TRENCH POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Номер патента: US20150270384A1
Опубликовано: 24-09-2015
Автор(ы): HSU HSIU-WEN
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-09-2015
Автор(ы): HSU HSIU-WEN
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Trench power seminconductor device and manufacturing method thereof
Номер патента: US11049950B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.