METHOD FOR THE SURFACE TREATMENT OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
Номер патента: US20160203973A1
Опубликовано: 14-07-2016
Автор(ы): Di Palma Vincenza, Porro Fabrizio
Принадлежит: STMICROELECTRONICS S.R.L.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-07-2016
Автор(ы): Di Palma Vincenza, Porro Fabrizio
Принадлежит: STMICROELECTRONICS S.R.L.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for Rapid Thermal Treatment Using High Energy Electromagnetic Radiation of a Semiconductor Substrate for Formation of Dielectric Films
Номер патента: US20100009528A1. Автор: Fumitake Mieno,David Gao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-01-14.