• Главная
  • Double patterned microcooler having alternating fin widths

Double patterned microcooler having alternating fin widths

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Metal fill optimization for self-aligned double patterning

Номер патента: US09735029B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Myung-Hee Na,Albert M. Chu,Ximeng Guan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Self-aligned double patterning with spacer-merge region

Номер патента: US11749529B2. Автор: ZHENG Xu,Kafai Lai,Rasit Onur Topaloglu,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Self-aligned double patterning with mandrel manipulation

Номер патента: US20240162090A1. Автор: David Pritchard,Elizabeth Strehlow,Hongru Ren,James Mazza,Romain Feuillette. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Self-aligned double patterning with spacer-merge region

Номер патента: US20210272806A1. Автор: ZHENG Xu,Kafai Lai,Rasit Onur Topaloglu,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Processing method for producing photomask with double patterns and storage medium thereof

Номер патента: US20200152474A1. Автор: Chien-Chin Huang,Shih-Min Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Processing method for producing photomask with double patterns and storage medium thereof

Номер патента: US10957555B2. Автор: Chien-Chin Huang,Shih-Min Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Double patterning method

Номер патента: US20140024215A1. Автор: Ying Zhang,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Double patterning method

Номер патента: US9431266B2. Автор: Ying Zhang,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Double patterning method

Номер патента: US20150056809A1. Автор: Ying Zhang,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Self-aligned double patterning (sadp) method

Номер патента: US20200098580A1. Автор: Jui-Yu Pan,Kuo-Chyuan Tzeng,Lee-Chuan Tseng,Ying-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Double Patterning Method Of Forming Semiconductor Active Areas And Isolation Regions

Номер патента: US20150206788A1. Автор: Chien-Sheng Su,Jeng-Wei Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Line-end cutting method for fin structures of FinFETs formed by double patterning technology

Номер патента: US09536987B2. Автор: Ming Li,Chunyan Yi. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for double patterning a thin film

Номер патента: US20080076075A1. Автор: Sandra L. Hyland,Shannon W. Dunn. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A1. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Double patterning lithography techniques

Номер патента: US20140017899A1. Автор: Matthew L. Tingey,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar,Nadia M. Rahhal-Orabi,Chanaka D. Munasinghe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of self-aligned double patterning

Номер патента: US10734284B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

Localized fin width scaling using a hydrogen anneal

Номер патента: US09666726B2. Автор: Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Localized fin width scaling using a hydrogen anneal

Номер патента: US20160086820A1. Автор: Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Double patterned stacking technique

Номер патента: US20150287709A1. Автор: Son Le,Ohsang Kwon,HariKrishna Chintarlapalli Reddy,Vijayalakshmi Ranganna. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Double patterning process

Номер патента: US8129099B2. Автор: Kazuhiro Katayama,Jun Hatakeyama,Tsunehiro Nishi,Toshinobu Ishihara,Katsuya Takemura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-06.

Finfet formation using double patterning memorization

Номер патента: US20140141605A1. Автор: Jin Cho,Chang Seo Park,Linus Jang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

METHOD FOR OFF-GRID ROUTING STRUCTURES UTILIZING SELF ALIGNED DOUBLE PATTERNING (SADP) TECHNOLOGY

Номер патента: US20150028489A1. Автор: Yuan Lei,Kye Jongwook,LEVINSON Harry. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

METAL DENSITY DISTRIBUTION FOR DOUBLE PATTERN LITHOGRAPHY

Номер патента: US20140145342A1. Автор: Schultz Richard T.,Rowhani Omid,Tung Charles P.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2014-05-29.

Method for off-grid routing structures utilizing self aligned double patterning (SADP) technology

Номер патента: US8921225B2. Автор: Lei Yuan,Harry Levinson,Jongwook Kye. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Two-track cross-connect in double-patterned structure using rectangular via

Номер патента: US9024450B2. Автор: James Walter Blatchford,Scott William Jessen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-05.

Method for off-grid routing structures utilizing self aligned double patterning technology

Номер патента: CN104064515B. Автор: J·桂,袁磊,H·J·莱文森. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-12.

Wafer Bonding Edge Protection Using Double Patterning With Edge Exposure

Номер патента: US20170317052A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Wafer bonding edge protection using double patterning with edge exposure

Номер патента: US09741684B2. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

DOUBLE METAL DOUBLE PATTERNING WITH VIAS EXTENDING INTO DIELECTRIC

Номер патента: US20200357686A1. Автор: Mignot Yann,Chen Hsueh-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Methods for improving double patterning route efficiency

Номер патента: US20140327146A1. Автор: Lei Yuan,Hidekazu Yoshida,Jongwook Kye,Juhan Kim,Mahbub Rashed,Yunfei Deng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

TWO-TRACK CROSS-CONNECT IN DOUBLE-PATTERNED STRUCTURE USING RECTANGULAR VIA

Номер патента: US20140035160A1. Автор: JESSEN Scott William,BLATCHFORD James Walter. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-02-06.

Wafer Bonding Edge Protection Using Double Patterning With Edge Exposure

Номер патента: US20170053891A1. Автор: Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

METAL FILL OPTIMIZATION FOR SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20180082854A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Chu Albert M.,Na Myung-Hee,GUAN Ximeng. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING WITH SPACER-MERGE REGION

Номер патента: US20220181154A1. Автор: Xu Zheng,LAI Kafai,Shao Dongbing,Topaloglu Rasit Onur. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Self-Aligned Nanowire Formation Using Double Patterning

Номер патента: US20190122936A1. Автор: Lin Huan-Just,Lee Chia-Ying,Fu Ching-Feng,CHEN DE-FANG,LEE CHUN-HUNG,Yen Yu-Chan. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Method of Fine Line Space Resolution Lithography For Integrated Circuit Features Using Double Patterning Technology

Номер патента: US20170194198A1. Автор: Lee Chia-Ying,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Variable space mandrel cut for self aligned double patterning

Номер патента: US20180233404A1. Автор: Jinping Liu,Jiehui SHU,Byoung Youp Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

METHODS FOR IMPROVING DOUBLE PATTERNING ROUTE EFFICIENCY

Номер патента: US20140327146A1. Автор: Yuan Lei,Kye Jongwook,YOSHIDA Hidekazu,RASHED Mahbub,Deng Yunfei,KIM JuHan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Wafer Bonding Edge Protection Using Double Patterning With Edge Exposure

Номер патента: US20170317052A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

NARROWED FEATURE FORMATION DURING A DOUBLE PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20180323067A1. Автор: Zhang John H.,Shu Jiehui,ZHANG Xiaoqiang,Yu Xusheng. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Self-aligned double patterning process for metal routing

Номер патента: US9536778B2. Автор: Lei Yuan,Jongwook Kye,Harry J Levinson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Narrowed feature formation during a double patterning process

Номер патента: US20180323067A1. Автор: John H. Zhang,Xiaoqiang Zhang,Jiehui SHU,Xusheng Yu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Microelectronic device package having alternately stacked die

Номер патента: US20180138146A1. Автор: Bok Eng Cheah,Min Suet LIM,Jackson Chung Peng Kong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for fabricating semiconductor components with terminal contacts having alternate electrical paths

Номер патента: US6537850B1. Автор: David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-03-25.

Microelectronic device package having alternately stacked die

Номер патента: US20180138146A1. Автор: Bok Eng Cheah,Min Suet LIM,Jackson Chung Peng Kong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Microelectronic device package having alternately stacked die

Номер патента: WO2018093515A1. Автор: Bok Eng Cheah,Min Suet LIM,Jackson Chung Peng Kong. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-05-24.

Wiring substrate having alternating ground and signal lines in a plurality of wiring layers

Номер патента: US10453803B2. Автор: Ting-Hao Wang,Ming-Hsuan WANG,Yen-Chih CHIU. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Method of Fine Line Space Resolution Lithography for Integrated Circuit Features Using Double Patterning Technology

Номер патента: US20160086887A1. Автор: Lee Chia-Ying,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Method for semiconductor cross pitch doubled patterning process

Номер патента: US20150056810A1. Автор: Lars Heineck,Vinay Nair. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Method of manufacturing semiconductor device including double patterning process

Номер патента: US20240130212A1. Автор: INOUE Naoki,Tsunehiro Nishi,Yonghoon MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Freeze-less methods for self-aligned double patterning

Номер патента: US11747733B2. Автор: Michael Murphy,Charlotte Cutler. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Double-patterning method to improve sidewall uniformity

Номер патента: US12106964B2. Автор: Ting-Wei Wu,Chu-Chun HSIEH,Chih-Jung Ni. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Double patterning method

Номер патента: US11177138B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Self-aligned double patterning

Номер патента: US09570305B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

RC Corner Solutions for Double Patterning Technology

Номер патента: US20130275927A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Ke-Ying Su,Hsiao-Shu CHAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Sram layout for double patterning

Номер патента: US20190109143A1. Автор: James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Pattern-split decomposition strategy for double-patterned lithography process

Номер патента: WO2012119098A3. Автор: James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-11-08.

Self-aligned double patterning process for two dimensional patterns

Номер патента: US09437481B2. Автор: Lei Yuan,Jongwook Kye,Youngtag Woo,Jia ZENG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Double patterning method using metallic compound mask layer

Номер патента: US8313889B2. Автор: Chih-Yang Yeh,Hung Chang HSIEH,Vincent Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-20.

Metal density distribution for double pattern lithography

Номер патента: WO2014085299A1. Автор: Richard Schultz,Omid Rowhani,Charles Tung. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2014-06-05.

Metal density distribution for double pattern lithography

Номер патента: EP2926364A1. Автор: Richard Schultz,Omid Rowhani,Charles Tung. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-10-07.

Double Patterning Strategy for Contact Hole and Trench in Photolithography

Номер патента: US20120034778A1. Автор: Feng-Cheng Hsu,Jian-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Self-aligned double patterning

Номер патента: US12068167B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Critical dimension control for double patterning process

Номер патента: US09934985B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Double patterning method

Номер патента: US20200234972A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Double Patterning Method

Номер патента: US20170309495A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Double patterning method

Номер патента: US10109497B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Manufacturing method of mask for double patterning and double patterning method

Номер патента: CN109917616B. Автор: 杨青. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Double-pattern gate formation processing with critical dimension control

Номер патента: US20140220767A1. Автор: Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Double patterning method

Номер патента: US9711372B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Patterning mask and method of formation of mask using step double patterning

Номер патента: US20110217843A1. Автор: Anton Devilliers,Michael Hyatt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Methods of fabricating semiconductor devices having double patterning technology

Номер патента: US20140154885A1. Автор: Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

Sram layout for double patterning

Номер патента: US20130069168A1. Автор: James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

SRAM layout for double patterning

Номер патента: US11974421B2. Автор: James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for forming semiconductor device structure using double patterning

Номер патента: US20180145145A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Po-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

SRAM layout for double patterning

Номер патента: US10840250B2. Автор: James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

SRAM layout for double patterning

Номер патента: US10103153B2. Автор: James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Sram layout for double patterning

Номер патента: US20160020214A1. Автор: James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234145A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Azimuthal critical dimension non-uniformity for double patterning process

Номер патента: US20200002815A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Frank Loren PASQUALE. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Litho-litho-etch double patterning (LLE-DP) methods

Номер патента: TW201113929A. Автор: Pei-Lin Huang,Yi-Ming Wang,Ying-Chung Tseng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-16.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234144A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING PROCESS FOR TWO DIMENSIONAL PATTERNS

Номер патента: US20160163584A1. Автор: Yuan Lei,Kye Jongwook,Woo Youngtag,Zeng Jia. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Layout design for fanout patterns in self-aligned double patterning process

Номер патента: US20190385848A1. Автор: Chin-Cheng Yang,Chi-Hao Huang,Wei-Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of forming fine patterns by using double patterning

Номер патента: KR101045371B1. Автор: 양현조. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-30.

Resist pattern protection technique for double patterning application

Номер патента: US8394280B1. Автор: Ling Wang,Hai Sun,Hongping Yuan,Dujiang Wan,Xianzhong Zeng. Владелец: Western Digital Fremont LLC. Дата публикации: 2013-03-12.

Double mask self-aligned double patterning technology (sadpt) process

Номер патента: US20090215272A1. Автор: Lumin Li,Andrew R. Romano,S. M. Reza Sadjadi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Double mask self-aligned double patterning technology (sadpt) process

Номер патента: CN101971291A. Автор: 李路明,S·M·列扎·萨贾迪,安德鲁·R·罗马诺. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2011-02-09.

