Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: SG184371A1
Опубликовано: 29-11-2012
Автор(ы): Hieu Van Tran, Samar Saha
Принадлежит: Silicon Storage Tech Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US20160307629A1. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US09666279B2. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US09425204B2. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US20160035421A1. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory cell of non-volatile memory

Номер патента: US11877456B2. Автор: Wein-Town Sun,Ying-Je Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09564221B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09478291B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

A multi-transistor based non-volatile memory cell with dual threshold voltage

Номер патента: WO2008038236A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Nader Akil,Almudena Huerta,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-07-03.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US09559107B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: WO2013032585A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: EP2751840A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Non-volatile Memory Cell Having A Floating Gate And A Coupling Gate With Improved Coupling Ratio Therebetween

Номер патента: US20140203343A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Non-volatile memory including negative capacitance blocking oxide layer, operating method of the same and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230413574A1. Автор: Taeho Kim,Sanghun Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile memory cell and method of operating the same

Номер патента: US09805806B2. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070092997A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Fabricating method of non-volatile memory device

Номер патента: US10026644B2. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Read performance of a non-volatile memory device, in particular a non-volatile memory device with buried selection transistor

Номер патента: US09825186B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Programming method, programming apparatus and storage medium for non-volatile memory

Номер патента: US20190333591A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US11854624B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20230154543A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: EP2005479A2. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: WO2007120721A8. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Non-volatile memory, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US20060237761A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: US11367481B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra M. Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-21.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: US20210350850A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra M. Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon based multi-level non-volatile memory device and methods of operation thereof

Номер патента: WO2021108339A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Ravindra Kapre,Venkataraman Prabhakar,Vineet Agrawal,Long Hinh,Swatilekha Saha,Santanu Kumar Samanta,Michael Amundson. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon multi-level non-volatile memory device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20210159346A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ravindra Kapre,Vineet Agrawal,Long Hinh,Santanu Kumar Samanta. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

3-dimensional non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508836B2. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US09653164B2. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-volatile memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09564519B2. Автор: Young Woo Park,Jae Duk Lee,Jin Taek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile memory transistor with a self-aligned nitride storage layer

Номер патента: EP2434535A3. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Non-volatile memory semiconductor devices and method for making thereof

Номер патента: US20140346582A1. Автор: Jan Van Houdt,Laurent Breuil,Pieter Blomme,Judit (Gloria) Lisoni REYES. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-11-27.

Luminous member, method of driving luminous member, non-volatile memory device, sensor, method of driving sensor, and display apparatus

Номер патента: US10706768B2. Автор: Cheolmin Park,Beomjin Jeong. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2020-07-07.

3d non-volatile memory with control gate length based on memory hole diameter

Номер патента: WO2014197523A1. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Man L Mui,Wendy OU. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-11.

Gate structure including multi-tunneling layer and method of fabricating the same, non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070114572A1. Автор: Byung Kim,Eun-kyung Lee,Kyung-Sang Cho,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080144395A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080279001A1. Автор: Chih-Chen Cho,Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Scalable multi-functional and multi-level nano-crystal non-volatile memory device

Номер патента: US20130003456A1. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Scalable multi-functional and multi-level nano-crystal non-volatile memory device

Номер патента: US20090127614A1. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20140160854A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09761314B2. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

METHODS OF OPERATING FERROELECTRIC (Fe) FET BASED NON-VOLATILE MEMORY CIRCUITS AND RELATED CONTROL CIRCUITS

Номер патента: US20230189530A1. Автор: Zheng Wang,Shimeng Yu,Asif Khan,Winston Chern,Yuan-Chun Luo,Nujhat Tasneem. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of initializing and driving 3D non-volatile memory device using time varying erase signal

Номер патента: US09754673B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory system with reset verification mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US09646690B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: US09646700B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Non-volatile memory device and manufacture of the same

Номер патента: US9502513B2. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Non-volatile memory device and manufacture of the same

Номер патента: US20160240622A1. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Device and method for improved threshold voltage distribution for non-volatile memory

Номер патента: US09524784B1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Wen-Pin Lu,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Non-volatile memory with zoned control of programming

Номер патента: US20230317169A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: WO2023163731A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: US12148478B2. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Overheat prevention for annealing non-volatile memory

Номер патента: US09761290B1. Автор: Navneeth Kankani,Ning Ye,Deepanshu Dutta,Sarath Puthenthermadam,Suresh Upadhyayula. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile memory cell devices and methods, having a storage cell with two sidewall bit cells

Номер патента: US09390799B2. Автор: Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Dynamic read voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20200395080A1. Автор: Bhavadip Bipinbhai Solanki,Shreejith Koruvailu Vishwanath. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory with reduced mobile ion diffusion

Номер патента: US20110062563A1. Автор: Qing Li,Xiaoyu Yang,Kim Le,Albert Meeks. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: US20240105265A1. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory with efficient word line hook-up

Номер патента: US11894056B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: WO2024072497A1. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile memory with sub-planes having individually biasable source lines

Номер патента: US20240105262A1. Автор: Ramy Nashed Bassely SAID,Jiahui Yuan,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Location dependent impedance mitigation in non-volatile memory

Номер патента: US20200143893A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-07.

Dual performance trim for optimization of non-volatile memory performance, endurance, and reliability

Номер патента: US20230307054A1. Автор: Ajay Shyam Manwani. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Dual performance trim for optimization of non-volatile memory performance, endurance, and reliability

Номер патента: US11894060B2. Автор: Ajay Shyam Manwani. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8411477B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US20210118496A1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US10916302B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022260595A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-09.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240268126A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Hong LAI. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile memory device and method of operation thereof

Номер патента: US20230170028A1. Автор: Jae Hun Lee,Yong Kyu Lee,Chang Min Jeon,Hyun Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Writing to cross-point non-volatile memory

Номер патента: US09928894B2. Автор: Wayne Kinney,Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Bei Wang,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Writing to cross-point non-volatile memory

Номер патента: US09613676B1. Автор: Wayne Kinney,Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Bei Wang,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US20200381053A1. Автор: Chih-Chieh Cheng,Yao-Wen Chang,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12073889B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12087367B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Last-first mode and method for programming of non-volatile memory of nand type with reduced program disturb

Номер патента: KR100984563B1. Автор: 준 완,제프리 더블유. 룻제. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2010-10-01.

Last-first mode and method for programming of non-volatile memory of nand type with reduced program disturb

Номер патента: EP1943652B1. Автор: Jeffrey W. Lutze,Jun Wan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-10-27.

Vertical non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09966115B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Non-volatile memory element with thermal-assisted switching control

Номер патента: US09870822B2. Автор: Zhiyong Li,Ning Ge,Jianhua Yang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-01-16.

Non-volatile memory devices including vertical NAND channels and methods of forming the same

Номер патента: US09640545B2. Автор: Sukpil Kim,Yoondong Park,Kwang Soo SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US11004505B1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Non-volatile memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250337A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Asymmetric pass field-effect transistor for non-volatile memory

Номер патента: US09589652B1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Sungkwon Lee. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Vertical non-volatile memory device, method of fabricating the same device, and electric-electronic system having the same device

Номер патента: US09881934B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Hybrid non-volatile memory device and method for manufacturing such a device

Номер патента: US09431608B2. Автор: Bernard Dieny,Luca Perniola. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Sub-block size reduction for 3d non-volatile memory

Номер патента: US20210082506A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Hardwell Chibvongodze. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

High voltage architecture for non-volatile memory

Номер патента: US09704585B2. Автор: Igor G. Kouznetsov,Bogdan I. Georgescu,Vijay Raghavan,Gary P. Mosculak. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20200133509A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Wordline strapping for non-volatile memory elements

Номер патента: US20200185374A1. Автор: Anuj Gupta,Bipul C. Paul,Joseph Versaggi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-volatile memory and-array and method for operating the same

Номер патента: EP2041793A2. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk,Michiel J. Van Duuren. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-04-01.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20190087103A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20180203613A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20210216217A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Multi-level cell configurations for non-volatile memory elements in a bitcell

Номер патента: US20220181387A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Non-volatile memory cell arrays with a sectioned active region

Номер патента: US20220028873A1. Автор: William Taylor,Oscar D. Restrepo,Edmund K. Banghart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080151645A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20210028175A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20200273861A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20140127894A1. Автор: Chun-Lien Su,Shaw-Hung Ku,Chi-Pei Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Non-Volatile Memory Cell and Layout Structure of Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20110073924A1. Автор: Hui-Fang Tsai,Hung-Lin Shih,Pei-Ching Yin,Bin Chen, JR.. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Non-volatile memory device employing semiconductor nanoparticles

Номер патента: US09425080B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Robert H. Dennard,Hemanth Jagannathan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing non volatile memory device

Номер патента: US09704975B2. Автор: Kyung Ho Lee,Jeong Ho Cho,Doo Yeol Ryu. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory device employing semiconductor nanoparticles

Номер патента: US20150132896A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Robert H. Dennard,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Non-volatile memory device employing semiconductor nanoparticles

Номер патента: US20140091281A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Robert H. Dennard,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20070247913A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-25.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20060097308A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7361554B2. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100171166A1. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8431983B2. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Non-volatile memory unit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160204274A1. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Non-volatile memory device having nanocrystal floating gate and method of fabricating same

Номер патента: US09899398B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

3-d non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150311209A1. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9112044B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Split gate non-volatile memory cell with 3D finFET structure, and method of making same

Номер патента: US09634018B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515074B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140273495A1. Автор: Minchul Kim,Jae-Hwang Sim,Sangbin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Non-volatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140080298A1. Автор: Woo-Sung Lee,Jung-Geun Jee,Seok-Hoon Kim,Su-Jin Shin,Tae-Ouk Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12127403B2. Автор: Chun-Hao Chen,Wei-Kuang Chung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Split-gate non-volatile memory cell and method

Номер патента: US20100078703A1. Автор: Brian A. Winstead,Gowrishankar L. Chindalore,Konstantin V. Loiko,Horacio P. Gasquet. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Damascene non-volatile memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US09666588B2. Автор: Hung-Che Liao,Hung-Yu Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: US20210295915A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: US11881263B2. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Method to increase charge retention of non-volatile memory

Номер патента: WO2007089558A3. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Monolithic System Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Resistive element and memory cell of non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150206924A1. Автор: Chrong-Jung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-23.

Non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20240320138A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Ching-Yuan Lin,Tsung-Mu Lai,Chang-Chun Lung,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806185B2. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Non-volatile memory elements

Номер патента: US5973357A. Автор: Junichi Hikita,Hiromi Uenoyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-10-26.

Floating gate non-volatile memory

Номер патента: US20050221553A1. Автор: Yutaka Hayashi,Sumitaka Goto,Shoji Nakanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09577059B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure and Method for Single Gate Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190088666A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Huang-Wen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Non-Volatile Memory Device with Improved Immunity to Erase Saturation and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20110183509A1. Автор: Hongyu Yu,Hag-Ju Cho,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-07-28.

Methods of forming non-volatile memory

Номер патента: US8372707B2. Автор: Jun Zheng. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-02-12.

