Phase Shift Mask for Double Patterning and Method for Exposing Wafer Using the Same
Номер патента: US20090269679A1
Опубликовано: 29-10-2009
Автор(ы): Goo Min Jeong
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-10-2009
Автор(ы): Goo Min Jeong
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Mask for ion, electron or X-ray lithography and method of making it
Номер патента: US4855197A. Автор: Jurgen Kempf,Werner Zapka,Joachim Keyser,Karl Asch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-08-08.