Layout design for fanout patterns in self-aligned double patterning process

Номер патента: EP3584836B1. Автор: Chin-Cheng Yang,Chi-Hao Huang,Wei-Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Double mask self-aligned double patterning technology (SaDPT) process

Номер патента: TW200945438A. Автор: S M Reza Sadjadi,Lumin Li,Romano R Andrew. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2009-11-01.

Self-aligned double patterning

Номер патента: US11784056B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING PROCESS AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE FORMED USING THEREOF

Номер патента: US20210035809A1. Автор: Wang Yu-Wen,Tzeng Kuo-Chyuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING DOUBLE PATTERNING TECHNOLOGY

Номер патента: US20140154885A1. Автор: SIM Jae-hwang,Shin Jinhyun. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

CRITICAL DIMENSION CONTROL FOR DOUBLE PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20170154886A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Tseng Horng-Huei. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

METHOD TO INCREASE THE PROCESS WINDOW IN DOUBLE PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20190181006A1. Автор: YANG Qing. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

IMAGE TRANSFER USING EUV LITHOGRAPHIC STRUCTURE AND DOUBLE PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20180204723A1. Автор: Chen Hsueh-Chung,Xu Yongan,Mignot Yann A.M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Photoresist double patterning apparatus

Номер патента: US8911587B2. Автор: Andrew R. Romano,S. M. Reza Sadjadi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-12-16.

Mask treatment for double patterning design

Номер патента: CN103367119A. Автор: 陈殿豪,陈启平,杨景峰. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Double patterning method of forming semiconductor active areas and isolation regions

Номер патента: US9293358B2. Автор: Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Uniform semiconductor active fin width

Номер патента: US20230402545A1. Автор: Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Adjusted fin width in integrated circuitry

Номер патента: US09472550B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Chien-Hsun Wang,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Trimming silicon fin width through oxidation and etch

Номер патента: US09412603B2. Автор: Ying Zhang,Hua Chung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Spacer double patterning that prints multiple cd in front-end-of-line

Номер патента: US20120043646A1. Автор: Ryoung-han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Double patterning method using tilt-angle deposition

Номер патента: US20130023121A1. Автор: Chwen Yu,Kai-Wen Cheng,Fei-Gwo Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for Reducing a Minimum Line Width in a Spacer-Defined Double Patterning Process

Номер патента: US20130034962A1. Автор: Liujiang Yu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

SELF-ALIGNED NAND FLASH SELECT-GATE WORDLINES FOR SPACER DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20130316537A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Tung-Sheng. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-11-28.

DOUBLE PATTERNING LITHOGRAPHY TECHNIQUES

Номер патента: US20140017899A1. Автор: Sivakumar Swaminathan,Wallace Charles H.,Rahhal-Orabi Nadia M.,TINGEY Matthew L.,MUNASINGHE Chanaka D.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

DOUBLE PATTERNING METHODS AND STRUCTURES

Номер патента: US20150001687A1. Автор: ZHANG PETER,HE JEFFERY,ZHANG STEVEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2015-01-01.

Self-Aligned Double Patterning

Номер патента: US20160013103A1. Автор: Ming-Chung Liang,Kuan-Wei Huang,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Self-Aligned Double Patterning

Номер патента: US20160020100A1. Автор: Lee Chia-Ying,Liang Ming-Chung,Huang Kuan-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

SRAM LAYOUT FOR DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20160020214A1. Автор: BLATCHFORD James Walter. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Method for Optimizing a Critical Dimension for Double Patterning for NAND Flash

Номер патента: US20210020440A1. Автор: HE Li,Huang Guanqun,Ju Xiaohua. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2021-01-21.

USING A SAME MASK FOR DIRECT PRINT AND SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING OF NANOSHEETS

Номер патента: US20210020446A1. Автор: Miller Eric,Sieg Stuart,Dechene Daniel James. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

SRAM LAYOUT FOR DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20210028179A1. Автор: BLATCHFORD James Walter. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD OF FORMING THE GATE WITH THE LELE DOUBLE PATTERN

Номер патента: US20150050801A1. Автор: HUANG JUN,LI Runling,MAO ZhiBiao,LI QuanBo,GAN ZhiFeng. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20150056809A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,ZHANG YING. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

METHOD FOR SEMICONDUCTOR CROSS PITCH DOUBLED PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20150056810A1. Автор: Nair Vinay,Heineck Lars. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2015-02-26.

DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20190051536A1. Автор: Lee Chia-Ying,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20160064248A1. Автор: Lee Chia-Ying,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING PROCESS AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE FORMED USING THEREOF

Номер патента: US20200058514A1. Автор: Wang Yu-Wen,Tzeng Kuo-Chyuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Method and Structure of Cut End with Self-Aligned Double Patterning

Номер патента: US20210082698A1. Автор: Liao Wei-Hao,Lee Chung-Ju,TIEN Hsi-Wen,Dai Pin-Ren,Lu Chih Wei. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Hybrid Double Patterning Method for Semiconductor Manufacture

Номер патента: US20190080921A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Cheng Wen-Li,JHENG DONG-YO. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

USING A SAME MASK FOR DIRECT PRINT AND SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING OF NANOSHEETS

Номер патента: US20220102153A1. Автор: Miller Eric,Sieg Stuart,Dechene Daniel James. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Hybrid Double Patterning Method for Semiconductor Manufacture

Номер патента: US20200083058A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Cheng Wen-Li,JHENG DONG-YO. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

METHOD FOR TREATING PHOTORESIST AND SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20220148879A1. Автор: XIA Jun,Bai Shijie. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-05-12.

Self-aligned Double Patterning

Номер патента: US20160104619A1. Автор: BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,Chang Yu-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Double patterning method to form sub-lithographic pillars

Номер патента: US20150108422A1. Автор: Marcello Mariani,Fabio Pellizzer,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING (SADP) METHOD

Номер патента: US20200098580A1. Автор: Tzeng Kuo-Chyuan,Tseng Lee-Chuan,Pan Jui-Yu,Chen Ying-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Self-aligned Double Patterning

Номер патента: US20150111380A1. Автор: BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,Chang Yu-Sheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-04-23.

Self-aligned double patterning

Номер патента: US20210125836A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

SRAM LAYOUT FOR DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20190109143A1. Автор: BLATCHFORD James Walter. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

DOUBLE PATTERNING METHOD TO FORM SUB-LITHOGRAPHIC PILLARS

Номер патента: US20180114813A1. Автор: Mariani Marcello,Servalli Giorgio,Pellizzer Fabio. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20210143020A1. Автор: Lee Chia-Ying,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

DOUBLE-PATTERN GATE FORMATION PROCESSING WITH CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20140220767A1. Автор: HU Xiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

DOUBLE PATTERNING TECHNIQUES FOR FORMING A DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURE

Номер патента: US20220285203A1. Автор: CHANG Chun-Wei,Chen Yu-Wen,Shiu Feng-Jia,KUO Ching-Sen,CHIU Wei-Chao,LIOU Yong-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

METHOD OF SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20190139824A1. Автор: Chang Feng-Yi,Lin Ying-Chih,Chen Chieh-Te,Lee Fu-Che,Chang Yi-Ching,LIN Gang-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

METAL SPACER SELF ALIGNED DOUBLE PATTERNING WITH AIRGAP INTEGRATION

Номер патента: US20200135537A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Kelly James,Mignot Yann,Chen Hsueh-Chung,Peethala Cornelius Brown. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

SPACER-DEFINED PROCESS FOR LITHOGRAPHY-ETCH DOUBLE PATTERNING FOR INTERCONNECTS

Номер патента: US20200135542A1. Автор: Felix Nelson,Mignot Yann,De Silva Ekmini Anuja,Thompson Luciana Meli. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE USING DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20180145145A1. Автор: Chiu Yi-Wei,Chen Po-Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-05-24.

Method and Structure of Cut End with Self-Aligned Double Patterning

Номер патента: US20210183654A1. Автор: Liao Wei-Hao,Lee Chung-Ju,TIEN Hsi-Wen,Dai Pin-Ren,Lu Chih Wei. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

PROCESSING METHOD FOR PRODUCING PHOTOMASK WITH DOUBLE PATTERNS AND STORAGE MEDIUM THEREOF

Номер патента: US20200152474A1. Автор: Huang Chien-Chin,Tseng Shih-Min. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2020-05-14.

METHODOLOGY OF FORMING CMOS GATES ON THE SECONDARY AXIS USING DOUBLE-PATTERNING TECHNIQUE

Номер патента: US20150170971A1. Автор: JESSEN Scott William,BALDWIN Gregory Charles. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20140273433A1. Автор: Lee Chia-Ying,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Self-Aligned Double Patterning With Spatial Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150200110A1. Автор: Xia Li-Qun,LI NING,Marcus Steven D.,Nguyen Victor,Balseanu Mihaela,TANAKA Keiichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

TWO-COLOR SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING (SADP) TO YIELD STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) AND DENSE LOGIC

Номер патента: US20190189457A1. Автор: Shao Dongbing,LIE Fee Li,Wong Robert,Xu Yongan. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

SELF-ALIGNED LITHO-ETCH DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20200185269A1. Автор: Yang Jie,Mignot Yann,Chen Hsueh-Chung,Xu Yongan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Double Patterning Method Of Forming Semiconductor Active Areas And Isolation Regions

Номер патента: US20150206788A1. Автор: Su Chien-Sheng,Wang Jeng-Wei. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-07-23.

DOUBLE PATTERNING VIA TRIANGULAR SHAPED SIDEWALL SPACERS

Номер патента: US20140291735A1. Автор: CHOI Dae-Han,Shen Hongliang,YANG Dae Geun,HSIEH Jung Yu. Владелец: GLOBAL FOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2014-10-02.

Method For Self-Aligned Double Patterning Without Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150214070A1. Автор: deVilliers Anton. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

IMAGE TRANSFER USING EUV LITHOGRAPHIC STRUCTURE AND DOUBLE PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20180204724A1. Автор: Chen Hsueh-Chung,Xu Yongan,Mignot Yann A.M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Critical Dimension Control for Double Patterning Process

Номер патента: US20180226265A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Tseng Horng-Huei. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20200234972A1. Автор: Lee Chia-Ying,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

LINE-END CUTTING METHOD FOR FIN STRUCTURES OF FINFETS FORMED BY DOUBLE PATTERNING TECHNOLOGY

Номер патента: US20160254369A1. Автор: Li Ming,YI Chunyan. Владелец: Shanghai IC R & Center Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-09-01.

Hybrid Double Patterning Method for Semiconductor Manufacture

Номер патента: US20190252200A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Cheng Wen-Li,JHENG DONG-YO. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING PROCESS FOR METAL ROUTING

Номер патента: US20160293478A1. Автор: Yuan Lei,Kye Jongwook,Levinson Harry J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Double Patterning Method

Номер патента: US20170309495A1. Автор: Lee Chia-Ying,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20220359222A1. Автор: Lee Chia-Ying,SHIEH JYU-HORNG. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Double pattern formation method

Номер патента: JP5967083B2. Автор: 可奈子 目谷,健夫 塩谷,島 基之,基之 島. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2016-08-10.

Double patterning layout design method

Номер патента: KR102224518B1. Автор: 박재호,정광옥,송태중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-03-08.

Method of forming double pattern

Номер патента: KR101881184B1. Автор: 가나코 메야,다케오 시오야,모토유키 시마. Владелец: 제이에스알 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2018-07-23.

Selective inductive double patterning

Номер патента: KR101631047B1. Автор: 에스 엠 레자 사드자디. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2016-06-16.

Double patterning process

Номер патента: US8129100B2. Автор: Jun Hatakeyama,Masaki Ohashi,Toshinobu Ishihara,Katsuya Takemura,Kazumi Noda,Mutsuo Nakashima. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-06.

Photoresist double patterning

Номер патента: KR101573954B1. Автор: 에스 엠 레자 사드자디,앤드류 알 로마노. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2015-12-02.

Spacer formation for array double patterning

Номер патента: KR101698616B1. Автор: 에스 엠 레자 사드자디,아미트 자인. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2017-01-20.

Method of forming self aligned double pattern

Номер патента: KR100714305B1. Автор: 홍창기,윤보언,최재광,권병호,박준상,윤세라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-02.

Photoresist double patterning

Номер патента: TWI447800B. Автор: S M Reza Sadjadi,Andrew R Romano. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-08-01.

Resist feature and removable spacer pitch doubling patterning method for pillar structures

Номер патента: CN102272888A. Автор: 陈永廷,S.J.拉迪甘. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-07.

