Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • DOUBLE-PATTERN GATE FORMATION PROCESSING WITH CRITICAL DIMENSION CONTROL

DOUBLE-PATTERN GATE FORMATION PROCESSING WITH CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20140220767A1
Опубликовано: 07-08-2014
Автор(ы): HU Xiang
Принадлежит: GLOBALFOUNDRIES INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Double-pattern gate formation processing with critical dimension control

Номер патента: US20140220767A1. Автор: Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

End-Cut First Approach For Critical Dimension Control

Номер патента: US20140106479A1. Автор: HUI Ouyang,Li-Te S. Lin,Ya Hui Chang,Meng Jun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Method for using disposable hard mask for gate critical dimension control

Номер патента: US5670423A. Автор: Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1997-09-23.

Semiconductor device having controlled final metal critical dimension

Номер патента: US20140273389A1. Автор: Nam Sung Kim,Baofu ZHU,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods of forming integrated circuits and multiple critical dimension self-aligned double patterning processes

Номер патента: US09431264B2. Автор: Linus Jang,Ryan Ryoung Han Kim,Young Joon MOON. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Gate cut critical dimension shrink and active gate defect healing using selective deposition

Номер патента: US20200135575A1. Автор: Marc Bergendahl,Andrew Greene,Yann Mignot,Ekmini A. De Silva,Gangadhara Raja MUTHINTI,Alex Joseph Varghese,Dallas Lea,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Gate formation process

Номер патента: US20220181215A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Gate Formation Process

Номер патента: US20210265219A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Contact Critical Dimension Control

Номер патента: US20160172303A1. Автор: Yu-Sheng Wang,Ren-Hau Yu,Tain-Shang Chang,Ching-Yao Sun,Chia-Han Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Contact critical dimension control

Номер патента: US09449922B2. Автор: Yu-Sheng Wang,Ren-Hau Yu,Tain-Shang Chang,Ching-Yao Sun,Chia-Han Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

End-Cut First Approach For Critical Dimension Control

Номер патента: US20140106479A1. Автор: Ouyang Hui,Chang Ya Hui,Lin Li-Te S.,Wang Meng Jun. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

Critical Dimension Control For Self-Aligned Contact Patterning

Номер патента: US20180240706A1. Автор: Mallick Abhijit Basu,Duan Ziqing. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Critical dimension control for self-aligned contact patterning

Номер патента: US10770349B2. Автор: Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-08.

Contact Critical Dimension Control

Номер патента: US20150228537A1. Автор: Yu-Sheng Wang,Ren-Hau Yu,Tain-Shang Chang,Ching-Yao Sun,Chia-Han Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Gate formation process

Номер патента: US20220181215A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Gate formation process

Номер патента: KR20210108853A. Автор: 치-쉥 라이,웨이-충 순,리-팅 첸,쿠에이-유 카오,치에-한 린. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-09-03.

GATE FORMATION PROCESS

Номер патента: DE102020105664B4. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Sacrificial films to provide structural integrity to critical dimension structures

Номер патента: WO2002080247A1. Автор: Michael J. Satterfield,Terri A. Couteau,Bruce Pickelsimer,Laura A. Pressley. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-10-10.

Low temperature tungsten film deposition for small critical dimension contacts and interconnects

Номер патента: US09673146B2. Автор: FENG CHEN,Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays

Номер патента: US09553082B2. Автор: David Kewley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

System and method for controlling polysilicon feature critical dimension during processing

Номер патента: US6348289B1. Автор: W. Jarrett Campbell,Anthony Toprac,Terri A. Couteau. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-02-19.

Polysilicon gate formation in cmos transistors

Номер патента: WO2019133968A1. Автор: Umamaheswari Aghoram,Pushpa Mahalingam. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-04.

Methods for transistor gate formation using gate sidewall implantation

Номер патента: US20030194851A1. Автор: Benjamin McKee,F. Johnson,Tad Grider. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Low-k Feature Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20220230871A1. Автор: Li Chun Te,Hsiang-Wei Lin,Shu Ling LIAO,Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao,Wei-Ken LIN,Guan-Yao TU,Te-En CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Dummy gate formation using spacer pull down hardmask

Номер патента: US09893166B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Drain select gate formation methods and apparatus

Номер патента: US09842847B2. Автор: Gordon Haller,Luan C. Tran,Hongbin Zhu,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Dummy gate formation using spacer pull down hardmask

Номер патента: US09728622B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods for gate formation in circuit structures

Номер патента: US09640402B1. Автор: Xintuo Dai,Jiong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays

Номер патента: US20150035124A1. Автор: David Kewley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND CRITICAL DIMENSION DEFINING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180294276A1. Автор: LIU YU-LIN,LIN Cheng-Wei,Yang Chin-Cheng,LIU Kuan-Cheng,HUANG Shou-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Control over dislocations and strains in mask-free processes with help of substrate patterning and methods for fabrication of devices

Номер патента: RU2570220C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ханс ФОН,Леонида МИЛЬО. Владелец: Пайлгроут Тек С.р.л.. Дата публикации: 2015-12-10.

Thin film formation process

Номер патента: AU731697B2. Автор: Takao Yonehara,Masaaki Iwane. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-04-05.

Method For Improving Critical Dimension Variability

Номер патента: US20160133467A1. Автор: Henry Todd,Sherman Steven Robert. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Process for forming photoresist mask over integrated circuit structures with critical dimension control

Номер патента: US5902704A. Автор: Philippe Schoenborn,John Haywood. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Method of fabricating semiconductor structure with improved critical dimension control

Номер патента: US09653345B1. Автор: En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Che-Yi Lin,Chia-Hsun Tseng,Shin-Feng Su,Shang-Nan Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method and structure to enable dual channel fin critical dimension control

Номер патента: US09768075B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Marc A. Bergendahl,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Virtual metrology systems and methods for using feedforward critical dimension data to predict other critical dimensions of a wafer

Номер патента: US20180211891A1. Автор: Ramanapathy Veerasingam. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for establishing mapping relation in STI etch and controlling critical dimension of STI

Номер патента: US09666472B2. Автор: JIN Xu,Xusheng Zhang,Yu Ren,Yukun LV,Qiyan Feng. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for shrinking critical dimension

Номер патента: US20020055252A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Protecting, oxidizing, and etching of material lines for use in increasing or decreasing critical dimensions of hard mask lines

Номер патента: US20170294308A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Protecting, oxidizing, and etching of material lines for use in increasing or decreasing critical dimensions of hard mask lines

Номер патента: US09799514B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit fabrication critical dimension control using self-limiting resist etch

Номер патента: US6121155A. Автор: Qi Xiang,Scott Bell,Chih-Yuh Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-19.

Method for improving critical dimension variability by implanting argon or silicon ions into a patterned mask

Номер патента: US09613813B2. Автор: Todd Henry,Steven Robert Sherman. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming offset spacer manufacturing for critical dimension precision

Номер патента: US6900104B1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Ryan Chia-Jen Chen,Fang-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-05-31.

Method and structure to enable dual channel fin critical dimension control

Номер патента: US20170365525A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Marc A. Bergendahl,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Sidewall image transfer process with multiple critical dimensions

Номер патента: WO2013052169A1. Автор: Sudharshanan RAGHUNATHAN,Allen H. Gabor,Sean D. Burns,Ryan O. Jung,Sivananda Kanakasabapathy,Erin Catherine MCLELLAN. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for establishing mapping relation in sti etch and controlling critical dimension of sti

Номер патента: US20170025304A1. Автор: JIN Xu,Xusheng Zhang,Yu Ren,Yukun LV,Qiyan Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-26.

Conductive feature with non-uniform critical dimension and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935816B2. Автор: Shing-Yih Shih,Jheng-Ting JHONG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Wiring structure with conductive features having different critical dimensions, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047354A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with reduced critical dimensions

Номер патента: US12009212B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Wiring structure with conductive features having different critical dimensions, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047355A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and apparatus for control of critical dimension using feedback etch control

Номер патента: EP1275144A1. Автор: Anthony J. Toprac,John R. Behnke,Matthew Purdy,Douglas Bonser,James H. Hussey, Jr.. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Critical Dimension (CD) Uniformity of Photoresist Island Patterns Using Alternating Phase Shifting Mask

Номер патента: US20200142313A1. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong,Zhongjian Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method and apparatus for calibrating sub-nanometer critical dimension using pitch offset

Номер патента: SG144790A1. Автор: Shinn-Sheng Yu,Tsai-Sheng Gau,Chih-Ming Ke,Yu-Hsi Wang,Kuo-Chen Huang,Jacky Huang Te-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Methods of forming features having differing pitch spacing and critical dimensions

Номер патента: US09449835B2. Автор: Ryan Ryoung-Han Kim,Linus Jang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and system for controlling profile of critical dimension

Номер патента: US11908754B2. Автор: Jun Shimada,Chih-Teng Liao,Chen-Fon CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Forming contact holes with controlled local critical dimension uniformity

Номер патента: US20220181152A1. Автор: Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Global landmark method for critical dimension uniformity reconstruction

Номер патента: WO2012046233A3. Автор: Vladimir Dmitriev,Ofir Sharoni. Владелец: CARL ZEISS SMS LTD.. Дата публикации: 2012-07-05.

Global landmark method for critical dimension uniformity reconstruction

Номер патента: WO2012046233A2. Автор: Vladimir Dmitriev,Ofir Sharoni. Владелец: CARL ZEISS SMS LTD.. Дата публикации: 2012-04-12.

Forming contact holes with controlled local critical dimension uniformity

Номер патента: US11978631B2. Автор: Junling Sun,Angelique RALEY,Andrew Metz,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Silylation method for reducing critical dimension loss and resist loss

Номер патента: US6107177A. Автор: Zhijian Lu,Wayne Moreau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices

Номер патента: US7807575B2. Автор: Baosuo Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-05.

Method of controlling critical dimensions of vias in a metallization system of a semiconductor device during silicon-ARC etch

Номер патента: US8492279B2. Автор: Johann Steinmetz,Mohammed Radwan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Determination of semiconductor chamber operating parameters for the optimization of critical dimension uniformity

Номер патента: US9466466B1. Автор: RYAN Martin,Qinghua Zhong,Ganesh Upadhyaya. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Critical dimension (CD) uniformity of photoresist island patterns using alternating phase shifting mask

Номер патента: US10831104B2. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong,Zhongjian Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-10.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (cd)

Номер патента: WO2024058863A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

System and method for critical dimension reduction and pitch reduction

Номер патента: MY139835A. Автор: Robert Charatan. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2009-10-30.

Methods for adjusting critical dimension uniformity in an etch process

Номер патента: SG153011A1. Автор: Changhun Lee,Guowen Ding,Teh-Tien Su. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-06-29.

Self-aligning process method and self-aligning process apparatus for reducing critical dimension variation of sic trench gate mosfet structure

Номер патента: US20230326992A1. Автор: Sang Woo Kim,Min Seok Jang,Ho Jun Lee,Jee Hun Jeong,O Gyun Seok. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-10-12.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (CD)

Номер патента: US12100599B2. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Micro-fluidic channels having various critical dimensions

Номер патента: US20200402889A1. Автор: Kamal K. Sikka,Fee Li LIE,Joshua M. Rubin,Ravi K. Bonam,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Ion implantation for improved contact hole critical dimension uniformity

Номер патента: US09735013B2. Автор: John Hautala,Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson,Boya Cui. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Critical dimension reduction and roughness control

Номер патента: WO2006130319A3. Автор: Robert Charatan,Sangheon Lee,S M Reza Sadjadi,Dae-Han Choi,Jisoo Kim,Peter Cirigliano,Zhisong Huang. Владелец: Zhisong Huang. Дата публикации: 2009-04-16.

Method for fabricating semiconductor device capable of decreasing critical dimension in peripheral region

Номер патента: US7179749B2. Автор: Kyung-Won Lee,Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Critical dimension variation correction in extreme ultraviolet lithography

Номер патента: IL239577B. Автор: Sergey Oshemkov,Vladimir Kruglyakov,Frederik Blumrich,Yuval PERETS. Владелец: Yuval PERETS. Дата публикации: 2020-10-29.

Techniques for uniformizing photoresist thickness and critical dimension of underlying features through aerosol application of photoresist

Номер патента: US5554486A. Автор: Mario Garza. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Process for variable fin pitch and critical dimension

Номер патента: US20180330994A1. Автор: Hui Zang,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Process for variable fin pitch and critical dimension

Номер патента: US10192786B2. Автор: Hui Zang,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-29.

Ion implantation for improved contact hole critical dimension uniformity

Номер патента: US20170178911A1. Автор: John Hautala,Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson,Boya Cui. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Multiple critical dimension power rail

Номер патента: US20230411292A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method For Improving Etch Rate And Critical Dimension Uniformity When Etching High Aspect Ratio Features Within A Hard Mask Layer

Номер патента: US20230343598A1. Автор: Yun Han,Kai-Hung YU,Shihsheng Chang,Andrew Metz,Eric Chih-Fang Liu,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Multiple critical dimension power rail

Номер патента: WO2023241932A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Liqiao QIN. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-12-21.

웨이퍼의 다른 cd (critical dimension) 를 예측하기 위해 피드포워드 cd 데이터를 사용하는 가상 계측 시스템들 및 방법들

Номер патента: KR20180087145A. Автор: 라마나파시 비라싱암. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2018-08-01.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (cd)

Номер патента: US20240087908A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Critical dimensions variance compensation

Номер патента: US20180197796A1. Автор: Tristan MA,Motoya Okazaki,Morgan D. Evans,Kevin Anglin,Johannes M. van Meer. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Critical dimension inspection method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240045342A1. Автор: Woo Jin Jung,Sang-Ho Yun,Su Bin KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Dimension-controlled via formation processing

Номер патента: US9666476B2. Автор: Huang Liu,DUOHUI Bei,Xiang Hu,Sipeng Gu,Yuping REN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Dimension-controlled via formation processing

Номер патента: US9305832B2. Автор: Huang Liu,DUOHUI Bei,Xiang Hu,Sipeng Gu,Yuping REN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Dimension-controlled via formation processing

Номер патента: US20160099171A1. Автор: Huang Liu,DUOHUI Bei,Xiang Hu,Sipeng Gu,Yuping REN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Method of controlling metal formation processes using ion implantation, and system for performing same

Номер патента: US20040023489A1. Автор: Dinesh Chopra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Method and device for cleaning electronic components processed with a laser beam

Номер патента: EP1900006A1. Автор: Joannes Leonardus Jurrian Zijl,Henri Joseph Van Egmond. Владелец: Fico BV. Дата публикации: 2008-03-19.

Apparatus for collecting by-product for semiconductor manufacturing process with improved collection space efficiency

Номер патента: US20240321595A1. Автор: Che Hoo CHO,Yeon Ju Lee,Ji Eun Han,Woo Yeon WON. Владелец: Milaebo Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Low mask count CMOS process with inverse-T gate LDD structure

Номер патента: US5854101A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-12-29.

Method and apparatus for multi-spray rrc process with dynamic control

Номер патента: US20200192225A1. Автор: Chia-Hung Chu,Cheng-Yi Huang,Shou-Wen Kuo,Ming-Hsuan CHUANG,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Method and apparatus for multi-spray rrc process with dynamic control

Номер патента: US20230221645A1. Автор: Chia-Hung Chu,Cheng-Yi Huang,Shou-Wen Kuo,Ming-Hsuan CHUANG,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Shallow trench isolation (sti) processing with local oxidation of silicon (locos)

Номер патента: US20240112947A1. Автор: James Todd,Scott Kelly Montgomery,Yanbiao Pan,Jeffery Nilles. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Critical dimension prediction system and operation method thereof

Номер патента: US20240332093A1. Автор: In Seok Park,Younghoon Sohn,Souk Kim,Jaehyung Ahn,Wan-Sik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Process window control for gate formation in semiconductor devices

Номер патента: US11908903B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Critical dimension error analysis method

Номер патента: US20220399237A1. Автор: Chen Li,Yan Yan,Pengfei Wang,Lingyi Guo,Tao Zhou,Liren Li,Hao Fu,Jiebin DUAN,Xueru YU,HongXia SUN,Xiucui WANG,Bowen XU. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Process window control for gate formation in semiconductor devices

Номер патента: US20240170543A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Wafer metrology pattern integrating both overlay and critical dimension features for SEM or AFM measurements

Номер патента: US5701013A. Автор: Thomas Chang,Liang-Choo Hsia. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Method of forming core and periphery gates including two critical masking steps to form a hard mask in a core region that includes a critical dimension less than achievable at a resolution limit of lithography

Номер патента: US6780708B1. Автор: Yu Sun,Hiroyuki Kinoshita,Cyrus Tabery,Basab Banerjee,Christopher M. Foster,John R. Behnke. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Critical dimension measurement system and method of measuring critical dimensions using same

Номер патента: US20190094684A1. Автор: Won Joo Park,Hyung Joo Lee,Seuk Hwan Choi,Song Seok Nam,Yoon Taek Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-28.

Control method and system for critical dimension (cd)

Номер патента: US20230063001A1. Автор: Zhimin Wu,Junjun Zhang,Fufang CHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Critical dimension measurement system and method of measuring critical dimensions using same

Номер патента: US20210055648A1. Автор: Won Joo Park,Hyung Joo Lee,Seuk Hwan Choi,Yoon Taek Han,Dong Seok Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for circuit design on a spherical semiconductor having critical dimensions

Номер патента: WO2001022301A1. Автор: Nobuo Takeda,Yasunaga Suzuki,Eiji Matsunaga. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2001-03-29.

Method and System for Improving Accuracy of Critical Dimension Metrology

Номер патента: US20080204730A1. Автор: Shinn-Sheng Yu,Tsai-Sheng Gau,Chih-Ming Ke,Jacky Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Optical critical dimension target design

Номер патента: US09824176B2. Автор: Jiangtao Hu,Zhuan Liu,Bingqing Li. Владелец: Nanometrics Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Optical critical dimension target design

Номер патента: US20170024509A1. Автор: Jiangtao Hu,Zhuan Liu,Bingqing Li. Владелец: Nanometrics Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Region of interest and pattern of interest generation for critical dimension measurement

Номер патента: WO2019173655A1. Автор: Arpit YATI,Jagdish Chandra Saraswatula,Hari Sriraman PATHANGI. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-09-12.

Methods and systems for controlling critical dimensions in track lithography tools

Номер патента: US20090275149A1. Автор: Nikolaos Bekiaris,Timothy Michaelson. Владелец: Screen Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-05.

Critical dimension for trench and vias

Номер патента: US20090108257A1. Автор: HAI Cong,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Liang Choo Hsia,Chun Hui Low,Yan San Li. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Critical dimension for trench and vias

Номер патента: SG152190A1. Автор: Cong Hai,HSIA Liang Choo,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Li Yan San,Low Chun Hui. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-29.

Techniques and systems for model-based critical dimension measurements

Номер патента: US09875534B2. Автор: Abdurrahman Sezginer,Balaji Ganapathy,Yanwei Liu,Eric Vella. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Predicting and controlling critical dimension issues and pattern defectivity in wafers using interferometry

Номер патента: US09558545B2. Автор: Jaydeep Sinha,Pradeep Vukkadala,Sathish Veeraraghavan,Soham Dey. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method and apparatus for controlling feature critical dimensions based on scatterometry derived profile

Номер патента: US20020177245A1. Автор: Michael Miller,Thomas Sonderman,Alexander Pasadyn,Christopher Bode,Anthony Toprac,Joyce Oey Hewett,Anastasia Peterson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Critical dimensions variance compensation

Номер патента: US10269663B2. Автор: Tristan MA,Motoya Okazaki,Morgan D. Evans,Kevin Anglin,Johannes M. van Meer. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-04-23.

Controlling critical dimensions in track lithography tools

Номер патента: WO2008019362A2. Автор: Nikolaos Bekiaris,Tim Michaelson. Владелец: SOKUDO CO., LTD.. Дата публикации: 2008-02-14.

Monitoring structure for critical dimension of lithography process

Номер патента: US20210166983A1. Автор: Meng-Hsien Tsai,Li-Chien Wang,Cheng-Hsiang Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Controlling critical dimensions in track lithography tools

Номер патента: WO2008019362A3. Автор: Nikolaos Bekiaris,Tim Michaelson. Владелец: Tim Michaelson. Дата публикации: 2008-10-16.

Method and system for controlling critical dimension and roughness in resist features

Номер патента: US20130135598A1. Автор: Ludovic Godet,Patrick M. Martin,Joseph C. Olson,Christopher J. Leavitt. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Replacement gate formation in memory

Номер патента: WO2022235364A1. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-10.

Replacement gate formation in memory

Номер патента: US20230282730A1. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Npn/pnp fabrication process with improved alignment

Номер патента: CA1118909A. Автор: Harlan R. Gates. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-02-23.

Dimension control for raised lines

Номер патента: US20220059614A1. Автор: Ahmed Nayaz Noemaun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Dimension control for raised lines

Номер патента: US20200295082A1. Автор: Ahmed Nayaz Noemaun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Bipolar transistor fabrication process with an ion implanted emitter

Номер патента: CA1139015A. Автор: James S. Makris,Raj K. Raheja,George R. Goth,Arunachala Nagarajan,Conrad A. Barile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-01-04.

Silicon nitride etch process with critical dimension gain

Номер патента: WO1996016437A1. Автор: Maria Chen. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1996-05-30.

A system and method for controlled structuring based on structural elements with critical dimensions

Номер патента: DE10134756A1. Автор: Carsten Hartig,Gunter Grasshoff. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-04-03.

Precise critical dimension control using bilayer ALD

Номер патента: US09443716B2. Автор: Li-Qun Xia,Mandyam Sriram,Nobuhiro Sakamoto,Kenji Takeshita,Yoshihiro Takenaga. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated critical dimension control for semiconductor device manufacturing

Номер патента: US20030015699A1. Автор: BO Su. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US9577068B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Critical dimension control for double patterning process

Номер патента: US09934985B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US09431395B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Techniques to Improve Critical Dimension Width and Depth Uniformity Between Features with Different Layout Densities

Номер патента: US20200266100A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Leigh Anne H. Clevenger,Isabel Cristina Chu,Gauri Karve,Fee Li LIE,Ekmini A. De Silva,Indira Seshadri,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

CRITICAL DIMENSION CONTROL BY USE OF A PHOTO AGENT

Номер патента: US20190043765A1. Автор: deVilliers Anton J.,Carcasi Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

METHOD OF FORMING A STRAIGHT VIA PROFILE WITH PRECISE CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20200058585A1. Автор: Wang Junli,Mignot Yann,LEE JOE,Xu Yongan. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Structure and method for improved fin critical dimension control

Номер патента: US20210066491A1. Автор: I-Chih Chen,Sheng-Lin Hsieh,Chih-Mu Huang,Ching-Pin Lin,Kuan Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

METHOD OF FORMING A STRAIGHT VIA PROFILE WITH PRECISE CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20200066632A1. Автор: Wang Junli,Mignot Yann,LEE JOE,Xu Yongan. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Precise Critical Dimension Control Using Bilayer ALD

Номер патента: US20160104613A1. Автор: Xia Li-Qun,SRIRAM Mandyam,TAKESHITA Kenji,Sakamoto Nobuhiro,Takenaga Yoshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

CRITICAL DIMENSION CONTROL FOR DOUBLE PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20170154886A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Tseng Horng-Huei. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

ATOMIC LAYER DEPOSITION AND ETCH IN A SINGLE PLASMA CHAMBER FOR CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20190157095A1. Автор: Xu Chen,Zhou Xiang,Kimura Yoshie,Zhang Duming,UPADHYAYA Ganesh,Brooks Mitchell. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Contact Critical Dimension Control

Номер патента: US20150228537A1. Автор: Wang Yu-Sheng,Lai Chia-Han,Yu Ren-Hau,Sun Ching-Yao,Chang Tain-Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-08-13.

Critical Dimension Control for Double Patterning Process

Номер патента: US20180226265A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Tseng Horng-Huei. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

CRITICAL DIMENSION CONTROL BY USE OF A PHOTO AGENT

Номер патента: US20170330806A1. Автор: deVilliers Anton J.,Carcasi Michael A.. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2017-11-16.

ATOMIC LAYER DEPOSITION AND ETCH IN A SINGLE PLASMA CHAMBER FOR CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20200328087A1. Автор: Xu Chen,Zhou Xiang,Kimura Yoshie,Zhang Duming,UPADHYAYA Ganesh,Brooks Mitchell. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

METHOD AND STRUCTURE TO ENABLE DUAL CHANNEL FIN CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20170365525A1. Автор: Cheng Kangguo,Bergendahl Marc A.,Teehan Sean,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Atomic layer deposition and etch in a single plasma chamber for critical dimension control

Номер патента: CN111615742A. Автор: 周翔,许晨,木村吉江,张杜明,加内什·乌帕德亚雅,米切尔·布鲁克斯. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Critical dimension control using photo-agent

Номер патента: JP6750155B2. Автор: カルカッシ，マイケル，エー．,デヴィリアーズ，アントン，ジェイ．. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-02.

Atomic layer deposition and etch in a single plasma chamber for critical dimension control

Номер патента: TW201936965A. Автор: 翔 周,木村啟惠,甘納許 屋帕海葉,都鳴 張,塵 許,米切爾 布魯克斯. Владелец: 美商蘭姆研究公司. Дата публикации: 2019-09-16.

Atomic layer deposition and etching for critical dimension control in a single plasma chamber

Номер патента: JP7246547B2. Автор: スー・チェン,チョウ・シアン,キムラ・ヨシエ,チャン・ダミン,ウパダヤヤ・ガネシュ,ブルックス・ミッチェル. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-03-27.

Method for forming novel BARC open for precision critical dimension control

Номер патента: US7265056B2. Автор: Ming Huan Tsai,Ru Chian Chiang,Hun Jan Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-09-04.

Trim process for critical dimension control for integrated circuits

Номер патента: US20100173498A1. Автор: Baosuo Zhou,Mirzafer K. Abatchev,Krupaker Murali Subramanian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Trim process for critical dimension control for integrated circuits

Номер патента: WO2007103343A1. Автор: Baosuo Zhou,Mirzafer K. Abatchev,Krupakar Murali Subramanian. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-09-13.

Mechanism for bow reduction and critical dimension control in etching silicon dioxide using hydrogen-containing additive gases in fluorocarbon gas chemistry

Номер патента: US6217786B1. Автор: Douglas Keil,Graham Hills,Thomas D. Nguyen,Keyvan Khajehnouri. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2001-04-17.

Critical dimension control by use of a photo agent

Номер патента: TWI662360B. Автор: 安東 Ｊ 德維利耶,麥可 Ａ 卡卡希. Владелец: 東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2019-06-11.

Carbon based depositions used for critical dimension control during high aspect ratio feature etches and for forming protective layers

Номер патента: WO2020190878A1. Автор: Eric Hudson,Jon Henri,Kapu Sirish Reddy,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Todd Schroeder,Francis Sloan Roberts,Karthik S. Colinjivadi,Jialing Yang,Huifeng Zheng. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-09-24.

Atomic layer deposition and etch in a single plasma chamber for critical dimension control

Номер патента: WO2019103876A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-31.

Structure and method for improved fin critical dimension control

Номер патента: US20210066491A1. Автор: I-Chih Chen,Sheng-Lin Hsieh,Chih-Mu Huang,Ching-Pin Lin,Kuan Jung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Etch process with controlled critical dimension shrink

Номер патента: US7838432B2. Автор: Shawming Ma,Judy Wang,Shin-Li Sung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-11-23.

Etch process with controlled critical dimension shrink

Номер патента: SG147388A1. Автор: Shawming Ma,Judy Wang,Shin-Li Sung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-11-28.

Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices and partially fabricated semiconductor devices having reduced critical dimensions

Номер патента: CN101542685B. Автор: 周葆所. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-09-28.

