Galvanic isolation using isolation break between redistribution layer electrodes.

Galvanic isolation using isolation break between redistribution layer electrodes

Номер патента: US11791379B2
Опубликовано: 17-10-2023
Автор(ы): Bong Woong Mun, Jeoung Mo KOO, Juan Boon Tan, Wanbing YI
Принадлежит: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Galvanic isolation using isolation break between redistribution layer electrodes

Номер патента: US20230361173A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Galvanic isolation using isolation break between redistribution layer electrodes

Номер патента: US20230197776A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit (ic) die comprising galvanic isolation capacitor

Номер патента: US20230369198A1. Автор: Elizabeth Stewart,Jeffrey Alan West,Byron Williams,Pijush Kanti Ghosh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Structure for galvanic isolation using dielectric-filled trench in substrate below electrode

Номер патента: EP4404251A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Structure for galvanic isolation using dielectric-filled trench in substrate below electrode

Номер патента: US20240243058A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Through silicon via and redistribution layer

Номер патента: GB2587374A8. Автор: Weidner Thomas,Berthold Theresa. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2022-06-22.

Redistribution layer layouts on integrated circuits and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12068246B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yen-Liang Lin,Cheng-Yuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Through substrate via structure and manufacturing method thereof, redistribution layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087665B2. Автор: Hsiang-Hung Chang,Wei-Lan Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device including a redistribution layer and metallic pillars coupled thereto

Номер патента: US09553081B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Anatoly Feygenson,John D. Weld,Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Through silicon via and redistribution layer

Номер патента: GB2587374A. Автор: Weidner Thomas,Berthold Theresa. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2021-03-31.

Redistribution Layer Layouts on Integrated Circuits and Methods for Manufacturing the Same

Номер патента: US20220359370A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yen-Liang Lin,Cheng-Yuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Through silicon via and redistribution layer

Номер патента: US11795051B2. Автор: Thomas Weidner,Theresa Berthold. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2023-10-24.

Through Silicon Via and Redistribution Layer

Номер патента: US20210087053A1. Автор: Thomas Weidner,Theresa Berthold. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2021-03-25.

Redistribution layer metallic structure and method

Номер патента: US20230377968A1. Автор: Wei Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Chia-Sheng Lin,Wen-Tuo Huang,Harry-HakLay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with anti-fuse and metal-insulator-metal (mim) capacitor connected to redistribution layer (rdl) and method for forming the same

Номер патента: US20220173037A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Staggered via redistribution layer (RDL) for a package and a method for forming the same

Номер патента: US09793140B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hung-Jui Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Staggered via redistribution layer (RDL) for a package and a method for forming the same

Номер патента: US09431342B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hung-Jui Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Redistribution layer metallic structure and method

Номер патента: US12040293B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Wei Lin,Wen-hao Cheng,Chun-Chih Lin,Sheng-Wei YEH,Shih Wei Bih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Multi-die package structures including redistribution layers

Номер патента: US20240250067A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Kuo-Chung Yee,Tsung-Ding Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Staggered Via Redistribution Layer (RDL) for a Package and a Method for Forming the Same

Номер патента: US20150380350A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hung-Jui Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Methods of forming multi-die package structures including redistribution layers

Номер патента: US9768145B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Kuo-Chung Yee,Tsung-Ding Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) package employing a redistribution layer (rdl) interposer facilitating semiconductor die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: WO2023196114A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-10-12.

Three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) package employing a redistribution layer (rdl) interposer facilitating semiconductor die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: US20230317677A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Redistribution layer contacting first wafer through second wafer

Номер патента: US09754860B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin,Mark Drucker. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Redistribution Layer Contacting First Wafer through Second Wafer

Номер патента: US20140319698A1. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin,Mark Drucker. Владелец: Silanna Semiconductor USA Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Toroid inductor in redistribution layers (rdl) of an integrated device

Номер патента: WO2015112510A1. Автор: Shiqun Gu,Urmi Ray,Ryan David Lane. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-30.

Electronic device with integrated galvanic isolation, and manufacturing method of the same

Номер патента: US9935098B2. Автор: Elisabetta Pizzi,Vincenzo Palumbo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-03.

Electronic device with integrated galvanic isolation, and manufacturing method of the same

Номер патента: US09935098B2. Автор: Elisabetta Pizzi,Vincenzo Palumbo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-03.

Redistribution layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107036B2. Автор: Cheng-Chi Wang,Chuan-Ming Yeh,Kuo-Jung Fan,Heng-Shen Yeh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Redistribution layer and integrated circuit including redistribution layer

Номер патента: US12021046B2. Автор: Carmela Cupeta,Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo,Ivan Venegoni,Francesco Maria Pipia,Simone BOSSI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-25.

Redistribution layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220181242A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Chuan-Ming Yeh,Kuo-Jung Fan,Heng-Shen Yeh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device having redistribution layers formed on an active wafer and methods of making the same

Номер патента: US20230307374A1. Автор: Chia-Ching Lin,Chien-Chung Wang,Kuo-Chiang Ting,Tu-Hao Yu,Shun-Jang Laio. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor structure, redistribution layer (RDL) structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11798904B2. Автор: Wen Hao Hsu,Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Low resistance multi-layer electrode for phase change memory and methods of making the same

Номер патента: US11758831B2. Автор: Takashi Kobayashi,Takuya Futase. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer, integrated circuit and method for electrically testing the integrated circuit

Номер патента: US20220384371A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-01.

Systems and methods for fabrication of a redistribution layer to avoid etching of the layer

Номер патента: WO2019060636A1. Автор: Thomas A. Ponnuswamy,Bryan L. Buckalew,Joseph Richardson,Stephen J. II BANIK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer, integrated circuit

Номер патента: EP4095892A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-11-30.

Self-alignment for redistribution layer

Номер патента: US09786580B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hsin-Yu Chen,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Hong-Ye Shih,Chen-Yu Tsai,Jiung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method comprising redistribution layers

Номер патента: US09576919B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Wafer-level hybrid bonded rf switch with redistribution layer

Номер патента: EP4365940A1. Автор: Michael Carroll,Xi LUO,Daniel Charles Kerr,Eric K. Bolton,Ma Shirley Asoy,Chi- Hsien CHIU. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor package including a semiconductor chip having a redistribution layer

Номер патента: US20210366853A1. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Young Kim,Seung Hwan Kim,Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Wafer-level hybrid bonded rf switch with redistribution layer

Номер патента: US20240153893A1. Автор: Michael Carroll,Chi-Hsien Chiu,Xi LUO,Daniel Charles Kerr,Eric K. Bolton,Ma Shirley Asoy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

SINGLE LEAD-FRAME STACKED DIE GALVANIC ISOLATOR

Номер патента: US20180076154A1. Автор: Bernardinis Gabriele. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

Electronic device with redistribution layer and stiffeners and related methods

Номер патента: US09466550B2. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Sidewall spacer to reduce bond pad necking and/or redistribution layer necking

Номер патента: US11862592B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Sidewall spacer to reduce bond pad necking and/or redistribution layer necking

Номер патента: US20200135676A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Sidewall spacer to reduce bond pad necking and/or redistribution layer necking

Номер патента: US20220359443A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Backside redistribution layer patch antenna

Номер патента: EP2943997A1. Автор: Ruchir Saraswat,Nicholas P. Cowley,Uwe Zillmann. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-11-18.

Electronic device with redistribution layer and stiffeners and related methods

Номер патента: US09698105B2. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of making a semiconductor device having multiple die redistribution layer

Номер патента: US20080160674A1. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for packaging an integrated circuit (IC) package with embedded heat spreader in a redistribution layer (RDL)

Номер патента: US11929300B2. Автор: Deep C. Dumka,Christo Bojkov,Kevin J. Anderson,Tarak A. Railkar,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated circuit (ic) package with embedded heat spreader in a redistribution layer (rdl)

Номер патента: US20230207415A1. Автор: Deep C. Dumka,Christo Bojkov,Kevin J. Anderson,Tarak A. Railkar,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Dual redistribution layer structure

Номер патента: US20210028061A1. Автор: Mukta G. Farooq,James J. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Dual redistribution layer structure

Номер патента: US20220246472A1. Автор: Mukta G. Farooq,James J. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor package having a through intervia through the molding compound and fan-out redistribution layers disposed over the respective die of the stacked fan-out system-in-package

Номер патента: US12033976B2. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322316A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structrure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150333021A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,An-Chi KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09824987B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09418951B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Reui Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Localized redistribution layer structure for embedded component package and method

Номер патента: US09691743B2. Автор: Alan J. Magnus. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Localized redistribution layer structure for embedded component package and method

Номер патента: US20170084591A1. Автор: Alan J. Magnus. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Double-sided redistribution layer (rdl) substrate for passive and device integration

Номер патента: WO2023140924A2. Автор: Changhan Hobie Yun,Paragkumar Ajaybhai Thadesar,Daniel Daeik Kim,Nosun Park,Sameer Sunil VADHAVKAR. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-27.

Double-sided redistribution layer (rdl) substrate for passive and device integration

Номер патента: WO2023140924A3. Автор: Changhan Hobie Yun,Paragkumar Ajaybhai Thadesar,Daniel Daeik Kim,Nosun Park,Sameer Sunil VADHAVKAR. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-07.

Device packages including redistribution layers with carbon-based conductive elements, and methods of fabrication

Номер патента: US20230411299A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Package substrate including a redistribution pad extending from a redistribution layer and including segmenting grooves along a redial direction thereof and semiconductor package including the same

Номер патента: US11756908B2. Автор: Gookmi SONG,Sunguk LEE,Youngkyu LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Device packages including redistribution layers with carbon-based conductive elements, and methods of fabrication

Номер патента: US11749608B2. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Redistribution layers with carbon-based conductive elements, methods of fabrication and related semiconductor device packages and systems

Номер патента: US20200211967A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device having an insulating trench penetrating the semiconductor device and metallic tracks for galvanically isolated signal transmission and method for its production

Номер патента: DE102008012858B4. Автор: Martin Feldtkeller,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-04.

Redistribution layer features

Номер патента: US20230307366A1. Автор: Yen-Yu Chen,Wen-Chun Wang,Chih-Hsien Lin,Tzy-Kuang LEE,Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

High voltage galvanic isolation device

Номер патента: US20170263696A1. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

High voltage galvanic isolation device

Номер патента: US20190074350A1. Автор: Thomas D. Bonifield,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: US20220102292A1. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Galvanic Isolation Fuse and Method of Forming the Fuse

Номер патента: US20130037908A1. Автор: Peter J. Hopper,William French,Ann Gabrys,Martin Fallon. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Package structure with through via extending through redistribution layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068212B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Hua Chen,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit (ic) packages employing a capacitor-embedded, redistribution layer (rdl) substrate for interfacing an ic chip(s) to a package substrate, and related methods

Номер патента: WO2022226465A1. Автор: Ahmer Syed,Jonghae Kim,Jianwen Xu,Giridhar Nallapati,William Stone,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-10-27.

Brass-coated metals in flip-chip redistribution layers

Номер патента: US20220384375A1. Автор: Nazila Dadvand,Christopher Daniel Manack,Vivek Swaminathan Sridharan,Patrick Francis Thompson,Salvatore Frank PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Redistribution layer structure

Номер патента: US20220189862A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Wen-Hsiang Liao,Kuo-Jung Fan,Hung-Sheng CHOU,Heng-Shen Yeh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Integrated circuit (ic) packages employing a capacitor-embedded, redistribution layer (rdl) substrate for interfacing an ic chip(s) to a package substrate, and related methods

Номер патента: EP4327361A1. Автор: Ahmer Syed,Jonghae Kim,Jianwen Xu,Giridhar Nallapati,William Stone,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Shielded wafer level chip scale package with shield connected to ground via redistribution layers

Номер патента: US20230245985A1. Автор: Gregory Edward Babcock,Reza KASNAVI,William Gerard Vaillancourt,Sundeep Nand Nangalia. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor devices comprising electrical redistribution layer along with ground line and signal line and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US11798874B2. Автор: Christoph Wagner,Walter Hartner,Helmut Kollmann,Vincenzo Fiore,Tuncay Erdoel,Francesca Arcioni,Arif Roni,Emanuele Stavagna. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-24.

Single lead-frame stacked die galvanic isolator

Номер патента: US20180076154A1. Автор: Gabriele Bernardinis. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Single lead-frame stacked die galvanic isolator

Номер патента: US09978696B2. Автор: Gabriele Bernardinis. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Single die reinforced galvanic isolation device

Номер патента: WO2024073761A1. Автор: TOSHIYUKI Tamura,Yoshihiro Takei,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-04.

Single die reinforced galvanic isolation device

Номер патента: US20240113042A1. Автор: TOSHIYUKI Tamura,Yoshihiro Takei,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Hybrid micro-bump integration with redistribution layer

Номер патента: US11855028B2. Автор: Yi-Wen WU,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Hao-Chun Liu,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Hybrid micro-bump integration with redistribution layer

Номер патента: US20230369269A1. Автор: Yi-Wen WU,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Hao-Chun Liu,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Techniques for trench isolation using flowable dielectric materials

Номер патента: US09406547B2. Автор: Sang-Won Park,Jeanne L. Luce,Ritesh JHAVERI,Dennis G. Hanken. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Integrated circuit (ic) die comprising galvanic isolation capacitor

Номер патента: WO2023219929A1. Автор: Elizabeth Stewart,Jeffrey Alan West,Byron Williams,Pijush Kanti Ghosh. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-16.

Apparatus, semiconductor device, and redistribution layer structure thereof

Номер патента: US20240105648A1. Автор: Keizo Kawakita,Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Coupled loop and void structure integrated in a redistribution layer of a chip package

Номер патента: US20230335510A1. Автор: Hong Shi,Young Soo Lee,Po-Wei CHIU,Li-Sheng WENG,Tzu-No CHEN. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Redistribution layers, and related methods and devices

Номер патента: US20240105574A1. Автор: David K. Ovard,M. Ataul Karim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Embedded die redistribution layers for active device

Номер патента: US09443815B2. Автор: Kumar Nagarajan,Kai Liu,Satbir Madra. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Bump integration with redistribution layer

Номер патента: US12057423B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Hong-Seng Shue,Ting-Li Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Bump integration with redistribution layer

Номер патента: US20240363569A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Hong-Seng Shue,Ting-Li Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: US20220285330A1. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4064344A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-28.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4064344A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Method of manufacturing an integrated stacked package with a fan-out redistribution layer (RDL) and a same encapsulating process

Номер патента: US09917072B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Kuo-Chung Yee,Tin-Hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with thin redistribution layers

Номер патента: US09818708B2. Автор: Dong Hoon Lee,Do Hyung Kim,Seung Chul Han. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with thin redistribution layers

Номер патента: US09607919B2. Автор: Dong Hoon Lee,Do Hyung Kim,Seung Chul Han. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods of fabricating a semiconductor package structure including at least one redistribution layer

Номер патента: US09916999B2. Автор: Neng-Tai Shih,Shing-Yih Shih,Hsu Chiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Backside redistribution layer (RDL) structure

Номер патента: US09929108B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Backside redistribution layer (RDL) structure

Номер патента: US09553059B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor package having a variable redistribution layer thickness

Номер патента: US20170170111A1. Автор: Thomas Wagner,Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Klaus Jürgen REINGRUBER,Christian Georg Geissler. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Redistribution layer structure

Номер патента: US20220189863A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Wen-Hsiang Liao,Kuo-Jung Fan,Hung-Sheng CHOU,Heng-Shen Yeh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor package including redistributed layer and method for fabrication therefor

Номер патента: US20210013139A1. Автор: Dongho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Package structure, RDL structure comprising redistribution layer having ground plates and signal lines

Номер патента: US11670575B2. Автор: Chien-Hsun Chen,Jiun-Yi Wu,Shou-Yi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Multi-chip package structures formed with interconnect bridge devices and chip packages with discrete redistribution layers

Номер патента: US20210134724A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Steven Lorenz Wright,Kamal K. Sikka,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Redistribution layer structure with support features and methods

Номер патента: US20230395481A1. Автор: Shin-puu Jeng,Shuo-Mao Chen,Monsen Liu,Shang-Lun Tsai. Владелец: Rom Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Package structure, rdl structure comprising redistribution layer having ground plates and signal lines

Номер патента: US20230260882A1. Автор: Chien-Hsun Chen,Jiun-Yi Wu,Shou-Yi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Package structure, rdl structure comprising redistribution layer having ground plates and signal lines

Номер патента: US20210366815A1. Автор: Chien-Hsun Chen,Jiun-Yi Wu,Shou-Yi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Electronic devices with a redistribution layer and methods of manufacturing electronic devices with a redistribution layer

Номер патента: US20240194550A1. Автор: Seung Nam Son,Dong Hyun Khim,Jin Kun Yoo. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor die having a redistribution layer

Номер патента: US20100289147A1. Автор: Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang Chien,Chien-Ko Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor package having a variable redistribution layer thickness

Номер патента: EP3391410A1. Автор: Thomas Wagner,Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Klaus Jürgen REINGRUBER,Christian Georg Geissler. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Semiconductor package having a variable redistribution layer thickness

Номер патента: WO2017105589A1. Автор: Thomas Wagner,Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Klaus Jürgen REINGRUBER,Christian Georg Geissler. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor package having a variable redistribution layer thickness

Номер патента: US20190043800A1. Автор: Thomas Wagner,Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Klaus Jürgen REINGRUBER,Christian Georg Geissler. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

3D Embedded Redistribution Layers for IC Substrate Packaging

Номер патента: US20230402390A1. Автор: Jun Chung Hsu,Ryan Mesch. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Electronic devices with a redistribution layer and methods of manufacturing electronic devices with a redistribution layer

Номер патента: US11908761B2. Автор: Seung Nam Son,Dong Hyun Khim,Jin Kun Yoo. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Redistribution layers in a dielectric cavity to enable an embedded component

Номер патента: US20240170351A1. Автор: Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Suddhasattwa NAD,Jeremy D. Ecton,Brandon Christian Marin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit (ic) package employing on-package tunable inductor formed in redistribution layer (rdl) for impedance tuner circuit, and related methods

Номер патента: US20230387044A1. Автор: Saravana Maruthamuthu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Controlled impedance transmission lines in a redistribution layer

Номер патента: EP1444731B1. Автор: Siamak Fazelpour,Surasit Chungpaibonnpatana,Hassan S. Hashemi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2011-05-04.

Integrated circuit (ic) package employing on-package tunable inductor formed in redistribution layer (rdl) for impedance tuner circuit, and related methods

Номер патента: WO2023229843A1. Автор: Saravana Maruthamuthu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for forming a shallow trench isolation using HDP silicon oxynitride

Номер патента: US6258676B1. Автор: Kong Hean Lee,Peter Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Single-chip multi-domain galvanic isolation device and method

Номер патента: US09742391B2. Автор: Andrew Terry,Yashodhan Vijay Moghe. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Device structure with a redistribution layer and a buffer layer

Номер патента: US12080753B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao,Ying-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Electrical contact structure with a redistribution layer connected to a stud

Номер патента: US09640683B2. Автор: Tsang-Yu Liu,Yen-Shih Ho,Wei-Luen Suen,Po-Han Lee,Wei-Ming Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor in redistribution layer (RDL) of an integrated device

Номер патента: US09577025B2. Автор: Shiqun Gu,Shree Krishna Pandey,Ryan David Lane,Glenn David Raskin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Redistribution layers for microfeature workpieces, and associated systems and methods

Номер патента: US09418970B2. Автор: David Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Alternative integration for redistribution layer process

Номер патента: US11450631B2. Автор: Bryan L. Buckalew,Justin Oberst,Stephen J. Banik. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Alternative integration for redistribution layer process

Номер патента: US20210193514A1. Автор: Bryan L. Buckalew,Justin Oberst,Stephen J. Banik. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer, integrated circuit and methods for electrically testing and protecting the integrated circuit

Номер патента: EP4199055A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-21.

Silicon photonic interposer with two metal redistribution layers

Номер патента: GB2585979A. Автор: Luo Ying,Lee Michael,Raghunathan Vivek,Sawyer Brett,Paul Drake John. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Redistribution layers for microfeature workpieces, and associated systems and methods

Номер патента: US20160118367A1. Автор: David Pratt. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-04-28.

Integrated circuit package having a redistribution layer above a power management integrated circuit

Номер патента: US20220199595A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

A semiconductor package having exposed redistribution layer features and related methods of packaging and testing

Номер патента: WO2018187124A1. Автор: ManKit LAM. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor package having exposed redistribution layer features and related methods of packaging and testing

Номер патента: US11600523B2. Автор: ManKit LAM. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Electronic device with integrated galvanic isolation, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180190646A1. Автор: Elisabetta Pizzi,Vincenzo Palumbo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-05.

ELECTRONIC DEVICE WITH INTEGRATED GALVANIC ISOLATION, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20170278841A1. Автор: PALUMBO Vincenzo,Pizzi Elisabetta. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Redistribution layer and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240355672A1. Автор: Dian-Hau Chen,Liang-Wei WANG,Chih-Pin CHIU,Lee-Wen Hsu,Zhen De Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer and integrated circuit including the redistribution layer

Номер патента: US20200051935A1. Автор: Carmela Cupeta,Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo,Michele Molgg,Cosimo CIMINELLI,Ivan Venegoni,Francesco Maria Pipia,Simone BOSSI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-02-13.

Process and method for achieving high immunity to ultrafast high voltage transients across inorganic galvanic isolation barriers

Номер патента: US20200312794A1. Автор: Mitsuhiro Sugimoto,Yoshihiro Takei,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Process and method for achieving high immunity to ultrafast high voltage transients across inorganic galvanic isolation barriers

Номер патента: WO2020205752A1. Автор: Mitsuhiro Sugimoto,Yoshihiro Takei,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-10-08.

Process and method for achieving high immunity to ultrafast high voltage transients across inorganic galvanic isolation barriers

Номер патента: EP3948950A1. Автор: Mitsuhiro Sugimoto,Yoshihiro Takei,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Standalone high voltage galvanic isolation capacitors

Номер патента: US11784212B2. Автор: Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD,Elizabeth Costner Stewart. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Standalone high voltage galvanic isolation capacitors

Номер патента: WO2022047350A1. Автор: Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD,Elizabeth Costner Stewart. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-03.

Standalone high voltage galvanic isolation capacitors

Номер патента: US20220069066A1. Автор: Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD,Elizabeth Costner Stewart. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Standalone high voltage galvanic isolation capacitors

Номер патента: US20230420489A1. Автор: Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD,Elizabeth Costner Stewart. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Signal routing on redistribution layer

Номер патента: US20070042591A1. Автор: Klaus Hummler. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-02-22.

Method for manufacturing redistribution layer

Номер патента: US09997479B1. Автор: Szu-Hsien LU,Chiang-Ming Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Routing for power signals including a redistribution layer

Номер патента: US20200312380A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayori Hamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Wafer-level chip-scale package with redistribution layer

Номер патента: US09953954B2. Автор: Yan-Liang Ji,Ming-Jen HSIUNG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Chip scale package with redistribution layer interrupts

Номер патента: EP4088310A1. Автор: Enis Tuncer,Christopher Daniel Manack,Vivek Swaminathan Sridharan,Patrick Francis Thompson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

Redistribution layer and under bump material structure for converting periphery conductive pads to an array of solder bumps

Номер патента: US6011314A. Автор: Jacques Leibovitz,Maria L. Cobarruviaz,Kenneth D. Scholz,Park-Kee Yu,Ya Yun Zhu,Susan J. Swindlehurst,Cheng-Cheng Chang. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-01-04.

Method for forming a redistribution layer in a wafer structure

Номер патента: US20060057772A1. Автор: Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Redistribution layer of wafer and the fabricating method thereof

Номер патента: US7151012B2. Автор: Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-12-19.

