Self-aligned doping of source-drain contacts

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US09853156B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US09425316B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US09779987B2. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US10381442B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US09972682B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US20170372949A1. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US20150380304A1. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of forming source/drain contacts in unmerged FinFETs

Номер патента: US09379025B1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Via and source/drain contact landing under power rail

Номер патента: US20240186387A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Process for providing self-aligned doping regions

Номер патента: CA1116313A. Автор: Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-01-12.

Merged gate and source/drain contacts in a semiconductor device

Номер патента: US09960256B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method For Growing Multiple Layers of Source Drain Epitaxial Silicon in FDSOI Process

Номер патента: US20230274984A1. Автор: PENG Zhao,Nan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Techniques for integration of ge-rich p-mos source/drain contacts

Номер патента: EP3120388A1. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-25.

Middle of the line architecture with subtractive source/drain contact

Номер патента: US20240222448A1. Автор: Nelson Felix,Eric Miller,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Techniques for integration of Ge-rich p-MOS source/drain contacts

Номер патента: US09859424B2. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Homogeneous source/drain contact structure

Номер патента: US20220336269A1. Автор: Po-Hsiang Huang,Chang-Wen Chen,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor having a source/drain contact with a single inner spacer

Номер патента: US11901434B2. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Finfet having upper spacers adjacent gate and source/drain contacts

Номер патента: US20200119000A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu,Scott Beasor. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: EP2599111A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-06-05.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: US20130193494A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-08-01.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20190115262A1. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of forming source/drain contact

Номер патента: US10522413B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Transistors with backside source/drain contact and spacer

Номер патента: US20240186219A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor having a source/drain contact with a single inner spacer

Номер патента: EP4331013A1. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09768322B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09412623B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Source/drain contact structure

Номер патента: EP3944296A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Ruei-Ping Lin,Chung-Hao CAI,Jason Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Self-aligned source/drain contact for vertical field effect transistor

Номер патента: US20200075775A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Asymmetric gate contact over source/drain contact

Номер патента: US20240332182A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Yann Mignot,Shahab Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Forming source/drain contact in a tight tip-to-tip space

Номер патента: US20240339509A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicidation of source/drain region of vertical field effect transistor (vfet) structure

Номер патента: US20210242025A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of enhancing surface doping concentration of source/drain regions

Номер патента: US9613817B1. Автор: Vimal Kamineni,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

SILICIDATION OF SOURCE/DRAIN REGION OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR (VFET) STRUCTURE

Номер патента: US20210242025A1. Автор: Kim Min Gyu,Jun Hwi Chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-05.

Selective recessing of source/drain regions of NFET/PFET

Номер патента: CN110416081B. Автор: 王鹏,陈建安,林焕哲,张云闵,王冠人,陈煌明. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-28.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for forming thickened source/drain contact regions for field effect transistors

Номер патента: US5250454A. Автор: Witold P. Maszara. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-10-05.

Epitaxial Layers In Source/Drain Contacts And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220359310A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Epitaxial Layers in Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200006159A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for forming source/drain contacts during CMOS integration using confined epitaxial growth techniques

Номер патента: US09397003B1. Автор: Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Forming crystalline source/drain contacts on semiconductor devices

Номер патента: WO2019066772A1. Автор: Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Cory C. Bomberger,Scott J. MADDOX. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Forming crystalline source/drain contacts on semiconductor devices

Номер патента: US20200365585A1. Автор: Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Cory C. Bomberger,Scott J. MADDOX. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Source/Drain Contacts And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20240021686A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for forming source/drain contacts

Номер патента: US12009363B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20210366907A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yi-Bo Liao,Chun-Fu CHENG,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US09653461B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130270648A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: Renesas Eletronics Corporation. Дата публикации: 2013-10-17.

Epitaxial Layers in Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200006159A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

SILICIDE FORMATION FOR SOURCE/DRAIN CONTACT IN A VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210013108A1. Автор: Xie Ruilong,Wu Heng,Fan Su Chen,Huang Huai. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Method for Forming Source/Drain Contacts Utilizing an Inhibitor

Номер патента: US20220052167A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Chuang Cheng-Chi,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Source/Drain Contact Spacers and Methods of Forming Same

Номер патента: US20200035549A1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180068857A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180068903A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

METHOD OF MAKING SOURCE/DRAIN CONTACTS BY SPUTTERING A DOPED TARGET

Номер патента: US20150118833A1. Автор: LEI JIANXIN,RAMALINGAM Jothilingam,NI CHI-NUNG. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180138093A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20150155385A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-04.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20190157269A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Koh Shao-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Self-aligned source/drain contact in replacement metal gate process

Номер патента: US20170207118A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yue Hu,Wen Pin Peng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20190221662A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

Low Resistance Source Drain Contact Formation

Номер патента: US20180240875A1. Автор: Yeh Chun-chen,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

FINFETS WITH LOW SOURCE/DRAIN CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20150279840A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

Forming Highly Conductive Source/Drain Contacts in III-Nitride Transistors

Номер патента: US20160276461A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

BURIED SOURCE-DRAIN CONTACT FOR INTEGRATED CIRCUIT TRANSISTOR DEVICES AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20160284599A1. Автор: Liu Qing,Taylor William J.,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

FABRICATING RAISED SOURCE DRAIN CONTACTS OF A CMOS STRUCTURE

Номер патента: US20180294338A1. Автор: Czornomaz Lukas,Deshpande Veeresh V.,DJARA Vladimir. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

SPACER TO PREVENT SOURCE-DRAIN CONTACT ENCROACHMENT

Номер патента: US20150318204A1. Автор: HU Yue,PENG Wen-Pin,Lee Yong M.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-05.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20170323966A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-11-09.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20200328291A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

FORMING GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT OPENINGS BY PERFORMING A COMMON ETCH PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20150364378A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

FABRICATING RAISED SOURCE DRAIN CONTACTS OF A CMOS STRUCTURE

Номер патента: US20180350925A1. Автор: Czornomaz Lukas,Deshpande Veeresh V.,DJARA Vladimir. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

TITANIUM SILICIDE FORMATION IN A NARROW SOURCE-DRAIN CONTACT

Номер патента: US20170372949A1. Автор: NIIMI Hiroaki,Sung Min Gyu,LIM Kwanyong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-12-28.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US20200357916A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

FORMING CRYSTALLINE SOURCE/DRAIN CONTACTS ON SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200365585A1. Автор: Murthy Anand S.,JAMBUNATHAN KARTHIK,Bomberger Cory C.,MADDOX SCOTT J.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-11-19.

Epitaxial Layers In Source/Drain Contacts And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220359310A1. Автор: Tsai Pang-Yen,Shih Ding-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US10283640B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US20230028568A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Forming highly conductive source/drain contacts in III-Nitride transistors

Номер патента: US10074729B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Fabricating raised source drain contacts of a CMOS structure

Номер патента: US9917164B1. Автор: Lukas Czornomaz,Veeresh V. Deshpande,Vladimir DJARA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US8981435B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Use of band edge gate metals as source drain contacts

Номер патента: US8741753B2. Автор: Bin Yang,Zhen Zhang,Christian Lavoie,Kisik Choi,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20210313324A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US10714597B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11271095B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-08.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11695061B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20230282733A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20200328291A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited FET channels

Номер патента: TW201214579A. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Josephine B Chang,Jeffrey W Sleight. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-04-01.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: GB201209073D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

SELF-ALIGNED DOPING IN SOURCE/DRAIN REGIONS FOR LOW CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20180197792A1. Автор: Guo Dechao,Wu Heng,Liu Zuoguang,Tsutsui Gen. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Self-aligned doping in source/drain regions for low contact resistance

Номер патента: US20180197793A1. Автор: Dechao Guo,Heng Wu,Zuoguang Liu,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of source/drain height control in dual epi finFET formation

Номер патента: US09627278B2. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Manufacture of semiconductor device with self-aligned doping

Номер патента: TW363207B. Автор: Shunsuke Kurihara. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1999-07-01.

Formation of source/drain from doped glass

Номер патента: AU7257496A. Автор: Mark T Bohr,Farhad Moghadam,Tahir Ghani,Chia-Hong Jan,Ebrahim Andideh,Paul A Packan,Scott E. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-04-28.

MASKLESS METHOD TO REDUCE SOURCE-DRAIN CONTACT RESISTANCE IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20180061956A1. Автор: Lavoie Christian,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

MASKLESS METHOD TO REDUCE SOURCE-DRAIN CONTACT RESISTANCE IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20180083114A1. Автор: Lavoie Christian,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Low Resistance Source Drain Contact Formation

Номер патента: US20170213889A1. Автор: Yeh Chun-chen,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

III-V transistor device with self-aligned doped bottom barrier

Номер патента: US09941363B2. Автор: Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Yanning Sun,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for decreasing contact resistance of source/drain electrodes

Номер патента: US20040198046A1. Автор: HSU Min-ching,Lee Yu-Chou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2004-10-07.

