Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: EP4149000A1
Опубликовано: 15-03-2023
Автор(ы): Jing Xu, Pietro CAIROLI, Utkarsh Raheja, Xiaoqing Song
Принадлежит: ABB Schweiz AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: US12074209B2. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-27.

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: US20230074777A1. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2023-03-09.

Reverse direction high-electron-mobility transistor circuit

Номер патента: US20200126970A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-23.

Reverse direction high-electron-mobility logic gate

Номер патента: US20200127664A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-23.

Reverse direction high-electron-mobility logic gate

Номер патента: US10651852B1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-12.

Reverse direction high-electron-mobility logic devices

Номер патента: US20200235742A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-23.

Reverse direction high-electron-mobility logic devices

Номер патента: US10879694B2. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-29.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and preparation method for high electron mobility transistor

Номер патента: US20240322029A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: EP4254507A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20140253241A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: US20230352558A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

High electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: US12009417B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Multi-function power control circuit using enhancement mode gallium nitride (gan) high electron mobility transistors (hemts)

Номер патента: US20170170731A1. Автор: Anthony G.P. Marini,James L. Larrauri,Simon P. Wainwright,Max Zafrani. Владелец: Freebird Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Substrate biasing for bidirectional high electron mobility transistor device

Номер патента: US20240072161A1. Автор: Santosh Sharma. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and apparatus for controlling a gate voltage in high electron mobility transistor

Номер патента: US09461637B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: US11838017B2. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: EP4364205A1. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: US20220416784A1. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Method and apparatus for controlling a gate voltage in high electron mobility transistor

Номер патента: US20140240026A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and method for preparing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4407688A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Structure for increasing mobility in a high electron mobility transistor

Номер патента: US11101379B2. Автор: Haoran Li,Stacia Keller,Umesh K. Mishra,Xun Zheng,Brian Romanczyk,Matthew Guidry,Steven WIENECKE,Elaheh Ahmadi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-08-24.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US20210351286A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US20220037517A1. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

High electron mobility transistor, field-effect transistor, epitaxial substrate, method of manufacturing epitaxial substrate, and method of manufacturing group iii nitride transistor

Номер патента: CA2570558A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shin Hashimoto,Tatsuya Tanabe,Tomihito Miyazaki,Kouhei Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

High electron mobility transistor and manufacturing method therefor, chip, and electronic device

Номер патента: EP4250368A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Qiang He,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI,Chunhua FAN,Yangyi ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Electronic assembly provided with a plurality of high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328681A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313085A1. Автор: Shang-Hua Tsai. Владелец: Infinity Communication Tech Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240313084A1. Автор: Wei-Chih Ho. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Gallium Nitride high-electron mobility transistors with p-type layers and process for making the same

Номер патента: US12142674B2. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200235218A1. Автор: Brice De Jaeger,Niels Posthuma,Steve Stoffels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-23.

Electronic device comprising two high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328471A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20220181478A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Multi-Channel High Electron Mobility Transistor with Reduced Input Capacitance

Номер патента: US20240304670A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-channel high electron mobility transistor with reduced input capacitance

Номер патента: EP4428927A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: US09577064B2. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2017-02-21.

High electron mobility transistors

Номер патента: US09425276B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240136432A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-25.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240234561A9. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20230282740A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034068B2. Автор: Joff Derluyn. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-07-09.

A high electron mobility transistor

Номер патента: EP3642882A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2020-04-29.

High electron mobility transistor with semiconductor layer having a thickness varying along the transistor width

Номер патента: WO2019077784A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for fabricating high electron mobility transistor

Номер патента: US20230238455A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

High electron mobility transistor hemt device, wafer, packaging device, and electronic device

Номер патента: EP4210111A1. Автор: Hang Wang,DONGLIANG Zhang,Feng Xie,Jianyun Zhu,Ronghua XIE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20220262939A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

High electron mobility transistors, methods of manufacturing the same, and electronic devices including the same

Номер патента: US20150048421A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Hyo-ji CHOI,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-19.

High electron mobility transistor esd protection structures

Номер патента: EP3599640A8. Автор: Chungchi Gina Liao,Muhammad Ayman Shibib. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

High electron mobility transistors having barrier liners and integration schemes

Номер патента: US20230155016A1. Автор: Zhong-Xiang He,Anthony Stamper,Ramsey HAZBUN,Pernell Dongmo. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Access conductivity enhanced high electron mobility transistor

Номер патента: US09679762B2. Автор: Yan Zhu,Xinyu Zhang,Andrew Paul Edwards. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09608100B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Jong-Bong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

High Electron Mobility Transistor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200203502A1. Автор: David Zhou,Roy Wong,Han-Chin Chiu,Jinhan Zhang,Ming-Hong CHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140187003A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-07-03.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110272741A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-10.

Enhancement-mode high electron mobility transistors with small fin isolation features

Номер патента: US20220344457A1. Автор: Jean Lapointe,Alireza LOGHMANY,Elias AL-ALAM. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-10-27.

Pseudomorphic high electron mobility transistor, low noise amplifier, and related apparatus

Номер патента: US20240332412A1. Автор: TENG Teng,Xiaomin ZHOU,Jie Yu,Minglang YU,Jianwei Ye,Yusi XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Pseudomorphic high electron mobility transistor, low-noise amplifier and related device

Номер патента: EP4451341A1. Автор: TENG Teng,Xiaomin ZHOU,Jie Yu,Minglang YU,Jianwei Ye,Yusi XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

High electron mobility transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US09859410B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

High-electron-mobility transistors

Номер патента: US09525055B2. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

High electron mobility transistors including lightly doped drain regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09443968B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US09431511B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US09379227B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234559A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234539A9. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A2. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234538A9. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040392B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A3. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299169A1. Автор: Chih-Hung Lu,Yu-Jen Huang,Jih-Wen Chou,Hsin-Hong Chen,Po-Hsien Yeh,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US12051740B2. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12057490B2. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP3767685A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Iii-nitride/gallium oxide based high electron mobility transistors

Номер патента: US20230089714A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-03-23.

Multi-channel gate-all-around high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20220131013A1. Автор: YE Lu,Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258398A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240322008A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US12100758B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

High electron mobility transistor device having a barrier layer with a protruding portion

Номер патента: US12100756B2. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240322030A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12107157B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12080778B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Multi-channel high electron mobility transistor with doped gate fins

Номер патента: US20240332409A1. Автор: Clemens Ostermaier,Korbinian Reiser,Lauri Olavi Knuuttila. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US12132103B2. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fong Lin,Tsung-Hsiang Lin,Li-Wen CHUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US12074214B2. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

High electron mobility transistor (HEMT) device and method of making the same

Номер патента: US09865721B1. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09793371B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US09735240B2. Автор: LONG Yang,Dong Lee,William Fenwick. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09704968B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034071B2. Автор: Yang Du,Chia-Ching HUANG,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

High-electron-mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP4383345A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having a modified interface region

Номер патента: US12015075B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method for forming insulating structure of high electron mobility transistor

Номер патента: US20210074838A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040380B2. Автор: Chen-Wei Pan,Chun-Pin Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US20140073095A1. Автор: Ken Sato. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136422A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-25.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040393B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A2. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369448A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240162313A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231021A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210193824A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20180294341A1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Insulating structure of high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210013335A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

RF high-electron-mobility transistors including group III-N stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US11710785B2. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-25.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231044A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290875A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12080787B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220376100A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

P-gan high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240154021A1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Kai Lin,Wei-Chen Huang,Chung-Wei Wu,Po-Hsun Chen,Yong-Ci Zhang,Sheng-Yao Chou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2024-05-09.

Elemental semiconductor material contact for high electron mobility transistor

Номер патента: US20140349449A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US20240304715A1. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-09-12.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A3. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347621A1. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240355920A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339532A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US20240355917A1. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09960264B1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Source/drain regions for high electron mobility transistors (HEMT) and methods of forming same

Номер патента: US09929248B2. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US09899493B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

High-electron-mobility transistor having a buried field plate

Номер патента: US09728630B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Surface treatment and passivation for high electron mobility transistors

Номер патента: US09666683B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

High electron mobility transistors exhibiting dual depletion and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09660048B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Doped gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: US09640650B2. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride

Номер патента: US09608103B2. Автор: Jeffrey Craig Ramer,Karl Knieriem. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Structure for a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor

Номер патента: US09601608B2. Автор: Ming-Wei Tsai,King-Yuen Wong,Han-Chin Chiu,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Source/drain regions for high electron mobility transistors (HEMT) and methods of forming same

Номер патента: US09536962B1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US09525054B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240371968A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09419093B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11757029B2. Автор: Jongseob Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US11888051B2. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US11799000B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US12002880B2. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240213334A1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

High electron mobility transistor structure and manufacturing method therefor and application thereof

Номер патента: EP4318596A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-02-07.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20230402526A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4290582A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Electronic device provided with a stack of two high electron mobility transistors arranged in a bridge half-arm

Номер патента: US20220359714A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-11-10.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: WO2012017390A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

Gallium nitride high-electron mobility transistors with deep implanted p-type layers in silicon carbide substrates

Номер патента: WO2017223403A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2017-12-28.

Gallium nitride-based high electron mobility transistor epitaxial wafer and preparation method therefor

Номер патента: US20230326996A1. Автор: Chen Su,Peng Li,HUI Wang,Jiahui Hu,Yuanyuan JIANG,Wubin Zhang. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

High electron mobility transistor (HEMT) and forming method thereof

Номер патента: US11296214B2. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20170373178A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20190229187A1. Автор: Saptharishi Sriram,Thomas Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Gallium nitride high-electron mobility transistors with deep implanted p-type layers in silicon carbide substrates

Номер патента: EP3475985A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-05-01.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20220173236A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20210020769A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

High-electron-mobility transistor structure as well as fabricating method and use thereof

Номер патента: US20240186405A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-06-06.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: EP3767683A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

A high electron mobility transistor

Номер патента: WO2018234338A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-12-27.

High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a back barrier layer

Номер патента: US11855199B2. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20220384630A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20240088284A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9276098B2. Автор: Hong-Pyo HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-01.

Monolithic integration of enhancement-mode and depletion-mode galium nitride high electron mobility transistors

Номер патента: US20240014291A1. Автор: Elias AL ALAM,Alireza LOGHMANY. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US11923446B2. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

High Electron Mobility Transistor with Varying Semiconductor Layer

Номер патента: US20190115462A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: WO2020236180A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-11-26.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20160126339A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US20240038882A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for epitaxy of high electron mobility transistor

Номер патента: US20240063291A1. Автор: Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Multi-threshold voltage galium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230420541A1. Автор: Elias AL ALAM,Alireza LOGHMANY. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-12-28.

Monolithic integration of enhancement-mode and depletion-mode galium nitride high electron mobility transistors

Номер патента: CA3199022A1. Автор: Alireza LOGHMANY,Elias AL-ALAM. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-05-19.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230290872A1. Автор: Po-Jung Lin,Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US20240038881A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150214327A1. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US9276082B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-03-01.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140159048A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu,K.C. Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-12.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: US20220254912A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: EP3973576A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US12002879B2. Автор: Younghwan Park,Boram Kim,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061724A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-03-06.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof, chip, and electronic device

Номер патента: US20230343835A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Qiang He,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI,Chunhua FAN,Yangyi ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

High Electron Mobility Transistor ESD Protection Structures

Номер патента: US20200035666A1. Автор: Muhammed Ayman Shibib,Chungchi Gina Liao. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Low power smith-purcell radiation sources based on high electron mobility transistor structures

Номер патента: US20230327011A1. Автор: John S Cetnar,David H Tomich,Shivashankar R Vangala. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2023-10-12.

High electron mobility transistor (HEMT) device structure

Номер патента: US10014402B1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: TW202115909A. Автор: 張峻銘,黃哲弘,廖文榮,侯俊良,葉治東. Владелец: 聯華電子股份有限公司. Дата публикации: 2021-04-16.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11489048B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112652659A. Автор: 张峻铭,侯俊良,黄哲弘,廖文荣. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

High breakdown enhancement mode gallium nitride based high electron mobility transistors with integrated slant field plate

Номер патента: WO2008021544A3. Автор: Yuvaraj Dora,Chang Soo Suh,Umesh K Mishra. Владелец: Umesh K Mishra. Дата публикации: 2008-06-19.

High-electron-mobility transistor with buried interconnect

Номер патента: EP3331027A2. Автор: Yongping Ding,Kyle Terrill,Ayman SHIBIB,Jinman Yang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-06.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: TW201919238A. Автор: 陳志泰,歐羅夫 寇迪那. Владелец: 瑞典商斯維甘公司. Дата публикации: 2019-05-16.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240072153A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: EP4341998A1. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240128353A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275147A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High electron mobility transistors

Номер патента: US20240088242A1. Автор: Randy L. Wolf,Rebouh Benelbar,Rajendran Krishnasamy,Michel J. Abou-Khalil,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079485A1. Автор: Chih-Hung Lu,Jih-Wen Chou,Bo-An Tsai,Zheng-Chang MU,Po-Hsien Yeh,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230369481A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor having conductive plate on passivation layer and method for forming the same

Номер патента: US11855174B2. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210217885A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20220416073A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP4216281A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200328298A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240021703A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: US20240038847A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230395694A1. Автор: Chan-Hong Chern,Yi-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: US20210134966A1. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: WO2020142345A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-07-09.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: EP3906583A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-11-10.

Semiconductor structure, high electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11967642B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN,Chun-Yang Chen,Tuan-Wei WANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure and high electron mobility transistor

Номер патента: US11942519B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230290839A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US11894453B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing high electron mobility transistor with at least two barrier layers

Номер патента: US11462636B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A3. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230335614A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4312276A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4312277A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Lun Chen,Yen-Hsing Chen,Chun-Liang Kuo,Ruei-Hong SHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

Method for manufacturing high electron mobility transistor device

Номер патента: US20240006525A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chun-Lung Chen,Bo-Yu Chen,Lung-En Kuo,Yuan Yu Chung,You-Jia Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20160359015A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20150140745A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038871A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038844A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Lun Chen,Yen-Hsing Chen,Chun-Liang Kuo,Ruei-Hong SHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230387280A1. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11894441B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378314A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11735644B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

High-electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006511A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Enhancement mode high electron mobility transistor

Номер патента: US11935947B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for fabricating high electron mobility transistor

Номер патента: US20240072126A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240071758A1. Автор: Wen-Jung Liao,Bo-Yu Chen,Chih-Tung Yeh,Ruey-Chyr Lee,You-Jia Chang,Yun-Chun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US11810962B2. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170084717A1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170025507A1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: US11355600B2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

High electron mobility transistor and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2023194211A1. Автор: Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2023-10-12.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11804544B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

High electron mobility transistor (hemt) device and method of forming the same

Номер патента: US20240014307A1. Автор: Wei Jen Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11830941B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

High-electron-mobility transistor devices

Номер патента: US20180158940A1. Автор: Kyle Terrill,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3772112A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-03.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275146A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US11804538B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11973133B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Methods of fabricating semiconductor structures and high electron mobility transistors

Номер патента: US20190207012A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fung Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US11843046B2. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11257939B2. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230361207A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11749748B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Predisposed high electron mobility transistor

Номер патента: WO2014055314A3. Автор: Christer Hallin. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

High electron mobility transistor (hemt) devices and methods

Номер патента: US20210091219A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-25.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230335630A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated depletion and enhancement mode gallium nitride high-electron mobility transistors

Номер патента: US20240063219A1. Автор: JERRY JOSEPH James,Francois Hebert,Richard J. Rassel,Santosh Sharma,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11784238B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4266374A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

High electron mobility transistor structure

Номер патента: US20190131427A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240097004A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Process of forming a high electron mobility transistor including a gate electrode layer spaced apart from a silicon nitride film

Номер патента: US11710773B2. Автор: Yukinori Nose,Kenta Sugawara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Multi-gate high electron mobility transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP3192101A1. Автор: Patrick Morrow,Sansaptak DASGUPTA,Kimin Jun,Alejandro X. Levander. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Method for fabricating a high electron mobility transistor

Номер патента: EP4210113A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

High electron mobility transistors having improved passivation structures and reduces drain current drift, as well as methods of fabricating such devices

Номер патента: WO2024039968A3. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Jia GUO,Chris Hardiman,Elizabeth Keenan. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

High electron mobility transistors having reduced drain current drift and methods of fabricating such devices

Номер патента: WO2024039968A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Jia GUO,Chris Hardiman,Elizabeth Keenan. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

High electron mobility transistor (hemt) comprising stacked nanowire or nanosheet heterostructures

Номер патента: US20220328655A1. Автор: Xiuling Li,Shaloo Rakheja. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistor epitaxial structure

Номер патента: US20240063270A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Hong-Che LIN. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230402537A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Huai-Tzu Chiang,Chuang-Han Hsieh,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: EP2601678A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2013-06-12.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4328976A1. Автор: Wen-Jung Liao,Bo-Yu Chen,Chih-Tung Yeh,Ruey-Chyr Lee,You-Jia Chang,Yun-Chun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210083073A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230402527A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3796395A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230369447A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Tzu-Yao Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113215A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US20240120416A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240014310A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High-electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20210134978A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230100904A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240079405A1. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240178310A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US11616135B2. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: EP3863064A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

Enhancement High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230420498A1. Автор: Han-Chung Tai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-28.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20220093778A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

High electron mobility transistor (HEMT) and a method of forming the same

Номер патента: US9831332B2. Автор: Shinya Mizuno. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20230020271A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12009415B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20210013334A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230238445A1. Автор: Chun-Ling Lin,Ko-Wei Lin,Chun-Chieh Chiu,Hsin-Fu Huang,Shu Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20230112917A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US12002681B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240178285A1. Автор: Hsin-Chang Tsai,Shyh-Chiang Shen,Yi-Wei Lien,Wei-Chih Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240014309A1. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Rf high-electron-mobility transistors including group iii-n stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US20200388701A1. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: Comell University. Дата публикации: 2020-12-10.

Heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US12002881B2. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-06-04.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240186384A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210036138A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: US20210020767A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129579A1. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

High electron mobility transistor device and methods for forming the same

Номер патента: US20210057562A1. Автор: Chien-Jen Sun,Chi-Feng HSIEH,Tuan-Wei WANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210151591A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20150087118A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: WO2012017389A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200111901A1. Автор: Wen-Ying Wen,Chih-hao Chen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240194773A1. Автор: Tzu-Wen Wang,Yen-Chun Tseng,Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12027604B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

High electron mobility transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US20180374944A1. Автор: Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Virginia D. Wheeler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-12-27.