Image sensor package including glass substrate and a plurality of redistribution layers disposed below the glass substrate and spaced apart from each other by a predetermined distance

Номер патента: US11955499B2. Автор: Dongkyu Kim,Minjung Kim,Jaegwon JANG,Hyeonjeong Hwang,Kyounglim SUK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Chip scale package with redistribution layer interrupts

Номер патента: WO2021141798A1. Автор: Enis Tuncer,Christopher Daniel Manack,Vivek Swaminathan Sridharan,Patrick Francis Thompson. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor devices including redistribution layers

Номер патента: WO2020205075A1. Автор: Hirokazu Ato,Koji Yasumori. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor devices including redistribution layers

Номер патента: US20200321278A1. Автор: Hirokazu Ato,Koji Yasumori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device having multiple die redistribution layer

Номер патента: US20080157355A1. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Electronic component package having electronic component within a frame on a redistribution layer

Номер патента: US10068824B2. Автор: Sang Kyu Lee,Kyung In Kang,Kyu Bum Han,Chang Moo Jung,Thomas A KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Interposer and semiconductor package each having conductive terminals on redistribution layer with different pitch

Номер патента: US11862551B2. Автор: Chun-Hong Chen,Jia-Liang Chen,Yu-Ju Chang. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Redistribution layer (rdl) with variable offset bumps

Номер патента: US20140021600A1. Автор: Brian M. ERWIN,Jeffrey P. Gambino,Timothy H. Daubenspeck,Wolfgang Sauter,George J. SCOTT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Routing for power signals including a redistribution layer

Номер патента: US20200321034A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayori Hamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Integrated redistribution layer inductors

Номер патента: US20240321729A1. Автор: Abhijeet Paul,Yufei Wu,Ravi Pramod Kumar Vedula. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package having redistribution layer

Номер патента: US20200006242A1. Автор: II Hwan Kim,Young Kun JEE,Un Byoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor package having redistribution layer

Номер патента: US20210020578A1. Автор: Il Hwan Kim,Young Kun JEE,Un Byoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor Structure with Galvanic Isolation

Номер патента: US20130037909A1. Автор: Peter J. Hopper,William French,Ann Gabrys. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor device having solder-free die connection to redistribution layer

Номер патента: US20230093186A1. Автор: Rahul N. Manepalli,Sairam Agraharam,Xiaoxuan SUN,Tarek A. Ibrahim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device having fan-in and fan-out redistribution layers

Номер патента: US09396998B2. Автор: Hirokazu Ezawa,Kazushige Kawasaki,Yoichiro Kurita,Satoshi Tsukiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Through-substrate via and redistribution layer with metal paste

Номер патента: US20110210452A1. Автор: Freddy Roozeboom,Maria Mathea Antonetta Burghoorn,Eric Cornelis Egbertus Van Grunsven,Franciscus Hubertus Marie Sanders. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-09-01.

INTEGRATED DEVICE COMPRISING HIGH DENSITY INTERCONNECTS IN INORGANIC LAYERS AND REDISTRIBUTION LAYERS IN ORGANIC LAYERS

Номер патента: US20150318262A1. Автор: KIM Dong Wook,Gu Shiqun,Radojcic Ratibor,LEE Jae Sik. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDISTRIBUTION LAYERS ON PARTIAL ENCAPSULATION AND NON-PHOTOSENSITIVE PASSIVATION LAYERS

Номер патента: US20150021764A1. Автор: Kim Jinyoung,Lee Seungjae,Paek JongSik,Kim YoonJoo,Kim JinHan,Cha SeWoong,Kim SungKyu,Bae JaeHun,Kim DongJin,Park DooHyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame

Номер патента: EP3637464A1. Автор: David Michael Hugh Matthews,Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame

Номер патента: US20180226893A1. Автор: David Michael Hugh Matthews,Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame

Номер патента: EP3961700A1. Автор: David Michael Hugh Matthews,Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame

Номер патента: US20230387808A1. Автор: David Michael Hugh Matthews,Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame

Номер патента: US20210006167A1. Автор: David Michael Hugh Matthews,Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Wafer level packages and methods for producing wafer level packages having delamination-resistant redistribution layers

Номер патента: US09502363B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Jason R. Wright,Zhiwei Gong,Alan J. Magnus,Douglas G. Mitchell,Weng F. Yap,Trung Q. Duong,Eduard J. Pabst. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967573B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240274558A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Package having redistribution layer structure with protective layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355756A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chun-Hui Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US09818685B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Redistribution layer lines

Номер патента: US09741651B1. Автор: Christian Geissler,Klaus Reingruber,Sven Albers. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Radio frequency and electromagnetic interference shielding in wafer level packaging using redistribution layers

Номер патента: US09589909B1. Автор: Weng F. Yap,Eduard J. Pabst. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Package redistribution layer structure and method of forming same

Номер патента: US09548283B2. Автор: Yi-Wen WU,Hung-Jui Kuo,Tsung-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US20190229050A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US20200365504A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US9287229B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Dongjin Kim,Jinyoung Kim,Jinhan Kim,SungKyu Kim,Yoonjoo Kim,JongSik Paek,SeWoong Cha,JaeHun Bae,DooHyun Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Capacitor and filter and redistribution layer structure including the same

Номер патента: US11776920B2. Автор: Tai-Jui Wang,Tzu-Yang Ting,Chieh-Wei Feng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-10-03.

Capacitor and filter and redistribution layer structure including the same

Номер патента: US20220173055A1. Автор: Tai-Jui Wang,Tzu-Yang Ting,Chieh-Wei Feng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-06-02.

Package having redistribution layer structure with protective layer and method of fabricating the same

Номер патента: US12014993B2. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chun-Hui Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semicondutor package substrate with die cavity and redistribution layer

Номер патента: US11854922B2. Автор: Joseph Liu,Christopher Daniel Manack,Vivek Swaminathan Sridharan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Component carrier with connected component having redistribution layer at main surface

Номер патента: EP4227991A3. Автор: Jeesoo Mok,Artan Baftiri. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2023-10-18.

Double-sided redistribution layer (rdl) substrate with double-sided pillars for device integration

Номер патента: US20240297165A1. Автор: Youngju Park,Changhan Hobie Yun,Paragkumar Ajaybhai Thadesar,Sameer Sunil VADHAVKAR,DooSoub SHIN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Double-sided redistribution layer (rdl) substrate with double-sided pillars for device integration

Номер патента: WO2024182062A2. Автор: Youngju Park,Changhan Hobie Yun,Paragkumar Ajaybhai Thadesar,Sameer Sunil VADHAVKAR,DooSoub SHIN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-06.

Semiconductor device assemblies and systems with one or more dies at least partially embedded in a redistribution layer (RDL) and methods for making the same

Номер патента: US12125816B2. Автор: Jong Sik Paek,Po Chih Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure comprising moisture barrier and conductive redistribution layer

Номер патента: US20130134560A1. Автор: James Wholey,Marshall Maple,Ray Myron Parkhurst. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for redistribution layer (RDL) repair by mitigating at least one defect with a custom RDL

Номер патента: US11887862B2. Автор: Craig Bishop,Timothy L. Olson,David Ryan Bartling. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US11887920B2. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for redistribution layer (rdl) repair by mitigating at least one defect with a custom rdl

Номер патента: US20240170300A1. Автор: Craig Bishop,Timothy L. Olson,David Ryan Bartling. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US20200066625A1. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Redistribution layers including reinforcement structures and related semiconductor device packages, systems and methods

Номер патента: US20210074623A1. Автор: Chan H. Yoo,Hyunsuk CHUN,Tracy N. TENNANT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

SINGLE-CHIP MULTI-DOMAIN GALVANIC ISOLATION DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20150070073A1. Автор: Terry Andrew,Moghe Vijay Yashodhan. Владелец: THE SILANNA GROUP PTY LTD. Дата публикации: 2015-03-12.

Wire bonds for galvanic isolation device

Номер патента: US20240113155A1. Автор: Hung-Yu Chou,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Galvanic isolation device

Номер патента: US20240113094A1. Автор: Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD,Elizabeth Costner Stewart,Sreeram N. S.,Kashyap BAROT. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Galvanic Isolation Device

Номер патента: US20180269272A1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Robert Alan Neidorff,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device with galvanically isolated semiconductor chips

Номер патента: US20220384319A1. Автор: Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device with galvanically isolated semiconductor chips

Номер патента: US11837531B2. Автор: Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device package with reinforced redistribution layer

Номер патента: US09859233B1. Автор: Wen-Jeng Fan. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Redistribution layer structure, semiconductor substrate structure, semiconductor package structure, chip structure, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09955590B2. Автор: Chao-Fu Weng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Redistribution layer having a sideview non-planar profile

Номер патента: EP4280266A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Tsung Nan Lo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-22.

Redistribution layer structure, semiconductor substrate structure, semiconductor package structure, chip structure, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170117240A1. Автор: Chao-Fu Weng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Redistribution layer having a sideview zig-zag profile

Номер патента: US20230378107A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Tsung Nan Lo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method comprising thickened redistribution layers

Номер патента: WO2015138359A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-09-17.

Lead frame having redistribution layer

Номер патента: US20190080991A1. Автор: Michael Vincent,Ryan Hooper,Dwight DANIELS. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Redistribution layer structure for high-density semiconductor package assembly

Номер патента: WO2023179496A1. Автор: I-Hsuan Peng,Yi-Jou Lin,Wei-Chen Chang,Laurene Yip,Tsai-Ming Lai. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method comprising redistribution layers

Номер патента: US09754835B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated device comprising high density interconnects in inorganic layers and redistribution layers in organic layers

Номер патента: US09418877B2. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Ratibor Radojcic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method comprising redistribution layers

Номер патента: US20170372964A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Package structure having a plurality of chips attached to a lead frame by redistribution layer

Номер патента: US11854949B2. Автор: Yaojian Lin,Shuo Liu,Chenye He,Danfeng Yang. Владелец: JCET Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated device comprising high density interconnects in inorganic layers and redistribution layers in organic layers

Номер патента: TW201545303A. Автор: 金東旭,顧世群,拉朵克拉提柏,李載植. Владелец: 高通公司. Дата публикации: 2015-12-01.

Devices, systems, and methods for serial communication over a galvanically isolated channel

Номер патента: US20220407747A1. Автор: Syed Enam Rehman. Владелец: Nunami Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Devices, systems, and methods for serial communication over a galvanically isolated channel

Номер патента: EP4356425A1. Автор: Syed Enam Rehman. Владелец: Nunami Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Redistribution layer (RDL) layouts for integrated circuits

Номер патента: US11791299B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yen-Liang Lin,Cheng-Yuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Redistribution layer (rdl) layouts for integrated circuits

Номер патента: US20190164924A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yen-Liang Lin,Cheng-Yuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Redistribution Layer (RDL) Layouts for Integrated Circuits

Номер патента: US20230378116A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yen-Liang Lin,Cheng-Yuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Redistribution layer (RDL) layouts for integrated circuits

Номер патента: US12021054B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yen-Liang Lin,Cheng-Yuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Under-Bump-Metallization Structure and Redistribution Layer Design for Integrated Fan-Out Package with Integrated Passive Device

Номер патента: US20210074694A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chuei-Tang Wang,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO,Ban-Li Wu,Ying-Cheng Tseng,Chi-Hui Lai,Chiahung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Chip structure having redistribution layer and fabrication method thereof

Номер патента: US8097491B1. Автор: Hung-Yuan Hsu,Sui-An Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-17.

Semiconductor device redistribution layer with narrow trace width relative to passivation layer opening

Номер патента: US09716071B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structures for galvanic isolation

Номер патента: US11764273B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor structures for galvanic isolation

Номер патента: US20230387223A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Electronic device with galvanic isolation and integration methods

Номер патента: US20230335580A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Juan Boon Tan,Szu Huat GOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of providing galvanic isolation

Номер патента: WO2011139397A2. Автор: Peter J. Hopper,William French. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of providing galvanic isolation

Номер патента: WO2011139397A3. Автор: Peter J. Hopper,William French. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-12-29.

HIGH VOLTAGE GALVANIC ISOLATION DEVICE

Номер патента: US20190074350A1. Автор: Williams Byron Lovell,Bonifield Thomas D.,WEST Jeffrey Alan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

High voltage galvanic isolation device

Semiconductor arrangement for galvanically isolated signal transmission and method for producing such an arrangement

Номер патента: CN103117267A. Автор: 乌韦·瓦尔. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-05-22.

Capacitor having multi-layered electrodes

Номер патента: US20130168811A1. Автор: Ron-Fu Chu,Chung-Lin Huang,Tzung-Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Manufacturing method of redistribution layer

Номер патента: US20180366344A1. Автор: Chung-Hao Tsai,Mei-Chen Lee,Kun-Yung Huang,Chih-Fu Lung,Shih-Chi Li,Chi-Liang Wang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor package structure comprising via structure and redistribution layer structure and method for forming the same

Номер патента: US11817413B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Hsu-Lun Liu,Neng-Chieh CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method of redistribution layer formation for advanced packaging applications

Номер патента: WO2018236585A1. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yu Gu,Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Roman Gouk. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-12-27.

RF devices including an RF chip having an electrical redistribution layer with RF antennas formed therein and methods of manufacture

Номер патента: US11764453B2. Автор: Walter Hartner,Bernhard Rieder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Electronic component with electronic chip between redistribution structure and mounting structure

Номер патента: US20150145111A1. Автор: Otremba Ralf,Mengel Manfred,Fuergut Edward,HOEGERL Juergen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-05-28.

Integrated device comprising stacked dies on redistribution layers

Номер патента: CA2937552C. Автор: Shiqun Gu,Urmi Ray. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor Device and Method of Forming an Embedded Redistribution Layer

Номер патента: US20230317663A1. Автор: JungHwan Jang,Giwoong Nam,Myongsuk Kang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device encapsulated by molding material attached to redistribution layer

Номер патента: US11887952B2. Автор: Shin-puu Jeng,Feng-Cheng Hsu,Shuo-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of forming brass-coated metals in flip-chip redistribution layers

Номер патента: US11984418B2. Автор: Nazila Dadvand,Christopher Daniel Manack,Vivek Swaminathan Sridharan,Patrick Francis Thompson,Salvatore Frank PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Electronic component package with integrated component and redistribution layer stack

Номер патента: US20230275044A1. Автор: Karl Lundahl. Владелец: Smoltek AB. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for forming single diffusion breaks between finFET devices and the resulting devices

Номер патента: US09406676B2. Автор: Hong Yu,Zhenyu Hu,Hongliang Shen,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Dual galvanic isolation barriers and monitoring systems and methods

Номер патента: US09829531B2. Автор: Roberto Alini,Baris Posat,Larry Barnes,Gene SVOBODA. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Systems and methods for galvanic isolation for inverter for electric vehicle

Номер патента: US20240103045A1. Автор: Seyed R. Zarabadi,Srikanth Vijaykumar. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Galvanically isolated DC-DC converter with bidirectional data transmission

Номер патента: US9948193B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Nunzio Spina,Egidio Ragonese,Alessandro Parisi,Pierpaolo Lombardo,Nunzio Greco. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-17.

Galvanic isolation system, apparatus and method

Номер патента: US09978511B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Nunzio Spina,Egidio Ragonese,Nunzio Greco. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Replication of a drive signal across a galvanic isolation barrier

Номер патента: US09673809B1. Автор: Ibrahim S. Kandah,Kim R. Gauen,David D. Putti,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Dual Galvanic Isolation Barriers and Monitoring Systems and Methods

Номер патента: US20170115336A1. Автор: Roberto Alini,Baris Posat,Larry Barnes,Gene SVOBODA. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Low loss galvanic isolation circuitry

Номер патента: EP3602805A1. Автор: Baher Haroun,Swaminathan Sankaran,Bradley Allen Kramer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Systems and methods for three channel galvanic isolator for inverter for electric vehicle

Номер патента: WO2024069401A1. Автор: Mark Wendell Gose. Владелец: Delphi Technologies IP Limited. Дата публикации: 2024-04-04.

Systems and methods for three channel galvanic isolator for inverter for electric vehicle

Номер патента: US20240100968A1. Автор: Mark Wendell Gose. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Capacitively coupled resonators for high frequency galvanic isolators

Номер патента: US20230247767A1. Автор: Baoxing Chen,Paul Lambkin,Jinglin Xu,Ramji Lakshmanan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-08-03.

Galvanic isolators and coil transducers

Номер патента: US8436709B2. Автор: Julie E. Fouquet,Gary R. Trott,Richard Baumgartner,Gek Yong Ng. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Galvanic isolation device and method

Номер патента: US8749223B2. Автор: Maarten Jacobus Swanenberg,Dusan Golubovic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-06-10.

Lateral transmission of signals across a galvanic isolation barrier

Номер патента: US20180172783A1. Автор: Wolfgang Raberg,Hermann Gruber,Sergio Morini,Holger Wille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Filter and capacitor using redistribution layer and micro bump layer

Номер патента: US09449945B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Jhe-Ching Lu,Min-Chie Jeng,yu-ling Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Redistribution layer (rdl) structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200251434A1. Автор: Chun-Hung Lin,Hsin-Hung Chou,Yen-Jui Chu,Jin-Neng Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Electronic device packaging with galvanic isolation

Номер патента: EP3447797B1. Автор: Chung-Lin Wu,Maria Cristina Estacio,Maria Clemens Ypil QUINONES,Marlon Bartolo. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-03.

ELECTRONIC DEVICE PACKAGING WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20210193561A1. Автор: Wu Chung-Lin,ESTACIO Maria Cristina,QUINONES Maria Clemens Ypil,Bartolo Marlon. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Packaged electronic system formed by electrically connected and galvanically isolated dice

Номер патента: EP4036968B1. Автор: Dario Paci,Alex Gritti,Fabrizio CERINI,Silvia Adorno,Marco Del Sarto. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-01.

Inorganic redistribution layer on organic substrate in integrated circuit packages

Номер патента: NL2031578B1. Автор: Ganesan Sanka,Francois Brun Xavier,A Sawyer Holly,A Gosselin Timothy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for forming chip package having chip connected to sensing device with redistribution layer in insulator layer

Номер патента: US09935148B2. Автор: Chien-Hung Liu,Ying-Nan Wen,Ho-Yin Yiu,Wei-Chung Yang. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Chip package with redistribution layers

Номер патента: US20210098427A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Structure and formation method of chip package with redistribution layers

Номер патента: US20180350774A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Chip package with redistribution layers

Номер патента: US20200058620A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Chip package having chip connected to sensing device with redistribution layer in insulator layer

Номер патента: US20180175092A1. Автор: Chien-Hung Liu,Ying-Nan Wen,Ho-Yin Yiu,Wei-Chung Yang. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Redistribution layer connection

Номер патента: US11784151B2. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Marcus Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Redistribution layer connection

Номер патента: EP4186090A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Marcus Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

Redistribution layer connection

Номер патента: WO2022020047A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Marcus Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-27.

Pre-bumped redistribution layer structure and semiconductor package incorporating such pre-bumped redistribution layer structure

Номер патента: US20180053665A1. Автор: Che-Hung KUO,Che-Ya Chou,Nan-Cheng Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

MULTI-LAYER REDISTRIBUTION LAYER FOR WAFER-LEVEL PACKAGING

Номер патента: US20180182726A1. Автор: Wagner Thomas. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2018-06-28.

FAN-OUT PACKAGE WITH MULTI-LAYER REDISTRIBUTION LAYER STRUCTURE

Номер патента: US20190333851A1. Автор: Agarwal Rahul,Bhagavat Milind S.,Shah Priyal. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Packaging process using semiconductor interconnect bridge and redistribution layer

Номер патента: WO2024049553A1. Автор: Rahul Agarwal,Jon Thomas Woodyard. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Overvoltage protection device, and a galvanic isolator in combination with an overvoltage protection device

Номер патента: US09698594B2. Автор: Edward John Coyne. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-07-04.

Silicon photonic interposer with two metal redistribution layers

Номер патента: WO2020245416A1. Автор: Michael Lee,Ying Luo,John Paul Drake,Vivek Raghunathan,Brett Sawyer. Владелец: Rockley Photonics Limited. Дата публикации: 2020-12-10.

Silicon photonic interposer with two metal redistribution layers

Номер патента: US11923327B2. Автор: Michael Lee,Ying Luo,John Paul Drake,Vivek Raghunathan,Brett Sawyer. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Capacitor/antifuse structure having a barrier-layer electrode and improved barrier layer

Номер патента: US20030036223A1. Автор: Michael Nuttall,Randhir Thakur,Garry Mercaldi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Shaped metal edge for galvanic isolator

Номер патента: EP4235774A1. Автор: Jan KUBIK,Yi Yuan,Matthew Thomas Canty,Baoxing Chen,Sombel DIAHAM,Paul Martin Lambkin,John G. Shanahan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-08-30.

Integrated circuit providing galvanic isolation and device including the same

Номер патента: EP4372814A1. Автор: Jong Tae Hwang. Владелец: Wellang Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device with decreased overlapping area between redistribution lines and signal lines

Номер патента: US09666240B2. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

STANDALONE HIGH VOLTAGE GALVANIC ISOLATION CAPACITORS

Номер патента: US20220069066A1. Автор: Williams Byron Lovell,BONIFIELD Thomas Dyer,STEWART ELIZABETH COSTNER,WEST Jeffrey Alan. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure with galvanically-isolated signal and power paths

Номер патента: US8378776B1. Автор: Peter Johnson,Dok Won Lee,Peter J. Hopper,William French,Ann Gabrys. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

System and method of galvanic isolation in digital signal transfer integrated circuits utilizing conductivity modulation of semiconductor substrate

Номер патента: US8390093B1. Автор: Peter Smeys,Andrei Papou,Peter J. Hopper,William French,Aditi Dutt Chaudhuri. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Integrated circuit providing galvanic isolation and device including the same

Номер патента: US20240170476A1. Автор: Jong Tae Hwang. Владелец: Wellang Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Process and method for achieving high immunity to ultrafast high voltage transients across inorganic galvanic isolation barriers

Номер патента: EP3948950A4. Автор: Mitsuhiro Sugimoto,Yoshihiro Takei,Jeffrey Alan West,Thomas Dyer BONIFIELD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Efficient redistribution layer topology for high-power semiconductor packages

Номер патента: US20240363462A1. Автор: Qiao CHEN,Hung-Yun Lin,Vivek Swaminathan Sridharan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips and a redistribution layer

Номер патента: US09496216B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-Ho An,Kyung-Man Kim,Seok-Chan Lee,Sung-Hoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Apparatus and methods for bonding pad redistribution layers in integrated circuits

Номер патента: US20240096826A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuji TOTOKI,Guangyuan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Package comprising a die and die side redistribution layers (rdl)

Номер патента: EP4038660A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Yuzhe ZHANG,Brigham NAVAJA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-10.

Semiconductor Package Including Stacked Semiconductor Chips and a Redistribution Layer

Номер патента: US20130161788A1. Автор: Hye-jin Kim,Sang-Ho An,Kyung-Man Kim,Seok-Chan Lee,Sung-Hoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-27.

Integrated device comprising high density interconnects and redistribution layers

Номер патента: EP3114707A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-11.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING REDISTRIBUTED LAYER STRUCTURES AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING REDISTRIBUTED LAYER STRUCTURES

Номер патента: US20200118918A1. Автор: KIM Sang Jae,PARK Shin Young,BANG Ki Jun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-04-16.

PACKAGE HAVING REDISTRIBUTION LAYER STRUCTURE WITH PROTECTIVE LAYER

Номер патента: US20220302038A1. Автор: Yu Chen-Hua,Yee Kuo-Chung,Yu Chun-Hui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-09-22.

PACKAGE HAVING REDISTRIBUTION LAYER STRUCTURE WITH PROTECTIVE LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210296252A1. Автор: Yu Chen-Hua,Yee Kuo-Chung,Yu Chun-Hui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2021-09-23.

Antenna formation by integrated metal layer or redistribution layer

Номер патента: KR102252836B1. Автор: 오웬 알. 페이. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device having a redistribution layer

Номер патента: US11935856B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Package comprising a die and die side redistribution layers (rdl)

Номер патента: WO2021066982A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Yuzhe ZHANG,Brigham NAVAJA. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-08.

MCU with integrated voltage isolator to provide a galvanic isolation between input and output

Номер патента: US7737871B2. Автор: Donald E. Alfano,Ka Y. Leung,David P. Bresemann. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2010-06-15.

Electronic component with electronic chip between redistribution structure and mounting structure

Номер патента: US09385111B2. Автор: Ralf Otremba,Edward Fürgut,Manfred Mengel,Jürgen Högerl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor Arrangement for Galvanically Isolated Signal Transmission and Method for Producing Such an Arrangement

Номер патента: US20130087921A1. Автор: Wahl Uwe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-04-11.

MAGNETICALLY COUPLED GALVANICALLY ISOLATED COMMUNICATION USING LEAD FRAME

Номер патента: US20210006167A1. Автор: Balakrishnan Balu,Matthews David Michael Hugh. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2021-01-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE HAVING GALVANIC ISOLATION AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220102292A1. Автор: Brauchler Fred T.,Carpenter Burton Jesse. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame

Номер патента: US20150221583A1. Автор: David Michael Hugh Matthews,Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame

Номер патента: US20160233774A1. Автор: David Michael Hugh Matthews,Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

FIELD DEVICE IN MEASUREMENT AND AUTOMATION TECHNOLOGY COMPRISING A GALVANIC ISOLATION DEVICE

Номер патента: US20200244278A1. Автор: Kollmer Daniel,TANNER Lukas,TANNER Werner,PAETZOLD Marita,BOSSE Lüder. Владелец: Endress+Hauser Flowtec AG. Дата публикации: 2020-07-30.

MAGNETICALLY COUPLED GALVANICALLY ISOLATED COMMUNICATION USING LEAD FRAME

Номер патента: US20190288604A1. Автор: Balakrishnan Balu,Matthews David Michael Hugh. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2019-09-19.

Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame

Номер патента: EP3637464B1. Автор: David Michael Hugh Matthews,Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Magnetically coupled galvanically isolated communication using lead frame

Номер патента: EP2733739B1. Автор: David Michael Hugh Matthews,Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Switch mode power converters using magnetically coupled galvanically isolated lead frame communication

Номер патента: EP2733740B1. Автор: David Michael Hugh Matthews,Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2020-06-24.

