Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Conductive via bar self-aligned to gate end

Номер патента: EP4105974A1
Опубликовано: 21-12-2022
Автор(ы): Charles H. Wallace, Conor P. PULS, Justin S. Sandford, Leonard P. GULER, Mohammad Hasan, Sairam Subramanian, Saurabh MORARKA, Sean Pursel, Tahir Ghani, Walid M. Hafez
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Gate cut with asymmetrical channel to gate cut spacing

Номер патента: EP4345877A1. Автор: Tahir Ghani,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Gate cut, with asymmetrical channel to gate cut spacing

Номер патента: US20240113107A1. Автор: Tahir Ghani,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Drift region implant self-aligned to field relief oxide with sidewall dielectric

Номер патента: US09583612B1. Автор: Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

DRIFT REGION IMPLANT SELF-ALIGNED TO FIELD RELIEF OXIDE WITH SIDEWALL DIELECTRIC

Номер патента: US20200083336A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,Hu Binghua,Todd James Robert. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Drift region implant self-aligned to field relief oxide with sidewall dielectric

Номер патента: US20170213893A1. Автор: Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Drift region implant self-aligned to field relief oxide with sidewall dielectric

Номер патента: EP3430647A1. Автор: Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-23.

Dummy contacts to mitigate plasma charging damage to gate dielectrics

Номер патента: US20180175023A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Gregory B. Shinn,Tae S. Kim,Mark Robert Visokay,Eric D. Rullan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Conductive via structures for gate contact or trench contact

Номер патента: US20220392840A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Conductive via structures for gate contact or trench contact

Номер патента: EP4099372A1. Автор: Tahir Ghani,Charles Wallace,Leonard GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-07.

Reduced capacitance between power via bar and gates

Номер патента: US20240186245A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Kisik Choi,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Double-resurf LDMOS with drift and PSURF implants self-aligned to a stacked gate “bump” structure

Номер патента: US09806174B2. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Noel Berkovitch. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Double-resurf LDMOS with drift and PSURF implants self-aligned to a stacked gate “bump” structure

Номер патента: US09484454B2. Автор: Sagy Levy,Sharon Levin,Noel Berkovitch. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuit including backside conductive vias

Номер патента: US20220293750A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Construction of integrated circuitry and a method of forming an elevationally-elongated conductive via to a diffusion region in semiconductive material

Номер патента: US11469158B2. Автор: Yuko Togashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

DUMMY CONTACTS TO MITIGATE PLASMA CHARGING DAMAGE TO GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20180175023A1. Автор: Nandakumar Mahalingam,Visokay Mark Robert,KIM TAE S.,RULLAN ERIC D.,SHINN GREGORY B.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US11810919B2. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device structure with conductive via structure

Номер патента: US20240079409A1. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Gate-all-around-vorrichtungen mit optimierten gateabstandhaltern und gate-ende-dielektrikum

Номер патента: DE102020119428A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

DRIFT REGION IMPLANT SELF-ALIGNED TO FIELD RELIEF OXIDE WITH SIDEWALL DIELECTRIC

Номер патента: US20170213895A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,Hu Binghua,Todd James Robert. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Lateral diffusion field effect transistor with drain region self-aligned to gate electrode

Номер патента: US20120126319A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Xuefeng Liu,Steven H. Voldman,Natalie B. Feilchenfeld,Michael J. Zierak,Benjamin T. Voegeli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for fabricating a MOSFET device, with local channel doping, self aligned to a selectively deposited tungsten gate

Номер патента: US5688706A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Devices with contact-to-gate shorting through conductive paths between fins and fabrication methods

Номер патента: US20180061842A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Raised isolation structure self-aligned to fin structures

Номер патента: US8586449B1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Effendi Leobandung,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-19.

Transistor design self-aligned to contact

Номер патента: US20070059908A1. Автор: Andrew Marshall,Tito Gelsomini,Harvey Davis. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Field effect transistors with gate electrode self-aligned to semiconductor fin

Номер патента: US11996447B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH GATE ELECTRODE SELF-ALIGNED TO SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20220181442A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,Ma Sean T.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

Double-Resurf LDMOS With Drift And PSURF Implants Self-Aligned To A Stacked Gate "BUMP" Structure

Номер патента: US20150279969A1. Автор: Levy Sagy,Levin Sharon,Berkovitch Noel. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH GATE ELECTRODE SELF-ALIGNED TO SEMICONDUCTOR FIN

Номер патента: US20200321435A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Murthy Anand S.,Ma Sean T.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-08.

Vertical DRAM punchthrough stop self-aligned to storage trench

Номер патента: US6833305B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Jack A. Mandelman,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

DOUBLE-RESURF LDMOS WITH DRIFT AND PSURF IMPLANTS SELF-ALIGNED TO A STACKED GATE "BUMP" STRUCTURE

Номер патента: US20160372578A1. Автор: Levy Sagy,Levin Sharon,Berkovitch Noel. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor devices with wide gate-to-gate spacing

Номер патента: US20200388540A1. Автор: Haiting Wang,Jiehui SHU,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Gate-to-gate isolation for stacked transistor architecture via selective dielectric deposition structure

Номер патента: EP4141919A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Sudipto NASKAR,Nicole Thomas,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Mask-free process for improving drain to gate breakdown voltage in semiconductor devices

Номер патента: US20230378293A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Mask-free process for improving drain to gate breakdown voltage in semiconductor devices

Номер патента: US20220367652A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Mask-free process for improving drain to gate breakdown voltage in semiconductor devices

Номер патента: US11799006B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Buried low-k dielectric to protect source/drain to gate connection

Номер патента: EP4440275A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Akitomo Matsubayashi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Buried low-k dielectric to protect source/drain to gate connection

Номер патента: US20240334669A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Akitomo Matsubayashi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Deep Implant Self-Aligned To Polysilicon Gate

Номер патента: US20080237653A1. Автор: David Cohen,Vladimir Korobov,Assaf Lahav,Clifford Ian Drowley,Anatoly Sergienko,Shai Kfir,Naor Inbar. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

EEPROM devices having isolation region self aligned to floating gate

Номер патента: GB2366911A. Автор: Min Kim,Sung-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-20.

LDMOS DEVICE WITH BODY DIFFUSION SELF-ALIGNED TO GATE

Номер патента: US20180151722A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,Hu Binghua,Todd James Robert. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

LDMOS DEVICE WITH BODY DIFFUSION SELF-ALIGNED TO GATE

Номер патента: US20170162690A1. Автор: Edwards Henry Litzmann,Hu Binghua,Todd James Robert. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

LDMOS device with body diffusion self-aligned to gate

Номер патента: US9887288B2. Автор: Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Forming silicon trench isolation (STI) in semiconductor devices self-aligned to diffusion

Номер патента: US20080128774A1. Автор: Rustom Irani,Amichai GIVANT. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-06-05.

Enhanced mobility CMOS transistors with a V-shaped channel with self-alignment to shallow trench isolation

Номер патента: US7728364B2. Автор: Huilong Zhu,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Buried power rails with self-aligned vias to trench contacts

Номер патента: US12094822B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei,Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Transistor arrangements with stacked trench contacts and gate contacts without gate caps

Номер патента: EP4053890A1. Автор: Oleg Golonzka,Farshid Adibi-rizi,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-07.

Symmetric device with contacts self aligned to gate

Номер патента: TW538502B. Автор: James A Slinkman,Randy W Mann,Juan A Chediak. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-06-21.

Symmetric device with contacts self aligned to gate

Номер патента: US6445050B1. Автор: Randy W. Mann,James A. Slinkman,Juan A. Chediak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-09-03.

Borderless interconnect line structure self-aligned to upper and lower level contact vias

Номер патента: US8704343B2. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-22.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Ic structure with air gap adjacent to gate structure and methods of forming same

Номер патента: US20200127109A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

DEVICES WITH CONTACT-TO-GATE SHORTING THROUGH CONDUCTIVE PATHS BETWEEN FINS AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20180061842A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-03-01.

IC STRUCTURE WITH AIR GAP ADJACENT TO GATE STRUCTURE AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200127109A1. Автор: Xu Guowei,WANG Haiting,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

DEVICES WITH CONTACT-TO-GATE SHORTING THROUGH CONDUCTIVE PATHS BETWEEN FINS AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20180286873A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-10-04.

Devices including fin transistors robust to gate shorts and methods of making the same

Номер патента: US9087721B2. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-21.

Structure and process to tuck fin tips self-aligned to gates

Номер патента: USRE50174E1. Автор: Hong He,Soon-Cheon Seo,Bruce B. Doris,Sivananda K. Kanakasabapathy,Stuart A. Sieg,Gauri Karve,Fee Li LIE,Derrick Liu. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

STRUCTURE AND PROCESS TO TUCK FIN TIPS SELF-ALIGNED TO GATES

Номер патента: US20180061941A1. Автор: Doris Bruce B.,Kanakasabapathy Sivananda K.,He Hong,LIE Fee Li,Seo Soon-Cheon,SIEG STUART A.,Liu Derrick,Karve Gauri. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

STRUCTURE AND PROCESS TO TUCK FIN TIPS SELF-ALIGNED TO GATES

Номер патента: US20180061942A1. Автор: Doris Bruce B.,Kanakasabapathy Sivananda K.,He Hong,LIE Fee Li,Seo Soon-Cheon,SIEG STUART A.,Liu Derrick,Karve Gauri. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

STRUCTURE AND PROCESS TO TUCK FIN TIPS SELF-ALIGNED TO GATES

Номер патента: US20160343861A1. Автор: Doris Bruce B.,Kanakasabapathy Sivananda K.,He Hong,LIE Fee Li,Seo Soon-Cheon,SIEG STUART A.,Liu Derrick,Karve Gauri. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Structure and process to tuck fin tips self-aligned to gates

Номер патента: US9876074B2. Автор: Hong He,Soon-Cheon Seo,Bruce B. Doris,Sivananda K. Kanakasabapathy,Stuart A. Sieg,Gauri Karve,Fee Li LIE,Derrick Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Double-Resurf LDMOS With Drift And PSURF Implants Self-Aligned To A Stacked Gate "BUMP" Structure

Номер патента: US20140070315A1. Автор: Levy Sagy,Levin Sharon,Berkovitch Noel. Владелец: Tower Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2014-03-13.

Thin film transistor self-aligned to light-shield layer

Номер патента: CN1462473A. Автор: T·于卡瓦. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Thin film transistor self-aligned to a light-shield layer

Номер патента: EP1396019B1. Автор: Teizo Yukawa. Владелец: TPO Hong Kong Holding Ltd. Дата публикации: 2015-07-08.

Process for forming an active area and a shallow trench isolation self-aligned to a deep trench

Номер патента: EP1037281B1. Автор: Carl Radens,Jack Mandelman,Larry Nesbit,Rama Divakaruni,Ulrike Gruning,Byeong Y. Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-03.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09589962B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods for fabricating conductive vias of circuit structures

Номер патента: US09425129B1. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu,Dingyou Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Electronic component of integrated circuitry and a method of forming a conductive via to a region of semiconductor material

Номер патента: US09754889B2. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for forming an electrically conductive via in a substrate

Номер патента: US09748136B2. Автор: Johannes Oonk,Peter Tijssen,Marko Theodoor Blom,Ronny van 't Oever,Jeroen Haneveld. Владелец: Micronit Microfluidics BV. Дата публикации: 2017-08-29.

Array Of Conductive Vias, Methods Of Forming A Memory Array, And Methods Of Forming Conductive Vias

Номер патента: US20160336325A1. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Conductive via of integrated circuitry, memory array comprising strings of memory cells, method of forming a conductive via of integrated circuitry, and method of forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11972978B2. Автор: Yiping Wang,Collin Howder,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Photo-detector array with conductive via

Номер патента: GB2392307A. Автор: Liro Hietanen. Владелец: DETECTION TECHNOLOGY OY. Дата публикации: 2004-02-25.

Gate-to-gate isolation for stacked transistor architecture via non-selective dielectric deposition structure

Номер патента: EP4135019A1. Автор: Marko Radosavljevic,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor arrangement for a FinFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US09780200B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130164910A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086078A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130200458A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

DIRECT GATE METAL CUT USING SELECTIVE DEPOSITION TO PROTECT THE GATE END LINE FROM METAL SHORTS

Номер патента: US20200227532A1. Автор: De Silva Ekmini Anuja,Greene Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09704802B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Structure of integrated circuitry and a method of forming a conductive via

Номер патента: US09960114B1. Автор: Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Naoyoshi Kobayashi,Andrew L. Li,Katsumi Koge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of forming conductive vias by direct via reveal with organic passivation

Номер патента: US09768066B2. Автор: XING Zhao,Duk Ju Na,Lai Yee Chia. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including conductive via with buffer layer at tapered portion of conductive via

Номер патента: US09859191B2. Автор: Ho-Jin Lee,Byung Lyul Park,Jin Ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor Element Having a Conductive Via and Method for Making the Same and Package Having a Semiconductor Element with a Conductive Via

Номер патента: US20130109178A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chi-Tsung Chiu,Yin-Te Ou. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274525A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Conductive via structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09607941B2. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Mu-Hsuan Chan,Chieh-Yuan Chi. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit package substrate with openings surrounding a conductive via

Номер патента: US09478491B1. Автор: Jianmin Zhang,Myung June Lee. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US10559531B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-11.

Semiconductor device having a conductive via structure

Номер патента: US20170062329A1. Автор: Kuo-Chin Chang,Yuh Chern Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias by Direct Via Reveal with Organic Passivation

Номер патента: US20170365517A1. Автор: XING Zhao,Duk Ju Na,Lai Yee Chia. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Microelectronic components with features wrapping around protrusions of conductive vias protruding from through-holes passing through substrates

Номер патента: US20190157199A1. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Zhuowen Sun,Cyprian Emeka Uzoh,Guilian Gao,Arkalgud R. Sitaram,Charles G. Woychik. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2019-05-23.

Microelectronic components with features wrapping around protrusions of conductive vias protruding from through-holes passing through substrates

Номер патента: US20170278787A1. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Zhuowen Sun,Cyprian Emeka Uzoh,Guilian Gao,Arkalgud R. Sitaram,Charles G. Woychik. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Microelectronic components with features wrapping around protrusions of conductive vias protruding prom through-holes passing through substrates

Номер патента: WO2016137895A1. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Zhuowen Sun,Guilian Gao,Arkalgud R. Sitaram,Charles G. Woychik,Cypran Emeka UZOH. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-01.

Microelectronic components with features wrapping around protrusions of conductive vias protruding from through-holes passing through substrates

Номер патента: US09947618B2. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Zhuowen Sun,Cyprian Emeka Uzoh,Guilian Gao,Arkalgud R. Sitaram,Charles G. Woychik. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Microelectronic components with features wrapping around protrusions of conductive vias protruding from through-holes passing through substrates

Номер патента: US09691702B2. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Zhuowen Sun,Cyprian Emeka Uzoh,Guilian Gao,Arkalgud R. Sitaram,Charles G. Woychik. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias to Have Enhanced Contact to Shielding Layer

Номер патента: US20230275013A1. Автор: Sungsoo Kim,SangMi Park,DaeHyeok Ha. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Substrate with conductive vias

Номер патента: EP3114706A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-11.

Substrate with conductive vias

Номер патента: WO2015134279A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-11.

Microelectronic components with features wrapping around protrusions of conductive vias protruding from through-holes passing through substrates

Номер патента: US20180233447A1. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Zhuowen Sun,Cyprian Emeka Uzoh,Guilian Gao,Arkalgud R. Sitaram,Charles G. Woychik. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2018-08-16.

Substrate with conductive vias

Номер патента: US09596768B2. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of forming semiconductor device having a conductive via structure

Номер патента: US20160005645A1. Автор: Kuo-Chin Chang,Yuh Chern Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Method of forming semiconductor device having a conductive via structure

Номер патента: US9514978B2. Автор: Kuo-Chin Chang,Yuh Chern Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Integrated Circuitry, A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells, A Method Used In Forming A Conductive Via, A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203791A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Chip structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US11908790B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Po-Hao Tsai,Hong-Seng Shue,Ting-Li Yang,Yu-Tse Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Anchored conductive via and method for forming

Номер патента: US20120211883A1. Автор: Trent S. Uehling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-23.

Hybrid conductive vias including small dimension active surface ends and larger dimension back side ends, semiconductor devices including the same, and associated methods

Номер патента: SG157351A1. Автор: Chad A Cobbley,Jonathon G Greenwood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

Etch stop layer-based approaches for conductive via fabrication and structures resulting therefrom

Номер патента: US20210013145A1. Автор: Florian Gstrein,Rami HOURANI,Cen TAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for forming conductive via, conductive via and passive device

Номер патента: US20240162138A1. Автор: Xiyuan Wang,Feng Qu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Copper pellet for reducing electromigration effects associated with a conductive via in a semiconductor device

Номер патента: US5639691A. Автор: Steven Avanzino,Subhash Gupta,Richard K. Klein,Ming-Ren Lin,Darrell M. Erb,Robin Cheung,Scott Luning,Bryan Tracy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-06-17.

Semiconductor components having conductive vias with aligned back side conductors

Номер патента: US11869809B2. Автор: Jin Li,Tongbi Jiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor components having conductive vias with aligned back side conductors

Номер патента: US20240145305A1. Автор: Jin Li,Tongbi Jiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Conductive via structure

Номер патента: US20120299161A1. Автор: Kuo-Chin Chang,Yuh Chern Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US20230163030A1. Автор: David S. Pratt,Aaron M. Lowe,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US20220336277A1. Автор: David S. Pratt,Aaron M. Lowe,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Packaged integrated circuit devices with through-body conductive vias, and methods of making same

Номер патента: US20230197690A1. Автор: Tongbi Jiang,Yong Poo Chia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Packaged integrated circuit devices with through-body conductive vias, and methods of making same

Номер патента: US12087738B2. Автор: Tongbi Jiang,Yong Poo Chia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Multiheight electrically conductive via contacts for a multilevel interconnect structure

Номер патента: US09524901B2. Автор: Hiroshi Sasaki,Michiaki Sano,Keisuke Izumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuitry, a memory array comprising strings of memory cells, a method used in forming a conductive via, a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11915974B2. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Substrate with conductive vias

Номер патента: US20150257282A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086083A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Improved process for buried-strap self-aligned to deep storage trench

Номер патента: TW459384B. Автор: Ulrike Gruening,Jack A Mandelman,Carl J Radens. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-10-11.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR FULLY SELF-ALIGNED TO DIFFUSION REGION WITH STRONGLY MINIMIZED SUBSTRATE PARASITICS AND SELECTIVE PRE-STRUCTURED EPITAXIAL BASE LINK

Номер патента: US20170365688A1. Автор: Dahl Claus,TSCHUMAKOW Dmitri Alex. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH. Дата публикации: 2017-12-21.

Conductive Via With Improved Gap Filling Performance

Номер патента: US20240071813A1. Автор: Tzu-Yu Lin,Yao-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Structure and method to form via to backside power rail without shorting to gate tip

Номер патента: US20240204008A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Structure for reduced source and drain contact to gate stack capacitance

Номер патента: US09601570B1. Автор: Carl J Radens,Richard Q Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

MULTI-LAYER FILLED GATE CUT TO PREVENT POWER RAIL SHORTING TO GATE STRUCTURE

Номер патента: US20180053694A1. Автор: Cheng Kangguo,Tang Hao,Xu Peng. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor devices with wide gate-to-gate spacing

Номер патента: US20200388540A1. Автор: Haiting Wang,Jiehui SHU,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Multi-layer filled gate cut to prevent power rail shorting to gate structure

Номер патента: US9805983B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Hao Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

DEVICES INCLUDING FIN TRANSISTORS ROBUST TO GATE SHORTS AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20150008535A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Method for reduced source and drain contact to gate stack capacitance

Номер патента: US20170179240A1. Автор: Carl John Radens,Richard Quimby Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

STRUCTURE FOR REDUCED SOURCE AND DRAIN CONTACT TO GATE STACK CAPACITANCE

Номер патента: US20190189760A1. Автор: Radens Carl J,Williams Richard Q. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Structure for reduced source and drain contact to gate stack capacitance

Номер патента: US10374046B2. Автор: Carl J Radens,Richard Q Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for reduced source and drain contact to gate stack capacitance

Номер патента: US9755030B2. Автор: Carl John Radens,Richard Quimby Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Self-aligned contact with zero offset to gate

Номер патента: EP0660395A2. Автор: Robert Louis Hodges,Loi Nguyen. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-06-28.

Vertical FET with contact to gate above active fin

Номер патента: US11855191B2. Автор: Chen Zhang,Brent Anderson,Ruilong Xie,Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Joshua M. Rubin,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical fet with contact to gate above active fin

Номер патента: US20230104456A1. Автор: Chen Zhang,Brent Anderson,Ruilong Xie,Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Joshua M. Rubin,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS HAVING GATE TO ACTIVE AND GATE TO GATE INTERCONNECTS

Номер патента: US20140220759A1. Автор: Flachowsky Stefan,Scheiper Thilo,Wei Andy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

Ferroelectric random access memories (frams) having lower electrodes respectively self-aligned to node conductive layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US20080191255A1. Автор: Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Structure and method for collar self-aligned to buried plate

Номер патента: US20060292789A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Ferroelectric random access memories (FRAMS) having lower electrodes respectively self-aligned to node conductive layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US20060033134A1. Автор: Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-16.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20200312867A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20210104544A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Power switching transistor with low drain to gate capacitance

Номер патента: US6870221B2. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-03-22.