Non-volatile memory and fabricating method thereof and operation thereof

Номер патента: US20060240618A1. Автор: Chao-I Wu,Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Methods of forming non-volatile memory

Номер патента: US20110059605A1. Автор: Jun Zheng. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-03-10.

Methods of forming non-volatile memory

Номер патента: US20130146963A1. Автор: Jun Zheng. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-06-13.

Non-volatile memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090269911A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Method of manufacturing non-volatile memory cell

Номер патента: US20060270137A1. Автор: Jung-Ching Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of manufacturing non-volatile memory cell

Номер патента: US7479426B2. Автор: Jung-Ching Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-20.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060234457A1. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7344949B2. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-18.

Fabricating method of non-volatile memory structure

Номер патента: US20140209992A1. Автор: Chih-Chieh Cheng,Wen-Jer Tsai,Shih-Guei Yan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230005958A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20190221578A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180026048A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US09773803B2. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

3D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524978B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Seok Min JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210265474A1. Автор: Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Po-Hsuan CHEN,Kuo-Lung Li,Szu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Non-volatile memory device and method for forming

Номер патента: WO2004034426A3. Автор: Gowrishankar Chindalore,Paul A Ingersoll,Craig T Swift,Alexander B Hoefler. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130105883A1. Автор: Kwon Hong,Ki-hong Lee,Moon-Sig Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20060134866A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20060205157A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7067375B1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-27.

Non-volatile memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20210083006A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US09466605B2. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20160172367A1. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor device with embedded non-volatile memory and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09761680B2. Автор: Dongdong Li,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure having a dual-gate non-volatile memory device and methods for making same

Номер патента: US09466608B1. Автор: Weize Chen,Patrice M Parris,Richard J De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

HKMG high voltage CMOS for embedded non-volatile memory

Номер патента: US09659953B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Ya-Chen Kao,Yi Hsien Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of Forming A Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array

Номер патента: US20160225878A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US9570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Embedded HKMG non-volatile memory

Номер патента: US09831262B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US09570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437715B1. Автор: Chih-Ping Chung,Ming-Yu Ho,Hung-Kwei Liao,Ming-Feng Chang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Dram technology compatible non volatile memory cells

Номер патента: US20020024083A1. Автор: Wendell P. Noble,Eugene H. Cloud. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Self-timed sensing architecture for a non-volatile memory system

Номер патента: EP4154252A1. Автор: Massimiliano Frulio. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-29.

Self-timed sensing architecture for a non-volatile memory system

Номер патента: WO2021236152A1. Автор: Massimiliano Frulio. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-volatile memory device with charge trapping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108332A1. Автор: Ki Hong Lee,Jae Young Park,Moon Sig Joo,Ki Seon Park,Yong Top Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of manufacturing non-volatile memory having SONOS memory cells

Номер патента: US09530783B2. Автор: Sung-Bin Lin,Wen-Chung Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: WO2013085676A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: EP2788987A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09397108B2. Автор: Sang Hyun Oh,Byung Soo Park,Sun Mi Park,Seo Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Manufacturing method of three-dimensional non-volatile memory device including a selection gate having an L shape

Номер патента: US09559114B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Sung Chul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile memory cell containing a nano-rail electrode

Номер патента: WO2013112291A1. Автор: Henry Chien,George Matamis,James K. Kai,Vinod R. PURUYATH. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-08-01.

Fabricating method of non-volatile memory cell

Номер патента: US7749838B2. Автор: Chi-Pin Lu,Shing-Ann Luo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-06.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Non-Volatile Memory Devices and Methods of Manufacturing Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20080296657A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park,Sang-Wook Lim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-04.

Embedded HKMG non-volatile memory

Номер патента: US09793286B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144281A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190378852A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of forming a tunnel oxide layer of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020076883A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Cross point non-volatile memory devices with a plurality of pillars having rounded corners and method of manufacturing

Номер патента: EP2449591A1. Автор: Huiwen Xu,Xiying Chen,Chuanbin Pan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Cross point non-volatile memory devices with a plurality of pillars having rounded corners and method of manufacturing

Номер патента: WO2011008385A1. Автор: Huiwen Xu,Xiying Chen,Chuanbin Pan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-01-20.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235113A1. Автор: Su-Hyun Lee,Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Jin-Ho Oh,Tae-Hong GWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Integrated Systems Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A4. Автор: Russell D Newell. Владелец: L3 Communications Integrated Systems LP. Дата публикации: 2009-08-12.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: WO2005114668A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L-3 Integrated Systems Company. Дата публикации: 2005-12-01.

Data decoding method of non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: US09672942B2. Автор: Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Kwang Hoon Kim,Beom Kyu Shin,Pil Sang Yoon,Ung Hwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US11895236B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US20210167957A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Unchangeable physical unclonable function in non-volatile memory

Номер патента: US20240171384A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Programming method of non-volatile memory cell

Номер патента: US20240055053A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chun-Yuan Lo,Chang-Chun Lung,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: US12051468B2. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: EP4433892A1. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Health management of non-volatile memory

Номер патента: US09965345B2. Автор: Yi Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit and method capable of minimizing circuit area of non-volatile memory circuit

Номер патента: US11863209B2. Автор: Ee Wen Chun,Shang Chan Kong. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatus and architecture of non-volatile memory module in parallel configuration

Номер патента: US12014078B2. Автор: Kong-Chen Chen. Владелец: Entrantech Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Non-volatile memory with fast partial page operation

Номер патента: US20200303010A1. Автор: Pitamber Shukla,Mohan V. Dunga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device having a non-volatile memory built-in

Номер патента: US20140071749A1. Автор: Tetsuo Hironaka,Takashi Ishiguro,Kyoko Nakajima,Kenichi Shimomai,Kazuya Tanigawa. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Process for synthesizing halogenated derivatives of fluorescein for use in the production of non-volatile memory devices

Номер патента: US20080061289A1. Автор: Angela Cimmino,Maria Volpe,Alessandro Pezzella,Aniello Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-03-13.

Multiple select gates with non-volatile memory cells

Номер патента: US7433231B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Word line zoned adaptive initial program voltage for non-volatile memory

Номер патента: US11854620B2. Автор: Han-Ping Chen,Henry Chin,Erika Penzo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device and method for secure programming of non-volatile memory

Номер патента: EP4318294A1. Автор: Uri Kaluzhny. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Array of non-volatile memory cells to store data in analog form and digital form

Номер патента: US20240220154A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory system using strap cells in source line pull down circuits

Номер патента: WO2021211164A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guangming Lin,Yaohua Zhu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for producing active structure of non-volatile resistive memory element

Номер патента: RU2749028C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Андрей Андреевич Гисматуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2021-06-03.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2023091186A1. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-25.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory circuit having non-volatile memory cell and methods of using

Номер патента: US20200043553A1. Автор: Ronald L. Cline. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US20070126043A1. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-07.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Program and read operations for 3d non-volatile memory based on memory hole diameter

Номер патента: EP3005371A1. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Man L Mui,Wendy OU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-13.

Program and read operations for 3d non-volatile memory based on memory hole diameter

Номер патента: WO2014197522A1. Автор: Masaaki Higashitani,Yingda Dong,Man L Mui,Wendy OU. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-11.

Non-volatile memory device and method of operation therefor

Номер патента: EP1826768A3. Автор: Dae-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-12.

Non-volatile memory device for improving data reliability and operating method thereof

Номер патента: US20190172544A1. Автор: Seung-Bum Kim,Dong-Hun Kwak,Deok-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device and method for programming the same using multiple program operations under different conditions

Номер патента: US11901021B2. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Location dependent sense time offset parameter for improvement to the threshold voltage distribution margin in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230197173A1. Автор: Ravi Kumar,Xue Bai Pitner,Prafful Golani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Location dependent sense time offset parameter for improvement to the threshold voltage distribution margin in non-volatile memory structures

Номер патента: US12027218B2. Автор: Ravi Kumar,Xue Bai Pitner,Prafful Golani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022260595A2. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-15.

Apparatus and method for reading state of multistate non-volatile memory cells

Номер патента: US6078518A. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

System and method for use of on-chip non-volatile memory write cache

Номер патента: EP1829047A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-09-05.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling with linear indexing

Номер патента: US11875836B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via multi-level wear leveling

Номер патента: US11823725B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling in a round robin fashion

Номер патента: US11869562B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via outlier compensation

Номер патента: US11790969B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and random swap injection

Номер патента: US11295796B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and outlier compensation

Номер патента: US11670352B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Systems and methods for sampling data at a non-volatile memory system

Номер патента: US09785357B2. Автор: Dana Lee,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Guirong Liang,Harish Singidi,Anne Pao-Ling Koh,Chris Aviala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20030072202A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020008991A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US20160162355A1. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US09632867B2. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of reading data in non-volatile memory device, and device thereof

Номер патента: US20120033502A1. Автор: Jae Hong Kim,Kyoung Lae Cho,Hee Seok EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-09.

Operating method of memory controller controlling non-volatile memory device performing refresh read operation

Номер патента: US09984757B2. Автор: Hyun-Jin Choi,Joon-Ho Lee,Dong-hoon Ham,Sil-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method for matching resistance in a non-volatile memory

Номер патента: US7283396B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Andrea Sacco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Method of writing data to non-volatile memory

Номер патента: EP1430386A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Device and method to generate bias voltages in non-volatile memory

Номер патента: US12094542B2. Автор: Vikas RANA,Neha DALAL. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of rewriting data in non-volatile memory, and system therefor

Номер патента: US4517663A. Автор: Ryoji Imazeki,Michiya Inoue. Владелец: Fujitsu Fanuc Ltd. Дата публикации: 1985-05-14.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Device and method to generate bias voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20220180944A1. Автор: Vikas RANA,Neha DALAL. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Erasing method of non-volatile memory

Номер патента: US20090059679A1. Автор: Chih-Lung Hung. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20090061582A1. Автор: Chih-Lung Hung. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication

Номер патента: US09853090B2. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication

Номер патента: US09558949B2. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Flexible non-volatile memory

Номер патента: US20140061569A1. Автор: Po-Tsun Liu,Yang-Shun FAN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-03-06.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070259496A1. Автор: Chun-Pei Wu,Hsin-Fu Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Non-volatile memory having discrete isolation structure and sonos memory cell, method of operating the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140078832A1. Автор: Takao Akaogi,Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Hung-Hui Lai. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

3-dimensional (3D) non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09735203B2. Автор: Cheol Seong Hwang,Jun Yeong Seok. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile memory device containing oxygen-scavenging material portions and method of making thereof

Номер патента: US09812505B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Variable resistor, non-volatile memory device using the same, and method of fabricating thereof

Номер патента: US20170005262A1. Автор: Jung Ho Yoon,Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-01-05.

Non-volatile memory devices, methods of manufacturing and methods of operating the same

Номер патента: US8624331B2. Автор: Deok-kee Kim,Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Non-volatile memory elements with a narrowed electrode

Номер патента: US20210320249A1. Автор: Eng Huat Toh,Lup San Leong,Juan Boon Tan,Kin Wai Tang,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899408B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Young-Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Non-volatile memory bit cells with non-rectangular floating gates

Номер патента: US20210159234A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Vertical Bit Line Non-Volatile Memory Systems And Methods Of Fabrication

Номер патента: US20170098685A1. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Vertical Bit Line Non-Volatile Memory Systems And Methods Of Fabrication

Номер патента: US20160064222A1. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-03-03.

