Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: GB201209073D0
Опубликовано: 04-07-2012
Автор(ы):
Принадлежит: International Business Machines Corp

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: WO2011157487A1. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-22.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited FET channels

Номер патента: TW201214579A. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Josephine B Chang,Jeffrey W Sleight. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-04-01.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: GB2494012B. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-23.

Self-aligned doping of source-drain contacts

Номер патента: GB0224871D0. Автор: . Владелец: Plastic Logic Ltd. Дата публикации: 2002-12-04.

Vertical DRAM punchthrough stop self-aligned to storage trench

Номер патента: US6833305B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Jack A. Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

EEPROM devices having isolation region self aligned to floating gate

Номер патента: GB2366911A. Автор: Min Kim,Sung-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-20.

Deposition source, deposition apparatus for depositing evaporated material, and methods therefor

Номер патента: EP4237593A1. Автор: Frank Schnappenberger,Wolfgang Buschbeck,Thomas Deppisch,Susanne Wolff. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Method of manufacturing mask for deposition

Номер патента: US09543520B1. Автор: Youngmin Moon,Minho Moon,Sungsoon Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Formulation for depositing a material on a substrate using ink jet printing

Номер патента: WO2002069119A3. Автор: Julian Charles Carter,Christopher John Bright,Martin Cacheiro,Peter John Lyon. Владелец: Peter John Lyon. Дата публикации: 2003-02-27.

Formulation for depositing a material on a substrate using ink jet printing

Номер патента: WO2002069119A8. Автор: Julian Charles Carter,Christopher John Bright,Martin Cacheiro,Peter John Lyon. Владелец: CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2013-05-23.

Wavy-shaped epitaxial source/drain structures

Номер патента: US20230326799A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Source/Drain Contact Formation Methods and Devices

Номер патента: US20210358804A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Epitaxial source/drain structures for multigate devices and methods of fabricating thereof

Номер патента: US11876135B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Epitaxial source/drain structures for multigate devices and methods of fabricating thereof

Номер патента: US20240097035A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Techniques for integration of ge-rich p-mos source/drain contacts

Номер патента: EP3120388A1. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-25.

Techniques for integration of Ge-rich p-MOS source/drain contacts

Номер патента: US09859424B2. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having a ring-shaped protection spacer above a contact pad and enclosing a source/drain contact plug

Номер патента: US12034060B2. Автор: Hongsik SHIN,Sughyun Sung,Heungsik Park,Wonhyuk LEE,Hyunjoon ROH,Dohaing LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Source/drain contact with low-k contact etch stop layer and method of fabricating thereof

Номер патента: US20220285513A1. Автор: Wei-Yang Lee,Da-Wen Lin,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device having front side and back side source/drain contacts

Номер патента: US20230268403A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Nanosheet device with source/drain contacts comprising a silicide mask and manufacturing method using the silicide mask

Номер патента: EP4358150A1. Автор: Sung Hwan Kim,Wan Don KIM,Jun Ki PARK,Heung Seok RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

3dsfet device including self-aligned source/drain contact structure with spacer structure at side surface thereof

Номер патента: EP4372796A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,SeJung Park,Myung YANG,MyungHoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

3dsfet device including self-aligned source/drain contact structure with spacer structure at side surface thereof

Номер патента: US20240162309A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,SeJung Park,Myung YANG,MyungHoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of forming metal source/drain contact structures for semiconductor devices with gate all around channel structures

Номер патента: US09601379B1. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Dmitry Yakimets,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Performance Optimization By Sizing Gates And Source/Drain Contacts Differently For Different Transistors

Номер патента: US20240072137A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Li-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Mask for depositing emission layer, method of manufacturing the mask, and display apparatus manufactured using the mask

Номер патента: EP4280851A1. Автор: Sangshin Lee,Jongsung Park,Seungjin LEE,Sanghoon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Mask assembly for deposition, deposition apparatus, and method employing the same

Номер патента: US09530961B2. Автор: Sangshin Lee,Sangyun Lee,Mingoo KANG,Minchul SONG,Sangmin Yi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Backside Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240379781A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang,Wei Hao Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Methods of forming source/drain contacts in field-effect transistors

Номер патента: US11749725B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Epitaxial source/drain regions in FinFETs and methods for forming the same

Номер патента: US09496398B2. Автор: Tung Ying Lee,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Thin film transistors with epitaxial source/drain and drain field relief

Номер патента: US20200006555A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Marinus P.J. Hopstaken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Device with epitaxial source/drain region

Номер патента: US12046636B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Device with epitaxial source/drain region

Номер патента: US20220102496A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Methods of forming source/drain contacts in field-effect transistors

Номер патента: US20230378282A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Epitaxial source/drain structure and method

Номер патента: US12125879B2. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming a multi-layer epitaxial source/drain region having varying concentrations of boron and germanium therein

Номер патента: US12068322B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Hung-Tai Chang,Han-Yu Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Fin sidewall removal to enlarge epitaxial source/drain volume

Номер патента: US09490254B2. Автор: Sheng-Fu Yu,Kuan Yu Chen,Ru-Shang Hsiao,Chien-Hsun Lin,Li-Yi Chen,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Thin film transistors with epitaxial source/drain and drain field relief

Номер патента: US20190172947A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Marinus P.J. Hopstaken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods of forming epitaxial source/drain features in semiconductor devices

Номер патента: US12119378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Device with epitaxial source/drain region

Номер патента: US20220393000A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Fabricating strained channel epitaxial source/drain transistors

Номер патента: US20070194391A1. Автор: Justin Brask,Boyan Boyanov,Anand Murthy,Nick Lindert,Andrew Westmeyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Epitaxial source/drain structure and method

Номер патента: US11784222B2. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods of manufacturing a FinFET by forming a hollow area in the epitaxial source/drain region

Номер патента: US11769820B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Epitaxial source/drain structure and method

Номер патента: US20230378270A1. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method

Номер патента: US20200075725A1. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method

Номер патента: US20220130961A1. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210134955A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Fin sidewall removal to enlarge epitaxial source/drain volume

Номер патента: US20160035726A1. Автор: Sheng-Fu Yu,Kuan Yu Chen,Ru-Shang Hsiao,Chien-Hsun Lin,Li-Yi Chen,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200075724A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Feautures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202699A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for manufacturing for forming source/drain contact features and devices manufactured thereof

Номер патента: US20240266407A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Lateral diffusion field effect transistor with drain region self-aligned to gate electrode

Номер патента: US20120126319A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Xuefeng Liu,Steven H. Voldman,Natalie B. Feilchenfeld,Michael J. Zierak,Benjamin T. Voegeli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

System and Method for Forming a Semiconductor Device Source/Drain Contact

Номер патента: US20080315321A1. Автор: Ching-Ya Wang,Chung-Hu Ke,When-Chin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Asymmetric gate contact over source/drain contact

Номер патента: US20240332182A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Yann Mignot,Shahab Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fin-FET semiconductor device with a source/drain contact having varying different widths

Номер патента: US09786764B2. Автор: Sung-Woo Kang,Sun-jung Lee,Jeong-Nam Han,Chan-jin Park,Young-Mook Oh,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09786751B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US09779987B2. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Airgap formation between source/drain contacts and gates

Номер патента: US09666533B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Self-aligned source/drain contacts

Номер патента: US09576957B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Praneet Adusumilli,Emre Alptekin,Shom S. Ponoth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09496394B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Liner and cap layer for placeholder source/drain contact structure planarization and replacement

Номер патента: US09466723B1. Автор: Huang Liu,Qiang Fang,Haigou Huang,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US10381442B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Device with shallow source/drain contact and related method

Номер патента: US20240274675A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Yu-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with dielectric spacer liner on source/drain contact

Номер патента: US20230268402A1. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Middle of the line architecture with subtractive source/drain contact

Номер патента: US20240222448A1. Автор: Nelson Felix,Eric Miller,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Forming source/drain contact in a tight tip-to-tip space

Номер патента: US20240339509A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US09972682B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Protective Liner for Source/Drain Contact to Prevent Electrical Bridging While Minimizing Resistance

Номер патента: US20240379785A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Hsin-Huang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US09368590B2. Автор: David V. Horak,Charles W. Koburger,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Source/drain contact having a protruding segment

Номер патента: US20240292590A1. Автор: Ting Fang,Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Yuan Chang,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with dielectric spacer liner on source/drain contact

Номер патента: US20200343349A1. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US09853156B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of forming a combined gate and source/drain contact structure and the resulting device

Номер патента: US09455254B2. Автор: Ruilong Xie,Su Chen Fan,Andre Labonte,Balasubramanian S. Pranatharthi Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US09425316B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US20170372949A1. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US20190311949A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US11004737B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Low Resistance Source Drain Contact Formation with Trench Metastable Alloys and Laser Annealing

Номер патента: US20190181012A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Source/drain contacts between transistor gates with abbreviated inner spacers for improved contact area and related method of fabrication

Номер патента: WO2023283502A1. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-01-12.

Transistor Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230261069A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Meng-Han Chou,Yi-Syuan Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Maskless method to reduce source-drain contact resistance in cmos devices

Номер патента: US20180061956A1. Автор: Christian Lavoie,Praneet Adusumilli,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US20190287850A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Homogeneous source/drain contact structure

Номер патента: US20220336269A1. Автор: Po-Hsiang Huang,Chang-Wen Chen,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US20150380304A1. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device suppressing rounded shapes of source/drain contact layers

Номер патента: US12009399B2. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Yi-Jyun HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Using source/drain contact cap during gate cut

Номер патента: US20200020687A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie,Guowei Xu,Shesh Mani Pandey,Jiehui SHU,Zhaoying Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor having a source/drain contact with a single inner spacer

Номер патента: US11901434B2. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Finfet having upper spacers adjacent gate and source/drain contacts

Номер патента: US20200119000A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu,Scott Beasor. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Protective liner for source/drain contact to prevent electrical bridging while minimizing resistance

Номер патента: US20230246083A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Hsin-Huang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: EP2599111A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-06-05.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: US20130193494A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-08-01.

Source/drain contact having a protruding segment

Номер патента: US11968817B2. Автор: Ting Fang,Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Yuan Chang,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20190115262A1. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of forming source/drain contact

Номер патента: US10522413B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Transistors with backside source/drain contact and spacer

Номер патента: US20240186219A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor having a source/drain contact with a single inner spacer

Номер патента: EP4331013A1. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Methods of forming doped source/drain contacts and structures formed thereby

Номер патента: US20200176601A1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Glenn Glass,Chandra MOHAPATRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09412623B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20220336592A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chung-Hao CAI,Jui-Ping Lin,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Source/drain contact structure

Номер патента: EP3944296A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Ruei-Ping Lin,Chung-Hao CAI,Jason Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Via and source/drain contact landing under power rail

Номер патента: US20240186387A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Microelectronic devices with active source/drain contacts in trench in symmetrical dual-block structure, and related systems and methods

Номер патента: WO2023288211A1. Автор: Lifang Xu,Richard J. Hill,Lars P. Heineck,Indra V. Chary. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-19.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09768322B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming source/drain contacts in unmerged FinFETs

Номер патента: US09379025B1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Self-aligned source/drain contact for vertical field effect transistor

Номер патента: US20200075775A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Double-resurf LDMOS with drift and PSURF implants self-aligned to a stacked gate “bump” structure

Номер патента: US09806174B2. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Noel Berkovitch. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Double-resurf LDMOS with drift and PSURF implants self-aligned to a stacked gate “bump” structure

Номер патента: US09484454B2. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Noel Berkovitch. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Raised isolation structure self-aligned to fin structures

Номер патента: US8586449B1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Effendi Leobandung,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-19.

Method for fabricating a MOSFET device, with local channel doping, self aligned to a selectively deposited tungsten gate

Номер патента: US5688706A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Deep Implant Self-Aligned To Polysilicon Gate

Номер патента: US20080237653A1. Автор: David Cohen,Vladimir Korobov,Assaf Lahav,Clifford Ian Drowley,Anatoly Sergienko,Shai Kfir,Naor Inbar. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Crossbar array with self-formed micro channel insulator metal transition and self-aligned to rram filament

Номер патента: WO2023211509A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-11-02.

Improved process for buried-strap self-aligned to deep storage trench

Номер патента: TW459384B. Автор: Ulrike Gruening,Jack A Mandelman,Carl J Radens. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-10-11.

Memory structure having a magnetic tunnel junction (MTJ) self-aligned to a T-shaped bottom electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10069064B1. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong,Zhongjian Teng. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

A method for forming a virtual-ground flash eprom array with floating gates that are self aligned to the field oxide regions of the array

Номер патента: WO1995025345A1. Автор: Albert Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1995-09-21.

Method of making select gate self-aligned to floating for split gate flash memory structure

Номер патента: US6251727B1. Автор: Bin-Shing Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Ferroelectric random access memories (frams) having lower electrodes respectively self-aligned to node conductive layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US20080191255A1. Автор: Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Vertical DRAM cell with wordline self-aligned to storage trench

Номер патента: TW506120B. Автор: Ulrike Gruening,Toshiharu Furukawa,Jack A Mandelman,Carl J Radens,David V Horak. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-10-11.

Ferroelectric random access memories (FRAMS) having lower electrodes respectively self-aligned to node conductive layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US20060033134A1. Автор: Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-16.

Process for forming an active area and a shallow trench isolation self-aligned to a deep trench

Номер патента: EP1037281B1. Автор: Carl Radens,Jack Mandelman,Larry Nesbit,Rama Divakaruni,Ulrike Gruning,Byeong Y. Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-03.

Mosfet with raised sti isolation self-aligned to the gate stack

Номер патента: KR100260688B1. Автор: 어쉰 케이 가탈리아,배디 엘-카레,웬들 피 노블. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2000-07-01.

Forming silicon trench isolation (STI) in semiconductor devices self-aligned to diffusion

Номер патента: US20080128774A1. Автор: Rustom Irani,Amichai GIVANT. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-06-05.

A method for forming a virtual-ground flash eprom array with floating gates that are self aligned to the field oxide regions of the array

Номер патента: EP0698287A1. Автор: Albert Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-02-28.

Structure and method for collar self-aligned to buried plate

Номер патента: US20060292789A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Cpp-agnostic source-drain contact formation for gate-all-around devices with dielectric isolation

Номер патента: US20230420500A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Cpp-agnostic source-drain contact formation for gate-all-around devices with dielectric isolation

Номер патента: WO2024001335A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

Process for depositing a different thin film on an oxide superconductor

Номер патента: CA2047001A1. Автор: Michitomo Iiyama,Mitsuchika Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-01-13.

Apparatus and method for depositing films on substrate via off-axis laser ablation

Номер патента: US5820948A. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Hideo Itozaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-10-13.

Angular contact self-aligning toroidal rolling element bearing

Номер патента: US09784309B2. Автор: Magnus Kellstrom,Arne Lars Jonas Kullin,Andreas LÖFQVIST. Владелец: SKF AB. Дата публикации: 2017-10-10.

Angular contact self-aligning roller bearing

Номер патента: US12104647B2. Автор: Kai Cheng,HongJun GUO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-01.

Angular contact self-aligning roller bearing

Номер патента: US20230366431A1. Автор: Kai Cheng,HongJun GUO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-16.

Transistors with reduced epitaxial source/drain span via etch-back for improved cell scaling

Номер патента: EP4156293A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Pratik Patel,Mohammad Hasan,Ryan KEECH,Koustav Ganguly,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Non-selective epitaxial source/drain deposition to reduce dopant diffusion for germanium NMOS transistors

Номер патента: US11735670B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Cory C. Bomberger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Back-side device contacts around epitaxial source/drain

Номер патента: EP4109505A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro Kobrinsky,Charles Wallace,Sukru Yemenicioglu,Mohit HARAN,Leanord Guler. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Three-dimensional integrated circuits (3dics) including upper-level transistors with epitaxial source & drain material

Номер патента: US20210202319A1. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Ryan KEECH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for forming epitaxial source/drain features and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20230335607A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for forming epitaxial source/drain features using a self-aligned mask and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20230395433A1. Автор: Huang-Lin Chao,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Non-selective epitaxial source/drain deposition to reduce dopant diffusion for germanium nmos transistors

Номер патента: US20200258982A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Cory C. Bomberger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Half buried nFET/pFET epitaxy source/drain strap

Номер патента: US11798867B2. Автор: Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

SUBSTRATE-TEMPLATED EPITAXIAL SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20140151757A1. Автор: Chang Josephine B.,Majumdar Amlan,Guillorn Michael A.,Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

THIN FILM TRANSISTORS WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN CONTACT REGIONS

Номер патента: US20190165181A1. Автор: Hekmatshoartabari Bahman,SHAHIDI Ghavam. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Thin film transistors with epitaxial source/drain contact regions

Номер патента: US10090415B1. Автор: Ghavam Shahidi,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Epitaxial Source/Drain Feature with Enlarged Lower Section Interfacing with Backside Via

Номер патента: US20210391421A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Half buried nFET/pFET epitaxy source/drain strap

Номер патента: US11107752B2. Автор: Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Source/Drain Contacts For Semiconductor Devices And Methods Of Forming

Номер патента: US20210367050A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: EP4409627A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: US12107132B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Increased transistor source/drain contact area using sacrificial source/drain layer

Номер патента: US20200006525A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Subtractive source drain contact for stacked devices

Номер патента: US20230420502A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Heng Wu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Transistor having stacked source/drain regions with formation assistance regions and multi-region wrap-around source/drain contacts

Номер патента: US20210408233A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Conductive via bar self-aligned to gate end

Номер патента: EP4105974A1. Автор: Tahir Ghani,Walid M. Hafez,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Sairam Subramanian,Saurabh MORARKA,Justin S. Sandford,Sean Pursel,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Source/drain contact landing

Номер патента: US20230395721A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Source/drain contact plugs for multi-channel field-effect transistors

Номер патента: EP4362102A1. Автор: Jinbum Kim,Gyeom KIM,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Source/Drain Contacts for Semiconductor Devices and Methods of Forming

Номер патента: US20210098583A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Structure for reducing source/drain contact resistance at wafer backside

Номер патента: US20230387266A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Transistor having wrap-around source/drain contacts

Номер патента: US20230275152A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

MOSFET gate and source/drain contact metallization

Номер патента: US8809174B2. Автор: Chih-Chao Yang,Soon-Cheon Seo,Bruce B. Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Mosfet gate and source/drain contact metallization

Номер патента: US20140027865A1. Автор: Chih-Chao Yang,Soon-Cheon Seo,Bruce B. Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Method and Structure for Reducing Source/Drain Contact Resistance at Wafer Backside

Номер патента: US20220344496A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Source/drain contact formation methods and devices

Номер патента: US20230386913A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

MOSFET GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT METALLIZATION

Номер патента: US20140027865A1. Автор: Yang Chih-Chao,Doris Bruce B.,Seo Soon-Cheon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-30.

