TRANSISTOR HAVING DUAL WORK FUNCTION BURIED GATE ELECTRODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
Номер патента: US20150214313A1
Опубликовано: 30-07-2015
Автор(ы): KIM Su-Ho, LEE Jin-Yul, OH Tae-Kyung
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-07-2015
Автор(ы): KIM Su-Ho, LEE Jin-Yul, OH Tae-Kyung
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
[structure of thin-film transistor and method and equipment for fabricating the structure]
Номер патента: US20040224446A1. Автор: Wen-Chang Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.