Sidewall image transfer process with multiple critical dimensions

Номер патента: GB201404138D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Sidewall image transfer process with multiple critical dimensions

Номер патента: GB2508758B. Автор: Sudharshanan RAGHUNATHAN,Sivananda Kanakasabapathy,Allen H Gabor,Erin Catherine MCLELLAN,Ryan O Jung,Sean D Burns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-09.

Gate Formation Process

Номер патента: US20210265219A1. Автор: LIN Chih-Han,Kao Kuei-Yu,Lai Chi-Sheng,Sun Wei-Chung,Chen Li-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

A soc design with critical technology pitch alignment

Номер патента: CN105453263A. Автор: X·陈,O·翁,E·特泽格鲁,H·汶纳林. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-30.

Inline monitoring of transistor-to-transistor critical dimension

Номер патента: US20170271220A1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

System and method for critical dimension reduction and pitch reduction

Номер патента: US20070004217A1. Автор: Robert Charatan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for two dimensional adaptive process control of critical dimensions during spin coating process

Номер патента: WO2001071425A2. Автор: Tom Zhong,Emir Gurer,John W. Lewellen,Eddie Lee. Владелец: Silicon Valley Group, Inc.. Дата публикации: 2001-09-27.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for reducing critical dimensions using multiple masking steps

Номер патента: IL184855A0. Автор: . Владелец: Sadjadi S M Reza. Дата публикации: 2007-12-03.

고 종횡비 피처 에칭 동안 CD (Critical Dimension) 제어를 위해 그리고 보호 층들을 형성하기 위해 사용된 탄소 기반 증착물들

Номер патента: KR20210129731A. Автор: 카푸 시리쉬 레디,존 헨리,에릭 허드슨,사만다 시암화 탄,토드 슈로더,카르틱 에스. 콜린지바디,프란시스 슬로안 로버트,쉬-케드 리,지아링 양,후이펑 정. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2021-10-28.

System and method for critical dimension reduction and pitch reduction

Номер патента: US20100038032A1. Автор: Robert Charatan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Method for manufacturing photoresist pattern for defining opening of small critical dimension and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: TW591345B. Автор: Sang-jun Choi,Si-hyeung Lee,Joo-tae Moon,Yool Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-11.

Controlling via critical dimension with a titanium nitride hard mask

Номер патента: US10886197B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Yongan Xu,Yann Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Azimuthal critical dimension non-uniformity for double patterning process

Номер патента: US20200002815A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Frank Loren PASQUALE. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

System and method for critical dimension reduction and pitch reduction

Номер патента: US20120279656A9. Автор: Robert Charatan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Feature Dimension Control in a Manufacturing Process

Номер патента: US20080176344A1. Автор: Chandrasekhar Sarma,Alois Gutmann,Haoren Zhuang,Jingyu Lian,Matthias Lipinski. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Controlling via critical dimension with a titanium nitride hard mask

Номер патента: US20200194343A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Yongan Xu,Yann Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Critical dimension shrink through selective metal growth on metal hardmask sidewalls

Номер патента: US09953916B2. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Yunpeng Yin,Hsueh-Chung H. Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Inline monitoring of transistor-to-transistor critical dimension

Номер патента: US09768084B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Critical dimension shrink through selective metal growth on metal hardmask sidewalls

Номер патента: US09716038B2. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Yunpeng Yin,Hsueh-Chung H. Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Critical dimension shrink through selective metal growth on metal hardmask sidewalls

Номер патента: US09595473B2. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Yunpeng Yin,Hsueh-Chung H. Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Fin field effect transistor (FinFET) device with controlled end-to-end critical dimension and method for forming the same

Номер патента: US09508719B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for Optimizing a Critical Dimension for Double Patterning for NAND Flash

Номер патента: US20210020440A1. Автор: HE Li,Huang Guanqun,Ju Xiaohua. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2021-01-21.

METHOD FOR ESTABLISHING MAPPING RELATION IN STI ETCH AND CONTROLLING CRITICAL DIMENSION OF STI

Номер патента: US20170025304A1. Автор: ZHANG Xusheng,Xu Jin,Ren Yu,Lv Yukun,Feng Qiyan. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Method for Controlling Core Critical Dimension Variation Using Flash Trim Sequence

Номер патента: US20200035572A1. Автор: LaVoie Adrien,KUMAR Purushottam,Agarwal Pulkit,Kumar Ravi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

METHOD FOR CRITICAL DIMENSION (CD) TRIM OF AN ORGANIC PATTERN USED FOR MULTI-PATTERNING PURPOSES

Номер патента: US20220076942A1. Автор: "OMeara David",Raley Angelique,Lutker-Lee Katie. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Fin Critical Dimension Loading Optimization

Номер патента: US20190067112A1. Автор: Chia Ming Liang,Jin-Aun Ng,Yi-Shien Mor,Huai-Hsien Chiu,Chi-hsin Chang,Yi-Juei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

FORMING CONTACT HOLES WITH CONTROLLED LOCAL CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY

Номер патента: US20220181152A1. Автор: Raley Angelique,Lutker-Lee Katie,Sun Junling,Metz Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

SELECTIVE DEPOSITION OF A PROTECTIVE LAYER TO REDUCE INTERCONNECT STRUCTURE CRITICAL DIMENSIONS

Номер патента: US20210193513A1. Автор: Liao Wei-Hao,Lee Chung-Ju,Yao Hsin-Chieh,TIEN Hsi-Wen,Lu Chih Wei,Dai Yu-Teng. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

SPECIAL LAYOUT DESIGN PRINTED RECTANGULAR PATTERN AND IMPROVED PATTERN CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY

Номер патента: US20150234283A1. Автор: Tsai Feng-Nien. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-08-20.

REGION OF INTEREST AND PATTERN OF INTEREST GENERATION FOR CRITICAL DIMENSION MEASUREMENT

Номер патента: US20190279914A1. Автор: SARASWATULA Jagdish Chandra,Yati Arpit,Sriraman Hari Pathangi. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

OXIDIZING AND ETCHING OF MATERIAL LINES FOR USE IN INCREASING OR DECREASING CRITICAL DIMENSIONS OF HARD MASK LINES

Номер патента: US20170294309A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

METAL VIA PROCESSING SCHEMES WITH VIA CRITICAL DIMENSION (CD) CONTROL FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS AND THE RESULTING STRUCTURES

Номер патента: US20180323100A1. Автор: Wallace Charles H.,Bigwood Robert M.,NYHUS Paul A.,HARAN Mohit K.,KAPLAN Alexander F.,RAO Deepak S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Process for variable fin pitch and critical dimension

Номер патента: US20180330994A1. Автор: Hui Zang,Jinping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

CRITICAL DIMENSION SHRINK THROUGH SELECTIVE METAL GROWTH ON METAL HARDMASK SIDEWALLS

Номер патента: US20160351447A1. Автор: Yang Chih-Chao,Yin Yunpeng,He Hong,Li Juntao,Chen Hsueh-Chung H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Critical Dimension Trimming Method Designed To Minimize Line Width Roughness and Line Edge Roughness

Номер патента: US20190341257A1. Автор: Raley Angelique,Subhadeep Kal. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

MICRO-FLUIDIC CHANNELS HAVING VARIOUS CRITICAL DIMENSIONS

Номер патента: US20200402889A1. Автор: SIKKA Kamal K.,Rubin Joshua M.,LIE Fee Li,Bonam Ravi K.,Saraf Iqbal Rashid. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Methods for modifying photoresist profiles and tuning critical dimensions

Номер патента: US11456173B2. Автор: Rui CHENG,Karthik Janakiraman,Meenakshi Gupta,Srinivas Guggilla,Diwakar N. KEDLAYA,Zubin HUANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Selective deposition of a protective layer to reduce interconnect structure critical dimensions

Номер патента: US20220352017A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Three-dimensional memory devices with enlarged joint critical dimension and methods for forming the same

Номер патента: WO2021146878A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for making integrated circuits having features with reduced critical dimensions

Номер патента: EP1096551A2. Автор: Jose Luis Hernandez,Ines Vincueria Morena,Carlos De Miguel Gil. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-05-02.

Reduction of feature critical dimensions

Номер патента: US7541291B2. Автор: Sangheon Lee,Sean S. Kang,Eric A. Hudson,S. M. Reza Sadjadi,Gan Ming Zhao,Wan-Lin Chen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Method for controlling core critical dimension variation using flash trim sequence

Номер патента: US10727143B2. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Purushottam Kumar,Pulkit Agarwal. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Method for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography

Номер патента: TWI605302B. Автор: 萊恩 派曼,羅伯特Ｃ 帕克,藤村明. Владелец: D2S公司. Дата публикации: 2017-11-11.

Unique mark and method to determine critical dimension uniformity and registration of reticles combined with wafer overlay capability

Номер патента: WO2011026055A3. Автор: John Robinson,Zain Saidin,Amir Widmann,Frank Laske,Dongsub Choi. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2011-07-28.

Reduction of etch mask feature critical dimensions

Номер патента: CN101116177A. Автор: Z·黄,J·马克斯,S·M·R·萨亚迪. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2008-01-30.

Improved control of critical dimensions

Номер патента: KR19990078381A. Автор: 안드레아스 그라스만. Владелец: 피터 토마스. Дата публикации: 1999-10-25.

Method for using a hard mask for critical dimension growth containment

Номер патента: KR100538839B1. Автор: 디오넬라스스테판피.,제르드레슬리지.,코퍼알프레드. Владелец: 테갈 코퍼레이션. Дата публикации: 2005-12-26.

It is a kind of to improve the method for etch critical dimension stability

Номер патента: CN107316810A. Автор: 唐在峰,任昱,聂钰节,昂开渠,江旻. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-03.

Method for controlling critical dimension by utilizing resist sidewall protection

Номер патента: US20050118531A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Method To Improve Mask Critical Dimension Uniformity (CDU)

Номер патента: US20090206057A1. Автор: Sheng-Chi Chin,Heng-Jen Lee,Yao-Ching Ku,I-Hsiung Huang,Chi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device with improved gate collector critical dimension uniformity

Номер патента: KR100502098B1. Автор: 신충식. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-20.

Reduction of feature critical dimensions using multiple masks

Номер патента: CN101164143A. Автор: J·马克斯,R·S·M·萨亚迪. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Planarizing gate material to improve gate critical dimension in semiconductor devices

Номер патента: AU2003282842A1. Автор: Bin Yu,HaiHong Wang,Shibly S. Ahmed,Cyrus E. Tabery. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Interconnects having spacers for improved top via critical dimension and overlay tolerance

Номер патента: US20220157652A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Christopher J. Penny,Kisik Choi,Nicholas Anthony Lanzillo,Robert Robison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for improved critical dimension uniformity in a semiconductor device fabrication process

Номер патента: US11901188B2. Автор: De-Fang Chen,Wei-Liang Lin,Chun-Kuang Chen,Chi-Cheng Hung,Yu-Tien Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Special layout design printed rectangular pattern and improved pattern critical dimension uniformity

Номер патента: US9395629B2. Автор: Feng-Nien Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Mosfet gate formation

Номер патента: US20240178289A1. Автор: David Kent,Hungjin Kim,Ian Cousins,Epameinondas Efthymiou,Milan Madaras. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-30.

Novel multi-gate formation procedure for gate oxide quality improvement

Номер патента: TW200522172A. Автор: Wen-Ting Tsai,Jao-Sheng Huang,Chung-Long Cheng,Yi-Song Chiu,Jen-Shiang Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-07-01.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Epitaxial lift-off process with guided etching

Номер патента: US09865469B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Leathen Shi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Fin cut during replacement gate formation

Номер патента: US09741823B1. Автор: Andrew M. Greene,John R. Sporre,Sivananda K. Kanakasabapathy,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Epitaxial lift-off process with guided etching

Номер патента: US09653308B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Leathen Shi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of Controlling Critical Dimensions of Trenches in a Metallization System of a Semiconductor Device During Etch of an Etch Stop Layer

Номер патента: US20120028376A1. Автор: Johann Steinmetz,Mohammed Radwan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Shrinkage of Critical Dimensions in a Semiconductor Device by Selective Growth of a Mask Material

Номер патента: US20120244710A1. Автор: Dmytro Chumakov,Volker Grimm. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-09-27.

Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography

Номер патента: US20130283216A1. Автор: Akira Fujimura,Robert C. Pack,Ryan Pearman. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2013-10-24.

TECHNIQUES FOR REDUCING TIP TO TIP SHORTING AND CRITICAL DIMENSION VARIATION DURING NANOSCALE PATTERNING

Номер патента: US20210005445A1. Автор: Zhang Qintao,Prasad Rajesh,Shim Kyu-Ha. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

ETCH RATE AND CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY BY SELECTION OF FOCUS RING MATERIAL

Номер патента: US20170011891A1. Автор: NGUYEN ANDREW,Hammond,GANI NICOLAS,SHEN MEIHUA,Willwerth Michael D.,Palagashvili David,IV Edward P.,ZOU Jing,BELEN Rodolfo P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED CRITICAL DIMENSIONS

Номер патента: US20220044933A1. Автор: Su Kuo-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

RECURSIVE PUMPING FOR SYMMETRICAL GAS EXHAUST TO CONTROL CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN PLASMA REACTORS

Номер патента: US20150041061A1. Автор: BALAKRISHNA AJIT,Kim Jong Mun,NOORBAKHSH HAMID,Shoji Sergio Fukuda,ROSA Jason Della. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

METHOD FOR CRITICAL DIMENSION REDUCTION USING CONFORMAL CARBON FILMS

Номер патента: US20160049305A1. Автор: Kim Bok Hoen,Ngai Christopher S.,Padhi Deenesh,Manna Pramit,NAIK Mehul B.,MEBARKI BENCHERKI,BENCHER Christopher Dennis,DIEHL Daniel Lee,DAI Huixiong,MIAO Li Yan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

CRITICAL DIMENSION AND PATTERN RECOGNITION STRUCTURES FOR DEVICES MANUFACTURED USING DOUBLE PATTERNING TECHNIQUES

Номер патента: US20150050811A1. Автор: Chauhan Vikrant,Mehta Sohan,Chen Tong Qing,Srivastava Ravi,Labelle Catherine,Kelling Mark. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

Critical dimension uniformity

Номер патента: US20200050103A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Li-Te Hsu,Chih-Hsuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

METHODS OF FORMING INTEGRATED CIRCUITS AND MULTIPLE CRITICAL DIMENSION SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING PROCESSES

Номер патента: US20150064912A1. Автор: Jang Linus,Moon Young Joon,Kim Ryan Ryoung Han. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-03-05.

MULTI-FUNCTION OVERLAY MARKS FOR REDUCING NOISE AND EXTRACTING FOCUS AND CRITICAL DIMENSION INFORMATION

Номер патента: US20190064654A1. Автор: Huang Te-Chih,Lee Yu-Ching,FANG Yu-Piao. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

METHODS FOR DEPOSITING ULTRA THIN LOW RESISTIVITY TUNGSTEN FILM FOR SMALL CRITICAL DIMENSION CONTACTS AND INTERCONNECTS

Номер патента: US20140162451A1. Автор: Chen Feng,Humayun Raashina,Chandrashekar Anand,Danek Michal. Владелец: NOVELLUS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

DIMENSION-CONTROLLED VIA FORMATION PROCESSING

Номер патента: US20160099171A1. Автор: Liu Huang,HU Xiang,Ren Yuping,Gu Sipeng,BEI Duohui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-04-07.

METHOD FOR GLOBALLY ADJUSTING SPACER CRITICAL DIMENSION USING PHOTO-ACTIVE SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20200103755A1. Автор: "OMeara David L.",Farrell Richard,Kang Hoyoung. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-04-02.

LOW TEMPATURE TUNGSTEN FILM DEPOSITION FOR SMALL CRITICAL DIMENSION CONTACTS AND INTERCONNECTS

Номер патента: US20160118345A1. Автор: Chen Feng,Humayun Raashina,Chandrashekar Anand,Danek Michal. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,CHENG Tung-Wen,Lin Jr-Jung,NI CHUN-LUNG. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING PROFILE OF CRITICAL DIMENSION

Номер патента: US20220285229A1. Автор: Liao Chih-Teng,SHIMADA Jun,CHANG Chen-Fon. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-09-08.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE WITH CONTROLLED END-TO-END CRITICAL DIMENSION AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20160148935A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,CHENG Tung-Wen,Lin Jr-Jung,NI CHUN-LUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-05-26.

GATE CUT CRITICAL DIMENSION SHRINK AND ACTIVE GATE DEFECT HEALING USING SELECTIVE DEPOSITION

Номер патента: US20200135575A1. Автор: Mignot Yann,De Silva Ekmini A.,Shoudy Matthew T.,Bergendahl Marc,Greene Andrew,Joseph Varghese Alex,Lea Dallas,Muthinti Gangadhara Raja. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

CRITICAL DIMENSION SHRINK THROUGH SELECTIVE METAL GROWTH ON METAL HARDMASK SIDEWALLS

Номер патента: US20170148730A1. Автор: Yang Chih-Chao,Yin Yunpeng,He Hong,Li Juntao,Chen Hsueh-Chung H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY

Номер патента: US20190146336A1. Автор: Chiu Yi-Wei,Chao Cha-Hsin,Hsu Li-Te,Chen Xi-Zong,LIN Chih-Hsuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-16.

METHODS OF FORMING FEATURES HAVING DIFFERING PITCH SPACING AND CRITICAL DIMENSIONS

Номер патента: US20160163555A1. Автор: Jang Linus,Kim Ryan Ryoung-Han. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

CONDUCTIVE FEATURE WITH NON-UNIFORM CRITICAL DIMENSION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220310487A1. Автор: Shih Shing-Yih,JHONG JHENG-TING. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Decreasing the Critical Dimensions in Integrated Circuits

Номер патента: US20160181090A1. Автор: Sanchez Efrain Altamirano,Yasin Farrukh Qayyum,Demeyer Raven. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Ion implantation for improved contact hole critical dimension uniformity

Номер патента: US20170178911A1. Автор: John Hautala,Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson,Boya Cui. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

LOCAL AND GLOBAL REDUCTION OF CRITICAL DIMENSION (CD) ASYMMETRY IN ETCH PROCESSING

Номер патента: US20140273466A1. Автор: LUERE Olivier,Choi Jinhan,CHIANG Kang-Lie. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Three-dimensional memory devices with enlarged joint critical dimension and methods for forming the same

Номер патента: US20210225861A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

CRITICAL DIMENSIONS VARIANCE COMPENSATION

Номер патента: US20180197796A1. Автор: Evans Morgan D.,Ma Tristan,van Meer Johannes M.,Anglin Kevin,Okazaki Motoya. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

CONTROLLING VIA CRITICAL DIMENSION WITH A TITANIUM NITRIDE HARD MASK

Номер патента: US20200194343A1. Автор: Sankarapandian Muthumanickam,Mignot Yann,Xu Yongan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

ELECTROSTATIC CHUCK WITH MAGNETIC CATHODE LINER FOR CRITICAL DIMENSION (CD) TUNING

Номер патента: US20150221481A1. Автор: Willwerth Michael D.,TODOROW Valentin N.,HSU CHIH-HSUN. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Post Development Treatment Method and Material For Shrinking Critical Dimension of Photoresist Layer

Номер патента: US20170219925A1. Автор: Chang Ching-Yu,Wang Siao-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

METAL VIA PROCESSING SCHEMES WITH VIA CRITICAL DIMENSION (CD) CONTROL FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECTS AND THE RESULTING STRUCTURES

Номер патента: US20190259656A1. Автор: Wallace Charles H.,Bigwood Robert M.,NYHUS Paul A.,HARAN Mohit K.,KAPLAN Alexander F.,RAO Deepak S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

INLINE MONITORING OF TRANSISTOR-TO-TRANSISTOR CRITICAL DIMENSION

Номер патента: US20170271220A1. Автор: Smith Elliot John,Chan Nigel. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Techniques to Improve Critical Dimension Width and Depth Uniformity Between Features with Different Layout Densities

Номер патента: US20200266100A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,LIE Fee Li,Shobha Hosadurga,De Silva Ekmini A.,Karve Gauri,Chu Isabel Cristina,Seshadri Indira,Clevenger Leigh Anne H.,Saulnier Nicole. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Fin Critical Dimension Loading Optimization

Номер патента: US20200273754A1. Автор: Mor Yi-Shien,Liang Chia Ming,Ng Jin-Aun,Chiu Huai-Hsien,Chang Chi-Hsin,Lee Yi-Juei. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

PROTECTING, OXIDIZING, AND ETCHING OF MATERIAL LINES FOR USE IN INCREASING OR DECREASING CRITICAL DIMENSIONS OF HARD MASK LINES

Номер патента: US20170294308A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-10-12.

Critical Dimension Correction Via Calibrated Trim Dosing

Номер патента: US20190287795A1. Автор: Smith Jeffrey,deVilliers Anton,Nasman Ronald. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Methods for Improved Critical Dimension Uniformity in a Semiconductor Device Fabrication Process

Номер патента: US20180330960A1. Автор: CHEN Chun-Kuang,Hung Chi-Cheng,LIN Wei-Liang,Shen Yu-Tien,CHEN DE-FANG. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Critical dimension shrink through selective metal growth on metal hardmask sidewalls

Номер патента: US20160351448A1. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Yunpeng Yin,Hsueh-Chung H. Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

METHODS FOR IMPROVED CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION PROCESS

Номер патента: US20170345670A1. Автор: CHEN Chun-Kuang,Hung Chi-Cheng,LIN Wei-Liang,Shen Yu-Tien,CHEN DE-FANG. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for Improved Critical Dimension Uniformity in a Semiconductor Device Fabrication Process

Номер патента: US20200343097A1. Автор: CHEN Chun-Kuang,Hung Chi-Cheng,LIN Wei-Liang,Shen Yu-Tien,CHEN DE-FANG. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Controller for Controlling Core Critical Dimension Variation Using Flash Trim Sequence

Номер патента: US20200350219A1. Автор: LaVoie Adrien,KUMAR Purushottam,Agarwal Pulkit,Kumar Ravi. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

DIMENSION-CONTROLLED VIA FORMATION PROCESSING

Номер патента: US20150380246A1. Автор: Liu Huang,HU Xiang,Ren Yuping,Gu Sipeng,BEI Duohui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-12-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED CRITICAL DIMENSIONS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200395214A1. Автор: Su Kuo-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Method for measuring critical dimension and image-processing apparatus for measuring critical dimension

Номер патента: US20190347781A1. Автор: Ching-Ya Huang,Tso-Hua HUNG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Pattern critical dimension measurement equipment and method for measuring pattern critical dimension

Номер патента: US09520266B2. Автор: Makoto Sakakibara,Hajime Kawano,Hideyuki Kazumi,Yasunari Sohda,Daisuke Bizen,Kaori Shirahata. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods and apparatus for measurement of relative critical dimensions

Номер патента: WO2014085343A1. Автор: HONG Xiao. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

Field device of production process with energy limited battery assembly

Номер патента: RU2420832C2. Автор: Джеймс ДЖОНСОН,Чэд М. МАКГУАЙР. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2011-06-10.

Systems and methods for underground seam processing with help of electric conductors

Номер патента: RU2524584C2. Автор: Друв АРОРА,Харолд Дж. ВИНИГАР,Джон Майкл КАРАНИКАС,Кристофер Келвин ХАРРИС,Олуропо Руфус ЭЙОДЕЛЕ,Честер Ледли Сэндберг,Ксуинг Ксиэ. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2014-07-27.

Quality control system for analyzing the quality of a battery cell through a volumetric measurement of gas formed during a cell formation process and a method of analyzing the same

Номер патента: US12111197B2. Автор: Raffaello Ardanese,James R. Salvador,Thomas A. Yersak,Sean Robert Wagner,Ryan C. Sekol,Dmitriy Bruder,Ronald M Lesperance. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Field device of industrial process with improved battery assembly

Номер патента: RU2453019C2. Автор: Джеймс А. Джонсон,Ричард Л. НЕЛЬСОН. Владелец: Роузмаунт, Инк.. Дата публикации: 2012-06-10.

Creating antennas connected to printed chips by post processing with a laser or other cutting device

Номер патента: US09773203B2. Автор: Ian James Forster. Владелец: AVERY DENNISON RETAIL INFORMATION SERVICES LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Lithium-ion battery formation process

Номер патента: WO2017162308A1. Автор: Takahiro Sakurai,Tomohide SUMI,Yoshio Matsuyama. Владелец: TOYOTA MOTOR EUROPE. Дата публикации: 2017-09-28.

Battery systems based on two-additive electrolyte systems including 2-furanone, and method of formation process of same

Номер патента: US11824160B2. Автор: Jeffery Raymond Dahn,Xiaowei Ma. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Lithium-ion battery formation process

Номер патента: WO2017144119A1. Автор: Takahiro Sakurai. Владелец: TOYOTA MOTOR EUROPE. Дата публикации: 2017-08-31.

Novel battery systems based on two-additive electrolyte systems including 2-furanone, and method of formation process of same

Номер патента: US20240072305A1. Автор: Jeffery Raymond Dahn,Xiaowei Ma. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Novel battery systems based on two-additive electrolyte systems including 2-furanone, and method of formation process of same

Номер патента: EP3766123A1. Автор: Jeffery Raymond Dahn,Xiaowei Ma. Владелец: Tesla Motors Canada ULC. Дата публикации: 2021-01-20.

Lithium-ion battery formation process

Номер патента: US20190245250A1. Автор: Takahiro Sakurai,Tomohide SUMI,Yoshio Matsuyama. Владелец: Toyota Motor Europe NV SA. Дата публикации: 2019-08-08.

Edge formation process for aluminum solid electrolytic capacitor

Номер патента: US20020191371A1. Автор: Brian Melody,John Kinard,Philip Lessner,Albert Harrington. Владелец: Kemet Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Anode production method, agglomerated anode, and agglomerated product formation process

Номер патента: RU2249272C2. Автор: Джонатан Л. КИММЕЛ,Рэндалл В. РЕДД. Владелец: Кабот Корпорейшн. Дата публикации: 2005-03-27.

Creating antennas connected to printed chips by post processing with a laser or other cutting device

Номер патента: EP3238302A1. Автор: Ian J. Forster. Владелец: AVERY DENNISON RETAIL INFORMATION SERVICES LLC. Дата публикации: 2017-11-01.

Creating antennas connected to printed chips by post processing with a laser or other cutting device

Номер патента: US20160189023A1. Автор: Ian James Forster. Владелец: AVERY DENNISON RETAIL INFORMATION SERVICES LLC. Дата публикации: 2016-06-30.

Creating antennas connected to printed chips by post processing with a laser or other cutting device

Номер патента: EP4187712A1. Автор: Ian J. Forster. Владелец: AVERY DENNISON RETAIL INFORMATION SERVICES LLC. Дата публикации: 2023-05-31.

Thick conductive stack plating process with fine critical dimension feature size for compact passive on glass technology

Номер патента: WO2015005977A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Robert Paul Mikulka. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-15.

Integrated optical metrology and lithographic process track for dynamic critical dimension control

Номер патента: TW200636818A. Автор: Tsai-Sheng Gau,Chih-Ming Ke,Yu-Hsi Wang,Jacky Huang,Shing-Shen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-16.

Determining a critical dimension variation of a pattern

Номер патента: US20200327652A1. Автор: Ishai Schwarzband,Boaz Cohen,Roman Kris,Vadim VERESCHAGIN,Ariel SHKALIM,Evgeny BAL. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Determining a critical dimension variation of a pattern

Номер патента: US11756188B2. Автор: Ishai Schwarzband,Boaz Cohen,Roman Kris,Vadim VERESCHAGIN,Ariel SHKALIM,Evgeny BAL. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Non-Conformal High Selectivity Film For Etch Critical Dimension Control

Номер патента: US20210047733A1. Автор: Mallick Abhijit Basu,Qi Bo,Wang Huiyuan,Rao Yingli. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-18.

