Integrated circuitry, a memory array comprising strings of memory cells, a method used in forming a conductive via, a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells.

Integrated circuitry, a memory array comprising strings of memory cells, a method used in forming a conductive via, a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11915974B2
Опубликовано: 27-02-2024
Автор(ы): Alyssa N. SCARBROUGH, John D. Hopkins, Shuangqiang Luo
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated Circuitry, A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells, A Method Used In Forming A Conductive Via, A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203791A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4385295A1. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210358938A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220130859A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Methods of forming a conductive line

Номер патента: US20030071356A1. Автор: Jigish Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Electronic component of integrated circuitry and a method of forming a conductive via to a region of semiconductor material

Номер патента: US09754889B2. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory cell, memory array and method for defining active area of memory cell

Номер патента: US11610899B2. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Forming a contact for a semiconductor device

Номер патента: US09917060B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Zuoguang Liu,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Forming a contact for a semiconductor device

Номер патента: US20180114861A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Zuoguang Liu,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP3785308A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Method of forming semiconductor device having a conductive via structure

Номер патента: US20160005645A1. Автор: Kuo-Chin Chang,Yuh Chern Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Method of forming semiconductor device having a conductive via structure

Номер патента: US9514978B2. Автор: Kuo-Chin Chang,Yuh Chern Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Integration of via and bottom electrode for memory cell

Номер патента: US20240379533A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12027495B2. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210280562A1. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200185352A1. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

A method for forming an interconnection structure

Номер патента: EP4372793A1. Автор: Zsolt Tokei,Anshul Gupta,Stefan Decoster. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-22.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods including a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895835B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20200227327A1. Автор: Hiroshi Toyama,Shigeru Sugioka,Kiyonori Oyu,Jung Chul Park,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20190355631A1. Автор: Hiroshi Toyama,Shigeru Sugioka,Kiyonori Oyu,Jung Chul Park,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming a conductive contact structure to an embedded memory device on an ic product and a corresponding ic product

Номер патента: US20210193573A1. Автор: Hyung Woo Kim,Nicholas LiCausi,Julien Frougier,Keith Donegan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274525A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Multitier arrangements of integrated devices, and methods of protecting memory cells during polishing

Номер патента: US11688699B2. Автор: Mihir BOHRA,Tarun Mudgal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Multitier Arrangements of Integrated Devices, and Methods of Protecting Memory Cells During Polishing

Номер патента: US20220093529A1. Автор: Mihir BOHRA,Tarun Mudgal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Conductive via of integrated circuitry, memory array comprising strings of memory cells, method of forming a conductive via of integrated circuitry, and method of forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11972978B2. Автор: Yiping Wang,Collin Howder,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057441A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11791202B2. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Integrated circuitry, memory circuitry comprising strings of memory cells, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: WO2023080956A1. Автор: Rui Zhang,Nancy M. LOMELI,Shuangqiang Luo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210143054A1. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4059052A1. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Memory Circuitry And Methods Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240170066A1. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11864387B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20240081067A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2021041026A1. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792991B2. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Structure of integrated circuitry and a method of forming a conductive via

Номер патента: US09960114B1. Автор: Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Naoyoshi Kobayashi,Andrew L. Li,Katsumi Koge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuitry, dram circuitry, and methods used in forming integrated circuitry

Номер патента: WO2019216966A1. Автор: Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-14.

Integrated Circuitry, Memory Integrated Circuitry, And Methods Used In Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20190371728A1. Автор: Bo Zhao,Lifang Xu,Eldon Nelson,Matthew Park,Matthew J. King,M. Jared Barclay,Michael J. Gossman,Jason Reece. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array comprising memory cells individually comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US12004354B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US20010010969A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US20020013047A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: WO2000014792A1. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-03-16.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US6753241B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-22.

Contact openings, electrical connections and interconnections for integrated circuitry

Номер патента: US6476490B1. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-05.

Integrated circuitry, memory circuitry comprising strings of memory cells, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: US11961801B2. Автор: David H. Wells,Lifang Xu,Paolo Tessariol,Umberto Maria Meotto,Harsh Narendrakumar Jain,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Protecting memory cells from in-process charging effects

Номер патента: US20190206498A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Methods of forming a conductive contact structure to an embedded memory device on an ic product and a corresponding ic product

Номер патента: US20210193584A1. Автор: Hyung Woo Kim,Nicholas LiCausi,Julien Frougier,Keith Donegan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Methods and apparatus for etching a conductive layer to improve yield

Номер патента: US5849641A. Автор: David R. Arnett,Jeffrey V. Musser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1998-12-15.