Vertical bit line non-volatile memory with recessed word lines

Номер патента: US09450023B1. Автор: Michael Konevecki,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Embedded non-volatile memory

Номер патента: US20160351627A1. Автор: Daniel R. Shepard,James Juen Hsu,Mac D. Apodaca,Thomas Michael Trent. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Embedded non-volatile memory

Номер патента: US20140158963A1. Автор: Daniel R. Shepard,James Juen Hsu,Mac D. Apodaca,Thomas Michael Trent. Владелец: Contour Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20060110879A1. Автор: Wen-Pin Lu,Tzung-Ting Han,Ming-Shang Chen,Meng-Hsuan Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Embedded non-volatile memory

Номер патента: US09812503B2. Автор: Daniel R. Shepard,James Juen Hsu,Mac D. Apodaca,Thomas Michael Trent. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for forming a passivation on berry diffusion layer of a non-volatile memory

Номер патента: US20020084250A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304692A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique

Номер патента: US09831289B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Contact for a non-volatile memory and method therefor

Номер патента: US09741602B2. Автор: Gong Chen,Linghui Wu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09287283B2. Автор: Eun-Seok Choi,Young-Wook Lee,Ki-hong Lee,Won-Joon Choi,Sang-Bum Lee,Se-Yun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Low temperature P+ polycrystalline silicon material for non-volatile memory device

Номер патента: US09793474B2. Автор: Xin Sun,Tanmay Kumar,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

System and method for storing multibit data in non-volatile memory

Номер патента: EP3704700A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-09.

System And Method For Storing Multibit Data In Non-volatile Memory

Номер патента: US20190139602A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

System and method for storing multibit data in non-volatile memory

Номер патента: WO2019089168A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-05-09.

System and method for storing multibit data in non-volatile memory

Номер патента: US10515694B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Method of data encoding in non-volatile memories

Номер патента: US20230010522A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Jui Jen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of data encoding in non-volatile memories

Номер патента: US12057164B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Jui Jen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Systems and methods for support of non-volatile memory on a DDR memory channel

Номер патента: US09645746B2. Автор: Shawn J. Dube,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatus and method for routing information in a non-volatile memory-based storage device

Номер патента: US09507529B2. Автор: William Radke,Radoslav Danilak. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

System and methodology for error management within a shared non-volatile memory architecture using bloom filters

Номер патента: US20180129557A1. Автор: Luiz M. Franca-Neto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Apparatus and method for file recording based on non-volatile memory

Номер патента: US20170177267A1. Автор: Young Hun Kim,Dong Kun Shin,Jin Young Yang. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-06-22.

Method and Apparatus for Storing Data in a Write-Once Non-Volatile Memory

Номер патента: US20090059684A1. Автор: Edward B. Harris. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2009-03-05.

Test partitioning for a non-volatile memory

Номер патента: US09472285B2. Автор: Matthew J. Byom,Nir J. Wakrat,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Non-volatile memory system with power reduction mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20140177317A1. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Non-volatile memory system with reset control mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20140226390A1. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Suspending and resuming non-volatile memory operations

Номер патента: EP3172674A1. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Ryan R. Jones. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-31.

Suspending and resuming non-volatile memory operations

Номер патента: US09645744B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Ryan R. Jones. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of screening non-volatile memory devices

Номер патента: US20030147294A1. Автор: Yasuhito Anzai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US09891864B2. Автор: Jonathan Parry,George Pax. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Voltage regulator in a non-volatile memory device

Номер патента: US20080089141A1. Автор: Prajit Nandi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US11797225B2. Автор: George Pax,Jonathan Scott Parry. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US20240126475A1. Автор: George Pax,Jonathan Scott Parry. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of screening non-volatile memory devices

Номер патента: US6639860B2. Автор: Yasuhito Anzai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Tamper proof security measure in data writing to non-volatile memory

Номер патента: US5715431A. Автор: Ian Miller,David B. Everett,Keith M. Jackson. Владелец: Mondex International Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Adaptive compression data storing method for non-volatile memories and system using the same

Номер патента: US09720821B2. Автор: Ming-Yi Chu,Jui Hui HUNG. Владелец: Storart Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Non-Volatile Memory With Improved Sensing By Reducing Source Line Current

Номер патента: US20120113715A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Termination of non-volatile memory networking messages at the drive level

Номер патента: WO2020183246A3. Автор: Noam Mizrahi. Владелец: Marvell Asia Pte, Ltd.. Дата публикации: 2020-10-15.

Systems and methods for downloading code and data into a secure non-volatile memory

Номер патента: US09653004B2. Автор: Nicolas Prawitz,Arnaud Boscher. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Encrypting data in a non-volatile memory express (‘NVMe’) storage device

Номер патента: US11924183B2. Автор: John Colgrove,Ethan MILLER,Timothy Brennan,Andrew Bernat. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Nibble encoding for improved reliability of non-volatile memory

Номер патента: US20130104000A1. Автор: Christopher J. Bueb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Protecting cryptographic keys stored in non-volatile memory

Номер патента: EP3746901A1. Автор: Mark Evan MARSON,Michael A. Hamburg. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2020-12-09.

Sense amplifier architecture for a non-volatile memory storing coded information

Номер патента: EP4210054A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-12.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: US20240212781A1. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A3. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A2. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method for scale-out node-local data caching using network-attached non-volatile memories

Номер патента: US09900397B1. Автор: Jason M. Cope,Michael J. Piszczek,Pavan Kumar Uppu. Владелец: Datadirect Networks Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Reference sense amplifier and method for compensated sensing in non-volatile memory

Номер патента: WO2007076414A3. Автор: Raul-Adrian Cernea,Siu Lung Chan. Владелец: Siu Lung Chan. Дата публикации: 2007-09-27.

Reference sense amplifier and method for compensated sensing in non-volatile memory

Номер патента: EP1966801A2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-09-10.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US20010040825A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: EP4439300A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Implicit discovery controller registration of non-volatile memory express (nvme) elements in an nvme-over-fabrics (nvme-of) system

Номер патента: US20210289027A1. Автор: David Black,Erik Smith,Joseph LaSalle White,Raja Subbiah. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-09-16.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US6473338B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-29.

Out-of-order bit-flipping decoders for non-volatile memory devices

Номер патента: US12112041B2. Автор: Fan Zhang,Haobo Wang,Meysam Asadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Feedback validation of arbitrary non-volatile memory data

Номер патента: US09824775B2. Автор: Jonathan William Nafziger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

On-the fly error checking and correction codec system and method for supporting non-volatile memory

Номер патента: US20060282757A1. Автор: Dae-Woong Kim,Hyun-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-14.

Bit-Symbol Recognition Method and Structure for Multiple-Bit Storage in Non-Volatile Memories

Номер патента: US20080266947A1. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Memory controller and system for storing blocks of data in non-volatile memory devices in a redundant manner

Номер патента: EP2638545A1. Автор: Siamak Arya. Владелец: Greenliant LLC. Дата публикации: 2013-09-18.

Memory control for power saving state based on determination of volatile memory or non-volatile memory

Номер патента: US09584693B2. Автор: Toshiaki Iizuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Systems and methods for decoupling host commands in a non-volatile memory system

Номер патента: US10019171B2. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-07-10.

Systems and Methods for Decoupling Host Commands in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20170249081A1. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Non-volatile memory device with usb and wireless connectivity and method for controlling the connectivity

Номер патента: EP2044756A1. Автор: Teng Pin Poo,Henry Tan. Владелец: Trek 2000 International Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Sensing circuit and method utilizing voltage replication for non-volatile memory device

Номер патента: US09754640B1. Автор: Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20230170004A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US09997250B2. Автор: Kang-Woo PARK,Eun-Ji Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Local Reference Voltage Generator for Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220101904A1. Автор: Kapil Jain,Shan Sun,Patrick O'connell,Fan Chu,Edwin Kim,Alan DeVilbiss,Franklin Brodsky. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-31.

Multiple temperature testing of non-volatile memory data retention time

Номер патента: US20180040384A1. Автор: Kalin V. Lazarov,Michael D. Petersen,Timothy D. ROHRER. Владелец: Linear Technology Holding LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: EP2415051A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2010117654A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-10-14.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US09478303B1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Predictive thermal preconditioning and timing control for non-volatile memory cells

Номер патента: US8553454B2. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-10-08.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US20160322113A1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

Non-volatile memory with temperature-compensated data read

Номер патента: EP1440446A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-07-28.

Local reference voltage generator for non-volatile memory

Номер патента: US11978494B2. Автор: Kapil Jain,Alan D. Devilbiss,Shan Sun,Fan Chu,Edwin Kim,Franklin Brodsky,Patrick F. O'Connell. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Local reference voltage generator for non-volatile memory

Номер патента: US20230267983A1. Автор: Kapil Jain,Alan D. Devilbiss,Shan Sun,Fan Chu,Edwin Kim,Franklin Brodsky,Patrick F. O'Connell. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Non-volatile memory device for selectively performing recovery operation and method of operating the same

Номер патента: US20170125091A1. Автор: Hyun-Jun Yoon,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Adaptive non-volatile memory programming

Номер патента: US09489990B1. Автор: Massimiliano Frulio. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Apparatus, system, and method of storage and retrieval of local volatile memory content of non-volatile storage memory

Номер патента: US09846468B2. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Circuits, systems and methods for driving high and low voltages on bit lines in non-volatile memory

Номер патента: US20120014185A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Recovery of nearby data in programming of non-volatile multi-level multiple memory die

Номер патента: EP2948956A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-02.

Systems for and methods of extending lifetime of non-volatile memory

Номер патента: US09632866B2. Автор: Arthur Robert Calderbank,Daniel J. Sorin,Adam N. Jacobvitz. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2017-04-25.

System and method for initiating a bad block disable process in a non-volatile memory

Номер патента: US20090091994A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-09.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: WO2023146572A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Command control for multi-core non-volatile memory

Номер патента: WO2018156200A1. Автор: Jingwen Ouyang,Greg Hilton,Jayesh Pakhale. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US20230290405A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: US12094546B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems and methods for managing non-volatile memory based on temperature

Номер патента: US09891859B1. Автор: Charan Srinivasan,Andrew W. Vogan,Matthew J. Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Method and System Involving Degradation of Non-Volatile Memory Based on Write Commands and Drive-Writes

Номер патента: US20200342945A1. Автор: Vidyabhushan Mohan,Yao Zhang,Cory Peterson,Jay Sarkar,Amir SANAYEI. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers

Номер патента: US20240256146A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers and for a redundant array using tag registers

Номер патента: WO2024162977A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09589636B1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09548118B1. Автор: Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Non-volatile memory with precise programming

Номер патента: US12051473B2. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: Western Digital Technolologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Method, system and device for non-volatile memory device state detection

Номер патента: US09997242B2. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: US20080266966A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Testing for threshold voltage and bit cell current of non-volatile memory arrays

Номер патента: US09691501B2. Автор: Daniel Robert Burggraf, III,Nelson Kei Leung,Trevor John Tarsi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods, storage devices, and systems for promoting the endurance of non-volatile solid-state memory components

Номер патента: US20120166716A1. Автор: Franz Michael Schuette,Anthony Leach. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-06-28.