Contact Critical Dimension Control

Номер патента: US20160172303A1. Автор: Wang Yu-Sheng,Lai Chia-Han,Yu Ren-Hau,Sun Ching-Yao,Chang Tain-Shang. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Gate linewidth tailoring and critical dimension control for sub-100 nm devices using plasma etching

Номер патента: US20020164546A1. Автор: Ying Zhang,Chienfan Yu,Jeffrey Brown,David Horak,Maheswaran Surendra,Qingyun Yang,Sadanand Deshpande,Len Tsou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-07.

THICK CONDUCTIVE STACK PLATING PROCESS WITH FINE CRITICAL DIMENSION FEATURE SIZE FOR COMPACT PASSIVE ON GLASS TECHNOLOGY

Номер патента: US20150014812A1. Автор: Zuo Chengjie,Velez Mario Francisco,Kim Jonghae,Yun Changhan Hobie,Mikulka Robert Paul,Mudakatte Niranjan Sunil,KIM Daeik Daniel,Lan Je-Hsiung. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-15.

VIRTUAL METROLOGY SYSTEMS AND METHODS FOR USING FEEDFORWARD CRITICAL DIMENSION DATA TO PREDICT OTHER CRITICAL DIMENSIONS OF A WAFER

Номер патента: US20180211891A1. Автор: Veerasingam Ramanapathy. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Optical measurement equipment for critical dimension of patterns comprising a tunable laser system and measuring method for critical dimension of patterns using the optical measurement equipment

Номер патента: KR100574963B1. Автор: 김병국,이동근,최성운,문성용,김민아. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-28.

Method for constructing module for optical critical dimension (OCD) and measuring method of module for optical critical dimension using the module

Номер патента: US7678588B2. Автор: Chun-Chi Huang,Wen-Yi Teng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

SOC DESIGN WITH CRITICAL TECHNOLOGY PITCH ALIGNMENT

Номер патента: US20150028495A1. Автор: Terzioglu Esin,Chen Xiangdong,KWON Ohsang,BUNNALIM Hadi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

Method and system for controlling critical dimension and roughness in resist features

Номер патента: TW201250410A. Автор: Ludovic Godet,Joseph C Olson,Christopher J Leavitt,Patrick M Martin. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2012-12-16.

Method of using optical proximity effects to create electrically blown fuses with sub-critical dimension neck downs

Номер патента: TW495838B. Автор: Henning Haffner,Chandrasekhar Narayan,Alan C Thomas,Axel Brintzinger,Fred L Einspruch. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-07-21.

Method for forming MTJS with lithography-variation independent critical dimension

Номер патента: US12058940B2. Автор: William J. Gallagher. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Multi-function overlay marks for reducing noise and extracting focus and critical dimension information

Номер патента: US12055860B2. Автор: Te-Chih Huang,Yu-Ching Lee,Yu-Piao Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Inspection-guided critical site selection for critical dimension measurement

Номер патента: IL272161B2. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

The method for forecasting wafer overlay error and critical dimension

Номер патента: TW201009891A. Автор: Yu-Chang Huang,Wen-Hsiang Liao. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2010-03-01.

In-situ critical dimension measurnment

Номер патента: TW200608505A. Автор: Hun-Jan Tao,Yuan-Hung Chiu,Shiang-Bau Wang,Chao-Tzung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-01.

Method of using optical proximity effects to create electrically blown fuses with sub-critical dimension neck downs

Номер патента: WO2001063648A9. Автор: Henning Haffner,Chandrasekhar Narayan,Alan C Thomas,Axel Brintzinger,Fred L Einspruch. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of using optical proximity effects to create electrically blown fuses with sub-critical dimension neck downs

Номер патента: EP1257877A2. Автор: Henning Haffner,Chandrasekhar Narayan,Alan C. Thomas,Axel Brintzinger,Fred L. Einspruch. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-11-20.

Mtjs with lithography-variation independent critical dimension

Номер патента: US20240357941A1. Автор: William J. Gallagher. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Scatterometry-based imaging and critical dimension metrology

Номер патента: US09494535B2. Автор: Abdurrahman Sezginer,John Hench,Michael S. Bakeman. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

METHOD FOR REDUCING CHARGE IN CRITICAL DIMENSION-SCANNING ELECTRON MICROSCOPE METROLOGY

Номер патента: US20140206112A1. Автор: Bunday Benjamin D.,MONTGOMERY MELVIN WARREN,Montgomery Cecilia Annette. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-24.

Assistant Pattern for Measuring Critical Dimension of Main Pattern In Semiconductor Manufacturing

Номер патента: US20180144936A1. Автор: LU Wen-Chen,Shiu Feng-Jia,CHO Hung-Wen,Tsai Chaos. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

METHODS FOR REDUCING LINE WIDTH ROUGHNESS AND/OR CRITICAL DIMENSION NONUNIFORMITY IN A PATTERNED PHOTORESIST LAYER

Номер патента: US20140370709A1. Автор: Kumar Ajay,Wu Banqiu,NALAMASU Omkaram,YALAMANCHILI RAO. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

METHOD FOR FORMING MTJS WITH LITHOGRAPHY-VARIATION INDEPENDENT CRITICAL DIMENSION

Номер патента: US20220359820A1. Автор: Gallagher William J.. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Method for improving uniformity in a photoresist pattern critical dimension

Номер патента: KR100641505B1. Автор: 김욱현. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-01.

Measurement of critical dimension and scanner aberration utilizing metrology targets

Номер патента: US9255787B1. Автор: Barry Loevsky,Amnon Manassen. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-02-09.

Planarizing sacrificial oxide to improve gate critical dimension in semiconductor devices

Номер патента: US7091068B1. Автор: Bin Yu,Shibly S. Ahmed,Cyrus E. Tabery. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Semiconductor structure and method for determining critical dimensions and overlay error

Номер патента: US6765282B2. Автор: Bernd Schulz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method and apparatus for controlling feature critical dimensions based on scatterometry derived profile

Номер патента: AU2002228894A1. Автор: Anthony J. Toprac,Michael L. Miller,Thomas J. Sonderman,Alexander J. Pasadyn,Christopher A. Bode,Anastasia Oshelski Peterson,Joyce Oey S. Hewett. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-15.

Gate Formation Memory by Planarization

Номер патента: US20150179817A1. Автор: Mark T. Ramsbey,Chun Chen,Shenqing Fang,David Matsumoto. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-06-25.

Split gate formation with high density plasma (hdp

Номер патента: TWI359504B. Автор: Hebert Francois,Wang Yu,Chang Hong,TAI SUNG-SHAN,PAN Mengyu,Hu Yong-Zhong,Lou Yingying. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2012-03-01.

Split gate formation with high density plasma (HDP) oxide layer inter-polysilicon insulation layer

Номер патента: TW200832707A. Автор: Wang Yu,Francois Hebert,Hong Chang,Sung-Shan Tai,Yong-Zhong Hu,Meng-Yu Pan,Lou Yingying. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-08-01.

Two-step dummy gate formation

Номер патента: US09741821B1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

PROCESS FOR IMPROVING CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY OF INTEGRATED CIRCUIT ARRAYS

Номер патента: US20130105948A1. Автор: Kewley David. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-05-02.

METHOD FOR REDUCING CHARGE IN CRITICAL DIMENSION-SCANNING ELECTRON MICROSCOPE METROLOGY

Номер патента: US20170040228A1. Автор: Montgomery Melvin W.,Montgomery Cecilia A.,Bunday Benjamin D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Critical Dimension (CD) Uniformity of Photoresist Island Patterns Using Alternating Phase Shifting Mask

Номер патента: US20210055659A1. Автор: Zhong Tom,Haq Jesmin,Teng Zhongjian. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Uniform critical dimension size pore for pcram application

Номер патента: US20140154862A1. Автор: Eric A. Joseph,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Hsiang-Lan Lung,Matthew J. Breitwisch,Roger W. Cheek. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

STRUCTURE FOR MEASURING DOPING REGION RESISTANCE AND METHOD OF MEASURING CRITICAL DIMENSION OF SPACER

Номер патента: US20150112623A1. Автор: Hou Chun-Liang,Liao Wen-Jung,Wang Chien-Kuo. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-04-23.

Deep Learning Based Adaptive Regions of Interest for Critical Dimension Measurements of Semiconductor Substrates

Номер патента: US20200111206A1. Автор: Arpit YATI. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

MONITORING STRUCTURE FOR CRITICAL DIMENSION OF LITHOGRAPHY PROCESS

Номер патента: US20210166983A1. Автор: Liu Cheng-Hsiang,Wang Li-Chien,Tsai Meng-Hsien. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2021-06-03.

SYSTEMS AND METHODS FOR EVALUATING CRITICAL DIMENSIONS BASED ON DIFFRACTION-BASED OVERLAY METROLOGY

Номер патента: US20210172881A1. Автор: Feng Yaobin. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

Critical Dimension (CD) Uniformity of Photoresist Island Patterns Using Alternating Phase Shifting Mask

Номер патента: US20200142313A1. Автор: Zhong Tom,Haq Jesmin,Teng Zhongjian. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING A CRITICAL DIMENSION VARIATION OF A PHOTOLITHOGRAPHIC MASK

Номер патента: US20140236516A1. Автор: Pforr Rainer. Владелец: CARL ZEISS SMS LTD.. Дата публикации: 2014-08-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONTROLLED FINAL METAL CRITICAL DIMENSION

Номер патента: US20140273389A1. Автор: Kim Nam Sung,ZHU Baofu,Liu Bingwu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR PATTERN FOR MONITORING OVERLAY AND CRITICAL DIMENSION AT POST-ETCHING STAGE AND METROLOGY METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20180374765A1. Автор: HUANG CHIEN-WEI,Lee Sho-Shen,Wang Chia-Hung,Chen Chien-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Method of controlling critical dimension of features in integrated circuits (ICS), ICS formed by the method, and systems utilizing same

Номер патента: US6181011B1. Автор: Michael D. Rostoker,Kumaraguru Muthukumaraswamy. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method for measuring critical dimension of pattern on sample

Номер патента: US5750990A. Автор: Fumio Mizuno,Osamu Satoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-05-12.

Pattern critical dimension measurement equipment and method for measuring pattern critical dimension

Номер патента: US20150041648A1. Автор: Makoto Sakakibara,Hajime Kawano,Hideyuki Kazumi,Yasunari Sohda,Daisuke Bizen,Kaori Shirahata. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

METHOD FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION AND IMAGE-PROCESSING APPARATUS FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION

Номер патента: US20190347781A1. Автор: HUNG Tso-Hua,Huang Ching-Ya. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

System and method for electromagnetic interference shielding for critical dimension-scanning electron microscope

Номер патента: US8952330B2. Автор: Yi-Cheng Shih,Chwen Yu,Chia-Chi TSAO,Syun-Jie Jhan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-10.

Methods and apparatus for measurement of relative critical dimensions

Номер патента: SG11201504253PA. Автор: HONG Xiao. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2015-06-29.

System and method for electromagnetic interferece shielding for critical dimension-scanning electron microscope

Номер патента: US20130001419A1. Автор: Yi-Cheng Shih,Chwen Yu,Chia-Chi TSAO,Syun-Jie Jhan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

System And Method For Electromagnetic Interference Shielding For Critical Dimension-Scanning Electron Microscope

Номер патента: US20140124667A1. Автор: Yi-Cheng Shih,Chwen Yu,Chia-Chi TSAO,Syun-Jie Jhan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Correction for systematic, low spatial frequency critical dimension variations in lithography

Номер патента: AU6506100A. Автор: Matthew F. Vernon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-03-05.

Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors

Номер патента: US9909213B2. Автор: Ajit Balakrishna,Sergio Fukuda Shoji,Hamid Noorbakhsh,Jong Mun Kim,Jason Della ROSA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

METHOD FOR DETERMINING AN APPLICABLE THRESHOLD FOR DETERMINING THE CRITICAL DIMENSION OF AT LEAST ONE CATEGORY OF IMAGING PATTERNS BY SCANNING ATOMIC FORCE ELECTRON MICROSCOPY

Номер патента: FR2990285B1. Автор: Johann Foucher,Mazen Saied. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-05-23.

New aperture design for improving critical dimension accuracy and electron beam lithography throughput

Номер патента: US20070172744A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Chia-Jen Chen,Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Method and apparatus for measuring critical dimensions with particle beams

Номер патента: KR101057554B1. Автор: 로만 크리스,아비람 탐,벤지온 센더,오피어 드로르,오바드야 메나데바. Владелец: 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드. Дата публикации: 2011-08-17.

Method and apparatus for measuring critical dimensions with a particle beam

Номер патента: AU2003263776A1. Автор: Benzion Sender,Ovadya Menadeva,Roman Kris,Ophir Dror,Aviram Tam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-02.

Method for eliminating low frequency error sources to critical dimension uniformity in shaped beam writing systems

Номер патента: TW200625020A. Автор: Benyamin Buller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-07-16.

Method for eliminating low frequency error sources to critical dimension uniformity in shaped beam writing systems

Номер патента: EP1831912A4. Автор: Benyamin Buller. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-12-30.

METHOD OF DETERMINING AN APPLICABLE THRESHOLD FOR DETERMINING THE CRITICAL DIMENSION OF AT LEAST ONE CATEGORY OF PATTERNS IMAGED BY ATOMIC FORCE SCANNING ELECTRON MICROSCOPY

Номер патента: US20130292567A1. Автор: Foucher Johann,Saied Mazen. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

PROCESS KIT FOR EDGE CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY CONTROL

Номер патента: US20150001180A1. Автор: Doan Kenny Linh,Kim Jong Mun,NOORBAKHSH HAMID,ROSA Jason Della. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-01-01.

REDUCING THE IMPACT OF CHARGED PARTICLE BEAMS IN CRITICAL DIMENSION ANALYSIS

Номер патента: US20160040986A1. Автор: Peterson Kirk D.,Shao Dongbing. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

COMPENSATING CHAMBER AND PROCESS EFFECTS TO IMPROVE CRITICAL DIMENSION VARIATION FOR TRIM PROCESS

Номер патента: US20200043709A1. Автор: LaVoie Adrien,KUMAR Purushottam,Agarwal Pulkit,Kumar Ravi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

System And Method For Electromagnetic Interference Shielding For Critical Dimension-Scanning Electron Microscope

Номер патента: US20140124667A1. Автор: Yu Chwen,Tsao Chia-Chi,Jhan Syun-Jie,Shih Yi-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-08.

METHODS AND APPARATUS FOR MEASUREMENT OF RELATIVE CRITICAL DIMENSIONS

Номер патента: US20140151551A1. Автор: Xiao Hong. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

Methods, Systems, and Computer Program Products Configured to Adjust a Critical Dimension of Recticle Patterns Used to Fabricate Semiconductor Devices

Номер патента: US20180082820A1. Автор: Lee Donggun,Jung Yongseok,Kwon Sungwon,Kim Heebom. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

RECURSIVE PUMPING FOR SYMMETRICAL GAS EXHAUST TO CONTROL CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN PLASMA REACTORS

Номер патента: US20180142354A1. Автор: BALAKRISHNA AJIT,Kim Jong Mun,NOORBAKHSH HAMID,DELLA ROSA JASON,Shoji Sergio Fukuda. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Multi-Beam Writing of Pattern Areas of Relaxed Critical Dimension

Номер патента: US20160276132A1. Автор: Platzgummer Elmar,Schiessl Klaus. Владелец: IMS Nanofabrication AG. Дата публикации: 2016-09-22.

Method and system for measuring critical dimension and monitoring fabrication uniformity

Номер патента: US20120212601A1. Автор: Wei Fang,HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Method and system for measuring critical dimension and monitoring fabrication uniformity

Номер патента: US20130182939A1. Автор: Wei Fang,HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Method and system for measuring critical dimension and monitoring fabrication uniformity

Номер патента: US20130188037A1. Автор: Wei Fang,HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Printed layer formation processing device and printed layer formation processing method

Номер патента: US20120237667A1. Автор: Toru Fujita,Minoru Koyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Improved blocks transmission steaming system on request for streaming processing with small delay

Номер патента: RU2629001C2. Автор: Бинь Ван,Томас ШТОКХАММЕР,Марк УОТСОН,Ин Чен,Майкл Дж. ЛУБИ,Лоренцо ВИЧИЗАНО,Паям ПАКЗАД,Джабер Мохаммад БОРРАН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2017-08-24.

Method and device for processing with synchronisation

Номер патента: RU2480921C2. Автор: Цзяньсюнь АЙ,Хэнсин ЧЖАЙ. Владелец: Зет-Ти-И Корпорейшн. Дата публикации: 2013-04-27.

Control Information Format Processing Method, Base Station, And User Equipment

Номер патента: US20180288750A1. Автор: Zheng Yu,Xingqing Cheng. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Image processing with variation of degree of brightness with colour consistency

Номер патента: RU2707728C2. Автор: ДЕР ВЛЕТЕН Ренатус Йозефус ВАН,Ерун Хуберт Христоффел Якобус СТЕССЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-11-28.

Method and device for implementing space-time processing with unequal modulation and coding schemes

Номер патента: RU2406234C2. Автор: Элдад М. ЗЕЙРА,Роберт Л. ОЛЕСЕН,Чанг-Соо КОО,Питер Дж. ФОЛЬТЦ,Юнвэнь ЯН,Циньюань ДАЙ,И-Тай ЛУ,КуньЦзюнь ЦАЙ. Владелец: Интердиджитал Текнолоджи Корпорейшн. Дата публикации: 2010-12-10.

Format processing apparatus and format processing method

Номер патента: US20060012687A1. Автор: Akira Toba. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-19.

Circuit board layer build-up process with enhanced positioning precision

Номер патента: US20240314942A1. Автор: Chia-Ming Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Database query processing with database clients

Номер патента: US12105705B2. Автор: PING Wang,Xiaobo Wang,Shuo Li,Sheng Yan Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and system of video processing with low latency bitstream distribution

Номер патента: WO2023184467A1. Автор: Ce Wang,Gang Shen,Jianhua Wu,Guangxin Xu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and system for linear signal processing with signal decomposition

Номер патента: US20210258040A1. Автор: Antonio Liscidini,Javid MUSAYEV. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Image processing with brightness change at colour limitations

Номер патента: RU2642335C2. Автор: ДЕР ВЛЕТЕН Ренатус Йозефус ВАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-01-24.

Method of the information primary processing with transmission errors detection and correction

Номер патента: RU2658795C1. Автор: Сергей Сергеевич Кукушкин,Геннадий Валентинович Светлов,Сергей Федорович Махов. Владелец: Сергей Сергеевич Кукушкин. Дата публикации: 2018-06-22.

State Estimation Method for Power Battery Formation Process Based on Convex Space Filtering

Номер патента: US20220413052A1. Автор: LIN Cheng,Yan Wang,Ziyun Wang,Yacong ZHAN,Zhicheng Ji,Yuqian CHEN,Leiting HUO,Nanjiang LI,Zimeng ZHANG,Weijie Shi,Yinquan YU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-29.

Successive interference cancellation receiver processing with selection diversity

Номер патента: CA2539966C. Автор: Tamer Kadous,Anand D. Subramaniam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Spatial processing with steering matrices for pseudo-random transmit steering in a multi-antenna communication system

Номер патента: CA2562055C. Автор: Jay Rodney Walton,Mark S. Wallace,Steven J. Howard. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-11-13.

Automated document processing with third party input

Номер патента: US20070226355A1. Автор: George William Luckhardt. Владелец: IP Filepoint LLC. Дата публикации: 2007-09-27.

Image forming system including first storage that stores paper ejected after image formation processing and second storage that stores paper transferred from first storage, control method of image forming system, and program for allowing computer to execute control method

Номер патента: US11418666B2. Автор: Hiroaki Aizawa. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2022-08-16.

Dimension control for raised lines

Номер патента: WO2020185363A1. Автор: Ahmed Nayaz Noemaun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-17.

Systems and methods for configuring an ipv4 process without associating the ipv4 process with an ip loopback address

Номер патента: US20170104716A1. Автор: Mark V. Deisinger,Robert L. Bergerson. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Automated document processing with third party input

Номер патента: WO2008105986A1. Автор: George W. Luckhardt. Владелец: Ip Filepoint, Llc. Дата публикации: 2008-09-04.

Dimension control for raised lines

Номер патента: US11758741B2. Автор: Ahmed Nayaz Noemaun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and apparatus for implementing space time processing with unequal modulation and coding schemes

Номер патента: CA2636157C. Автор: Chang-Soo Koo,I-Tai Lu,Eldad M. Zeira,Robert L. Olesen,Peter J. Voltz,Qingyuan Dai,Yongwen Yang,Kun-Ju Tsai. Владелец: InterDigital Technology Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Packet processing with reduced latency

Номер патента: US20230421512A1. Автор: Anil Vasudevan,Eliezer Tamir,Jesse C. Brandeburg. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for implementing error diffusion process with memory management

Номер патента: US20050105137A1. Автор: Jessen Chen,Shyh-Hsing Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-05-19.

Database query processing with database clients

Номер патента: WO2023241405A1. Автор: PING Wang,Xiaobo Wang,Shuo Li,Sheng Yan Sun. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-12-21.

Packet processing with reduced latency

Номер патента: US11843550B2. Автор: Anil Vasudevan,Eliezer Tamir,Jesse C. Brandeburg. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Database query processing with database clients

Номер патента: US20230409575A1. Автор: PING Wang,Xiaobo Wang,Shuo Li,Sheng Yan Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Automated document processing with third party input

Номер патента: US20070226345A1. Автор: George Luckhardt. Владелец: IP Filepoint LLC. Дата публикации: 2007-09-27.

Automatic white balance processing with flexible colour space selection

Номер патента: RU2537038C2. Автор: Ги КОТЕ,Джеффри Э. ФРЕДЕРИКСЕН,Пол Мэттью ХЬЮБЕЛ,Сумит ЧАВЛА. Владелец: ЭППЛ ИНК.. Дата публикации: 2014-12-27.

Multi-channel adaptive speech signal processing with noise reduction

Номер патента: CA2518684C. Автор: Markus Buck,Tim Haulick,Pierre Zakarauskas,Phillip Hetherington. Владелец: QNX Software Systems Wavemakers Inc. Дата публикации: 2015-07-21.

Image processing with smooth interpolation

Номер патента: US5489990A. Автор: Yuji Ishikawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-02-06.

Photofinishing process with film-to-video printer using dedicated magnetic tracks on film

Номер патента: CA1323097C. Автор: Michael Lee Wash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1993-10-12.

Quantizing process with dynamic allocation of the available bit resources and device for implementing said process

Номер патента: CA1127310A. Автор: Claude Galand,Alain Croisier,Daniel Esteban. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-07-06.

Wireless terminal having digital radio processing with automatic communication system selection capability

Номер патента: US5655003A. Автор: Jesse Eugene Russell,Richard Henry Erving,II Robert Raymond Miller. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-08-05.

System and Method of Execution Context Processing with Addressable Universal Data Location

Номер патента: US20220342904A1. Автор: Ronald Raymond Austring. Владелец: Synerio Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method and system for camera-free light field video processing with all-optical neural network

Номер патента: EP4155805A1. Автор: Lu Fang,Qionghai DAI,Siyuan Gu,Tiankuang Zhou,Xiaoyun YUAN. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-03-29.

Methods and systems for language processing with radio devices

Номер патента: US20230344537A1. Автор: Mohammed A. Tayyeb,Andrew B. INGEBRETSEN,Ju Y. KIM,Zak MANDHRO. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for padding processing with sub-region partitions in video stream

Номер патента: AU2023255026A1. Автор: Stephan Wenger,Shan Liu,Byeongdoo CHOI. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Method and system of image processing with power reduction while using a universal serial bus camera

Номер патента: US20240069619A1. Автор: Wei Chih Chen,Kenneth K. Lau,Andy Yeh,Ming-Jiun Chang,Thiam Wah Loh,Wen-Kuang Yu,Ko Han Wu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and system for video transmission and processing with customized watermarking delivery

Номер патента: US8908907B2. Автор: Jeyhan Karaoguz,Thomas J. Quigley,David Rosmann,Michael Dove,Xuemin (Sherman) Chen,Stephen Elliott Gordon. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Semiconductor wafer processing with across-wafer critical dimension monitoring using optical endpoint detection

Номер патента: GB2257507A. Автор: Daniel A Corliss. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-01-13.

Method of Controlling RF Transmissions to Mitigate Interference with Critical Care Medical Equipment

Номер патента: US20120071115A1. Автор: Marlin H. Mickle,Peter J. Hawrylak,Ajay Ogirala,Joshua R. Stachel. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of Controlling RF Transmissions to Mitigate Interference with Critical Care Medical Equipment

Номер патента: US20130260701A1. Автор: Marlin H. Mickle,Peter J. Hawrylak,Ajay Ogirala,Joshua R. Stachel. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of controlling RF transmissions to mitigate interference with critical care medical equipment

Номер патента: US8923786B2. Автор: Marlin H. Mickle,Peter J. Hawrylak,Ajay Ogirala,Joshua R. Stachel. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2014-12-30.

Surgical power tool with critical error handler

Номер патента: EP4306061A2. Автор: Brian Keith Heston. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Smart intersection with criticality determination

Номер патента: WO2021119666A1. Автор: Vivian Swan. Владелец: CONTINENTAL AUTOMOTIVE SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Surgical power tool with critical error handler

Номер патента: EP4306061A3. Автор: Brian Keith Heston. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Real-time contact center speech analytics, with critical call alerts, deployed across multiple security zones

Номер патента: US20230291835A1. Автор: David Garrod,Wayne Ramprashad. Владелец: Medallia Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Real-time contact center speech analytics, with critical call alerts, deployed across multiple security zones

Номер патента: US12028486B2. Автор: David Garrod,Wayne Ramprashad. Владелец: Medallia Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Real-time contact center speech analytics, with critical call alerts, deployed across multiple security zones

Номер патента: US20210321001A1. Автор: David Garrod,Wayne Ramprashad. Владелец: Medallia Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Real-time contact center speech analytics, with critical call alerts, deployed across multiple security zones

Номер патента: US11652922B2. Автор: David Garrod,Wayne Ramprashad. Владелец: Medallia Inc. Дата публикации: 2023-05-16.

Electronic device and electronic system with critical condition detection and control capability for power electronic devices

Номер патента: US20240098389A1. Автор: Wolfgang Budde,Daniel Domes,Andreas Vetter,Andreas Lenniger,Jens De Bock,Bjoern Rentemeister,Stefan Hubert Schmies. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for making super-conducting substance with critical temperature of 90 kelvin grades

Номер патента: HUT52642A. Автор: John Davis Bolt,Munirpallam Appado Subramanian. Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1990-07-28.

Data center cooling method with critical device prioritization

Номер патента: US9538690B2. Автор: Raghuswamyreddy Gundam,Wingcheung Tam,Shiva R. Dasari,Newton P. Liu,Douglas W. Oliver. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Data center cooling method with critical device prioritization

Номер патента: US09538690B2. Автор: Raghuswamyreddy Gundam,Wingcheung Tam,Shiva R. Dasari,Newton P. Liu,Douglas W. Oliver. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Data center cooling with critical device prioritization

Номер патента: US09538689B2. Автор: Raghuswamyreddy Gundam,Wingcheung Tam,Newton P. Liu,Douglas W. Oliver,Shiva R. Dasario. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

CIRCUIT WITH CRITICAL OPERATING CONDITION WARNING, CORRESPONDING DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20200112164A1. Автор: Abbisso Salvatore,Torrisi Giovanni Luca,Meroni Cristiano. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Surgical power tool with critical error handler

Номер патента: US10177700B2. Автор: Brian Keith Heston. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

High-voltage triggered pulsecloser with critical reclosing time estimation

Номер патента: US20230111124A1. Автор: Michael G. Ennis,William Yadusky,Yoav Sharon,Edgar CASALE. Владелец: S&C Electric Co. Дата публикации: 2023-04-13.