Double aluminum nitride spacers for nitride high electron-mobility transistors

Номер патента: WO2013185089A1. Автор: Yu Cao,Wayne Johnson,Oleg Laboutin. Владелец: IQE KC, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

High-electron-mobility transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230387282A1. Автор: Wei-Ting Chang,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Ching Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Double continuous graded back barrier group iii-nitride high electron mobility heterostructure

Номер патента: US20240162341A1. Автор: John Andrew Logan,Maher Bishara Tahhan. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-16.

Double continuous graded back barrier group iii-nitride high electron mobility heterostructure

Номер патента: WO2024107467A1. Автор: John Andrew Logan,Maher Bishara Tahhan. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2024-05-23.

A high electron mobility field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013176905A4. Автор: Karim S. Boutros,Sameh Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2014-01-23.

Transistor having high withstand voltage and high electron mobility and preparation method therefor

Номер патента: US20220302292A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Transistor having high withstand voltage and high electron mobility and preparation method therefor

Номер патента: EP4006991A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Transistor having high electron mobility (hemt), transistor assembly, method for controlling an hemt, and method for producing an hemt

Номер патента: US20230395708A1. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Holger Kapels,Simon Fichtner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for producing a transistor with a high degree of electron mobility, and produced transistor

Номер патента: US20230420542A1. Автор: Hans-Joachim Würfl,Elke Meissner. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2023-12-28.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9660066B2. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-05-23.

Spatial terahertz wave phase modulator based on high electron mobility transistor

Номер патента: US09865692B2. Автор: Yaxin Zhang,Yuncheng Zhao,Shixiong LIANG,Ziqiang YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-01-09.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Structure to increase breakdown voltage of high electron mobility transistor

Номер патента: US20210367068A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-11-25.

Bidirectional device provided with a stack of two high electron mobility transistors connected head-to-tail

Номер патента: US20220336651A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-20.

Structure to increase breakdown voltage of high electron mobility transistor

Номер патента: US11289592B2. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-03-29.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: US20240363745A1. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: WO2024226212A2. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09570597B2. Автор: Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated circuit with high electron mobility transistor

Номер патента: GB2412238A. Автор: Chul Hong Park. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-09-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20160211330A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-07-21.

Gallium nitride high electron mobility transistor and gate structure thereof

Номер патента: US20200212173A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

High Electron Mobility Transistor and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20110156100A1. Автор: Chien-I Kuo,Edward Yi Chang,Heng-Tung Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-06-30.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09627523B2. Автор: Chih-Wei Yang,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG,Hsein-chin CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240234560A9. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230411509A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20230326980A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Wei Jen Chen,Chi-Hsiao Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A2. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130187197A1. Автор: Woo Jin Chang,Ho Kyun Ahn,Sung Bum Bae,Chull Won JU,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-07-25.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A3. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Field plate biasing of high electron mobility transistor

Номер патента: US20240282827A1. Автор: Marco A. Zuniga,Ashutosh Ravindra Joharapurkar,Thomas William Macelwee,Rohan Samsi,Lucas Andrew Milner,Vineet Unni,Jayasimha S. Prasad,Ramesh G. KARPUR. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Field plate biasing of high electron mobility transistor

Номер патента: WO2024176174A1. Автор: Marco A. Zuniga,Thomas MacElwee,Jayasimha Prasad,Rohan Samsi,Ramesh Karpur,Vineet Unni,Lucas MILNER,Ashutosh Joharapurkar. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11251292B2. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200373419A1. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: WO2019163163A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-08-29.

GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220123136A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Hong-Chih Chen,Yun-Hsuan Lin,Mao-Chou Tai,Hao-Xuan Zheng,Fu-Yuan Jin,Fong-Min Ciou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for making integrated heterojunction bipolar/high electron mobility transistor

Номер патента: US5920773A. Автор: Julia J. Brown,Madjid Hafizi,William E. Stanchina. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

High Electron Mobility Transistor and manufacture method thereof

Номер патента: CN103579299B. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-13.

Normally-off high electron mobility transistor

Номер патента: US8890212B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Young-Hwan Park,Kyoung-Yeon Kim,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-18.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103579299A. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-12.

Enhancement mode high-electron-mobility transistor having n-i-p semiconductor junction structure and applications thereof

Номер патента: US20230352574A1. Автор: Yu-Jen Liu,Tsung-Cheng Chang,Chia-Cheng Liu,Ming-Chin Chen,Ya-Yu YANG,Shang-Ju TU,Chung-Chih Tsai,Tien Ching FENG. Владелец: Unikorn Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer

Номер патента: US6849882B2. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9331154B2. Автор: Chih-Wei Yang,Hsien-Chin Chiu,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

pseudomorphic high electron mobility transistor for suppressing negative differential resistance and method for producing the same

Номер патента: KR100554967B1. Автор: 이진구,오정훈,전병철,설우석,김삼동. Владелец: 김삼동. Дата публикации: 2006-03-03.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment and methods of fabricating same

Номер патента: CA2453318C. Автор: Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Group-iii nitride based high electron mobility transistor (hemt) with barrier/spacer layer

Номер патента: CA2447058C. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Sensors using aigan/gan high electron mobility transistors

Номер патента: WO2009039298A2. Автор: Fan Ren,Stephen John Pearton,Tanmay Lele,Hung-Ta Wang,Byoung-Sam Kang. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2009-03-26.

Pseudomorphic high electron mobility transistor comprising doped low temperature buffer layer

Номер патента: US20140138746A1. Автор: Hans G. Rohdin,Nathan Perkins,Jonathan Abrokwah,John Stanback,Philbert Marsh. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Aluminum free group iii-nitride based high electron mobility transistors and methods of fabricating same

Номер патента: EP1875514A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-09.

Complementary high electron mobility transistor

Номер патента: US20230207679A1. Автор: Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230335629A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136423A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (pHEMT) COMPRISING LOW TEMPERATURE BUFFER LAYER

Номер патента: US20130285119A1. Автор: Phil Marsh,Hans G. Rohdin,Nate PERKINS,Jonathan Abrokwah,John Stanback. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

P-gan high electron mobility transistor field plating

Номер патента: WO2024030127A1. Автор: Ayman SHIBIB,Saba RAJABI. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240136431A1. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

High-electron mobility transistor

Номер патента: WO2010126288A1. Автор: Doyeol Ahn. Владелец: UNIVERSITY OF SEOUL INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

Capacitance networks for enhancing high voltage operation of a high electron mobility transistor and method therein

Номер патента: EP3997737A1. Автор: Alexey Kudymov,Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang,Kamal VARADARAJAN. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

P-GaN HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20230378337A1. Автор: Ting-Chang Chang,yu-xuan Wang,Shih-Kai Lin,Wei-Chen Huang,Kai-Chun Chang,Mao-Chou Tai,Ting-Tzu Kuo. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-11-23.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12002857B2. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11848376B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Capacitance networks for enhancing high voltage operation of a high electron mobility transistor and method therein

Номер патента: US20220262941A1. Автор: Alexey Kudymov,Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang,Kamal VARADARAJAN. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

High electron mobility transistors with charge compensation

Номер патента: US20200373383A1. Автор: Yuhao ZHANG. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150087142A1. Автор: Woo Jin Chang,Ho Kyun Ahn,Sung Bum Bae,Chull Won JU,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-03-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240194774A1. Автор: Tzu-Wen Wang,Yen-Chun Tseng,Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Structure of high electron mobility light emitting transistor

Номер патента: US20160190384A1. Автор: Keh-Yung Cheng,Chun-Hung Wu,Yi-Chen Li,Chih-Fang Huang,Yu-Li Wang,Wei-Chen YANG,Shao-Yen Chiu,Ting-Fu Chang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-06-30.

Structure of high electron mobility light emitting transistor

Номер патента: US09502602B2. Автор: Keh-Yung Cheng,Chun-Hung Wu,Yi-Chen Li,Chih-Fang Huang,Yu-Li Wang,Wei-Chen YANG,Shao-Yen Chiu,Ting-Fu Chang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-11-22.

Fault detecting apparatus and detecting method of the same

Номер патента: US09863992B2. Автор: Eiichi Ikawa,Tatsuaki Ambo,Chieko UMENO. Владелец: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US20090321744A1. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-12-31.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US20040140468A1. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US8178882B2. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-15.

High mobility transistor element resulting from igto oxide semiconductor crystallization, and production method for same

Номер патента: US20240088270A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Bo Kyoung Kim,Nuri ON. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-03-14.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US7608475B2. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-10-27.

Fault detection assembly

Номер патента: US20150260781A1. Автор: Zdenek LUKES,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2015-09-17.

Fault detection assembly

Номер патента: US9535109B2. Автор: Zdenek LUKES,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2017-01-03.

Structure of high electron mobility transistor growth on si substrate and the method thereof

Номер патента: US20130049070A1. Автор: Edward Yi Chang,Yueh-Chin Lin,Shih-Hsuan Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability

Номер патента: EP3984068A1. Автор: Bruce Schmukler,Evan Jones,Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Fabian Radulescu,Terry Alcorn,Kyle BOTHE,Chris Hardiman,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Structure of high electron mobility transistor growth on Si substrate and the method thereof

Номер патента: US8796117B2. Автор: Edward Yi Chang,Yueh-Chin Lin,Shih-Hsuan Tang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-08-05.

High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability

Номер патента: US20200395475A1. Автор: Bruce Schmukler,Evan Jones,Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Terry Alcorn,Kyle BOTHE,Chris Hardiman,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Electrical switching apparatus including alternating current electronic trip circuit with arc fault detection circuit

Номер патента: US09647446B2. Автор: Xin Zhou,Robert W. Mueller,David R. Rohn. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Electrical switching apparatus including alternating current electronic trip circuit with arc fault detection circuit

Номер патента: US09472945B2. Автор: Xin Zhou,Robert W. Mueller,David R. Rohn. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Electrical switching apparatus including alternating current electronic trip circuit with arc fault detection circuit and power supply

Номер патента: US09466968B2. Автор: Xin Zhou,Harry J. Carlino,Theodore J. Miller. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Electrical connectors with integral fault detection and indication

Номер патента: US20240243528A1. Автор: Eugene Frid,Vikramsinh P. Bhosale,Constantin DIAC,John Garbarino,Michael Calamita. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Ground fault detection

Номер патента: GB2571299A. Автор: Eliassen Sivert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-08-28.

Electrical switching apparatus including alternating current electronic trip circuit with arc fault detection circuit and power supply

Номер патента: WO2015094510A1. Автор: Xin Zhou,Harry J. Carlino,Theodore J. Miller. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-25.

Epitaxial oxide high electron mobility transistor

Номер патента: US20230141076A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

InGaAs/GaAs high electron mobility transistor

Номер патента: US6953955B2. Автор: Wei-Chou Hsu,Ching-Sung Lee. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2005-10-11.

Semiconductor memory device with high electron mobility channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US11882703B2. Автор: Hyung Jin Choi,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Fault detection system for isolated two-switch exciter drive gate driver

Номер патента: US09871479B2. Автор: Thomas P. Joyce,Art Beneditz. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

A FDSOI-MOSFET USING HIGH k MATERIAL FOR NANO SCALED CIRCUITS

Номер патента: AU2021107274A4. Автор: Dinesh Padole,Sanjay Chopade,Kavita Joshi. Владелец: Padole Dinesh Dr. Дата публикации: 2021-12-09.

Address Fault Detection In A Flash Memory System

Номер патента: US20180277174A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Address fault detection in a flash memory system

Номер патента: EP3602562A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US09467038B2. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US20150049514A1. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Ground fault detection and interrupt system

Номер патента: EP3391489A1. Автор: Robert Gregory Wagoner,Daniel Francis Opila,Siddharth Pant,David Everett FRYE,Philip Edgar Crapse STONE,Shrutish DAWANDE. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2018-10-24.

Circuit fault detection apparatus

Номер патента: US12066485B2. Автор: Yohei Nakakura,Yuichiro Nakano. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Circuit fault detection apparatus

Номер патента: US20210203321A1. Автор: Yohei Nakakura,Yuichiro Nakano. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

High power pseudomorphic gallium arsenide high electron mobility transistors

Номер патента: US5262660A. Автор: Po-Hsin Liu,Dwight C. Streit,Kin L. Tan. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1993-11-16.

Detection sensor comprising a selective high-electron-mobility transistor for detecting a gaseous or liquid component

Номер патента: US11408322B2. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Chris Bishop,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2022-08-09.

Component with high electron mobility

Номер патента: US20230307360A1. Автор: Dominique BERGOGNE,Frederic Rothan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-09-28.

Fault detection method and apparatus

Номер патента: EP1191308A3. Автор: Terry Reiss,Dimitris P. Lymberopoulos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-18.

The statistic analysis of fault detection and classification in semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2007052949A1. Автор: Jae Keun Lee,Heung Seob Koo. Владелец: Isemicon, Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Address fault detection in a memory system

Номер патента: US20230162794A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for rounding bottom corner in LOCOS process by using high density plasma poly etcher

Номер патента: US20030040165A1. Автор: Chun-Hung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Multi-Path Fault Detection

Номер патента: US20200151075A1. Автор: Hongbo ZHAO,Xinyu Hu,Yuping Zhao,Qian Cao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Fault detection system, generation circuit, and program

Номер патента: US20150247898A1. Автор: Yasuo Sato,Seiji Kajihara,Kohei Miyase,Senling Wang. Владелец: Kyushu Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor integrated circuit device with fault detecting function

Номер патента: CA2079696C. Автор: Yoshihiro Tanaka,Yoshio Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Method for enhancing electron mobility in GaAs

Номер патента: US4383869A. Автор: Shing-gong Liu. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-05-17.

Statistic Analysis of Fault Detection and Classification in Semiconductor Manufacturing

Номер патента: US20080262771A1. Автор: Jae Keun Lee,Heung Seob Koo. Владелец: Isemicon Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: US11187671B2. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2021-11-30.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: US20200278315A1. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2020-09-03.

Apparatus for electrodeless measurement of electron mobility in nano material, apparatus for electrodeless measurement of hole mobility in nano material, method for electrodeless measurement of electron mobility in nano material, and method for electrodeless measurement of hole mobility in nano material

Номер патента: US20200225176A1. Автор: Yong Jin Kim,Jung Sub Lee,Kyu Wook IHM,Mi Hyun YANG. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2020-07-16.

Battery-pack fault detecting device and method for detecting fault of battery-pack

Номер патента: US9835688B2. Автор: Yun Yang,XIANG Zhu,Zhiqiang He. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Inverter system capable of detecting output ground fault and output ground fault detection method using same

Номер патента: US12038486B2. Автор: Chun-Suk Yang,Chengde XU. Владелец: LS Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Battery-pack fault detecting device and method for detecting fault of battery-pack

Номер патента: US20150346284A1. Автор: Yun Yang,XIANG Zhu,Zhiqiang He. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Insulation fault detection device, electrical power supply system, and a method for detecting an insulation fault

Номер патента: WO2024224223A1. Автор: David Costes,Milan UTVIC,Aurélien CARRUPT. Владелец: H55 SA. Дата публикации: 2024-10-31.

High electron conduction compound, electrochemical cell electrode incorporating this compound, method for electrode manufacture, and electrochemical cell

Номер патента: RU2279148C2. Автор: ХЁВЕЛЬН Фредерик Хендрик ВАН,Ламбертус ПЛОМП,Герард Доуи ЭЛЬЗИНГА. Владелец: Энергиеондерзоек Сентрум Недерланд. Дата публикации: 2006-06-27.

Fan fault detection device

Номер патента: US20230358823A1. Автор: Suk Ki Kim,Hyungho Kim,Jeonghyup KO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Fan fault detection device

Номер патента: US12123925B2. Автор: Suk Ki Kim,Hyungho Kim,Jeonghyup KO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of upgrading firmware by configuring a low data-rate radio frequency (RF) module using high frequency RF bands

Номер патента: US10536845B2. Автор: Xin Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-14.

Independent ground fault detection using current transformer

Номер патента: WO2021222162A1. Автор: Andrew S. Clark,Robert J. VOVOS,Arthur P. Lyons,Peter A. Carruthers,Benjamin T. WEBSTER. Владелец: BAE SYSTEMS CONTROLS INC.. Дата публикации: 2021-11-04.

Independent ground fault detection using current transformer

Номер патента: CA3181405A1. Автор: Andrew S. Clark,Robert J. VOVOS,Arthur P. Lyons,Peter A. Carruthers,Benjamin T. WEBSTER. Владелец: BAE Systems Controls Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Independent ground fault detection using current transformer

Номер патента: EP4143050A1. Автор: Andrew S. Clark,Robert J. VOVOS,Arthur P. Lyons,Peter A. Carruthers,Benjamin T. WEBSTER. Владелец: BAE Systems Controls Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Fault detection and control methodologies for ion implantation processes, and system for performing same.

Номер патента: WO2005045875A1. Автор: Richard J. Markle,Elfido Coss, Jr.,Patrick M. Cowan,Tom Tse. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-05-19.

Trans-inductor voltage regulators with fault detection and the fault detection method thereof

Номер патента: US12113432B2. Автор: Tao Zhao,Hang SHAO. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-isolated power supply output chassis ground fault detection and protection system

Номер патента: US09705306B2. Автор: Sunit Kumar Saxena,Deepak Bhimrao Mahajan,Tarak Saha,Anand Vivek Ravi. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Power supply device supplying limited DC power to load based on ground fault detection

Номер патента: US09621024B2. Автор: Susumu Endo. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Fault detection method and fault symptom diagnosis system and method for solenoid actuators

Номер патента: US20240345165A1. Автор: Taeyoung KO. Владелец: HL Mando Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

System and method for ground fault detection

Номер патента: US20170131340A1. Автор: Jiangang Hu,Rangarajan M. Tallam,Brian P. Brown. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Ground fault detection system and method

Номер патента: EP4429053A1. Автор: Ajith Kumar,Sai Vudugula,Rajendra Chittimalla. Владелец: Transportation IP Holdings LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Power supplies having a single isolation device for feedback and fault detection

Номер патента: US09960665B2. Автор: Jonathan Ross Bernardo Fauni,Jessica Cabiles MAGSINO,Yancy Fontanilla Boncato,Ronnie Bachiller GOZUN. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Fault detection apparatus and method, and grid-tied photovoltaic power generation system

Номер патента: US11728769B2. Автор: Lei Shi,Yongbing GAO,Yunyu Tang. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Floating ground architectures in usb type-c controllers for fault detection

Номер патента: US20230305077A1. Автор: Ramakrishna Venigalla,Hemant P. Vispute,Kiran Kumar Reddy Maley. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Fault detection for fuel cell engines using runtime valve control data

Номер патента: WO2023219620A1. Автор: Daniel Orlowski. Владелец: Us Hybrid Corporation. Дата публикации: 2023-11-16.