Self-aligned nand flash select-gate wordlines for spacer double patterning

Номер патента: CN105742163A. Автор: T-S·陈,S·房. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-06.

Method of Forming Transistor of Semiconductor Device Using Double Patterning Technology

Номер патента: KR100876806B1. Автор: 임희열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-01-07.

Method of printing multiple structure widths using spacer double patterning

Номер патента: US9029263B1. Автор: Ryoung-han Kim,Youn Sung Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-12.

Selective inductive double patterning

Номер патента: TW201005823A. Автор: S M Reza Sadjadi. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2010-02-01.

Spacer double patterning that prints multiple CD in front-end-of-line

Номер патента: US8450833B2. Автор: Ryoung-han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-28.

Double patterning via triangular shaped sidewall spacers

Номер патента: US8969205B2. Автор: Dae-Han Choi,Hongliang Shen,Dae Geun Yang,Jung Yu Hsieh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-03.

Double pattern and etch of poly with hard mask

Номер патента: US20030124847A1. Автор: Thomas Aton,Robert Soper,Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Direct printing and self-aligned double patterning of nanoplates

Номер патента: CN114175211A. Автор: E·米勒,S·西埃格,D·J·德切尼. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-11.

Double patterning forming method

Номер патента: CN104157553A. Автор: 雷通,周海锋. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-11-19.

Resist feature and removable spacer pitch doubling patterning method for pillar structures

Номер патента: US20100167520A1. Автор: Steven J. Radigan,Yung-Tin Chen. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of forming semiconductor devices employing double patterning

Номер патента: US20100178773A1. Автор: Jong-Sun Sel,Nam-su Lim,In-wook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-15.

Double patterning strategy for contact hole and trench

Номер патента: TWI424469B. Автор: Fengcheng Hsu,Chunkuang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2014-01-21.

The double patterning process of autoregistration

Номер патента: CN104051255B. Автор: 张海洋,张城龙. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Self-Aligned Double Patterning

Номер патента: US20230282488A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Freeze-free method for self-aligned double patterning

Номер патента: KR20230125841A. Автор: 샬롯 커틀러,마이클 머피. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-08-29.

Double patterning method

Номер патента: US20220359222A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A4. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240136185A1. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240136186A1. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Double patterning method

Номер патента: US20210143020A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Double patterning method

Номер патента: US20190051536A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Double patterning method

Номер патента: US11482426B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Double patterning method

Номер патента: US10651047B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Double patterning method

Номер патента: US11923202B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Metal density distribution for double pattern lithography

Номер патента: EP2926364A4. Автор: Richard Schultz,Omid Rowhani,Charles Tung. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-08-03.

Double patterning method

Номер патента: TW201003734A. Автор: Michael Chan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-01-16.

FinFET including tunable fin height and tunable fin width ratio

Номер патента: US09887196B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-06.

Spacer defined fin growth and differential fin width

Номер патента: US20180130712A1. Автор: Rohit Pal,Ryan Sporer,Jeremy Wahl. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Spacer defined fin growth and differential fin width

Номер патента: US09875936B1. Автор: Rohit Pal,Ryan Sporer,Jeremy Wahl. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Localized fin width scaling using a hydrogen anneal

Номер патента: US09537015B2. Автор: Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Fin-Like Field Effect Transistor Patterning Methods for Achieving Fin Width Uniformity

Номер патента: US20200020782A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

LOCALIZED FIN WIDTH SCALING USING A HYDROGEN ANNEAL

Номер патента: US20170033201A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

LOCALIZED FIN WIDTH SCALING USING A HYDROGEN ANNEAL

Номер патента: US20160086820A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SPACER DEFINED FIN GROWTH AND DIFFERENTIAL FIN WIDTH

Номер патента: US20180130712A1. Автор: Pal Rohit,SPORER Ryan,Wahl Jeremy. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

TRIMMING SILICON FIN WIDTH THROUGH OXIDATION AND ETCH

Номер патента: US20150140787A1. Автор: ZHANG YING,Chung Hua. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Fin-Like Field Effect Transistor Patterning Methods For Achieving Fin Width Uniformity

Номер патента: US20210175341A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

Fin-Like Field Effect Transistor Patterning Methods For Achieving Fin Width Uniformity

Номер патента: US20210184015A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

FINFET INCLUDING TUNABLE FIN HEIGHT AND TUNABLE FIN WIDTH RATIO

Номер патента: US20190206868A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

FINFET INCLUDING TUNABLE FIN HEIGHT AND TUNABLE FIN WIDTH RATIO

Номер патента: US20160276348A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

SYSTEM AND METHOD FOR WIDENING FIN WIDTHS FOR SMALL PITCH FINFET DEVICES

Номер патента: US20180269109A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,DIAZ Carlos H.,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

FINFET INCLUDING TUNABLE FIN HEIGHT AND TUNABLE FIN WIDTH RATIO

Номер патента: US20150287648A1. Автор: Liu Qing,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

SYSTEM AND METHOD FOR WIDENING FIN WIDTHS FOR SMALL PITCH FINFET DEVICES

Номер патента: US20190333821A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,DIAZ Carlos H.,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

FinFET including tunable fin height and tunable fin width ratio

Номер патента: US10276573B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-04-30.

Localized fin width scaling using a hydrogen anneal

Номер патента: US20170033201A1. Автор: Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Localized fin width scaling using a hydrogen anneal

Номер патента: US20160111553A1. Автор: Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Vertical semiconductor device having alternating conductivity semiconductor regions

Номер патента: US6700175B1. Автор: Tsutomu Uesugi,Masahito Kodama. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2004-03-02.

Spacer double patterning for lithography operations

Номер патента: US8278156B2. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2012-10-02.

Method of double patterning using sacrificial structure

Номер патента: US20090311634A1. Автор: Hongyu Yue,Hieu A. Lam,Reiji Niino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Double patterning epitaxy fin

Номер патента: US20190214486A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Double patterning epitaxy Fin

Номер патента: US10593784B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Self-aligned double patterning for memory and other microelectronic devices

Номер патента: US20140191308A1. Автор: Tzu-Yen Hsieh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of forming photoresist patterns having fine pitch using double patterning technique

Номер патента: KR20060106104A. Автор: 김상욱,신철호,민경진,채윤숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Fin width measurement using quantum well structure

Номер патента: US09780212B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Split-Layer Design for Double Patterning Lithography

Номер патента: US20120110521A1. Автор: Sani R. Nassif,Kanak B. Agarwal,Lars W. Liebmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

RESIST FEATURE AND REMOVABLE SPACER PITCH DOUBLING PATTERNING METHOD FOR PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20130130467A1. Автор: Chen Yung-Tin,Radigan Steven J.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-05-23.

DOUBLE PATTERNING COMPATIBLE COLORLESS M1 ROUTE

Номер патента: US20140097892A1. Автор: Yuan Lei,Kye Jongwook,RASHED Mahbub,Wang Qinglei. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Finfet formation using double patterning memorization

Номер патента: US20140141605A1. Автор: Jin Cho,Chang Seo Park,Linus Jang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING FOR MEMORY AND OTHER MICROELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20140191308A1. Автор: Hsieh Tzu-Yen. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-07-10.

DOUBLE PATTERNING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140217505A1. Автор: LIN Chih-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.. Дата публикации: 2014-08-07.

SYSTEM AND METHOD FOR ARBITRARY METAL SPACING FOR SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20140264894A1. Автор: TIEN Li-Chun,Chen Kuo-Ji,WU Chen-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

DOUBLE PATTERNING EPITAXY FIN

Номер патента: US20190189783A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

DOUBLE PATTERNING EPITAXY FIN

Номер патента: US20190214486A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

DOUBLE PATTERNED STACKING TECHNIQUE

Номер патента: US20150287709A1. Автор: Le Son,KWON Ohsang,Chintarlapalli Reddy HariKrishna,RANGANNA Vijayalakshmi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-08.

Double patterning with inline chemical critical dimension slimming

Номер патента: KR101781246B1. Автор: 샤논 더블유 던,데이비드 헤처. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-09-22.

Split-layer design for double patterning lithography

Номер патента: US8347240B2. Автор: Sani R. Nassif,Kanak B. Agarwal,Lars W. Liebmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-01.

Bit cell with double patterned metal layer structures

Номер патента: TW201411638A. Автор: Juhan Kim,Mahbub Rashed. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2014-03-16.

Method and materials for double patterning

Номер патента: TW201111918A. Автор: Peng-Fei Fu,Eric Moyer,Jason Suhr. Владелец: Dow Corning. Дата публикации: 2011-04-01.

Double patterning method

Номер патента: CN107731666B. Автор: 王彦,张城龙. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-07.

Method and materials for double patterning

Номер патента: WO2011011140A3. Автор: Eric Scott Moyer,Peng-Fei Fu,Jason D. Suhr. Владелец: Dow Corning Corporation. Дата публикации: 2011-03-31.

Using electric-field directed post-exposure bake for double patterning (D-P)

Номер патента: TW201109846A. Автор: Mark Somervell,Steven Scheer. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

Method for fabricating high density pillar structures by double patterning using positive photoresist

Номер патента: CN102077346B. Автор: R·E·舒尔雷恩,S·雷迪根. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-05-01.

Spacer double patterning for lithography operations

Номер патента: US20110012237A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Photoresist Image-forming Process Using Double Patterning

Номер патента: US20100183851A1. Автор: MENG Li,Muthiah Thiyagarajan,Yi Cao,Sungeun Hong,Dongkwan Lee,David Mikrut. Владелец: David Mikrut. Дата публикации: 2010-07-22.

Spacer double patterning for lithography operations

Номер патента: CN101910940B. Автор: 克里斯托夫·皮埃拉. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2013-06-05.

Double patterning method and semiconductor structure

Номер патента: WO2023092811A1. Автор: 陈海华,侯永强. Владелец: 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司. Дата публикации: 2023-06-01.

Method and materials for double patterning

Номер патента: US8728335B2. Автор: Eric Scott Moyer,Peng-Fei Fu,Jason D. Suhr. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Double patterning epitaxy fin

Номер патента: US20190189783A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method To Ensure Double Patterning Technology Compliance In Standard Cells

Номер патента: US20130074029A1. Автор: James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

METHOD OF REDUCING FIN WIDTH IN FINFET SRAM ARRAY TO MITIGATE LOW VOLTAGE STRAP BIT FAILS

Номер патента: US20190019798A1. Автор: Mann Randy W.,ZHANG Xiaoqiang,Zang Hui,Thankalekshmi Ratheesh R.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

FIN WIDTH MEASUREMENT USING QUANTUM WELL STRUCTURE

Номер патента: US20150077086A1. Автор: SINGH Jagar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

LOCALIZED FIN WIDTH SCALING USING A HYDROGEN ANNEAL

Номер патента: US20160111553A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Method of Fabricating FIN-Field Effect Transistors (FINFETS) Having Different FIN Widths

Номер патента: US20150162437A1. Автор: Lee Jongwook,Lee ChoongHo,OH Chang Woo,Min Shincheol. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

METHOD FOR ADJUSTING FIN WIDTH IN INTEGRATED CIRCUITRY

Номер патента: US20150171083A1. Автор: Lin Yi-Tang,CHANG Chih-Sheng,Wang Chien-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

LOCALIZED FIN WIDTH SCALING USING A HYDROGEN ANNEAL

Номер патента: US20140353735A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

METHOD OF REDUCING FIN WIDTH IN FINFET SRAM ARRAY TO MITIGATE LOW VOLTAGE STRAP BIT FAILS

Номер патента: US20180261605A1. Автор: Mann Randy W.,ZHANG Xiaoqiang,Zang Hui,R. Thankalekshmi Ratheesh. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Finfet with sublithographic fin width

Номер патента: US20090026543A1. Автор: Haining S. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

SOI finfet with reduced fin width dependence

Номер патента: US9640664B2. Автор: Franz Hofmann. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-05-02.

Image sensor with optical filters having alternating polarization for 3d imaging

Номер патента: CN103219350A. Автор: 代铁军,单继璋,邝江涛,吴东晖. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-24.

FABRICATION OF VACUUM ELECTRONIC COMPONENTS WITH SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING LITHOGRAPHY

Номер патента: US20170263409A1. Автор: Pan Tony S.,Mankin Max N.,Koch Andrew T.,Lingley Andrew R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Optical Element Having Alternating Refractive Index Changes, and Use Thereof

Номер патента: US20200301050A1. Автор: Marco Jupé,Detlev Ristau. Владелец: LZH Laser Zentrum Hannover eV. Дата публикации: 2020-09-24.

