Владелец: Борис Степанович Котов. Дата публикации: 1997-09-20.

Fuel composition, method for production thereof and liquid fuel additive

Номер патента: RU2478693C1. Автор: Александр Леонидович Житницкий. Владелец: Александр Леонидович Житницкий. Дата публикации: 2013-04-10.

Method for cleaning oil slimes and grounds

Номер патента: RU2116265C1. Автор: Владимир Алексеевич Зоркин,Нина Николаевна Бушуева,Евгений Хамзеевич Айсин. Владелец: Евгений Хамзеевич Айсин. Дата публикации: 1998-07-27.

Method for growing of edible mushrooms and forming of substrate blocks for growing the same

Номер патента: RU2292705C1. Автор: Ксени Леонидовна Алексеева,Ксения Леонидовна Алексеева,Станислав Степанович Литвинов,Константин Геннадьевич Терновой,Дмитрий Сергеевич Партин,Рафик Джамович Нурметов. Владелец: Государственное научное учреждение - Всероссийский научно-исследовательский институт овощеводства (ГНУ ВНИИО). Дата публикации: 2007-02-10.

Method for geowing of refractory single crystals

Номер патента: RU2056463C1. Автор: Михаил Иванович Мусатов. Владелец: Михаил Иванович Мусатов. Дата публикации: 1996-03-20.

Method for manufacturing of multilayer structure of porous silicon-on-insulator

Номер патента: RU2554298C1. Автор: Валерий Викторович Болотов,Константин Евгеньевич Ивлев,Егор Владимирович Князев,Владислав Евгеньевич Росликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ОНЦ СО РАН). Дата публикации: 2015-06-27.

Method for growing of grafted grape seedlings

Номер патента: RU2265317C2. Автор: А.Ф. Хисамутдинов,С.И. Красохина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт виноградарства и виноделия им. Я.И. Потапенко. Дата публикации: 2005-12-10.

Method for growing of single crystals of chrysoberyl activated with ions of trivalent titanium

Номер патента: RU2038433C1. Автор: А.И. Алимпиев,П.В. Мокрушников. Владелец: Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН. Дата публикации: 1995-06-27.

Method for cultivation of cucurbitaceous crops, preferably, food kinds of water melon citrullus lanatus (thunb.)matsum. et nakai

Номер патента: RU2233058C1. Автор: А.М. Салдаев,В.П. Зволинский,В.Г. Абезин,В.В. Карпунин,А.Н. Цепляев,М.Н. Шапров,ев А.Н. Цепл,Е.М. Шапрова. Владелец: Государственное научное учреждение Поволожский научно-исследовательский институт эколого-мелиоративных технологий. Дата публикации: 2004-07-27.

Method for producing formed peat tablets

Номер патента: RU2091004C1. Автор: Л.И. Инишева,Т.В. Дементьева,С.Г. Маслов. Владелец: Инишева Лидия Ивановна. Дата публикации: 1997-09-27.

Method for generation of semiconductor- insulator structure

Номер патента: RU2125323C1. Автор: В.И. Машанов,С.И. Романов,Б.И. Фомин,В.В. Кириенко,Л.В. Соколов,М.А. Ламин. Владелец: Институт физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 1999-01-20.

Method for growing sweet corn

Номер патента: RU2597963C2. Автор: Анна Леонидовна Латыпова,Татьяна Владимировна Соромотина,Алексей Сергеевич Елисеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Пермская государственная сельскохозяйственная академия имени академика Д.Н. Прянишникова&#34;. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for growing of wood with decorative texture

Номер патента: RU2261591C2. Автор: Л.Л. Новицка,Л.Л. Новицкая,Ф.В. Кушнир. Владелец: Институт леса Карельского научного центра Российской академии наук. Дата публикации: 2005-10-10.

Method for growing silicon-germanium heterostructures

Номер патента: RU2407103C1. Автор: Владислав Васильевич Постников,Алексей Витальевич Новиков. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН). Дата публикации: 2010-12-20.

Method for manufacture of powerful shf transistor

Номер патента: RU2534442C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Алексей Сергеевич Адонин,Юрий Владимирович Колковский,Виктор Алексеевич Курмачев,Вадим Минхатович Миннебаев. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Научно-производственное предприятие &#34;Пульсар&#34;. Дата публикации: 2014-11-27.

Method for production of rye-wheat bread on grain starter

Номер патента: RU2604925C2. Автор: Татьяна Глебовна Богатырева,Наталья Васильевна Лабутина,Ирина Георгиевна Белявская,Евгения Николаевна Асадчих,Тамара Алексеевна Юдина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Московский государственный университет пищевых производств&#34; Министерства образования и науки Российской Федерации. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for growing of plants in greenhouses

Номер патента: RU2299539C1. Автор: Юрий Александрович Кирсанов,Михаил Юрьевич Карпухин,Анна Васильевна Юрина,Тать на Викторовна Кивелева,Татьяна Викторовна Кивелева,Валентина Ивановна Зимина,Оксана Александровна Демчук,Петр Аюшевич Шаблин. Владелец: ФГОУ ВПО Уральская государственная сельскохозяйственная академия. Дата публикации: 2007-05-27.

Method for growing rearing stock for parental chicken flock

Номер патента: RU2495588C2. Автор: Ирина Михайловна Донник,Ирина Анатольевна Лебедева,Мария Владимировна Новикова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования Уральская государственная сельскохозяйственная академия (УрГСХА), Отдел Научной Работы и Инновации. Дата публикации: 2013-10-20.