Nanosheet FET including encapsulated all-around source/drain contact

Номер патента: US11011643B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Transistor source/drain contacts and methods of forming the same

Номер патента: US20230155004A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Wei-Jung Lin,Pei-Wen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Source/drain contact formation methods and devices

Номер патента: US11742240B2. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Source/drain contact formation methods and devices

Номер патента: US20220189825A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Yu-Ming Huang,Ken-Yu Chang,Yi-Ying Liu,Ethan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Stepped source drain contact for gate-all-around transistor

Номер патента: US20230411477A1. Автор: Eric Miller,Yann Mignot,Tsung-Sheng KANG,Su Chen Fan,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device with reverse-cut source/drain contact structure and method thereof

Номер патента: US20230420566A1. Автор: Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and structure for reducing source/drain contact resistance at wafer backside

Номер патента: US11848372B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Process and structure for source/drain contacts

Номер патента: US11784228B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Process and structure for source/drain contacts

Номер патента: US20230387220A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Precise bottom junction formation for vertical transport field effect transistor with highly doped epitaxial source/drain, sharp junction gradient, and/or reduced parasitic capacitance

Номер патента: US12068415B2. Автор: Kai Zhao,Shahab Siddiqui,Rishikesh Krishnan,Daniel James Dechene,Charlotte DeWan Adams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Arsenic-doped epitaxial source/drain regions for NMOS

Номер патента: US12094881B2. Автор: Anand Murthy,Ritesh JHAVERI,Nicholas G. MINUTILLO,Ryan KEECH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Epitaxial source/drain differential spacers

Номер патента: US20160308054A1. Автор: Manoj Mehrotra. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Method and structure for improving finFET with epitaxy source/drain

Номер патента: US09831241B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor Fin FET device with epitaxial source/drain

Номер патента: US09472669B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Jyh-Cherng Sheu,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Precise bottom junction formation for vertical transport field effect transistor with highly doped epitaxial source/drain, sharp junction gradient, and/or reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20230029561A1. Автор: Kai Zhao,Shahab Siddiqui,Rishikesh Krishnan,Daniel James Dechene,Charlotte DeWan Adams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Precise bottom junction formation for vertical transport field effect transistor with highly doped epitaxial source/drain, sharp junction gradient, and/or reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20210391473A1. Автор: Kai Zhao,Shahab Siddiqui,Rishikesh Krishnan,Daniel James Dechene,Charlotte DeWan Adams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor Fin FET device with epitaxial source/drain

Номер патента: US09859427B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Jyh-Cherng Sheu,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Arsenic-doped epitaxial source/drain regions for nmos

Номер патента: US20230197729A1. Автор: Anand Murthy,Ritesh JHAVERI,Nicholas G. MINUTILLO,Ryan KEECH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Device with epitaxial source/drain region

Номер патента: US20240321966A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Epitaxial source/drain structure with high dopant concentration

Номер патента: US20230387204A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Chih Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Constrained epitaxial source/drain regions on semiconductor-on-insulator finfet device

Номер патента: US20150357412A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device having epitaxy source/drain regions

Номер патента: US20240203987A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semi-conductor device with epitaxial source/drain facetting provided at the gate edge

Номер патента: US09437679B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with epitaxial source/drain

Номер патента: US20200144364A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Wei-Yuan Lu,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

FinFET with merged, epitaxial source/drain regions

Номер патента: US09882054B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Constrained epitaxial source/drain regions on semiconductor-on-insulator finfet device

Номер патента: US20150279958A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method Semiconductor Device Fabrication with Improved Epitaxial Source/Drain Proximity Control

Номер патента: US20200098896A1. Автор: I-Chih Chen,Chi-Cherng Jeng,Fu-Tsun Tsai,Tong Jun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Embedded stressors in epitaxy source/drain regions

Номер патента: US20230377979A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device having epitaxy source/drain regions

Номер патента: US11916071B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device having epitaxy source/drain regions

Номер патента: US20220181320A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Symmetric device with contacts self aligned to gate

Номер патента: TW538502B. Автор: James A Slinkman,Randy W Mann,Juan A Chediak. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-06-21.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Metal oxide semiconductor having epitaxial source drain regions and a method of manufacturing same using dummy gate process

Номер патента: US20240204102A1. Автор: Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Metal oxide semiconductor having epitaxial source drain regions and a method of manufacturing same using dummy gate process

Номер патента: US09865733B2. Автор: Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Metal oxide semiconductor having epitaxial source drain regions and a method of manufacturing same using dummy gate process

Номер патента: US09673326B2. Автор: Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Metal oxide semiconductor having epitaxial source drain regions and a method of manufacturing same using dummy gate process

Номер патента: US09502529B2. Автор: Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Metal oxide semiconductor having epitaxial source drain regions and a method of manufacturing same using dummy gate process

Номер патента: US09419096B2. Автор: Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

THIN FILM TRANSISTORS WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN AND DRAIN FIELD RELIEF

Номер патента: US20200006555A1. Автор: Shahidi Ghavam G.,Hekmatshoartabari Bahman,Hopstaken Marinus P.J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

THIN FILM TRANSISTORS WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN AND DRAIN FIELD RELIEF

Номер патента: US20190172947A1. Автор: Shahidi Ghavam G.,Hekmatshoartabari Bahman,Hopstaken Marinus P.J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Methods of Forming a PMOS Device with In Situ Doped Epitaxial Source/Drain Regions

Номер патента: US20130029463A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Ina Ostermay. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TIPLESS EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20130240950A1. Автор: Bohr Mark T.. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device with epitaxial source/drain facetting provided at the gate edge

Номер патента: US20140001554A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

NON-SELECTIVE EPITAXIAL SOURCE/DRAIN DEPOSITION TO REDUCE DOPANT DIFFUSION FOR GERMANIUM NMOS TRANSISTORS

Номер патента: US20220037530A1. Автор: Ghani Tahir,Kavalieros Jack T.,Chu-Kung Benjamin,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,SUNG Seung Hoon,JAMBUNATHAN KARTHIK,Chouksey Siddharth,Bomberger Cory C.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

Fin sidewall removal to enlarge epitaxial source/drain volume

Номер патента: US20160035726A1. Автор: Sheng-Fu Yu,Kuan Yu Chen,Ru-Shang Hsiao,Chien-Hsun Lin,Li-Yi Chen,Yu-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Embedded Stressors in Epitaxy Source/Drain Regions

Номер патента: US20220051945A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A UNIFORM AND THIN SILICIDE LAYER ON AN EPITAXIAL SOURCE/ DRAIN STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210035806A1. Автор: Sheu Jyh-Cherng,Wang Sheng-Chen,WANG Sung-Li,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,Yang Cheng-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

SELECTIVE CONTACT ETCH FOR UNMERGED EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20170047325A1. Автор: Reznicek Alexander,Mehta Sanjay C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

SEMI-CONDUCTOR DEVICE WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN FACETTING PROVIDED AT THE GATE EDGE

Номер патента: US20150061021A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

EPITAXIAL SOURCE/DRAIN AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200058560A1. Автор: Tsai Pang-Yen,OKUNO Yasutoshi,Chen Cheng-Long. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TIPLESS EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20200058791A1. Автор: Bohr Mark T.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-02-20.

SEMICONDUCTOR FIN FET DEVICE WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20170069756A1. Автор: PENG Cheng-Yi,Sheu Jyh-Cherng,CHIANG Hung-Li,Yeo Yee-Chia. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR HAVING EPITAXIAL SOURCE DRAIN REGIONS AND A METHOD OF MANUFACTURING SAME USING DUMMY GATE PROCESS

Номер патента: US20210074858A1. Автор: Tateshita Yasushi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR HAVING EPITAXIAL SOURCE DRAIN REGIONS AND A METHOD OF MANUFACTURING SAME USING DUMMY GATE PROCESS

Номер патента: US20180076325A1. Автор: Tateshita Yasushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200075724A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method

Номер патента: US20200075725A1. Автор: WANG Peng,WANG Mei-Yun,Lu Wei-Yuan,Lin Chun-An,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Wang Guan-Ren. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20180083109A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Lu Wei-Yuan,Wang Sheng-Chen,Yeong Sai-Hooi,KUO Chien-I,YU Chia-Ta,Su Li-Li. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

DEVICE WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGION

Номер патента: US20220102496A1. Автор: MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING FINFET WITH EPITAXY SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20160093614A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Yamashita Tenko. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Epitaxy Source/Drain Regions of FinFETs and Method Forming Same

Номер патента: US20190097026A1. Автор: HSU PIN-CHENG,Shen Guan-Jie,Hung Tung-Husan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

SEMICONDUCTOR FIN FET DEVICE WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20180102436A1. Автор: PENG Cheng-Yi,Sheu Jyh-Cherng,CHIANG Hung-Li,Yeo Yee-Chia. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Method Semiconductor Device Fabrication with Improved Epitaxial Source/Drain Proximity Control

Номер патента: US20200098896A1. Автор: JENG Chi-Cherng,CHEN I-CHIH,Tsai Fu-Tsun,Huang Tong Jun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Arsenic-doped epitaxial source/drain regions for nmos

Номер патента: US20200105754A1. Автор: Anand Murthy,Ritesh JHAVERI,Nicholas G. MINUTILLO,Ryan KEECH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20200105932A1. Автор: SUNG Hsueh-Chang,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING EPITAXY SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20220181320A1. Автор: Yu Ming-Hua,Lee Yi-Jing,KWOK Tsz-Mei,Li Kun-Mu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TIPLESS EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20160133749A1. Автор: Bohr Mark T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL SOURCE/DRAIN FEATURES USING A SELF-ALIGNED MASK AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREOF

Номер патента: US20220278002A1. Автор: Chang I-Ming,HUANG Yao-Sheng,Chao Huang-Lin. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

METHOD OF FORMING A TOP EPITAXY SOURCE/DRAIN STRUCTURE FOR A VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20200135920A1. Автор: Cheng Kangguo,Mochizuki Shogo,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device with epitaxial source/drain

Номер патента: US20200144364A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Wei-Yuan Lu,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

FACETED EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20200144365A1. Автор: Hong Wei,McArdle Timothy J.,Holt Judson R.,Qi Yi,Zang Hui,JIANG Liu,MULFINGER George R.,SICHLER Steffen A.,AYDIN Ömür I.. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Epitaxial Source/Drain Proximity Control

Номер патента: US20190165138A1. Автор: I-Chih Chen,Chi-Cherng Jeng,Fu-Tsun Tsai,Tong Jun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

EPITAXIAL SOURCE/DRAIN DIFFERENTIAL SPACERS

Номер патента: US20150179654A1. Автор: Mehrotra Manoj. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUITS (3DICS) INCLUDING UPPER-LEVEL TRANSISTORS WITH EPITAXIAL SOURCE & DRAIN MATERIAL

Номер патента: US20210202319A1. Автор: Murthy Anand,Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Agrawal Ashish,HUANG CHENG-YING,BOMBERGER Cory,KEECH Ryan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Feautures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202699A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,LEE Wei-Yang,HSU Tzu-Hsiang,Chen Ting-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US20210202740A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

HALF BURIED nFET/pFET EPITAXY SOURCE/DRAIN STRAP

Номер патента: US20210210413A1. Автор: Doris Bruce B.,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Zhang Jingyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Epitaxial Source/Drain Regions in FinFETs and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20150200271A1. Автор: Lee Tung Ying,WANG Chen-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20170194321A1. Автор: Chen Yen-Ming,Wang Sheng-Chen,Yeong Sai-Hooi,Wen Tsung-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Method and structure for improving finfet with epitaxy source/drain

Номер патента: US20160204194A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR HAVING EPITAXIAL SOURCE DRAIN REGIONS AND A METHOD OF MANUFACTURING SAME USING DUMMY GATE PROCESS

Номер патента: US20160204203A1. Автор: Tateshita Yasushi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

HIGH PERFORMANCE STRESS-ENHANCED MOSFETS USING SI:C AND SIGE EPITAXIAL SOURCE/DRAIN AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20140322873A1. Автор: Chidambarrao Dureseti,Chen Huajie,DOKUMACI Omer H.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR HAVING EPITAXIAL SOURCE DRAIN REGIONS AND A METHOD OF MANUFACTURING SAME USING DUMMY GATE PROCESS

Номер патента: US20140322880A1. Автор: Tateshita Yasushi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-30.

CONSTRAINED EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS ON SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR FINFET DEVICE

Номер патента: US20150279958A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-01.

FIN SIDEWALL REMOVAL TO ENLARGE EPITAXIAL SOURCE/DRAIN VOLUME

Номер патента: US20150279975A1. Автор: HSIAO Ru-Shang,CHEN Li-Yi,Lin Chien-Hsun,Yu Sheng-Fu,Liang Yu-Chang,Chen Kuan Yu. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

NON-SELECTIVE EPITAXIAL SOURCE/DRAIN DEPOSITION TO REDUCE DOPANT DIFFUSION FOR GERMANIUM NMOS TRANSISTORS

Номер патента: US20200258982A1. Автор: Ghani Tahir,Kavalieros Jack T.,Chu-Kung Benjamin,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,SUNG Seung Hoon,JAMBUNATHAN KARTHIK,Chouksey Siddharth,Bomberger Cory C.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-08-13.

VERTICAL TRANSISTOR TOP EPITAXY SOURCE/DRAIN AND CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20180277445A1. Автор: Reznicek Alexander,Mehta Sanjay C.,Mochizuki Shogo,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Vertical transistor top epitaxy source/drain and contact structure

Номер патента: US20180277446A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Epitaxial Source/Drain Feature with Enlarged Lower Section Interfacing with Backside Via

Номер патента: US20210391421A1. Автор: LIN Chia-Pin,LEE Wei-Yang,Chu Feng-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

PRECISE BOTTOM JUNCTION FORMATION FOR VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH HIGHLY DOPED EPITAXIAL SOURCE/DRAIN, SHARP JUNCTION GRADIENT, AND/OR REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20210391473A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Zhao Kai,Siddiqui Shahab,Dechene Daniel James,Adams Charlotte DeWan. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

EPITAXIAL SOURCE/DRAIN DIFFERENTIAL SPACERS

Номер патента: US20160308054A1. Автор: Mehrotra Manoj. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) NANOSHEET DEVICES WITH EPITAXIAL SOURCE/DRAINS AND REPLACEMENT METAL GATE STRUCTURES

Номер патента: US20200287020A1. Автор: OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR HAVING EPITAXIAL SOURCE DRAIN REGIONS AND A METHOD OF MANUFACTURING SAME USING DUMMY GATE PROCESS

Номер патента: US20150340498A1. Автор: Tateshita Yasushi. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TIPLESS EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20170338347A1. Автор: Bohr Mark T.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-11-23.

CONSTRAINED EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS ON SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR FINFET DEVICE

Номер патента: US20150357412A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

SELECTIVE CONTACT ETCH FOR UNMERGED EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20190333916A1. Автор: Reznicek Alexander,Mehta Sanjay C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TIPLESS EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20200335626A1. Автор: Bohr Mark T.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-22.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR HAVING EPITAXIAL SOURCE DRAIN REGIONS AND A METHOD OF MANUFACTURING SAME USING DUMMY GATE PROCESS

Номер патента: US20160359042A1. Автор: Tateshita Yasushi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR HAVING EPITAXIAL SOURCE DRAIN REGIONS AND A METHOD OF MANUFACTURING SAME USING DUMMY GATE PROCESS

Номер патента: US20180350986A1. Автор: Tateshita Yasushi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-06.

METHOD AND STRUCTURE FOR IMPROVING FINFET WITH EPITAXY SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20170358643A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Yamashita Tenko. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

TECHNIQUES FOR FORMING DUAL EPITAXIAL SOURCE/DRAIN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190393094A1. Автор: Sung Min Gyu,Prasad Rajesh. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-12-26.

High performance stress-enhanced MOSFETs using Si:C and SiGe epitaxial source/drain and method of manufacture

Номер патента: US20050082616A1. Автор: Dureseti Chidambarrao,Omer Dokumaci,Huajie Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TIPLESS EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20220359753A1. Автор: Bohr Mark T.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-11-10.

BACK-SIDE DEVICE CONTACTS AROUND EPITAXIAL SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20220415795A1. Автор: Ghani Tahir,Kobrinsky Mauro,WALLACE Charles,YEMENICIOGLU Sukru,Haran Mohit,Guler Leanord. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-12-29.

high performance stress-enhanced MOSFETs using Si:C and SiGe epitaxial source/drain and method of manufacture

Номер патента: KR100985935B1. Автор: 듀레세티 치담바라오,오머 도쿠마치,후아지 첸. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2010-10-06.

High performance stress-enhanced mosfets using si:c and sige epitaxial source/drain and method of manufacture

Номер патента: CN101199037A. Автор: 陈华杰,德雷斯蒂·奇达姆巴拉奥,奥默·多库马西. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

Methods of forming a PMOS device with in situ doped epitaxial source/drain regions

Номер патента: US8466018B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Ina Ostermay. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-18.

Vertical transistor top epitaxy source/drain and contact structure

Номер патента: US10269652B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device having tipless epitaxial source/drain regions

Номер патента: EP2302668A2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-03-30.

Selective contact etch for unmerged epitaxial source/drain regions

Номер патента: US10366988B2. Автор: Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Metal oxide semiconductor having epitaxial source drain regions and a method of manufacturing same using dummy gate process

Номер патента: US20220352373A1. Автор: Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

HIGH PERFORMANCE STRESS-ENHANCED MOSFETs USING Si:C AND SiGe EPITAXIAL SOURCE/DRAIN AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2005043591A2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Omer Dokumaci,Huajie Chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor device having tipless epitaxial source/drain regions

Номер патента: KR101389715B1. Автор: 마크 티 볼. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2014-04-29.

Epitaxial source/drain transistor

Номер патента: US8039901B2. Автор: Takuji Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Epitaxial source/drain and methods of forming same

Номер патента: US20210313236A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Cheng-Long Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device having tipless epitaxial source/drain regions

Номер патента: US10490662B2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Semiconductor device having tipless epitaxial source/drain regions

Номер патента: EP2149150A4. Автор: Mark T Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Symmetric device with contacts self aligned to gate

Номер патента: US6445050B1. Автор: Randy W. Mann,James A. Slinkman,Juan A. Chediak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-09-03.

Semiconductor device having tipless epitaxial source/drain regions and manufacturing method

Номер патента: CN101681842B. Автор: M·T·博尔. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Metal oxide semiconductor having epitaxial source drain regions and a method of manufacturing same using dummy gate process

Номер патента: US11901454B2. Автор: Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Epitaxial Source/Drain Proximity Control

Номер патента: US20190165138A1. Автор: I-Chih Chen,Chi-Cherng Jeng,Fu-Tsun Tsai,Tong Jun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Ultra-shallow junction MOSFET having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: TW200527547A. Автор: Hu Chenming,Chih-Hao Wang,Yen-Ping Wang,Liang-Gi Yao,Hsien-Kuang Chiu,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-08-16.

Ultra-shallow junction mosfet having a high-k gate dielectric and in-situ doped selective epitaxy source/drain extensions and a method of making same

Номер патента: SG111238A1. Автор: Wang Chih-hao,YAO Liang-Gi,Chen Shang-Chih,Wang Yen-Ping,Hu Chenming,CHIU Hsien-Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-05-30.

Semiconductor device having tipless epitaxial source/drain regions

Номер патента: EP3151267B1. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Sacrificial fin for contact self-alignment

Номер патента: US20210328041A1. Автор: Eric Miller,Yann Mignot,Su Chen Fan,Indira Seshadri,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Sacrificial fin for contact self-alignment

Номер патента: US20220262923A1. Автор: Yann Mignot,Su Chen Fan,Indira Seshadri,Christopher J. Waskiewicz,Eric Miller, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Transistor contacts self-aligned two dimensions

Номер патента: US09660040B2. Автор: Mark A. Zaleski,Guillaume Bouche,Jongwook Kye,Jia ZENG,Andy Chih-Hung Wei,Jason E. Stephens,Tuhin Guha Neogi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure and process to tuck fin tips self-aligned to gates

Номер патента: USRE50174E1. Автор: Hong He,Soon-Cheon Seo,Bruce B. Doris,Sivananda K. Kanakasabapathy,Stuart A. Sieg,Gauri Karve,Fee Li LIE,Derrick Liu. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Transistor contacts self-aligned in two dimensions

Номер патента: US20170221886A1. Автор: Mark A. Zaleski,Guillaume Bouche,Jongwook Kye,Jia ZENG,Andy Chih-Hung Wei,Jason E. Stephens,Tuhin Guha Neogi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

TRANSISTOR CONTACTS SELF-ALIGNED TWO DIMENSIONS

Номер патента: US20160049481A1. Автор: Bouche Guillaume,Kye Jongwook,Zeng Jia,Wei Andy Chih-Hung,Zaleski Mark A.,Neogi Tuhin Guha,STEPHENS Jason E.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-02-18.

TRANSISTOR CONTACTS SELF-ALIGNED IN TWO DIMENSIONS

Номер патента: US20170221886A1. Автор: Bouche Guillaume,Kye Jongwook,Zeng Jia,Wei Andy Chih-Hung,Zaleski Mark A.,Neogi Tuhin Guha,STEPHENS Jason E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

SACRIFICIAL FIN FOR CONTACT SELF-ALIGNMENT

Номер патента: US20210328041A1. Автор: Fan Su Chen,Mignot Yann,WASKIEWICZ Christopher J.,Miller Eric,Seshadri Indira. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

TRANSISTOR CONTACTS SELF-ALIGNED IN TWO DIMENSIONS

Номер патента: US20150287636A1. Автор: Bouche Guillaume,Kye Jongwook,Zeng Jia,Wei Andy Chih-Hung,Zaleski Mark A.,Neogi Tuhin Guha,STEPHENS Jason E.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-08.