Method of manufacturing a semiconductor device including a conductive line

Номер патента: US20240079456A1. Автор: Jung Woo Park,Tae Kyun Kim,Jun Ki Kim,Jae Man Yoon,Jae Won Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for forming a lower electrode by using an electroplating method

Номер патента: US6451666B2. Автор: Kwon Hong,Chung-Tae Kim,Hyung-Bok Choi,Heung-Sik Kwak. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-17.

Forming a contact for a tall fin transistor

Номер патента: US09837277B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Forming a contact for a tall fin transistor

Номер патента: US20180068858A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for processing a substrate and a method of process screening for integrated circuits

Номер патента: US09406572B2. Автор: Andreas Moser,Peter Irsigler,Rudolf Zelsacher,Erich Griebl,Manfred Pirker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of forming a semiconductor device comprising titanium silicon oxynitride

Номер патента: US10032625B2. Автор: Xiong-Fei Yu,Cheng-Hao Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

A method for obtaining an integrated device comprising using an etching mask to define dicing lines

Номер патента: EP4376064A1. Автор: Florent Tanay,Florent LALLEMAND,Maxime LEMENAGER,Francois Le Cornec. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Forming a silicide in predetermined areas of a semiconductor device

Номер патента: US5985744A. Автор: Jong Wan Jung. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-16.

Methods for forming interconnections between top electrodes in memory cells by a two-step chemical-mechanical polishing (CMP) process

Номер патента: US09443763B2. Автор: Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor method of making electrical connection between an electrically conductive line and a node location, and integrated circuitry

Номер патента: US20010010968A1. Автор: Monte Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Methods Of Forming A Plurality Of Conductive Lines In The Fabrication Of Integrated Circuitry, Methods Of Forming An Array Of Conductive Lines, And Integrated Circuitry

Номер патента: US20110266689A1. Автор: Ming Zhang,Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming a plurality of conductive lines in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming an array of conductive lines, and integrated circuitry

Номер патента: SG175834A1. Автор: Ming Zhang,Sanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Methods of manufacturing a semiconductor device by forming a separation trench

Номер патента: US09935055B2. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Poelzl,Georg Ehrentraut,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of Manufacturing a Semiconductor Device by Forming a Separation Trench

Номер патента: US20170012002A1. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Poelzl,Georg Ehrentraut,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-12.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Method of forming a field effect transistor and methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US6939799B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Methods of forming conductive contacts to conductive structures, and integrated circuitry

Номер патента: US20030075799A1. Автор: Thomas Figura,John Drynan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Method of forming a local interconnect

Номер патента: US20020048865A1. Автор: H. Manning. Владелец: Manning H. Montgomery. Дата публикации: 2002-04-25.

Device with a conductive feature formed over a cavity and method therefor

Номер патента: US09871107B2. Автор: Bruce M. Green,Jenn Hwa Huang,Vikas S. SHILIMKAR. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11856764B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240081052A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280595A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11956950B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280594A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210375903A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11925016B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: WO2020112256A1. Автор: Emilio Camerlenghi,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,M. Jared Barclay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-04.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09589962B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: WO2020226794A1. Автор: Justin B. Dorhout,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Damir Fazil. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20200127004A1. Автор: Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Eldon Nelson,John D. Hopkins,Paolo Tessariol,Nancy M. LOMELI,Indra V. Chary,Damir Fazil,Merri L. Carlson,Erik Byers,Dimitrios Pavlopoulos,Joel D. PETERSON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US09666573B1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: EP3888128A1. Автор: Emilio Camerlenghi,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-06.

Array Of Conductive Vias, Methods Of Forming A Memory Array, And Methods Of Forming Conductive Vias

Номер патента: US20160336325A1. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, And Methods Used In Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20190296023A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Memory cells, methods of forming an array of two transistor-one capacitor memory cells, and methods used in fabricating integrated circuitry

Номер патента: US10622363B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Two Transistor-One Capacitor Memory Cells, And Methods Used In Fabricating Integrated Circuitry

Номер патента: US20200219886A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for manufacturing a memory device and memory device manufactured through the same method

Номер патента: US20240237365A1. Автор: Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20190288034A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Integrated circuit, construction of integrated circuitry, and method of forming an array

Номер патента: WO2020023087A1. Автор: Kevin R. Shea,Gurpreet Lugani,Alex Kogan,Kyle B. Campbell,Mario J. DI CINO,Aaron W. FREESE. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-30.

