DEVELOPMENT APPARATUS AND METHOD FOR DEVELOPING PHOTORESIST LAYER ON WAFER USING THE SAME
Номер патента: US20170205712A1
Опубликовано: 20-07-2017
Автор(ы): Chou Kuo-Yao
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-07-2017
Автор(ы): Chou Kuo-Yao
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Acrylic composition for photoresist fine pattern and method for preparing the composition and method for reducing pattern dimension in photoresist layer using the same
Номер патента: KR20160142540A. Автор: 주현상,신진봉,이은교,신봉하. Владелец: 금호석유화학 주식회사. Дата публикации: 2016-12-13.