Simultaneous Formation of Source/Drain Openings with Different Profiles

Номер патента: US20160155672A1. Автор: Chen Chao-Cheng,CHEN Ryan Chia-Jen,Liu Eric Chih-Fang,Thitinun Srisuda,Wu Dai-Lin. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

High-selectivity wet patterning of source-drain electrodes over taos for a bce device structure

Номер патента: US20140264155A1. Автор: Sun Zhi-Wen Wen,Van Duren Jeroen. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

Selective NFET/PFET Recess of Source/Drain Regions

Номер патента: US20200185278A1. Автор: Chen Chien-An,WANG Peng,Lin Huan-Just,Chen Huang-Ming,Wang Guan-Ren,Chang Yun-Min. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

SELECTIVE NFET/PFET RECESS OF SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20190333820A1. Автор: Chen Chien-An,WANG Peng,Lin Huan-Just,Chen Huang-Ming,Wang Guan-Ren,Chang Yun-Min. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: WO2024064567A3. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: US20240096698A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Gate and source/drain contact structures for a semiconductor device

Номер патента: US20160268415A1. Автор: Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: WO2024064567A2. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate and source/drain contact structures for a semiconductor device

Номер патента: US09478662B2. Автор: Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: EP4409627A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: US12107132B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

III-V layers for n-type and p-type MOS source-drain contacts

Номер патента: US09705000B2. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Field effect transistor with backside source/drain contact

Номер патента: US20240153990A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RECESSED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND A GATE CONTACT POSITIONED ABOVE THE ACTIVE REGION

Номер патента: US20190088742A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

SOURCE/DRAIN CONTACT WITH LOW-K CONTACT ETCH STOP LAYER AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20220285513A1. Автор: Lin Da-Wen,LIN Chia-Pin,LEE Wei-Yang,Chen Ting-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES HAVING GATE CONTACTS FORMED IN ACTIVE REGION OVERLAPPING SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20190157404A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RECESSED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND A GATE CONTACT POSITIONED ABOVE THE ACTIVE REGION

Номер патента: US20190296108A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

GATE CONTACT OVER ACTIVE REGION WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200321244A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Fan Su Chen,CHI Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

METHOD OF FORMING A GATE CONTACT STRUCTURE AND SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170373161A1. Автор: Schroeder Uwe Paul. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming source/drain contact

Номер патента: US9799567B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Transistor having wrap-around source/drain contacts

Номер патента: US20230275152A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20160118303A1. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

System and Method for Source/Drain Contact Processing

Номер патента: US20120211807A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Nan Yeh,Cheng-Hung Chang,Yu-Rung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: US20130193494A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-08-01.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20130256767A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Joshi Sabhash M.,Chun Jin-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20220028983A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Fang Ting,Cai Chung-Hao,Lin Ruei-Ping,Yao Jason. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

TECHNIQUES FOR INTEGRATION OF GE-RICH P-MOS SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20170012124A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Mistkawi Nabil G.,PANG YING. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-12.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20180061715A1. Автор: Hsieh Hung-Chang,LIN Yu-Hsien,CHEN Jhun Hua,Kuo Ming-Jhih. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Methods of Forming Source/Drain Contacts in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20200058744A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Wang Sheng-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20190067130A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

VERTICAL FINFET WITH IMPROVED TOP SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190067474A1. Автор: WONG Chun Yu,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of Forming Source/Drain Contacts in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20210074819A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Wang Sheng-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

METHODS OF FORMING AIR GAPS BETWEEN SOURCE/DRAIN CONTACTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20200075715A1. Автор: Pandey Shesh Mani,Xie Ruilong,Zang Hui,Kamineni Vimal. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

NANOSHEET FET INCLUDING ALL-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200075772A1. Автор: Xu Peng,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200083118A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200083119A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Source/Drain Contact Having a Protruding Segment

Номер патента: US20210098468A1. Автор: Wang Ping-Wei,Yang Fu-Kai,CHEN Jui-Lin,Chang Chao-Yuan,Fang Ting,Wu I-Wen,Lin Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20160118303A1. Автор: Hsieh Hung-Chang,LIN Yu-Hsien,CHEN Jhun Hua,Kuo Ming-Jhih. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Source/Drain Contact Having a Protruding Segment

Номер патента: US20220181332A1. Автор: Wang Ping-Wei,Yang Fu-Kai,CHEN Jui-Lin,Chang Chao-Yuan,Fang Ting,Wu I-Wen,Lin Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

TRANSISTOR SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20220181460A1. Автор: Sell Bernhard,Baran Andre,Wang Pei-hua,Ku Chieh-jen,Souther Kendra. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20170117279A1. Автор: Cheng Kangguo,Alptekin Emre,Ponoth Shom S.,Pranatharthiharan Balasubramanian,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20190115262A1. Автор: Hsieh Hung-Chang,LIN Yu-Hsien,CHEN Jhun Hua,Kuo Ming-Jhih. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

FINFET HAVING UPPER SPACERS ADJACENT GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20200119000A1. Автор: Xu Guowei,WANG Haiting,Zang Hui,Beasor Scott. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20190131411A1. Автор: Chew Soon Aik,Demuynck Steven. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

EPITAXIAL STRUCTURE FOR SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20220293760A1. Автор: Tsai Pang-Yen,WANG Sung-Li,Shih Ding-Kang,HUNG Tsungyu,CHU Chia-Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20190165124A1. Автор: Yu Kuo-Feng,PENG Cheng-Yi,TSAI Chun Hsiung,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

THIN FILM TRANSISTORS WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN CONTACT REGIONS

Номер патента: US20190165181A1. Автор: Hekmatshoartabari Bahman,SHAHIDI Ghavam. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH LOW-RESISTANCE BOTTOM SOURCE-DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200176611A1. Автор: Reznicek Alexander,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

TRANSISTOR HAVING CONFINED SOURCE/DRAIN REGIONS WITH WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20210226032A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Bergendahl Marc A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Source/drain contact depth control

Номер патента: US20200203480A1. Автор: Brian J. Greene,Lin Hu,Kai Zhao,Veeraraghavan S. Basker,Daniel Jaeger,Christopher Nassar,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

METHODS OF FORMING A GATE-TO-SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20190214387A1. Автор: Mulfinger George,McArdle Timothy J.,Xie Ruilong,Holt Judson R.,Merbeth Thomas,Aydin Ömür. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

NANOSHEET FET INCLUDING ALL-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190214502A1. Автор: Xu Peng,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

MERGED GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180233585A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-08-16.

Finfets with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20170250266A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

WRAPPED SOURCE/DRAIN CONTACTS WITH ENHANCED AREA

Номер патента: US20180269324A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

WRAPPED SOURCE/DRAIN CONTACTS WITH ENHANCED AREA

Номер патента: US20180269325A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20210366907A1. Автор: CHEN Hou-Yu,HUANG Yu-Xuan,Cheng Chun-Fu,Lee Wei Ju,Liao Yi-Bo. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

TRANSISTOR HAVING WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20200287039A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

FIELD EFFECT DEVICE WITH REDUCED CAPACITANCE AND RESISTANCE IN SOURCE/DRAIN CONTACTS AT REDUCED GATE PITCH

Номер патента: US20180308750A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Liu Chi-chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

III-V LAYERS FOR N-TYPE AND P-TYPE MOS SOURCE-DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20160329431A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-11-10.

FIELD EFFECT DEVICE WITH REDUCED CAPACITANCE AND RESISTANCE IN SOURCE/DRAIN CONTACTS AT REDUCED GATE PITCH

Номер патента: US20190311949A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Liu Chi-chun. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

PERFORMING CONCURRENT DIFFUSION BREAK, GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT CUT ETCH PROCESSES

Номер патента: US20190326177A1. Автор: Xie Ruilong,Yu Hong,Economikos Laertis,WANG Haiting,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20160358916A1. Автор: Cheng Kangguo,Alptekin Emre,Ponoth Shom S.,Pranatharthiharan Balasubramanian,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

WRAPPED SOURCE/DRAIN CONTACTS WITH ENHANCED AREA

Номер патента: US20180350991A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

TITANIUM SILICIDE FORMATION IN A NARROW SOURCE-DRAIN CONTACT

Номер патента: US20150380304A1. Автор: NIIMI Hiroaki,Sung Min Gyu,LIM Kwanyong. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

BACKSIDE SOURCE/DRAIN CONTACTS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220359679A1. Автор: Tsai Ching-Wei,LEE Wei-Yang,Yeo Yee-Chia,Cheng Kuan-Lun,HUANG Yu-Xuan,KUO Chien-I,Lu Wei Hao,Su Li-Li. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Thin film transistors with epitaxial source/drain contact regions

Номер патента: US10090415B1. Автор: Ghavam Shahidi,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Vertical source/drain contact semiconductor

Номер патента: US20020151108A1. Автор: Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Puay Ong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-10-17.

Nanosheet FET including encapsulated all-around source/drain contact

Номер патента: US11011643B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Wrapped source/drain contacts with enhanced area

Номер патента: US10084094B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

The method for being used to form source/drain contact

Номер патента: CN109755120A. Автор: 周顺益,S·德姆恩克. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-05-14.

Vertical source/drain contact semiconductor

Номер патента: US20030006462A1. Автор: Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Puay Ong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Source/drain contact depth control

Номер патента: US20200203480A1. Автор: Brian J. Greene,Lin Hu,Kai Zhao,Veeraraghavan S. Basker,Daniel Jaeger,Christopher Nassar,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device with source/drain contact

Номер патента: US20230335643A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Wen-Che Tsai,Hua-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Raised silicide source/drain MOS transistors having enlarged source/drain contact regions and method

Номер патента: TW480604B. Автор: Sheng Teng Hsu,Keizo Sakiyama. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2002-03-21.

Boron doping of semiconductors

Номер патента: CA1061100A. Автор: James E. Rapp. Владелец: Owens Illinois Inc. Дата публикации: 1979-08-28.

Method for isotropic doping of a non-planar surface exposed in a void

Номер патента: US20080145994A1. Автор: S. Brad Herner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Selective Area Diffusion Doping of III-N Materials

Номер патента: US20240120201A1. Автор: Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Mona A. Ebrish,Travis J. Anderson,Alan G. Jacobs. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-04-11.

Monolithically integrated lateral bipolar device with self-aligned doped regions

Номер патента: WO2023161389A1. Автор: Edward John Coyne. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of reducing junction capacitance of source/drain region

Номер патента: US6383883B1. Автор: Kuan-Cheng Su,Yao-Chin Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-07.

Method of Reducing the Heights of Source-Drain Sidewall Spacers of FinFETs Through Etching

Номер патента: US20160093705A1. Автор: Lee Jam-Wem,Chang Yi-Feng,Tsai Tsung-Che. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Controlling the Shape of Source/Drain Regions in FinFETs

Номер патента: US20150137183A1. Автор: Su Chien-Chang,Chen Kuan-Yu,KWOK Tsz-Mei,SUNG Hsueh-Chang,LIN Hsien-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Vertical power electronic device of source-drain composite field plate

Номер патента: CN107170795B. Автор: 郝跃,毛维,杜鸣,张金风,丛冠宇. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-04-14.

The forming method of source/drain and the forming method of semiconductor devices

Номер патента: CN107658227A. Автор: 颜强,谭俊,黄秋铭. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-02.

Source/drain contact landing

Номер патента: US20230395721A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Source/drain contact plugs for multi-channel field-effect transistors

Номер патента: EP4362102A1. Автор: Jinbum Kim,Gyeom KIM,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

MOSFET gate and source/drain contact metallization

Номер патента: US8809174B2. Автор: Chih-Chao Yang,Soon-Cheon Seo,Bruce B. Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Mosfet gate and source/drain contact metallization

Номер патента: US20140027865A1. Автор: Chih-Chao Yang,Soon-Cheon Seo,Bruce B. Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

III-V LAYERS FOR N-TYPE AND P-TYPE MOS SOURCE-DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20130285155A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130307082A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

MOSFET GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT METALLIZATION

Номер патента: US20140027865A1. Автор: Yang Chih-Chao,Doris Bruce B.,Seo Soon-Cheon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-30.

III-V LAYERS FOR N-TYPE AND P-TYPE MOS SOURCE-DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20160027781A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-01-28.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND RELIABILITY

Номер патента: US20170033227A1. Автор: Yu Gang,Xiao Tian,Shieh Chan-Long,Foong Fatt. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND RELIABILITY

Номер патента: US20160056297A1. Автор: Yu Gang,Xiao Tian,Shieh Chan-Long,Foong Fatt. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20140151694A1. Автор: Yu Gang,Foong Fatt,Shieh Chan- Long. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACT FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200075775A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Source/Drain Contacts for Semiconductor Devices and Methods of Forming

Номер патента: US20210098583A1. Автор: Tsai Ching-Wei,Cheng Kuan-Lun,Chung Cheng-Ting,HUANG Yu-Xuan,Liao Yi-Bo. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20160111532A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-04-21.

Protective Liner for Source/Drain Contact to Prevent Electrical Bridging While Minimizing Resistance

Номер патента: US20220278211A1. Автор: CHEN Jyh-Huei,Tsai Kuo-Chiang,Lin Hsin-Huang. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

NON-PLANAR FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20190165118A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

DEVICES FORMED BY PERFORMING A COMMON ETCH PATTERNING PROCESS TO FORM GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT OPENINGS

Номер патента: US20160190263A1. Автор: Taylor William J.,Xie Ruilong,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURES FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160268415A1. Автор: Labonte Andre,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

METHODS OF FORMING DOPED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20180261696A1. Автор: Murthy Anand,Kim Seiyon,JAMBUNATHAN KARTHIK,GLASS Glenn,Mohapatra Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

NON-PLANAR FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20190273143A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

MERGED GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150340467A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

HEMT with epitaxial narrow bandgap source/drain contacts isolated from wide bandgap layer

Номер патента: US4714948A. Автор: Takashi Mimura,Satoshi Hiyamizu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-12-22.

Integrated circuit structure including multi-length source/drain contacts

Номер патента: US20230378177A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit structure including multi-length source/drain contacts

Номер патента: US11791337B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Single and double gate field effect transistors with sidewall source-drain contacts

Номер патента: TW372357B. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Paul Michael Solomon. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1999-10-21.

Tunable doping of carbon nanotubes through engineered atomic layer deposition

Номер патента: US11832458B2. Автор: Christian Lau,Max SHULAKER. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-28.

Remote n-doping of organic thin film transistors

Номер патента: TW201205912A. Автор: Wei Zhao,Stephen Barlow,Seth Marder,Antoine Kahn,ya-bing Qi. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for p-type doping of silicon carbide by al/be co-implantation

Номер патента: EP3602609A1. Автор: Giovanni ALFIERI,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-02-05.

Method and apparatus for optically characterizing the doping of a substrate

Номер патента: US20100012031A1. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Zincating and doping of metal liner for liner passivation and adhesion improvement

Номер патента: US20210166971A1. Автор: Yezdi Dordi,Dries Dictus,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods for conformal doping of three dimensional structures

Номер патента: SG11202008998VA. Автор: Yi Yang,Rui CHENG,Karthik Janakiraman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Zincating and doping of metal liner for liner passivation and adhesion improvement

Номер патента: US11984354B2. Автор: Yezdi Dordi,Dries Dictus,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Doping of metal barrier layers

Номер патента: WO2021225884A1. Автор: FENG CHEN,Lu Chen,Gang Shen,Xianmin Tang,Tae Hong Ha,Christina L. Engler. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods for Conformal Doping of Three Dimensional Structures

Номер патента: US20210175070A1. Автор: Yi Yang,Rui CHENG,Karthik Janakiraman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Methods for Conformal Doping of Three Dimensional Structures

Номер патента: US20210175070A1. Автор: Yang Yi,JANAKIRAMAN Karthik,Cheng Rui. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

Doping of High-K Dielectric Oxide by Wet Chemical Treatment

Номер патента: US20160181108A1. Автор: Kelly Andrew Joseph,Oniki Yusuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

METHOD FOR MODIFYING THE DOPING OF A SILICON LAYER

Номер патента: FR2739491B1. Автор: Alexander Kalnitsky,Arnaud Lepert. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-12-12.

METHOD FOR MODIFYING THE DOPING OF A SILICON LAYER

Номер патента: FR2739491A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Arnaud Lepert. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1997-04-04.

Tantalum nitride for the doping of copper barrier layer application

Номер патента: CN103959443B. Автор: 张梅,安娜马莱·雷克什马南,保尔·F·马,珍妮弗·山. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-09.

Electrochemical doping of conjugated polymers

Номер патента: US4321114A. Автор: Alan J. Heeger,Alan G. MacDiarmid,Paul J. Nigrey. Владелец: University Patents Inc. Дата публикации: 1982-03-23.

Laterally-graded doping of materials

Номер патента: US20160149018A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee,Kamal Raj Varadarajan,Wayne B. Grabowski,Kuo-Chang Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Laterally-graded doping of materials

Номер патента: US09768274B2. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee,Kamal Raj Varadarajan,Wayne B. Grabowski,Kuo-Chang Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Thermal doping of materials

Номер патента: US09620667B1. Автор: Nathaniel R Quick,Michael C Murray. Владелец: Applicote Associates LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Thermal diffusion doping of diamond

Номер патента: US20170298534A1. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-19.

Thermal diffusion doping of diamond

Номер патента: US09850594B2. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-12-26.

Thermal diffusion doping of diamond

Номер патента: US20160097145A1. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-04-07.

Degenerate doping of semiconductor materials

Номер патента: US3145123A. Автор: John C Marinace. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1964-08-18.

Ultra-high pressure doping of materials

Номер патента: US09601641B1. Автор: Nathaniel R Quick,Michael C Murray. Владелец: Applicote Associates LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Direct gas-phase doping of semiconductor wafers using an organic dopant source of phosphorus

Номер патента: US5641707A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-06-24.

Method of selected area doping of compound semiconductors

Номер патента: US4470192A. Автор: David L. Miller. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1984-09-11.

Method of spatially selective laser-assisted doping of a semiconductor

Номер патента: US7799666B1. Автор: Paul Wickboldt,Nicholas A. Doudoumopoulos,C. Paul Christensen. Владелец: Potomac Photonics Inc. Дата публикации: 2010-09-21.

Semiconductor processing technique for oxygen doping of silicon

Номер патента: US4490182A. Автор: Peter D. Scovell. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1984-12-25.

Thermal diffusion doping of diamond

Номер патента: US9605359B2. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-03-28.

Doping of semiconductor wafer by quick heat treatment of solid flat diffusion source

Номер патента: JPS6293927A. Автор: ロナルド・エー・パウエル. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1987-04-30.

DOPING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE THROUGH CARBONLESS PHOSPHOROUS-CONTAINING LAYER

Номер патента: US20130295754A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Farmer Damon,Sekaric Lidija. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

APPARATUS AND METHOD FOR NEUTRON TRANSMUTATION DOPING OF SEMICONDUCTOR WAFERS

Номер патента: US20200005957A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Schustereder Werner,Bina Markus. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

DOPING OF A SUBSTRATE VIA A DOPANT CONTAINING POLYMER FILM

Номер патента: US20160035572A1. Автор: III Peter,Trefonas,Segalman Rachel A.,Heitsch Andrew T.,Popere Bhooshan C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

DOPING OF A SUBSTRATE VIA A DOPANT CONTAINING POLYMER FILM

Номер патента: US20150056793A1. Автор: Javey Ali,III Peter,Trefonas,Segalman Rachel A.,TAKEI KUNIHARU,Hoarfrost Megan L.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

PHOSPHORUS AND ARSENIC DOPING OF SEMICONDUCTOR MATERIALS

Номер патента: US20150111372A1. Автор: Loh Wei-Yip,Lee Rinus Tek Po,TIECKELMANN Robert. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2015-04-23.

LATERALLY-GRADED DOPING OF MATERIALS

Номер патента: US20160149018A1. Автор: Banerjee Sujit,Parthasarathy Vijay,Varadarajan Kamal Raj,Grabowski Wayne B.,Yang Kuo-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

DOPING OF A SUBSTRATE VIA A DOPANT CONTAINING POLYMER FILM

Номер патента: US20170194150A1. Автор: III Peter,Trefonas,Segalman Rachel A.,Heitsch Andrew T.,Popere Bhooshan C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

LIQUID DOPING MEDIA FOR THE LOCAL DOPING OF SILICON WAFERS

Номер патента: US20160218185A1. Автор: Koehler Ingo,Doll Oliver,Barth Sebastian. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2016-07-28.

PROCESS FOR MOLECULAR LAYER DOPING OF GERMANIUM SUBSTRATES

Номер патента: US20160240381A1. Автор: Long Brenda,Holmes Justin,Duffy Ray. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Variable Doping Of Solar Cells

Номер патента: US20140342471A1. Автор: Nicholas P.T. Bateman,Manav Sheoran. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

APPARATUS AND METHOD FOR NEUTRON TRANSMUTATION DOPING OF SEMICONDUCTOR WAFERS

Номер патента: US20180308698A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Schustereder Werner,Bina Markus. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

LASER DOPING OF SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20170365734A1. Автор: Koehler Ingo,Doll Oliver,Barth Sebastian. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for laser doping of solids with a line-focused laser beam

Номер патента: DE102004036220B4. Автор: Ainhoa Esturo-Breton,Jurgen Kohler,Jürgen H. Werner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-02.

Irradiation doping of (semi-) conductors - giving P p or n layers esp. on silicon or germanium

Номер патента: FR2273588A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-01-02.

Structure and method for doping of III-V compounds

Номер патента: EP1217665A3. Автор: Richard W. Streater,Anthony Springthorpe,Aniket Joshi. Владелец: Nortel Networks Ltd. Дата публикации: 2003-05-14.

Doping of semiconductor fin devices

Номер патента: US20060234431A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang,Hao-Yu Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Ping-Wei Wang. Дата публикации: 2006-10-19.

Doping of semiconductor surfaces

Номер патента: US3532563A. Автор: Milton Genser. Владелец: Individual. Дата публикации: 1970-10-06.

Photonuclear transmutation doping of semiconductors

Номер патента: EP0238206A1. Автор: David James Sorley Findlay. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1987-09-23.

PROCESS FOR THE SELECTIVE DOPING OF A SEMICONDUCTOR BODY

Номер патента: DE2737912A1. Автор: Wojciech Rosnowski. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-03-02.

Method for ex-situ phosphorus doping of TopCon solar cell

Номер патента: CN111128697A. Автор: 韩大伟. Владелец: Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

Doping of gallium nitride by solid source diffusion and resulting gallium nitride structures

Номер патента: US20050211999A1. Автор: Gerald Negley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Increasing doping of well compensating dopant region according to increasing gate length

Номер патента: US20060154428A1. Автор: Omer Dokumaci. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Doping of semiconductor fin devices

Номер патента: US8053839B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang,Hao-Yu Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-11-08.

Increasing doping of well compensating dopant region according to increasing gate length

Номер патента: TW200636874A. Автор: Omer H Dokumaci. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-10-16.

Method for realizing N-type doping of electron transport material based on inert metal and application thereof

Номер патента: CN109524571B. Автор: 段炼,宾正杨. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-05-14.

Doping of carbon nanotube films for the fabrication of transparent electrodes

Номер патента: TW201123517A. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S Tulevski. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2011-07-01.

Plasma doping of gap fill materials

Номер патента: US12040182B2. Автор: SHU QIN,Santanu Sarkar,Yongjun Jeff Hu,Jay Steven Brown,Farrell Martin Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Plasma doping of gap fill materials

Номер патента: US20230044518A1. Автор: SHU QIN,Santanu Sarkar,Yongjun Jeff Hu,Jay Steven Brown,Farrell Martin Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Plasma doping of gap fill materials

Номер патента: US20210202243A1. Автор: SHU QIN,Santanu Sarkar,Yongjun Jeff Hu,Jay Steven Brown,Farrell Martin Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Doping of a substrate via a dopant containing polymer film

Номер патента: US09576799B2. Автор: Andrew T. Heitsch,Peter Trefonas, III,Rachel A. Segalman,Bhooshan C. Popere. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-02-21.

Amphoteric p-type and n-type doping of group iii-vi semiconductors with group-iv atoms

Номер патента: US20200312660A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2020-10-01.

P-doping of group-iii-nitride buffer layer structure on a heterosubstrate

Номер патента: US20180331187A1. Автор: Stephan Lutgen,Ashay Chitnis,Saad MURAD. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2018-11-15.

CVD reactor and method for nanometric delta doping of diamond

Номер патента: US09922823B1. Автор: James E Butler. Владелец: Euclid Techlabs LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

P-doping of group-iii-nitride buffer layer structure on a heterosubstrate

Номер патента: US20170077242A1. Автор: Stephan Lutgen,Ashay Chitnis,Saad MURAD. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2017-03-16.

P-doping of group-iii-nitride buffer layer structure on a heterosubstrate

Номер патента: US20170373156A1. Автор: Stephan Lutgen,Ashay Chitnis,Saad MURAD. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2017-12-28.

P-doping of group-III-nitride buffer layer structure on a heterosubstrate

Номер патента: EP2767620B1. Автор: Stephan Lutgen,Ashay Chitnis,Saad MURAD. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2024-10-09.

P-doping of group-III-nitride buffer layer structure on a heterosubstrate

Номер патента: US09786744B2. Автор: Stephan Lutgen,Ashay Chitnis,Saad MURAD. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and Apparatus for the Continuous Doping of Semiconductor Materials

Номер патента: GB1156615A. Автор: . Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1969-07-02.

Proximity doping of multilayered amorphous semiconductors

Номер патента: CA1222070A. Автор: J. Thomas Tiedje,Benjamin Abeles. Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1987-05-19.

Method of the boron doping of silicon bodies

Номер патента: CA1125440A. Автор: Marian Briska,Klaus P. Thiel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-06-08.

Method of making enhancement-mode and depletion-mode IGFETS using selective doping of a gate material

Номер патента: US5885874A. Автор: Mark I. Gardner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-03-23.

Method of fabricating semiconductor by nitrogen doping of silicon film

Номер патента: WO2004032196A2. Автор: Michael Kountz,George Engle,Steven Evers. Владелец: Pan Jit Americas, Inc.. Дата публикации: 2004-04-15.

Method of in-situ doping of deposited silicon

Номер патента: EP0429885A2. Автор: Thomas E. Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-06-05.

Doping of silicon or germanium crystals with antimony and or bismuth

Номер патента: GB1307036A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-02-14.

A method of controlled n-doping of group iii-v materials grown on (111) si

Номер патента: US20220259758A1. Автор: Renato Bugge,Geir MYRVÅGNES. Владелец: Integrated Solar Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

A method of controlled n-doping of group III-V materials grown on (111) Si

Номер патента: AU2020312168A1. Автор: Renato Bugge,Geir MYRVÅGNES. Владелец: Integrated Solar Technologies Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

A method of controlled n-doping of group iii-v materials grown on (111) si

Номер патента: CA3144807A1. Автор: Renato Bugge,Geir MYRVÅGNES. Владелец: Integrated Solar Technologies Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Mix doping of a semi-insulating group iii nitride

Номер патента: EP4254506A2. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

N-type doping of zinc telluride

Номер патента: WO2012106614A1. Автор: Ludovic Godet,Anthony Renau,Xianfeng Lu. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-08-09.

P-doping of group-iii-nitride buffer layer structure on a heterosubstrate

Номер патента: WO2014125092A1. Автор: Stephan Lutgen,Ashay Chitnis,Saad MURAD. Владелец: TARKOTTA, Gunter. Дата публикации: 2014-08-21.

Mix doping of a semi-insulating group iii nitride

Номер патента: EP4254506A3. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Cvd reactor and method for nanometric delta doping of diamond

Номер патента: US20180068850A1. Автор: James E Butler. Владелец: Euclid Techlabs LLC. Дата публикации: 2018-03-08.

P-doping of group-III-nitride buffer layer structure on a heterosubstrate

Номер патента: US9496349B2. Автор: Stephan Lutgen,Ashay Chitnis,Saad MURAD. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2016-11-15.

N-type doping of zinc telluride

Номер патента: US20120202341A1. Автор: Ludovic Godet,Anthony Renau,Xiangfeng LU. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

DOPING OF DIELECTRIC LAYERS

Номер патента: US20130217243A1. Автор: Ingle Nitin K.,Mallick Abhijit Basu,Underwood Brian S.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-08-22.

ELECTROCHEMICAL DOPING OF THIN METAL LAYERS EMPLOYING UNDERPOTENTIAL DEPOSITION AND THERMAL TREATMENT

Номер патента: US20200063256A1. Автор: Dordi Yezdi,Venkatraman Kailash,JOI Aniruddha. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

CVD REACTOR AND METHOD FOR NANOMETRIC DELTA DOPING OF DIAMOND

Номер патента: US20180068850A1. Автор: Butler James E. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

ELECTROCHEMICAL DOPING OF THIN METAL LAYERS EMPLOYING UNDERPOTENTIAL DEPOSITION AND THERMAL TREATMENT

Номер патента: US20190078202A1. Автор: Dordi Yezdi,Venkatraman Kailash,JOI Aniruddha. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

THERMAL DIFFUSION DOPING OF DIAMOND

Номер патента: US20160097145A1. Автор: Ma Zhenqiang,Seo Jung-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Methods to Control SiO2 Etching During Fluorine Doping of Si/SiO2 Interface

Номер патента: US20150140836A1. Автор: Niyogi Sandip. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2015-05-21.

ZINCATING AND DOPING OF METAL LINER FOR LINER PASSIVATION AND ADHESION IMPROVEMENT

Номер патента: US20210166971A1. Автор: Dordi Yezdi,DICTUS Dries,JOI Aniruddha. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

PLASMA DOPING OF GAP FILL MATERIALS

Номер патента: US20210202243A1. Автор: Qin Shu,Hu Yongjun Jeff,Sarkar Santanu,Brown Jay Steven,Good Farrell Martin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-01.

Plasma Doping Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20140273524A1. Автор: Xia Li-Qun,LI NING,Nguyen Victor,HILKENE MARTIN A.,SCOTNEY-CASTLE MATTHEW D.,Balseanu Mihaela. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

METAL DOPING OF AMORPHOUS CARBON AND SILICON FILMS USED AS HARDMASKS IN SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS

Номер патента: US20160225632A1. Автор: Reddy Sirish,Shaikh Fayaz,Hollister Alice. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

DOPING OF METAL BARRIER LAYERS

Номер патента: US20210351072A1. Автор: HA TAE HONG,Chen Lu,Chen Feng,TANG XIANMIN,Shen Gang,Engler Christina L.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-11-11.

THERMAL DIFFUSION DOPING OF DIAMOND

Номер патента: US20170298534A1. Автор: Ma Zhenqiang,Seo Jung-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

AMPHOTERIC P-TYPE AND N-TYPE DOPING OF GROUP III-VI SEMICONDUCTORS WITH GROUP-IV ATOMS

Номер патента: US20200312660A1. Автор: Razeghi Manijeh. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Linearity and Lateral Isolation in a BiCMOS Process Through Counter-Doping Of Epitaxial Silicon Region

Номер патента: US20180323186A1. Автор: Hurwitz Paul D.,Preisler Edward J.,Moen Kurt A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

PHOSPHORUS INCORPORATION FOR N-TYPE DOPING OF DIAMOND WITH (100) AND RELATED SURFACE ORIENTATION

Номер патента: US20170330746A1. Автор: Chowdhury Srabanti,Nemanich Robert J.,Koeck Franz A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

DOPING OF ZrO2 FOR DRAM APPLICATIONS

Номер патента: US20160343795A1. Автор: Cameron Thomas M.,Xu Chongying,Hunks William,Peters David W.,Cissell Julie. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2016-11-24.

P-DOPING OF GROUP-III-NITRIDE BUFFER LAYER STRUCTURE ON A HETEROSUBSTRATE

Номер патента: US20180331187A1. Автор: Lutgen Stephan,MURAD Saad,CHITNIS Ashay. Владелец: AZURSPACE Solar Power GMBH. Дата публикации: 2018-11-15.

P-DOPING OF GROUP-III-NITRIDE BUFFER LAYER STRUCTURE ON A HETEROSUBSTRATE

Номер патента: US20150357419A1. Автор: Lutgen Stephan,MURAD Saad,CHITNIS Ashay. Владелец: AZURSPACE Solar Power GMBH. Дата публикации: 2015-12-10.

P-DOPING OF GROUP-III-NITRIDE BUFFER LAYER STRUCTURE ON A HETEROSUBSTRATE

Номер патента: US20170373156A1. Автор: Lutgen Stephan,MURAD Saad,CHITNIS Ashay. Владелец: AZURSPACE Solar Power GMBH. Дата публикации: 2017-12-28.

Treatment And Doping Of Barrier Layers

Номер патента: US20190385908A1. Автор: LI RUI,TANG XIANMIN,YOSHIDOME GOICHI,XIE Xiangjin,ALLEN ADOLPH M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Doping of zro2 for dram applications

Номер патента: WO2012005957A3. Автор: Chongying Xu,Thomas M. Cameron,Julie Cissell,William Hunks. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

DOPING OF CADMIUM TELLURIDE CRYSTALS

Номер патента: DE2307510A1. Автор: Richard Oman Bell,Fritz Veit Wald. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1973-10-04.

Method for doping of transition metal dichalcogenide

Номер патента: KR102509798B1. Автор: 김지현,김중헌,박현익. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-03-14.

Doping of ZrO2 for DRAM applications

Номер патента: US9373677B2. Автор: Chongying Xu,Thomas M. Cameron,David W. Peters,Julie Cissell,William Hunks. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Nitrogen doping of FSG layer

Номер патента: US20020133258A1. Автор: Peter Chen,Christopher Ngai,Christopher Bencher,Joe Feng. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Mix doping of a semi-insulating Group III nitride

Номер патента: US9306009B2. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Laser doping of semiconductors

Номер патента: WO2016107661A1. Автор: Oliver Doll,Ingo Koehler,Sebastian Barth. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of P-Type Doping of Cadmium Telluride

Номер патента: US20140248738A1. Автор: Scott Feldman-Peabody,John Anthony Deluca. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Zener diode made without doping of semiconductor material

Номер патента: US3551757A. Автор: Ib Knud Kristensen. Владелец: Danfoss AS. Дата публикации: 1970-12-29.

Method for the preparation and doping of highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films

Номер патента: US5385862A. Автор: Theodore D. Moustakas. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1995-01-31.

GROUP-V DOPING OF GaAs-BASED LAYERS TO IMPROVE RADIATION TOLERANCE OF SOLAR CELLS

Номер патента: US20150171254A1. Автор: FETZER Christopher M.,Boisvert Joseph C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Method of P-Type Doping of Cadmium Telluride

Номер патента: US20140248738A1. Автор: Feldman-Peabody Scott,DeLuca John Anthony. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2014-09-04.

DOPING OF SELECTOR AND STORAGE MATERIALS OF A MEMORY CELL

Номер патента: US20180182958A1. Автор: LENGADE SWAPNIL A.,GOTTI ANDREA,Collins Dale W.,GEALY Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

ELECTROSTATIC DOPING OF A LAYER OF A CONDUCTIVE OR NON-CONDUCTIVE MATERIAL

Номер патента: US20180215658A1. Автор: Paradisi Andréa,SHUKLA Abhay,BISCARAS Johan. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

DOPING OF COPPER WIRING STRUCTURES IN BACK END OF LINE PROCESSING

Номер патента: US20150255397A1. Автор: EDELSTEIN Daniel C.,Simon Andrew H.,Dyer Thomas W.,Tseng Wei-Tsu,Ko Tze-man. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Doping of selector and storage materials of a memory cell

Номер патента: US20180337329A1. Автор: Dale W. Collins,Andrea Gotti,Daniel Gealy,Swapnil A. Lengade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Use of heterocyclic radicals for doping of organic semiconductors

Номер патента: EP1837927A1. Автор: Olaf Zeika,Michael Limmert,André Grüssing,Andrea Lux,Horst Hartmann,Ansgar Werner. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2007-09-26.

Doping of semiconductor layer for improved efficiency of semiconductor structures

Номер патента: US20100279493A1. Автор: Anders Olsson,Kishore Kamath,Alan R. Davies. Владелец: Abound Solar Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Method for angular doping of source and drain regions for odd and even NAND blocks

Номер патента: US8163622B2. Автор: Shinji Sato,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-04-24.

Group V doping of GaAs-based layers to improve radiation tolerance of solar cells

Номер патента: EP2713408A2. Автор: Joseph Charles Boisvert,Christopher M Fetzer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-04-02.

Doping of selector and storage materials of a memory cell

Номер патента: US10008665B1. Автор: Dale W. Collins,Andrea Gotti,Daniel Gealy,Swapnil A. Lengade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Doping of lead-free solder alloys and structures formed thereby

Номер патента: WO2010074956A3. Автор: Charan Gurumurthy,Mengzhi Pang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-08-26.

Method of p-type doping of cadmium telluride

Номер патента: US9093600B2. Автор: Scott Feldman-Peabody,John Anthony Deluca. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2015-07-28.

Method of p-type doping of cadmium telluride

Номер патента: US20110143492A1. Автор: Scott Feldman-Peabody,John Anthony Deluca. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2011-06-16.

Process for the controlled doping of thin semiconductor layers made of A B compounds by diffusion of the dopants

Номер патента: DE1263715C2. Автор: . Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1974-06-27.

DOPING OF ZrO2 FOR DRAM APPLICATIONS

Номер патента: US20130122722A1. Автор: Cameron Thomas M.,Xu Chongying,Hunks William,Peters David W.,Cissell Julie. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

PROCESS FOR PARTICLE DOPING OF SCATTERING SUPERSTRATES

Номер патента: US20130133739A1. Автор: "OMalley Shawn Michael",Schneider Vitor Marino,Kohnke Glenn Eric. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-30.

METHODS FOR GROUP V DOPING OF PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20210036178A1. Автор: Xiong Gang,Lu Dingyuan,Grover Sachit,Malik Roger. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

P-DOPING OF GROUP-III-NITRIDE BUFFER LAYER STRUCTURE ON A HETEROSUBSTRATE

Номер патента: US20170077242A1. Автор: Lutgen Stephan,MURAD Saad,CHITNIS Ashay. Владелец: AZURSPACE Solar Power GMBH. Дата публикации: 2017-03-16.

In-Situ Doping of Arsenic for Source and Drain Epitaxy

Номер патента: US20150137198A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin,Tsai Ji-Yin,Huang Yao-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

REMOTE DOPING OF ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20140231765A1. Автор: Zhao Wei,Marder Seth R.,Qi Yabing,Barlow Stephen,Kahn Antoine. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

MIX DOPING OF A SEMI-INSULATING GROUP III NITRIDE

Номер патента: US20140239308A1. Автор: Sriram Saptharishi,Hallin Christer. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

MEMRISTIVE DEVICE BASED ON ALKALI-DOPING OF TRANSITIONAL METAL OXIDES

Номер патента: US20180205011A1. Автор: Newns Dennis M.,GERSHON TALIA S.,Singh Saurabh,Brew Kevin W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

N-DOPING OF ORGANIC SEMICONDUCTORS BY BIS-METALLOSANDWICH COMPOUNDS

Номер патента: US20140302635A1. Автор: GUO SONG,Marder Seth,Qi Yabing,KIM Sang Bok,Barlow Stephen,Kahn Antoine,Mohapatra Swagat K.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

CONTROLLING THE STOICHIOMETRY AND DOPING OF SEMICONDUCTOR MATERIALS

Номер патента: US20150221810A1. Автор: Burst James,Duenow Joel,Albin David,Colegrove Eric,METZGER Wyatt,FARRELL Stuart. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

DOPING OF OTHER POLYMERS INTO ORGANIC SEMI-CONDUCTING POLYMERS

Номер патента: US20200212304A1. Автор: LI YANG,He Mingqian,Niu Weijun,Matthews James Robert,Mehrotra Karan,Wallace Arthur Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

BORON, BISMUTH CO-DOPING OF GALLIUM ARSENIDE AND OTHER COMPOUNDS FOR PHOTONIC AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20150263209A1. Автор: Mascarenhas Angelo. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

DOPING MEDIA FOR THE LOCAL DOPING OF SILICON WAFERS

Номер патента: US20150340541A1. Автор: Koehler Ingo,Doll Oliver,Barth Sebastian. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2015-11-26.

P-TYPE DOPANT AND METHOD FOR P-TYPE DOPING OF A SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20150372160A1. Автор: XU Shuyan,CHAN Chia Sern,LIM Jian Wei Mark. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Doping of particulate semiconductor materials

Номер патента: US7763530B2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2010-07-27.

Process for the selective doping of silicon and silicon substrate treated therewith

Номер патента: DE102008019402A1. Автор: Dirk Habermann. Владелец: Gebrueder Schmid GmbH and Co. Дата публикации: 2009-10-15.

APPARATUS FOR OPTICALLY CHARACTERIZING THE DOPING OF A SUBSTRATE

Номер патента: FR2902575B1. Автор: Laurent Roux,Franck Torregrosa. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2008-09-05.

APPARATUS FOR OPTICALLY CHARACTERIZING THE DOPING OF A SUBSTRATE

Номер патента: FR2902575A1. Автор: Laurent Roux,Franck Torregrosa. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2007-12-21.

Doping of particulate semiconductor materials

Номер патента: ZA200801815B. Автор: Britton David Thomas,Haerting Margit. Владелец: Univ Cape Town. Дата публикации: 2009-10-28.

Process for particle doping of scattering superstrates

Номер патента: TW201234618A. Автор: Vitor Marino Schneider,Shawn Michael O'Malley,Glenn Eric Kohnke. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for the selective doping of silicon

Номер патента: EP2277203B1. Автор: Dirk Habermann. Владелец: Gebrueder Schmid GmbH. Дата публикации: 2012-03-07.

Doping medium for local doping of silicon wafers

Номер патента: JP6383363B2. Автор: ケーラー,インゴ,ドル,オリヴァー,バース,セバスティアン. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2018-08-29.

Method for group v doping of an absorber layer in photovoltaic devices

Номер патента: EP3747057A1. Автор: Gang Xiong,Dingyuan LU,Sachit GROVER,Roger Malik. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2020-12-09.

Solar cell structure with localized doping of cap layer

Номер патента: CN101165925B. Автор: 马克·A·斯坦,保罗·R·夏普斯,阿瑟·科恩费尔德. Владелец: Oncogen LP. Дата публикации: 2010-09-15.

Doping of lead-free solder alloys and structures formed thereby

Номер патента: CN102171803B. Автор: C·古鲁默西,M·庞. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-18.

Method and apparatus for optically characterizing the doping of a substrate

Номер патента: WO2007144514A1. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: ION BEAM SERVICES. Дата публикации: 2007-12-21.

Method for angular doping of source and drain regions for odd and even nand blocks

Номер патента: US20100297823A1. Автор: Shinji Sato,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Doping of iib-via semiconductors during molecular beam epitaxy

Номер патента: EP0475606A3. Автор: Hwa Cheng,Michael A Haase,James M Depuydt,Robert M Park. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 1992-06-17.

Method for the selective doping of silicon and silicon substrate treated therewith

Номер патента: AU2009237980B2. Автор: Dirk Habermann. Владелец: Gebrueder Schmid GmbH. Дата публикации: 2013-06-27.

Doping of FinFET structures

Номер патента: US8796093B1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Methods for group V doping of photovoltaic devices

Номер патента: US11201257B2. Автор: Gang Xiong,Dingyuan LU,Sachit GROVER,Roger Malik. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2021-12-14.

Doping of organic opto-electronic devices to extend reliability

Номер патента: US7179543B2. Автор: Stephen R. Forrest,Brian Wendell D'Andrade,Anna Chwang. Владелец: Universal Display Corp. Дата публикации: 2007-02-20.

Method and apparatus for controlling metal doping of a chalcogenide memory element

Номер патента: US20040211957A1. Автор: John Moore,Terry Gilton,Kristy Campbell. Владелец: Moore John T.. Дата публикации: 2004-10-28.

Memristive device based on alkali-doping of transitional metal oxides

Номер патента: GB201910618D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-11.

Degenerate doping of metallic anodes

Номер патента: US20140113206A1. Автор: Cody A. FRIESEN,Paul B. Johnson,Robert A. Zeller,Elise E. SWITZER. Владелец: FLUIDIC Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Degenerate doping of metallic anodes

Номер патента: EP2909880A1. Автор: Cody A. FRIESEN,Paul B. Johnson,Robert A. Zeller,Elise E. SWITZER. Владелец: FLUIDIC Inc. Дата публикации: 2015-08-26.

Aliovalent multi-cation doping of li-garnet for stabilization of cubic llzo

Номер патента: EP4339160A1. Автор: Yan Wang,Samuel CROSS,Mahdi AMACHRAA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-20.

Large area deposition and doping of graphene, and products including the same

Номер патента: US09418770B2. Автор: Vijayen S. Veerasamy. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Controlling doping of synthetic diamond material

Номер патента: GB201305045D0. Автор: . Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2013-05-01.

Large area deposition and doping of graphene, and products including the same

Номер патента: US8507797B2. Автор: Vijayen S. Veerasamy. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

ALIOVALENT MULTI-CATION DOPING OF Li-GARNET FOR STABILIZATION OF CUBIC LLZO

Номер патента: US20240097184A1. Автор: Yan Wang,Samuel CROSS,Mahdi AMACHRAA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Doping of carbon-based structures for electrodes

Номер патента: US20130330559A1. Автор: Sondra Hellstrom,Michael Vosgueritchian,Zhenan Bao,Myung-Gil Kim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2013-12-12.

Methods and systems for dry surface doping of cathode materials

Номер патента: EP3966884A1. Автор: Yang Shi,Kitae Kim,Derek C. Johnson,Lixin Wang,Bryan Kim,Yingjie XING,Andrew MILLONIG. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2022-03-16.

LARGE AREA DEPOSITION AND DOPING OF GRAPHENE, AND PRODUCTS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130309475A1. Автор: Veerasamy Vijayen S.. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2013-11-21.

DOPING OF CARBON-BASED STRUCTURES FOR ELECTRODES

Номер патента: US20130330559A1. Автор: Kim Myung-Gil,Bao Zhenan,Hellstrom Sondra,Vosgueritchian Michael. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

DEGENERATE DOPING OF METALLIC ANODES

Номер патента: US20140113206A1. Автор: FRIESEN Cody A.,ZELLER Robert A.,JOHNSON Paul B.,SWITZER Elise E.. Владелец: FLUIDIC, INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

NON-UNIFORM DOPING OF PHOTOELECTROCHEMICAL CELL ELECTRODES

Номер патента: US20160194768A1. Автор: Toroker Maytal Caspary,Neufeld Ofer,Yatom Natav. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

METHODS AND SYSTEMS FOR DRY SURFACE DOPING OF CATHODE MATERIALS

Номер патента: US20200358076A1. Автор: Shi Yang,Kim Kitae,Wang Lixin,Kim Bryan,Millonig Andrew,Johnson Derek C.,Xing Yingjie. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Doping of carbon foams for use in energy storage devices

Номер патента: US5358802A. Автор: James L. Kaschmitter,Steven T. Mayer,Richard W. Pekala,Robert L. Morrison. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-10-25.

Latent doping of conducting polymers

Номер патента: US7888427B2. Автор: Shawn P. Williams,Darin W. Laird,Caton C. Goodman,Christopher M. Greco,Jaideep Rajput. Владелец: Plextronics Inc. Дата публикации: 2011-02-15.

Large area deposition and doping of graphene, and products including the same

Номер патента: WO2011016837A1. Автор: Vijayen S. Veerasamy. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2011-02-10.

Homogeneous nanoparticle core doping of cathode material precursors

Номер патента: CA2709229A1. Автор: Jens Paulsen,Robert Ellenwood. Владелец: Robert Ellenwood. Дата публикации: 2009-06-18.

Large area deposition and doping of graphene, and products including the same

Номер патента: PL2584075T3. Автор: Vijayen S. Veerasamy. Владелец: GUARDIAN GLASS, LLC. Дата публикации: 2018-11-30.

Homogeneous nanoparticle core doping of cathode material precursors

Номер патента: EP2238636B1. Автор: Jens Paulsen,Robert Ellenwood. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2011-08-10.

Reversible eletrochemical doping of conjugated polymers,and secondary batteries based thereon

Номер патента: ZA811566B. Автор: A Macdiarmid,A Heeger,P Nigrey. Владелец: University Patents Inc. Дата публикации: 1982-04-28.

Segmented gain-doping of an optical fiber

Номер патента: AU2008213822A1. Автор: Siddharth Ramachandran,David J. DiGiovanni,Samir Ghalmi,Marc Mermelstein. Владелец: Furukawa Electric North America Inc. Дата публикации: 2008-08-14.

Electrochemical doping of polyacetylene

Номер патента: AU537528B2. Автор: Alan J. Heeger,Alan G. MacDiarmid,Paul J. Nigrey. Владелец: University Patents Inc. Дата публикации: 1984-06-28.

Secondary batteries based on reversible electrochemical doping of conjugated polymers

Номер патента: IE51891B1. Автор: . Владелец: University Patents Inc. Дата публикации: 1987-04-29.

Segmented gain-doping of an optical fiber

Номер патента: CN101688948B. Автор: 西达尔斯·拉马钱德兰,戴维·J·迪乔瓦尼,S·格尔米,马克·默梅尔施泰因. Владелец: OFS FITEL LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Large area deposition and doping of graphene, and products including the same

Номер патента: EP2584073A2. Автор: Vijayen S Veerasamy. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2013-04-24.

Latent doping of conducting polymers

Номер патента: TW200726785A. Автор: Jaideep Rajput,Darin W Laird,Shawn P Williams,Caton C Goodman,Christopher M Greco. Владелец: Plextronics Inc. Дата публикации: 2007-07-16.

Controlling doping of synthetic diamond material

Номер патента: GB201121474D0. Автор: . Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Methods and systems for dry surface doping of cathode materials

Номер патента: EP3966884A4. Автор: Yang Shi,Kitae Kim,Derek C. Johnson,Lixin Wang,Bryan Kim,Yingjie XING,Andrew MILLONIG. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2023-07-12.

Co-doping of laser-active glasses

Номер патента: GB9104904D0. Автор: . Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1991-04-24.

Co-doping of laser-active glasses

Номер патента: GB2241949B. Автор: Ludwig Wetenkamp. Владелец: Deutsche Aerospace AG. Дата публикации: 1993-07-28.

Copper doping of eutectic solder

Номер патента: US4938924A. Автор: Thomas Ozaki. Владелец: AG Communication Systems Corp. Дата публикации: 1990-07-03.

Novel Materials for N-Type Doping of the Electron Transporting Layers in Organic Electronic Devices

Номер патента: US20080297035A1. Автор: Andreas Kanitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

System and method for ceramic doping of carbon fiber composite structures

Номер патента: US09822834B2. Автор: Paul Perea. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Oxide-based doping of evaporable getter

Номер патента: EP4345180A1. Автор: John Downs,Mahdi Mohajeri,Dean Eivind Johnson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Oxide-based doping of evaporable getter

Номер патента: US20240100499A1. Автор: John Downs,Mahdi Mohajeri,Dean Eivind Johnson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: US20240112916A1. Автор: Matthew J. Prince,Andrew Arnold,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Chun C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: EP4345869A1. Автор: Matthew Prince,Andrew Arnold,Alison Davis,Chun Kuo,Reza Bayati,Swapnadip Ghosh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Asymmetric source and drain structures in semiconductor devices

Номер патента: US12057503B2. Автор: PENG Wang,Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Contact structures

Номер патента: US20190279910A1. Автор: Stan Tsai,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Liquid Doping Systems And Methods For Controlled Doping of a Melt

Номер патента: US20190136405A1. Автор: Stephan Haringer,Marco D'Angella,Mauro Dioda. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Controlled doping of anodic aluminum oxide for enhanced fluorescence and methods of preparation

Номер патента: US20210262939A1. Автор: Mario Blanco. Владелец: Nanopec Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Doping of silver halide emulsions with group VIB compounds to form improved photoactive grains

Номер патента: US5166045A. Автор: George F. L. Wu. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1992-11-24.

Cleaning and doping of tubulars

Номер патента: WO2002008564A1. Автор: Bernd Reinholdt,Matthias Luecke. Владелец: Harding, Richard, Patrick. Дата публикации: 2002-01-31.

Chalcogenide doping of oxide glasses

Номер патента: CA2373153A1. Автор: Adam J. Ellison,Rostislav R. Khrapko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-11-16.

System and method for nitrogen doping of a glass article

Номер патента: US11891331B2. Автор: Haitao Zhang,Kenneth Edward Hrdina,Ming-Jun Li. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Controlled doping of anodic aluminum oxide for enhanced fluorescence and methods of preparation

Номер патента: US11867633B2. Автор: Mario Blanco. Владелец: Nanopec Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

System and method for nitrogen doping of a glass article

Номер патента: WO2021225801A1. Автор: Haitao Zhang,Kenneth Edward Hrdina,Ming-Jun Li. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2021-11-11.

System and method for nitrogen doping of a glass article

Номер патента: US20210347690A1. Автор: Haitao Zhang,Kenneth Edward Hrdina,Ming-Jun Li. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Electrical doping of iron with chitosan nanoemulsion

Номер патента: US11980937B1. Автор: Zayed M. Ramadan,Mayson H. Alkhatib. Владелец: King Faisal University SA. Дата публикации: 2024-05-14.

Device and method for cleaning or doping of drilling rod element and drilling rig

Номер патента: US20180142523A1. Автор: Stefan Hackl,Pedro DIAS,Manuel OSTERMEIER. Владелец: BAUER Deep Drilling GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Liquid doping systems and methods for controlled doping of a melt

Номер патента: US20180044814A1. Автор: Stephan Haringer,Marco D'Angella,Mauro Dioda. Владелец: SunEdison Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

GAS DOPING SYSTEMS FOR CONTROLLED DOPING OF A MELT OF SEMICONDUCTOR OR SOLAR-GRADE MATERIAL

Номер патента: US20190119827A1. Автор: Haringer Stephan,Scala Roberto,"DAngella Marco". Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

CONTROLLED DOPING OF ANODIC ALUMINUM OXIDE FOR ENHANCED FLUORESCENCE AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20210262939A1. Автор: Blanco Mario. Владелец: Nanopec, Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

GAS DOPING SYSTEMS FOR CONTROLLED DOPING OF A MELT OF SEMICONDUCTOR OR SOLAR-GRADE MATERIAL

Номер патента: US20190345629A1. Автор: Haringer Stephan,Scala Roberto,"DAngella Marco". Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

For the treatment of the fuel dope of the inside deposition thing of fuel injector

Номер патента: CN103602355B. Автор: X.方,S.D.施瓦布,J.M.加兰特-福克斯. Владелец: Afton Chemical Corp. Дата публикации: 2016-04-20.

Production of spinning dope of acrylonitrile polymer containing uniformly dispersed titanium oxide

Номер патента: JPS57167413A. Автор: Toshiyuki Kobashi. Владелец: Japan Exlan Co Ltd. Дата публикации: 1982-10-15.

It is a kind of applied to anti-flaming dope of wood furniture and preparation method thereof

Номер патента: CN107286829A. Автор: 周兰兰. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Gaseous doping of tungsten oxide

Номер патента: US5324537A. Автор: Umar Riaz,James W. Proscia. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1994-06-28.

A kind of Hf of the monatomic doping of noble metal3N4Film and preparation method thereof

Номер патента: CN108342687A. Автор: 张侃,任萍,郑伟涛,文懋. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2018-07-31.

Doping of drilling mud with a mineralogical compound

Номер патента: US20150000978A1. Автор: Chi Vinh LY. Владелец: CGG SERVICES SAS. Дата публикации: 2015-01-01.

LIQUID DOPING SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLED DOPING OF A MELT

Номер патента: US20180044814A1. Автор: Haringer Stephan,"DAngella Marco",Diodà Mauro. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

System and Method for Ceramic Doping of Carbon Fiber Composite Structures

Номер патента: US20180045260A1. Автор: Perea Paul. Владелец: GOODRICH CORPORATION. Дата публикации: 2018-02-15.

DOPING OF ZINC OXIDE PARTICLES FOR SUNSCREEN APPLICATIONS

Номер патента: US20170065506A1. Автор: LI NING,Todorov Teodor K.,GERSHON TALIA S.,Sadana Devendra. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

ANTIOXIDANT DOPING OF CROSSLINKED POLYMERS TO FORM NON-ELUTING BEARING COMPONENTS

Номер патента: US20140148911A1. Автор: SCHROEDER David W.,FREEDMAN Jordan H.. Владелец: BIOMET MANUFACTURING, LLC. Дата публикации: 2014-05-29.

DOPING OF ZINC OXIDE PARTICLES FOR SUNSCREEN APPLICATIONS

Номер патента: US20180071182A1. Автор: Sadana Devendra K.,LI NING,Todorov Teodor K.,GERSHON TALIA S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

System and Method for Ceramic Doping of Carbon Fiber Composite Structures

Номер патента: US20160123416A1. Автор: Perea Paul. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

DOPING OF INORGANIC MINERALS TO HYDROPHOBIC MEMBRANE SURFACE

Номер патента: US20160129399A1. Автор: Zhang Tong,Shih Kaimin,Li Xiao-Yan,Wang Xiao-Mao. Владелец: The University of Hong Kong. Дата публикации: 2016-05-12.

Liquid Doping Systems And Methods For Controlled Doping of a Melt

Номер патента: US20190136405A1. Автор: Haringer Stephan,"DAngella Marco",Diodà Mauro. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

DEVICE AND METHOD FOR CLEANING OR DOPING OF DRILLING ROD ELEMENT AND DRILLING RIG

Номер патента: US20180142523A1. Автор: HACKL Stefan,OSTERMEIER Manuel,Dias Pedro. Владелец: BAUER Deep Drilling GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

METHOD FOR NITROGEN DOPING OF SOLID MATERIALS

Номер патента: US20190270643A1. Автор: CORBEL Catherine,SHCHEDRINA Irina,RENAULT Jean-Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

DOPING OF INORGANIC MINERALS TO HYDROPHOBIC MEMBRANE SURFACE

Номер патента: US20180280889A1. Автор: Zhang Tong,Shih Kaimin,Li Xiao-Yan,Wang Xiao-Mao. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Doping of drilling mud with a mineralogical compound

Номер патента: WO2014207075A3. Автор: Chi Vinh LY. Владелец: CGG SERVICES SA. Дата публикации: 2015-07-23.

Doping of drilling mud with a mineralogical compound

Номер патента: US9366099B2. Автор: Chi Vinh LY. Владелец: CGG SERVICES SAS. Дата публикации: 2016-06-14.

Antioxidant doping of crosslinked polymers to form non-eluting bearing components

Номер патента: US20090030524A1. Автор: David W. Schroeder,Jordan H. Freedman. Владелец: Biomet Manufacturing LLC. Дата публикации: 2009-01-29.

Antioxidant doping of crosslinked polymers to form non-eluting bearing components

Номер патента: US8641959B2. Автор: David W. Schroeder,Jordan H. Freedman. Владелец: Biomet Manufacturing LLC. Дата публикации: 2014-02-04.

Antioxidant doping of crosslinked polymers to form non-eluting bearing components

Номер патента: US9421104B2. Автор: David W. Schroeder,Jordan H. Freedman. Владелец: Biomet Manufacturing LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Doping of zinc oxide particles for sunscreen applications

Номер патента: US9937112B2. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Talia S. Gershon,Teodor K. Todorov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods for controllable doping of aluminum nitride bulk crystals

Номер патента: EP2007933B1. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,Kenneth E. Morgan. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2017-05-10.

Doping of zinc oxide particles for sunscreen applications

Номер патента: US10383799B2. Автор: Ning Li,Talia S. Gershon,Teodor K. Todorov,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

To Cu3Method and device for quantitative doping of N thin film

Номер патента: CN109536912B. Автор: 杜允,俞优姝. Владелец: School of Information Engineering of Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2020-05-19.

PROCESS AND PLANT FOR OXYGEN DOPING OF POULTRY DRINKING WATERS

Номер патента: FR3073361B1. Автор: Dominique Ibarra,Philippe Campo,Franck Cousin,Dru Pauline Le. Владелец: Air Liquide France Industrie SA. Дата публикации: 2021-09-10.

Method for doping of flowing water with acrolein and a dev ice for the performance thereof

Номер патента: CA2129606A1. Автор: Martin Trageser,Peter Werle,Bernd Geissler. Владелец: Degussa GmbH. Дата публикации: 1995-02-08.

Selective doping of a material

Номер патента: CN1972879B. Автор: M·拉亚拉,M·普特科宁,J·皮缅诺夫,L·尼尼斯特,J·佩伊韦萨里,J·库尔基. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2011-08-17.

Cleaning and doping of tubulars

Номер патента: EP1307632B1. Автор: Bernd Reinholdt,Matthias Luecke. Владелец: Weatherford Lamb Inc. Дата публикации: 2006-12-20.

Directed doping of a semiconductor - prior to zone melting using charged particles e.g. deutrons

Номер патента: DE2427646A1. Автор: Ernst Haas,Joachim Dr Burtscher. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-01-02.

Anisotropic spin dopes of reduced viscosity

Номер патента: CA2044407A1. Автор: William C. Uy. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1991-12-16.

Chalcogenide doping of oxide glasses

Номер патента: US20030161598A1. Автор: Adam Ellison,Rostislav Khrapko. Владелец: Khrapko Rostislav R.. Дата публикации: 2003-08-28.

Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process

Номер патента: US6319313B1. Автор: Richard Joseph Phillips,Steven Jack Keltner,John Davis Holder. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2001-11-20.

Selective doping of a material

Номер патента: WO2006000644A1. Автор: Markku Rajala,Matti Putkonen,Joe Pimenoff,Lauri NIINISTÖ,Jani PÄIVÄSAARI,Jouko Kurki. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2006-01-05.

Device and method for identifying doping of gold bricks through resistivity

Номер патента: CN111060563B. Автор: 王磊,张建忠,刘盛楹. Владелец: Shanxi Zimeng Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2023-05-09.

Chalcogenide doping of oxide glasses

Номер патента: EP1183560A1. Автор: Adam J. Ellison,Khrapko Rostislav. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-03-06.

Chalcogenide doping of oxide glasses

Номер патента: CN1220075C. Автор: A·J·埃利森,K·罗斯季斯拉夫. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

Chalcogenide doping of oxide glasses

Номер патента: AU4993900A. Автор: Adam J. Ellison,Khrapko Rostislav. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2000-11-21.

Strontium doping of molten silicon for use in crystal growing process

Номер патента: CN1166821C. Автор: ,,Rj,R·J·菲利浦,S·J·克尔特纳,J·D·霍德尔. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2004-09-15.

To Cu3Method for realizing quantitative doping of N film

Номер патента: CN109306465B. Автор: 杜允,俞优姝. Владелец: School of Information Engineering of Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2020-03-20.

The method for making the doping of pottery, glass ceramics or glass or coloring

Номер патента: CN103764598B. Автор: J·瑞恩沙根,S·克莱默冯克劳斯布鲁赫. Владелец: IVOCLAR VIVADENT AG. Дата публикации: 2017-03-15.

Multi-component doping of copper seed layer

Номер патента: US20070278089A1. Автор: Ling Chen,Jie Chen,Peijun Ding,Suraj Rengarajan,Tram Vo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Method for doping of graphene films by using graphene oxides

Номер патента: KR102072888B1. Автор: 박병주. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-02-03.

Method for enhancing p-type conductive doping of boron nitride film by nitrogen-rich atmosphere

Номер патента: CN109518278B. Автор: 刘国振,蔡端俊,王跃锦,郝卓然. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-12-08.

Process for silicon doping of boron carbide particles

Номер патента: DE102021000845B3. Автор: Michael Schuch. Владелец: Bundesministerium der Verteidigung. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for doping of graphene films by using graphene oxides

Номер патента: KR102183047B1. Автор: 박병주. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-11-25.

MATERIAL FOR OPTICAL DOPING OF POLYMERIC SUBSTRATE

Номер патента: FR3069863A1. Автор: Philippe Gravisse,Laurent Fontaine,Sagrario Pascual,Maud Plouzeau,Sandie Pioge,Frederic Peilleron. Владелец: Cascade. Дата публикации: 2019-02-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131945B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Dual metal interconnect structure

Номер патента: US09741812B1. Автор: Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Praneet Adusumilli,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Dual metal interconnect structure

Номер патента: US20170243947A1. Автор: Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Praneet Adusumilli,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Formation of an air gap spacer using sacrificial spacer layer

Номер патента: US20200373204A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240154006A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-09.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4365955A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087846B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371977A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09876030B1. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Device with epitaxial source/drain region

Номер патента: US20220102496A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Device with epitaxial source/drain region

Номер патента: US12046636B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

High frequency transistor

Номер патента: US20240204065A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Avishek Das,Kuan-Ying Chiu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100084685A1. Автор: Takashi Fukushima,Hiroshi Itokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230371265A1. Автор: Yongseok Kim,Bongyong Lee,Myunghun Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

FinFET with Rounded Source/Drain Profile

Номер патента: US20190371934A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

FinFET with rounded source/drain profile

Номер патента: US09831345B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Ming-Hua Yu,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and image sensor including the semiconductor device

Номер патента: US20230143634A1. Автор: Won Seok Lee,Young Gu Jin,Jung Chak Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Transistors Comprising At Least One of GaP, GaN, and GaAs

Номер патента: US20190267495A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for reducing junction capacitance of source/drain region

Номер патента: TW430885B. Автор: Jian-Ting Lin,Wen-Guan Ye,Jr-Wen Jou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-21.

A kind of source-drain warning device

Номер патента: CN208654220U. Автор: 林云才. Владелец: FOSHAN AIWEISI POWER SUPPLY Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Annealing method of source / drain regions of MOS transistors

Номер патента: KR970003447A. Автор: 이상선. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-28.

The manufacturing method for lowing down parasitice capacitance of source/drain interface

Номер патента: TW324109B. Автор: Jong-Jeng Wu. Владелец: Mos Electronics Taiwan Inc. Дата публикации: 1998-01-01.

The manufacture method of source/drain region

Номер патента: TW401597B. Автор: Ye-Sen Lin,Huei-Chi Ju,Jiun-Bin Yang. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-08-11.

EPITAXIAL SOURCE/DRAIN CONTACTS SELF-ALIGNED TO GATES FOR DEPOSITED FET CHANNELS

Номер патента: US20120292598A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20120313092A1. Автор: Yu Gang,Shieh Chan-Long,Foong Fatt. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

Low source-drain contact resistance MOSFETs and manufacture method thereof

Номер патента: CN102983163B. Автор: 赵超,罗军. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-04-20.

Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process

Номер патента: MY135878A. Автор: Richard J Phillips,John D Holder,Steven J Keltner. Владелец: Memc Electronic Materials. Дата публикации: 2008-07-31.

Optically anisotropic spinning dopes of carboxyclic aromatic polyamides and fibers prepared therefrom

Номер патента: CA894849A. Автор: L. Kwolek Stephanie. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1972-03-07.

Doping of audio cable

Номер патента: GB201021645D0. Автор: . Владелец: WONFOR COLIN J. Дата публикации: 2011-02-02.

Doping of crystalline substrates

Номер патента: ZA965026B. Автор: Johan Frans Prins. Владелец: DE BEERS IND DIAMOND. Дата публикации: 1997-01-23.

Manganese doping of iron magnets

Номер патента: CA558082A. Автор: Kopelman Bernard,P. Larson Eugene. Владелец: Sylvania Electric Products Inc. Дата публикации: 1958-05-27.

ADHESIVENESS OF FLUOROCARBON (CFX) FILM BY DOPING OF AMORPHOUS CARBON

Номер патента: US20120100725A1. Автор: Kikuchi Yoshiyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-04-26.

GROUP V DOPING OF GaAs-BASED LAYERS TO IMPROVE RADIATION TOLERANCE OF SOLAR CELLS

Номер патента: US20140084146A1. Автор: FETZER Christopher M.,Boisvert Joseph C.. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2014-03-27.

Preparation of spinning dope of poly(2,6-diphenyl-1,4-phenylene oxide)

Номер патента: JPS5365414A. Автор: Takashi Harada,Hiroshi Yoshida,Asumaru Nakamura. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 1978-06-10.

SURFACE AND GAS PHASE DOPING OF III-V SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20120018702A1. Автор: Javey Ali,Ford Alexandra C.,Ho Johnny C.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-26.

p-Doping of CdTe Polycrystalline Thin Film Based on Cd Vacancy Theory

Номер патента: US20120042950A1. Автор: Chin Ken K.. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-02-23.

DOPING OF INORGANIC MINERALS TO HYDROPHOBIC MEMBRANE SURFACE

Номер патента: US20120055867A1. Автор: Zhang Tong,Shih Kaimin,Li Xiao-Yan,Wang Xiao-Mao. Владелец: The University of Hong Kong. Дата публикации: 2012-03-08.

N-TYPE DOPING OF ZINC TELLURIDE

Номер патента: US20120202340A1. Автор: . Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-08-09.

METHOD FOR IN-SITU DOPING OF TITANIUM DIOXIDE FILM

Номер патента: US20120237424A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-20.

ANTIOXIDANT DOPING OF CROSSLINKED POLYMERS AT HIGH PRESSURES

Номер патента: US20120267819A1. Автор: FREEDMAN Jordan H.. Владелец: BIOMET MANUFACTURING CORP.. Дата публикации: 2012-10-25.

HOLE DOPING OF GRAPHENE

Номер патента: US20130048952A1. Автор: Chen Wei,Chen Zhenyu,Wang Xiao,Wee Thye Shen Andrew,Xie Lanfei,Sun Jiatao,Ariando . Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2013-02-28.

CARBON DOPING OF GALLIUM ARSENIDE VIA HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY

Номер патента: US20130337636A1. Автор: Schulte Kevin,Kuech Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

Method for realizing controlled doping of nano silicon quantum dots

Номер патента: CN101570312A. Автор: 李伟,徐骏,宋超,陈坤基,黄信凡,徐岭,马忠元,陈谷然. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-11-04.

Process for preparing spinning dope of cellulose base fibre by solvent process

Номер патента: CN1172035C. Автор: 邵惠丽,胡学超,章潭莉,沈弋弋. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-10-20.

Controllable doping of SiC single crystal low-dimensional nano material

Номер патента: CN101311378B. Автор: 高凤梅,杨为佑. Владелец: NINGBO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-06-09.

Neutron transmutation doping of silicon single crystals

Номер патента: TW408196B. Автор: Jung-Bin Liau. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2000-10-11.

MEMORIES AND THEIR FORMATION

Номер патента: US20120002477A1. Автор: Sinha Nishant,Tang Sanh D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Display device, pixel circuit and display drive method thereof

Номер патента: US20120001948A1. Автор: Uchino Katsuhide,Toyomura Naobumi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.