Integrated Circuit, Construction Of Integrated Circuitry, And Method Of Forming An Array

Номер патента: US20200035498A1. Автор: Kevin R. Shea,Gurpreet Lugani,Alex Kogan,Kyle B. Campbell,Mario J. DI CINO,Aaron W. FREESE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Integrated circuit, construction of integrated circuitry, and method of forming an array

Номер патента: EP3776645A1. Автор: Kevin R. Shea,Gurpreet Lugani,Alex Kogan,Kyle B. Campbell,Mario J. DI CINO,Aaron W. FREESE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

Contact strap for memory array

Номер патента: US09842844B2. Автор: Sung Mun Jung,Jianbo Yang,Ling Wu,Kian Hong LIM. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device with electrode connecting to circuit chip through memory array chip

Номер патента: US09558945B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing a memory device and memory device manufactured through the same method

Номер патента: US11943938B2. Автор: Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125920A1. Автор: Yi Hu,Harsh Narendrakumar Jain,Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Process for forming a semiconductor device having a conductive member that protects field isolation during etching

Номер патента: US5966619A. Автор: David Burnett,Craig Swift,Wei-Hua Liu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution

Номер патента: US6171512B1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Nobuhiko Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-01-09.

Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution

Номер патента: CA2061264C. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Nobuhiko Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Semiconductor device, fabricating method thereof, and fabricating method of memory

Номер патента: US09899396B1. Автор: Chih-Hsiung Lee,Chien-Ying Lee,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11569120B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory integrated circuitry comprising locos and methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US20010013612A1. Автор: Luan Tran,Alan R Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Memory array with salicide isolation

Номер патента: US20020182797A1. Автор: Ming-Hung Chou,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Jui-Lin Lu,Shou-Wei Hwang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory integrated circuitry

Номер патента: US20010052612A1. Автор: Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Memory integrated circuitry

Номер патента: WO1998048460A1. Автор: Alan R. Reinberg,Luan C. Tran. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1998-10-29.

Method of forming integrated circuitry

Номер патента: US6933207B2. Автор: Alan R. Reinberg,Luan Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-23.

Integrated circuit devices and methods of forming memory array and peripheral circuitry isolation

Номер патента: US20130249050A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Integrated Circuit Devices And Methods Of Forming Memory Array And Peripheral Circuitry Isolation

Номер патента: US20130087883A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Memory Arrays And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20210375992A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory Arrays And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20190386063A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Memory Arrays And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20180277602A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US09536613B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Scalable split gate memory cell array

Номер патента: US09685339B2. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong,Ronald J. Syzdek. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Method of making a three-dimensional memory array with etch stop

Номер патента: US09437606B2. Автор: Masanori Terahara,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Hirofumi Watatani,Jayavel Pachamuthu,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170148887A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench at least partially filled with a conductive material in a semiconductor substrate

Номер патента: US09842904B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor manufacturing method using two-stage annealing

Номер патента: US20040248351A1. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US7276752B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Manufacturing method of static random access memory cell

Номер патента: US20200135743A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Kuo-Hung Lo,Shau-Wei LU,Jordan HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of producing a multi-bit flash memory cell and such a cell and device implants ions into channel, forms a dielectric tunnel layer followed by floating and control gates

Номер патента: DE102006058002A1. Автор: Cheol Sang Icheon Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Photoresist composition and method of forming a photoresist pattern with a controlled remnant ratio

Номер патента: US20030049565A1. Автор: Jeong-lim Nam,Dae-Youp Lee,Do-yul Yoo,Jeung-woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-13.

Method of Forming a Silicided Gate Utilizing a CMP Stack

Номер патента: US20080268631A1. Автор: Freidoon Mehrad,Frank Scott Johnson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Method of forming capacitors, method of processing dielectric layers, method of forming a DRAM cell

Номер патента: US6165834A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Vishnu K. Agarwal,Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

Methods and structures for forming a tight pitch structure

Номер патента: US20190189443A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method of forming a GaN sensor having a controlled and stable threshold voltage in the sensing area

Номер патента: US11843043B2. Автор: Yakov Roizin,Ruth Shima-Edelstein,Ronen Shaul,Alex Sirkis,Roy Strul,Anatoly Sergienko,Liz Poliak,Ido Gilad. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Method Of Forming A GaN Sensor Having A Controlled And Stable Threshold Voltage

