SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH BIT LINE CONTACT STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME
Номер патента: US20180240705A1
Опубликовано: 23-08-2018
Автор(ы): Chang Feng-Yi, Kuo Ming-Feng, Lee Fu-Che, TUNG Yu-Cheng, Tzou Shih-Fang
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-08-2018
Автор(ы): Chang Feng-Yi, Kuo Ming-Feng, Lee Fu-Che, TUNG Yu-Cheng, Tzou Shih-Fang
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of rinsing and drying semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same
Номер патента: US20150287590A1. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Yong-jhin Cho,Jihoon Jeong,Jung-min Oh,ChangSup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.