Inverse taper via to self-aligned gate contact

Номер патента: EP4109503A1. Автор: Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Transistor arrangements with stacked trench contacts and gate straps

Номер патента: EP4016599A1. Автор: Guillaume Bouche,Charles Wallace,Andy Wei,Changyok Park,Hyuk RYU,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-22.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09899265B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09524965B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US10522412B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US11756888B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US12057401B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on pmos region

Номер патента: US20240363539A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on pmos region

Номер патента: US20230369227A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Construction Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming An Elevationally-Elongated Conductive Via To A Diffusion Region In Semiconductive Material

Номер патента: US20210028091A1. Автор: Togashi Yuko. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-28.

Construction Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming An Elevationally-Elongated Conductive Via To A Diffusion Region In Semiconductive Material

Номер патента: US20200135618A1. Автор: Togashi Yuko. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US11171091B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on pmos region

Номер патента: US20210125927A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Overhang hardmask to prevent parasitic epitaxial nodules at gate end during source drain epitaxy

Номер патента: US09892925B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Overhang hardmask to prevent parasitic epitaxial nodules at gate end during source drain epitaxy

Номер патента: US09558950B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY BOTTOM ELECTRODE SELF-ALIGNED TO UNDERLYING INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20200212292A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Memory structure having a magnetic tunnel junction (MTJ) self-aligned to a T-shaped bottom electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10069064B1. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong,Zhongjian Teng. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Method of making select gate self-aligned to floating for split gate flash memory structure

Номер патента: US6251727B1. Автор: Bin-Shing Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Through-array conductive via structures for a three-dimensional memory device and methods of making the same

Номер патента: US20200235120A1. Автор: James Kai,Johann Alsmeier,Fumiaki TOYAMA,Masaaki Higashitani,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor devices having electrically and optically conductive vias, and associated systems and methods

Номер патента: US20190198443A1. Автор: Mark E. Tuttle,Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor devices having electrically and optically conductive vias, and associated systems and methods

Номер патента: US20200126907A1. Автор: Mark E. Tuttle,Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor devices having electrically and optically conductive vias, and associated systems and methods

Номер патента: WO2019125528A1. Автор: Mark E. Tuttle,Eiichi Nakano. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Array Of Conductive Vias, Methods Of Forming A Memory Array, And Methods Of Forming Conductive Vias

Номер патента: US20160336325A1. Автор: Mueller Wolfgang,Tang Sanh D.,Gilgen Brent,Macmaster Dylan R.,Jozwiak Jim A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor devices having electrically and optically conductive vias, and associated systems and methods

Номер патента: US20200126907A1. Автор: Mark E. Tuttle,Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Methods Of Forming Conductive Vias And Methods Of Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20200294852A1. Автор: Lee Si-Woo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-17.

Electronic Component Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming A Conductive Via To A Region Of Semiconductor Material

Номер патента: US20170358532A1. Автор: Liu Haitao,Pandey Deepak Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor component having plate, stacked dice and conductive vias

Номер патента: US7498675B2. Автор: David R. Hembree,Alan G. Wood,Warren M. Farnworth,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,James M. Wark,Pete A. Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-03.

Wafer bond cmut array with conductive vias

Номер патента: EP2411163B1. Автор: Dag Thorstein Wang,Sigrid Berg,Kamal Chapagain,Jon Due-Hansen,Kjell Arne Ingebrigtsen,Geir Uri Jensen,Kjersti MIDTBØ,Erik Utne Poppe,Arne RØNNEKLEIV. Владелец: Norwegian University of Science and Technology NTNU. Дата публикации: 2013-05-15.

Indented gate end of non-planar transistor

Номер патента: US09627375B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Yi-Jen Chen,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

GATE-END STRUCTURE ENGINEERING FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS

Номер патента: US20190019732A1. Автор: Chen Yu-Jen,Wang Ling-Sung,Huang I-Shan,HUNG Chan-yu. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

INDENTED GATE END OF NON-PLANAR TRANSISTOR

Номер патента: US20150228647A1. Автор: Chen Yi-Jen,Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Lin Jr-Jung,CHANG YUNG JUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.. Дата публикации: 2015-08-13.

Indented gate end of non-planar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI562238B. Автор: Jr Jung Lin,Yung Jung Chang,Yi Jen Chen,Che Cheng Chang,Chih Han Lin,chang yin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-11.

3D semiconductor devices and structures

Номер патента: US11793005B2. Автор: Zvi Or-Bach,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Introducing fluorine to gate after work function metal deposition

Номер патента: US20240313068A1. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Introducing fluorine to gate after work function metal deposition

Номер патента: US11996453B2. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Introducing Fluorine To Gate After Work Function Metal Deposition

Номер патента: US20230068458A1. Автор: Pei Ying Lai,Bo-Wen HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120306016A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Trench FET with improved body to gate alignment

Номер патента: TW200832565A. Автор: Ashok Challa,Hamza Yilmaz,Joseph A Yedinak,Daniel Calafut,Steven P Sapp,Dean E Probst,Nathan L Kraft,Thomas E Grebs,Rodney S Ridley,Gary M Dolny,Christopher B Kocon. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2008-08-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONTACT PLUG CONNECTED TO GATE STRUCTURE ON PMOS REGION

Номер патента: US20210125927A1. Автор: Hsu Chi-Mao,Lu Tsuo-Wen,Wu Tsung-Hsun,Liang Shih-Hao,Chen Shih-Cheng,Ho Li-Hsuan,Chuang Po-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Drive current improvement from recessed SiGe incorporation close to gate

Номер патента: US7244654B2. Автор: Lindsey Hall,Haowen Bu,PR Chidambaram,Douglas T. Grider,Brian A. Smith. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-07-17.

Group III nitride-based radio frequency transistor amplifiers having source, gate and/or drain conductive vias

Номер патента: US12113490B2. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Transparent through - glass conductive via in a transparent substrate

Номер патента: WO2013166021A1. Автор: David William Burns,Kristopher Andrew Lavery. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-11-07.

Transparent through - glass conductive via in a transparent substrate

Номер патента: EP2844612A1. Автор: David William Burns,Kristopher Andrew Lavery. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2015-03-11.

Vertical led with conductive vias

Номер патента: EP2176891A1. Автор: James Stuart Mckenzie,Majd Zoorob. Владелец: Photonstar Led Ltd. Дата публикации: 2010-04-21.

Method for isolating a conductive via from a glass substrate

Номер патента: US11798816B2. Автор: Tengfei Jiang,Omar Saad Ahmed. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-10-24.

Connection using conductive vias

Номер патента: US09942994B2. Автор: Thomas Scott Morris,Ulrik Riis Madsen,Donald Joseph Leahy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Embedded multi-device bridge with through-bridge conductive via signal connection

Номер патента: US09754890B2. Автор: Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Package structure with conductive via structure

Номер патента: US20240047401A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Group III nitride-based radio frequency transistor amplifiers having source, gate and/or drain conductive vias

Номер патента: US11863130B2. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Group iii nitride-based radio frequency transistor amplifiers having source, gate and/or drain conductive vias

Номер патента: US20240088838A1. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Electronic device with conductive via structures

Номер патента: US11839120B2. Автор: Wei-Chung Chen,Wen-Yu KUO,Tai-Jui Wang,Chieh-Wei Feng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-12-05.

Conductive via fill inks for ceramic multilayer circuit boards on support substrates

Номер патента: WO1996022882A1. Автор: Ashok Narayan Prabhu,Ellen Schwartz Tormey,Barry Jay Thaler,Ananda Hosakere Kumar. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 1996-08-01.

Semiconductor Device and Method of Forming a Wafer Level Package Structure Using Conductive Via and Exposed Bump

Номер патента: US20130001773A1. Автор: Daesik Choi,SungWon Cho,Joonyoung Choi. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Methods for fabrication of semiconductor structures including interposers with conductive vias, and related structures and devices

Номер патента: US8970045B2. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-03-03.

Passives via bar

Номер патента: WO2014022298A1. Автор: Jonghae Kim,Ravindra V. Shenoy,Kwan-Yu Lai,Jon Bradley Lasiter,Philip Jason Stephanou,Evgeni Petrovich Gousev,Justin Phelps Black,Mario Francisco Velez,Donald William KIDWELL,Chi Shun Lo. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US20220208606A1. Автор: Dale W. Collins,David S. Pratt,Raju Ahmed,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti,Ahmed M. Elsied,Chelsea M. Jordan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US20240258167A1. Автор: Dale W. Collins,David S. Pratt,Raju Ahmed,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti,Ahmed M. Elsied,Chelsea M. Jordan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias with Trench in Saw Street

Номер патента: US20140217609A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device and method of forming conductive vias with trench in saw street

Номер патента: US09601369B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Electrical conductive vias in a semiconductor substrate and a corresponding manufacturing method

Номер патента: US20170294351A1. Автор: Roy Knechtel,Uwe Schwarz,Sophia Dempwolf,Daniela Guenther. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-10-12.

Methods for forming conductive vias, and associated devices and systems

Номер патента: US11990370B2. Автор: Dale W. Collins,David S. Pratt,Raju Ahmed,David A. Kewley,Trupti D. Gawai,Radhakrishna Kotti,Ahmed M. Elsied,Chelsea M. Jordan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US20160315052A1. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US09960121B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process

Номер патента: US09406552B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor devices with protruding conductive vias and methods of making such devices

Номер патента: US09941210B1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla,Colby Rampley,Mali Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods of forming conductive vias through substrates, and structures and assemblies resulting therefrom

Номер патента: US8183151B2. Автор: Rickie C. Lake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-22.

Diffusion barrier layer for conductive via to decrease contact resistance

Номер патента: US20230335499A1. Автор: Ya-Lien Lee,Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,An-Jiao FU,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for forming conducting via and damascene structure

Номер патента: US09728445B2. Автор: Ming-Chung Liang,Wen-Kuo HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit devices including a conductive via and methods of forming the same

Номер патента: US20240355727A1. Автор: Se Jung Park,Jaemyung CHOI,Kang -Ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Aligning conductive vias with trenches

Номер патента: US09972533B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Matthew E. Colburn,Sivananda K. Kanakasabapathy,Christopher J. Penny,Roger A. Quon,Yann A. M. Mignot,Sean D. Burns,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Aligning conductive vias with trenches

Номер патента: US09773700B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Matthew E. Colburn,Sivananda K. Kanakasabapathy,Christopher J. Penny,Roger A. Quon,Yann A. M. Mignot,Sean D. Burns,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Diffusion barrier layer for conductive via to decrease contact resistance

Номер патента: US11742291B2. Автор: Ya-Lien Lee,Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,An-Jiao FU,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Diffusion barrier layer for conductive via to decrease contact resistance

Номер патента: US20210287994A1. Автор: Ya-Lien Lee,Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,An-Jiao FU,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Conductive Via Of Integrated Circuitry, Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells, Method Of Forming A Conductive Via Of Integrated Circuitry, And Method Of Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220044965A1. Автор: Wang Yiping,Greenlee Jordan D.,Howder Collin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

Integrated Circuit Structures Comprising Conductive Vias And Methods Of Forming Conductive Vias

Номер патента: US20170062338A1. Автор: Liu Zengtao T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated Circuit Structures Comprising Conductive Vias And Methods Of Forming Conductive Vias

Номер патента: US20170338181A1. Автор: Liu Zengtao T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Array Of Conductive Vias, Methods Of Forming A Memory Array, And Methods Of Forming Conductive Vias

Номер патента: US20150364414A1. Автор: Mueller Wolfgang,Tang Sanh D.,Gilgen Brent,Macmaster Dylan R.,Jozwiak Jim A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Integrated Circuit Structures Comprising Conductive Vias And Methods Of Forming Conductive Vias

Номер патента: US20180350742A1. Автор: Liu Zengtao T.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-06.

Methods for fabricating and filling conductive vias and conductive vias so formed

Номер патента: KR101114202B1. Автор: 살만 아크람,윌리암 마크 하이아트,스티브 올리버,알란 지. 우드,시드니 비. 리그,제임스 엠. 워크,카일 케이. 커비. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-02-22.

Method of producing and filling conductive via, and conductive via formed by the method

Номер патента: JP2012238862A. Автор: Oliver Steven,Akram Salman,アクラム，サルマン,William Mark Hyatt,マーク ハイアット，ウィリアム,オリヴァー，スティーヴ,G Wood Alan,ジー． ウッド，アラン,Sydney B Rigg,ビー． リッグ，シドニー,James M Work,エム． ワーク，ジェイムス,K Kirby Kyle,ケイ． カービー，カイル. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Method for fabricating and filing conductive vias and conductive vias so formed

Номер патента: EP1984947A2. Автор: Salman Akram,Sidney B. Rigg,Alan G. Wood,Kyle K. Kirby,James M. Wark,Steve Oliver,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-29.

Methods for fabricating and filling conductive vias and conductive vias so formed

Номер патента: US20070184654A1. Автор: Salman Akram,Sidney Rigg,Kyle Kirby,Alan Wood,William Hiatt,Steve Oliver,James Wark. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Conductive vias in semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US20200006143A1. Автор: Shang-Yun Hou,Hung-Pin Chang,Sao-Ling Chiu,Sung-Hui Huang,Wan-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor transistors with contact holes close to gates

Номер патента: EP1952433A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,William Robert Tonti,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Method of manufacturing SEMICONDUCTOR TRANSISTORS WITH CONTACT HOLES CLOSE TO GATES

Номер патента: EP1952433B1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,William Robert Tonti,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Semiconductor Device and Method of Forming FO-WLCSP Having Conductive Layers and Conductive Vias Separated by Polymer Layers

Номер патента: US20130075919A1. Автор: Lee SinJae,Kim JinGwan,Oh JiHoon. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2013-03-28.

METHOD AND AN APPARATUS FOR FORMING ELECTRICALLY CONDUCTIVE VIAS IN A SUBSTRATE, AN AUTOMATED ROBOT-BASED MANUFACTURING SYSTEM, A COMPONENT COMPRISING A SUBSTRATE WITH VIA HOLES, AND AN INTERPOSER DEVICE

Номер патента: US20130285256A1. Автор: Niklaus Frank,Fischer Andreas,Stemme Göran. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Conductive via structures for routing porosity and low via resistance, and processes of making

Номер патента: US20140322867A1. Автор: Hugh Thomas Mair. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND DIE ASSEMBLIES INCLUDING CONDUCTIVE VIAS AND THERMALLY CONDUCTIVE ELEMENTS AND METHODS OF FORMING SUCH STRUCTURES

Номер патента: US20150364400A1. Автор: Dando Ross S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias by Direct Via Reveal with Organic Passivation

Номер патента: US20170365517A1. Автор: Zhao Xing,Na Duk Ju,Chia Lai Yee. Владелец: STATS ChipPAC Pte. Ltd.. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias by Direct Via Reveal with Organic Passivation

Номер патента: US20150380310A1. Автор: Zhao Xing,Na Duk Ju,Chia Lai Yee. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias by Backside Via Reveal with CMP

Номер патента: US20150380339A1. Автор: XING Zhao,Pandi C. Marimuthu,Duk Ju Na,Siew Joo Tan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

CONDUCTIVE CAP-BASED APPROACHES FOR CONDUCTIVE VIA FABRICATION AND STRUCTURES RESULTING THEREFROM

Номер патента: US20190363008A1. Автор: Gstrein Florian,Brain Ruth A.,CHANDHOK Manish,HOURANI Rami,Wallace Charles H.,NYHUS Paul A.,HAN Eungnak,Tsang Chi-Hwa. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Conductive cap-based approaches for conductive via fabrication and structures resulting therefrom

Номер патента: EP3559983B1. Автор: Chi-Hwa Tsang,Florian Gstrein,Charles H. Wallace,Manish Chandhok,Ruth A. BRAIN,Rami HOURANI,Paul A. Nyhus,Eungnak Han. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-13.

Semiconductor device and method of forming conductive vias using backside via reveal and selective passivation

Номер патента: US9865524B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Duk Ju Na,Chang Beom Yong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structures and die assemblies including conductive vias and thermally conductive elements and methods of forming such structures

Номер патента: US9653381B2. Автор: Ross S. Dando. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for producing electrically conductive vias through non-conductive or semiconductive substrates

Номер патента: EP1946367B1. Автор: Wolfgang Reinert. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-10-26.

Conductive cap-based approaches for conductive via fabrication and structures resulting therefrom

Номер патента: EP3559983A4. Автор: Chi-Hwa Tsang,Florian Gstrein,Charles H. Wallace,Manish Chandhok,Ruth A. BRAIN,Rami HOURANI,Paul A. Nyhus,Eungnak Han. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-29.

Process for selectively forming a self aligned local interconnect to gate

Номер патента: WO2010141394A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-12-09.

Selective local interconnect to gate in a self aligned local interconnect process

Номер патента: US20100304564A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES AND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING SAME HYBRID CONDUCTIVE VIAS, AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20130187289A1. Автор: Cobbley Chad A.,Greenwood Jonathon G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING CONDUCTIVE VIA STRUCTURES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130210222A1. Автор: Park Byung-lyul,Kang Pil-kyu,LEE Ho-Jin,Lee Kyu-Ha,Chung Hyunsoo,Choi Gilheyun,CHOI YongSoon. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

Method of forming semiconductor device having a conductive via structure

Номер патента: US20160005645A1. Автор: Kuo-Chin Chang,Yuh Chern Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

CONDUCTIVE VIAS IN SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200006143A1. Автор: Hou Shang-Yun,CHANG Hung-Pin,HUANG Sung-Hui,Lee Wan-Yu,Chiu Sao-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

ETCH STOP LAYER-BASED APPROACHES FOR CONDUCTIVE VIA FABRICATION AND STRUCTURES RESULTING THEREFROM

Номер патента: US20210013145A1. Автор: Gstrein Florian,HOURANI Rami,TAN Cen. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

ALIGNING CONDUCTIVE VIAS WITH TRENCHES

Номер патента: US20180025943A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Kanakasabapathy Sivananda K.,Burns Sean D.,Colburn Matthew E.,Penny Christopher J.,Quon Roger A.,Saulnier Nicole,Mignot Yann A. M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

INDUCTIVE DEVICE THAT INCLUDES CONDUCTIVE VIA AND METAL LAYER

Номер патента: US20150035162A1. Автор: Zuo Chengjie,Yun Changhan,Velez Mario Francisco,Kim Jonghae,Nowak Matthew M.,Lan Je-Hsiung,Kim Daeik D.,Berdy David F.,Mikulka Robert P.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-02-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A CONDUCTIVE VIA STRUCTURE

Номер патента: US20170062329A1. Автор: CHANG Kuo-Chin,SHIEH Yuh Chern. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

CONDUCTIVE VIAS IN SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20190067104A1. Автор: Hou Shang-Yun,CHANG Hung-Pin,HUANG Sung-Hui,Lee Wan-Yu,Chiu Sao-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias Through Interconnect Structures and Encapsulant of WLCSP

Номер патента: US20150091145A1. Автор: Lin Yaojian,Marimuthu Pandi C.. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2015-04-02.

MULTIHEIGHT ELECTRICALLY CONDUCTIVE VIA CONTACTS FOR A MULTILEVEL INTERCONNECT STRUCTURE

Номер патента: US20160093524A1. Автор: Sasaki Hiroshi,SANO Michiaki,Izumi Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

MULTIHEIGHT ELECTRICALLY CONDUCTIVE VIA CONTACTS FOR A MULTILEVEL INTERCONNECT STRUCTURE

Номер патента: US20160093626A1. Автор: Sasaki Hiroshi,SANO Michiaki,Izumi Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Electronic device including electrically conductive vias having different cross-sectional areas and related methods

Номер патента: US20140175649A1. Автор: Yun Liu,Yonggang Jin,Yaohuang Huang. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-06-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONDUCTIVE VIA AND MANUACTURING PROCESS

Номер патента: US20140175663A1. Автор: Chen Yung-Jen,Ding Yi-Chuan,Huang Min-Lung. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

PASSIVATING SILICIDE-BASED APPROACHES FOR CONDUCTIVE VIA FABRICATION AND STRUCTURES RESULTING THEREFROM

Номер патента: US20200090987A1. Автор: NASKAR Sudipto,CHANDHOK Manish,SCHENKER Richard E.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Integrated Circuitry, DRAM Circuitry, Method Of Forming A Plurality Of Conductive Vias, And Method Of Forming DRAM Circuitry

Номер патента: US20200105766A1. Автор: Iwaki Takayuki,KANEKO Akira. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias with Trench in Saw Street

Номер патента: US20140217609A1. Автор: Do Byung Tai,Pagaila Reza A.. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2014-08-07.