Номер патента: US20210242326A1. Автор: Yakov Roizin,Ruth Shima-Edelstein,Ronen Shaul,Alex Sirkis,Roy Strul,Anatoly Sergienko,Liz Poliak,Ido Gilad. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022164602A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory arrays comprising operative channel-material strings and dummy pillars

Номер патента: US20240321727A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125919A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Construction Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming An Elevationally-Extending Conductor Laterally Between A Pair Of Structures

Номер патента: US20190139893A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory Arrays

Номер патента: US20190198520A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Structures and methods for memory cells

Номер патента: US20200083225A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Aaron D. Lilak,Sean T. MA,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory arrays

Номер патента: USRE49715E1. Автор: Sanh D. Tang,Fred D. Fishburn,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

A construction of integrated circuitray and a method of forming an elevationally-extending conductor laterally between a pair of structures

Номер патента: WO2018194713A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-25.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US12114479B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory array capable of performing byte erase operation

Номер патента: US09847133B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Laser programmable memory array

Номер патента: US4872140A. Автор: Andrew C. Graham,David C. MacMillan. Владелец: Gazelle Microcircuits Inc. Дата публикации: 1989-10-03.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US20210151438A1. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Neural network inference accelerator based on one-time-programmable (otp) memory arrays with one-way selectors

Номер патента: US20210134379A1. Автор: Liang Zhao. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

ELECTRONIC DEVICE HAVING FLASH MEMORY ARRAY FORMED IN AT DIFFERENT LEVEL THAN VARIABLE RESISTANCE MEMORY CELLS

Номер патента: US20160071909A1. Автор: LEE Hyung-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Integrated circuitry, memory arrays comprising strings of memory cells, methods used in forming integrated circuitry, and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12087632B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Corey Staller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11737278B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Integrated Circuitry Comprising A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230422503A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792983B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12096633B2. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuitry, a method used in forming integrated circuitry, and a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11844202B2. Автор: Purnima Narayanan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230088904A1. Автор: Purnima Narayanan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240244840A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated Circuitry And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230363163A1. Автор: John D. Hopkins,Ayssa N. Scarbrough. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071931A1. Автор: Rita J. Klein,Yongjun Jeff Hu,Daniel Billingsley,Tom George,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: EP4010923A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: WO2021025748A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Operative Through-Array-Vias

Номер патента: US20210043644A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: US12010836B2. Автор: David Daycock,Prakash Rau Mokhna Rau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11937428B2. Автор: Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20230337429A1. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230307368A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220077186A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210175247A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057433A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230209827A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210399012A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Chandra Twari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057440A1. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Method used in forming a memory array comprising strings of memory cells and using bridges in sacrificial material in a tier

Номер патента: US11974429B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240047346A1. Автор: Mathew Thomas,Yucheng Wang,Chandra Tiwari,Rutuparna Narulkar,Dmitry MIKULIK,Erica A. Ellingson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of forming split-gate memory cell array along with low and high voltage logic devices

Номер патента: US9496369B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240074182A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240074183A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Transistors, Memory Arrays, And Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Transistor

Номер патента: US20210335793A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Transistors, memory arrays, and methods used in forming an array of memory cells individually comprising a transistor

Номер патента: WO2021216249A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-28.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Self-aligned embedded phase change memory cell

Номер патента: US20200161370A1. Автор: Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory Array And A Method Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20200144283A1. Автор: John D. Hopkins,Changhan Kim,Collin Howder,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory Circuitry And Methods Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240268118A1. Автор: Patrick White,Darwin A. Clampitt,Kevin Y. Titus,Steven P. Turini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190198509A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of forming split-gate memory cell array along with low and high voltage logic devices

Номер патента: EP3248220A1. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

Methods and apparatus for pattern matching having memory cell pairs coupled in series and coupled in parallel

Номер патента: US10622072B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

Methods and apparatus for pattern matching in a memory containing sets of memory elements

Номер патента: US10984864B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240047362A1. Автор: Yiping Wang,Collin Howder,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240071932A1. Автор: Chandra Tiwari,Jivaan Kishore Jhothiraman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140252418A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Sonos memory cells having non-uniform tunnel oxide and methods for fabricating same

Номер патента: US20130277732A1. Автор: Gang Xue,Shenqing Fang,Wenmei Li,Inkuk Kang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-10-24.