Improving data retention of last word line of non-volatile memory arrays

Номер патента: EP2340537A1. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-07-06.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US09792984B1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Azeez Jennudin Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of controlling service life of non-volatile memory

Номер патента: RU2600525C2. Автор: Самюэль ШАРБУЙО,Ив ФУЗЕЛЛА,Стефан РИКАР. Владелец: Старшип. Дата публикации: 2016-10-20.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040008542A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-01-15.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US11978507B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180254084A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180114574A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2018078349A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Programming a non-volatile memory

Номер патента: US20120195124A1. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US09990992B2. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09886200B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09875036B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09529543B1. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Weak programming method of non-volatile memory

Номер патента: US20040184320A1. Автор: Shih-Hsien Yang,Chien-Min Wu,James Juwn Hsu,Chi-Moon Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for non-real time reprogramming of non-volatile memory to achieve tighter distribution of threshold voltages

Номер патента: EP2030205A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-03-04.

Positive feedback and parallel searching enhanced optimal read method for non-volatile memory

Номер патента: US20210118518A1. Автор: Xiang Yang,Jianzhi Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Non-volatile memory program failure recovery via redundant arrays

Номер патента: US09569320B2. Автор: Earl T. Cohen,Jeremy Isaac Nathaniel Werner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Threshold voltage verification method and circuit for program and erasure verification of non-volatile memory cell

Номер патента: GB2299190A. Автор: Bok Nam Song. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-25.

Bias conditions for repair, program and erase operations of non-volatile memory

Номер патента: US6160737A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US20240046996A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: WO2024030190A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US11972805B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09817596B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Selective ECC refresh for on die buffered non-volatile memory

Номер патента: US09489263B2. Автор: Robert Wood,Jea Hyun. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09465553B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Retention-drift-history-based non-volatile memory read threshold optimization

Номер патента: US20200013471A1. Автор: Hao ZHONG,Earl T. Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

Mass data storage system with non-volatile memory modules

Номер патента: WO2010031160A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-03-25.

Non-volatile memory with multi-gear control using on-chip folding of data

Номер патента: EP2513908A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Jianmin Huang,Lee M. Gavens,Chris Avila,Steven T. Sprouse,Neil David Hutchison. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-24.

Mass data storage system with non-volatile memory modules

Номер патента: EP2342712A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-13.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20200192583A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Local sensing of non-volatile memory

Номер патента: US20020085424A1. Автор: Balaji Srinivasan,Kerry Tedrow,Mark Bauer,Sandeep Guliani,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Memory apparatus and associated control method for reducing erase disturb of non-volatile memory

Номер патента: US20210366557A1. Автор: Kuen-Long Chang,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Erasing of a word or a page of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20240312517A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Reading reference current automatic regulation circuit of non-volatile memory

Номер патента: US11205491B1. Автор: LIANG Hong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Non-volatile memory with precise programming

Номер патента: US20230420061A1. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Extending shelf life of non-volatile memory devices

Номер патента: US20180210646A1. Автор: Adam J. McPadden,Janani Swaminathan,Trinadhachari Kosuru,Prashanth K. Kasula,Preetham H. Raghavendra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: WO2024144910A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Two-dimensionally accessible non-volatile memory

Номер патента: US20190206487A1. Автор: ZHENG Li,Hai Li,Yiran Chen. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Non-volatile memory array and method of using same for fractional word programming

Номер патента: EP2907137A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-19.

Word line dependent pass voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20180322935A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Output block for array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282351A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Output block for a vector-by-matrix multiplication array of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024172829A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Word line dependent pass voltages in non-volatile memory

Номер патента: WO2018009282A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Enhanced operations of non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240282392A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Frank Wanfang TSAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Multi-bank non-volatile memory apparatus with high-speed bus

Номер патента: US09921763B1. Автор: Cliff Zitlaw. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics

Номер патента: US09633724B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Lin Shih Liu. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

System and method for emulating an EEPROM in a non-volatile memory device

Номер патента: US09389999B2. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch,Edvin Paparisto. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-12.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180366195A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-12-20.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A3. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A3. Автор: Daniel Sobek,Timothy J Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Systems and methods for managing non-volatile memory based on temperature

Номер патента: US20180046402A1. Автор: Charan Srinivasan,Andrew W. Vogan,Matthew J. Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Systems and methods for managing non-volatile memory based on temperature

Номер патента: US20180121131A1. Автор: Charan Srinivasan,Andrew W. Vogan,Matthew J. Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of compensating charge loss and source line bias in programing of non-volatile memory device

Номер патента: US20200219561A1. Автор: Ming-Chang Tsai,Chun-Yi Tu,Jui-Lung Weng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20180095678A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Three dimensional non-volatile memory with current sensing programming status

Номер патента: US09715924B2. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory channel connected non-volatile memory

Номер патента: US09626290B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Systems and methods to update reference voltages in response to data retention in non-volatile memory

Номер патента: US09349489B2. Автор: Manuel Antonio d'Abreu,Stephen Skala,Sateesh Desireddi,Jayaprakash Naradasi,Anand Venkitachalam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-24.

Non-volatile memory system or sub-system

Номер патента: US11550381B2. Автор: Robert Nasry Hasbun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Error characterization for control of non-volatile memory

Номер патента: US20190278500A1. Автор: Raghavendra Gopalakrishnan,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Method, system and device for non-volatile memory device state detection

Номер патента: US20180254082A1. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11798619B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336011A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051175A1. Автор: Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040202022A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

System and method for enabling non-volatile memory to execute code while operating as a data storage/processing device

Номер патента: EP1305713A1. Автор: Amir Ban,Moshe Gefen,Shuka Zernovizky. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2003-05-02.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20190057737A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: EP4128239A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20160203864A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US10026475B2. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Verify while write scheme for non-volatile memory cell

Номер патента: US20110194355A1. Автор: Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Erase algorithm with a weak program pulse for non-volatile memory

Номер патента: US20240304243A1. Автор: ZHI Li,Sung Hyun Jo,Jordan Frick. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09607700B2. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of utilizing a plurality of voltage pulses to program non-volatile memory elements and related embedded memories

Номер патента: US6816427B2. Автор: David Novosel,Gary S. Craig. Владелец: Novocell Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Circuit and method for storing information in non-volatile memory during a loss of power event

Номер патента: US20210133052A1. Автор: Juan Manuel Cesaretti,Alejandro Gabriel Milesi. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Circuit and method for storing information in non-volatile memory during a loss of power event

Номер патента: US20190370125A1. Автор: Juan Manuel Cesaretti,Alejandro Gabriel Milesi. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Systems and methods capable of bypassing non-volatile memory when storing firmware in execution memory

Номер патента: US11775038B2. Автор: Ashok Kumar YADAV,Shalu Agrawal,Shaileshkumar Vasu,Vismay Ajaykumar Desai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Structures and methods of high efficient bit conversion for multi-level cell non-volatile memories

Номер патента: US20130235661A1. Автор: Lee Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Programming and reading five bits of data in two non-volatile memory cells

Номер патента: US20080084740A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Health state of non-volatile memory

Номер патента: US09875812B2. Автор: Christian Schneckenburger,Jan Otterstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336010A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memories including multiple arrays of non-volatile memory cells selectively connected to sense circuitry using different numbers of data lines

Номер патента: US20180286482A1. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Write-time prevention of data retention failures for non-volatile memory

Номер патента: US20190130971A1. Автор: Bijesh Rajamohanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-02.

Non-volatile memory device using variable resistance element with an improved write performance

Номер патента: US20120224437A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim,Hung-Jun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-06.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11915747B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Adaptive programming voltage for non-volatile memory devices

Номер патента: US20200258571A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-08-13.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240112736A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240127890A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240105263A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180122463A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Azeez Jennudin Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Pseudo multi-plane read methods and apparatus for non-volatile memory devices

Номер патента: US11935585B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Arka Ganguly. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Column erasing in non-volatile memory strings

Номер патента: US20200013469A1. Автор: Jayavel Pachamuthu,Amul Dhirajbhai Desai,Ankitkumar Babariya. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US20200294560A1. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US11152041B2. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Peak and average icc reduction by tier-based sensing during program verify operations of non-volatile memory structures

Номер патента: US20220392552A1. Автор: Ravi Kumar,Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Huai-Yuan Tseng,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09959933B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09747997B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: EP4032089A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Non-volatile Memory Device With Stored Index Information

Номер патента: US20210082517A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory device with stored index information

Номер патента: WO2021055006A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xiao Yan Pi. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US20040264268A1. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Open block boundary group programming for non-volatile memory

Номер патента: US12112814B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit system with non-volatile memory stress suppression and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530469B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Retention logic for non-volatile memory

Номер патента: US09514834B2. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile memory device, operating method thereof, and storage device having the same

Номер патента: US11295818B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Jin Shin,Ji Su Kim,Dae Seok Byeon,Ji Sang Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Dynamic bit line bias for programming non-volatile memory

Номер патента: WO2014066263A1. Автор: Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Deepanshu Dutta. Владелец: Sandisk Technologies,Inc.. Дата публикации: 2014-05-01.

Non-volatile memory device, operating method thereof, and storage device having the same

Номер патента: US11854627B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Jin Shin,Ji Su Kim,Dae Seok Byeon,Ji Sang Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US20160329100A1. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-10.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US20240111440A1. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile memory with reduced word line switch area

Номер патента: US12032837B2. Автор: Yuki Mizutani,Kazutaka Yoshizawa,Eiichi Fujikura,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20230290414A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Using an FPGA for integration with low-latency, non-volatile memory

Номер патента: US09921757B1. Автор: Kevin Rowett. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Data storage device enabling latches of non-volatile memory dies for use as externally-accessible volatile memory

Номер патента: US11816343B2. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US20130128660A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seiichi Aritome,Han-Soo Joo,Sung-Kye Park,Seok-Kiu Lee,Hyun-Seung Yoo,Gyu-Seog Cho,Sung-Joo HONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: US20240220130A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Countermeasures for periodic over programming for non-volatile memory

Номер патента: US20220293197A1. Автор: Anubhav Khandelwal,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

Method and apparatus for enhancing the reliability of a non-volatile memory

Номер патента: US10276246B2. Автор: Jan Peter Berns,Christoph Baumhof,Fabio Tassan. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2019-04-30.

Techniques for reducing read disturb in partially written blocks of non-volatile memory

Номер патента: US09978456B2. Автор: Abhijeet Manohar,Dana Lee,Gautam Dusija,Chris Avila,Henry Chin,Daniel Tuers,Cynthia Hsu,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile Memory Array Having Circuitry To Complete Programming Operation In The Event Of Power Interrupt

Номер патента: US20100226170A1. Автор: Fong-Long Lin,Tingniu Deng. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-09.

Variable current sinking for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2005073977A2. Автор: Daniel C. Guterman,Nima Mokhlesi,Yupin Fong. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-08-11.