Floating ground architectures in USB type-C controllers for fault detection

Номер патента: US11768253B1. Автор: Ramakrishna Venigalla,Hemant P. Vispute,Kiran Kumar Reddy Maley. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Fault detection system and method for liquid level sensing device

Номер патента: CA3049968A1. Автор: Sean McCarthy,Olivier Bibor. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2020-02-14.

Fault detection system

Номер патента: EP1989525A2. Автор: Jarle Jansen Bremnes. Владелец: Nexans SA. Дата публикации: 2008-11-12.

Fault detection system

Номер патента: WO2007096775A3. Автор: Jarle Jansen Bremnes. Владелец: Jarle Jansen Bremnes. Дата публикации: 2007-12-27.

Fault detection system

Номер патента: EP1989525B1. Автор: Jarle Jansen Bremnes. Владелец: Nexans SA. Дата публикации: 2012-05-30.

Fault detection system

Номер патента: WO2007096775A2. Автор: Jarle Jansen Bremnes. Владелец: NEXANS. Дата публикации: 2007-08-30.

Fault detection optimized electronic circuit and method

Номер патента: US09648727B2. Автор: Justin Sitzman. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2017-05-09.

Trans-inductor voltage regulators with fault detection and the fault detection method thereof

Номер патента: US20230299687A1. Автор: Tao Zhao,Hang SHAO. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Fuel cell stack module fault detection system and method

Номер патента: US20220359893A1. Автор: Lei Sun. Владелец: Ceres Intellectual Property Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Adaptive blanking of over current fault detection circuits in power conversion gate drivers

Номер патента: US20210181254A1. Автор: Michael Collins,Steven John Tanghe,Brian K. Jadus,Deepak Gunasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-17.

Fan fault detection device

Номер патента: US11789091B2. Автор: Suk Ki Kim,Hyungho Kim,Jeonghyup KO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for manufacturing fuel cell separator having minimized surface defect via surface polishing using high-pressure injection

Номер патента: US20230141750A1. Автор: Jae Yeol Lee,Yoo Taek JEON,Byung Hak JHUNG,Won Do KIM,Heon HEO. Владелец: Sejong EV Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

System and method for ground fault detection using current measurement coils

Номер патента: EP3690454A1. Автор: Dennis Mulders. Владелец: Koninklijke Fabriek Inventum BV. Дата публикации: 2020-08-05.

Ground fault detection device

Номер патента: US20240230789A1. Автор: Shinichi Tanabe. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Fault detection protecting circuit

Номер патента: US20160013629A1. Автор: Akira Suzuki,Hideharu Nagatomo. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Fault detection protecting circuit

Номер патента: US9680296B2. Автор: Akira Suzuki,Hideharu Nagatomo. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Fault detection protecting circuit

Номер патента: US09680296B2. Автор: Akira Suzuki,Hideharu Nagatomo. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method and system for fault detection and recovery of voltage converter

Номер патента: RU2692674C1. Автор: Ган ЛИ,Юй ЛУ,Цзян ЛУ,Юньлун Дун,Хайин Ли,Чжаоцин Ху,Наньнань ВАН,Кэ Ван,Хуэй ВАН,Цзе ТЯНЬ,Шунькэ СУЙ,Тяньгуй ЦЗЯН,Ядун ФЭН. Владелец: Нр Инжиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2019-06-26.

Secured fault detection in a power substation

Номер патента: EP3271985A1. Автор: Tao CUI,Zhenyuan Wang,Reynaldo Nuqui,Dmitry Ishchenko. Владелец: ABB Inc USA. Дата публикации: 2018-01-24.

System and Method for Ground Fault Detection Using Current Measurement Coils

Номер патента: US20200241064A1. Автор: Dennis Mulders. Владелец: Koninklujke Fabriek Inventum BV. Дата публикации: 2020-07-30.

Fault detection method and fault detection device

Номер патента: EP4170841A1. Автор: Nathan Hackett. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-04-26.

Method and apparatus for generalized arc fault detection

Номер патента: WO2006121496A1. Автор: Hassan Ali Kojori,Chunlin Li,Francis P.J. Dawson. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus for generalized arc fault detection

Номер патента: EP1861726A1. Автор: Hassan Ali Kojori,Chunlin Li,Francis P.J. Dawson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-12-05.

Ground fault detection circuit

Номер патента: US09541593B2. Автор: Mark Towers,Dylan Wyn Davies. Владелец: CONTROL TECHNIQUES LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and device for fault detection

Номер патента: US20230130108A1. Автор: Nathan Hackett. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Electric ground fault detection system and method

Номер патента: US20190049507A1. Автор: Jeffrey Louis Daigle,Jeffrey John Wolff,Latha Belagumba Narasegowda,Swapan Kumar Kundu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-02-14.

Arc fault detection modules for vehicle electrical systems

Номер патента: EP4081814A1. Автор: Brandon William Fisher,Chaitanya Bhalwankar,Ritika Shetty,Kumar Prasad Telikepalli,Naresh Kumar Kodela. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Arc fault detection system

Номер патента: EP1595152A2. Автор: Peter H. Csanky,Ivo M. Bordignon,Robert M. Ferino. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-11-16.

Arc fault circuit interrupter and method of parallel arc fault detection

Номер патента: EP2115844A1. Автор: Robert T. Elms,Kevin L. Parker. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2009-11-11.

Arc fault circuit interrupter and method of parallel arc fault detection

Номер патента: WO2008104849A1. Автор: Robert T. Elms,Kevin L. Parker. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-04.

Fault detecting device for an electricity supply

Номер патента: US20140139956A1. Автор: Patrick Ward. Владелец: Shakira Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Ground fault detection device

Номер патента: US09991845B2. Автор: Kosuke Morita,Shuichi Misumi,Yuji Tsurukawa. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Arc fault detection system and method and circuit interrupter employing same

Номер патента: US09797940B2. Автор: Birger Pahl,Archit Agarwal,Steven Christopher Schmalz,David Kolker,Chaitanya Bhalwankar. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Self-test of over-current fault detection

Номер патента: US09673609B2. Автор: James A. Gosse,James Saloio, JR.. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method, system and apparatus for fault detection in line protection for power transmission system

Номер патента: EP3443368A1. Автор: Kai Liu,Jianping Wang,Youyi Li. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-02-20.

Method for indicating, from a protection apparatus, at least one piece of fault information relative to at least one fault detected in an electrical line, such a protection apparatus and electrical installation comprising at least one such protection apparatus

Номер патента: AU2020104495A4. Автор: Anthony Siegrist,Vincent Kennel,Nicolas Britsch,David Lea,Stéphane Schall. Владелец: Hager Electro SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for ground fault detection and protection in adjustable speed drives

Номер патента: EP2845282A2. Автор: Huaqiang Li,Yakov Lvovich FAMILIANT. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2015-03-11.

Ground fault detection circuit, abnormality detection circuit, light emitting device, vehicle

Номер патента: US20170331272A1. Автор: Yoshiyuki Nakatani,Shinsuke Takagimoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Arc fault detection apparatus employing a comparator with a continuously variable threshold

Номер патента: US20100027176A1. Автор: Keith W. Kawate,Lynwald Edmunds,Roger D. Mayer. Владелец: Sensata Technologies Massachusetts Inc. Дата публикации: 2010-02-04.

Bidirectional power converter with phase leg fault detection for charging a battery that powers a multiphase load

Номер патента: EP4451535A1. Автор: Erik SANTIAGO,Jérôme DIETSCH,Angela Maria Bernal Pinzon,Rami Troudi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-23.

Ground fault detection circuit, abnormality detection circuit, light emitting device, vehicle

Номер патента: US09853439B2. Автор: Yoshiyuki Nakatani,Shinsuke Takagimoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Arc fault detection system and method and circuit interrupter employing same

Номер патента: US09768605B2. Автор: Birger Pahl,Archit Agarwal,Steven Christopher Schmalz,David Kolker,Chaitanya Bhalwankar. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Fault detection circuit and fault detection method

Номер патента: US09728953B2. Автор: Yuan-Ching Chen. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Noise propagation immunity of a multi-string arc fault detection device

Номер патента: US09634479B2. Автор: LEE Martin,Keith W. Kawate,Jianhong Kang,Christian V. Pellon. Владелец: Sensata Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Wind turbine fault detection circuit and method

Номер патента: US09568532B2. Автор: Michael Casem Tumabcao,Masoud Parkhou,Xue Wen Luo. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods and systems for electric propulsor fault detection

Номер патента: US20230314493A1. Автор: Jeffrey K. Petter. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Fault detection and short circuit current management technique for inverter based distributed generators (dg)

Номер патента: US20140085763A1. Автор: Rajiv Kumar Varma,Shah Arifur RAHMAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-27.

Methods and systems for electric propulsor fault detection

Номер патента: US20230003777A1. Автор: Jeffrey K. Petter. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Circuit for preventing malfunction of arc fault detection device

Номер патента: US20070183103A1. Автор: Sam Sung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Arc fault detection device

Номер патента: US11769995B2. Автор: Werner Dichler,Krzysztof KOWALÓW. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Fault detection in a power transmission system

Номер патента: US12130321B2. Автор: Sachin Srivastava,Od Naidu,Suresh Maturu,Arulselvan G. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Power distribution system capable of automatic fault detection in a distributed manner and method thereof

Номер патента: US09819196B2. Автор: Chia-hung Lin,Chao-Shun Chen,Cheng-Ting Hsu,Te-Tien Ku. Владелец: I Shou University. Дата публикации: 2017-11-14.

Arc fault detection system and method and circuit interrupter employing same

Номер патента: US09612267B2. Автор: Birger Pahl,Archit Agarwal,Steven Christopher Schmalz,David Kolker,Chaitanya Bhalwankar. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Fault detection in electric power delivery systems using underreach, directional, and traveling wave elements

Номер патента: US09594112B2. Автор: Veselin Skendzic,Bogdan Z. Kasztenny,David E. Whitehead,Edmund O. Schweitzer, Iii,Armando Guzman-Casillas,Mangapathirao Venkata Mynam. Владелец: Schweitzer Engineering Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method and device for ground fault detection based on change in three-phase current

Номер патента: RU2576340C2. Автор: Жун ЛИ,Жуй ЖЭНЬ. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2016-02-27.

High impedance fault detection

Номер патента: CA2554962C. Автор: Steven Kunsman,Ismail Jouny,Stephen Kaprielian. Владелец: ABB Inc USA. Дата публикации: 2012-01-10.

Arc fault detection using current signal demodulation, outlier elimination, and autocorrelation energy thresholds

Номер патента: CA3197250A1. Автор: Bradley M. Lehman,Jonathan C. Kim,Roy A. BALL. Владелец: Mersen USA EP Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Ground fault detection apparatus and method of detecting ground fault

Номер патента: US11754638B2. Автор: Hsin-Chih Chen,Yi-Ping Hsieh,Jen-Chuan Liao,Hung-Chieh Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Arc fault detection using current signal demodulation, outlier elimination, and autocorrelation energy thresholds

Номер патента: EP4266518A1. Автор: Bradley M. Lehman,Jonathan C. Kim,Roy A. BALL. Владелец: Mersen USA EP Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Arc fault detection using frequency hopping techniques

Номер патента: US20190363530A1. Автор: Gary Scott,Andi Jakupi,Hynek Raisigel,Joseph Beierschmitt,Paul A. Reid,Costin VASILE,Michel LAYOUR. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Arc fault detection using current signal demodulation, outlier elimination, and autocorrelation energy thresholds

Номер патента: US20230400500A1. Автор: Bradley M. Lehman,Jonathan C. Kim,Roy A. BALL. Владелец: Mersen USA EP Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Arc fault detection using frequency hopping techniques

Номер патента: US20200235561A1. Автор: Gary Scott,Andi Jakupi,Hynek Raisigel,Joseph Beierschmitt,Paul A. Reid,Costin VASILE,Michel LAYOUR. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Improved arc fault detection using frequency hopping techniques

Номер патента: EP3781956A1. Автор: Gary Scott,Andi Jakupi,Hynek Raisigel,Joseph Beierschmitt,Paul A. Reid,Costin VASILE,Michel LAYOUR. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2021-02-24.

Earth-fault detection method

Номер патента: RU2737779C1. Автор: Николай Николаевич Милюшин. Владелец: Ооо "Рза Системз". Дата публикации: 2020-12-02.

Methods and apparatus to facilitate ground fault detection with a single coil

Номер патента: US20080106268A1. Автор: Ross Teggatz,Artur J. Lewinski,Thomas Edward Cosby. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-05-08.

Adaptive arc fault detection trip decision buffer

Номер патента: CA2915093C. Автор: Jeremy D. Schroeder. Владелец: Schneider Electric USA Inc. Дата публикации: 2020-09-22.

System and method for ground fault detection of static starter circuitry

Номер патента: US20230417842A1. Автор: Sreedhar Desabhatla,Sudeep Pathak,John A. Leonard,Malepati Bhavani Sankar. Владелец: GE Infrastructure Technology LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Fault detection method and fault detection apparatus for photovoltaic assembly

Номер патента: EP3840218A1. Автор: Jianqiang Wang,Yanzhong ZHANG,Yongbing GAO,Xinyu Yu,Song WAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-23.

System and method for ground fault detection of static starter circuitry

Номер патента: EP4297268A1. Автор: Sreedhar Desabhatla,Sudeep Pathak,John A. Leonard,Malepati Bhavani Sankar. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2023-12-27.

Fault detection arrangement for a vehicle

Номер патента: SE1550845A1. Автор: Malmquist Robert. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2016-12-19.

Fault detection arrangement for a vehicle

Номер патента: SE539022C2. Автор: Malmquist Robert. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2017-03-21.

Fault detection device, load driving device, fault detection method and storage medium

Номер патента: US20220240349A1. Автор: Tomohiro Narematsu. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Fault detection method, fault detection apparatus for photovoltaic module and computer-readable storage medium

Номер патента: US12009783B2. Автор: Jianqiang Wang,Yanzhong ZHANG,Yongbing GAO,Xinyu Yu,Song WAN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Multiphase switching converter with fault detection and fault detection method thereof

Номер патента: US20240072671A1. Автор: Wangmiao Hu. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Arc fault detection in a motor control unit of a vehicle and a method of operation thereof

Номер патента: WO2020188592A1. Автор: Surajit Das,Junia Sosa GEORGE,Banda Jambunath RAJENDRANATH. Владелец: TVS MOTOR COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2020-09-24.

Printed circuit board assemblies providing fault detection

Номер патента: US20150263512A1. Автор: Davide Jonathan Leone. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-09-17.

Fault detection and isolation using a common reference clock

Номер патента: US09823637B2. Автор: Fan Jiyuan,Joseph R. Rostron. Владелец: Southern States Llc. Дата публикации: 2017-11-21.

Circuit fault detection device

Номер патента: US09395421B2. Автор: Masaaki Ono,Shuya Sano,Masataka Ieda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

System, computer programme product and internal fault detection method for synchronous generator winding

Номер патента: RU2563964C2. Автор: ЦЗЯНЬПИН Ван,Зоран ГАЙИЧ,Мустафа ИБРАХИМ,Антонис МАРИНООПОУЛОС,Педро РОДРИГЕС,Ливэй ВАН. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2015-09-27.

Ground fault detection circuit and ground fault detection apparatus

Номер патента: US8797042B2. Автор: Takayoshi Abe,Takeshi Nakashima,Takehito Ike,Tomomichi Nakai,Kazuo Ishimoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Arcing fault detection module

Номер патента: US6002561A. Автор: John J. Dougherty. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-12-14.

Arc fault detection system and method and circuit interrupter employing same

Номер патента: US9797941B2. Автор: Birger Pahl,Archit Agarwal,Steven Christopher Schmalz,David Kolker,Chaitanya Bhalwankar. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Adaptive ground and phase fault detection for a power distribution system

Номер патента: US5768079A. Автор: Richard Ralph Buell. Владелец: Cooper Industries LLC. Дата публикации: 1998-06-16.

System and method for high resistance ground fault detection and protection in power distribution systems

Номер патента: WO2013184332A1. Автор: Huaqiang Li. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

Single-phase fault detecting circuit breaker

Номер патента: CA1148248A. Автор: Alan B. Shimp. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1983-06-14.

Direct current junction box, photovoltaic power generation system, and fault detection method

Номер патента: EP4318905A1. Автор: DONG Chen,Yunfeng Liu,Yongbing GAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Electrical fault detection device and vehicle power supply system

Номер патента: US11879948B2. Автор: Yasuharu Tanaka,Masato Nakayama,Tomonori Kunimitsu,Taisuke HAMADA. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Ground reference fault detection in circuits with multiple ground references

Номер патента: EP3304103A1. Автор: Craig S. Petrie,Soo-Chang Choe. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Direct current combiner box, photovoltaic power generation system, and fault detection method

Номер патента: US20240047973A1. Автор: DONG Chen,Yunfeng Liu,Yongbing GAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Flexible fault detection

Номер патента: US20230396202A1. Автор: John N. Wilson,Asa S. Kirby. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Direct current combiner box, photovoltaic power generation system, and fault detection method

Номер патента: AU2021441286A1. Автор: DONG Chen,Yunfeng Liu,Yongbing GAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Ground reference fault detection in circuits with multiple ground references

Номер патента: US20160363620A1. Автор: Soo-Chang Choe,Craig Petrie. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Fault Detection Method for Buck Converter Based on Inverse Kalman Filter

Номер патента: US20200150193A1. Автор: Yan Wang,Ziyun Wang,Shuai ZHANG,Zhicheng Ji,Zixing Liu,Guixiang Xu. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-05-14.

Fault detection in hybrid dc-dc power converters

Номер патента: EP3726715A1. Автор: John Pigott,Olivier Trescases,Gerard Villar Pique,Mojtaba Ashourloo,Hendrik Bergveld,Venkata Raghuram Namburi,Alaa Eldin EL SHERIF. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-10-21.

Method for indicating, from a protection apparatus, at least one piece of fault information relative to at least one fault detected in an electrical line, such a protection apparatus and electrical installation comprising at least one such protection

Номер патента: AU2023241287A1. Автор: Anthony Siegrist,Vincent Kennel,Nicolas Britsch,David Lea,Stéphane Schall. Владелец: Hager Electro SAS. Дата публикации: 2023-10-26.