Package substrate comprising capacitor, redistribution layer and discrete coaxial connection

Номер патента: US09659850B2. Автор: Dong Wook Kim,Hong Bok We,Young Kyu Song,Kyu-Pyung Hwang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor package with through vias and stacked redistribution layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US11894341B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Hsin-Yu Pan,Hao-Cheng Hou,Jung-Wei CHENG,Yen-Fu Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device including redistribution layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20210202415A1. Автор: Seung Hwan Kim,Shin Young PARK,Hyeong Seok Choi,Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Package having redistribution layer structure with protective layer

Номер патента: US12057406B2. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chun-Hui Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDISTRIBUTION LAYERS ON PARTIAL ENCAPSULATION AND NON-PHOTOSENSITIVE PASSIVATION LAYERS

Номер патента: US20180138117A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,Kim Jin Young,Lee Seungjae,Kim YoonJoo,Kim SungKyu,Park Doo Hyun,Paek Jong Sik,Cha Se Woong,Bae Jae Hun. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDISTRIBUTION LAYERS ON PARTIAL ENCAPSULATION AND NON-PHOTOSENSITIVE PASSIVATION LAYERS

Номер патента: US20190229050A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,Kim Jin Young,Lee Seungjae,Kim YoonJoo,Kim SungKyu,Park Doo Hyun,Paek Jong Sik,Cha Se Woong,Bae Jae Hun. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDISTRIBUTION LAYERS ON PARTIAL ENCAPSULATION AND NON-PHOTOSENSITIVE PASSIVATION LAYERS

Номер патента: US20200365504A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,Kim Jin Young,Lee Seungjae,Kim YoonJoo,Kim SungKyu,Park Doo Hyun,Paek Jong Sik,Cha Se Woong,Bae Jae Hun. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Filter and Capacitor Using Redistribution Layer and Micro Bump Layer

Номер патента: US20140252548A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Kuo Chin-Wei,Jeng Min-Chie,LU Jhe-Ching,Yu Yu-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

INTERLEAVED MULTI-LAYER REDISTRIBUTION LAYER PROVIDING A FLY-BY TOPOLOGY WITH MULTIPLE WIDTH CONDUCTORS

Номер патента: US20200279830A1. Автор: AYERS Seann,REEVES Leonard. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Field suppression feature for galvanic isolation device

Номер патента: US20240112852A1. Автор: Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Sreeram N. S.,Kashyap BAROT,Viresh CHINCHANSURE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Galvanic isolation mechanism for a planar circuit

Номер патента: US20090224859A1. Автор: Gabriel Serban. Владелец: Siemens Milltronics Process Instruments Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Medical apparatus with galvanic isolator

Номер патента: US20230181036A1. Автор: Robert SEND,Bernd NEUROHR. Владелец: RICHARD WOLF GMBH. Дата публикации: 2023-06-15.

Medical apparatus with galvanic isolator

Номер патента: US12114957B2. Автор: Robert SEND,Bernd NEUROHR. Владелец: RICHARD WOLF GMBH. Дата публикации: 2024-10-15.

Pack detection with galvanic isolator for portable power pack charging platform

Номер патента: US20240072554A1. Автор: Benjamin C. TESCH,David Brochtrup. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Galvanic isolation interface for high-speed data link for spacecraft electronics, and method of using same

Номер патента: US09385891B2. Автор: Garry H. Boggan. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Galvanic isolation mechanism for a planar circuit

Номер патента: US20070069833A1. Автор: Gabriel Serban. Владелец: Siemens Milltronics Process Instruments Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Magnetic component for galvanically isolated lcl-t resonant converter

Номер патента: EP4376030A1. Автор: Peter Mantovanelli BARBOSA,Satyaki MUKHERJEE. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Galvanically isolated, directional coupler

Номер патента: US09413053B2. Автор: Thomas Blödt. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2016-08-09.

An electrical circuit comprising a galvanic isolation between a high voltage, hv, circuit part and a low voltage, lv, circuit part and having an increased creepage distance

Номер патента: EP4331100A1. Автор: Bernd Ackermann. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-03-06.

An electrical circuit comprising a galvanic isolation between a high voltage, hv, circuit part and a low voltage, lv, circuit part and having an increased creepage distance

Номер патента: WO2022228940A1. Автор: Bernd Ackermann. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2022-11-03.

Galvanic isolation interface for high-speed data link for spacecraft electronics, and method of using same

Номер патента: US20160013953A1. Автор: Garry H. Boggan. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

An electrical circuit comprising a galvanic isolation between a High Voltage, HV, circuit part and a Low Voltage, LV, circuit part and having an increased creepage distance

Номер патента: US20240206037A1. Автор: Bernd Ackermann. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Solid-state circuit breaker with galvanic isolation

Номер патента: EP3984107A1. Автор: Ryan Kennedy,Denis Kouroussis,Frederick Miller,Taylor SANTORE. Владелец: Atom Power Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Method and apparatus for achieving galvanic isolation in package having integral isolation medium

Номер патента: US20130043970A1. Автор: Peter Johnson,Ashok S. Prabhu,Anindya Poddar,Vijaylaxmi KHANOLKAR. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Hybrid circuit breaker system with integrated galvanic isolating switch

Номер патента: US20240047151A1. Автор: Randall S. Langer,Kyle B. ADKINS,David Elmiger,Aiman Kerim. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Hybrid circuit breaker system with integrated galvanic isolating switch

Номер патента: EP4318521A1. Автор: Randall S. Langer,Kyle B. ADKINS,David Elmiger,Aiman Kerim. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Systems and methods for sending a power signal to a power switching device with galvanic isolation

Номер патента: US20180286612A1. Автор: Joseph V. Mantese,Vladimir Blasko,Thomas Gietzold,Brian L McCabe,Kurt J Sobanski. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Band pass filter-based galvanic isolator

Номер патента: US20170354028A1. Автор: Fouad Nusseibeh. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Magnetic component for galvanically isolated lcl-t resonant converter

Номер патента: US20240177925A1. Автор: Peter Mantovanelli BARBOSA,Satyaki MUKHERJEE. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Band pass filter-based galvanic isolator

Номер патента: EP3465254A1. Автор: Fouad Nusseibeh. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Layered electrode body manufacturing device

Номер патента: US20220173427A1. Автор: Kenji Inagaki,Masahide Maruyama,Tatsuya Masada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Electrode plate, layered electrode group, and battery

Номер патента: US20140193701A1. Автор: Mitsuhiro Kodama,Tadashi Kakeya,Manabu Kanemoto. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Layered electrode body manufacturing device

Номер патента: US12080841B2. Автор: Kenji Inagaki,Masahide Maruyama,Tatsuya Masada. Владелец: Panasonic Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Layered electrode materials and methods for rechargeable zinc batteries

Номер патента: EP3721495A1. Автор: Brian D. Adams,Ryan D. BROWN,Susi JIN,Marine CUISINIER. Владелец: Salient Energy Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Electrode including multi-layered electrode active material layer and secondary battery including the same

Номер патента: US09543568B2. Автор: Jung Jin Kim,Cha Hun Ku,Duk Hyun Ryu,Nak Gi Sung,Hye Lim Shim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Multi-layer electrode having plural active material layers including binders with different elastic recovery rates and uniform porosity and lithium secondary battery including the same

Номер патента: US12126008B2. Автор: Sun Kyu KIM,Jiwon MIN,Kyung Eun SUN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for improving performance of layered electrode materials

Номер патента: US20210320319A1. Автор: Yuancheng Cao,Shun TANG,Yaqing GUO. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-14.

Layered electrode

Номер патента: US20240162417A1. Автор: Meng Wang,Ki Tae Park,Soo Kim,Tae Kyoung Kim,Sookyung JEONG,Yumi Kim,Byoungchul You,Hyuksang Park. Владелец: Rivian IP Holdings LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Layered electrode materials and methods for rechargeable zinc batteries

Номер патента: WO2019109185A1. Автор: Brian D. Adams,Ryan D. BROWN,Susi JIN,Marine CUISINIER. Владелец: Salient Energy Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Multi-layered electrode for battery and fabrication method thereof

Номер патента: EP4310980A2. Автор: Dong Hoon Lee,Min Hwan Kim. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Multi-layered electrode for fuel cell and method for producing the same

Номер патента: WO2006080767A1. Автор: Suk-Woo Nam,Jaeyoung Lee,Jonghee Han,Sung Pil Yoon,Tae Hoon Lim,Eun Ae Cho,Heung Yong Ha,Seong Ahn Hong,In Hwan Oh,Hyung Chul HAHM,Hyoung -Juhn Kim. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2006-08-03.

Multi-layered electrode for battery and fabrication method thereof

Номер патента: EP4310980A3. Автор: Dong Hoon Lee,Min Hwan Kim. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Emitter assembly with a redistribution layer for a vertical cavity surface emitting laser (vcsel) chip

Номер патента: US20240195145A1. Автор: Raman Srinivasan,WEI Shi,Joseph Leigh,Eric R. Hegblom,Lijun Zhu,Gianluca Bacchin,Huanlin ZHU,Suhit Ranjan Das,Yuefa Li,Qianhuan YU,Jacob U. LOPEZ RUVALCABA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Stabilizing dielectric stress in a galvanic isolation device

Номер патента: US20240113095A1. Автор: Mitsuhiro Sugimoto,Byron Lovell Williams,Yoshihiro Takei,Jeffrey Alan West. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GALVANICALLY ISOLATED SEMICONDUCTOR CHIPS

Номер патента: US20210005539A1. Автор: Schaller Rainer Markus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-07.

MAGNETICALLY COUPLED GALVANICALLY ISOLATED COMMUNICATION USING LEAD FRAME

Номер патента: US20140131843A1. Автор: Balakrishnan Balu,Matthews David Michael Hugh. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

ELECTRONIC DEVICE PACKAGING WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20190067171A1. Автор: Wu Chung-Lin,ESTACIO Maria Cristina,QUINONES Maria Clemens Ypil,Bartolo Marlon. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

GALVANIC ISOLATION DEVICE

Номер патента: US20190081133A1. Автор: Cook Benjamin Stassen,Male Barry Jon,Neidorff Robert Alan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE HAVING GALVANIC ISOLATION AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220285330A1. Автор: Brauchler Fred T.,Carpenter Burton Jesse. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

SWITCH MODE POWER CONVERTERS USING MAGNETICALLY COUPLED GALVANICALLY ISOLATED LEAD FRAME COMMUNICATION

Номер патента: US20150162272A1. Автор: Balakrishnan Balu,Matthews David Michael Hugh. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

MAGNETICALLY COUPLED GALVANICALLY ISOLATED COMMUNICATION USING LEAD FRAME

Номер патента: US20180226893A1. Автор: Balakrishnan Balu,Matthews David Michael Hugh. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Galvanic Isolation Device

Номер патента: US20180269272A1. Автор: Cook Benjamin Stassen,Male Barry Jon,Neidorff Robert Alan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

COMMUNICATING ACROSS GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20190342122A1. Автор: Peter Matthias,THALHEIM JAN. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2019-11-07.

Single-laminate galvanic isolator assemblies

Номер патента: US9257834B1. Автор: Yashodhan Moghe,Virgilio T. Baterina,Stuart Molin. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Single-laminate galvanic isolator assemblies

Номер патента: WO2016128929A1. Автор: Yashodhan Moghe,Stuart Molin,Virgilio Baterina. Владелец: The Silanna Group Pty Limited. Дата публикации: 2016-08-18.

Methods of manufacture of semiconductor devices having redistribution layer using dielectric material having photoactive component

Номер патента: US12119235B2. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Efficient redistribution layer topology

Номер патента: US20220328438A1. Автор: Joseph Liu,Christopher Daniel Manack,Vivek Swaminathan Sridharan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDISTRIBUTION LAYERS ON PARTIAL ENCAPSULATION AND NON-PHOTOSENSITIVE PASSIVATION LAYERS

Номер патента: US20160197032A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,Kim Jin Young,Lee Seungjae,Kim YoonJoo,Kim SungKyu,Park Doo Hyun,Paek Jong Sik,Cha Se Woong,Bae Jae Hun. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

SEMICONDUCTOR STRUCTRURE WITH COMPOSITE BARRIER LAYER UNDER REDISTRIBUTION LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150333021A1. Автор: WU Chun-Yu,SHANG Yu-Wei,KANG An-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-11-19.

Devices, systems, and methods for serial communication over a galvanically isolated channel

Номер патента: US11706057B2. Автор: Syed Enam Rehman. Владелец: Nunami Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Redistribution layer system in package

Номер патента: US09936578B2. Автор: Thong Dang,Mohsen Haji-Rahim,Mark Charles Held. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Circuit arrangement with galvanic isolation between electronic circuits

Номер патента: US20200266817A1. Автор: Hermann Gruber,Thomas Ferianz,Markus Muellauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-08-20.

PROCESS AND METHOD FOR ACHIEVING HIGH IMMUNITY TO ULTRAFAST HIGH VOLTAGE TRANSIENTS ACROSS INORGANIC GALVANIC ISOLATION BARRIERS

Номер патента: US20200312794A1. Автор: Sugimoto Mitsuhiro,BONIFIELD Thomas Dyer,WEST Jeffrey Alan,Takei Yoshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Integral redistribution layer for WCSP

Номер патента: US12009272B2. Автор: Rafael Jose Lizares Guevara. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Process for the production of a barrier layer electrode system with a cover with fused-in lead wires, in particular a transistor or a crystal diode, and barrier layer electrode system which is produced by this process

Номер патента: DE1136423B. Автор: Frits Weil. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1962-09-13.

ANTENNA FORMATION BY INTEGRATED METAL LAYER OR REDISTRIBUTION LAYER

Номер патента: US20200176401A1. Автор: Fay Owen R.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

OVERVOLTAGE PROTECTION DEVICE, AND A GALVANIC ISOLATOR IN COMBINATION WITH AN OVERVOLTAGE PROTECTION DEVICE

Номер патента: US20170133841A1. Автор: Coyne Edward John. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Redistribution Layers And Methods Of Fabricating The Same In Semiconductor Devices

Номер патента: US20210098400A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Multi-layer electrode to improve performance of ferroelectric memory device

Номер патента: US20240021700A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Hsin-Yu Lai,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Multi-layer electrode to improve performance of ferroelectric memory device

Номер патента: US11916127B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Hsin-Yu Lai,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Organic thin film transistor with dual layer electrodes

Номер патента: CA2612033C. Автор: Beng S. Ong,Yiliang Wu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Manufacturing method of Electrostatic Chuck with Multi-Layer Electrode Structure and Electrostatic Chuck with Multi-Layer Electrode Structure manufactured by the same

Номер патента: KR101541051B1. Автор: 김봉수,송해근. Владелец: (주)보부하이테크. Дата публикации: 2015-07-31.

Improvements in or relating to the manufacture of blocking-layer electrode systems

Номер патента: GB539491A. Автор: . Владелец: Philips Lamps Ltd. Дата публикации: 1941-09-12.

Dense nonvolatile electrically-alterable memory devices with four layer electrodes

Номер патента: US4314265A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1982-02-02.

Field device in measurement and automation technology comprising a galvanic isolation device

Номер патента: US20200244278A1. Автор: Daniel Kollmer,Werner Tanner,Lukas Tanner,Lüder BOSSE,Marita Paetzold. Владелец: Endress and Hauser Flowtec AG. Дата публикации: 2020-07-30.

Field device in measurement and automation technology comprising a galvanic isolation device

Номер патента: US10944413B2. Автор: Daniel Kollmer,Werner Tanner,Lukas Tanner,Lüder BOSSE,Marita Paetzold. Владелец: Endress and Hauser Flowtec AG. Дата публикации: 2021-03-09.

Galvanic isolation of integrated closed magnetic path transformer with BT laminate

Номер патента: US11756718B2. Автор: Roberto Giampiero Massolini,Zhemin Zhang,Joyce Marie Mullenix. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Integrated Galvanically Isolated Meter Devices and Methods for Making Integrated Galvanically Isolated Meter Devices

Номер патента: US20140225594A1. Автор: Renato Bessegato,Sergio Rossi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-14.

Method and apparatus for galvanically isolating two integrated circuits from each other

Номер патента: US6249171B1. Автор: Daniel A. Yaklin,Kevin Lee Kornher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-06-19.

Galvanically isolated data isolator with improved common mode transient rejection

Номер патента: EP3497899A1. Автор: Michael Lynch,Brian Anthony Moane. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2019-06-19.

Integrated galvanic isolator using wireless transmission

Номер патента: US20080311862A1. Автор: Giuseppe Palmisano,Santo Alessandro Smerzi,Giovanni Girlando,Nunzio Spina. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-12-18.

Integrated galvanic isolator using wireless transmission

Номер патента: US8364195B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Santo Alessandro Smerzi,Giovanni Girlando,Nunzio Spina. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-01-29.

Mcu with integrated voltage isolator and integrated galvanically isolated asynchronous serial data link

Номер патента: US20080317106A1. Автор: Donald E. Alfano,Ka Y. Leung,David Bresemann. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

MCU with integrated voltage isolator and integrated galvanically isolated asynchronous serial data link

Номер патента: US7821428B2. Автор: Donald E. Alfano,Ka Y. Leung,David P. Bresemann. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2010-10-26.

GALVANICALLY ISOLATED AUXILIARY LED FOR PERFORMING INPUT OPERATIONS

Номер патента: US20190097736A1. Автор: Ho Choon Ngiap,Tan Roy,Chan Yuen Yin. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

GALVANICALLY-ISOLATED DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140183698A1. Автор: SHIH CHENG-FENG,HSU Wei-Chan,WU Li-Te. Владелец: NEOENERGY MICROELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

LATERAL TRANSMISSION OF SIGNALS ACROSS A GALVANIC ISOLATION BARRIER

Номер патента: US20180172783A1. Автор: Gruber Hermann,Raberg Wolfgang,WILLE Holger,MORINI Sergio. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

GALVANIC ISOLATION OF INTEGRATED CLOSED MAGNETIC PATH TRANSFORMER WITH BT LAMINATE

Номер патента: US20200211754A1. Автор: MASSOLINI Roberto Giampiero,Zhang Zhemin,MULLENIX Joyce Marie. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Galvanic Isolated Ceramic Based Voltage Sensors

Номер патента: US20200271698A1. Автор: Knowles Gareth J.,Bradley William M.,Bird Ross. Владелец: QORTEK, INC.. Дата публикации: 2020-08-27.

INTEGRATED CIRCUIT WITH A GALVANICALLY-ISOLATED COMMUINCATION CHANNEL USING A BACK-SIDE ETCHED CHANNEL

Номер патента: US20220406956A1. Автор: Haroun Baher,Sankaran Swaminathan,Summerfelt Scott Robert,Cook Benjamin,SCHUPPENER Gerd. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Galvanic isolation transformer

Номер патента: CN102906833A. Автор: W·弗兰茨,P·J·霍波,P·司美思,A·咖布利斯,D·I·安德森. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-01-30.

Galvanic isolator

Номер патента: US20080061631A1. Автор: Julie E. Fouquet,Gary R. Trott. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Galvanic isolator

Номер патента: US20100020448A1. Автор: Julie E. Fouquet,Gek Yong Ng,Richard A. Baumgartner. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Galvanic Isolators and Coil Transducers

Номер патента: US20110095620A1. Автор: Julie E. Fouquet,Gary R. Trott,Richard Baumgartner,Gek-Yong Ng. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Galvanic isolators and coil transducers

Номер патента: US9019057B2. Автор: Julie E. Fouquet,Gary R. Trott,Richard Baumgartner,Gek Yong Ng. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-04-28.

Galvanic isolator

Номер патента: US8385028B2. Автор: Julie E. Fouquet,Gary R. Trott. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-02-26.

Galvanic isolator

Номер патента: US8385043B2. Автор: Julie E. Fouquet,Gek Yong Ng,Richard A. Baumgartner. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-02-26.

Galvanic isolator

Номер патента: US7791900B2. Автор: Julie E. Fouquet,Gary R. Trott. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Galvanic isolation transformer

Номер патента: EP2589055A4. Автор: Peter Smeys,William French,Peter J Hopper,Ann Gabrys,David I Anderson. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

Galvanic isolation transformer

Номер патента: WO2012012108A3. Автор: Peter Smeys,Peter J. Hopper,William French,Ann Gabrys,David I. Anderson. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-04-26.

Galvanic isolation transformer

Номер патента: EP2589055B1. Автор: Peter Smeys,Peter J. Hopper,William French,Ann Gabrys,David I. Anderson. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-12-25.

Communicating across galvanic isolation

Номер патента: EP3125065B1. Автор: Matthias Peter,Jan Thalheim. Владелец: Power Integrations Switzerland GmbH. Дата публикации: 2018-12-19.

Semiconductor package having redistribution layer

Номер патента: US7977784B2. Автор: Hung-Hsiang Cheng,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Acoustic resonator comprising acoustic redistribution layers

Номер патента: US09548438B2. Автор: Stefan Bader,Dariusz Burak,Kevin J. Grannen,Alexandre Shirakawa. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Redistribution layer for substrate contacts

Номер патента: US09899465B2. Автор: Ronald S. Cok,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Light emitting device having multi-layered electrode structure

Номер патента: US09530948B2. Автор: De-Shan Kuo,Chun-Hsiang Tu,Ting-Chia Ko,Po-Shun Chiu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Composition for forming electrode for solar cell including aluminum oxide layer, electrode prepared using the same and solar cell comprising electrode prepared using the same

Номер патента: KR20200015318A. Автор: 김민재,정석현,양상현,허륜민,구현진. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2020-02-12.

Method for manufacturing conductive metal thin layer, electrode thereby, organic optoelectronic device, battery and solar cell including the electrode

Номер патента: KR101345101B1. Автор: 이혜문. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2013-12-26.

Thick redistribution layer features

Номер патента: US20240088074A1. Автор: Chia-Ping Lai,Chia-Feng Cheng,Kang-Yi Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Redistribution layer and method of forming a redistribution layer

Номер патента: US20150115442A1. Автор: Meyer-Berg Georg,Pufall Reinhard. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-30.

CHIP PACKAGE HAVING CHIP CONNECTED TO SENSING DEVICE WITH REDISTRIBUTION LAYER IN INSULATOR LAYER

Номер патента: US20180175092A1. Автор: LIU Chien-Hung,YANG Wei-Chung,WEN Ying-Nan,YIU Ho-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

ON-CHIP INDUCTOR USING REDISTRIBUTION LAYER AND DUAL-LAYER PASSIVIATION

Номер патента: US20140299964A1. Автор: ITO Akira,Chen Henry Kuo-Shun,Shiau Guang-Jye. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-09.

Filter and Capacitor Using Redistribution Layer and Micro Bump Layer

Номер патента: US20180233471A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Lin Yu-Ling,Kuo Chin-Wei,Jeng Min-Chie,LU Jhe-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH COMPOSITE BARRIER LAYER UNDER REDISTRIBUTION LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160322316A1. Автор: WU Chun-Yu,SHANG Yu-Wei,KANG Chung-Ruei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-11-03.

Filter and Capacitor Using Redistribution Layer and Micro Bump Layer

Номер патента: US20200335465A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Lin Yu-Ling,Kuo Chin-Wei,Jeng Min-Chie,LU Jhe-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Filter and Capacitor Using Redistribution Layer and Micro Bump Layer

Номер патента: US20160358871A1. Автор: Yen Hsiao-Tsung,Lin Yu-Ling,Kuo Chin-Wei,Jeng Min-Chie,LU Jhe-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Filter and capacitor using redistribution layer and micro bump layer

Номер патента: US9960133B2. Автор: Yu-Ling Lin,Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Jhe-Ching Lu,Min-Chie Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Galvanic isolator

Номер патента: US12087986B2. Автор: Kok Keong Richard Lum. Владелец: Mpics Innovations Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Galvanic isolation circuit and system and a corresponding method of operation

Номер патента: US10917091B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Nunzio Spina,Egidio Ragonese,Alessandro Parisi,Nunzio Greco. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-02-09.

Galvanically isolated driver package for switch drive circuit with power transfer

Номер патента: GB2595680A. Автор: Thompson Andrew,Rinne Karl,Duigan Joe. Владелец: Heyday Integrated Circuits SAS. Дата публикации: 2021-12-08.

Galvanically isolated dc-dc circuit converter with data communication, corresponding system and corresponding method

Номер патента: US20210376735A1. Автор: Giuseppe Palmisano,Nunzio Spina,Egidio Ragonese,Alessandro Parisi,Nunzio Greco. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-12-02.

GALVANIC ISOLATION FOR ISOLATION TRANSFORMER

Номер патента: US20190150274A1. Автор: Djurdjic Andrija,Graber Dominique. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Isolating circuit for the reversible galvanic isolation of a consumer from a DC voltage source

Номер патента: DE102021109345A1. Автор: Henryk Waleczek,Jan Horzella. Владелец: Marquardt GmbH. Дата публикации: 2022-10-20.

