Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20210366907A1
Опубликовано: 25-11-2021
Автор(ы): CHEN Hou-Yu, Cheng Chun-Fu, HUANG Yu-Xuan, Lee Wei Ju, Liao Yi-Bo
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Transistor Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230261069A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Meng-Han Chou,Yi-Syuan Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Source/drain contact having a protruding segment

Номер патента: US20240292590A1. Автор: Ting Fang,Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Yuan Chang,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Source/drain contact having a protruding segment

Номер патента: US11968817B2. Автор: Ting Fang,Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Yuan Chang,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Protective Liner for Source/Drain Contact to Prevent Electrical Bridging While Minimizing Resistance

Номер патента: US20240379785A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Hsin-Huang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Source/drain contacts between transistor gates with abbreviated inner spacers for improved contact area and related method of fabrication

Номер патента: WO2023283502A1. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-01-12.

Finfet having upper spacers adjacent gate and source/drain contacts

Номер патента: US20200119000A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu,Scott Beasor. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Forming source/drain contact in a tight tip-to-tip space

Номер патента: US20240339509A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for manufacturing for forming source/drain contact features and devices manufactured thereof

Номер патента: US20240266407A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Device with shallow source/drain contact and related method

Номер патента: US20240274675A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Yu-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Protective liner for source/drain contact to prevent electrical bridging while minimizing resistance

Номер патента: US20230246083A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Hsin-Huang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Via and source/drain contact landing under power rail

Номер патента: US20240186387A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Shared source/drain contact for stacked field-effect transistor

Номер патента: US20240170532A1. Автор: Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Leon Sigal,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

INCREASED TRANSISTOR SOURCE/DRAIN CONTACT AREA USING SACRIFICIAL SOURCE/DRAIN LAYER

Номер патента: US20200006525A1. Автор: Ghani Tahir,Cea Stephen M.,Hsu William,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

Methods of forming a gate-to-source/drain contact structure

Номер патента: US10388654B2. Автор: Timothy J. McArdle,Ruilong Xie,Judson R. Holt,George Mulfinger,Thomas Merbeth,Ömür Aydin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Airgap formation between source/drain contacts and gates

Номер патента: US09666533B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Backside Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240379781A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang,Wei Hao Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Performance Optimization By Sizing Gates And Source/Drain Contacts Differently For Different Transistors

Номер патента: US20240072137A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Li-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09768322B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09412623B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: EP2599111A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-06-05.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: US20130193494A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-08-01.

Vertical field effect transistor with low-resistance bottom source-drain contact

Номер патента: US20200176611A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Methods of forming metal source/drain contact structures for semiconductor devices with gate all around channel structures

Номер патента: US09601379B1. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Dmitry Yakimets,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

3dsfet device including self-aligned source/drain contact structure with spacer structure at side surface thereof

Номер патента: EP4372796A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,SeJung Park,Myung YANG,MyungHoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

3dsfet device including self-aligned source/drain contact structure with spacer structure at side surface thereof

Номер патента: US20240162309A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,SeJung Park,Myung YANG,MyungHoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09786751B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09496394B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Middle of the line architecture with subtractive source/drain contact

Номер патента: US20240222448A1. Автор: Nelson Felix,Eric Miller,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device having front side and back side source/drain contacts

Номер патента: US20230268403A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Source/drain contact with low-k contact etch stop layer and method of fabricating thereof

Номер патента: US20220285513A1. Автор: Wei-Yang Lee,Da-Wen Lin,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US09368590B2. Автор: David V. Horak,Charles W. Koburger,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Transistors with backside source/drain contact and spacer

Номер патента: US20240186219A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Middle-of-the-line constructs using diffusion contact structures

Номер патента: US20140042641A1. Автор: Yuan Lei,Suresh Venkatesan,Subramani Kengeri,Irene Lin,Jongwook Kye,Shibly Ahmed,Jason Stephens,Mahbub Rashed,Yuansheng Ma,Yunfei Deng,Rod Augur. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Middle-of-the-line constructs using diffusion contact structures

Номер патента: US9142513B2. Автор: Yuan Lei,Suresh Venkatesan,Subramani Kengeri,Irene Lin,Shibly Ahmed,Jason Stephens,Mahbub Rashed,Yuansheng Ma,Yunfei Deng,Roderick Augur,Jongwook K E. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Middle-of-the-line constructs using diffusion contact structures

Номер патента: US20150187702A1. Автор: Lei Yuan,Suresh Venkatesan,Subramani Kengeri,Irene Lin,Jongwook Kye,Shibly Ahmed,Jason Stephens,Mahbub Rashed,Yuansheng Ma,Yunfei Deng,Rod Augur. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Source/drain contact depth control

Номер патента: US20200203480A1. Автор: Brian J. Greene,Lin Hu,Kai Zhao,Veeraraghavan S. Basker,Daniel Jaeger,Christopher Nassar,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Source/drain contact depth control

Номер патента: US20200203480A1. Автор: Brian J. Greene,Lin Hu,Kai Zhao,Veeraraghavan S. Basker,Daniel Jaeger,Christopher Nassar,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Source/drain contact having a protruding segment

Номер патента: US11264393B2. Автор: Ting Fang,Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Yuan Chang,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Integrated circuit structure including multi-length source/drain contacts

Номер патента: US20230378177A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit structure including multi-length source/drain contacts

Номер патента: US11791337B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Transistor having stacked source/drain regions with formation assistance regions and multi-region wrap-around source/drain contacts

Номер патента: US20210408233A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device with buried doped region and contact structure

Номер патента: US09876105B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-23.

Liner and cap layer for placeholder source/drain contact structure planarization and replacement

Номер патента: US09466723B1. Автор: Huang Liu,Qiang Fang,Haigou Huang,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Fin-FET semiconductor device with a source/drain contact having varying different widths

Номер патента: US09786764B2. Автор: Sung-Woo Kang,Sun-jung Lee,Jeong-Nam Han,Chan-jin Park,Young-Mook Oh,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Contact structure with arched top surface and fabrication method thereof

Номер патента: US20240266412A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Ruoh-Ning TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

SOURCE/DRAIN CONTACT WITH LOW-K CONTACT ETCH STOP LAYER AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20220285513A1. Автор: Lin Da-Wen,LIN Chia-Pin,LEE Wei-Yang,Chen Ting-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

Overhanging source/drain contact

Номер патента: US20220223743A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Cheng-Ming Lee,Chung-Hao CAI,Chia-Hsien Yao,Yen-Jun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

FINFET HAVING UPPER SPACERS ADJACENT GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20200119000A1. Автор: Xu Guowei,WANG Haiting,Zang Hui,Beasor Scott. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-04-16.

Self-aligned source/drain contact in replacement metal gate process

Номер патента: US20170207118A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yue Hu,Wen Pin Peng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Integrated circuits with improved source/drain contacts and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US20140346605A1. Автор: Abhijeet Paul,Peter Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Ge-rich transistors employing si-rich source/drain contact resistance reducing layer

Номер патента: WO2018125082A1. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Scott J. MADDOX. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Asymmetric gate contact over source/drain contact

Номер патента: US20240332182A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Yann Mignot,Shahab Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with dielectric spacer liner on source/drain contact

Номер патента: US20200343349A1. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device with dielectric spacer liner on source/drain contact

Номер патента: US20230268402A1. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US10381442B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US09972682B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Techniques for integration of ge-rich p-mos source/drain contacts

Номер патента: EP3120388A1. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-25.

Techniques for integration of Ge-rich p-MOS source/drain contacts

Номер патента: US09859424B2. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US09853156B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US09425316B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods of forming doped source/drain contacts and structures formed thereby

Номер патента: US20200176601A1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Glenn Glass,Chandra MOHAPATRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Low Resistance Source Drain Contact Formation with Trench Metastable Alloys and Laser Annealing

Номер патента: US20190181012A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Self-aligned source/drain contact for vertical field effect transistor

Номер патента: US20200075775A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods, apparatus and system for forming source/drain contacts using early trench silicide cut

Номер патента: US10121702B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Puneet H. Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-06.

FINFET HAVING INSULATING LAYERS BETWEEN GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20200111713A1. Автор: Pandey Shesh Mani,Xie Ruilong,Park Chanro,Economikos Laertis,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-04-09.

Protective Liner for Source/Drain Contact to Prevent Electrical Bridging While Minimizing Resistance

Номер патента: US20220278211A1. Автор: CHEN Jyh-Huei,Tsai Kuo-Chiang,Lin Hsin-Huang. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20220336592A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chung-Hao CAI,Jui-Ping Lin,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Source/drain contact structure

Номер патента: EP3944296A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Ruei-Ping Lin,Chung-Hao CAI,Jason Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device having a ring-shaped protection spacer above a contact pad and enclosing a source/drain contact plug

Номер патента: US12034060B2. Автор: Hongsik SHIN,Sughyun Sung,Heungsik Park,Wonhyuk LEE,Hyunjoon ROH,Dohaing LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Using source/drain contact cap during gate cut

Номер патента: US20200020687A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie,Guowei Xu,Shesh Mani Pandey,Jiehui SHU,Zhaoying Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device suppressing rounded shapes of source/drain contact layers

Номер патента: US12009399B2. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Yi-Jyun HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20190115262A1. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of forming source/drain contact

Номер патента: US10522413B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device including backside contact structure

Номер патента: EP4421861A1. Автор: Kang-ill Seo,Se Jung Park,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device including backside contact structure

Номер патента: US20240290689A1. Автор: Kang-ill Seo,Se Jung Park,Seungchan Yun,Wonhyuk HONG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Buried source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09793171B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,William J. Taylor,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: WO2016160120A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-10-06.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3278365A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: WO2024205835A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Subtractive source drain contact for stacked devices

Номер патента: US20230420502A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Transistor having wrap-around source/drain contacts and under-contact spacers

Номер патента: US11876136B2. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Praveen Joseph,Andrew Greene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Methods of forming a combined gate and source/drain contact structure and the resulting device

Номер патента: US09455254B2. Автор: Ruilong Xie,Su Chen Fan,Andre Labonte,Balasubramanian S. Pranatharthi Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Self-aligned source/drain contacts

Номер патента: US09576957B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Praneet Adusumilli,Emre Alptekin,Shom S. Ponoth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

SILICIDE FORMATION FOR SOURCE/DRAIN CONTACT IN A VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210013108A1. Автор: Xie Ruilong,Wu Heng,Fan Su Chen,Huang Huai. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

III-V LAYERS FOR N-TYPE AND P-TYPE MOS SOURCE-DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20160329431A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-11-10.

Buried source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US20150357425A1. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,William J. Taylor,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-12-10.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US09466701B2. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Nanosheet device with source/drain contacts comprising a silicide mask and manufacturing method using the silicide mask

Номер патента: EP4358150A1. Автор: Sung Hwan Kim,Wan Don KIM,Jun Ki PARK,Heung Seok RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Dual Side Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230008614A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Shih-Chuan CHIU,Chu-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US11955515B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Dual Side Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240204046A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Dumbbell shaped self-aligned capping layer over source/drain contacts and method thereof

Номер патента: US12068382B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure having source/drain contacts and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240363709A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Low Resistance Source Drain Contact Formation with Trench Metastable Alloys and Laser Annealing

Номер патента: US20170213739A1. Автор: Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

TRANSISTOR HAVING WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20200287039A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Maskless method to reduce source-drain contact resistance in cmos devices

Номер патента: US20180061956A1. Автор: Christian Lavoie,Praneet Adusumilli,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US20150380304A1. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor having a source/drain contact with a single inner spacer

Номер патента: US11901434B2. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor having a source/drain contact with a single inner spacer

Номер патента: EP4331013A1. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Bridging contact structures

Номер патента: US20240321738A1. Автор: Charles H. Wallace,Gary Allen,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Clifford J. ENGEL,Prabhjot Kaur Luthra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming a contact structure for a vertical channel semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09741847B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of making thin film transistor array and source/drain contact via-interconnect structures formed thereby

Номер патента: US09711602B2. Автор: Yueping Zuo,Xiaowei Xu,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

III-V layers for n-type and p-type MOS source-drain contacts

Номер патента: US09705000B2. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Maskless epitaxial growth of phosphorus-doped Si and boron-doped SiGe (Ge) for advanced source/drain contact

Номер патента: US10930567B2. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-23.

MASKLESS EPITAXIAL GROWTH OF PHOSPHORUS-DOPED Si AND BORON-DOPED SiGe (Ge) FOR ADVANCED SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190318969A1. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Transistors having backside contact structures

Номер патента: US20240153876A1. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Athena Jacinto Antonio. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Transistors having backside contact structures

Номер патента: EP4365953A2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Athena Jacinto Antonio. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Transistors having backside contact structures

Номер патента: EP4365953A3. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Athena Jacinto Antonio. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Metal-insulator-semiconductor tunneling contacts having an insulative layer disposed between source/drain contacts and source/drain regions

Номер патента: US8110877B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

SELF-ALIGNED BOTTOM UP GATE CONTACT AND TOP DOWN SOURCE-DRAIN CONTACT STRUCTURE IN THE PREMETALLIZATION DIELECTRIC OR INTERLEVEL DIELECTRIC LAYER OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160365309A1. Автор: Zhang John Hongguang. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: US20130193494A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-08-01.

EPITAXIAL STRUCTURE FOR SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20220293760A1. Автор: Tsai Pang-Yen,WANG Sung-Li,Shih Ding-Kang,HUNG Tsungyu,CHU Chia-Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-09-15.

METHOD FOR FORMING SOURCE/DRAIN CONTACTS DURING CMOS INTEGRATION USING CONFINED EPITAXIAL GROWTH TECHNIQUES AND THE RESULTING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160351566A1. Автор: Xie Ruilong,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SOURCE/DRAIN CONTACT ISOLATION STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20220359677A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Wang Sheng-Tsung,Su Huan-Chieh,Huang Lin-Yu,JAO Meng-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

BACKSIDE SOURCE/DRAIN CONTACTS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220359679A1. Автор: Tsai Ching-Wei,LEE Wei-Yang,Yeo Yee-Chia,Cheng Kuan-Lun,HUANG Yu-Xuan,KUO Chien-I,Lu Wei Hao,Su Li-Li. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Iii-v layers for n-type and p-type mos source-drain contacts

Номер патента: KR20140097464A. Автор: 타히르 가니,글렌 에이. 글라스,아난드 에스. 머시. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2014-08-06.

Contact structure with silicide and method for forming the same

Номер патента: US20240371955A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Chieh Wu,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Shih-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Contact structure with silicide and method for forming the same

Номер патента: US12080769B2. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Chieh Wu,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Shih-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Dipole-based contact structure to reduce metal-semiconductor contact resistance in MOSFETs

Номер патента: US09589851B2. Автор: Vijay Narayanan,Huiming Bu,Tenko Yamashita,hui-feng Li,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Contact structure for semiconductor device

Номер патента: US11776847B2. Автор: Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Jeng Chang HER,Cha-Hsin Chao,Li-Te Hsu,Yun-Yu Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Contact structure for semiconductor device

Номер патента: US20240021474A1. Автор: Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Jeng Chang HER,Cha-Hsin Chao,Li-Te Hsu,Yun-Yu Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Dipole-Based Contact Structure to Reduce Metal-Semiconductor Contact Resistance in MOSFETs

Номер патента: US20170018463A1. Автор: Vijay Narayanan,Huiming Bu,Tenko Yamashita,hui-feng Li,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Source/drain contact at tight cell boundary

Номер патента: US20240234523A9. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with reverse-cut source/drain contact structure and method thereof

Номер патента: US20230420566A1. Автор: Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: US20240096698A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Increased transistor source/drain contact area using sacrificial source/drain layer

Номер патента: US20200006525A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Process and structure for source/drain contacts

Номер патента: US11784228B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Source/drain contact at tight cell boundary

Номер патента: US20240136414A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Process and structure for source/drain contacts

Номер патента: US20230387220A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Field effect transistor with backside source/drain contact

Номер патента: US20240153990A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

SELF-ALIGNED BOTTOM UP GATE CONTACT AND TOP DOWN SOURCE-DRAIN CONTACT STRUCTURE IN THE PREMETALLIZATION DIELECTRIC OR INTERLEVEL DIELECTRIC LAYER OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170222018A1. Автор: Zhang John Hongguang. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2017-08-03.

SELF-ALIGNED BOTTOM-UP-GATE CONTACT AND TOP-DOWN SOURCE-DRAIN CONTACT STRUCTURE IN THE PREMETALIZED DIELECTRIC LAYER OR INTERMEDIATE DIELECTRIC LAYER OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: DE102015120483A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-12-15.