METHODS OF EXPOSING CONDUCTIVE VIAS OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150145146A1. Автор: JINDAL ANURAG,LI Hongqi,Vasilyeva Irina. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

PACKAGED INTEGRATED CIRCUIT DEVICES WITH THROUGH-BODY CONDUCTIVE VIAS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20220285325A1. Автор: Jiang Tongbi,Chia Yong Poo. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

PREPARATION METHOD OF CONDUCTIVE VIA HOLE STRUCTURE, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20170148819A1. Автор: LIN ZHIYUAN,CAO Binbin,Huang Yinhu,ZOU Zhixiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

HIGH THERMAL CONDUCTIVITY VIAS BY ADDITIVE PROCESSING

Номер патента: US20180151471A1. Автор: COLOMBO Luigi,Cook Benjamin Stassen,Venugopal Archana,Doering Robert Reid. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2018-05-31.

METHODS OF EXPOSING CONDUCTIVE VIAS OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210183697A1. Автор: JINDAL ANURAG,LI Hongqi,Vasilyeva Irina. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

MICROELECTRONIC COMPONENTS WITH FEATURES WRAPPING AROUND PROTRUSIONS OF CONDUCTIVE VIAS PROTRUDING FROM THROUGH-HOLES PASSING THROUGH SUBSTRATES

Номер патента: US20190157199A1. Автор: Wang Liang,Shen Hong,Woychik Charles G.,Uzoh Cyprian Emeka,Gao Guilian,SITARAM Arkalgud R.,Sun Zhuowen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Electronic Component Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming A Conductive Via To A Region Of Semiconductor Material

Номер патента: US20170179031A1. Автор: Liu Haitao,Pandey Deepak Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

CONDUCTIVE VIA AND METAL LINE END FABRICATION AND STRUCTURES RESULTING THEREFROM

Номер патента: US20200185271A1. Автор: WARD Curtis W.,Brain Ruth A.,Park Hyunsoo,Wallace Charles H.,HARAN Mohit K.,PATEL Reken,BASU Debashish. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

METHOD FOR FORMING CONDUCTING VIA AND DAMASCENE STRUCTURE

Номер патента: US20150206792A1. Автор: Hsieh Wen-Kuo,Liang Ming-Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

ELECTRICALLY CONDUCTIVE VIA(S) IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ASSOCIATED PRODUCTION METHOD

Номер патента: US20190198395A1. Автор: Knechtel Roy,Dempwolf Sophia,Guenther Daniela,Schwarz Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ELECTRICALLY AND OPTICALLY CONDUCTIVE VIAS, AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20190198443A1. Автор: Tuttle Mark E.,Nakano Eiichi. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

MICROELECTRONIC COMPONENTS WITH FEATURES WRAPPING AROUND PROTRUSIONS OF CONDUCTIVE VIAS PROTRUDING FROM THROUGH-HOLES PASSING THROUGH SUBSTRATES

Номер патента: US20180233447A1. Автор: Wang Liang,Shen Hong,Woychik Charles G.,Uzoh Cyprian Emeka,Gao Guilian,SITARAM Arkalgud R.,Sun Zhuowen. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor devices having conductive vias and methods of forming the same

Номер патента: US20190229039A1. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

METHOD FOR FORMING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE VIA IN A SUBSTRATE

Номер патента: US20150262874A1. Автор: TIJSSEN Peter,Blom Marko Theodoor,HANEVELD Jeroen,OONK Johannes,"VanT Oever Ronny". Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING CONDUCTIVE VIAS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20160284626A1. Автор: Gandhi Jaspreet S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

MICROELECTRONIC COMPONENTS WITH FEATURES WRAPPING AROUND PROTRUSIONS OF CONDUCTIVE VIAS PROTRUDING FROM THROUGH-HOLES PASSING THROUGH SUBSTRATES

Номер патента: US20170278787A1. Автор: Wang Liang,Shen Hong,Woychik Charles G.,Uzoh Cyprian Emeka,Gao Guilian,SITARAM Arkalgud R.,Sun Zhuowen. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-28.

Conductive via structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150294938A1. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Mu-Hsuan Chan,Chieh-Yuan Chi. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

ELECTRICAL CONDUCTIVE VIAS IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND A CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170294351A1. Автор: Knechtel Roy,Dempwolf Sophia,Guenther Daniela,Schwarz Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

PACKAGED INTEGRATED CIRCUIT DEVICES WITH THROUGH-BODY CONDUCTIVE VIAS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20200279834A1. Автор: Jiang Tongbi,Chia Yong Poo. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

MICROELECTRONIC COMPONENTS WITH FEATURES WRAPPING AROUND PROTRUSIONS OF CONDUCTIVE VIAS PROTRUDING FROM THROUGH-HOLES PASSING THROUGH SUBSTRATES

Номер патента: US20160315047A1. Автор: Wang Liang,Shen Hong,Woychik Charles G.,Uzoh Cyprian Emeka,Gao Guilian,SITARAM Arkalgud R.,Sun Zhuowen. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2016-10-27.

PACKAGED INTEGRATED CIRCUIT DEVICES WITH THROUGH-BODY CONDUCTIVE VIAS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20150325554A1. Автор: Jiang Tongbi,Chia Yong Poo. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Structure Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming A Conductive Via

Номер патента: US20180323142A1. Автор: Tang Sanh D.,Koge Katsumi,Dhir Sourabh,Li Andrew L.,Kobayashi Naoyoshi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias to Have Enhanced Contact to Shielding Layer

Номер патента: US20190318984A1. Автор: Sungsoo Kim,SangMi Park,DaeHyeok Ha. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20190333859A1. Автор: SAUGIER Eric. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias

Номер патента: US7170001B2. Автор: James M Gee,Russell R. Schmit. Владелец: Advent Solar Inc. Дата публикации: 2007-01-30.

Preparation method of conductive via hole structure, array substrate and display device

Номер патента: US10134770B2. Автор: Zhiyuan Lin,Yinhu HUANG,Zhixiang ZOU,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Packaged integrated circuit devices with through-body conductive vias, and methods of making same

Номер патента: US20100320585A1. Автор: Chia Yong Poo,Tongbi Jiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Manufacturing method for conductive via hole structure, array substrate and display device

Номер патента: CN104992925A. Автор: 黄寅虎,操彬彬,邹志翔,林致远. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Back-contacted solar cells with integral conductive vias and method of making

Номер патента: US20060162766A1. Автор: James Gee,Russell Schmit. Владелец: Advent Solar Inc. Дата публикации: 2006-07-27.

Surface Treatment Producing High Conductivity Vias With Simultaneous Polymer Adhesion

Номер патента: US20220205080A1. Автор: Douglas P. Riemer,Andrew R. Dick. Владелец: Hutchinson Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Device with novel conductive via structure

Номер патента: US20070158853A1. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Conductive via plug formation

Номер патента: US8193089B2. Автор: Peter Nicholas Manos,Antoine Khoueir,Yongchul Ahn,Shuiyan Huang,Ivan Petrov Ivanov. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-06-05.

Method for manufacturing a conductive via structure in a semiconductor substrate

Номер патента: JP5274004B2. Автор: ジョン・マイケル・コット,ジョン・ウーリッヒ・ニッカーボッカー,ハリクリア・デリジャンニ,ヴィーララガバン・エス・バスカー,キース・トーマス・ウィトニアク. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-28.

Semiconductor device and method of forming conductive vias through interconnect structures and encapsulant of WLCSP

Номер патента: TW201145456A. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Yao-Jian Lin. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Conductive via plug for cmos devices

Номер патента: EP0257948A3. Автор: Roland Albert Levy. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1988-09-28.

Methods for forming conductive vias in semiconductor device components

Номер патента: US9287207B2. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Methods of forming conductive vias

Номер патента: US8324100B2. Автор: Salman Akram,Sidney B. Rigg,Alan G. Wood,Kyle K. Kirby,James M. Wark,Steven Oliver,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Conductive via and metal line end fabrication and structures resulting therefrom

Номер патента: TWI751366B. Автор: 露絲 布萊恩,克提斯 華德,查理斯 沃蘭斯,墨西特 哈朗,朴炫壽,雷肯 帕特爾,德巴希斯 巴蘇. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2022-01-01.

Conductive via formation

Номер патента: WO2008129423A2. Автор: John Trezza. Владелец: CUFER ASSET LTD. L.L.C.. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor devices having conductive vias and methods of forming the same

Номер патента: US10886196B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-05.

Microelectronic components with features wrapping around protrusions of conductive vias protruding from through-holes passing through substrates

Номер патента: US9397038B1. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Zhuowen Sun,Cyprian Emeka Uzoh,Guilian Gao,Arkalgud R. Sitaram,Charles G. Woychik. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2016-07-19.

Conductive vias in semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: KR20200123402A. Автор: 샹-윤 호우,완-유 리,성-후이 후앙,사오-링 치우,헝-핀 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2020-10-29.

Magnetically sintered conductive via

Номер патента: US8609532B2. Автор: Ravindranath V. Mahajan,Rajasekaran Swaminathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Method for fabricating semiconductor components using maskless back side alignment to conductive vias

Номер патента: EP2406816A4. Автор: Jin Li,Tongbi Jiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-03.

Method for fabricating semiconductor components using maskless back side alignment to conductive vias and corresponding semiconductor component

Номер патента: EP2406816B1. Автор: Jin Li,Tongbi Jiang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-28.

Selective local interconnect to gate in a self aligned local interconnect process

Номер патента: TW201108310A. Автор: Richard T Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-03-01.

Self-aligned contacts to gates

Номер патента: AU2003260060A1. Автор: Mark Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

SELF-ALIGNED FLASH MEMORY DEVICE WITH WORD LINE HAVING REDUCED HEIGHT AT OUTER EDGE OPPOSITE TO GATE STACK

Номер патента: US20160358928A1. Автор: Liu Shih-Chang,Wu Chang-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Simultaneous filling of variable aspect ratio single damascene contact to gate and trench vias with low resistance barrierless selective metallization

Номер патента: US20230101107A1. Автор: Debashish Basu,Akm Shaestagir CHOWDHURY,Githin F. ALAPATT,Justin E. MUELLER,James Y. Jeong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Selective local interconnect to gate in a self aligned local interconnect process

Номер патента: US8563425B2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Semiconductor transistors with contact holes close to gates

Номер патента: WO2007051716A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,William Robert Tonti,Steven John Holmes. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor transistors with contact holes close to gates

Номер патента: US20080166863A1. Автор: David Vaclav Horak,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,William Robert Tonti,Steven J. Holmes,Charles William Koburger. Владелец: Charles William Koburger. Дата публикации: 2008-07-10.

Self-aligned contacts to gates

Номер патента: US6686247B1. Автор: Mark Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

A method for making electrical contact to gate structures in integrated circuits.

Номер патента: JP3124575B2. Автор: チェン ミン−リァン. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 2001-01-15.

Borderless contact to diffusion with respect to gate conductor and methods for fabricating

Номер патента: TW413897B. Автор: Jonathan D Chapple-Sokol,Michael J Lercel,Iii Charles W Koburger,Randy W Mann,James A Bruce. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2000-12-01.

Apparatuses and methods for detecting frequency ranges corresponding to signal delays of conductive VIAS

Номер патента: US09934832B2. Автор: Tomoyuki Shibata,Minehiko Uehara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatuses and methods for detecting frequency ranges corresponding to signal delays of conductive vias

Номер патента: US09722588B1. Автор: Tomoyuki Shibata,Minehiko Uehara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Conductive via structures for far-end crosstalk cancellation

Номер патента: US20230290723A1. Автор: Xu Yan,Shuai Wang,Huan LIU,Yanbin Chen,Huili Fu,Tengfei WANG,Jianwei Guo,Wenkai FAN,Tingting Pang. Владелец: T Head Shanghai Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Electrically conductive vias having end caps

Номер патента: WO2024118884A1. Автор: Nathan Robertson,Mark Crain,Troy Benton HOLLAND,Christopher David BOHN,Abderrazzak FAIZ,Zack LARIMORE. Владелец: SAMTEC, INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Capacitor structure with two stacked conductive vias

Номер патента: US20240347580A1. Автор: Shih-Fan Kuan,Pin-Jhu Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device having conductive vias

Номер патента: US09502333B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Meng-Tsung Lee. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Bonded assembly containing conductive via structures extending through word lines in a staircase region and methods for making the same

Номер патента: WO2024043968A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masanori Tsutsumi,Mitsuteru Mushiga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Bonded assembly containing conductive via structures extending through word lines in a staircase region and methods for making the same

Номер патента: US20240072028A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masanori Tsutsumi,Mitsuteru Mushiga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Conductive Vias In A Substrate

Номер патента: US20130034816A1. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Memory Circuitry Comprising A Vertical String Of Memory Cells And A Conductive Via And Method Used In Forming A Vertical String Of Memory Cells And A Conductive Via

Номер патента: US20170352677A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh,Hongbin Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Electronic device and semiconductor package with thermally conductive via

Номер патента: US09674940B2. Автор: Seok-Jae Han,Eung-chang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Conductive via structure

Номер патента: US20220102165A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Multilayer Ceramic Capacitor Including Conductive Vias

Номер патента: US20200258688A1. Автор: Marianne Berolini,Jeffrey Cain,Jeffrey Horn. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for producing a metal-ceramic substrate with electrically conductive vias

Номер патента: US11804383B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-31.

Electronic device and semiconductor package with thermally conductive via

Номер патента: US20160050744A1. Автор: Seok-Jae Han,Eung-chang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20080150049A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20100022079A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20110136314A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US8168488B2. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

LDMOS with field plate connected to gate

Номер патента: US09450074B1. Автор: Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Timothy K. McGuire,Fanling Hsu Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Backside contact that reduces risk of contact to gate short

Номер патента: US20240079446A1. Автор: Son Nguyen,Cornelius Brown Peethala,Lawrence A. Clevenger,Daniel Charles Edelstein,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Christian Lavoie,Ruilong Xie,Chanro Park,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Contact-to-gate monitor pattern and fabrication thereof

Номер патента: US20200168701A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Metal-oxide semiconductor transistor production comprises doping epitaxial layer provided on substrate with impurities using gate electrode as mask to form source/drain extension regions in epitaxial layer proximal to gate dielectric layer

Номер патента: DE102004005502A1. Автор: Young-Gun Sungnam Ko,Chang-Bong Sungnam Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Apparatus and methods for high voltage variable capacitor arrays with body-to-gate diodes

Номер патента: US09515631B2. Автор: Dev V. Gupta,Zhiguo Lai,Anuj Madan. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

APPARATUS AND METHODS FOR HIGH VOLTAGE VARIABLE CAPACITOR ARRAYS WITH BODY-TO-GATE DIODES

Номер патента: US20160163697A1. Автор: Gupta Dev V.,Lai Zhiguo,Madan Anuj. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

CONTACT-TO-GATE MONITOR PATTERN AND FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20200168701A1. Автор: Lin Meng-Han,HSIEH Chih-Ren. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-05-28.

Non-volatile memory devices having vertical drain to gate capacitive coupling

Номер патента: US20130107630A1. Автор: David Edward Fisch,Michael Curtis Parris. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor devices with an etch stop layer on gate end-portions located above an isolation region

Номер патента: US09627535B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials using a masking regime prior to gate patterning

Номер патента: US20120261765A1. Автор: Klaus Hempel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Stefanie Steiner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Uniform high-k metal gate stacks by adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a metal species prior to gate patterning

Номер патента: WO2011008401A1. Автор: Robert Binder,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch,Berthold Reimer,Falk Graetsch,Boris Bayah. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Spacer-less transistor integration scheme for high-k gate dielectrics and small gate-to-gate spaces applicable to Si, SiGe strained silicon schemes

Номер патента: US20050191812A1. Автор: David Pritchard,David Price,Hemanshu Bhatt. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Overhang hardmask to prevent parasitic epitaxial nodules at gate end during source drain epitaxy

Номер патента: US09461146B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

High-k metal gate electrode structures formed by separate removal of placeholder materials using a masking regime prior to gate patterning

Номер патента: US20120261765A1. Автор: Klaus Hempel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Stefanie Steiner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of fabricating gate structure of semiconductor device for repairing damage to gate oxide layer

Номер патента: US6333251B1. Автор: Ho-kyu Kang,Eun-ha Lee,Byung-Chan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-25.

OVERHANG HARDMASK TO PREVENT PARASITIC EPITAXIAL NODULES AT GATE END DURING SOURCE DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170053803A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

OVERHANG HARDMASK TO PREVENT PARASITIC EPITAXIAL NODULES AT GATE END DURING SOURCE DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20170053805A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Integrated circuit has upper metal traces routed on insulating layer, which electrically connect with conductive vias, and maintain dummy conductive trace and dummy conductive vias in unused and electrically floating condition

Номер патента: DE102005033715A1. Автор: June Lee,In-young Kim,Joo-Ah Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Structure with buried doped region for coupling source line contact to gate structure of memory cell

Номер патента: EP4398311A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Dunkel,Violetta Sessi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Stacked gate memory cell with erase to gate, array, and method of manufacturing

Номер патента: US20050104116A1. Автор: Hieu Tran,Bomy Chen,Dana Lee,Jack Frayer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Structure with buried doped region for coupling source line contact to gate structure of memory cell

Номер патента: US20240224515A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Dunkel,Violetta Sessi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with reduced stress applied to gate electrode

Номер патента: US5448096A. Автор: Yasutaka Kohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20210104544A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

MEMORY STACKS HAVING SILICON NITRIDE GATE-TO-GATE DIELECTRIC LAYERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210104545A1. Автор: Xiao Li Hong. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

MEMORY STACKS HAVING SILICON OXYNITRIDE GATE-TO-GATE DIELECTRIC LAYERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200312867A1. Автор: Xiao Li Hong. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20200312868A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Storage stack with silicon nitride gate to gate dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: CN110114880B. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Stacked gate memory cell with erase to gate, array, and method of manufacturing

Номер патента: US7439572B2. Автор: Hieu Van Tran,Bomy Chen,Dana Lee,Jack Edward Frayer. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-21.

Circuit design method calculating antenna size of conductive member connected to gate oxide film of transistor with approximate expression

Номер патента: GB9929175D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-02.

Circuit design method calculating antenna size of conductive member connected to gate oxide film of transistor with approximate expression

Номер патента: TW454138B. Автор: Ko Noguchi. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-09-11.

Circuit design method calculating antenna size of conductive member connected to gate oxide film of transistor with approximate expression

Номер патента: GB2348988B. Автор: Ko Noguchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR PROTECTION FROM DAMAGE TO GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140264520A1. Автор: Reisiger Mark D.. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

STRUCTURE FOR REDUCED SOURCE AND DRAIN CONTACT TO GATE STACK CAPACITANCE

Номер патента: US20170179243A1. Автор: Radens Carl J.,WILLIAMS Richard Q.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

STRUCTURE FOR REDUCED SOURCE AND DRAIN CONTACT TO GATE STACK CAPACITANCE

Номер патента: US20170179244A1. Автор: Radens Carl J.,WILLIAMS Richard Q.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Vertical DMOS transistor with compact geometry - has source terminal connected to source region via self-adjusting contact to gate and source region

Номер патента: DE4132526A1. Автор: Wolfgang Dr Werner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1993-04-08.

Method of making an IGFET with elevated source/drain regions in close proximity to gate with sloped sidewalls

Номер патента: US6197645B1. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-03-06.

Method for designing semiconductor integrated circuit which includes metallic wiring connected to gate electrode and satisfies antenna criterion

Номер патента: US20100001403A1. Автор: Kenichi Yoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Circuit design method calculating antenna size of conductive member connected to gate oxide film of transistor with approximate expression

Номер патента: US6393603B1. Автор: Ko Noguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Structure and method for reduced emitter tip to gate spacing in field emission devices

Номер патента: US20010020813A1. Автор: Ji Ung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Multiple gate length device with self-aligned top junction

Номер патента: US20190206743A1. Автор: YI Qi,Hui Zang,Ruilong Xie,Jerome Ciavatti,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a gate dielectric cap layer material prior to gate dielectric stabilization

Номер патента: US20120193727A1. Автор: Rohit Pal,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

FET with strongly doped gate - has channel of opposite conduction type to gate and is manufactured by engraving and doping process (NL230476)

Номер патента: FR2305023A1. Автор: Jacques Gremillet. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1976-10-15.

Adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a gate dielectric cap layer material prior to gate dielectric stabilization

Номер патента: TW201115649A. Автор: Rohit Pal,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2011-05-01.

Adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a gate dielectric cap layer material prior to gate dielectric stabilization

Номер патента: SG175787A1. Автор: Rohit Pal,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

MASK-FREE PROCESS FOR IMPROVING DRAIN TO GATE BREAKDOWN VOLTAGE IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220367652A1. Автор: Lin Meng-Han,CHEN TE-AN. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Thyristor construction with end electrode on two zones - has control electrode connected to gate separated by insulating layer from further zone

Номер патента: DE2835143A1. Автор: Ulrich Dr Ing Ablassmeier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-03-13.