Two lines transmitter with critical detecting circuit

Номер патента: KR960005748B1. Автор: 제이. 롱스 도르프 랜디. Владелец: 로버트 알. 코이만. Дата публикации: 1996-05-01.

Switching device with critical switch detection

Номер патента: US20080024326A1. Автор: Woo Chee Ngai,Vincenzo DiFatta,Timothy E. Blazier. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of Controlling RF Transmissions to Mitigate Interference with Critical Care Medical Equipment

Номер патента: US20130260701A1. Автор: Mickle Marlin H.,Ogirala Ajay,Hawrylak Peter J.,Stachel Joshua R.. Владелец: University of Pittsburgh - of the Commonwealth System of Higher Education. Дата публикации: 2013-10-03.

SURGICAL POWER TOOL WITH CRITICAL ERROR HANDLER

Номер патента: US20190097566A1. Автор: Heston Brian Keith. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

SURGICAL POWER TOOL WITH CRITICAL ERROR HANDLER

Номер патента: US20180123500A1. Автор: Heston Brian Keith. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Smart intersection with criticality determination

Номер патента: US20210183240A1. Автор: Vivian Swan. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Authorizing and validating removable storage for use with critical infrastrcture computing systems

Номер патента: US20210111870A1. Автор: Ryan V. Cooper,Jay K. Limbasiya,Michael T. Rothenberg. Владелец: Inventus Holdings LLC. Дата публикации: 2021-04-15.

Surgical power tool with critical error handler

Номер патента: WO2018080823A1. Автор: Brian Keith Heston. Владелец: Zimmer, Inc.. Дата публикации: 2018-05-03.

Surgical power tool with critical error handler

Номер патента: EP3531933B1. Автор: Brian Keith Heston. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Method and system for measuring critical dimension and monitoring fabrication uniformity

Номер патента: TW201235635A. Автор: Wei Fang,HONG Xiao,Jack Jau. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

Through-zero pulse-width modulation process with period-average-zero

Номер патента: US20120056688A1. Автор: Lester F. Ludwig. Владелец: Pike Group LLC. Дата публикации: 2012-03-08.

Systems and method for payment transaction processing with payment application driver

Номер патента: US12125013B2. Автор: Darren Adelgren,Peter Osberg. Владелец: Powerpay LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Token processing with selective de-tokenization for proximity based access device interactions

Номер патента: US20220006636A1. Автор: Barbara Patterson. Владелец: VISA INTERNATIONAL SERVICE ASSOCIATION. Дата публикации: 2022-01-06.

Optical measurement system and method for measuring critical dimension of nanostructure

Номер патента: US20130107030A1. Автор: Sergey Nikolaevich Koptyaev,Maxim Vladimirovich RYABKO,Michael Nikolaevich Rychagov. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-02.

METHOD AND SYSTEM FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION AND MONITORING FABRICATION UNIFORMITY

Номер патента: US20130188037A1. Автор: Xiao Hong,Jau Jack,Fang Wei. Владелец: HERMES MICROVISION INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

SYSTEM AND METHOD FOR ADJUSTING BRIGHTNESS OF LIGHT SOURCE OF CRITICAL DIMENSION MEASURING DEVICE

Номер патента: US20170026561A1. Автор: Wang Lei,Chen Cheng,XU Dezhi. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Diagnosing in-line critical dimension control adjustments using optical proximity correction verification

Номер патента: US20120191234A1. Автор: James A. Bruce,Kenneth T. Settlemyer, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Method and a system for managing time-critical events associated with critical devices

Номер патента: US20200211718A1. Автор: Manjunath Ramachandra Iyer,Meenakshi Sundaram Murugeshan. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Critical dimension control in photo-sensitized chemically-amplified resist

Номер патента: US09645495B2. Автор: Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SUPERCONDUCTIVE MATERIAL BASED ON Bi-2223 WITH CRITICAL TRANSITION TEMPERATURE OF 197 K

Номер патента: RU2568463C1. Автор: Ксения Сергеевна Рабинович,Леонид Леонидович Самойленко,Александр Георгиевич Шнейдер. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО "ИрГТУ"). Дата публикации: 2015-11-20.

Critical dimension control using full phase and trim masks

Номер патента: AU2003223189A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Critical dimension control using full phase and trim masks

Номер патента: WO2003073166A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2003-09-04.

Critical dimension control using full phase and trim masks

Номер патента: EP1478976A4. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Critical dimension control using full phase and trim masks

Номер патента: EP1478976A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2004-11-24.

Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask

Номер патента: WO2002001294A1. Автор: David H. Ziger. Владелец: Philips Electronics North America Corporation. Дата публикации: 2002-01-03.

Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask

Номер патента: EP1204902A1. Автор: David H. Ziger. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-05-15.

Method of determination of target artery for surgical revascularization of patients with critical ischemia of lower limbs

Номер патента: RU2654415C1. Автор: Максим Николаевич Кудыкин,Геннадий Евгеньевич Шейко,Анна Наумовна Белова,Наталья Васильевна Лоскутова,Роман Александрович Дерябин,Андрей Николаевич Васягин,Лада Максимовна Целоусова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Приволжский исследовательский медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО "ПИМУ" Минздрава России). Дата публикации: 2018-05-17.

Method of estimation of efficiency of surgical revascularization in patients with critical ischemia of lower limb

Номер патента: RU2670692C1. Автор: Максим Николаевич Кудыкин,Геннадий Евгеньевич Шейко,Анна Наумовна Белова,Наталья Васильевна Лоскутова,Роман Александрович Дерябин,Андрей Николаевич Васягин,Лада Максимовна Целоусова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Приволжский исследовательский медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-10-24.

Method of operating internal combustion engine injected with critical water

Номер патента: EP1373695A1. Автор: Akihiro c/o MITSUBISHI HEAVY INUDSTRIES LTD YUKI,Takafumi MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES LTD SHIMADA,Kuninori c/o MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES LTD ITOU,Hiroyuki MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES LTD. ISHIDA. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2004-01-02.

Developer critical dimension control with pulse development

Номер патента: US20200089188A1. Автор: Yongan Xu,Hao Tang,Richard C. Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for forming a critical dimension test structure and its use

Номер патента: WO2000019270A1. Автор: Kazuo Ushida,Kyoichi Suwa,Ilya Grodnensky,Eric R. Johnson. Владелец: NIKON PRECISION INC.. Дата публикации: 2000-04-06.

System For Improving Critical Dimension Uniformity

Номер патента: US20100201961A1. Автор: Chun-Kuang Chen,Shinn-Sheng Yu,Tsai-Sheng Gau,Chih-Ming Ke,Jacky Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

System and method for shifting critical dimensions of patterned films

Номер патента: US09977339B2. Автор: Anton J. deVilliers,Daniel Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Enterally administrated supplement for parenteral nutrition or partial enteral/oral nutrition in case with critically ill patients, chronic patients and patients with deficient nutrition

Номер патента: RU2295952C2. Автор: Барбара КЕССЛЕР,Ангелика РИДЕЛЬ,Ульрих ЗУХНЕР,Барбара КЕССЛЕР (DE),Ангелика РИДЕЛЬ (DE),Ульрих ЗУХНЕР (DE). Владелец: Фрезениус Каби Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2007-03-27.

Flexible penetration resistant composite materials structure with critical gap geometry in a solids layer

Номер патента: US20080160855A1. Автор: Charles A. Howland. Владелец: Warwick Mills Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for measuring critical dimension

Номер патента: US12117733B2. Автор: Chia-Chung LIN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method to selectively correct critical dimension errors in the semiconductor industry

Номер патента: US7294440B2. Автор: Jed H. Rankin,Andrew J. Watts. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-13.

Flexible penetration resistant composite materials structure with critical gap geometry in a solids layer

Номер патента: EP1682348A1. Автор: Charles A. Howland. Владелец: Warwick Mills Inc. Дата публикации: 2006-07-26.

Stamp treatment to guide solvent removal direction and maintain critical dimension

Номер патента: WO2023114496A1. Автор: Yingdong Luo,Ludovic Godet,Kang LUO,Yongan Xu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for measuring critical dimension

Номер патента: US12130559B2. Автор: Chia-Chung LIN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for grouping region of interest of mask pattern and measuring critical dimension of mask pattern using the same

Номер патента: US09892500B2. Автор: Won-Joo Park,Dong-Hoon Chung,Byung-gook Kim,Hyung-Joo Lee,Seuk-Hwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Predicting pattern critical dimensions in a lithographic exposure process

Номер патента: US09529253B2. Автор: Jacek K. TYMINSKI,Raluca Popescu. Владелец: Nikon Precision Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Measurement method and measurement device of critical dimension of sub-pixel

Номер патента: US10204407B2. Автор: Zhiyi Sun,Huashan Pang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Metrology method and system for critical dimensions based on dispersion relation in momentum space

Номер патента: US20230213870A1. Автор: Lei Shi,Ang Chen,Tongyu Li,Guopeng Lu,Haiwei Yin,Jian Zi. Владелец: Shanghai Ideaoptics Corp Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Modeling defect probability from expected critical dimensions to improve accuracy of failure rate prediction

Номер патента: WO2024156485A2. Автор: Yu Cao,Jill Elizabeth FREEMAN,Fuming Wang. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-08-02.

Method for circuit design on a spherical semiconductor having critical dimensions

Номер патента: WO2001033439A1. Автор: Nobuo Takeda,Yasunaga Suzuki,Eiji Matsunaga. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2001-05-10.

Modeling defect probability from expected critical dimensions to improve accuracy of failure rate prediction

Номер патента: WO2024156485A3. Автор: Yu Cao,Jill Elizabeth FREEMAN,Fuming Wang. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-09-06.

Electrical critical dimension measurements on photomasks

Номер патента: US20020102472A1. Автор: David Chan. Владелец: Photronics Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Predicted based on model in a set of filters with critical sampling rate

Номер патента: RU2742460C2. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2021-02-08.

Prediction based on model in filter set with critical discreteization

Номер патента: RU2636093C2. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2017-11-20.

Measuring local critical dimension uniformity of an array of two-dimensional structural elements

Номер патента: WO2021165941A1. Автор: Daniel Schmidt,Dexin Kong,Igor Turovets,Roy KORET,Aron J. CEPLER,Marjorie CHENG. Владелец: NOVA MEASURING INSTRUMENTS LTD.. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for measuring critical dimension

Номер патента: US20230236514A1. Автор: Chia-Chung LIN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for measuring critical dimension

Номер патента: US20230236513A1. Автор: Chia-Chung LIN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method and structure for lithography processes with focus monitoring and control

Номер патента: US09383657B2. Автор: Wei-Liang Lin,Chun-Kuang Chen,Chi-Cheng Hung,Jhih-Yu Wang,Chien-Yu Li,Iu-Ren Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of using critical dimension mapping to optimize speed performance of microprocessor produced using an integrated circuit manufacturing process

Номер патента: US6345211B1. Автор: Warren T. Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-02-05.

Critical dimension edge placement and slope enhancement with central pixel dose addition and modulated inner pixels

Номер патента: WO2004063814A3. Автор: Asher Klatchko,Peter Pirogovsky,Jerry Martyniuk,Richard E Crandall,Mattew J Jolley,H Christopher Hamaker. Владелец: H Christopher Hamaker. Дата публикации: 2004-09-23.

Method and device for critical dimension detection by molecular binding

Номер патента: US20070042390A1. Автор: Peter Borden. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-02-22.

Control of critical dimension (CD)

Номер патента: EP1416330B1. Автор: Joseph Pellegrini,David Crow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Design-driven metal critical dimension (cd) biasing

Номер патента: US20100293514A1. Автор: Yao-Ching Ku,Lee-Chung Lu,Louis Chao-Chiuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Modeling critical-dimension (cd) scanning-electron-microscopy (cd-sem) cd extraction

Номер патента: WO2010126698A3. Автор: Qiaolin Zhang. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2011-01-13.

Test pattern layout for test photomask and method for evaluating critical dimension changes

Номер патента: US20160224720A1. Автор: Yuki Fujita,Brian N. Caldwell,Raymond W. Jeffer,James P. Levin,Joseph L. Malenfant, Jr.,Steven C. Nash. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Method Of Ultra-Fine Critical Dimension Patterning For Magnetic Head Devices

Номер патента: US20230343362A1. Автор: Kunliang Zhang,Min Li,Ruhang DING,Tom Zhong,Hiroshi Omine,Jianing Zhou. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Test pattern layout for test photomask and method for evaluating critical dimension changes

Номер патента: US20160223902A1. Автор: Yuki Fujita,Brian N. Caldwell,Raymond W. Jeffer,James P. Levin,Joseph L. Malenfant, Jr.,Steven C. Nash. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Test pattern layout for test photomask and method for evaluating critical dimension changes

Номер патента: US20150212405A1. Автор: Yuki Fujita,Brian N. Caldwell,Raymond W. Jeffer,James P. Levin,Joseph L. Malenfant, Jr.,Steven C. Nash. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Test pattern layout for test photomask and method for evaluating critical dimension changes

Номер патента: US09996000B2. Автор: Yuki Fujita,Brian N. Caldwell,Raymond W. Jeffer,James P. Levin,Joseph L. Malenfant, Jr.,Steven C. Nash. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Optical measurement system and method for measuring critical dimension of nanostructure

Номер патента: US09995648B2. Автор: Maksim RIABKO,Anton MEDVEDEV,Alexey SHCHEKIN,Sergey KOPTYAEV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Test pattern layout for test photomask and method for evaluating critical dimension changes

Номер патента: US09989843B2. Автор: Yuki Fujita,Brian N. Caldwell,Raymond W. Jeffer,James P. Levin,Joseph L. Malenfant, Jr.,Steven C. Nash. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Critical dimension uniformity monitoring for extreme ultraviolet reticles

Номер патента: US09863761B2. Автор: Rui-Fang Shi,Abdurrahman Sezginer,Alex Pokrovskiy,Weston L. Sousa. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Accurate and fast neural network training for library-based critical dimension (CD) metrology

Номер патента: US09607265B2. Автор: WEN Jin,Leonid Poslavsky,Junwei Bao,Vi Vuong,Lie-Quan Lee. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of laser welding with control of formation process of welded seam

Номер патента: RU2723493C1. Автор: Дмитрий Николаевич Трушников,Владимир Яковлевич Беленький,Игорь Юрьевич Летягин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр электронно-лучевых и лазерных технологий". Дата публикации: 2020-06-11.

A method for fabricating a spm nanoneedle probe and a critical dimension spm nanoneedle probe using ion beam and a spm nanneedle probe and a cd-spm nanoneedle probe thereby

Номер патента: KR100679619B1. Автор: 오범환,정기영,박병천,안상정,홍재완,송원영. Владелец: 한국표준과학연구원. Дата публикации: 2007-02-06.

Control of critical dimensions through measurement of absorbed radiation

Номер патента: US6063530A. Автор: Andreas Grassmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-05-16.

Photomask providing uniform critical dimension on semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070065732A1. Автор: Seongwoon Choi,Donggun Lee,Byunggook Kim,Chanuk Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-22.

Critical dimension uniformity monitoring for extreme ultra-violet reticles

Номер патента: US10288415B2. Автор: Rui-Fang Shi,Abdurrahman Sezginer,Alex Pokrovskiy,Weston L. Sousa. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-05-14.

Mask alignment and measurement of critical dimensions in integrated circuits

Номер патента: US5109430A. Автор: H. Keith Nishihara,P. A. Crossley. Владелец: Schlumberger Technologies Inc. Дата публикации: 1992-04-28.

Apparatus and methods for measurement of critical dimensions of features and detection of defects in uv, vuv, and euv lithography masks

Номер патента: WO2005108914A3. Автор: Henry Allen Hill. Владелец: Zetetic Inst. Дата публикации: 2006-12-14.

Plasma arc process with reactive gases

Номер патента: CA1208303A. Автор: George T. Rogers,Wayne S. Severance, Jr.. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1986-07-22.

Method of reducing critical dimension bias of dense pattern and isolation pattern

Номер патента: US7097945B2. Автор: Ching-Yu Chang,Hsin-Huei Chen,Meng-Wei Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-29.

Method for Correcting Critical Dimension of Mask Pattern

Номер патента: US20090226827A1. Автор: Soo Kyeong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of managing critical dimension error of photomask and method of manufacturing photomask using the method

Номер патента: US20220197133A1. Автор: Taejoon KIM,JaeHyuk Chang,Hyunkyu Sun,Sikyung Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of managing critical dimension error of photomask and method of manufacturing photomask using the method

Номер патента: US11934095B2. Автор: Taejoon KIM,JaeHyuk Chang,Hyunkyu Sun,Sikyung Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Lithography improvement based on defect probability distributions and critical dimension variations

Номер патента: US20210088913A1. Автор: Lawrence S. Melvin, III,Qiliang Yan,Yudhishthir Prasad Kandel,Ulrich Karl Klostermann. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Impervious layer formation process and landfill adsorption system

Номер патента: US4908129A. Автор: Klemens Finsterwalder,Jurgen Spirres. Владелец: Dyckerhoff and Widmann AG. Дата публикации: 1990-03-13.

Multi-level automated system of management of industrial-technological processes with control of inputs at the places of their origin for technological objects of gas and oil industry

Номер патента: RU2304798C2. Автор: Александр Федорович Пужайло,Сергей Викторович Ларцов,Анатолий Григорьевич Лыков,Дмитрий Георгиевич Боровиков,Олег Валентинович Назаров,Сергей Петрович Продовиков,Алексей Валентинович Реунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Гипрогазцентр". Дата публикации: 2007-08-20.

Working process with feedback

Номер патента: RU2554522C2. Автор: Пол ЗЕЛЬЦЕР,Пол Дж. ЧАНГ. Владелец: Дзе Юниверсити Оф Чикаго. Дата публикации: 2015-06-27.

Bench for simulating soil deformation process with a sealant

Номер патента: RU2733534C1. Автор: Николай Георгиевич Кю. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела им. Н.А. Чинакала Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-10-05.

Chilled beam and cooling process with a variable cooling rate for steel sheets

Номер патента: RU2744406C1. Автор: Дирк ШМИДТ,Фредерик ГРОССЕ ЛОРДЕМАНН,Роман ДЕМЕЛЬ. Владелец: Смс Груп Гмбх. Дата публикации: 2021-03-09.

Cutting segment of a tool, a tool for processing baked carbon anodes and a method of processing with the tool

Номер патента: RU2652679C9. Автор: Алексей Сергеевич Жердев,Виталий Валерьевич Пингин,Александр Михайлович Петров,Александр Николаевич Савина,Константин Яковлевич Кунстман. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2018-07-25.

Method of and internal combustion piston engine for organization of working process with charge divided into layers

Номер патента: RU2258817C1. Автор: А.М. Абрамов,А.В. Капустин. Владелец: Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого. Дата публикации: 2005-08-20.

Technique and device for automated control over crops productional process with regard for self-organisation

Номер патента: RU2488264C2. Автор: Владимир Александрович Королев,Иван Иосифович Свентицкий,Алексей Михайлович Башилов. Владелец: Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2013-07-27.

Method of base oil processing with viscosity index within 80 to 140

Номер патента: RU2334782C2. Автор: ВЕН Йоханнес Антониус Роберт ВАН,Патрик МУРО. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2008-09-27.

Catalyst for hydroconversion with hydroisomerization of hydrocarbon raw materials and method of processing with hydroisomerization of heavy oil hydrocarbon fractions

Номер патента: RU2141380C1. Автор: Бийон Ален,Бижар Пьер-Анри,Миньар Самюель,Маршаль Натали,Касзтелан Славик. Владелец: Энститю Франсэ Дю Петроль. Дата публикации: 1999-11-20.

Method of electrochemical processing with unshaped electrode tool and devices for its implementation

Номер патента: RU2647413C2. Автор: Александр Николаевич Зайцев,Тимур Рашитович Идрисов,Тимофей Владимирович Косарев,Сергей Викторович Безруков,Ринат Мияссарович Салахутдинов. Владелец: Ринат Мияссарович Салахутдинов. Дата публикации: 2018-03-15.

Signal processing with reduced combinatorial complexity

Номер патента: EP1639385A1. Автор: Simon Richard QinetiQ Malvern MASKELL. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2006-03-29.

Method for check measurement of a log processed with tree-handling device, corresponding measurement system, forest machine, computer program product and hardware

Номер патента: WO2023161565A1. Автор: Esko Havimäki,Antti Uurtamo. Владелец: PONSSE OYJ. Дата публикации: 2023-08-31.

Test tube for impact processing with balls and method for extraction of deoxyribonucleic acid and/or ribonucleic acid from microorganisms

Номер патента: RU2762314C2. Автор: Хольгер КЛАППРОТ,Николас СМИТ. Владелец: Сейфгард Байосистемс Холдингс Лтд.. Дата публикации: 2021-12-17.

Zeolite adsorbents without binding agent, methods of obtaining thereof and adsorption separation processes with thereof application

Номер патента: RU2544732C1. Автор: Джэк И. ХУРСТ,Линда С. ЧЭН. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2015-03-20.

Method for assessing the success of agricultural yield processing with 1-methylcyclopropene

Номер патента: RU2741849C2. Автор: Мария Ивановна Иванова,Александр Семенович Ильинский,Юрий Викторович Митник,Игорь Олегович Пархоменко,Александр Сергеевич Слуцкий. Владелец: Александр Сергеевич Слуцкий. Дата публикации: 2021-01-29.

Tobacco raw material hp formation process

Номер патента: RU2422057C2. Автор: Уве Вернер ЭЛИНГ,Диетмар ФРАНКЕ,Гералд ШМЕКЕЛЬ. Владелец: Бритиш Американ Тобакко (Германия) ГмбХ. Дата публикации: 2011-06-27.

Device for food product processing with remote control

Номер патента: RU2560312C2. Автор: Антуан Каэн,Эрик ГРЭНДЖЕР,Гуидо ПЬЯИ,Кристиан ПРОБСТ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-08-20.

Method and plant for performing metallurgical processes with the aid of carbon-containing materials

Номер патента: RU2282664C2. Автор: Алберт КАЛДЕРОН,Терри Джеймс ЛАУБИС. Владелец: Калдерон Энерджи Компани Оф Боулинг Грин, Инк. Дата публикации: 2006-08-27.

Method for processing with biocidal preparation or antidote preparation, device and corresponding module for processing

Номер патента: RU2744017C2. Автор: Альберто САРДО,Стефано САРДО. Владелец: Гзеда Энтернасьональ. Дата публикации: 2021-03-02.

Method and apparatus for recirculation of iron-containing dust and slime at cast iron production process with use of coal and ore fines

Номер патента: RU2260624C2. Автор: Ханг-Гоо КИМ,Сун-Кванг ДЗЕОНГ,Хеунг-Вон КАНГ,Наг-Дзоон ЧОЙ. Владелец: Рисерч Инститьют оф Индастриал Сайенс энд Текнолоджи. Дата публикации: 2005-09-20.

Method for prevention of infectious processes with free skin grafting

Номер патента: RU2687108C1. Автор: Максим Георгиевич Рябков,Владимир Викторович Бесчастнов,Татьяна Николаевна Юданова,Андрей Евгеньевич Леонтьев,Илья Викторович Павленко,Владимир Владимирович Кичин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Перевязочные Материалы". Дата публикации: 2019-05-07.

Procedure for surface gas-dynamic processing with powder material and facility for its implementation

Номер патента: RU2399694C1. Автор: Владимир Федорович Косарев,Сергей Владимирович Клинков,Лаже Бернар,Бертран Филипп,Смуров Игорь. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича Сибирского отделения РАН (ИТПМ СО РАН). Дата публикации: 2010-09-20.

Baffled integrated denitrifying and decarbonizing device with anaerobic bio-nests and baffled integrated denitrifying and decarbonizing process with anaerobic bio-nests

Номер патента: US20230078272A1. Автор: Zhigang Liu,Chengye LIU,Hongjun Dong,Zhiren Wu,Xiangtong ZHOU,Haipeng XI,Suying JIANG,Zhishui LIANG. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-03-16.

Sewage treatment process with magnetic sludge carbon carrier cooperated with standard upgrading and capacity improvement

Номер патента: US12024449B2. Автор: HUI Li,Yufeng Wang,Ping Tian,Quan Tang,Weilong Zhuo,Yiru Shao. Владелец: Zhejiang Zone King Environmental Sci & Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and apparatus for configuring a data formatting process

Номер патента: US20070180222A1. Автор: Carli Connally,Reid Hayhow,Bryan Carpenter. Владелец: Verigy Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Takt system and method for collaboration of production processes with uncertain time

Номер патента: US20220044203A1. Автор: Minglun REN,Liangjia SHAO. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2022-02-10.

Pipelined neural network processing with continuous and asynchronous updates

Номер патента: WO2021061232A1. Автор: Marc Tremblay,Tiyasa Mitra,Andy Wagner,Saurabh M. KULKARNI,Sujeeth S. Bharadwaj. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for supplying a process with an enriched carrier gas

Номер патента: US09914997B2. Автор: Andreas Koller,Alexander Behres. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-13.

System and a method for data processing with management of a cache consistency in a network of processors with cache memories

Номер патента: US09542317B2. Автор: Christian Bernard,Eric Guthmuller,Huy Nam Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Catalytic carboxylation of cellulose fibres in continuous process with multiple additions of catalyst, secondary oxidant and base into moving liquid mass of cellulose fibres

Номер патента: RU2531280C2. Автор: Ананда С. Уирэварна. Владелец: Вейерхойзер Нр Компани. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of biotechnological processing solid wastes of pulp and paper industry for obtaining biohumus, comprising step of processing with fungi and step of vermi-processing

Номер патента: RU2562526C2. Автор: Ольга Владимировна Королева,Александр Иванович Бастраков,Наталья Васильевна Лукина,Дарья Николаевна Тебенькова,Мария Анатольевна Орлова,Роман Алексеевич Воробьев,Татьяна Васильевна Федорова,Елена Олеговна Лендесман,Ольга Ивановна Кляйн,Леонид Борисович Рыбалов,Александр Жанович Барне,Белла Рафаиловна Стриганова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Центр по проблемам экологии и продуктивности лесов Российской академии наук. Дата публикации: 2015-09-10.

Extraction of aluminium oxide trihydrate in bayer process with application of cross-linked polysaccharides

Номер патента: RU2573678C2. Автор: Цзин Ван,Генрих Э. БОДЕ,Сяоцзин Гарри ЛИ. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2016-01-27.

Frc occlusion processing with deep learning

Номер патента: RU2747965C1. Автор: Игорь Миронович Ковлига,Петр ПОГЛ,Сергей Дмитриевич ИЛЬИЧЕВ,Кристина Олеговна РАКОВА. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2021-05-18.

Urea granulation process with scrubbing system

Номер патента: US09745256B2. Автор: Matthias Potthoff,Harald Franzrahe,Luc Albert Vanmarcke. Владелец: Uhde Fertilizer Technology BV. Дата публикации: 2017-08-29.

Hydrates formation processes in the production flowlines monitoring method

Номер патента: RU2683336C1. Автор: Сергей Викторович Емец,Марина Юрьевна Прахова,Вадим Науфальевич Кудаяров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный нефтяной технический университет". Дата публикации: 2019-03-28.