Self-aligned bottom up gate contact and top down source-drain contact structure in the premetallization dielectric or interlevel dielectric layer of an integrated circuit

Номер патента: US9679847B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-06-13.

Source/drain contact plugs for multi-channel field-effect transistors

Номер патента: EP4362102A1. Автор: Jinbum Kim,Gyeom KIM,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Field effect transistor devices with self-aligned source/drain contacts and gate contacts positioned over active transistors

Номер патента: US20200258779A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RECESSED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND A GATE CONTACT POSITIONED ABOVE THE ACTIVE REGION

Номер патента: US20190296108A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Field effect transistor devices having gate contacts formed in active region overlapping source/drain contacts

Номер патента: US20190319105A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Field effect transistor devices with self-aligned source/drain contacts and gate contacts positioned over active transistors

Номер патента: US10707127B2. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Method for fabricating silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US20130178052A1. Автор: David V. Horak,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN,II Charles W. KOBURGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200083118A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200083119A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US20170294385A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

FinFET having insulating layers between gate and source/drain contacts

Номер патента: US10741451B2. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie,Chanro Park,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

FINFET with insulating layer between gate and source/drain contacts

Номер патента: CN110993602A. Автор: 谢瑞龙,臧辉,拉尔特斯·柯洛米克斯,席史·马尼·潘迪,朴灿柔. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-10.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US10269707B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device with source/drain contact

Номер патента: US20230335643A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Wen-Che Tsai,Hua-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods of forming a gate contact structure for a transistor

Номер патента: US20180315821A1. Автор: CHENG Chi,Hao Tang,Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Daniel Chanemougame,Mark V. Raymond. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Wrap-around trench contact structure and methods of fabrication

Номер патента: US09876016B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Joseph STEIGERWALD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Wrap-around trench contact structure and methods of fabrication

Номер патента: US11776959B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Joseph STEIGERWALD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Wrap-around trench contact structure and methods of fabrication

Номер патента: US20230387121A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Joseph STEIGERWALD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: WO2024064567A3. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: WO2024064567A2. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

System and Method for Forming a Semiconductor Device Source/Drain Contact

Номер патента: US20080315321A1. Автор: Ching-Ya Wang,Chung-Hu Ke,When-Chin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of forming contact structures

Номер патента: US20230299154A1. Автор: Fu-Hsiang Su,Yi Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Gate contact structure positioned above an active region of a transistor device

Номер патента: US10243053B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Contact structure with insulating cap

Номер патента: US12074218B2. Автор: Yi-Ju Chen,Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming source/drain contact structure with chalcogen passivation

Номер патента: US09461134B1. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Givens,Jacob Woodruff,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-04.

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20210366907A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yi-Bo Liao,Chun-Fu CHENG,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for forming source/drain contacts during CMOS integration using confined epitaxial growth techniques

Номер патента: US09397003B1. Автор: Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for forming source/drain contacts during CMOS integration using confined epitaxial growth techniques and the resulting semiconductor devices

Номер патента: US09640535B2. Автор: Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: EP4409627A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: US12107132B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Cpp-agnostic source-drain contact formation for gate-all-around devices with dielectric isolation

Номер патента: US20230420500A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Cpp-agnostic source-drain contact formation for gate-all-around devices with dielectric isolation

Номер патента: WO2024001335A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

Source/drain contact landing

Номер патента: US20230395721A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

System and Method for Source/Drain Contact Processing

Номер патента: US20120211807A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Nan Yeh,Cheng-Hung Chang,Yu-Rung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BORDERLESS SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20140061799A1. Автор: Horak David V.,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,FAN Susan S.,Koburger Charles W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20170117279A1. Автор: Cheng Kangguo,Alptekin Emre,Ponoth Shom S.,Pranatharthiharan Balasubramanian,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

WRAPPED SOURCE/DRAIN CONTACTS WITH ENHANCED AREA

Номер патента: US20180269324A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

WRAPPED SOURCE/DRAIN CONTACTS WITH ENHANCED AREA

Номер патента: US20180269325A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

MERGED GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150340467A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20160358916A1. Автор: Cheng Kangguo,Alptekin Emre,Ponoth Shom S.,Pranatharthiharan Balasubramanian,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

WRAPPED SOURCE/DRAIN CONTACTS WITH ENHANCED AREA

Номер патента: US20180350991A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Wrapped source/drain contacts with enhanced area

Номер патента: US10084094B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor device including contact structure

Номер патента: US11798850B2. Автор: Hwi Chan Jun,Dae Won Ha,Chang Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device including contact structure

Номер патента: US20190057907A1. Автор: Hwi Chan Jun,Dae Won Ha,Chang Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor device including contact structure

Номер патента: US11094593B2. Автор: Hwi Chan Jun,Dae Won Ha,Chang Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-17.

Contact structures, finfet devices and methods of forming the same

Номер патента: US20180350970A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor contact structures and methods

Номер патента: US20240339524A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Sheng-Tsung Wang,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Homogeneous source/drain contact structure

Номер патента: US20220336269A1. Автор: Po-Hsiang Huang,Chang-Wen Chen,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US20190311949A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US11004737B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US20190287850A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Merged gate and source/drain contacts in a semiconductor device

Номер патента: US09960256B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: US20240332297A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Insulating cap on contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20210043499A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Ke-Jing Yu,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Forming crystalline source/drain contacts on semiconductor devices

Номер патента: WO2019066772A1. Автор: Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Cory C. Bomberger,Scott J. MADDOX. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Forming crystalline source/drain contacts on semiconductor devices

Номер патента: US20200365585A1. Автор: Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Cory C. Bomberger,Scott J. MADDOX. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

TRANSISTOR HAVING CONFINED SOURCE/DRAIN REGIONS WITH WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20210226032A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Bergendahl Marc A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20220028983A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Fang Ting,Cai Chung-Hao,Lin Ruei-Ping,Yao Jason. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES HAVING GATE CONTACTS FORMED IN ACTIVE REGION OVERLAPPING SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20190157404A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20130256767A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Joshi Sabhash M.,Chun Jin-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20150155385A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-04.

METAL TO SOURCE/DRAIN CONTACT AREA USING THIN NUCLEATION LAYER AND SACRIFICIAL EPITAXIAL FILM

Номер патента: US20200161440A1. Автор: Murthy Anand S.,LIAO Szuya S.,JAMBUNATHAN KARTHIK,Jhaveri Ritesh,MADDOX SCOTT J.,PATEL PRATIK A.,Troeger Ralph T.,Cheong Kai Loon. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-05-21.

MERGED GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180233585A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-08-16.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20170323966A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-11-09.

Metal to source/drain contact area using thin nucleation layer and sacrificial epitaxial film

Номер патента: WO2019005099A1. Автор: Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Szuya S. LIAO,Scott J. MADDOX,Ritesh JHAVERI,Pratik A. Patel,Ralph T. TROEGER,Kai Loon CHEONG. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.

Vertical source/drain contact semiconductor

Номер патента: US20030006462A1. Автор: Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Puay Ong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Microelectronic devices with active source/drain contacts in trench in symmetrical dual-block structure, and related systems and methods

Номер патента: WO2023288211A1. Автор: Lifang Xu,Richard J. Hill,Lars P. Heineck,Indra V. Chary. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor Device Including Trench Contact Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20210020740A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device with cell trench structures and a contact structure

Номер патента: US09711641B2. Автор: Johannes Georg Laven,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate contact structure having gate contact layer

Номер патента: US09490317B1. Автор: Ryan Ryoung-Han Kim,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Two-dimensional material-based wiring conductive layer contact structures, electronic devices including the same, and methods of manufacturing the electronic devices

Номер патента: US12142697B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113196A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Two-dimensional material-based wiring conductive layer contact structures, electronic devices including the same, and methods of manufacturing the electronic devices

Номер патента: US20240038903A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Two-dimensional material-based wiring conductive layer contact structures, electronic devices including the same, and methods of manufacturing the electronic devices

Номер патента: US11830952B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Source/Drain Contacts For Semiconductor Devices And Methods Of Forming

Номер патента: US20210367050A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DIFFERENTIATED NEIGHBORING PARTITIONED SOURCE OR DRAIN CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20200075770A1. Автор: Ghani Tahir,KOBRINSKY Mauro J.,BOJARSKI Stephanie,MCDONNELL Myra. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING PARTITIONED SOURCE OR DRAIN CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20200075771A1. Автор: Ghani Tahir,GUHA BISWAJEET,KOBRINSKY Mauro J.,BOJARSKI Stephanie,DHAYAL Babita. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Source/Drain Contacts for Semiconductor Devices and Methods of Forming

Номер патента: US20210098583A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

FET with FUSI gate and reduced source/drain contact resistance

Номер патента: US8664721B2. Автор: Zhen Zhang,Paul Solomon,Tak H. Ning,Christian Lavoie,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Methods of forming source/drain contacts in field-effect transistors

Номер патента: US11749725B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods of Forming Source/Drain Contacts in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20200058744A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Methods of forming source/drain contacts in field-effect transistors

Номер патента: US20230378282A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20190198394A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20180211874A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20180211875A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20190341309A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Transistor having wrap-around source/drain contacts

Номер патента: US20230275152A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Fabrication of self-aligned gate contacts and source/drain contacts directly above gate electrodes and source/drains

Номер патента: US20190198393A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Fabrication of self-aligned gate contacts and source/drain contacts directly above gate electrodes and source/drains

Номер патента: US11121032B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Raised silicide source/drain MOS transistors having enlarged source/drain contact regions and method

Номер патента: TW480604B. Автор: Sheng Teng Hsu,Keizo Sakiyama. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2002-03-21.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US20150287795A1. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

FINFET DEVICE WITH A WRAP-AROUND SILICIDE SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20190312117A1. Автор: Zhang Xing,Hong Wei,Xie Ruilong,Yu Hong,Qi Yi,WANG Haiting,Zhan Hui,LO Hsien-Ching,SHEN Yanping,Shi Yong Jun. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20190165124A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for forming source/drain contacts

Номер патента: US11769817B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

GATE CONTACT OVER ACTIVE REGION WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200321244A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Fan Su Chen,CHI Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Methods of forming field effect transistors having silicided source/drain contacts with low contact resistance

Номер патента: US7863201B2. Автор: O Sung Kwon,Bong-seok Suh,Oh-Jung Kwon,Yong-kuk Jeong,Dong-Hee Yu,Seong-Dong Kim. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2011-01-04.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20230369451A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

TECHNIQUES FOR INTEGRATION OF GE-RICH P-MOS SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20170012124A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Mistkawi Nabil G.,PANG YING. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-12.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180068857A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

VERTICAL FINFET WITH IMPROVED TOP SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190067474A1. Автор: WONG Chun Yu,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

NANOSHEET FET INCLUDING ALL-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200075772A1. Автор: Xu Peng,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Source/Drain Contacts for Semiconductor Devices and Methods of Forming

Номер патента: US20210098583A1. Автор: Tsai Ching-Wei,Cheng Kuan-Lun,Chung Cheng-Ting,HUANG Yu-Xuan,Liao Yi-Bo. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180122646A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20190165124A1. Автор: Yu Kuo-Feng,PENG Cheng-Yi,TSAI Chun Hsiung,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Low Resistance Source Drain Contact Formation with Trench Metastable Alloys and Laser Annealing

Номер патента: US20190181012A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Low Resistance Source Drain Contact Formation

Номер патента: US20170213889A1. Автор: Yeh Chun-chen,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

NANOSHEET FET INCLUDING ALL-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190214502A1. Автор: Xu Peng,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20190221662A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

Low Resistance Source Drain Contact Formation

Номер патента: US20180240875A1. Автор: Yeh Chun-chen,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

METHODS OF FORMING DOPED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20180261696A1. Автор: Murthy Anand,Kim Seiyon,JAMBUNATHAN KARTHIK,GLASS Glenn,Mohapatra Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20200273963A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

INTERLAYER DIELECTRIC REPLACEMENT TECHNIQUES WITH PROTECTION FOR SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20200279933A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao,Carr Adra,Greene Andrew,Kamineni Vimal. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DIELECTRIC SPACER LINER ON SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200343349A1. Автор: Wang Yu-Sheng,Chen Kei-Wei,Hung Chi-Cheng,WU Chia-Yang,CHUNG Ming-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-29.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US20200357916A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US20230028568A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Forming highly conductive source/drain contacts in III-Nitride transistors

Номер патента: US10074729B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Interlayer dielectric replacement techniques with protection for source/drain contacts

Номер патента: US10770562B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Andrew Greene,Vimal Kamineni,Adra Carr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Thin film transistors with epitaxial source/drain contact regions

Номер патента: US10090415B1. Автор: Ghavam Shahidi,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Vertical source/drain contact semiconductor

Номер патента: US20020151108A1. Автор: Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Puay Ong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-10-17.

Nanosheet FET including encapsulated all-around source/drain contact

Номер патента: US11011643B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Low resistance source-drain contacts using high temperature silicides

Номер патента: US11088033B2. Автор: Christian Lavoie,Praneet Adusumilli,Hemanth Jagannathan,Ahmet S. Ozcan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US8981435B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Transistor source/drain contacts and methods of forming the same

Номер патента: US20230155004A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Wei-Jung Lin,Pei-Wen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Use of band edge gate metals as source drain contacts

Номер патента: US8741753B2. Автор: Bin Yang,Zhen Zhang,Christian Lavoie,Kisik Choi,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Stepped source drain contact for gate-all-around transistor

Номер патента: US20230411477A1. Автор: Eric Miller,Yann Mignot,Tsung-Sheng KANG,Su Chen Fan,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

METHODS OF FORMING DOPED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20200176601A1. Автор: Murthy Anand,Kim Seiyon,JAMBUNATHAN KARTHIK,GLASS Glenn,Mohapatra Chandra. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-06-04.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US10283640B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Semiconductor device including backside contact structure having low ohmic contact resistance

Номер патента: US20240274676A1. Автор: Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Jongjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Gate contact structure over active gate and method to fabricate same

Номер патента: US09461143B2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Mark Bohr,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Contact structures and methods of making the contact structures

Номер патента: US20190206878A1. Автор: Emilie Bourjot,Daniel Chanemougame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Contact Structure For Semiconductor Device

Номер патента: US20230386912A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Hsu-Kai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220052157A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Contact structure of semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240178058A1. Автор: Chenhan WANG. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Gate contact structures and cross-coupled contact structures for transistor devices

Номер патента: US12002869B2. Автор: Hui Zang,Lei Sun,Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Heimanu Niebojewski,Daniel Chanemougame,Youngtag Woo,Bipul C. Paul,Xuelian ZHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09917050B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Source/Drain Contacts and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240290852A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Source/Drain Contacts And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20240021686A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Vertical field effect transistors with controlled overlap between gate electrode and source/drain contacts

Номер патента: US20160149054A1. Автор: Anirban Basu,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Amlan Majumdar,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US09653461B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Source/drain contacts and methods of forming same

Номер патента: US12009394B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Transistor source/drain contacts and methods of forming the same

Номер патента: US20230369325A1. Автор: Huan-Just Lin,Wen-Kuo HSIEH,Yang-Cheng WU,Yun-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Transistor source/drain contacts and methods of forming the same

Номер патента: US11798943B2. Автор: Huan-Just Lin,Wen-Kuo HSIEH,Yang-Cheng WU,Yun-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of forming source/drain contact

Номер патента: US9799567B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a source/drain contact plug with an upwardly protruding portion

Номер патента: US12014957B2. Автор: Yongsik Jeong,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Minchan Gwak,Sunghun Jung,Sangwon JEE,Sungmoon Lee,Yeongchang Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Method and Structure for Reducing Source/Drain Contact Resistance at Wafer Backside

Номер патента: US20220344496A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20230282733A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20200328291A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US10714597B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11271095B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-08.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11695061B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Structure for reducing source/drain contact resistance at wafer backside

Номер патента: US20230387266A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Performing concurrent diffusion break, gate and source/drain contact cut etch processes

Номер патента: US20190326177A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Method and structure for reducing source/drain contact resistance at wafer backside

Номер патента: US11848372B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device with source/drain contact formed using bottom-up deposition

Номер патента: US20230335592A1. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Field effect transistor devices having gate contacts formed in active region overlapping source/drain contacts

Номер патента: US20190006515A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RECESSED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND A GATE CONTACT POSITIONED ABOVE THE ACTIVE REGION

Номер патента: US20190088742A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

MOSFET GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT METALLIZATION

Номер патента: US20140027865A1. Автор: Yang Chih-Chao,Doris Bruce B.,Seo Soon-Cheon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-30.

