NICKEL OXIDE FILM AND PREPARATION METHOD THEREOF
Номер патента: US20210234100A1
Опубликовано: 29-07-2021
Автор(ы): Chen Chao, JIN Yizheng, LIANG Xiaoyong
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-07-2021
Автор(ы): Chen Chao, JIN Yizheng, LIANG Xiaoyong
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Basno3 thin film and low-temperature preparation method therefor
Номер патента: US20200325032A1. Автор: Sang Il Seok,Jun Hong Noh,Jang Won Seo,Seong Sik Shin. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2020-10-15.