Multi-structured reactor made of monolithic adjacent thermoconductive bodies for chemical processes with high heat exchange

Номер патента: RU2656482C2. Автор: Мауро ФАВАРЕТТО,Марко ПАТУРЦО,Марцио ПЬЯЦЦА,Пио Форцатти,Джанпьеро Гроппи,Лука Льетти,Энрико Тронкони,Карло Джордже ВИСКОНТИ. Владелец: Эни С.П.А.. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming a filler material for use in various metal matrix composite body formation processes

Номер патента: US5329984A. Автор: Marc S. Newkirk,Mark G. Mortenson. Владелец: Lanxide Technology Co LP. Дата публикации: 1994-07-19.

Managing device with recalculation, image formation processing system, computer readable medium storing program, and image forming method

Номер патента: US8493457B2. Автор: Yosuke SHINNAKA. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

Optical device and deflector formation process

Номер патента: US20120018911A1. Автор: Gabriel James Tambunga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

Managing device, image formation processing system, computer readable medium storing program, and image forming method

Номер патента: US20110050924A1. Автор: Yosuke SHINNAKA. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Device and continuous dyeing process with indigo

Номер патента: EP2079866A1. Автор: Francesco Ronchi. Владелец: Master SRL. Дата публикации: 2009-07-22.

Method and system for automated medical records processing with cloud computing

Номер патента: US09842188B2. Автор: David E. Stern. Владелец: Practice Velocity LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated fuel processing with biomass oil

Номер патента: US09677005B1. Автор: Rafael Espinoza,Kenneth L. Agee,Mark A. Agee,Kym Brian Arcuri. Владелец: EMERGING FUELS Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Separation process with modified enhanced hot separator system

Номер патента: US09416321B2. Автор: Mark Van Wees,Donald A. Eizenga,Paul C Steacy. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Automatic control system of power plant combustion process with active high-temperature fluidized bed waste heat boiler

Номер патента: RU2686238C1. Автор: Алексей Валентинович Бондарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТЕПЛОМЕХ". Дата публикации: 2019-04-24.

Aqueous compositions for seed processing, seeds processed with them, and methods for processing seeds

Номер патента: RU2759449C2. Автор: Зебастиан ДЕРР,Абдулла ЭКИН,Джеймс А. ТОМПСОН-КОЛОН,Тимоти ПАЙК,Скотт ГРЕЙС,Джинки ЛИ,Рональд РАЙХЕРТ,Уилльям С. ХЭНСОН. Владелец: БАЙЕР КРОПСАЙЕНС ЛПи. Дата публикации: 2021-11-15.

Modified gas and steam turbine process with integrated coal gasification under pressure

Номер патента: RU2528998C2. Автор: Доменико ПАВОНЕ,Ральф АБРАХАМ. Владелец: Тиссенкрупп Уде Гмбх. Дата публикации: 2014-09-20.

Plasma deposition process with removal of substrate tube

Номер патента: RU2652215C2. Автор: Игор МИЛИСЕВИЧ,Гертьян КРАБСХЕЙС,Йоханнес Антон Хартсёйкер,СТРАЛЕН Маттеус Якобус Николас ВАН. Владелец: Драка Комтек Б.В.. Дата публикации: 2018-04-25.

Uzm-45 alumosilicate zeolite, method of obtaining thereof and processes with application thereof

Номер патента: RU2521578C1. Автор: Марк А. Миллер,Грегори Дж. ЛЬЮИС. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2014-06-27.

Genetically modified microorganisms, plasmid and fermentation process with the presence of flocculation regulated by medium changes

Номер патента: EP1551951A1. Автор: Marcos Gomes De Souza,Haroldo Alves Pereira Junior. Владелец: Salinbar SA. Дата публикации: 2005-07-13.

System and method for handling processing with sparse weights and outliers

Номер патента: EP4394660A1. Автор: Joseph H. Hassoun,Ali Shafiee Ardestani,Hamzah Ahmed Ali Abdelaziz,Ardavan PEDRAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Query processing with restrictions in a database clean room

Номер патента: US20240168958A1. Автор: Justin Langseth,Michael Earle Rainey,Rachel Frances Blum. Владелец: Snowflake Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Query processing with restrictions in a database clean room

Номер патента: US20230177055A1. Автор: Justin Langseth,Michael Earle Rainey,Rachel Frances Blum. Владелец: Snowflake Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Genetically modified microorganisms, plasmid and fermentation process with the presence of flocculation regulated by medium changes

Номер патента: WO2004005491A1. Автор: Marcos Gomes De Souza,Haroldo Alves Pereira Junior. Владелец: Salinbar S.A.. Дата публикации: 2004-01-15.

Method and system of multi-view image processing with accurate skeleton reconstruction

Номер патента: US20240290034A1. Автор: QIANG LI,Hang Zheng,Yikai Fang,Longwei FANG,Hongzhi Tao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and system for continuous-flow aerobic granular sludge process with improved two-stage sedimentation

Номер патента: US20240190738A1. Автор: Jun Li,Jiansan Zhang. Владелец: Aqseptence Group Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Integration of plasma and hydrogen process with combined cycle power plant and steam reformers

Номер патента: EP3099397A1. Автор: Peter L. Johnson,Robert J. Hanson,Roscoe W. Taylor. Владелец: Monolith Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

Hydrogen production process with improved co2 fractionation process

Номер патента: WO2024228900A1. Автор: Bradley Russell,Glen Pomorski,Anh Ngo. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

System for distributed data processing with auto-recovery

Номер патента: US09952942B2. Автор: Erin Cassell,Shawn Cart Gunsolley,Marshall Bright Thompson,Siva Shankar Potla,Adam Nathaniel Desautels,Jeffrey Scott Poore. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Multi-threaded processing with reduced context switching

Номер патента: US09870252B2. Автор: John P. Bates. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of obtaining calcium carbonate with surface subjected to reaction processing, with application of weak acid, final products and their application

Номер патента: RU2520452C2. Автор: Патрик А. С. ГЕЙН,Дэниел ДЖЕРАРД. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2014-06-27.

Ferrierite compositions for reduction of nox emissions during cracking process with fluidised catalyst

Номер патента: RU2365615C2. Автор: Ксинджин ЧЖАО,Майкл Скотт ЗИБАРТ,Джордж ЯЛУРИС. Владелец: В.Р.Грейс Энд Ко.-Конн.. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for npp liquid waste processing with boron control

Номер патента: RU2652978C1. Автор: Владимир Иванович Иваненко,Эфроим Пинхусович Локшин,Татьяна Андреевна Седнева,Роман Иванович Корнейков. Владелец: Акционерное общество "Российский концерн по производству электрической и тепловой энергии на атомных станциях (АО "Концерн Росэнергоатом"). Дата публикации: 2018-05-04.

System and method of differentiating state of leak and state of reservoir disconnection in system of processing with lower pressure

Номер патента: RU2440150C2. Автор: Томас П. ЛОХОРН. Владелец: КейСиАй Лайсензинг Инк.. Дата публикации: 2012-01-20.

Device and method of processing with medicinal or therapeutic gases

Номер патента: RU2470622C2. Автор: Джозеф ТОРОК,Тамас ТОРОК,Питер ТОРОК. Владелец: Респидерм Корпорейшн. Дата публикации: 2012-12-27.

GNSS signal processing with delta phase for incorrect starting position

Номер патента: US9562975B2. Автор: Ulrich Vollath,Nicholas Charles Talbot,Xiaoming Chen,Rodrigo Leandro,Markus Glocker. Владелец: Trimble Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Aluminum hydroxide prepared by bayer process with low content of organic carbon

Номер патента: RU2323159C2. Автор: Джон Т. МАЛИТО. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2008-04-27.

Polymerization process with a partial disconnection stage

Номер патента: RU2682328C1. Автор: Эрих НОЙМАН,Дитер ЛИТМАН,Кристоф ВОЛЬФ,Юрген МОРБУТТЕР,Свен Вольфрам. Владелец: Базелл Полиолефин Гмбх. Дата публикации: 2019-03-19.

Procedure for zircon processing with production of zircon dioxide

Номер патента: RU2434956C2. Автор: Владимир Николаевич Рычков,Юрий Александрович Симонов,Владимир Андреевич Томашов,Александр Александрович Крицкий,Виктор Вячеславович Челпанов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2011-11-27.

Three dimensional image formation process

Номер патента: US5404807A. Автор: Toru Takemura. Владелец: Riso Kagaku Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Integrated fenton processes with ceramic membrane filtration for wastewater treatment

Номер патента: CA3228086A1. Автор: Wai On Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-04.

Baffled integrated denitrifying and decarbonizing device with anaerobic bio-nests and baffled integrated denitrifying and decarbonizing process with anaerobic bio-nests

Номер патента: US11724949B2. Автор: Zhigang Liu,Chengye LIU,Hongjun Dong,Zhiren Wu,Xiangtong ZHOU,Haipeng XI,Suying JIANG,Zhishui LIANG. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-08-15.

Sewage treatment process with magnetic sludge carbon carrier cooperated with standard upgrading and capacity improvement

Номер патента: US20220242769A1. Автор: HUI Li,Yufeng Wang,Ping Tian,Quan Tang,Weilong Zhuo,Yiru Shao. Владелец: Zhejiang Zone King Environmental Sci&tech Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Gas-phase polymerization process with wet zone

Номер патента: RU2652805C2. Автор: Джеффри Д. ГОУД,Дэниел Дж. КИСМАР,ЭГМОНД Ян В. ВАН. Владелец: У. Р. Грейс Энд Ко.- Конн.. Дата публикации: 2018-05-03.

Fluid bed coking process with decoupled coking zone and stripping zone

Номер патента: RU2664803C2. Автор: Бинг ДУ,Тимоти М. ХИЛИ,Фриц А. БЕРНАЦ,Йи Ен ХУАНГ,Зачери Роберт МАРТИН,Бренда Энн РЭЙЧ. Владелец: ЭкссонМобил Рисерч энд Энджиниринг Компани. Дата публикации: 2018-08-22.

Catalytic system, method of preparation thereof, and an elastomer production process with the use of this catalytic system

Номер патента: RU2268268C2. Автор: Филипп ЛОБРИ. Владелец: МИШЛЕН РЕШЕРШ Э ТЕКНИК С.А.. Дата публикации: 2006-01-20.

Method and apparatus for image processing with field portions

Номер патента: US4750211A. Автор: William R. Wray. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Fluid pressure reducer to be used in processes with high pressure drop factors

Номер патента: RU2453753C2. Автор: Эллен Карл ФЭЙГЕРЛУНД,Фредерик Уэйн КЭЙТРОН,Чарльз Лоуренс ДЕПЕННИНГ,Пол Тэйлор ЭЛМАН,Тед Деннис ГРАБО. Владелец: Фишер Контролз Интернешнэл Ллс. Дата публикации: 2012-06-20.

Method of primary information processing with the use of adaptive nonlinear filtration of data of measurements

Номер патента: RU2672392C1. Автор: Сергей Сергеевич Кукушкин,Валерий Иванович Кузнецов. Владелец: Сергей Сергеевич Кукушкин. Дата публикации: 2018-11-14.

Method of nickel production dump converter slags processing with production of semi-finished nickel for fabrication of "20хн2м" and "20н2м" steels

Номер патента: RU2514750C1. Автор: Роман Александрович Веселовский,Александр Александрович Веселовский. Владелец: Александр Александрович Веселовский. Дата публикации: 2014-05-10.

Method of under-level plasts' development processing with the binding of the established space

Номер патента: RU2644185C1. Автор: Олег Владиславович Любимов,Светлана Георгиевна Костюк,Николай Тимофеевич Бедарев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2018-02-08.

Continuous casting process with further rolling for making shaped metallic sections such as steel h-sections

Номер патента: RU2283203C2. Автор: Адольф ЦАЙБЕР,Томас ФЕСТ. Владелец: Смс Демаг Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2006-09-10.

Device for controlling engineering process with programmable digital-analogue interface, mounted in operation conditions

Номер патента: RU2363974C2. Автор: Роберт Дж. КАРШНИА,Маркос ПЕЛУЗО. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2009-08-10.

Method for simulation of calculus formation process from dental deposition solution analogue

Номер патента: RU2616251C2. Автор: Ольга Александровна Голованова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2017-04-13.

High temperature gasifying process with biomass and system thereof

Номер патента: CA2748678A1. Автор: Feng Zhao,Haiqing Zhang,Zhenhua Yao,Liping Cheng. Владелец: Wuhan Kaidi Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Esterification process with calcium hydroxybenzyl phosphonate-phenol sulfide catalyst system

Номер патента: CA1317284C. Автор: Jay R. Geib,John J. Windus. Владелец: Ciba Geigy AG. Дата публикации: 1993-05-04.

Reactors for conducting thermochemical processes with solar heat input, and associated systems and methods

Номер патента: CA2788433C. Автор: Roy E. McAlister. Владелец: McAlister Technologies LLC. Дата публикации: 2014-05-20.

Heat sterilized high protein compositions with hydrolyzed protein from a continuous process with at least one endopeptidase

Номер патента: US10820618B2. Автор: Marcel Braun,Nico Kreb,Kristine Mette SVEJE. Владелец: SOCIETE DES PRODUITS NESTLE SA. Дата публикации: 2020-11-03.

Read-write device for data processing with magnetic information carriers

Номер патента: US5148341A. Автор: Christian Fehrenbach,Gunter Ketterer,Wolfgang Schlassus. Владелец: Mannesmann AG. Дата публикации: 1992-09-15.

A method for hydrogen peroxide based chlorine dioxide production process with a vertical generator

Номер патента: CA2946017A1. Автор: LEI ZHAN,BINGGUI Huang,CUISHENG Xu,ZHONGPING Li,LANG Tan,Shuangfei Wang. Владелец: Guangxi Bossco Environmental Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

High temperature gasifying process with biomass and system thereof

Номер патента: CA2748678C. Автор: Feng Zhao,Haiqing Zhang,Zhenhua Yao,Liping Cheng. Владелец: Wuhan Kaidi Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

High temperature gasifying process with biomass and system thereof

Номер патента: CA2748677C. Автор: Feng Zhao,Hong Li,Qin Sun,Haiqing Zhang,Peng QIU. Владелец: Wuhan Kaidi Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Image-forming material and image formation process

Номер патента: US5631119A. Автор: Fumiaki Shinozaki. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-20.

Continuous drier on rotary offset printing presses and operation of such a drier during the printing and cylinder washing processes with the web running

Номер патента: US5060572A. Автор: Franz Waizmann. Владелец: Baldwin Gegenheimer GmbH. Дата публикации: 1991-10-29.

Anaerobic process with filtration procedure for treating wastewater at room temperature

Номер патента: US20190127251A1. Автор: Frank Rogalla,Jose Ferrer Polo,Josep Ribes Bertomeu,Aurora Seco Torrecillas,Jose Ramón VÁZQUEZ PADÍN,Emérita JIMÉNEZ DOUGLAS,Freddy DURÁN PINZÓN,Alberto Bouzas Blanco,María Victoria RUANO GARCÍA,Joaquín SERRALTA SEVILLA,Ángel ROBLES MARTÍNEZ,Juan Bautista GIMÉNEZ GARCÍA. Владелец: FCC Aqualia SA. Дата публикации: 2019-05-02.

Formation process for glossy surface

Номер патента: US8913942B2. Автор: Sadaaki Sakamoto,Go Yamaguchi,Akihiro Honya. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2014-12-16.

Formation process for glossy surface

Номер патента: US20140064809A1. Автор: Sadaaki Sakamoto,Go Yamaguchi,Akihiro Honya. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2014-03-06.

Heat sterilized high protein compositions with hydrolyzed protein from a continuous process with at least one endopeptidase

Номер патента: AU2023226625A1. Автор: Marcel Braun,Nico Kreb,Kristine Mette SVEJE. Владелец: Nestle SA. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for improving the reaction rate in gas hydrate formation processes

Номер патента: WO2012140270A1. Автор: Martin Foss,Lan Liu,Sven Nuland,Karin HALD. Владелец: INSTITUTT FOR ENERGITEKNIKK. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for preparing weathered coal-derived humic acid/urea-formaldehyde slow-release fertilizer granules by reactive extrusion process with depolymerization-activation-polycondensation trinity and fertilization method

Номер патента: US20240174578A1. Автор: PENG Gao,Yaqing Liu,Guizhe Zhao,Yingfang TONG. Владелец: Shanxi Zhongbei New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Device-invariant, frequency-domain signal processing with machine learning

Номер патента: WO2022177357A1. Автор: Li Zhu,JUN Gao,Jilong Kuang,Md Mahbubur RAHMAN,Korosh Vatanparvar,Tousif Ahmed,Mohsin Yusuf AHMED. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-08-25.

Spot welding process with metallic addition

Номер патента: US20170246704A1. Автор: Marcio Batista,Valdir Furlanetto,Sergio Duarte Brandi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for Improving the Reaction Rate in Gas Hydrate Formation Processes

Номер патента: US20140271433A1. Автор: Martin Foss,Lan Liu,Sven Nuland,Karin HALD. Владелец: Institutt for Energiteknikk IFE. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for improving the reaction rate in gas hydrate formation processes

Номер патента: EP2696960A1. Автор: Martin Foss,Lan Liu,Sven Nuland,Karin HALD. Владелец: Institutt for Energiteknikk IFE. Дата публикации: 2014-02-19.

Coal liquefaction process with improved slurry recycle system

Номер патента: CA1128889A. Автор: Norman L. Carr,Bruce K. Schmid. Владелец: Gulf Oil Corp. Дата публикации: 1982-08-03.

Air separation process with improved reboiler liquid cleaning circuit

Номер патента: CA2016668C. Автор: John Keller Howell,Ravindra Fulchand Pahade,John Harold Ziemer. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 1994-01-11.

Energy-efficient evaporation process with means for vapor recovery

Номер патента: CA1193570A. Автор: Ulrich Merten. Владелец: Bend Research Inc. Дата публикации: 1985-09-17.

Hydrocarbon reforming process with sulfur sensitive catalyst

Номер патента: CA1105868A. Автор: Thomas A. Collins,Andrew P. Voss. Владелец: Atlantic Richfield Co. Дата публикации: 1981-07-28.

Hydroprocessing process with improved catalyst activity

Номер патента: CA2805869C. Автор: Xiaochun Xu,Larry D. Swinney,Jianhua Yao,Dhananjay B. Ghonasgi. Владелец: Phillips 66 Co. Дата публикации: 2017-10-17.

Sorbic acid process with crystallization

Номер патента: CA1214184A. Автор: Richard C. Hallcher. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1986-11-18.

Multiple stage hydrodesulfurization process with extended downstream catalyst life

Номер патента: CA1088015A. Автор: John A. Paraskos,Robert D. Christman,Jordan S. Lasher,Stephen J. Yanik. Владелец: Gulf Research and Development Co. Дата публикации: 1980-10-21.

Delayed coking process with hydrotreated recycle

Номер патента: CA1135645A. Автор: Matthew C. Sooter,William H. Kegler,Lloyd G. Becraft. Владелец: Continental Oil Co. Дата публикации: 1982-11-16.

Hard coating process with sorbitol and products so-obtained

Номер патента: CA1168082A. Автор: Francis Devos,Michel Huchette,Guy Bussiere. Владелец: Roquette Freres SA. Дата публикации: 1984-05-29.

Rapid pressure swing adsorption process with high enrichment factor

Номер патента: CA1125186A. Автор: Russell L. Jones,Rex C. Wells,George E. Ii Keller. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1982-06-08.

Metathesis unit pretreatment process with formation of octene

Номер патента: US7459593B1. Автор: Steven L. Krupa,Jill M. Meister. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2008-12-02.

Metathesis unit pretreatment process with formation of octene

Номер патента: CA2740606C. Автор: Steven L. Krupa,Jill M. Meister. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2014-10-07.

Indirect heat retorting process with cocurrent and countercurrent flow of hydrocarbon-containing solids

Номер патента: CA1119545A. Автор: David S. Mitchell,David R. Sageman. Владелец: Chevron Research and Technology Co. Дата публикации: 1982-03-09.

High temperature gasifying process with biomass and system thereof

Номер патента: CA2748674C. Автор: Qin Sun,Shirong Zhang,Haiqing Zhang,Peng QIU,Shenghua Zheng. Владелец: Wuhan Kaidi Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Air separation process with improved reboiler liquid cleaning circuit

Номер патента: CA2016668A1. Автор: John Keller Howell,Ravindra Fulchand Pahade,John Harold Ziemer. Владелец: Union Carbide Industrial Gases Inc.. Дата публикации: 1990-11-15.

Urea granulation process with an acidic scrubbing system and the subsequent integration of ammonium salt into urea granules

Номер патента: CA2743488C. Автор: Matthias Potthoff,Harald Franzrahe,Paul Niehues,Roland Monstrey. Владелец: Uhde Fertilizer Technology BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Apparatus and method for advanced nitrogen and phosphorus removal of domestic sewage based on DEAMOX in AOAO process with sludge double-reflux

Номер патента: US11787716B2. Автор: Yan Feng,BO LIU,Lei Wu,Yongzhen Peng. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-10-17.

Circuit and method for asynchronous pipeline processing with variable request signal delay

Номер патента: US20120062300A1. Автор: Michael R. Ouellette,Jack R. Smith,Sebastian T. Ventrone,Faraydon Pakbaz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Multistage desalination process with carbon dioxide capture

Номер патента: US11814309B1. Автор: Muftah EL-NAAS,Ameera Mohammad,Ali H. Al-Marzouqi,Aya A. Mourad. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-14.

Video analytic processing with neuro-symbolic artificial intelligence

Номер патента: US11810351B2. Автор: Yi Yang,Srimat Chakradhar,Biplob Debnath,Neisarg Dave. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Group ivb metal processing with electric induction energy

Номер патента: EP2108050A1. Автор: Oleg S. Fishman. Владелец: Inductotherm Corp. Дата публикации: 2009-10-14.

Parallel processing with switch block execution

Номер патента: US20240078182A1. Автор: Peter Foley. Владелец: Ascenium Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Hydrocarbon reforming process with hydrocarbon having excessively high sulfur concentrations

Номер патента: CA1105869A. Автор: Thomas A. Collins,Andrew P. Voss. Владелец: Atlantic Richfield Co. Дата публикации: 1981-07-28.

Experimental apparatus and experimental method for physical modeling of fluid migration and accumulation process with contemporaneous structural deformation

Номер патента: US11874426B2. Автор: Xiaojun Wu,Yiquan Li,Dong Jia,Hanlin Chen,Shufeng Yang,Zhuxin Chen,Hongwei Yin,Guoai Xie,Yinqi Li,Jianying Yuan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Parallel processing with switch block execution

Номер патента: WO2024107390A1. Автор: Peter Foley. Владелец: Ascenium, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Video analytic processing with neuro-symbolic artificial intelligence

Номер патента: US20220114369A1. Автор: Yi Yang,Srimat Chakradhar,Biplob Debnath,Neisarg Dave. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Circuit for handling processing with outliers

Номер патента: EP4113278A1. Автор: Ali Shafiee Ardestani,Joseph HASSOUN,Hamzah Ahmed Ali Abdelaziz. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-04.

Multi-reactor slurry polymerisation processes with high ethylene purity

Номер патента: RU2672469C2. Автор: Герхардус МАЙЕР,Эльке ДАММ,Родриго КАРВАХАЛЬ,Фил ПАЙМАН,Рейнхард КУЭЛЬ. Владелец: Базелл Полиолефин Гмбх. Дата публикации: 2018-11-15.

Use of alkenyl (alkyl) oligoclycosides in processes with enhanced oil recovery

Номер патента: RU2528326C2. Автор: Джианхуа МАО,Лей ВАНГ. Владелец: Когниз АйПи Менеджмент ГмбХ. Дата публикации: 2014-09-10.

Perfected device for application of coating on particles by new process with help of airflow vortex generator

Номер патента: RU2542276C2. Автор: Душан ТЕСЛИЧ. Владелец: Бринокс, Д.О.О.. Дата публикации: 2015-02-20.

Extraction of aluminium oxide trihydrate in bayer process with application of scleroglucan

Номер патента: RU2581872C2. Автор: Цзин Ван,Райан Тревис ЧЕСТЕР,Джон Д. КИЛДИА,Генрих Э. БОДЕ,Сяоцзин Гарри ЛИ. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2016-04-20.

Biogas production process with enzymatic pre-treatment

Номер патента: WO2011092136A1. Автор: Hans Sejr Olsen. Владелец: NOVOZYMES A/S. Дата публикации: 2011-08-04.

Delayed coking process with pre-cracking reactor

Номер патента: RU2650925C2. Автор: Поноли Рамачандран ПРАДЕЕП,Терапалли Хари Венката Деви ПРАСАД,Сатьен Кумар ДАС,Дебасис БХАТТАЧХАРЬЯ,Раджеш,Бриджеш КУМАР,Бандару Венката ХАРИПРАСАДГУПТА,Джагдев Кумар ДИКСИТ,Гаутам ТХАПА,Бисваприя ДАС. Владелец: Индийская Нефтяная Корпорация Лимитэд. Дата публикации: 2018-04-18.

Wastewater treatment process with cooperating velocity equalization, aeration and decanting means

Номер патента: US5186821A. Автор: D. Thomas Murphy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-02-16.

Air separation process with turbine exhaust desuperheat

Номер патента: CA1173737A. Автор: Ravindra F. Pahade. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1984-09-04.

Alkylation process with improved octane number

Номер патента: CA3054985C. Автор: Emanuel Hermanus Van Broekhoven,Ruben Theodoor Pronk,Jackeline Medina. Владелец: LUMMUS TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2022-03-01.

Casting process with forced and controlled vortex at sprue intake

Номер патента: GB2284168A. Автор: John Campbell,Tomoo Isawa. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1995-05-31.

Steelmaking process with separate refining steps

Номер патента: CA1166018A. Автор: HIROKI Goto,Hiroyuki Nakashima,Morihiro Sumida. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Agroindustrial process with minimal environmental impact

Номер патента: EP3346823A1. Автор: Gian Paolo Rolli. Владелец: Industrie Rolli Alimentari SpA. Дата публикации: 2018-07-18.

Reengineering event-driven field processes with a self-managed team approach

Номер патента: US20080183513A1. Автор: Brian Keedwell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-31.

Testing system for the operation of the tightness seal and bell of a pvc-type plastic material pipe, obtained by a forming process with integrated seal

Номер патента: EP2793011A1. Автор: Claudio Argnani. Владелец: IPM SRL. Дата публикации: 2014-10-22.

Fluidized catalytic cracking process with improved cycle gas oil stripping

Номер патента: CA1085332A. Автор: Dale Williams,Frederick C. Jahnke,James H. Colvert. Владелец: Texaco Development Corp. Дата публикации: 1980-09-09.

Thermal transfer printing processes with electroerosion and materials therefor

Номер патента: CA1212581A. Автор: Ari Aviram,Mitchell S. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-10-14.

Water treatment system and method using high pressure advanced oxidation process with unreacted ozone reusing

Номер патента: US8926842B2. Автор: Jong Seob Shim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-06.

Carbon dioxide recycle stream processing with ethylene glycol dehydrating in an enhanced oil recovery process

Номер патента: CA3129379C. Автор: Eric Prim,Mark Mathias. Владелец: Pilot Energy Solutions LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Query processing with restrictions in a database clean room

Номер патента: US11928115B2. Автор: Justin Langseth,Michael Earle Rainey,Rachel Frances Blum. Владелец: Snowflake Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Pressure control system for providing a pressure to be applied to a patient during a pre-interventional imaging process with an imaging system

Номер патента: US11812919B2. Автор: Alois Regensburger,Gregor Niewalda. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2023-11-14.