USING SOURCE/DRAIN CONTACT CAP DURING GATE CUT

Номер патента: US20200020687A1. Автор: Pandey Shesh Mani,Xie Ruilong,Economikos Laertis,Xu Guowei,Shu Jiehui,WANG Haiting,Zang Hui,Hu Zhaoying. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-01-16.

Vertical Field-Effect Transistor having a Dielectric Spacer between a Gate Electrode Edge and a Self-Aligned Source/Drain Contact

Номер патента: US20190027586A1. Автор: Zang Hui,Huang Haigou. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND RELIABILITY

Номер патента: US20160056297A1. Автор: Yu Gang,Xiao Tian,Shieh Chan-Long,Foong Fatt. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20180061715A1. Автор: Hsieh Hung-Chang,LIN Yu-Hsien,CHEN Jhun Hua,Kuo Ming-Jhih. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

METHODS OF FORMING AIR GAPS BETWEEN SOURCE/DRAIN CONTACTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20200075715A1. Автор: Pandey Shesh Mani,Xie Ruilong,Zang Hui,Kamineni Vimal. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACT FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200075775A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH FIELD EFFECT TRANSISTOR(S) HAVING LOW-RESISTANCE SOURCE/DRAIN CONTACT(S)

Номер патента: US20160118496A1. Автор: Nowak Edward J.,Johnson Jeffrey B.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH CONTROLLED OVERLAP BETWEEN GATE ELECTRODE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20160149054A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Shiu Kuen-Ting,Majumdar Amlan,Haensch Wilfried E.,Basu Anirban. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

RECESSED SOURCE DRAIN CONTACT REGIONS INDEPENDENT OF DEVICE PITCH BY UNMERGED EPITAXY ON FIN PORTIONS

Номер патента: US20150318281A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Marshall Eric D.,Taber Benjamen N.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-05.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20200328291A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

PERFORMING CONCURRENT DIFFUSION BREAK, GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT CUT ETCH PROCESSES

Номер патента: US20190326177A1. Автор: Xie Ruilong,Yu Hong,Economikos Laertis,WANG Haiting,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Vertical channel fin field-effect transistors having increased source/drain contact area and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050186742A1. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Dong-gun Park,Jeong-Dong Choe,Chang-Woo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-25.

Forming gate and source/drain contact openings by performing a common etch patterning process

Номер патента: US9312182B2. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung,William J. Taylor, Jr.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20160118303A1. Автор: Hsieh Hung-Chang,LIN Yu-Hsien,CHEN Jhun Hua,Kuo Ming-Jhih. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

FORMING GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT OPENINGS BY PERFORMING A COMMON ETCH PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20150364378A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Single and double gate field effect transistors with sidewall source-drain contacts

Номер патента: TW372357B. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Paul Michael Solomon. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1999-10-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Structure containing a via-to-buried power rail contact structure or a via-to-backside power rail contact structure

Номер патента: EP4423811A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kevin Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Structure containing a via-to-buried power rail contact structure or a via-to-backside power rail contact structure

Номер патента: WO2023073483A1. Автор: Ruilong Xie,Eric Miller,Kevin Petrarca,Stuart Sieg. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282627A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Contact structure with insulating cap and method for forming the same

Номер патента: US20240371998A1. Автор: Yi-Ju Chen,Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Shared Contact Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20200381298A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Leo Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Shared Contact Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20230069302A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Leo Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Shared contact structure and methods for forming the same

Номер патента: US11476159B2. Автор: Sheng-Liang Pan,Leo Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device with improved contact structure and method of forming same

Номер патента: US09564433B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20240006541A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11948997B2. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Spacer structures and contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230369456A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US11984356B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240162332A1. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Butting contact structure and method incorporating with a silicide inserted between a contact region and a conductor for a small contact window

Номер патента: US20040195689A1. Автор: Wei-Jye Lin,Ming-Jang Lin,Chorng-Wei Liaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Butting contact structure and method incorporating with a silicide inserted between a contact region and a conductor for a small contact window

Номер патента: US20030141555A1. Автор: Wei-Jye Lin,Ming-Jang Lin,Chorng-Wei Liaw. Владелец: Analog and Power Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Shared Contact Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20200090999A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Leo Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Forming a metal contact layer on silicon carbide and semiconductor device with metal contact structure

Номер патента: US10256097B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-09.

Semiconductor backside contact structure with increased contact area

Номер патента: US20240096983A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US09779987B2. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US20170372949A1. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Gate contact structures and cross-coupled contact structures for transistor devices

Номер патента: US20190148240A1. Автор: Hui Zang,Lei Sun,Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Heimanu Niebojewski,Daniel Chanemougame,Youngtag Woo,Bipul C. Paul,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Methods for forming transistor devices with different source/drain contact liners and the resulting devices

Номер патента: US09502308B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

3-dimensional memory device having peripheral circuit devices having source/drain contacts with different spacings

Номер патента: US09449986B1. Автор: Sun Young Kim,Jae Ho Jeong,Jang Gn Yun,Hyun Sook Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

METHODS OF FORMING A COMBINED GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20160133623A1. Автор: Labonte Andre,Xie Ruilong,Fan Su Chen,Pranatharthi Haran Balasubramanian S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

MASKLESS METHOD TO REDUCE SOURCE-DRAIN CONTACT RESISTANCE IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20180061956A1. Автор: Lavoie Christian,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

MASKLESS METHOD TO REDUCE SOURCE-DRAIN CONTACT RESISTANCE IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20180083114A1. Автор: Lavoie Christian,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

MASKLESS EPITAXIAL GROWTH OF PHOSPHORUS-DOPED Si AND BORON-DOPED SiGe (Ge) FOR ADVANCED SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190318969A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

MASKLESS EPITAXIAL GROWTH OF PHOSPHORUS-DOPED Si AND BORON-DOPED SiGe (Ge) FOR ADVANCED SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190318970A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Insulating cap on contact structure

Номер патента: US12040225B2. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Ke-Jing Yu,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Insulating cap on contact structure

Номер патента: US20220319906A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Ke-Jing Yu,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Gate and source/drain contact structures for a semiconductor device

Номер патента: US20160268415A1. Автор: Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Gate and source/drain contact structures for a semiconductor device

Номер патента: US09478662B2. Автор: Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210376158A1. Автор: Jae-Hyung Park,Edward Robert Van Brunt,Edward Lloyd Hutchins. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

III-V LAYERS FOR N-TYPE AND P-TYPE MOS SOURCE-DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20160027781A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-01-28.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND RELIABILITY

Номер патента: US20170033227A1. Автор: Yu Gang,Xiao Tian,Shieh Chan-Long,Foong Fatt. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices having buried contact structures

Номер патента: US09812539B2. Автор: Dae-won Kim,Yong-Jun Kim,Jae-Rok Kahng,Sung-In KIM,Jung-Woo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Borderless contact structure

Номер патента: US09620619B2. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096981A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Contact structure of semiconductor device

Номер патента: US09589838B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device comprising contact structures with protection layers formed on sidewalls of contact etch stop layers

Номер патента: US09590056B2. Автор: Kai Frohberg,Katrin Reiche,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US20150357477A1. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-12-10.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09543397B2. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-10.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US11824107B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: EP3678191A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US20240047566A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US20200219997A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Integrated circuit structures having partitioned source or drain contact structures

Номер патента: EP3647263A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha,Stephanie Bojarski,Babita DHAYAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Silicon-on-insulator integrated circuit devices with body contact structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US9685364B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220310800A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Cheng-Ming Lin,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220130678A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Hsinhsiang Tseng,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices including a contact structure that contacts a dummy channel structure

Номер патента: US20230309312A1. Автор: Kwang Soo Kim,Joo Won Park,Kyeong Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device with contact structure and method for preparing the same

Номер патента: US11749730B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor devices including a contact structure that contacts a dummy channel structure

Номер патента: US12004353B2. Автор: Kwang Soo Kim,Joo Won Park,Kyeong Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for preparing semiconductor device with contact structure

Номер патента: US11935834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for preparing semiconductor device with contact structure

Номер патента: US20230343841A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor devices including contact structures that partially overlap silicide layers

Номер патента: US09768255B2. Автор: Shigenobu Maeda,Chul-Sung Kim,Sang-Jin Hyun,Do-Sun LEE,Chang-Woo SOHN,Young-Moon Choi,Hyo-Seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Contact structures and methods of forming the same

Номер патента: US09620601B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230009077A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Shih-Chuan CHIU,Hsu-Kai Chang,Ko-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device comprising contact structures with protection layers formed on sidewalls of contact etch stop layers

Номер патента: US20160099321A1. Автор: Kai Frohberg,Katrin Reiche,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Integrated circuit contact structures

Номер патента: US20240128340A1. Автор: Patrick Morrow,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Field-effect transistor (fet) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US20140370681A1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Field-effect transistor (FET) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US8969152B2. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device having a gate contact structure capable of reducing interfacial resistance and method of forming the same

Номер патента: US7776687B2. Автор: Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sang-Hun Jeon,Jong-Sun Sel,Chang-seok Kang,Yoo-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-17.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US20160056249A1. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-02-25.

Source/Drain Contact Formation Methods and Devices

Номер патента: US20210358804A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for forming source/drain contacts

Номер патента: US12009363B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20210313324A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

SUBSTRATE-TEMPLATED EPITAXIAL SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20140151757A1. Автор: Chang Josephine B.,Majumdar Amlan,Guillorn Michael A.,Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURES FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160268415A1. Автор: Labonte Andre,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Methods for forming metal-insulator semiconductor (MIS) source/drain contact structure and integrated circuit fabrication

Номер патента: KR102282375B1. Автор: 마이클 유진 기븐스,푸 탕,제이콥 허프만 우드러프,치 시에,얀 빌럼 마스. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2021-07-28.

Source/drain contact formation methods and devices

Номер патента: US20230386913A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Source/Drain Contact Spacers and Methods of Forming Same

Номер патента: US20200035549A1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20190067130A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180068903A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180068904A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-08.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20160111532A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-04-21.

TRANSISTOR SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20220181460A1. Автор: Sell Bernhard,Baran Andre,Wang Pei-hua,Ku Chieh-jen,Souther Kendra. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20190115262A1. Автор: Hsieh Hung-Chang,LIN Yu-Hsien,CHEN Jhun Hua,Kuo Ming-Jhih. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180138093A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

THIN FILM TRANSISTORS WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN CONTACT REGIONS

Номер патента: US20190165181A1. Автор: Hekmatshoartabari Bahman,SHAHIDI Ghavam. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH LOW-RESISTANCE BOTTOM SOURCE-DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200176611A1. Автор: Reznicek Alexander,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Finfets with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20170250266A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Field-effect transistor (fet) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US20140370681A1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

BACKSIDE SOURCE-DRAIN CONTACT FOR INTEGRATED CIRCUIT TRANSISTOR DEVICES AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20150357477A1. Автор: Zhang John Hongguang,KLEEMEIER Walter. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2015-12-10.

TITANIUM SILICIDE FORMATION IN A NARROW SOURCE-DRAIN CONTACT

Номер патента: US20150380304A1. Автор: NIIMI Hiroaki,Sung Min Gyu,LIM Kwanyong. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Fabricating raised source drain contacts of a CMOS structure

Номер патента: US9917164B1. Автор: Lukas Czornomaz,Veeresh V. Deshpande,Vladimir DJARA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicide formation for source/drain contact in a vertical transport field-effect transistor

Номер патента: US11621199B2. Автор: Huai HUANG,Ruilong Xie,Heng Wu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-04.

Source/drain contact formation methods and devices

Номер патента: US11742240B2. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Source/drain contact formation methods and devices

Номер патента: US20220189825A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Contact structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240038593A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chung-Hao CAI,Chia-Hsien Yao,Yen-Jun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING ASYMMETRIC SOURCE AND DRAIN CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Ghani Tahir,GUHA BISWAJEET,KOBRINSKY Mauro J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH EXTENDED CONTACT STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200266271A1. Автор: PAN Kuo-Hua,Liaw Jhon-Jhy,Chen Tzu-Chiang,CHIANG Hung-Li,CHEN I-Sheng,Yeong Sai-Hooi,CHENG Chao-Ching,Lin Ta-Chun,Huang Shih-Syuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-08-20.

Method of forming source/drain contacts in unmerged FinFETs

Номер патента: US09379025B1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: US20230317788A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: EP4254480A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming gate contact structures and cross-coupled contact structures for transistor devices

Номер патента: US20190123162A1. Автор: Hui Zang,Lei Sun,Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Heimanu Niebojewski,Daniel Chanemougame,Youngtag Woo,Bipul C. Paul,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device including contact structure and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12010839B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device including a contact structure directly adjoining a mesa section and a field electrode

Номер патента: US09847395B2. Автор: Elisabeth Schwarz,David Laforet,Beate Weissnicht. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Body contact structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110284932A1. Автор: Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096982A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Array substrate structure and contact structure

Номер патента: US09425270B2. Автор: Chung-Wen Yen,Yu-Tsung Liu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20160118303A1. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230261070A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Wrap-around contact structures for semiconductor fins

Номер патента: US20220093460A1. Автор: Rishabh Mehandru. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device with field electrode and contact structure

Номер патента: US9799738B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230378305A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US11810960B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US09536836B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor Device Including a Contact Structure Directly Adjoining a Mesa Section and a Field Electrode

Номер патента: US20170005171A1. Автор: Elisabeth Schwarz,David Laforet,Beate Weissnicht. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-05.

MOSFET gate and source/drain contact metallization

Номер патента: US8809174B2. Автор: Chih-Chao Yang,Soon-Cheon Seo,Bruce B. Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Mosfet gate and source/drain contact metallization

Номер патента: US20140027865A1. Автор: Chih-Chao Yang,Soon-Cheon Seo,Bruce B. Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Contact structure of a semiconductor device

Номер патента: US11854875B2. Автор: Joanna Chaw Yane Yin,Hua Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Contact structure of a semiconductor device

Номер патента: US20240096697A1. Автор: Joanna Chaw Yane Yin,Hua Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Mis (metal-insulator-semiconductor) contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20160276275A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Method for forming source/drain contacts utilizing an inhibitor

Номер патента: US20230326983A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US11862623B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun-Li Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20140151694A1. Автор: Yu Gang,Foong Fatt,Shieh Chan- Long. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US20190123036A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun-Li Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

NON-PLANAR FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20190273143A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

FORMING CRYSTALLINE SOURCE/DRAIN CONTACTS ON SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200365585A1. Автор: Murthy Anand S.,JAMBUNATHAN KARTHIK,Bomberger Cory C.,MADDOX SCOTT J.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming source/drain contacts utilizing an inhibitor

Номер патента: US11670691B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Process method for source-drain contact metal, and device and preparation method therefor

Номер патента: WO2022257075A1. Автор: 王晨,张卫,徐敏,吴春蕾,杨静雯,陈鲲,尹睿,徐赛生. Владелец: 上海集成电路制造创新中心有限公司. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US20240096867A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun-Li Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

NON-PLANAR FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20190165118A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20230290683A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

GATE CONTACT STRUCTURES AND CROSS-COUPLED CONTACT STRUCTURES FOR TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200203497A1. Автор: Xie Ruilong,Sun Lei,Liebmann Lars W.,Zang Hui,Woo Youngtag,Paul Bipul C.,Chanemougame Daniel,NIEBOJEWSKI Heimanu,Zhu Xuelian. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor Device with Trench Gate Structure Including a Gate Electrode and a Contact Structure for a Diode Region

Номер патента: US20160260829A1. Автор: Rupp Roland,Siemieniec Ralf,Peters Dethard,AICHINGER Thomas,ESTEVE Romain. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor Device with Trench Gate Structure Including a Gate Electrode and a Contact Structure for a Diode Region

Номер патента: US20180350968A1. Автор: Roland Rupp,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-06.

GATE CONTACT STRUCTURES AND CROSS-COUPLED CONTACT STRUCTURES FOR TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20220416054A1. Автор: Xie Ruilong,Sun Lei,Liebmann Lars W.,Zang Hui,Woo Youngtag,Paul Bipul C.,Chanemougame Daniel,NIEBOJEWSKI Heimanu,Zhu Xuelian. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TRIANGULAR STRUCTURE, INCLUDING A GATE ELECTRODE AND A CONTACT STRUCTURE FOR A DIODE FIELD

Номер патента: DE102015103072A1. Автор: Roland Rupp,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-08.