Capping Layer For Liner-Free Conductive Structures

Номер патента: US20240355741A1. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Capping layer for liner-free conductive structures

Номер патента: US12057397B2. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods, apparatus and system for a passthrough-based architecture

Номер патента: US09818651B2. Автор: Lei Yuan,Guillaume Bouche,Sudharshanan RAGHUNATHAN,Jongwook Kye,Jason Eugene STEPHENS,Jia ZENG,Tuhin Guha Neogi,Andy Chi-Hung Wei,Irene Yuh-Ling Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US11948874B2. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Contact structures for reducing electrical shorts and methods of forming the same

Номер патента: US20230326849A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods, apparatus and system for a passthrough-based architecture

Номер патента: US20170263506A1. Автор: Lei Yuan,Guillaume Bouche,Sudharshanan RAGHUNATHAN,Jongwook Kye,Jason Eugene STEPHENS,Jia ZENG,Tuhin Guha Neogi,Andy Chi-Hung Wei,Irene Yuh-Ling Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Multilayer interconnect structure with buried conductive via connections and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10692737B2. Автор: Kaustubh Ravindra Nagarkar,Raymond Albert Fillion. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-06-23.

High thermal conductivity vias by additive processing

Номер патента: US20230307312A1. Автор: Archana Venugopal,Robert Reid Doering,Luigi Colombo,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Process for forming solid conductive vias in substrates

Номер патента: WO1995019692A1. Автор: Brian S. White,Ronald S. Besser,Michael R. Rogers,Theodore E. Washburn,Michael A. Novice. Владелец: Watkins-Johnson Company. Дата публикации: 1995-07-20.

Electrically conductive vias and methods for producing same

Номер патента: US12009225B2. Автор: Vishwas Hardikar,Daniel Long,Ajeet Kumar,Daniel GOIA,Alan Nolet,Andrew LIOTTA. Владелец: Samtec Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor Element Having a Conductive Via and Method for Making the Same and Package Having a Semiconductor Element with a Conductive Via

Номер патента: US20130109178A1. Автор: WANG MENG-JEN,Chiu Chi-Tsung,Ou Yin-Te. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

Memory Circuitry Comprising A Vertical String Of Memory Cells And A Conductive Via And Method Used In Forming A Vertical String Of Memory Cells And A Conductive Via

Номер патента: US20200013801A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,ZHU Hongbin,Parekh Kunal R.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-09.

Electrically conductive vias and methods for producing same

Номер патента: US20240304463A1. Автор: Vishwas Hardikar,Daniel Long,Ajeet Kumar,Daniel GOIA,Alan Nolet,Andrew LIOTTA. Владелец: Samtec Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Electrically conductive vias and methods for producing same

Номер патента: US20210043464A1. Автор: Vishwas Hardikar,Daniel Long,Ajeet Kumar,Daniel GOIA,Alan Nolet,Andrew LIOTTA. Владелец: Samtec Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for forming solid conductive vias in substrates

Номер патента: IL112294A. Автор: . Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1996-10-31.

Application of conductive via or trench for intra module EMI shielding

Номер патента: GB2606841B. Автор: Liu Yi,e chen Howard,James Lobianco Anthony,Mong Nguyen Hoang,Wook Lee Ki,Sean Read Matthew. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Application of conductive via or trench for intra module emi shielding

Номер патента: GB202203827D0. Автор: . Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor structure having conductive vias and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120049347A1. Автор: Meng-Jen Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor Device and Method of Forming a Wafer Level Package Structure Using Conductive Via and Exposed Bump

Номер патента: US20120217629A1. Автор: Daesik Choi,SungWon Cho,Joonyoung Choi. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor Device and Method of Forming EWLB Package Containing Stacked Semiconductor Die Electrically Connected through Conductive Vias Formed in Encapsulant Around Die

Номер патента: US20130119559A1. Автор: Camacho Zigmund R.. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2013-05-16.

CONDUCTIVE VIA STRUCTURE

Номер патента: US20210020455A1. Автор: Shih Shing-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

SEMICONDUCTOR PACKAGE SIGNAL ROUTING USING CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20140167262A1. Автор: Yap Weng Foong. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

CONDUCTIVE VIA STRUCTURE

Номер патента: US20220102165A1. Автор: Shih Shing-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Conductive via structure, package structure, and package of photosensitive device

Номер патента: US20150097259A1. Автор: Cheng-Ta Ko,Hsiang-Hung Chang,Sheng-Shu Yang,Wen-Chih Chen,Zhi-Cheng Hsiao,Rong-Shen Lee,Chia-Wei JUI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-04-09.

Conductive Vias in Semiconductor Packages and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190115299A1. Автор: Yu Chen-Hua,WU Wei-Cheng,Chen Hsien-Wei,Yeh Der-Chyang,Hsu Li-Han,WU Chi-Hsi,Hsieh Cheng-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

MULTILAYER INTERCONNECT STRUCTURE WITH BURIED CONDUCTIVE VIA CONNECTIONS AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200111680A1. Автор: Nagarkar Kaustubh Ravindra,Fillion Raymond Albert. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

EMBEDDED MULTI-DEVICE BRIDGE WITH THROUGH-BRIDGE CONDUCTIVE VIA SIGNAL CONNECTION

Номер патента: US20190157205A1. Автор: Karhade Omkar G.,Deshpande Nitin A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-05-23.

APPLICATION OF CONDUCTIVE VIA OR TRENCH FOR INTRA MODULE EMI SHIELDING

Номер патента: US20220310530A1. Автор: Liu Yi,Chen Howard E.,LoBianco Anthony James,Nguyen Hoang Mong,Read Matthew Sean,LEE Ki Wook. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

THROUGH-ARRAY CONDUCTIVE VIA STRUCTURES FOR A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200235120A1. Автор: Alsmeier Johann,Kai James,Higashitani Masaaki,Toyama Fumiaki,Chowdhury Murshed. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONDUCTIVE VIA AND MANUFACTURING PROCESS FOR SAME

Номер патента: US20160315052A1. Автор: Chen Yung-Jen,Ding Yi-Chuan,Huang Min-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

EMBEDDED MULTI-DEVICE BRIDGE WITH THROUGH-BRIDGE CONDUCTIVE VIA SIGNAL CONNECTION

Номер патента: US20160343666A1. Автор: Karhade Omkar G.,Deshpande Nitin A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-11-24.

CONDUCTIVE VIAS IN SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180350745A1. Автор: Yu Chen-Hua,WU Wei-Cheng,Chen Hsien-Wei,Yeh Der-Chyang,Hsu Li-Han,WU Chi-Hsi,Hsieh Cheng-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and method of stacking semiconductor die in mold laser package interconnected by bumps and conductive vias

Номер патента: US8263435B2. Автор: Daesik Choi,WonJun Ko,JaEun Yun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

electrical conductive via forming method of substrate for semiconductor package

Номер патента: KR100473337B1. Автор: 박두현,김병진,고창훈. Владелец: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사. Дата публикации: 2005-03-08.

Electrically conductive vias and methods for producing same

Номер патента: TW202046839A. Автор: 特洛伊 本頓 霍蘭,湯瑪斯 雅各 哈曼,海帝 貝茲,安卓 海恩斯 里歐塔,阿倫 諾列特,丹尼爾 葛雅,威西瓦斯 哈迪卡,阿吉特 庫瑪,丹尼爾 隆. Владелец: 美商山姆科技公司. Дата публикации: 2020-12-16.

Electrically conductive vias through ceramic substrates - are made by drawing metal from tracks into holes by capillary action using filling of holes by suitable powder

Номер патента: DE4103294A1. Автор: Altan Dipl Ing Akyuerek. Владелец: Akyuerek Altan. Дата публикации: 1992-08-13.

Electrically conductive vias and methods for producing same

Номер патента: WO2021067330A2. Автор: Daniel Long,Ajeet Kumar,Alan D. Nolet,Andrew Haynes LIOTTA,Troy Benton HOLLAND,Thomas Jacob HAMMANN,Heidi BATES,Daniel GOIA,Vishwas Vnayak HARDIKAR,Nicole MCGRAW,Lauren Savawn MOEN,Adam OWENS. Владелец: SAMTEC, INC.. Дата публикации: 2021-04-08.

Embedded multi-device bridge with through-bridge conductive via signal connection

Номер патента: WO2015130264A1. Автор: Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device having conductive vias in peripheral region connecting shielding layer to ground

Номер патента: US8598690B2. Автор: Harry Chandra,Flynn Carson. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor device and method of forming EWLB package containing stacked semiconductor die electrically connected through conductive vias formed in encapsulant around die

Номер патента: US8389333B2. Автор: Zigmund R. Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Microelectronic packages including thin film decal and dielectric adhesive layer having conductive vias therein, and methods of fabricating the same

Номер патента: US6294407B1. Автор: Scott L. Jacobs. Владелец: Virtual Integration Inc. Дата публикации: 2001-09-25.

Stacked die packaging architecture with conductive vias on interposer

Номер патента: US20230282615A1. Автор: Thomas Wagner,Bernd Waidhas,Lizabeth Keser,Sonja Koller,Jan Proschwitz,Abdallah Bacha,Vishnu Prasad,Mohan Prashanth Javare Gowda,Eduardo De Mesa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Wire bonding directly on exposed conductive vias and interconnects and related systems and methods

Номер патента: US20240071980A1. Автор: Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Electrically conductive vias and methods for producing same

Номер патента: EP4042479A4. Автор: Daniel Long,Ajeet Kumar,Alan D. Nolet,Andrew Haynes LIOTTA,Troy Benton HOLLAND,Thomas Jacob HAMMANN,Heidi BATES,Daniel GOIA,Vishwas Vnayak HARDIKAR,Nicole MCGRAW,Lauren Savawn MOEN,Adam OWENS. Владелец: Samtec Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130164910A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Rankin Jed H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130200458A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Rankin Jed H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-08.

Organic electroluminescent display having power line parallel to gate line and fabricating method thereof

Номер патента: TWI223218B. Автор: Doo-Hyun Ko,Chang-Wook Han. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Organic electroluminescent display having power line parallel to gate line and fabricating method thereof

Номер патента: TW200304101A. Автор: Doo-Hyun Ko,Chang-Wook Han. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VIA BAR

Номер патента: US20150091179A1. Автор: STEPHANOU Philip Jason,Shenoy Ravindra Vaman,Lai Kwan-Yu,JR. Donald William,Gousev Evgeni,Lasiter Jon Bradley,Kidwell. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2015-04-02.

Complementary MOS image sensor, has photodiode including part with contact electrically connected to gate of read transistor, and another part with N-type region covered by P-type region electrically connected to potential of substrate

Номер патента: FR2919961A1. Автор: Pierre Fereyre,Simon Caruel. Владелец: e2v Semiconductors SAS. Дата публикации: 2009-02-13.

Semiconductor wafer surface cleaning prior to gate oxide growth, after polishing or after sacrificial oxidation in ULSI IC manufacture

Номер патента: FR2779980A1. Автор: Lionel Girardie. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-24.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US20240243052A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Fully depleted SOI device for reducing parasitic back gate capacitance

Номер патента: US09997606B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Vertical super-thin body semiconductor on dielectric wall devices and methods of their fabrication

Номер патента: US09520501B2. Автор: Viktor I. Koldiaev,Rimma A. Pirogova. Владелец: Finscale Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09892967B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09508821B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Self-aligned contacts

Номер патента: US09466565B2. Автор: Mark T Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz,Nadia M. Rahhai-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

Stacked graphene field-effect transistor

Номер патента: US20170077261A1. Автор: Joshua T. Smith,Hiroyuki Miyazoe,Aaron D. Franklin,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

3D semiconductor device and structure

Номер патента: US09892972B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and structure

Номер патента: US09853089B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Stacked graphene field-effect transistor

Номер патента: US09711613B2. Автор: Joshua T. Smith,Hiroyuki Miyazoe,Aaron D. Franklin,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Stacked graphene field-effect transistor

Номер патента: US09508801B2. Автор: Joshua T. Smith,Hiroyuki Miyazoe,Aaron D. Franklin,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Self-aligned contacts

Номер патента: US11600524B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Method for forming an MOS transistor having a metallic gate electrode that is formed after the formation of self-aligned source and drain regions

Номер патента: US5960270A. Автор: Brad Smith,Suresh Venkatesan,Veena Misra,Christopher C. Hobbs,Jeffrey S. Cope,Earnest B. Wilson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Contact structures for reducing electrical shorts and methods of forming the same

Номер патента: US20210375753A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Self-aligned contacts

Номер патента: US20240030067A1. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned contacts

Номер патента: US11887891B2. Автор: Mark T. Bohr,Tahir Ghani,Joseph M. Steigerwald,Jason W. Klaus,Subhash M. Joshi,Nadia M. Rahhal-Orabi,Jack Hwang,Ryan Mackiewicz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Direct backside contact with replacement backside dielectric

Номер патента: US20240105613A1. Автор: Son Nguyen,Ruilong Xie,Kisik Choi,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with low-k gate cap and self-aligned contact

Номер патента: US20150255556A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Bonded assembly containing conductive via structures extending through word lines in a staircase region and methods for making the same

Номер патента: US20240074171A1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Electronic device assemblies including conductive vias having two or more conductive elements

Номер патента: US20130235517A1. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory Circuitry Comprising A Vertical String Of Memory Cells And A Conductive Via And Method Used In Forming A Vertical String Of Memory Cells And A Conductive Via

Номер патента: US20170352677A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,ZHU Hongbin,Parekh Kunal R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Electrically conductive vias and methods for producing same

Номер патента: US12100647B2. Автор: Daniel Long,Ajeet Kumar,Alan D. Nolet,Andrew Haynes LIOTTA,Troy Benton HOLLAND,Thomas Jacob HAMMANN,Heidi BATES,Daniel GOIA,Nicole MCGRAW,Lauren Savawn MOEN,Adam OWENS,Vishwas Vinayak Hardikar. Владелец: Samtec Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias Using Backside Via Reveal and Selective Passivation

Номер патента: US20140300002A1. Автор: Marimuthu Pandi C.,Na Duk Ju,Yong Chang Beom. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device having conductive via offset structure, power supply structure, and electronic device

Номер патента: EP4044432A4. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-30.

Method of detecting and measuring contact alignment shift relative to gate structures in a semicondcutor device

Номер патента: US20140377888A1. Автор: YIN Long,Hunglin Chen,Qiliang Ni,Rongwei FAN,Feijue Liu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20170040277A1. Автор: Chiu Shih-Kuang,Lai Yi-Che,Lee Meng-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Method to Manufacture Highly Conductive Vias and PROM Memory Cells by Application of Electric Pulses

Номер патента: US20190058120A1. Автор: Orlowski Marius,Ghosh Gargi,Verma Anshuman. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

Method to Manufacture Highly Conductive Vias and PROM Memory Cells by Application of Electric Pulses

Номер патента: US20170155045A1. Автор: Orlowski Marius,Ghosh Gargi,Verma Anshuman. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

PACKAGED INTEGRATED CIRCUIT DEVICES WITH THROUGH-BODY CONDUCTIVE VIAS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20140242751A1. Автор: Jiang Tongbi,Chia Yong Poo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20140252603A1. Автор: Chiu Shih-Kuang,Lai Yi-Che,Lee Meng-Tsung. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-11.

DIFFUSION BARRIER LAYER FOR CONDUCTIVE VIA TO DECREASE CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20220310526A1. Автор: CHEN Chii-Ping,Lee Ya-Lien,Fu An-Jiao,Hsueh Hsiu-Wen,Yang Neng-Jye,Tseng Ya-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

GROUP III NITRIDE-BASED RADIO FREQUENCY TRANSISTOR AMPLIFIERS HAVING SOURCE, GATE AND/OR DRAIN CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20210313935A1. Автор: Watts Michael E.,Mu Qianli,Noori Basim,Marbell Marvin,Lim Kwangmo Chris,Bokatius Mario,Kim Jangheon. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

Multilayer Ceramic Capacitor Including Conductive Vias

Номер патента: US20200258688A1. Автор: Berolini Marianne,Cain Jeffrey,Horn Jeffrey. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

FLEXIBLE HERMETIC MEMBRANES WITH ELECTRICALLY CONDUCTING VIAS

Номер патента: US20180272137A1. Автор: Marzano Thomas,Seitz Keith W.,Tang Xiaohong,Thiebolt William C.,Calamel Jonathan,Shi Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

APPARATUSES AND METHODS FOR DETECTING FREQUENCY RANGES CORRESPONDING TO SIGNAL DELAYS OF CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20170309319A1. Автор: SHIBATA Tomoyuki,Uehara Minehiko. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

EMBEDDED MULTI-DEVICE BRIDGE WITH THROUGH-BRIDGE CONDUCTIVE VIA SIGNAL CONNECTION

Номер патента: US20170330835A1. Автор: Karhade Omkar G.,Deshpande Nitin A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-11-16.

HYBRID CONDUCTIVE VIAS FOR ELECTRONIC SUBSTRATES

Номер патента: US20220375866A1. Автор: PIETAMBARAM Srinivas,MANEPALLI Rahul. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-11-24.

Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias

Номер патента: US8772817B2. Автор: Zhimin Jamie Yao. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-07-08.

A flexible circuit with conductive vias and a method of making

Номер патента: CA2338102A1. Автор: David J. Windschitl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-02-24.

A flexible circuit with conductive vias and a method of making

Номер патента: EP1108348A1. Автор: David J. Windschitl. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2001-06-20.

Semiconductor device having conductive vias

Номер патента: US9875981B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Meng-Tsung Lee. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor Device and Method of Providing a Thermal Dissipation Path Through RDL and Conductive Via

Номер патента: US20100013102A1. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Govindiah G. Badakere. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Methods of fabricating substrates including at least one conductive via

Номер патента: US20080060193A1. Автор: Nishant Sinha,Steven McDonald,William Hiatt,Warren Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Layout of conductive vias for semiconductor device

Номер патента: US20230253323A1. Автор: Kayoko Shibata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

A flexible circuit with conductive vias and a method of making

Номер патента: AU2232299A. Автор: David J. Windschitl. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2000-03-06.

METHOD OF DETECTING AND MEASURING CONTACT ALIGNMENT SHIFT RELATIVE TO GATE STRUCTURES IN A SEMICONDCUTOR DEVICE

Номер патента: US20140377888A1. Автор: CHEN Hunglin,NI Qiliang,LONG Yin,FAN Rongwei,Liu Feijue. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device with via bar

Номер патента: US9263370B2. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Kwan-Yu Lai,Jon Bradley Lasiter,Philip Jason Stephanou,Donald William KIDWELL, JR.,Evgeni Gousev. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Semiconductor device with via bar

Номер патента: EP3050102A1. Автор: Ravindra Vaman Shenoy,Kwan-Yu Lai,Jon Bradley Lasiter,Philip Jason Stephanou,Evgeni P. Gousev,Donald William KIDWELL Jr.. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-03.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: WO2011157487A1. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-22.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited FET channels

Номер патента: TW201214579A. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Josephine B Chang,Jeffrey W Sleight. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-04-01.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: GB201209073D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: GB2494012B. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-23.

Process for fabricating a self-aligned deposited source/drain insulated gate field-effect transistor

Номер патента: EP1787320A2. Автор: Daniel J. Connelly,Daniel E. Grupp,Paul A. Clifton,Carl A. Faulkner. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Device threshold control of front-gate silicon-on-insulator mosfet using a self-aligned back-gate

Номер патента: EP1661158A2. Автор: Wilfried Haensch,Robert Dennard,Hussein Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-31.

Semiconductor arrangement and method for manufacturing the same

Номер патента: US11842931B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-12.

Crossbar array with self-formed micro channel insulator metal transition and self-aligned to rram filament

Номер патента: WO2023211509A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-11-02.

FORMATION OF A COMPOSITE PATTERN INCLUDING A PERIODIC PATTERN SELF-ALIGNED TO A PREPATTERN

Номер патента: US20150195916A1. Автор: Sanders Daniel P.,Cheng Joy,Doerk Gregory S.,Rettner Charles T.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-09.

Mosfet with raised sti isolation self-aligned to the gate stack

Номер патента: KR100260688B1. Автор: 어쉰 케이 가탈리아,배디 엘-카레,웬들 피 노블. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2000-07-01.

A method for forming a virtual-ground flash eprom array with floating gates that are self aligned to the field oxide regions of the array

Номер патента: WO1995025345A1. Автор: Albert Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1995-09-21.

A method for forming a virtual-ground flash eprom array with floating gates that are self aligned to the field oxide regions of the array

Номер патента: EP0698287A1. Автор: Albert Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-02-28.

Vertical DRAM cell with wordline self-aligned to storage trench

Номер патента: TW506120B. Автор: Ulrike Gruening,Toshiharu Furukawa,Jack A Mandelman,Carl J Radens,David V Horak. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-10-11.

2-dimensional patterning employing tone inverted graphoepitaxy

Номер патента: US09581899B2. Автор: Michael A. Guillorn,Kafai Lai,Hsinyu Tsai,Jed W. Pitera. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Conductive via structure and wire harness

Номер патента: CN103269895B. Автор: 足立英臣,久保嶋秀彦,尾崎佳昭. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2016-03-09.

CPP read sensors having constrained current paths made of lithographically-defined conductive vias and methods of making the same

Номер патента: US7765675B2. Автор: Jeffrey Robinson Childress,Jordan Asher Katine. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2010-08-03.

CPP read sensor having constrained current paths made of lithographically-defined conductive vias with surrounding oxidized metal sublayers and method of making same

Номер патента: US7646570B2. Автор: Hardayal Singh Gill,Alexander Zeltser,Jordan Asher Katine. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2010-01-12.