Sacrificial fin for contact self-alignment

Номер патента: US11646358B2. Автор: Eric Miller,Yann Mignot,Su Chen Fan,Indira Seshadri,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Source/drain contact at tight cell boundary

Номер патента: US20240234523A9. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having a source/drain contact plug with an upwardly protruding portion

Номер патента: US12014957B2. Автор: Yongsik Jeong,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Minchan Gwak,Sunghun Jung,Sangwon JEE,Sungmoon Lee,Yeongchang Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: WO2024064567A3. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: US20240096698A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Gate and source/drain contact structures for a semiconductor device

Номер патента: US20160268415A1. Автор: Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods, apparatus and system for forming source/drain contacts using early trench silicide cut

Номер патента: US10121702B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Puneet H. Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-06.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: WO2024064567A2. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods for forming transistor devices with different source/drain contact liners and the resulting devices

Номер патента: US09502308B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Gate and source/drain contact structures for a semiconductor device

Номер патента: US09478662B2. Автор: Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US09466701B2. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Dumbbell shaped self-aligned capping layer over source/drain contacts and method thereof

Номер патента: US12068382B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Vertical field effect transistor with low-resistance bottom source-drain contact

Номер патента: US20200176611A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: US20240332297A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: WO2024205835A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure having source/drain contacts and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240363709A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Merged gate and source/drain contacts in a semiconductor device

Номер патента: US09960256B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

III-V layers for n-type and p-type MOS source-drain contacts

Номер патента: US09705000B2. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for forming source/drain contacts during CMOS integration using confined epitaxial growth techniques and the resulting semiconductor devices

Номер патента: US09640535B2. Автор: Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

3-dimensional memory device having peripheral circuit devices having source/drain contacts with different spacings

Номер патента: US09449986B1. Автор: Sun Young Kim,Jae Ho Jeong,Jang Gn Yun,Hyun Sook Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Extended source/drain contact for shifted drain voltage for a backside power distribution network

Номер патента: US20240213337A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09917050B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Buried source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09793171B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,William J. Taylor,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

STRUCTURE AND PROCESS TO TUCK FIN TIPS SELF-ALIGNED TO GATES

Номер патента: US20180061941A1. Автор: Doris Bruce B.,Kanakasabapathy Sivananda K.,He Hong,LIE Fee Li,Seo Soon-Cheon,SIEG STUART A.,Liu Derrick,Karve Gauri. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

STRUCTURE AND PROCESS TO TUCK FIN TIPS SELF-ALIGNED TO GATES

Номер патента: US20180061942A1. Автор: Doris Bruce B.,Kanakasabapathy Sivananda K.,He Hong,LIE Fee Li,Seo Soon-Cheon,SIEG STUART A.,Liu Derrick,Karve Gauri. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

STRUCTURE AND PROCESS TO TUCK FIN TIPS SELF-ALIGNED TO GATES

Номер патента: US20160343861A1. Автор: Doris Bruce B.,Kanakasabapathy Sivananda K.,He Hong,LIE Fee Li,Seo Soon-Cheon,SIEG STUART A.,Liu Derrick,Karve Gauri. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Structure and process to tuck fin tips self-aligned to gates

Номер патента: US9876074B2. Автор: Hong He,Soon-Cheon Seo,Bruce B. Doris,Sivananda K. Kanakasabapathy,Stuart A. Sieg,Gauri Karve,Fee Li LIE,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming thickened source/drain contact regions for field effect transistors

Номер патента: US5250454A. Автор: Witold P. Maszara. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-10-05.

Field-effect transistor (fet) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US20140370681A1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Vertical field effect transistors with controlled overlap between gate electrode and source/drain contacts

Номер патента: US20160149054A1. Автор: Anirban Basu,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Amlan Majumdar,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Source/drain contact at tight cell boundary

Номер патента: US20240136414A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods of Forming Source/Drain Contacts in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20200058744A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US20150357477A1. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-12-10.

Source/Drain Contacts and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240290852A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Epitaxial Layers In Source/Drain Contacts And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220359310A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Epitaxial Layers in Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200006159A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of making thin film transistor array and source/drain contact via-interconnect structures formed thereby

Номер патента: US09711602B2. Автор: Yueping Zuo,Xiaowei Xu,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09543397B2. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming source/drain contact structure with chalcogen passivation

Номер патента: US09461134B1. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Givens,Jacob Woodruff,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for forming source/drain contacts during CMOS integration using confined epitaxial growth techniques

Номер патента: US09397003B1. Автор: Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

LDMOS DEVICE WITH BODY DIFFUSION SELF-ALIGNED TO GATE

Номер патента: US20180151722A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,Hu Binghua,Todd James Robert. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

LDMOS DEVICE WITH BODY DIFFUSION SELF-ALIGNED TO GATE

Номер патента: US20170162690A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,Hu Binghua,Todd James Robert. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

LDMOS device with body diffusion self-aligned to gate

Номер патента: US9887288B2. Автор: Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Source/Drain Contacts And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20240021686A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Forming crystalline source/drain contacts on semiconductor devices

Номер патента: WO2019066772A1. Автор: Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Cory C. Bomberger,Scott J. MADDOX. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Field-effect transistor (FET) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US8969152B2. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Method for Forming Source/Drain Contacts Utilizing an Inhibitor

Номер патента: US20210273062A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Field effect transistor with backside source/drain contact

Номер патента: US20240153990A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Forming crystalline source/drain contacts on semiconductor devices

Номер патента: US20200365585A1. Автор: Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Cory C. Bomberger,Scott J. MADDOX. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20190165124A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US11862623B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun-Li Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Transistor having wrap-around source/drain contacts and under-contact spacers

Номер патента: US11876136B2. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Praveen Joseph,Andrew Greene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for forming source/drain contacts

Номер патента: US11769817B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US20160056249A1. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-02-25.

Overhanging source/drain contact

Номер патента: US20220223743A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Cheng-Ming Lee,Chung-Hao CAI,Chia-Hsien Yao,Yen-Jun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with source/drain contact formed using bottom-up deposition

Номер патента: US20230335592A1. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Source/drain contacts and methods of forming same

Номер патента: US12009394B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Shared source/drain contact for stacked field-effect transistor

Номер патента: US20240170532A1. Автор: Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Leon Sigal,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Field effect transistor devices having gate contacts formed in active region overlapping source/drain contacts

Номер патента: US20190006515A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND GATE CONTACTS POSITIONED OVER ACTIVE TRANSISTORS

Номер патента: US20220051942A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RECESSED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND A GATE CONTACT POSITIONED ABOVE THE ACTIVE REGION

Номер патента: US20190088742A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES HAVING GATE CONTACTS FORMED IN ACTIVE REGION OVERLAPPING SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20190157404A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Fabrication of self-aligned gate contacts and source/drain contacts directly above gate electrodes and source/drains

Номер патента: US20190198393A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20190198394A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20180211874A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20180211875A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

SELF-ALIGNED BOTTOM UP GATE CONTACT AND TOP DOWN SOURCE-DRAIN CONTACT STRUCTURE IN THE PREMETALLIZATION DIELECTRIC OR INTERLEVEL DIELECTRIC LAYER OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170222018A1. Автор: Zhang John Hongguang. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2017-08-03.

Field effect transistor devices with self-aligned source/drain contacts and gate contacts positioned over active transistors

Номер патента: US20200258779A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RECESSED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND A GATE CONTACT POSITIONED ABOVE THE ACTIVE REGION

Номер патента: US20190296108A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Field effect transistor devices having gate contacts formed in active region overlapping source/drain contacts

Номер патента: US20190319105A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

GATE CONTACT OVER ACTIVE REGION WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200321244A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Fan Su Chen,CHI Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

FABRICATION OF SELF-ALIGNED GATE CONTACTS AND SOURCE/DRAIN CONTACTS DIRECTLY ABOVE GATE ELECTRODES AND SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20190341309A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

SELF-ALIGNED BOTTOM UP GATE CONTACT AND TOP DOWN SOURCE-DRAIN CONTACT STRUCTURE IN THE PREMETALLIZATION DIELECTRIC OR INTERLEVEL DIELECTRIC LAYER OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160365309A1. Автор: Zhang John Hongguang. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2016-12-15.

METHOD OF FORMING A GATE CONTACT STRUCTURE AND SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170373161A1. Автор: Schroeder Uwe Paul. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Metal-insulator-semiconductor tunneling contacts having an insulative layer disposed between source/drain contacts and source/drain regions

Номер патента: US8110877B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

SELF-ALIGNED BOTTOM-UP-GATE CONTACT AND TOP-DOWN SOURCE-DRAIN CONTACT STRUCTURE IN THE PREMETALIZED DIELECTRIC LAYER OR INTERMEDIATE DIELECTRIC LAYER OF AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: DE102015120483A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-12-15.

Self-aligned bottom up gate contact and top down source-drain contact structure in the premetallization dielectric or interlevel dielectric layer of an integrated circuit

Номер патента: US9679847B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-06-13.

Fabrication of self-aligned gate contacts and source/drain contacts directly above gate electrodes and source/drains

Номер патента: US11121032B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Field effect transistor devices with self-aligned source/drain contacts and gate contacts positioned over active transistors

Номер патента: US10707127B2. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of forming source/drain contact

Номер патента: US9799567B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20230369451A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Performing concurrent diffusion break, gate and source/drain contact cut etch processes

Номер патента: US20190326177A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Maskless epitaxial growth of phosphorus-doped Si and boron-doped SiGe (Ge) for advanced source/drain contact

Номер патента: US10930567B2. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-23.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20160118303A1. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

MASKLESS EPITAXIAL GROWTH OF PHOSPHORUS-DOPED Si AND BORON-DOPED SiGe (Ge) FOR ADVANCED SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190318969A1. Автор: Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

SOURCE/DRAIN CONTACT WITH LOW-K CONTACT ETCH STOP LAYER AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20220285513A1. Автор: Lin Da-Wen,LIN Chia-Pin,LEE Wei-Yang,Chen Ting-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND GATE CONTACTS POSITIONED OVER ACTIVE TRANSISTORS

Номер патента: US20200144118A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Methods of forming field effect transistors having silicided source/drain contacts with low contact resistance

Номер патента: US7863201B2. Автор: O Sung Kwon,Bong-seok Suh,Oh-Jung Kwon,Yong-kuk Jeong,Dong-Hee Yu,Seong-Dong Kim. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2011-01-04.

Low resistance source/drain contacts for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US9978750B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Rajasekhar Venigalla,Dechao Guo,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor transistor device structure with back side source/drain contact plugs, and related manufacturing method

Номер патента: US20110169083A1. Автор: Bin Yang,Rohit Pal,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for forming source/drain contacts

Номер патента: US12009363B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20210366907A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yi-Bo Liao,Chun-Fu CHENG,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US09653461B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

FET with FUSI gate and reduced source/drain contact resistance

Номер патента: US8664721B2. Автор: Zhen Zhang,Paul Solomon,Tak H. Ning,Christian Lavoie,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Drift region implant self-aligned to field relief oxide with sidewall dielectric

Номер патента: US09583612B1. Автор: Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

System and Method for Source/Drain Contact Processing

Номер патента: US20120211807A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Nan Yeh,Cheng-Hung Chang,Yu-Rung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Method for fabricating silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US20130178052A1. Автор: David V. Horak,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN,II Charles W. KOBURGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: US20130193494A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-08-01.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20130256767A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Joshi Sabhash M.,Chun Jin-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130270648A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: Renesas Eletronics Corporation. Дата публикации: 2013-10-17.

III-V LAYERS FOR N-TYPE AND P-TYPE MOS SOURCE-DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20130285155A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SELF-ALIGNED SOURCE DRAIN CONTACTS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130307082A1. Автор: MANABE Kenzo. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-21.

SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BORDERLESS SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20140061799A1. Автор: Horak David V.,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,FAN Susan S.,Koburger Charles W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Epitaxial Layers in Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200006159A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

INCREASED TRANSISTOR SOURCE/DRAIN CONTACT AREA USING SACRIFICIAL SOURCE/DRAIN LAYER

Номер патента: US20200006525A1. Автор: Ghani Tahir,Cea Stephen M.,Hsu William,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20220028983A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Fang Ting,Cai Chung-Hao,Lin Ruei-Ping,Yao Jason. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

TECHNIQUES FOR INTEGRATION OF GE-RICH P-MOS SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20170012124A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Mistkawi Nabil G.,PANG YING. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-12.

SILICIDE FORMATION FOR SOURCE/DRAIN CONTACT IN A VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210013108A1. Автор: Xie Ruilong,Wu Heng,Fan Su Chen,Huang Huai. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

USING SOURCE/DRAIN CONTACT CAP DURING GATE CUT

Номер патента: US20200020687A1. Автор: Pandey Shesh Mani,Xie Ruilong,Economikos Laertis,Xu Guowei,Shu Jiehui,WANG Haiting,Zang Hui,Hu Zhaoying. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-01-16.

III-V LAYERS FOR N-TYPE AND P-TYPE MOS SOURCE-DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20160027781A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-01-28.

Vertical Field-Effect Transistor having a Dielectric Spacer between a Gate Electrode Edge and a Self-Aligned Source/Drain Contact

Номер патента: US20190027586A1. Автор: Zang Hui,Huang Haigou. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND RELIABILITY

Номер патента: US20170033227A1. Автор: Yu Gang,Xiao Tian,Shieh Chan-Long,Foong Fatt. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Method for Forming Source/Drain Contacts Utilizing an Inhibitor

Номер патента: US20220052167A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Chuang Cheng-Chi,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Source/Drain Contact Spacers and Methods of Forming Same

Номер патента: US20200035549A1. Автор: Xusheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

BACKSIDE SOURCE-DRAIN CONTACT FOR INTEGRATED CIRCUIT TRANSISTOR DEVICES AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20160056249A1. Автор: Zhang John Hongguang,KLEEMEIER Walter. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2016-02-25.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND RELIABILITY

Номер патента: US20160056297A1. Автор: Yu Gang,Xiao Tian,Shieh Chan-Long,Foong Fatt. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20180061715A1. Автор: Hsieh Hung-Chang,LIN Yu-Hsien,CHEN Jhun Hua,Kuo Ming-Jhih. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

MASKLESS METHOD TO REDUCE SOURCE-DRAIN CONTACT RESISTANCE IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20180061956A1. Автор: Lavoie Christian,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Methods of Forming Source/Drain Contacts in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20200058744A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Wang Sheng-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20190067130A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180068857A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180068903A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180068904A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-08.

VERTICAL FINFET WITH IMPROVED TOP SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190067474A1. Автор: WONG Chun Yu,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of Forming Source/Drain Contacts in Field-Effect Transistors

Номер патента: US20210074819A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Wang Sheng-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20140151694A1. Автор: Yu Gang,Foong Fatt,Shieh Chan- Long. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

METHODS OF FORMING AIR GAPS BETWEEN SOURCE/DRAIN CONTACTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20200075715A1. Автор: Pandey Shesh Mani,Xie Ruilong,Zang Hui,Kamineni Vimal. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

NANOSHEET FET INCLUDING ALL-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200075772A1. Автор: Xu Peng,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACT FOR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200075775A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SOURCE/DRAIN CONTACT HAVING HEIGHT BELOW GATE STACK

Номер патента: US20210082903A1. Автор: Lai Chih-Ming,Liu Ru-Gun,CHEN Chun-Kuang,PENG SHIH-WEI,TZENG JIANN-TYNG,Young Charles Chew-Yuen,Sio Kam-Tou,CHEN Chih-Liang,CHEN SHUN-LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-03-18.

MASKLESS METHOD TO REDUCE SOURCE-DRAIN CONTACT RESISTANCE IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20180083114A1. Автор: Lavoie Christian,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200083118A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Method for Source/Drain Contact Formation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200083119A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Koh Shao-Ming,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Source/Drain Contact Having a Protruding Segment

Номер патента: US20210098468A1. Автор: Wang Ping-Wei,Yang Fu-Kai,CHEN Jui-Lin,Chang Chao-Yuan,Fang Ting,Wu I-Wen,Lin Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Source/Drain Contacts for Semiconductor Devices and Methods of Forming

Номер патента: US20210098583A1. Автор: Tsai Ching-Wei,Cheng Kuan-Lun,Chung Cheng-Ting,HUANG Yu-Xuan,Liao Yi-Bo. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20160111532A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-04-21.

METHOD OF MAKING SOURCE/DRAIN CONTACTS BY SPUTTERING A DOPED TARGET

Номер патента: US20150118833A1. Автор: LEI JIANXIN,RAMALINGAM Jothilingam,NI CHI-NUNG. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20160118303A1. Автор: Hsieh Hung-Chang,LIN Yu-Hsien,CHEN Jhun Hua,Kuo Ming-Jhih. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH FIELD EFFECT TRANSISTOR(S) HAVING LOW-RESISTANCE SOURCE/DRAIN CONTACT(S)

Номер патента: US20160118496A1. Автор: Nowak Edward J.,Johnson Jeffrey B.,ANDERSON Brent A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Source/Drain Contact Having a Protruding Segment

Номер патента: US20220181332A1. Автор: Wang Ping-Wei,Yang Fu-Kai,CHEN Jui-Lin,Chang Chao-Yuan,Fang Ting,Wu I-Wen,Lin Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

TRANSISTOR SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20220181460A1. Автор: Sell Bernhard,Baran Andre,Wang Pei-hua,Ku Chieh-jen,Souther Kendra. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20170117279A1. Автор: Cheng Kangguo,Alptekin Emre,Ponoth Shom S.,Pranatharthiharan Balasubramanian,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20190115262A1. Автор: Hsieh Hung-Chang,LIN Yu-Hsien,CHEN Jhun Hua,Kuo Ming-Jhih. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

FINFET HAVING INSULATING LAYERS BETWEEN GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20200111713A1. Автор: Pandey Shesh Mani,Xie Ruilong,Park Chanro,Economikos Laertis,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-04-09.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180122646A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US20190123036A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun-Li Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

FINFET HAVING UPPER SPACERS ADJACENT GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20200119000A1. Автор: Xu Guowei,WANG Haiting,Zang Hui,Beasor Scott. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-04-16.

METHODS OF FORMING A COMBINED GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20160133623A1. Автор: Labonte Andre,Xie Ruilong,Fan Su Chen,Pranatharthi Haran Balasubramanian S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Protective Liner for Source/Drain Contact to Prevent Electrical Bridging While Minimizing Resistance

Номер патента: US20220278211A1. Автор: CHEN Jyh-Huei,Tsai Kuo-Chiang,Lin Hsin-Huang. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20190131411A1. Автор: Chew Soon Aik,Demuynck Steven. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

LOW RESISTANCE SOURCE-DRAIN CONTACTS USING HIGH TEMPERATURE SILICIDES

Номер патента: US20180138093A1. Автор: Lavoie Christian,Ozcan Ahmet S.,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH CONTROLLED OVERLAP BETWEEN GATE ELECTRODE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20160149054A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Shiu Kuen-Ting,Majumdar Amlan,Haensch Wilfried E.,Basu Anirban. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20150155385A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-04.

EPITAXIAL STRUCTURE FOR SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20220293760A1. Автор: Tsai Pang-Yen,WANG Sung-Li,Shih Ding-Kang,HUNG Tsungyu,CHU Chia-Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-09-15.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20190157269A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Koh Shao-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

NON-PLANAR FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20190165118A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20190165124A1. Автор: Yu Kuo-Feng,PENG Cheng-Yi,TSAI Chun Hsiung,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

METAL TO SOURCE/DRAIN CONTACT AREA USING THIN NUCLEATION LAYER AND SACRIFICIAL EPITAXIAL FILM

Номер патента: US20200161440A1. Автор: Murthy Anand S.,LIAO Szuya S.,JAMBUNATHAN KARTHIK,Jhaveri Ritesh,MADDOX SCOTT J.,PATEL PRATIK A.,Troeger Ralph T.,Cheong Kai Loon. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-05-21.

DEVICES FORMED BY PERFORMING A COMMON ETCH PATTERNING PROCESS TO FORM GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT OPENINGS

Номер патента: US20160190263A1. Автор: Taylor William J.,Xie Ruilong,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Low Resistance Source Drain Contact Formation with Trench Metastable Alloys and Laser Annealing

Номер патента: US20190181012A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

METHODS OF FORMING DOPED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20200176601A1. Автор: Murthy Anand,Kim Seiyon,JAMBUNATHAN KARTHIK,GLASS Glenn,Mohapatra Chandra. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-06-04.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH LOW-RESISTANCE BOTTOM SOURCE-DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200176611A1. Автор: Reznicek Alexander,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

TRANSISTOR HAVING CONFINED SOURCE/DRAIN REGIONS WITH WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20210226032A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Bergendahl Marc A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Self-aligned source/drain contact in replacement metal gate process

Номер патента: US20170207118A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yue Hu,Wen Pin Peng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Low Resistance Source Drain Contact Formation with Trench Metastable Alloys and Laser Annealing

Номер патента: US20170213739A1. Автор: Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Low Resistance Source Drain Contact Formation

Номер патента: US20170213889A1. Автор: Yeh Chun-chen,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Source/drain contact depth control

Номер патента: US20200203480A1. Автор: Brian J. Greene,Lin Hu,Kai Zhao,Veeraraghavan S. Basker,Daniel Jaeger,Christopher Nassar,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

METHODS OF FORMING A GATE-TO-SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20190214387A1. Автор: Mulfinger George,McArdle Timothy J.,Xie Ruilong,Holt Judson R.,Merbeth Thomas,Aydin Ömür. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

NANOSHEET FET INCLUDING ALL-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190214502A1. Автор: Xu Peng,Zhang Chen,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20190221662A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

MERGED GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180233585A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-08-16.