Device for galvanic isolation of a semiconductor switch, electronic switching device and contact-making and isolating module

Номер патента: WO2008071134A1. Автор: Markus Meier. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2008-06-19.

Band pass filter-based galvanic isolator

Номер патента: EP3465254B1. Автор: Fouad Nusseibeh. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-09-15.

Galvanically isolated dc-dc circuit converter with data communication, corresponding system and corresponding method

Номер патента: US20200161980A1. Автор: Giuseppe Palmisano,Nunzio Spina,Egidio Ragonese,Alessandro Parisi,Nunzio Greco. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-05-21.

Galvanically isolated driver package for switch drive circuit with power transfer

Номер патента: US12132469B2. Автор: Andrew Thompson,Karl Rinne,Joe Duigan. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Device for delivering galvanic isolated digital video at high frequencies

Номер патента: US09697944B2. Автор: Ilya Lipavsky. Владелец: Silora R&d (asc) Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

GALVANIC ISOLATION INTERFACE FOR HIGH-SPEED DATA LINK FOR SPACECRAFT ELECTRONICS, AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20160013953A1. Автор: Boggan Garry H.. Владелец: The Aerospace Corporation. Дата публикации: 2016-01-14.

SENSOR WHICH SENSES THE INSTANTANEOUS RATE OF CHANGE OF A CURRENT, SAID SPEED SENSOR BEING GALVANICALLY ISOLATED AND INTEGRATED ON A PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20210033647A1. Автор: Lartigue Norbert. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

GALVANIC ISOLATION COUPLING DEVICE

Номер патента: US20190043671A1. Автор: FANET Hervé,Pillonnet Gael,Perrin Yann,Galisultanov Ayrat. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2019-02-07.

GALVANIC ISOLATION AND ELECTRICAL CONNECTION ELEMENT FOR PHOTOVOLTAIC INSTALLATIONS AND PHOTOVOLTAIC INSTALLATION COMPRISING SAID ELEMENT

Номер патента: US20200052645A1. Автор: Ros Serrano Gabriel. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

GALVANIC ISOLATION CIRCUIT, CORRESPONDING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20180062678A1. Автор: RAGONESE Egidio,PALMISANO Giuseppe,PARISI Alessandro,Lombardo Pierpaolo,Spina Nunzio,Greco Nunzio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2018-03-01.

Mains Power Fixture with Galvanic Isolation

Номер патента: US20210066949A1. Автор: Moore Kenneth,Stingu Petru Emanuel,Hou Yulong,Dassanayake Ruwanga. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Galvanically Isolated Hybrid Contactor

Номер патента: US20180082814A1. Автор: Potter Frederick J.,Mills Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

METHOD TO PROVIDE ANALOG VOLTAGE SIGNAL PROPORTIONAL TO 4-20MA TRANSMITTER CURRENT USING A DCDC CONVERTER ACROSS GALVANIC ISOLATION OF A TRANSFORMER

Номер патента: US20220137101A1. Автор: Brama Marwan. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

GALVANIC ISOLATION SYSTEM, APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20170154727A1. Автор: RAGONESE Egidio,PALMISANO Giuseppe,Spina Nunzio,Greco Nunzio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2017-06-01.

GALVANICALLY ISOLATED DC-DC CIRCUIT CONVERTER WITH DATA COMMUNICATION, CORRESPONDING SYSTEM AND CORRESPONDING METHOD

Номер патента: US20200161980A1. Автор: RAGONESE Egidio,PALMISANO Giuseppe,PARISI Alessandro,Spina Nunzio,Greco Nunzio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2020-05-21.

Device for delivering galvanic isolated digital video at high frequencies

Номер патента: US20150194253A1. Автор: Ilya Lipavsky. Владелец: Silora R&d (asc) Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

GALVANIC ISOLATION DEVICES TO PROVIDE POWER AND DATA BETWEEN SUBSYSTEMS

Номер патента: US20190181769A1. Автор: Oljaca Miroslav,SINGH AJINDER,YADAV Sharad. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Galvanically Isolated, Directional Coupler

Номер патента: US20140285283A1. Автор: Blödt Thomas. Владелец: Endress + Hauser GmbH + Co. KG. Дата публикации: 2014-09-25.

GALVANIC ISOLATOR CIRCUIT

Номер патента: US20170207655A1. Автор: Juang Kai-Cheung,Chang Yuan-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

THROUGH AIR RADAR LEVEL TRANSMITTER WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20180209833A1. Автор: Haynes Kevin M.,Sussman Timothy S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

GALVANICALLY ISOLATED DC-DC CIRCUIT CONVERTER WITH DATA COMMUNICATION, CORRESPONDING SYSTEM AND CORRESPONDING METHOD

Номер патента: US20190222126A1. Автор: RAGONESE Egidio,PALMISANO Giuseppe,PARISI Alessandro,Spina Nunzio,Greco Nunzio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2019-07-18.

CIRCUIT ARRANGEMENT WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20210265994A1. Автор: Nuebling Marcus. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

SYSTEMS AND METHODS FOR SENDING A POWER SIGNAL TO A POWER SWITCHING DEVICE WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20180286612A1. Автор: Mantese Joseph V.,Blasko Vladimir,GIETZOLD Thomas,McCabe Brian L,Sobanski Kurt J. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2018-10-04.

INTEGRATED SYSTEM FOR SIGNAL AND POWER TRANSMISSION WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20180342349A1. Автор: Schroeder Stefan,Mao Saijun,Xu He,Shen Jie,LU Xi,Jiang Xin,Yuan Zhihui,QU Bo,SONG Tingting,MECHLINSKI Marius Michael,Shi Jingkui. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

BAND PASS FILTER-BASED GALVANIC ISOLATOR

Номер патента: US20170354028A1. Автор: Nusseibeh Fouad. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

GALVANIC ISOLATION IN DEVICES

Номер патента: US20190362890A1. Автор: Shrivastava Kumar Anurag,Nasum Sreeram Subramanyam,Banerjee Suvadip,Singh Tarunvir. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Miniature Transformers Adapted for use in Galvanic Isolators and the Like

Номер патента: US20080278275A1. Автор: Julie E. Fouquet,Calvin B. Ward. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-11-13.

Electric circuit arrangement for galvanic isolated communication

Номер патента: EP2661034A1. Автор: Manfred Brandl,Vijay Ele,Jose Vinau,Sébastien POIRIER,Hubert Enichlmair,Rohit Ranganathan. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2013-11-06.

Galvanic isolation in devices

Номер патента: WO2019226756A1. Автор: Sreeram Subramanyam NASUM,Tarunvir SINGH,Suvadip Banerjee,Kumar Anurag SHRIVASTAVA. Владелец: Texas Instuments Japan Limited. Дата публикации: 2019-11-28.

Miniature transformers adapted for use in galvanic isolators and the like

Номер патента: US7741943B2. Автор: Julie E. Fouquet,Calvin B. Ward. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2010-06-22.

Miniature transformers adapted for use in galvanic isolators and the like

Номер патента: US20090153283A1. Автор: Julie E. Fouquet,Calvin B. Ward. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Miniature transformers adapted for use in galvanic isolators and the like

Номер патента: US8237534B2. Автор: Julie E. Fouquet,Calvin B. Ward. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-07.

Miniature Transformers Adapted For Use In Galvanic Isolators And The like

Номер патента: US20100148911A1. Автор: Julie E. Fouquet,Calvin B. Ward. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Electric circuit arrangement for galvanic isolated communication

Номер патента: WO2013164193A1. Автор: Manfred Brandl,Vijay Ele,Jose Vinau,Sébastien POIRIER,Hubert Enichlmair,Rohit Ranganathan. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2013-11-07.

Galvanic isolation in devices

Номер патента: US10840013B2. Автор: Sreeram Subramanyam NASUM,Tarunvir SINGH,Suvadip Banerjee,Kumar Anurag SHRIVASTAVA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Electric circuit arrangement for galvanic isolated communication

Номер патента: EP2661034B1. Автор: Manfred Brandl,Vijay Ele,Jose Vinau,Sébastien POIRIER,Hubert Enichlmair,Rohit Ranganathan. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-03-11.

Galvanic isolation in a device

Номер патента: CN112088413A. Автор: S·班纳吉,S·S·那苏姆,T·辛格,K·A·什里瓦斯塔瓦. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Galvanic Isolator with Improved High Frequency Screening for Coaxial Distribution Networks

Номер патента: AU2019101212A4. Автор: Shaun Joseph Cunningham. Владелец: Cunningham Shaun Joseph Mr. Дата публикации: 2019-11-14.

DEVICE FOR COUPLING WITH GALVANIC ISOLATION OF A "CUT-OFF" TYPE

Номер патента: FR2804789A1. Автор: Rene Duranton. Владелец: Rene Duranton. Дата публикации: 2001-08-10.

ULTRA-FAST STATIC CIRCUIT BREAKER WITH GALVANIC ISOLATION.

Номер патента: FR2651915B1. Автор: Perichon Pierre,MOREL Robert,Mertz Jean-Luc,Pion-Roux Gerard. Владелец: Merlin Gerin SA. Дата публикации: 1991-11-08.

DEVICE FOR REALIZING GALVANIC ISOLATION BETWEEN A PULSE GENERATOR AND A LOAD

Номер патента: FR2566169A1. Автор: Oseas Bercy. Владелец: OMERA SEGID. Дата публикации: 1985-12-20.

INSTANTANEOUS VARIATION SPEED SENSOR OF GALVANICALLY ISOLATED CURRENT AND INTEGRATED ON A CIRCUIT BOARD

Номер патента: FR3077390A1. Автор: Norbert Lartigue. Владелец: Nl Conseil. Дата публикации: 2019-08-02.

GALVANICALLY ISOLATED INSTANTANEOUS CURRENT VARIATION SPEED SENSOR ON A PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: FR3077391B1. Автор: Norbert Lartigue. Владелец: Nl Conseil. Дата публикации: 2020-03-06.

DEVICE FOR PROVIDING GALVANIC ISOLATION BETWEEN A PULSE GENERATOR AND A LOAD

Номер патента: FR2566169B1. Автор: Oseas Bercy. Владелец: OMERA SEGID. Дата публикации: 1987-04-17.

ULTRA-FAST STATIC CIRCUIT BREAKER WITH GALVANIC ISOLATION.

Номер патента: FR2651915A1. Автор: Perichon Pierre,MOREL Robert,Mertz Jean-Luc,Pion-Roux Gerard. Владелец: Merlin Gerin SA. Дата публикации: 1991-03-15.

Galvanically isolated relay control circuit - has protection circuits against positive and negative over voltages and high current levels

Номер патента: FR2428318A1. Автор: Pierre Jacques Adrien Bernadac,Jean Demure. Владелец: Le Materiel Telephonique Thomson CSF. Дата публикации: 1980-01-04.

Arrangement and method for monitoring galvanic isolation of fuel cell device

Номер патента: WO2010084239A2. Автор: Kim ÅSTRÖM. Владелец: WÄRTSILÄ FINLAND OY. Дата публикации: 2010-07-29.

Method to provide analog voltage signal proportional to 4-20MA transmitter current using a DCDC converter across galvanic isolation of a transformer

Номер патента: US11536751B2. Автор: Marwan Brama. Владелец: FISHER CONTROLS INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 2022-12-27.

Galvanic isolation circuit

Номер патента: EP3716554A1. Автор: Denis Sergeevich SHUVALOV. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-09-30.

Electronic input / output device for signal, data and / or energy transmission with galvanic isolation

Номер патента: DE102018108009A1. Автор: Peter Scholz. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-10-10.

GALVANIC ISOLATION COUPLING DEVICE

Номер патента: FR3069950A1. Автор: Gael Pillonnet,Ayrat Galisultanov,Yann Perrin,Herve Fanet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-02-08.

Fill level measuring device with galvanic isolation in waveguide

Номер патента: EP3483569A1. Автор: Roland Baur,Daniel Schultheiss,Klaus Kienzle,Fritz Lenk. Владелец: VEGA Grieshaber KG. Дата публикации: 2019-05-15.

Arrangement and method for monitoring galvanic isolation of fuel cell device

Номер патента: KR101676891B1. Автор: 낌 오스트룀. Владелец: 콘비온 오와이. Дата публикации: 2016-11-16.

Sensor which senses the instantaneous rate of change of a current, said speed sensor being galvanically isolated and integrated on a printed circuit board

Номер патента: EP3746801A1. Автор: Norbert Lartigue. Владелец: Nl Conseil. Дата публикации: 2020-12-09.

Coupling device with galvanic isolation

Номер патента: EP3439142A1. Автор: Gael Pillonnet,Ayrat Galisultanov,Yann Perrin,Herve Fanet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-02-06.

Galvanically isolated power and data transmission module

Номер патента: DE102009014452A1. Автор: Volker Deckers. Владелец: Aizo Ag. Дата публикации: 2010-04-01.

Arrangement for transmitting digital signals via a galvanically isolating interface and field device comprising such an arrangement

Номер патента: DE102013113598A1. Автор: Björn HAASE,Roman Grieser,Janos Alvincz. Владелец: Endress and Hauser Conducta Gesellschaft fuer Mess und Regeltechnik mbH and Co KG. Дата публикации: 2015-06-11.

Arrangement for galvanically isolated energy transmission

Номер патента: PL3178128T3. Автор: Sebastian Martius,Dennie Lange,Dominik ERGIN,Andreas Ziroff,Benjamin Sewiolo. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2021-01-11.

Coupling structure for galvanically isolated signal transmission, communication structure and inverter

Номер патента: DE102012110787B4. Автор: Thomas Wappler,Wilfried Vogt,Niels Berger. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2015-05-13.

Galvanically isolated signal conditioning system

Номер патента: WO2006062616A3. Автор: Eamon Hynes,John Wynne. Владелец: John Wynne. Дата публикации: 2007-03-15.

Ultra high-speed circuit breaker with galvanic isolation

Номер патента: CA2024645A1. Автор: Jean-Luc Mertz,Robert Morel,Pierre Perichon,Gerard Pion-Roux. Владелец: Merlin Gerin SA. Дата публикации: 1991-03-14.

Galvanically isolated signal conditioning system

Номер патента: CN101102962B. Автор: 约翰·温,伊蒙·海茵斯. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-07-18.

Circuit for galvanically isolating transmission of power and signals across a transformer

Номер патента: CN217721030U. Автор: M·布拉马. Владелец: FISHER CONTROLS INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 2022-11-01.

Device for delivering galvanic isolated digital video at high frequencies

Номер патента: IL220502B. Автор: Lipavsky Ilya. Владелец: Silora R& D A S C Ltd. Дата публикации: 2018-02-28.

Solid-state circuit breaker with galvanic isolation

Номер патента: EP3984107A4. Автор: Ryan Kennedy,Denis Kouroussis,Frederick Miller,Taylor SANTORE. Владелец: Atom Power Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Plug-in component with a galvanic isolation element

Номер патента: DE102021112916A1. Автор: Robert Alig,Bjoern Wahl. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2022-11-24.

Galvanic isolator circuit

Номер патента: US10044223B2. Автор: Yuan-Tai Chang,Kai-Cheung Juang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-08-07.

Galvanic isolation circuit

Номер патента: EP3716554B1. Автор: Denis Sergeevich SHUVALOV. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-13.

Sensor which senses the instantaneous rate of change of a current, said speed sensor being galvanically isolated and integrated on a printed circuit board

Номер патента: US11946955B2. Автор: Norbert Lartigue. Владелец: Nl Conseil. Дата публикации: 2024-04-02.

Galvanically Isolated Driver Package for Switch Drive Circuit with Power Transfer

Номер патента: US20210376822A1. Автор: Andrew Thompson,Karl Rinne,Joe Duigan. Владелец: Heyday Integrated Circuits SAS. Дата публикации: 2021-12-02.

Galvanically isolated driver package for switch drive circuit with power transfer

Номер патента: GB202008310D0. Автор: . Владелец: Heyday Integrated Circuits SAS. Дата публикации: 2020-07-15.

Galvanically isolated package for switch drive circuit with power transfer

Номер патента: GB2595680B. Автор: Thompson Andrew,Rinne Karl,Duigan Joe. Владелец: Heyday Integrated Circuits SAS. Дата публикации: 2023-05-31.

A galvanic isolation circuit and system, corresponding method

Номер патента: EP3550710B1. Автор: Giuseppe Palmisano,Nunzio Spina,Egidio Ragonese,Alessandro Parisi,Nunzio Greco. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-11-11.

Band pass filter-based galvanic isolator

Номер патента: EP3465254A4. Автор: Fouad Nusseibeh. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Bag-packed positive electrode plate, layered electrode assembly, energy storage device, and manufacturing method of bag-packed positive electrode plate

Номер патента: WO2018166882A1. Автор: Kazuya Okabe,Yusuke OKI,Yasuaki YAMAMURA. Владелец: Lithium Energy and Power GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2018-09-20.

Compositions, layerings, electrodes and methods for making

Номер патента: EP2817844A1. Автор: Samuel David Arthur,Kostantinos Kourtakis,Brent Wise. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2014-12-31.

Compositions, layerings, electrodes and methods for making

Номер патента: US20150140360A1. Автор: Samuel David Arthur,Kostantinos Kourtakis,Brent Wise. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2015-05-21.

Lithium and zinc ion battery containing polyethylene oxide and acetate layered electrodes

Номер патента: US12051801B1. Автор: Adam Weisenstein,Melissa D. McIntyre,Hannah S. SMITH. Владелец: Aesir Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Multi-layered electrode for rechargeable battery including binder having high crystallinity

Номер патента: US11728507B2. Автор: Song Taek Oh,Junsoo Park,Taek Soo Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Multi-Layered Electrode for Rechargeable Battery Including Binder Having High Crystallinity

Номер патента: US20200014056A1. Автор: Song Taek Oh,Junsoo Park,Taek Soo Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Organic coating layer, electrode active material including the same, electrode, and battery

Номер патента: US20240145701A1. Автор: Wei Zhao,Suli LI,Derui DONG,Zhaoshuai ZHANG. Владелец: Zhuhai Cosmx Battery Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and device for making layer electrodes

Номер патента: AU6823598A. Автор: Hans Jurgen Pauling. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-09-18.

Composite particles for electrochemical element functional layers, binder composition for electrochemical element functional layers, conductive material paste for electrode mixture layers, slurry for electrode mixture layers, electrode for electrochemical elements, and electrochemical element

Номер патента: EP3951924A4. Автор: Yasuhiro ISSHIKI,Kenya Sonobe,Maki MESUDA. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2023-02-22.

Compositions for forming a porous insulating layer, electrode for non-aqueous electrolyte rechargeable battery, rechargeable battery including the electrode and method of manufacturing the electrode

Номер патента: US20240304818A1. Автор: Tomoyuki Fukatani,Koji Hoshiba. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi layer electrode for secondary battery

Номер патента: US11848447B2. Автор: Jeong A Kim,Byoung Ho KO. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Primer for power storage device electrodes, composition for forming primer layer, electrode for power storage devices, and secondary battery

Номер патента: EP4318629A1. Автор: Shinji Wada. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Primer for power storage device electrode, composition for forming primer layer, electrode for power storage device, and secondary battery

Номер патента: US20230420686A1. Автор: Shinji Wada. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Negative electrode active material layer and method for manufacturing negative electrode active material layer, electrode mixture paste for power storage device negative electrode, power storage device negative electrode, and power storage device

Номер патента: US20220384810A1. Автор: Tetsuo Sakai,Masanori Morishita,Takeshige Nakayama. Владелец: Ube Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Negative electrode active material layer and method for manufacturing negative electrode active material layer, electrode mixture paste for power storage device negative electrode, power storage device negative electrode, and power storage device

Номер патента: EP4040532A4. Автор: Tetsuo Sakai,Masanori Morishita,Takeshige Nakayama. Владелец: Ube Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Compositions, layerings, electrodes and methods for making

Номер патента: EP2805374A1. Автор: Kostantinos Kourtakis. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2014-11-26.

Compositions, layerings, electrodes and methods for making

Номер патента: WO2013109824A1. Автор: Kostantinos Kourtakis. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2013-07-25.

Compositions, layerings, electrodes and methods for making

Номер патента: US20130183550A1. Автор: Kostantinos Kourtakis. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2013-07-18.

Electrode comprising binder layer, electrode assembly comprising the electrode, and method of preparing the electrode

Номер патента: KR20160002252A. Автор: 안경호,이정훈,김민정,이철행,양두경,정이진. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2016-01-07.

Current collector with easily adhesive layer, electrode, all-solid state secondary battery, electronic apparatus, electric vehicle, and methods of manufacturing current collector with easily adhesive layer, electrode, and all-solid state secondary battery

Номер патента: US20210083299A1. Автор: Hiroshi ISOJIMA,Shin Ozawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Current collector with adhesive layer, electrode, all-solid state secondary battery, electronic apparatus, electric vehicle, and methods of manufacturing current collector with adhesive layer, electrode, and all-solid state secondary battery

Номер патента: US11955643B2. Автор: Hiroshi ISOJIMA,Shin Ozawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Conductive paste for electrode mixed material layer, slurry for electrode mixed material layer, electrode for electrochemical device, and electrochemical device

Номер патента: US12021215B2. Автор: Yasuhiro ISSHIKI,Kenya Sonobe,Maki MESUDA. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Hydrocarbon ionomer compositions, layerings, electrodes, methods for making and methods for using

Номер патента: WO2013109828A2. Автор: Kostantinos Kourtakis,Brent Wise. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2013-07-25.

Compositions, layerings, electrodes and methods for making

Номер патента: US20160036050A1. Автор: Kostantinos Kourtakis,Brent Wise. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2016-02-04.

Composition for preparing porous insulating layer, electrode for non-aqueous rechargeable lithium battery, non-aqueous rechargeable lithium battery, method of preparing electrode for non-aqueous rechargeable lithium battery

Номер патента: US20190140283A1. Автор: Tomoyuki Fukatani,Koji Hoshiba. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

ELECTRODE ACTIVE MATERIAL LAYER, ELECTRODE BODY, LITHIUM-ION SECONDARY BATTERY, AND METHOD OF PRODUCING ELECTRODE ACTIVE MATERIAL LAYER

Номер патента: US20130216905A1. Автор: ICHIKAWA Sukenori. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-22.

CONDUCTIVE PASTE FOR ELECTRODE MIXED MATERIAL LAYER, SLURRY FOR ELECTRODE MIXED MATERIAL LAYER, ELECTRODE FOR ELECTROCHEMICAL DEVICE, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE

Номер патента: US20220037632A1. Автор: SONOBE Kenya,ISSHIKI Yasuhiro,MESUDA Maki. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2022-02-03.

COMPOSITIONS FOR FORMING A POROUS INSULATING LAYER, ELECTRODE FOR NON-AQUEOUS ELECTROLYTE RECHARGEABLE BATTERY, RECHARGEABLE BATTERY INCLUDING THE ELECTRODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE ELECTRODE

Номер патента: US20200251739A1. Автор: Hoshiba Koji,Fukatani Tomoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

CONTINUOUS EXTRUDING KNEADER FOR PRODUCING MIXTURE FOR ELECTRODE ACTIVE MATERIAL LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING MIXTURE FOR ELECTRODE ACTIVE MATERIAL LAYER, ELECTRODE LAMINATE, AND ALL-SOLID-STATE BATTERY USING IT

Номер патента: US20170348652A1. Автор: Inoue Hiroyuki,ISHIGAKI Yuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Compositions for forming a porous insulating layer, electrode for non-aqueous electrolyte rechargeable battery, rechargeable battery including the electrode and method of manufacturing the electrode

Номер патента: KR102442185B1. Автор: 토모유키 후카타니,코지 호시바. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2022-09-07.

Layered electrode for electrochemical cells

Номер патента: CA2297316C. Автор: Swathy Swathirajan,Youssef M. Mikhail. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 2005-08-23.

Electrode active material layer, electrode body, lithium-ion secondary battery, and method of producing electrode active material layer

Номер патента: CN103258986A. Автор: 市川祐永. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-08-21.

Continuous extruding kneader for producing mixture for electrode active material layer, and method for producing mixture for electrode active material layer, electrode laminate, and all-solid-state battery using it

Номер патента: US10569239B2. Автор: Hiroyuki Inoue,Yuki Ishigaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Electrode comprising multi-layered electrode active material layer and the secondary cell for including the electrode

Номер патента: CN103201882B. Автор: 具滋训,金正镇,成洛奇,柳德弦,沈慧琳. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-03.

