Semiconductor device and method of fabricating the same
Номер патента: US20200075749A1
Опубликовано: 05-03-2020
Автор(ы): Aryan Afzalian
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-03-2020
Автор(ы): Aryan Afzalian
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device including transistor and method for fabricating the same
Номер патента: US20220328687A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.