Low Resistance Source Drain Contact Formation

Номер патента: US20180240875A1. Автор: Yeh Chun-chen,NIIMI Hiroaki,Mochizuki Shogo,Liu Zuoguang,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Finfets with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20170250266A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Integrated circuits with improved source/drain contacts and methods for fabricating such integrated circuits

Номер патента: US20140346605A1. Автор: Abhijeet Paul,Peter Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURES FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160268415A1. Автор: Labonte Andre,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

LOW RESISTANCE SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20180261597A1. Автор: Guo Dechao,Yamashita Tenko,Venigalla Rajasekhar,Liu Zuoguang,Adusumilli Praneet,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

LOW RESISTANCE SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20180261598A1. Автор: Guo Dechao,Yamashita Tenko,Venigalla Rajasekhar,Liu Zuoguang,Adusumilli Praneet,Gluschenkov Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

METHODS OF FORMING DOPED SOURCE/DRAIN CONTACTS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20180261696A1. Автор: Murthy Anand,Kim Seiyon,JAMBUNATHAN KARTHIK,GLASS Glenn,Mohapatra Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

FINFETS WITH LOW SOURCE/DRAIN CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20150279840A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-10-01.

Forming Highly Conductive Source/Drain Contacts in III-Nitride Transistors

Номер патента: US20160276461A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

WRAPPED SOURCE/DRAIN CONTACTS WITH ENHANCED AREA

Номер патента: US20180269324A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

WRAPPED SOURCE/DRAIN CONTACTS WITH ENHANCED AREA

Номер патента: US20180269325A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US20150287795A1. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

BURIED SOURCE-DRAIN CONTACT FOR INTEGRATED CIRCUIT TRANSISTOR DEVICES AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20160284599A1. Автор: Liu Qing,Taylor William J.,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Field-effect transistor (fet) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US20140370681A1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Source/Drain Contact Structure

Номер патента: US20210366907A1. Автор: CHEN Hou-Yu,HUANG Yu-Xuan,Cheng Chun-Fu,Lee Wei Ju,Liao Yi-Bo. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

NON-PLANAR FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20190273143A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20200273963A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US20170294385A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

INTERLAYER DIELECTRIC REPLACEMENT TECHNIQUES WITH PROTECTION FOR SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20200279933A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao,Carr Adra,Greene Andrew,Kamineni Vimal. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

FABRICATING RAISED SOURCE DRAIN CONTACTS OF A CMOS STRUCTURE

Номер патента: US20180294338A1. Автор: Czornomaz Lukas,Deshpande Veeresh V.,DJARA Vladimir. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Field effect device with reduced capacitance and resistance in source/drain contacts at reduced gate pitch

Номер патента: US20190287850A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

TRANSISTOR HAVING WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20200287039A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

SPACER TO PREVENT SOURCE-DRAIN CONTACT ENCROACHMENT

Номер патента: US20150318204A1. Автор: HU Yue,PENG Wen-Pin,Lee Yong M.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-05.

RECESSED SOURCE DRAIN CONTACT REGIONS INDEPENDENT OF DEVICE PITCH BY UNMERGED EPITAXY ON FIN PORTIONS

Номер патента: US20150318281A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Marshall Eric D.,Taber Benjamen N.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-05.

FIELD EFFECT DEVICE WITH REDUCED CAPACITANCE AND RESISTANCE IN SOURCE/DRAIN CONTACTS AT REDUCED GATE PITCH

Номер патента: US20180308750A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Liu Chi-chun. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

METHODS OF FORMING NANOWIRE DEVICES WITH METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR SOURCE/DRAIN CONTACTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150333162A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy C.,WAN Jing,Koh Shao-Ming. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-19.

III-V LAYERS FOR N-TYPE AND P-TYPE MOS SOURCE-DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20160329431A1. Автор: Ghani Tahir,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-11-10.

SOURCE/DRAIN CONTACTS FOR NON-PLANAR TRANSISTORS

Номер патента: US20170323966A1. Автор: Pradhan Sameer S.,Chun Jin-Sung,JOSHI Subhash M.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-11-09.

FIELD EFFECT DEVICE WITH REDUCED CAPACITANCE AND RESISTANCE IN SOURCE/DRAIN CONTACTS AT REDUCED GATE PITCH

Номер патента: US20190311949A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Liu Chi-chun. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

FINFET DEVICE WITH A WRAP-AROUND SILICIDE SOURCE/DRAIN CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20190312117A1. Автор: Zhang Xing,Hong Wei,Xie Ruilong,Yu Hong,Qi Yi,WANG Haiting,Zhan Hui,LO Hsien-Ching,SHEN Yanping,Shi Yong Jun. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

MERGED GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150340467A1. Автор: Bouche Guillaume,Wei Andy Chih-Hung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

MASKLESS EPITAXIAL GROWTH OF PHOSPHORUS-DOPED Si AND BORON-DOPED SiGe (Ge) FOR ADVANCED SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190318969A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

MASKLESS EPITAXIAL GROWTH OF PHOSPHORUS-DOPED Si AND BORON-DOPED SiGe (Ge) FOR ADVANCED SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20190318970A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Yeung Chun Wing. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20200328291A1. Автор: Lee Tung Ying,HUANG Yu-Lien. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

PERFORMING CONCURRENT DIFFUSION BREAK, GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT CUT ETCH PROCESSES

Номер патента: US20190326177A1. Автор: Xie Ruilong,Yu Hong,Economikos Laertis,WANG Haiting,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

METHOD FOR FORMING SOURCE/DRAIN CONTACTS DURING CMOS INTEGRATION USING CONFINED EPITAXIAL GROWTH TECHNIQUES AND THE RESULTING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160351566A1. Автор: Xie Ruilong,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Buried source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US20150357425A1. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,William J. Taylor,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-12-10.

BACKSIDE SOURCE-DRAIN CONTACT FOR INTEGRATED CIRCUIT TRANSISTOR DEVICES AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20150357477A1. Автор: Zhang John Hongguang,KLEEMEIER Walter. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2015-12-10.

SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20160358916A1. Автор: Cheng Kangguo,Alptekin Emre,Ponoth Shom S.,Pranatharthiharan Balasubramanian,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

FORMING GATE AND SOURCE/DRAIN CONTACT OPENINGS BY PERFORMING A COMMON ETCH PATTERNING PROCESS

Номер патента: US20150364378A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

FABRICATING RAISED SOURCE DRAIN CONTACTS OF A CMOS STRUCTURE

Номер патента: US20180350925A1. Автор: Czornomaz Lukas,Deshpande Veeresh V.,DJARA Vladimir. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

WRAPPED SOURCE/DRAIN CONTACTS WITH ENHANCED AREA

Номер патента: US20180350991A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Liu Zuoguang. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DIELECTRIC SPACER LINER ON SOURCE/DRAIN CONTACT

Номер патента: US20200343349A1. Автор: Wang Yu-Sheng,Chen Kei-Wei,Hung Chi-Cheng,WU Chia-Yang,CHUNG Ming-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-29.

TITANIUM SILICIDE FORMATION IN A NARROW SOURCE-DRAIN CONTACT

Номер патента: US20150380304A1. Автор: NIIMI Hiroaki,Sung Min Gyu,LIM Kwanyong. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH FIELD EFFECT TRANSISTOR(S) HAVING LOW-RESISTANCE SOURCE/DRAIN CONTACT(S)

Номер патента: US20160380065A1. Автор: Nowak Edward J.,Johnson Jeffrey B.,ANDERSON Brent A.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-12-29.

TITANIUM SILICIDE FORMATION IN A NARROW SOURCE-DRAIN CONTACT

Номер патента: US20170372949A1. Автор: NIIMI Hiroaki,Sung Min Gyu,LIM Kwanyong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-12-28.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US20200357916A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

FORMING CRYSTALLINE SOURCE/DRAIN CONTACTS ON SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200365585A1. Автор: Murthy Anand S.,JAMBUNATHAN KARTHIK,Bomberger Cory C.,MADDOX SCOTT J.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-11-19.

Epitaxial Layers In Source/Drain Contacts And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220359310A1. Автор: Tsai Pang-Yen,Shih Ding-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SOURCE/DRAIN CONTACT ISOLATION STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20220359677A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Wang Sheng-Tsung,Su Huan-Chieh,Huang Lin-Yu,JAO Meng-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

BACKSIDE SOURCE/DRAIN CONTACTS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220359679A1. Автор: Tsai Ching-Wei,LEE Wei-Yang,Yeo Yee-Chia,Cheng Kuan-Lun,HUANG Yu-Xuan,KUO Chien-I,Lu Wei Hao,Su Li-Li. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Methods for forming metal-insulator semiconductor (MIS) source/drain contact structure and integrated circuit fabrication

Номер патента: KR102282375B1. Автор: 마이클 유진 기븐스,푸 탕,제이콥 허프만 우드러프,치 시에,얀 빌럼 마스. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2021-07-28.

Iii-v layers for n-type and p-type mos source-drain contacts

Номер патента: KR20140097464A. Автор: 타히르 가니,글렌 에이. 글라스,아난드 에스. 머시. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2014-08-06.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US10283640B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Vertical channel fin field-effect transistors having increased source/drain contact area and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050186742A1. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Dong-gun Park,Jeong-Dong Choe,Chang-Woo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-25.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US20230028568A1. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Forming highly conductive source/drain contacts in III-Nitride transistors

Номер патента: US10074729B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Interlayer dielectric replacement techniques with protection for source/drain contacts

Номер патента: US10770562B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Andrew Greene,Vimal Kamineni,Adra Carr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Source/drain contact having a protruding segment

Номер патента: US11264393B2. Автор: Ting Fang,Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Yuan Chang,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Thin film transistor stucture with improved source/drain contacts

Номер патента: EP0504390B1. Автор: Richard Joseph Saia,Robert Forrest Kwasnick,George Edward Possin,David Eugene Thomson Lcd Holden. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-01-10.

Fabricating raised source drain contacts of a CMOS structure

Номер патента: US9917164B1. Автор: Lukas Czornomaz,Veeresh V. Deshpande,Vladimir DJARA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Ge-rich transistors employing si-rich source/drain contact resistance reducing layer

Номер патента: WO2018125082A1. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Scott J. MADDOX. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Forming gate and source/drain contact openings by performing a common etch patterning process

Номер патента: US9312182B2. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung,William J. Taylor, Jr.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

FinFET having insulating layers between gate and source/drain contacts

Номер патента: US10741451B2. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie,Chanro Park,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Methods of forming a gate-to-source/drain contact structure

Номер патента: US10388654B2. Автор: Timothy J. McArdle,Ruilong Xie,Judson R. Holt,George Mulfinger,Thomas Merbeth,Ömür Aydin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Vertical source/drain contact semiconductor

Номер патента: US20020151108A1. Автор: Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Puay Ong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-10-17.

FINFET with insulating layer between gate and source/drain contacts

Номер патента: CN110993602A. Автор: 谢瑞龙,臧辉,拉尔特斯·柯洛米克斯,席史·马尼·潘迪,朴灿柔. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-10.

Metal to source/drain contact area using thin nucleation layer and sacrificial epitaxial film

Номер патента: WO2019005099A1. Автор: Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Szuya S. LIAO,Scott J. MADDOX,Ritesh JHAVERI,Pratik A. Patel,Ralph T. TROEGER,Kai Loon CHEONG. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.

Silicide formation for source/drain contact in a vertical transport field-effect transistor

Номер патента: US11621199B2. Автор: Huai HUANG,Ruilong Xie,Heng Wu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-04.

Wrapped source/drain contacts with enhanced area

Номер патента: US10084094B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Low resistance source-drain contacts using high temperature silicides

Номер патента: US11088033B2. Автор: Christian Lavoie,Praneet Adusumilli,Hemanth Jagannathan,Ahmet S. Ozcan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US8981435B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

The method for being used to form source/drain contact

Номер патента: CN109755120A. Автор: 周顺益,S·德姆恩克. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-05-14.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US10269707B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-23.

HEMT with epitaxial narrow bandgap source/drain contacts isolated from wide bandgap layer

Номер патента: US4714948A. Автор: Takashi Mimura,Satoshi Hiyamizu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-12-22.

Method for forming source/drain contacts utilizing an inhibitor

Номер патента: US11670691B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Use of band edge gate metals as source drain contacts

Номер патента: US8741753B2. Автор: Bin Yang,Zhen Zhang,Christian Lavoie,Kisik Choi,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Process method for source-drain contact metal, and device and preparation method therefor

Номер патента: WO2022257075A1. Автор: 王晨,张卫,徐敏,吴春蕾,杨静雯,陈鲲,尹睿,徐赛生. Владелец: 上海集成电路制造创新中心有限公司. Дата публикации: 2022-12-15.

Vertical source/drain contact semiconductor

Номер патента: US20030006462A1. Автор: Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Puay Ong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Transistor source/drain contacts and methods of forming the same

Номер патента: US20230369325A1. Автор: Huan-Just Lin,Wen-Kuo HSIEH,Yang-Cheng WU,Yun-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for Forming Source/Drain Contacts

Номер патента: US20210313324A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Shao-Ming Koh,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Source/drain contact depth control

Номер патента: US20200203480A1. Автор: Brian J. Greene,Lin Hu,Kai Zhao,Veeraraghavan S. Basker,Daniel Jaeger,Christopher Nassar,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Integrated circuit structure including multi-length source/drain contacts

Номер патента: US20230378177A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US10714597B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11271095B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-08.

FinFETs with low source/drain contact resistance

Номер патента: US11695061B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Integrated circuit structure including multi-length source/drain contacts

Номер патента: US11791337B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: US20240063305A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Transistor source/drain contacts and methods of forming the same

Номер патента: US11798943B2. Автор: Huan-Just Lin,Wen-Kuo HSIEH,Yang-Cheng WU,Yun-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Single and double gate field effect transistors with sidewall source-drain contacts

Номер патента: TW372357B. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Paul Michael Solomon. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1999-10-21.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: WO2016160120A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-10-06.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: EP4325583A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Method for forming source/drain contacts utilizing an inhibitor

Номер патента: US20230326983A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device with source/drain contact

Номер патента: US20230335643A1. Автор: Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Wen-Che Tsai,Hua-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Raised silicide source/drain MOS transistors having enlarged source/drain contact regions and method

Номер патента: TW480604B. Автор: Sheng Teng Hsu,Keizo Sakiyama. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2002-03-21.

Low resistance molybdenum deposition for logic source/drain contacts

Номер патента: WO2023164413A1. Автор: Chiukin Steven Lai,Jeong-Seok Na,Yao-Tsung Hsieh,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US20240096867A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun-Li Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20230282733A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20190148525A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

FinFETs With Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20210167192A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

FinFETs with Low Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20200328291A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3278365A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Transistor design self-aligned to contact

Номер патента: US20070059908A1. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Davis. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Borderless interconnect line structure self-aligned to upper and lower level contact vias

Номер патента: US8704343B2. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-22.

Field effect transistors with gate electrode self-aligned to semiconductor fin

Номер патента: US11996447B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Double-Resurf LDMOS With Drift And PSURF Implants Self-Aligned To A Stacked Gate "BUMP" Structure

Номер патента: US20140070315A1. Автор: Levy Sagy,Levin Sharon,Berkovitch Noel. Владелец: Tower Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2014-03-13.

DRIFT REGION IMPLANT SELF-ALIGNED TO FIELD RELIEF OXIDE WITH SIDEWALL DIELECTRIC

Номер патента: US20200083336A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,Hu Binghua,Todd James Robert. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

FORMATION OF A COMPOSITE PATTERN INCLUDING A PERIODIC PATTERN SELF-ALIGNED TO A PREPATTERN

Номер патента: US20150195916A1. Автор: Sanders Daniel P.,Cheng Joy,Doerk Gregory S.,Rettner Charles T.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-09.

Drift region implant self-aligned to field relief oxide with sidewall dielectric

Номер патента: US20170213893A1. Автор: Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

DRIFT REGION IMPLANT SELF-ALIGNED TO FIELD RELIEF OXIDE WITH SIDEWALL DIELECTRIC

Номер патента: US20170213895A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,Hu Binghua,Todd James Robert. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY BOTTOM ELECTRODE SELF-ALIGNED TO UNDERLYING INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20200212292A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Double-Resurf LDMOS With Drift And PSURF Implants Self-Aligned To A Stacked Gate "BUMP" Structure

Номер патента: US20150279969A1. Автор: Levy Sagy,Levin Sharon,Berkovitch Noel. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH GATE ELECTRODE SELF-ALIGNED TO SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20200321435A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,Ma Sean T.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-08.

Thin film transistor self-aligned to light-shield layer

Номер патента: CN1462473A. Автор: T·于卡瓦. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Enhanced mobility CMOS transistors with a V-shaped channel with self-alignment to shallow trench isolation

Номер патента: US7728364B2. Автор: Huilong Zhu,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Drift region implant self-aligned to field relief oxide with sidewall dielectric

Номер патента: EP3430647A1. Автор: Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-23.

FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH GATE ELECTRODE SELF-ALIGNED TO SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20220181442A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,Ma Sean T.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

DOUBLE-RESURF LDMOS WITH DRIFT AND PSURF IMPLANTS SELF-ALIGNED TO A STACKED GATE "BUMP" STRUCTURE

Номер патента: US20160372578A1. Автор: Levy Sagy,Levin Sharon,Berkovitch Noel. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR FULLY SELF-ALIGNED TO DIFFUSION REGION WITH STRONGLY MINIMIZED SUBSTRATE PARASITICS AND SELECTIVE PRE-STRUCTURED EPITAXIAL BASE LINK

Номер патента: US20170365688A1. Автор: Dahl Claus,TSCHUMAKOW Dmitri Alex. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH. Дата публикации: 2017-12-21.

Thin film transistor self-aligned to a light-shield layer

Номер патента: EP1396019B1. Автор: Teizo Yukawa. Владелец: TPO Hong Kong Holding Ltd. Дата публикации: 2015-07-08.

Method for depositing film and film deposition apparatus

Номер патента: US20100078113A1. Автор: Nobutaka Ukigaya,Tomokazu Sushihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets

Номер патента: US20140037845A1. Автор: Paul E. Burrows,Xi Chu,Lorenza Moro,Gordon Lee Graff,Peter Maclyn Martin,Mark Edward Gross,Charles C. Bonham,Kenneth Jeffrey Nelson,Mac R. Zumhoff,John Chris Pagano. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets

Номер патента: EP1497853A2. Автор: Paul E. Burrows,Gordon Lee Graff,Peter Maclyn Martin,Mark Edward Gross,Charles C. Bonham,Kenneth Jeffrey Nelson,Mac R. Zumhoff,John Chris Pagano. Владелец: Vitex Systems Inc. Дата публикации: 2005-01-19.

Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets

Номер патента: US09839940B2. Автор: Paul E. Burrows,Xi Chu,Lorenza Moro,Gordon Lee Graff,Peter Maclyn Martin,Mark Edward Gross,Charles C. Bonham,Kenneth Jeffrey Nelson,Mac R. Zumhoff,John Chris Pagano. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Techniques for depositing metallic films using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition

Номер патента: WO2007092529A8. Автор: Yuri Erokhin,Peter D Nunan. Владелец: Peter D Nunan. Дата публикации: 2008-09-25.

Deposition apparatus, method for depositing, method for packaging a die in a chip package

Номер патента: EP4400625A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Fabien Jacques Bruning. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-07-17.

Deposition apparatus, method for depositing, method for packaging a die in a chip package

Номер патента: WO2024151163A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Fabien Bernard Jacques Bruning. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-07-18.

Low cost approach for depositing solder and adhesives in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: US20200171609A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-06-04.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: WO2020112311A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-06-04.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: EP4216683A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-07-26.

Low cost method for depositing solder or adhesive in a pattern for forming electronic assemblies

Номер патента: EP3888428A1. Автор: Sergio V. Martinez,Jeffrey R. OGORZALEK,Patrick J. LOTT. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-10-06.

System for depositing one or more layers on a substrate supported by a carrier and method using the same

Номер патента: US09899635B2. Автор: Dieter Haas,Stefan Bangert,Jose Manuel Dieguez-Campo,Uwe Schüβler. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Mask for deposition

Номер патента: US09666837B2. Автор: Sang Yun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same

Номер патента: US09583354B2. Автор: David P. Taylor,Margaret H. Abraham. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

System for deposition of material

Номер патента: WO2023224219A1. Автор: Ki Hun Kim,Jong Woo Shin,Jae Pil LEE,Sung Mo Kang,Jong Goo Park,Kyoung Rok MUN. Владелец: LG ENERGY SOLUTION, LTD.. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods, processes, and apparatus for depositing nanosensors on low surface energy substrates

Номер патента: US11619606B2. Автор: Vijay Varadan,Pratyush Rai,Gyanesh Mathur. Владелец: Nanowear Inc. Дата публикации: 2023-04-04.

Methods and systems for depositing a layer

Номер патента: US20230243036A1. Автор: Viljami Pore,Marko Tuominen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-03.

System for deposition of material

Номер патента: US20240246106A1. Автор: Ki Hun Kim,Jong Woo Shin,Jae Pil LEE,Sung Mo Kang,Jong Goo Park,Kyoung Rok MUN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods, processes, and apparatus for depositing nanosensors on low surface energy substrates

Номер патента: US20190086361A1. Автор: Vijay Varadan,Pratyush Rai,Gyanesh Mathur. Владелец: Nanowear Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Methods, processes, and apparatus for depositing nanosensors on low surface energy substrates

Номер патента: US20210278366A1. Автор: Vijay Varadan,Pratyush Rai,Gyanesh Mathur. Владелец: Nanowear Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for Depositing Materials on a Substrate

Номер патента: MY195025A. Автор: Robert W Tracy,Scott A Reid,Kenneth C Crouch,Thomas J Karlinski. Владелец: Illinois Tool Works. Дата публикации: 2023-01-03.

