Substrate processing method, method for manufacturing semiconducor device, and plasma processing apparatus
Номер патента: US11955316B2
Опубликовано: 09-04-2024
Автор(ы): Daisuke Nishide, Takayuki Katsunuma
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-04-2024
Автор(ы): Daisuke Nishide, Takayuki Katsunuma
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Plasma processing method
Номер патента: US20200294777A1. Автор: Satomi Inoue,Masahiro Sumiya,Shigeru Nakamoto,Kosa Hirota,Nanako TAMARI,Koichi Nakaune. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-09-17.