System for distributed data processing with automatic caching at various system levels

Номер патента: US20170235676A1. Автор: Erin Cassell,Shawn Cart Gunsolley,Marshall Bright Thompson,Siva Shankar Potla,Adam Nathaniel Desautels,Jeffrey Scott Poore. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

System for distributed data processing with auto-recovery

Номер патента: US20170235610A1. Автор: Erin Cassell,Shawn Cart Gunsolley,Marshall Bright Thompson,Siva Shankar Potla,Adam Nathaniel Desautels,Jeffrey Scott Poore. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Automated claim processing with endnote hierarchy

Номер патента: US20220067840A1. Автор: Woon Kim,Susan Englehart,Michele Hibbert,Miriam Encarnacion,Vicki Dunbar,Valerie Lindgren. Владелец: Mitchell International Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method and device for measuring the depth of the vapor capillary during a machining process with a high energy beam

Номер патента: CA3020046C. Автор: Christoph Dietz,Martin SCHÖNLEBER. Владелец: PRECITEC OPTRONIK GMBH. Дата публикации: 2024-01-02.

Multi-threaded processing with reduced context switching

Номер патента: WO2009023461A1. Автор: John P. Bates. Владелец: SONY COMPUTER ENTERTAINMENT INC.. Дата публикации: 2009-02-19.

Integration of plasma and hydrogen process with combined cycle power plant and steam reformers

Номер патента: CA2937867C. Автор: Peter L. Johnson,Robert J. Hanson,Roscoe W. Taylor. Владелец: Monolith Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Arithmetic processing device and system to realize multi-layer convolutional neural network circuit to perform process with fixed-point number format

Номер патента: US11537839B2. Автор: Kosuke Tatsumura,Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Scheduling multiple processes with varying delay sensitivity

Номер патента: US11726817B2. Автор: Jered J. Floyd,Ali Ok. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

System, method, and computer program product for multispectral image processing with spiking dynamics

Номер патента: US9111182B1. Автор: Suhas E. Chelian,Narayan Srinivasa. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2015-08-18.

Method and system of image processing with multi-skeleton tracking

Номер патента: US20240161316A1. Автор: Yikai Fang,Longwei FANG,Hongzhai Tao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Scheduling multiple processes with varying delay sensitivity

Номер патента: US20220100572A1. Автор: Jered J. Floyd,Ali Ok. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Arithmetic processing device and system to realize multi-layer convolutional neural network circuit to perform process with fixed-point number format

Номер патента: US20190279071A1. Автор: Kosuke Tatsumura,Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Scheduling multiple processes with varying delay sensitivity

Номер патента: US20230333890A1. Автор: Jered J. Floyd,Ali Ok. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Neural network processing with quantization

Номер патента: WO2024121620A1. Автор: Amit Weizner,Mattan WINAVER. Владелец: Mobileye Vision Technologies Ltd.. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for handling processing with sparse weights and outliers

Номер патента: US20240192922A1. Автор: Joseph H. Hassoun,Ali Shafiee Ardestani,Hamzah Ahmed Ali Abdelaziz,Ardavan PEDRAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING WITH CRITICAL DIMENSION CONTROL OF WAFER SECTION USING BOUNDARY POINT DETECTION.

Номер патента: FR2678426A1. Автор: Daniel A Corliss. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1992-12-31.

SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING WITH CRITICAL DIMENSION CONTROL OF WAFER SECTION USING BOUNDARY POINT DETECTION.

Номер патента: FR2678426B1. Автор: Daniel A Corliss. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1995-05-19.

Photolithographic critical dimension control using reticle measurements

Номер патента: WO2003048857A1. Автор: Jed H. Rankin,Andrew J. Watts,John S. Smyth,Crain E. Schneider. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-06-12.

Partition migration with critical task prioritization

Номер патента: US12050930B2. Автор: Bret R. Olszewski,Peter J. Heyrman,Arnold Flores,Tommy Tse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Water application device with critical area protectors

Номер патента: EP3119527A1. Автор: Reiner Frey,Edmond Wenzel,Benjamin Asal,Matthias MÜLLER-BRAUN. Владелец: HUSQVARNA AB. Дата публикации: 2017-01-25.

Dynamic memory power capping with criticality awareness

Номер патента: WO2018052520A1. Автор: Yasuko ECKERT. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2018-03-22.

Optical system with correcting structure for producing product structure for substrate, with critical dimension and lithographic appliance

Номер патента: DE10223249A1. Автор: Albrecht Ehrmann,Jenspeter Rau,Thomas Schaetz,Frank-Michael Kamm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Scheduling execution contexts with critical regions

Номер патента: US09304831B2. Автор: William R. Messmer. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-04-05.

Systems and methods for monitoring a surgical procedure with critical regions

Номер патента: US09901356B2. Автор: Feimo Shen,In K. MUN,Denise A. MILLER,Bryan Z. Wei,James P. Morash. Владелец: Think Surgical Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Photomask frame modification to eliminate process induced critical dimension control variation

Номер патента: US20030008221A1. Автор: Wilman Tsai,Jeff Farnsworth,Frederick Chen,Marilyn Kamna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Method Of Critical Dimension Control By Oxygen And Nitrogen Plasma Treatment In Euv Mask

Номер патента: US20240264520A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Chun-Fu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and methods for monitoring a surgical procedure with critical regions

Номер патента: EP2969410A1. Автор: Feimo Shen,In K. MUN,Denise A. MILLER,Bryan Z. Wei,James P. Morash. Владелец: Think Surgical Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Anti-filling liquid e.g. alcohol, device for bottle, has external opening with small dimension which is low to determined critical dimension, and internal opening with small dimension which is higher to critical dimension

Номер патента: FR2909978A1. Автор: Jacques Granger,Jean Marie Bourreau. Владелец: Alcan Packaging Capsules SAS. Дата публикации: 2008-06-20.

METHOD AND A SYSTEM FOR MANAGING TIME-CRITICAL EVENTS ASSOCIATED WITH CRITICAL DEVICES

Номер патента: US20200211718A1. Автор: Ramachandra Iyer Manjunath,Sundaram Murugeshan Meenakshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Lime device is criticized with criticizing to black brick wall

Номер патента: CN111962888B. Автор: 陈来. Владелец: Anhui Qiansheng Construction Engineering Co ltd. Дата публикации: 2022-01-25.

Explosion Indicators For Use In Explosion-Proof Enclosures With Critical Equipment

Номер патента: US20100242830A1. Автор: Joseph Michael Manahan. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2010-09-30.

Optical sensing with critically coupled planar waveguide with optional integration of layered two-dimensional materials

Номер патента: US20180106724A1. Автор: Feng Wang,Jason Horng,Halleh B. Balch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-04-19.

Method of Critical Dimension Control by Oxygen and Nitrogen Plasma Treatment in EUV Mask

Номер патента: US20210033960A1. Автор: Lee Hsin-Chang,Hsu Pei-Cheng,Lien Ta-Cheng,Yang Chun-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Critical Dimension Control in Photo-Sensitized Chemically-Amplified Resist

Номер патента: US20160048080A1. Автор: deVilliers Anton J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

DEVELOPER CRITICAL DIMENSION CONTROL WITH PULSE DEVELOPMENT

Номер патента: US20200089188A1. Автор: Tang Hao,Xu Yongan,Johnson Richard C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

DEVELOPER CRITICAL DIMENSION CONTROL WITH PULSE DEVELOPMENT

Номер патента: US20190121316A1. Автор: Tang Hao,Xu Yongan,Johnson Richard C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

CRITICAL DIMENSION CONTROL BY USE OF PHOTO-SENSITIZED CHEMICALS OR PHOTO-SENSITIZED CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST

Номер патента: US20170329229A1. Автор: deVilliers Anton J.,Carcasi Michael A.. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2017-11-16.

Critical dimension control by use of photosensitive chemicals or photosensitive chemically amplified resists

Номер патента: KR102475021B1. Автор: 안톤 제이. 데빌리어스,마이클 에이. 카르카시. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-12-06.

Critical dimension control during template formation

Номер патента: US8545709B2. Автор: Sidlgata V. Sreenivasan,Michael N. Miller,Dwayne L. LaBrake,Frank Y. Xu,Niyaz Khusnatdinov,Cynthia B. Brooks,David James Lentz. Владелец: Canon Nanotechnologies Inc. Дата публикации: 2013-10-01.

Critical dimension control of printed features using non-printing fill patterns

Номер патента: US7074525B2. Автор: Shahid Butt,Timothy Allan Brunner,Chung-Hsi J. Wu,Patrick Speno. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-11.

Critical dimension control during template formation

Номер патента: TW200940323A. Автор: Sidlgata V Sreenivasan,Niyaz Khusnatdinov,David James Lentz,Cynthia B Brooks,Dwayne L Labrake,Michael N Miller,Frank Y Xu. Владелец: Molecular Imprints Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Critical dimension control in photo-sensitized chemically-amplified resist

Номер патента: WO2016025210A1. Автор: Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2016-02-18.

Critical dimension control using photosensitive chemicals or photosensitive chemically amplified resists

Номер патента: CN109313394B. Автор: 安东·J·德维利耶,迈克尔·A·卡尔卡西. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-02.

Critical dimension control by use of photo-sensitized chemicals or photo-sensitized chemically amplified resist

Номер патента: TW201809881A. Автор: 安東 Ｊ 德維利耶,麥可 Ａ 卡卡希. Владелец: 東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-16.

Method Of Critical Dimension Control By Oxygen And Nitrogen Plasma Treatment In Euv Mask

Номер патента: US20230280645A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Chun-Fu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of critical dimension control by oxygen and nitrogen plasma treatment in EUV mask

Номер патента: US11960201B2. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Chun-Fu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

CRITICAL DIMENSION MEASUREMENT SYSTEM AND METHOD OF MEASURING CRITICAL DIMENSIONS USING SAME

Номер патента: US20210055648A1. Автор: Lee Hyung Joo,PARK WON JOO,CHOI SEUK HWAN,NAM DONG SEOK,HAN YOON TAEK. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

CRITICAL DIMENSION MEASUREMENT SYSTEM AND METHOD OF MEASURING CRITICAL DIMENSIONS USING SAME

Номер патента: US20190094684A1. Автор: Lee Hyung Joo,PARK WON JOO,CHOI SEUK HWAN,HAN YOON TAEK,Nam Song Seok. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

CO-MODELING POST-LITHOGRAPHY CRITICAL DIMENSIONS AND POST-ETCH CRITICAL DIMENSIONS WITH MULTI-TASK NEURAL NETWORKS

Номер патента: US20190377847A1. Автор: De Silva Ekmini A.,Sha Jing,Dunn Derren N.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Method for measuring the characteristic dimensions of semiconductor structures, whereby generation of measurement step quality parameters allows critical dimension measurements to be improved and rejects reduced

Номер патента: DE10147880A1. Автор: Sebastian Schmidt,Oliver Broermann,Diana Mattiza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-10.

critical dimension measuring method and image processing device for measuring critical dimension

Номер патента: CN110553581A. Автор: 黄靖雅,洪佐桦. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Co-modeling post-lithography critical dimensions and post-etch critical dimensions with multi-task neural networks

Номер патента: US10579764B2. Автор: Derren N. Dunn,Ekmini A. De Silva,Jing Sha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Critical dimension measuring method and image processing device for measuring critical dimension

Номер патента: CN110553581B. Автор: 黄靖雅,洪佐桦. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-14.

Try-on apparel for use in manufacturing custom made garments having critical dimensions of predetermined size and apparatus comprising the apparels and a dimension storage system

Номер патента: NZ314559A. Автор: Sung K Park,Bethe M Palmer,Gerald S Ruderman. Владелец: Custom Clothing Tech Corp. Дата публикации: 1998-01-26.

PREDICTION ON THE BASIS OF THE MODEL IN A SET OF FILTERS WITH CRITICAL DISCRETIZATION

Номер патента: RU2015127216A. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2017-01-16.

PREDICTION ON THE BASIS OF THE MODEL IN A SET OF FILTERS WITH CRITICAL DISCRETIZATION

Номер патента: RU2017134071A. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of superconductor preparation with critical temperature above 30 k

Номер патента: CS404087A1. Автор: Pavel Ing Csc Diko,Kornel Rndr Csc Csach,Stefan Ing Csc Molokac,Vladimir Ml Ing Csc Hajko. Владелец: Vladimir Ml Ing Csc Hajko. Дата публикации: 1989-08-14.

Method of superconductor preparation with critical temperature above 30k

Номер патента: CS469987A1. Автор: Vladimir Ing Csc Hajko,Pavel Ing Csc Diko,Kornel Rndr Csc Csach,Stefan Ing Csc Molokac. Владелец: Stefan Ing Csc Molokac. Дата публикации: 1990-03-14.

Method of superconductor preparation with critical temperature above 30k

Номер патента: CS271520B1. Автор: Vladimir Ing Csc Hajko,Pavel Ing Csc Diko,Kornel Rndr Csc Csach,Stefan Ing Csc Molokac. Владелец: Stefan Ing Csc Molokac. Дата публикации: 1990-10-12.

Method of superconductor preparation with critical temperature above 30 k

Номер патента: CS268564B1. Автор: Pavel Ing Csc Diko,Kornel Rndr Csc Csach,Stefan Ing Csc Molokac,Vladimir Ml Ing Csc Hajko. Владелец: Vladimir Ml Ing Csc Hajko. Дата публикации: 1990-03-14.

Stereoscopic endoscope with critical structure depth estimation

Номер патента: US12075984B2. Автор: Robert M. Trusty,Dillon C. Karg. Владелец: Cilag GmbH International. Дата публикации: 2024-09-03.

Wide adder with critical path of three gates

Номер патента: TW200405197A. Автор: Nghia Van Phan,David Arnold Luick,David Michael Friend. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-04-01.

Wide adder with critical path of three gates

Номер патента: TWI299134B. Автор: Michael Friend David,Arnold Luick David,Van Phan Nghia. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2008-07-21.

Ranking-based training of classification model for use with critical rare cases

Номер патента: US20240161008A1. Автор: He Zhao,Mengyao ZHAI,Frederick TUNG,Kiarash Mohammadi. Владелец: ROYAL BANK OF CANADA. Дата публикации: 2024-05-16.

Ranking-based training of classification model for use with critical rare cases

Номер патента: CA3217232A1. Автор: He Zhao,Mengyao ZHAI,Frederick TUNG,Kiarash Mohammadi. Владелец: ROYAL BANK OF CANADA. Дата публикации: 2024-05-11.

Acid and alkali resistant Ni—Cr—Mo—Cu alloys with critical contents of chromium and copper

Номер патента: US09938609B2. Автор: Paul Crook,Vinay P. Deodeshmukh. Владелец: Haynes International Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

In-situ gas-measuring system for gas reactors with critical environments

Номер патента: US09915605B2. Автор: Patrick SCHMIDT-KAEDING. Владелец: Draeger Safety AG and Co KGaA. Дата публикации: 2018-03-13.

Evolving serial comparison system with critical alert notifications

Номер патента: US09408550B2. Автор: Alan Risse,James Stanczak,Russell Deremer. Владелец: Epiphany Cardiography Products LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

DYNAMIC MEMORY POWER CAPPING WITH CRITICALITY AWARENESS

Номер патента: US20190065243A1. Автор: Eckert Yasuko. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Optical sensing with critically coupled planar waveguide with optional integration of layered two-dimensional materials

Номер патента: US20180106724A1. Автор: Feng Wang,Jason Horng,Halleh B. Balch. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-04-19.

Systems and methods for monitoring a surgical procedure with critical regions

Номер патента: US20180228501A1. Автор: Feimo Shen,In K. MUN,Denise A. MILLER,Bryan Z. Wei,James P. Morash. Владелец: Think Surgical Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

IN-SITU GAS-MEASURING SYSTEM FOR GAS REACTORS WITH CRITICAL ENVIRONMENTS

Номер патента: US20170268992A1. Автор: SCHMIDT-KAEDING Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Acid and Alkali Resistant Ni-Cr-Mo-Cu Alloys with Critical Contents of Chromium and Copper

Номер патента: US20160289799A1. Автор: Paul Crook,Vinay P. Deodeshmukh. Владелец: Haynes International Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

BACK POWER PROTECTION (BPP) IN A SYSTEM ON A CHIP (SOC) WITH CRITICAL SIGNALING SCHEME

Номер патента: US20190317579A1. Автор: Wietfeldt Richard Dominic,Tan Chiew-Guan,MISHRA Lalan Jee,Tu Alex Kuang-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

PROJECT MANAGEMENT WITH CRITICAL PATH SCHEDULING AND RELEASING OF RESOURCES

Номер патента: US20160364674A1. Автор: Macatangay Lee Mark. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

MAGNETIC PARTICLES WITH CRITICAL SOLUTION TEMPERATURE IN LOWER AREA

Номер патента: DE60138195D1. Автор: Kazunori Kataoka,Noriyuki Ohnishi,Hirotaka Furukawa,Katsuhiko Ueno. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2009-05-14.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: US6477857B2. Автор: Hiroshi Ishikawa,Hirotsugu Takeuchi,Kazuhisa Makida,Yoshitaka Kume,Kunio Iritani,Satoshi Nomura,Hisayoshi Sakakibara,Makoto Ikegami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2002-11-12.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: KR100413095B1. Автор: 다케우치히로츠구,마키다가주히사,구메요시타카,이시카와히로시,이리타니구니오,노무라사토시,사카키바라히사요시,이케가미마코토. Владелец: 가부시키가이샤 덴소. Дата публикации: 2003-12-31.

Scavenge pipe circulation system with critical refrigerant pressure

Номер патента: CN1313786C. Автор: 池上真,石川浩,武内裕嗣,牧田和久,久米祥隆,入谷邦夫,野村哲,榊原久介. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: KR20010092335A. Автор: 다케우치히로츠구,마키다가주히사,구메요시타카,이시카와히로시,이리타니구니오,노무라사토시,사카키바라히사요시,이케가미마코토. Владелец: 오카베 히로무. Дата публикации: 2001-10-24.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: EP1589301A2. Автор: Hirotsugu Denso Corporation IPD Takeuchi,Kazuhisa Denso Corporation IPD Makida,Yoshitaka Denso Corporation IPD Kume,Hiroshi Denso Corporation IPD Ishikawa,Kunio Denso Corporation IPD Iritani,Satoshi Denso Corporation IPD Nomura,Hisayoshi Denso Corporation IPD Sakakibara,Makoto Denso Corporation IPD Ikegami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-10-26.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: US20020184903A1. Автор: Hiroshi Ishikawa,Hirotsugu Takeuchi,Kunio Iritani. Владелец: Kunio Iritani. Дата публикации: 2002-12-12.

Stable liquid cleaning compositions with critical window of hydrogenated triglyceride oils

Номер патента: DE202011110828U1. Автор: . Владелец: Unilever NV. Дата публикации: 2016-08-26.

USE OF POLYMERS WITH CRITICAL TEMPERATURE OF THE LCST OR UCST TYPE IN AND FOR THE MANUFACTURE OF COSMETIC OR DERMATOLOGICAL FORMULATIONS COMPOSITIONS CONTAINING THEM

Номер патента: FR2759286A1. Автор: Nathalie Mougin. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1998-08-14.

Sulfidation-resistant Co-Cr-Ni alloy with critical contents of silicon and cobalt

Номер патента: US4711763A. Автор: George Y. Lai. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 1987-12-08.

Laboratory fume chamber, for working with critical chemicals and gases, has fresh air inflow into working zone at sliding front and through side wall slits, to prevent any backflow into ambient atmosphere

Номер патента: DE10338284A1. Автор: Bernd Schubert,Jürgen Sippel. Владелец: RENGGLI AG ROTKREUZ E. Дата публикации: 2004-03-04.

Cleaning of hydrocarbon-containing materials with critical and supercritical solents

Номер патента: CA2436821A1. Автор: Ian Tunnicliffe,Raymond Mt. Joy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Ultrasound mediated delivery with critical-organ protection

Номер патента: EP2744560B1. Автор: Ralf Seip,Balasundar Iyyavu Raju,Christopher Stephen Hall,Todd Nicholas ERPELDING. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2020-06-17.

OPTICAL FIBER FORMATION PROCESS, OPTICAL FIBER FORMATION PROCESS WITH POLARIZATION RETENTION CHARACTERISTICS AND OPTICAL FIBER FORMATION PROCESS WITH MULTIPLE LIGHT TRANSMITTING CENTERS

Номер патента: BR8406646A. Автор: George Edward Berkey. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1985-10-15.

Method and apparatus for performing a function in a process plant using monitoring data with criticality evaluation data

Номер патента: CN101273314A. Автор: 史蒂芬·阿姆斯通,斯科特·N·霍克尼斯,奥古斯丁·迪乔瓦尼. Владелец: Rosemount Inc. Дата публикации: 2008-09-24.

IR image converter producing visible image - has anisotropic crystal with critical phase matching between right angle and polarised rays

Номер патента: DE2833238A1. Автор: Ludger Ing Grad Grage,Wolfgang Dipl Phys Niemz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-02-14.

Ultrasound mediated delivery with critical-organ protection.

Номер патента: MX347548B. Автор: Seip Ralf,Stephen Hall Christopher,Iyyavu Raju Balasundar,Nicholas Erpelding Todd. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device configured to reduce current consumption associated with critical evaluating of data write operations

Номер патента: US20090067259A1. Автор: Ki Chon PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

LIQUID SOAP PERSONAL CLEANER WITH CRITICAL THERMAL CYCLE STABILIZING SYSTEM.

Номер патента: MX9200955A. Автор: Richard Michael Girardot,Kathleen Grieshop Baier,Efrain Torres,Neil Archibald Macgilp. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 1992-09-01.

Cleaning of hydrocarbon-containing materials with critical and supercritical solvents

Номер патента: WO2003063998A8. Автор: Ian Tunnicliffe,Joy Raymond Mt. Владелец: Lobo Liquids Llc. Дата публикации: 2003-11-13.

Acid and alkali resistant ni-cr-mo-cu alloys with critical contents of chromium and copper

Номер патента: KR102169790B1. Автор: 폴 크룩,비나이 피. 데오데쉬무크. Владелец: 헤인스 인터내셔널, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-10-27.

A method of reducing mortality and morbidity associated with critical illnesses

Номер патента: CN1561224A. Автор: S·埃芬迪克,J·A·亚库波夫斯基. Владелец: Eli Lilly and Co. Дата публикации: 2005-01-05.

Method and system for tissue treatment with critical/supercritical carbon dioxide

Номер патента: US20220017868A1. Автор: Guobao Wei,Mark Decaro. Владелец: WARSAW ORTHOPEDIC INC. Дата публикации: 2022-01-20.

Back power protection (bpp) in a system on a chip (soc) with critical signaling scheme

Номер патента: US20190317579A1. Автор: Richard Dominic Wietfeldt,Lalan Jee Mishra,Chiew-Guan Tan,Alex Kuang-Hsuan Tu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of high-temperature superconductors with critical temperature's high value preparation

Номер патента: CS274934B2. Автор: Frantisek Doc Rndr Ing D Hanic,Milan Ing Csc Jergel,Stefan Ing Csc Chromik,Gustav Rndr Csc Plesch. Владелец: Ustav Anorganickej Chemie Sav. Дата публикации: 1991-12-17.

Method and system for tissue treatment with critical/supercritical carbon dioxide

Номер патента: US20180044639A1. Автор: Guobao Wei,Mark Decaro. Владелец: WARSAW ORTHOPEDIC INC. Дата публикации: 2018-02-15.

Manufacturing process of aluminum support for planographic printing plate, aluminum support for planographic printing plate, planographic printing plate material and image formation process

Номер патента: US20050199505A1. Автор: Hiroshi Takagi. Владелец: Konica Minolta Medical and Graphic Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Acid and Alkali Resistant Ni-Cr-Mo-Cu Alloys with Critical Contents of Chromium and Copper

Номер патента: US20140044587A1. Автор: Crook Paul,Deodeshmukh Vinay. Владелец: HAYNES INTERNATIONAL, INC.. Дата публикации: 2014-02-13.

METHOD AND SYSTEM FOR TISSUE TREATMENT WITH CRITICAL/SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE

Номер патента: US20220017868A1. Автор: Wei Guobao,DeCaro Mark. Владелец: Warsaw Orthopedic, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

SYSTEMS AND METHODS FOR MONITORING A SURGICAL PROCEDURE WITH CRITICAL REGIONS

Номер патента: US20160030115A1. Автор: Mun In K.,SHEN Feimo,Miller Denise A.,Wei Bryan Z.,Morash James P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

METHOD AND SYSTEM FOR TISSUE TREATMENT WITH CRITICAL/SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE

Номер патента: US20180044639A1. Автор: Wei Guobao,DeCaro Mark. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Evolving Serial Comparison System with Critical Alert Notifications

Номер патента: US20150133805A1. Автор: Stanczak James,Deremer Russell,Risse Alan. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

TREATMENT STRATEGIES AGAINST ANTHRAX BY INTERFERING WITH CRITICAL HOST FACTORS

Номер патента: US20200123545A1. Автор: Zeng Mingtao,Wu Lihong. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

METHOD AND SYSTEM FOR TISSUE TREATMENT WITH CRITICAL/SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE

Номер патента: US20190367878A1. Автор: Wei Guobao,DeCaro Mark. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: US20010025499A1. Автор: Hiroshi Ishikawa,Hirotsugu Takeuchi,Kazuhisa Makida,Yoshitaka Kume,Kunio Iritani,Satoshi Nomura,Hisayoshi Sakakibara,Makoto Ikegami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: US6574987B2. Автор: Hiroshi Ishikawa,Hirotsugu Takeuchi,Kunio Iritani. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: EP1589301B1. Автор: Hirotsugu Denso Corporation IPD Takeuchi,Kazuhisa Denso Corporation IPD Makida,Yoshitaka Denso Corporation IPD Kume,Hiroshi Denso Corporation IPD Ishikawa,Kunio Denso Corporation IPD Iritani,Satoshi Denso Corporation IPD Nomura,Hisayoshi Denso Corporation IPD Sakakibara,Makoto Denso Corporation IPD Ikegami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-06-14.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: AU747941B2. Автор: Hiroshi Ishikawa,Hirotsugu Takeuchi,Kazuhisa Makida,Yoshitaka Kume,Kunio Iritani,Satoshi Nomura,Hisayoshi Sakakibara,Makoto Ikegami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: EP1134517B1. Автор: Hiroshi Ishikawa,Hirotsugu Takeuchi,Kazuhisa Makida,Yoshitaka Kume,Kunio Iritani,Satoshi Nomura,Hisayoshi Sakakibara,Makoto Ikegami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-07-26.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: EP1134517A3. Автор: Hiroshi Ishikawa,Hirotsugu Takeuchi,Kazuhisa Makida,Yoshitaka Kume,Kunio Iritani,Satoshi Nomura,Hisayoshi Sakakibara,Makoto Ikegami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2002-07-10.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: EP1134517A2. Автор: Hiroshi Ishikawa,Hirotsugu Takeuchi,Kazuhisa Makida,Yoshitaka Kume,Kunio Iritani,Satoshi Nomura,Hisayoshi Sakakibara,Makoto Ikegami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2001-09-19.

Ejector cycle system with critical refrigerant pressure

Номер патента: EP1589301A3. Автор: Hirotsugu Denso Corporation IPD Takeuchi,Kazuhisa Denso Corporation IPD Makida,Yoshitaka Denso Corporation IPD Kume,Hiroshi Denso Corporation IPD Ishikawa,Kunio Denso Corporation IPD Iritani,Satoshi Denso Corporation IPD Nomura,Hisayoshi Denso Corporation IPD Sakakibara,Makoto Denso Corporation IPD Ikegami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2006-03-22.

Scavenge pipe circulation system with critical refrigerant pressure

Номер патента: CN1316636A. Автор: 池上真,石川浩,武内裕嗣,牧田和久,久米祥隆,入谷邦夫,野村哲,榊原久介. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2001-10-10.