Ground Fault Detection Architectures, Systems, Circuits, and Methods

Номер патента: US20180109101A1. Автор: William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Device for fault detection, used in power generator

Номер патента: RU2672763C1. Автор: Казухиро СУГИМОТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-11-19.

Engine fault detection system based on high-frequency signals supply by means of communication

Номер патента: RU2730902C1. Автор: Вэй Чен,Синьминь ЛИ,Тинна ШИ,Чанлян СЯ,Шухай ДУН. Владелец: Тяньгун Юниверсити. Дата публикации: 2020-08-26.

Systems and methods for using rule-based fault detection in a building management system

Номер патента: US09568910B2. Автор: Kirk H. Drees,Andrew J. Boettcher,James P. Kummer. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2017-02-14.

Combined system for start-up and smoothing of loads diagrams of autonomous gas piston and diesel-generator sets using high-power accumulator batteries

Номер патента: RU2736272C1. Автор: Александр Иванович Федотов,Камиль Равилевич Бахтеев,Ринат Шаукатович Мисбахов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский государственный энергетический университет". Дата публикации: 2020-11-13.

Automated fault detection and diagnostics in a building management system

Номер патента: US09639413B2. Автор: Kirk H. Drees,James P. Kummer. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2017-05-02.

Braking and metering of method, system and apparatus using high-power permanent magnets for electromagnetic movement, braking and metering of smelt metals supplied to casting machines

Номер патента: RU2256279C2. Автор: Валерий Г. КАГАН. Владелец: Хейзелетт Стрип-Кастинг Корпорейшн. Дата публикации: 2005-07-10.

Generator fault detection method based on the characteristics of air gap magnetic flux density

Номер патента: US20240369635A1. Автор: YONG Li,Wen Zhang,Xiaolong Wang,Mingxing Xu,Yifan BAI,Yuling He. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Solar farm fault detection and diagnosis

Номер патента: EP3874593A1. Автор: Rahul Sharma,Amit DHOKE,Tapan Kumar SAHA. Владелец: University of Queensland UQ. Дата публикации: 2021-09-08.

Fault detection system and method of photovoltaic module and string

Номер патента: US11711054B2. Автор: Woo Gyun SHIN,Suk-whan KO,Gi-Hwan KANG,Young-chul JU,Hye-mi HWANG,Jong Rok LIM. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2023-07-25.

Solar farm fault detection and diagnosis

Номер патента: US12063011B2. Автор: Rahul Sharma,Amit DHOKE,Tapan Kumar SAHA. Владелец: University of Queensland UQ. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods for fault detection and control in an electric aircraft

Номер патента: US12071253B2. Автор: Hamid-Reza Ossareh,Nicholas Moy. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Electric motor fault detection

Номер патента: US20230170835A1. Автор: Matej Pacha. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Ground fault detection device

Номер патента: US20210148992A1. Автор: Yoshihiro Kawamura. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Fault detection system

Номер патента: US12034281B2. Автор: Oliver Becker,Kai Hencken,Tomas Kozel,Joerg Gebhardt,Joerg Ostrowski,Anastasios PAPAGEORGIOU,Ralf Gitzel,Maciej Mruczek. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Fault detection and management scheme for safe hv-dc power distribution system

Номер патента: EP4443684A1. Автор: Masud Bolouri-Saransar,Walid Balid. Владелец: Panduit Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Fault Detection and Management Scheme for Safe HV-DC Power Distribution System

Номер патента: US20240337680A1. Автор: Masud Bolouri-Saransar,Walid Balid. Владелец: Panduit Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method and apparatus for ground fault detection

Номер патента: US09793854B2. Автор: Michael Harrison,Martin Fornage. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method and device for ARC fault detection for photovoltaic inverter and photovoltaic inverter using the same

Номер патента: US09722535B2. Автор: Xuancai ZHU,Feidong XU. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Photovoltaic system, power supply system, and insulation fault detection method

Номер патента: US20230402972A1. Автор: Yongbing GAO,Tiansan LIN,Jianfei LIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Ground-fault detecting device and related method

Номер патента: US11909353B2. Автор: WEN Wei,Chunbao Zeng,Peizai Hong,Zhenhuang Lin,Kailong Chen. Владелец: Kehua Hengsheng Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Photovoltaic system, power supply system and insulation fault detection method

Номер патента: EP4287504A1. Автор: Yongbing GAO,Tiansan LIN,Jianfei LIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Fault detection circuit

Номер патента: US20240151760A1. Автор: Hiroyuki Iyama,Yu Sasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

High-Voltage Gate Driver that Drives Group III-N High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120176162A1. Автор: Karl Richard Heck. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

On-chip fault detection due to malfunctions on chip pins

Номер патента: US20240353479A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Vikram Joshi,Neha Srivastava,Vivek Kumar Yadav,Sanjaykumar Hansrajbhai Kakasaniya. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Asynchronous fault detection circuit for a PWM driver

Номер патента: US20040189348A1. Автор: James Tallant. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Fault Detection Circuits and Methods for Drivers

Номер патента: US20220326296A1. Автор: Nathan Richard Schemm. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Power amplifier having depletion mode high electron mobility transistor

Номер патента: US20110037521A1. Автор: Dong-Young Kim,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Hokyun Ahn,Woojin CHANG,Hong Gu Ji. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-02-17.

Fault detection system for a 10-bit 8-channel adc module

Номер патента: LU506220B1. Автор: Le Wang. Владелец: Univ Anhui Science & Tech. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit with switching amplifier output fault detection

Номер патента: US11750992B2. Автор: Mohit Chawla,Venkata Ramanan Ramamurthy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Command address fault detection

Номер патента: US20240322841A1. Автор: Aaron P. Boehm,Melissa I. Uribe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit with switching amplifier output fault detection

Номер патента: WO2022061051A1. Автор: Mohit Chawla,Venkata Ramanan RAMAHURTHY. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-24.

System to acquire analog to digital (adc) data using high end timer (n2het) and high end timer transfer unit (htu)

Номер патента: EP4123464A1. Автор: Gopikrishna GOUDA,Sharif SHAIK. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-01-25.

Systems and Methods for Cyber-Fault Detection

Номер патента: US20230071394A1. Автор: Subhrajit Roychowdhury,Masoud ABBASZADEH,Georgios Boutselis,Joel Markham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-03-09.

Systems and methods for cyber-fault detection

Номер патента: EP4388423A1. Автор: Subhrajit Roychowdhury,Masoud ABBASZADEH,Georgios Boutselis,Joel Markham. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-06-26.

Systems and methods for cyber-fault detection

Номер патента: WO2023023637A1. Автор: Subhrajit Roychowdhury,Masoud ABBASZADEH,Georgios Boutselis,Joel Markham. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2023-02-23.

High electron mobility transistor-based terahertz wave space external modulator

Номер патента: US09590739B2. Автор: Shen Qiao,Yaxin Zhang,Zhihong FENG,Shixiong LIANG,Ziqiang YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-03-07.

Image processing & intelligent circuit enable railway track fault detection system

Номер патента: AU2021103606A4. Автор: Biswaranjan Acharya,Ankur Choudhary,Arun Prakash Agrawal,Sucheta Panda,Gaurav Raj. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-26.

Radio link fault detection using improved matching and interference mitigation

Номер патента: RU2524356C2. Автор: Тинфан ЦЗИ,Осок СОНГ,Александар ДАМНЯНОВИЧ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-07-27.

Vehicle electronic mobile device systems

Номер патента: US20170357359A1. Автор: Ida T. Mai-Krist. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Electronic mobile device holder

Номер патента: US09942998B1. Автор: John Mayes,George R. McDermand. Владелец: Flight Level Design Partners LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Method in an electronic mobile device and such a device

Номер патента: US09398095B2. Автор: Mathias Jensen,Rodrigo Terra Rios. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Fault detection method and device

Номер патента: EP4109822A1. Автор: Yan Tang,Xue Sun,Zhetao ZHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-28.

Fault detection device for streetlamp lighting system and method of operating the same

Номер патента: WO2015014755A1. Автор: Norbert Linder,Zhongyi He. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2015-02-05.

Fault detection device for streetlamp lighting system and method of operating the same

Номер патента: EP3028056A1. Автор: Norbert Linder,Zhongyi He. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2016-06-08.

Fault detection device for streetlamp lighting system and method of operating the same

Номер патента: US09648709B2. Автор: Norbert Linder,Zhongyi He. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2017-05-09.

Method in an electronic mobile device, and such a device

Номер патента: US09549055B2. Автор: Martin NYSTROM,Alfred WIDELL. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Apparatus and method for analyzing vibrations using high-speed video data and using such a device for contactless analysis of vibrations

Номер патента: RU2743112C2. Автор: АКАЛЬ Антонио ПЕРЕС,Джанлука МАРСИЛЬЯ,Даньеле НАДАЛУТТИ. Владелец: Эйрбас Дифенс энд Спейс ГмбХ. Дата публикации: 2021-02-15.

Bluetooth-based limitation of functionality of motor vehicle drivers' personal electronic mobile smart devices during driving

Номер патента: WO2014072936A1. Автор: Dario DAFRE'. Владелец: FIAT GROUP AUTOMOBILES S.p.A.. Дата публикации: 2014-05-15.

Bluetooth-based limitation of functionality of motor vehicle drivers' personal electronic mobile smart devices during driving

Номер патента: EP2918066A1. Автор: Dario DAFRE'. Владелец: FCA Italy SpA. Дата публикации: 2015-09-16.

A method for fault detect, report and maintenance negotiation control of multi-segment pseudo wire

Номер патента: CA2600047A1. Автор: Jixiong Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-05.

A method for fault detect , report and maintenance negotiation control of multi-segment pseudo wire

Номер патента: EP1848164A4. Автор: Jixiong Dong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-27.

Sensor fault detection system and method

Номер патента: US09791493B2. Автор: Khiem Quang Nguyen,Abhishek Bandyopadhyay. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Controller area network fault detection and recovery

Номер патента: US20210218596A1. Автор: Chang Liu,Shige Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Liquid, air, and surface treatment using high intensity broad-spectrum pulsed light and method using the same

Номер патента: WO2023034919A1. Автор: Ameet Chaudhury,Shekhar CHANDRASHEKHAR,Sameer Neve. Владелец: Aruna Inovation LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for emulating low frequency serial clock data recovery rf control bus operation using high frequency data

Номер патента: US20120287971A1. Автор: Boris Radovcic,James C. Gower. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Link fault detection method, device, and system

Номер патента: EP3694150A1. Автор: Juan Li,Yaokun ZHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Edge-cloud collaborative fault detection method for low-voltage distribution network based on random matrix theory

Номер патента: US20230176560A1. Автор: Wenhai Wang,Zhiyi Li,Ping Ju,Bihuan Li. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-06-08.

Fault detection for subscriber loop repeaters

Номер патента: US20030045240A1. Автор: Kishan Shenoi,Gary Bogardus,Sandro Squadrito. Владелец: Symmetricom Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Fault detection apparatus and fault detection method thereof

Номер патента: US09549449B2. Автор: Yuan-Ching Chen. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Cluster system including closing a bus using an uncorrectable fault upon a fault detection in an active server

Номер патента: US09501372B2. Автор: Daisuke AGEISHI. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Link fault detection method, apparatus, and system

Номер патента: US11463348B2. Автор: Juan Li,Yaokun ZHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-04.

Method and apparatus of responding to client fault detection with update operation, electronic device, and storage medium

Номер патента: EP4148577A3. Автор: Yanpeng WANG,Shiyong Li,Zhigang Zeng,Pengfei Yan,Bingqing SHAO,Zhenyuan Sun. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Method of the data category detecting using the api, applied for creating an applications for users with disabilities

Номер патента: RU2649796C1. Автор: Виктор Владимирович Яблоков,Константин Михайлович Филатов. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2018-04-04.

Method for providing an electronic ticket on a display of an electronic mobile device

Номер патента: EP4287676A1. Автор: Kai Meier,Ingo Kästner,Kerstin Hack. Владелец: CTS Eventim AG and Co KGaA. Дата публикации: 2023-12-06.

Method in an electronic mobile device and such a device

Номер патента: US20150163304A1. Автор: Mathias Jensen,Rodrigo Terra Rios. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Method in an electronic mobile device, and such a device

Номер патента: EP3066820A1. Автор: Martin NYSTROM,Alfred WIDELL. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-14.

Method in an electronic mobile device, and such a device

Номер патента: US20160241693A1. Автор: Martin NYSTROM,Alfred WIDELL. Владелец: Sony Mobile Communications Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for regulating electron mobility of zinc oxide

Номер патента: US20240010512A1. Автор: Junjie Li,Tianshuo Zhang,Kai TONG,Longjia WU,Yulin GUO. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Nfc-based limitation of functionality of motor vehicle drivers' personal electronic mobile smart devices during driving

Номер патента: EP2918065A1. Автор: Dario DAFRE'. Владелец: FCA Italy SpA. Дата публикации: 2015-09-16.

Fault detection method for optical switching apparatus, network device, and system

Номер патента: US20230224033A1. Автор: Yun Long,Zhiwen Chang,Fan AI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Permanent fault detection for imaging and vision hardware accelerators

Номер патента: US20230326002A1. Автор: Sriramakrishnan GOVINDARAJAN,Gregory Raymond Shurtz,Niraj NANDAN,Samuel Paul Visalli,Veeramanikandan Raju,Kedar Satish Chitnis,Jason A.T. Jones,Mihir Narendra MODY, JR.,Prithvi Shankar YEYYADI ANANTHA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Fault detection method for optical switching apparatus, and network device and system

Номер патента: EP4167502A1. Автор: Yun Long,Zhiwen Chang,Fan AI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-19.

Interchangeable fan control board with fault detection

Номер патента: US20040017204A1. Автор: Thomas Stewart,Timothy Olesiewicz,Carl Meert. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

Apparatus and method for fault detection on redundant signal lines via encryption

Номер патента: WO1994015420A1. Автор: Kevin R. Driscoll. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 1994-07-07.

System and method for optimizing fault detection in internet of things network

Номер патента: FI20216315A1. Автор: Henri Karikallio. Владелец: Elisa Oyj. Дата публикации: 2023-06-22.

Fault detection for lacp packet timeout

Номер патента: US20210111978A1. Автор: Lei Zheng. Владелец: Hangzhou DPTech Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Electronic mobile device cover latch mechanism

Номер патента: US20110121584A1. Автор: Cody Allen Balk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Address fault detection in a memory system

Номер патента: EP4413571A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

System and method for optimizing fault detection in internet of things network

Номер патента: US20240340217A1. Автор: Henri Karikallio. Владелец: Elisa Oyj. Дата публикации: 2024-10-10.

Fault detection method, signal processing apparatus, and control apparatus

Номер патента: EP4447528A1. Автор: Ning Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Fault detection method, signal processing apparatus, and control apparatus

Номер патента: US20240340664A1. Автор: Ning Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

System and method for optimizing fault detection in internet of things network

Номер патента: EP4454231A1. Автор: Henri Karikallio. Владелец: Elisa Oyj. Дата публикации: 2024-10-30.

Fault detection method, gateway, user equipment, and communications system

Номер патента: US09942088B2. Автор: Yijun Yu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and system for correlating anatomy using an electronic mobile device transparent display screen

Номер патента: US09801693B1. Автор: Suk K. Kim-Whitty. Владелец: Sk Commercial Construction Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Fault detection method, gateway, user equipment, and communications system

Номер патента: US09405638B2. Автор: Yijun Yu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Systems and methods for fault detection in large scale networks

Номер патента: US09369360B1. Автор: DAN RAZ,Dotan Emanuel,Avinatan Hassidim,Michal Segalov,Eyal Soha,Ido Feldman. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Fault detection system and method and power supply systems for cables intended for direct electric heating of underwater pipelines

Номер патента: RU2569910C2. Автор: Дамир РАДАН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-12-10.

System and methods for spam detection using frequency spectra of character strings

Номер патента: RU2601190C2. Автор: Даньел ДИКЬЮ,З. Лучан ЛУПСЕСКУ. Владелец: БИТДЕФЕНДЕР АйПиАр МЕНЕДЖМЕНТ ЛТД. Дата публикации: 2016-10-27.

Fault detection method and device

Номер патента: US20230018598A1. Автор: Yan Tang,Xue Sun,Zhetao ZHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Systems and methods for fault detection and reporting through serial interface transceivers

Номер патента: US20210302488A1. Автор: Ling Liu,Robert Gee. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Pivotable display guide mechanism for an electronic mobile device

Номер патента: CA2769130C. Автор: Douglas Wayne Moskowitz,Martin Earl Holman Iv,Bruce Alan Ivanik. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Fault detection signal transmission system

Номер патента: CA1312362C. Автор: Seiji Fukuda,Katsuhiro Sasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-01-05.

Freezing system for electronic mobile device repair

Номер патента: CA3150137A1. Автор: Georgios Christodouloy HAJIPETROU,Hans CLAUSSEN,Charalampos KALYVAS. Владелец: Mobile Advanced Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-11.

Path fault detection method and device, related equipment and storage medium

Номер патента: EP4254882A1. Автор: Zheng Chen,Jie Li,Hongxia Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

System and method of handling a fault detection mechanism during a control plane failover

Номер патента: US20190007260A1. Автор: Adam James Sweeney,Victor Shih-Hua Wen,Kenneth Joseph Blanc,Saravanan Sellappa. Владелец: Arista Networks Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Service chain fault detection method and apparatus

Номер патента: US11831526B2. Автор: Lehong Niu,Weiping Xu,Xuhui BAI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Fault detection method, apparatus and system

Номер патента: EP4084408A1. Автор: LI Xue,Liang Zhang,Jian Cheng,Yanfang Zhang,Xiaoyun SI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Fault detection for a display system

Номер патента: US20170255504A1. Автор: Mark Fletcher,Ronald Christian,William CUMBY. Владелец: L3 Communications Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Virtual local area network identifiers for service function chaining fault detection and isolation

Номер патента: US20180331856A1. Автор: Ankur Saxena,Nikhil Sanjeev KULKARNI,Varthamanan SUGUMARAN,Dhanya HARILAL,Praveen AMBALAPPAT. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

System and method of handling a fault detection mechanism during a control plane failover

Номер патента: US20200044913A9. Автор: Adam James Sweeney,Victor Shih-Hua Wen,Kenneth Joseph Blanc,Saravanan Sellappa. Владелец: Arista Networks Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Anomaly detection using embedding space representation of system states

Номер патента: EP4252110A1. Автор: Dror Cohen,Shachar Mendelowitz. Владелец: Red Bend Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Method and system for isp network performance monitoring and fault detection

Номер патента: US20180219933A1. Автор: Vivek Gupta,George Choquette,Hsiu-chu Huang. Владелец: HUGHES NETWORK SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2018-08-02.