A method of producing an electrically conducting via in a substrate

Номер патента: EP2468082A1. Автор: Leander Dittmann. Владелец: picoDrill SA. Дата публикации: 2012-06-27.

A method of producing an electrically conducting via in a substrate

Номер патента: WO2011020563A1. Автор: Leander Dittmann. Владелец: picoDrill SA. Дата публикации: 2011-02-24.

A method for producing an interconnect rail for contacting a semiconductor device from the back side

Номер патента: EP4287246A1. Автор: Gaspard Hiblot,Anne Jourdain,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-06.

Method of fabricating a lateral semiconductor structure including field plates for self-alignment

Номер патента: US4966858A. Автор: David N. Okada,Michael P. Masquelier. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-10-30.

FinFET Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210013337A1. Автор: Yen-Chun Lin,Chia-Ling Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Implementing buried fet below and beside finfet on bulk substrate

Номер патента: US20150155280A1. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Improved electrical contact conductivity via surface doping

Номер патента: CA2892094C. Автор: John K. Chan,Fei REN,Gary Charles Sibilant,Jy-An Wang. Владелец: Electric Power Research Institute Inc. Дата публикации: 2021-08-31.

Electrical Contact Conductivity Via Surface Doping

Номер патента: US20140151117A1. Автор: Wang Jy-An,Ren Fei,Chan John K.,SIBILANT Gary Charles. Владелец: ELECTRIC POWER RESEARCH INSTITUTE, INC.. Дата публикации: 2014-06-05.

ELECTRONIC INTERCONNECT DEVICES HAVING CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20140235103A1. Автор: Mason Jeffery Walter,Alden,III Wayne Stewart. Владелец: TYCO ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-21.

Printed wiring board conductive via hole filler having metal oxide reducing capability

Номер патента: US6337037B1. Автор: Frank St. John. Владелец: Methode Electronics Inc. Дата публикации: 2002-01-08.

Non-reciprocal circuit component for communications device has central electrodes on ferrite component with ends that feed gates; end of at least one electrode supplies symmetrical gate

Номер патента: DE10202699A1. Автор: Takashi Kawanami. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Memory circuitry comprising a vertical string of memory cells and a conductive via and method used in forming a vertical string of memory cells and a conductive via

Номер патента: US12052863B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh,Hongbin Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Forming conductive vias using a light guide

Номер патента: US20200004154A1. Автор: Mark Jeanson,Matthew Doyle,Gerald Bartley,Darryl Becker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Forming conductive vias using a light guide

Номер патента: WO2019003016A1. Автор: Mark Jeanson,Matthew Doyle,Gerald Bartley,Darryl Becker. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory circuitry comprising a vertical string of memory cells and a conductive via and method used in forming a vertical string of memory cells and a conductive via

Номер патента: WO2017209929A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh,Hongbin Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-12-07.

Method of making conductive via holes in printed circuit boards

Номер патента: CA1120602A. Автор: Robert L. Weiss,Anthony E. Peter,Frank A. Shott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Forming conductive vias using a light guide

Номер патента: GB2579456A. Автор: Doyle Matthew,Bartley Gerald,Becker Darryl,Jeanson Mark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Forming conductive vias using a light guide

Номер патента: US20190004428A1. Автор: Mark Jeanson,Matthew Doyle,Gerald Bartley,Darryl Becker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Traveling wave amplifier with distributed regenerative feedback between drain-to-drain transmission lines and gate-to-gate transmission lines for enhanced high frequency bandwidth

Номер патента: US20080074191A1. Автор: William MORDARSKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Providing timing signals to gate drivers of a converter

Номер патента: US20230318438A1. Автор: Paolo Nora,Isaac Terasuth Ko,Claudiu PATRU. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Providing timing signals to gate drivers of a converter

Номер патента: WO2023172928A1. Автор: Paolo Nora,Isaac Terasuth Ko,Claudiu PATRU. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-14.

High voltage device

Номер патента: US20120280318A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guo Wei ZHANG. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-08.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Use of selective oxidation to improve LDMOS power transistors

Номер патента: US20030100165A1. Автор: Muhammed Shibib,Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Process of making dual well cmos semiconductor structure with aligned field-dopings using single masking step

Номер патента: CA1209280A. Автор: Larry A. Nesbit,Jerome B. Lasky,Francis R. White,Charles W. Koburger, III,Wayne I. Kinney,Ronald R. Troutman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-08-05.

Forming depthwise isolation by selective oxygen/nitrogen deep implant and reaction annealing

Номер патента: US4683637A. Автор: Syd R. Wilson,Charles J. Varker,Marie E. Burnham. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-08-04.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: EP1391925B1. Автор: Daniel Yen,Ching-Thiam Chung,Chester Nieh,Wei Hua Cheng,Tong Boon Lee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Method of self-aligning a damascene gate structure to isolation regions

Номер патента: SG102720A1. Автор: YEN DANIEL,Chung Ching-Thiam,Hua Cheng Wei,Nieh Chester,Boon Lee Tong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-03-26.

Transistors with self-aligned source-connected field plates

Номер патента: US20230197795A1. Автор: Philippe Renaud,Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Non-volatile memories, cards, and systems including shallow trench isolation structures with buried bit lines

Номер патента: US20110302363A1. Автор: Wook Hyun Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

NOR structure flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520400B2. Автор: Hao Fang,Yong Gu,Shizhen Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Self-aligned laterally extended strap for a dynamic random access memory cell

Номер патента: US09461050B2. Автор: Dan M. Mocuta,Byeong Y. Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of making field-plate isolated CMOS devices

Номер патента: US4696092A. Автор: Robert R. DOERING,Gregory J. Armstrong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-09-29.

Semiconductor Device Comprising Electrostatic Discharge Protection Structure

Номер патента: US20160307884A1. Автор: Markus Schmitt,Joachim Weyers,Armin Tilke. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-20.

SELF-ALIGNING TO WIND FACING FLOATING PLATFORM SUPPORTING MULTI-WIND TURBINES AND SOLAR FOR WIND AND SOLAR POWER GENERATION AND THE CONSTRUCTION METHOD THEREON

Номер патента: US20200392946A1. Автор: WONG Carlos. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Self-aligning to wind facing floating platform supporting multi-wind turbines

Номер патента: GB202009177D0. Автор: . Владелец: Zhuhai Kaluosi Macau Eng Consultant Ltd. Дата публикации: 2020-07-29.

Self-aligning to wind facing floating platform supporting multi-wind turbines and solar for wind and solar power generation and the construction method thereon

Номер патента: WO2019102434A1. Автор: Carlos Wong. Владелец: Zhuhai Kaluosi (Macau) Engineering Consultant Ltd.. Дата публикации: 2019-05-31.

Methods of forming field effect transistors having self-aligned intermediate source and drain contacts

Номер патента: US6162690A. Автор: Kang-yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

Isolated plugged contacts

Номер патента: US5864156A. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-01-26.

Key-in knob door assembly with noteched turn bar self-aligning button and installation catches

Номер патента: GB9322333D0. Автор: . Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1993-12-22.

Key-in knob door assembly with notched turn bar self-aligning button and installation catches

Номер патента: GB2271147B. Автор: Dennis Resch,Sr Kenneth N Grandy. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1994-07-06.

Key-in knob door assembly with notched turn bar self-aligning button and installation catches

Номер патента: GB9121233D0. Автор: . Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1991-11-20.

Key-in knob door assembly with notched turn bar self-aligning button and installation catches

Номер патента: HK1006320A1. Автор: Kenneth N Grandy,Dennis Resch. Владелец: Schlage Lock Co. Дата публикации: 1999-02-19.

Key-in knob door assembly with notched turn bar self-aligning button and installation catches

Номер патента: HK1006321A1. Автор: Kenneth N Grandy,Dennis Resch. Владелец: Schlage Lock Co. Дата публикации: 1999-02-19.

Key-in knob door assembly with notched turn bar self-aligning button and installation catches

Номер патента: GB2249580B. Автор: Dennis Resch,Sr Kenneth N Grandy. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1994-07-13.

Photonic chips with one sided optical ports self aligned to bifurcated fibers for the label free detection of biolomecular reactions through the use of integrated interferometers and resonators

Номер патента: EP3532825A1. Автор: Konstantinos Misiakos,Ioannis Raptis,Alexandros SALAPATAS. Владелец: National Center for Scientific Research Demokritos. Дата публикации: 2019-09-04.

PHOTONIC CHIPS WITH ONE SIDED OPTICAL PORTS SELF ALIGNED TO BIFURCATED FIBERS FOR THE LABEL FREE DETECTION OF BIOLOMECULAR REACTIONS THROUGH THE USE OF INTEGRATED INTERFEROMETERS AND RESONATORS

Номер патента: US20200064260A1. Автор: MISIAKOS KONSTANTINOS,RAPTIS IOANNIS,SALAPATAS ALEXANDROS. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Photonic chips with one sided optical ports self aligned to bifurcated fibers for the label free detection of biolomecular reactions through the use of integrated interferometers and resonators

Номер патента: US20200064260A1. Автор: Konstantinos Misiakos,Ioannis Raptis,Alexandros SALAPATAS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-27.

Self-aligned trench mosfet structure and method of manufacture

Номер патента: WO2007114863A3. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Nathan Lawrence Kraft. Владелец: Nathan Lawrence Kraft. Дата публикации: 2008-10-30.

Self-aligned trench mosfet structure and method of manufacture

Номер патента: MY146754A. Автор: Kraft Nathan Lawrence,KOCON Christopher Boguslaw. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2012-09-14.

Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and s/d contacts

Номер патента: US20180226511A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens,Yiheng XU. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-08-09.

LDMOS with self-aligned body and hybrid source

Номер патента: US12113106B2. Автор: Christoph Ellmers,Manoj Chandrika Reghunathan,Gary M Dolny,William R Richards,Stefan EISENBRANDT,Brendan TONER,Zhengchao Liu. Владелец: Amplexia LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and S/D contacts

Номер патента: US09496415B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens,Yiheng XU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Isotropically etching sidewall spacers to be used for both an NMOS source/drain implant and a PMOS LDD implant

Номер патента: US6316302B1. Автор: Anthony J. Toprac,Derick J. Wristers,Jon D. Cheek. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-11-13.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: US20240063305A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Self-aligned silicide gate for discrete shielded-gate trench power mosfet

Номер патента: EP4325583A1. Автор: Zhenyin Yang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140312298A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140042393A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Trench gate mosfet and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2206154A1. Автор: Andrew Butler,Christopher Rogers,Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Miron Drobnis. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-07-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: WO2024118238A1. Автор: Martin Domeij,Jimmy Robert Hannes FRANCHI. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Field effect transistor and method of manufacturing the same as well as liquid crystal display using the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030025161A1. Автор: Kenji Sera. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Field effect transistor and method of manufacturing the same as well as liquid crystal display using the same as well as method of manufacturing the same

Номер патента: EP1282173A3. Автор: Kenji Sera. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-01-12.

Replacement gate self-aligned carbon nanostructure transistor

Номер патента: US20140353589A1. Автор: Fei Liu,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Replacement gate self-aligned carbon nanostructure transistor

Номер патента: US20140353590A1. Автор: Fei Liu,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Lateral Semiconductor Power Devices

Номер патента: US20200279926A1. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Hamza Yilmaz,Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240178269A1. Автор: Martin Domeij,Jimmy Robert Hannes FRANCHI. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Lateral Semiconductor Power Devices

Номер патента: US20200006499A1. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Hamza Yilmaz,Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US09905463B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09627321B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods and apparatuses to form self-aligned caps

Номер патента: US09373584B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Boyan Boyanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Multi-Metal Fill with Self-Align Patterning

Номер патента: US20200051853A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Cheng-Chi Chuang,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Multi-metal fill with self-align patterning

Номер патента: US20180308749A1. Автор: Tai-I Yang,Chia-Tien Wu,Cheng-Chi Chuang,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Mos transistor integration

Номер патента: WO2002003466A3. Автор: Gregory Costrini,Mihel Seitz. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Mos transistor integration

Номер патента: WO2002003466A2. Автор: Gregory Costrini,Mihel Seitz. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-01-10.

Stacked vias with bottom portions formed using subtractive patterning

Номер патента: EP4057328A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-14.

Self-aligned via to metal line for interconnect

Номер патента: US12080640B2. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Interconnect structures with fully aligned vias

Номер патента: US09324650B2. Автор: David L. Rath,Daniel C. Edelstein,Elbert E. Huang,Nicholas C. Fuller,Satyanarayana V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Top via interconnect

Номер патента: US20240321630A1. Автор: Chih-Chao Yang,Huai HUANG,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Julien Frougier,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Top via interconnect

Номер патента: WO2024194704A1. Автор: Chih-Chao Yang,Huai HUANG,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Julien Frougier,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180082895A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10229852B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180090375A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10699951B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20170170068A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Self-aligned N+/P+ doped polysilicon plugged contacts to N+/P+ doped polysilicon gates and to N+/P+ doped source/drain regions

Номер патента: US5718800A. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-02-17.

Dimension-controlled via formation processing

Номер патента: US9666476B2. Автор: Huang Liu,DUOHUI Bei,Xiang Hu,Sipeng Gu,Yuping REN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Self-Aligned Via to Metal Line for Interconnect

Номер патента: US20230077878A1. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Dimension-controlled via formation processing

Номер патента: US9305832B2. Автор: Huang Liu,DUOHUI Bei,Xiang Hu,Sipeng Gu,Yuping REN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Dimension-controlled via formation processing

Номер патента: US20160099171A1. Автор: Huang Liu,DUOHUI Bei,Xiang Hu,Sipeng Gu,Yuping REN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Vias and gaps in semiconductor interconnects

Номер патента: US20200027827A1. Автор: Kevin Lin,Manish Chandhok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for enabling self-aligned lithography on metal contacts and selective deposition using free-standing vertical carbon structures

Номер патента: US20180337061A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Kurtis LESCHKIES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Back end of line integration for self-aligned vias

Номер патента: US11916010B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for enabling self-aligned lithography on metal contacts and selective deposition using free-standing vertical carbon structures

Номер патента: WO2018212905A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Kurtis LESCHKIES. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-11-22.

Shallow trench isolation with self aligned PSG layer

Номер патента: US5729043A. Автор: Joseph F. Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Self-organized quantum dot semiconductor structure

Номер патента: US20220085194A1. Автор: Ching-Lun Chen,Pei-Wen Li,Tsung-Lin Huang,Kang-Ping Peng. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-03-17.

Self-organized quantum dot semiconductor structure

Номер патента: US12107155B2. Автор: Ching-Lun Chen,Pei-Wen Li,Tsung-Lin Huang,Kang-Ping Peng. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2024-10-01.

Process for making complementary transistors

Номер патента: CA1191973A. Автор: Donald M. Kenney,Peter E. Cottrell,Henry J. Geipel, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

Method of fabricating a self-aligned contact trench DMOS transistor structure

Номер патента: US5665619A. Автор: Izak Bencuya,Sze-Hon Kwan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US6020611A. Автор: Gordon C. Ma,Christopher P. Dragon. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Bicmos process having narrow bipolar emitter and implanted aluminum isolation

Номер патента: CA1267444A. Автор: Surinder Krishna. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1990-04-03.

Method for fabricating a self-aligned double-gate MOSFET by selective lateral epitaxy

Номер патента: US5646058A. Автор: Yuan Taur,Hon-Sum Philip Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Field-effect-transistor with self-aligned diffusion contact

Номер патента: US20140008731A1. Автор: Charles William Koburger, III,Douglas C. La Tulipe, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of forming a body-tie

Номер патента: WO2007133306A2. Автор: Paul S. Fechner,Gordon A. Shaw,Eric E. Vogt. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2007-11-22.

DMOS device of small dimensions and manufacturing process thereof

Номер патента: US7521758B2. Автор: Antonio Di Franco,Emanuele Brenna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-04-21.

DMOS device of small dimensions and manufacturing process thereof

Номер патента: US20070249124A1. Автор: Antonio Franco,Emanuele Brenna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-25.

Self-aligned, planarized thin-film transistors, devices employing the same, and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20020117717A1. Автор: Louis Hsu,Jack Mandelman,Li-Kong Wang,William Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Improvements in electric indicating devices applicable to gate end boxes and the like for use in mines

Номер патента: GB569021A. Автор: . Владелец: CHARLES CROFTON AND Co EN. Дата публикации: 1945-05-01.

Methods and apparatus for using scene-based metrics to gate readiness of autonomous systems

Номер патента: US11886193B1. Автор: Sreeja Nag. Владелец: Nuro Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Railroad hopper car outlet gate end tube seal

Номер патента: US5005739A. Автор: William E. Fritz,James C. Pankow. Владелец: Gen Tech Inc. Дата публикации: 1991-04-09.

Railroad hopper car outlet gate end tube seal

Номер патента: CA2029948A1. Автор: William E. Fritz,James C. Pankow. Владелец: GEN-TECH Inc. Дата публикации: 1991-06-08.

System and method of enhancing consumer ability to obtain information via bar codes

Номер патента: US09805133B2. Автор: Albert Lee,Kenneth L. Addy,Jaime E. Barahona,Howard Yuk. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

System and method of enhancing consumer ability to obtain information via bar codes

Номер патента: US20160321374A1. Автор: Albert Lee,Kenneth L. Addy,Jaime E. Barahona,Howard Yuk. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Method and system providing multi-level security to gate level information flow

Номер патента: WO2014143912A9. Автор: WEI Hu,Timothy Sherwood,Ryan Kastner,Jason Oberg. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2015-01-08.

Method and system providing mutli-level security to gate level information flow

Номер патента: WO2014143912A3. Автор: WEI Hu,Timothy Sherwood,Ryan Kastner,Jason Oberg. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2014-11-27.

Method and system providing mutli-level security to gate level information flow

Номер патента: US20160026801A1. Автор: WEI Hu,Timothy Sherwood,Ryan Kastner,Jason Oberg. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-01-28.

Method and system providing mutli-level security to gate level information flow

Номер патента: US10083305B2. Автор: WEI Hu,Timothy Sherwood,Ryan Kastner,Jason Oberg,Mohit Tiwari. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-09-25.

Method and system providing mutli-level security to gate level information flow

Номер патента: WO2014143912A2. Автор: WEI Hu,Timothy Sherwood,Ryan Kastner,Jason Oberg. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2014-09-18.

Gate end for traction gate

Номер патента: US3999591A. Автор: Felix B. Romberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-12-28.

Openable gate end for wire traction gate

Номер патента: US3977457A. Автор: Felix B. Romberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-08-31.

Conductive vias and associated methods and structures

Номер патента: WO2005074335A1. Автор: Bruce Pettengill. Владелец: TEXTRON SYSTEMS CORPORATION. Дата публикации: 2005-08-11.

Dual sidewall spacer for a self-aligned extrinsic base in SiGe heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20020153535A1. Автор: David Greenberg,Shwu-Jen Jeng,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Non-volatile memory with silicided bit line contacts

Номер патента: EP2951862A1. Автор: Hidehiko Shiraiwa,Lei Xue,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-12-09.

Non-volatile memory with silicided bit line contacts

Номер патента: WO2014120921A1. Автор: Hidehiko Shiraiwa,Lei Xue,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-07.

Non-volatile memory with silicided bit line contacts

Номер патента: US09666591B2. Автор: Hidehiko Shiraiwa,Lei Xue,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A3. Автор: Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers. Владелец: Johannes J T M Donkers. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1875494A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-09.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-10-19.

Fabrication of self-aligned, t-gate hemt

Номер патента: US5053348A. Автор: Mark A. Thompson,Umesh K. Mishra,Linda M. Jelloian. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1991-10-01.

Cross-point lightly-doped drain-source trench transistor and fabrication process therefor

Номер патента: CA2006745C. Автор: Wei Hwang,Sang H. Dhong,Nicky C.-C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-06-15.

Method of fabricating self-aligned FET structure having a high temperature stable T-shaped Schottky gate contact

Номер патента: US5550065A. Автор: Saied N. Tehrani,Majid M. Hashemi,Patricia A. Norton. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-08-27.

Self-aligned complementary HFETS

Номер патента: US5411903A. Автор: Faivel Pintchovski,Jenn-Hwa Huang,Schyi-Yi Wu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-05-02.

Passivated silicon carbide devices with low leakage current and method of fabricating

Номер патента: US6703276B2. Автор: Dev Alok,Emil Arnold. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-09.

Improved silicide method

Номер патента: US20120108027A1. Автор: Weize Xiong,Deborah J. Riley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Self aligned non-volatile memory cell and process for fabrication

Номер патента: US20050003616A1. Автор: Tuan Pham,Henry Chien,George Matamis,Jeffrey Lutze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-06.

Nrom cell with improved programming, erasing and cycling

Номер патента: EP1082763A4. Автор: Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2003-01-02.

ELECTRONIC DEVICE ASSEMBLIES INCLUDING CONDUCTIVE VIAS HAVING TWO OR MORE CONDUCTIVE ELEMENTS

Номер патента: US20130235517A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,Corisis David J.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2013-09-12.