Access circuitry structures for three-dimensional memory array

Номер патента: US20240088044A1. Автор: Taehyun Kim,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09837469B1. Автор: Sameer S. Haddad,Seungmoo Choi. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit memory devices having dummy memory cells therein for inhibiting memory failures

Номер патента: US5867434A. Автор: Sang-Seok Kang,Jin-Seok Lee,Chang-hag Oh,Jeon-hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-02.

Nonvolatile pmos two transistor memory cell and array

Номер патента: WO1999019880A1. Автор: Nader Radjy,Vikram Kowshik,Shang-De Ted Chang,Andy Teng-Feng Yu. Владелец: Programmable Microelectronics Corporation. Дата публикации: 1999-04-22.

Automated determination and display of the physical location of a failed cell in an array of memory cells

Номер патента: EP1307912A2. Автор: Suntra Anuntapong,Surasit Phurikhup,Wannee Soiluck. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-05-07.

Automated determination and display of the physical location of a failed cell in an array of memory cells

Номер патента: WO2002003450A2. Автор: Suntra Anuntapong,Surasit Phurikhup,Wannee Soiluck. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-01-10.

Methods of forming a channel region of a transistor and method used in forming a memory array

Номер патента: EP3704742A1. Автор: Jie Li,David H. Wells,Kunal Shrotri,Anish A. Khandekar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-09.

Methods Of Forming A Channel Region Of A Transistor And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20190198320A1. Автор: Jie Li,David H. Wells,Kunal Shrotri,Anish A. Khandekar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Methods of forming a channel region of a transistor and method used in forming a memory array

Номер патента: WO2019133274A1. Автор: Jie Li,David H. Wells,Kunal Shrotri,Anish A. Khandekar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated circuitry, method used in the fabrication of a vertical transistor, and method used in the fabrication of integrated circuitry

Номер патента: US12057493B2. Автор: Masihhur R. Laskar,Hung-Wei Liu,Jeffery B. Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Staircase structures for accessing three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240021521A1. Автор: Yiping Wang,Collin Howder,Harsh Narendrakumar Jain,Martin Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated Circuitry, Method Used In The Fabrication Of A Vertical Transistor, And Method Used In The Fabrication Of Integrated Circuitry

Номер патента: US20240355909A1. Автор: Masihhur R. Laskar,Hung-Wei Liu,Jeffery B. Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming low height split gate memory cells

Номер патента: US09972493B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20230395513A1. Автор: Yiping Wang,Collin Howder,Harsh Narendrakumar Jain,Jordan Chess. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240074202A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates

Номер патента: US10249631B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: US09972630B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

MEMORY DEVICE HAVING STITCHED ARRAYS OF 4 F+hu 2 +l MEMORY CELLS

Номер патента: US20150214278A1. Автор: Jing Zhang,Yiming Huai,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using heterostructured cathodes

Номер патента: US20170229464A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using buried metal cathode lines

Номер патента: US20170229465A1. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using heterostructured cathodes

Номер патента: US09899390B2. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods and systems for reducing electrical disturb effects between thyristor memory cells using buried metal cathode lines

Номер патента: US09812454B2. Автор: Valery Axelrad,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Method and system for forming straight word lines in a flash memory array

Номер патента: US7488657B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kazuhiro Mizutani,Zhigang Wang,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang,Pavel Fastenko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-10.

Methods of forming structures with a focused ion beam for use in atomic force probing and structures for use in atomic force probing

Номер патента: US8377722B2. Автор: David Raymond Goulet,Walter Victor Lepuschenko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Memory Arrays And Methods Of Forming An Array Of Memory Cell

Номер патента: US20160126290A1. Автор: Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Memory Arrays And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20180277602A1. Автор: Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory Arrays And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20190386063A1. Автор: Sills Scott E.,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-19.

Three gate non-volatile memory cell

Номер патента: CA1196419A. Автор: Arthur L. Lancaster. Владелец: Inmos Corp. Дата публикации: 1985-11-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having a conductive field plate and a first well

Номер патента: US11527624B2. Автор: Po-Yu Chen,Wan-Hua Huang,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

A method for manufacturing a light emitting diode

Номер патента: EP2649654A1. Автор: Mustafa Anutgan,Bayram Katircioglu,Tamila Anutgan,Ismail Atilgan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-16.

