Россия, г. Королев.
eburdiyg@gmail.com
8 (903) 781-84-63
© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.
Source/drain contacts for non-planar transistors
Номер патента: US09853156B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.