Apparatus for depositing thin film

Номер патента: US20130312666A1. Автор: Yu-Chiu Shih,Hsiu-Po Liu. Владелец: GCSOL Tech CO Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Plasma device for depositing functional composite film comprising crystallized particles embedded in a matrix and method of deposition thereof

Номер патента: EP3655563A1. Автор: Nicolas Boscher,Patrick Choquet,Simon Bulou,Jean-Baptiste CHEMIN. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2020-05-27.

Method and device for depositing a nano-object

Номер патента: US11854801B2. Автор: Matthieu DELBECQ,Tino CUBAYNES,José PALOMO,Matthieu DARTIAILH,Takis KONTOS,Matthieu DESJARDINS. Владелец: Université de Paris. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for depositing high aspect ratio molecular structures

Номер патента: US09776206B2. Автор: David Gonzales,David P. Brown,Albert G. Nasibulin,Esko I. Kauppinen. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2017-10-03.

Production plant for deposition of material and electrode for use in it

Номер патента: RU2503905C2. Автор: Майкл МОЛНАР,Макс ДЕХТИАР,Дэвид ХИЛЛЭБРЭНД,Теодор КНАПП,Кит МАККОЙ. Владелец: Хемлок Семикондактор Корпорейшн. Дата публикации: 2014-01-10.

Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element

Номер патента: US11887857B2. Автор: Qi Xie,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-30.

Mask for deposition, method of manufacturing mask, and method of manufacturing display device

Номер патента: US20180151803A1. Автор: Youngmin Moon,Minho Moon,Jeongkuk Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Microwave cvd method for deposition of robust barrier coatings

Номер патента: WO1996032846A1. Автор: Masatsugu Izu,Buddie R. Ii Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1996-10-24.

Mask for depositing a thin film and a thin film deposition method using the same

Номер патента: US20160236222A1. Автор: Woong-Sik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Mask for depositing a thin film and a thin film deposition method using the same

Номер патента: US9931661B2. Автор: Woong-Sik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Mask for deposition and deposition apparatus including the same

Номер патента: US20130186330A1. Автор: Jungmin Lee,Choongho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Mask for depositing a thin film and a thin film deposition method using the same

Номер патента: US20140370196A1. Автор: Woong-Sik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Mask for deposition and deposition apparatus including the same

Номер патента: US9221072B2. Автор: Jungmin Lee,Choongho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Apparatus for depositing material layers on a substrate

Номер патента: WO2024132366A1. Автор: Lászlo PETHÖ,Carlos Guerra,Johann Michler. Владелец: Swiss Cluster Ag. Дата публикации: 2024-06-27.

Apparatus for depositing material layers on a substrate

Номер патента: EP4389929A1. Автор: Lászlo PETHÖ,Carlos Guerra,Johann Michler. Владелец: Swiss Cluster Ag. Дата публикации: 2024-06-26.

Material deposition system for depositing materials on a substrate

Номер патента: WO2013082090A2. Автор: Dennis G. Doyle,Thomas C. Prentice,Patsy A. Mattero,David P. Prince. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Material deposition system for depositing materials on a substrate

Номер патента: EP2785893A2. Автор: Dennis G. Doyle,Thomas C. Prentice,Patsy A. Mattero,David P. Prince. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2014-10-08.

Device for deposition or cleaning with movable structure and method of operation thereof

Номер патента: RU2727634C1. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-22.

Method and device for depositing a fiber material layer on a carrier

Номер патента: US20220205155A1. Автор: Ramon Hubertus Mathijs SOLBERG,Paul Johannes Franciscus Maria JANSSEN. Владелец: Vivolta BV. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: EP2909356A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: Solmates Bv. Дата публикации: 2015-08-26.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: US10128467B2. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: Solmates Bv. Дата публикации: 2018-11-13.

Method for depositing a target material onto a organic electrically functional material

Номер патента: WO2014060356A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: SOLMATES B.V.. Дата публикации: 2014-04-24.

Plasma deposition source and method for depositing thin films

Номер патента: WO2010136464A1. Автор: NEIL Morrison,Stefan Hein,Andre HERZOG,Peter Skuk. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-12-02.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Monitoring system for deposition and method of operation thereof

Номер патента: US09870935B2. Автор: Todd Egan,Mehdi Vaez-Iravani,Thomas Nowak,Edward W. Budiarto,Ralf Hofmann,Majeed A. Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Apparatus for depositing nanoparticles of metal oxides on a metal surface under normal conditions

Номер патента: RU2733530C1. Автор: Николай Васильевич Краснов,Марат Зарифович Мурадымов,Максим Николаевич Краснов,Екатерина Петровна Подольская,Ольга Александровна Кельциева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БиАП". Дата публикации: 2020-10-05.

Method for depositing materials on a substrate

Номер патента: WO2005048329A1. Автор: Noriaki Fukiage,Katherina Babich. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2005-05-26.

Method and device for depositing components on a substrate

Номер патента: WO2024123176A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Robin Bernardus Johannes Koldeweij. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and device for depositing a fiber material layer on a carrier

Номер патента: EP3966369A1. Автор: Ramon Hubertus Mathijs SOLBERG,Paul Johannes Franciscus Maria JANSSEN. Владелец: Vivolta BV. Дата публикации: 2022-03-16.

Method and device for depositing a fiber material layer on a carrier

Номер патента: WO2020226488A1. Автор: Ramon Hubertus Mathijs SOLBERG,Paul Johannes Franciscus Maria JANSSEN. Владелец: Innovative Mechanical Engineering Technologies B.V.. Дата публикации: 2020-11-12.

Mask for deposition of metallic material for depositing oled pixels and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4234759A2. Автор: Jee Heum Paik,Hae Sik Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Mask for deposition of metallic material for depositing oled pixels and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4234759A3. Автор: Jee Heum Paik,Hae Sik Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for depositing boron nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US12049694B2. Автор: Yosuke Watanabe,Shota CHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for depositing a metal onto a porous carbon layer

Номер патента: US9828678B2. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20080150049A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20100022079A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20110136314A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Methods for depositing high-k dielectrics

Номер патента: US20100330772A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130164910A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086078A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Structure and method for reduced emitter tip to gate spacing in field emission devices

Номер патента: US20010020813A1. Автор: Ji Ung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Method for Depositing a Metal Onto A Porous Carbon Layer

Номер патента: US20120325672A1. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2012-12-27.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Sunil Shanker,Xiangxin Rui,Edward L. Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for depositing high-K dielectrics

Номер патента: US8574985B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Device and method for depositing a printing material on a substrate

Номер патента: EP4429417A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Gari Arutinov. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-09-11.

Device and method for depositing a printing material on a substrate

Номер патента: WO2024186206A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Gari Arutinov. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-09-12.

Pecvd deposition system for deposition on selective side of the substrate

Номер патента: US20240309507A1. Автор: Fayaz Shaikh,Nick Linebarger,Curtis Bailey. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD

Номер патента: US09909214B2. Автор: Hidemi Suemori. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for depositing a metal onto a porous carbon layer

Номер патента: US09828678B2. Автор: Nicolas Guillet,Frederic Fouda-Onana. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for depositing one or more polycrystalline silicon layers on substrate

Номер патента: US09728452B2. Автор: Jari Mäkinen,Veli Matti Airaksinen. Владелец: Okmetic Oy. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods for depositing amorphous silicon

Номер патента: US09633841B2. Автор: Chi-Min Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials

Номер патента: US09537095B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Matthias Stender,Tianniu Chen,Chongying Xu,Philip S. H. Chen,William Hunks. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: US09447287B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Eugene Joseph Karwacki, Jr.,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Apparatus for deposition of thin-film, solid state batteries

Номер патента: CA2190856C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Rosa Young,Herbert Ovshinsky. Владелец: Ovonic Battery Co Inc. Дата публикации: 2006-05-09.

Method for depositing silicon dioxide using low temperatures

Номер патента: US6096661A. Автор: Minh Van Ngo,Khanh Nguyen,Terri Jo Kitson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor devices with wide gate-to-gate spacing

Номер патента: US20200388540A1. Автор: Haiting Wang,Jiehui SHU,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method and device for depositing an epitaxial layer on a substrate wafer made of semiconductor material

Номер патента: US20230178398A1. Автор: Thomas Stettner,Hannes Hecht,Walter Edmaier,Korbinian LICHTENEGGER. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-06-08.

Methods for depositing III-alloys on substrates and compositions therefrom

Номер патента: US11721550B2. Автор: Emily Lowell Warren,Jeramy David Zimmerman,Olivia Dean Schneble. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2023-08-08.

Method and device for depositing components on a target surface of a target as well as donor plate for use therewith

Номер патента: EP4358121A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Robin Bernardus Johannes Koldeweij. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-04-24.

Silicon precursor having a heterocyclic group, composition for depositing a silicon-containing layer comprising the same and method of depositing a silicon-containing layer using the same

Номер патента: US20230307227A1. Автор: Younjoung CHO,Jihyun Lee,Sung Gi Kim,Seung Son,Byungkeun Hwang,Sunhye HWANG,Yujin Cho,Gyun Sang LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for depositing a bronze alloy on a printed circuit and printed circuit obtained by said method

Номер патента: AU2021402198A9. Автор: Jerome Sanson,Stéphanie COQUILLARD. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for depositing an organic or hybrid organic/inorganic perovskite layer

Номер патента: US20220195580A1. Автор: Jean-Marie Verilhac,Louis Grenet,Fabrice Emieux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for depositing metal

Номер патента: US5935396A. Автор: Sailesh Mansinh Merchant,Sailesh Chittipeddi,Joseph William Buckfeller. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method and device for depositing components on a target surface of a target as well as donor plate for use therewith.

Номер патента: WO2024085752A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Robin Bernardus Johannes Koldeweij. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods for depositing tungsten or molybdenum films

Номер патента: US11761081B2. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen,Robert WRIGHT, JR.,Shawn D. NGUYEN. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20190051513A1. Автор: Hitoshi Kato,Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

A method for depositing a metallic material on a surface of at least one solar cell

Номер патента: WO2024197336A1. Автор: Alison Joan Lennon,Jonathan BRUCK,Storm DRURY,Peter BUGGS,Matthew EYLES,Lalith VUDATA. Владелец: Sundrive Solar Pty Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for depositing a multi-layer moisture barrier on electronic devices and electronic devices protected by a multi-layer moisture barrier

Номер патента: US09831466B2. Автор: Stephen E. Savas,Carl Galewski,Allan B. Wiesnoski. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2017-11-28.

Si precursors for deposition of SiN at low temperatures

Номер патента: US09824881B2. Автор: SHANG Chen,Viljami Pore,Antti J. Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for depositing an aluminium nitride layer

Номер патента: US09607831B2. Автор: Heinz Felzer,Bernd Heinz,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Hot-wire method for depositing semiconductor material on a substrate and device for performing the method

Номер патента: US09589794B2. Автор: Andreas Schmalen,Friedhelm Finger,Johannes Wolff. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2017-03-07.

Si precursors for deposition of SiN at low temperatures

Номер патента: US09564309B2. Автор: SHANG Chen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Viljami Pore,Suvi P. Haukka,Antti J. Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for depositing a group III nitride semiconductor film

Номер патента: US09478420B2. Автор: Heinz Felzer,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings

Номер патента: CA2326202C. Автор: Roger De Gryse,Jurgen Denul. Владелец: Bekaert NV SA. Дата публикации: 2008-06-17.

Method and apparatus for depositing highly oriented and reflective crystalline layers using a low temperature seeding layer

Номер патента: US6017144A. Автор: Israel Beinglass,Roderick Craig Mosely,Ted Tie Guo,Mehul Bhagubhai Naik,Liang-Yu Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-01-25.

System and process for deposition of polycrystalline silicon with silane in vacuum

Номер патента: US3900597A. Автор: Jerry L Chruma,Paul G Hilton. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1975-08-19.

Method and apparatus for depositing a layer on a semiconductor wafer by vapor deposition in a process chamber

Номер патента: MY166009A. Автор: Brenninger Georg. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-05-21.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US8168488B2. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Method for depositing microcrystalline silicon and monitor device of plasma enhanced deposition

Номер патента: US20110136269A1. Автор: Chia-Hao Chang,Chen-Chung Du,Jen-Rong Huang,Muh-Wang Liang,Sheng-Lang Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-06-09.

Mask for deposition of metallic material for depositing oled pixels and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3678204A2. Автор: Jee Heum Paik,Hae Sik Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures

Номер патента: US11908736B2. Автор: Qi Xie,Chiyu Zhu,Kiran Shrestha,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Henri Jussila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20200312867A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20210104544A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Devices with contact-to-gate shorting through conductive paths between fins and fabrication methods

Номер патента: US20180061842A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film

Номер патента: US11827978B2. Автор: Qi Xie,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Eric Christopher Stevens,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-28.

Apparatus and method for deposition organic compounds, and substrate treating facility with the apparatus

Номер патента: WO2007052963A1. Автор: Young-Chul Joung,Suk-Min Choi,Il-Ho No. Владелец: SEMES CO., LTD.. Дата публикации: 2007-05-10.

Methods for depositing a hafnium lanthanum oxide film on a substrate by a cyclical deposition process in a reaction chamber

Номер патента: US11769664B2. Автор: Michael Eugene Givens,Tatiana Ivanova,Perttu Sippola. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures

Номер патента: US11923192B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Fu Tang,Delphine Longrie. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240153817A1. Автор: Qi Xie,Chiyu Zhu,Kiran Shrestha,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Henri Jussila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film

Номер патента: US20240068092A1. Автор: Qi Xie,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Eric Christopher Stevens,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Monitoring system for deposition and method of operation thereof

Номер патента: EP3234983A1. Автор: Todd Egan,Mehdi Vaez-Iravani,Thomas Nowak,Edward W. Budiarto,Ralf Hofmann,Majeed A. Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-25.

Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures

Номер патента: US20240186138A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Fu Tang,Delphine Longrie. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for depositing a film onto a substrate

Номер патента: EP2255022A2. Автор: Andreas Stadler,Uwe Brendel,Herbert Dittrich,Hermann-Josef Schimper,Dan Topa,Angelika Basch. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2010-12-01.

Method for depositing a film onto a substrate

Номер патента: WO2009112388A2. Автор: Andreas Stadler,Uwe Brendel,Herbert Dittrich,Hermann-Josef Schimper,Dan Topa,Angelika Basch. Владелец: Sez Ag. Дата публикации: 2009-09-17.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130200458A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for depositing an epitaxial layer on a substrate wafer

Номер патента: US20230265581A1. Автор: Thomas Stettner,Martin WENGBAUER. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Magazine for depositing substrates

Номер патента: WO2009038244A4. Автор: Yeong Yeop Moon. Владелец: Visionsemicon Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Crystalline strontium titanate (sto) and method for deposition of the sto on a substrate

Номер патента: US20240242964A1. Автор: Nagendra Nagaraja,Pinakin Mansukhlal Padalia,Amlan Mukherjee,Manjunath Gangaiah,Balaji Sompalle,Purnima Sethi Josan,Subhash Kannappa Manoharan. Владелец: Superq Technologies India Private Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

A method for deposition of at least one electrically conducting film on a substrate

Номер патента: EP2387803A1. Автор: Konrad Wissenbach,Andres Gasser,Norbert Pirch,Holger Schwab,Edward W. A. Young,Dietrich Bertram,Johannes Krijne,Jeroen H. A. M. Van Buul,Christian Vedder,Jochen H. Stollenwerk. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-11-23.

Method for deposition of at least one electrically conducting film on a substrate

Номер патента: US20110318924A1. Автор: Konrad Wissenbach,Andres Gasser,Norbert Pirch,Holger Schwab,Edward W. A. Young,Dietrich Bertram,Johannes Krijne,Jeroen H. A. M. Van Buul,Jochen Stollenwerk,Christian Vedder. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-12-29.

Methods and systems for deposition to gaps using an inhibitor

Номер патента: US20230069459A1. Автор: Varun Sharma,Suvi P. Haukka,Eva E. Tois. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-03-02.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for depositing silicon feedstock material, silicon wafer, solar cell and PV module

Номер патента: US10392725B2. Автор: Frank Asbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-27.

Process and hardware for deposition of complex thin-film alloys over large areas

Номер патента: US20140205768A1. Автор: Walajabad S. Sampath,Pavel S. Kobyakov,Kevin E. Walters,Davis R. Hemenway. Владелец: COLORADO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2014-07-24.

Method and apparatus for deposition using pulsed atmospheric pressure glow discharge

Номер патента: WO2007139379A9. Автор: Eugen Aldea,Vries Hindrik Willem De,De Sanden Mauritius Cornel Van,Mariadriana Creatore,Serguei Alexandrovi Starostine. Владелец: Serguei Alexandrovi Starostine. Дата публикации: 2009-01-08.

Method and device for depositing silicon on a substrate

Номер патента: US20140295105A1. Автор: Michael Huth,Andreas Terfort. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-02.

Traveling wave amplifier with distributed regenerative feedback between drain-to-drain transmission lines and gate-to-gate transmission lines for enhanced high frequency bandwidth

Номер патента: US20080074191A1. Автор: William MORDARSKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Formulation for depositing a light-emitting polymer layer

Номер патента: US20030173563A1. Автор: Ilaria Grizzi. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Lithium iron phosphate (lfp) cathode active materials and method for deposition of the same

Номер патента: US20240072257A1. Автор: Nagendra Nagaraja,Pinakin Mansukhlal Padalia,Aswanth Krishnan,Nawaf Alampara,Manjunath Gangaiah. Владелец: Qpivolta Technologies Private Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for depositing layers of materials on substrates and structures formed accordingly

Номер патента: US20240302748A1. Автор: Paul Chatelain,Kishan Ashokbhai Patel,Fatemeh Davodi,João Antunes Afonso,Steaphan Mark Wallace. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and apparatus for depositing a silicon-containing film

Номер патента: US20160379868A1. Автор: Jun Sato,Masahiro Murata,Hiroyuki Kikuchi,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Method and apparatus for depositing phosphor on semiconductor-light emitting device

Номер патента: US09892981B2. Автор: Seong-Jae Hong,Cheol-jun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for depositing aluminum on a permanent Nd—Fe—B magnet

Номер патента: US09783883B2. Автор: Zhongjie Peng,Kunkun Yang,Daoning Jia. Владелец: Yantai Shougang Magnetic Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and apparatus for depositing amorphous silicon film

Номер патента: US09721798B2. Автор: Seung-Woo Shin,Sung-kil CHO,Hai-Won Kim,Woo-Duck Jung,Ho-Min Choi,Wan-Suk Oh,Koon-Woo Lee. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for depositing extremely low resistivity tungsten

Номер патента: US09589808B2. Автор: Raashina Humayun,Deqi Wang,Hanna Bamnolker,Yan Guan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Apparatus and method for depositing a layer onto a substrate

Номер патента: US09490166B2. Автор: Jürgen WEICHART,Mohamed Elghazzali,Sven Uwe Rieschl. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process

Номер патента: US11387106B2. Автор: Suvi Haukka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-07-12.

Dispersion for depositing metallic layer

Номер патента: RU2405222C2. Автор: Норберт Вагнер,Рене ЛОХТМАН,Норберт ШНАЙДЕР,Юрген ПФИСТЕР,Хайко Маас,Геральд ЛИППЕРТ,Беттина ЗОБОТКА,Рене ЛОХТМАН (DE),Норберт ШНАЙДЕР (DE),Юрген ПФИСТЕР (DE),Норберт ВАГНЕР (DE),Геральд ЛИППЕРТ (DE),Хайко МААС (DE),Беттина ЗОБОТКА (DE). Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2010-11-27.

Methods and apparatus for depositing tantalum metal films to surfaces and substrates

Номер патента: US20080050916A1. Автор: Clement R. Yonker,Dean W. Matson,John T. Bays. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Apparatus for depositing particles onto a wafer

Номер патента: US5746832A. Автор: Seung-ki Chae,Jong-Soo Kim,Byung-seol Ahn,Sang-kyu Hahm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-05-05.

Process for depositing conductive layers on substrates

Номер патента: CA1058330A. Автор: Paul H. Holloway,Donald M. Mattox,Gerald C. Nelson. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1979-07-10.

Method for depositing one or more polycrystalline silicon layers on substrate

Номер патента: CA2832084C. Автор: Jari Mäkinen,Veli Matti Airaksinen. Владелец: Okmetic Oy. Дата публикации: 2020-09-08.

Method and apparatus for deposition using an atmospheric pressure plasma

Номер патента: CA2964752C. Автор: Marvi A. MATOS,Liam S. PINGREE. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-09-03.