Tunable resistive random access memory cell

Номер патента: US20230397514A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Magnetic tunnel junction structures having bended tips at both ends thereof, magnetic random access memory cells employing the same and photo masks used in formation thereof

Номер патента: KR100541558B1. Автор: 남경태,이장은,오세충,배준수,김현조,하영기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-11.

Method and Apparatus for Operating a String of Charge Trapping Memory Cells

Номер патента: US20070069284A1. Автор: Chih Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of providing a semiconductor structure with forming a sacrificial structure

Номер патента: US20130334624A1. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190371920A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of forming a gate spacer

Номер патента: US09876098B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09960234B2. Автор: Kirk HUANG,Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Structure and method to form a FinFET device

Номер патента: US09525069B2. Автор: Effendi Leobandung,Andres Bryant,Tenko Yamashita,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

And a method for producing a coating liquid for forming a transparent conductive film

Номер патента: TWI460141B. Автор: Yoshihiro Otsuka,Yuki Murayama,Masaya Yukinobu. Владелец: Sumitomo Metal Mining Co. Дата публикации: 2014-11-11.

Structure and method to form a finfet device

Номер патента: US20170047350A1. Автор: Effendi Leobandung,Andres Bryant,Tenko Yamashita,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20200066881A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Structure and method to form a finfet device

Номер патента: US20150303272A1. Автор: Effendi Leobandung,Andres Bryant,Tenko Yamashita,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Memory array and method used in forming a memory array

Номер патента: WO2023014463A1. Автор: Pankaj Sharma,Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071498A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343393A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Jordan D. GREENLEE,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: WO2020149917A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-23.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: US11805653B2. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: EP3912191A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: US20240147729A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated Circuitry, Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells, Methods Used In Forming Integrated Circuitry, And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230389314A1. Автор: David H. Wells,Amritesh Rai,Pengyuan Zheng,Adam Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889683B2. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240138145A1. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Integrated circuitry and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022046413A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343394A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240071495A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Silvia Borsari,Shuangqiang Luo,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240355391A1. Автор: Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta,Matthew J. King,Pengyuan Zheng,Ravi Jadhav. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20230395494A1. Автор: Jivaan Kishore Jhothiraman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Circuitry And Methods Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240274526A1. Автор: Satoru Sugiyama,Soichi Sugiura,Hiromitsu OSHIMA,Jeffery B. Hull,Tsuyoshi Tomoyama,Protyush Sahu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210143142A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210066272A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory array with one shared deep doped region

Номер патента: US09941011B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wen-hao Ching,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12074156B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US12100447B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12029023B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20230301049A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20210272967A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated assemblies comprising sense-amplifier-circuitry and wordline-driver-circuitry under memory cells of a memory array

Номер патента: US10957681B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Memory array with memory cells arranged in pages

Номер патента: US09466392B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Ching-Sung Yang,Shih-Chen Wang,Wei-Chen Chang,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory having memory cell string and coupling components

Номер патента: US20200007896A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory having memory cell string and coupling components

Номер патента: US20190089990A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory having memory cell string and coupling components

Номер патента: US09780110B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Block architecture for vertical memory array

Номер патента: US09691820B2. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

One-time programmable memory cell capable of reducing leakage current and preventing slow bit response, and method for programming a memory array comprising the same

Номер патента: US09601499B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and a common plate

Номер патента: US11776907B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Array of non-volatile memory cells with ROM cells

Номер патента: US09601500B2. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xian Liu,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated Circuitry, Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells, And Methods Used In Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20240243072A1. Автор: Richard T. Housley,Harsh Narendrakumar Jain,Kar Wui Thong,Manampurathu Sivaramapanicker Suresh Kumar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220005819A1. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Integrated circuitry, a method used in forming integrated circuitry, and a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11495610B2. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230395149A1. Автор: Rita J. Klein,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,David Ross Economy,Everett A. McTeer,Jiewei Chen,Aaron P. Thurber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210151454A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: EP3925005A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory Array and Methods Used in Forming a Memory Array

Номер патента: US20240244837A1. Автор: Haitao Liu,Luan C. Tran,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230397420A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230290860A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11967632B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380158A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210376122A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11411012B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320085A1. Автор: Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380159A1. Автор: Zhaohui Ma,John D. Hopkins,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Damir Fazil,Joel D. PETERSON,Tom John. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320092A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240074179A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Damir Fazil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230345723A1. Автор: Yiping Wang,Adam W. Saxler,Narula Bilik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230386575A1. Автор: Adam W. Saxler,John D. Hopkins,Collin Howder,Haoyu Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240046989A1. Автор: Lifang Xu,Shuangqiang Luo,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377653A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20230389312A1. Автор: Taehyun Kim,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022240496A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377652A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11996151B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Methods including a method of forming a stack and isotropically etching material of the stack