ELECTRONIC DEVICE ASSEMBLIES INCLUDING CONDUCTIVE VIAS HAVING TWO OR MORE CONDUCTIVE ELEMENTS

Номер патента: US20150319860A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,Corisis David J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Forming conductive vias using a light guide

Номер патента: GB2579456B. Автор: Doyle Matthew,Bartley Gerald,Becker Darryl,Jeanson Mark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Forming conductive vias using a light guide

Номер патента: GB202000790D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-04.

Secure information transfer via bar codes

Номер патента: EP2910042A1. Автор: Ansuman Tapan Satpathy,Su-Yin Gan,Parikshit DHARAWAT. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2015-08-26.

Power on reset circuit applied to gate driver of display apparatus

Номер патента: US9954520B2. Автор: Kai-Lan Chuang. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Power on reset circuit applied to gate driver of display apparatus

Номер патента: US20160359478A1. Автор: Kai-Lan Chuang. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Contention-free ris handover via barring

Номер патента: EP4309386A1. Автор: Yu Zhang,Krishna Kiran Mukkavilli,Hung Dinh LY,Saeid SAHRAEI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Contention-free ris handover via barring

Номер патента: US20240107423A1. Автор: Yu Zhang,Krishna Kiran Mukkavilli,Hung Dinh LY,Saeid SAHRAEI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Improvements in or relating to gate drivers

Номер патента: US20200235728A1. Автор: Colin Charnock Davidson. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2020-07-23.

Improvements in or relating to gate drivers

Номер патента: WO2018149731A1. Автор: Colin Charnock Davidson. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for making semiconductor transistor device by implanting punch through stoppers

Номер патента: US5320974A. Автор: Hiroshi Shimomura,Shuichi Kameyama,Atsushi Hori,Mizuki Segawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-14.

Nrom cell with improved programming, erasing and cycling

Номер патента: EP1082763A1. Автор: Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2001-03-14.

Method for forming conductive via in a substrate

Номер патента: US20120064230A1. Автор: Chien-Hung Ho,Shih-Long Wei,Hsiao-Chun Liu,Sheng-Li Hsiao. Владелец: Viking Tech Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

FORMING CONDUCTIVE VIAS USING A LIGHT GUIDE

Номер патента: US20200004154A1. Автор: Doyle Matthew,Bartley Gerald,Becker Darryl,Jeanson Mark. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

FORMING CONDUCTIVE VIAS USING A LIGHT GUIDE

Номер патента: US20190004428A1. Автор: Doyle Matthew,Bartley Gerald,Becker Darryl,Jeanson Mark. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

ELECTRONIC DEVICE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH THERMALLY CONDUCTIVE VIA

Номер патента: US20160050744A1. Автор: Han Seok-Jae,LEE Eung-chang. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

INTENT-BASED QUESTION SUGGESTION ENGINE TO ADVANCE A TRANSACTION CONDUCTED VIA A CHATBOT

Номер патента: US20210097110A1. Автор: Liu Jia,WANG Shuai,Jones Steven Ware,Mallette Jennifer A.,Salve Vivek,Asthana Ruchi,Lewis Jacob. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Meetings Conducted Via A Network

Номер патента: US20170223069A1. Автор: Arora Manish B.,Sharma Deep Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

SUBSTRATE WITH CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20150257282A1. Автор: KIM Dong Wook,Gu Shiqun,WE Hong Bok,LEE Jae Sik. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-10.

CONNECTION USING CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20140340859A1. Автор: Morris Thomas Scott,Madsen Ulrik Riis,Leahy Donald Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

CONNECTION USING CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20150296631A1. Автор: Morris Thomas Scott,Madsen Ulrik Riis,Leahy Donald Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

FORMING CONDUCTIVE VIAS USING HEALING LAYER

Номер патента: US20180332719A1. Автор: Kuczynski Joseph,Mann Phillip V.,Doyle Matthew S.,"OConnell Kevin M.". Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Method of forming conductive via for multilayer interconnection substrate

Номер патента: KR100900671B1. Автор: 홍기표,황규만. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2009-06-01.

Low temperature co-fired ceramic substrate having conductive via and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100647021B1. Автор: 최재혁. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-11-23.

Improvements in or relating to gate drivers for gas tubes

Номер патента: WO2018149629A1. Автор: Colin Charnock Davidson. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2018-08-23.

Method and system to defer transactions conducted via interactive television

Номер патента: WO2002009422A1. Автор: Mai-Lan Tomsen,Anthony F. Istvan. Владелец: Digeo, Inc.. Дата публикации: 2002-01-31.

A method for manufacturing a substrate having a conductive vias

Номер патента: TWI406618B. Автор: Shih Long Wei,Shen Li Hsiao,Chien Hung Ho. Владелец: Viking Tech Corp. Дата публикации: 2013-08-21.

Memory cell programming or erasing method for electrically EPROM, involves applying non-zero compensation voltage to gate of MOS transistor, and applying inhibiting voltage to gate or source of floating gate transistor

Номер патента: FR2901626A1. Автор: Rosa Francesco La. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-11-30.

Mirror bit memory device applying a gate voltage alternately to gate

Номер патента: US20090212348A1. Автор: Fumiaki TOYAMA. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-08-27.

Improvements in or relating to gating circuits

Номер патента: AU4576372A. Автор: Mead Benson George. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1974-02-21.

Mos transistor drain-to-gate leakage protection circuit and method therefor

Номер патента: US20120326690A1. Автор: Laurent Guillot,Thierry Sicard. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-12-27.

IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO GATE DRIVERS FOR GAS TUBES

Номер патента: US20200014292A1. Автор: Davidson Colin Charnock. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

USING THRESHOLDS TO GATE TIMING PACKET GENERATION IN A TRACING SYSTEM

Номер патента: US20160020897A1. Автор: Levy Ofer,Sperber Zeev,STRONG BEEMAN C.,Kurts Tsvika,MALKA GABI. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Secure Information Transfer Via Bar Codes

Номер патента: US20140115331A1. Автор: Ansuman Tapan Satpathy,Su-Yin Gan,Parikshit DHARAWAT. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-04-24.

METHOD FOR DETERMINING APPROVAL FOR ACCESS TO GATE THROUGH NETWORK, AND SERVER AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIA USING THE SAME

Номер патента: US20200036525A1. Автор: HAN You Serk,SEOK Sang Hun. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

SYSTEM AND METHOD OF PROVIDING ISOLATED POWER TO GATE DRIVING CIRCUITS IN SOLID STATE FAULT CURRENT LIMITERS

Номер патента: US20150055261A1. Автор: Lubicki Piotr R.,Tekletsadik Kasegn. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2015-02-26.

COMPENSATION CIRCUIT FOR COMMON VOLTAGE ACCORDING TO GATE VOLTAGE

Номер патента: US20150185744A1. Автор: LEE Kyung-Woo,SONG Jae-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Improvements in or relating to gate drivers

Номер патента: US20200235728A1. Автор: Colin Charnock Davidson. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2020-07-23.

SHORT-CIRCUIT PROTECTION OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICE BY SENSING CURRENT INJECTION FROM DRAIN TO GATE

Номер патента: US20200280308A1. Автор: Gunasekaran Deepak,SCHNELL Ryan,Benedict Eric,Moroney Maurice. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2020-09-03.

POWER ON RESET CIRCUIT APPLIED TO GATE DRIVER OF DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20160359478A1. Автор: Chuang Kai-Lan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

In-place detection device, control system and method applied to gate

Номер патента: CN112751510A. Автор: 王聪,李长水,王升国,李小仓,王义井,李余毅,库庆,彭群. Владелец: Hangzhou Hikvision Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Method for approving access to gate through network, and server and computer-readable recording media using the same

Номер патента: KR101719511B1. Автор: 석상훈,한유석. Владелец: 주식회사 에어큐브. Дата публикации: 2017-04-05.

Multifunction LED lamp has electronic processing circuit which comprises control switch state detector that periodically applies fine turn-off pulses to gate electrode of power transistor

Номер патента: FR2904509A1. Автор: Paul Petzl,Gilles Morey,Omar Bouzghoub. Владелец: Zedel SAS. Дата публикации: 2008-02-01.

Photo switching device has control circuit between positive and negative outputs of rectifier comprising light sensor connected to gate of transistor

Номер патента: FR2829320A3. Автор: Ching Chi Cheng. Владелец: Ching Chi Cheng. Дата публикации: 2003-03-07.

Machine tool static contactor with triacs in two phase lines - has triacs operated by externally activated relay contacts coupled to gates

Номер патента: FR2223884A1. Автор: . Владелец: ST DUPONT IND. Дата публикации: 1974-10-25.

Pulse generator using high frequency signal - has signal counter with feedback loop to gate after counter reset

Номер патента: FR2271704A1. Автор: . Владелец: Agence National de Valorisation de la Recherche ANVAR. Дата публикации: 1975-12-12.

Using thresholds to gate timing packet generation in a tracing system

Номер патента: US9716646B2. Автор: Ofer Levy,Tsvika Kurts,Gabi Malka,Zeev Sperber,Beeman C. Strong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method, device, and system for secured access to gated areas

Номер патента: CA2822209A1. Автор: Avish Jacob Weiner,Zion Harel. Владелец: MOBYDOM Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Switched capacitor filter circuit for signal processing, has noise compensation transistor connected in series to switching transistor so as to remove noise during application of polarity inverted signal to gate

Номер патента: FR2838890A1. Автор: Seiki Aoyama,Toshikazu Itakura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2003-10-24.

Process and device for equalising the voltage distribution to gate-controlled, series-connected semiconductors

Номер патента: EP0750808B1. Автор: Mark-Matthias Bakran. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-01-14.

Inductive loads e.g. solenoid, control device for injector needle, has common reset circuit with Zener diode to limit bonding pad voltage at common level greater than validation level and apply reset signal to gate of MOS transistor

Номер патента: FR2866165A1. Автор: Philippe Avian. Владелец: Siemens VDO Automotive SAS. Дата публикации: 2005-08-12.

Method for determining approval for access to gate through network, and server and computer-readable recording media using the same

Номер патента: US10764049B2. Автор: You Serk HAN,Sang Hun SEOK. Владелец: Aircuve Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

CONTROL METHOD OF DI / DT AND DV / DT OF SWITCHING A POWER TRANSISTOR TO GATE MOS

Номер патента: ITMI972357A1. Автор: Stefano Clemente. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 1999-04-17.

Process and device for equalising the voltage distribution to gate-controlled, series-connected semiconductors

Номер патента: WO1995025383A1. Автор: Mark-Matthias Bakran. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 1995-09-21.

System and method of providing isolated power to gate driving circuits in solid state fault current limiters

Номер патента: WO2015026570A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Piotr R. Lubicki. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2015-02-26.

Short-circuit protection of power semiconductor device by sensing current injection from drain to gate

Номер патента: US20200280308A1. Автор: Ryan SCHNELL,Deepak Gunasekaran,Eric Benedict,Maurice Moroney. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2020-09-03.

Protection of inverter applied to gate turn off thyristor

Номер патента: JPS57166886A. Автор: Hideo Tanaka,Toshiaki Jofu,Tadao Goshi. Владелец: Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1982-10-14.

Methods for manufacturing enhancement-mode HEMTs with self-aligned field plate

Номер патента: US8168486B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of manufacture for self-aligned floating gate memory cell

Номер патента: US4355455A. Автор: Charles E. Boettcher. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1982-10-26.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELF-ALIGNED CONTACTS, INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20100155743A1. Автор: Oliver Haeberlen,Franz Auerbach,Michael Treu,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device having an inverse-T bipolar transistor

Номер патента: US5194926A. Автор: James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET

Номер патента: US5120669A. Автор: Gregory A. Schrantz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-06-09.

VMOS Memory cell and method for making same

Номер патента: US4271418A. Автор: William R. Hiltpold. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1981-06-02.

Method for fabricating a mosfet device, with local channel doping and a titanium silicide gate

Номер патента: US5677217A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Method of fabricating a bipolar junction transistor using multiple selectively implanted collector regions

Номер патента: US6352901B1. Автор: Kuan-Lun Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-03-05.

Self-aligned contact process for complementary field-effect integrated circuits

Номер патента: US5283203A. Автор: Manzur Gill,Danny Shum. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-02-01.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US11956952B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Self-aligned bottom plate for metal high-k dielectric metal insulator metal (mim) embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Michael P. Chudzik,Keith Kwong Hon Wong,Zhen Zhang,Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Substrate processing system

Номер патента: US5745946A. Автор: David L. Thrasher,Lynn S. Ryle,Robert M. Ruppell,John S. Hearne,Wilbur C. Krussell,Gary D. Youre. Владелец: Ontrak Systems Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

Process for providing self-aligned doping regions

Номер патента: CA1116313A. Автор: Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-01-12.

Gate patterning scheme with self aligned independent gate etch

Номер патента: US20090203200A1. Автор: Matthew E. Colburn,Bruce B. Doris,Thomas W. Dyer,Scott D. Halle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Twin insulator charge storage device operation and its fabrication method

Номер патента: US20070114597A1. Автор: Seiki Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

High density nano-array for sensing

Номер патента: US09753006B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

High density nano-array for sensing

Номер патента: US09612224B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Self-aligned gate isolation

Номер патента: WO2007046920A1. Автор: Peter Chang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-04-26.

Early backside first power delivery network

Номер патента: EP4420163A1. Автор: Brent Anderson,Lawrence Clevenger,Christopher Penny,Nicholas LANZILLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Dynamic ram cell having shared trench storage capacitor with sidewall-defined bridge contacts and gate electrodes

Номер патента: CA1289243C. Автор: Donald M. Kenney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-09-17.

Spring structure and method

Номер патента: EP1176635A2. Автор: David K. Fork,Jeng Ping Lu,Rachel King-Ha Lau,Jackson H. Ho. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2002-01-30.

Spring structure and method

Номер патента: EP1176635A3. Автор: David K. Fork,Jeng Ping Lu,Rachel King-Ha Lau,Jackson H. Ho. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-04-16.

High density nano-array for sensing

Номер патента: US20160349207A1. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Pinned photodiode structure and method of formation

Номер патента: US20060249766A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Pinned photodiode structure and method of formation

Номер патента: US20060249767A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Method of fabricating an array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20020182809A1. Автор: Takahiro Fukumoto,Yueh Ma. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of fabricating triple polysilicon non-volatile memory cells

Номер патента: US20010021563A1. Автор: Takahiro Fukumoto,Yueh Ma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

High density nano-array for sensing

Номер патента: US20160349208A1. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

High density nano-array for sensing

Номер патента: US20170284963A1. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhen Zhang,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Stacked gate process flow for cross-point EPROM with internal access transistor

Номер патента: US5240870A. Автор: Albert M. Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060076611A1. Автор: Seiichi Mori,Michiharu Matsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Early backside first power delivery network

Номер патента: WO2023066797A1. Автор: Brent Anderson,Lawrence Clevenger,Christopher Penny,Nicholas LANZILLO. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods for fabricating self-aligned bipolar transistors having polysilicon base contacts with polysilicon or metal emitter contacts

Номер патента: CA1118534A. Автор: Tak H. Ning,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-02-16.

Method for forming a floating gate non-volatile memory cell

Номер патента: US8263459B2. Автор: Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-09-11.

Injection pillar definition for line MRAM by a self-aligned sidewall transfer

Номер патента: US09536925B1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata,Joel D. Chudow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Interposer registration elements

Номер патента: US09921377B2. Автор: Michael Renne Ty Tan,Sagi V Mathai,Paul K Rosenberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-20.

3d memory semiconductor devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240224545A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

3D memory semiconductor devices and structures with memory cells preliminary class

Номер патента: US12041792B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Linear MRAM device with a self-aligned bottom contact

Номер патента: US09553257B1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Linear MRAM device with a self-aligned bottom contact

Номер патента: US09553128B1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

MTJ stack and bottom electrode patterning process with ion beam etching using a single mask

Номер патента: US9166154B2. Автор: Yuchen Zhou,Jing Zhang,Yiming Huai,Rajiv Yadav Ranjan,Dong Ha JUNG,Benjamin Chen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-20.

3d memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars

Номер патента: US20240065005A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars

Номер патента: US11910622B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308898A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

3d memory semiconductor devices and structures with memory-line pillars

Номер патента: US20240147740A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

3D memory semiconductor devices and structures with memory-line pillars

Номер патента: US11963373B1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han,Eli Lusky. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Mram integration with self-aligned direct back side contact

Номер патента: US20240057345A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Brent A. Anderson,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Interposer registration elements

Номер патента: US20170168251A1. Автор: Michael Renne Ty Tan,Sagi V Mathai,Paul K Rosenberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-06-15.

Embedded MRAM Device with Top Via

Номер патента: US20210242277A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dominik Metzler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Forming self-aligned contacts on pillar structures

Номер патента: US20180308897A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Eugene J. O'Sullivan,Anthony J. Annunziata,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Linear mram device with a self-aligned bottom contact

Номер патента: US20170005135A1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Self-aligned crossbar-compatible electrochemical memory structure

Номер патента: US20230165015A1. Автор: John Rozen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A1. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

An electrically erasable programmable split-gate memory cell

Номер патента: EP1027734A4. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-02.

Ultrasonic HIFU transducer with non-magnetic conductive vias

Номер патента: JP2013509936A. Автор: ライアン マニング,バリー シェイラー,ジョン ウィリアム マイアーズ. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2013-03-21.

Railroad hopper car outlet gate end tube assemblies

Номер патента: CA2029947C. Автор: William E. Fritz,James C. Pankow. Владелец: Thrall Car Manufacturing Co. Дата публикации: 2000-05-30.

Foot pedal drive for e.g. bicycle, has guiding bar with two levers which are pivoted with their one end such that torque is produced downward via bar in interaction with forward affecting force, during progressive rotation of pedals

Номер патента: DE102004023091A1. Автор: Kurt Oehlschlaeger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Machine for securing wire fabric to gate frames

Номер патента: US1847155A. Автор: George N Williams. Владелец: CONTINENTAL STEEL CORP. Дата публикации: 1932-03-01.

Station for reloading from face chain conveyer to gate chain conveyer

Номер патента: SU1218923A3. Автор: Браун Герт,Браун Эрнет. Владелец: Хальбах Унд Браун Индустрианлаген (Фирма). Дата публикации: 1986-03-15.

Armored Face Conveyor Extendable at Head Gate End

Номер патента: AU2010201412B2. Автор: Ronald P. Vasey. Владелец: Joy Global Underground Mining LLC. Дата публикации: 2014-03-06.

Improvements relating to gate end feeder conveyors for use in mines

Номер патента: GB791249A. Автор: Angus Wellesley Duncan. Владелец: Mining Engineering Co Ltd MECO. Дата публикации: 1958-02-26.

Carbon Nanotube Coating for Increasing ECG Electrode Conductivity via Capillary Action of Sweat

Номер патента: US20230088449A1. Автор: Yogesh Verma. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Procurement of legal services using a bid process conducted via a global computer network

Номер патента: WO2001003038A8. Автор: Steven W Lundberg,Thomas F Brennan,Kent J Sieffert. Владелец: Schwegman Lundberg Woessner &. Дата публикации: 2001-11-29.

Procurement of legal services using a bid process conducted via a global computer network

Номер патента: AU5908800A. Автор: Steven W. Lundberg,Thomas F. Brennan,Kent J Sieffert. Владелец: Schwegman Lundberg Woessner and Kluth PA. Дата публикации: 2001-01-22.

Display device with controllable output timing of data voltage in response to gate voltage

Номер патента: US09754548B2. Автор: Sang Wook Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Relating to gate valves

Номер патента: US09777846B2. Автор: Paul Bailey,Anthony Goodwin. Владелец: Process Components Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Improvements in or relating to gates

Номер патента: GB753954A. Автор: . Владелец: TURNER S ENGINEERING FORGINGS. Дата публикации: 1956-08-01.

Increasing aluminum nitride thermal conductivity via pre-densification treatment

Номер патента: EP0437449A1. Автор: Arne K. Knudsen. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1991-07-24.

Method and system for enhancing a commercial transaction conducted via a communications network

Номер патента: CA2428212C. Автор: Kirk Francis,Kirk A. Miller,Arnold Z. Huffman,Richard R. Krahn,Michael S. Sweeney,Robert S. Chinchar,Doug Grimm,Ray Kling,Todd D. Schwarzinger,Barry Smiach. Владелец: Accenture LLP. Дата публикации: 2009-07-14.

Increasing aluminum nitride thermal conductivity via vapour- phase carbon

Номер патента: AU631140B2. Автор: Mike S. Paquette,Arne K. Knudsen. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-11-19.

Mechanical articulation system with electrical and/or thermal conductivity via invisible, adjustable ball-and-socket joint

Номер патента: US11402060B2. Автор: Garcia Rodriguez Lucas. Владелец: Eidopia, S.L.. Дата публикации: 2022-08-02.

Method and system for enhancing a commercial transaction conducted via a communications network

Номер патента: WO2002039355A1. Автор: Kirk Francis,Kirk A. Miller,Arnold Z. Huffman,Richard R. Krahn,Michael S. Sweeney,Robert S. Chinchar,Doug Grimm,Ray Kling,Todd D. Schwarzinger,Barry Smiach. Владелец: Accenture LLP. Дата публикации: 2002-05-16.

Increasing aluminum nitride thermal conductivity via vapour-phase carbon

Номер патента: EP0432215A1. Автор: Mike S. Paquette,Arne K. Knudsen. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1991-06-19.