A method and apparatus for depositing a coating onto a substrate

Номер патента: EP2037000A3. Автор: Torbjorn Selinder,Markus Rodmar. Владелец: Sandvik Intellectual Property AB. Дата публикации: 2009-05-13.

Process for depositing a thin-film layer of magnetic material onto an insulative dielectric layer of a semiconductor substrate

Номер патента: US4529621A. Автор: Delbert L. Ballard. Владелец: Utah Computer Industries Inc. Дата публикации: 1985-07-16.

System and method for deposition of coatings on a substrate

Номер патента: EP1254277A2. Автор: Valery Diamant,Alexandr Igorevichul. Dodonov,Valery Mikhailovich Bashkov. Владелец: Vip Vacuum Plasma Technologies Ltd. Дата публикации: 2002-11-06.

Compositions and processes for depositing carbon-doped silicon-containing films

Номер патента: US20230348736A1. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Eugene Joseph Karwacki. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate

Номер патента: US11851760B2. Автор: Fayaz Shaikh,Nick Linebarger,Curtis Bailey. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Device for depositing a material by pulsed laser deposition and a method for depositing a material with the device

Номер патента: WO2015124589A1. Автор: Jan Matthijn Dekkers,Jan Arnaud Janssens. Владелец: SOLMATES B.V.. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process

Номер патента: US20230265556A1. Автор: Christophe Detavernier,Matthias Minjauw,Jolien Dendooven. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Methods and Apparatus for Depositing Yttrium-Containing Films

Номер патента: US20190017171A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,Lakmal C. Kalutarage,Benjamin Schmiege. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086083A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for depositing boron nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20220235457A1. Автор: Yosuke Watanabe,Shota CHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method and device for depositing components on a substrate

Номер патента: EP4383321A1. Автор: Rob Jacob Hendriks,Robin Bernardus Johannes Koldeweij. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-06-12.

Methods for depositing bevel protective film

Номер патента: SG189223A1. Автор: Yunsang Kim,Neungho Shin,Patrick Chung. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2013-05-31.

Method for depositing metal coating on substrate

Номер патента: RU2214075C2. Автор: Юрген ХУПЕ,Сабине ФИКС,Ортруд ШТАЙНИУС. Владелец: Бласберг Оберфлехентехник Гмбх. Дата публикации: 2003-10-10.

Device for deposition of ultra-thick layers of polycrystalline silicon

Номер патента: RU2769751C1. Автор: Юрий Николаевич Баранов,Николай Сергеевич Волков,Владимир Петрович Ращинский,Илья Александрович Иванов,Анатолий Арсеньевич Овечкин,Александр Николаевич Локтев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2022-04-05.

Process for depositing a metal coating on a metallic component of an electrical structure

Номер патента: US6159560A. Автор: Robert A. Stevenson,Theo C. M. Rijsdijk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-12-12.

Method for deposition of electric insulating layers

Номер патента: RU2461664C2. Автор: Юрген РАММ,Кристиан ВОЛЬРАБ,Бено ВИДРИГ. Владелец: Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах. Дата публикации: 2012-09-20.

Method and apparatus for depositing an etch stop layer

Номер патента: US6127262A. Автор: Wai-Fan Yau,David Cheung,Chan-Lon Yang,Judy H. Huang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for depositing metal having high corrosion resistance and low contact resistance against carbon on separator for fuel cell

Номер патента: CA2329674C. Автор: Hiroshi Kihira,Wataru Hisada. Владелец: Sintobrator Ltd. Дата публикации: 2007-08-07.

Apparatus for depositing cathode material on a wire cathode

Номер патента: US5902464A. Автор: Godefridus J. Verhoeckx,Nicolaas J. M. Van Leth,Theodorus H. M. Stevens. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Process for depositing silicon dioxide by liquid phase diposition

Номер патента: US5506006A. Автор: Si-Chen Lee,Jeng-Shiuh Chou. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1996-04-09.

Susceptor for deposition apparatus

Номер патента: US5645646A. Автор: Mahalingam Venkatesan,Israel Beinglass,Roger N. Anderson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-07-08.

Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices

Номер патента: WO2014210613A1. Автор: Stephen E. Savas,Carl Galewski,Allan B. Wiesnoski. Владелец: PlasmaSi, Inc.. Дата публикации: 2014-12-31.

SELF-ALIGNING TO WIND FACING FLOATING PLATFORM SUPPORTING MULTI-WIND TURBINES AND SOLAR FOR WIND AND SOLAR POWER GENERATION AND THE CONSTRUCTION METHOD THEREON

Номер патента: US20200392946A1. Автор: WONG Carlos. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Self-aligning to wind facing floating platform supporting multi-wind turbines

Номер патента: GB202009177D0. Автор: . Владелец: Zhuhai Kaluosi Macau Eng Consultant Ltd. Дата публикации: 2020-07-29.

Self-aligning to wind facing floating platform supporting multi-wind turbines and solar for wind and solar power generation and the construction method thereon

Номер патента: WO2019102434A1. Автор: Carlos Wong. Владелец: Zhuhai Kaluosi (Macau) Engineering Consultant Ltd.. Дата публикации: 2019-05-31.

ANGULAR CONTACT SELF-ALIGNING TOROIDAL ROLLING ELEMENT BEARING

Номер патента: US20160138648A1. Автор: Kullin Arne Lars Jonas,KELLSTROM Magnus,LOFQVIST Andreas. Владелец: AKTIEBOLAGET SKF. Дата публикации: 2016-05-19.

Angular contact self-aligning toroidal rolling element bearing

Номер патента: EP3020987A1. Автор: Magnus Kellstrom,Jonas Kullin,Andreas LÖFQVIST. Владелец: SKF AB. Дата публикации: 2016-05-18.

Angular contact self-aligning roller bearing

Номер патента: EP4227548A4. Автор: Kai Cheng,HongJun GUO. Владелец: Guo Hong Jun. Дата публикации: 2023-09-06.

Photonic chips with one sided optical ports self aligned to bifurcated fibers for the label free detection of biolomecular reactions through the use of integrated interferometers and resonators

Номер патента: EP3532825A1. Автор: Konstantinos Misiakos,Ioannis Raptis,Alexandros SALAPATAS. Владелец: National Center for Scientific Research Demokritos. Дата публикации: 2019-09-04.

PHOTONIC CHIPS WITH ONE SIDED OPTICAL PORTS SELF ALIGNED TO BIFURCATED FIBERS FOR THE LABEL FREE DETECTION OF BIOLOMECULAR REACTIONS THROUGH THE USE OF INTEGRATED INTERFEROMETERS AND RESONATORS

Номер патента: US20200064260A1. Автор: MISIAKOS KONSTANTINOS,RAPTIS IOANNIS,SALAPATAS ALEXANDROS. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Photonic chips with one sided optical ports self aligned to bifurcated fibers for the label free detection of biolomecular reactions through the use of integrated interferometers and resonators

Номер патента: US20200064260A1. Автор: Konstantinos Misiakos,Ioannis Raptis,Alexandros SALAPATAS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-27.

Multi-material deposition arrangement and method for deposition extrusion

Номер патента: WO2024105305A1. Автор: Tomi Kalpio,Dhayakumar PRAKASH. Владелец: Brinter Oy. Дата публикации: 2024-05-23.

Dispenser head for adhesive material and method for depositing adhesive material using said head

Номер патента: EP2078689A3. Автор: Andrea Paulotto. Владелец: Biemme Adesivi Srl. Дата публикации: 2010-01-06.

Device and tray for depositing sheets

Номер патента: WO2007059811A2. Автор: Sönke DEHN,Frank Nagel,Sönke Christian Blüthgen,Rolf Dieter Gritzuhn. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2007-05-31.

Lower layer or top layer of multi-layer weld of turbine rotor out of high-chrome steel, material for deposition by welding of multi-layer weld and method of manufacturing of multi-layer weld

Номер патента: RU2573842C2. Автор: Кен ЯМАСИТА,Юта ХОНМА,Риндзо КАЯНО,Микихиро САКАТА. Владелец: Кабусики Кайся Кобе Сейко Се(Кобе Стил, Лтд.). Дата публикации: 2016-01-27.

Device and tray for depositing sheets

Номер патента: EP1954616A2. Автор: Sönke DEHN,Frank Nagel,Sönke Christian Blüthgen,Rolf Dieter Gritzuhn. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-08-13.

Apparatus for depositing a piece of band-like elastomeric element on a forming support in a process for building a tyre for vehicle wheels

Номер патента: US12023885B2. Автор: Lorenzo PULICI,Stefano PALEARI. Владелец: Pirelli Tyre SpA. Дата публикации: 2024-07-02.

System for depositing an imprint onto a substrate

Номер патента: US09592661B2. Автор: Michael J. Harrison,Andrew Y. Oleson,William D. Platt,Richard Grotyohann,Richard Wilheim Janse van Rensburg. Владелец: Church and Dwight Co Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Controlled method for deposition of chrome layer or chrome alloy on at least one substrate

Номер патента: RU2764454C2. Автор: Анке ВАЛЬТЕР,Олександра ЕВТУШЕНКО,Франциска ПАУЛИГ. Владелец: Атотех Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2022-01-17.

Method for depositing of coating onto sliding surface of fire-resistant member, fire-resistant member, and electrode for electric discharge treatment of surface

Номер патента: RU2320775C2. Автор: Акихиро ГОТО,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Масао АКИЙОСИ,Хироюки ОТИАЙ,Мики АРАЙ,Микия АРАЙ,Сигеру САБУРИ,Эйдзи НАКАЯМА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for deposition of composite coating

Номер патента: RU2761573C1. Автор: Юрий Александрович Стекольников,Юлия Евгеньевна Мамонтова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Елецкий государственный университет им. И.А. Бунина". Дата публикации: 2021-12-10.

Method and apparatus for depositing sheet of paper onto a stack

Номер патента: EP1660397A1. Автор: Dirk Dobrindt. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2006-05-31.

Device for depositing sheets for a printing machine

Номер патента: EP1922275A1. Автор: Dirk Dobrindt,Rolf Dieter Gritzuhn,Bernhard Linke,Jens Heise. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-05-21.

Apparatus For Depositing A Sheet On A Stack

Номер патента: US20070210508A1. Автор: Dirk Dobrindt. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-09-13.

Apparatus for depositing a filament tow

Номер патента: US20070017182A1. Автор: Olaf Schwarz,Bernhard Schoennagel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for depositing horizontal rib on unequal-height section by laser cladding

Номер патента: US11759891B2. Автор: Gang Li,Hao Su,Dongsheng Li,Tuo SHI,Weiwei JIANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for depositing a nickel-metal layer

Номер патента: US09631282B2. Автор: Stefan Koppe. Владелец: Schauenburg Ruhrkunststoff GmbH. Дата публикации: 2017-04-25.

Device for deposition of fibers upon a frame with concave circular sections

Номер патента: US09409351B2. Автор: Denis De Mattia. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2016-08-09.

Process for deposited forging of drill pipe

Номер патента: RU2669961C2. Автор: Грегори Линн АДКИНС,Клане Эдвард КИРБИ. Владелец: Хантинг Энерджи Сервисес, Инк.. Дата публикации: 2018-10-17.

Apparatus for depositing ferromagnetic particles from suspension

Номер патента: RU2562629C2. Автор: Владимир Данов,Вернер Хартманн,Андреас ШРЕТЕР,Михаэль РЕМХЕЛЬД. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-09-10.

Controlled method for depositing chromium or chromium alloy layer on at least one substrate

Номер патента: RU2758651C2. Автор: Анке ВАЛЬТЕР,Олександра ЕВТУШЕНКО,Франциска ПАУЛИГ. Владелец: Атотех Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2021-11-01.

System for deposition of identification marks

Номер патента: RU2260846C2. Автор: Брент Д. МакЛОЗ,Ян П. АЛЛЕН,Брент Д. МакЛОЗ (US),Ян П. АЛЛЕН (AU). Владелец: Датадот Технолоджи Лимитед. Дата публикации: 2005-09-20.

Laser plasmotron for deposition of composite diamond coatings

Номер патента: RU2640114C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Малюта,Александр Федорович Глова,Алексей Юрьевич Лысиков,Сергей Сергеевич Нелюбин,Петр Иванович Перетятько,Юрий Филиппович Рыжков. Владелец: Акционерное общество "Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований" (АО "ГНЦ РФ ТРИНИТИ"). Дата публикации: 2017-12-26.

Multi-material deposition arrangement and method for deposition extrusion

Номер патента: US20240165875A1. Автор: Tomi Kalpio,Dhayakumar Rajan Prakash. Владелец: Brinter Oy. Дата публикации: 2024-05-23.

An apparatus and system for depositing fiber material

Номер патента: US20240025134A1. Автор: Akshay Ballal,Dhinesh Kanagaraj,Srinath RAMESH. Владелец: Fabheads Automation Pvt Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

An apparatus and system for depositing fiber material

Номер патента: WO2022029804A1. Автор: Akshay Ballal,Dhinesh Kanagaraj,Srinath RAMESH. Владелец: Fabheads Automation Private Limited. Дата публикации: 2022-02-10.

Mould with means for depositing release agent for making articles of polyurethane foam

Номер патента: EP1767329A3. Автор: Dusan Grabnar,Dusan Gorsek. Владелец: Koroski Holding d o o. Дата публикации: 2008-01-02.

Device For Depositing Sheets In A Stack

Номер патента: US20080029951A1. Автор: Dirk Dobrindt,Rolf Gritzuhn. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-02-07.

Device for depositing sheets in a stack

Номер патента: WO2005080242A1. Автор: Dirk Dobrindt,Rolf Dieter Gritzuhn. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2005-09-01.

Device for depositing sheets in a stack

Номер патента: EP1723061A1. Автор: Dirk Dobrindt,Rolf Dieter Gritzuhn. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2006-11-22.

Device for depositing sheets in a stack

Номер патента: US20100059931A1. Автор: Dirk Dobrindt,Rolf Dieter Gritzuhn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for depositing a particle film onto a substrate via a liquid conveyor, including a step of structuring the film on the substrate

Номер патента: US09636704B2. Автор: Olivier Dellea,Philippe Coronel,Pascal Fugier,Simon Frederic Desage. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Radiator for fast heating of surfaces (versions), device and plant for deposition of powder coats on wood elements or elements based on average-density fibre board

Номер патента: RU2403988C2. Автор: Герхард БРЕНДЕЛЬ. Владелец: Тгс Технологи Бетайлигунгсгезелльшафт Мбх. Дата публикации: 2010-11-20.

Method and apparatus for depositing dispersant or other substances on water surface

Номер патента: RU2528490C2. Автор: Магнус КЛЕСОН,Петер ЛЕФГРЕН. Владелец: Иластек, Инк.. Дата публикации: 2014-09-20.

Method and apparatus for depositing a primer or sealer of programmed color on an object in particular motor vehicle bodywork by mixing a neutral base primer with a pigmented paste at the moment the primer is deposited on said object

Номер патента: CA1273852A. Автор: Daniel Guyomard,Jean-Michel Lambour,Claude Arriveau,Gerald Torrez. Владелец: BASF Peintures and Encres SA. Дата публикации: 1990-09-11.

Controlled method for depositing a chromium or chromium alloy layer on at least one substrate

Номер патента: EP4071280A1. Автор: Anke WALTER,Oleksandra YEVTUSHENKO,Franziska PAULIG. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-10-12.

Device for depositing overspray and surface treatment installation

Номер патента: US20180207669A1. Автор: Tobias ZEBISCH,Uwe Knaus,Juergen Roeckle,Joachim Juerss. Владелец: EISENMANN SE. Дата публикации: 2018-07-26.

Device for depositing a free-flowing medium onto a surface along an arcuate depositing curve

Номер патента: US5997648A. Автор: Thomas Haar. Владелец: Alfons Haar Maschinenbau GmbH and Co KG. Дата публикации: 1999-12-07.

Applicator for depositing a layer of adhesive or sealant composition on a biological and/or prosthetic tissue

Номер патента: WO2019206998A1. Автор: Youssef Biadillah,Simon Menand,Maria PEREIRA,Miguel LOPES,Julien LAMAZOUADE. Владелец: Tissium. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for depositing a desired superalloy composition

Номер патента: EP3658323A1. Автор: Gerald J. Bruck. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Method for depositing a desired superalloy composition

Номер патента: WO2019022967A1. Автор: Gerald J. Bruck. Владелец: SIEMENS ENERGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

Apparatus for depositing droplets

Номер патента: WO2004113083A1. Автор: Andreas Bibl,Paul A. Hoisington,Melvin L. Biggs. Владелец: Dimatix, Inc.. Дата публикации: 2004-12-29.

Applicator for depositing a layer of adhesive or sealant composition on a biological and/or prosthetic tissue

Номер патента: AU2019258341B2. Автор: Youssef Biadillah,Simon Menand,Maria PEREIRA,Miguel LOPES,Julien LAMAZOUADE. Владелец: TISSIUM SA. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus for depositing droplets

Номер патента: WO2004113078A2. Автор: Paul A. Hoisington,Melvin L. Biggs,Steven H. Barss. Владелец: Dimatix, Inc.. Дата публикации: 2004-12-29.

Apparatus for depositing droplets

Номер патента: EP1633565A2. Автор: Paul A. Hoisington,Melvin L. Biggs,Steven H. Barss. Владелец: Dimatix Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Apparatus for depositing droplets

Номер патента: EP1633565A4. Автор: Steven H Barss,Paul A Hoisington,Melvin L Biggs. Владелец: Fujifilm Dimatix Inc. Дата публикации: 2009-08-05.

Machine for depositing slabs

Номер патента: GB1268797A. Автор: Andrew Mathis Kamper. Владелец: PREMIER STONE Co. Дата публикации: 1972-03-29.

PVD hybrid method for depositing mixed crystal layers

Номер патента: US8980446B2. Автор: Veit Schier,Wolfgang Engelhart. Владелец: WALTER AG. Дата публикации: 2015-03-17.

Apparatus for depositing solid particulate material in a frustoconical pile

Номер патента: CA1172594A. Автор: Per-Ove Malmstrom,Karl E.A. Dyren. Владелец: KMW Mekan AB. Дата публикации: 1984-08-14.

Method for depositing fine-grained alumina coatings on cutting tools

Номер патента: US6139921A. Автор: Ingolf Endler,Mats Sjöstrand,Björn Ljungberg,Albrecht Leonhardt,Christine Taschner. Владелец: Sandvik Ab. Дата публикации: 2000-10-31.

Apparatus for depositing copy sheets

Номер патента: US5141220A. Автор: Helmut Ettischer. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1992-08-25.

Device for depositing and withdrawing banknotes

Номер патента: CA2177951A1. Автор: Manfred Schulze. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-06-08.

Computer-controlled master reproducer for depositing a master reproduction on a substrate, method for depositing the same, and master reproduction

Номер патента: US5689426A. Автор: Edo Ziring,Matthias D. Kemeny. Владелец: Advanced Electro Mechanical LLC. Дата публикации: 1997-11-18.

Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components

Номер патента: US20240076776A1. Автор: Sukti Chatterjee,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method And Devices For Depositing Samples On An Electrically Shielded Substrat

Номер патента: US20120101008A1. Автор: Holger Eickhoff,Eckhard Nordhoff,Martin Horn,Alan Bullock,Christine Lubbert,Antonin Schenk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-26.

Method for depositing a target material onto a substrate, laser deposition system for performing the method, and housing made by the method

Номер патента: US20080280114A1. Автор: Jie Tang,Wu-Bing Li. Владелец: Sutech Trading Ltd. Дата публикации: 2008-11-13.

A machine for depositing ceramic powders

Номер патента: US20230173710A1. Автор: Franco Gozzi,Eustachio TARASCO,Carmine SANGIOVANNI. Владелец: System Ceramics SpA. Дата публикации: 2023-06-08.

Device for depositing poultry to a poultry conveyer

Номер патента: CA3139279C. Автор: Massimo Zanotti. Владелец: Meyn Food Processing Technology BV. Дата публикации: 2023-10-31.

A machine for depositing ceramic powders

Номер патента: EP4188661A1. Автор: Franco Gozzi,Eustachio TARASCO,Carmine SANGIOVANNI. Владелец: System Ceramics SpA. Дата публикации: 2023-06-07.

Device for depositing poultry to a poultry conveyer

Номер патента: US12011005B2. Автор: Massimo Zanotti. Владелец: Meyn Food Processing Technology BV. Дата публикации: 2024-06-18.

System for forming elastomeric compositions for deposition on metal

Номер патента: RU2717688C2. Автор: Стивен СМИТ,Лайл КЕЙЛЛОУЭТТ,Дейвид Р. ФЕЛПС,Карл ГАСТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2020-03-25.

Device for depositing drops

Номер патента: RU2337828C2. Автор: Стефен ТЕМПЛ,Роберт ХАРВИ,Роберт Джонатан ЛОУ,Пол Реймонд ДРУРИ. Владелец: Ксаар Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2008-11-10.