Rechargeable battery having alternately stacked electrodes

Номер патента: US09899699B2. Автор: Hyoung-No Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Electrode structure having alternating composite layers

Номер патента: US09806337B2. Автор: Kenzo Oshihara,Xiaoguang Hao. Владелец: Nissan North America Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

ELECTRODE STRUCTURE HAVING ALTERNATING COMPOSITE LAYERS

Номер патента: US20160211513A1. Автор: Oshihara Kenzo,HAO XIAOGUANG. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Cavity resonator having alternate apertured drift tubes connected to opposite end walls

Номер патента: US3390301A. Автор: Kaneko Yoichi,Sawada Ryoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1968-06-25.

Battery cell comprising electrode assembly having alternating alignment structure

Номер патента: CN104813530A. Автор: 金基雄,金东明,权盛振. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-29.

Communication cables with separators having alternating projections

Номер патента: US10515743B1. Автор: Thomas Christopher Cook. Владелец: Superior Essex International LP. Дата публикации: 2019-12-24.

Multilayer foil-wound inductors having alternating layers

Номер патента: WO2009105682A1. Автор: Charles R. Sullivan,Mitushi Nigam. Владелец: THE TRUSTEES OF DARTMOUTH COLLEGE. Дата публикации: 2009-08-27.

Routing analysis with double pattern lithography

Номер патента: US20120216157A1. Автор: Gang Chen,Jianfeng Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-23.

Methods of generating circuit layouts using self-alligned double patterning (SADP) techniques

Номер патента: US09582629B2. Автор: LI YANG,Lei Yuan,Jongwook Kye. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of decomposing design layout for double patterning process

Номер патента: US09355204B2. Автор: Jeong-Hoon Lee,Sang-Wook Seo,Hye-Soo Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Masks for double patterning photolithography

Номер патента: US20140047398A1. Автор: Carlos R. Castro-Pareja,Allan Xiao Yu Gu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Double patterning method for fine patterning

Номер патента: KR20110008495A. Автор: 심연아. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2011-01-27.

Hierarchical trim management for self-aligned double patterning

Номер патента: US20190179994A1. Автор: David Wolpert,Laura R. Darden. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of fabricating a tread plate having alternating stripes incorporated thereon

Номер патента: US20050066512A1. Автор: Raymond Buckley,Clarence Haas. Владелец: Sure Foot Ind Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Method of fabricating a tread plate having alternating stripes incorporated thereon

Номер патента: US20060123618A1. Автор: Raymond Buckley,Clarence Haas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Draw bead having alternating pressure surfaces and grooves

Номер патента: US4195510A. Автор: William A. Juergens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-04-01.

Motor having alternator coils

Номер патента: US4720662A. Автор: Leslie V. Lanser. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-01-19.

Packet-switched network having alternate virtual paths

Номер патента: US5239537A. Автор: Hideki Sakauchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

BUS SYSTEM HAVING ALTERNATING VOLTAGE SUPPLY

Номер патента: US20150288184A1. Автор: SCHOLZ Peter,WIMMER Lars-Peter,Kalhoff Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

DOMOTIC DEVICE HAVING ALTERNATIVE COMMUNICATION LINK WITH REMOTE COMPUTER SERVER

Номер патента: FR3024809A1. Автор: Stéphane Bacou,Jean-Marc Prunet,Emmanuel Prevost. Владелец: MYFOX. Дата публикации: 2016-02-12.

POLYPHASE MOTOR HAVING ALTERNANCE OF PERMANENT MAGNETS AND HIGHLIGHTS

Номер патента: FR3027744A1. Автор: Pierre Gandel,Stéphane Tavernier,Stephane Biwersi,Mathieu Aubertin. Владелец: MMT SA. Дата публикации: 2016-04-29.

Surface wave device having alternating remanent polarization between interdigital electrodes,spaced a surface wavelength apart

Номер патента: US3713036A. Автор: H Thomann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-01-23.

POLYPHASE MOTOR HAVING ALTERNANCE OF PERMANENT MAGNETS AND HIGHLIGHTS

Номер патента: FR3027744B1. Автор: Pierre Gandel,Stéphane Tavernier,Stephane Biwersi,Mathieu Aubertin. Владелец: MMT SA. Дата публикации: 2016-12-02.

METHOD FOR COMPRESSING DIGITAL DATA OF A VIDEO SEQUENCE HAVING ALTERNATE SHOTS

Номер патента: FR2843252A1. Автор: Edouard Francois,Dominique Thoreau,Jean Kypreos. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2004-02-06.

Corrugated fin composite for a heat exchanger

Номер патента: US20190285361A1. Автор: Pascal Miss,Eric Marlier,Jerome STOECKEL,Gilles Magnier. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2019-09-19.

Phase Shift Mask for Double Patterning and Method for Exposing Wafer Using the Same

Номер патента: US20090269679A1. Автор: Goo Min Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device manufacturing method using double patterning and mask

Номер патента: TW200919549A. Автор: Hironobu Taoka,Akemi Moniwa,Junjiro Sakai. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2009-05-01.

ECC method for double pattern flash memory

Номер патента: US09760434B2. Автор: Shih-Chang Huang,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of Patterning Wafers Using Self-Aligned Double Patterning Processes

Номер патента: US20150193570A1. Автор: JEONG MOON-GYU. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Shot cartridge with double pattern

Номер патента: CA2300515A1. Автор: Walter Zanoletti,Paolino Buccelli. Владелец: Muninord di Zanoletti Walter. Дата публикации: 2000-09-16.

Image forming apparatus having alternating current bias control

Номер патента: US09740137B2. Автор: Kosuke Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Preventing double patterning odd cycles

Номер патента: US20150026651A1. Автор: Jiangfeng Luo. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING-AWARE ROUTING IN CHIP MANUFACTURING

Номер патента: US20200104449A1. Автор: Pandey Diwesh,Tellez Gustavo E.,Gao Shaodi. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

DOUBLE PATTERNING LAYOUT DESIGN METHOD

Номер патента: US20140380256A1. Автор: Jeong Kwang-Ok,Song Tae-Joong,Park Jae-ho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-25.

ECC METHOD FOR DOUBLE PATTERN FLASH MEMORY

Номер патента: US20150370634A1. Автор: Hung Chun-Hsiung,CHEN KEN-HUI,HUANG Shih-Chang. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-12-24.

Determination Of Uniform Colorability Of Layout Data For A Double Patterning Manufacturing Process

Номер патента: US20130145340A1. Автор: LI Qiao. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-06.

LAYOUT DECOMPOSITION FOR DOUBLE PATTERNING LITHOGRAPHY

Номер патента: US20130159945A1. Автор: Kahng Andrew B.,Yao Hailong. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2013-06-20.

MASKS FOR DOUBLE PATTERNING PHOTOLITHOGRAPHY

Номер патента: US20140047398A1. Автор: Castro-Pareja Carlos R.,Gu Allan Xiao Yu. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20140080066A1. Автор: SHIMA Motoyuki,MEYA Kanako,SHIOYA Takeo. Владелец: JSR Corporation. Дата публикации: 2014-03-20.

AZIMUTHAL CRITICAL DIMENSION NON-UNIFORMITY FOR DOUBLE PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20200002815A1. Автор: LaVoie Adrien,Agarwal Pulkit,Kumar Ravi,PASQUALE Frank Loren. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

DOUBLE PATTERNING TECHNOLOGY (DPT) LAYOUT ROUTING

Номер патента: US20150012895A1. Автор: Chen Huang-Yu,Chen Wen-Hao,HOU Yuan-Te,Cheng Yi-Kan,WANG Chung-Hsing,Fan Fang-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

HYBRID DESIGN RULE FOR DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20150040088A1. Автор: Huang Wen-Chun,Chen Wen-Hao,Huang Cheng-I. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-02-05.

AUTONOMOUS PLACEMENT TO SATISFY SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING CONSTRAINTS

Номер патента: US20200057836A1. Автор: Nam Gi-Joon,Xiang Hua,Ramji Shyam,Tellez Gustavo Enrique. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

ECC METHOD FOR DOUBLE PATTERN FLASH MEMORY

Номер патента: US20150100852A1. Автор: Hung Chun-Hsiung,CHEN KEN-HUI,HUANG Shih-Chang. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-09.

DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20160103396A1. Автор: Yu Chun-Chi,Liou En-Chiuan,Kuo Teng-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

CONSTRUCTING FILL SHAPES FOR DOUBLE-PATTERNING TECHNOLOGY

Номер патента: US20170124242A1. Автор: Sharma Himanshu,Kim Byungwook,Kashyap Virender,Khandelwal Abhishek. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Self-aligned double patterning via enclosure design

Номер патента: US20140208285A1. Автор: Lei Yuan,Harry J. Levinson,Jongwook Kye,Jason E. Stephens. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

LITHO-LITHO-ETCH DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20190163054A1. Автор: Wang Feng,Singh Sunil K.,Mehta Sohan S.,SHARMA VINEET,Higgins Craig D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Hierarchical trim management for self-aligned double patterning

Номер патента: US20190179994A1. Автор: David Wolpert,Laura R. Darden. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

RC Corner Solutions for Double Patterning Technology

Номер патента: US20140304670A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Ke-Ying Su,Hsiao-Shu CHAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

METHOD OF DECOMPOSING DESIGN LAYOUT FOR DOUBLE PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20150227666A1. Автор: LEE Jeong-Hoon,SHIN Hye-Soo,Seo Sang-Wook. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

METHODS OF GENERATING CIRCUIT LAYOUTS USING SELF-ALLIGNED DOUBLE PATTERNING (SADP) TECHNIQUES

Номер патента: US20150286764A1. Автор: Yang Li,Yuan Lei,Kye Jongwook. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-08.

DOUBLE PATTERNING BY PTD AND NTD PROCESS

Номер патента: US20140377708A1. Автор: Yang Chin Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Grating structure design method for double pattern encryption

Номер патента: CN113805333A. Автор: 陈旭东,钟世龙. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-12-17.

Double patterning process

Номер патента: US8247166B2. Автор: Jun Hatakeyama,Tsunehiro Nishi,Masaki Ohashi,Katsuya Takemura,Takeshi Kinsho. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Double-pattern artificial quartz stone plate and preparation method thereof

Номер патента: CN114230234A. Автор: 黄海平,罗勇,戴新,王舟. Владелец: Guangdong Zhongqi New Material Co ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

Method, system, and program product for interactive checking for double pattern lithography violations

Номер патента: US8739095B2. Автор: Min Cao,Roland Ruehl. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Prepairing of optical film having double pattern and film made from the same

Номер патента: KR101241117B1. Автор: 김태진,유상현,구자정,지성대,성명석. Владелец: 웅진케미칼 주식회사. Дата публикации: 2013-03-11.

staggered laser engraving equipment for processing double-pattern carpet

Номер патента: CN108581215B. Автор: 潘小杰,方泽波. Владелец: SUZHOU MIKE LASER TECHNOLOGY SERVICE Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-31.

Photoresist composition for forming a self-aligned double pattern

Номер патента: WO2011014020A2. Автор: 이재우,김재현,이정열,김한상. Владелец: 주식회사 동진쎄미켐. Дата публикации: 2011-02-03.

A jaw crusher with a swing tooth plate having a double-pattern surface

Номер патента: CN106513089A. Автор: 梁枫. Владелец: Chengdu Jiameijia Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

LELE double-pattern process

Номер патента: CN109696797A. Автор: 李亮,陈啸,闫观勇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Tianjin Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Method for improving photoetching mark of double patterning process

Номер патента: CN111399351A. Автор: 梁时元,权炳仁,田范焕. Владелец: Zhenxin Beijing Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-10.

Negative tone double patterning method

Номер патента: US20100062228A1. Автор: Charles Wallace,Swaminathan Sivakumar,Paul Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Natively color-aware double patterning technology (DPT) compliant routing

Номер патента: US8935639B1. Автор: Ping-San Tzeng. Владелец: Atoptech Inc. Дата публикации: 2015-01-13.

Hybrid design rule for double patterning

Номер патента: US20150040088A1. Автор: Wen-Hao Chen,Wen-Chun Huang,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

A photoresist image-forming process using double patterning

Номер патента: TW200949461A. Автор: Munirathna Padmanaban,David Abdallah,Ralph R Dammel,Eric Alemy. Владелец: Az Electronic Materials Usa. Дата публикации: 2009-12-01.

Process for manufacturing textured multifilament yarn having alternating twist

Номер патента: US4523428A. Автор: Takao Negishi,Kazuo Tomiita,Teiryo Kojima. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1985-06-18.