Method for forming of ridges in the process of presowing treatment of loamy soil and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2284093C1. Автор: Алексей Александрович Шайманов,ков Александр Владимирович Пол,Александр Владимирович Поляков,Николай Федорович Ермаков,Виктор Сергеевич Голубович,Алексей Константинович Поперекин. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт овощеводства /ВНИИО/. Дата публикации: 2006-09-27.

Method for preparing of substrate for growing of living cultures

Номер патента: RU2299554C1. Автор: Владимир Николаевич Горякин,кин Владимир Николаевич Гор,Владимир Геннадиевич Матершев,Николай В чеславович Якушев,Николай Вячеславович Якушев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Новые грибные технологии&#34;. Дата публикации: 2007-05-27.

Method for growing of rootstock grape vine

Номер патента: RU2290781C2. Автор: Альберт Фаатович Хисамутдинов,Светлана Ивановна Красохина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский НИИ виноградарства и виноделия им. Я.И. Потапенко. Дата публикации: 2007-01-10.

Method for growing of fodder crop plants

Номер патента: RU2278486C1. Автор: Марат Гайфуллович Каримов,Лют Абдуллович Сайдуллин,Разина Гильмулловна Каримова. Владелец: Лют Абдуллович Сайдуллин. Дата публикации: 2006-06-27.

Method for growing of sunflower with perennial grasses

Номер патента: RU2320110C1. Автор: Николай Андреевич Зеленский,Евгений Петрович Луганцев,Алексей Петрович Авдеенко,Олег Федорович Горбаченко. Владелец: ФГОУ ВПО &#34;Донской государственный аграрный университет&#34;. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of creation of conditions for growing thermophilic vegetable crops in conditions of open ground and device for its implementation

Номер патента: RU2479986C1. Автор: Вячеслав Степанович Нестяк,Сергей Федорович Усольцев,Владимир Викторович Арюпин. Владелец: Государственное научное учреждение Сибирский научно-исследовательский институт механизации и электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ СибИМЭ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2013-04-27.

Method for growth of sapphire single crystals growth

Номер патента: RU2355830C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Александр Юрьевич Игнатов,Сергей Викторович Москаленко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский государственный технический университет. Дата публикации: 2009-05-20.

Method for obtaining doped diamond monocrystal

Номер патента: RU2640788C1. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Сергей Александрович Терентьев,Михаил Сергеевич Кузнецов,Сергей Анатольевич Носухин,Сергей Александрович Тарелкин,Виталий Сергеевич Бормашов,Сергей Геннадьевич Буга. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов&#34; (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-01-11.

Method of germanium single crystals growing by otf method

Номер патента: RU2330127C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Михаил Александрович Гоник,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: ООО Научно-Производственное Предприятие &#34;ОТФ-Техно&#34;. Дата публикации: 2008-07-27.

Method for storing and reading binary information

Номер патента: RU2044345C1. Автор: В.А. Ильчишин,А.Г. Назаренко. Владелец: Ильчишин Владимир Адамович. Дата публикации: 1995-09-20.

Method for manufacturing of semiconductor temperature-sensitive resistor

Номер патента: RU2084032C1. Автор: В.А. Крячков,С.Е. Хряпенков,Н.Г. Санжарлинский,М.И. Самойлович. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью - Фирма &#34;БРОНКС&#34;. Дата публикации: 1997-07-10.

Substrate for growing mushrooms lentinula edodes

Номер патента: RU2436283C1. Автор: Раиса Александровна Карначук,Любовь Борисовна Глухова,Людмила Олеговна Соколянская. Владелец: Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования &#34;Томский государственный университет&#34;. Дата публикации: 2011-12-20.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Operating a Motor-Drive Device for a Home Automation Installation Comprising a Shutter Provided with Two Leaves

Номер патента: US20120000133A1. Автор: Rohee Clément. Владелец: Somfy SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

Machine and Method for Installing Curved Hardwood Flooring

Номер патента: US20120000159A1. Автор: Young Julius. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR GENERATING ENERGY BY MEANS OF THERMAL CYCLES WITH HIGH PRESSURE AND MODERATE TEMPERATURE STEAM

Номер патента: US20120000202A1. Автор: Menéndez Salcedo José María,Angulo Aramburu Jerónimo. Владелец: SENER GRUPO DE INGENIERIA, S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GRAIN-ORIENTED SILICON STEEL WITH SINGLE COLD ROLLING

Номер патента: US20120000262A1. Автор: Jin Weizhong,Shen Kanyi,Li Guobao,Zhang Pijun,Yang Yongjie,Hu Zhuochao,Wu Peiwen,Jiang Quanli. Владелец: BAOSHAN IRON & STEEL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STRUCTURE PROVIDED WITH ZEOLITE SEPARATION MEMBRANE, METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR SEPARATING MIXED FLUIDS AND DEVICE FOR SEPARATING MIXED FLUIDS

Номер патента: US20120000358A1. Автор: MORI Nobuhiko,KAWAI Masaaki,SATOH Aya,TOMITA Toshihiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Composition and method for dust suppression wetting agent

Номер патента: US20120000361A1. Автор: Weatherman Greg,Cash Marcia. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND ASSOCIATED METHOD FOR PREVENTING OVERFILLING IN A DISHWASHER

Номер патента: US20120000535A1. Автор: Poyner Dennis A.,Mitchell Glen,Duckworth Jason,DeFilippi John,Francisco Virgil J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PROCESS FOR PRODUCING A SINGLE-CRYSTAL COMPONENT MADE OF A NICKEL-BASED SUPERALLOY

Номер патента: US20120000577A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for the beta annealing of a workpiece produced from a Ti alloy

Номер патента: US20120000581A1. Автор: Buscher Markus,Witulski Thomas. Владелец: OTTO FUCHS KG. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.