Application tools and devices for depositing introduced materials relative to agricultural plants on agricultural fields

Номер патента: RU2699184C1. Автор: Джейсон СТОЛЛЕР,Иан РАДТКЕ,Пол УАЙЛДЕРМУТ,Мэттью О'НИЛЛ. Владелец: ПРЕСИЖН ПЛЭНТИНГ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-09-03.

Apparatus on a spinning room machine for depositing fibre sliver

Номер патента: GB2448217A. Автор: Ulrich Vollrath. Владелец: Truetzschler GmbH and Co KG. Дата публикации: 2008-10-08.

Autogenous device for deposition of coatings with powdery materials or with spraying powders

Номер патента: RU2114703C1. Автор: Зимм Вольфганг,Штайне Ханс-Тео,Зоммер Петер. Владелец: Кастолин С.А.. Дата публикации: 1998-07-10.

Vehicle for deposition of explosives in blast holes and method of use

Номер патента: AU2017228716B2. Автор: Adriano Nogueira de Assis,Marcelo Ribeiro Carlos,Lucas Sales Van Melis,Emerson Sena Balbino,André Luiz da Costa Vieira,Reginaldo de Andrade Santos. Владелец: Vale SA. Дата публикации: 2022-09-29.

Composite metal-diamond coating, method of its production, disperse system for deposition of composite metal-diamond coating and method for its production

Номер патента: RU2706931C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов,Сергей Сергеевич Кукушкин,Геннадий Валентинович Светлов,Евгений Васильевич Рыжов. Владелец: Евгений Васильевич Рыжов. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for determining thickness of layers of multilayer coating in process for deposition of optical elements

Номер патента: RU2671927C1. Автор: Николай Юрьевич Никаноров,Роман Сергеевич Алтухов. Владелец: Акционерное общество "Новосибирский приборостроительный завод". Дата публикации: 2018-11-07.

Perhydropolysilazane containing coating for depositing on metal and polymer surfaces

Номер патента: RU2374284C2. Автор: Штефан БРАНД,Андреас ДИРДОРФ,Хуберт ЛИБЕ,Андреас ВАКЕР. Владелец: Клариант Интернэшнл Лтд. Дата публикации: 2009-11-27.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20020051847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050268851A1. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for processing interior of vapor phase deposition apparatus, method for depositing thin film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7276444B2. Автор: Tomoe Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-02.

Method for depositing layer

Номер патента: US09951426B2. Автор: Akira Fukushima,Makoto Saito,Noriyuki Hiramatsu. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for depositing layer

Номер патента: US09932660B2. Автор: Akira Fukushima,Makoto Saito,Noriyuki Hiramatsu. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus for depositing carriers and method of controlling said apparatus

Номер патента: RU2503064C2. Автор: Джин Хван ЧА,Дон Сик ЛИ,Сун Джин МУН,Еун Ил ЧОИ,Хюн Соо КИМ. Владелец: Наутилус Хесун Инк.. Дата публикации: 2013-12-27.

Method for deposition of gradient heat-resistant coatings y-mo-o of plasma of vacuum-arc discharge

Номер патента: RU2728117C1. Автор: Эдуард Леонидович Варданян,Алмаз Юнирович Назаров,Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Алексей Андреевич Маслов,Сергей Тихонович Милейко,Сергей Николаевич Галышев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2020-07-28.

Eyeshadow compact with applicator for depositing at least two product colours on the eyelids

Номер патента: WO2005104898A1. Автор: Angelo Gatti. Владелец: Micys Company S.P.A.. Дата публикации: 2005-11-10.

Thin film deposition apparatus with an expanding thermal plasma source and method for depositing a thin film using the same

Номер патента: US8609556B2. Автор: Franciscus Cornelius Dings,Roland Cornelis Maria Bosch,Björn VAN GERWEN. Владелец: Otb Solar Bv. Дата публикации: 2013-12-17.

Apparatus for depositing thin film coatings and method of deposition utilizing such apparatus

Номер патента: US09540277B2. Автор: Michel J. Soubeyrand,Yasunori Seto,David A. Strickler,Kevin D. Sanderson,Douglas M. Nelson,Keiko TSURI,Ian R. Williams. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Installation for depositing nanostructures on a substrate

Номер патента: EP4019663A1. Автор: Enric Bertran Serra,Enric Manuel Bertran González,Sergi Domingo Risco. Владелец: Advanced Nanotechnologies SL. Дата публикации: 2022-06-29.

System and method for depositing material at a target location with a work vehicle

Номер патента: US20210277627A1. Автор: Natalia Lucas,Stojan Arezina,Brad Anthony Stemper,Andrea Maria Cardona Alfaro,Alex Wei. Владелец: CNH INDUSTRIAL AMERICA LLC. Дата публикации: 2021-09-09.

System and method for depositing of a first and second layer on a substrate

Номер патента: US11761088B2. Автор: Kevin Johannes Hendrikus LAGARDE. Владелец: Innoflex Technologies BV. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods for depositing metallic iridium and iridium silicide

Номер патента: US20200131633A1. Автор: Feng Q. Liu,Hua Chung,Schubert Chu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Electroless nickel alloy plating baths, a method for deposition of nickel alloys, nickel alloy deposits and uses of such formed nickel alloy deposits

Номер патента: WO2018220220A1. Автор: Sebastian Lang. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2018-12-06.

Chemical vapor deposition process for depositing a titanium oxide coating

Номер патента: US09938619B2. Автор: Jun Ni,Srikanth Varanasi,Douglas M. Nelson. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods and apparatus for depositing a cobalt layer using a carousel batch deposition reactor

Номер патента: US09869024B2. Автор: Mayur Trivedi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Coating method for depositing a layer system on a substrate and substrate having a layer system

Номер патента: US09551067B2. Автор: Jürgen Müller,Jörg Vetter,Georg Erkens. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatus for deposition of polycrystalline silicon comprising uniformly spaced filament rods and gas inlet orifices, and process for deposition of polycrystalline silicon using same

Номер патента: US09534290B2. Автор: Mikhail Sofin. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for deposition of diamond films from the thermally activated mixture of gases and the reactor for its implementation

Номер патента: RU2653036C2. Автор: Марк Нюргунович Андреев,Алексей Кузьмич Ребров,Алексей Иванович САФОНОВ,Тимур Тимурович Бъядовский,Константин Владимирович Кубрак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2018-05-04.

Method and device for deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600047C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Electrolyte for depositing coating from copper-indium alloy

Номер патента: RU2665855C1. Автор: Виктор Михайлович Никольский,Евгения Сергеевна Логинова,Татьяна Васильевна Сапрунова,Мария Сергеевна Матюшенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет". Дата публикации: 2018-09-04.

Method for depositing a continuously extruded formation upon a continuouslydriven conveyor and apparatus for carrying out the method

Номер патента: CA1295572C. Автор: Klaus Gram. Владелец: Brodrene Gram AS. Дата публикации: 1992-02-11.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20030165619A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Methods for depositing coatings on aerospace components

Номер патента: EP3768874A1. Автор: David Thompson,Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Mark Saly,David Britz,Sukti Chatterjee,Jonathan Frankel,Thomas Knisley,Kaushal Gangakhedkar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Deposition apparatus for depositing evaporated material and methods therefor

Номер патента: EP3749796A1. Автор: Frank Schnappenberger,Thomas Deppisch,Claire ARMSTRONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Coating system and process and apparatus for depositing a coating system

Номер патента: US20060056976A1. Автор: Anthony Reynolds,David Dye,John Ackerman,Bhupendra Gupta,Jennifer Pinson,Brian Pothier. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for depositing large-area graphene layer and apparatus for continuous graphene deposition

Номер патента: US20210172059A1. Автор: Chul Kyu Song,Ji Hye Han,Dong Ho YOON,Soon Gil Yoon,Ji Ho Eom. Владелец: Kuk Il Graphene Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Oxygen-doped amorphous carbon film and method for depositing the same

Номер патента: US20240263311A1. Автор: Nam-Seo Kim,Seung-Hwan JEON,Seong-Pyo CHO. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

A method for depositing layers on a substrate

Номер патента: EP1248866A1. Автор: Lars-Ulrik Aaen Andersen,Paul Nicholas Egginton. Владелец: Ionas AS. Дата публикации: 2002-10-16.

Facility for depositing lubricant coating on hard magnetic disks

Номер патента: WO2008131349A1. Автор: Petersen Carl. Владелец: INTEVAC, INC.. Дата публикации: 2008-10-30.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Halide-functionalized cyclotrisilazanes as precursors for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4448835A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Mahsa Konh,Pegah Bagheri. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for deposition of system of transparent barrier layers

Номер патента: RU2590745C2. Автор: Штеффен ГЮНТЕР,Бьерн МЕЙЕР,Штеффен ШТРАХ,Томас КЮНЕЛЬ,Себастьян БУНК,Николас ШИЛЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Method for depositing high quality silicon dioxide by pecvd

Номер патента: US5068124A. Автор: John Batey,Elaine Tierney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-11-26.

COMPOSITE MIXTURE FOR DEPOSITION OF OXIDES OF FISSILE AND FRAGMENTED NUCLIDES FROM MELT OF EUTECTIC LiF-Na.F-KF MIXTURE

Номер патента: RU2637256C1. Автор: Юрий Степанович Федоров,Евгений Корнельевич Легин,Александр Евгеньевич Мирославов,Михаил Львович Хохлов,Екатерина Сергеевна Степанова,Маргарита Юрьевна Тюпина,Владимир Владимирович Кольцов. Владелец: Акционерное общество "Радиевый институт имени В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2017-12-01.

Sputtered magnetron unit for deposition of films of solid solutions tixw1-xo3

Номер патента: RU2699702C1. Автор: Виктор Иванович Шаповалов,Екатерина Андреевна Минжулина,Александр Андреевич Козин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2019-09-09.

Apparatus and method for depositing a substance on a rotating surface

Номер патента: US5486380A. Автор: Matthew Simpson,Dan O. Enniss. Владелец: Saint Gobain Norton Industrial Ceramics Corp. Дата публикации: 1996-01-23.

Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films

Номер патента: CA2589087C. Автор: Klaus Hartig,James Brownlee,Annette Krisko,Kari Myli,Gary Pfaff,John German. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2014-09-09.

Apparatus and method for depositing a substance with temperature control

Номер патента: US6099652A. Автор: Stephen M. Jaffe,Henry Windischmann,Matthew A. Simpson,Donald O. Patten, Jr.,Michael S. Heuser,William A. Quirk. Владелец: Saint Gobain Industrial Ceramics Inc. Дата публикации: 2000-08-08.

Method for depositing a zinc-nickel alloy on a substrate, an aqueous zinc-nickel deposition bath, a brightening agent and use thereof

Номер патента: EP4273303A1. Автор: Heiko Brunner,Ulrich Laudien,Thomas FREESE,Sebastian Kühne,Richard Richter,Steven LEONHARD,Michal Kaczmarek,Marta Dziurun. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-11-08.

Process for depositing oxynitride film on substrate by liquid phase deposition

Номер патента: US5766692A. Автор: Ming-Kwei Lee,Chung-Hsing Lin. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-06-16.

Method for depositing layer

Номер патента: US20150368807A1. Автор: Akira Fukushima,Makoto Saito,Noriyuki Hiramatsu. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for depositing a zinc-nickel alloy on a substrate, an aqueous zinc-nickel deposition bath, a brightening agent and use thereof

Номер патента: WO2023213866A1. Автор: Heiko Brunner,Ulrich Laudien,Thomas FREESE,Sebastian Kühne,Richard Richter,Steven LEONHARD,Michal Kaczmarek,Marta Dziurun. Владелец: Atotech Deutschland GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2023-11-09.

Reflector, light source device, liquid crystal projector, and method for depositing reflecting film coatings

Номер патента: US20070041087A1. Автор: Mototaka KANAYA. Владелец: Fujinon Sano Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Process for depositing a noble metal on zirconia ceramics and jewellery product made through such process

Номер патента: WO2016147209A1. Автор: Roberto Demeglio. Владелец: Roberto Demeglio S.P.A.. Дата публикации: 2016-09-22.

A simulation system for depositional sequence formation and evolution

Номер патента: AU2020101809A4. Автор: HAO LI,Manli Zhang,Jingyan Liu,Changsong Lin,Hongkun XU. Владелец: China University of Geosciences Beijing. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for depositing a chromium or chromium alloy layer and plating apparatus

Номер патента: US12006585B2. Автор: Sebastian Kühne,Anke WALTER,Michael Muigg,Matthias Rost. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-11.

Method and system providing multi-level security to gate level information flow

Номер патента: WO2014143912A9. Автор: WEI Hu,Timothy Sherwood,Ryan Kastner,Jason Oberg. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2015-01-08.

Method and system providing mutli-level security to gate level information flow

Номер патента: WO2014143912A3. Автор: WEI Hu,Timothy Sherwood,Ryan Kastner,Jason Oberg. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2014-11-27.

Electroplating composition for depositing a chromium or chromium alloy layer on a substrate

Номер патента: US20240200219A1. Автор: Simon Pape,Anke WALTER,Oleksandra YEVTUSHENKO. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for Depositing Zinc Oxide on a Substrate

Номер патента: US20180142349A1. Автор: Florian Huber,Anton Reiser,Manfred Madel,Klaus Thonke. Владелец: Universitaet Ulm. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for depositing a coating on a substrate

Номер патента: US20230193454A1. Автор: Simon Springer,Stéphane Lauper,Gregory Kissling,Marion Gstalter,Loïc Curchod,Loïc OBERSON,Ahmad Odeh. Владелец: Omega SA. Дата публикации: 2023-06-22.

Iodine-containing metal compound and composition for depositing thin film including the same

Номер патента: US20230250114A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for depositing a rare material in a thin layer on an horological or jewellery external part and external part obtained by this method

Номер патента: US20220267891A1. Автор: Michel Willemin,Simon Springer,Loïc Curchod. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2022-08-25.

Process and apparatus for depositing single-component or multi-component layers and layer sequences using discontinuous injection of liquid and dissolved starting substances via a multi-channel injection unit

Номер патента: US20060249081A1. Автор: Peter Baumann,Marc Deschler,Marcus Schumacher,Johannes Lindner. Владелец: AIXTRON SE. Дата публикации: 2006-11-09.

Method and system for depositing transition metal carbide

Номер патента: US20240279800A1. Автор: Mikko Ritala,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara,Matti Putkonen,Paloma Ruiz Y Kärkkäinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and system for depositing noble metal-containing layer

Номер патента: US20240279805A1. Автор: Mikko Ritala,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for depositing ultra fine grain polysilicon thin film

Номер патента: US20110294284A1. Автор: Sang Ho Woo,Song Hwan Park,Hai Won Kim,Sung Gil Cho,Kyung Soo Jung. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Uv-curable ink composition based on red-emitting quantum dots, method for depositing ink composition and light emitting device

Номер патента: WO2024177522A1. Автор: Marta SZYMAŃSKA,Monika CZARNECKA,Maciej ZIĘBA,Artur Podhorodecki,Barbara BANASIUK,Mateusz Bański. Владелец: Qna Technology S.A.. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus for depositing

Номер патента: ZA202205924B. Автор: Jonathan Sutton,Richard John LEADBEATER,Adam Lee Baldwin. Владелец: Nestle SA. Дата публикации: 2024-09-25.

Method and an apparatus for depositing a layer onto a workpiece using plasma

Номер патента: US09915000B2. Автор: Hyunsoo Yang,Young Jun Shin,Xuepeng Qiu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2018-03-13.

Compositions for depositing agents using highly volatile silicone solvents

Номер патента: US09844596B2. Автор: Eugene R. Cooper,Eric R. Thompson. Владелец: THOMPSON COOPER LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Chemical vapor deposition process for depositing zinc oxide coatings, method for forming a conductive glass article and the coated glass articles produced thereby

Номер патента: US09776914B2. Автор: Yu Wang,Srikanth Varanasi,David Alan Strickler. Владелец: Pilkington Group Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Device for deposition or cleaning with mobile structure and method for its operation

Номер патента: RU2748658C1. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2021-05-28.

METHOD FOR DEPOSITION OF COPPER PROTECTIVE COATINGS FROM HALIDE MELTS ON THE SURFACE OF STEEL 12Kh18N10T

Номер патента: RU2769586C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Алексей Владимирович Руденко,Эдуард Алексеевич Карфидов,Евгения Валерьевна Никитина,Анна Олеговна Руденко,Константин Евгеньевич Селиверстов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук (ИВТЭ УрО РАН). Дата публикации: 2022-04-04.

Method and apparatus for depositing glass soot

Номер патента: US20050092030A1. Автор: Pushkar Tandon,Prantik Mazumder,Amy Rovelstad,Jitendra Balakrishnan,Dana Bookbinder,Lisa Chacon,Steven Dunwoody,Kintu Early,Daniel Hawtof,Susan Schiefelbein. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2005-05-05.

Method and apparatus for determining the number of looped sausages for deposit on a smokestick

Номер патента: US6290591B1. Автор: Steven P. Hergott,Michael S. Simpson,II Vincent Basile,James Linden Myers,Marcelinus Franciscus Ottow. Владелец: Marel Meat Processing Inc. Дата публикации: 2001-09-18.

High-throughput, low-temperature process for depositing oxides

Номер патента: US5190792A. Автор: Kevin K. Chan,Joseph M. Blum,Robert C. McIntosh,Zeev A. Weinberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-03-02.

Method for depositing a thin layer on a substrate by laser pulse vapor deposition

Номер патента: US5578350A. Автор: Klaus Schubert,Hermann Mai,Reiner Dietsch. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 1996-11-26.

Method for depositing mail in a electronic safety deposit box system; safety deposit system

Номер патента: NZ540010A. Автор: Boris Mayer,Oliver Biegel. Владелец: DEUTSCHE POST AG. Дата публикации: 2009-04-30.

Apparatus and method for depositing a semiconductor material

Номер патента: US6037241A. Автор: Harold A. McMaster,Steven M. Cox,Gary L. Dorer,Terence D. Kahle,Ricky C. Powell,Nicholas A. Reiter. Владелец: First Solar LLC. Дата публикации: 2000-03-14.

Improvements in the machines for depositing a viscid material upon cakes or like objects

Номер патента: GB489201A. Автор: . Владелец: Peters Machinery Co. Дата публикации: 1938-07-21.

Method and apparatus for determining the number of looped sausages for deposit on a smokestick

Номер патента: CA2399361C. Автор: Steven P. Hergott,Michael S. Simpson,James Linden Myers,Marcelinus Franciscus Ottow,Vincent Ii Basile. Владелец: Marel Meat Processing Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Method and apparatus for determining the number of looped sausages for deposit on a smokestick

Номер патента: CA2399361A1. Автор: Steven P. Hergott,Michael S. Simpson,James Linden Myers,Marcelinus Franciscus Ottow,Vincent Ii Basile. Владелец: Vincent Ii Basile. Дата публикации: 2002-01-24.

Methods and apparatus for deposition of thin films

Номер патента: WO2003083166A1. Автор: Peter Novak,Yevgen Kalynushkin,Elena Shembel,Chris Flury. Владелец: Ener1 Battery Company. Дата публикации: 2003-10-09.

Process for depositing a ceramic coating on a filament

Номер патента: CA2015126C. Автор: Philip Gruber,Robert Alan Shatwell,Ashleigh Martin Kewney. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1999-08-31.

Process for deposition of diamondlike, electrically conductive and electron-emissive carbon-based films

Номер патента: AU1515195A. Автор: David A Baldwin,Stephen L Michel. Владелец: Commonwealth Scientific Corp. Дата публикации: 1995-07-10.

Method and device for depositing a food product onto a surface

Номер патента: AU2001239384A1. Автор: Rene Goethals,Jean Beros,Marcel Nowicki. Владелец: Lu. Дата публикации: 2001-10-08.

A method for deposition of functional layer of polymeric nanofibres on a surface of a substrate

Номер патента: WO2010102593A3. Автор: Ladislav Mares. Владелец: Elmarco S.R.O.. Дата публикации: 2010-11-04.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Chemically active isolation passageway for deposition chambers

Номер патента: WO1993000455A1. Автор: Prem Nath,Gary M. Didio,Kevin Hoffman,Jon Call. Владелец: United Solar Systems Corporation. Дата публикации: 1993-01-07.

A method for depositing a transition metal dichalcogenide

Номер патента: EP4353863A1. Автор: Benjamin Groven,Vladislav VORONENKOV,Dries VRANCKX. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-17.

Process for deposition of diamondlike, electrically conductive and electron-emissive carbon-based films

Номер патента: WO1995017537A1. Автор: David A. Baldwin,Stephen L. Michel. Владелец: Commonwealth Scientific Corporation. Дата публикации: 1995-06-29.