Textured multifilament yarn having alternating twists

Номер патента: US4402178A. Автор: Takao Negishi,Kazuo Tomiita,Teiryo Kojima. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1983-09-06.

Carbohydrate or 2' -modified oligonucleotides having alternating internucleoside linkages

Номер патента: US20020165181A1. Автор: Muthiah Manoharan. Владелец: ISIS PHARMACEUTICALS INC. Дата публикации: 2002-11-07.

Carbohydrate or 2'-modified oligonucleotides having alternating internucleoside linkages

Номер патента: EP1104303B1. Автор: Muthiah Manoharan. Владелец: ISIS PHARMACEUTICALS INC. Дата публикации: 2011-08-24.

Vehicle access ramp having alternative pivots for stowing

Номер патента: US4966516A. Автор: Roger Vartanian. Владелец: Vartanian Ind Inc. Дата публикации: 1990-10-30.

Hand implement having alternately usable tooth and blade assemblies

Номер патента: US4901801A. Автор: Andrew G. Popivalo. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-02-20.

Injection-mold clamping unit having alternately ejecting die assemblies

Номер патента: US3898030A. Автор: Thomas G Bishop. Владелец: Koehring Co. Дата публикации: 1975-08-05.

Flat knitting machine having alternating configuration

Номер патента: US5636532A. Автор: Masahiro Shima,Minoru Sonomura. Владелец: Shima Seiki Mfg Ltd. Дата публикации: 1997-06-10.

Hearing protective earplug having alternative modes of insertion

Номер патента: CA2089893C. Автор: Ross Gardner Jr.. Владелец: Cabot Safety Intermediate LLC. Дата публикации: 1998-12-22.

Printhead module having alternate pcbs and rows of print chips

Номер патента: US20230330991A1. Автор: Jason Mark Thelander,David Oliver Burke. Владелец: Memjet Technology Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Toilet paper sheets having alternating sidewall indentations

Номер патента: WO2015112867A1. Автор: David R. Morris. Владелец: Morris David R. Дата публикации: 2015-07-30.

Automotive radiator with flat and grooved water tubes and with overlapped and alternating fins, and method of manufacture

Номер патента: FR414705A. Автор: Louis Establie. Владелец: Louis Establie. Дата публикации: 1910-09-09.

Fin block with continuously varied fin width

Номер патента: US20220134628A1. Автор: Walter Breuning,Stefan Buhl,Michael ESSWEIN. Владелец: KraussMaffei Extrusion GmbH. Дата публикации: 2022-05-05.

Zigzag spring seat back having alternate springs of different lengths and form

Номер патента: US2666477A. Автор: Hyland C Flint. Владелец: American Metal Products Co. Дата публикации: 1954-01-19.

Modular conveyor belt having alternating drive surfaces

Номер патента: EP3962839A1. Автор: Stefan SIMMENDINGER,Dietmar Elsner. Владелец: Habasit AG. Дата публикации: 2022-03-09.

Modular conveyor belt having alternating drive surfaces

Номер патента: CA3138820A1. Автор: Stefan SIMMENDINGER,Dietmar Elsner. Владелец: Habasit AG. Дата публикации: 2020-11-05.

Modular conveyor belt having alternating drive surfaces

Номер патента: WO2020221718A1. Автор: Stefan SIMMENDINGER,Dietmar Elsner. Владелец: Habasit AG. Дата публикации: 2020-11-05.

Gaming device having alternating display

Номер патента: AU2003244625A1. Автор: Joseph E. Kaminkow. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2004-03-25.

Re-sealable moisture tight containers for strips and the like having alternative sealing mechanisms

Номер патента: EP1805088A2. Автор: Jean-Pierre Giraud,Michel Zbirka. Владелец: CSP Technologies Inc. Дата публикации: 2007-07-11.

System and device having alternative bit organization

Номер патента: TW200900941A. Автор: Dong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Voltage tester having alternatively attachable or separable probes

Номер патента: US09423417B2. Автор: Ferdinand Laurino,Jeff Worones. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Fin block with continuously varied fin width

Номер патента: US20220134628A1. Автор: Buhl Stefan,Esswein Michael,Breuning Walter. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Gaming device having alternate outcome presentations

Номер патента: US20130316790A1. Автор: David Haag,Dwayne Nelson. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-11-28.

TUBING SYSTEM HAVING ALTERNATE PATH

Номер патента: US20170058647A1. Автор: Langlais Michael Dean. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Printhead module having alternate longitudinal ink supply channels and slots

Номер патента: US20220266594A1. Автор: Jason Mark Thelander,David Oliver Burke. Владелец: Memjet Technology Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

WEIGHING AND LABELING CONVEYOR HAVING ALTERNATING PRINTER USE

Номер патента: US20180141696A1. Автор: Pfau Helmut. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Tape Having Alternating Non-Adhesive Portions

Номер патента: US20200140721A1. Автор: Pati Ann Gross. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-07.

Toilet Paper Sheets Having Alternating Sidewall Indentations

Номер патента: US20160213204A1. Автор: Morris David R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

MICROPROCESSOR ARCHITECTURE HAVING ALTERNATIVE MEMORY ACCESS PATHS

Номер патента: US20170249253A1. Автор: Brewer Tony M.,Wallach Steven J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Toy figurine having alternative movement configurations

Номер патента: US20190262730A1. Автор: Jason S. Ly,William T. Benecke. Владелец: Mattel Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Optical Element Having Alternating Refractive Index Changes, and Use Thereof

Номер патента: US20200301050A1. Автор: Jupé Marco,Ristau Detlev. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Laminated rod having alternating detection and spacer layers for binding assays

Номер патента: US4708931A. Автор: Clifford N. Christian. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1987-11-24.

Multicomponent interpolymers having alternating sequential structure

Номер патента: US3814734A. Автор: S Kawasumi,M Hirooka,H Yabuuchi. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1974-06-04.

Tubing system having alternate path

Номер патента: US10480293B2. Автор: Michael Dean Langlais. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Assembly having alternative eccentric cross rib

Номер патента: CN1343616A. Автор: 迪特尔·古尔登费尔斯. Владелец: Habasit AG. Дата публикации: 2002-04-10.

Cross-country ski having alternate sliding and holding surfaces

Номер патента: US4027895A. Автор: Hans Evald Larsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-07.

Rotary pump having alternating pistons controlled by non-circular gears

Номер патента: US4872818A. Автор: Akira Takami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-10-10.

Set of elements intended for developing a site which has to have alternately a plane surface and a stepped surface

Номер патента: FR2605037A1. Автор: . Владелец: FRISQUE GERARD. Дата публикации: 1988-04-15.

Voltage tester having alternatively attachable or separable probes

Номер патента: EP2581749A1. Автор: Ferdinand Laurino,Duncan Kearsley,IV Wilbur Ames. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2013-04-17.

Self-staking fastener having alternate teeth and lands

Номер патента: US3133579A. Автор: David W Grimm,Emric W Bergere,Rath Jack. Владелец: KAYNAR Manufacturing CO. Дата публикации: 1964-05-19.

Method for displaying map labels for geographical features having alternate names

Номер патента: US8515666B2. Автор: Piotr Konrad Tysowski. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2013-08-20.

Embossed paper having alternating high and low strain regions

Номер патента: CA1323236C. Автор: Kenneth Kaufman,William H. Burgess,Archie B. Lane, Jr.. Владелец: Scott Paper Co. Дата публикации: 1993-10-19.

Custom-made high power floodlight having alternant led module in pemnut assembly

Номер патента: KR102405091B1. Автор: 박용재,고광용. Владелец: 신승라이텍 주식회사. Дата публикации: 2022-06-07.

Optical screen apparatus having alternate opaque and clear layers and method of making such apparatus

Номер патента: US6802618B2. Автор: Kerry E. Wilkinson. Владелец: Kerry E. Wilkinson. Дата публикации: 2004-10-12.

Sheet metal lanced nut having alternately offset straps

Номер патента: US3006231A. Автор: Simon S Kahn. Владелец: General American Transportation Corp. Дата публикации: 1961-10-31.

Light string having alternating current light-emitting diodes

Номер патента: US20070008721A1. Автор: Chi-Tsung Peng,Kuo-Hsiang Wen. Владелец: Baycom Opto Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Hybrid electric vehicle having alternate power sources

Номер патента: US20050211482A1. Автор: Daniel Meaney. Владелец: MEANEY DANIEL J JR. Дата публикации: 2005-09-29.

Means for hanging articles such as packages and having alternative hook apertures

Номер патента: GB2365853B. Автор: Hans Kraemer. Владелец: SmithKline Beecham GmbH and Co KG. Дата публикации: 2003-01-22.

Nonvolatile memory semiconductor devices having alternative programming operations

Номер патента: TW434553B. Автор: Jong-Min Park,Hwi-Taek Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-16.

Process for preparing polymeric dispersants having alternating polyalkylene and succinic groups

Номер патента: CA1340359C. Автор: William R. Ruhe, Jr.. Владелец: Chevron Research and Technology Co. Дата публикации: 1999-01-26.

Paper web guide device having alternating driving and braking guide rollers

Номер патента: US5337944A. Автор: Noriyuki Shiba. Владелец: Tokyo Kikai Seisakusho Co Ltd. Дата публикации: 1994-08-16.

Hearing protective earplug having alternative modes of insertion

Номер патента: CA2089893A1. Автор: Ross Gardner Jr.. Владелец: Ross Gardner Jr.. Дата публикации: 1992-02-21.

Washing machine having alternatively operating electric loads

Номер патента: EP2416226B1. Автор: Mauro Possanza. Владелец: Indesit Co Spa. Дата публикации: 2013-03-06.

Gaming device having alternate outcome presentations

Номер патента: US7229351B2. Автор: David Haag,Dwayne Nelson. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-06-12.

Synthetic diamond having alternating layers with different concentrations of impurities

Номер патента: US20050056208A1. Автор: Robert Linares,Patrick Doering. Владелец: Apollo Diamond Inc. Дата публикации: 2005-03-17.

A process for manufacturing a textured multifilament yarn having alternating twists

Номер патента: DE3071779D1. Автор: Takao Negishi,Kazuo Tomiita,Teiryo Kojima. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1986-10-30.

Ophthalmometer having alternative viewing measuring systems and including improved contact lens holding means

Номер патента: US3778164A. Автор: T Walker. Владелец: American Optical Corp. Дата публикации: 1973-12-11.

Polymeric dispersants having alternating polyalkylene and succinic groups

Номер патента: CA1338893C. Автор: James J. Harrison. Владелец: Chevron Research and Technology Co. Дата публикации: 1997-02-04.

Magnetic closure having alternating polarity connection

Номер патента: US20060192642A1. Автор: Lavie Golenberg,Marc Ruiz. Владелец: Ruiz Marc L. Дата публикации: 2006-08-31.

Gaming device having alternate outcome presentations

Номер патента: US6964609B2. Автор: David Haag,Dwayne Nelson. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2005-11-15.

Hybrid electric vehicle having alternate power sources

Номер патента: US7389839B2. Автор: Daniel J. Meaney, Jr.. Владелец: Meaney Jr Daniel J. Дата публикации: 2008-06-24.

Voltage tester having alternatively attachable or separable probes

Номер патента: EP2581749B1. Автор: Ferdinand Laurino,Duncan Kearsley,IV Wilbur Ames. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Polarizing element including layer having alternating areas of birefringent and isotropic materials

Номер патента: US5900977A. Автор: Rifat A. M. Hikmet. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Microprocessor architecture having alternative memory access paths

Номер патента: US9710384B2. Автор: Tony Brewer,Steven J. Wallach. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Microprocessor architecture having alternative memory access paths

Номер патента: WO2009088682A1. Автор: Tony Brewer,Steven Wallach. Владелец: Convey Computer. Дата публикации: 2009-07-16.

TRANSMISSION FOR A TURBOMACHINE HAVING ALTERNATE SPACED ROTOR BLADES

Номер патента: IT201900003991A1. Автор: Giulio ZAGATO,Au Yeung Saypen Baraggia,Giuseppe Casamirra. Владелец: GE Avio SRL. Дата публикации: 2020-09-19.

Dc motor controller having alternative solenoid drive circuit

Номер патента: JPS55107208A. Автор: Teii Kiyabiru Deebitsudo. Владелец: Outboard Marine Corp. Дата публикации: 1980-08-16.

System and device having alternative bit organization

Номер патента: US20080301392A1. Автор: Dong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-04.