Method and de-icer for preventing ice formation on car windscreen includes detection of ice presence, and actuation of wiper motor and windscreen heater after comparison with critical temperature

Номер патента: FR2789035A1. Автор: Denis Deberne,Jack Shitter. Владелец: Valeo Systemes dEssuyage SAS. Дата публикации: 2000-08-04.

USE OF POLYMERS WITH CRITICAL TEMPERATURE OF THE LCST OR UCST TYPE IN AND FOR THE MANUFACTURE OF COSMETIC OR DERMATOLOGICAL FORMULATIONS COMPOSITIONS CONTAINING THEM

Номер патента: FR2759286B1. Автор: Nathalie Mougin. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2004-04-02.

Method of associating timing violations with critical structures in an integrated circuit design

Номер патента: US20060101363A1. Автор: Gregory Pierce,Randall Fry,Juergen Lahner. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

FLUID VEIN REGULATOR WITH CRITICAL DIFFERENTIAL PRESSURE TEST.

Номер патента: FR2904987A1. Автор: Thomas Jean Marie Rauzy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-22.

Stereoscopic endoscope with critical structure depth estimation

Номер патента: US20230020780A1. Автор: Robert M. Trusty,Dillon C. Karg. Владелец: Cilag GmbH International. Дата публикации: 2023-01-19.

Treatment strategies against anthrax by interfering with critical host factors

Номер патента: US11946047B2. Автор: Lihong Wu,Mingtao Zeng. Владелец: Texas Tech University System. Дата публикации: 2024-04-02.

Stereoscopic endoscope with critical structure depth estimation

Номер патента: EP4228492A1. Автор: Robert M. Trusty,Dillon C. Karg. Владелец: Cilag GmbH International. Дата публикации: 2023-08-23.

Stereoscopic endoscope with critical structure depth estimation

Номер патента: WO2023285960A1. Автор: Robert M. Trusty,Dillon C. Karg. Владелец: Cilag GmbH International. Дата публикации: 2023-01-19.

Flexible penetration resistant composite materials structure with critical gap geometry in a solids layer

Номер патента: EP1682348A4. Автор: Charles A Howland. Владелец: Warwick Mills Inc. Дата публикации: 2010-04-14.

Method and system for tissue treatment with critical/supercritical carbon dioxide

Номер патента: US20190367878A1. Автор: Guobao Wei,Mark Decaro. Владелец: WARSAW ORTHOPEDIC INC. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for forming a critical dimension test structure and its use

Номер патента: TW448338B. Автор: Kazuo Ushida,Kyoichi Suwa,Ilya Grodnensky,Eric R Johnson. Владелец: Nikon Prec Inc. Дата публикации: 2001-08-01.

Method and device to improve the uniformity of critical dimensions among different patterns of semiconductor devices

Номер патента: TW200522149A. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-01.

Critical dimension optimisation in lithography

Номер патента: EP1517189A3. Автор: Todd David HIAR,Theodore Allen Paxton,Wim Tijibbo Tel,Todd J. David. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2006-02-15.

Adaptive lithographic critical dimension enhancement

Номер патента: TWI245976B. Автор: Wim Tjibbo Tel,Todd David HIAR,Theodore Allen Paxton,Todd J Davis. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2005-12-21.

Transmission X-ray critical dimension (T-XCD) characterization of shift and tilt of stacks of high-aspect-ratio (HAR) structures

Номер патента: US11761913B2. Автор: Matthew Wormington,Paul Anthony Ryan,Adam Ginsburg,Mark James Vermeulen. Владелец: Bruker Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Adaptive lithographic critical dimension enhancement

Номер патента: SG110201A1. Автор: Wim Tjibbo Tel,Todd David HIAR,Theodore Allen Paxton,Todd J Davis. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2005-04-28.

New Surface Treatment Method for Dielectric Anti-Reflective Coating (DARC) to Shrink Photoresist Critical Dimension (CD)

Номер патента: US20170371247A1. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method and apparatus for improving critical dimension variation

Номер патента: US20240295831A1. Автор: Chi-Hung Liao,Jhun Hua CHEN,Ming-Hsun LIN,Yu-Hsiang HO,Teng Kuei CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Critical dimension uniformity

Номер патента: US11763057B2. Автор: Chi-Ming Tsai,Chi-Ta Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Modeling critical-dimension (CD) scanning-electron-microscopy (CD-SEM) CD extraction

Номер патента: TW201113931A. Автор: qiao-lin Zhang. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2011-04-16.

Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask

Номер патента: TW516096B. Автор: David H Ziger. Владелец: Konink Philips Electronic Nv. Дата публикации: 2003-01-01.

Ecological and sustainable indigo dyeing process with less water

Номер патента: WO2019045660A3. Автор: Fatih ÇAM,Ali CIFCI,Umit Can KILIC. Владелец: Orta Anadolu Ticaret Ve Sanayi Isletmesi Turk A.S.. Дата публикации: 2019-05-09.

Ecological and sustainable indigo dyeing process with less water

Номер патента: WO2019045660A2. Автор: Fatih ÇAM,Ali CIFCI,Umit Can KILIC. Владелец: Orta Anadolu Ticaret Ve Sanayi Isletmesi Turk A.S.. Дата публикации: 2019-03-07.

Surface treatment method for dielectric anti-reflective coating (DARC) to shrink photoresist critical dimension (CD)

Номер патента: US09880473B2. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Optical proximity correction (OPC) accounting for critical dimension (CD) variation from inter-level effects

Номер патента: US09536039B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Shayak Banerjee,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Accurate and Fast Neural network Training for Library-Based Critical Dimension (CD) Metrology

Номер патента: US20120226644A1. Автор: WEN Jin,Leonid Poslavsky,Junwei Bao,Vi Vuong,Lie-Quan Lee. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

METHOD AND SYSTEM FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION AND MONITORING FABRICATION UNIFORMITY

Номер патента: US20130202186A1. Автор: Xiao Hong,Jau Jack,Fang Wei. Владелец: HERMES MICROVISION INC.. Дата публикации: 2013-08-08.

ACCURATE AND FAST NEURAL NETWORK TRAINING FOR LIBRARY-BASED CRITICAL DIMENSION (CD) METROLOGY

Номер патента: US20140032463A1. Автор: Poslavsky Leonid,Vuong Vi,Bao Junwei,Lee Lie-Quan,JIN Wen. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

CRITICAL DIMENSION VARIATION CORRECTION IN EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY

Номер патента: US20190004417A1. Автор: Oshemkov Sergey,Kruglyakov Vladimir,PERETS Yuval,Blumrich Frederik. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2019-01-03.

OPTICAL CRITICAL DIMENSION TARGET DESIGN

Номер патента: US20170024509A1. Автор: Liu Zhuan,HU Jiangtao,Li Bingqing. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Method for Electron Beam Proximity Correction with Improved Critical Dimension Accuracy

Номер патента: US20150040079A1. Автор: Chen Cheng-Hung,LIN Burn Jeng,Wang Wen-Chuan,Lin Shy-Jay,Liu Pei-Yi,Shin Jaw-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-02-05.

INSPECTION-GUIDED CRITICAL SITE SELECTION FOR CRITICAL DIMENSION MEASUREMENT

Номер патента: US20190041202A1. Автор: SARASWATULA Jagdish Chandra,Pathangi Hari,Yati Arpit. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

PROCESS FOR IMPROVING THE CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY OF ORDERED FILMS OF BLOCK COPOLYMERS

Номер патента: US20200057368A1. Автор: Navarro Christophe,Chevalier Xavier,Inoubli Raber,Nicolet Celia. Владелец: Arkema France. Дата публикации: 2020-02-20.

Critical Dimension Uniformity

Номер патента: US20200057833A1. Автор: TSAI CHI-MING,LU CHI-TA. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Method for Correcting the Critical Dimension Uniformity of a Photomask for Semiconductor Lithography

Номер патента: US20190107783A1. Автор: Dmitriev Vladimir,Welte Joachim,Scheruebl Thomas,PERETS Yuval,Thaler Thomas,Gorhad Kujan,Buttgereit Ute. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

METHOD OF DETERMINING CRITICAL-DIMENSION-RELATED PROPERTIES, INSPECTION APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160116849A1. Автор: Den Boef Arie Jeffrey,Huang Te-Chih,Van Der Schaar Maurits,MEGENS Henricus Johannes Lambertus,Cramer Hugo Augustinus Joseph. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-04-28.

CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY MONITORING FOR EXTREME ULTRAVIOLET RETICLES

Номер патента: US20150144798A1. Автор: Shi Rui-fang,SEZGINER Abdurrahman,Sousa Weston L.,Pokrovskiy Alex. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

TEST PATTERN LAYOUT FOR TEST PHOTOMASK AND METHOD FOR EVALUATING CRITICAL DIMENSION CHANGES

Номер патента: US20150212405A1. Автор: FUJITA Yuki,JR. Joseph L.,Caldwell Brian N.,Jeffer Raymond W.,Levin James P.,Malenfant,Nash Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

System and Method for Shifting Critical Dimensions of Patterned Films

Номер патента: US20150212421A1. Автор: deVilliers Anton J.,FULFORD Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

PROCESS FOR IMPROVING THE CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY OF ORDERED FILMS OF BLOCK COPOLYMERS

Номер патента: US20180203348A1. Автор: Navarro Christophe,Chevalier Xavier,Inoubli Raber,Nicolet Celia. Владелец: Arkema France. Дата публикации: 2018-07-19.

TEST PATTERN LAYOUT FOR TEST PHOTOMASK AND METHOD FOR EVALUATING CRITICAL DIMENSION CHANGES

Номер патента: US20160223902A1. Автор: FUJITA Yuki,JR. Joseph L.,Caldwell Brian N.,Jeffer Raymond W.,Levin James P.,Malenfant,Nash Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

CRITICAL DIMENSION SHRINK THROUGH SELECTIVE METAL GROWTH ON METAL HARDMASK SIDEWALLS

Номер патента: US20180223522A1. Автор: Yang Chih-Chao,Yin Yunpeng,He Hong,Li Juntao,Chen Hsueh-Chung H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

OPTICAL CRITICAL DIMENSION METROLOGY

Номер патента: US20160363484A1. Автор: Barak Gilad,Grossman Danny,SHAFIR DROR. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Method for improving consistency of critical dimension

Номер патента: TW497138B. Автор: Yi-Yu Hsu,Kuo-Chen Wang,Yao-Ting Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Apparatus and method for measurement of critical dimensions of features and detection of defects in UV, VUV, and EUV lithography masks

Номер патента: US7345771B2. Автор: Henry Allen Hill. Владелец: Zetetic Institute. Дата публикации: 2008-03-18.

Data correcting hierarchical integrated circuit layout accommodating compensate for long range critical dimension variation

Номер патента: WO2009131827A3. Автор: Alan E. Rosenbluth,Ian P. Stobert. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-01-07.

Method, computer program and apparatus for improving calibration of resist models used in critical dimension calculation

Номер патента: EP1688795A2. Автор: Ting Chen,Jang Fung Chen,Tamer Coskun,Sangbong Park,Gabriel Berger. Владелец: ASML MaskTools Netherlands BV. Дата публикации: 2006-08-09.

System and method for shifting critical dimensions of patterned films

Номер патента: TWI550687B. Автор: 安東Ｊ 德維利耶,丹尼爾 富爾福德. Владелец: 東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2016-09-21.

Wafer process critical dimension, alignment, and registration analysis simulation tool

Номер патента: US20040049760A1. Автор: Neal Callan,Mario Garza,Paul Filseth,George Bailey,Travis Brist. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Defect and critical dimension analysis systems and methods for a semiconductor lithographic process

Номер патента: US8422761B2. Автор: Tadashi Kitamura,Akio Ishikawa. Владелец: NGR Inc. Дата публикации: 2013-04-16.

System and method for controlling critical dimension in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20030115005A1. Автор: Stacy Firth,W. Campbell. Владелец: Yield Dynamics Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

The method of the critical dimension homogeneity of the photomask of calibrating semiconductor photoetching

Номер патента: CN109634054A. Автор: T.谢鲁布尔,J.韦尔特,T.塞勒,K.戈哈德,V.德米蒂耶夫,U.布特格雷特,Y.尤瓦尔佩列茨. Владелец: Pixer Technology Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Apparatus and method for forming photoresist pattern with target critical dimension

Номер патента: US6590219B1. Автор: David H. Ziger. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-07-08.

Critical dimension monitoring from latent image

Номер патента: US20030002878A1. Автор: Bharath Rangarajan,Bhanwar Singh,Ramkumar Subramanian,Michael Templeton. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Differential critical dimension and overlay metrology apparatus and measurement method

Номер патента: US20100103433A1. Автор: Christopher Ausschnitt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-29.

Method and apparatus for optimizing models for extracting dose and focus from critical dimension

Номер патента: US20090157577A1. Автор: James Broc Stirton,Kevin R. Lensing,Siddharth Chauhan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-06-18.

Method and apparatus for improving critical dimension variation

Номер патента: US11988972B2. Автор: Chi-Hung Liao,Jhun Hua CHEN,Ming-Hsun LIN,Yu-Hsiang HO,Teng Kuei CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Measuring local critical dimension uniformity of an array of two-dimensional structural elements

Номер патента: IL295877B2. Автор: Daniel Schmidt,Dexin Kong,Igor Turovets,Roy KORET,Marjorie CHENG,Aron J Cepler. Владелец: Aron J Cepler. Дата публикации: 2024-01-01.

Dental Images Processed With Deep Learning For National Security

Номер патента: US20210142885A1. Автор: Richard Ricci,Andrea Cambria. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-13.

Gas detection device with a detector and with a compensator and gas detection process with such a gas detection device

Номер патента: GB2604041A. Автор: OSSWALD Jürgen,PÖTHIG Tom,Philipp Ruge Jan. Владелец: Draeger Safety AG and Co KGaA. Дата публикации: 2022-08-24.

Uv curing system and process with increased light intensity

Номер патента: EP1871608A2. Автор: Stephen B. Siegel. Владелец: Con Trol Cure Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Registration of a process with a database manager

Номер патента: US20020116381A1. Автор: Chad Thompson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Method and system for ore processing with application of ultrasound to the flotation froth

Номер патента: US20240238805A1. Автор: Flavia Paulucci Cianga Silvas,Lívia Marques Faustino,Thiago Cesar de Souza Pinto,Flávio Buiochi,Guilherme Victor Selicani,André Soares Braga,Virginia Paula Nykänen,Alfredo Moises Sarkis,Laurindo Salles Leal Filho. Владелец: Universidade de Sao Paulo USP. Дата публикации: 2024-07-18.

Two-stage hydroformylation process with circulating gas and SILP technology

Номер патента: US09624153B2. Автор: Guido Stochniol,Markus Priske,Dirk Fridag,Robert Franke,Katrin Marie Dyballa,Marc Becker,Hanna HAHN,Marina Lazar. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY CORRECTION BY SCANNER SIGNATURE CONTROL

Номер патента: US20130077101A1. Автор: Dmitriev Vladimir,Ben-Zvi Guy,Sharoni Ofir,Chason Eran,Varvaruk Igor. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING CRITICAL DIMENSION AND ROUGHNESS IN RESIST FEATURES

Номер патента: US20130135598A1. Автор: MARTIN Patrick M.,Godet Ludovic,Leavitt Christopher J.,Olson Joseph C.. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSCOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD AND SYSTEM FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION AND MONITORING FABRICATION UNIFORMITY

Номер патента: US20130182939A1. Автор: Xiao Hong,Jau Jack,Fang Wei. Владелец: HERMES MICROVISION INC.. Дата публикации: 2013-07-18.

Calibration Of An Optical Metrology System For Critical Dimension Application Matching

Номер патента: US20130245985A1. Автор: Flock Klaus,Rotter Lawrence,Arain Muzammil. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

Global Landmark Method For Critical Dimension Uniformity Reconstruction

Номер патента: US20130263061A1. Автор: Dmitriev Vladimir,Sharoni Ofir. Владелец: CARL ZEISS SMS LTD.. Дата публикации: 2013-10-03.

Methods and Systems for Determining a Critical Dimension and Overlay of a Specimen

Номер патента: US20130314710A1. Автор: Fielden John,Levy Ady,Brown Kyle A.,Smedt Rodney,Bultman Gary,Nikoonahad Mehrdad,Wack Dan,Abdul-Halim Ibrahim. Владелец: KLA-TENCOR TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

METHOD FOR EXTRACTING CRITICAL DIMENSION OF SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURE

Номер патента: US20130325760A1. Автор: LIU Shiyuan,ZHU Jinlong,ZHANG Chuanwei,CHEN Xiuguo. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-12-05.

Model-Based Registration and Critical Dimension Metrology

Номер патента: US20140086475A1. Автор: DaneshPanah Mohammad Mehdi,SEZGINER Abdurrahman. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-27.

AZIMUTHAL CRITICAL DIMENSION NON-UNIFORMITY FOR DOUBLE PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20200002815A1. Автор: LaVoie Adrien,Agarwal Pulkit,Kumar Ravi,PASQUALE Frank Loren. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

SYSTEMS AND METHODS FOR PREDICTING DEFECTS AND CRITICAL DIMENSION USING DEEP LEARNING IN THE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20190004504A1. Автор: Yati Arpit. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

MODELING POST-LITHOGRAPHY STOCHASTIC CRITICAL DIMENSION VARIATION WITH MULTI-TASK NEURAL NETWORKS

Номер патента: US20200026962A1. Автор: De Silva Ekmini A.,Sha Jing,Dunn Derren N.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

METHOD AND SYSTEM FOR IMPROVING CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY USING SHAPED BEAM LITHOGRAPHY

Номер патента: US20140127628A1. Автор: Fujimura Akira,Aadamov Anatoly,Pearman Ryan. Владелец: D2S, INC.. Дата публикации: 2014-05-08.

OPTICAL CRITICAL DIMENSION METROLOGY

Номер патента: US20190063999A1. Автор: Barak Gilad,Grossman Danny,SHAFIR DROR. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

METHOD FOR GROUPING REGION OF INTEREST OF MASK PATTERN AND MEASURING CRITICAL DIMENSION OF MASK PATTERN USING THE SAME

Номер патента: US20160077517A1. Автор: PARK Won-joo,Lee Hyung-Joo,Kim Byung-gook,CHUNG Dong-Hoon,CHOI Seuk-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY MONITORING FOR EXTREME ULTRA-VIOLET RETICLES

Номер патента: US20180080759A1. Автор: Shi Rui-fang,SEZGINER Abdurrahman,Sousa Weston L.,Pokrovskiy Alex. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-22.

LITHOGRAPHY IMPROVEMENT BASED ON DEFECT PROBABILITY DISTRIBUTIONS AND CRITICAL DIMENSION VARIATIONS

Номер патента: US20210088913A1. Автор: Melvin,III Lawrence S.,Kandel Yudhishthir Prasad,Klostermann Ulrich Karl,Yan Qiliang. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

DEVICE FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION OF PATTERN AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20150098643A1. Автор: Lee Young Suk,Lee Jong Soo,PARK Yong Jun. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-09.

CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY ENHANCEMENT TECHNIQUES AND APPARATUS

Номер патента: US20160110858A1. Автор: Liu Yanwei,Fang Hawren. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2016-04-21.

ACHIEVING A CRITICAL DIMENSION TARGET BASED ON RESIST CHARACTERISTICS

Номер патента: US20160125121A1. Автор: Liu Huang,Ning Guoxiang,DAI Xintuo,LIM Chin Teong. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

OPTICAL MEASUREMENT SYSTEM AND METHOD FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION OF NANOSTRUCTURE

Номер патента: US20160131472A1. Автор: MEDVEDEV Anton,RIABKO Maksim,SHCHEKIN Alexey,KOPTYAEV Sergey. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-05-12.

Multi-Function Overlay Marks for Reducing Noise and Extracting Focus and Critical Dimension Information

Номер патента: US20210165315A1. Автор: Huang Te-Chih,Lee Yu-Ching,FANG Yu-Piao. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Method and apparatus for improving critical dimension variation

Номер патента: US20220283508A1. Автор: Chi-Hung Liao,Jhun Hua CHEN,Ming-Hsun LIN,Yu-Hsiang HO,Teng Kuei CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

APPARATUS FOR CRITICAL-DIMENSION LOCALIZATION MICROSCOPY

Номер патента: US20200132437A1. Автор: Stavis Samuel Martin,COPELAND CRAIG ROBERT. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Predicting and Controlling Critical Dimension Issues and Pattern Defectivity in Wafers Using Interferometry

Номер патента: US20160163033A1. Автор: Sinha Jaydeep,Vukkadala Pradeep,Veeraraghavan Sathish,Dey Soham. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Method and Device for Pupil Illumination in Overlay and Critical Dimension Sensors

Номер патента: US20190155172A1. Автор: Markus Franciscus Antonius Eurlings,Yevgeniy Konstantinovich Shmarev. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of controlling reticle masking blade positioning to minimize impact on critical dimension uniformity and device for controlling reticle masking blade positioning

Номер патента: US20190163046A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chun-Kuang Chen,Chih-Tsung Shih,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,Hung-Wen Cho,Fu-Jye Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION OF SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20150198434A1. Автор: CHEN Huiping,SHI Yaoming,XU Yiping. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Measurement Method and Measurement Device of Critical Dimension of Sub-pixel

Номер патента: US20170193653A1. Автор: SUN Zhiyi,Pang Huashan. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

METHOD FOR USING OPTICAL METROLOGY TO MONITOR CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY

Номер патента: US20140297223A1. Автор: Hibbs Michael S.,Stobert Ian P.,Tirapu-Azpiroz Jaione. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

OPTICAL PROXIMITY CORRECTION (OPC) ACCOUNTING FOR CRITICAL DIMENSION (CD) VARIATION FROM INTER-LEVEL EFFECTS

Номер патента: US20160217249A1. Автор: Banerjee Shayak,Chidambarrao Dureseti,Shao Dongbing. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Automated Accuracy-Oriented Model Optimization System for Critical Dimension Metrology

Номер патента: US20180232630A1. Автор: Li Xin,Chen Yuerui. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Method of measuring critical dimension of a three-dimensional structure and apparatus for measuring the same

Номер патента: US20210294204A1. Автор: Hyungjin Kim,Chuljin PARK. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-09-23.

MEASUREMENT OF CRITICAL DIMENSIONS OF NANOSTRUCTURES USING X-RAY GRAZING INCIDENCE IN-PLANE DIFFRACTION

Номер патента: US20160266056A1. Автор: Ruth Ronald D.,Loewen Roderick J.,Gifford Martin A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Critical Dimension Uniformity

Номер патента: US20210326507A1. Автор: TSAI CHI-MING,LU CHI-TA. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION OF NANOSTRUCTURE

Номер патента: US20150276378A1. Автор: LANTSOV Alexey Dmitrievich,RIABKO Maxim Vladimirovich,SHCHERBAKOV Alexander Viacheslavovich. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-10-01.

METHOD OF CONTROLLING RETICLE MASKING BLADE POSITIONING TO MINIMIZE IMPACT ON CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY AND DEVICE FOR CONTROLLING RETICLE MASKING BLADE POSITION

Номер патента: US20200264515A1. Автор: Lin Chin-Hsiang,CHEN Chun-Kuang,Shih Chih-Tsung,CHEN Li-Jui,CHENG Po-Chung,CHO Hung-Wen,LIANG Fu-Jye. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Scatterometry-Based Imaging and Critical Dimension Metrology

Номер патента: US20150300965A1. Автор: SEZGINER Abdurrahman,Bakeman Michael S.,Hench John. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Critical Dimension Measurements With Gaseous Adsorption

Номер патента: US20170314913A1. Автор: Krishnan Shankar. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

OPTICAL METHOD AND SYSTEM FOR CRITICAL DIMENSIONS AND THICKNESS CHARACTERIZATION

Номер патента: US20150345934A1. Автор: Barak Gilad,Wolfling Shay,SHAFIR DROR. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

DETERMINING A CRITICAL DIMENSION VARIATION OF A PATTERN

Номер патента: US20200327652A1. Автор: Schwarzband Ishai,Cohen Boaz,Kris Roman,Vereschagin Vadim,SHKALIM Ariel,BAL Evgeny. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Post Development Treatment Method and Material for Shrinking Critical Dimension of Photoresist Layer

Номер патента: US20180335700A1. Автор: Chang Ching-Yu,Wang Siao-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

OPTICAL PROXIMITY CORRECTION (OPC) ACCOUNTING FOR CRITICAL DIMENSION (CD) VARIATION FROM INTER-LEVEL EFFECTS

Номер патента: US20150356230A1. Автор: Banerjee Shayak,Chidambarrao Dureseti,Shao Dongbing. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

CRITICAL DIMENSION VARIATION CORRECTION IN EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY

Номер патента: US20160370697A1. Автор: Oshemkov Sergey,Kruglyakov Vladimir,PERETS Yuval,Blumrich Frederik. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

New Surface Treatment Method for Dielectric Anti-Reflective Coating (DARC) to Shrink Photoresist Critical Dimension (CD)

Номер патента: US20170371247A1. Автор: Zhong Tom,Haq Jesmin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

PROCESS FOR IMPROVING THE CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY OF ORDERED FILMS OF BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20180371145A1. Автор: Navarro Christophe,Chevalier Xavier,Nicolet Celia. Владелец: Arkema France. Дата публикации: 2018-12-27.

EXTRUDED POLYMER FOAM PROCESS WITH STAGED FORMING

Номер патента: US20120004333A1. Автор: Vo Van-Chau,Wurtz Bertrand. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCTION OF 325×16-30 mm SEAMLESS PIPES FOR STEAM BOILERS, STEAM PIPELINES AND MANIFOLDS OF PLANTS WITH CRITICAL AND SUPERCRITICAL STEAM PARAMETERS OF STEEL GRADE "10-9¦L+-+"

Номер патента: RU2578060C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Виктор Николаевич Еремин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валентин Иреклеевич Тазетдинов,Владимир Яковлевич Осадчий,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Валерий Александрович Головинов,Александр Анатольевич Сафьянов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Владимир Петрович Пашнин. Владелец: Открытое акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод" (ОАО "ЧТПЗ"). Дата публикации: 2016-03-20.

Method of forecasting clinical outcomes in patients with critical ischemia of lower extremities

Номер патента: RU2323680C1. Автор: Владимир Васильевич Сорока,Сергей Петрович Нохрин,Шухратжон Олимович Ахунов,Константин Анатольевич Андрейчук. Владелец: Государственное учреждение Санкт-Петербургский научно-исследовательский институт скорой помощи им. И.И. Джанелидзе. Дата публикации: 2008-05-10.

METHOD OF PRODUCTION OF 426×15-30 mm SEAMLESS HOT-ROLLED PIPES FOR STEAM BOILERS, STEAM PIPELINES AND MANIFOLDS OF PLANTS WITH CRITICAL AND SUPERCRITICAL STEAM PARAMETERS OF STEEL GRADE "10Х9МФБ-Ш"

Номер патента: RU2567427C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Виктор Николаевич Еремин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валентин Иреклеевич Тазетдинов,Владимир Яковлевич Осадчий,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Алексей Владимирович Дуб,Анатолий Андреевич Воронин,Владимир Николаевич Скоробогатых,Изабелла Алексеевна Щенкова,Валерий Александрович Головинов,Александр Анатольевич Сафьянов,Владимир Сергеевич Баричко. Владелец: Открытое акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2015-11-10.

Combined two-segmental regional anaesthesia in carotid endarterectomy in patients with critical ischemia of lower extremities and severe pain syndrome

Номер патента: RU2408396C1. Автор: Юрий Иванович Казаков,Денис Владимирович Федерякин,Максим Александрович Петрушин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тверская государственная медицинская академия Федерального агентства по здравоохранению и федеральному развитию". Дата публикации: 2011-01-10.