Data movement operations in non-volatile memory

Номер патента: WO2019112937A1. Автор: Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-13.

Non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240071433A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa,Jeongduk Sohn. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Erase method of non-volatile memory device

Номер патента: US11783900B2. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Data Recovery in Three Dimensional Non-Volatile Memory Array After Word Line Short

Номер патента: US20170228299A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Ofer Shapira. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Non-volatile memory with sub-blocks

Номер патента: WO2024107517A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US12009049B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,YenLung Li,Siddarth Naga Murty Bassa,Jeongduk Sohn. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-volatile memory with sub-blocks

Номер патента: US20240161828A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Data movement operations in non-volatile memory

Номер патента: US20200201754A1. Автор: Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Data movement operations in non-volatile memory

Номер патента: US20190171558A1. Автор: Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Data movement operations in non-volatile memory

Номер патента: EP3721335A1. Автор: Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Non-volatile memory device with single transistor memory cell

Номер патента: US20070253247A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories

Номер патента: EP1869681A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-26.

Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories

Номер патента: WO2006107633A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-10-12.

Word Line Dependent Pass Voltages In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20180012667A1. Автор: Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: WO2012089334A2. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics NV. Дата публикации: 2012-07-05.

Circuit for controlling the potential difference between the substrate and the control gate of non-volatile memory and its control method

Номер патента: US20010012218A1. Автор: Ta-Lee Yu,Wei-Fan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Apparatus for externally timing high voltage cycles of non-volatile memory system

Номер патента: US20020054534A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-09.

Non-volatile memory with optimized erase verify sequence

Номер патента: US12087373B2. Автор: Yi Song,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Programming non-volatile memory

Номер патента: US20050157552A1. Автор: Yupin Fong,Gertjan Hemink. Владелец: Gertjan Hemink. Дата публикации: 2005-07-21.

Non-volatile memory device with reference voltage circuit

Номер патента: US20230402091A1. Автор: Thomas Melde,Venkatesh P. Gopinath,Xiaoli Hu,Nicki N. Mika. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-volatile memory with plane independent screening

Номер патента: US11862256B2. Автор: Shota Murai,Hideto Tomiie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Three dimensional non-volatile memory with current sensing programming status

Номер патента: US20170117035A1. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Three dimensional non-volatile memory with power supply current sensing to determine programming status

Номер патента: WO2017070459A1. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: US20210295907A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Non-volatile memory on chip

Номер патента: US20210133027A1. Автор: George McNeil Lattimore,Yew Keong Chong,Mudit Bhargava,James Dennis Dodrill,Joel Thornton Irby,Wendy Arnott ELSASSER. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Non-volatile memory cell read failure reduction

Номер патента: US20090067238A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Non-volatile memory with plane independent screening

Номер патента: WO2023163730A1. Автор: Shota Murai,Hideto Tomiie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240193058A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240160544A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile memory device optimized for a surface mount technology (smt) process and an operating method thereof

Номер патента: US20230251781A1. Автор: Joohee Son,Wandong Kim,Hune Seo,Dongcheul Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Device and method for protecting data in non-volatile memory

Номер патента: US8811106B2. Автор: Youjip Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-19.

Method of determining optimal voltages for operating two-side non-volatile memory and the operating methods

Номер патента: US20060104105A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Hsiang-Lan Lung,Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US12099424B2. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile memory apparatus and writing circuit and method for non-volatile memory apparatus

Номер патента: US09530507B2. Автор: Akira Ogawa. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Hybrid volatile and non-volatile memory device

Номер патента: WO2008131058A2. Автор: Scott Best. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2008-10-30.

Non-volatile memory program failure recovery via redundant arrays

Номер патента: US10467093B2. Автор: Earl T. Cohen,Jeremy Isaac Nathaniel Werner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-11-05.

Method and apparatus for controlling page buffer of non-volatile memory device

Номер патента: US20110199822A1. Автор: Han Bin YOON,Yeong-Jae WOO,Jung Been IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Starting program voltage shift with cycling of non-volatile memory

Номер патента: US7633812B2. Автор: Jeffrey Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-12-15.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US20200034080A1. Автор: Liang-Cheng Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Circuit and method for adjusting select gate voltage of non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US20180005699A1. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Circuit and method for adjusting select gate voltage of non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US10325662B2. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-18.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US12014800B2. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Retention-drift-history-based non-volatile memory read threshold optimization

Номер патента: US10460818B2. Автор: Hao ZHONG,Earl T. Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-10-29.

Predictive methods and apparatus for non-volatile memory

Номер патента: EP1883931A2. Автор: Carl Hu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-02-06.

System and method for managing non-volatile memory based on health

Номер патента: US20100058119A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Denali Software Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

High throughput programming system and method for a phase change non-volatile memory device

Номер патента: US09697896B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,Alberto Jose′ Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Weave sequence counter for non-volatile memory systems

Номер патента: US09477590B2. Автор: Vadim Khmelnitsky,Nir Jacob Wakrat,Daniel J. Post. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile memory express (NVMe) device power management

Номер патента: US09477295B2. Автор: Austin P. Bolen,Elie Antoun Jreji,Karthik V. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-10-25.

Word line drivers in non-volatile memory device and method having a shared power bank and processor-based systems using same

Номер патента: US20110110163A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Open block boundary group programming for non-volatile memory

Номер патента: US20230402109A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-volatile memory circuit and method

Номер патента: US20230386591A1. Автор: Yu-Der Chih,Gu-Huan Li,Chen-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Secure wear levelling of non-volatile memory based on galois field circuit

Номер патента: US20230410867A1. Автор: Martin Hassner,Mark Branstad. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for partitioning memory area of non-volatile memory

Номер патента: US20190034110A1. Автор: Chao-Chieh Chen,Huan-Chung Hsu,Cheng-Yu Wu,Ming-Yuan Liu,An-Chi CHENG,Chian-Ting Chen. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240161848A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Low standby power with fast turn on for non-volatile memory devices

Номер патента: US09449655B1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Gate voltage regulation system for a non volatile memory cells and a programming and soft programming phase

Номер патента: EP1453059A1. Автор: Ignazio Martines,Davide Torrisi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2004-09-01.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US7187582B2. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-03-06.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: EP4243022A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Memory devices including logic non-volatile memory

Номер патента: US20240070059A1. Автор: Vikas RANA,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Management of non-volatile memory

Номер патента: US20140269074A1. Автор: Chun Hsiung Hung,Han-Sung Chen,Hsin Yi Ho,Shuo-Nan Hung,Shih-Chou Juan,Lung Yi Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory device of non-volatile memory cells

Номер патента: US20230259738A1. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method and a circuit architecture for testing an integrate circuit comprising a programmable, non-volatile memory

Номер патента: US20010015925A1. Автор: Albino Pidutti,Paolo Sandri,Alessandro Camera,Ignazio Bellomo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-23.

Efficient buffering for a system having non-volatile memory

Номер патента: US09996457B2. Автор: Nir Jacob Wakrat,Daniel J. Post. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Efficient buffering for a system having non-volatile memory

Номер патента: US09703700B2. Автор: Daniel J. Post,Nir J. Wakrat. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method and apparatus for dynamically configuring redundant area of non-volatile memory

Номер патента: US20050002234A1. Автор: Cheng-Chih Yang. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2005-01-06.

Non-volatile memory circuit

Номер патента: US11791006B2. Автор: Yu-Der Chih,Gu-Huan Li,Chen-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-volatile memory devices having uniform error distributions among pages

Номер патента: US8780627B1. Автор: Xueshi Yang. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Adaptive Programming For Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20130250692A1. Автор: Danut Manea,Stephen Trinh,Dixie Nguyen,Erwin Castillon,Uday Mudumba,Sabina Centazzo. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Rapid restart protection for a non-volatile memory system

Номер патента: US20200381060A1. Автор: Vadim Khmelnitsky,Matthew J. Byom,Alexander Paley,Yuhua Liu,Muhammad N. Ashraf. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods and Devices for Erasing Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220044743A1. Автор: Gianbattista Lo Giudice,Rosario Roberto Grasso,Giovanni Matranga,Alberto Jose' Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-10.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Boosting to control programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2005112037A1. Автор: Nima Mokhlesi,Yupin Fong,Daniel Guterman. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Adaptive initial program voltage for non-volatile memory

Номер патента: WO2014120943A1. Автор: Dana Lee,Henry Chin. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

Apparatus and method for programming and verifying data in non-volatile memory device

Номер патента: US11894076B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Non-volatile memory with optimized erase verify sequence

Номер патента: US20240047000A1. Автор: Yi Song,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory-based compact mixed-signal multiply-accumulate engine

Номер патента: US11886987B2. Автор: Matthew Mattina,Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Fernando Garcia Redondo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Non-volatile memory with optimized erase verify sequence

Номер патента: WO2024025659A1. Автор: Yi Song,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: WO2012089334A3. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics NV. Дата публикации: 2012-08-23.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: EP2659490A2. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2013-11-06.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: US20130290617A1. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Vitantonio Distasio,Pasquale Vastano. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1411526A3. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-03-07.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2000004554A3. Автор: Jan Lindeman,Klaas G Druijf. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-07-13.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1046173A2. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-10-25.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2000004554A2. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 2000-01-27.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: US6178119B1. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-01-23.

Method of erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1046173B1. Автор: Jan Lindeman,Klaas G. Druijf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-09-08.

Non-volatile memory devices and methods of operating non-volatile memory devices

Номер патента: US20090285027A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US09864523B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: EP4348651A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Erase speed adjustment for endurance of non-volatile storage

Номер патента: US20150200019A1. Автор: Dana Lee,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-07-16.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: EP2856470A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-04-08.

Threshold voltage adjustment for a select gate transistor in a stacked non-volatile memory device

Номер патента: WO2013180893A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

10-transistor non-volatile static random-access memory using a single non-volatile memory element and method of operation thereof

Номер патента: US09997237B2. Автор: Jayant Ashokkumar,Joseph S Tandingan,David W. Still,Jesse J Siman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Read operation for a non-volatile memory

Номер патента: US09478292B2. Автор: Robert Wood,Jea Hyun,Hairong Sun. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09443596B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for programming non-volatile memory with reduced bit line interference and associated device

Номер патента: US09437319B1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Chih-Wei Lee,Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Non-volatile memory with programmable resistance non-data word line

Номер патента: US20240103742A1. Автор: Ravi Kumar,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Power architecture for non-volatile memory

Номер патента: US11763895B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Jeremy Binfet. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Generating a random number using a non-volatile memory based physical uncloneable function

Номер патента: US20240249757A1. Автор: Asaf Gueta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09966132B2. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Power supply including regulating transistor for providing current to a load and non-volatile memory devices produced accordingly

Номер патента: US09892763B2. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of repairing non-volatile memory based storage device and method of operating electronic system including the storage device

Номер патента: US09728277B2. Автор: Jong Tae Park,Joon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Non-volatile memory device and apparatus for reading a non-volatile memory array

Номер патента: US5619448A. Автор: Yi-Pin Lin. Владелец: Myson Tech Inc. Дата публикации: 1997-04-08.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20200381074A1. Автор: Jui-Wei Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09928140B2. Автор: Jung Sunwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for fail test, method for block management, method for erasing and method for programming of non volatile memory deice

Номер патента: KR100923832B1. Автор: 장채규,박세천,왕종현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-10-27.