Method and apparatus for movable structure having alternative accessible sides

Номер патента: EP1636100A2. Автор: William Jefferson Stone, Iii. Владелец: Pi Squared Design Inc. Дата публикации: 2006-03-22.

System and device having alternative bit organization

Номер патента: US20120117296A1. Автор: Dong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-10.

Transformable toy figure having alternative sounds

Номер патента: EP1283736A4. Автор: Larry Richards,Jennifer Lizzio. Владелец: Mattel Inc. Дата публикации: 2007-08-29.

Transducer arrays having alternative array materials

Номер патента: US20240173544A1. Автор: Richard Deslauriers. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2024-05-30.

Transformable toy figure having alternative sounds

Номер патента: EP1283736A1. Автор: Larry Richards,Jennifer Lizzio. Владелец: Mattel Inc. Дата публикации: 2003-02-19.

Transformable toy figure having alternative sounds

Номер патента: AU7793601A. Автор: Larry Richards,Jennifer Lizzio. Владелец: Mattel Inc. Дата публикации: 2002-02-18.

Transducer arrays having alternative array materials

Номер патента: WO2024116097A1. Автор: Richard Deslauriers. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Gaming device having alternating display

Номер патента: GB2393016B. Автор: Joseph E Kaminkow. Владелец: INTERNATIONAL GAME TECHNOLOGY. Дата публикации: 2006-01-04.

Modular conveyor belt having alternating drive surfaces

Номер патента: EP3962839C0. Автор: Stefan SIMMENDINGER,Dietmar Elsner. Владелец: Habasit AG. Дата публикации: 2023-06-07.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09666451B2. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Conductive wire structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210398820A1. Автор: Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110294297A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Integrated circuit package assemblies with high-aspect ratio metallization features

Номер патента: US20200411317A1. Автор: Hongxia Feng,Leonel Arana,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for pattern reduction using a staircase spacer

Номер патента: US11776812B2. Автор: Anton J. deVilliers,Daniel Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for pattern reduction using a staircase spacer

Номер патента: US11854806B2. Автор: Anton J. deVilliers,Daniel Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for pattern reduction using a staircase spacer

Номер патента: WO2021237175A1. Автор: Anton Devilliers,Daniel Fulford. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170213724A1. Автор: Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-27.

Method and apparatus for performing a site-dependent dual patterning procedure

Номер патента: US20080241971A1. Автор: Mark Winkler,Thomas Winter. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Self-aligned block patterning with density assist pattern

Номер патента: US09941164B1. Автор: Seong Jong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Fabrication technique for forming ultra-high density integrated circuit components

Номер патента: US20230154751A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Fabrication technique for forming ultra-high density integrated circuit components

Номер патента: WO2022015930A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09768031B2. Автор: Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of preventing trench distortion

Номер патента: US09741614B1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Cyclic oxide spacer etch process

Номер патента: US09818621B2. Автор: Ying Zhang,Qingjun Zhou,Olivier Joubert,Tom Choi,Yungchen LIN,Aurélien Tavernier. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Etching method

Номер патента: US09530671B2. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Lateral oxidation process flows

Номер патента: US09343309B1. Автор: Huixiong Dai,Mangesh Bangar,Liyan Miao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor structure with strengthened patterns and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059349A1. Автор: Ching-Yuan Kuo,Chih-hao Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures

Номер патента: US20120018891A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240112915A1. Автор: Chan Hwang,Sangho Yun,Janghoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Cyclic oxide spacer etch process

Номер патента: US20170243754A1. Автор: Ying Zhang,Qingjun Zhou,Olivier Joubert,Tom Choi,Yungchen LIN,Aurélien Tavernier. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Methods and system for patterning a substrate

Номер патента: WO2011022635A2. Автор: Patrick M. Martin,Jung-Wook Park,Daniel Oh,Steven D. Carlson. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2011-02-24.

Source/drain epitaxial electrical monitor

Номер патента: US09972550B2. Автор: Edward J. Nowak,Robert R. Robison,Lyndon R. Logan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

用于半导体工艺的图案化方法及图案化系统

Номер патента: CN118173434. Автор: 请求不公布姓名. Владелец: Zhangjiang National Laboratory. Дата публикации: 2024-06-11.

Forming crown active regions for FinFETs

Номер патента: US09543210B2. Автор: Tung Ying Lee,Ming-Jie Huang,Chen-Ping CHEN,Hui-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Three-port bit cell having increased width

Номер патента: US09536596B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A3. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Multi-gate FinFET semiconductor device with flexible design width

Номер патента: US09691763B2. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Hybrid Sram Design With Nano-Structures

Номер патента: US20220352163A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: KR100895406B1. Автор: 임희열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-05-06.

Method of manufacturing contact

Номер патента: KR100791012B1. Автор: 홍창기,윤보언,권병호,김채령. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-04.

Three-port bit cell having increased width

Номер патента: WO2016032645A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-03.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A2. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

반도체 소자의 패턴 형성방법

Номер патента: KR20120098145A. Автор: 선규태. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-09-05.

더블 패터닝 기술을 기반한 모스 메탈 병합 커패시터 소자

Номер патента: KR101383106B1. Автор: 강태경,소만석. Владелец: (주)니모스텍. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09614075B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09691896B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Combined SADP fins for semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: US09691775B1. Автор: Guillaume Bouche,Nicholas Vincent LICAUSI,Eric Scott Kozarsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional devices having reduced contact length

Номер патента: US20160254265A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Three-dimensional devices having reduced contact length

Номер патента: US20200303379A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Three-dimensional devices having reduced contact length

Номер патента: US20150155298A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Three-dimensional devices having reduced contact length

Номер патента: US20170358580A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Three-dimensional devices having reduced contact length

Номер патента: US09728538B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20160336444A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Controlling fin-thinning through feedback

Номер патента: US11923437B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Tsu-Hui Su,Chun-Hsiang FAN,Yu-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Controlling Fin-Thinning Through Feedback

Номер патента: US20220045199A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Tsu-Hui Su,Chun-Hsiang FAN,Yu-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Controlling Fin-Thinning Through Feedback

Номер патента: US20230387263A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Tsu-Hui Su,Chun-Hsiang FAN,Yu-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for asymmetrical geometrical scaling

Номер патента: US20160314235A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for asymmetrical geometrical scaling

Номер патента: WO2016171850A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for asymmetrical geometrical scaling

Номер патента: US09594864B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

3d target for monitoring multiple patterning process

Номер патента: WO2017023599A1. Автор: Jiangtao Hu,Nicholas James Keller. Владелец: Nanometrics Incorporated. Дата публикации: 2017-02-09.

Small pitch and high density contact array

Номер патента: US09543502B2. Автор: Alex See,Zheng Zou. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

3d target for monitoring multiple patterning process

Номер патента: US20170031248A1. Автор: Jiangtao Hu,Nicholas James Keller. Владелец: Nanometrics Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

A method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR101096213B1. Автор: 배상만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

반도체 장치 및 상기 반도체 장치의 레이아웃 방법

Номер патента: KR20100055104A. Автор: 이두열,곽판석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2010-05-26.

오버레이 버니어 형성 방법

Номер патента: KR20090028994A. Автор: 정용순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-03-20.

Test structure for charged particle beam inspection and method for fabricating the same

Номер патента: US20100102316A1. Автор: HONG Xiao. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2010-04-29.

Heteroepitaxial growth of orientation-patterned materials on orientation-patterned foreign substrates

Номер патента: US09647156B1. Автор: Vladimir L. Tassev,Rita D. Peterson. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2017-05-09.

Alternative thin film transistors for liquid crystal displays

Номер патента: US20040246393A1. Автор: Thomas Credelle,Matthew Schlegel,Candice Elliott. Владелец: Clairvoyante Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for Production of High Figure of Merit Thermoelectric Materials

Номер патента: US20150020861A1. Автор: Daryush Ila. Владелец: FAYETTEVILLE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-22.

Optoelectronic circuit with low-flicker light-emitting diodes

Номер патента: US09854632B2. Автор: Xavier Hugon,Erwan Dornel,Frederic Mercier. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for forming nanowires including multiple integrated devices with alternate channel materials

Номер патента: US09831131B1. Автор: Ajey P. Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Electrostatic discharge (ESD) diode in FinFET technology

Номер патента: US09653448B2. Автор: Junjun Li,Xiaofeng Fan,Xin Yi Zhang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor element and a method for producing the same

Номер патента: US7906802B2. Автор: Peter Baumgärtner,Domagoj Siprak. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-03-15.

Vertical cavity surface emitting laser having continuous grading

Номер патента: US5530715A. Автор: Chan-Long Shieh,Piotr Grodzinski,Hsing-Chung Lee,Michael S. Lebby. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-06-25.

Method of making low crosstalk ribbon cable

Номер патента: CA1190389A. Автор: Patrick J. Paquin. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1985-07-16.

Asymmetric resonant waveguide aperture manifold

Номер патента: CA1203296A. Автор: Richard F. Frazita. Владелец: Hazeltine Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Surface-emitting laser element, atomic oscillator, and surface-emitting laser element testing method

Номер патента: EP2686923A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

Surface-emitting laser element, atomic oscillator, and surface-emitting laser element testing method

Номер патента: US20130335155A1. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Red light vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US5796769A. Автор: Michael S. Lebby,Jamal Ramdani,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Apparatus using double focusing type fly-back transformer

Номер патента: MY120758A. Автор: Choi Sung Yoon. Владелец: Samsung Electro Mech. Дата публикации: 2005-11-30.

Electrical circuit with two stable states

Номер патента: GB845905A. Автор: Theodore Hertz Bonn. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1960-08-24.

비트라인 레이아웃의 구조를 개선한 플래시 메모리 장치 및그 레이아웃 방법

Номер патента: KR20090014003A. Автор: 이두열,곽판석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-02-06.

Actuator and electric beauty appliance

Номер патента: US09419507B2. Автор: Yuki Takahashi,Shigenori Inamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Improvements in the Generation of Electrical Oscillations.

Номер патента: GB191329902A. Автор: Adrian Francis Sykes,Solomon Ford. Владелец: Individual. Дата публикации: 1914-12-24.

Push-pull betatron pair

Номер патента: US4577156A. Автор: Donald W. Kerst. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1986-03-18.

Method of transmission, user equipment and network equipment

Номер патента: US09591521B2. Автор: Tao Yang,Antonella Faniuolo. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2017-03-07.

Improvements of magnetic couplings

Номер патента: RU2595264C2. Автор: Кристофер БРЕМНЕР,Раду ИЛЬЮТА. Владелец: Раду ИЛЬЮТА. Дата публикации: 2016-08-27.

Improvements in or relating to rotating electric rectifiers

Номер патента: GB349005A. Автор: . Владелец: ANONIMA ACCUMULATORI DR SCAINI. Дата публикации: 1931-05-12.

Hybrid alternator

Номер патента: US5753989A. Автор: William P. Curtiss,Charles D. Syverson. Владелец: Ecoair Corp. Дата публикации: 1998-05-19.

Incremental control system

Номер патента: GB1100007A. Автор: . Владелец: Ampex Corp. Дата публикации: 1968-01-24.

System for Controlling the Steady-State Rotation of a Synchronous Electric Motor

Номер патента: US20100201303A1. Автор: Sebastiano Acquaviva. Владелец: Askoll P&C SRL. Дата публикации: 2010-08-12.

A compensation circuit for delta-sigma modulators, corresponding device and method

Номер патента: EP3859975A1. Автор: Germano Nicollini,Paolo Pesenti,Roberto Modaffari. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-04.

High Efficiency Thermoelectric Device

Номер патента: US20130247949A1. Автор: Daryush Ila. Владелец: FAYETTEVILLE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-09-26.

Drive system transmitting magnetic torque without mechanic contact

Номер патента: WO2012076910A2. Автор: Arpad Kasler. Владелец: Kasler Arpad. Дата публикации: 2012-06-14.

Enhanced bulk acoustic wave resonator performance using metallic bragg mirrors

Номер патента: US20240313740A1. Автор: Scott J. Smith,Ahmed E. Hassanien. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Code path directives for controlling in-app experiences

Номер патента: US09692808B2. Автор: Peter R. Fransen,Andy H. VanWagoner. Владелец: Adobe Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Electrical outlet box with alternative mounting flanges

Номер патента: CA2649064C. Автор: Eric G. Hull,Charles H. Riedy,Dennis P. Revlock, Sr.. Владелец: Lamson and Sessions Co. Дата публикации: 2011-05-17.