Method and system for enabling computations to estimate and predict costs with a cost index by an operating cost app with an operating cost integrator interface for displaying gate to gate flight costs

Номер патента: US20200320885A1. Автор: Visvanathan Thanigai Nathan,Raghu Shamasundar,Muthusankar Subramaniyan,Vijayvenkatesh Srinivasan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Lock for double gates - comprises arm pivotally attached to one gate which secures to gate opposite

Номер патента: FR2519060A1. Автор: Jean Marc Mignot. Владелец: MIGNOT CIE. Дата публикации: 1983-07-01.

Improvements in or relating to gate valves

Номер патента: GB758086A. Автор: Clement Ingham. Владелец: Holmes W C & Co Ltd. Дата публикации: 1956-09-26.

Circuit for reducing current mirror mismatch due to gate leakage current

Номер патента: US6995612B1. Автор: Yen-Chung T. Chen. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2006-02-07.

Improvements in or relating to gate valves for controlling fluid flow

Номер патента: GB1042725A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1966-09-14.

METHOD AND SYSTEM FOR ENABLING COMPUTATIONS TO ESTIMATE AND PREDICT COSTS WITH A COST INDEX BY AN OPERATING COST APP WITH AN OPERATING COST INTEGRATOR INTERFACE FOR DISPLAYING GATE TO GATE FLIGHT COSTS

Номер патента: US20200320885A1. Автор: Shamasundar Raghu,Nathan Visvanathan Thanigai,SRINIVASAN Vijayvenkatesh,Subramaniyan Muthusankar. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2020-10-08.

Improvements in or relating to gate valves

Номер патента: GB1221515A. Автор: . Владелец: Societe dEtudes Verrieres Appliquees. Дата публикации: 1971-02-03.

Support for sliding gate - comprises housing containing rollers which run along rail attached to gate

Номер патента: FR2513688A1. Автор: . Владелец: LOSSERAND MADOUX GUY. Дата публикации: 1983-04-01.

Mounting for sluice gate and weir locks - has wheel assembly hinge-linked to gate and resting on rail

Номер патента: FR2274739A1. Автор: . Владелец: Rheinstahl AG. Дата публикации: 1976-01-09.

Improvements to gates and gate opening and latching mechanisms

Номер патента: EP2873789A1. Автор: Gerard O'neill. Владелец: GA O'Neill Engineering Ltd. Дата публикации: 2015-05-20.

Transmission system for power-actuated gate - has asymmetric cranked rocking lever with long leg including knee joint and attached to gate

Номер патента: FR2418856A1. Автор: . Владелец: BRUNAUD RENE. Дата публикации: 1979-09-28.

Improvements in or relating to gate valves

Номер патента: GB839280A. Автор: Sven Gunnar Salomonsson. Владелец: FARE ARMATURFABRIK AB. Дата публикации: 1960-06-29.

Electronic pulse evaluation device for controlling muscle or nerve stimulation electrodes has input stage supplying rectangular pulses to counter stage coupled to NAND gate connected to gating stage

Номер патента: DE19944649A1. Автор: Martin Lauhoff. Владелец: Martin Lauhoff. Дата публикации: 2001-04-05.

Improvements in or relating to gate valves

Номер патента: GB1204131A. Автор: George Robert Davison. Владелец: Bryan Donkin Co Ltd. Дата публикации: 1970-09-03.

Improvements in or relating to gate valves

Номер патента: GB781383A. Автор: . Владелец: Bryan Donkin Co Ltd. Дата публикации: 1957-08-21.

System and method for determining the 3D position of aircraft, independently onboard and on the ground, for any operation within a "gate-to-gate" concept

Номер патента: US20020147542A1. Автор: Ion Tomescu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Method and apparatus for obtaining data from a data circuit utilizing alternating clock pulses to gate the data to the output

Номер патента: US5479646A. Автор: Robert J. Proebsting. Владелец: Intergraph Corp. Дата публикации: 1995-12-26.

Improvements relating to gate valves

Номер патента: GB884938A. Автор: Robert Rutherford. Владелец: Triangle Valve Co Ltd. Дата публикации: 1961-12-20.

Improvements in or relating to gate valves

Номер патента: GB1089272A. Автор: Basil Dixon Power. Владелец: Edwards High Vacuum International Ltd. Дата публикации: 1967-11-01.

Improvements relating to gate pivotal supports and catches

Номер патента: GB430049A. Автор: . Владелец: FRED ASPINALL. Дата публикации: 1935-06-12.

Method and system for enabling computations to estimate and predict costs with a cost index by an operating cost app with an operating cost integrator interface for displaying gate to gate flight costs

Номер патента: US11074819B2. Автор: Visvanathan Thanigai Nathan,Raghu Shamasundar,Muthusankar Subramaniyan,Vijayvenkatesh Srinivasan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-07-27.

Motor winch and cable drive for side hung gate - uses open ground cable on return pulleys fixing to gates with spring taking up cable slack

Номер патента: FR2480843A1. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-10-23.

Improvements in or relating to gates and gateposts

Номер патента: GB529609A. Автор: . Владелец: JOHN ELWELL Ltd. Дата публикации: 1940-11-25.

Improvements in or relating to gates and operating mechanism therefor

Номер патента: ZA733855B. Автор: P Funnell. Владелец: DONALD PRESSES Ltd. Дата публикации: 1974-05-29.

Method and system for determining an operating voltage using a source/drain to gate overlap induced scaling factor

Номер патента: US6737876B1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Improvements to gate fittings

Номер патента: AU490955B1. Автор: Archer Sullivan Terence. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-02-02.

Methods and apparatus related to gate boundaries within a data space

Номер патента: US20120215487A1. Автор: Steven C. Banville,Santosh K. Putta,David C. Spellmeyer. Владелец: Nodality Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

System and Method of Enhancing Consumer Ability to Obtain Information Via Bar Codes

Номер патента: US20130087608A1. Автор: Albert Lee,Kenneth L. Addy,Jaime E. Barahona,Howard Yuk. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

METHODS AND APPARATUS RELATED TO GATE BOUNDARIES WITHIN A DATA SPACE

Номер патента: US20130173618A1. Автор: Banville Steven C.,Putta Santosh K.,Spellmeyer David C.,Wale Nikil,Evensen Erik,Purvis Norman,Friedland Greg. Владелец: NODALITY, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD AND SYSTEM PROVIDING MUTLI-LEVEL SECURITY TO GATE LEVEL INFORMATION FLOW

Номер патента: US20160026801A1. Автор: Hu Wei,Sherwood Timothy,Kastner Ryan,Oberg Jason. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

GATED END-TO-END MEMORY NETWORK

Номер патента: US20180232152A1. Автор: Liu Fei,Perez Julien,Nowson Scott Peter. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

ESTIMATION AND PRESENTATION OF TOTAL JOURNEY TIME FROM ORIGIN TO GATE

Номер патента: US20210262809A1. Автор: Wisniewski Rob,Seidman-Becker Caryn,Levitt Greg,Garg Navni,Greene Nick,Rooke-Ley Josh. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

METHODS AND APPARATUS RELATED TO GATE BOUNDARIES WITHIN A DATA SPACE

Номер патента: US20160267113A1. Автор: Purvis,Banville Steven C.,Spellmeyer David C.,Wale Nikil,Evensen Erik,JR. Norman Baylis,PUTTA Santosh Krishna,FRIEDLAND Gregory Daniel. Владелец: NODALITY, INC.. Дата публикации: 2016-09-15.

IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO GATE VALVES

Номер патента: US20150300507A1. Автор: Goodwin Anthony,Bailey Paul. Владелец: PROCESS COMPONENTS LIMITED. Дата публикации: 2015-10-22.

SYSTEM AND METHOD OF ENHANCING CONSUMER ABILITY TO OBTAIN INFORMATION VIA BAR CODES

Номер патента: US20160321374A1. Автор: LEE Albert,ADDY Kenneth L.,Barahona Jaime E.,Yuk Howard. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

NON-MARKOVIAN CONTROL WITH GATED END-TO-END MEMORY POLICY NETWORKS

Номер патента: US20180348716A1. Автор: Perez Julien,Silander Tomi. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-06.

Compensation curciut for common voltage according to gate voltage

Номер патента: KR102203767B1. Автор: 송재훈,이경우. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-01-15.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR1023845A. Автор: . Владелец: COPES REGULATORS Ltd. Дата публикации: 1953-03-24.

Joint for corners of insulated door opening - is clipped to masonry via bar and has leg step defining flush edge of rendering

Номер патента: FR2484011A1. Автор: Rene Chauvet,Daniel Fritsch,Gerard Mischler. Владелец: Gerard Mischler. Дата публикации: 1981-12-11.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR1216765A. Автор: . Владелец: Stewarts and Lloyds Ltd. Дата публикации: 1960-04-27.

Improvements to gate valves, and the like

Номер патента: FR1031903A. Автор: Henri Tailleferre. Владелец: . Дата публикации: 1953-06-29.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR1324317A. Автор: . Владелец: R PONS ET CIE ETS. Дата публикации: 1963-04-19.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR84137E. Автор: . Владелец: R PONS ET CIE ETS. Дата публикации: 1964-11-27.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR1087280A. Автор: Anne-Marie Schmidt,Rene Kempf. Владелец: . Дата публикации: 1955-02-22.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR1220887A. Автор: . Владелец: Air Equipement SA. Дата публикации: 1960-05-30.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR428171A. Автор: Antoine Bontemps,Felix Massicot. Владелец: Felix Massicot. Дата публикации: 1911-08-24.

Driver circuit for LCD display, has feed control line connected to feed thin film transistor to switch ON transistor and has feed signal line connected to feed thin film transistor to supply feed signal to gate line

Номер патента: FR2903215A1. Автор: Ju Young Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-04.

Improvements made to gate valves

Номер патента: FR1492911A. Автор: . Владелец: Ateliers et Chantiers de Nantes. Дата публикации: 1967-08-25.

Improvements to gate valve bodies

Номер патента: FR63690E. Автор: . Владелец: Dewrance and Co Ltd. Дата публикации: 1955-09-30.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR559842A. Автор: Crawford William Hume. Владелец: James Howden and Co Ltd. Дата публикации: 1923-09-22.

Improvements to valves, in particular to gate valves or shut-off valves

Номер патента: FR1543772A. Автор: . Владелец: Koppers Co Inc. Дата публикации: 1968-10-25.

Improvements to gates, cofferdams and similar devices

Номер патента: FR1231823A. Автор: . Владелец: Bouchayer & Viallet Ets. Дата публикации: 1960-10-03.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR1035717A. Автор: . Владелец: PETROCARBON Ltd. Дата публикации: 1953-08-28.

Battery-powered alarm clock - has battery connected by controller to gating system and sounds alarm when battery is exhausted

Номер патента: FR2476341A1. Автор: Jürgen Allgaier,Hans Flaig. Владелец: Gebrueder Junghans GmbH. Дата публикации: 1981-08-21.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR594903A. Автор: Edward Frederick Niedecken. Владелец: . Дата публикации: 1925-09-23.

Location system using a first signal to gate a second signal

Номер патента: CN1981310A. Автор: P·泰西耶,O·拉斯罗普,P·高德特. Владелец: Radianse Inc. Дата публикации: 2007-06-13.

Improvements to gate valves with pivoting wedge

Номер патента: FR1081931A. Автор: Paul Beaudouin. Владелец: . Дата публикации: 1954-12-23.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR1440828A. Автор: Andre Clement. Владелец: . Дата публикации: 1966-06-03.

Improvements in or relating to gate valves

Номер патента: GB642661A. Автор: . Владелец: EMILE MAURICE DEMARET. Дата публикации: 1950-09-06.

Be applied to gate mouth department floating garbage cleaning device

Номер патента: CN112195875A. Автор: 喻文益. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-08.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR564338A. Автор: . Владелец: METALLURG D AUBRIVES ET VILLER. Дата публикации: 1923-12-27.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR1212170A. Автор: Armando Carfagna. Владелец: . Дата публикации: 1960-03-22.

Improvements in or relating to gate valves

Номер патента: GB2507799B. Автор: Paul Bailey,Anthony Goodwin. Владелец: Process Components Ltd. Дата публикации: 2015-01-21.

Improvements to gate valves

Номер патента: FR1227716A. Автор: . Владелец: Metropolitan Vickers Electrical Co Ltd. Дата публикации: 1960-08-24.

Electronic temperature controller for refrigeration compressor - uses temperature dependent resistor and amplifier circuit to gate thyristor motor control

Номер патента: DE3023304A1. Автор: Heinz 7210 Rottweil Bucher. Владелец: Metronic Electronic GmbH. Дата публикации: 1982-02-11.

Improvement in or relating to gate control apparatus

Номер патента: MY7500221A. Автор: . Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1975-12-31.

Protective barrier gate for swimming pool, has operating button that is actuated to lift interlocking rod and to pull out stop pin from fixed interlocking wedge for unlocking gate, where rod is mounted vertically at gate end

Номер патента: FR2871509A1. Автор: Daniel Mollard. Владелец: Horizal SAS. Дата публикации: 2005-12-16.

Moving lining for protecting underground gate ends

Номер патента: PL154460B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1991-08-30.

Self-aligning board-to-board connectors

Номер патента: US20240266768A1. Автор: George Tziviskos,Mahmoud R. Amini,Ross L. Jackson,Jason S. Sloey,Aaron N. Miletich,Daren L. Rimando,Mohammed Nasser Khamis Al Jashmi,Logan T. Fikrig. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash EEPROM and EPROM arrays with select transistors within the bit line pitch

Номер патента: US5557124A. Автор: Reza Kazerounian,Anirban Roy. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Incubator heater

Номер патента: GB2317004A. Автор: Vedran Skulic. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-11.

Phase change memory fabricated using self-aligned processing

Номер патента: US7362608B2. Автор: Thomas Happ,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-04-22.

Mram integration with self-aligned direct back side contact

Номер патента: WO2024032536A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Brent A. Anderson,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-15.

Display apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120281157A1. Автор: Tae-ho Kim,Kwang-Hyun Kim,Dae-won Kim,Ji-Hoon Kim,Seung-Beom Park,Seung-Hee Lee,Sang-Jae Kim,Beong-Hun Beon,Gwan-Young Na. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Display apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US8553163B2. Автор: Tae-ho Kim,Kwang-Hyun Kim,Dae-won Kim,Ji-Hoon Kim,Seung-Hee Lee,Sang-Jae Kim,Beong-Hun Beon,Gwan-Young Na,Seung-Boem Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Bearing system for a rotating shaft

Номер патента: EP1194703A1. Автор: Christopher Scott Stenta. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2002-04-10.

Rapid thermal chemical vapor deposition procedure for a self aligned, polycide contact structure

Номер патента: US5763303A. Автор: Jhon Jhy Liaw,Kuo Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-06-09.

Resistive memory and methods of processing resistive memory

Номер патента: US20130009127A1. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Self-aligning safety belt

Номер патента: US09656752B2. Автор: Robert W. Trimble,Aamir JAFRI,Armando Valdes. Владелец: Zodiac Seats US LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Self-alignment due to wettability difference of an interface

Номер патента: US09651736B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jay Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Exoskeleton

Номер патента: US20170182654A1. Автор: Volkan Patoglu. Владелец: Sabanci Universitesi. Дата публикации: 2017-06-29.

Self-aligning stencil device

Номер патента: US09821545B2. Автор: John G. SWISHER,Janna MAKAEVA. Владелец: Innovative Art Concepts LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Exoskeleton

Номер патента: US09539724B2. Автор: Volkan Patoglu. Владелец: Sabanci Universitesi. Дата публикации: 2017-01-10.

Infrared laser landing marker

Номер патента: US20130300586A1. Автор: Andrew J. Hill,Yau L. Fung,Paul W. Bachelder,Robert B. Mayer,Blaine C. Froeschl,Alden K. Lum,Miguel P. Snyder,Kim W.D Larsen. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2013-11-14.

Test connector for automatic test device

Номер патента: US5503011A. Автор: Daniel G. Scott,James E. Hart,Gregory L. Johnston,Gary M. Sich. Владелец: Westinghouse Air Brake Co. Дата публикации: 1996-04-02.

Dock assembly for autonomous modular sweeper robot

Номер патента: US11903554B2. Автор: Fei Xie,Dawei Ding,Gregg Ratanaphanyarat. Владелец: Viabot Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Self-aligning stencil device

Номер патента: US20150202860A1. Автор: John G. SWISHER,Janna MAKAEVA. Владелец: Innovative Art Concepts LLC. Дата публикации: 2015-07-23.

Self-alignment due to wettability difference of an interface

Номер патента: US20140212627A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jay Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Roller assembly

Номер патента: US4125183A. Автор: Robert D. Lang. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-11-14.

Wood pelletizer apparatus and method

Номер патента: US5419381A. Автор: Gerald M. Fisher. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-05-30.

Self-aligning stencil device

Номер патента: US20140047988A1. Автор: John G. SWISHER,Janna MAKAEVA. Владелец: Innovative Art Concepts LLC. Дата публикации: 2014-02-20.

Methods for self-aligned self-assembled patterning enhancement

Номер патента: US20120190205A1. Автор: Timothy J. Dalton,Carl J. Radens,Larry Clevenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Interactive kiosk having self-aligning printer paper dispensing chute

Номер патента: EP3660768A1. Автор: Patrick SAMUELSON. Владелец: ZIVELO Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Paint line marker

Номер патента: US3599268A. Автор: Lawrence W Simpkins,Lawrence W Simpkins Jr. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-08-17.

Tattoo machine and self-aligning support of tattoo machine motor shaft

Номер патента: RU2644698C1. Автор: Сергей Николаевич Низов. Владелец: Сергей Николаевич Низов. Дата публикации: 2018-02-13.

Alignment improvements for ophthalmic diagnostic systems

Номер патента: US20230255480A1. Автор: Keith O'Hara,Alexandre R. Tumlinson,Angelo Rago. Владелец: Carl Zeiss Meditec Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Reducing streaming ASR model delay with self alignment

Номер патента: US12057124B2. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Locking blocks and methods of using same

Номер патента: US20240125116A1. Автор: Abolfazl Mohebbi,Donald Jordan. Владелец: Moxietec LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Locking blocks and methods of using same

Номер патента: WO2024191476A1. Автор: Donald Jordan,Abolgazl MOHEBBI. Владелец: Moxietec, Llc. Дата публикации: 2024-09-19.

Reducing Streaming ASR Model Delay With Self Alignment

Номер патента: US20240371379A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Side branched endoluminal prostheses and methods of delivery thereof

Номер патента: US09622886B2. Автор: Eric Gerard Johnson,Rochelle M. Hamer. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Side branched endoluminal prostheses and methods of delivery thereof

Номер патента: US09597208B2. Автор: Eric Gerard Johnson,Rochelle M. Hamer. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Roller bearing improvement

Номер патента: US3977740A. Автор: Hilarius S. Struttmann. Владелец: Borg Warner Corp. Дата публикации: 1976-08-31.

Roller bearing improvement

Номер патента: CA1048094A. Автор: Hilarius S. Struttmann. Владелец: Borg Warner Corp. Дата публикации: 1979-02-06.

Apparatus for ultrasonic transducer or other contact sensor placement against a test material

Номер патента: US8683882B2. Автор: Todd Jackson. Владелец: ASCENT VENTURES LLC. Дата публикации: 2014-04-01.

Spin transfer torque oscillator (STO) with spin torque injection to a flux generating layer (FGL) from two sides

Номер патента: US11043234B2. Автор: Yan Wu. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Linear actuator

Номер патента: US3777578A. Автор: M Swanberg. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1973-12-11.

Reducing streaming asr model delay with self alignment

Номер патента: WO2022203735A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Reducing streaming asr model delay with self alignment

Номер патента: EP4295356A1. Автор: Han Lu,Anshuman Tripathi,Qian Zhang,JaeYoung Kim,Hasim Sak. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Perpendicular magnetic recording writer main pole having imbedded non-magnetic core and de-coupled pole tip

Номер патента: US20090168237A1. Автор: Ming Jiang,Wen-Chien David Hsiao,Changqing Shi. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2009-07-02.

Multi-angle self-leveling line generation

Номер патента: US20040250432A1. Автор: Norman Krantz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-16.

Multi-angle self-leveling line generation

Номер патента: WO2004109230A3. Автор: Norman L Krantz. Владелец: Norman L Krantz. Дата публикации: 2005-05-06.

LATERAL DIFFUSION FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH DRAIN REGION SELF-ALIGNED TO GATE ELECTRODE

Номер патента: US20120126319A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Feilchenfeld Natalie B.,Zierak Michael J.,Liu Xuefeng,VOLDMAN Steven H.,Voegeli Benjamin T.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

LOCAL INTERCONNECT STRUCTURE SELF-ALIGNED TO GATE STRUCTURE

Номер патента: US20120280290A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-08.