Low resistance source/drain contacts for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US9978750B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Rajasekhar Venigalla,Dechao Guo,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

METHODS OF FORMING A GATE-TO-SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20190214387A1. Автор: Mulfinger George,McArdle Timothy J.,Xie Ruilong,Holt Judson R.,Merbeth Thomas,Aydin Ömür. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

LOW RESISTANCE SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20180261597A1. Автор: Guo Dechao,Yamashita Tenko,Venigalla Rajasekhar,Liu Zuoguang,Adusumilli Praneet,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

LOW RESISTANCE SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20180261598A1. Автор: Guo Dechao,Yamashita Tenko,Venigalla Rajasekhar,Liu Zuoguang,Adusumilli Praneet,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

METHODS OF FORMING NANOWIRE DEVICES WITH METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR SOURCE/DRAIN CONTACTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150333162A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy C.,WAN Jing,Koh Shao-Ming. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-19.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH FIELD EFFECT TRANSISTOR(S) HAVING LOW-RESISTANCE SOURCE/DRAIN CONTACT(S)

Номер патента: US20160380065A1. Автор: Nowak Edward J.,Johnson Jeffrey B.,ANDERSON Brent A.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-12-29.

HEMT with epitaxial narrow bandgap source/drain contacts isolated from wide bandgap layer

Номер патента: US4714948A. Автор: Takashi Mimura,Satoshi Hiyamizu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-12-22.

Deep nwell contact structures

Номер патента: US11929399B2. Автор: Mahbub Rashed,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Deep nwell contact structures

Номер патента: US20230282707A1. Автор: Mahbub Rashed,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

TRENCH CONTACT STRUCTURES FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FABRICATION

Номер патента: US20190165136A1. Автор: HATTENDORF Michael L.,JOSHI Subhash M.,LEIB Jeffrey S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor contact structures

Номер патента: US20210336041A1. Автор: Victor SIZOV. Владелец: X Fab Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor contact structures

Номер патента: US11923445B2. Автор: Victor SIZOV. Владелец: X Fab Dresdent & Co Kg GmbH. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor contact structures

Номер патента: GB2594308A. Автор: SIZOV Victor. Владелец: X Fab Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-10-27.

Self-aligned small contact structure

Номер патента: US20240266217A1. Автор: Haining Yang,Hyunwoo Park,Junjing Bao,Ming-Huei Lin,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Self-aligned small contact structure

Номер патента: WO2024167602A1. Автор: Haining Yang,Hyunwoo Park,Junjing Bao,Ming-Huei Lin,Kwanyong LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-15.

Dual metal-insulator-semiconductor contact structure and formulation method

Номер патента: US09735111B2. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Dual metal-insulator-semiconductor contact structure and formulation method

Номер патента: US20170287837A1. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Dual metal-insulator-semiconductor contact structure and formulation method

Номер патента: US20180331040A1. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Dual metal-insulator-semiconductor contact structure and formulation method

Номер патента: US20200066638A1. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Dual metal-insulator-semiconductor contact structure and formulation method

Номер патента: US20170084537A1. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Dual metal-insulator-semiconductor contact structure and formulation method

Номер патента: US10056334B2. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Extended source/drain contact for shifted drain voltage for a backside power distribution network

Номер патента: US20240213337A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming thickened source/drain contact regions for field effect transistors

Номер патента: US5250454A. Автор: Witold P. Maszara. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-10-05.

Method of fabricating a contact structure for an MOS transistor entirely on isolation oxide

Номер патента: US5866459A. Автор: Abdalla Aly Naem,Mohsen Shenasa. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

METHOD OF FORMING A GATE CONTACT STRUCTURE AND SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170373161A1. Автор: Schroeder Uwe Paul. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

METHOD OF MAKING SOURCE/DRAIN CONTACTS BY SPUTTERING A DOPED TARGET

Номер патента: US20150118833A1. Автор: LEI JIANXIN,RAMALINGAM Jothilingam,NI CHI-NUNG. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20190131411A1. Автор: Chew Soon Aik,Demuynck Steven. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Forming Highly Conductive Source/Drain Contacts in III-Nitride Transistors

Номер патента: US20160276461A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

FABRICATING RAISED SOURCE DRAIN CONTACTS OF A CMOS STRUCTURE

Номер патента: US20180294338A1. Автор: Czornomaz Lukas,Deshpande Veeresh V.,DJARA Vladimir. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US20190287850A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

SPACER TO PREVENT SOURCE-DRAIN CONTACT ENCROACHMENT

Номер патента: US20150318204A1. Автор: HU Yue,PENG Wen-Pin,Lee Yong M.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-05.

FIELD EFFECT DEVICE WITH REDUCED CAPACITANCE AND RESISTANCE IN SOURCE/DRAIN CONTACTS AT REDUCED GATE PITCH

Номер патента: US20190311949A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Liu Chi-chun. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Thin film transistor stucture with improved source/drain contacts

Номер патента: EP0504390B1. Автор: Richard Joseph Saia,Robert Forrest Kwasnick,George Edward Possin,David Eugene Thomson Lcd Holden. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-01-10.

The method for being used to form source/drain contact

Номер патента: CN109755120A. Автор: 周顺益,S·德姆恩克. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-05-14.

Method for Forming Source/Drain Contacts Utilizing an Inhibitor

Номер патента: US20220052167A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Chuang Cheng-Chi,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

High aspect ratio contact structure with multiple metal stacks

Номер патента: US20230317802A1. Автор: Shogo Mochizuki,Albert M. Young,Junli Wang,Su Chen Fan,Terence Hook,Indira Seshadri,Brent A Anderson,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Process method for fabricating a three-dimensional source contact structure

Номер патента: US20240097018A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Schottky contact structure for semiconductor devices and method for forming such schottky contact structure

Номер патента: CA3053962C. Автор: Kamal Tabatabaie-Alavi,Christopher J. MacDonald,Kezia Cheng. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-08-01.

Epitaxially grown stacked contact structure of semiconductor device

Номер патента: US09559186B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Yan-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Novel contact structure

Номер патента: US20190131134A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chih-Wei Hsieh,Chin-Szu Lee,Cheng-Yi Wu,Hong-Ying LIN,Alan Tu,Li-Hsuan CHU,Ethan Hsiao,Hui-Lin Sung,Sz-Yuan Hung,C.W. Chiu,Sean Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Contact structure

Номер патента: US20210335616A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chih-Wei Hsieh,Chin-Szu Lee,Cheng-Yi Wu,Hong-Ying LIN,Alan Tu,Li-Hsuan CHU,Ethan Hsiao,Hui-Lin Sung,Sz-Yuan Hung,Sheng-Yung LO,C.W. Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Novel contact structure

Номер патента: US20200043739A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chih-Wei Hsieh,Chin-Szu Lee,Cheng-Yi Wu,Hong-Ying LIN,Alan Tu,Li-Hsuan CHU,Ethan Hsiao,Hui-Lin Sung,Sz-Yuan Hung,Sheng-Yung LO,C.W. Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Self-aligned contact structure for replacement metal gate

Номер патента: US20140377927A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Schottky contact structure for semiconductor devices and method for forming such Schottky contact structure

Номер патента: AU2018230678A1. Автор: Kamal Tabatabaie-Alavi,Christopher J. MacDonald,Kezia Cheng. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-08-29.

Parasitic capacitance reducing contact structure in a finFET

Номер патента: US10388769B2. Автор: Hui Zang,Miaomiao Wang,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Schottky contact structure for semiconductor devices and method for forming such schottky contact structure

Номер патента: MY202187A. Автор: Kamal Tabatabaie-Alavi,Kezia Cheng,Christopher J Macdonald. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-04-15.

Parasitic capacitance reducing contact structure in a finfet

Номер патента: US20180083124A1. Автор: Hui Zang,Miaomiao Wang,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Parasitic capacitance reducing contact structure in a finfet

Номер патента: US20180076303A1. Автор: Hui Zang,Miaomiao Wang,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Parasitic capacitance reducing contact structure in a finfet

Номер патента: US20180076304A1. Автор: Hui Zang,Miaomiao Wang,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Contact structures and methods of forming the same

Номер патента: US20160005824A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor chip contact structure, device assembly, and method of fabrication

Номер патента: US20210090972A1. Автор: Stefan Steinhoff. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of forming a gate contact structure for a semiconductor device

Номер патента: US09853110B2. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Wide contact structure for small footprint radio frequency (rf) switch

Номер патента: US20190259880A1. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2019-08-22.

Contact structures for reducing electrical shorts and methods of forming the same

Номер патента: US20210375753A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170117371A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170243824A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170243825A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Method for Forming Source/Drain Contacts Utilizing an Inhibitor

Номер патента: US20210273062A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SOURCE/DRAIN CONTACT HAVING HEIGHT BELOW GATE STACK

Номер патента: US20210082903A1. Автор: Lai Chih-Ming,Liu Ru-Gun,CHEN Chun-Kuang,PENG SHIH-WEI,TZENG JIANN-TYNG,Young Charles Chew-Yuen,Sio Kam-Tou,CHEN Chih-Liang,CHEN SHUN-LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-03-18.

Source/Drain Contact Having a Protruding Segment

Номер патента: US20210098468A1. Автор: Wang Ping-Wei,Yang Fu-Kai,CHEN Jui-Lin,Chang Chao-Yuan,Fang Ting,Wu I-Wen,Lin Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Source/Drain Contact Having a Protruding Segment

Номер патента: US20220181332A1. Автор: Wang Ping-Wei,Yang Fu-Kai,CHEN Jui-Lin,Chang Chao-Yuan,Fang Ting,Wu I-Wen,Lin Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240304722A1. Автор: Roger W. Lindsay,Darwin A. Clampitt,Martin J. BARCLAY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming contact structure of gate structure

Номер патента: US09536754B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated electronic device with an improved conductive contact structure and related manufacturing process

Номер патента: EP4439674A1. Автор: Magali Gregoire,Simone Dario Mariani,Davide FAGIANI,Theo CABARET. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of forming contact structure of gate structure

Номер патента: US20150380270A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Contact structures

Номер патента: US20190279910A1. Автор: Stan Tsai,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device including self-aligned backside contact structure formed based on contact isolation layer

Номер патента: US20240282670A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including self-aligned backside contact structure formed based on contact isolation layer

Номер патента: EP4421859A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Contact structure and extension formation for III-V nFET

Номер патента: US09917177B2. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Contact structure and extension formation for III-V nFET

Номер патента: US09799754B2. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Contact structure and extension formation for III-V nFET

Номер патента: US09524882B2. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Contact structure and extension formation for III-V nFET

Номер патента: US09520394B1. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130270648A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: Renesas Eletronics Corporation. Дата публикации: 2013-10-17.

BACKSIDE SOURCE-DRAIN CONTACT FOR INTEGRATED CIRCUIT TRANSISTOR DEVICES AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20160056249A1. Автор: Zhang John Hongguang,KLEEMEIER Walter. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor structure with extended contact structure

Номер патента: US11923413B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Sai-Hooi Yeong,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Ta-Chun Lin,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor structure with extended contact structure

Номер патента: US20220157938A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Sai-Hooi Yeong,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Ta-Chun Lin,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Gap spacer for backside contact structure

Номер патента: US12046644B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure with extended contact structure

Номер патента: US20240170537A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Sai-Hooi Yeong,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Ta-Chun Lin,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Contact structure and extension formation for iii-v nfet

Номер патента: US20170062215A1. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Contact structure and extension formation for iii-v nfet

Номер патента: US20170062592A1. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Contact structure and extension formation for iii-v nfet

Номер патента: US20180166561A1. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Contact structure and extension formation for iii-v nfet

Номер патента: US20160343585A1. Автор: Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Contact structure for power delivery on semiconductor device

Номер патента: US20240204067A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Improved contact structure for power delivery on semiconductor device

Номер патента: WO2024125247A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-20.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20180286958A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20180294339A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Cross-coupling-based design using diffusion contact structures

Номер патента: US20140131816A1. Автор: Yan Wang,Jongwook Kye,Mahbub Rashed,Yuansheng Ma. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Ohmic contact structure for group III nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US09548206B2. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Contact structures for compound semiconductor devices

Номер патента: US09666705B2. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen,Gianmauro Pozzovivo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Cross-coupling-based design using diffusion contact structures

Номер патента: US20130292773A1. Автор: Yan Wang,Mahbub Rashed,Yuansheng Ma,Jongwook EYE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Wrap around cross-couple contact structure with enhanced gate contact size

Номер патента: US20230018698A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Wrap around cross-couple contact structure with enhanced gate contact size

Номер патента: US11784125B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Ohmic contact structure for group iii nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US20170077254A1. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

III-V LAYERS FOR N-TYPE AND P-TYPE MOS SOURCE-DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20130285155A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Contact structure for semiconductor device

Номер патента: US20240274687A1. Автор: Sung-Li Wang,Chien Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Kan-Ju LIN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of forming self-aligned contact structures by work function material layer recessing and the resulting devices

Номер патента: US09824920B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US09960240B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Field-effect transistor with uniform source/drain regions on self-aligned direct backside contact structures of backside power distribution network (bspdn)

Номер патента: US20240105615A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Field-effect transistor with uniform source/drain regions on self-aligned direct backside contact structures of backside power distribution network (bspdn)

Номер патента: EP4345905A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Contact structure for semiconductor device

Номер патента: US12002867B2. Автор: Sung-Li Wang,Chien Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Kan-Ju LIN,Tzu Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Self-aligned contact structures

Номер патента: US11916133B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Self-aligned contact structures

Номер патента: US20240021707A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

TRENCH CONTACT STRUCTURES FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FABRICATION

Номер патента: US20200027965A1. Автор: HATTENDORF Michael L.,JOSHI Subhash M.,LEIB Jeffrey S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACT STRUCTURES TO SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE RESULTING STRUCTURES

Номер патента: US20190109045A1. Автор: Xie Ruilong,Park Chanro,Liebmann Lars W.,Chanemougame Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US20170117224A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US20170117226A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

TRENCH CONTACT STRUCTURES FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FABRICATION

Номер патента: US20210249524A1. Автор: HATTENDORF Michael L.,JOSHI Subhash M.,LEIB Jeffrey S.. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US10032721B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Low resistance contact structures for trench structures

Номер патента: US10355094B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate electrode(s) and contact structure(s), and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20140183745A1. Автор: Huang Liu,Jialin YU,Jilin XIA. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device having contact structures

Номер патента: US09431324B2. Автор: Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for effective fabrication of a field effect transistor with elevated drain and source contact structures

Номер патента: US6087235A. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Semiconductor transistor device structure with back side source/drain contact plugs, and related manufacturing method

Номер патента: US20110169083A1. Автор: Bin Yang,Rohit Pal,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Methods of Forming Source/Drain Contacts in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20200058744A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Wang Sheng-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Methods of Forming Source/Drain Contacts in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20210074819A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Wang Sheng-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

FIELD EFFECT DEVICE WITH REDUCED CAPACITANCE AND RESISTANCE IN SOURCE/DRAIN CONTACTS AT REDUCED GATE PITCH

Номер патента: US20180308750A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Liu Chi-chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

FABRICATING RAISED SOURCE DRAIN CONTACTS OF A CMOS STRUCTURE

Номер патента: US20180350925A1. Автор: Czornomaz Lukas,Deshpande Veeresh V.,DJARA Vladimir. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

TITANIUM SILICIDE FORMATION IN A NARROW SOURCE-DRAIN CONTACT

Номер патента: US20170372949A1. Автор: NIIMI Hiroaki,Sung Min Gyu,LIM Kwanyong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-12-28.

BURIED SOURCE-DRAIN CONTACT FOR INTEGRATED CIRCUIT TRANSISTOR DEVICES AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20160284599A1. Автор: Liu Qing,Taylor William J.,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09502286B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Field effect transistors with dual silicide contact structures

Номер патента: US20240088261A1. Автор: Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Yasutoshi Okuno,Peng-Wei Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Field effect transistors with dual silicide contact structures

Номер патента: US11855177B2. Автор: Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Yasutoshi Okuno,Peng-Wei Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Two-dimensional semiconductor-metal ohmic-contact structure, preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US20220416051A1. Автор: Yi Shi,Weisheng Li,Xinran Wang,Zhihao Yu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-29.

MIS contact structure with metal oxide conductor

Номер патента: US11843040B2. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2023-12-12.

Mis contact structure with metal oxide conductor

Номер патента: US20240072150A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Mis contact structure with metal oxide conductor

Номер патента: US20230317814A9. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND GATE CONTACTS POSITIONED OVER ACTIVE TRANSISTORS

Номер патента: US20220051942A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND GATE CONTACTS POSITIONED OVER ACTIVE TRANSISTORS

Номер патента: US20200144118A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130307082A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

DEVICES FORMED BY PERFORMING A COMMON ETCH PATTERNING PROCESS TO FORM GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT OPENINGS

Номер патента: US20160190263A1. Автор: Taylor William J.,Xie Ruilong,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

FINFETS WITH LOW SOURCE/DRAIN CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20150279840A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

Doped through-contact structures

Номер патента: US20210119002A1. Автор: ASHISH Pal,El Mehdi Bazizi,Sushant Mittal,Angada Sachid. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

FinFET contact structure and method for forming the same

Номер патента: US09917088B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Che-Yuan Hsu,Yen-Po Lin,Yu-Shan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

FinFET contact structure and method for forming the same

Номер патента: US09508718B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Che-Yuan Hsu,Yen-Po Lin,Yu-Shan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Self aligned contact structure

Номер патента: US10074562B2. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Russell H. Arndt,Rosa A. Orozco-Teran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Self aligned contact structure

Номер патента: US20160336266A1. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Rosa A. Orozco-Teran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Self-aligned contact structure

Номер патента: US9548244B2. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Rosa A. Orozco-Teran,Russell H Arndt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Self-aligned contact structure

Номер патента: US20150200137A1. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Russell H. Arndt,Rosa A. Orozco-Teran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Self-aligned contact structure

Номер патента: US09548244B2. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Rosa A. Orozco-Teran,Russell H Arndt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Self-aligned contact structure

Номер патента: US20150371948A1. Автор: David L. Rath,Ravikumar Ramachandran,John A. Fitzsimmons,Russell H. Arndt,Rosa A. Orozco-Teran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Middle-of-line borderless contact structure and method of forming

Номер патента: US20140077276A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Middle-of-line borderless contact structure and method of forming

Номер патента: US20150035026A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Doped through-contact structures

Номер патента: WO2021076613A1. Автор: ASHISH Pal,El Mehdi Bazizi,Sushant Mittal,Angada Sachid. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-04-22.

Inverse t-shaped contact structures having air gap spacers

Номер патента: US20190334011A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Back side contact structure for a semiconductor device and corresponding manufacturing process

Номер патента: US11894432B2. Автор: Crocifisso Marco Antonio Renna,Antonio LANDI,Brunella CAFRA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-06.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE STRUCTURE WITH DEEP CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20200058747A1. Автор: Lin Da-Wen,WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Fang Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor devices including a contact structure that contacts a dummy channel structure

Номер патента: US20200185400A1. Автор: Kwang Soo Kim,Joo Won Park,Kyeong Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor Device with Cell Trench Structures and a Contact Structure

Номер патента: US20160300945A1. Автор: Laven Johannes Georg,Cotorogea Maria. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Cross-coupling based design using diffusion contact structures

Номер патента: US20140027918A1. Автор: Xiang Qi,Suresh Venkatesan,Chinh Nguyen,Juhan Kim,David Doman,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor component comprising at least one contact structure for feeding in and/or leading away charge carriers

Номер патента: US09577056B2. Автор: Richard Reiner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-02-21.

Ohmic contact structure and manufacturing method therefor, and application thereof

Номер патента: US20240258395A1. Автор: Wangping WANG,Jieli TAN,Jiangshi XU. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Electronic Device Including a Contact Structure Contacting a Layer

Номер патента: US20200144194A1. Автор: Aurore Constant,Peter Coppens,Joris Baele. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-05-07.

Electronic device including a contact structure contacting a layer and a process of forming the same

Номер патента: EP3651196A1. Автор: Aurore Constant,Peter Coppens,Joris Baele. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-05-13.

Contact structures for three-dimensional memory

Номер патента: EP3928351A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-29.

Contact structures for three-dimensional memory

Номер патента: US20210287991A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Contact structures for three-dimensional memory

Номер патента: US11862565B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Contact structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240014070A1. Автор: Dandan He,Chuang SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Epitaxial Layers In Source/Drain Contacts And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220359310A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Epitaxial Layers in Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200006159A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Recessed Contact Structures and Methods

Номер патента: US20220231138A1. Автор: Andrew Metz,Sophie Thibaut,Caitlin Philippi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Vertical field-effect transistor with wrap-around contact structure

Номер патента: US12119346B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Contact structures with deposited silicide layers

Номер патента: US12027372B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Self-aligned backside source contact structure

Номер патента: US20240243178A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of making an electrode contact structure and structure therefor

Номер патента: US20130299996A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-14.

Contact structure, method, layout, and system

Номер патента: US11935825B2. Автор: Chih-Ming Lai,Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Lipen YUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Self-aligned backside source contact structure

Номер патента: US11948987B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Contact structures with deposited silicide layers

Номер патента: US20200098572A1. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Contact structures with deposited silicide layers

Номер патента: US20230154758A1. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Contact structures with deposited silicide layers

Номер патента: US20210280427A1. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Methods of forming gate contact structures and cross-coupled contact structures for transistor devices

Номер патента: US20190123162A1. Автор: Hui Zang,Lei Sun,Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Heimanu Niebojewski,Daniel Chanemougame,Youngtag Woo,Bipul C. Paul,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Integrated circuit structures having differentiated neighboring partitioned source or drain contact structures

Номер патента: EP3640977A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Stephanie Bojarski,Myra Mcdonnell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-22.

Epitaxial Layers in Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200006159A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20190157269A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Koh Shao-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Epitaxial Layers In Source/Drain Contacts And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220359310A1. Автор: Tsai Pang-Yen,Shih Ding-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Self-aligned doping of source-drain contacts

Номер патента: GB0224871D0. Автор: . Владелец: Plastic Logic Ltd. Дата публикации: 2002-12-04.

Low resistance molybdenum deposition for logic source/drain contacts

Номер патента: WO2023164413A1. Автор: Chiukin Steven Lai,Jeong-Seok Na,Yao-Tsung Hsieh,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US11791273B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory devices including contact structures and related electronic systems

Номер патента: US20240038673A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Disposable carbon-based template layer for formation of borderless contact structures

Номер патента: US20140048884A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Sebastian U. Engelmann,Gregory Breyta,Adam M. Pyzyna,David P. Klaus. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Integrated Circuit Comprising Conductive Lines and Contact Structures and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20090184429A1. Автор: Rainer Florian Schnabel,Helmut Schneider,Andreas Thies,Sirko Kramp. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for forming contact structure

Номер патента: US20210210382A1. Автор: Noriaki Ikeda,Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for manufacturing a contact structure used to electrically connect a semiconductor device

Номер патента: US20160104637A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Electric contact structure for three-dimensional chip package module

Номер патента: US20230326843A1. Автор: Chun-hsia Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-12.

Contact structure having a diffusion barrier

Номер патента: US20020000660A1. Автор: Sujit Sharan,Varatharajan Nagabushnam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Damascene contact structure for integrated circuits

Номер патента: SG141390A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Ye Jian Hui. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-04-28.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240079322A1. Автор: Darwin A. Clampitt,David NEUMEYER,Shruthi Kumara Vadivel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Electric contact structure having a diffusion barrier for an electronic device and method for manufacturing the electric contact structure

Номер патента: US20160181203A1. Автор: Federica Ronchi,Andrea Paleari,Sonia Pirotta,Lorenzo Gola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of manufacturing semiconductor structure having contact structure

Номер патента: US20230337411A1. Автор: Yi-yi Chen,Chih-Ying Tsai,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device with composite contact structure

Номер патента: US20230402388A1. Автор: Po-Hung Chen,Yu-Chang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Contact structure and method of forming the same

Номер патента: US12021030B2. Автор: Wei Xu,Qingqing WANG,Huichao LIU,Jinxing Chen,Guanglong FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Carbon based contact structure for silicon carbide device technical field

Номер патента: US09917170B2. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of forming MIS contact structures on transistor devices in CMOS applications

Номер патента: US09613855B1. Автор: Suraj K. Patil,Zhiguo Sun,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming contact structure, method of fabricating semiconductor device, contact structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230231027A1. Автор: Jae Woo Lee,Hyun Seok Lee,Ka-Hyun KIM,Joon-Ho OH. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of CBNU. Дата публикации: 2023-07-20.

Contact structure and semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20190267284A1. Автор: Jian-Ming Huang,Ying Lee,Hsien-Ming Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20210143100A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Contact Structure of Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20070141837A1. Автор: In Cheol Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20230402389A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Low resistance contact structure of the highly integrated semiconductor device and its formation method

Номер патента: KR940022708A. Автор: 이상인. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-10-21.

Conductive contact structure and process

Номер патента: US20040018754A1. Автор: Shih-Hsien Yang,Bor-Ru Sheu,Yueh-cheng Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Method of fabricating contact structure

Номер патента: US20230360969A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Kai-Chieh Yang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Wei-Jung Lin,Ya-Yi CHENG,Yu-Chen Ko,Shih-Wei Yeh,Min-Hsiu HUNG,Chang-Ting Chung,Yu-Ting Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Carbon Based Contact Structure for Silicon Carbide Device Technical Field

Номер патента: US20170309720A1. Автор: Markus Kahn,Romain Esteve,Ravi Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Capacitor with contact structures for capacitance density boost

Номер патента: US20230299126A1. Автор: Yi-Chen Chen,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Contact structure

Номер патента: US09960285B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Po-ken Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Contact structure for semiconductor devices and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20020050627A1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor structure having contact structure

Номер патента: US20230335490A1. Автор: Yi-yi Chen,Chih-Ying Tsai,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Contact structure and method of forming the same

Номер патента: US20240055353A1. Автор: Wei Xu,ZHEN Guo,BIN Yuan,Zongliang Huo,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of forming microelectronic devices including support contact structures, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230395525A1. Автор: Yiping Wang,Sandra L. Tagg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing semiconductor structure having contact structure

Номер патента: US11903179B2. Автор: Yi-yi Chen,Chih-Ying Tsai,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

String contact structure for high voltage ESD

Номер патента: US20080093672A1. Автор: Huang Yung-Sheng,Shui-Hung Chen,Jian-Hsing Lee,D. J. Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor die contact structure and method

Номер патента: US12074127B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor die contact structure and method

Номер патента: US09536811B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210159244A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Contact structure and method of forming the same

Номер патента: EP4288996A1. Автор: Yihuan WANG,Lina Miao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210159238A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Contact structure and display device including the same

Номер патента: US11901371B2. Автор: Jongsik Shim,Seonghwan HWANG,Byeonguk GANG,Younsub KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device including contact structures having multi-layer dielectric liner

Номер патента: US20230387023A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Contact structure

Номер патента: US20140110823A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Po-ken Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for forming contact structure, semiconductor structure and memory

Номер патента: US20230187269A1. Автор: Junsheng ZANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US11785776B2. Автор: Zhenyu Lu,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan,Baoyou Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device with contact structure

Номер патента: US20230387021A1. Автор: Chih-Hsuan Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: EP4383982A2. Автор: Zhenyu Lu,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: KR20230117633A. Автор: 젠유 루,웬구앙 시,구안핑 우,샨진 완,바오유 첸. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2023-08-08.

Storage node contact structure of a memory device

Номер патента: US11877433B2. Автор: Yi-Wei Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Hsin-Fu Huang,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang,Chung-Yen Feng. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device including contact structures commonly connected to one or more conductive lines

Номер патента: US20230411244A1. Автор: Jae Wan HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor contact structure and method of forming the same

Номер патента: US20040245650A1. Автор: Seung-Whan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor contact structure having wide lower portion embedded in conductive material

Номер патента: US6812577B2. Автор: Seung-Whan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-02.

Conductive line contact regions having multiple multi-direction conductive lines and staircase conductive line contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US11903183B2. Автор: Mark Zaleski,Si-Woo Lee,Sheng Wei Yang,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Conductive line contact regions having multiple multi-direction conductive lines and staircase conductive line contact structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2022072043A1. Автор: Mark Zaleski,Si-Woo Lee,Sheng Wei Yang,Byung Yoon KIM. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Conductive line contact regions having multiple multi-direction conductive lines and staircase conductive line contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240147693A1. Автор: Mark Zaleski,Si-Woo Lee,Sheng Wei Yang,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20180254327A1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Contact structure with air spacer for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220328622A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chien-yuan Chen,Chen-Ming Lee,Chung-Hao CAI,Yen-Jun Huang,Chun-Po CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

ARRAY SUBSTRATE STRUCTURE AND CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20160049479A1. Автор: Yen Chung-Wen,LIU Yu-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH CONTACT STRUCTURES AND A GATE STRUCTURE POSITIONED IN TRENCHES FORMED IN A LAYER OF MATERIAL

Номер патента: US20150279935A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,Kim Ryan Ryoung-Han. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-01.

SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR FORMING SUCH SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20180323274A1. Автор: Cheng Kezia,MacDonald Christopher J.,Tabatabaie-Alavi Kamal. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-11-08.

Schottky contact structure for semiconductor device and method of forming such a Schottky contact structure

Номер патента: KR102250943B1. Автор: 케지아 쳉,카말 타바타베이-알라비,크리스토퍼 제이. 마크도날드. Владелец: 레이던 컴퍼니. Дата публикации: 2021-05-11.

Contact structure having silicide layers, semiconductor device employing the same, and methods of fabricating the contact structure and semiconductor device

Номер патента: US20070059931A1. Автор: Je-min Park,Byung-Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-15.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20240282673A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming storage node contact structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220208772A1. Автор: Zhen Zhou,Weiping BAI,Erxuan PING,Lingguo ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Chip package and method of forming a chip package with a metal contact structure and protective layer, and method of forming an electrical contact

Номер патента: US20200013749A1. Автор: Michael Bauer,Joachim Mahler,Francisco Javier Santos Rodriguez,Jochen Dangelmaier,Frank Hille,Heinrich Koerner,Reimund Engl,Johann Gatterbauer,Antonio Vellei,Werner Kanert,Brigitte Ruehle,Michael Huettinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-09.

Contact structure a semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6787857B2. Автор: Hong Ki Kim,Duck Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-07.

Method for manufacturing contact structure capable of avoiding short-circuit

Номер патента: US5840621A. Автор: Naoki Kasai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Contact structure and method of forming the same

Номер патента: US20080096378A1. Автор: Sang-Sup Jeong,Bum-soo Kim,Kuk-Han Yoon,Jong-Kyu Kim,Sung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Capacitor and contact structures, and formation processes thereof

Номер патента: US09679959B2. Автор: Ki Young Lee,Jae Ho Joung,Sanggil Bae. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of vertical contact structures making on semiconductor plates or printed circuit boards

Номер патента: RU2600514C1. Автор: Иван Николаевич Петухов,Владимир Михайлович Рощин,Кирилл Сергеевич Сеньченко,Анна Владимировна Рощина. Владелец: Открытое акционерное общество "Институт точной технологии и проектирования". Дата публикации: 2016-10-20.

I-shaped and L-shaped contact structures and their fabrication methods

Номер патента: US20070032012A1. Автор: Ming Lee,Ruichen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Methods for fabricating integrated circuits using designs of integrated circuits adapted to directed self-assembly fabrication to form via and contact structures

Номер патента: US09305834B1. Автор: Ji xU,Azat Latypov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Contact structure, method of manufacturing contact structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230262963A1. Автор: Haiyan Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for forming storage node contact structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220208773A1. Автор: Zhen Zhou,Weiping BAI,Erxuan PING,Lingguo ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Contact structure of semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US8043960B2. Автор: Jung-Hwan Oh,Hong-seong Son,Byung-lyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Method for manufacturing contact structures for dram semiconductor memories

Номер патента: US20060270143A1. Автор: Audrey Dupont,Matthias Goldbach,Clemens Fritz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-30.

Carbon Nanotube Contact Structures For Use With Semiconductor Dies And Other Electronic Devices

Номер патента: US20130140057A1. Автор: John K. Gritters,Onnik Yaglioglu,Rodney I. Martens. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Carbon nanotube contact structures for use with semiconductor dies and other electronic devices

Номер патента: WO2010115171A3. Автор: John K. Gritters,Onnik Yaglioglu,Rodney I. Martens. Владелец: FORMFACTOR, INC.. Дата публикации: 2011-01-13.

Contact Structure of Semiconductor Devices and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20070122969A1. Автор: Jung-Hwan Oh,Hong-seong Son,Byung-lyul Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Three-dimensional memory device with aluminum-containing etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof

Номер патента: US09728547B1. Автор: Takeshi Kawamura,Hiroshi Kariya,Takuro Maede,Shingo OHSAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of forming a contact structure

Номер патента: US7371604B2. Автор: Ming Hsiu Lee,Ruichen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Method for forming storage node contact structure and semiconductor structure

Номер патента: US11871562B2. Автор: Zhen Zhou,Weiping BAI,Erxuan PING,Lingguo ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for fabricating semiconductor device with composite contact structure

Номер патента: US20230399738A1. Автор: Po-Hung Chen,Yu-Chang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Light-emitting diode with three-dimensional contact structure, display screen and associated manufacturing method

Номер патента: US20220140219A1. Автор: Badhise BEN BAKIR,Dominique Noguet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-05.

Reduced area butting contact structure

Номер патента: US4912540A. Автор: Craig S. Sander,Richard K. Klein,Tat C. Choi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1990-03-27.

High aspect ratio contact structure with reduced silicon consumption

Номер патента: US6908849B2. Автор: Sujit Sharan,Ammar Derraa,Paul Castrovillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-21.

Contact structure for securing a semiconductor substrate to a mounting body

Номер патента: CA1189984A. Автор: Hirotsugu Hattori,Masahiro Kuwagata. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-07-02.

Contact Structure of Gate Structure

Номер патента: US20170103918A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: RAKA Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Electronic device contact structures

Номер патента: WO2007061826A3. Автор: Alexei A Erchak,John W Graff,Elefterios Lidorikis,Milan Singh Minsky,Scott W Duncan. Владелец: Luminus Device Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Fine pitch microfabricated spring contact structure and method

Номер патента: WO2007115053B1. Автор: Thomas Edward Dinan,Douglas N Modlin,Fu Chiung Chong,Erh-Kong Chieh,Roman Milter,Pierre H Giauque,David Thanh Doan,W R Bottoms,Elaine Mcgee. Владелец: NanoNexus Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Fine pitch microfabricated spring contact structure and method

Номер патента: WO2007115053A3. Автор: Thomas Edward Dinan,Douglas N Modlin,Fu Chiung Chong,Erh-Kong Chieh,Roman Milter,Pierre H Giauque,David Thanh Doan,W R Bottoms,Elaine Mcgee. Владелец: NanoNexus Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

Passivation contact structure and manufacturing method therefor and solar cell using same

Номер патента: US20240313132A1. Автор: Yifeng Chen,Yiqi CHEN,Jifan Gao,Peter Altermatt PIETRO. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional memory device having integrated support and contact structures and method of making thereof

Номер патента: US09853038B1. Автор: Zhixin Cui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Solar cell contact structures formed from metal paste

Номер патента: US09525082B2. Автор: Michael Cudzinovic,Richard Hamilton SEWELL. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Power semiconductor contact structure and method for the production thereof

Номер патента: WO2016071079A1. Автор: Martin Becker,Ronald Eisele,Frank Osterwald,Jacek Rudzki. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Hole-selective contact structure for solar cell

Номер патента: US20240206198A1. Автор: Maria-Delfina Munoz,Gerard MASMITJA RUSIÑOL. Владелец: Universitat Politecnica de Catalunya UPC. Дата публикации: 2024-06-20.

Contact structure and electronic device having the same

Номер патента: US20220238749A1. Автор: Chia Jui Lin,Chih-Min Chen,Yi-Min Jiang,Chao-Hui Kuo,Wei-Chuan Chao,Xi-Zhao Wang,Li-Wei Mu,Shan-Yu WU. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Contact structure and electronic device having the same

Номер патента: US20220308727A1. Автор: Yi-Min Jiang,Chao-Hui Kuo,Chun-Wei Liu,Hong-Yan Lian,Xi-Zhao Wang,Li-Wei Mu,Shan-Yu WU,Can-Liang Zhao. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Partial tunneling oxide layer passivation contact structure of photovoltaic cell and photovoltaic module

Номер патента: AU2019475453A1. Автор: Hao Jin,Jie Yang,Xinyu Zhang,Zhao Wang,Peiting ZHENG,Menglei Xu,Haijie SUN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Partial tunneling oxide layer passivation contact structure of photovoltaic cell and photovoltaic module

Номер патента: AU2023219984A1. Автор: Hao Jin,Jie Yang,Xinyu Zhang,Zhao Wang,Peiting ZHENG,Menglei Xu,Haijie SUN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Partial tunneling oxide layer passivation contact structure of photovoltaic cell and photovoltaic module

Номер патента: AU2019475453B2. Автор: Hao Jin,Jie Yang,Xinyu Zhang,Zhao Wang,Peiting ZHENG,Menglei Xu,Haijie SUN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Partial tunneling oxide layer passivation contact structure of photovoltaic cell and photovoltaic module

Номер патента: EP4064367A1. Автор: Hao Jin,Jie Yang,Xinyu Zhang,Zhao Wang,Peiting ZHENG,Menglei Xu,Haijie SUN. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-28.

Passivated contact structure and preparation method thereof, and solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US20240347647A1. Автор: WEI Liu,HONG Chen,Dongyun LV,Zigang Wang,Daming Chen,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Electrical contact structure for a semiconductor component, and semiconductor component

Номер патента: US09917229B2. Автор: Karl Engl,Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger,Bjoern MUERMANN. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-13.

Component with Geometrically Adapted Contact Structure and Method for Producing the Same

Номер патента: US20190245114A1. Автор: Alexander F. Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-08-08.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20200194447A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Contact structures in light-emitting diode chips for reduced voiding of bonding metals

Номер патента: US20230395754A1. Автор: Jesse Reiherzer,Kevin Haberern,Colin Blakely,Michael Check,Steven Wuester,Justin White,Nikolas Hall. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Contact structures in light-emitting diode chips

Номер патента: WO2023235366A1. Автор: Jesse Reiherzer,Kevin Haberern,Colin Blakely,Michael Check,Steven Wuester,Justin White,Nikolas Hall. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2023-12-07.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20210265375A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20230086425A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Electronic device contact structures

Номер патента: EP1952443A2. Автор: Alexei A. Erchak,John W. Graff,Scott W. Duncan,Elefterios Lidorikis,Milan Singh Minsky. Владелец: Luminus Devices Inc. Дата публикации: 2008-08-06.

Passivating contact structure and preparation method thereof, solar cell and preparation method thereof

Номер патента: EP4287270A2. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Xiaopeng Wu,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Passivating contact structure and preparation method thereof, solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US20240055539A1. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Xiaopeng Wu,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Passivating contact structure and preparation method thereof, solar cell and preparation method thereof

Номер патента: EP4287270A3. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Xiaopeng Wu,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Passivating contact structure and preparation method thereof, solar cell and preparation method thereof

Номер патента: AU2023222900B1. Автор: HONG Chen,Shuai ZHANG,Xiaopeng Wu,Chengfa Liu,Yugang Lu,Yaqian Zhang. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Multi-layer contact structure, photovoltaic cell and method of fabrication of multi-layer contact structure

Номер патента: WO2023172207A2. Автор: Nitin NAMPALLI,Shubham DUTTAGUPTA. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2023-09-14.

Passivation contact structure and manufacturing method therefor and solar cell using same

Номер патента: AU2022324515A1. Автор: Yifeng Chen,Yiqi CHEN,Jifan Gao,Peter Altermatt PIETRO. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Multi-layer contact structure, photovoltaic cell and method of fabrication of multi-layer contact structure

Номер патента: WO2023172207A3. Автор: Nitin NAMPALLI,Shubham DUTTAGUPTA. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device including preformed recesses between contact structures and control gates

Номер патента: US20230397421A1. Автор: Lifang Xu,Nancy M. LOMELI,Mallesh Rajashekharaiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Passivation contact structure and manufacturing method therefor and solar cell using same

Номер патента: EP4383348A1. Автор: Yifeng Chen,Yiqi CHEN,Jifan Gao,Peter Altermatt PIETRO. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same

Номер патента: US11777045B2. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2023-10-03.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2037962A. Автор: Chen Gang,Yang Xinqiang,Kaifu Qiu Yongqian. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-07-26.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2032065B1. Автор: Chen Gang,Wang Yongqian,Qiu Kaifu,Yang Xinqiang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-06-26.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2032066B1. Автор: Chen Gang,Wang Yongqian,Qiu Kaifu,Yang Xinqiang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-06-20.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2038008A. Автор: Chen Gang,Wang Yongqian,Qiu Kaifu,Yang Xinqiang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-07-30.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2032068B1. Автор: Chen Gang,Wang Yongqian,Qiu Kaifu,Yang Xinqiang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-09-18.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2032067B1. Автор: Chen Gang,Wang Yongqian,Qiu Kaifu,Yang Xinqiang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-09-05.

Passivated contact structure and solar cell comprising the same, cell assembly, and photovoltaic system

Номер патента: CA3234182A1. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang,Wenli Xu. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2022-06-02.

Passivated contact structure and solar cell comprising the same, cell assembly, and photovoltaic system

Номер патента: EP4320644A2. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang,Wenli Xu. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-02-14.

Hole-selective contact structure for solar cell

Номер патента: EP4391087A1. Автор: Maria-Delfina Munoz,Gerard MASMITJA RUSIÑOL. Владелец: Universitat Politecnica de Catalunya UPC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices

Номер патента: US5829128A. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Igor Y. Khandros,Gaetan L. Mathieu. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Contact structure production method

Номер патента: US20020179904A1. Автор: YU Zhou,Theodore Khoury,David Yu,Robert Aldaz. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Low area screen printed metal contact structure and method

Номер патента: US20090007962A1. Автор: Zhengrong Shi,Stuart Ross Wenham,Ly Mai,Jinglia Ji. Владелец: Suntech Power Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Transparent rectifying metal/metal oxide/semiconductor contact structure and method for the production thereof and use

Номер патента: CA2765981C. Автор: Marius Grundmann,Heiko Frenzel,Alexander Lajn,Holger von Wenckstern. Владелец: UNIVERSITAET LEIPZIG. Дата публикации: 2013-03-19.

Method for producing a contact structure

Номер патента: US20020089342A1. Автор: Theodore Khoury,Mark Jones,James Frame. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Electrical contact structure for a semiconductor component, and semiconductor component

Номер патента: US20170200860A1. Автор: Karl Engl,Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger,Bjoern MUERMANN. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-13.

Electric contact structure for light emitting diodes

Номер патента: US20130292734A1. Автор: Wei-Yu Yen,Chih-Sung Chang,Fu-Bang CHEN,Wei-Chun Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-07.

Low area screen printed metal contact structure and method

Номер патента: WO2007059551A8. Автор: Zhengrong Shi,Stuart Ross Wenham,Ly Mai,JingJia Ji. Владелец: Suntech Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for producing a contact structure of a photovoltaic cell and photovoltaic cell

Номер патента: US20160225921A1. Автор: Tim Boescke. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2016-08-04.

Back contact structure and selective contact region embedded solar cell comprising the same

Номер патента: NL2032066A. Автор: Chen Gang,Wang Yongqian,Qiu Kaifu,Yang Xinqiang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2022-12-19.

Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same

Номер патента: US11764316B2. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2023-09-19.

Solar cell with a contact structure and method of its manufacture

Номер патента: US20150075582A1. Автор: Stefan Steckemetz. Владелец: SolarWorld Industries Sachsen GmbH. Дата публикации: 2015-03-19.

Conductive contact structure of solar cell, solar module, and power generation system

Номер патента: US11929441B2. Автор: Gang Chen,Jianjun Zhang,Yongqian Wang,Wenli Xu,Jianbo Hong. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-03-12.

Conductive contact structure of solar cell, solar module, and power generation system

Номер патента: US20230290893A1. Автор: Gang Chen,Jianjun Zhang,Yongqian Wang,Wenli Xu,Jianbo Hong. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2023-09-14.

Conductive contact structure of solar cell, solar module, and power generation system

Номер патента: WO2022199882A3. Автор: Gang Chen,Jianjun Zhang,Yongqian Wang,Wenli Xu,Jianbo Hong. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2022-11-03.

Conductive contact structure of solar cell, solar module, and power generation system

Номер патента: AU2022241686A1. Автор: Gang Chen,Jianjun Zhang,Yongqian Wang,Wenli Xu,Jianbo Hong. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-03-21.

Conductive contact structure of solar cell, solar module, and power generation system

Номер патента: EP4243088A1. Автор: Gang Chen,Jianjun Zhang,Yongqian Wang,Wenli Xu,Jianbo Hong. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2023-09-13.

Conductive contact structure of solar cell, solar module, and power generation system

Номер патента: WO2022199882A2. Автор: Gang Chen,Jianjun Zhang,Yongqian Wang,Wenli Xu,Jianbo Hong. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2022-09-29.

Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same

Номер патента: WO2022073628A1. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2022-04-14.

Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same

Номер патента: WO2022073627A1. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2022-04-14.

Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same

Номер патента: US20220393044A1. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2022-12-08.

Back contact structure and selective contact region buried solar cell comprising the same

Номер патента: EP4099407A1. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2022-12-07.

GATE CONTACT STRUCTURES AND CROSS-COUPLED CONTACT STRUCTURES FOR TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20190148240A1. Автор: Xie Ruilong,Sun Lei,Liebmann Lars W.,Zang Hui,Woo Youngtag,Paul Bipul C.,Chanemougame Daniel,NIEBOJEWSKI Heimanu,Zhu Xuelian. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Memory merged logic semiconductor device of salicided dual gate structure including embedded memory of self-aligned contact structure and Method of manufacturing the same

Номер патента: KR100393205B1. Автор: 김봉석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-31.

Memory merged logic semiconductor device of salicided dual gate structure including embedded memory of self-aligned contact structure and Method of manufacturing the same

Номер патента: KR20010108658A. Автор: 김봉석. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-08.

Ohmic contact structure for semiconductor device and method

Номер патента: US09842923B2. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

TRANSISTOR STRUCTURE HAVING AN ELECTRICAL CONTACT STRUCTURE WITH MULTIPLE METAL INTERCONNECT LEVELS STAGGERING ONE ANOTHER

Номер патента: US20150333051A1. Автор: Valdes-Garcia Alberto,Plouchart Jean-Olivier,Greenberg David R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Gate contact structure

Номер патента: US20230386916A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of manufacturing a double sided processed integrated circuit forming a contact structure for connecting metallizing structures of each individual chip

Номер патента: DE10055848A1. Автор: Michael Pfeiffer,Wolfgang Angermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-23.

Hierarchic structure and contact structures for three-dimensional storage

Номер патента: CN109690774B. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-22.

Contact structures for reducing electrical shorts and methods of forming the same

Номер патента: US20230326849A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

CONTACT STRUCTURES AND METHODS OF MAKING THE CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20190206878A1. Автор: Chanemougame Daniel,Bourjot Emilie. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor Structure With Contact Structure and Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20120104542A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor structure with contact structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US8492216B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor Structure With Contact Structure and Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20120104542A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Contact structures and the semiconductor memory component using the contact structures

Номер патента: CN104037176B. Автор: 俞建安,吴奇煌. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-09.

Contact structure

Номер патента: US11705609B2. Автор: Takeshi Kimura,Koji Chiba,Takashi Kuboki,Kenji TANISHO. Владелец: JVCKenwood Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Antenna device having contact structure based on conductive gasket

Номер патента: US20220399633A1. Автор: Seung Hwan Lee,Yong Sung Yim. Владелец: LS MTRON LTD. Дата публикации: 2022-12-15.

Contact structure

Номер патента: US20210273304A1. Автор: Takeshi Kimura,Koji Chiba,Takashi Kuboki,Kenji TANISHO. Владелец: JVCKenwood Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Contact structure

Номер патента: US09748705B2. Автор: Haruhiko Kondo,Rie Abe,Hidemasa Sakurada,Koichiro Ejiri. Владелец: SMK Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Electronic device including contact structure using magnet

Номер патента: US12085994B2. Автор: Hyungjin Kim,Jaehyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Contact structure

Номер патента: US09520245B2. Автор: Katsuaki Suzuki,Arata Tanaka. Владелец: Tyco Electronics Japan GK. Дата публикации: 2016-12-13.

Contact structure of battery relay and battery relay apparatus including the same

Номер патента: US09548169B1. Автор: Jin Gi Kim. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-01-17.

Puffer-type compressed-gas circuit-interrupter having improved separable contact structure

Номер патента: CA1093124A. Автор: Willie B. Freeman,Charles F. Cromer,Kue H. Yoon. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1981-01-06.

Contact structure for a switch

Номер патента: EP1728258A2. Автор: Gerd Rudolph,George Albert Drew,Thomas J. Schoepf,Neil R. Aukland. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-06.

Contact structure for a switch

Номер патента: WO2005089435A2. Автор: Gerd Rudolph,George Albert Drew,Thomas J. Schoepf,Neil R. Aukland. Владелец: DELPHI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2005-09-29.

Fixed contact structure

Номер патента: US20120325631A1. Автор: Shuhei Urakami. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Fixed contact structure

Номер патента: EP2580770A1. Автор: Shuhei Urakami. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2013-04-17.

Silver contact structure for conductive blades

Номер патента: US20060137963A1. Автор: Chin-Wen Chou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

High-durability electrical contact structure

Номер патента: US12087531B2. Автор: Hae-Won Jeong,Min-gun Jeong,Jee-Jung Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Hotline contacting structure

Номер патента: US09728880B2. Автор: Haruhiko Kondo,Rie Abe,Hidemasa Sakurada,Koichiro Ejiri,Katsushi Oishi. Владелец: SMK Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Contact contacting structure

Номер патента: US09704677B2. Автор: Toshihiro Amei. Владелец: SMK Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Oil circuit-breaker pump-assembly with improved shunting contact structure

Номер патента: CA1064084A. Автор: Charles W. Tragesser,Francis R. Racki,Ronald E. Vaill,Richard J. Bohinc. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1979-10-09.

Conductive contact structure, battery assembly and electronic cigarette having same

Номер патента: CA3020137A1. Автор: Junwei Ouyang. Владелец: Shenzhen IVPS Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-19.

Switch contact structure

Номер патента: US6573467B1. Автор: Yoshitomo Ishikawa,Kiyoshi Nakanishi,Takao Monden. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-03.

Electric contact structure for a locking cylinder

Номер патента: US4912290A. Автор: Akira Tanaka,Masami Tanaka,Kazuhiro Sakata,Minoru Kawano,Masaaki Fukamachi. Владелец: Honda Lock Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1990-03-27.

Circuit breaker contact structure

Номер патента: US3770922A. Автор: C Gryctko. Владелец: ITE Imperial Corp. Дата публикации: 1973-11-06.

Contact structures for vacuum-type circuit interrupters having radially outwardly-extending spokes

Номер патента: US3667871A. Автор: Richard L Hundstad. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Contact structure and brush motor

Номер патента: US20230421029A1. Автор: Yasuhiro Hashimoto. Владелец: Mabuchi Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Electric contact structure, process for producing the same and electronic instrument having the same

Номер патента: US6986672B2. Автор: Takahiro Sasaki,Akira Shimizu,Yasuharu Nakamura. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-01-17.

Electric contact structure, process for producing the same and electronic instrument having the same

Номер патента: US20040175968A1. Автор: Takahiro Sasaki,Akira Shimizu,Yasuharu Nakamura. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Methods of forming microelectronic devices including differently sized conductive contact structures

Номер патента: US20240347464A1. Автор: Lifang Xu,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Lingyu Kong,Sok Han Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Microelectronic devices including differently sized conductive contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12040274B2. Автор: Lifang Xu,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Lingyu Kong,Sok Han Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structure for drawout switchgear

Номер патента: US4121067A. Автор: John P. Majcher,James O. Rexroad. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1978-10-17.

Antenna dipole and feed line support and contact structure

Номер патента: CA1070825A. Автор: Franklin R. Dimeo,William J. Bachman. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1980-01-29.

Anti-chattering contact structure and collision detecting apparatus using the same

Номер патента: US5898144A. Автор: Makoto Sakai,Yoshihisa Ogata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Contact structure for drawout switchgear

Номер патента: CA1081748A. Автор: John P. Majcher,James O. Rexroad. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-07-15.

Fixed contact structure of slide switch

Номер патента: CA2490605C. Автор: Hiroshi Ochiai,Yuji Shimoda. Владелец: T AN T KK. Дата публикации: 2011-01-11.

Electrical contact structure of a vacuum interrupter

Номер патента: US4547640A. Автор: Yoshiyuki Kashiwagi,Kaoru Kitakizaki,Takamitsu Sano. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 1985-10-15.

Improvements in contact structures for electric switches

Номер патента: GB477691A. Автор: . Владелец: HAROLD ERNEST COX. Дата публикации: 1938-01-03.

High-durability electrical contact structure

Номер патента: US20230343535A1. Автор: Hae-Won Jeong,Min-gun Jeong,Jee-Jung Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Contact structure, substrate holder, apparatus for plating, and method of feeding electric power to substrate

Номер патента: US20220098749A1. Автор: Matsutaro Miyamoto. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Contact contacting structure

Номер патента: US20170093067A1. Автор: Haruhiko Kondo,Rie Abe,Hidemasa Sakurada,Koichiro Ejiri,Katsushi Oishi. Владелец: SMK Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Contact contacting structure

Номер патента: US20160379779A1. Автор: Toshihiro Amei. Владелец: SMK Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Switch contact structure

Номер патента: US20050087431A1. Автор: Toshiya Otani,Hideaki Akimoto. Владелец: Niles Parts Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Methods of forming a conductive contact structure to an embedded memory device on an ic product and a corresponding ic product

Номер патента: US20210193573A1. Автор: Hyung Woo Kim,Nicholas LiCausi,Julien Frougier,Keith Donegan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of fabricating semiconductor device having contact structures

Номер патента: US09543202B2. Автор: Youngseok Kim,Jamin KOO,Kongsoo Lee,Goeun BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Contact structure and formation thereof

Номер патента: US09735107B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Huang-Yi Huang,Chi-Yuan Chen,Li-Ting Wang,Wei-Jung Lin,Cheng-Tung Lin,Huicheng Chang,Hong-Mao Lee,Chia-Han Lai,Chi-Hsuan Ni. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Three-dimensional memory device containing oxidation-resistant contact structures and methods of making the same

Номер патента: WO2022108623A1. Автор: Shin Koyama,Eisuke Takii,Hiraku Hashimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-27.

CONTACT STRUCTURES TO DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURES AND METHOD OF NANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200006111A1. Автор: Dong Ke,Ong Shiang Yang,MUN Namchil,VERMA Purakh R.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES INCLUDING A COPPER FILL FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170117181A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

LOW RESISTANCE CONTACT STRUCTURES INCLUDING A COPPER FILL FOR TRENCH STRUCTURES

Номер патента: US20170117225A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Electric contact structure having a diffusion barrier for an electronic device and method for manufacturing the electric contact structure

Номер патента: US20160181203A1. Автор: Federica Ronchi,Andrea Paleari,Sonia Pirotta,Lorenzo Gola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-06-23.

A contact structure of a wires and method manufacturing the same, and thin film transistor substrate including the contact structure and method manufacturing the same

Номер патента: KR20010097057A. Автор: 허명구,김치우,공항식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-08.

Contact structure of a wires and method manufacturing the same, and thin film transistor substrate including the contact structure and method manufacturing the same

Номер патента: CN1628389A. Автор: 卢南锡,宋根圭,林承泽,洪雯杓,郭相基,宋泳周,崔权永. Владелец: 三星电子株式会社. Дата публикации: 2005-06-15.

Contact structure of a wires and method manufacturing the same, and thin film transistor substrate including the contact structure and method manufacturing the same

Номер патента: US20100096176A1. Автор: Mun-Pyo Hong,Young-Joo Song,Keun-Kyu Song,Nam-Seok Roh,Kwon-Young Choi,Sang-Ki Kwak,Seung-Taek Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Three-dimensional memory device containing an aluminum oxide etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof

Номер патента: US09754820B2. Автор: Rahul Sharangpani,Motoki KAWASAKI,Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Multi-layer structure and a method for manufacturing the same and a corresponding contact structure

Номер патента: US20180174955A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Hybrid bonding contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US12137568B2. Автор: Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Feng Pan,GuanPing WU,Weihua Cheng,Wenguang Shi,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Three-dimensional memory device including stairless word line contact structures for and method of making the same

Номер патента: US20220005818A1. Автор: Koichi Ito,Yoshinobu Tanaka,Hideaki Hasegawa,Sung Tae Lee,Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-01-06.

Methods of forming a conductive contact structure to an embedded memory device on an ic product and a corresponding ic product

Номер патента: US20210193584A1. Автор: Hyung Woo Kim,Nicholas LiCausi,Julien Frougier,Keith Donegan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device including support structures and contact structures having different materials

Номер патента: US20230290739A1. Автор: John Hopkins,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

STAIR CONTACT STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD OF STAIR CONTACT STRUCTURE, AND MEMORY STRUCTURE

Номер патента: US20190122983A1. Автор: Hu Chih-Wei,Yeh Teng-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Multilayer structure, manufacturing method thereof and contact structure corresponding to multilayer structure

Номер патента: CN108242386B. Автор: 陈士弘. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

Hybrid bonding contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US20230363169A1. Автор: Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Feng Pan,GuanPing WU,Weihua Cheng,Wenguang Shi,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US20230389323A1. Автор: Zhenyu Lu,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan,Baoyou Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for fabricating semiconductor device with contact structure

Номер патента: US20230386900A1. Автор: Chih-Hsuan Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

MULTI-LAYER STRUCTURE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND A CORRESPONDING CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20180174955A1. Автор: CHEN SHIH-HUNG. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

METHOD OF FORMING CONTACT STRUCTURE OF GATE STRUCTURE

Номер патента: US20150206872A1. Автор: WANG Mei-Yun,Wang Hsien-Cheng,Yang Fu-Kai,Hsu Audrey Hsiao-Chiu,Liu Shih-Wen,Lin Hsin-Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-07-23.

Through-hole contact structure, memory device and method for forming semiconductor structure

Номер патента: CN111816606A. Автор: 张国彬,胡志玮,江昱维. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Microelectronic devices including contact structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: US20240321741A1. Автор: ZHOU Xuan,Sijia Yu,Biow Hiem Ong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Microelectronic devices including contact structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: WO2024197100A1. Автор: ZHOU Xuan,Sijia Yu,Biow Hiem Ong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional memory device including stairless word line contact structures and method of making the same

Номер патента: US11973026B2. Автор: Koichi Ito,Michiaki Sano. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Novel through silicon contact structure and method of forming the same

Номер патента: US20210313251A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Novel through silicon contact structure and method of forming the same

Номер патента: US20200266128A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Novel through silicon contact structure and method of forming the same

Номер патента: EP3903346A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor contact structure having stress buffer layer formed between under bump metal layer and copper pillar

Номер патента: US20210104478A1. Автор: Yu-Jie Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of Forming a Layer Structure, Layer Structure, Method of Forming a Contact Structure, Method of Forming a Chip Package, and Chip Package

Номер патента: US20200227278A1. Автор: Wolfgang Lehnert,Edmund Riedl,Johann Gatterbauer,Norbert Mais,Verena Muhr,Harry Sax. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device having a spacer structure in a conductive layer and a contact structure in the spacer structure

Номер патента: US11562945B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Electrical contact structure with a redistribution layer connected to a stud

Номер патента: US09640683B2. Автор: Tsang-Yu Liu,Yen-Shih Ho,Wei-Luen Suen,Po-Han Lee,Wei-Ming Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Top contact structure for embedded mram

Номер патента: US20240130242A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Contact structure for an electrically operated II/VI semiconductor element and process for the production thereof

Номер патента: US20040219697A1. Автор: Oliver Schulz,Dieter Bimberg,Matthias Strassburg,Udo Pohl. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2004-11-04.

Contact structure for an electric II/VI semiconductor component and a method for the production of the same

Номер патента: US6673641B1. Автор: Oliver Schulz,Dieter Bimberg,Matthias Strassburg,Udo W. Pohl. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2004-01-06.

Contact structure for an electrically operated II/VI semiconductor element and process for the production thereof

Номер патента: US6893950B2. Автор: Oliver Schulz,Dieter Bimberg,Matthias Strassburg,Udo W. Pohl. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2005-05-17.

Three-dimensional memory device including stairless word line contact structures for and method of making the same

Номер патента: US20220005824A1. Автор: Koichi Ito,Yoshinobu Tanaka,Hideaki Hasegawa,Sung Tae Lee,Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of forming a barrier layer in a contact structure

Номер патента: EP1010199A1. Автор: Seshadri Ramaswami,Kenny King-Tai Ngan,Barry Hogan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Via contact structures and methods for integrated circuits

Номер патента: US20110074036A1. Автор: Man Hua Chen,Lien Hung Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Electronic assembly having a component connected via a plurality of contact structures, an electronic component having a plurality of contact structures, and methods for monitoring contact structures of an electronic component

Номер патента: DE102015210851A1. Автор: Klaus Wilke,Peter Frühauf,Przemyslaw Jakub Gromala,Sven Rzepka. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-10-06.

Integrated circuit aluminum contact structure to silicon device regions

Номер патента: US5281854A. Автор: George Wong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1994-01-25.

CONDUCTIVE STRUCTURES FOR CONTACTING A TOP ELECTRODE OF AN EMBEDDED MEMORY DEVICE AND METHODS OF MAKING SUCH CONTACT STRUCTURES ON AN IC PRODUCT

Номер патента: US20210066126A1. Автор: Singh Sunil Kumar,TAN Juan Boon,TRAN Xuan Anh,Ramanathan Eswar,Kalaga Suryanarayana. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

METHOD OF FORMING CONTACT STRUCTURE OF GATE STRUCTURE

Номер патента: US20150380270A1. Автор: WANG Mei-Yun,Wang Hsien-Cheng,Yang Fu-Kai,Hsu Audrey Hsiao-Chiu,Liu Shih-Wen,Lin Hsin-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Intermediate structures having reduced width contact holes that are formed during manufacture of memory cells having contact structures

Номер патента: US8178928B2. Автор: Jeong-Ho Park,Hyun-Chul Shin,Jung-Young Lee,Kwang-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-15.

Methods of forming contact structures and semiconductor devices fabricated using contact structures

Номер патента: CN101794735B. Автор: 安亨根,安东浩,朴瑛琳,李琎一,吴圭焕. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-23.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR100352909B1. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-09-16.

Contact structure for an electronic circuit substrate and electronic circuit comprising said contact structure

Номер патента: US8809695B2. Автор: Soenke Habenicht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-08-19.

Solar cell with contact structures and method for producing the contact structures

Номер патента: DE19819200B4. Автор: Ralf Lüdemann,Sebastian Schaefer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2006-01-05.

Contact structure for an electronic circuit substrate and electronic circuit comprising said contact structure

Номер патента: US20100244275A1. Автор: Soenke Habenicht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-30.

Contact structure for an electronic circuit substrate and electronic circuit comprising said contact structure

Номер патента: CN101874301A. Автор: 森克·哈贝尼希特. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-10-27.

P-ohmic contact structure and photodetector using the same

Номер патента: US20220102572A1. Автор: Ying Gao,Ling Zhou,Jianping Zhang. Владелец: Bolb Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Multi-metal contact structure

Номер патента: US20240203917A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Fluorine-blocking insulating spacer for backside contact structure of three-dimensional memory structures

Номер патента: US09443861B1. Автор: Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Contact structure and method for manufacturing contact structure

Номер патента: TW201211548A. Автор: Yohei Sato,Tomohisa Hoshino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-16.

Passivated contact structure and solar cell comprising the same, cell assembly, and photovoltaic system

Номер патента: US20240290905A1. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang,Wenli Xu. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-08-29.

Passivated contact structure and solar cell comprising the same, cell assembly, and photovoltaic system

Номер патента: US20240363790A1. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang,Wenli Xu. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-10-31.

Passivated contact structure and solar cell comprising the same, cell assembly, and photovoltaic system

Номер патента: US20240363789A1. Автор: Gang Chen,Yongqian Wang,Kaifu QIU,Xinqiang Yang,Wenli Xu. Владелец: Solarlab Aiko Europe Gmbh. Дата публикации: 2024-10-31.

Contact structure applied to tunneling type solar cell, solar cell having contact structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4333080A4. Автор: Jia Chen,Jianwei Lin,Genhua JI,Chenghuan SHEN,Yingwen ZHAO,Zheren DU. Владелец: Jolywood Taizhou Solar Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Solar cell contact structure

Номер патента: US09786800B2. Автор: Harald Hahn,Chris Stapelmann,Josh YASKOFF,Thomas KRANKE,Roman SCHIEPE. Владелец: SolarWorld Americas Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Contact structures for direct bonding

Номер патента: EP4302325A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Laura Wills Mirkarimi. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures

Номер патента: US6835898B2. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Igor Y. Khandros,Gaetan L. Mathieu. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2004-12-28.

Opto:electronic emissive diode - of gallium aluminium arsenide with titanium layer covering surface prior to formation of contact structure

Номер патента: FR2499318A1. Автор: Alain Beguin,Claude Marie,Marie-Claude Boissy. Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1982-08-06.

Three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region and spacer structure for contact structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220130854A1. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Multi-metal contact structure

Номер патента: US11894326B2. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A CONTACT STRUCTURE, AND METHOD FOR PRODUCING A CONTACT STRUCTURE FOR AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20210104645A1. Автор: Schmid Wolfgang,Bröll Markus. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Metal for fabricating metal contact structure of solar cell, involves strengthening metallic contact structure in electrolytic bath

Номер патента: DE102006030822A1. Автор: Ansgar Mette,Christian Schetter,Stefan Dr. Glunz,Philipp Richter. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2008-01-03.

Preparation method of passivation contact structure and crystalline silicon with passivation contact structure

Номер патента: CN112768565B. Автор: 季根华,杜哲仁,赵影文,杨俊楠,张志郢. Владелец: Jolywood Taizhou Solar Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-10-04.

Optoelectronic semiconductor component having a contact structure and method for producing a contact structure for an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: DE102017117650A1. Автор: Wolfgang Schmid,Markus Bröll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-02-07.

Optoelectronic semiconductor component having a contact structure, and method for producing a contact structure for an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11411140B2. Автор: Wolfgang Schmid,Markus Bröll. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-08-09.

Method for producing a metallic contact structure of a semiconductor structure with through-connection and photovoltaic solar cell

Номер патента: DE102011018374A1. Автор: Florian Clement,Dr. Biro Daniel,Benjamin Thaidigsmann,Dr. Wolf Andreas,Elmar Lohmüller,Jonas Bartsch. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2012-10-25.

Contact structure having silicon finger contactors and total stack-up structure using same

Номер патента: KR100454546B1. Автор: 커리씨오도에이.,프레임제임스더블유.. Владелец: 가부시키가이샤 어드밴티스트. Дата публикации: 2004-11-03.

Metallization Contact Structures and Methods for Forming Multiple-Layer Electrode Structures for Silicon Solar Cells

Номер патента: EP2073275A2. Автор: Baomin Xu,David K. Fork. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2009-06-24.

Contact Structures Comprising A Core Structure And An Overcoat

Номер патента: US20060286828A1. Автор: Igor Khandros. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Method for producing a metal contact structure of a semiconductor structure with a via, and photovoltaic solar cell

Номер патента: EP2700106A1. Автор: Andreas Wolf,Florian Clement,Benjamin Thaidigsmann,Elmar Lohmüller,Jonas Bartsch,Daniel Biro. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2014-02-26.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: WO2011157487A1. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-22.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited FET channels

Номер патента: TW201214579A. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Josephine B Chang,Jeffrey W Sleight. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-04-01.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: GB201209073D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: GB2494012B. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-23.

Transceiver hot swap contact structure

Номер патента: US20190296486A1. Автор: Chao-Jung Chen,Yu-Nien Huang,Kuo-Wei Lee,Kuen-Hsien Wu. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Sliding switch contact structure

Номер патента: CA2223318C. Автор: Shunichi Sato. Владелец: Niles Parts Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-03.

LEAF SPRING FIXING STRUCTURE, ELECTRICAL CONTACT STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THESE

Номер патента: US20180259024A1. Автор: Kawai Wakahiro. Владелец: Omron Corporation. Дата публикации: 2018-09-13.

DC load contact structure and switch having the structure

Номер патента: JP4089252B2. Автор: 哲也 森,鋼三 前西,健治 船木,康祐 ▲高▼橋. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2008-05-28.

CONTACT STRUCTURE FOR A SWITCHING DEVICE

Номер патента: FR2629255A1. Автор: Wasaburo Murai. Владелец: TERASAKI DENKI KK. Дата публикации: 1989-09-29.

SLIDING CONTACT STRUCTURE HAVING HIGH DURABILITY

Номер патента: FR2852151A1. Автор: Yasuyuki Sato,Takehito Kimata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-10.

Leaf spring fixing structure, electrical contact structure, and method for manufacturing these

Номер патента: US10260587B2. Автор: Wakahiro Kawai. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Contact structure and manufacturing method thereof, and electronic member to which the contact structure is attached and manufacturing method thereof

Номер патента: US7238031B2. Автор: Daisuke Takai. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-03.

Vacuum interrupter contact structure and method of fabrication

Номер патента: US4513186A. Автор: Robert L. Thomas. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1985-04-23.

Contact structure and a gate line slit and merge method to form thereof

Номер патента: US20240206168A1. Автор: Chuan Zhang,Xianghui ZHAO,Zuixin ZENG,Junxiong WANYAN,Haiqing DOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Contact structure of a film-type audio-speaker

Номер патента: WO2007024045A1. Автор: Ju Seon Youn,Chang Ju Ra. Владелец: Dream Sonic Technology Limited. Дата публикации: 2007-03-01.

Contact structure of a film-type audio-speaker

Номер патента: EP1929834A1. Автор: Ju Seon Youn,Chang Ju Ra. Владелец: DREAM SONIC Tech Ltd. Дата публикации: 2008-06-11.

Contact structure, contact pad layout and structure, mask combination and manufacturing method thereof

Номер патента: US12075609B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Yi-Wang JHAN,Xiaopei FANG,Yung-Tai HUANG,Shaoyi WU,Yi-Lei TSENG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Contact structure for a semiconductor material and a method for providing such structure

Номер патента: EP1626449B1. Автор: Paul Heremans,Vladimir Arkhipov. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-04-20.

Electro-conductive contact structure for enclosure sealing in housings

Номер патента: EP2371188A1. Автор: Jeff Ronald Lynam. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises LLC. Дата публикации: 2011-10-05.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US11910599B2. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional memory device having adjoined source contact structures and methods for forming the same

Номер патента: US11985826B2. Автор: ZHIPENG Wu,LU Zhang,Bo Xu,Chuan Yang,Kai HAN,Zi YIN,LiuQun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Plug-in contact structure for panelboard

Номер патента: CA1098981A. Автор: Felix E. Myers. Владелец: Gould Inc. Дата публикации: 1981-04-07.

Rapid thermal chemical vapor deposition procedure for a self aligned, polycide contact structure

Номер патента: US5763303A. Автор: Jhon Jhy Liaw,Kuo Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-06-09.

Flash memory array having well contact structures

Номер патента: US5973374A. Автор: Steven W. Longcor. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Temperature monitoring in a semiconductor device by thermocouples distributed in the contact structure

Номер патента: US8373244B2. Автор: Casey Scott,Anthony Mowry,Roman Boschke. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Superconducting contact structure

Номер патента: US5019551A. Автор: Mutsuo Hidaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-05-28.

Low loss contact structures for silicon based optical modulators and methods of manufacture

Номер патента: WO2006020701A1. Автор: Thomas Keyser,Cheisan J. Yue. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-02-23.

Contact structure body and electrical measuring device for biological samples using contact structure body

Номер патента: WO2016013176A1. Автор: Kazumasa Sato,Yoichi Katsumoto,Daisuke Terakado. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-28.

Machine vision-based techniques for non-contact structural health monitoring

Номер патента: US20240249405A1. Автор: Peng Xiao,Zheng Yi Wu,Dian Mo. Владелец: Bentley Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Contact structure body electrical measuring device for biological samples

Номер патента: US10151740B2. Автор: Kazumasa Sato,Yoichi Katsumoto,Daisuke Terakado. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Printing apparatus and electronic device having line contact structure

Номер патента: US20040155945A1. Автор: Dong-Sun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-12.

Contact structures

Номер патента: RU2318590C2. Автор: Лоренс А. мл. СМИТ,Абрахам П. ГЕЛБЕЙН,Джон Р. АДАМС. Владелец: Каталитик Дистиллейшн Текнолоджиз. Дата публикации: 2008-03-10.

Low loss contact structures for silicon based optical modulators and methods of manufacture

Номер патента: EP1784683A1. Автор: Thomas Keyser,Cheisan J. Yue. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Contact structure body and electrical measuring device for biological samples using contact structure body

Номер патента: EP3172559A1. Автор: Kazumasa Sato,Yoichi Katsumoto,Daisuke Terakado. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-31.

Contact structure for thermotherapy device

Номер патента: RU2676865C1. Автор: Хуивон ЦОЙ,Чансу ПАК,Кынюн ПЭК,Ханлим СУН. Владелец: Кераджем Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-01-11.

Antifouling coating film and method of manufacturing same, water contacting structure with antifouling coating film, and antifouling tape and method of manufacturing same

Номер патента: US11993727B2. Автор: Soichiro TANINO. Владелец: Chugoku Marine Paints Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Contact structure

Номер патента: US20090061569A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshiharu Hirakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Terminal contact structure and image forming apparatus

Номер патента: US20180267460A1. Автор: Tsutomu Komiyama,Kaoru Matsushita,Kohyu Shigemori. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Contact structure of camera module and electronic device comprising same

Номер патента: US20230292479A1. Автор: Jihyun Kim,Yonggwan KIM,Kyungho BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Contact structure formation for memory devices

Номер патента: US12133473B2. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Level contact structure for an electroluminescent lamp

Номер патента: US5936345A. Автор: Takayuki Hora. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Lead contact structure for EMR elements

Номер патента: US7633718B2. Автор: Stefan Maat,Robert E. Fontana, Jr.. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2009-12-15.

Board edge electrical contact structures

Номер патента: US20230232533A1. Автор: David Harvey,Alex Chan,David North,Paul James Brown,Daniel Anav,Scott David DSOUZA. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2023-07-20.

Process for production of contact structure for organic semiconductor device, and contact structure for organic semiconductor device

Номер патента: CN102668041B. Автор: 三成刚生,熊谷明哉,塚越一仁. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2015-06-24.

Method for forming bit line contact structure and semiconductor structure

Номер патента: WO2022148004A1. Автор: 石夏雨. Владелец: 长鑫存储技术有限公司. Дата публикации: 2022-07-14.

Electrical contact structure, contact pad layout and structure, mask plate combination, and manufacturing method

Номер патента: WO2021056984A1. Автор: 詹益旺,童宇诚,黄永泰,方晓培,吴少一,曾依蕾. Владелец: 福建省晋华集成电路有限公司. Дата публикации: 2021-04-01.

Contact structure, electronic component comprising a contact structure and method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2009146987A1. Автор: Carsten Schuh. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for forming a semiconductor device contact structure comprising a contour

Номер патента: US6077740A. Автор: Nanseng Jeng,Paul J. Schuele,Steven T. Harshfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Contact structure and method for manufacturing contact structure

Номер патента: WO2022009517A1. Автор: 聡 青木,大輔 田ノ岡,忠雷 杜,克 裴,前根 趙. Владелец: 株式会社ブイ・テクノロジー. Дата публикации: 2022-01-13.

Force Measurements About Secondary Contacting Structures

Номер патента: US20230313667A1. Автор: Brody Dunn,Bradley David DUNBAR,Matt Barnes,Van Jordan Brackin. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Force Measurements About Secondary Contacting Structures

Номер патента: US20230137825A1. Автор: Brody Dunn,Bradley David DUNBAR,Matt Barnes,Van Jordan Brackin. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

High-contact structure for solid-particle, high-contact structure base for solid particle, and processes for producing these

Номер патента: EP2002892A9. Автор: Tomoyuki Kayama,Kouzi Banno. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

Method for positioning support structure to support body of car on conveyer of production line, involves contacting structure against stop arranged in pick up zone of structure by conveyer during moment of pick up of structure by conveyor

Номер патента: FR2991309A1. Автор: Eric Levouin. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2013-12-06.

Three-dimensional bio-medical probe sensing and contacting structures with addressibility and tunability

Номер патента: US20160374585A1. Автор: Stephen J. Fonash,Wook Jun Nam. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-12-29.

Contactor, contact structure therewith, probe card, testing apparatus, process for producing contact structure, and apparatus for producing contact structure

Номер патента: KR100819821B1. Автор: 테츄야 쿠이타니,타다오 사이토,요시히로 아베. Владелец: 가부시키가이샤 아드반테스트. Дата публикации: 2008-04-07.

A contact structure, an apparatus having the contact structure and image input apparatus having the contact structure

Номер патента: EP1487035B1. Автор: YOKOYAMA Kouji,Shinohara Junichi,Tsurukawa Ikuya,Miyoshi Akemi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-27.

Electrode contact structure, liquid crystal display device provided with electrode contact structure, and electrode contact structure manufacturing method

Номер патента: WO2010024035A1. Автор: 宏幸 亀江,諭 柴田. Владелец: シャープ株式会社. Дата публикации: 2010-03-04.

Contact structure for a test handler, test handler having the contact structure and method of testing integrated circuit devices using the test handler

Номер патента: US20160061884A1. Автор: Jung-hyun Cho,Byoung-jun Min,Joong-Kyeon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

CONTACT STRUCTURE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20220177717A1. Автор: JIANG YI-MIN,Wu Shan-Yu,Chen Chih-Min,KUO Chao-Hui,Wang Xi-Zhao,Mu Li-Wei,Lin Zhi-Qiang,Chen Shen-Jie,Li Ting-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

CONTACT STRUCTURE BODY ELECTRICAL MEASURING DEVICE FOR BIOLOGICAL SAMPLES USING CONTACT STRUCTURE BODY

Номер патента: US20170212097A1. Автор: Katsumoto Yoichi,Sato Kazumasa,Terakado Daisuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2017-07-27.

A contact structure of a wires, and thin film transistor substrate including the contact structure

Номер патента: KR100796757B1. Автор: 전상익. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-22.

A contact structure of a wires and a method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate including the contact structure and a method of manufacturing the same

Номер патента: KR20010105973A. Автор: 김상갑. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-29.

Contact structure for use in catalytic distillation

Номер патента: US4536373A. Автор: Edward M. Jones, Jr.. Владелец: Chemical Research and Licensing Co. Дата публикации: 1985-08-20.

A kind of sliding contact structure and the stone mill for having the sliding contact structure

Номер патента: CN106112762B. Автор: 林智敏. Владелец: QUANZHOU HAIENDE ELECTROMECHANICAL TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-05.

Method for the formation of a deep-submicron CMOS with self-aligneded silicide contact and extended source/drain contact

Номер патента: TW396417B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-07-01.

EPITAXIAL SOURCE/DRAIN CONTACTS SELF-ALIGNED TO GATES FOR DEPOSITED FET CHANNELS

Номер патента: US20120292598A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

FET with FUSI Gate and Reduced Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20120299102A1. Автор: Ning Tak H.,Lavoie Christian,Solomon Paul,Ouyang Qiqing,Zhen Zhang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20120313092A1. Автор: Yu Gang,Shieh Chan-Long,Foong Fatt. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BORDERLESS SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20130175619A1. Автор: Horak David V.,Koburger,III Charles W.,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,FAN Susan S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

USE OF BAND EDGE GATE METALS AS SOURCE DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20130241007A1. Автор: YANG Bin,Choi Kisik,Lavoie Christian,Zhang Zhen,Solomon Paul M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

Low source-drain contact resistance MOSFETs and manufacture method thereof

Номер патента: CN102983163B. Автор: 赵超,罗军. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-04-20.

Use of Band Edge Gate Metals as Source Drain Contacts

Номер патента: US20130241008A1. Автор: YANG Bin,Choi Kisik,Lavoie Christian,Zhang Zhen,Solomon Paul M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

Method of surface modification of contacting structural members and media

Номер патента: RU2205193C2. Автор: Ю.Н. Студнев,В.М. Андрюшин,А.П. Краснов,ров В.П. Стол,В.П. Столяров. Владелец: Студнев Юлий Николаевич. Дата публикации: 2003-05-27.

Passivated contact structure and preparation method thereof, and solar cell and preparation method thereof

Номер патента: AU2024203400A1. Автор: WEI Liu,HONG Chen,Dongyun LV,Zigang Wang,Daming Chen,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Circuit breaker contact structure

Номер патента: CA1254933A. Автор: Franco P. Pardini,Claudio Banfi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-05-30.

Method of forming a gate structure and a self-aligned contact structure

Номер патента: TW554424B. Автор: Wen-Wei Lo,Su-Chen Lai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-09-21.

SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURE LATERALLY ENCLOSED BY AN ISOLATION STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120021581A1. Автор: . Владелец: GLOBAL FOUNDRIES Inc.. Дата публикации: 2012-01-26.

STRUCTURE AND METHODS OF FORMING CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20120153482A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wong Keith Kwong Hon,LI Ying. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-21.

CONDUCTOR CONTACT STRUCTURE AND FORMING METHOD, AND PHOTOMASK PATTERN GENERATING METHOD FOR DEFINING SUCH CONDUCTOR CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20130026641A1. Автор: YANG Chin-Sheng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2013-01-31.

CONTACT STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20130033282A1. Автор: Sato Yohei,Hoshino Tomohisa. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-02-07.

METHOD OF MAKING AN ELECTRODE CONTACT STRUCTURE AND STRUCTURE THEREFOR

Номер патента: US20130299996A1. Автор: Grivna Gordon M.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.