Method for concurrent migration and decomposition of integrated circuit layout

Номер патента: US20110004858A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chin-Hsiung Hsu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2011-01-06.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Lithographic method and apparatus

Номер патента: US20090153826A1. Автор: Harry Sewell,Jozef Petrus Henricus Benschop. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2009-06-18.

Capacitance extraction method for semiconductor sadp metal wires

Номер патента: US20200089836A1. Автор: Ning Lu,Calvin Bittner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

반도체 소자의 오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 형성 방법

Номер патента: KR20080058658A. Автор: 강응길. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-06-26.

반도체 소자의 패턴 형성 방법

Номер патента: KR20090069103A. Автор: 정주홍. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-29.

Reciprocating pump

Номер патента: RU2695176C1. Автор: Дирк Питер КОМБРИНК. Владелец: Юдифлоу Лимитед. Дата публикации: 2019-07-22.

Bit line resistance compensation

Номер патента: US20140133230A1. Автор: Kwang Ho Kim,Teruhiko Kamei,Man Lung Mui,Seungpil Lee,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-05-15.

Devices and methods for a finfet sense amplifier

Номер патента: US20240203462A1. Автор: Wenjun Li,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Tissue anchor

Номер патента: US09510822B2. Автор: Sarah J. Deitch,Neal Poucher,Allen Gaynor. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2016-12-06.

반도체 소자의 오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 형성 방법

Номер патента: KR101204918B1. Автор: 강응길. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-11-26.

Vacuum cleaner nozzle

Номер патента: EP3691504A1. Автор: Johannes Tseard Van Der Kooi,Emiel Koopmans,Arnoldus Cornelis Wessels,Henk Jan Ten Donkelaar,Bastiaan Rutger BERGA. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2020-08-12.

Silica glass member and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170349477A1. Автор: Yuji Fukasawa,Sachiko Kato. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-12-07.

Resists for photolithography

Номер патента: EP2047332A2. Автор: Zhiyun Chen,Gregory D. Cooper,Larry F. Thompson,Gonen Williams Serpil. Владелец: PIXELLIGENT TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2009-04-15.

Resists for lithography

Номер патента: US20130136897A1. Автор: Zhiyun Chen,Gregory D. Cooper,Larry F. Thompson,Z. Serpil Gonen Williams. Владелец: PIXELLIGENT TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2013-05-30.

System and method of measuring low impedances

Номер патента: US20040075451A1. Автор: Christopher Houghton,Isaac Kantorovich,Stephen Root,James St.Laurent. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-04-22.

Torque resistant shroud system

Номер патента: US20240240543A1. Автор: Michael Dean Langlais. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Reversible device for cleaning cosmetic brushes

Номер патента: US09924790B2. Автор: Simone Rodrigues Oliveira Xavier,Rene Xavier Filho. Владелец: SIGMA ENTERPRISES LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonlinear optical device including poled waveguide and associated fabrication methods

Номер патента: US5943464A. Автор: Salah Khodja. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-08-24.

Bearing with composite surfaces and method of making same

Номер патента: GB1355423A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-06-05.

Tissue anchor

Номер патента: US20160157845A1. Автор: Sarah J. Deitch,Neal Poucher,Allen Gaynor. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2016-06-09.

Method for manufacturing shaped components from web materials

Номер патента: EP1427369A1. Автор: Michael Gary Nease,Michael Patrick Hayden,Mark Mason Hargett. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2004-06-16.

Fishing lure

Номер патента: US20240188549A1. Автор: Steven Nemirsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Fishing lure

Номер патента: CA3184296A1. Автор: Stephen Nemirsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Oligonucleotides comprising alternating segments and uses thereof

Номер патента: US09902953B2. Автор: Masad J. Damha,Michael A. Parniak. Владелец: McGill University. Дата публикации: 2018-02-27.

Safety interlock nozzle

Номер патента: US09624088B2. Автор: Arthur C. Fink,Timothy G. Schroeder. Владелец: Husky Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Multi-flow pipe and pipe couplings therefor for use in fracture flow hydrocarbon recovery processes

Номер патента: CA2885146C. Автор: Conrad Ayasse. Владелец: IOR Canada Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

A.c. synchronous transmitter,d.c. synchronous receiver system with demodulators in only two of the three windings

Номер патента: US3564381A. Автор: Walter Parfomak,Leon Tysko. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1971-02-16.

Multi-flow pipe and pipe couplings therefor for use in fracture flow hydrocarbon recovery processes

Номер патента: CA2928786C. Автор: Conrad Ayasse. Владелец: IOR Canada Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Patent GB1230203A

Номер патента: GB1230203A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1971-04-28.

Undulated lace

Номер патента: CA3055095C. Автор: Steve LAFRAMBOISE,John MOSHOPOULOS. Владелец: CORRECT MOTION Inc. Дата публикации: 2021-07-27.

Built-up cutting tool

Номер патента: RU2302320C1. Автор: Нина Алексеевна Корюкина. Владелец: Нина Алексеевна Корюкина. Дата публикации: 2007-07-10.

Latch mechanism with alternate operating modes

Номер патента: GB2369404A. Автор: Gurbinder Singh Kalsi. Владелец: Meritor Light Vehicle Systems UK Ltd. Дата публикации: 2002-05-29.

Fluted filter apparatus

Номер патента: CA2642345C. Автор: Gene W. Brown,Steven J. Merritt,Robert M. Wydeven. Владелец: Baldwin Filters Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Electronic fuel-injecting system for internal combustion engines

Номер патента: GB1347712A. Автор: . Владелец: Societe des Procedes Modernes dInjection SOPROMI. Дата публикации: 1974-02-27.

Printing apparatus and process for controlling ink fog

Номер патента: US3624731A. Автор: Eugene T Lindberg. Владелец: Denver Post Inc. Дата публикации: 1971-11-30.

Rhombus-shaped indexable cutting insert and cutting tool

Номер патента: RU2647973C2. Автор: Джил ХЕЧТ. Владелец: Искар Лтд.. Дата публикации: 2018-03-21.

Improvements in and relating to radar systems

Номер патента: GB928410A. Автор: Leslie Joseph Ward. Владелец: English Electric Co Ltd. Дата публикации: 1963-06-12.

Improvements in or relating to Circular Knitting Machines and the Fabrics Produced thereon.

Номер патента: GB191413307A. Автор: Godfrey Stibbe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1915-04-29.

Improvements in apparatus for making metal binding strips for cases

Номер патента: GB538205A. Автор: . Владелец: NO NAIL CASES Ltd Pty. Дата публикации: 1941-07-24.

Interference filter design using flip-flop optimization

Номер патента: US4666250A. Автор: William H. Southwell. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1987-05-19.

Oligonucleotides comprising alternating segments and uses thereof

Номер патента: CA2474414C. Автор: Masad J. Damha,Michael A. Parniak. Владелец: McGill University. Дата публикации: 2018-03-06.

Torque resistant shroud system

Номер патента: GB2620873A. Автор: Dean Langlais Michael. Владелец: Schlumberger Technology Bv. Дата публикации: 2024-01-24.

Oscillatory actuator for concrete pumps, with hydraulically driven rack and pinion unit

Номер патента: EP2243965A3. Автор: Giancarlo Musiani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-09.

Torque resistant shroud system

Номер патента: CA3219085A1. Автор: Michael Dean Langlais. Владелец: Schlumberger Canada Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Channel fin heat exchangers and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2020076366A9. Автор: Yen-Chu CHI. Владелец: Chi Yen Chu. Дата публикации: 2020-10-22.

High-resolution detector having a reduced number of pixels

Номер патента: US20230288580A1. Автор: Uwe Wiedmann,Brian David Yanoff,Biju Jacob. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Packaging films with alternating individual layers of glass and plastic

Номер патента: WO2018106263A1. Автор: Daniel C. VENNERBERG,Ryan A. MICHAUD. Владелец: Bemis Company, Inc.. Дата публикации: 2018-06-14.

Optical fiber coil and method of winding

Номер патента: WO1995017693A1. Автор: Jerry L. Page,Douglas Milliman,David R. Bina. Владелец: Smiths Industries Aerospace & Defense Systems, Inc.. Дата публикации: 1995-06-29.

Conformal heat exchanger with triangular offset strip fins

Номер патента: US20240263884A1. Автор: James F. WIEDENHOEFER. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Conformal heat exchanger with triangular offset strip fins

Номер патента: EP4411301A1. Автор: James F. WIEDENHOEFER. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Rotary device with slidable vane supports

Номер патента: AU4295596A. Автор: James E. Smith,Gregory Thompson,Patrick Ryan Badgley,Brian W. Cherry,Victor H Mucino,Nigel N Clark. Владелец: Reg Tech Inc. Дата публикации: 1996-07-24.

In-line modular indicator assembly

Номер патента: CA3205224A1. Автор: William Theunissen. Владелец: Banner Engineering Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Continuous tubing with alternating compositions for medical devices

Номер патента: US11738187B2. Автор: Zehra Sevinc,Mark W. Doane,Anthony GUEVARA,Archana Nagaraja RAO,Wan Suwito. Владелец: CareFusion 303 Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Tear resistant solar control multilayer film

Номер патента: EP2073981A1. Автор: Christopher A. Haak,Raghunath Padiyath,Douglas A. Huntley,Stephen J. Strauss. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2009-07-01.

Multilayer composites and manufacture of same

Номер патента: US20040110042A1. Автор: Quanxi Jia,Terry Holesinger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Method and apparatus for manufacturing tobacco industry rods

Номер патента: WO2024180426A1. Автор: Krzysztof Stolarski. Владелец: INTERNATIONAL TOBACCO MACHINERY POLAND SP. Z O.O.. Дата публикации: 2024-09-06.

Drill pipe screens

Номер патента: US09677361B2. Автор: James Patterson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-13.

Control system of temperature fluid

Номер патента: RU2527505C2. Автор: Хаим УАЙЛДЕР,Рами РОНЕН,Эял КРИСТАЛ,Омри БАР-ОН. Владелец: Страусс Уотер Лтд. Дата публикации: 2014-09-10.

Silicone aminopolyalkyleneoxide block copolymers

Номер патента: US5807956A. Автор: Anna Czech. Владелец: OSI Specialties Inc. Дата публикации: 1998-09-15.

Lithography patterning method and double patterning method

Номер патента: TW201128683A. Автор: Chih-An Lin,Chien-Wei Wang,Chun-Kuang Chen,Feng-Cheng Hsu,Hsiao-Wei Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-08-16.

Active Region Patterning in Double Patterning Processes

Номер патента: US20120108036A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-03.

PATTERNING MASK AND METHOD OF FORMATION OF MASK USING STEP DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20120164566A1. Автор: deVilliers Anton,Hyatt Michael. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

PATTERN-SPLIT DECOMPOSITION STRATEGY FOR DOUBLE-PATTERNED LITHOGRAPHY PROCESS

Номер патента: US20120225551A1. Автор: BLATCHFORD James Walter. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-06.

Double pattern bag with hologram pattern

Номер патента: JP3148644U. Автор: 隆生 森實,森實 隆生. Владелец: みすまる産業株式会社. Дата публикации: 2009-02-26.

RESIST FEATURE AND REMOVABLE SPACER PITCH DOUBLING PATTERNING METHOD FOR PILLAR STRUCTURES

Номер патента: US20120094478A1. Автор: Chen Yung-Tin,Radigan Steven J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

METHOD FOR FORMING A SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERN

Номер патента: US20120045721A1. Автор: Printz Wallace P.,Scheer Steven. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-02-23.

TECHNIQUE TO FORM A SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERN

Номер патента: US20120045722A1. Автор: Printz Wallace P.,Scheer Steven. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

MASK-SHIFT-AWARE RC EXTRACTION FOR DOUBLE PATTERNING DESIGN

Номер патента: US20120052422A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-03-01.

Mask-Shift-Aware RC Extraction for Double Patterning Design

Номер патента: US20120054696A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-03-01.

Composition Based Double-Patterning Mask Planning

Номер патента: US20120072875A1. Автор: LI Qiao,Ghosh Pradiptya. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Microelectronic Fabrication Methods Using Composite Layers for Double Patterning

Номер патента: US20120100706A1. Автор: SIM Jae-hwang,Kim Min-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

Method And Materials For Double Patterning

Номер патента: US20120118856A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

DOUBLE PATTERNING WITH INLINE CRITICAL DIMENSION SLIMMING

Номер патента: US20120128942A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-05-24.

METHOD FOR DOUBLE PATTERNING LITHOGRAPHY AND PHOTOMASK LAYOUT

Номер патента: US20120135341A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

METHOD FOR METAL CORRELATED VIA SPLIT FOR DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20120135600A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-31.

METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING MASK LAYOUTS FOR A SPACER-IS-DIELECTRIC SELF-ALIGNED DOUBLE-PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20120137261A1. Автор: . Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2012-05-31.

SPACER FORMATION FOR ARRAY DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20120138227A1. Автор: . Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

SELF-ALIGNED NAND FLASH SELECT-GATE WORDLINES FOR SPACER DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20120156876A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Tung-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

GENERATING CUT MASK FOR DOUBLE-PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20120180006A1. Автор: Haffner Henning,Baum Zachary,Mansfield Scott M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-12.

DECOMPOSITION AND MARKING OF SEMICONDUCTOR DEVICE DESIGN LAYOUT IN DOUBLE PATTERNING LITHOGRAPHY

Номер патента: US20120210279A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-08-16.

ROUTING ANALYSIS WITH DOUBLE PATTERN LITHOGRAPHY

Номер патента: US20120216157A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

TWO-TRACK CROSS-CONNECT IN DOUBLE-PATTERNED STRUCTURE USING RECTANGULAR VIA

Номер патента: US20120223439A1. Автор: . Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-06.

TWO-TRACK CROSS-CONNECTS IN DOUBLE-PATTERNED METAL LAYERS USING A FORBIDDEN ZONE

Номер патента: US20120225552A1. Автор: BLATCHFORD James Walter. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-06.

PHOTORESIST DOUBLE PATTERNING APPARATUS

Номер патента: US20130000846A1. Автор: Romano Andrew R.,Sadjadi S.M. Reza. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Frequency Domain Layout Decomposition in Double Patterning Lithography

Номер патента: US20130003108A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

RESOLVING DOUBLE PATTERNING CONFLICTS

Номер патента: US20130007674A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Standard Cell Placement Technique For Double Patterning Technology

Номер патента: US20130036397A1. Автор: Friedberg Paul David,Yeap Gary K.,Lee John Jung,Zaliznyak Renata. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2013-02-07.

DOUBLE PATTERNING ETCHING PROCESS

Номер патента: US20130048605A1. Автор: Tang Jing,Venkataraman Shankar,Sapre Kedar,Ingle Nitin,Bhatnagar Ajay. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-02-28.

SRAM LAYOUT FOR DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20130069168A1. Автор: BLATCHFORD James Walter. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-21.

ILLUMINATION AND DESIGN RULE METHOD FOR DOUBLE PATTERNED SLOTTED CONTACTS

Номер патента: US20130069170A1. Автор: BLATCHFORD James Walter. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-21.

Method To Ensure Double Patterning Technology Compliance In Standard Cells

Номер патента: US20130074029A1. Автор: BLATCHFORD James Walter. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-21.

OVERLAY MEASUREMENT FOR A DOUBLE PATTERNING

Номер патента: US20130084655A1. Автор: Yue Hongyu Henry,Li Shifang. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

METHODS OF MAKING JOGGED LAYOUT ROUTINGS DOUBLE PATTERNING COMPLIANT

Номер патента: US20130244427A1. Автор: Yuan Lei,Kye Jongwook. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

Double Patterning Method for Semiconductor Devices

Номер патента: US20130244430A1. Автор: LIN Chih-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-19.

Mask Treatment for Double Patterning Design

Номер патента: US20130260563A1. Автор: YANG Jiing-Feng,CHEN Dian-Hau,CHEN Chii-Ping. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-03.

RC Corner Solutions for Double Patterning Technology

Номер патента: US20130275927A1. Автор: Su Ke-Ying,Chao Hsiao-Shu,Cheng Yi-Kan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-17.

DOUBLE PATTERNING METHOD

Номер патента: US20140024215A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,ZHANG YING. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-23.

METHOD TO ENHANCE DOUBLE PATTERNING ROUTING EFFICIENCY

Номер патента: US20140068543A1. Автор: Yuan Lei,Kye Jongwook. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

BIT CELL WITH DOUBLE PATTERNED METAL LAYER STRUCTURES

Номер патента: US20140077380A1. Автор: RASHED Mahbub,KIM JuHan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

DOUBLE PATTERNING BY PTD AND NTD PROCESS

Номер патента: US20140080069A1. Автор: Yang Chin Cheng. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-20.

DOUBLE PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20140080305A1. Автор: Lee Jenn-Wei,Liu Hung-Jen. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

AUTOMATED REPAIR METHOD AND SYSTEM FOR DOUBLE PATTERNING CONFLICTS

Номер патента: US20140089868A1. Автор: Fang Weiping,GAO Tong,Friedberg Paul David,Tong Yang-Shan. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2014-03-27.

Method for increasing double patterning process windows

Номер патента: CN102446712B. Автор: 毛智彪,俞柳江. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-04.

Mask-shift-aware RC extraction for double patterning design

Номер патента: CN102841500B. Автор: 赵孝蜀,郑仪侃,王中兴,苏哿颖,管瑞丰. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-15.

Method for forming double patterning based on DARC mask structure

Номер патента: CN103441068A. Автор: 黄海,毛智彪,张瑜,黄君,崇二敏. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-11.

Based on the grid LELE double-pattern forming method of DARC mask structure

Номер патента: CN103441066B. Автор: 黄海,毛智彪,张瑜,黄君,崇二敏. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-27.

Be applied to the double-pattern forming method of grid line end cutting

Номер патента: CN103441067B. Автор: 毛智彪,李全波,黄君,李润领,甘志锋. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of 2D alignment double pattern lithography

Номер патента: TW201003728A. Автор: zhen-kun Wang. Владелец: He zhong shan. Дата публикации: 2010-01-16.

Perforation formed tube having alternating thick and thin wall portions

Номер патента: CA1147152A. Автор: Shinji Miki. Владелец: Takiron Co Ltd. Дата публикации: 1983-05-31.

Flooring waste fitting support with seepage provision and having alternative locators for differing inlet pipe sizes

Номер патента: NZ299981A. Автор: Robert James Woods. Владелец: Robert James Woods. Дата публикации: 1997-08-22.

METHOD FOR ADJUSTING FIN WIDTH IN INTEGRATED CIRCUITRY

Номер патента: US20120126325A1. Автор: Lin Yi-Tang,CHANG Chih-Sheng,Wang Chien-Hsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DIFFERENT FIN WIDTHS

Номер патента: US20120146157A1. Автор: Baumgartner Peter,Siprak Domagoj. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-06-14.

Fin width adjustable finned roll

Номер патента: JPS5364654A. Автор: Takao Tsukamura,Teruo Ijichi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1978-06-09.

SYSTEM AND DEVICE HAVING ALTERNATIVE BIT ORGANIZATION

Номер патента: US20120117296A1. Автор: LEE Dong-Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

Implantable Drug Delivery Devices Having Alternating Hydrophilic And Amphiphilic Polymer Layers

Номер патента: US20120225303A1. Автор: . Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc.. Дата публикации: 2012-09-06.

GAMING DEVICE HAVING ALTERNATE OUTCOME PRESENTATIONS

Номер патента: US20120309497A1. Автор: Nelson Dwayne,HAAG David. Владелец: IGT. Дата публикации: 2012-12-06.

VOLTAGE TESTER HAVING ALTERNATIVELY ATTACHABLE OR SEPARABLE PROBES

Номер патента: US20130093448A1. Автор: LAURINO Ferdinand,Ames,KEARSLEY Duncan Nigel,IV Wilbur R.. Владелец: FLUKE CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

VOLTAGE TESTER HAVING ALTERNATIVELY ATTACHABLE OR SEPARABLE PROBES

Номер патента: US20130093449A1. Автор: LAURINO Ferdinand,WORONES Jeff. Владелец: FLUKE CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

Cutter having alternating blades

Номер патента: CA2177128A1. Автор: Renzo Gasparin. Владелец: BREVETTI ELIO GASPARIN & C. S.N.C.. Дата публикации: 1996-12-01.

Hulahoop Composed With Parts Which Have Alternating Protrusions

Номер патента: KR200215489Y1. Автор: 왕영재. Владелец: 왕영재. Дата публикации: 2001-03-15.

Titanium anode with coating having alternate laminated structure and preparation thereof

Номер патента: CN101435084A. Автор: 王欣,唐电,张腾,颜琦,邵艳群,陈永毅,浦达昌. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-05-20.

DISPENSER

Номер патента: US20120003928A1. Автор: Giraud Jean-Pierre,Zbirka Michel,De Sevaux Guy,Geboers Josephus Johannes Antonius. Владелец: DSM IP ASSETS B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Program Mode Switching

Номер патента: US20120004040A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Intelligent Game Loading

Номер патента: US20120004042A1. Автор: Perry David,Pereira Rui Filipe Andrade. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Stent Configurations

Номер патента: US20120004719A1. Автор: . Владелец: BOSTON SCIENTIFIC SCIMED, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Dual-Mode Program Execution

Номер патента: US20120004039A1. Автор: Perry David,Pereira Rui Filipe Andrade,Gault Andrew Buchanan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOMENT ARM WEIGHT RESISTANCE MECHANISM AND WEIGHT TRAINING MACHINES UTILIZING THE SAME

Номер патента: US20120004081A1. Автор: Ellis Joseph K.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SELF-ENCODING SENSOR WITH MICROSPHERES

Номер патента: US20120004120A1. Автор: Dickinson Todd A.,Walt David R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lightweight Portable Moisture Traps For Use With Vacuum Pumps

Номер патента: US20120000283A1. Автор: Williams,Regimand Ali,Muse Peter D.,JR. Johnny Gordon,James Lawrence H.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR DATA SESSION ESTABLISHMENT

Номер патента: US20120003958A1. Автор: Hossain Asif,Lu Lan,CHAN Kwong Hang Kevin,Ma David P.. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Efficient Arrays of Amplified Polynucleotides

Номер патента: US20120004126A1. Автор: . Владелец: Complete Genomics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Detection of Nucleic Acids and Proteins

Номер патента: US20120004132A1. Автор: . Владелец: Affymetrix, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Fuel Injection Control During Start-Up

Номер патента: US20120004829A1. Автор: . Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CROSSFLOW BLOWER MOTOR APPARATUS AND SYSTEM

Номер патента: US20120002368A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Low-Cost Multimode GSM Monitoring from TD-SCDMA

Номер патента: US20120003972A1. Автор: Boixadera Francesc,Bolton Eric K.,Bennett Stuart. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LATCH MECHANISM

Номер патента: US20120001049A1. Автор: Thomas Michael J.,Selbold Kurt A.,Sponsler Karl G.. Владелец: Johnson Controls Technology Company. Дата публикации: 2012-01-05.

INTELLIGENT DECORATIVE DISPLAYS WITH AMBIENT ELECTROMAGNETIC FIELD SWITCHING

Номер патента: US20120001677A1. Автор: Neuman Robert C.,Lasky Michael B.. Владелец: SEASONAL SPECIALTIES, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Security Document Comprising At Least One Combined Image and A Revelation Means, and Associated Method

Номер патента: US20120001411A1. Автор: Rosset Henri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Flip-Up Hands-Free Display Mount

Номер патента: US20120002046A1. Автор: . Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Accounting or similar calculating machine

Номер патента: GB912475A. Автор: . Владелец: National Cash Register Co. Дата публикации: 1962-12-05.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

用于半导体工艺的图案化方法及图案化系统

Номер патента: CN118173434A. Автор: 请求不公布姓名. Владелец: Zhangjiang National Laboratory. Дата публикации: 2024-06-11.

Improvements in Electric Train Control Systems.

Номер патента: GB190515045A. Автор: August Sundh,Axel Magnuson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-07-21.

Improvements in and relating to Feed Mechanism for Corking Machines and the like.

Номер патента: GB191023753A. Автор: Hugo Heinrich Wilhelm Bergner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1911-03-16.

Marine vessel propulsion apparatus

Номер патента: CA3153605A1. Автор: Darren Bakstad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-25.

Electromagnetic Device for Cushioning Blows.

Номер патента: GB190815874A. Автор: George Herbert Rowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-01-21.

Sensing element positioning device

Номер патента: GB891539A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1962-03-14.

Improvements in Tools for Cutting Grooves, Rebates and the like in Wood and other similar Materials.

Номер патента: GB190709054A. Автор: Arthur Serra. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-09-12.

Improvements in and connected with the Escapement Mechanism of Linotype Machines.

Номер патента: GB189721299A. Автор: . Владелец: Linotype Co Ltd. Дата публикации: 1898-09-16.

Improvements in Packs or Cases of Photographic Films.

Номер патента: GB190429631A. Автор: John Edward Thornton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-12-30.