A method for deposition of functional layer of polymeric nanofibres on a surface of a substrate

Номер патента: WO2010102593A2. Автор: Ladislav Mares. Владелец: Elmarco S.R.O.. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for depositing nanoparticles on a support

Номер патента: US20120003397A1. Автор: Francois Reniers,Jean-Jacques Pireaux,Frederic Demoisson. Владелец: Universite Libre de Bruxelles ULB. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of preparing solution for deposition of oxide coating onto solid substrate

Номер патента: RU2288897C2. Автор: Виктор Васильевич Дроботенко,Михаил Игоревич Конев,Алексей Анатольевич Олейник. Владелец: Закрытое акционерное общество "ДОК-Стекло". Дата публикации: 2006-12-10.

Method for deposition of cadmium coating by precision vacuum spraying on part surface

Номер патента: RU2708489C1. Автор: Владимир Николаевич Макаров,Александр Львович Дмитриев,Илья Александрович Попов,Александр Сергеевич Синяков,Андрей Павлович Бесхмельницин,Николай Викентьевич Климин,Сергей Викторович Данилов,Сергей Авдеевич Статин,Артем Александрович Демченко,Марат Равильевич Валитов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Комбинат "Электрохимприбор" (ФГУП "Комбинат "Электрохимприбор"). Дата публикации: 2019-12-09.

Process for depositing layers having high specific electrical conductivity

Номер патента: US5395642A. Автор: Andreas Hamerich,Guenther Doellein,Joerg Mueller,Lars Lottermoser. Владелец: Solvay Deutschland GmbH. Дата публикации: 1995-03-07.

Enamel for deposition in low-temperature plasma jet

Номер патента: RU2630821C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2017-09-13.

A method and apparatus for depositing particles on a moving web of material

Номер патента: WO1992019198A1. Автор: Robert Perneborn. Владелец: Mölnlycke AB. Дата публикации: 1992-11-12.

Apparatus for depositing a coating on a substrate

Номер патента: US5336324A. Автор: Richard A. Stall,Gary S. Tompa,Alexander Gurary,Craig R. Nelson. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 1994-08-09.

Machine for depositing doeses of cream on biscuits

Номер патента: GB1308698A. Автор: . Владелец: HEUZE MALEVEZ SIMON REUNIS SA. Дата публикации: 1973-02-21.

Method and tooling for deposition of metal coating from vapour phase on parts from superalloys

Номер патента: RU2634827C2. Автор: Габриэла РОДРИГЕС ЭЛИСОНДО,Стефан ВИТРАК. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2017-11-03.

Apparatus for depositing a confectionery mass, and method of producing a confectionery product

Номер патента: CA2638084A1. Автор: Melis Abylov,Juraj Durco. Владелец: Kraft Foods R&D Inc USA. Дата публикации: 2009-01-20.

Automatic item-driven system for deposit and pick-up

Номер патента: US6010239A. Автор: William David Hardgrave,Lanna Kay Hardgrave. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-01-04.

Apparatus and process for deposition of polycrystalline silicon

Номер патента: CA2789486C. Автор: Mikhail Sofin. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2015-06-30.

Method and apparatus for depositing particles on a moving web of material

Номер патента: US5415717A. Автор: Robert Perneborn. Владелец: Molnlycke Vafveri AB. Дата публикации: 1995-05-16.

Composition for depositing a silicon-containing layer and method of depositing a silicon-containing layer using the same

Номер патента: US20230304155A1. Автор: Younjoung CHO,Jihyun Lee,Sung Gi Kim,Seung Son,Byungkeun Hwang,Sunhye HWANG,Yujin Cho,Gyun Sang LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus for depositing a confectionery mass, and method of producing a confectionery product

Номер патента: US20090020566A1. Автор: Melis Abylov,Juraj Durco. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-22.

EPITAXIAL SOURCE/DRAIN CONTACTS SELF-ALIGNED TO GATES FOR DEPOSITED FET CHANNELS

Номер патента: US20120292598A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

Ultra-Shallow Junction MOSFET Having a High-k Gate Dielectric and In-Situ Doped Selective Epitaxy Source/Drain Extensions and a Method of Making Same

Номер патента: US20120083076A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-05.

HIGH PERFORMANCE STRESS-ENHANCED MOSFETS USING SI:C AND SIGE EPITAXIAL SOURCE/DRAIN AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120196412A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR HAVING EPITAXIAL SOURCE DRAIN REGIONS AND METHOD OF MANUFACTURING SAME USING DUMMY GATE PROCES

Номер патента: US20130009210A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-10.

Three-point contact self-aligning drawing clutch separation bearing unit

Номер патента: CN201875014U. Автор: 赵志强,王恩来,李春晖,杨中良,肖壮勇,陈祖华. Владелец: XIANGYANG AUTOMOBILE BEARING CO Ltd. Дата публикации: 2011-06-22.

LATERAL DIFFUSION FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH DRAIN REGION SELF-ALIGNED TO GATE ELECTRODE

Номер патента: US20120126319A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Feilchenfeld Natalie B.,Zierak Michael J.,Liu Xuefeng,VOLDMAN Steven H.,Voegeli Benjamin T.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING DEVICE ISOLATION TRENCHES SELF-ALIGNED TO GATE TRENCHES

Номер патента: US20130115745A1. Автор: Chung Hyun-Woo,Hong Hyeong-Sun,Hwang Yoo-Sang,Kim Ji-young,CHOI Jay-Bok. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

LOCAL INTERCONNECT STRUCTURE SELF-ALIGNED TO GATE STRUCTURE

Номер патента: US20120280290A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for the formation of a deep-submicron CMOS with self-aligneded silicide contact and extended source/drain contact

Номер патента: TW396417B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Tsmc Acer Semiconductor Mfg Co. Дата публикации: 2000-07-01.

FET with FUSI Gate and Reduced Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20120299102A1. Автор: Ning Tak H.,Lavoie Christian,Solomon Paul,Ouyang Qiqing,Zhen Zhang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20120313092A1. Автор: Yu Gang,Shieh Chan-Long,Foong Fatt. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

SILICON-ON-INSULATOR TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED BORDERLESS SOURCE/DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20130175619A1. Автор: Horak David V.,Koburger,III Charles W.,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,FAN Susan S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

USE OF BAND EDGE GATE METALS AS SOURCE DRAIN CONTACTS

Номер патента: US20130241007A1. Автор: YANG Bin,Choi Kisik,Lavoie Christian,Zhang Zhen,Solomon Paul M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

Use of Band Edge Gate Metals as Source Drain Contacts

Номер патента: US20130241008A1. Автор: YANG Bin,Choi Kisik,Lavoie Christian,Zhang Zhen,Solomon Paul M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

Low source-drain contact resistance MOSFETs and manufacture method thereof

Номер патента: CN102983163B. Автор: 赵超,罗军. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-04-20.

Method for forming active region self-aligning to deep trench

Номер патента: TW494535B. Автор: Brian S Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Flash memory cell manufacturing method with floating gate self-aligned to shallow trench

Номер патента: TW490794B. Автор: Di-Sheng Guo,Juang-Ge Ye,Jia-Da Shie,Wen-Ding Ju,Chuan-Li Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-06-11.

BORDERLESS INTERCONNECT LINE STRUCTURE SELF-ALIGNED TO UPPER AND LOWER LEVEL CONTACT VIAS

Номер патента: US20120329275A1. Автор: Horak David V.,Ponoth Shom,Yang Chih-Chao,Koburger,III Charles W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

BORDERLESS INTERCONNECT LINE STRUCTURE SELF-ALIGNED TO UPPER AND LOWER LEVEL CONTACT VIAS

Номер патента: US20120086128A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-12.

FET eDRAM TRENCH SELF-ALIGNED TO BURIED STRAP

Номер патента: US20130015515A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Rankin Jed H.,JR. John E.,Barth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-17.

Improvements in Valves or Gates for Use in connection with Sluices and the like.

Номер патента: GB190319630A. Автор: Alois Etter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-10-15.

Method for deposition of multi-layer coating onto cutting tool

Номер патента: RU2297469C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Алексей Валерьевич Циркин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-20.

Method for depositing nickel-phosphorus coating on metal surfaces

Номер патента: RU2572914C2. Автор: Юрий Васильевич Сурин,Татьяна Владимировна Виговская,Евгений Петрович Кокин,Наталия Михайловна Львова,Дмитрий Вадимович Марусев,Виктория Сергеевна Нечипоренко. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-К"(АО "НИИМП-К"). Дата публикации: 2016-01-20.

Method for deposition of multi-layer coating on cutting tool

Номер патента: RU2297472C1. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Алексей Валерьевич Циркин,Александр Николаевич Тулисов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-20.

Electrolyte for deposition of chromium coatings

Номер патента: RU2275444C1. Автор: Валерий Тарасович Фомичев,Елена Викторовна Москвичева,Антон Викторович Андреев. Владелец: Волгоградский государственный архитектурно-строительный университет (ВолгГАСУ). Дата публикации: 2006-04-27.

Filter of the recuperator 0f the installation for deposition of polymeric powder coatings

Номер патента: RU2283165C2. Автор: Вадим Николаевич Чернов. Владелец: Вадим Николаевич Чернов. Дата публикации: 2006-09-10.

Method for deposition of molybdenum from aqueous solutions of electrolytes

Номер патента: RU2299279C2. Автор: Наталья Сергеевна Федотова,Игорь Владимирович Локтев,Сергей Евгеньевич Андрюшечкин,Галина Олеговна Климова,Наталь Сергеевна Федотова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА"). Дата публикации: 2007-05-20.

Device used for deposition of the coatings on the glass in the bath of the melt

Номер патента: RU2317260C2. Автор: Александр Борисович Жималов,Юрий Нарциссович Пентко,Андрей Евгеньевич Горин,Евгений Борисович Файнберг,Татьяна Васильевна Каплина,Людмила Александровна Шитова. Владелец: Открытое акционерное общество "Саратовский институт стекла". Дата публикации: 2008-02-20.

Method for support of longwall face-to-gate junction

Номер патента: RU2067176C1. Автор: А.Г. Попов,В.П. Голуб. Владелец: Подмосковный Научно-Исследовательский И Проектно-Конструкторский Угольный Институт. Дата публикации: 1996-09-27.

Method for deposition of heat-protective coating

Номер патента: RU2247792C2. Автор: Л.Х. Балдаев,В.А. Лупанов,Н.Г. Шестеркин,А.П. Шатов,Г.И. Зубарев,М.М. Гойхенберг. Владелец: Балдаев Лев Христофорович. Дата публикации: 2005-03-10.

Installation for deposition of the protecting coatings

Номер патента: RU2318078C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Сергей Артемович Мубояджян,Алексей Николаевич Луценко,Сергей Александрович Будиновский,дж н Сергей Артемович Мубо,Владимир Сергеевич Фурин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2008-02-27.

Apparatus for deposition of coatings in vacuum

Номер патента: RU2271409C2. Автор: Евгений Григорьевич Качанов,Леонид Владимирович Дербенев,Александр Викторович Федин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева". Дата публикации: 2006-03-10.

Electrolyte for deposition of bismuth-gallium alloy

Номер патента: RU2410474C2. Автор: Татьяна Григорьевна Шиблева,Виктор Владимирович Поветкин,Олег Валерьевич Андреев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2011-01-27.

Aqueous electrolyte for depositing iron-manganese alloy

Номер патента: RU2256010C1. Автор: В.В. Поветкин,Е.В. Корешкова,И.М. Ковенский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тюменский государственный нефтегазовый университет. Дата публикации: 2005-07-10.

Method for depositing composite coatings

Номер патента: RU2146724C1. Автор: Н.Н. Коваль,П.М. Щанин,В.С. Толкачев. Владелец: Институт сильноточной электроники СО РАН. Дата публикации: 2000-03-20.

Electrolyte for deposition of cadmium-antimony alloy

Номер патента: RU2236487C1. Автор: С.В. Скифский,В.В. Поветкин,Е.В. Корешкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тюменский государственный нефтегазовый университет. Дата публикации: 2004-09-20.

Electrolyte for deposition of composition nickel-fluoroplastic coating

Номер патента: RU2297476C1. Автор: Владимир Ильич Балакай,Илья Владимирович Балакай,Иль Владимирович Балакай,Юрий Яковлевич Герасименко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)", ГОУ ВПО ЮРГТУ (НПИ). Дата публикации: 2007-04-20.

Rotating member and method for depositing of coating onto the same

Номер патента: RU2320776C2. Автор: Акихиро ГОТО,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Масао АКИЙОСИ,Хироюки ОТИАЙ,Мики АРАЙ,Микия АРАЙ,Сигеру САБУРИ,Цуйоси ЯМАКАВА,Сого ЦУГУМИ,Дзун САКАЙ,Цунао ТЕЗУКА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко.,Лтд.. Дата публикации: 2008-03-27.

Composition for depositing fluoropolymer coating on polyimide film and polyimide film coating device

Номер патента: RU2503691C2. Автор: Валерий Павлович Мельников,Сергей Викторович Демихов,Александр Иванович Егоров,Андрей Ярославович Ляпунов,Николай Юрьевич Журавлев,Иван Давыдович Москаленко. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2014-01-10.

Electrolyte for depositing silver-lead alloy

Номер патента: RU2303662C1. Автор: Татьяна Евгеньевна Иванова,Виктор Владимирович Поветкин,Тать на Евгеньевна Иванова,нский Василий Владимирович Череп,Василий Владимирович Черепянский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный нефтегазовый университет". Дата публикации: 2007-07-27.

Plasma cvd apparatus, method for manufacturing magnetic recording medium and method for depositing film

Номер патента: SG10201805811SA. Автор: Watanabe Toshiyuki,Abe Koji,Honda Yuji. Владелец: Advanced Material Technologies Inc. Дата публикации: 2019-02-27.

Method and the device for deposition of the multilayered coatings on the sheet glass

Номер патента: RU2297988C1. Автор: Михаил Николаевич Михайлов,Валерий Павлович Кривобоков,Виктор Никифорович Легостаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2007-04-27.

Electrolyte for deposition of palladium-base alloy

Номер патента: RU2061800C1. Автор: А.А. Соловьев,А.Н. Сабуров,Ю.Д. Харизман,В.В. Чумак,Н.Н. Новичихина,ева В.И. Повал,В.И. Поваляева,С.М. Нахмансон,В.И. Клейнерман. Владелец: Научно-производственное предприятие "Элим Энво". Дата публикации: 1996-06-10.

Method for deposition of fine aerosols

Номер патента: RU2593299C1. Автор: Владимир Александрович Лихолобов,Виктор Михайлович Шопин,Константин Викторович Супонев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем переработки углеводородов Сибирского отделения Российской академии наук (ИППУ СО РАН). Дата публикации: 2016-08-10.

The device for deposition of coatings on the external surfaces of items

Номер патента: RU2222640C2. Автор: П.В. Никитин,А.Г. Смолин,Мануэль МЕЛЕНДО. Владелец: Смолин Андрей Григорьевич. Дата публикации: 2004-01-27.

Process of search for deposits of mineral resources by induced radiation and device for its implementation

Номер патента: RU2169386C1. Автор: А.Ф. Охатрин,А.А. Охатрин,С.В. Шевалдин,В.В. Ярош. Владелец: Шевалдин Сергей Валерьевич. Дата публикации: 2001-06-20.

Electrolyte for deposition of copper-base coating

Номер патента: RU2135646C1. Автор: В.В. Поветкин,Р.Р. Муслимов. Владелец: Тюменский государственный нефтегазовый университет. Дата публикации: 1999-08-27.

The device for deposition of coatings on the internal surfaces of items

Номер патента: RU2222639C2. Автор: П.В. Никитин,А.Г. Смолин,Мануэль МЕЛЕНДО. Владелец: Смолин Андрей Григорьевич. Дата публикации: 2004-01-27.

Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films

Номер патента: CA2608079C. Автор: James Brownlee,Annette Krisko,Kari Myli,Gary Pfaff,John German. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2014-04-01.

Water-based ink, ink-jet depositing method, ink cartridge, ink depositing unit, jet device for depositing ink and image formation method

Номер патента: RU2377265C2. Автор: Микио САНАДА,Кацухико ТАКАХАСИ,Масаси ОГАСАВАРА,Томонари ВАТАНАБЕ,Юи ТОКУДА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-12-27.

Article surface for deposition preparation method

Номер патента: RU2305606C1. Автор: Владислав Николаевич Коренев,Василий Николаевич Хромов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГОУ ВПО Орел ГАУ). Дата публикации: 2007-09-10.

Apparatus for depositing anticorrosion coating on metal articles by thermodiffusion zinc coating

Номер патента: RU2515868C1. Автор: Виктор Эдуардович Морозов,Игорь Владимирович Петров. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Неоцинк Технолоджи". Дата публикации: 2014-05-20.

Method for depositing wear-resistant coating on cutting tool

Номер патента: RU2269598C2. Автор: Владимир Петрович Табаков,Алексей Валерьевич Чихранов,Алексей Валерьевич Циркин,Алексей Владимирович Рандин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Electrolyte for deposition of nickel-bismuth alloy

Номер патента: RU2457287C1. Автор: Татьяна Григорьевна Шиблева,Виктор Владимирович Поветкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2012-07-27.

Oxalate electrolyte for depositing copper-tin alloy

Номер патента: RU2487967C1. Автор: Станислав Николаевич Виноградов,Максим Владимирович Глебов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2013-07-20.

Composition for depositing protective coating

Номер патента: RU2265036C1. Автор: Ю.В. Попов,С.Ю. Попов,Т.Т. Попова,О.А. Совина,А.Г. Чеботарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное предприятие "Спектр-ТП". Дата публикации: 2005-11-27.

Electrolyte for depositing silver-rhenium alloy

Номер патента: RU2459017C1. Автор: Татьяна Евгеньевна Иванова,Татьяна Григорьевна Шиблева,Виктор Владимирович Поветкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2012-08-20.

Electrolyte for deposition of chrome coats on metals and alloys

Номер патента: RU2146309C1. Автор: В.В. Кузнецов,В.Н. Кудрявцев,Е.Г. Винокуров,Стив Шахамайер,О.Е. Азарко. Владелец: Винокуров Евгений Геннадьевич. Дата публикации: 2000-03-10.

Electrolyte for deposition of nickel-cobalt-silicon oxide-plastic fluor composite coating

Номер патента: RU2489530C1. Автор: Валерий Владимирович Иванов,Владимир Ильич Балакай,Игорь Николаевич Щербаков,Ксения Владимировна Мурзенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2013-08-10.

Electrolyte for depositing nichel-boron alloy

Номер патента: RU2058437C1. Автор: Татьяна Васильевна Гаевская,Александр Петрович Морозов,Людмила Сергеевна Цыбульская,Таисия Владимировна Богдашич,Дина Григорьевна Островская,Татьяна Алексеевна Чернова,Ирина Георгиевна Новоторцева. Владелец: Акционерное общество "Минский часовой завод". Дата публикации: 1996-04-20.

Electrolyte for deposition of silver-indium alloy

Номер патента: RU2386731C1. Автор: Татьяна Григорьевна Шиблева,Виктор Владимирович Поветкин,Роман Викторович Шиндлер. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2010-04-20.

Facility for deposition of reinforcing coats

Номер патента: RU2210618C2. Автор: В.И. Рудаков,Л.Л. Ильичев,Д.А. Пирогов. Владелец: Оренбургский государственный университет. Дата публикации: 2003-08-20.

Electrolyte for depositing zinc-gallium alloy

Номер патента: RU2459016C1. Автор: Людмила Николаевна Макарова,Виктор Владимирович Поветкин,Роман Викторович Шиндлер. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный нефтегазовый университет" (ТюмГНГУ). Дата публикации: 2012-08-20.

Method for depositing on titanium and its alloys zirconium -containing coating

Номер патента: RU2323278C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Татьяна Петровна Яровая,Кирилл Николаевич Килин,Тать на Петровна Ярова. Владелец: Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (Институт химии ДВО РАН). Дата публикации: 2008-04-27.

Electrolyte for depositing iron-vanadium-phosphorus alloy

Номер патента: RU2291231C1. Автор: Елена Владимировна Корешкова,Виктор Владимирович Поветкин,Иль Моисеевич Ковенский,Илья Моисеевич Ковенский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный нефтегазовый университет". Дата публикации: 2007-01-10.

Enamel for depositing anticorrosion fireproof bioresistant coating

Номер патента: RU2401854C2. Автор: Юрий Яковлевич Мещеряков,Лада Юрьевна Рогозинская,Сергей Юрьевич Медведков,Арнольд Анатольевич Мазлин,Юрий Иванович Григорьев,Анатолий Иванович Пашков,Нина Анатольевна Тушкова,Александр Валерьевич Мурашов. Владелец: ЗАО Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт Электроизоляционных Материалов "ВНИИЭИМ". Дата публикации: 2010-10-20.

Electrolyte for deposition of copper-germanium alloy

Номер патента: RU2457289C1. Автор: Татьяна Григорьевна Шиблева,Виктор Владимирович Поветкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2012-07-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.