Electric cable having braidless polymeric ground plane providing fault detection

Номер патента: EP1273206A1. Автор: Ted M. Aune,Albert J. Highe,Chester L. Sandberg,Lawrence J. White,Jose Gamarra,Frank Orecchia. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-08.

Electric cable having braidless polymeric ground plane providing fault detection

Номер патента: WO2001033908A1. Автор: Ted M. Aune,Albert J. Highe,Chester L. Sandberg,Lawrence J. White,Jose Gamarra,Frank Orecchia. Владелец: TYCO ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2001-05-10.

Anomaly detection using embedding space representation of system states

Номер патента: WO2022113061A1. Автор: Dror Cohen,Shachar Mendelowitz. Владелец: Red Bend Ltd.. Дата публикации: 2022-06-02.

Method and system for isp network performance monitoring and fault detection

Номер патента: WO2016118899A1. Автор: Vivek Gupta,George Choquette,Hsiu-chu Huang. Владелец: HUGHES NETWORK SYSTEMS, LLC. Дата публикации: 2016-07-28.

Communication device, communication system, and communication fault detection method

Номер патента: US20120026894A1. Автор: Teruo Kaganoi,Kazuo Sugai,Shinichi Akahane,Tomohiko Kohno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Fault Detection of a Printed Dot-Pattern Bitmap

Номер патента: US20120076392A1. Автор: Kar-Han Tan,Ali Zandifar. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Decontamination of multi-function device clusters in response to detected use

Номер патента: US20220201144A1. Автор: Paul Roberts Conlon. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Pre-fault detection of hardware degradation

Номер патента: US20230017860A1. Автор: Lackis ELEFTHERIADIS,Bengt-Ake Bengtsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-01-19.

Fault detection of differential fault attack in lattice based cryptography

Номер патента: US20240275576A1. Автор: Tobias Schneider,Christine Van Vredendaal,Markus Schoenauer,Melissa Azouaoui,Olivier Bronchain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-08-15.

Systems and Methods for Providing Fault Detection and Management

Номер патента: US20130275800A1. Автор: Joseph R. Clemens,David L. Woodling. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2013-10-17.

System, method, and non-transitory computer-readable media for providing cloud application fault detection

Номер патента: US20240289201A1. Автор: Jayesh Verma,Vivek Nagar,Chitra MOHANANI,Taresh SONI,Mohak SONI,Ashish TALANKAR. Владелец: Rakuten Mobile Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Pre-fault detection of hardware degradation

Номер патента: EP4079030A1. Автор: Lackis ELEFTHERIADIS,Bengt-Ake Bengtsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-10-26.

Pre-fault detection of hardware degradation

Номер патента: WO2021123879A1. Автор: Lackis ELEFTHERIADIS,Bengt-Ake Bengtsson. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (PUBL. Дата публикации: 2021-06-24.

Fault detection of differential fault attack in lattice based cryptography

Номер патента: EP4418606A1. Автор: Tobias Schneider,Christine Van Vredendaal,Markus Schoenauer,Melissa Azouaoui,Olivier Bronchain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-08-21.

Method and system for ISP network performance monitoring and fault detection

Номер патента: US09930098B2. Автор: Vivek Gupta,George Choquette,Hsiu-chu Huang. Владелец: HUGHES NETWORK SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Multicast negative acknowledgements using high-energy long-training fields for feedback

Номер патента: US09893906B2. Автор: Dibakar Das,Yaron Alpert,Robert J. Stacey,Laurent Cariou. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Universal method for driving LEDs using high voltage

Номер патента: US09794992B1. Автор: Hung-Chi Chu,Yuhren Shen. Владелец: VastView Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Anomaly detection using adaptive behavioral profiles

Номер патента: US09544321B2. Автор: Tanuj Gulati,Igor A. Baikalov,Sachin Nayyar,Anjaneya Shenoy,Ganpatrao H. Patwardhan. Владелец: Securonix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Printed circuit board assemblies providing fault detection

Номер патента: US09408294B2. Автор: Davide Jonathan Leone. Владелец: Haier US Appliance Solutions Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Method to recover lost connection of signaling using high-speed packet access along down-link channelpartial dedicated physical channel

Номер патента: RU2408170C2. Автор: Карри РАНТА-АХО,Антти ТОСКАЛА. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2010-12-27.

Slide and offset pivot display for an electronic mobile device

Номер патента: CA2747713A1. Автор: Albert Murray Pegg. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2012-01-29.

Fault detection device

Номер патента: US20060182036A1. Автор: Yasushi Sasagawa,Kenichi Kawarai,Kou Takatori,Masami Doukai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-17.

Fiber optic link intermittent fault detection and localization

Номер патента: US11228365B1. Автор: Sylvain Desplat,François Le Luhern. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2022-01-18.

System and method for ground fault detection in a transformer isolated communication channel of a network device

Номер патента: CA2886230C. Автор: Karen D. Lontka. Владелец: Siemens Industry Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for emulating low frequency serial clock data recovery RF control bus operation using high frequency data

Номер патента: US8780962B2. Автор: Boris Radovcic,James C. Gower. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Path fault detection method and apparatus, related device, and storage medium

Номер патента: US20230336463A1. Автор: Zheng Chen,Jie Li,Hongxia Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Fault detection circuit for image sensor

Номер патента: US11778134B2. Автор: Hui-Yu Chen,Willem J. Kindt. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2023-10-03.

Bootstrapping fault detection sessions over a p2mp tunnel

Номер патента: EP2737663A1. Автор: Jayant Kotalwar,Girish Birajdar. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2014-06-04.

Enhanced AC immunity in ground fault detection

Номер патента: US20070217099A1. Автор: Michael Carter,William Fox. Владелец: ADC DSL Systems Inc. Дата публикации: 2007-09-20.

Electronic mobile device having interchangeable covers

Номер патента: US20130231165A1. Автор: Jason Tyler Griffin,Tucker H. Fort,Przemyslaw Godycki. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Fault detection method, apparatus and system

Номер патента: EP4369661A1. Автор: Yang Huang,Tao Qin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Fault detection method, apparatus, and system

Номер патента: US20240163192A1. Автор: Yang Huang,Tao Qin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Railroad fault detection method, system therefor, and network control system

Номер патента: EP3840294A1. Автор: So Jin Kim,Young-Wuk Lee,Kwang-Koog LEE. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2021-06-23.

Short-Circuit Fault-Detecting Lighting Device for a Motor Vehicle

Номер патента: US20240166130A1. Автор: Daniel PETSCH. Владелец: ZKW Group GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Fault detection device

Номер патента: US11971439B2. Автор: Bunsei Murakami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Fault detection circuit for image sensor

Номер патента: US20210352224A1. Автор: Hui-Yu Chen,Willem J. Kindt. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2021-11-11.

Method, apparatus and system for training fault detection model

Номер патента: EP4084410A1. Автор: LI Xue,Liang Zhang,Jian Cheng,Xiaoyun SI,Haonan Ye. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Mismatch detection using periodic structures

Номер патента: US12034493B2. Автор: Sule Ozev,Muslum Emir Avci,Chethan Kumar Y. B.. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-07-09.

Malware domain detection using passive DNS

Номер патента: US09749336B1. Автор: Wei Xu,Xinran Wang,Huagang Xie,Yanxin Zhang. Владелец: Palo Alto Networks Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: WO2022251045A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: US20220381816A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Parameter extraction method for quasi-physical large-signal model for microwave gallium nitride high-electron-mobility transistors

Номер патента: US20210279379A1. Автор: Bo Yan,Yunqiu Wu,Yuehang Xu,Shuman Mao,Ruimin Xu. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-09.

High impedance fault detection and location accuracy

Номер патента: US12013427B2. Автор: Qiushi CUI,Yang Weng. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-06-18.

High-speed address fault detection using split address ROM

Номер патента: US09490031B2. Автор: Scott I. Remington. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-08.

Geological feature detection using generative adversarial neural networks

Номер патента: WO2021050122A1. Автор: Fan Jiang. Владелец: Landmark Graphics Corporation. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory die fault detection using a calibration pin

Номер патента: US20240303157A1. Автор: Paul A. Laberge,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Command address fault detection using a parity pin

Номер патента: US20240232008A9. Автор: Steffen Buch,Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Melissa I. Uribe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for detection using high-energy particle beams

Номер патента: RU2428681C2. Автор: Питер ЧОЙ. Владелец: Саж Инновасьон Инк.. Дата публикации: 2011-09-10.

High-strength plate steel for main pipes resistant to high-sulfur oil gas, and method of its production, and high-strength steel pipe using high-strength plate steel for main pipes resistant to high-sulfur oil gas

Номер патента: RU2735605C1. Автор: Томоюки ЁКОТА,Кёно ЯСУДА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2020-11-05.

High-Speed Address Fault Detection Using Split Address ROM

Номер патента: US20150243368A1. Автор: Scott I. Remington. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-27.

Arc fault detection apparatus, method, device and storage medium

Номер патента: US20240369611A1. Автор: Fang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-07.

Ground fault detecting device

Номер патента: US09921259B2. Автор: Takashi Ikeda,Seiji Kamata,Shingo Tsuchiya. Владелец: Keihin Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Compound sensor including a plurality of detection elements and a plurality of fault detection circuits

Номер патента: US09810734B2. Автор: Masahide Hayashi,Daisuke Maeda,Ichiroh Ohsaka. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Micro-current therapy device using high electric potential

Номер патента: US09504823B2. Автор: Jaesuk Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Combined system of start-up and smoothing of loads graphs of group of independent gas-piston and diesel-generator sets using high-capacity accumulator batteries

Номер патента: RU2738159C1. Автор: Александр Иванович Федотов,Камиль Равилевич Бахтеев,Ринат Шаукатович Мисбахов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский государственный энергетический университет". Дата публикации: 2020-12-10.

Hose with system of fault detection

Номер патента: RU2511831C2. Автор: Джейсон Деннис СТАРК. Владелец: Итон Корпорейшн. Дата публикации: 2014-04-10.

Geological feature detection using generative adversarial neural networks

Номер патента: GB2597429A. Автор: Jiang Fan. Владелец: Landmark Graphics Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Method for fault detection and vehicle display fault detection system

Номер патента: US12026995B2. Автор: Feng-Ming Hsu,Yung-Lin CHENG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-07-02.

Application fault detection and forecasting

Номер патента: US20200341830A1. Автор: Sunil R. Bangad,Praveen Kumar Kasu,Akashkumar V. Desai. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Fault Detection and Tolerance in Downhole Tool String Assemblies

Номер патента: US20170002640A1. Автор: Kent David Harms,Albert Hoefel,Steven G. Villareal. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Fault detection method and system for tunnel dome lights based on improved localization loss function

Номер патента: US20230368354A1. Автор: Gang Yang,Hui Yang,Shuo Xu,Zhipeng Yang,Cailing Tang,Lizhen Dai,Yuyu Weng,Rongxiu Lu,Fangping Xu. Владелец: East China Jiaotong University. Дата публикации: 2023-11-16.

Driving circuit with fault detection and optical input device having the same

Номер патента: US20150338931A1. Автор: Poh Weng Yem,Keng Yeam Chang,Lee Ling Teh. Владелец: Pixart Imaging Penang Sdn Bhd. Дата публикации: 2015-11-26.

Power supply semiconductor integrated circuit including a short-circuit-fault detection circuit that detects a short circuit of the voltage-output terminal

Номер патента: US11768510B2. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Fault detection circuit

Номер патента: US7969157B2. Автор: Chih-Chan Ger,Chia-Kun Chen,Chi-Chang Lu. Владелец: Ampower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-28.

System and method for frittering rock inside a cellar using high energy electromagnetic beams

Номер патента: US20230083407A1. Автор: Moustafa M. Abouhamed. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-03-16.

Fault detection circuit

Номер патента: US20100253365A1. Автор: Chih-Chan Ger,Chia-Kun Chen,Chi-Chang Lu. Владелец: Ampower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

High throughput screening of ligand binding to macromolecules using high resolution powder diffraction

Номер патента: US20030059843A1. Автор: Robert Dreele,Kevin D'Amico. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

High throughput screening of ligand binding to macromolecules using high resolution powder diffraction

Номер патента: WO2002097396A3. Автор: Dreele Robert B Von,Amico Kevin D. Владелец: Univ California. Дата публикации: 2003-05-01.

Device, system and method for fault detection

Номер патента: AU2021397434A9. Автор: Peter Ayotola ADIGUN. Владелец: Eskom Holdings Soc Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Vehicle ground fault detection apparatus

Номер патента: US09963036B2. Автор: Yasuhiro Kobayashi. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for avoiding incorrect combustion misfire fault detection in a motor vehicle

Номер патента: US09765720B2. Автор: Manuel Koch,Sandra KUSTERMANN. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Display panels with touch functions and fault detection method thereof

Номер патента: US09563313B2. Автор: Xiaoping Tan,Chun-Hung Huang,Yujie Bai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Pressure sensor fault detection

Номер патента: RU2407997C2. Автор: Чарльз Р. ВИЛЛКОКС,Эндрю Дж. КЛОСИНСКИ,Дональд Э. ХАРАСИН. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2010-12-27.

Pattern formation device, liquid ejection device, and electrical fault detection method

Номер патента: US20170305145A1. Автор: Tadashi Kyoso. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Systems and methods for precise timing measurements using high-speed deserializers

Номер патента: US20120179422A1. Автор: Christopher C. Ott,Charles A. Webb, III. Владелец: Anue Systems Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Early fault detection method for a battery

Номер патента: WO2022173384A1. Автор: Can Kurtulus. Владелец: Eatron Yazilim Ve Muhendislik Teknolojileri A. S.. Дата публикации: 2022-08-18.

Torque sensor fault detection method

Номер патента: US20230314255A1. Автор: Masaya Kusatani. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Video indexing using high resolution still images

Номер патента: EP1456845A1. Автор: Pere Obrador. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-09-15.

Holographic projector having a fault detection circuit and method of using same

Номер патента: US12072671B2. Автор: Alexander Cole,Timothy Smeeton. Владелец: Envisics Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Extrudate retarders, extruder configured to carry out high-moisture protein texturization extrusion, improvement to high-moisture protein texturization extrusion method, method of performing extrusion with an extruder having a cooling die, method of manufacturing meat replacement products using high-moisture protein texturization extrusion, and method of increasing manufacturing capacity of meat replacement production where high-moisture protein texturization extrusion is used

Номер патента: FI20235117A1. Автор: Jingwei Liu,Zhongqing JIANG. Владелец: VALIO OY. Дата публикации: 2024-08-08.

Fault Detection System

Номер патента: US20090187266A1. Автор: David J. Kotula. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Fault detection for iterative learning control of time-varying systems

Номер патента: US12076787B2. Автор: Harold Bradley Rees,Neera Jain Sundaram,Florian Maurice BROWNE, III,George T. C. CHIU. Владелец: Nucor Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Fault detection system with redundant product teach verification

Номер патента: US20120057017A1. Автор: David J. Kotula. Владелец: Sensors Inc. Дата публикации: 2012-03-08.

Video indexing using high resolution still images

Номер патента: WO2003056559A1. Автор: Pere Obrador. Владелец: Hewlett-Packard Company. Дата публикации: 2003-07-10.

Extrudate retarders, extruder configured to carry out high-moisture protein texturization extrusion, flow bender, improvement to high-moisture protein texturization extrusion method, method of performing extrusion with an extruder having a cooling die, method of manufacturing meat replacement products using high-moisture protein texturization extrusion, and method of increasing manufacturing capacity of meat replacement production where high-moisture protein texturization extrusion is used

Номер патента: WO2024165629A2. Автор: JIANG Zhongqing,Jingwei Liu. Владелец: VALIO OY. Дата публикации: 2024-08-15.

High-voltage input under-voltage fault detection method and apparatus for electric vehicle, and storage medium

Номер патента: EP4450316A1. Автор: CHEN Yi,Lin Qiu,Hai Jiang,Ronghua Li,Hongda XU. Владелец: Guangzhou Automobile Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Fault detection device and method for superconducting electrodynamic magnetic levitation (maglev) track

Номер патента: US12128936B1. Автор: Jun Zheng,HAO LU,Mingming Li,Sanchun Nie. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2024-10-29.

Extrudate retarders, extruder configured to carry out high-moisture protein texturization extrusion, flow bender, improvement to high-moisture protein texturization extrusion method, method of performing extrusion with an extruder having a cooling die, method of manufacturing meat replacement products using high-moisture protein texturization extrusion, and method of increasing manufacturing capacity of meat replacement production where high-moisture protein texturization extrusion is used

Номер патента: WO2024165629A3. Автор: JIANG Zhongqing,Jingwei Liu. Владелец: VALIO OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Pattern formation device, liquid ejection device, and electrical fault detection method

Номер патента: US09956764B2. Автор: Tadashi Kyoso. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Fault detection circuit of in cell type touch display panel before cell process and fault detection method

Номер патента: US09946380B2. Автор: Wenying Li,Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Fault detection system for actuator

Номер патента: US09891135B2. Автор: Tomohiko Aki. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Sensor fault detection and diagnosis for autonomous systems

Номер патента: US09728014B2. Автор: Lior Rokach,Meir Kalech,Elihau KHALASCHI. Владелец: BG Negev Technologies and Applications Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Flex over suspension fault detection under a write gate for magnetic disk drives

Номер патента: US09564170B2. Автор: Mark A. Wolfe,Rida S. Assaad,William M. Torres Escajadillo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Fault detection device and method for superconducting electrodynamic magnetic levitation (maglev) track

Номер патента: US20240367700A1. Автор: Jun Zheng,HAO LU,Mingming Li,Sanchun Nie. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2024-11-07.

Ground fault detection apparatus

Номер патента: US09519016B2. Автор: Hiroshi Kawamura,Katsuhiko Satoh,Ryohji MATSUI. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

System and method for statistical application-agnostic fault detection

Номер патента: US09430309B1. Автор: Allan Havemose. Владелец: Open Invention Network LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Process for additive manufacturing of parts by melting or sintering particles of powder using high-energy beam with powders adapted to targeted process/material pair

Номер патента: RU2682188C2. Автор: Кристоф КОЛЕН,Летисия КИРШНЕР. Владелец: Эйрбас Хеликоптерз. Дата публикации: 2019-03-15.

Method for bacitracin determination in meat and meat products using high-performance liquid chromatography

Номер патента: RU2696010C1. Автор: Владислав Иванович Егоров,Константин Христофорович Папуниди,Эдуард Ильясович Семенов,Гульнара Габитовна Галяутдинова,Владимир Игоревич Босяков,Александр Маратович Сайфутдинов. Владелец: федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный центр токсикологической, радиационной и биологической безопасности" (ФГБНУ "ФЦТРБ-ВНИВИ"). Дата публикации: 2019-07-30.

Development method of oil and gas deposits using high-power laser radiation for their maximum extraction

Номер патента: RU2509882C1. Автор: Александр Петрович Линецкий,Владимир Михайлович Журба. Владелец: Александр Петрович Линецкий. Дата публикации: 2014-03-20.

Transmission system solenoid controlled actuator fault detection system and method

Номер патента: CA2038389C. Автор: Kwok Wah Chan,Paul Martin Fowler,Keith Wright,John Slater Tuson. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1995-10-31.

Methods and apparatus for payload estimation and hitch condition detection using integrated sensors

Номер патента: US20230123744A1. Автор: Andrew Niedert,Anton Rogness,Elliott Pearson,Kevin Stanton GIAIER. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Command address fault detection using a parity pin

Номер патента: US20240134744A1. Автор: Steffen Buch,Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Melissa I. Uribe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods and apparatus for payload estimation and hitch condition detection using integrated sensors

Номер патента: US12005749B2. Автор: Andrew Niedert,Anton Rogness,Elliott Pearson,Kevin Stanton GIAIER. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Series arc-fault detection apparatus and method

Номер патента: US20240175911A1. Автор: Won Kyu CHOI,Se Han Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-05-30.

Real-time visual-inertial motion tracking fault detection

Номер патента: WO2017201266A3. Автор: Joel Hesch,Mingyang Li,Zachary MORATTO. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-12-21.

Creating Scan Chain Definition from High-Level Model Using High-Level Model Simulation

Номер патента: US20120151288A1. Автор: Timothy M. Skergan,William B. Maloney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Methods for characterizing a low-impact vehicle collision using high-rate acceleration data

Номер патента: EP4372713A1. Автор: Willem Petersen,Jack Graham Ellis,Sanghamesh Vastrad. Владелец: GEOTAB INC. Дата публикации: 2024-05-22.

Methods for characterizing a low-impact vehicle collision using high-rate acceleration data

Номер патента: US20230377462A1. Автор: Willem Petersen,Jack Graham Ellis,Sanghamesh Vastrad. Владелец: GEOTAB INC. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and apparatus for fault detection of a processing tool and control thereof using an advanced process control (apc) framework

Номер патента: EP1305681A2. Автор: Elfido Coss, Jr.,Qingsu Wang,Terrence J. Riley. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-05-02.

Coil fault detection methods and systems

Номер патента: EP4329603A1. Автор: Li Tong,Tao Sun,Hai Lu,Kairui Hu. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Fault detection method and device for elevator power equipment and elevator system

Номер патента: EP4242156A1. Автор: Guosong Li,James Leo Hubbard. Владелец: Otis Elevator Co. Дата публикации: 2023-09-13.

Ground fault detection device

Номер патента: EP3822109A1. Автор: Yoshihiro Kawamura,Hiroaki Takamatsu,Ryosuke ARIGAYA. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2021-05-19.

Transformer fault detection system

Номер патента: CA3163330C. Автор: Marshall Mauney. Владелец: S&C Electric Co. Дата публикации: 2023-09-19.

High-protein food products made using high-protein microalgae

Номер патента: EP3160264A1. Автор: Beata Klamczynska,Ana ECHANIZ,Ruolin ZHU. Владелец: TerraVia Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-03.

Fault Detection Method and Related Apparatus

Номер патента: US20230258718A1. Автор: Ge Shen,Ming Wang,Rui Fang,Zhe TAO,Jianlong CAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Systems and methods for real-time fault detection

Номер патента: US12099084B2. Автор: Daniel James Miller,Daniel J. Black,Brian A. Miller,Daniel David Alexander,Hang Fung Yip,Jiuhui Wang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Hierarchical rom encoder system for performing address fault detection in a memory system

Номер патента: EP4413572A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Yaohua Zhu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Actuator fault detection device, controlling device and control method

Номер патента: US09945908B2. Автор: Masato Tanaka,Tomohiko AIKAWA,Fumihiro Sugawara. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Filter fault detection apparatus

Номер патента: US09863301B2. Автор: Masato Katsuno,Manabu Yoshidome. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Catheter breach loop feedback fault detection with active and inactive driver system

Номер патента: US09861422B2. Автор: Scott A Hareland. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Fault detecting apparatus and computer program therefor

Номер патента: US09823278B2. Автор: Kazuya Okabe,Daisuke Hagiwara,Tomohiro Tanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Sensor fault detection circuit, relative angle detection device, and motor-driven power steering apparatus

Номер патента: US09766284B2. Автор: Hiroyuki Muto. Владелец: Showa Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for levomycetin determination in fodders of animal origin using high-effective liquid chromatography

Номер патента: RU2633013C2. Автор: Татьяна Владимировна Бойко,Людмила Карповна Герунова,Тарас Владимирович Герунов,Алена Игоревна Шитлина,Елена Валентиновна Темерова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный аграрный университет имени П.А. Столыпина". Дата публикации: 2017-10-11.

Method of treating chronic apical periodontitis using high-intensity laser irradiation of a root canal system and injection of thrombocyte autoplasma

Номер патента: RU2695070C1. Автор: Александр Петрович Сорокин,Миляуша Фаузиевна Кабирова,Лариса Павловна Герасимова,Ирина Николаевна Усманова,Алина Флюровна Юсупова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Башкирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-07-19.

Methods and apparatus to generate electronic mobile measurement census data

Номер патента: US11887133B2. Автор: Stephen S. Bell,Albert Ronald Perez,Tianjue Luo,Kumar Nagaraja Rao. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods and apparatus to generate electronic mobile measurement census data

Номер патента: US20180232748A1. Автор: Stephen S. Bell,Albert Ronald Perez,Tianjue Luo,Kumar Nagaraja Rao. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2018-08-16.

A system and method for fault detection and calibration of an electro‐magnetic measuring system

Номер патента: WO2024136673A1. Автор: Philip Heelan. Владелец: Argeo Robotics As. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for rolling bearing fault detection based on enhancing statistical asymmetry

Номер патента: US20130024164A1. Автор: Patrik Pääjärvi,James P Leblanc. Владелец: RUBICO AB. Дата публикации: 2013-01-24.

High-resolution Seismic Fault Detection with Adversarial Neural Networks and Regularization

Номер патента: US20230078158A1. Автор: Yanfei Wang,Tianqi WANG. Владелец: Institute of Geology and Geophysics of CAS. Дата публикации: 2023-03-16.

Fault detection method for detecting behavior deviation of parameters

Номер патента: US20240176335A1. Автор: Shih-Wei Huang,Nai-Ying Lo,Chen-Hui Huang,Yung-Yu Yang,Chung-Chih Hung,Kang-Ping LI,Chih-Kuan CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for quantifying 3,6-anhydro-l-galactose using high-performance liquid chromatography and differential refractometric detector

Номер патента: US20200232957A1. Автор: Dong-Hyun Kim,Kyoung Heon Kim,Eun-Ju Yun,Kyung-mun CHO. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2020-07-23.

Deep learning of fault detection in onboard automobile systems

Номер патента: US11989983B2. Автор: Wei Cheng,Haifeng Chen,LuAn Tang,Junghwan Rhee,Jumpei Kamimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Buffer checker for task processing fault detection

Номер патента: US20240248750A1. Автор: Wei Shao,Christopher Wilson,Damien McNamara. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods, systems, and apparatus for low-power, wireless, power line fault detection

Номер патента: US20210190847A1. Автор: Henry Gregg Martch,Jeffrey Lang McSchooler. Владелец: DISH Network LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for rolling bearing fault detection based on enhancing statistical asymmetry

Номер патента: EP2553418A1. Автор: James P. LeBlanc,Patrik Pääjärvi. Владелец: RUBICO AB. Дата публикации: 2013-02-06.

Monitoring and fault detection in dynamic systems

Номер патента: WO2008079695A1. Автор: Roman Navratil. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for making a heat sensitive fault detecting and indicating device for watthour meter

Номер патента: US4118667A. Автор: James W. Milligan. Владелец: Duncan Electric Co Inc. Дата публикации: 1978-10-03.

Fault detection method and apparatus for three-phase power distribution system

Номер патента: EP4050358A1. Автор: Gang Xiao,Zhiqing Wu,Shaohui ZHONG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-31.

Log analyzer for fault detection

Номер патента: US12056038B2. Автор: Mbarka SOUALHIA,Fetahi Wuhib. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-08-06.

Unsupervised multivariate relational fault detection system for a vehicle and method therefor

Номер патента: CA3020861C. Автор: John M. BOGGIO. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-09-19.

Transient Fault Detection Methods and Systems

Номер патента: US20160201572A1. Автор: Jesse W. CLAUSON,Eric E. Legg. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Parking fault detection method, apparatus, and system, and work machine

Номер патента: EP4414231A1. Автор: Yi Huang,Bang Liu,Xianqing WANG,Taotao ZHAN. Владелец: Huzhou Sany Loader Co ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Fault detection in neural networks

Номер патента: WO2021123837A2. Автор: Andrew Brian Thomas Hopkins,Graeme Leslie Ingram,Antonio Priore,Elliot Maurice Simon ROSEMARINE. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-06-24.

Parking fault detection method, apparatus, system and working machinery

Номер патента: US20240286597A1. Автор: Yi Huang,Bang Liu,Xianqing WANG,Taotao ZHAN. Владелец: Huzhou Sany Loader Co ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Hardware compilation and/or translation with fault detection and roll back functionality

Номер патента: US20130173893A1. Автор: Tryggve Fossum,William C. Hasenplaugh,Nicholas Cheng Hwa Chee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Fault detection, isolation and reconfiguration systems and methods for controlling electrohydraulic systems used in construction equipment

Номер патента: US20150191898A1. Автор: Qinghui Yuan,Michael Berne Rannow,Wade Leo Gehlhoff,Vishal Mahulkar,Christopher William SCHOTTLER. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Fault detection, isolation and reconfiguration systems and methods for controlling electrohydraulic systems used in construction equipment

Номер патента: US20160186414A1. Автор: Qinghui Yuan,Michael Berne Rannow,Wade Leo Gehlhoff,Vishal Mahulkar,Christopher William SCHOTTLER. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Memory hardware fault detection method and apparatus, and memory controller

Номер патента: EP4421636A1. Автор: Zheng Tan,Yangbin Diao,Jiantao MA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Extraction of botanical material using high-pressure hydrocarbons

Номер патента: US11712639B2. Автор: Zachary Richard Lantz. Владелец: Illuminated Extractors Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Variator fault detection system

Номер патента: US20130225359A1. Автор: Charles F. Long,Darren J. Weber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-29.

Variator fault detection system

Номер патента: EP2512892A1. Автор: Charles F. Long,Darren J. Weber. Владелец: Allison Transmission Inc. Дата публикации: 2012-10-24.

Method and System for Preparing Fuel by Using High Acid Value Biological Oil and Fat

Номер патента: US20240287398A1. Автор: Bin Xu,Kam Shing Siu,Yongchao He,Chunjian XU. Владелец: Eco Bio Grease Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Determining pharmacogenomics gene star alleles using high-throughput targeted genotyping

Номер патента: US20240282403A1. Автор: YONG Li,Julia SOMMER. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Online fault detection in reram-based ai/ml

Номер патента: US20240289239A1. Автор: Krishnendu Chakrabarty,Mengyun Liu. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Determining pharmacogenomics gene star alleles using high-throughput targeted genotyping

Номер патента: WO2024177836A1. Автор: YONG Li,Julia SOMMER. Владелец: Illumina, Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Intermittent ground fault detection for stators in high-impedance grounded generators

Номер патента: WO2024178314A1. Автор: Nader Safari-Shad. Владелец: WiSys Technology Foundation, Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Fault detection in buildings

Номер патента: EP4439202A1. Автор: Ivo Brand. Владелец: SIEMENS SCHWEIZ AG. Дата публикации: 2024-10-02.

Transformer fault detection

Номер патента: US20240345178A1. Автор: Jiangang Hu,Bijan Sayyarrodsari,Kadir Liano,Navid Zargari,Tim Liu,George Cheng,Yujia Cui,Julie Haihui Lu,Jasper Hao Yang,John Zhuo Liu. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for fault detection in a vehicle dynamics control

Номер патента: US20240367629A1. Автор: Samuel Bubeck. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

Ground fault detection for PCB and isolation grounds

Номер патента: US09995781B2. Автор: Andrew Wang,Evgeny Fomin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods, apparatus and computer readable media to generate electronic mobile measurement census data

Номер патента: US09953330B2. Автор: Stephen S. Bell,Albert Ronald Perez,Tianjue Luo,Kumar Nagaraja Rao. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Fault detection in a multi-core safety-critical avionics system

Номер патента: US09891978B1. Автор: Eric N. Anderson,Donald Mark Fejfar. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Fault detection device and fault detection method

Номер патента: US09829414B2. Автор: Hitoshi Nakano. Владелец: HINO MOTORS LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Electronic fault detection unit

Номер патента: US09823983B2. Автор: David Baca. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of using high push force to fabricate composite material containing carbon material

Номер патента: US09789648B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Chia-Hung Li,Ching-Tung Hsu,Jui-Yu Jao,wen-hui Liu. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Fault detection and diagnostic system for a refrigeration circuit

Номер патента: US09696073B2. Автор: Andrew J. Boettcher,Homero L. Noboa,Saman Beyhaghi. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Multicore processor fault detection for safety critical software applications

Номер патента: US09632860B2. Автор: Frank Reichenbach,Jan Endresen,Harald Vefling,Trond Loekstad. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-04-25.

Systems and methods for attitude fault detection based on integrated GNSS/inertial hybrid filter residuals

Номер патента: US09593962B2. Автор: Mark A. Ahlbrecht,Mats Anders Brenner,John R. Morrison. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Transient fault detection methods and systems

Номер патента: US09546604B2. Автор: Jesse W. CLAUSON,Eric E. Legg. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Fault detection method and apparatus for three phase power supply circuit of frequency converter, and air conditioner

Номер патента: US20240377474A1. Автор: TIAN Wu,Lijun Mei,Xiangyun Huang,Zhanghai XIE,Xulang CHEN. Владелец: Hefei Midea Heating and Ventilating Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for oil-contaminated soil purification using high-pressure technology

Номер патента: RU2752983C1. Автор: Дмитрий Евгеньевич Быков,Ольга Владимировна Тупицына,Константин Львович Чертес,Виталий Николаевич Пыстин,Елена Николаевна Петренко,Алексей Александрович Букин,Данил Николаевич Шерстобитов,Геннадий Ганиевич Гилаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2021-08-11.

Hole-making method and system using high-power laser

Номер патента: RU2522016C2. Автор: Марк С. ЗЕДИКЕР,Марк С. ЛЭНД,Джоел Ф. МОКСЛИ,Чарльз К. РИНЗЛЕР,Брайан О. ФЭРКЛОТ,Йешая КОБЛИК. Владелец: Форо Энерджи Инк.. Дата публикации: 2014-07-10.

Fault detection method and system for exhaust gas recirculation system

Номер патента: US5474051A. Автор: Toru Hashimoto,Takuya Matsumoto,Mitsuhiro Miyake. Владелец: Mitsubishi Motors Corp. Дата публикации: 1995-12-12.

Fault detection circuit capable of detecting burst errors in an lru memory

Номер патента: CA1302575C. Автор: Ikuo Yamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-06-02.

Fault detection using averaging filter with variable response time

Номер патента: US5394744A. Автор: John V. James,Timothy M. Feldkamp. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1995-03-07.

Sensor fault detection circuit, relative angle detection device, and motor-driven power steering apparatus

Номер патента: GB2536121A. Автор: MUTO Hiroyuki. Владелец: Showa Corp. Дата публикации: 2016-09-07.

Fault detection method and device

Номер патента: EP2721425A1. Автор: Yue Zhuo,Xi Hu,Jian Hui Xing,Qing Gang Wang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-04-23.

Fault detection method and apparatus for security chip, electronic device, and medium

Номер патента: EP4325364A1. Автор: Tao Sun,LING Yi,Jun Du,Yuwei Wang,Bing Ma,Xian DING,Lili Fu,Xuesong BAI. Владелец: Beijing Smartchip Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Device, system and method for fault detection

Номер патента: EP4260075A1. Автор: Peter Ayotola ADIGUN. Владелец: Eskom Holdings Soc Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Ground Fault Detection For An Electrical Subsea Control System

Номер патента: US20110267070A1. Автор: Ronald Spencer,Kirtikumar Patel. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Color analysis and control using an electronic mobile device transparent display screen integral with the use of augmented reality glasses

Номер патента: US20190197737A1. Автор: Suk K. Kim-Whitty. Владелец: Sk Commercial Construction Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Arc fault detection apparatus and method, device and storage medium

Номер патента: EP4343343A1. Автор: Fang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-27.

Welded steel tube produced using high-power-density beam and method of its production

Номер патента: RU2448796C1. Автор: Кендзи ОИ,Кодзи ЯНО. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of measuring total electrical resistance of a reinforced layer of articles made from metals using high frequency signals

Номер патента: RU2734061C1. Автор: Александр Викторович Алифанов,Владимир Владимирович Малеронок. Владелец: Владимир Владимирович Малеронок. Дата публикации: 2020-10-12.

Method and device for fault detection in production, assembly and mounting of magnetic systems

Номер патента: RU2431859C2. Автор: Владимир Георгиевич Ивкин,Сергей Александрович Егоров,Владимир Александрович Коротков,Вячеслав Николаевич Васильев,Виктор Михайлович Амосков,Валерий Аркадьевич Беляков,Владимир Петрович Кухтин,Евгений Анатольевич Ламзин,Андрей Анатольевич Ланцетов,Михаил Сергеевич Ларионов,Нина Александровна Максименкова,Игорь Юрьевич Родин,Сергей Евгеньевич Сычевский,Олег Геннадьевич Филатов,Алексей Анатольевич Фирсов,Николай Александрович Шатиль. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д.В. Ефремова". Дата публикации: 2011-10-20.

High-speed ultrasonic flaw detection using the doppler effect

Номер патента: RU2720043C1. Автор: Анатолий Аркадиевич Марков. Владелец: Открытое акционерное общество "Радиоавионика". Дата публикации: 2020-04-23.

Ground fault detection apparatus

Номер патента: US11327124B2. Автор: Yoshihiro Kawamura. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Treatment apparatus using high frequency waves and method for controlling same

Номер патента: US9744371B2. Автор: Kwang Chon Ko. Владелец: Lutronic Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fault detecting system for vehicle occupants protective apparatus

Номер патента: US4059822A. Автор: Takashi Yamada,Kazuo Oishi,Toru Toshioka. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1977-11-22.

Multiple-redundant fault detection system and related method for its use

Номер патента: CA1285073C. Автор: Kenneth J. Murphy,Steven E. Smith. Владелец: Triplex. Дата публикации: 1991-06-18.

Fault detection system having audio analysis and method of using the same

Номер патента: US20030196492A1. Автор: Donald Remboski,William Zancho. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Fault detecting apparatus for exhaust gas recirculation control system of internal combustion engine

Номер патента: US5488938A. Автор: Hirofumi Ohuchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Fault detection in a flame scanner

Номер патента: CA1164546A. Автор: Paul H. Chase. Владелец: Combustion Engineering Inc. Дата публикации: 1984-03-27.

Method for manufacturing fractional microneedle module having partitioned zones using high frequency

Номер патента: EP4230254A1. Автор: Gunyoung AHN. Владелец: Agnes Medical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Fault detection method and system for tunnel dome lights based on improved localization loss function

Номер патента: US11908120B2. Автор: Gang Yang,Hui Yang,Shuo Xu,Zhipeng Yang,Cailing Tang,Lizhen Dai,Yuyu Weng,Rongxiu Lu,Fangping Xu. Владелец: East China Jiaotong University. Дата публикации: 2024-02-20.

Systems and methods for address fault detection

Номер патента: US11928021B2. Автор: Melissa I. Uribe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Fault detection device for encoder wiring

Номер патента: US20230408302A1. Автор: Hajime Takagi,Kokyu MUKAI. Владелец: Nidec Instruments Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Device for smelting and regenerating phosphogypsum using high-temperature ceramsite and method for using same

Номер патента: EP4273108A1. Автор: LIU Zhihao. Владелец: Hubei Juhai Environmental Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Water pipe cleaning system using high-pressure nitrogen and water pipe cleaning method using same

Номер патента: US11779964B2. Автор: Byung Jun Kim,Youn Ja JEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-10.

Display panel having touch function and fault detection method

Номер патента: GB2550708A8. Автор: Tan Xiaoping,HUANG Chun-Hung,BAI Yujie. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-28.

Fan fault detection method and apparatus, and computer device and storage medium

Номер патента: EP4321758A1. Автор: Hong Yuan,Qingwei Zhang,Aigang LI,Fuwei DENG. Владелец: Sineng Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for providing a physically explainable fault information of a bearing by a fault detection model

Номер патента: EP4321851A1. Автор: Thomas Decker,Michael LEBACHER,Timo Rieskamp. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for providing a physically explainable fault information of a bearing by a fault detection model

Номер патента: WO2024033161A1. Автор: Thomas Decker,Michael LEBACHER,Timo Rieskamp. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2024-02-15.

Fault detection circuit and detection system

Номер патента: EP4134684A1. Автор: Kosuke Yamamoto. Владелец: MinebeaMitsumi Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Ground fault detection device

Номер патента: EP4130765A1. Автор: Haruhiko Yoshida,Yasuyuki Mochizuki,Norio Sudo. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2023-02-08.

Hybrid bearing fault prognosis with fault detection and multiple model fusion

Номер патента: US20240085274A1. Автор: Bin Zhang,Guangxing Niu. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2024-03-14.

Ground fault detection device

Номер патента: US11714140B2. Автор: Haruhiko Yoshida,Yasuyuki Mochizuki,Norio Sudo. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Systems and methods for address fault detection

Номер патента: US20230315564A1. Автор: Melissa I. Uribe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Fault detection circuit

Номер патента: US20240151755A1. Автор: Hiroyuki Iyama,Yu Sasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Acoustic tumor detection using stacked derived-band abr amplitude

Номер патента: EP1076514A4. Автор: Manuel Don. Владелец: House Ear Institute. Дата публикации: 2008-09-03.

Acoustic tumor detection using stacked derived-band abr amplitude

Номер патента: WO1999058063A1. Автор: Manuel Don. Владелец: House Ear Institute. Дата публикации: 1999-11-18.

Acoustic tumor detection using stacked derived-band abr amplitude

Номер патента: EP1076514A1. Автор: Manuel Don. Владелец: House Ear Institute. Дата публикации: 2001-02-21.

Enhanced electrical signature analysis for fault detection

Номер патента: CA3127987A1. Автор: Balakrishna Pamulaparthy,Mitalkumar KANABAR,Akilezkrishnamurthy Arthanari. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2022-09-15.

Online fault detection and avoidance framework for distributed factory control systems

Номер патента: EP2137583A1. Автор: Yan Lu,PENG Zhao,Mohsen Jafari. Владелец: Siemens Corporate Research Inc. Дата публикации: 2009-12-30.

Enhanced transducer fault detection

Номер патента: US20240193027A1. Автор: Michael Alan Tart. Владелец: Baker Hughes Holdings LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Treatment of cns and developmental disorders using high-dose 5-formyl-(6s)-tetrahydrofolate

Номер патента: EP3930842A1. Автор: Clark G. SULLIVAN. Владелец: Cox Biosciences Llc. Дата публикации: 2022-01-05.

Systems and methods for active fault detection in hvac systems

Номер патента: US20240003566A1. Автор: Robert Leffler. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Fault detection technique for a bearing

Номер патента: CA3120154A1. Автор: HAO LU,Chao Hu,Jeffrey S. Sidon,Shawn A. Kenny,Siriam Krishnaswamy,Mohammad Kazem Sadoughi.. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 2021-11-15.

Technology configured to enable fault detection and condition assessment of underground stormwater and sewer pipes

Номер патента: EP4118420A1. Автор: Michelle Aguilar,Amanda Siqueira. Владелец: Vapar Pty Ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

Enhanced transducer fault detection

Номер патента: EP4383034A1. Автор: Michael Alan Tart. Владелец: Baker Hughes Holdings LLC. Дата публикации: 2024-06-12.

High precision algorithmically assisted voltage divider with fault detection

Номер патента: WO2012114278A3. Автор: Victor Marten. Владелец: SENDYNE CORP.. Дата публикации: 2012-11-08.

Method and apparatus for efficient identification of duplicate and near-duplicate documents and text spans using high-discriminability text fragments

Номер патента: WO2002041161A1. Автор: Mark Kantrowitz. Владелец: Justsystem Corporation. Дата публикации: 2002-05-23.

Gas detection-use image processing device, gas detection-use image processing method, and gas detection-use image processing program

Номер патента: US10991090B2. Автор: Motohiro Asano. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2021-04-27.

Fault detection of a motor vehicle oxygen sensor

Номер патента: EP1069297A3. Автор: Paul John King,Timothy John Kennedy. Владелец: JAGUAR CARS LTD. Дата публикации: 2002-11-13.

Power source fault detection apparatus, program, and method

Номер патента: US7586723B2. Автор: Naoki HAYASHI,Fumio Ichikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-08.

Power source fault detection apparatus, program, and method

Номер патента: US20070188956A1. Автор: Naoki HAYASHI,Fumio Ichikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-08-16.

An automatic optimized features selection system in retinopathy detection using active extreme learning machine

Номер патента: AU2021102935A4. Автор: Tarun Jaiswal,Sushma Jaiswal,G. R. Anil,P. Prabhu,Venkaiahppalaswamy B.,Atmakuri Krishna Chaitanya,Udayini Chandana,S. Jawahar,G. Tejo Lakshmi,Joseph Prakash Mosiganti,Karthikeyan Palaniappan,N. Vanajakshi. Владелец: Vanajakshi N Mrs. Дата публикации: 2022-05-05.

Augmented reality (ar) based fault detection and maintenance

Номер патента: US20200026257A1. Автор: Tanmay Dalal,Lukish Rajesh Yadav,Prakhar Chaudhary,Aabhas Vincent. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Command address fault detection

Номер патента: US12079078B2. Автор: Steffen Buch,Melissa I. Uribe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Linear actuator with contact type safety nut and fault detection method thereof

Номер патента: EP4411176A1. Автор: Shugen Xu,Zhong Xu. Владелец: Zhejiang Dingli Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Hi-resolution digital steering sensor fault detection

Номер патента: US20030120406A1. Автор: Michael Pawlowski,Kirk Billings,Steve Raypole,James Petrofes. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Surface mount package fault detection apparatus

Номер патента: US20080139016A1. Автор: John Sheeran. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Method of recognizing waveforms and dynamic fault detection method using the same

Номер патента: US20080231636A1. Автор: Cheng Jer Yang,Hung Wen Chiou,Shu Ching Yang,Hong Ming Chang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Two-sided time-sharing driving and acquisition system based on dry contacts and system fault detection method therefor

Номер патента: US12093117B2. Автор: Yu Zheng,Yue Wang,Yong Qi,Guoqiang HE,Kun QI,Dingliang XU. Владелец: Nanjing Research Institute Of Electronics Technology. Дата публикации: 2024-09-17.

Graphical element detection using a combined series and delayed parallel execution unified target technique, a default graphical element detection technique, or both

Номер патента: US12099704B2. Автор: Daniel Dines. Владелец: UiPath Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for fault detection in an exhaust system

Номер патента: EP2681424A1. Автор: Ola Stenlåås. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-01-08.

Method for fault detection in an exhaust system

Номер патента: WO2012118430A1. Автор: Ola Stenlåås. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2012-09-07.

Hardware Fault Detection Method for Internal Memory, Apparatus, and Internal Memory Controller

Номер патента: US20240311233A1. Автор: Zheng Tan,Yangbin Diao,Jiantao MA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Managing external memory updates for fault detection in redundant multithreading systems using speculative memory support

Номер патента: WO2005066780A3. Автор: Joel S Emer,Shubhendu Mukherjee,Steven K Reinhardt,Christopher T Weaver. Владелец: Christopher T Weaver. Дата публикации: 2006-05-04.

Managing external memory updates for fault detection in redundant multithreading systems using speculative memory support

Номер патента: WO2005066780A2. Автор: Joel S. Emer,Christopher T. Weaver,Shubhendu Mukherjee,Steven K. Reinhardt. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Conveyor operation fault detection by a point of sale system

Номер патента: US20240327130A1. Автор: Timothy Crockett,Charles KURTZ. Владелец: Toshiba Global Commerce Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus and method for data fault detection and repair

Номер патента: US20240354185A1. Автор: Christopher Turner. Владелец: Emergip LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for stabilizing phase structures of cubic zirconia and tetragonal zirconia using high entropy

Номер патента: LU506369B1. Автор: Yan Zhang,Aijun Li,Qifang Wang,Caixia Huo,Yuqing PENG,Fangzhou Zhang,Weibin Hai. Владелец: Shaoxing Research Institute Of Shanghai Univ. Дата публикации: 2024-08-09.

Compositions and methods using high protein for induction of autophagy

Номер патента: AU2018390799B2. Автор: Bernard Cuenoud,Jerome FEIGE,Gabriele Civiletto,Philipp Gut. Владелец: SOCIETE DES PRODUITS NESTLE SA. Дата публикации: 2024-10-03.

Graphical element detection using a combined series and delayed parallel execution unified target technique, a default graphical element detection technique, or both

Номер патента: EP4414947A2. Автор: Daniel Dines. Владелец: UiPath Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Elevator door sensor fusion, fault detection, and service notification

Номер патента: US20200055697A1. Автор: Walter Thomas Schmidt,Michael J. Tracey,Abdelilah Sakti. Владелец: Otis Elevator Co. Дата публикации: 2020-02-20.

Entity integration using high-level scripting languages

Номер патента: US09971804B2. Автор: Lucian Popa,Rajasekar Krishnamurthy,Georgia Koutrika,Armageddon R. Brown,Mauricio A. Hernandez,Suresh Thalamati,Ryan Wisnesky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Open switch fault detection and identification in a two-level voltage source power converter

Номер патента: US09964600B2. Автор: AMIT Kumar Gupta,Sivakumar Nadarajan,Chandana Jayampathi GAJANAYAKE,Shantha Dharmasiri Gamini JAYASINGHE. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Systems and methods for attitude fault detection in one or more inertial measurement units

Номер патента: US09880021B2. Автор: Mats Anders Brenner,John R. Morrison. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Compositions for depositing agents using highly volatile silicone solvents

Номер патента: US09844596B2. Автор: Eugene R. Cooper,Eric R. Thompson. Владелец: THOMPSON COOPER LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Address fault detection

Номер патента: US12142335B2. Автор: Steffen Buch,Melissa I. Uribe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Tool and method for fault detection of devices by condition based maintenance

Номер патента: US09824060B2. Автор: Soumaya Yacout,David Salamanca,Mohamad-Ali Mortada. Владелец: Polyvalor LP. Дата публикации: 2017-11-21.

Pluggable fault detection tests for data pipelines

Номер патента: US09772934B2. Автор: Peter Maag,Jacob Albertson,Matthew Lynch,Maciej Albin,Jared Newman,Viktor Nordling. Владелец: Palantir Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods and systems for non-invasive treatment of tissue using high intensity focused ultrasound therapy

Номер патента: US09700742B2. Автор: Lawrence A. Crum,Michael R. Bailey,Oleg A. Sapozhnikov,Wayne Kreider,Joo Ha Hwang,Tatiana D. Khokhlova,Michael S. Canney,Vera A. Khokhlova. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2017-07-11.

Fault detection for bearings

Номер патента: US09689777B2. Автор: Chris J. TREMEL,Jacob Pence,Zimin W. VILAR. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2017-06-27.

Interconnect circuitry fault detection

Номер патента: US09672094B1. Автор: Edmond Jordan,Meirav O. Nitzan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Fault detection system

Номер патента: US09606164B2. Автор: Khoi Loon Wong,Alexe Bojovschi. Владелец: DX TECH Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Apparatus and method for reconstructing an image using high-energy-based data

Номер патента: US09563817B2. Автор: Kevin M. Holt. Владелец: Varian Medical Systems Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Interference detection using frequency modulation

Номер патента: US09547400B2. Автор: Andrew JABRUCKI,Matthew Waldron. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Entity integration using high-level scripting languages

Номер патента: US09535951B2. Автор: Lucian Popa,Rajasekar Krishnamurthy,Mauricio Antonio Hernandez-Sherrington,Georgia Koutrika,Armageddon Rhabdizo Brown,Suresh Thalamati,Ryan Wisnesky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for multi-mode obstacle detection using radar, and apparatus for same

Номер патента: US09488724B2. Автор: Poong Youn Cho. Владелец: Metabuild Co ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Systems, devices and methods for providing therapy to an anatomical structure using high frequency pressure waves and/or cryogenic temperatures

Номер патента: US09474915B2. Автор: Fred B. Dinger, III,Donald A. Gonzales,Prasad Nalluri. Владелец: Entrigue Surgical Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Buffering unchecked stores for fault detection in redundant multithreading systems using speculative memory support

Номер патента: WO2005066784A1. Автор: Joel S. Emer,Christopher T. Weaver,Shubhendu S. Mukherjee,Steven K. Reinhardt. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Fault detection and prediction in storage devices

Номер патента: US09448876B2. Автор: Robert W. Ellis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Systems and methods for attitude fault detection based on air data and aircraft control settings

Номер патента: US09435661B2. Автор: Mats Anders Brenner,Danny Thomas Kimmel,John R. Morrison,Jay Joseph Hansen. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

System and method for fault detection in an electrical device

Номер патента: US09394899B2. Автор: Scott Charles Evans,Bing Hu,Dustin Ross Garvey. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-07-19.

Ultrasound fault detector, ultrasound converter and ultrasound fault detection technique

Номер патента: RU2539806C2. Автор: Коити ИНАГАКИ,Мамору ИДЗУМИ,Хирокадзу КАРАСАВА. Владелец: АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2015-01-27.

Method of electromagnetic fault detection of pipe and device therefor

Номер патента: RU2670194C1. Автор: Александр Сергеевич Шлеенков,Олег Анатольевич Булычев,Семен Александрович Шлеенков,Олег Владимирович Шкляр,Лев Александрович Полежаев,Виктор Георгиевич Майфатов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СТАЛЛ-ПМ". Дата публикации: 2018-10-18.

Method of reforming by using high-density catalyst

Номер патента: RU2388534C2. Автор: Марк П. Лапински,Марк Д. МОЗЕР,Вероника М. ГОДФРИ,Мишель Дж. КОЭН. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2010-05-10.

Method of fixing and storing biomaterial using highly efficient and non-toxic reagent

Номер патента: RU2692917C1. Автор: Дарья Геннадьевна Рыкова,Анна Сергеевна Сапега,Светлана Константиновна Толмачева. Владелец: Дарья Геннадьевна Рыкова. Дата публикации: 2019-06-28.

Fault detection and exclusion used in a global positioning system GPS receiver

Номер патента: US5841399A. Автор: Jimmy Y. Yu. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1998-11-24.

Fault detection for wheel slip control system

Номер патента: CA1067184A. Автор: Donald S. Quon. Владелец: Wagner Electric Corp. Дата публикации: 1979-11-27.

Fault detection method and apparatus for analog to digital converter circuits

Номер патента: US8166362B2. Автор: Thomas Bruce Meagher. Владелец: Rockwell Automation Ltd. Дата публикации: 2012-04-24.

Fault detection scheme for a variable reluctance sensor interface having a differential input and adaptive control

Номер патента: US5493214A. Автор: Brian K. Good,Mark R. Keyse. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1996-02-20.

Model based fault detection and diagnosis methodology for hvac subsystems

Номер патента: CA2344908C. Автор: Ian B. D. Mcintosh. Владелец: Siemens Building Technologies Inc. Дата публикации: 2010-06-15.

Fault detection in a micro electro-mechanical device

Номер патента: CA2414734C. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2008-10-21.

Method for preparing cannabidiol by separation and purification using high-speed countercurrent chromatography

Номер патента: US11267775B2. Автор: Qiuyun DENG. Владелец: Techson Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-08.

