FINFET INCLUDING TUNABLE FIN HEIGHT AND TUNABLE FIN WIDTH RATIO
Номер патента: US20190206868A1
Опубликовано: 04-07-2019
Автор(ы): Cai Xiuyu, Liu Qing, Xie Ruilong, Yeh Chun-chen
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-07-2019
Автор(ы): Cai Xiuyu, Liu Qing, Xie Ruilong, Yeh Chun-chen
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
FinFET including tunable fin height and tunable fin width ratio
Номер патента: US09887196B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-06.