Composite particle for electrochemical device functional layer, binder composition for electrochemical device functional layer, conductive material paste for electrode mixed material layer, slurry for electrode mixed material layer, electrode for electrochemical device, and electrochemical device

Номер патента: US20220200000A1. Автор: Yasuhiro ISSHIKI,Kenya Sonobe,Maki MESUDA. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Inorganic particle layer, electrode, electrode element, and non-aqueous electrolyte power storage element

Номер патента: US11955640B2. Автор: Masahiro Masuzawa,Ryuji Higashi,Hideo Yanagita,Anna HIROWATARI,Yuu ZAMA,Kohji Matsuoka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Composite particle for electrochemical element and production method therefor, binder composition for electrochemical element functional layer and production method therefor, conductive material paste for electrode mixture layer and production method therefor, slurry for electrode mixture layer, electrode for electrochemical element, and electrochemical element

Номер патента: EP3993094A4. Автор: Yasuhiro ISSHIKI,Kenya Sonobe,Maki MESUDA. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Binder solution, slurry, solid electrolyte layer, electrode, and all-solid battery

Номер патента: EP4297121A1. Автор: Yoshiyuki Nagasawa,Tamito Igarashi,Aya SHIKE. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Inorganic particle layer, electrode, electrode element, and non-aqueous electrolyte power storage element

Номер патента: EP3878027A1. Автор: Masahiro Masuzawa,Ryuji Higashi,Hideo Yanagita,Anna HIROWATARI,Yuu ZAMA,Kohji Matsuoka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-15.

Compositions for forming a porous insulating layer, electrode for non-aqueous electrolyte rechargeable battery, rechargeable battery including the electrode and method of manufacturing the electrode

Номер патента: EP3690993B1. Автор: Tomoyuki Fukatani,Koji Hoshiba. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Binder solution, slurry, solid electrolyte layer, electrode, and all-solid battery

Номер патента: US20240120492A1. Автор: Yoshiyuki Nagasawa,Tamito Igarashi,Aya SHIKE. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Compositions for forming a porous insulating layer, electrode for non-aqueous electrolyte rechargeable battery, rechargeable battery including the electrode and method of manufacturing the electrode

Номер патента: US12015155B2. Автор: Tomoyuki Fukatani,Koji Hoshiba. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

ELECTRODE INCLUDING MULTI-LAYERED ELECTRODE ACTIVE MATERIAL LAYER AND SECONDARY BATTERY INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130224584A1. Автор: Ku Cha Hun,RYU Duk Hyun,KIM Jung Jin,SUNG Nak Gi,Shim Hye Lim. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2013-08-29.

GAS DIFFUSION LAYER, ELECTRODE FOR FUEL CELL, MEMBRANE ELECTRODE JUNCTION, AND FUEL CELL

Номер патента: US20140017589A1. Автор: TAKAMI Hirofumi. Владелец: JX NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-16.

CURRENT COLLECTOR WITH EASILY ADHESIVE LAYER, ELECTRODE, ALL-SOLID STATE SECONDARY BATTERY, ELECTRONIC APPARATUS, ELECTRIC VEHICLE, AND METHODS OF MANUFACTURING CURRENT COLLECTOR WITH EASILY ADHESIVE LAYER, ELECTRODE, AND ALL-SOLID STATE SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20210083299A1. Автор: OZAWA Shin,ISOJIMA Hiroshi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2021-03-18.

ELECTRODE PLATE, LAYERED ELECTRODE GROUP, AND BATTERY

Номер патента: US20170084945A1. Автор: Kakeya Tadashi,Kanemoto Manabu,Kodama Mitsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Electrode plate, layered electrode group, battery, and cylindrical battery

Номер патента: US20140170471A1. Автор: Mitsuhiro Kodama,Tadashi Kakeya,Manabu Kanemoto. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2014-06-19.

ELECTRODE PLATE, LAYERED ELECTRODE GROUP, AND BATTERY

Номер патента: US20140193701A1. Автор: Kakeya Tadashi,Kanemoto Manabu,Kodama Mitsuhiro. Владелец: GS Yuasa International Ltd.. Дата публикации: 2014-07-10.

LAYERED ELECTRODE BODY AND BONDING DEVICE FOR LAYERED ELECTRODE BODY

Номер патента: US20220181699A1. Автор: Inagaki Kenji,Masada Tatsuya,Maruyama Masahide. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

COMPOSITION FOR PREPARING POROUS INSULATING LAYER, ELECTRODE FOR NON-AQUEOUS RECHARGEABLE LITHIUM BATTERY, NON-AQUEOUS RECHARGEABLE LITHIUM BATTERY, METHOD OF PREPARING ELECTRODE FOR NON-AQUEOUS RECHARGEABLE LITHIUM BATTERY

Номер патента: US20190140283A1. Автор: Hoshiba Koji,Fukatani Tomoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

COMPOSITIONS FOR FORMING A POROUS INSULATING LAYER, ELECTRODE FOR NON-AQUEOUS ELECTROLYTE RECHARGEABLE BATTERY HAVING THE POROUS INSULATING LAYER, THE RECHARGEABLE BATTERY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE ELECTRODE

Номер патента: US20190140284A1. Автор: Hoshiba Koji,Fukatani Tomoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Resin Composition For Nonaqueous Electrolyte Secondary Battery, Separator For Nonaqueous Electrolyte Secondary Battery Using Same, Resin Composition For Electrode Mixture Layer, Electrode For Nonaqueous Electrolyte Secondary Battery, And Nonaqueous Electrolyte Secondary Battery

Номер патента: US20210210783A1. Автор: NAGASAWA Yoshiyuki,SHIKE Aya. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Resin composition, separator for nonaqueous electrolyte secondary battery using same, resin composition for electrode mixture layer, electrode, and nonaqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: CN112088445B. Автор: 四家彩,长泽善幸. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2022-08-02.

Composition for porous insulating layer, electrode for nonaqueous electrolyte rechargeable battery, and method for producing electrode

Номер патента: CN109755470B. Автор: 深谷伦行,干场弘治. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-18.

Resin composition for nonaqueous electrolyte secondary battery, separator for nonaqueous electrolyte secondary battery using same, resin composition for electrode mixture layer, electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery, and nonaqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: KR102279840B1. Автор: 요시유끼 나가사와,아야 시케. Владелец: 가부시끼가이샤 구레하. Дата публикации: 2021-07-20.

Integrated type gas diffusion layer, electrode comprising the same, membrane electrode assembly comprising the same, and fuel cell comprising the same

Номер патента: KR100761525B1. Автор: 이정규,이은숙,김태희,심원,장상욱,임종만,양경훈,정희록,한선경,황명재. Владелец: 주식회사 진우엔지니어링. Дата публикации: 2007-10-04.

Battery e.g. lithium ion battery has porous layered electrode which is provided with several recesses at opposite side of electrode metal sheet

Номер патента: DE102012215921A1. Автор: Ulrich Sauter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-03-13.

Binder composition for all-solid-state secondary battery, slurry composition for all-solid-state secondary battery electrode mixture layer, slurry composition for all-solid-state secondary battery solid electrolyte layer, electrode for all-solid-state secondary battery, solid electrolyte layer for all-solid-state secondary battery, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: EP3846264A4. Автор: Kouichirou Maeda,Yusaku Matsuo,Taku Matsumura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2022-06-15.

Gas diffusion layer, electrode for fuel cell, membrane electrode junction, and fuel cell

Номер патента: CN103460468A. Автор: 高见洋史. Владелец: JX Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Electrode having multi-layered electrode active material layer and secondary battery including same

Номер патента: CN103201882A. Автор: 具滋训,金正镇,成洛奇,柳德弦,沈慧琳. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-10.

Solid electrolyte layer, electrode active material layer, all solid lithium battery, method for producing solid electrolyte layer, and method for producing electrode active material layer

Номер патента: JP5272995B2. Автор: 浩二川本,重規濱,悟志若杉. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-08-28.

Electrode plate, layered electrode group, battery, and cylindrical battery

Номер патента: EP2747174B1. Автор: Mitsuhiro Kodama,Tadashi Kakeya,Manabu Kanemoto. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2016-03-16.

Resin composition for non-aqueous electrolyte secondary battery, separator for non-aqueous electrolyte secondary battery using the same, resin composition for electrode mixture layer, electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery, and non-aqueous electrolyte secondary battery.

Номер патента: JP6768176B2. Автор: 善幸長澤,彩四家. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2020-10-14.

Improved method for manufacturing multi-layered electrode module and unit cell and multi-layered electrode module and unit cell manufactured by using the same

Номер патента: KR100740568B1. Автор: 서진석,송희일. Владелец: 주식회사 나래나노텍. Дата публикации: 2007-07-18.

Double layer electrode coil for a hid lamp and method of making the electrode coil

Номер патента: CA2387331A1. Автор: Charles A. Huntington,Stuart K. Denham. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2003-02-02.

Solid state electrolyte layer, electrode active material layer, all solid state lithium battery, manufacturing method for solid state electrolyte layer, and manufacturing method for electrode active material layer

Номер патента: CN102035021B. Автор: 滨重规,川本浩二,若杉悟志. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Electrode active material layer, electrode, and all-solid-state battery

Номер патента: WO2022203021A1. Автор: 哲也上野,長鈴木,千映子清水. Владелец: Tdk株式会社. Дата публикации: 2022-09-29.

Resin composition for nonaqueous electrolyte secondary battery, separator for nonaqueous electrolyte secondary battery using same, resin composition for electrode mixture layer, electrode for nonaqueous electrolyte secondary battery, and nonaqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: EP3806190A4. Автор: Yoshiyuki Nagasawa,Aya SHIKE. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Compositions, layerings, electrodes & methods for making

Номер патента: US20130181678A1. Автор: Kostantinos Kourtakis,Brent Wise. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2013-07-18.

Current Collector Having Pore-Forming Functional Coating Layer, Electrode Sheet and Battery

Номер патента: US20230327133A1. Автор: Hui Cao,Yi Yao,Min Hou,Yingying GUO,Chan LIU,Yaqing Yang. Владелец: Rept Battero Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Gas diffusion layer, electrode and membrane electrode assemby for fuel cell, and production methods thereof

Номер патента: EP1538689A3. Автор: Yoichiro Tsuji,Makoto Uchida,Yoshihiro Hori,Teruhisa Kanbara,Masaki Yamauchi,Hisaaki Gyoten,Akihito Yoshida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-01-07.

Current collector having pore-forming functional coating layer, electrode sheet and battery

Номер патента: EP4261925A1. Автор: Hui Cao, Yi Yao, Min Hou, Chan Liu, Yingying Guo, Yaqing Yang. Владелец: Rept Battero Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Layer electrode for electro-chemical components and electrochemical double layer capacitor having said layer electrode

Номер патента: AU2002242628A1. Автор: Thomas Scholz,Christoph Weber. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2002-10-08.

Electronic device with antennas isolated using phase shifter

Номер патента: US09461674B2. Автор: Robert W. Schlub,Miroslav Samardzija,Qingxiang Li,Salih Yarga. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Layered electrode materials and methods for rechargeable zinc batteries

Номер патента: EP3721495A4. Автор: Brian D. Adams,Ryan D. BROWN,Susi JIN,Marine CUISINIER. Владелец: Salient Energy Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Solid electrolyte layer, electrode layer for secondary battery and all solid secondary battery

Номер патента: US09472827B2. Автор: Hiroshi Suyama,Shigenori Hama,Satoshi Wakasugi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Solvent for preparing solid electrolyte layer, binder composition comprising same, and solid electrolyte layer, electrode, and all-solid battery formed by using same

Номер патента: US20240079639A1. Автор: Seungsik Hwang,Mokwon Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Data and power communication cable with galvanic isolation protection

Номер патента: US20210021301A1. Автор: David Miller,Devang Parekh. Владелец: Cosemi Technologies Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Data and power communication cable with galvanic isolation protection

Номер патента: WO2021011856A1. Автор: David Miller,Devang Parekh. Владелец: COSEMI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

Logic signals galvanic isolation device (embodiments)

Номер патента: RU2661278C1. Автор: Александр Васильевич Яковлев,Федор Владимирович Молев,Алексей Геннадьевич Сергушев,Андрей Геннадьевич Скворцов. Владелец: Открытое акционерное общество "Авангард". Дата публикации: 2018-07-13.

System and method for heating fluid using galvanically isolated electrical energy having zero voltage to ground

Номер патента: WO2024206929A1. Автор: Grégoire QUERE. Владелец: WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY. Дата публикации: 2024-10-03.

Galvanic isolator

Номер патента: US09496926B2. Автор: Bradley A. Kramer,Swaminathan Sankaran,Mark W. Morgan,Gregory E. Howard,Bharadvaj Bhamidipati. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Data transmission device with galvanic isolation by means of pulse transformer

Номер патента: RU2714224C1. Автор: Владимир Николаевич Ануфриев,Александр Васильевич Лужбинин,Михаил Ильич Павлюк. Владелец: Акционерное общество "ПКК МИЛАНДР". Дата публикации: 2020-02-13.

Electronic Control Unit For A Vehicle With Galvanically Isolated Supply Voltages On A Single Printed Circuit Board

Номер патента: US20220153167A1. Автор: Uwe Ulbrich,Robert Istvan Loerincz,Radu Bunea,Catalin Purdel,Michael Boehme,Vlad Catalin Ruxandu. Владелец: Vitesco Technologies Germany GMBH. Дата публикации: 2022-05-19.

High-bandwidth analog-controlled dc breaker on dc/dc converter with galvanic isolation

Номер патента: US20200244157A1. Автор: Nathaniel Smith. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-07-30.

Communicating across galvanic isolation, for example, in a power converter

Номер патента: US09948294B2. Автор: Matthias Peter,Jan Thalheim. Владелец: Power Integrations Switzerland GmbH. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for galvanic isolation for inverter for electric vehicle

Номер патента: WO2024069368A1. Автор: Seyed R. Zarabadi,Srikanth Vijaykumar. Владелец: Delphi Technologies IP Limited. Дата публикации: 2024-04-04.

Apparatus, method, and system for galvanically isolated control and monitoring of LED drivers

Номер патента: US09781780B1. Автор: David L. Blanchard,Andrew J. Schembs,Kevin D. Van Arendonk. Владелец: Musco Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Galvanically isolated dc/dc converter and method of controlling a galvanically isolated dc/dc converter

Номер патента: WO2012175143A1. Автор: Jens Biebach,Kay Peschke. Владелец: L-3 Communications Magnet-Motor GmbH. Дата публикации: 2012-12-27.

Galvanically isolated charge balance system

Номер патента: US20080180063A1. Автор: Eamon Hynes,John Wynne. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-07-31.

Galvanically isolated charge balance system

Номер патента: WO2008091640A2. Автор: Eamon Hynes,John Wynne. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2008-07-31.

Galvanically isolated dc/dc converter and method of controlling a galvanically isolated dc/dc converter

Номер патента: EP2724455A1. Автор: Jens Biebach,Kay Peschke. Владелец: L3 Communications Magnet Motor GmbH. Дата публикации: 2014-04-30.

Electromagnetic coupling galvanic isolated digital output circuit with output feedback

Номер патента: US20070046501A1. Автор: Yi-Chang Lee,Chun-Hsiao Wang. Владелец: Netio Networking Tech. Дата публикации: 2007-03-01.

Galvanically isolated dc/dc converter and method of controlling a galvanically isolated dc/dc converter

Номер патента: US20140355311A1. Автор: Jens Biebach,Kay Peschke. Владелец: L3 Communications Magnet Motor GmbH. Дата публикации: 2014-12-04.

Sauna with galvanically isolated electrical fault detection and analytics

Номер патента: US20240319236A1. Автор: Aaron Michael Zack,Steven Bell. Владелец: Sunlighten Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Galvanically isolated DC/DC converter and method of controlling a galvanically isolated DC/DC converter

Номер патента: US09479062B2. Автор: Jens Biebach,Kay Peschke. Владелец: L3 Communications Magnet Motor GmbH. Дата публикации: 2016-10-25.

Determination of the input voltage for the galvanic isolation point

Номер патента: RU2764282C1. Автор: Уиллиам М. МАНСФИЛД. Владелец: Майкро Моушн, Инк.. Дата публикации: 2022-01-17.

Galvanically isolated DC/DC converter and method of controlling a galvanically isolated DC/DC converter

Номер патента: US09590516B2. Автор: Jens Biebach,Kay Peschke. Владелец: L3 Communications Magnet Motor GmbH. Дата публикации: 2017-03-07.

Systems and methods for improving common mode transient immunity in silicon digital isolators using capacitive barrier for galvanic isolation

Номер патента: WO2024025976A1. Автор: Siddharth DUTTA. Владелец: Kinetic Technologies International Holdings LP. Дата публикации: 2024-02-01.

Galvanic isolation circuitry and associated low power wakeup methods

Номер патента: US11811542B1. Автор: Frederick Avery LaBach. Владелец: NDSL Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

High-temperature power module integrated with an optically galvanic isolated gate driver

Номер патента: US20230119193A1. Автор: ZHONG Chen,David Gonzalez,Shui-Qing Yu,Syam Madhusoodhanan,Alan Mantooth,Pengyu Lai. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2023-04-20.

Configurable analog input channel with galvanic isolation

Номер патента: US20110227773A1. Автор: Daniel Milton Alley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2011-09-22.

Inverter assembly without galvanic isolation

Номер патента: US09577507B2. Автор: Chun Suk Yang,Deokyoung Lim. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Systems and methods for improving common mode transient immunity in silicon digital isolators using capacitive barrier for galvanic isolation

Номер патента: US20240039769A1. Автор: Siddharth DUTTA. Владелец: Kinetic Technologies International Holdings LP. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated circuit with galvanic isolation

Номер патента: US20230117387A1. Автор: Thomas Ferianz,Andrea Morici. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-04-20.

Isolated driver device, corresponding electronic system and method of transmitting a data signal across a galvanic isolation barrier

Номер патента: EP4376298A1. Автор: Valerio Bendotti,Carlo CURINA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-29.

Galvanically isolated switch system

Номер патента: US09515651B2. Автор: Ross E. Teggatz,Wayne T. Chen. Владелец: TRIUNE IP LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

High-bandwidth analog-controlled DC breaker on DC/DC converter with galvanic isolation

Номер патента: US11888403B2. Автор: Nathaniel Smith. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2024-01-30.

Galvanic isolation for relay device

Номер патента: US20190067930A1. Автор: Miroslav Oljaca,Barry J. Male,Ajinder Singh,David W. Stout. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Alternating-to-direct current converter with galvanic isolation

Номер патента: RU2454780C2. Автор: Франсуа ГИЙО,Жан-Мари КУРТЕЙ. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2012-06-27.

Resistance measuring circuit for sensor with galvanic isolation

Номер патента: RU2350003C2. Автор: Кари-Матти ЛААКСО,Андреас БЕРТС,Кари-Матти ЛААКСО (FI),Андреас БЕРТС (FI). Владелец: Абб Ой. Дата публикации: 2009-03-20.

Bi-directional optimizers for battery storage systems with galvanic isolation

Номер патента: US20190372361A1. Автор: Oleg S. Fishman,Zekeriya Dereli,Hanan Fishman,David Luksenberg. Владелец: Alencon Acquisition Co LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Direct electrical heating of process heaters tubes using galvanic isolation techniques

Номер патента: WO2024068963A1. Автор: Lanyon Carr,Grégoire QUERE,Benoît STEFANSKI. Владелец: Eurotherm Automation. Дата публикации: 2024-04-04.

Module Having Measurement Signal Feedback Via A Galvanically Isolated Converter

Номер патента: US20160105121A1. Автор: Christoph Vonach,Mathias DUNSER,Martin Mohr. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-04-14.

Galvanic isolated device and corresponding system

Номер патента: US20200252137A1. Автор: Philippe Marchand,Claude Fouque,Frédérique SALOU. Владелец: InterDigital CE Patent Holdings SAS. Дата публикации: 2020-08-06.

Galvanic isolated device and corresponding system

Номер патента: EP3688873A1. Автор: Philippe Marchand,Claude Fouque,Frédérique SALOU. Владелец: InterDigital CE Patent Holdings SAS. Дата публикации: 2020-08-05.

Galvanic isolated device and corresponding system

Номер патента: WO2019063771A1. Автор: Philippe Marchand,Claude Fouque,Frédérique SALOU. Владелец: INTERDIGITAL CE PATENT HOLDINGS. Дата публикации: 2019-04-04.

Switch for connecting field apparatuses and device for galvanically isolating at least one apparatus which is connectable to a 2-wire Ethernet bus system

Номер патента: US12126468B2. Автор: Martin Meyer,Jens Gottron,Ivan KNJASEV. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-10-22.

Acoustic galvanic isolation device

Номер патента: US09820056B2. Автор: Sophie Ngo,Daniel Alquier,Dominique Certon. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2017-11-14.

Galvanically isolated output variable pulse generator disclosure

Номер патента: US09706630B2. Автор: Kenneth E. Miller,John G. Carscadden,Ilia Slobodov,Timothy Ziemba,James Prager. Владелец: Eagle Harbor Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Galvanically isolated dc/dc converter and method of controlling a galvanically isolated dc/dc converter

Номер патента: CA2836980C. Автор: Jens Biebach,Kay Peschke. Владелец: L3 Communications Magnet Motor GmbH. Дата публикации: 2020-11-17.

Direct electrical heating of process heater tubes using galvanic isolation techniques

Номер патента: WO2024073655A1. Автор: Jon A. Bickel,Lanyon Carr,Grégoire QUERE,Benoît STEFANSKI. Владелец: Eurotherm Automation SAS. Дата публикации: 2024-04-04.

Galvanically isolated energy storage - tie inverter

Номер патента: US20240097453A1. Автор: Andrew Williams,Ben Gully,Morten Pederson. Владелец: Spoc Automation Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Galvanically isolated energy storage - tie inverter

Номер патента: WO2024064099A1. Автор: Andrew Williams,Ben Gully,Morten Pederson. Владелец: SPOC Automation, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate driver having input and output sides galvanically isolated from one another

Номер патента: US11611332B1. Автор: Heiko Rettinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-03-21.

Determining an input voltage to a galvanic isolation point

Номер патента: CA3108481C. Автор: William M. Mansfield. Владелец: Micro Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Determining an input voltage to a galvanic isolation point

Номер патента: US11750104B2. Автор: William M. Mansfield. Владелец: Micro Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Galvanically isolated switch system

Номер патента: WO2015195403A1. Автор: Ross E. Teggatz,Wayne T. Chen. Владелец: TRIUNE IP LLC. Дата публикации: 2015-12-23.

Galvanic isolator

Номер патента: US20090213514A1. Автор: Mark Grasser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Isolated driver device, corresponding electronic system and method of transmitting a data signal across a galvanic isolation barrier

Номер патента: US20240178835A1. Автор: Valerio Bendotti,Carlo CURINA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-30.

Bidirectional galvanically isolated channel of transmission

Номер патента: RU2413308C2. Автор: Йорг БЛАНКЕ,Хайнц-Вильгельм МЕЙЕР. Владелец: Финикс Контакт Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2011-02-27.

Galvanically isolated transmission of power and information to an electronic unit

Номер патента: US5949659A. Автор: Wolfgang Lesche. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-09-07.

Galvanic isolated device and corresponding system

Номер патента: EP3462616A1. Автор: Philippe Marchand,Claude Fouque,Frédérique SALOU. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2019-04-03.

Device for providing galvanic isolation in an AC power supply to a marine vessel

Номер патента: NO343384B1. Автор: Jens Hjorteset. Владелец: Rolls Royce Marine As. Дата публикации: 2019-02-18.

Direct electrical heating of process heaters tubes using galvanic isolation techniques

Номер патента: WO2024069232A1. Автор: Grégoire QUERE. Владелец: Eurotherm Automation SAS. Дата публикации: 2024-04-04.

Direct electrical heating of process heater tubes using galvanic isolation techniques

Номер патента: US20240114598A1. Автор: Grégoire QUERE. Владелец: Eurotherm Automation SAS. Дата публикации: 2024-04-04.

Direct electrical heating of process heater tubes using galvanic isolation techniques

Номер патента: WO2024069233A1. Автор: Grégoire QUERE. Владелец: Eurotherm Automation SAS. Дата публикации: 2024-04-04.

Direct electrical heating of process heaters tubes using galvanic isolation techniques

Номер патента: WO2024068966A1. Автор: Lanyon Carr,Grégoire QUERE,Benoît STEFANSKI. Владелец: Eurotherm Automation. Дата публикации: 2024-04-04.

Switch for Connecting Field Apparatuses and Device for Galvanically Isolating at Least One Apparatus which is Connectable to a 2-wire Ethernet Bus System

Номер патента: US20230006864A1. Автор: Martin Meyer,Jens Gottron,Ivan KNJASEV. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-01-05.

Electromagnetic coupling galvanic isolated solid state relay with output feedback

Номер патента: US20070268649A1. Автор: Tom Wang. Владелец: Netio Tech Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-22.