Method of evaluating consistency of outflow channel in case of femoral-popliteal shunting in isolated segment in patients with critical ischemia

Номер патента: RU2545419C1. Автор: Юрий Иванович Казаков,Илья Борисович Лукин. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тверская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-03-27.

Precise and accurate critical dimension measurement by modeling local charging distortion

Номер патента: WO2024231002A1. Автор: Lingling Pu,Mosong Cheng,Kangsheng QIU,Hongquan ZUO. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-11-14.

METHOD OF PRODUCTION OF 325×16-25 mm SEAMLESS PIPES FOR STEAM BOILERS, STEAM PIPELINES AND MANIFOLDS OF PLANTS WITH CRITICAL AND SUPERCRITICAL STEAM PARAMETERS OF STEEL GRADE "10Х9МФБ-Ш"

Номер патента: RU2567407C1. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валентин Иреклеевич Тазетдинов,Владимир Яковлевич Осадчий,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Александр Анатольевич Сафьянов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак. Владелец: Открытое акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2015-11-10.

Data communication system for locomotive systems with critical information server using electronic signature

Номер патента: RU2572284C1. Автор: Елена Евгеньевна Шухина,Ефим Наумович Розенберг,Геннадий Дмитриевич Масалов,Владимир Владимирович Батраев,Олег Юрьевич Куприенко,Александр Анатольевич Пронин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Российские Железные Дороги". Дата публикации: 2016-01-10.

METHODS AND APPARATUS FOR THERMAL BASED SUBSTRATE PROCESSING WITH VARIABLE TEMPERATURE CAPABILITY

Номер патента: US20120003388A1. Автор: Wu Kai,YUAN XIAOXIONG,TZU GWO-CHUAN,KHANDELWAL AMIT,WANG BENJAMIN CHENG,GELATOS AVGERINOS V.,KARAZIM MICHAEL P.,LIN JING,CUVALCI OLKAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Column of electrochemical process with coaxial work zones

Номер патента: RU2503627C2. Автор: Виталий Николаевич Старов,Денис Витальевич Старов. Владелец: Денис Витальевич Старов. Дата публикации: 2014-01-10.

Plant for slag processing with heat recovery

Номер патента: RU2513384C1. Автор: Евгений Николаевич Щербаков,Леонид Андреевич Смирнов,Борис Леонидович Демин,Юрий Васильевич Сорокин. Владелец: ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "Уральский институт металлов" (ОАО "УИМ"). Дата публикации: 2014-04-20.

Gas-shield electric arc welding process with use of non-consumable electrode

Номер патента: RU2271266C2. Автор: Олег Михайлович Новиков,Алексей Сидорович Носков,Дмитрий Сергеевич Померанцев,Эдуард Павлович Радько,Александр Васильевич Седых. Владелец: Открытое акционерное общество "ДУКС". Дата публикации: 2006-03-10.

Method for normalisation of metabolic processes with lactating sows

Номер патента: RU2426444C1. Автор: Тамара Егоровна Григорьева,Наталия Ивановна Кульмакова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Чувашская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2011-08-20.

Method of intermittent diamond-abrasive processing with incision of internal grooves

Номер патента: RU2329130C1. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Дмитрий Сергеевич Фомин,Владимир Ильич Сотников,Александр Александрович Емельянов,нов Александр Александрович Емель,Валерий Анатолиевич Кравченко,Аркадий Анатолиевич Черепенько. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2008-07-20.

Computer-aided training and laboratory complex for study of filtration processes with measurements and processing of results in lab view programme environment

Номер патента: RU2439711C1. Автор: Владимир Семенович Ванин,Виталий Александрович Данилов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2012-01-10.

Device for surface plastic deformation processing with external spring

Номер патента: RU2324585C1. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Дмитрий Сергеевич Фомин,Владимир Ильич Сотников,Аркадий Анатольевич Черепенько,зева Натали Владимировна Кн,Наталия Владимировна Князева,Нина Владимировна Углова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2008-05-20.

Method for correction of metabolic processes with lactating cows in period of measures taken for milking yield increase and prolonged lactation extinction

Номер патента: RU2452194C2. Автор: Александр Владимирович Федин,Светлана Владимировна Васильева,Роман Михайлович Васильев. Владелец: ОАО "Лужский комбикормовый завод". Дата публикации: 2012-06-10.

Melt copper and its alloys treatment process with use of nanosecond electromagnetic pulses for increasing heat conductance of melt

Номер патента: RU2287605C1. Автор: Хосен Ри,Эрнст Хосенович Ри,В чеслав В чеславович Белых,Вячеслав Вячеславович Белых. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2006-11-20.

Ultrasonic diagnostics technique for position type of acromial process with respect to head of humerus

Номер патента: RU2367346C1. Автор: Александр Юрьевич Кинзерский,Ирина Николаевна Турдакина. Владелец: Государственное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Уральская государственная медицинская академия дополнительного образования Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ДПО УГМАДО Росздрава). Дата публикации: 2009-09-20.

Method for surface hardening of parts by friction processing with mixing by rotary tool

Номер патента: RU2595191C2. Автор: Виктор Павлович Кузнецов,Артемий Александрович Попов,Владимир Гергиевич Горгоц,Владимир Валерьевич Воропаев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Предприятие "Сенсор". Дата публикации: 2016-08-20.

Carbonaceous gangue ore beneficiation process with special reference to phosphate ore

Номер патента: JO1253B1. Автор: فافا جين,لا مبرت اندريه,توجنيت جين-بول,روجر موريس لافوزيه جين,جين ماري روبرت برنارد. Владелец: فايف-كيل بابكوك. Дата публикации: 1985-04-20.

Method to control hydrate formation process in gas-gathering flow lines of far north gas and gas condensate deposits

Номер патента: RU2560028C1. Автор: Олег Петрович Андреев,Анатолий Кузьмич Арабский,Баязетдин Саяхетдинович Ахметшин,Александр Александрович Дьяконов,Сергей Иванович Гункин,Этибар Гурбанали оглы Талыбов,Геннадий Евгеньевич Вить. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью ООО "Газпром добыча Ямбург". Дата публикации: 2015-08-20.

Subsurface formations processing by degradable substance

Номер патента: RU2536912C2. Автор: Андрей Федоров,Олеся Леванюк,Татьяна Зольникова. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2014-12-27.

Method to control hydrate formation process in gas-gathering flow lines connected to common manifold at far north gas and gas condensate deposits

Номер патента: RU2573654C1. Автор: Анатолий Кузьмич Арабский,Баязетдин Саяхетдинович Ахметшин,Александр Александрович Дьяконов,Сергей Иванович Гункин,Этибар Гурбанали оглы Талыбов,Геннадий Евгеньевич Вить,Олег Борисович Арно. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью ООО "Газпром добыча Ямбург". Дата публикации: 2016-01-27.

Method for forming alveolar process with artificial teeth in the cases of completely lacking maxilla

Номер патента: RU2246282C1. Автор: А.П. Перевезенцев. Владелец: Перевезенцев Александр Петрович. Дата публикации: 2005-02-20.

System of automatic control and regulation of ecological safety of process with high energy

Номер патента: RU2345397C2. Автор: Александр Прокопьевич Зиновьев,Геннадий Иванович Рыжов,Сергей Александрович Зиновьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный нефтяной технический университет". Дата публикации: 2009-01-27.

Method for production of fodder for normalisation of metabolic processes with farm animals

Номер патента: RU2444906C1. Автор: Марк Абович Малков,Татьяна Васильевна Данькова. Владелец: Татьяна Васильевна Данькова. Дата публикации: 2012-03-20.

Method of productive formation processing and device for its implementation as per pgda-m technology

Номер патента: RU2592865C1. Автор: Сергей Николаевич Каляев,Сергей Анатольевич Семенов,Константин Александрович Ваганов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сервисная Группа Компаний РЕГИОН". Дата публикации: 2016-07-27.

Plasma chemical reactor for ore processing with phase separation

Номер патента: RU2410853C1. Автор: Артем Викторович Бадеников,Алексей Валерьевич Бальчугов,Виктор Яковлевич Бадеников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ангарская государственная техническая академия (ГОУ ВПО АГТА). Дата публикации: 2011-01-27.

Video processing with scalability

Номер патента: RU2406254C2. Автор: Пэйсун ЧЭНЬ,Тао ТЯНЬ,Фан ШИ,Виджаялакшми Р. РАВИИНДРАН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-12-10.

Method for controlling oils compounding process with several quality parameters and system for realization of said method

Номер патента: RU2270472C2. Автор: Мурсалим Мухутдинович Гареев,Радик Завгалович Нагаев,Сергей Кимович Евлахов. Владелец: Открытое акционерное общество "Урало-Сибирские магистральные нефтепроводы им. Д.А. Черняева". Дата публикации: 2006-02-20.

Cluster for natural gas processing with helium extraction

Номер патента: RU2574243C1. Автор: Игорь Анатольевич Мнушкин. Владелец: Игорь Анатольевич Мнушкин. Дата публикации: 2016-02-10.

Multisectional contact reservoir for water processing with ozone

Номер патента: RU2505487C2. Автор: Борис Иванович Гончаренко,Николай Иванович Пуресев,Николай Васильевич Карягин,Юрий Семенович Соломонов,Владимир Александрович Рязанов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Высокоэффективные электрозарядные технологии и оборудование" (ЗАО "ВЭТО"). Дата публикации: 2014-01-27.

Cluster for natural gas processing with helium extraction

Номер патента: RU2574243C9. Автор: Игорь Анатольевич Мнушкин. Владелец: Игорь Анатольевич Мнушкин. Дата публикации: 2016-12-20.

Technique and device for automated control over crops productional process with regard for self-organisation

Номер патента: RU2350068C2. Автор: Владимир Александрович Королев,Иван Иосифович Свентицкий,Елена Олеговна Алхазова. Владелец: Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2009-03-27.

Method of diamond abrasive processing with sun-and-planet motion

Номер патента: RU2426633C1. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Владимир Ильич Сотников,Николай Николаевич Самойлов,Анатолий Юрьевич Мальцев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2011-08-20.

Method of complex thermochemical solid fuel processing with serial discharge of division products

Номер патента: RU2464294C2. Автор: Мария Валерьевна Пятыгина,Гузель Рашидовна Мингалеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Казанский научный центр Российской академии наук (КазНЦ РАН). Дата публикации: 2012-10-20.

Thread milling process with use of knurling

Номер патента: RU2252099C1. Автор: Ю.С. Степанов,Б.И. Афанасьев,Д.С. Фомин,А.В. Киричек,А.Н. Афонин. Владелец: Орловский государственный технический университет (ОрелГТУ). Дата публикации: 2005-05-20.

Method of processing with female spring

Номер патента: RU2329133C1. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Дмитрий Сергеевич Фомин,Владимир Ильич Сотников,Аркадий Анатольевич Черепенько,зева Натали Владимировна Кн,Наталия Владимировна Князева,Нина Владимировна Углова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2008-07-20.

Method of determining contact angle of wetting fir-needles preliminarily processed with water steam

Номер патента: RU2525602C1. Автор: Павел Валерьевич Бырдин,Светлана Сергеевна Клюс,Ольга Ивановна Медведева,Наталья Викторовна Емельянова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Братский государственный университет". Дата публикации: 2014-08-20.

Method for monitoring the processes with redox reactions in slag bath

Номер патента: RU2117051C1. Автор: С.К. Вильданов,В.А. Роменец,В.С. Валавин. Владелец: Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет). Дата публикации: 1998-08-10.

Distillation process with high thermo-dynamic efficiencies

Номер патента: CA1272948A. Автор: William R. Stothers. Владелец: Ultimate Process Systems Ltd.. Дата публикации: 1990-08-21.

Pharmaceutical injection composition on basis of tilorone for treatment of purulent-destructive processes with signs of immune insufficiency

Номер патента: RU2359664C1. Автор: Нинель Ивановна Косякова,Евгений Вольфович Межбурд,Николай Ильич Кукушкин,Евгений Евгеньевич Фесенко,Аркадий Николаевич Мурашов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Биологические исследования и системы". Дата публикации: 2009-06-27.

Method of automated decision-making on purpose of trees for cutting in their processing with timber harvesting machine

Номер патента: RU2556070C1. Автор: Илья Оруджевич Танрывердиев,Игорь Валерьевич Петухов,Людмила Александровна Стешина,Юрий Александрович Ширнин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2015-07-10.

Critical dimension control wafer and method of making the same

Номер патента: TW586175B. Автор: Tien-Chi Wu,Yu-Hui Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-05-01.

Critical dimension control wafer and method of making the same

Номер патента: TW200425368A. Автор: Tien-Chi Wu,Yu-Hui Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-11-16.

CONTACT OR VIA CRITICAL DIMENSION CONTROL WITH NOVEL CLOSED LOOP CONTROL SYSTEM IN CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION PROCESS

Номер патента: US20130241075A1. Автор: Su Chin-Ta,Chen Chun-Fu,HUNG Yung-Tai,Yeh Chin-Tsan. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-19.

METHODS OF FABRICATING BIPOLAR TRANSISTOR FOR IMPROVED ISOLATION, PASSIVATION AND CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20120175738A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-12.

CRITICAL DIMENSION CONTROL DURING TEMPLATE FORMATION

Номер патента: US20120187085A1. Автор: LaBrake Dwayne L.,Khusnatdinov Niyaz,Xu Frank Y.,Sreenivasan Sidlgata V.,Brooks Cynthia B.,Miller Michael N.,Lentz David James. Владелец: MOLECULAR IMPRINTS, INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

DIAGNOSING IN-LINE CRITICAL DIMENSION CONTROL ADJUSTMENTS USING OPTICAL PROXIMITY CORRECTION VERIFICATION

Номер патента: US20120191234A1. Автор: Bruce James A.,Settlemyer,JR. Kenneth T.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

Monitor pattern of critical dimension control device and method of using the same

Номер патента: JP3151791B2. Автор: 坤榮 林,智強 劉,雲雄 李. Владелец: 聯華電子股▲分▼有限公司. Дата публикации: 2001-04-03.

SIDEWALL IMAGE TRANSFER PROCESS WITH MULTIPLE CRITICAL DIMENSIONS

Номер патента: US20130089984A1. Автор: Raghunathan Sudharshanan,Kanakasabapathy Sivananda,Jung Ryan O.,Gabor Allen H.,Burns Sean D.,Mclellan Erin Catherine. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

Liquid soap personal cleanser with critical heat cycle stabilizing system

Номер патента: PH30334A. Автор: Richard Michael Girardot,Kathleen Grieshop Baier,Efrain Torres,Neil Archibald Macgilp. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 1997-04-02.

NOVEL CATALYTIC REFORMING PROCESS WITH A RECYCLE OF THE REDUCTION EFFLUENT UPSTREAM OF THE FIRST REACTOR AND A RECYCLE OF THE RECYCLE GAS TO THE LAST REACTOR OR REACTORS IN THE SERIES

Номер патента: US20120000822A1. Автор: . Владелец: IFP ENERGIES NOUVELLES. Дата публикации: 2012-01-05.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKET PROTOCOL PROCESSING WITH PRECISION TIMING PROTOCOL SUPPORT

Номер патента: US20120002558A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMPLANT WITH CRITICAL RATIO OF LOAD BEARING SURFACE AREA TO CENTRAL OPENING AREA

Номер патента: US20120158144A1. Автор: Ullrich,JR. Peter F.,Patterson Chad J.,Schneider Jennifer M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

Power transmission for tap changer operating mechanism at loading time with critical stopper

Номер патента: JPS5457118A. Автор: Keijiro Sogabe. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-05-08.

Construction method for livestock animal model with critical lack of Vitamin A

Номер патента: CN103141433A. Автор: 李学民,刘文华,张金玲,刘宗柱. Владелец: Qingdao Agricultural University. Дата публикации: 2013-06-12.

Method for evaluating the efficiency of vascular reconstruction in patients with critical ischemia of inferior limbs

Номер патента: RU2310376C1. Автор: Василий Алексеевич Попов,Наталья Васильевна Попова,Наталь Васильевна Попова,Валерий Михайлович Гореньков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северный государственный медицинский университет" (г.Архангельск) Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" "ГОУ ВПО СГМУ Росздрава". Дата публикации: 2007-11-20.

Method of Controlling RF Transmissions to Mitigate Interference with Critical Care Medical Equipment

Номер патента: US20120071115A1. Автор: Mickle Marlin H.,Ogirala Ajay,Hawrylak Peter J.,Stachel Joshua R.. Владелец: University of Pittsburgh - of the Commonwealth System of Higher Education. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for treatment of patients with critical lower limb ischemia

Номер патента: RU2233178C2. Автор: Л.А. Кузнецова,С.И. Кузнецов,В.А. Киселев,И.В. Крецер,В.В. Сорока,Б.И. Джурко,А.М. Жирков,Н.В. Буркова,Ю.А. Эйсмонт,С.П. Нохрин,С.Ф. Багненко,Ю.М. Стойко,А.А. Курыгин,Н.А. Арсениев,П.А. Канаев. Владелец: Кузнецова Людмила Анатольевна. Дата публикации: 2004-07-27.

METHOD OF PRODUCTION OF 325×31-60 mm SEAMLESS PIPES FOR STEAM BOILERS, STEAM PIPELINES AND MANIFOLDS OF PLANTS WITH CRITICAL AND SUPERCRITICAL STEAM PARAMETERS OF STEEL GRADE "10Х9МФБ-Ш"

Номер патента: RU2570150C1. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Виктор Николаевич Еремин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валентин Иреклеевич Тазетдинов,Владимир Яковлевич Осадчий,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Валерий Александрович Головинов,Александр Анатольевич Сафьянов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Владимир Петрович Пашнин. Владелец: Открытое акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод" (ОАО "ЧТПЗ"). Дата публикации: 2015-12-10.

Flyback converter with critical connection mode

Номер патента: CN103501114A. Автор: 李泽宏,曾智,刘广涛,吴明进,蒋汇. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-01-08.

A kind of pipeline crack arrest prediction damages the determination method of strain energy with critical unit area

Номер патента: CN104992004B. Автор: 王珂,霍春勇,张良,张奕,罗金恒,马卫锋,李丽锋,杨锋平. Владелец: CNPC Tubular Goods Research Institute. Дата публикации: 2017-12-05.

Tile is with criticizing sword of being convenient for adjust

Номер патента: CN209799275U. Автор: 刘海霞. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-17.

A method for the treatment of patients with critical lower limb ischemia

Номер патента: RU2002112155A. Автор: Сергей Иванович Кузнецов,Сергей Федорович Багненко,Владимир Васильевич Сорока,Наталья Владимировна Буркова,Валерий Алексеевич Киселев,Юрий Михайлович Стойко,Павел Андреевич Канаев,Сергей Петрович Нохрин,Анатолий Алексеевич Курыгин,Борис Иванович Джурко,Наталь Владимировна Буркова,Юрий Александрович Эйсмонт,Ирина Викторовна Крецер,Анатолий Михайлович Жирков,Николай Анатольевич Арсениев,Людмила Анатольевна Кузнецова. Владелец: Людмила Анатольевна Кузнецова. Дата публикации: 2004-01-20.

Method for reducing critical dimensions of semiconductor chip

Номер патента: TW425610B. Автор: Chan-Lon Yang,Tsu-An Lin,Jui-Tsen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-11.

Manufacturing method of photo mask for increasing critical dimension uniformity

Номер патента: TW413741B. Автор: Shr-Jie Lin,Sheng-Ji Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-12-01.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TW200905768A. Автор: Yu-Chang Lin,Shao-Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Critical dimension design to prevent misreading

Номер патента: TW498474B. Автор: Yuan-Shou Choi. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-08-11.

Etching method of controlling contact hole critical dimension

Номер патента: TW533496B. Автор: Bei-Hung Ju. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

Manufacturing method of mask to increase uniformity of critical dimension

Номер патента: TW454105B. Автор: Jeng-Hung Chen,Shr-Jie Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-09-11.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TWI340422B. Автор: Yu Chang Lin,Shao Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-11.

Two-dimensional critical dimension monitor pattern

Номер патента: TW508713B. Автор: George Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-11-01.

Method and system for measuring a critical dimension of a mask design pattern

Номер патента: TWI249802B. Автор: Ming-Feng Ho,Hua-Jen Chen. Владелец: Allied Integrated Patterning C. Дата публикации: 2006-02-21.

Method and system for measuring a critical dimension of a mask design pattern

Номер патента: TW200623295A. Автор: Ming-Feng Ho,Hua-Jen Chen. Владелец: Allied Integrated Patterning Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS FOR SHRINKING A PHOTORESIST CRITICAL DIMENSION

Номер патента: US20120070787A1. Автор: Huang Wu-Song,Liu Sen,Chen Kuang-Jung,Li Wai-Kin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-22.

OPTIMIZATION OF CRITICAL DIMENSIONS AND PITCH OF PATTERNED FEATURES IN AND ABOVE A SUBSTRATE

Номер патента: US20130009230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

METHODS TO REDUCE THE CRITICAL DIMENSION OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130009283A1. Автор: Zhou Baosuo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-10.

VAPOR TREATMENT PROCESS FOR PATTERN SMOOTHING AND INLINE CRITICAL DIMENSION SLIMMING

Номер патента: US20130171571A1. Автор: DUNN Shannon W.,HETZER Dave. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-07-04.

Electronic emitter and its formation process options

Номер патента: RU2083018C1. Автор: К.Кейн Роберт,И.Джаски Джеймс. Владелец: МОТОРОЛА, ИНК.. Дата публикации: 1997-06-27.

Method for reducing critical dimension of contact hole

Номер патента: CN102024748B. Автор: 韩宝东,赵林林. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-01-01.

Photolithography for improving uniformity of critical dimension of pattern and contact hole forming method for using the same

Номер патента: KR100741913B1. Автор: 김상원. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-07-24.

Methods and systems for controlling critical dimensions in track lithography tools

Номер патента: TW200818259A. Автор: Nikolaos Bekiaris,Tim Michaelson. Владелец: Sokudo Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-16.

Control of Critical Dimensions in Optical Imaging Processes for Semiconductor Production by Extracting Imaging Imperfections on the Basis of Imaging Tool Specific Intensity Measurements and Simulations

Номер патента: US20120005634A1. Автор: Weisbuch Francois,Seltmann Rolf,Roling Stefan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Controlling Critical Dimensions of Vias in a Metallization System of a Semiconductor Device During Silicon-ARC Etch

Номер патента: US20120028472A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD FOR CORRECTING CRITICAL DIMENSION OF PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120061349A1. Автор: RYU Choong Han. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-15.

METHOD OF MEASURING CRITICAL DIMENSION OF PATTERN AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20120105617A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

SIDEWALL IMAGE TRANSFER PITCH DOUBLING AND INLINE CRITICAL DIMENSION SLIMMING

Номер патента: US20120128935A1. Автор: DUNN Shannon W.,HETZER Dave. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-05-24.

DOUBLE PATTERNING WITH INLINE CRITICAL DIMENSION SLIMMING

Номер патента: US20120128942A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-05-24.

Virtual Photo-Mask Critical-Dimension Measurement

Номер патента: US20120137260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

METHOD FOR DETERMINING A CRITICAL DIMENSION AT A PLANE OF INTEREST FROM A MEASUREMENT TAKEN AT A TEST PLANE

Номер патента: US20120151752A1. Автор: . Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-06-21.

METHOD AND SYSTEM FOR MEASURING CRITICAL DIMENSION AND MONITORING FABRICATION UNIFORMITY

Номер патента: US20120212601A1. Автор: Xiao Hong,Jau Jack,Fang Wei. Владелец: HERMES MICROVISION INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

METHOD OF APPROXIMATING VALUE OF CRITICAL DIMENSION OF PATTERN FORMED BY PHOTOLITHOGRAPHY AND METHOD OF FABRICATING PHOTOMASK INCLUDING OPC BASED ON APPROXIMATED VALUE OF A CD OF A PATTERN

Номер патента: US20120237859A1. Автор: MOON Seong-ho,YANG Seung-hune,Kim Sang-hun,Park Ju-yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-20.

SYSTEM AND METHOD FOR CRITICAL DIMENSION REDUCTION AND PITCH REDUCTION

Номер патента: US20120279656A9. Автор: Charatan Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING CRITICAL DIMENSION AND ROUGHNESS IN RESIST FEATURES

Номер патента: US20120280140A1. Автор: MARTIN Patrick M.,Godet Ludovic,Leavitt Christopher J.,Olson Joseph C.. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

CRITICAL DIMENSION REDUCTION AND ROUGHNESS CONTROL

Номер патента: US20120309201A1. Автор: . Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD OF OPTIMIZING AN OPTICAL PARAMETRIC MODEL FOR STRUCTURAL ANALYSIS USING OPTICAL CRITICAL DIMENSION (OCD) METROLOGY

Номер патента: US20120323356A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

SYSTEM AND METHOD FOR ELECTROMAGNETIC INTERFERECE SHIELDING FOR CRITICAL DIMENSION-SCANNING ELECTRON MICROSCOPE

Номер патента: US20130001419A1. Автор: Yu Chwen,Tsao Chia-Chi,Jhan Syun-Jie,Shih Yi-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-03.

Measurement of Critical Dimension

Номер патента: US20130003068A1. Автор: . Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

METHOD OF REDUCING CRITICAL DIMENSION PROCESS BIAS DIFFERENCES BETWEEN NARROW AND WIDE DAMASCENE WIRES

Номер патента: US20130005147A1. Автор: Angyal Matthew S.,Ogunsola Oluwafemi O.,Akinmade-Yusuff Hakeem B.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

METHODS AND SYSTEMS FOR DETERMINING A CRITICAL DIMENSION AND OVERLAY OF A SPECIMEN

Номер патента: US20130039460A1. Автор: Fielden John,Levy Ady,Brown Kyle A.,Smedt Rodney,Bultman Gary,Nikoonahad Mehrdad,Wack Dan,Abdul-Halim Ibrahim. Владелец: KLA-TENCOR TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-14.

STRUCTURE FOR CRITICAL DIMENSION AND OVERLAY MEASUREMENT

Номер патента: US20130120739A1. Автор: WANG Jian,MAO ZhiBiao,Dai Yunqing. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-16.

METHODS OF POLYMERS DEPOSITION FOR FORMING REDUCED CRITICAL DIMENSIONS

Номер патента: US20130122707A1. Автор: SHIMIZU Daisuke,Kim Jong Mun. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-16.

METHOD AND STRUCTURE FOR INLINE ELECTRICAL FIN CRITICAL DIMENSION MEASUREMENT

Номер патента: US20130173214A1. Автор: Yamashita Tenko,Bu Huiming,Leobandung Effendi,Standaert Theodorus Eduardus. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-04.

Critical Dimension and Pattern Recognition Structures for Devices Manufactured Using Double Patterning Techniques

Номер патента: US20130207108A1. Автор: Chauhan Vikrant,Mehta Sohan,Chen Tong Qing,Srivastava Ravi,Labelle Catherine,Kelling Mark. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-08-15.

NUMERICAL APERTURE INTEGRATION FOR OPTICAL CRITICAL DIMENSION (OCD) METROLOGY

Номер патента: US20130211760A1. Автор: Chu Hanyou,Jiang Peilin. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

METHOD OF SIMULTANEOUSLY FORMING MULTIPLE STRUCTURES HAVING DIFFERENT CRITICAL DIMENSIONS USING SIDEWALL TRANSFER

Номер патента: US20140024209A1. Автор: Kanakasabapathy Sivananda K.,Jung Ryan O.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-23.

METHODS OF IMPROVING TUNGSTEN CONTACT RESISTANCE IN SMALL CRITICAL DIMENSION FEATURES

Номер патента: US20140030889A1. Автор: Chen Feng,Yang Tsung-Han,Gao Juwen,Danek Michal. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.