Non-volatile memory and method for operating a non-volatile memory

Номер патента: WO2003054888A3. Автор: Engelbert Wittich. Владелец: Engelbert Wittich. Дата публикации: 2004-01-29.

Non-volatile memory with oxygen scavenger regions and methods of making the same

Номер патента: WO2023048649A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-11.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US20170125087A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: WO2017074575A1. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Dynamic threshold voltage compaction for non-volatile memory

Номер патента: US09711211B2. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Non-volatile memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09514830B2. Автор: Sang Hwa Han,Hee Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US9583205B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Accelerated testing method and circuit for non-volatile memory

Номер патента: US6445614B1. Автор: Wen-Jer Tsai,Nian-Kai Zous,Ta-Hui Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-03.

Method, system and circuit for programming a non-volatile memory array

Номер патента: EP1683159A2. Автор: Guy Cohen,Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2006-07-26.

Method, system and circuit for programming a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005041206A3. Автор: Guy Cohen,Boaz Eitan. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2005-06-02.

Method, system and circuit for programming a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005041206A8. Автор: Guy Cohen,Boaz Eitan. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Method, system and circuit for programming a non-volatile memory array

Номер патента: EP1683159A4. Автор: Guy Cohen,Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-03-21.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same

Номер патента: WO1996025744A1. Автор: James E. O'Toole. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1996-08-22.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09501343B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Electrically alterable n-bit per cell non-volatile memory with reference cells

Номер патента: US5596527A. Автор: Yasuo Sato,Shoichi Iwasa,Toshio Wada,Kenji Anzai,Yugo Tomioka. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Non-volatile memory with improved erasing operation

Номер патента: US20080186780A1. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20220076772A1. Автор: Tokumasa Hara,Itaru HIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

System and method for avoiding offset in and reducing the footprint of a non-volatile memory

Номер патента: WO2006044163A3. Автор: Massimiliano Frulio,Luca Figini,Andrea Sacco,Reggiori Riccardo Riva. Владелец: Reggiori Riccardo Riva. Дата публикации: 2006-08-10.

Programming non-volatile memory with self-adjusting maximum program loop

Номер патента: EP1911033A1. Автор: Jeffrey W. Lutze,Jun Wan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Latent slow bit detection for non-volatile memory

Номер патента: US20140098615A1. Автор: CHEN He,Fuchen Mu,Peter J. Kuhn. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-04-10.

Non-volatile memory with hole pre-charge and isolated signal lines

Номер патента: US20240203506A1. Автор: Xiang Yang,Jiahui Yuan,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for programming non-volatile memory using a multi-cell storage cell group to provide error location information for retention errors

Номер патента: EP3516660A1. Автор: Wei Wu,Yi Zou,Sanjeev N. Trika,Jawad B. Khan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-31.

Non-volatile memory with hole pre-charge and isolated signal lines

Номер патента: WO2024137026A1. Автор: Xiang Yang,Jiahui Yuan,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915A2. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-08-24.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registeting light- attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US20060011816A1. Автор: Wolfgang Buhr,Joachim Garbe. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-19.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915B1. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-03-18.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US7232983B2. Автор: Joachim C. H. Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-19.

Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple partitions of a non-volatile memory

Номер патента: US11768603B2. Автор: RAJESH Sundaram,Daniel Chu,Raymond W. Zeng,Owen W. Jungroth,Shekoufeh Qawami,DerChang Kau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Circuit and method for controlling write timing of a non-volatile memory

Номер патента: US20130121058A1. Автор: Chih-He Lin,Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pi-Feng Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-05-16.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

Differential Threshold Voltage Non-Volatile Memory and Related Methods

Номер патента: US20110261635A1. Автор: Lawrence T. Clark,David R. Allee,Sameer M. Venugopal. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2011-10-27.

Memory device and method with backup energy reservoir to write in-flight data in non-volatile memory

Номер патента: US09977478B1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Durable maintenance of memory cell electric current sense window following program-erase operations to a non-volatile memory

Номер патента: US09767914B1. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device capable of minimizing instant current consumption and performing memory operations in parallel, and method for operating the same, and system including the same

Номер патента: US09378134B2. Автор: Eui-Jin Kim,Byoung-Sung Yoo,Jun-Rye RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

System and method for erase voltage manipulation in non-volatile memory for controlled shifts in threshold voltage

Номер патента: TW200910359A. Автор: Teruhiko Kamei,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-03-01.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: EP4390928A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: US20240203518A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US20180102167A1. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US12014777B2. Автор: Li Xiang,Weihua Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: US12020762B2. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US20170200506A1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US12020747B2. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method of determining defective die containing non-volatile memory cells

Номер патента: EP4409576A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Fan Luo,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Bernard Bertello,Gilles Festes,Latt Tee. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Non-volatile Memory Device

Номер патента: US20100302862A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of updating data for a non-volatile memory

Номер патента: US20040205291A1. Автор: Hugues Blangy. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: US20120317318A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Sylvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: WO2011054661A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-05-12.

Method of analyzing the wear of a non volatile memory embedded in a secure electronic token

Номер патента: EP2499642A1. Автор: Frédéric Dao,Frederic Faure,Thierry Silvestre. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2012-09-19.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20120147655A1. Автор: Sung Yeon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US09704596B1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of initializing 3D non-volatile memory device

Номер патента: US09685235B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Repair of memory devices using volatile and non-volatile memory

Номер патента: US09570201B2. Автор: Donald M. Morgan,Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09349456B2. Автор: Se Jun Kim,Hea Jong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Erase verify in non-volatile memory

Номер патента: US09343160B1. Автор: Deepanshu Dutta,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-17.

Programming selection devices in non-volatile memory strings

Номер патента: US20190392893A1. Автор: Xiang Yang,Jin Liu,Yanli Zhang,Deepanshu Dutta,Dengtao Zhao,Huai-Yuan Tseng,Zhongguang Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

System and method for fast secure destruction or erase of data in a non-volatile memory

Номер патента: WO2017209815A1. Автор: Amir Shaharabany,Yacov Duzly,Liron Sheffi,Yuval Kenan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20230197128A1. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Device and method for protecting data in non-volatile memory

Номер патента: US20110141839A1. Автор: Youjip Won. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Device and method for protecting data in non-volatile memory

Номер патента: US8446795B2. Автор: Youjip Won. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2013-05-21.

Device and Method for Protecting Data in Non-Volatile Memory

Номер патента: US20130235690A1. Автор: Youjip Won. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2013-09-12.

Non-volatile memory with tuning of erase process

Номер патента: WO2023235115A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Non-Volatile Memory and Method with Power-Saving Read and Program-Verify Operations

Номер патента: US20120243332A1. Автор: Yan Li,Seungpil Lee,Siu Lung Chan. Владелец: Siu Lung Chan. Дата публикации: 2012-09-27.

Non-volatile memory and method with power-saving read and program-verify operations

Номер патента: EP1859448A1. Автор: Yan Li,Seungpil Lee,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-28.

Non-volatile memory and method with power-saving read and program-verify operations

Номер патента: EP1859448B1. Автор: Yan Li,Seungpil Lee,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-03-03.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20200234746A1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20210327477A1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Non-volatile memory with tuning of erase process

Номер патента: US20230395157A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Method for operating a non volatile memory of an electronic device and the electronic device implementing the same

Номер патента: US10318184B2. Автор: Woosung Lee,Inhwan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-11.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory and operation method thereof

Номер патента: US20220059170A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Restoring ECC syndrome in non-volatile memory devices

Номер патента: US09910729B1. Автор: Amit Shefi,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile memory accelerator and method for speeding up data access

Номер патента: US09773534B2. Автор: Kun-Chih Chen,Hsiao-An Chuang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Apparatuses and methods for non-volatile memory programming schemes

Номер патента: US09576667B2. Автор: Akira Goda,William C Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US09478295B2. Автор: Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Data partitioning scheme for non-volatile memories

Номер патента: US20170102899A1. Автор: Vadim Khmelnitsky,Nir Jacob Wakrat,Matthew J. Byom,Daniel J. Post,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-04-13.

Non-volatile memory testing

Номер патента: US10438680B2. Автор: Thorsten Bucksch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-08.

Method for erasing and rewriting non volatile memory cells and particularly flash cells

Номер патента: US6282125B1. Автор: Pier Luigi Rolandi,Marco Pasotti,Giovanni Guaitini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-28.

Fail-safe non-volatile memory programming system and method therefor

Номер патента: WO1997049085A1. Автор: Frederick J. Bruwer,Emile Van Rooyen,William Smit,Thomas C. Salt. Владелец: Microchip Technology, Inc.. Дата публикации: 1997-12-24.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240094914A1. Автор: Keisuke Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of testing non-volatile memory device and method of managing non-volatile memory device

Номер патента: US9214206B2. Автор: Dong-ku Kang,Sang-In Park,Boh-Chang KIM,Bu-il NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-15.

Low standby power with fast turn on for non-volatile memory devices

Номер патента: WO2017040071A1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk,Roger Jay Bettman. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2017-03-09.

System and method for programming non-volatile memory

Номер патента: US20050018487A1. Автор: Gelu Voicu,Carmen Stangu,Adam Cosmin. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Bitline voltage regulation in non-volatile memory

Номер патента: WO2014022281A1. Автор: Evrim Binboga. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-02-06.

Methods, circuits and systems for reading non-volatile memory cells

Номер патента: WO2008032326A3. Автор: Eduardo Maayan,Ilan Bloom. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Method and apparatus for reducing read latency for a block erasable non-volatile memory

Номер патента: EP4361828A2. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster,Robert E. Frickey,Paul D. Ruby,Justin R. DAYACAP,Joseph F. DOLLER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Method and apparatus for reducing read latency for a block erasable non-volatile memory

Номер патента: EP4361828A3. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster,Robert E. Frickey,Paul D. Ruby,Justin R. DAYACAP,Joseph F. DOLLER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Non-volatile memory array with equalized bit line potentials

Номер патента: US20030058690A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Circuit and method for reading a non-volatile memory

Номер патента: US6195286B1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-02-27.

Multi-deck non-volatile memory architecture with improved wordline bus and bitline bus configuration

Номер патента: US12087350B2. Автор: Cheng-Yi Huang,William Waller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: US09865356B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of reliably reading data stored in multi-level cell (MLC) non-volatile memory

Номер патента: US09495518B2. Автор: Jae Hong Kim,Yong June Kim,Hong Rak Son,Ki Jun LEE,Seong Hyeog Choi,Sang Yong YOON,Jung Soo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Systems For Programming Differently Sized Margins And Sensing With Compensations At Select States For Improved Read Operations In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20080144368A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same

Номер патента: US20080285347A1. Автор: Dae Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-20.

Locating data in non-volatile memory

Номер патента: US20140208061A1. Автор: Earl Cohen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Method, system and device for integration of volatile and non-volatile memory bitcells

Номер патента: WO2019207282A1. Автор: George McNeil Lattimore,Shidhartha Das,Mudit Bhargava,Brian Tracy CLINE. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-10-31.

