Semiconductor device and method of manufacturing the same
Номер патента: US20030109084A1
Опубликовано: 12-06-2003
Автор(ы): Hideki Shibata, Noriaki Matsunaga, Yoshiaki Shimooka
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-06-2003
Автор(ы): Hideki Shibata, Noriaki Matsunaga, Yoshiaki Shimooka
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having a multilevel interconnection and a method for manufacturing the same
Номер патента: US20050142840A1. Автор: Takeshi Fujimaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-30.