A method for forming a virtual-ground flash eprom array with floating gates that are self aligned to the field oxide regions of the array
Номер патента: WO1995025345A1
Опубликовано: 21-09-1995
Автор(ы): Albert Bergemont
Принадлежит: National Semiconductor Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-09-1995
Автор(ы): Albert Bergemont
Принадлежит: National Semiconductor Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
A method for forming a virtual-ground flash eprom array with floating gates that are self aligned to the field oxide regions of the array
Номер патента: EP0698287A1. Автор: Albert Bergemont. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-02-28.