Locating data in non-volatile memory

Номер патента: US9477406B2. Автор: Earl Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Locating data in non-volatile memory

Номер патента: US20150234599A1. Автор: Earl Cohen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190325974A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190371420A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Mapping data to non-volatile memory

Номер патента: WO2012106255A1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2012-08-09.

Non-volatile memory devices and systems with volatile memory features and methods for operating the same

Номер патента: EP3785267A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Methods and systems for dynamically controlling operations in a non-volatile memory to limit power consumption

Номер патента: US20120023347A1. Автор: Hugo Fiennes,Vadim Khmelnitsky,Matthew Byom,Arjun Kapoor. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

System and method to enable reading from non-volatile memory devices

Номер патента: US20130141983A1. Автор: Paul F. Ruths. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Methods and systems for dynamically controlling operations in a non-volatile memory to limit power consumption

Номер патента: WO2012015793A1. Автор: Hugo Fiennes,Vadim Khmelnitsky,Matthew Byom,Arjun Kapoor. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-02-02.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240233831A1. Автор: ByungKyu Cho,Hyunkook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory (nvm) with variable verify operations

Номер патента: US20140321211A1. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Electronic apparatus having non-volatile memory and method for controlling the same

Номер патента: US09471483B2. Автор: Hartmut Sturm,Kai Dieffenbach,Richard Landenbach,Marc Willam. Владелец: Fujitsu Electronics Europe GmbH. Дата публикации: 2016-10-18.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US09437322B2. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Non-volatile memory program algorithm device and method

Номер патента: US09431126B2. Автор: James Cheng,Xian Liu,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Dmitry Bavinov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Data Storage System and Operating Method for Non-Volatile Memory

Номер патента: US20190348083A1. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Data storage system and method for operating non-volatile memory

Номер патента: US10990497B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-04-27.

Non-volatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20080209150A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Reduced current erase verify in non-volatile memory

Номер патента: WO2016130192A1. Автор: Deepanshu Dutta,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-18.

Non-volatile memory device and method therefor

Номер патента: EP2524313A2. Автор: Ross S. Scouller,Daniel L. Andre,Stephen F. Mcginty. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-11-21.

Non-volatile memory device and method therefor

Номер патента: WO2011087952A2. Автор: Ross S. Scouller,Daniel L. Andre,Stephen F. Mcginty. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-07-21.

Power architecture for non-volatile memory

Номер патента: US20220254418A1. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Jeremy Binfet. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

High performance, non-volatile memory module

Номер патента: US20230307026A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-09-28.

Data Storage System and Method for Operating Non-Volatile Memory

Номер патента: US20200394115A1. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20130088919A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150032949A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Non-volatile memory and method with peak current control

Номер патента: EP2877995A1. Автор: Dana Lee,Yi-Chieh Chen,Farookh Moogat. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-06-03.

Non-volatile memory and method with post-write read and adaptive re-write to manage errors

Номер патента: EP2494552A1. Автор: Jian Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-09-05.

Method of programming multi-level cells in non-volatile memory device

Номер патента: US20130135929A1. Автор: Ki-hwan Choi,Chung-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-30.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory having a dynamically adjustable soft program verify voltage level and method therefor

Номер патента: WO2009017889A1. Автор: Jon S. Choy,Richard K. Eguchi. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of programming non-volatile memory device

Номер патента: US12125541B2. Автор: Sungmin JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory device, and storage apparatus to reduce a read retry occurrence frequency and prevent read performance from lowering

Номер патента: US09898201B2. Автор: Hiroshi Hirayama,Yoshihiro Oikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Resistive non-volatile memory cell and method for programming same

Номер патента: US09514810B1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Optical Disk Drive Including Non-Volatile Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110317531A1. Автор: Jeon-Taek Im,Sung-Kook Bang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Throttling command execution in non-volatile memory systems based on power usage

Номер патента: US09582211B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Mark Dancho. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Method and system for compacting data in non-volatile memory

Номер патента: US09910773B2. Автор: Nicholas James Thomas. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Systems and methods for configuring non-volatile memory

Номер патента: US09841917B2. Автор: Vadim Khmelnitsky,Nir Jacob Wakrat,Matthew J. Byom,Daniel J. Post,Kenneth L. Herman,Alexander C. Sanks. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile memory packaging system with caching and method of operation thereof

Номер патента: US09424188B2. Автор: Alessandro Fin,Mike H. Amidi,Michael Rubino. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Multi-processor non-volatile memory system having a lockless flow data path

Номер патента: WO2017074583A1. Автор: Vered Kelner,Gadi Vishne,Noga Deshe,Alon Banin,Yevgeny Zagalsky,Ilya Gusev,Eran Ben Abou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Flexible non-volatile memory

Номер патента: US8673727B1. Автор: Po-Tsun Liu,Yang-Shun FAN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-03-18.

Non-volatile memory device and manufacturing process

Номер патента: US20070183201A1. Автор: Giuseppe Cina,Lorenzo Todaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-09.

Process for forming an integrated circuit comprising non-volatile memory cells and side transistors of at least two different types, and corresponding ic

Номер патента: US20020000636A1. Автор: Carlo Riva,Cesare Clementi,Gabriella Ghidini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Method and system for reporting events stored in non-volatile memory within an electronic device

Номер патента: US20020116661A1. Автор: Rajiv Grover,Bill Thomas. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-08-22.

Management of non-volatile memory express nodes

Номер патента: WO2022132227A1. Автор: Dejan Vucinic,Marjan Radi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Management of non-volatile memory express nodes

Номер патента: US12088470B2. Автор: Dejan Vucinic,Marjan Radi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Segmented non-volatile memory array having multiple sources

Номер патента: US5945717A. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Non-volatile memory structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20040115887A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Active field semiconductor or optoelectronic device with non-volatile memory and method for manufacture of such device

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20020121657A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20030022443A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: CA3207537A1. Автор: Paul B. Giannelia. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2022-08-11.

Solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: AU2022217904A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-08-31.

Solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: EP4288508A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2023-12-13.

Automated ethernet layer 3 (L3) connectivity between non-volatile memory express over fabric (NVMe-oF) hosts and NVM-oF subsystems using bind

Номер патента: US11805171B2. Автор: Claudio Desanti,Erik Smith,Joseph LaSalle White,Douglas Lang FARLEY,Martin Gilbert BELANGER. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of fabricating non-volatile memory

Номер патента: US20040142547A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of fabricating non-volatile memory

Номер патента: US6794280B2. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20040140509A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Hybrid non-volatile memory cell

Номер патента: EP4248501A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Non-volatile memory cell and method of manufacturing a non-volatile memory cell

Номер патента: US7052962B1. Автор: Michael L. Lovejoy. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Systems and methods for load-balancing cache flushes to non-volatile memory

Номер патента: US20190236029A1. Автор: Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan,Wade Andrew Butcher. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-08-01.

Non-volatile memory with adapting erase process

Номер патента: US20240319905A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam,Longju LIU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory controller and method for accessing a plurality of non-volatile memory arrays

Номер патента: US20120096215A1. Автор: Xingyu Li,Kevin K. Zhang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-19.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: WO2012003275A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: EP2588963A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Hardware apparatuses and methods for distributed durable and atomic transactions in non-volatile memory

Номер патента: US09645939B2. Автор: Sanjay Kumar,Subramanya R. DULLOOR,Rajesh M Sankaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Reducing power consumption of volatile memory via use of non-volatile memory

Номер патента: US09891694B2. Автор: Ali Taha,Vipul Gandhi,Phani Babu Giddi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Interface of non-volatile memory

Номер патента: RU2623801C1. Автор: Ритеш Б. ТРИВЕДИ,Инг Хун ООЙ,Мл. РОЙЕР Роберт Дж.,Майкл У. УИЛЬЯМС,Джеффри Р. УИЛКОКС,Блэйз ФАННИНГ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-06-29.

Non-volatile memory array controller capable of controlling memory banks having variable bit widths

Номер патента: US5630099A. Автор: James R. Macdonald,Douglas D. Gephardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP4283508A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-29.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US9766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Raid logical stripe backup to non-volatile memory in response to raid storage device media errors

Номер патента: US20160371161A1. Автор: Joaquin F. Pacheco,Timothy J. Louie,Ernest N. Mandese. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Write suppression in non-volatile memory

Номер патента: US20190235767A1. Автор: Anand S. Ramalingam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US09766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US09652311B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Raid logical stripe backup to non-volatile memory in response to raid storage device media errors

Номер патента: US09588857B2. Автор: Joaquin F. Pacheco,Timothy J. Louie,Ernest N. Mandese. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for implementing security of non-volatile memory

Номер патента: US09471812B2. Автор: CHEN He. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Backup operations from volatile to non-volatile memory

Номер патента: WO2019157044A1. Автор: Eric R. Fox,Gary R. Van Sickle. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-08-15.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20240289269A1. Автор: Yi-Kang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Maintaining quality of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US12112074B2. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: US20170177244A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: EP3391229A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: EP3871096A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-09-01.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: WO2020086264A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Dynamic configuring of reliability and density of non-volatile memories

Номер патента: US20220043745A1. Автор: Yi He,Amichai GIVANT,Amir Rochman,Ori Tirosh. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Information processing apparatus, method of controlling the same, and storage medium with features for updating code and data areas of non-volatile memory

Номер патента: US11907049B2. Автор: Hidemi Sasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

System and Method for Providing a Programming Framework for Designing High-Performance Non-Volatile Memory Objects with High Usability

Номер патента: US20240160411A1. Автор: SeungMin JEON,Jeehoon Kang,Kyeongmin Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-16.

Data storage device, non-volatile memory operating method, and method for executing operational commands to operate a data storage medium

Номер патента: US20200272330A1. Автор: Ming-Hung Chang,Shu-Lei CHEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

High bandwidth non-volatile memory for ai inference system

Номер патента: US20240281142A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,I-Ting KUO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Data storage device, non-volatile memory operating method, and method for executing operational commands to operate a data storage medium

Номер патента: US20190004702A1. Автор: Ming-Hung Chang,Shu-Lei CHEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180349057A1. Автор: Paul Blinzer,Nima Osqueizadeh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A2. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-09-25.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180181341A1. Автор: Paul Blinzer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Non-volatile memory with secure erase

Номер патента: US20240338131A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods and apparatus for use in sanitizing a network of non-volatile memory express devices

Номер патента: US20210318828A1. Автор: Markku Valtonen. Владелец: Blancco Technology Group IP Oy. Дата публикации: 2021-10-14.

Data storage devices, having scale-out devices to map and control groups on non-volatile memory devices

Номер патента: US20200050374A1. Автор: Chan Ho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Hardware apparatuses and methods for distributed durable and atomic transactions in non-volatile memory

Номер патента: US10203910B2. Автор: Sanjay Kumar,Rajesh M. Sankaran,Subramanya R. DULLOOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: EP1438666A4. Автор: Daniel H Bax,Richard A Lary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-28.