Bulk Acoustic Resonators with Multi-Layer Electrodes

Номер патента: US20090302973A1. Автор: Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,David Hart. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for forming a multi-layer electrode underlying a piezoelectric layer and related structure

Номер патента: US20090045704A1. Автор: Paul P. Gehlert,Christopher F. Shepard,Bradley P. Barber,Craig E. Carpenter. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Performing telemetry, data gathering, and failure isolation using non-volatile memory

Номер патента: US09912474B2. Автор: Saurabh Gupta,Vincent J. Zimmer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Seamless path monitoring and rapid fault isolation using bidirectional forwarding detection in a network environment

Номер патента: US09497107B1. Автор: Carlos M. Pignataro,Muthurajah Sivabalan,David D. Ward,Nagendra Kumar Nainar,Tarek Saad,Nobushige Akiya. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Galvanically isolated monitoring circuit

Номер патента: WO2015049510A1. Автор: Helen Pollock,Charles Pollock. Владелец: TECHNELEC LTD. Дата публикации: 2015-04-09.

Galvanic isolation coupling of current loop

Номер патента: EP1076323B1. Автор: Erkki Miettinen. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2004-12-22.

Galvanic isolation coupling of current loop

Номер патента: EP1076323A3. Автор: Erkki Miettinen. Владелец: Abb Industry Oy. Дата публикации: 2003-12-17.

Galvanic isolated output element for side hole making

Номер патента: RU2564290C2. Автор: Дэвид Джо Стил,Майкл Пол ЦИММЕРМАН,Пао-ши ЧЭНЬ. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2015-09-27.

Dc/rf blood cell detector using isolated bridge circuit having automatic amplitude and phase balance components

Номер патента: WO2000052450B1. Автор: Isay Goltman,Melwyn F Sequeira,Mirjana Milosevic-Kvajic. Владелец: Coulter Int Corp. Дата публикации: 2001-03-01.

Micromechanical component with a separate, galvanic isolated active structure and an operating method of such a component

Номер патента: RU2653112C2. Автор: Гюнтер ШПАХЛИНГЕР. Владелец: Нортроп Грумман Литеф Гмбх. Дата публикации: 2018-05-07.

Apparatus for transmitting information through a galvanic isolation barrier

Номер патента: RU2769675C2. Автор: Сергей Иванович Орлов. Владелец: Сергей Иванович Орлов. Дата публикации: 2022-04-04.

Galvanically isolated current transmitter with self-adjustment on recognition of operating conditions

Номер патента: WO2016180499A1. Автор: Carlo Gattanini. Владелец: Pepperl + Fuchs Gmbh. Дата публикации: 2016-11-17.

Direct electrical heating of process heater tubes using galvanic isolation techniques

Номер патента: US20240024834A1. Автор: Jon A. Bickel,Lanyon Carr,Grégoire QUERE,Benoît STEFANSKI. Владелец: Eurotherm Automation SAS. Дата публикации: 2024-01-25.

Galvanically isolated functional test for components

Номер патента: US20110291672A1. Автор: Gernot Spiegelberg,Thomas Komma,Simon Hüttinger,Kai Kriegel,Jürgen Rackles. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2011-12-01.

Common mode evaluation in a differential galvanic isolation signal transmission circuit

Номер патента: US20240183883A1. Автор: Tommaso Bacigalupo,Marcus Nuebling. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Single layered electrode structure

Номер патента: US09678612B2. Автор: Tzu-Wei Liu. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2017-06-13.

Double-layer electrode for hydrogen production through water electrolysis, preparation method therefor and application thereof

Номер патента: EP4424880A1. Автор: Liping Liu,Long Pan,Tao Wang,Chang Zhang,Jinyi Wang,Xianming Xu,Haijiao GUO. Владелец: Sichuan Huaneng Hydrogen Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Redistribution layer routing for integrated fan-out wafer-level chip-scale packages

Номер патента: US09928334B2. Автор: Yao-Wen Chang,Chun-Yi Yang,Bo-Qiao Lin,Ting-Chou Lin. Владелец: AnaGlobe Tech Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Dual layer electrode used with electrophotographic photoconductor

Номер патента: US4764442A. Автор: Hideki Akiyoshi,Satoshi Otomura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1988-08-16.

Method of manufacturing multi-layer electrode for a capacitive pressure sensor and multi-layer electrodes formed therefrom

Номер патента: US20220155107A1. Автор: Stuart C. Salter,Pietro Buttolo,Paul Kenneth Dellock,Richard Gall,Jim Robert Chascsa. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2022-05-19.

A multi-layered electrode for sensing ph

Номер патента: EP4055377A1. Автор: Mikko Kalevi VEPSÄLÄINEN,Abraham Eliahu BENDAVID. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2022-09-14.

A multi-layered electrode for sensing ph

Номер патента: CA3155722A1. Автор: Mikko Kalevi VEPSÄLÄINEN,Abraham Eliahu Ben-David. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2021-05-14.

A multi-layered electrode for sensing ph

Номер патента: WO2021087569A1. Автор: Mikko Kalevi VEPSÄLÄINEN,Abraham Eliahu BENDAVID. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation. Дата публикации: 2021-05-14.

Method of manufacturing multi-layer electrode for a capacitive pressure sensor and multi-layer electrodes formed therefrom

Номер патента: US20230184568A1. Автор: Stuart C. Salter,Pietro Buttolo,Paul Kenneth Dellock,Richard Gall,Jim Robert Chascsa. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of manufacturing multi-layer electrode for a capacitive pressure sensor and multi-layer electrodes formed therefrom

Номер патента: US11860004B2. Автор: Stuart C. Salter,Pietro Buttolo,Paul Kenneth Dellock,Richard Gall,Jim Robert Chascsa. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Automatic redistribution layer via generation

Номер патента: US11960813B2. Автор: Liane Martinez,Rajagopalan Venkatramani,Renato Dimatula Gaddi,Warren Alexander Santos,Dennis Glenn Lozanta Surell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Automatic redistribution layer via generation

Номер патента: EP4381414A1. Автор: Liane Martinez,Rajagopalan Venkatramani,Renato Dimatula Gaddi,Warren Alexander Santos,Dennis Glenn Lozanta Surell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Automated redistribution layer power connections

Номер патента: US20230032595A1. Автор: Liane Martinez,Rajagopalan Venkatramani,Renato Dimatula Gaddi,Dennis Glenn Lozanta Surell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Automated redistribution layer power connections

Номер патента: EP4381416A1. Автор: Liane Martinez,Rajagopalan Venkatramani,Renato Dimatula Gaddi,Dennis Glenn Lozanta Surell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for routing of redistribution layers in ic package

Номер патента: US20240265186A1. Автор: Yao-Wen Chang,Yu-Tsang Hsieh,Min-Hsuan CHUNG,Je-Wei Chuang. Владелец: AnaGlobe Tech Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of Redistribution Layer Routing for 2.5-Dimensional Integrated Circuit Packages

Номер патента: US20190370433A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chih-Che Lin,Chun-Yi Yang,Chun-Han CHIANG,Fu-Yu CHUANG. Владелец: AnaGlobe Tech Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Integrated circuit packages including an optical redistribution layer

Номер патента: US10816742B2. Автор: Thomas Wagner,Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Richard Patten. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Integrated circuit packages including an optical redistribution layer

Номер патента: US20190072732A1. Автор: Thomas Wagner,Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Richard Patten. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Integrated circuit packages including an optical redistribution layer

Номер патента: US20170285280A1. Автор: Thomas Wagner,Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Richard Patten. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Integrated circuit packages including an optical redistribution layer

Номер патента: WO2017172226A1. Автор: Thomas Wagner,Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Marc Dittes,Richard Patten. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Method and system for implementing controlled breaks between features using sub-resolution assist features

Номер патента: US20120102440A1. Автор: Jason Sweis. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2012-04-26.

Optical element and optical isolator using the same

Номер патента: US20090268289A1. Автор: Toshiaki Watanabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Benzocyclobutene-containing polyimide resin and its composition, manufacturing method, redistribution layer, polyimide film, and use

Номер патента: US11732134B2. Автор: Pi-Tao Kuo. Владелец: Chin Yee Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method to increase cloud availability and silicon isolation using secure enclaves

Номер патента: US09798641B2. Автор: RAGHUNANDAN MAKARAM,Robert C. Swanson,Vincent J. Zimmer,Theodros Yigzaw,Eswaramoorthi Nallusamy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods and compositions for rapid protein and peptide extraction and isolation using a lysis matrix

Номер патента: US20020012982A1. Автор: Barbara Flynn,Robert Blakesley,Peter Clausen. Владелец: Invitrogen Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Polarization rotation compensator and optical isolator using the same

Номер патента: CA1253726A. Автор: Masataka Shirasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-05-09.

Method to increase cloud availability and silicon isolation using secure enclaves

Номер патента: WO2017112141A1. Автор: RAGHUNANDAN MAKARAM,Robert C. Swanson,Vincent J. Zimmer,Theodros Yigzaw,Eswaramoorthi Nallusamy. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Single-use isolator with laminar flow and double filtration

Номер патента: CA3100754C. Автор: Jean Pascal Zambaux,Martyn Ryder. Владелец: Solo Containment Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Filling device for filling containers in a single-use isolator

Номер патента: US12077330B2. Автор: Markus Zimmermann. Владелец: Bausch and Stroebel Maschinenfabrik Ilshofen GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-03.

Galvanic isolator and circuit using galvanic isolation

Номер патента: US09866126B2. Автор: Tetsuo Sato. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Galvanically isolated dc/dc converter and method of controlling a galvanically isolated dc/dc converter

Номер патента: EP2724455B1. Автор: Jens Biebach,Kay Peschke. Владелец: L3 Communications Magnet Motor GmbH. Дата публикации: 2016-06-08.

Multi-level DC-DC converter with galvanic isolation and adaptive conversion ratio

Номер патента: US09520798B2. Автор: Rajib Datta,Ravisekhar Nadimpalli Raju,Xu She. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-12-13.

Data integrity via galvanically isolated analog-to-digital converter for industrial systems

Номер патента: US09853749B2. Автор: Renato Bessegato,Mohit Berry. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Frequency multiplier based capacitive galvanically isolated communication link

Номер патента: US20240372572A1. Автор: Daniele Vacca Cavalotto. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

GALVANICALLY ISOLATED DC/DC CONVERTER AND METHOD OF CONTROLLING A GALVANICALLY ISOLATED DC/DC CONVERTER

Номер патента: US20140204616A1. Автор: BIEBACH Jens,Peschke Kay. Владелец: L-3 Communications Magnet-Motor GmbH. Дата публикации: 2014-07-24.

GALVANICALLY ISOLATED DC/DC CONVERTER AND METHOD OF CONTROLLING A GALVANICALLY ISOLATED DC/DC CONVERTER

Номер патента: US20140355311A1. Автор: BIEBACH Jens,Peschke Kay. Владелец: L-3 Communications Magnet-Motor GmbH. Дата публикации: 2014-12-04.

Galvanically isolated dc/dc converter and method of controlling a galvanically isolated dc/dc converter

Номер патента: EP2724454A1. Автор: Jens Biebach,Kay Peschke. Владелец: L3 Communications Magnet Motor GmbH. Дата публикации: 2014-04-30.

Galvanically isolating vehicle electrical system DC voltage converter, vehicle vehicle electrical system with vehicle electrical system DC voltage converter and method for operating a galvanically isolating DC voltage converter

Номер патента: DE102020216184A1. Автор: Jordan Popov. Владелец: Vitesco Technologies Germany GMBH. Дата публикации: 2022-06-23.

Galvanic isolated device and corresponding method and system

Номер патента: US20180019681A1. Автор: Philippe Marchand,Xavier Guitton,Philippe Lepoil,Claude Fouque,Frédérique SALOU. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2018-01-18.

Multi-level dc-dc converter with galvanic isolation and adaptive conversion ratio

Номер патента: US20170070154A1. Автор: Rajib Datta,Ravisekhar Nadimpalli Raju,Xu She. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-03-09.

ALTERNATIVE / CONTINUOUS CONVERTER WITH GALVANIC ISOLATION AND SIGNAL CORRECTOR

Номер патента: FR2979040A1. Автор: Tony Fourmont,Ries Lisandra Kittel,Marc Pontrucher,Nicolas Domblides. Владелец: Sagem Defense Securite SA. Дата публикации: 2013-02-15.

Galvanic isolation device for continuous electrical signals or signals which may contain a continuous element

Номер патента: CA2063637A1. Автор: Jean-Claude Alacoque. Владелец: Gec Alsthom S.A.. Дата публикации: 1992-09-23.

Galvanic isolation device for continuous electrical signals or signals which may contain a continuous element

Номер патента: CA2063637C. Автор: Jean-Claude Alacoque. Владелец: GEC Alsthom SA. Дата публикации: 2003-09-23.

GALVANICALLY ISOLATED DATA ISOLATOR WITH IMPROVED COMMON MODE TRANSIENT REJECTION

Номер патента: US20180041200A1. Автор: Lynch Michael,Moane Brian Anthony. Владелец: ANALOG DEVICES GLOBAL. Дата публикации: 2018-02-08.

Bidirectional, galvanic isolated transmission channel

Номер патента: RU2008138557A. Автор: Йорг БЛАНКЕ,Хайнц-Вильгельм МЕЙЕР,Йорг БЛАНКЕ (DE),Хайнц-Вильгельм МЕЙЕР (DE). Владелец: Финикс Контакт Гмбх Унд Ко. Кг (De). Дата публикации: 2010-04-10.

SWITCHING CONTROL CIRCUIT WITH GALVANIC ISOLATION AND ZERO-VARYING CONDUCTION HOURS AT INFINITY

Номер патента: FR2565744A1. Автор: Klaus Rischmuller. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-12-13.

Acoustic galvanic isolator comprising a single, isolated, decoupled, stacked, bulk acoustic resonator with acoustically resonant electrical insulator

Номер патента: DE102006048632A1. Автор: John D. III Palo Alto Larson. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Galvanically isolated charge balance system

Номер патента: TW200840794A. Автор: Eamon Hynes,John Wynne. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Method, system and apparatus for galvanic isolation of gate-controlled devices

Номер патента: EP2690785B1. Автор: Robert Gregory Wagoner,Robert Allen Seymour. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-13.

Output voltage estimating circuit for a power converter having galvanic isolation between input and output circuits

Номер патента: GB9210964D0. Автор: . Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1992-07-08.

Galvanic isolated device and corresponding system

Номер патента: EP3688873B1. Автор: Philippe Marchand,Claude Fouque,Frédérique SALOU. Владелец: InterDigital CE Patent Holdings SAS. Дата публикации: 2022-08-17.

Envelope detector circuit, corresponding receiver circuit and galvanic isolator device

Номер патента: US12095423B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Nunzio Spina,Egidio Ragonese. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

NV center-based microwave-free galvanically isolated magnetometer

Номер патента: US12092709B2. Автор: Jan Meijer,Robert STAACKE,Bernd Burchard,Arthur Rönisch. Владелец: Quantum Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-09-17.

Switchable polarity bipolar generator with galvanic isolation

Номер патента: AU3259793A. Автор: Thierry Rahban. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-06-28.

Galvanically-isolated data transmission device

Номер патента: US09537582B2. Автор: Sophie Ngo,Arnaud Florence,Daniel Alquier,Edgard Jeanne. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2017-01-03.

Galvanically-Isolated Data Transmission Device

Номер патента: US20130135970A1. Автор: Sophie Ngo,Arnaud Florence,Daniel Alquier,Edgard Jeanne. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2013-05-30.

Communication interface for galvanic isolation

Номер патента: US20130279549A1. Автор: Remco Van De Beek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-24.

DEVICE AND METHOD FOR INTERFACING A DIMMING CONTROL INPUT TO A DIMMABLE LIGHTING DRIVER WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20130320883A1. Автор: Zheng Sanbao. Владелец: KONINKJIKE PHILLIPS N.V.. Дата публикации: 2013-12-05.

COMMUNICATING ACROSS GALVANIC ISOLATION, FOR EXAMPLE, IN A POWER CONVERTER

Номер патента: US20170012622A1. Автор: Peter Matthias,THALHEIM JAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

GALVANIC ISOLATED DEVICE AND CORRESPONDING METHOD AND SYSTEM

Номер патента: US20180019681A1. Автор: MARCHAND Philippe,Guitton Xavier,FOUQUE Claude,SALOU Frederique,Lepoil Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

ENDOSCOPY ARRANGEMENT WITH GALVANIC ISOLATION AND ASSOCIATED METHOD

Номер патента: US20190020507A1. Автор: KÖHLER ALEXANDER,Hornbach Mathias. Владелец: Scholly Fiberoptic GMBH. Дата публикации: 2019-01-17.

DATA AND POWER COMMUNICATION CABLE WITH GALVANIC ISOLATION PROTECTION

Номер патента: US20210021301A1. Автор: MILLER DAVID,Parekh Devang. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

INVERTER ASSEMBLY WITHOUT GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20160028300A1. Автор: YANG Chun Suk,LIM DEOKYOUNG. Владелец: LSIS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-01-28.

COMMUNICATING ACROSS GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20170033603A1. Автор: Peter Matthias,THALHEIM JAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Galvanic Isolator

Номер патента: US20170033614A1. Автор: Howard Gregory E.,Sankaran Swaminathan,Morgan Mark W.,Bhamidipati Bharadvaj,Kramer Bradley A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

GALVANICALLY ISOLATED SWITCH SYSTEM

Номер патента: US20220052685A1. Автор: Teggatz Ross E.,Chen Wayne T.. Владелец: TRIUNE IP LLC. Дата публикации: 2022-02-17.

TRANSMITTING DEVICE FOR TRANSMITTING DIGITAL SIGNALS BETWEEN GALVANICALLY ISOLATED CIRCUIT PARTS, AND FIELD DEVICE HAVING A TRANSMITTING DEVICE OF THIS TYPE

Номер патента: US20220060182A1. Автор: Grözinger Roland,Daufeld Ghislain,Scherr Stefan,Kempa Arnd. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

SWITCH MODE POWER CONVERTERS USING MAGNETICALLY COUPLED GALVANICALLY ISOLATED LEAD FRAME COMMUNICATION

Номер патента: US20140133186A1. Автор: Balakrishnan Balu,Matthews David Michael Hugh. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

CIRCUIT ARRANGEMENT HAVING AN OVERLOAD PROTECTION FOR GALVANIC ISOLATION UNITS

Номер патента: US20140139962A1. Автор: Voss Christian. Владелец: WAGO Verwaltungsgesellschaft mbH. Дата публикации: 2014-05-22.

MULTI-LEVEL DC-DC CONVERTER WITH GALVANIC ISOLATION AND ADAPTIVE CONVERSION RATIO

Номер патента: US20160065081A1. Автор: Raju Ravisekhar Nadimpalli,Datta Rajib,She Xu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

GALVANIC ISOLATION FOR RELAY DEVICE

Номер патента: US20190067930A1. Автор: Oljaca Miroslav,Male Barry J.,STOUT DAVID W.,SINGH AJINDER. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

MULTI-LEVEL DC-DC CONVERTER WITH GALVANIC ISOLATION AND ADAPTIVE CONVERSION RATIO

Номер патента: US20170070154A1. Автор: Raju Ravisekhar Nadimpalli,Datta Rajib,She Xu. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

A METHOD OF TRANSMITTING POWER AND DATA ACROSS A GALVANIC ISOLATION BARRIER, CORRESPONDING SYSTEM AND APPARATUS

Номер патента: US20170070354A1. Автор: RAGONESE Egidio,PALMISANO Giuseppe,Greco Nunzio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2017-03-09.

Linear Solid-State Lighting With Galvanic Isolation

Номер патента: US20170079115A1. Автор: Hsia Chungho. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

GALVANICALLY ISOLATED SWITCH SYSTEM

Номер патента: US20170085262A1. Автор: Teggatz Ross E.,Chen Wayne T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Module Having Measurement Signal Feedback Via A Galvanically Isolated Converter

Номер патента: US20160105121A1. Автор: Vonach Christoph,Dunser Mathias,Mohr Martin. Владелец: Tridonic GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2016-04-14.

GALVANIC ISOLATION IN THE POWER ELECTRONICS SYSTEM IN A CHARGING STATION OR ELECTRICITY CHARGING STATION

Номер патента: US20190106000A1. Автор: Kiefer Michael,Heyne Raoul,Speidel Thomas,Joslowski Florian,Natour Ali. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

GALVANICALLY-ISOLATED SIGNALING BETWEEN MODULES WITH STEP-UP TRANSFORMER

Номер патента: US20180109257A1. Автор: Ptacek Karel,BURTON Richard Scott. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

Galvanic isolation device for a lin bus system

Номер патента: US20210126811A1. Автор: Robert Reichert. Владелец: Nidec Drivexpert GmbH. Дата публикации: 2021-04-29.

Galvanically isolated switch system

Номер патента: US20200119731A1. Автор: Ross E. Teggatz,Wayne T. Chen. Владелец: TRIUNE IP LLC. Дата публикации: 2020-04-16.

CONVERTER WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20140218978A1. Автор: Fahlenkamp Marc,HEUKEN Tobias. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-07.

CAPACITIVE DATA TRANSMISSION OVER A GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20220303160A1. Автор: Nuebling Marcus. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

GALVANIC ISOLATED GATE DRIVER BASED ON A TRANSFORMER USED FOR BOTH POWER TRANSFER FROM PRIMARY TO SECONDARY COIL AND DATA TRANSMISSION

Номер патента: US20220311433A1. Автор: Miatton Daniele,MORINI Sergio. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-09-29.

POWER OSCILLATOR APPARATUS WITH TRANSFORMER-BASED POWER COMBINING FOR GALVANICALLY-ISOLATED BIDIRECTIONAL DATA COMMUNICATION AND POWER TRANSFER

Номер патента: US20150180528A1. Автор: RAGONESE Egidio,PALMISANO Giuseppe,Lombardo Pierpaolo,Spina Nunzio,FIORE Vincenzo. Владелец: STMicroelectronics S.r.I.. Дата публикации: 2015-06-25.

ACOUSTIC GALVANIC ISOLATION DEVICE

Номер патента: US20160183007A1. Автор: NGO Sophie,ALQUIER Daniel,Certon Dominique. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

A GALVANICALLY ISOLATED RESONANT POWER CONVERTER ASSEMBLY

Номер патента: US20180175741A1. Автор: Andersen Thomas,Mønster Jakob Døllner. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

DEVICE AND METHOD FOR DETERMINING A SETPOINT CORRECTED FOR THE NEUTRAL CURRENT OF AN ELECTRICAL OR HYBRID AUTOMOTIVE VEHICLE BATTERY CHARGER WITHOUT GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20170182904A1. Автор: KVIESKA Pedro,MERIENNE Ludovic. Владелец: RENAULT S.A.S.. Дата публикации: 2017-06-29.

DATA INTEGRITY VIA GALVANICALLY ISOLATED ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER FOR INDUSTRIAL SYSTEMS

Номер патента: US20160204884A1. Автор: Bessegato Renato,Berry Mohit. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

GALVANICALLY ISOLATED DC-DC CONVERTER WITH BIDIRECTIONAL DATA TRANSMISSION

Номер патента: US20180198372A1. Автор: RAGONESE Egidio,PALMISANO Giuseppe,PARISI Alessandro,Lombardo Pierpaolo,Spina Nunzio,Greco Nunzio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2018-07-12.

COMMUNICATING ACROSS GALVANIC ISOLATION, FOR EXAMPLE, IN A POWER CONVERTER

Номер патента: US20180198444A1. Автор: Peter Matthias,THALHEIM JAN. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Circuit for Signal Transfer and Galvanic Isolation

Номер патента: US20150222241A1. Автор: Brudermann Matthias,Kollmer Daniel,Werle Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Clocked Power Supply Unit with Galvanic Isolation

Номер патента: US20190229631A1. Автор: Augesky Christian. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

GALVANICALLY ISOLATED OUTPUT VARIABLE PULSE GENERATOR DISCLOSURE

Номер патента: US20150256086A1. Автор: Miller Kenneth E.,Slobodov Ilia,Carscadden John G.,Ziemba Timothy,Prager James. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

GALVANIC ISOLATOR

Номер патента: US20140346887A1. Автор: Howard Gregory E.,Sankaran Swaminathan,Morgan Mark W.,Bhamidipati Bharadvaj,Kramer Bradley A.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORTED. Дата публикации: 2014-11-27.

HIGH-BANDWIDTH ANALOG-CONTROLLED DC BREAKER ON DC/DC CONVERTER WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20200244157A1. Автор: Smith Nathaniel. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

GALVANIC ISOLATED DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM

Номер патента: US20200252137A1. Автор: MARCHAND Philippe,FOUQUE Claude,SALOU Frederique. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

LATERAL TRANSMISSION OF SIGNALS ACROSS A GALVANIC ISOLATION BARRIER

Номер патента: US20190265313A1. Автор: Gruber Hermann,Raberg Wolfgang,WILLE Holger,MORINI Sergio. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

CIRCUIT ARRANGEMENT WITH GALVANIC ISOLATION BETWEEN ELECTRONIC CIRCUITS

Номер патента: US20200266817A1. Автор: Gruber Hermann,Ferianz Thomas,Muellauer Markus. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

LOW LOSS GALVANIC ISOLATION CIRCUITRY

Номер патента: US20180278229A1. Автор: Haroun Baher,Sankaran Swaminathan,Kramer Bradley Allen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-27.

COMMUNICATING BETWEEN GALVANICALLY ISOLATED DEVICES USING WAVEGUIDES

Номер патента: US20160301249A1. Автор: HAMMERSCHMIDT Dirk,Leteinturier Patrick,Witschnig Harald. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

GALVANICALLY ISOLATED LOW-LATENCY SWITCH DRIVE CIRCUIT WITH POWER TRANSFER

Номер патента: US20200280313A1. Автор: Rinne Karl,Duigan Joseph. Владелец: Heyday Integrated Circuits SAS. Дата публикации: 2020-09-03.

GALVANIC ISOLATION CIRCUIT AND SYSTEM AND A CORRESPONDING METHOD OF OPERATION

Номер патента: US20190305775A1. Автор: RAGONESE Egidio,PALMISANO Giuseppe,PARISI Alessandro,Spina Nunzio,Greco Nunzio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2019-10-03.

MASTER-SLAVE SYSTEM ON THE SECONDARY SIDE OF A GALVANIC ISOLATION BARRIER (SELV BARRIER) OF AN OPERATING UNIT

Номер патента: US20150334793A1. Автор: Maier Simon. Владелец: TRIDONIC GMBH & CO KG. Дата публикации: 2015-11-19.

GALVANIC ISOLATION CIRCUIT

Номер патента: US20200313934A1. Автор: SHUVALOV DENIS SERGEEVICH. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

GALVANICALLY ISOLATED AMPLIFIERS AND RELATED METHODS

Номер патента: US20180323759A1. Автор: Lipan Tudor,Cojocaru Christian,Miletic Igor,SAWIRES Michael. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

ELECTRICAL SYSTEM HAVING GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20150357812A1. Автор: Wiemeyer James F.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

REDUNDANT UNIVERSAL IO MODULES WITH INTEGRATED GALVANICALLY ISOLATED (GI) & INTRINSICALLY SAFE (IS) BARRIERS

Номер патента: US20180343763A1. Автор: Bezawada Murali Krishna,KN Dinesh Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

GALVANIC ISOLATION FOR RELAY DEVICE

Номер патента: US20200335963A1. Автор: Oljaca Miroslav,Male Barry J.,STOUT DAVID W.,SINGH AJINDER. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

GALVANICALLY ISOLATED DC-DC CONVERTER WITH BIDIRECTIONAL DATA TRANSMISSION

Номер патента: US20170358993A1. Автор: RAGONESE Egidio,PALMISANO Giuseppe,PARISI Alessandro,Lombardo Pierpaolo,Spina Nunzio,Greco Nunzio. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2017-12-14.

GALVANICALLY ISOLATED SWITCH SYSTEM

Номер патента: US20150372676A1. Автор: Teggatz Ross E.,Chen Wayne T.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING A GALVANICALLY ISOLATED DC CONVERTER

Номер патента: US20180367046A1. Автор: ESTEGHLAL Gholamabas. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-12-20.

BI-DIRECTIONAL OPTIMIZERS FOR BATTERY STORAGE SYSTEMS WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20190372361A1. Автор: Fishman Oleg S.,DERELI ZEKERIYA,FISHMAN HANAN,LUKSENBERG David. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

SOLID-STATE CIRCUIT BREAKER WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20200395748A1. Автор: Kennedy Ryan,Kouroussis Denis,Miller Frederick,Santore Taylor. Владелец: Atom Power, Inc.. Дата публикации: 2020-12-17.

NV center based, microwave-free and galvanically isolated sensor module

Номер патента: DE102021101568A1. Автор: Jan Meijer,Bernd Burchard,Robert Staake,Arthur Röhnisch. Владелец: Turck Duotec GmbH. Дата публикации: 2021-08-05.

NV center based, microwave-free and galvanically isolated magnetometer with quantum point measurement over a sensor element surface

Номер патента: DE102021101566A1. Автор: Jan Meijer,Bernd Burchard,Arthur Rönisch,Robert Staake. Владелец: Turck Duotec GmbH. Дата публикации: 2021-08-05.

NV center based, microwave-free and galvanically isolated magnetometer with a circuit board made of glass

Номер патента: DE102021101565A1. Автор: Jan Meijer,Bernd Burchard,Robert Staake,Arthur Röhnisch. Владелец: Turck Duotec GmbH. Дата публикации: 2021-08-05.

Nv center-based microwave-free galvanically isolated magnetometer

Номер патента: WO2021151429A2. Автор: Jan Meijer,Robert STAACKE,Bernd Burchard,Arthur Rönisch. Владелец: Quantum Technologies UG (haftungsbeschränkt). Дата публикации: 2021-08-05.

NV center based, microwave-free and galvanically isolated magnetometer with HD NV diamonds

Номер патента: DE102021101567A1. Автор: Jan Meijer,Bernd Burchard,Robert Staake,Arthur Röhnisch. Владелец: Turck Duotec GmbH. Дата публикации: 2021-08-05.

NV center based microwave free and galvanically isolated magnetometer

Номер патента: DE112021000209A5. Автор: Jan Meijer,Robert STAACKE,Bernd Burchard,Arthur Rönisch. Владелец: Duotec GmbH. Дата публикации: 2022-08-18.

RIPPLE DETECTOR FOR MONITORING A SUPPLY TO GALVANICALLY ISOLATED GATE DRIVER

Номер патента: US20220360163A1. Автор: Krug Michael,Weinmann Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Transless with solid-state switch control is galvanically isolated onboard charger

Номер патента: CN106451696B. Автор: A·阿尔巴娜,M·N·阿拉法特,W·T·伊凡,M·N·安瓦尔,M·特莫扎德. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2019-04-05.

Acoustic galvanic isolator including series-coupled decoupled stacked bulk acoustic resonators

Номер патента: JP5188694B2. Автор: ジョン・ディー・ラーソン，ザ・サード,イアン・ハードキャッスル. Владелец: アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド. Дата публикации: 2013-04-24.

Galvanically isolated low-latency switch drive circuit with power transfer

Номер патента: WO2019068932A1. Автор: Karl Rinne,Joseph Duigan. Владелец: Heyday Integrated Circuits SAS. Дата публикации: 2019-04-11.

Circuit for transmission of galvanically isolated digital signals

Номер патента: EP0977406B1. Автор: Stephan Dipl.-Ing. Konrad. Владелец: Endress and Hauser Wetzer GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-09-23.

Inverter assembly without galvanic isolation

Номер патента: KR20160011867A. Автор: 양천석,임덕영. Владелец: 엘에스산전 주식회사. Дата публикации: 2016-02-02.

Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators

Номер патента: CN1953433B. Автор: 约翰·D·拉森三世,伊安·哈蒂卡斯特勒. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Transceiver with galvanic isolation device

Номер патента: CN110798240A. Автор: M·弗雷,T·弗赖塔格. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2020-02-14.

Device for providing galvanic isolation in an AC power supply to a marine vessel

Номер патента: NO20171852A1. Автор: Jens Hjorteset. Владелец: Rolls Royce Marine As. Дата публикации: 2019-02-18.

Acoustic galvanic isolator

Номер патента: GB2431533B. Автор: John D Larson Iii,Ian Hardcastle. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

DEVICE FOR TRANSMITTING GALVANIC ISOLATION INFORMATION

Номер патента: FR2983349B1. Автор: Sophie Ngo,Arnaud Florence,Daniel Alquier,Edgard Jeanne. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2013-12-13.

GALVANIC ISOLATION DEVICE FOR CONTINUOUS ELECTRIC SIGNALS OR LIKELY TO CONTAIN A CONTINUOUS COMPONENT.

Номер патента: FR2674385A1. Автор: Alacoque Jean-Claude. Владелец: GEC Alsthom SA. Дата публикации: 1992-09-25.

METHOD AND APPARATUS FOR MONOPHASE CONTROL OF A CHARGER OF ELECTRICAL OR HYBRID TRACTION VEHICLES ONBOARD WITHOUT GALVANIC ISOLATION

Номер патента: FR3048830A1. Автор: Alain Gascher,Bertrand Revol,Christelle Saber,Denis Labrousse. Владелец: CNAM Conservatoire National des Arts et Metiers. Дата публикации: 2017-09-15.

ACOUSTIC DEVICE FOR GALVANIC ISOLATION

Номер патента: FR3030943A1. Автор: Sophie Ngo,Daniel Alquier,Dominique Certon. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2016-06-24.

Alternating current to direct current converter i.e. galvanic isolation alternating current to direct current converter, for electrical distribution network of airplane, has transformer with secondary windings coupled to output line

Номер патента: FR2925790A1. Автор: Francois Guillot,Jean Marie Courteille. Владелец: Sagem Defense Securite SA. Дата публикации: 2009-06-26.

METHOD AND APPARATUS FOR MONOPHASE CONTROL OF A CHARGER OF ELECTRICAL OR HYBRID TRACTION VEHICLES ONBOARD WITHOUT GALVANIC ISOLATION

Номер патента: FR3048830B1. Автор: Alain Gascher,Bertrand Revol,Christelle Saber,Denis Labrousse. Владелец: CNAM Conservatoire National des Arts et Metiers. Дата публикации: 2018-03-09.

Galvanic isolation device with optocoupler, and modem incorporating it.

Номер патента: FR2706701B1. Автор: Bars Philippe Andre Le. Владелец: Apple Computer Inc. Дата публикации: 1997-03-21.

ACOUSTIC DEVICE FOR GALVANIC ISOLATION

Номер патента: FR3030943B1. Автор: Sophie Ngo,Daniel Alquier,Dominique Certon. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2017-07-21.

AC / DC CONVERTER WITH GALVANIC ISOLATION AND SIGNAL CORRECTOR

Номер патента: FR3008258B1. Автор: Tony Fourmont,Julien Brunello. Владелец: Safran Electronics and Defense SAS. Дата публикации: 2018-11-02.

Digital transmission in high parasitic signal environment - suitable for long distance transmission galvanically isolates receiver and transmitter

Номер патента: FR2229328A5. Автор: . Владелец: NOUVELLES TECHN RADIOELE ELECT. Дата публикации: 1974-12-06.

Circuit arrangement with an overload protection for galvanic isolation units

Номер патента: EP2738990A1. Автор: Christian Voss. Владелец: Wago Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 2014-06-04.

Acoustic device for galvanic isolation

Номер патента: EP3034183B1. Автор: Sophie Ngo,Daniel Alquier,Dominique Certon. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2019-02-06.

Method and device for controlling a galvanically isolated DC converter

Номер патента: US10205396B2. Автор: Gholamabas Esteghlal. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-02-12.

Device and method for determining a setpoint corrected for the neutral current of an electrical or hybrid automotive vehicle battery charger without galvanic isolation

Номер патента: KR102203184B1. Автор: 뤼도뷕 메리엔느,페드로 크비에스카. Владелец: 르노 에스.아.에스.. Дата публикации: 2021-01-14.

Power supply with galvanic isolation

Номер патента: US8649192B2. Автор: Fritz Frey. Владелец: R Stahl Schaltgeraete GmbH. Дата публикации: 2014-02-11.

DEVICE FOR TRANSMITTING GALVANIC ISOLATION INFORMATION

Номер патента: FR2983349A1. Автор: Sophie Ngo,Arnaud Florence,Daniel Alquier,Edgard Jeanne. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2013-05-31.

Transmitter arrangement for the galvanically isolated simulation of a direct voltage

Номер патента: DE2423645C3. Автор: Kazuo Ibaraki Katou (Japan). Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-04-27.

ACOUSTIC DEVICE FOR GALVANIC ISOLATION

Номер патента: FR2965991A1. Автор: Sophie Ngo,Daniel Alquier,Edgard Jeanne. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2012-04-13.

Communications System for Implementation of Synchronous, Multichannel, Galvanically Isolated Instrumentation Devices

Номер патента: US20080163000A1. Автор: Buck H. Chan,Richard A. Carlson,Marko Vulovic,James P. McKim,John W. Hyde,John F. Kenny. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Variable voltage variator within a group consisting of a master and at least one slave, with galvanically isolated chaining.

Номер патента: FR2713413B1. Автор: Alain Duchemin. Владелец: Legrand SA. Дата публикации: 1996-03-01.

Telephone subscriber circuit with galvanic isolating element for driving the on/off states of a telephone line

Номер патента: EP0651541A1. Автор: Aldo Torazzina. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1995-05-03.

Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator

Номер патента: US20070090892A1. Автор: John Larson. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Galvanic isolator for coaxial distribution networks

Номер патента: AU2016100894B4. Автор: Shaun Joseph Cunningham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-21.

Galvanically isolated delivery of power to high voltage circuits parts

Номер патента: US7221558B2. Автор: Robert Richardson,David Bernard Fox,Stephen Mark Iskander. Владелец: e2v Technologies UK Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Detector circuit and system for galvanically isolated transmission of digital signals

Номер патента: DE102018204782A1. Автор: Andreas Schubert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-10-02.

Integrated data transmission circuit with galvanic isolation between input and output

Номер патента: EP0875995A1. Автор: Dieter Dipl.Ing. Munz (Fh). Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-11-04.

Crystalline or polycrystalline structure battery cells are charged by a system with galvanically isolated stages

Номер патента: DE202005010542U1. Автор: . Владелец: GERTH Stephan. Дата публикации: 2005-09-08.

Multichannel voltage comparator with galvanic isolated channels

Номер патента: RU2618356C1. Автор: Владимир Елизарович Ермишин. Владелец: Открытое акционерное общество "Рязанское конструкторское бюро "Глобус". Дата публикации: 2017-05-03.

Integrated circuit with A/D or D/A converter with galvanic isolation

Номер патента: EP1052780A3. Автор: Dieter Dipl.-Ing. Munz (Fh),Harald Dipl.-Ing. Günther,Michael Dipl.-Ing. Staudt (Fh),Peter Dr. Thamm. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-08-06.

Systems and methods for bi-directional energy delivery with galvanic isolation

Номер патента: CN101997324A. Автор: L·A·卡尤克. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2011-03-30.

Device and method for determining a setpoint corrected for the neutral current of an electrical or hybrid automotive vehicle battery charger without galvanic isolation

Номер патента: EP3198715B1. Автор: Ludovic Merienne,Pedro Kvieska. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2019-03-13.

Bus coupler for power-circuit control data transmission - includes transformer for galvanic isolation of AC control signals from DC power supply on three wires

Номер патента: DE3939188A1. Автор: Hans Ing Grad Ott. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-06-13.

Linear solid-state lighting with galvanic isolation

Номер патента: US9967927B2. Автор: Chungho Hsia. Владелец: Aleddra Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Galvanically isolated output variable pulse generator disclosure

Номер патента: WO2015131199A1. Автор: Kenneth E. Miller,John G. Carscadden,Ilia Slobodov,Timothy Ziemba,James Prager. Владелец: Eagle Harbor Technologies, Inc.. Дата публикации: 2015-09-03.

Transmission circuit for a substantially direct voltage with galvanic isolation between input und output

Номер патента: EP0625769A1. Автор: Jean Gadreau. Владелец: Schneider Electric SE. Дата публикации: 1994-11-23.

Variable voltage variator within a group consisting of a master and at least one slave, with galvanically isolated chaining.

Номер патента: FR2713413A1. Автор: Duchemin Alain. Владелец: Legrand SA. Дата публикации: 1995-06-09.

Triac control circuit without galvanic isolation

Номер патента: EP1435691A1. Автор: Benoit Peron,Laurent Gonthier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-07-07.

Circuit arrangement for galvanic isolation of interacting signal circuits, in particular direct current signal circuits

Номер патента: CH434456A. Автор: LANG BERNHARD. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1967-04-30.

Galvanic isolated ceramic based voltage sensors

Номер патента: WO2015153798A1. Автор: Gareth J. Knowles,William M. Bradley,Ross Bird. Владелец: Qortek, Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Galvanic isolator for a frequency range of 40 to 900 mhz

Номер патента: CA1027195A. Автор: Edward T.O. De Boer. Владелец: Nederlanden Volksgezondheid Welzijn en Sport VWS. Дата публикации: 1978-02-28.

Power conversion system with galvanically isolated high frequency link

Номер патента: US7679941B2. Автор: Rajib Datta,Ljubisa Dragoljub Stevanovic,Richard S. Zhang,Allen Michael Ritter,Ravisekhar Nadimpal Raju. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2010-03-16.

Endoscopic device with galvanic isolation and associated method

Номер патента: DE102017115887A1. Автор: Alexander Köhler,Mathias Hornbach. Владелец: Schoelly Fiberoptic GmbH. Дата публикации: 2019-01-17.

Galvanic isolation in the power electronics system in a charging station or electricity charging station

Номер патента: AU2018241041A1. Автор: Michael Kiefer,Thomas Speidel,Raoul Heyne,Florian Joslowski,Ali Natour. Владелец: ADS TEC Energy GmbH. Дата публикации: 2019-05-02.

Galvanic isolation device with optocoupler, and modem incorporating it.

Номер патента: FR2706701A1. Автор: Le Bars Philippe. Владелец: Apple Computer Inc. Дата публикации: 1994-12-23.

Protecting electronic switches in self-controlled rectifiers - using galvanic isolation paths to communicate switching states between control logic elements of firing circuits

Номер патента: DE4038299A1. Автор: Wolfram Dipl Ing Boehm. Владелец: Elpro AG. Дата публикации: 1991-06-06.

Analog front-end with galvanically isolated differential bus

Номер патента: US9473329B1. Автор: Kevin P. Smith,William G. Holt,Jomo K. Edwards,David J. Mead,George S. Noh. Владелец: Holt Integrated Circuits. Дата публикации: 2016-10-18.

Circuit for galvanically isolated control of MOSFETs

Номер патента: DE102010007901B4. Автор: Jorg Niggemeyer,Gert G. Niggemeyer. Владелец: Nucon GbR Gert G Niggemeyer & Joerg Niggemeyer Vertretungsberechtigter Gesellschafter Herr Joerg Nig. Дата публикации: 2013-05-29.

Power conversion system with galvanically isolated high frequency link

Номер патента: US20080304300A1. Автор: Rajib Datta,Ravisekhar Nadimpalli Raju,Ljubisa Dragoljub Stevanovic,Richard S. Zhang,Allen Michael Ritter. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2008-12-11.

Communication interface for galvanic isolation

Номер патента: US8571093B1. Автор: Remco Van De Beek. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-10-29.

Low-frequencies filter with galvanic isolation

Номер патента: RU2682924C1. Автор: Анатолий Иванович Гутников,Андрей Сергеевич Анашкин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-03-22.

Acoustic Galvanic Isolation Device

Номер патента: CN105721990A. Автор: S·恩古,D·塞顿,D·阿尔奎尔. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2016-06-29.

Galvanic isolated device and corresponding method and system

Номер патента: EP3282690A1. Автор: Philippe Marchand,Xavier Guitton,Claude Fouque,Frédérique SALOU,Philipe LEPOIL. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2018-02-14.

Method and device for controlling a galvanically isolated dc converter

Номер патента: EP3387744A1. Автор: Gholamabas Esteghlal. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-10-17.

Arrangement for the galvanically isolated transmission of auxiliary energy (DC voltage) and information to an electronic unit

Номер патента: DE19520940A1. Автор: Wolfgang Dipl Ing Lesche. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-12-12.

Power oscillator apparatus with transformer-based power combining for galvanically-isolated bidirectional data communication and power transfer

Номер патента: US9306614B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Nunzio Spina,Egidio Ragonese,Pierpaolo Lombardo,Vincenzo Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-04-05.

AC / DC CONVERTER WITH GALVANIC ISOLATION AND SIGNAL CORRECTOR

Номер патента: FR3008258A1. Автор: Tony Fourmont,Julien Brunello. Владелец: Sagem Defense Securite SA. Дата публикации: 2015-01-09.

Electronic control unit for a vehicle with galvanically isolated supply voltages on a single printed circuit board

Номер патента: WO2021023640A1. Автор: Uwe Ulbrich,Robert Istvan Loerincz,Radu Bunea,Catalin Purdel,Michael Boehme,Vlad Catalin Ruxandu. Владелец: Vitesco Technologies Germany GMBH. Дата публикации: 2021-02-11.

Galvanically isolated DC-DC converter

Номер патента: DE102016105012A1. Автор: Thomas Wolf,Thomas Schieder,Florian Habenschaden,Thomas Steffenhagen. Владелец: AVL Software and Functions GmbH. Дата публикации: 2017-05-04.

Method and apparatus for providing a galvanically isolating circuit for the transfer of analog signals

Номер патента: US6549056B1. Автор: Pentti Mannonen. Владелец: Electronikkatyo Oy. Дата публикации: 2003-04-15.

Method and system for galvanically isolated transmission of gigabit/sec data via a slip ring arrangement

Номер патента: WO2002083000A1. Автор: Stefan Popescu. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2002-10-24.

Arrangement comprising two galvanically isolated devices communicating bidirectionally with each other

Номер патента: WO2009065437A1. Автор: Andreas Huber,Martin BRÜCKEL. Владелец: OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRANKTER HAFTUNG. Дата публикации: 2009-05-28.

Rf power source with improved galvanic isolation

Номер патента: AU2021283458A1. Автор: Brian Walker,Charles SCHUE,Tim Hardy,Kirk Zwicker. Владелец: Aethera Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Rf power source with improved galvanic isolation

Номер патента: WO2021243442A1. Автор: Tim Hardy. Владелец: Aethera Technologies Limited. Дата публикации: 2021-12-09.

Systems and methods for bi-directional energy delivery with galvanic isolation

Номер патента: US20110031930A1. Автор: Lateef A. Kajouke. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2011-02-10.

Capacitively-coupled stacked class-D oscillators for galvanic isolation

Номер патента: US11901863B2. Автор: Salvatore Coffa,Egidio Ragonese,Simone Spataro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-13.

Galvanic isolated gate driver based on a transformer used for both power transfer from primary to secondary coil and data transmission

Номер патента: US20220311433A1. Автор: Sergio Morini,Daniele MIATTON. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Method and system for galvanically isolated transmission of gigabit/sec data via a slip ring arrangement

Номер патента: EP1377217A1. Автор: Stefan Popescu. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-01-07.

Method and system for galvanically isolated transmission of gigabit/sec data via a slip ring arrangement

Номер патента: IL157748A0. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-03-28.

Method and system for galvanically isolated transmission of gigabit/sec data via a slip ring arrangement

Номер патента: EP1377217B1. Автор: Stefan Popescu. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2006-05-24.

Capacitively-coupled stacked class-d oscillators for galvanic isolation

Номер патента: US20230353091A1. Автор: Salvatore Coffa,Egidio Ragonese,Simone Spataro. Владелец: Universita degli Studi di Catania. Дата публикации: 2023-11-02.

Nv center-based microwave-free galvanically isolated magnetometer

Номер патента: US20230349989A1. Автор: Jan Meijer,Robert STAACKE,Bernd Burchard,Arthur Rönisch. Владелец: Quantum Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-11-02.

Galvanically isolated charge balance system

Номер патента: TWI352063B. Автор: Eamon Hynes,John Wynne. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2011-11-11.

Network for transmission of constant voltage at galvanic isolation of circuits

Номер патента: PL127663B1. Автор: Andrzej Pietkiewicz,Alfred Matusewicz,Jerzy Jackowski. Владелец: Politechnika Gdanska. Дата публикации: 1983-11-30.

Electric vehicle charging stations (evcs) with galvanically isolated direct current (dc) links and related methods

Номер патента: US20230356607A1. Автор: Gerald Steven McAlwee,Vincent Benini. Владелец: Positive Energy Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Cochlear implant with multi-layer electrode

Номер патента: US20230120291A1. Автор: Dominique Hourdet,Guillaume Tourrel,Yvette TRAN,Léa MILENKOVIC,Zuxiang XU. Владелец: Espci Paris. Дата публикации: 2023-04-20.

Multiple layer electrode transducers

Номер патента: US12139394B2. Автор: Sahil Gupta,Wan-Thai Hsu,Stephane LEAHY,Hoyoun Jang,Bruce Diamond. Владелец: Soundskrit Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Mirror device comprising layered electrode

Номер патента: US20100067094A1. Автор: Fusao Ishii,Naoya Sugimoto,Yoshihiro Maeda. Владелец: Silicon Quest KK. Дата публикации: 2010-03-18.

Acoustic resonator comprising acoustic redistribution layers and lateral features

Номер патента: US09853626B2. Автор: Stefan Bader,John Choy,Dariusz Burak. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Stacked layer electrode for organic electronic devices

Номер патента: EP1805547A2. Автор: Yang Yang,Hsing-En Elbert Wu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2007-07-11.

Piezoelectric resonator with multi layer electrodes

Номер патента: US3891873A. Автор: Hidemasa Tamura,Yuzuru Yanagisawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-06-24.

Transmitting and receiving digital and analog signals across an isolator using amplitude modulation

Номер патента: US09520920B2. Автор: Qian Tao,Gek Yong Ng,Peng Siang Seet,Kwee Chong Chang. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Protective device against the consequences of an isolator break in multiple isolator suspension chains

Номер патента: DE2922158C2. Автор: Lotar Ing.(grad.) 8540 Rednitzhembach Möcks. Владелец: FA RICHARD BERGNER 8540 SCHWABACH DE. Дата публикации: 1983-05-05.

Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes

Номер патента: US12074584B2. Автор: Bryant Garcia,Viktor Plesski,Julius Koskela. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Optical redistribution layers for high-channel-count-photonics

Номер патента: EP3961938A1. Автор: John Parker. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Usb hubs with galvanic isolation

Номер патента: US20140089552A1. Автор: Kenneth Jay Helfrich,Leonardo Sala. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

USB hubs with galvanic isolation

Номер патента: US09785598B2. Автор: Kenneth Jay Helfrich,Leonardo Sala. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Galvanically isolated voltage measurement

Номер патента: NZ617299B2. Автор: Paul Clay,Ian Sykes,Julia Szajdzicka. Владелец: Northern Design (Electronics) Limited. Дата публикации: 2016-03-01.

Galvanically isolated voltage measurement

Номер патента: NZ617299A. Автор: Paul Clay,Ian Sykes,Julia Szajdzicka. Владелец: Northern Design Electronics Ltd. Дата публикации: 2015-11-27.

Galvanically isolated output coupler for downhole branching

Номер патента: RU2013151667A. Автор: Дэвид Джо Стил,Майкл Пол ЦИММЕРМАН,Пао-ши ЧЭНЬ. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2015-05-27.

Galvanic isolator

Номер патента: GB8900498D0. Автор: . Владелец: YORKSHIRE WATER AUTHORITY. Дата публикации: 1989-03-08.

GALVANICALLY ISOLATED VOLTAGE MEASUREMENT

Номер патента: US20140091782A1. Автор: Sykes Ian,Clay Paul,Szajdzicka Julia. Владелец: Northern Design (Electronics) Limited. Дата публикации: 2014-04-03.

DUAL LAMINATE GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20190003514A1. Автор: Lackore,JR. James Roger,Williamson Scott D.. Владелец: SPARTAN MOTORS, INC.. Дата публикации: 2019-01-03.

Dual Galvanic Isolation Barriers and Monitoring Systems and Methods

Номер патента: US20170115336A1. Автор: Posat Baris,Alini Roberto,BARNES Larry,SVOBODA Gene. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

GALVANICALLY ISOLATED MONITORING CIRCUIT

Номер патента: US20160258820A1. Автор: Pollock Charles,Pollock Helen. Владелец: TECHNELEC LTD. Дата публикации: 2016-09-08.

USB HUBS WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20150293875A1. Автор: Helfrich Kenneth Jay,Sala Leonardo. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Wheel Made of Fiber-Reinforced Composite Material and Provided with Galvanic Isolation

Номер патента: US20190315155A1. Автор: JAEGER Elmar. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

MICROMECHANICAL COMPONENT HAVING A SPLIT, GALVANICALLY ISOLATED ACTIVE STRUCTURE, AND METHOD FOR OPERATING SUCH A COMPONENT

Номер патента: US20160362291A1. Автор: SPAHLINGER GUENTER. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Analog / digital signal converter device with galvanic isolation in its signal transmission path

Номер патента: DE10159607B4. Автор: Jens Dr. Hauch. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2010-11-18.

Micromechanical component having a split, galvanically isolated active structure, and method for operating such a component

Номер патента: KR101869629B1. Автор: 귄터 스파링거. Владелец: 노스롭 그루만 리테프 게엠베하. Дата публикации: 2018-06-20.

Micromechanical component having a split, galvanically isolated active structure, and method for operating such a component

Номер патента: KR20160112003A. Автор: 귄터 스파링거. Владелец: 노스롭 그루만 리테프 게엠베하. Дата публикации: 2016-09-27.

Electrical-insulation and/or galvanic-isolation device for a nut-and-bolt system

Номер патента: FR2623933A1. Автор: Jacques Monvoisin,Valdo Trubert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1989-06-02.

Galvanically-isolated DC current pulse intensity measurement appts. e.g. for DC=DC converter or radar - has transformer with first sec. in parallel with resistor across which voltage is measured by amplifier, and second transformer sec. which is in series with further resistor and fed by amplifier output.

Номер патента: FR2690993A1. Автор: Perol Philippe Alfred. Владелец: AGENCE SPATIALE EUROPEENNE. Дата публикации: 1993-11-12.

Galvanic isolation of two electrical measuring networks - using optical counter and photo transistor operating in saturated mode

Номер патента: FR2295508A1. Автор: . Владелец: Clerc Robert. Дата публикации: 1976-07-16.

Domestic appliance with galvanically isolated circuit parts

Номер патента: WO2015091229A1. Автор: Guido Sattler,Christian Hönle,Károly Zaruba. Владелец: BSH HAUSGERÄTE GMBH. Дата публикации: 2015-06-25.

Micromechanical component having a split, galvanically isolated active structure, and method for operating such a component

Номер патента: CA2939173A1. Автор: Gunter Spahlinger. Владелец: NORTHROP GRUMMAN LITEF GMBH. Дата публикации: 2015-09-03.

Communications system for implementation of synchronous, multichannel, galvanically isolated instrumentation devices

Номер патента: US20050125709A1. Автор: John Hyde,Richard Carlson,Marko Vulovic,John Kenny,James McKim,Buck Chan. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-06-09.

Micromechanical component having a split, galvanically isolated active structure, and method for operating such a component

Номер патента: WO2015128062A1. Автор: Gunter Spahlinger. Владелец: NORTHROP GRUMMAN LITEF GMBH. Дата публикации: 2015-09-03.

Device for the galvanically isolated measurement of an electrical current flowing in a conductor using a Hall element

Номер патента: DE10028448C2. Автор: Norbert Sporer. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2003-05-15.

Galvanic isolation of a medical apparatus

Номер патента: US20070073175A1. Автор: Daniel Sommers,Michael McAtamney,Jim Shortt,Rudolf Ruizenaar,John Kroetz,John Melquist,Alexius Looije. Владелец: Welch Allyn Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

INFORMATION TRANSMISSION DEVICE THROUGH GALVANIC Isolation Barrier

Номер патента: RU2020125152A. Автор: Сергей Иванович Орлов. Владелец: Сергей Иванович Орлов. Дата публикации: 2022-01-21.

Vehicle wheel assembly with galvanic isolation

Номер патента: CN102039779B. Автор: R·M·克莱伯,R·维尔马. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2013-12-04.

A kind of new full-bridge transformer is galvanically isolated detection circuit

Номер патента: CN107703345A. Автор: 陈飞,赵海港. Владелец: Dongsheng Hefei Automotive Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-16.

Household appliance with galvanically isolated circuits

Номер патента: RU2644328C2. Автор: Гвидо Саттлер,Кристиан Хёнле,Карой Заруба. Владелец: Бсх Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2018-02-08.

Stabilised supply for antiskid traction control - uses galvanic isolation element e.g. transformer to eliminate interfering transients

Номер патента: FR2348080A1. Автор: . Владелец: Knorr Bremse AG. Дата публикации: 1977-11-10.

Galvanic isolation of a signal using capacitive coupling embeded within a circuit board

Номер патента: US20070080587A1. Автор: Rudolf Ruizenaar,Alexius Looije,William Cuipylo. Владелец: Welch Allyn Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Improved communication system for the implementation of synchronously galvanically isolated multi-channel instrumentation devices

Номер патента: DE202004012961U1. Автор: . Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-10-21.

Vehicle wheel assembly with galvanic isolation

Номер патента: US20110089749A1. Автор: Ravi Verma,Richard M. Kleber. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2011-04-21.

Capacitive touch panel with multi-layer electrode including a silver-inclusive transparent conducting layer(s)

Номер патента: US09740357B2. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

In-plane switching mode liquid crystal display device including multi-layer electrode

Номер патента: US20140028940A1. Автор: Ji-Young Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Mutual capacitive touch panel with double-layer electrodes

Номер патента: US20190369811A1. Автор: Tzu-Wei Liu,Hu-Chi Chang,Cheng-Hsien Hsu. Владелец: ILI Techonology Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Electrosurgical probe and electrode assembly with layered electrode features

Номер патента: WO2024134334A1. Автор: Stephen Donnigan,Jeffrey Haczynski,Gabrielle Sereika. Владелец: Arthrex, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Electro-optical device comprising a storage capacitor wherein the second capacitor electrode has a double layer electrode structure and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US7199853B2. Автор: Kiyotaka Koide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-03.

Multi-layer electrode ablation probe and related methods

Номер патента: US09775671B2. Автор: Larry Azure. Владелец: LaZure Scientific Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Dual-layered electrode for electrolysis

Номер патента: CA2541311C. Автор: Takayuki Shimamune,Erik Zimmerman,Christer Andreasson. Владелец: Akzo Nobel NV. Дата публикации: 2010-06-01.

Layered electrode for an implantable medical device lead

Номер патента: EP2605823A1. Автор: Brendan E. Koop. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2013-06-26.

Layered electrode for an implantable medical device lead

Номер патента: WO2012024016A1. Автор: Brendan E. Koop. Владелец: Cardiac Pacemakers, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Electrography system employing layered electrodes for improved spatial resolution

Номер патента: US20210106268A1. Автор: Mark Alan Kramer. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2021-04-15.

Photoionization detector with layered electrodes

Номер патента: US20230341353A1. Автор: FENG LIANG,FAN YANG,JUN TANG,Hao Zhu,Peipei LIU,Renbing TIAN. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Photoionization detector with layered electrodes

Номер патента: EP4266042A1. Автор: FENG LIANG,FAN YANG,JUN TANG,Hao Zhu,Peipei LIU,Renbing TIAN. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Electrosurgical probe and electrode assembly with layered electrode features

Номер патента: US20240206954A1. Автор: Stephen Donnigan,Jeffrey Haczynski,Gabrielle Sereika. Владелец: Arthrex Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Acceleration sensor has FET with two-layer electrode structure with first movable detection electrode for modulating current flow, second electrode with same deflection direction under acceleration

Номер патента: DE10236773A1. Автор: Klaus Heyers,Joachim Rudhard,Dorothea Papathanassiou. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-02-19.

CAUSTIC PRODUCTION PROCESS, MEMBRANE-ELECTRODE UNIT ASSEMBLY AND MULTI-LAYERED ELECTRODES STRUCTURE

Номер патента: FR2519030B1. Автор: Basil Laconti Et Thomas George Coker Anthony. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1994-02-04.

Composition for forming porous insulating layer, electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery, non-aqueous electrolyte secondary battery, and method for producing electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: JP7221592B2. Автор: 倫行深谷,弘治干場. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-14.

ACTIVE TWO-LAYER ELECTRODE FOR SOLID ELECTROLYTE ELECTROCHEMICAL DEVICES

Номер патента: RU2006111908A. Автор: Юрий Александрович Котов,Борис Леонидович Кузин,Алексей Викторович Багазеев,Нина Михайловна Богданович,Дмитрий Игоревич Бронин,Татьяна Александровна Демьяненко,Игорь Юрьевич Ярославцев,Айдар Марксович Мурзакаев,Юрий Александрович Котов (RU),Нина Михайловна Богданович (RU),Борис Леонидович Кузин (RU),Дмитрий Игоревич Бронин (RU),ненко Тать на Александровна Демь (RU),Игорь Юрьевич Ярославцев (RU),Айдар Марксович Мурзакаев (RU),Алексей Викторович Багазеев (RU). Владелец: Институт электрофизики Уральского отделени Российской Академии наук (RU). Дата публикации: 2007-11-10.

Double-layer electrode for electro-optic liquid crystal lens

Номер патента: US09470937B2. Автор: Dwight Duston,Anthony Van Heugten,Liwei Li,Phil BOS,Douglas Bryant. Владелец: E Vision Smart Optics Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER

Номер патента: US20120002377A1. Автор: French William,Hopper Peter J.,Gabrys Ann,Smeys Peter,Anderson David I.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Output circuit of pulse voltage converter, method of its galvanic isolation, pulse converter of voltage and pulse source of supply

Номер патента: RU2467460C1. Автор: Сергей Иванович Титков,Дмитрий Геннадьевич Тарасов. Владелец: Дмитрий Геннадьевич Тарасов. Дата публикации: 2012-11-20.

Sauna with galvanically isolated electrical fault detection and analytics

Номер патента: WO2024197182A1. Автор: Aaron Michael Zack,Steven Bell. Владелец: Sunlighten, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Switching devices with transformer galvanic isolation of control circuits

Номер патента: RU2465703C1. Автор: Петр Михайлович Еремеев,Вячеслав Юрьевич Гришин,Борис Николаевич Морозов,Сергей Ростиславович Николаев,Антонина Иннокентьевна Садовникова,Владимир Григорьевич Сиренко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Субмикрон". Дата публикации: 2012-10-27.

Integrated redistribution layer inductors

Номер патента: WO2024196514A1. Автор: Abhijeet Paul,Yufei Wu,Ravi Pramod Kumar Vedula. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

METHOD AND APPARATUS FOR ACHIEVING GALVANIC ISOLATION IN PACKAGE HAVING INTEGRAL ISOLATION MEDIUM

Номер патента: US20130043970A1. Автор: Johnson Peter,Poddar Anindya,KHANOLKAR Vijaylaxmi,PRABHU Ashok S.. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2013-02-21.

Device for transmission of control signals with galvanic isolation

Номер патента: RU2097932C1. Автор: В.П. Винокуров,А.Г. Матвеев,С.В. Рязанов. Владелец: Челябинское специальное конструкторское бюро "Ротор". Дата публикации: 1997-11-27.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Mechanical arrangement for use within galvanically-isolated, low-profile micro-inverters for solar power installations

Номер патента: US20120050999A1. Автор: . Владелец: Direct Grid Technologies LLC. Дата публикации: 2012-03-01.

ACOUSTIC GALVANIC ISOLATION DEVICE

Номер патента: US20120086305A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-12.

SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICE WITH AN INTEGRATED DEVICE WITH AN INTEGRATED GALVANIC ISOLATOR ELEMENT AND RELATED ASSEMBLY PROCESS

Номер патента: US20120168901A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-07-05.

Galvanically Isolated Exit Joint for Well Junction

Номер патента: US20120267093A1. Автор: Steele David Joe,Zimmerman Michael Paul,Chen Pao-Shih. Владелец: Halliburton Energy Services, Inc.. Дата публикации: 2012-10-25.

GALVANIC ISOLATION DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20120326699A1. Автор: . Владелец: NXP B.V. Дата публикации: 2012-12-27.

THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20130001735A1. Автор: French William,Hopper Peter J.,Gabrys Ann. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

FAILSAFE GALVANIC ISOLATION BARRIER

Номер патента: US20130033791A1. Автор: Posat Baris,Alini Roberto,Gupta Rajesh Kumar. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

Galvanic Isolation Fuse and Method of Forming the Fuse

Номер патента: US20130037908A1. Автор: French William,Hopper Peter J.,Fallon Martin,Gabrys Ann. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH GALVANICALLY-ISOLATED SIGNAL AND POWER PATHS

Номер патента: US20130049916A1. Автор: Johnson Peter,French William,Hopper Peter J.,LEE Dok Won,Gabrys Ann. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

SYSTEM AND METHOD OF GALVANIC ISOLATION IN DIGITAL SIGNAL TRANSFER INTEGRATED CIRCUITS UTILIZING CONDUCTIVITY MODULATION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20130062725A1. Автор: French William,Hopper Peter J.,Papou Andrei,Smeys Peter,Adilti Chaudhuri Dutt. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-14.

METHOD, SYSTEM AND APPARATUS FOR GALVANIC ISOLATION OF GATE-CONTROLLED DEVICES

Номер патента: US20140030984A1. Автор: Wagoner Robert Gregory,Seymour Robert Allen. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

GALVANIC ISOLATION INTERFACE FOR HIGH-SPEED DATA LINK FOR SPACECRAFT ELECTRONICS, AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20140070907A1. Автор: Boggan Garry H.. Владелец: The Aerospace Corporation. Дата публикации: 2014-03-13.

USB HUBS WITH GALVANIC ISOLATION

Номер патента: US20140089552A1. Автор: Helfrich Kenneth Jay,Sala Leonardo. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

Key with galvanic isolation

Номер патента: SU444329A1. Автор: Геннадий Павлович Железняков. Владелец: Специальное Конструкторское Бюро Промышленной Автоматики Министерства Приборостроения, Средств Автоматизации И Систем Управления. Дата публикации: 1974-09-25.

Device for galvanic isolating of dc networks

Номер патента: SU840939A1. Автор: Леонид Игнатьевич Цытович,Геннадий Васильевич Суворов,Олег Иванович Осипов. Владелец: Челябинский Политехнический Институтим. Ленинского Комсомола. Дата публикации: 1981-06-23.

Electronic analog key control device with galvanic isolation

Номер патента: SU455491A1. Автор: Константин Иванович Диденко,Анатолий Константинович Черепаха,Виктор Николаевич Ласкавый,Владислав Константинович Григорьев. Владелец: Специальное Конструкторское Бюро Систем Автоматического Управления. Дата публикации: 1974-12-30.

Device for galvanic isolation of symmetric dc circuits

Номер патента: SU801227A1. Автор: Михаил Владимирович Гальперин,Отари Шалвович Пхакадзе,Борис Николаевич Бронин. Владелец: Bronin Boris N. Дата публикации: 1981-01-30.

Pulse-width modulator with galvanic isolation

Номер патента: SU801240A1. Автор: Виталий Михайлович Дементьев. Владелец: Проектно-Технологическое Бюро"Вниипроэлектромонтаж". Дата публикации: 1981-01-30.

Device for transfer of potential with galvanic isolation

Номер патента: SU758481A1. Автор: Владимир Александрович Соловьев. Владелец: Предприятие П/Я А-7160. Дата публикации: 1980-08-23.

Galvanically isolated dc amplifier

Номер патента: SU1679603A1. Автор: Grigorij M Kuznetsov,Boris G Sokolov,Anatolij I Kashuba. Владелец: Groznensk N Proizv Ob Promav. Дата публикации: 1991-09-23.

Galvanic isolator

Номер патента: SU930676A1. Автор: Владимир Васильевич Овчинников,Сергей Александрович Ястребов. Владелец: Предприятие П/Я В-8542. Дата публикации: 1982-05-23.

Device for galvanic isolation of electrical circuits "

Номер патента: SU465644A1. Автор: Вадим Борисович Пац,Асиия Александровна Кудрявцева,Эльвира Михайловна Шаталова. Владелец: Предприятие П/Я Г-4444. Дата публикации: 1975-03-30.

Galvanic isolation device

Номер патента: SU788218A1. Автор: Леонид Григорьевич Борисов,Геннадий Григорьевич Морданов. Владелец: Предприятие П/Я В-8828. Дата публикации: 1980-12-15.

Analocue switch with galvanic isolation

Номер патента: SU580643A1. Автор: Николай Сергеевич Прокофьев,Валери Александрович Брагин. Владелец: Предприятие П/Я В-2502. Дата публикации: 1977-11-15.

Bioelectrical signal amplifier with galvanic isolation

Номер патента: SU1595466A1. Автор: Сергей Георгиевич Данько. Владелец: Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Медицины Амн Ссср. Дата публикации: 1990-09-30.

Amplifier with galvanic isolation

Номер патента: SU1700743A1. Автор: Василий Александрович ЕЖОВ,Владимир Дмитриевич Сулимин,Николай Александрович Петров,Дмитрий Дмитриевич Ровинский,Константин Дмитриевич Полозов,Юрий Николаевич Щелкунов,Леонид Владимирович Резников. Владелец: Предприятие П/Я А-1001. Дата публикации: 1991-12-23.

Galvanically isolated non-contact relay

Номер патента: SU1700748A1. Автор: Борис Юрьевич Кравченко. Владелец: Предприятие П/Я А-1001. Дата публикации: 1991-12-23.

Device for transmitting analogue signals with galvanic isolation

Номер патента: SU752358A1. Автор: Анатолий Вениаминович Комаров. Владелец: Филиал "Восход" Московского Ордена Ленина Авиационного Института Им. С.Орджоникидзе. Дата публикации: 1980-07-30.

Optronic device for galvanic isolation of circuits

Номер патента: SU1529439A1. Автор: Валерий Яковлевич Живица,Станислав Иванович Пустовит,Леонид Степанович Блейчик. Владелец: Предприятие П/Я А-7358. Дата публикации: 1989-12-15.

Galvanic isolation device

Номер патента: SU1637002A1. Автор: Олег Леонидович Венедиктов. Владелец: Предприятие П/Я А-7160. Дата публикации: 1991-03-23.

Switch with galvanic isolation

Номер патента: SU1056459A1. Автор: Александр Романович Шадур. Владелец: Донецкое Отделение Института "Гипроуглеавтоматизация". Дата публикации: 1983-11-23.

Constant voltage-to-constant voltage transducer with galvanic isolation

Номер патента: SU1686651A1. Автор: Андрей Николаевич Попов,Александр Георгиевич Одинцов. Владелец: Предприятие П/Я Р-6930. Дата публикации: 1991-10-23.

Direct current amplifier with galvanic isolation

Номер патента: SU1042157A1. Автор: Вадим Маркович Низель. Владелец: Предприятие П/Я В-2969. Дата публикации: 1983-09-15.

Device for the transfer of potential with galvanic isolation

Номер патента: SU448569A1. Автор: Анатолий Владимирович Гвоздев,Вадим Алексеевич Конофьев,Вячеслав Никифорович Кравченко,Иван Николаевич Житник. Владелец: Предприятие П/Я А-7460. Дата публикации: 1974-10-30.

Optronic device for galvanic isolation of analogue signals

Номер патента: SU815931A1. Автор: Лев Ефимович Эпштейн,Виктор Иванович Морозов,Вячеслав Александрович Смигельский. Владелец: Ордена Ленина Институт Проблемуправления. Дата публикации: 1981-03-23.

Stable voltage source with galvanic isolation

Номер патента: SU813617A1. Автор: Анатолий Иванович Рипинский,Анатолий Александрович Мазунов,Леонид Петрович Пантелеев. Владелец: Предприятие П/Я Р-6213. Дата публикации: 1981-03-15.

Ortronic device of galvanic isolation of circuits

Номер патента: SU856007A1. Автор: Валерий Григорьевич Данилюк,Михаил Борисович Клебанов. Владелец: Предприятие П/Я Г-4993. Дата публикации: 1981-08-15.

Device for switching signals with galvanic isolation

Номер патента: SU1492464A1. Автор: Вячеслав Лазаревич Майзель,Виталий Семенович Альтшуль,Владимир Анатольевич Перепелица. Владелец: Предприятие П/Я М-5912. Дата публикации: 1989-07-07.

Amplifier with galvanic isolation

Номер патента: SU902207A1. Автор: Александр Михайлович Косолапов. Владелец: Куйбышевский политехнический институт им.В.В.Куйбышева. Дата публикации: 1982-01-30.

Multichannel measuring converter with galvanic isolation of input circuits

Номер патента: SU1474841A1. Автор: Вилор Яковлевич Нарыжный,Михаил Иванович Фризюк,Олег Павлович Корнильев,Александр Сергеевич Гурченок. Владелец: Предприятие П/Я А-1772. Дата публикации: 1989-04-23.

Galvanically isolated voltage comparator supplied by input signal

Номер патента: RU2540808C1. Автор: Владимир Елизарович Ермишин. Владелец: Открытое акционерное общество "Рязанское конструкторское бюро "Глобус". Дата публикации: 2015-02-10.

Sigma-delta analog-to-digital converter with galvanic isolation on condensers and manchester ii coders

Номер патента: RU2447577C1. Автор: Владимир Борисович Стешенко,Сергей Дмитриевич Заводсков,Дмитрий Анатольевич Строганов,Дмитрий Юрьевич Митякин. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2012-04-10.

Big galvanic isolation switch contact structure

Номер патента: CN205050756U. Автор: 沈文,钟积科,岳金,傅浪,鲁创. Владелец: WUHAN CHANGHAI ELECTRICAL TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-24.

Communication device for ds-link galvanic isolation

Номер патента: RU2485580C1. Автор: Елена Александровна Суворова,Сергей Владимирович Горбачев,Юрий Евгеньевич Шейнин,Евгений Николаевич Яблоков. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственный центр "Микропроцессорные технологии". Дата публикации: 2013-06-20.

Manufacturing Method Of Electrode Catalyst Layer, Electrode Catalyst Layer, Membrane Electrode Assembly And Fuel Cell

Номер патента: US20120183878A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

SLURRY FOR FUEL CELL ELECTRODE CATALYST LAYER, ELECTRODE CATALYST LAYER, MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY, AND FUEL CELL

Номер патента: US20130004884A1. Автор: Kishi Katsuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120244292A1. Автор: Lee Joo-Sung,Kim Jong-Hun,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-09-27.

Galvanic isolation using isolation break between redistribution layer electrodes

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты