Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device with a diagnosing section that diagnoses correction memory and sensor apparatus

Semiconductor device with a diagnosing section that diagnoses correction memory and sensor apparatus

Номер патента: US11211133B2
Опубликовано: 28-12-2021
Автор(ы): Katsuhiro Shimazu, Kazuhiro Matsunami
Принадлежит: Fuji Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and sensor apparatus

Номер патента: US20210020257A1. Автор: Katsuhiro Shimazu,Kazuhiro Matsunami. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20120275245A1. Автор: Yusuke Sekine,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Three-dimensional semiconductor device with connection pattern that contacts vertical channel and source channel

Номер патента: US12075619B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device with a plurality of different one time programmable elements

Номер патента: US20080180983A1. Автор: Joerg Vollrath. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-31.

Internal power supply voltage auxiliary circuit, semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US09589657B2. Автор: Akira Ogawa,Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09666723B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with variable resistance switch and programming method therefor

Номер патента: US09508432B2. Автор: Toshitsugu Sakamoto,Munehiro Tada,Makoto Miyamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US09741400B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Shuhei Nagatsuka,Tomokazu Yokoi,Tatsuya Onuki,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with control of maximum value of current capable of being supplied

Номер патента: US09496042B1. Автор: Yoshihiko Kamata,Masahiro Yoshihara,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Stacked semiconductor device assembly

Номер патента: US09880959B2. Автор: Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and information processing system

Номер патента: US9946513B2. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having plural banks

Номер патента: US20120134217A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Yuuji Motoyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits

Номер патента: US11482440B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Semiconductor device for electrical contacting semiconductor devices

Номер патента: US20080231303A1. Автор: Jochen Kallscheuer,Bernhard Ruf,Sascha Nerger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20200126991A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US12052853B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with a small off current and oxide semiconductor layer having a function of a channel formation layer

Номер патента: US09553583B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251567A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for operating semiconductor device

Номер патента: US09972389B2. Автор: Masashi Fujita,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for operating semiconductor device

Номер патента: US09633710B2. Автор: Masashi Fujita,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device with a stoichiometric gradient

Номер патента: US09589635B2. Автор: Geoffrey W. Burr,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan,Kumar R. Virwani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device, driver circuit, and display device

Номер патента: US09553205B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with programmable response

Номер патента: US20160197294A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Kailash Gopalakrishnan,Tze-Chiang Chen,Young H. Kwark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230260556A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09852778B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device comprising transistor including oxide semiconductor

Номер патента: US09685447B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09570116B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230397447A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230397448A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09991265B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09373640B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semi-conductor device with programmable response

Номер патента: US20160197296A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Kailash Gopalakrishnan,Tze-Chiang Chen,Young H. Kwark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor memory device with a power gating circuit for reducing an instantaneous voltage drop

Номер патента: US09627037B2. Автор: Jin Sung Kim,Jae Young Kim,Tae Hyung Kim,Sang Yeop Baeck. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with reduced crosstalk between lines

Номер патента: US5060189A. Автор: Yoshiji Ota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20210376848A1. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332262A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09786688B2. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Method for driving a semiconductor device having a reading transistor coupled to an oxide semiconductor writing transistor

Номер патента: US09734914B2. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09583174B1. Автор: Young Ran Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with clock-based signal input circuit

Номер патента: US09571067B2. Автор: Hyun-Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09478276B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device for adjusting threshold thereof

Номер патента: US09443990B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Kiyoshi Kato,Takayuki Inoue,Toshihiko Takeuchi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and display device

Номер патента: RU2458460C2. Автор: Ясуси САСАКИ,Юхитирох МУРАКАМИ,Сиге ФУРУТА. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-08-10.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09978695B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09631481B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180033696A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240231756A9. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hiromichi Godo,Kazuki Tsuda,Hidefumi Rikimaru,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Device detecting abnormality of secondary battery and semiconductor device

Номер патента: US20220045370A1. Автор: Kei Takahashi,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

Номер патента: US09638741B2. Автор: Tom Marivoet,Steven Boeykens. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor Device Simulation Platform

Номер патента: US20230394210A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU,Zhengping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10551432B2. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09853164B2. Автор: Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Izumi Ishida,Shogo Murashige. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and overcurrent protection device

Номер патента: US20240219449A1. Автор: Shigeki Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device testing

Номер патента: US20240142512A1. Автор: He Lin,Zhi Peng Feng,Ren Hui Fan,Alfred Griffin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for making semiconductor device

Номер патента: US20150253121A1. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device, data processing system, data reading method, and data reading program

Номер патента: US20190146683A1. Автор: Seiji Mochizuki,Toshiyuki Kaya,Katsushige Matsubara,Nhat Van HUYNH. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20130257441A1. Автор: Masaru Sekiguchi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device, system, electronic device, and speech recognition method

Номер патента: US20170092271A1. Автор: Fumihito Baisho. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device provided with direction sensor elements

Номер патента: US20150035528A1. Автор: Mamoru Yamagami,Taro Nishioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device provided with direction sensor elements

Номер патента: US09476949B2. Автор: Mamoru Yamagami,Taro Nishioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Paper including semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110101366A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Naoto Kusumoto,Yoshitaka Dozen,Hidekazu Takahashi,Kaori Ogita,Daiki Yamada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

In situ threshold voltage determination of a semiconductor device

Номер патента: US11821936B2. Автор: Jerry Rudiak,Ibrahim Shihadeh Kandah. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Inspection apparatus, inspection system, inspection method of semiconductor devices, and manufacturing method of inspected semiconductor devices

Номер патента: US20150123694A1. Автор: Takashi Ushijima,Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

Inspection apparatus, inspection system, inspection method of semiconductor devices, and manufacturing method of inspected semiconductor devices

Номер патента: US9379029B2. Автор: Takashi Ushijima,Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Device detecting abnormality of secondary battery and semiconductor device

Номер патента: US11973198B2. Автор: Kei Takahashi,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and battery voltage monitoring device

Номер патента: EP2700965A3. Автор: Junko Kimura,Hirohiko Hayakawa,Yoshitaka Muramoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device, inspection device of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20180277449A1. Автор: Yu Muto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Liquid crystal display device having tape carrier with semiconductor device on flap portion

Номер патента: US5448387A. Автор: Kazunari Kurokawa,Hironobu Abe,Kazuyuki Kitagawa. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240087487A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hisao Ikeda,Akio Endo,Hideki Uochi,Koji KUSUNOKI,Yoshiaki Oikawa,Yosuke Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device testing system with a plurality of semiconductor device tester

Номер патента: KR100295251B1. Автор: 네모토신,고바야시요시히토,나카무라히로토,오오니시다케시,이케다히로키. Владелец: 오우라 히로시. Дата публикации: 2001-07-28.

Semiconductor device and wafer with a test structure and method for assessing adhesion of under-bump metallization

Номер патента: CN101884102A. Автор: 露西·鲁斯韦耶,泽格·巴尔迪,菲利普·勒迪卡,达维德·德莫尔特勒. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor device and capacitor with a hydrogen-containing oxide layer

Номер патента: EP3882958A1. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09508631B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device including resin with a filler for encapsulating bridge member connected to a substrate

Номер патента: US11990393B2. Автор: Tarou IGOSHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12136674B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Display device, semiconductor device, and method of manufacturing display device

Номер патента: US09508758B2. Автор: Koichi Nagasawa,Hitoshi Tsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: EP3568870A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-11-20.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: US20190378769A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09780779B2. Автор: Keita Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device with a protective security coating and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1490902A1. Автор: Ronald Dekker,Robertus A. M. Wolters,Petra E. De Jongh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-29.

Semiconductor devices with embedded filler particles and associated methods for their production

Номер патента: US20240234227A9. Автор: Martin Mayer,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device and method of detecting wire open failure thereof

Номер патента: US9354269B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793150B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09710174B2. Автор: Tetsuichiro Ichiguchi,Shinya Izumi,Yukiko Take. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with authentication code

Номер патента: US09502405B1. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device with dummy cells of different data types

Номер патента: US09471737B1. Автор: Min Paek,Nor Razman Md Zin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09436036B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Apparatus of measuring characteristics of semiconductor devices

Номер патента: US20070216435A1. Автор: Yasuhiko Iguchi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device with a controlled cavity and method of formation

Номер патента: US20110241181A1. Автор: Dwight L. Daniels,Scott M. Hayes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device with improved temperature uniformity

Номер патента: EP4427264A1. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Method of quantitative analysis of hexavalent chromium in chromate coating and method for controlling hazardous element in encapsulating resin of resin encapsulation semiconductor device

Номер патента: US20120264225A1. Автор: Miyuki Takenaka,Mitsuhiro Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device with improved temperature uniformity

Номер патента: US12074198B2. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09741779B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature

Номер патента: US09536901B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and control method for reading instructions

Номер патента: US09477594B2. Автор: Takao Kusano. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09454923B2. Автор: Kiyoshi Kato,Hidetomo Kobayashi,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device having aluminum-containing layer between two curved substrates

Номер патента: US09337341B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20210297775A1. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Takeya HIROSE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: US20240282726A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: EP4417985A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device with breakdown preventing layer

Номер патента: US09741802B2. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and sensor module

Номер патента: US20230257258A1. Автор: Toma Fujita,Martin Wilfried HELLER. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US20240224673A1. Автор: Mizuki Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US09941346B2. Автор: Mizuki Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device with integrated hot plate and recessed substrate and method of production

Номер патента: US09570390B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-volatile memory and devices that use the same

Номер патента: US09837397B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with copyright protection function

Номер патента: US09536061B2. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Socket device for testing semiconductor device

Номер патента: US09494616B2. Автор: Dong Weon Hwang,Jae Baek Hwang,Jae Suk Hwang. Владелец: HICON CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with external connection bumps

Номер патента: US09472526B2. Автор: Shinya Suzuki,Kiichi Makuta. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-10-18.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor devices with alignment keys

Номер патента: US20180096947A1. Автор: Jun Ho Lee,Kwangmin Kim,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Jemin PARK,Juik Lee,Sooho Shin,Hoin Lee,Ilyoung Moon,Bumseok Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor device with reference voltage circuit

Номер патента: US20240094756A1. Автор: Takeshi Koyama,Hisashi Hasegawa,Shinjiro Kato,Kohei Kawabata. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20210126132A1. Автор: Takashi Shiraishi,Masami Jintyou,Masayoshi Dobashi,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor devices

Номер патента: US09846277B1. Автор: Raymond G Beausoleil,Di Liang,Yingtao HU. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09806200B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Masayuki Kimura,Akihisa Shimomura,Daisuke Matsubayashi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09673234B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of determining temperature of semiconductor device

Номер патента: US20240044720A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chang-Yu Huang,Chih-Pin Hung,Sin-I Du,Sui-An Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US20090212811A1. Автор: Masao Iruka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160013176A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140167044A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method of coating a semiconductor wafer with high viscosity liquid photoresist using N2 purge

Номер патента: US11994801B2. Автор: Sanghyun Park,JungHwan Jang,Taekyu CHOI,Giwoong Nam,Inhee Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: EP2532027A2. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision BV. Дата публикации: 2012-12-12.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A2. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device for infrared detection, method of manufacturing semiconductor device for infrared detection and infrared detector

Номер патента: US20220310857A1. Автор: Ingrid Jonak-Auer,Bernhard LÖFFLER,Gerald Meinhardt,Gernot Fasching. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with recess and method of making

Номер патента: US9916991B2. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with recess and method of making

Номер патента: US09916991B2. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US10553559B2. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09954115B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and electrical device

Номер патента: US09905489B2. Автор: Akira Iso,Takahiro Mitsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09859444B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607897B2. Автор: Takanori Kato,Isao Nakatsuka. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570594B2. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466728B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor Device

Номер патента: US20160181438A1. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor device and manufactruing method of the same

Номер патента: US20140042529A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20090200575A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09847429B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09761544B1. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09484456B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241758A1. Автор: Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device, and power conversion device including the semiconductor device

Номер патента: US20210125891A1. Автор: Takashi Nagao,Masayuki Funakoshi,Yuki Okabe,Takanobu KAJIHARA,Katsuhiko Omae,Atsuki FUJITA,Norio Emi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20030107061A1. Автор: Hiroki Ootera. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09653421B2. Автор: Atsunori Hattori. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640655B2. Автор: Kensaku Yamamoto,Shinya Nishimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496403B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having an inductor

Номер патента: US20140374876A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device having an inductor

Номер патента: US09721917B2. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170243840A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9679858B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020013046A1. Автор: Hirosada Koganei. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device and method for manufacture

Номер патента: EP1754250A2. Автор: Erwin A. Hijzen,Jan Sonsky,Michael A. A. In't Zandt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-02-21.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US12125926B2. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor Device and Methods of Making and Using an Enhanced Carrier to Reduce Electrostatic Discharge

Номер патента: US20240355655A1. Автор: Youngjun Kim,Moonsu Han,DongChae Kim,Ilhan Jung,Cheolsoo Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device for suppressing a temperature increase in beam leads

Номер патента: US09607931B2. Автор: Hiroki Yasuda. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070296045A1. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US09685399B2. Автор: Toru Kimura,Yoichi Goto,Kiyofumi Kitai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266258A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09608072B2. Автор: Hiroshi Kanno,Hitoshi Sumida,Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09437700B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Koichi Nishikawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20230307424A1. Автор: Kengo Ohmori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for producing the same.

Номер патента: MY107475A. Автор: Kochi Tetsunobu,Ohzu Hayao. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1995-12-30.

Semiconductor device with trench gate

Номер патента: WO2016031252A1. Автор: Tomohiro Mimura,Yukihiko Watanabe,Atsushi Onogi,Akitaka SOENO,Sachiko Aoi,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9653384B2. Автор: Takeshi Sunaga,Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device packaged in plastic and mold employable for production thereof

Номер патента: US5998877A. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150279977A1. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160204268A1. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method of imaging device and semiconductor device

Номер патента: US20210090964A1. Автор: Nobutaka Atago. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Power semiconductor device

Номер патента: US20180197838A1. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device assemblies including tsvs of different lengths and methods of making the same

Номер патента: US20230139278A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20150371961A1. Автор: Kouji Takahashi,Shigeki Nakamura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device and a method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150279760A1. Автор: Katsumi Miyawaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and a method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9455245B2. Автор: Katsumi Miyawaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240006357A1. Автор: Takayuki Osawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20230420454A1. Автор: Takayuki Osawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343744A1. Автор: Takeshi Sunaga,Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230238405A1. Автор: Yusuke Otake,Toshifumi Wakano,Shohei SHIMADA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20180047667A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device and electric apparatus

Номер патента: US20190115461A1. Автор: Hiroshi Ono,Tatsuo Shimizu,Daimotsu Kato,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210057295A1. Автор: Shinichi Miwa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: WO2022128913A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190237550A1. Автор: Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190084080A1. Автор: Tsutomu Fujita,Akira Tomono,Takanobu Ono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor devices

Номер патента: US8242550B2. Автор: Thomas Schiml,Manfred Eller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor device

Номер патента: US9780738B2. Автор: Kazuki Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Depletion type MOS semiconductor device and MOS power IC

Номер патента: US20010042886A1. Автор: Kazuhiko Yoshida,Tatsuhiko Fujihira,Motoi Kudoh. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-22.

Rod-shaped semiconductor device

Номер патента: CA2657964C. Автор: Josuke Nakata. Владелец: SPHELAR POWER CORP. Дата публикации: 2014-09-23.

Semiconductor device, and communication apparatus and electronic apparatus having the same

Номер патента: CA2716920C. Автор: Hiroo Kubo,Yukihiko Hoashi,Kazuhito Tsuzura,Kunihiko Shiroishi. Владелец: Yoshikawa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20150235923A1. Автор: Hiroki Yasuda. Владелец: Calsonic Kansei Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240097040A1. Автор: Tomoyuki FUNABASAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20020079525A1. Автор: Satoru Mayuzumi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device having an inductor

Номер патента: US20170309587A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200321301A1. Автор: Shusaku Yanagawa,Shun Mitarai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240162300A1. Автор: Hirotaka Otake,Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US5583361A. Автор: Masakazu Morishita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-12-10.

Semiconductor Device Comprising a Clamping Structure

Номер патента: US20180190641A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Stephan Voss,Roman Baburske,Thomas Kimmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20230387185A1. Автор: Masahiko Arimura,Daiki Yanagishima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170062362A1. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Edge contouring in a semiconductor device

Номер патента: GB2176338A. Автор: Ashley Terry Plumpton. Владелец: Marconi Electronic Devices Ltd. Дата публикации: 1986-12-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20150279953A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Koichi Nishikawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230282618A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe,Ichiro HOMMA. Владелец: Ultramemory Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20200066846A1. Автор: Yoshiyuki Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device passive thermal management

Номер патента: US11784107B1. Автор: Jesse B. Tice,John A. Starkovich,Vincent Gambin. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105835A1. Автор: Tomoaki Shinoda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP1801871A1. Автор: Y. The Kansai Electric Power Co. Inc. Sugawara,Yoshikazu ASAHI DENKA Co. Ltd. SHOJI. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2007-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: EP1801871B1. Автор: Y. The Kansai Electric Power Co. Inc. Sugawara,Yoshikazu ASAHI DENKA Co. Ltd. SHOJI. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2012-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US12034093B2. Автор: Toshiki Koyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of assembling a semiconductor device including sweeping (with a squeegee) encapsulant over the device repeatedly

Номер патента: US20040180472A1. Автор: Kai-Chi Chen,Hsun-Tien Li. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-09-16.

A light-emitting semiconductor device and package with a wavelength conversion structure

Номер патента: TWI478370B. Автор: Chia Liang Hsu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-03-21.

Device for Assisting a First Aider with a Cardiopulmonary Resuscitation

Номер патента: US20220192918A1. Автор: Michael Muller,Matthias Roth,Per SCHORLING. Владелец: Smartresq Aps. Дата публикации: 2022-06-23.

Device for assisting a first aider with a cardiopulmonary resuscitation

Номер патента: CA3137679A1. Автор: Michael Muller,Matthias Roth,Per SCHORLING. Владелец: Smartresq Aps. Дата публикации: 2020-10-29.

Device for assisting a first aider with a cardiopulmonary resuscitation

Номер патента: AU2020261317A1. Автор: Michael Muller,Matthias Roth,Per SCHORLING. Владелец: Smartresq Aps. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device, memory and storage system

Номер патента: US20240164086A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with semiconductor chip and wiring layers

Номер патента: US09312216B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor device with field electrode structure

Номер патента: US09722036B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Semiconductor device with embedded non-volatile memory and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09761680B2. Автор: Dongdong Li,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Esd protection device with reduced harmonic distortion

Номер патента: US20240204516A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09705002B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Multi-gate device with planar channel

Номер патента: US09478542B1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Cointegration of bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09443871B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US20230142940A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US12095006B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09691848B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530856B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09490329B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Improved semiconductor device with the schottky diode

Номер патента: RU2683377C1. Автор: Михаэль РЕШКЕ. Владелец: Диотек Семикондактор Аг. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device

Номер патента: US7910923B2. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device

Номер патента: EP1936690A3. Автор: Tetsuya Nissan Motor Co. Ltd. Hayashi,Masakatsu Nissan Motor Co. Ltd. Hoshi,Hideaki Nissan Motor Co. Ltd. Tanaka,Shigeharu Nissan Motor Co. Ltd. Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

Semiconductor device with both memories and logic circuits and its manufacture

Номер патента: US20020185662A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion

Номер патента: US20180138120A1. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device with a porous air vent

Номер патента: US20240063067A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure in a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090267174A1. Автор: Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Esd protection device with reduced harmonic distortion background

Номер патента: EP3971972A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices with double-sided fanout chip packages

Номер патента: US20240363503A1. Автор: LI Sun,Dingyou Zhang. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with a plate-shaped lead terminal

Номер патента: US09917064B2. Автор: Junji Fujino,Mikio Ishihara,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09905635B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Transistors, semiconductor devices, and electronic devices including transistor gates with conductive elements including cobalt silicide

Номер патента: US09882015B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device with a reduced band gap zone

Номер патента: US09859272B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Roman Roth,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Carsten Schaeffer,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with a trench electrode

Номер патента: US09837527B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US09818685B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate

Номер патента: US09722090B2. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Hideaki Shishido,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with thin-film resistor

Номер патента: US09627409B2. Автор: Hans-Peter Moll,Maciej Wiatr,Andrei Sidelnicov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09590061B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with a strained region and method of making

Номер патента: US09553149B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with a resistance element in a trench

Номер патента: US09484444B2. Автор: Koichi Mochizuki,Shigeru Kusunoki,Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with composite drift region

Номер патента: US09478456B2. Автор: Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Wafer-level package device with solder bump reinforcement

Номер патента: US09425160B1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Reynante Alvarado,Yi-Sheng A. Sun,Yong L. Xu. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor device with open cavity and method therefor

Номер патента: EP4235767A3. Автор: Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20080210938A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1606835A1. Автор: Yoshitsugu c/o Dow Corn Toray Sil. Co Ltd MORITA,Katsutoshi c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd MINE,Junji c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd NAKANISHI,Hiroji c/o Dow Corning Toray Sil. Co. Ltd. ENAMI,Fumio c/o Apic Yamada Corp. Miyajima. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A3. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka,Todd C Roggenbauer. Владелец: Todd C Roggenbauer. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor device with an integrated deep trench capacitor having high capacitance density and low equivalent series resistance

Номер патента: US20210028316A1. Автор: Binghua Hu,Yanbiao Pan,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device with channel layer comprising different types of impurities

Номер патента: US7812396B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device with a polymer layer

Номер патента: US20240071976A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with fins

Номер патента: US11742414B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US11737266B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device with appraisal circuitry

Номер патента: US20110297935A1. Автор: Andreas Roth,Andreas Laudenbach,Hubert Bode. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Charge trapping split gate embedded flash memory and associated methods

Номер патента: US09922833B2. Автор: Yu Sun,Unsoon Kim,Calvin Gabriel,Chun Chen,Sameer Haddad,Kuo Tung CHANG,Mark Ramsbey,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09853002B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Power semiconductor device with embedded field electrodes

Номер патента: US09761676B2. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09711377B2. Автор: Toshihiko Akiba,Hiromi Shigihara,Kei YAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with semiconductor mesa including a constriction

Номер патента: US09666665B2. Автор: Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09620447B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Dual three-dimensional and RF semiconductor devices using local SOI

Номер патента: US09508743B2. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device with conductive pillars having recesses or protrusions to detect interconnect continuity between semiconductor die and substrate

Номер патента: US09478513B2. Автор: Chien Chen Lee,Jen Yu Chen,Ting Yu Fu,Men Hsien Li. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09437454B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09412755B2. Автор: Kazuhiko Sato,Hiroshi Ishida. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device with a super junction structure having a vertical impurity distribution

Номер патента: US09318549B2. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor device with a laser-connected terminal

Номер патента: US20210407955A1. Автор: Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Shinji Tada,Yuma Murata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: EP3905339A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with a reduced band gap and process

Номер патента: US20100044720A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Joachim Krumrey,Christian Foerster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of manufacturing a semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US9799729B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor Device with a Termination Mesa Between a Termination Structure and a Cell Field of Field Electrode Structures

Номер патента: US20160064548A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and inverter device

Номер патента: US20230010169A1. Автор: Takeshi Ogawa,Takuro Mori,Masaru Furukawa,Hideki Tsukamoto,Seiji Saiki,Korehide Okamoto,Takamasa ODA,Yosuke Miyagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device with a portion including silicon and nitrogen and method of manufacturing

Номер патента: US11075134B2. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Christian Maier,Angelika Koprowski,Oliver Humbel,Philipp Sebastian Koch,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-27.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20150206827A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor package device with integrated antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365455A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Semiconductor devices with a sloped surface

Номер патента: US20200328275A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Haian Lin,Frank Alexander Baiocchi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240313121A1. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Naoki Okuno,Haruyuki Baba,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with doped region dielectric layer

Номер патента: US20240371688A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with tunable epitaxy structures and method of forming the same

Номер патента: US12112989B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Tzu-Hsiang HSU,Szu-Chi Yang,Chong-De LIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with a gate insulating film formed on an inner wall of a trench, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991379B1. Автор: Hiroshi Shikauchi,Tomonori Hotate,Ryohei BABA,Satoru Washiya,Youhei Ohno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing semiconductor device with a multi-layered gate dielectric

Номер патента: US09984884B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Takashi Inoue,Takayuki Nagai,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura,Nobuhiro Nagura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device with a termination mesa between a termination structure and a cell field of field electrode structures

Номер патента: US09972714B2. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device with vertically integrated pHEMTs

Номер патента: US09923088B2. Автор: Sheila K. Hurtt,Corey A. Nevers,Dana A. Schwartz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with wettable corner leads

Номер патента: US09847283B1. Автор: Xue Ke,Sven Walczyk,Kan Wae Lam,Wai Keung Ho,Wing Onn Chaw. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, power supply control method of semiconductor device, and sensor node

Номер патента: US09837816B2. Автор: Noboru Sakimura,Tadahiko Sugibayashi,Makoto Miyamura,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780201B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721873B2. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device redistribution layer with narrow trace width relative to passivation layer opening

Номер патента: US09716071B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Power semiconductor device

Номер патента: US09691844B2. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with thick bottom metal and preparation method thereof

Номер патента: US09653383B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yan Xun Xue,Aihua Lu,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US12148722B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer

Номер патента: US09614046B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a metal layer on source/drain regions

Номер патента: US09601586B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

SOI-based semiconductor device with dynamic threshold voltage

Номер патента: US09601512B2. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices with counter-doped nanostructures

Номер патента: US20240379755A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with body spacer at the bottom of the fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09564434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US09543386B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with embedded semiconductor die and substrate-to-substrate interconnects

Номер патента: US09502392B2. Автор: Jin Seong Kim,Cha Gyu Song,Ye Sul Ahn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431435B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor device with etched landing pad surface

Номер патента: US20240023307A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100013028A1. Автор: Yoshiko Kato,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor Device with a Changeable Polarization Direction

Номер патента: US20240162338A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7602055B2. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US12035514B2. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

FET semiconductor device with partial annular gate electrodes

Номер патента: EP1863088A3. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-24.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Semiconductor device with elevated source/drain structure and its manufacture method

Номер патента: US6855589B2. Автор: Toshifumi Mori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020048961A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20200373437A1. Автор: Kan TANAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Optical semiconductor device with composite intervening structure

Номер патента: US12046620B2. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Reduction of defect induced leakage in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20170110546A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

A semiconductor device with a changeable polarization direction

Номер патента: WO2024095580A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2024-05-10.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070134843A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device with protective functions

Номер патента: EP1366552A2. Автор: Takeshi c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD NOBE,Shigeo c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD AKIYAMA,Noriteru c/o MATSUSHITA ELEC. WORKS LTD FURUMOTO,Takuya c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD SUNADA. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2003-12-03.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US20230038316A1. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and test method for manufacturing same

Номер патента: US20040048402A1. Автор: Junya Ishii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Method for fabricating semiconductor device with super junction structure

Номер патента: US20150056771A1. Автор: Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device with a supporting member and bonded metal layers

Номер патента: US11728237B2. Автор: Xiaopeng Wu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20120013342A1. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device with fuse component

Номер патента: US12057393B2. Автор: Jui-Hsiu JAO,Kai-Po Shang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of fabricating semiconductor device with STI structure

Номер патента: US7572713B2. Автор: Takanori Matsumoto,Katsuya Ito,Hiroaki Tsunoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Reduction of defect induced leakage in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20160336408A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Reduction of defect induced leakage in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20160336395A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240284674A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US12100768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroaki Honda,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Kentaro SUGAYA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with re-fill layer

Номер патента: US12100634B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Optical semiconductor device with composite intervening structure

Номер патента: US20240332334A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with a partial shielding layer and a method for making the same

Номер патента: US20240355643A1. Автор: Seunghyun Lee,Seonghwan Park,Bom Lee,InHo Seo. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with electromagnetic shield

Номер патента: US09991228B2. Автор: Ken Miyairi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09978683B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09960243B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Devices with backside metal structures and methods of formation thereof

Номер патента: US09960076B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder,Thomas Christian Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for making semiconductor device with filled gate line end recesses

Номер патента: US09935179B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Reduction of defect induced leakage in III-V semiconductor devices

Номер патента: US09905637B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09831204B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09806022B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device having transistor and capacitor

Номер патента: US09793276B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with a trench and method for manufacturing the same

Номер патента: US09773681B2. Автор: Manoj Kumar,Jui-Chun Chang,Chia-hao Lee,Tsung-Hsiung LEE,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device with through-substrate via covered by a solder ball

Номер патента: US09735101B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Cathal Cassidy. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09660015B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for making semiconductor device with filled gate line end recesses

Номер патента: US09653579B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09608122B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with six transistors forming a NAND circuit

Номер патента: US09601510B2. Автор: Fujio Masuoka,Masamichi Asano. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Reduction of defect induced leakage in III-V semiconductor devices

Номер патента: US09583562B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with through-substrate via covered by a solder ball and related method of production

Номер патента: US09553039B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Cathal Cassidy. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-01-24.

MEMS device with a bonding layer embedded in the cap

Номер патента: US09540231B2. Автор: Kai-Fung Chang,Len-Yi Leu,Lien-Yao TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09530850B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device with field electrode and field dielectric

Номер патента: US09530847B2. Автор: Franz Hirler,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-27.

FinFET semiconductor device with germanium diffusion over silicon fins

Номер патента: US09530776B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496376B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with six transistors forming a nor circuit

Номер патента: US09449988B2. Автор: Fujio Masuoka,Masamichi Asano. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device with epitaxial structures and method for fabricating the same

Номер патента: US09443970B2. Автор: Wai-Yi Lien,Yu-Cheng Tung,Ming-Tsung Chen,Ji-Fu Kung,Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device with mechanical lock features between a semiconductor die and a substrate

Номер патента: US09425161B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla,David F. Abdo,L. M. Mahalingam. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device comprising metal plug having substantially convex bottom surface

Номер патента: US09397040B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device with reduced gate height budget

Номер патента: US20190027575A1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Lead frame for fabricating surface mount type semiconductor devices with high reliability

Номер патента: US20010033008A1. Автор: Yoshiharu Kaneda,Tokuhiro Uchiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Methods of forming semiconductor devices with flowable material for better planarization method

Номер патента: US10615046B2. Автор: Kao-Tsair Tsai,Kun-Che Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device with pad structure resistant to plasma damage and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014154A1. Автор: Wu-Te Weng,Yong-Zhong Hu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-11.

Reverse-conducting power semiconductor device

Номер патента: US20160013302A1. Автор: Martin Arnold,Munaf Rahimo,Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Device with dual isolation structure

Номер патента: US20230117591A1. Автор: Zhong-Xiang He,Mark D. Levy,Richard J. Rassel,Michel J. Abou-Khalil,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device with stacked power converter

Номер патента: EP2647047A1. Автор: Bernard J. New. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor device with a field plate extending from drain

Номер патента: US12074199B2. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Denys Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Power Semiconductor Device with Self-Aligned Source Region

Номер патента: US20200066870A1. Автор: Hans-Juergen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device with improved junction termination extension

Номер патента: US20240266388A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices with crystallized channel regions and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230261075A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device with metal feature and method of preparation

Номер патента: WO2008079794A1. Автор: Manoj K. Jain,Stephan Grunow,Tae S. Kim. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device with improved junction termination extension (jte)

Номер патента: EP4415050A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-14.

Power semiconductor device with a stress-free joint between metal parts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332136A1. Автор: Thorsten Scharf,Egbert Lamminger,Michal Chajneta,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with a core-shell feature and method for forming the same

Номер патента: US12113113B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Chung-Ting Ko,Chih-Chung Chang,Chi On Chui,Sung-En Lin,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Yi-Hsiu Liu,Po-Wei Liang,You-Ting Lin,Jen-Hong Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with sense terminal

Номер патента: US12113041B2. Автор: Toshiyuki Hata,Noriko OKUNISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory devices with improved performance

Номер патента: US20240341075A1. Автор: Yih Wang,Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with protective structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371780A1. Автор: Jun He,Li-Hsien HUANG,Yao-Chun Chuang,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with transistor cells and enhancement cells with delayed control signals

Номер патента: US09997602B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Matteo Dainese,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Silicon-germanium FinFET device with controlled junction

Номер патента: US09922886B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Kam-Leung Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Desaturable semiconductor device with transistor cells and auxiliary cells

Номер патента: US09899478B2. Автор: Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with floating field plates

Номер патента: US09818862B2. Автор: Christopher P. Dragon,Zihao M. Gao,David C. Burdeaux,Hernan A. Rueda,Wayne Robert Burger. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Interconnect structure for semiconductor devices with multiple power rails and redundancy

Номер патента: US09812396B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Shreesh Narasimha,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.,Patrick Ryan Justison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09761541B2. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with sloped sidewall and related methods

Номер патента: US09627224B2. Автор: Godfrey Dimayuga,Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09577108B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device with a semiconductor body containing hydrogen-related donors

Номер патента: US09564495B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device with structural stability

Номер патента: US09530742B1. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Bo Kim,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Silicon-germanium FinFET device with controlled junction

Номер патента: US09514997B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Kam-Leung Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Circuit arrangement with a rectifier circuit

Номер патента: US09484834B2. Автор: Rolf Weis,Gerald Deboy. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including fin capacitors

Номер патента: US09478536B2. Автор: Sang-Kyu Oh,Kang-Hyun Baek,Yongwoo JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09406813B2. Автор: Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing a semiconductor device with a continuous silicate glass structure

Номер патента: US09384960B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Markus Zundel,Alexander Susiti,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device with a pillar-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09379125B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Номер патента: RU2267188C2. Автор: С.П. Черных,Г.В. Федорова. Владелец: Черных Сергей Петрович. Дата публикации: 2005-12-27.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device with a transmitting insulating element

Номер патента: US11894321B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Tomohira Kikuchi,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices with a structure capable of suppressing coupling noise suppression

Номер патента: US20240038690A1. Автор: Chun-Yuan Yeh,Yen-Ju Lu,Sheng-Mou Lin,Ruey-Bo Sun,Po-Jui Li. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Device with improved shallow trench isolation structure

Номер патента: US20190363023A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device with a resonator

Номер патента: EP1687896A1. Автор: Patrice c/o Société Civile SPID GAMAND. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-08-09.

Efficient carrier injection in a semiconductor device

Номер патента: WO2008016828A2. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device with improved source and drain contact area and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11929409B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Epitaxial Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230068065A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of forming a semiconductor device with a seed layer migration process

Номер патента: US12051754B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG,Junbeom PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device with a substrate having depressions formed thereon

Номер патента: US11521941B2. Автор: Yoshinori Oda,Yoshinori Uezato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor devices with a structure capable of suppressing coupling noise suppression

Номер патента: EP4325563A2. Автор: Chun-Yuan Yeh,Yen-Ju Lu,Sheng-Mou Lin,Ruey-Bo Sun,Po-Jui Li. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor devices with a structure capable of suppressing coupling noise suppression

Номер патента: EP4325563A3. Автор: Chun-Yuan Yeh,Yen-Ju Lu,Sheng-Mou Lin,Ruey-Bo Sun,Po-Jui Li. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device with recess gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20100258861A1. Автор: Tae-Kyun Kim,Yun-Hyuck Ji,Seung-Mi Lee,Jin-Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20170278891A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20140239499A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20130140699A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20200119075A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9941323B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Packaging of a semiconductor device with a plurality of leads

Номер патента: US12046541B2. Автор: Katsuhiro IWAI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Fabricating a semiconductor device with a base region having¹a deep portion

Номер патента: IE831223L. Автор: . Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1983-12-28.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US12015086B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: EP4141920A2. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20210399726A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Seiichi Yoneda,Atsushi Miyaguchi,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor devices with package-level compartmental shielding and associated systems and methods

Номер патента: US20230041760A1. Автор: Jong Sik Paek,Youngik Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20180204873A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20160126279A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US12074068B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200058600A1. Автор: Katsuji Ando,Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US6613645B2. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-09-02.

Semiconductor Devices with a Nitrided Capping Layer

Номер патента: US20230029002A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Chi Chuang,Yuting CHENG,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Tzu Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20190326208A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20210159161A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-05-27.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US20230282564A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-07.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US11658108B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-05-23.

Power semiconductor device with a double island surface mount package

Номер патента: US10910302B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-02-02.

Semiconductor devices with low resistance back-side coupling

Номер патента: US20110291278A1. Автор: Edouard de Fresart,Robert W. Baird. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of manufacturing semiconductor device with glue layer in opening

Номер патента: US20040102018A1. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligned landing pad

Номер патента: US20210351187A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240363473A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Thermal management systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4456128A1. Автор: Jin Seong Choi,Reza Sharifi,Hyunsuk CHUN,Nicole A. Butel,Kian Yeow GAN. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363417A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09978746B2. Автор: Heonjong Shin,Eunsil Park,Dongho Cha,Seungseok HA,Keunhee Bai,Sunhom Steve Paak,Kyoung Hwan YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09978636B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with superjunction structure and transistor cells in a transition region along a transistor cell region

Номер патента: US09954056B2. Автор: Franz Hirler,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for making semiconductor device with lead frame made from top and bottom components and related devices

Номер патента: US09947636B2. Автор: Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09893192B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09859463B2. Автор: Korbinian Perzlmaier,Fabian Kopp,Christian Eichinger,Björn Muermann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-02.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of aligning semiconductor wafers for bonding

Номер патента: US09852972B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with a radiation sensing region and method for forming the same

Номер патента: US09847363B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and display device including semiconductor device

Номер патента: US09842938B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09837365B2. Автор: Kazuo Tomita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices

Номер патента: US09812606B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09786593B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with output driver pre-emphasis scheme

Номер патента: US09722582B2. Автор: Hae-Kang JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance

Номер патента: US09721968B2. Автор: Munehiro KOZUMA,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US09679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with different contact regions

Номер патента: US09595619B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with modified current distribution

Номер патента: US09559086B2. Автор: Victor Wong,Jeffrey P. Wright,Shizhong Mei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

3D semiconductor device with enhanced performance

Номер патента: US09524984B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of forming a semiconductor device with a gate stack having tapered sidewalls

Номер патента: US09520474B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device, substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09520374B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for manufacturing semiconductor device with a barrier layer having overhung portions

Номер патента: US09502303B2. Автор: Wen-Chin Lin,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Wu-Sian Sie,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136565B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device with through molding vias and method of making the same

Номер патента: US09469524B2. Автор: Shang-Ying Tsai,Jung-Huei Peng,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Hung-Chia Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09466575B2. Автор: Kazuo Tomita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device

Номер патента: US09455390B2. Автор: Kazuaki Kurihara,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09425212B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of forming semiconductor device with different threshold voltages

Номер патента: US09349652B1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Chia-Cheng Ho,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240162286A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Ahmed Mahmoud,Cornelius Fuchs. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20210066911A1. Автор: Dai KAMIMARU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079410A1. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with a Metal-Filled Groove in a Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20180026130A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20190305126A1. Автор: Toru Oka,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Bumpless semiconductor device

Номер патента: US20040217460A1. Автор: Yukio Yamada,Masayuki Nakamura,Hiroyuki Hishinuma. Владелец: Sony Chemicals Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394881A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Elizabeth BUITRAGO,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device with high breakdown voltage and manufacture thereof

Номер патента: US20150147855A1. Автор: Kazuhiko Takada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device with high breakdown voltage and manufacture thereof

Номер патента: US9520326B2. Автор: Kazuhiko Takada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US20020190264A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080061327A1. Автор: Yu-Chou Lee,Tsung-Chi Cheng,Hung-Yi Hsu,Yea-Chung Shih,Jui-Chung Chang,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Kuang Tsao,Ching-Yeh Kuo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1983580A3. Автор: Takaaki Fujii,Aki Hiramoto,Hiroaki Okuma,Kazuhisa Ishi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Electrically programmable device with embedded eeprom and method for making thereof

Номер патента: US20100276745A1. Автор: Zhen Yang,Sheng-He Huang,Yi-Peng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with a bridge insulation layer

Номер патента: US10707155B2. Автор: Hajime Okuda,Yoshinori Fukuda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-07-07.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220123145A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Super Junction Semiconductor Device with a Nominal Breakdown Voltage in a Cell Area

Номер патента: US20140231912A1. Автор: Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141238A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor Device Including a Conductive Member Within a Trench

Номер патента: US20190273094A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device including a leadframe or a diode bridge configuration

Номер патента: US20200411555A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with a connection pad in a substrate and method for production thereof

Номер патента: US9269680B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141212A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and power source device

Номер патента: US20140203444A1. Автор: Keiji Watanabe,Tadahiro Imada,Nobuhiro Imaizumi,Kozo Shimizu,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: US20220069115A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240274578A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274513A1. Автор: Yasufumi Matsuoka,Kenichi Yoshimochi,Koshun SAITO,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266277A1. Автор: Yoshiaki Aizawa,Katsuhiro TAKAO,Atsushi KUROHA. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor Device Structures for Bipolar Junction Transistors and Methods of Fabricating Such Structures

Номер патента: US20080003757A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device comprising counter-doped regions

Номер патента: US20200266287A1. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12068198B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Tsutomu Murakawa,Naoto Yamade,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for fabricating semiconductor device with protruding contact

Номер патента: US11574911B2. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Method for fabricating semiconductor device with protruding contact

Номер патента: US20220122982A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20030205791A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20180076106A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140054757A1. Автор: Takayuki Hirose,Toshiyuki Kojima,Norihito Tsukahara,Keiko Ikuta,Kohichi Tanda,Lianji Jin. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device and imaging apparatus

Номер патента: US20190013419A1. Автор: Makoto Murai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Semiconductor device package having a semiconductor chip on wiring board connected to plurality of leads including power MOSFETs

Номер патента: US8779575B2. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

III-Nitride Semiconductor Device with Stepped Gate

Номер патента: US20140034959A1. Автор: Paul Bridger,Jianjun Cao,Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230238295A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and process for production thereof

Номер патента: US20050179054A1. Автор: Takayuki Toyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001342A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20130147064A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US9478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Internal packaging of a semiconductor device mounted on die pads

Номер патента: US8395364B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20170263775A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor devices with a rare earth metal oxide layer

Номер патента: US12062576B2. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Po-Cheng Wang,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Kuan-Kan HU,Che Chi Shih,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US6753545B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region

Номер патента: US6097038A. Автор: Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor device with a contact hole

Номер патента: US20020182854A1. Автор: Junichi Miyano,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20040262675A1. Автор: Takuma Hara,Yasunori Usui,Takeshi Uchihara,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050140011A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Light emitting device, semiconductor device, and method of manufacturing the devices

Номер патента: US20020056841A1. Автор: Koichi Miyazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266310A1. Автор: Tsuyoshi Tanigaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with through vias of various shapes and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258201A1. Автор: Jong Hoon Kim,Eun Hye DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7393778B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: CA3232416A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: AU2022344995A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: EP4402722A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: WO2023043687A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321880A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240363666A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi,Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Optical semiconductor device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12126138B2. Автор: Atsushi Nakamura,Hideaki Asakura,Shunya YAMAUCHI,Hayato TAKITA. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: US12074226B2. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device comprising a clamping structure

Номер патента: US09985017B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Stephan Voss,Roman Baburske,Thomas Kimmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09972619B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor devices including an etch stop pattern and a sacrificial pattern with coplanar upper surfaces and a gate and a gap fill pattern with coplanar upper surfaces

Номер патента: US09966432B2. Автор: Boun Yoon,Sangjine Park,Jeongnam Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device

Номер патента: US09911861B2. Автор: Yuichi Sato,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09875989B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Compound semiconductor device, method for producing same, and resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US09865679B2. Автор: Hideki Mizuhara,Yoshihiro Matsushima,Shinichi Oohashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device with recess

Номер патента: US09859124B2. Автор: Yu-Ku Lin,Jung-Chih Tsao,Yao-Hsiang Liang,Li-Yen Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09842940B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09793475B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09741688B2. Автор: Ming-Tsun LIN,Chao-Yang Yeh,Hau Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of forming embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09704824B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device carrier tape with image sensor detectable dimples

Номер патента: US09698040B2. Автор: Jeremy Spiteri,Ivan Ellul. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of recycling substrate

Номер патента: US12148666B2. Автор: Mie Matsuo,Hidekazu Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09691904B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

High voltage transistor operable with a high gate voltage

Номер патента: US09691892B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having buried region beneath electrode and method to form the same

Номер патента: US09679996B2. Автор: Masataka Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US09673823B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09673204B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device including pellet-like particle or flat-plate-like particle

Номер патента: US09666721B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with a heat-dissipating plate

Номер патента: US09640460B2. Автор: Zyunya Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09614095B2. Автор: Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US09583414B2. Автор: Julio C. Costa,David M. Shuttleworth,Michael J. Antonell. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor laminate, semiconductor device, and production method thereof

Номер патента: US09577050B2. Автор: Tetsuya Imamura,Yoshinori Ikeda,Yuka Tomizawa. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09559193B2. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka,Toshinari Sasaki,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Super junction semiconductor device with a nominal breakdown voltage in a cell area

Номер патента: US09515137B2. Автор: Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing a semiconductor device including applying ultrasonic waves to a ball portion of the semiconductor device

Номер патента: US09508678B2. Автор: Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device including oxide semiconductor stack with different ratio of indium and gallium

Номер патента: US09496408B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09484532B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09478737B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US09478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for forming semiconductor device package having metal thermal interface material

Номер патента: US20240371656A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chien-Li Kuo,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455264B2. Автор: Takaaki Kawahara,Tatsunori Kaneoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US09449879B2. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09443934B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Packaging and cooling method and apparatus for power semiconductor devices

Номер патента: US09443786B1. Автор: George R. Woody,Wally E. Rippel,Paul F. Carosa,David L. Bogdanchik,Lon C. COOPER. Владелец: AC Propulsion Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09437749B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09431382B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09419145B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Switching board on aluminum nitride for power and high-power microwave semiconductor devices, mounted on the base of the device housing

Номер патента: RU2696369C1. Автор: Игорь Петрович Смирнов,Александр Александрович Тевяшов,Андрей Сергеевич Корпухин. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240234468A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi,Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US9070659B2. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190221503A1. Автор: Hidekazu Nakamura,Manabu Yanagihara,Takeshi Kawabata,Tomohiko Nakamura,Katsumi Otani,Yusuke Katagiri. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor devices including gate structures with gate spacers

Номер патента: US12034056B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ming-Ching Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Epitaxial source or drain region with a wrapped conductive contact

Номер патента: US20240204048A1. Автор: Hwichan Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20160247736A1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20210288177A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204097A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12034073B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130725A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20170162485A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255369A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11735663B2. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240203811A1. Автор: Nobuyuki Kato,Yutaka Tomatsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material

Номер патента: US20240088216A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240006475A1. Автор: Seiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20110165763A1. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11189549B2. Автор: Hidekazu Nakamura,Manabu Yanagihara,Takeshi Kawabata,Tomohiko Nakamura,Katsumi Otani,Yusuke Katagiri. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20040026777A1. Автор: Kazuo Yokoyama,Shigeki Kageyama,Jun Otsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: US20190189533A1. Автор: Daniel Francis,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE,Daneil James Twitchen. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2019-06-20.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: EP3234985A1. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2017-10-25.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond

Номер патента: WO2016096556A1. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED. Дата публикации: 2016-06-23.

Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond

Номер патента: US10297526B2. Автор: Daniel Francis,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE,Daneil James Twitchen. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2019-05-21.

Push-pull configurations for semiconductor device having a pn-junction with a photosensitive region

Номер патента: US20020130381A1. Автор: Larry Tichauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076984A1. Автор: Hisashi Onodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20100164103A1. Автор: Tsutomu Igarashi,Takeshi Hishida. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device including a solid state imaging device

Номер патента: US9437642B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20080017922A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20180301561A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device and associated fabrication method

Номер патента: US20130234245A1. Автор: Lei Zhang,Tiesheng Li,Donald Disney,Rongyao Ma. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Resin sealing-type semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040201082A1. Автор: Isao Ochiai,Masato Take. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090189221A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7732879B2. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: EP4246589A1. Автор: Hiroshi Kono,Katsuhisa Tanaka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Method of making less electric current dependence of electric current gain of semiconductor device

Номер патента: US20140030878A1. Автор: Yutaka Hayashi,Toshitaka Ota,Yasushi Nagamune. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240234233A1. Автор: Hiroyuki Shinkai,Naoyuki Sano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Stacked chip scale semiconductor device

Номер патента: US20240243101A1. Автор: Yoong Tatt Chin,Wei Chiat Teng,Chee Seng Wong. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130221440A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US7772645B2. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283106A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US20190027421A1. Автор: Takeo Nishikawa,Eiichi Omura,Takayoshi Tawaragi. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240162293A1. Автор: Seokhoon Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Seung Hun Lee,Jaemun Kim,Keun Hwi Cho,Kihyun Hwang,Dahye Kim,Haejun YU,Kyungin Choi,Ilgyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor Device Having a Flexible Printed Circuit

Номер патента: US20090091014A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Junya Maruyama,Toru Takayama,Noriko Shibata,Yuugo Goto,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Manufacture method for semiconductor device with patterned film of ZrO2 or the like

Номер патента: US20040038555A1. Автор: Kiyoshi Irino,Yoshihiro Sugita,Takayuki Ohba,Yusuke Morisaki,Shiqin Xiao. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20140091447A1. Автор: Hiroshi Yamada,Kazuhiko Itaya,Yutaka Onozuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device structure with fluorine-catching layer

Номер патента: US20230378070A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220336662A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230119370A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for applying a cap layer to protect electrical components of a semiconductor device from e-beam irradiation

Номер патента: EP4332529A1. Автор: Thuy-Doan Pham,Yong-Fa Alan Wang. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device and method for controlling amplitude of signal in the semiconductor device

Номер патента: US20210058080A1. Автор: Seung Jin Kim,Seung Hyun Oh,Wan Kim,Byung Ki HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20190295959A1. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3745449A1. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Takuo Koyama,Masaharu Muramatsu,Shinichi Nakata,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010010406A1. Автор: Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor Device Active Region Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230117516A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor Device and Method of Forming an Integrated SIP Module with Embedded Inductor or Package

Номер патента: US20200286835A1. Автор: Heesoo Lee,OhHan Kim,HunTeak Lee,DeokKyung Yang,YiSu Park,WoonJae Beak. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309294A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Kotaro Noda,Nobuyoshi Saito,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10756026B2. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388615A1. Автор: Hidetoshi Tanaka. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for improving a drive current for semiconductor devices on a wafer-by-wafer basis

Номер патента: US20060035394A1. Автор: Yuqing Xu,James Vaughan,James Friedmann,Jeffrey Loewecke,Kaneez Banu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20220085216A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Takako Motai,Keiko Kawamura,Hiroko Itokazu,Kaori Fuse. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230049039A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11145733B1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Po-Wen Su,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020081831A1. Автор: Tadashi Igarashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Trench isolation structure for a semiconductor device with a different degree of corner rounding and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP1573801A1. Автор: Stephan Kruegel,Gert Burbach,Ralf van Bentum. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7968396B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7645655B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20160035879A1. Автор: Hiroaki Yamashita,Masahiro Shimura,Syotaro Ono,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, electric power conversion apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200161233A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device having overload current carrying capability

Номер патента: US11410989B2. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske,Philip Christoph Brandt,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-08-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060202262A1. Автор: Dong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240266424A1. Автор: Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20100237434A1. Автор: Jan Sonsky,Wibo D. Van Noort,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device including a solid state imaging device

Номер патента: US20160351614A1. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for monitoring power semiconductor device in assembly with a cooler

Номер патента: SU1499284A1. Автор: Валентин Михайлович Антюхин,Валерий Павлович Феоктистов,Валдис Янович Узарс,Олег Георгиевич Чаусов,Юрий Юрьевич Чуверин,Виктор Дмитриевич Туфляков,Гундис Вигуртович Лаужа. Владелец: Производственное Объединение "Таллиннский Электротехнический Завод Им.М.И.Калинина". Дата публикации: 1989-08-07.

Corrugated energizing ring for use with a split lockdown ring

Номер патента: MY188891A. Автор: Donald James Tamosaitis,Chijie Lin. Владелец: GE Oil & Gas Pressure Control LP. Дата публикации: 2022-01-12.

Device for sealing pits with a circular or similar cross-section that have been expanded by supporting bodies.

Номер патента: AT117579B. Автор: Karl Dr Ing Kabelac. Владелец: Karl Dr Ing Kabelac. Дата публикации: 1930-04-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

GRAPHENE PROCESSING FOR DEVICE AND SENSOR APPLICATIONS

Номер патента: US20120003438A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MEDICAL DEVICES WITH PROXIMITY DETECTION

Номер патента: US20120003933A1. Автор: . Владелец: WELCH ALLYN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641066C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-15.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120001296A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.