EPITAXIAL SOURCE/DRAIN CONTACTS SELF-ALIGNED TO GATES FOR DEPOSITED FET CHANNELS

Номер патента: US20120292598A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING DEVICE ISOLATION TRENCHES SELF-ALIGNED TO GATE TRENCHES

Номер патента: US20130115745A1. Автор: Chung Hyun-Woo,Hong Hyeong-Sun,Hwang Yoo-Sang,Kim Ji-young,CHOI Jay-Bok. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

Method for forming active region self-aligning to deep trench

Номер патента: TW494535B. Автор: Brian S Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Flash memory cell manufacturing method with floating gate self-aligned to shallow trench

Номер патента: TW490794B. Автор: Di-Sheng Guo,Juang-Ge Ye,Jia-Da Shie,Wen-Ding Ju,Chuan-Li Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-06-11.

BORDERLESS INTERCONNECT LINE STRUCTURE SELF-ALIGNED TO UPPER AND LOWER LEVEL CONTACT VIAS

Номер патента: US20120086128A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-12.

BORDERLESS INTERCONNECT LINE STRUCTURE SELF-ALIGNED TO UPPER AND LOWER LEVEL CONTACT VIAS

Номер патента: US20120329275A1. Автор: Horak David V.,Ponoth Shom,Yang Chih-Chao,Koburger,III Charles W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

FET eDRAM TRENCH SELF-ALIGNED TO BURIED STRAP

Номер патента: US20130015515A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Rankin Jed H.,JR. John E.,Barth. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for support of longwall face-to-gate junction

Номер патента: RU2067176C1. Автор: А.Г. Попов,В.П. Голуб. Владелец: Подмосковный Научно-Исследовательский И Проектно-Конструкторский Угольный Институт. Дата публикации: 1996-09-27.

Method for formation of caving slot in longwall face-to-gate junctions

Номер патента: RU2039260C1. Автор: А.Н. Быков,И.Н. Лось,Н.А. Быков,Г.П. Довиденко. Владелец: Институт горного дела Севера СО РАН. Дата публикации: 1995-07-09.

SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING CONDUCTIVE VIAS AND SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING A SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH CONDUCTIVE VIAS AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120086131A1. Автор: WANG MENG-JEN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

Improvements in and relating to Gates.

Номер патента: GB190815765A. Автор: Richard Henry Hillman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-06-17.

Semiconductor Device and Method of Forming FO-WLCSP Having Conductive Layers and Conductive Vias Separated by Polymer Layers

Номер патента: US20120038053A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor Device and Method of Forming a Conductive Via-in-Via Structure

Номер патента: US20120326329A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-12-27.

Auxiliary debug method of super I/O conducted via serial port

Номер патента: TW541456B. Автор: Danny KUO. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2003-07-11.

Improvements in and Pertaining to Gates and the like

Номер патента: GB190227334A. Автор: Hugh Taylor Stephens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-10-08.

Interactive Games and Competitions Conducted via Electronic and other Media

Номер патента: AU2007906710A0. Автор: Mario Castellari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-03.

Interactive games and competitions conducted via electronic and other media

Номер патента: AU2006906342A0. Автор: Mario Castellari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Interactive competitions conducted via the internet using real participant data

Номер патента: AU2656501A. Автор: David Peart,Greg Kentish. Владелец: MANGO SPORTS COM Pty Ltd. Дата публикации: 2001-07-31.

Semiconductor Device and Method of Conforming Conductive Vias Between Insulating Layers in Saw Streets

Номер патента: US20120018899A1. Автор: Do Byung Tai,Chua Linda Pei Ee,Pagaila Reza A.. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor Device and Method of Conforming Conductive Vias Between Insulating Layers in Saw Streets

Номер патента: US20120018900A1. Автор: Do Byung Tai,Chua Linda Pei Ee,Pagaila Reza A.. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-26.

ISOLATED BOND PAD WITH CONDUCTIVE VIA INTERCONNECT

Номер патента: US20120061786A1. Автор: Borthakur Swarnal,MAURITZSON Richard,Hutto Kevin,Dando Ross. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

WAFER BOND CMUT ARRAY WITH CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20120074509A1. Автор: . Владелец: NTNU TECHNOLOGY TRANSFER AS. Дата публикации: 2012-03-29.

STACKED SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING CONDUCTIVE VIAS AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120086120A1. Автор: Chen Jen-Chuan,Chang Hui-Shan,Lai You-Cheng. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor Device and Method of Stacking Semiconductor Die in Mold Laser Package Interconnected by Bumps and Conductive Vias

Номер патента: US20120104624A1. Автор: Choi DaeSik,Ko WonJun,Yun JaEun. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor Device and Method of Electrically Connecting a Shielding Layer to Ground Through a Conductive Via Disposed in Peripheral Region around Semiconductor Die

Номер патента: US20120119348A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONDUCTIVE VIAS AND SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120126420A1. Автор: Chen Kuo Hua,Tsai Li Wen. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

METHOD OF PRODUCING AN ELECTRICALLY CONDUCTING VIA IN A SUBSTRATE

Номер патента: US20120138339A1. Автор: . Владелец: picoDrill SA. Дата публикации: 2012-06-07.

METHODS FOR FORMING CONDUCTIVE VIAS IN SEMICONDUCTOR DEVICE COMPONENTS

Номер патента: US20120156871A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

ELECTRONIC DEVICE SUBMOUNTS INCLUDING SUBSTRATES WITH THERMALLY CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20120161190A1. Автор: Yao Zhimin Jamie. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

ANCHORED CONDUCTIVE VIA AND METHOD FOR FORMING

Номер патента: US20120211883A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

CONNECTION USING CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20120217624A1. Автор: Morris Thomas Scott,Madsen Ulrik Riis,Leahy Donald Joseph. Владелец: RF MICRO DEVICES, INC.. Дата публикации: 2012-08-30.

CONDUCTIVE VIA STRUCTURE

Номер патента: US20120299161A1. Автор: CHANG Kuo-Chin,SHIEH Yuh Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor Device and Method of Stacking Semiconductor Die in Mold Laser Package Interconnected By Bumps and Conductive Vias

Номер патента: US20120299174A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor Device and Method of Forming EWLB Package Containing Stacked Semiconductor Die Electrically Connected Through Conductive Vias Formed in Encapsulant Around Die

Номер патента: US20120299191A1. Автор: Camacho Zigmund R.. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-11-29.

ULTRASONIC HIFU TRANSDUCER WITH NON-MAGNETIC CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20120323147A1. Автор: Manning Ryan,Scheirer Barry C.,Myers John William. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor Device and Method of Forming a Wafer Level Package Structure Using Conductive Via and Exposed Bump

Номер патента: US20130001773A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2013-01-03.

Conductive Vias In A Substrate

Номер патента: US20130034816A1. Автор: Yu Chen-Hua,Yeh Der-Chyang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-07.

STACKED INTEGRATED CIRCUIT PACKAGES THAT INCLUDE MONOLITHIC CONDUCTIVE VIAS

Номер патента: US20130049225A1. Автор: Choi Seung-Woo,Kim Jung-ho,Kang Pil-kyu,Bae Dae-lok,Lee Jong-Wook. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-02-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SHIELDED CONDUCTIVE VIAS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130134601A1. Автор: Wu Chih-Wei,Lin Tzu-Chih,Cheng Hung-Hsiang,Hung Chang-Ying. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

METHODS FOR FABRICATION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING INTERPOSERS WITH CONDUCTIVE VIAS, AND RELATED STRUCTURES AND DEVICES

Номер патента: US20130214423A1. Автор: Sadaka Mariam. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor package with stacked conductive via, and method for fabricating the same

Номер патента: TWI296437B. Автор: Cheng Tsung Chang,Tzu Sheng Tseng. Владелец: Phoenix Prec Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for forming solid conductive via hole of integrated circuit packaging base plate

Номер патента: CN1567551A. Автор: 尤宁圻,朱惠贤,陈金富. Владелец: Meilongxiang Microelectronics Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-19.

Method and system for enhancing a commercial transaction conducted via a communications network

Номер патента: AU2001232689A1. Автор: Kirk Francis,Kirk A. Miller,Arnold Z. Huffman,Richard R. Krahn,Michael S. Sweeney,Robert S. Chinchar,Doug Grimm,Ray Kling,Todd D. Schwarzinger,Barry Smiach. Владелец: Accenture Global Services Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for fabricating electrically conductive via of build-up type packaging substrate by laser drilling

Номер патента: TWI260188B. Автор: Lin-Yin Wong,Kun-Chen Tsai. Владелец: Phoenix Prec Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-11.

Increasing a1n thermal conductivity via vapor-phase carbon

Номер патента: CA2000839A1. Автор: Mike S. Paquette,Arne K. Knudsen. Владелец: Arne K. Knudsen. Дата публикации: 1991-04-17.

Structure conducting via pressure contact

Номер патента: JPS57128472A. Автор: Riyouichi Sado. Владелец: Shin Etsu Polymer Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-10.

Improvements in and relating to Gates and Doors.

Номер патента: GB190521666A. Автор: Robert Hudson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-03-15.

METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS HAVING GATE TO ACTIVE AND GATE TO GATE INTERCONNECTS

Номер патента: US20130071977A1. Автор: Flachowsky Stefan,Scheiper Thilo,Wei Andy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120086055A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-12.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120086078A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Rankin Jed H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-12.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120086083A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-12.

GATE-TO-GATE RECESSED STRAP AND METHODS OF MANUFACTURE OF SAME

Номер патента: US20120112287A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Rankin Jed H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-10.

ADJUSTING THRESHOLD VOLTAGE FOR SOPHISTICATED TRANSISTORS BY DIFFUSING A GATE DIELECTRIC CAP LAYER MATERIAL PRIOR TO GATE DIELECTRIC STABILIZATION

Номер патента: US20120193727A1. Автор: Pal Rohit,Beyer Sven,Carter Richard,Trentzsch Martin. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

DEVICES WITH GATE-TO-GATE ISOLATION STRUCTURES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120306016A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Rankin Jed H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

GATE DRIVING CIRCUIT HAVING IMPROVED TOLERANCE TO GATE VOLTAGE RIPPLE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20130063331A1. Автор: Kim Sung-Man,KIM Hee-Joon,LEE HONG-WOO,HUR Myung-Koo. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-03-14.

Improvements in and relating to gates

Номер патента: AU5195264A. Автор: Wilson Hart Reginald. Владелец: Dorothy Jean Hart. Дата публикации: 1966-09-08.

Improvements in or relating to gate circuit arrangements

Номер патента: AU273450B2. Автор: Kitz Norbert. Владелец: Bell Punch Co Ltd. Дата публикации: 1963-05-02.

Improvements in or relating to gate circuit arrangements

Номер патента: AU1836262A. Автор: Kitz Norbert. Владелец: Bell Punch Co Ltd. Дата публикации: 1963-05-02.

Improvements in/relating to gating circuits

Номер патента: GB8826655D0. Автор: . Владелец: Texas Instruments Ltd. Дата публикации: 1988-12-21.

Improvements in or relating to gate valves

Номер патента: AU923055A. Автор: Hansen Paul. Владелец: Bryan Donkin Co Ltd. Дата публикации: 1955-11-24.

Improvements relating to gate closing mechanism

Номер патента: AU2793549A. Автор: . Владелец: Austral Wire Pence And Gate Co Ltd Pty. Дата публикации: 1950-06-01.

Improvements relating to gate closing mechanism

Номер патента: AU143729B2. Автор: . Владелец: Austral Wire Pence And Gate Co Ltd Pty. Дата публикации: 1950-06-01.

Improvements in and relating to gate valves

Номер патента: AU141248B2. Автор: . Владелец: English Electric Co Ltd. Дата публикации: 1949-09-29.

Improvements in and relating to gate valves

Номер патента: AU2903449A. Автор: . Владелец: English Electric Co Ltd. Дата публикации: 1949-09-29.

Improvements in and relating to gate operating appliances

Номер патента: AU734012A. Автор: Mcmullan Archibald. Владелец: Individual. Дата публикации: 1913-10-21.

Improvements in or relating to gate opening devices

Номер патента: ZA718258B. Автор: L Royston. Владелец: L Royston. Дата публикации: 1972-08-30.

Improvements relating to gate latches

Номер патента: AU1007813A. Автор: senior. Alfred Horns Elkins JOHN Ogilvy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1914-03-10.

Improvements in or relating to gate latches

Номер патента: AU228255B2. Автор: Owen Howard Tripp John. Владелец: Individual. Дата публикации: 1959-09-17.

Improvements in or relating to gate, corner and strainer posts

Номер патента: AU155628B2. Автор: . Владелец: Brian Westmacott. Дата публикации: 1953-07-16.

Improvements in or relating to gates and operating mechanism therefor

Номер патента: IE36417B1. Автор: . Владелец: Presses D Ltd. Дата публикации: 1976-10-27.

Improvements in and relating to gates

Номер патента: AU1404428A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1929-07-02.

Improvements in or relating to gating circuits for selecting electric pulses

Номер патента: AU203706B2. Автор: Edmund Gervase Bailey Christopher. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1956-05-03.

Improvements in and relating to gates

Номер патента: AU100747B2. Автор: Henry Bennett William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1937-04-22.

Improvements relating to gate latches

Номер патента: AU1007813B. Автор: Ogilvy Senior John,Horns Elkins Alfred. Владелец: Individual. Дата публикации: 1914-03-10.

Improvements to gate fittings

Номер патента: AU1645876A. Автор: Archer Sullivan Terence. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-02-02.

Improvements in or relating to gating circuits for selecting electric pulses

Номер патента: AU1324155A. Автор: Edmund Gervase Bailey Christopher. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1956-05-03.

Gate-end transfer point

Номер патента: RU2044890C1. Автор: И.С. Петров,А.П. Ляшков,А.Н. Рубцов,А.И. Вирц. Владелец: Подмосковный Научно-Исследовательский И Проектно-Конструкторский Угольный Институт. Дата публикации: 1995-09-27.

Improvements in or relating to gate, corner and strainer posts

Номер патента: AU1204452A. Автор: . Владелец: Brian Westmacott. Дата публикации: 1953-07-16.

PASSIVES VIA BAR

Номер патента: US20140035935A1. Автор: STEPHANOU Philip Jason,Black Justin Phelps,Shenoy Ravindra V.,Lo Chi Shun,Velez Mario Francisco,Kim Jonghae,GOUSEV Evgeni Petrovich,Lai Kwan-Yu,KIDWELL Donald William,Lasiter Jon Bradley. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

Analog processor-to-gated commutator interface

Номер патента: SU1649555A1. Автор: Карен Анушаванович Оганесян. Владелец: Всесоюзный научно-исследовательский институт электромеханики. Дата публикации: 1991-05-15.

Gate-end structure at the end of the door

Номер патента: JP3444341B2. Автор: 督司 木村,裕介 武智,進一 田島. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2003-09-08.

Charging apparatus to gate-type feeding equipment

Номер патента: SU1018761A1. Автор: Сергей Степанович Зыков. Владелец: С. С. Зыков. Дата публикации: 1983-05-23.

Apparatus for connecting hydraulic cylinder rod to gate of water development works

Номер патента: SU956883A1. Автор: Исаак Хаимович Каплан,Станислав Владимирович Фармаковский. Владелец: Специальное Конструкторское Бюро "Мосгидросталь". Дата публикации: 1982-09-07.

Planet decelerator is opened and close to gate

Номер патента: CN204780806U. Автор: 赵明,范如谷,赵硕勇. Владелец: Sinohydro Jiajiang Hydraulic Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Be applied to gate -type clamping mechanism among stone pillar processingequipment

Номер патента: CN204736089U. Автор: 蔡沧海. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-04.

Improvements in or relating to gate valves

Номер патента: AU427036B2. Автор: Robert Davison George. Владелец: Bryan Donkin Co Ltd. Дата публикации: 1969-07-17.

Improvements in and relating to gates, doors or screens

Номер патента: AU2081829A. Автор: Louis Weight Hubert. Владелец: Mouchejioke & Co Pty Ltd. Дата публикации: 1930-01-21.

Improvements relating to gates or doors and operating mechanism therefor

Номер патента: AU3628168A. Автор: Egmont Blake James. Владелец: Individual. Дата публикации: 1969-10-16.

Material carloader is got to gate -type nucket -wheel

Номер патента: CN204802677U. Автор: 林琪,高振国,林粤军. Владелец: Shenyang Jialin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-25.

Improvements in and relating to gate operating appliances

Номер патента: AU734012B. Автор: Mcmullan Archibald. Владелец: Individual. Дата публикации: 1913-10-21.

Improvements relating to gate latches

Номер патента: AU2453835A. Автор: James Aloysius Obrien Dennis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1936-09-17.

Improvements in or relating to gates

Номер патента: ZA763522B. Автор: M Monty. Владелец: Monty M & Monty J. Дата публикации: 1977-07-27.

Improvements in and relating to gates

Номер патента: AU105747B2. Автор: N. ewton Wawx Clive. Владелец: Individual. Дата публикации: 1938-11-17.

Improvements in and relating to gates

Номер патента: AU427337A. Автор: N. ewton Wawx Clive. Владелец: Individual. Дата публикации: 1938-11-17.

Improvements in or relating to gated amplifiers

Номер патента: AU2065648A. Автор: . Владелец: Marconis Wireless Telegraph Co Ltd. Дата публикации: 1948-06-17.

Improvements in and relating to gate latches

Номер патента: AU108682B2. Автор: Williams William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1939-10-12.

Improvements in and relating to gates

Номер патента: AU140136A. Автор: Henry Bennett William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1937-04-22.

Improvements in or relating to gate latches

Номер патента: AU4667059A. Автор: Owen Howard Tripp John. Владелец: Individual. Дата публикации: 1959-09-17.

Improvements in and relating to gates

Номер патента: AU232526B2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1960-06-09.

Improvements in or relating to gating circuit arrangements

Номер патента: AU594966A. Автор: Neil Hunter Geoffrey. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1967-11-23.

Improvements in or relating to gating circuit arrangements

Номер патента: AU407946B2. Автор: Neil Hunter Geoffrey. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1967-11-23.

Improvements in and relating to gate latches

Номер патента: AU169639A. Автор: Williams William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1939-10-12.

Shield for a gate end being endangered with rock and gas expulsions

Номер патента: PL157808B1. Автор: Pawel Krzystolik,Tadeusz Zawadzki,Boleslaw Kozlowski,Zbigniew Kobiela,Bernard Freiher,Adam Straczek,Janusz Trzcionka,Maria Zawierucha,Jan Mlodecki,Czeslaw Kotynia. Владелец: Glowny Instytut Gornictwa. Дата публикации: 1992-07-31.

Shield for a gate end being endangered with rock and gas expulsions

Номер патента: PL272169A2. Автор: Pawel Krzystolik,Tadeusz Zawadzki,Boleslaw Kozlowski,Zbigniew Kobiela,Bernard Freiher,Adam Straczek,Janusz Trzcionka,Maria Zawierucha,Jan Mlodecki,Czeslaw Kotynia. Владелец: Glowny Instytut Gornictwa. Дата публикации: 1989-02-06.

Dry and bulk cargo container and enhanced mechanism for gate end sealing

Номер патента: CN101407269B. Автор: 章志军,顾红兵,丁志春,袁文清. Владелец: Nantong CIMC Special Transportation Equipment Manufacture Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-02.

Wicket gate end seals

Номер патента: CA788258A. Автор: G. Schaale Robert. Владелец: Allis Chalmers Corp. Дата публикации: 1968-06-25.

A gate end roof support assembly

Номер патента: GB8907637D0. Автор: . Владелец: DOWTY HUCKNALL Ltd. Дата публикации: 1989-05-17.

IGBT TRANSISTOR WITH PROTECTION AGAINST PARASITIC COMPONENT ACTIVATION AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20120001224A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORIES AND THEIR FORMATION

Номер патента: US20120002477A1. Автор: Sinha Nishant,Tang Sanh D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Slewing mechanism

Номер патента: RU2063924C1. Автор: В.А. Потапов,Ю.Ф. Тимин,В.С. Анисимов,Б.Н. Слепов. Владелец: Акционерное общество закрытого типа Интеллектуально-технологический сервис "КРОС". Дата публикации: 1996-07-20.

Roller bearing improvement

Номер патента: CA1051076A. Автор: Hilarius S. Struttmann. Владелец: Borg Warner Corp. Дата публикации: 1979-03-20.

Method for Making Internally Overlapped Conditioners

Номер патента: US20120000045A1. Автор: Anthony William M.,Anthony David,Anthony Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ADJACENT PLATED THROUGH HOLES WITH STAGGERED COUPLINGS FOR CROSSTALK REDUCTION IN HIGH SPEED PRINTED CIRCUIT BOARDS

Номер патента: US20120000701A1. Автор: . Владелец: Amphenol Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ENHANCED METAMATERIAL ANTENNA STRUCTURES

Номер патента: US20120001826A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CRLH ANTENNA STRUCTURES

Номер патента: US20120001804A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICAL CONNECTOR FOR AN ELECTRONIC MODULE

Номер патента: US20120003871A1. Автор: . Владелец: TYCO ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

WIND TURBINE BLADE WITH A LIGHTNING PROTECTION SYSTEM

Номер патента: US20120003094A1. Автор: . Владелец: LM GLASFIBER A/S. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR STIMULATION OF BIOLOGICAL TISSUE

Номер патента: US20120004580A1. Автор: Wagner Timothy Andrew,Eden Uri Tzvi. Владелец: HIGHLAND INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.