Hardware apparatuses and methods for distributed durable and atomic transactions in non-volatile memory

Номер патента: US20170242628A1. Автор: Sanjay Kumar,Rajesh M. Sankaran,Subramanya R. DULLOOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: US20030065893A1. Автор: Richard Lary,Daniel Bax. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: WO2003029992A1. Автор: Daniel H. Bax,Richard A. Lary. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-04-10.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: EP1438666A1. Автор: Daniel H. Bax,Richard A. Lary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-21.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US20160117243A1. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US20160117242A1. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Mirroring data in write caches of controller of non-volatile memory

Номер патента: GB2622350A. Автор: Pletka Roman,Papandreou Nikolaos,Pozidis Charalampos,Fisher Timothy,Ioannou Nikolas,STOICA RADU,Yanes Adalberto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Reactive power management for non-volatile memory controllers

Номер патента: US20190094938A1. Автор: Matthew Davidson,Eran Erez,Daniel Tuers,Yoav Weinberg,Reed P. Tidwell. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416646A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416583A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Systems and methods for utilizing wear leveling windows with non-volatile memory systems

Номер патента: US09514043B1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of assembly of a computer system with randomly accessible non-volatile memory

Номер патента: US8370548B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2013-02-05.

A portable computing device with a non-volatile memory drive

Номер патента: WO2004114101A3. Автор: Richard Colin Fitzgerald. Владелец: Richard Colin Fitzgerald. Дата публикации: 2005-03-24.

Maintaining qualiy of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US20230315344A1. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

A portable computing device with a non-volatile memory drive

Номер патента: EP1639469A2. Автор: Richard Colin Fitzgerald. Владелец: Symbian Software Ltd. Дата публикации: 2006-03-29.

A portable computing device with a non-volatile memory drive

Номер патента: WO2004114101A2. Автор: Richard Colin Fitzgerald. Владелец: Symbian Software Limited. Дата публикации: 2004-12-29.

Systems and methods for balancing multiple partitions of non-volatile memory

Номер патента: US20220147258A1. Автор: Andrew W. Vogan,Alexander Paley. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Systems and methods for implementing persistent data structures on an asymmetric non-volatile memory architecture

Номер патента: US20210397524A1. Автор: KANG Chen,Teng MA,Mingxing Zhang,Yongwei Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-23.

System and method for tracking block level mapping overhead in a non-volatile memory

Номер патента: US09921956B2. Автор: Nicholas James Thomas,Michael Anthony Moser,Oleg Kragel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Non-volatile memory drive partitions within microcontrollers

Номер патента: US09857976B2. Автор: Thomas C. Long. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory drive partitions within microcontrollers

Номер патента: US09857975B2. Автор: Thomas C. Long. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

System and method for precision interleaving of data writes in a non-volatile memory

Номер патента: US09778855B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods for code protection in non-volatile memory systems

Номер патента: US09390278B2. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Daniel L. Andre. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-12.

Non-volatile memory based system ram

Номер патента: WO2014134342A1. Автор: Tzungren Allan Tzeng,Jan SILVERMAN. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-09-04.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US12136028B2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-05.

Methods for main memory in a system with a memory controller configured to control access to non-volatile memory, and related technologies

Номер патента: US7761626B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2010-07-20.

Increased garbage collection granularity for non-volatile memory

Номер патента: US20230281121A1. Автор: Timothy J. Fisher,Adalberto Guillermo Yanes,Cyril Varkey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: US20200125290A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Systems and methods to flush data in persistent memory region to non-volatile memory using auxiliary processor

Номер патента: US20240264941A1. Автор: Mallik Bulusu,Muhammad Ashfaq AHMED,Ravi Mysore Shantamurthy,Madhav Himanshubhai PANDYA,Tom Long Nguyen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Scalable data structures for control and management of non-volatile storage

Номер патента: US09851910B2. Автор: Earl T. Cohen,Timothy L. Canepa. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Distributed Power Management for Non-Volatile Memory Controllers Using Average and Peak Power Credits Allocated to Memory Channels

Номер патента: US20180335978A1. Автор: James M. Higgins,Steven T. Sprouse,Reed P. Tidwell,Satish B. Vasudeva,Jonathan Q. Tu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-11-22.

Namespaces allocation in non-volatile memory devices

Номер патента: US20230315290A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Backup operations from volatile to non-volatile memory

Номер патента: EP3750064A1. Автор: Gary R. Van Sickle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Caching unified extensible firmware interface (UEFI) and/or other firmware instructions in a non-volatile memory of an information handling system (IHS)

Номер патента: US09563439B2. Автор: Mukund P. Khatri,Dirie N. Herzi. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-02-07.

Power management for a system having non-volatile memory

Номер патента: WO2013165786A2. Автор: Nir Jacob Wakrat,Victor E. Alessi,Anthony Fai,Arjun Kapoor,Nicholas R. SEROFF. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-11-07.

System and method of sending correction data to a buffer of a non-volatile memory

Номер патента: US20130212448A1. Автор: Omprakash Bisen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-08-15.

Memory system and method for controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240319919A1. Автор: Shinichi Matsukawa,Yongbum Park. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: WO2024226631A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-31.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: US20240354005A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Identification of data committed to non-volatile memory by use of notification commands

Номер патента: US09645752B1. Автор: Nathan Obr. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Secure updating of non-volatile memory

Номер патента: US6085299A. Автор: Michael F. Angelo,Craig A. Miller,David R. Wooten. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Hybrid memory management of non-volatile memory (NVM) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US11893244B2. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: WO2023064006A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-04-20.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US20230114005A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Hybrid memory management of non-volatile memory (NVM) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US11755208B2. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US20240143194A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: WO2023064005A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of configuring non-volatile memory for a hybrid disk drive

Номер патента: EP2035935A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-18.

Interrupt-responsive non-volatile memory system and method

Номер патента: WO2006138522A2. Автор: Stephane Lavastre,Kiernan Heffernan,Patrick Crowe. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Circuit, system and method for encoding data to be stored on a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005029469A2. Автор: Zeev Cohen,Alon Marcu,Meirav Raz. Владелец: Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2005-03-31.

Circuit, system and method for encoding data to be stored on a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005029469A3. Автор: Zeev Cohen,Alon Marcu,Meirav Raz. Владелец: Meirav Raz. Дата публикации: 2005-12-15.

Generating efficient reads for a system having non-volatile memory

Номер патента: US09690953B2. Автор: Nir Jacob Wakrat,Andrew W. Vogan,Matthew J. Byom,Daniel J. Post,Kenneth L. Herman,Alexander C. Sanks,Hari Hara Kumar Maharaj. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Systems And Methods For Support Of Non-Volatile Memory On A DDR Memory Channel

Номер патента: US20140181364A1. Автор: Shawn J. Dube,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-06-26.

SYSTEMS AND METHODS FOR SUPPORT OF NON-VOLATILE MEMORY ON A DDR MEMORY CHANNEL

Номер патента: US20160132240A1. Автор: Berke Stuart Allen,Dube Shawn J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Systems and methods for support of non-volatile memory on a DDR memory channel

Номер патента: US9280497B2. Автор: Shawn J. Dube,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-03-08.

Non-volatile memory drive partitions within microcontrollers

Номер патента: US20160378341A1. Автор: Thomas C. Long. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Non-volatile memory drive partitions within microcontrollers

Номер патента: US20160378343A1. Автор: Thomas C. Long. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Non-volatile memory drive partitions within microcontrollers

Номер патента: US20180081547A1. Автор: Thomas C. Long. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Storage device, method of operating storage device, and method of operating non-volatile memory

Номер патента: US20240231987A1. Автор: Sangwon Park,Jooyong PARK,Jaeha Park,Kyungduk Lee,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Mount-time unmapping of unused logical addresses in non-volatile memory systems

Номер патента: US09727570B2. Автор: Vadim Khmelnitsky,Daniel J. Post,Nir J. Wakrat,Matthew Byom,Eric Tamura. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Crash recovery using non-volatile memory

Номер патента: US09558080B2. Автор: Pedro Celis,Dexter Paul Bradshaw. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Serial at attachment and non-volatile memory express device determination

Номер патента: WO2019103736A1. Автор: Charles Shaver. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2019-05-31.

Serial at attachment and non-volatile memory express device determination

Номер патента: US20200356303A1. Автор: Charles Shaver. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-11-12.

Handling errors during device bootup from a non-volatile memory

Номер патента: EP2612241A1. Автор: Kenneth Herman,Daniel J. Post,Nir J. Wakrat,Matthew Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-07-10.

Dual-scope directory for a non-volatile memory storage system

Номер патента: US20110035534A1. Автор: Andrew Vogan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

WORKLOAD PRIORITIZATION FAIRNESS TECHNIQUES IN NON-VOLATILE MEMORY EXPRESS (NVMe) SYSTEMS

Номер патента: US20230106968A1. Автор: Vinay SAWAL,Jayanth Kumar Reddy Perneti,Vindhya Gangaraju. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-04-06.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatus and method for accessing a non-volatile memory blade using multiple controllers in a non-volatile memory based storage device

Номер патента: US09645940B2. Автор: William Radke,Radoslav Danilak. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US12147669B2. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Wagering game machines with non-volatile memory

Номер патента: WO2009042089A1. Автор: Craig J. Sylla,Stephen A. Canterbury. Владелец: WMS Gaming Inc.. Дата публикации: 2009-04-02.

Non-volatile memory express over fabric (nvme-oftm) solid-state drive (ssd) enclosure performance optimization using ssd controller memory buffer

Номер патента: US20230161499A1. Автор: Amnon Izhar. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US20230384969A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-30.

System and Method for Fabric-Independent In-Band Privacy for Security Commands on Non-volatile Memory Express Over Fabrics (NVMe-oF)

Номер патента: US20240028774A1. Автор: Naizhong Chiu,Jamie Pocas,Saoni Mukherjee. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-01-25.

Anti-fouling paint composition with high content of non-volatile components, anti-fouling coating film, base with coating film, anti-fouling base, method of forming coating film on base surface, method of endowing base with anti-fouling properties and set of anti-fouling multi-component paint with high content of non-volatile components

Номер патента: RU2401288C2. Автор: Такахару ДУМАЕ,Масааки ОЙЯ,Джуджи НИИМОТО,Макото ТСУБОЙ,Такахару ДУМАЕ (JP),Масааки ОЙЯ (JP),Джуджи НИИМОТО (JP),Макото ТСУБОЙ (JP). Владелец: Чугоку Марине Пейнтс, Лтд.. Дата публикации: 2010-10-10.

Anticorrosive coating compound with high content of non-volatile components, quick-set anticorrosive coating compound with high content of non-volatile components, ship or similar coating process, anticorrosive film with high content of non-volatile components and quick-set anticorrosive film with high content of nonvolatile components after coating, filmy ship and submarine construction

Номер патента: RU2357992C2. Автор: Джиунджи НИИМОТО,Суси КАНАМЕДА,Томохиса СУМИДА,Юкио МИЯЧИ,Хидеюки ТАНАКА. Владелец: Чугоку Марин Пейнтс, Лтд.. Дата публикации: 2009-06-10.

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты