Using a change in doping of poly gate to permit placing both high voltage and low voltage transistors on the same chip
Номер патента: US6348719B1
Опубликовано: 19-02-2002
Автор(ы): Richard A. Chapman
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-02-2002
Автор(ы): Richard A. Chapman
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
High-voltage CMOS transistors on a standard CMOS wafer
Номер патента: US5578855A. Автор: Husam Gaffur,Sukyoon Yoon. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-11-26.