Radar pulse detection using digital radar receiver

Номер патента: RU2553279C1. Автор: Цинь ЦЗЯН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2015-06-10.

Fault detection device

Номер патента: CA1126387A. Автор: Yasuhide Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-06-22.

Short-circuit and ground fault detecting apparatus for automotive electromagnetic clutches

Номер патента: US5089804A. Автор: Munehiko Mimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-02-18.

Method and device for fault detection in the load path of a spindle actuator

Номер патента: CA2687398A1. Автор: Martin Recksiek,Mark Heintjes,Markus Christmann,Christoph Giebeler,Ina Brueckner,Harald Rechter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Fault detecting circuit incorporated in semiconductor sensor and effective against any fault having influence on output voltage of a circuit component of the sensor

Номер патента: US5440234A. Автор: Yuji Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Oxygen sensor fault detection and response system

Номер патента: US4671243A. Автор: Robert W. Deutsch. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-06-09.

Method and system for fault detection and exclusion for multi-sensor navigation systems

Номер патента: US7219013B1. Автор: Gary A. McGraw,Shih-Yih R. Young. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2007-05-15.

Alert fault detection system and method

Номер патента: EP3584779A1. Автор: Michael Andrew Percy,Leonard Charles Layton,Frank Linseisen. Владелец: 2236008 Ontario Inc. Дата публикации: 2019-12-25.

Process for the preparation of isophorone diisocyanate from isophorone dicarbamyl esters using highly selective sno_or cuo catalysts

Номер патента: CA1296016C. Автор: Peter Salvatore Forgione,Yuhshi Luh. Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1992-02-18.

Fusible interlining fabric using high wet modulus rayon

Номер патента: CA1268099A. Автор: Dattatraya V. Kamat. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-04-24.

Fault detection method and apparatus, and device, system and storage medium

Номер патента: EP4328602A1. Автор: Dong Wei,TAN Long,Ming Zhao,Zhaobin HUANG,Jienan ZHANG,Zhenghui HUANG,Jinqing XU,Xianshi WEN. Владелец: Foshan Shunde Midea Electric Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Geophone fault detection

Номер патента: WO2023209069A1. Автор: Emil Vincent ANCKER,Jens Vincent ANCKER. Владелец: Dynatest A/S. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for characterizing a low-impact vehicle collision using high-rate acceleration data

Номер патента: US11941986B2. Автор: Willem Petersen,Jack Graham Ellis,Sanghamesh Vastrad. Владелец: GEOTAB INC. Дата публикации: 2024-03-26.

Geophone fault detection

Номер патента: DK202270228A1. Автор: Vincent Ancker Emil,Vincent Ancker Jens. Владелец: Dynatest As. Дата публикации: 2024-02-12.

Aircraft ground fault detection circuit and method of calibrating an aircraft ground fault detection circuit

Номер патента: EP4343342A1. Автор: Markus Greither. Владелец: HS ELEKTRONIK SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2024-03-27.

Fault detection for redundant connections

Номер патента: US11808820B1. Автор: Alvin K. Ng,Anthony Da Costa,Stephen C. Sherbrook. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Fault detection of a system using a test input comprising a linear combination of inputs of the system

Номер патента: US20200096555A1. Автор: Adolfo Giambastiani,Omid Oliaei. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

System and method for data-driven analytical redundancy relationships generation for early fault detection and isolation with limited data

Номер патента: US20220050736A1. Автор: Wei Huang,Ahmed Khairy Farahat,Chetan GUPTA,Hamed KHORASGANI. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Method and system for automated fault detection

Номер патента: US20230305551A1. Автор: Kaushik Ghosh,Saurabh Bhandari,Gokula Krishnan SIVAPRAKASAM,Jia Xuan Koh. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Fault detection, containment, isolation, and response architecture for a position, navigation, and timing (pnt) system

Номер патента: US20220018681A1. Автор: Rongsheng Li. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-01-20.

Bearing fault detection system for an alternator

Номер патента: WO2018089228A1. Автор: Timothy J. Alfermann. Владелец: BORGWARNER INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

Address fault detection system

Номер патента: US11853157B2. Автор: Arvind Kaushik,Nishant Jain,Aarul Jain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-12-26.

Address fault detection system

Номер патента: EP4184329A1. Автор: Arvind Kaushik,Nishant Jain,Aarul Jain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-05-24.

Fault detection and localization using combinatorial test design techniques while adhering to architectural restrictions

Номер патента: US20200242010A1. Автор: Andrew Hicks,Dale E. Blue,Ryan Rawlins,Rachel Brill. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Microprocessor fault detection and response system

Номер патента: US10452493B2. Автор: Bilgiday Yuce,Nahid Farhady Ghalaty,Patrick R. Schaumont. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Fault detection, containment, isolation, and response architecture for a position, navigation, and timing (pnt) system

Номер патента: EP3940425A2. Автор: Rongsheng Li. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-01-19.

Catheter breach loop feedback fault detection with active and inactive driver system

Номер патента: EP3310283A1. Автор: Scott A. Hareland. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-04-25.

Hand washing apparatus using high-pressure water

Номер патента: EP4360521A1. Автор: Su Won Kim. Владелец: Cleanm Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Methods for characterizing a low-impact vehicle collision using high-rate acceleration data

Номер патента: US20240127695A1. Автор: Willem Petersen,Jack Graham Ellis,Sanghamesh Vastrad. Владелец: GEOTAB INC. Дата публикации: 2024-04-18.

Fault detection method and device for high-voltage power distribution system of power plant

Номер патента: LU504984B1. Автор: Xiao He,Wei Xiong,Hongliang Wang,Xiaoyan Li,Weidong Zheng,Jialei Zhang,Zijie Tang,Lizhi Ren,Guoming Mao,Wenbo Si,Guoping Rao,Xuemin Hong,Guobing Qu. Владелец: Huaneng Zhejiang Energy Dev Co Ltd Yuhuan Branch. Дата публикации: 2024-02-26.

Electronic mobility aid platform and related use method

Номер патента: EP4327795A1. Автор: Diego Bertocchi,Federico Donzello. Владелец: Scen Srl. Дата публикации: 2024-02-28.

Methods and systems fault detection in lidar

Номер патента: WO2023183633A1. Автор: Yimin Li,Haosen Wang. Владелец: Innovusion, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods and systems for detection of galvanometer mirror zero position angle offset and fault detection in lidar

Номер патента: US20230305125A1. Автор: Yimin Li,Haosen Wang. Владелец: Innovusion Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Fault detection method, fault detection apparatus, server, and vehicle

Номер патента: EP4336297A1. Автор: Qimo YANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Efficient Fault Detection For Lidar Sensors

Номер патента: US20230273304A1. Автор: David Storrar. Владелец: Ouster Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Method and system for correlating anatomy using an electronic mobile device transparent display screen

Номер патента: US20180177403A1. Автор: Suk K. Kim-Whitty. Владелец: Sk Commercial Construction Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Digital fault detection circuit and method

Номер патента: US20100164507A1. Автор: Thomas Kuenemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-07-01.

Ground fault detection device

Номер патента: US20210270910A1. Автор: Hiroyuki Yamaguchi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Online train wheel fault detection device

Номер патента: US20160159378A1. Автор: Mingquan HUANG,Zhilin SUN,Zhengying SHI,Qichang GUO. Владелец: Nanjing Tycho Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Aircraft ground fault detection circuit and method of calibrating an aircraft ground fault detection circuit

Номер патента: US20240103094A1. Автор: Markus Greither. Владелец: HS ELEKTRONIK SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2024-03-28.

Sound-based roller fault detecting method by using double-projection neighborhoods preserving embedding

Номер патента: US20230348197A1. Автор: LIN Feng,Yingwei Zhang,Xin Sha. Владелец: NORTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-02.

Fault detection for redundant connections

Номер патента: WO2024030231A1. Автор: Alvin K. Ng,Anthony Da Costa,Stephen C. Sherbrook. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-02-08.

Coil fault detection methods and systems

Номер патента: US20240103112A1. Автор: Li Tong,Tao Sun,Hai Lu,Kairui Hu. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Valve fault detection method and apparatus

Номер патента: US20230220929A1. Автор: Tao Li,Minghua Sun,Zongwen Wang,Xinmeng Wang. Владелец: Yantai Jereh Oilfield Services Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Hierarchical ROM Encoder System For Performing Address Fault Detection In A Memory System

Номер патента: US20230170035A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Yaohua Zhu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Hierarchical rom encoder system for performing address fault detection in a memory system

Номер патента: WO2023101711A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Yaohua Zhu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-06-08.

Hierarchical ROM encoder system for performing address fault detection in a memory system

Номер патента: US11798644B2. Автор: Xiaozhou QIAN,Yaohua Zhu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Fault detection in control system for autonomous vehicle

Номер патента: US20240101156A1. Автор: Anuranga Sajith Gunaratne. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of fault detection and recovery in a tubing string located in a hydrocarbon well, and apparatus for same

Номер патента: CA3031883C. Автор: Ramin TAJALLIPOUR,Patrick Williamson. Владелец: NCS Multistage Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Bearing fault detection system for an alternator

Номер патента: US20180136282A1. Автор: Timothy J. Alfermann. Владелец: BorgWarner Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Real-time visual-inertial motion tracking fault detection

Номер патента: WO2017201266A2. Автор: Joel Hesch,Mingyang Li,Zachary MORATTO. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-11-23.

Improved bearing performance for compressors using high energy refrigerants with sulfur-based oil additives

Номер патента: EP3074650A1. Автор: Marc J. Scancarello. Владелец: Emerson Climate Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Efficient fault detection for lidar sensors

Номер патента: WO2023133281A3. Автор: David Storrar. Владелец: Ouster, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

System and method for active fault detection of an hvac system and its associated mechanical equipment

Номер патента: WO2023121856A1. Автор: Robert L. Johnson,David E. Bornside,Kimberly Barker. Владелец: Siemens Industry, Inc.. Дата публикации: 2023-06-29.

Fault detection method for air conditioning system

Номер патента: EP3708931A3. Автор: SHENG Li,Xinyu Wu. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2020-12-16.

Early fault detection method for a battery

Номер патента: EP4291908A1. Автор: Can Kurtulus. Владелец: Eatron Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Efficient fault detection for lidar sensors

Номер патента: WO2023133281A2. Автор: David Storrar. Владелец: Ouster, Inc.. Дата публикации: 2023-07-13.

Fault detection system

Номер патента: WO2021093931A1. Автор: Tariq Kurd,Andrew Dellow,Mark Bowen Hill,Zhitong XU,Qibiao ZHONG. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-05-20.

Wide-field imaging lens and optical image capturing device for electronic mobile devices

Номер патента: US20210356695A1. Автор: Stepan Evgenievich IVANOV,Viktoria Sergeevna KAIDARAKOVA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for training shallow convolutional neural networks for infrared target detection using a two-phase learning strategy

Номер патента: US20230237788A1. Автор: Erdem AKAGUNDUZ,Tolga AKSOY,Engin UZUN. Владелец: Aselsan Elektronik Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2023-07-27.

Long-range 3d object detection using 2d bounding boxes

Номер патента: US20240249538A1. Автор: Zhiding Yu,Anima Anandkumar,Jose M. Alvarez Lopez,Zetong Yang,Ren Hao Wang,Chris Choy. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Key points detection using multiple image modalities

Номер патента: US11967102B2. Автор: ABHISHEK Sharma,Ziyan Wu,Arun Innanje. Владелец: Shanghai United Imaging Intelligence Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

System and method for automatic polyp detection using global geometric constraints and local intensity variation patterns

Номер патента: US10052027B2. Автор: Jianming Liang,Nima Tajbakhsh,Suryakanth R. Gurudu. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-08-21.

Object detection using radar and LiDAR fusion

Номер патента: GB2611588A. Автор: Meng Xiaoli,ZHOU Lubing,Rajendra Shetti Karan. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

System and method for robotic object detection using a convolutional neural network

Номер патента: US11748903B2. Автор: Brian Cairl. Владелец: Zebra Technologies Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Unattended object detection using machine learning

Номер патента: US20220019854A1. Автор: RONG Yan,Shi Lei Zhang,Junsong Wang,Ke Wei Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Pose detection using multi-chirp fmcw radar

Номер патента: US20240272278A1. Автор: Jouya Jadidian,Tara BOROUSHAKI,Jorge Mario SALAZAR RÍOS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method for robotic object detection using a convolutional neural network

Номер патента: US12087009B2. Автор: Brian Richard Cairl. Владелец: Zebra Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Pose detection using multi-chirp fmcw radar

Номер патента: WO2024173122A1. Автор: Jouya Jadidian,Tara BOROUSHAKI,Jorge Mario SALAZAR RÍOS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for training shallow convolutional neural networks for infrared target detection using a two-phase learning strategy

Номер патента: US12131548B2. Автор: Erdem AKAGUNDUZ,Tolga AKSOY,Engin UZUN. Владелец: Aselsan Elektronik Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2024-10-29.

System and method for automatic polyp detection using global geometric constraints and local intensity variation patterns

Номер патента: US09700213B2. Автор: Jianming Liang,Nima Tajbakhsh,Suryakanth R. Gurudu. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2017-07-11.

High-voltage gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: RU2534002C1. Автор: Николай Иванович Каргин,Роман Валериевич Рыжук,Руслан Иванович Иванов,Павел Игоревич Блинов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-11-27.

ELECTRICAL SYSTEM USING HIGH FREQUENCY AC AND HAVING INDUCTIVELY CONNECTED LOADS, AND RELATED POWER SUPPLIES AND LUMINAIRES

Номер патента: US20120001563A1. Автор: RIMMER Philip John,Sherrington Carole. Владелец: JUICE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for geodynamic monitoring of shifts of blocks of the upper part of the earth's crust and deformation state of the earth's surface using high-accuracy satellite positioning of the global navigation satellite system (gnss) glonass/gps

Номер патента: RU2704730C1. Автор: Александр Петрович Карпик,Галина Николаевна Ткачева,Эдуард Лидиянович Ким,Михаил Николаевич Масальский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий". Дата публикации: 2019-10-30.

Fault detection alarm for toilet tank

Номер патента: CA3186009A1. Автор: Zhe SHI,Owen Lu,Guocheng Hua,Fengtian Ge. Владелец: Beijing Southeast Hengda Science And Tech Development Ltd Co. Дата публикации: 2023-05-09.

Dispozitiv electronic mobil, sistem şi metodă pentru efectuarea operaţiunilor bancare online

Номер патента: RO134589A2. Автор: Neculai Agavriloaei. Владелец: Neculai Agavriloaei. Дата публикации: 2020-11-27.

In-tube fault detection device with controlled movement speed

Номер патента: RU2395750C2. Автор: Андрей Иванович Синев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Газприборавтоматикасервис". Дата публикации: 2010-07-27.

Aerodynamic bench for performance of fundamental research of power generation by mhd methods using high-temperature hydrogen (h2) as working gas

Номер патента: RU2482592C1. Автор: Вадим Иванович Алферов,Алексей Степанович Бушмин,Вячеслав Серафимович Тихонов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2013-05-20.

Method of determining imidacloprid in biological objects using high-performance liquid chromatography

Номер патента: RU2484458C1. Автор: Татьяна Владимировна Бойко,Людмила Карповна Герунова,Татьяна Владимировна Урусова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный аграрный университет имени П.А. Столыпина". Дата публикации: 2013-06-10.

VARIABLE RATE PREAMBLE DETECTION USING RATIOMETRIC METHODS

Номер патента: US20120001732A1. Автор: Kawaguchi Dean. Владелец: INTELLEFLEX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and test system for determination of share of fetal dna in plasma of pregnant woman using high-productive sequencing methods

Номер патента: RU2636618C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Трофимов,Екатерина Сергеевна Шубина,Нана Картлосовна Тетруашвили. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственная фирма ДНК-Технология". Дата публикации: 2017-11-24.

Complementary and snack foods using high pressure-high temperature (hpht) extrusion

Номер патента: PH22017050221Y1. Автор: Joyce R Tobias,Charlie E Adona,Mario C Cabagbag,Oliver James T Orcullo,Filoteo D Ponte,Nina Joy J Raytana. Владелец: Department Of Science And Tech Food And Nutritional Research Institute Dost Fnri. Дата публикации: 2018-01-29.

Complementary and snack foods using high pressure-high temperature (hpht) extrusion

Номер патента: PH22017050221U1. Автор: Joyce R Tobias,Charlie E Adona,Mario C Cabagbag,Oliver James T Orcullo,Filoteo D Ponte,Nina Joy J Raytana. Владелец: Department Of Science And Tech Food And Nutrition Research Institute Dost Fnri. Дата публикации: 2018-01-29.

Universal control sample for fault detection

Номер патента: RU2273848C1. Автор: Игорь Иванович Толмачев,Ростислава В чеславовна Прошутина,Ростислава Вячеславовна Прошутина. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2006-04-10.

Metal detector on heterodyne receiver using high discrimination system

Номер патента: RU2582075C1. Автор: Дмитрий Владимирович Макаров,Игорь Николаевич Окань,Александр Анатольевич Котов,Иван Витальевич Климов. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2016-04-20.

Method of determining thiacloprid in biological objects using high-performance liquid chromatography

Номер патента: RU2517075C1. Автор: Татьяна Владимировна Бойко,Людмила Карповна Герунова,Марина Николаевна Гонохова,Елена Александровна Лукша,Дмитрий Сергеевич Гончаров,Илья Сергеевич Погодин,Елена Валентиновна Темерова,Татьяна Владимировна Урусова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный аграрный университет имени П.А. Столыпина". Дата публикации: 2014-05-27.

An automatic power fault detection method and system for monitoring and controlling a power distribution system

Номер патента: MY171706A. Автор: Lee Soon Tan. Владелец: Lee Soon Tan. Дата публикации: 2019-10-23.

Fault detection method in journal printer process of automatically bank machine

Номер патента: RU2373069C1. Автор: Владимир Валерьевич Малахов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Конструкторское Бюро "Дорс" (Ооо "Кб "Дорс"). Дата публикации: 2009-11-20.

Differential device for ground fault detection and protection of electrical machines and apparatuses

Номер патента: RU2271059C1. Автор: Юрий Сергеевич Огарь,Сулейман Владимирович Левинзон,Игорь Михайлович Пиковский,Лев Залманович Фейгин,Игорь Иванович Харлов. Владелец: Лев Залманович Фейгин. Дата публикации: 2006-02-27.

Fault detection in power transmission systems

Номер патента: AU2018214152B2. Автор: Craig Harrison. Владелец: Renergyx Pty Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.