Номер патента: US11948639B2. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057428A1. Автор: Yiping Wang,Yi Hu,Xiaosong Zhang,Ramey M. Abdelrahaman,Matthew J. King,David NEUMEYER,Daniel Billingsley,Chandra Tiwari,Andrew Li,Wei Yeeng Ng,Narula Bilik,Lance Williamson,Zhenyu Bo,Joan M. Kash,Yung K. Pak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230207631A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory array and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022103538A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240098993A1. Автор: Adam W. Saxler,Sidhartha Gupta,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20230389313A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated Circuitry, Array Of Cross-Point Memory Cells, Method Used In Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20230371282A1. Автор: Kevin Baker,David A. Kewley,Trupti D. Gawai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory array and methods used in forming a memory array

Номер патента: US11937423B2. Автор: Haitao Liu,Luan C. Tran,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240029795A1. Автор: Lifang Xu,Harsh Narendrakumar Jain,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory Circuitry Comprising A Vertical String Of Memory Cells And A Conductive Via And Method Used In Forming A Vertical String Of Memory Cells And A Conductive Via

Номер патента: US20170352677A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh,Hongbin Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240071496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230317800A1. Автор: LEI Wei,Gurpreet Lugani,Sumeet C. Pandey,Dhirendra Dhananjay Vaidya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: US11640837B2. Автор: Armin Saeedi Vahdat,Richard J. Hill,Aaron Michael Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210257012A1. Автор: Armin Saeedi Vahdat,Richard J. Hill,Aaron Michael Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US09865332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory array

Номер патента: US20140160853A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140256100A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory array

Номер патента: US20140169099A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory arrays

Номер патента: US09614007B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US09343545B2. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Microelectronic devices having a memory array region and a control logic region

Номер патента: US20230092320A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Microelectronic devices having a memory array region, a control logic region, and signal routing structures

Номер патента: US12068272B2. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory array circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory array circuit

Номер патента: US12112829B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory array with strap cells

Номер патента: US09847120B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US09679909B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory cell

Номер патента: EP1280209A3. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-05-12.

Dual mode memory cell apparatus and methods

Номер патента: US20160365510A1. Автор: Srinath Ramaswamy,Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Memory cells which include transistors having gap channel material

Номер патента: EP3639298A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: EP1166364A1. Автор: John Caywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-02.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2000057483A1. Автор: John Caywood. Владелец: John Caywood. Дата публикации: 2000-09-28.

Methods used in fabricating integrated circuitry and methods of forming 2T-1C memory cell arrays

Номер патента: US11968821B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory block, memory-cell group and memory device

Номер патента: US20240172438A1. Автор: Qiong Zhan,Kaiwei CAO. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Transformed non-reprogrammable memory array devices and methods of manufacture

Номер патента: US10755777B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-08-25.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming a capacitor in a memory cell in a dynamic random access memory device

Номер патента: US5897983A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kazuki Yokota,Masanobu Zenke,Tomomi Kurokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US11812670B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US20210336126A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US20230078730A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile register file including memory cells having conductive oxide memory element

Номер патента: US20180331281A1. Автор: Brian Doyle,Sasikanth Manipatruni,Dmitri E. Nikonov,Ian Young,Elijah Ilya KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming resistive memory cell having a spacer region under an electrolyte region and a top electrode

Номер патента: US09865813B2. Автор: Paul Fest. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming memory arrays

Номер патента: US09673393B2. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory arrays with a memory cell adjacent to a smaller size of a pillar having a greater channel length than a memory cell adjacent to a larger size of the pillar and methods

Номер патента: US09391082B2. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US11950422B2. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers of Insulative Material and Memory Cells and Methods of Forming a Memory Array

Номер патента: US20230403867A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240029794A1. Автор: H. Montgomery Manning,Lifang Xu,Harsh Narendrakumar Jain,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: EP3679605A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20230041396A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: EP3711093A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2019133219A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20210118892A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A4. Автор: Albert S Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: WO2005104243A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-03.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Memory cell and method used in forming a memory cells

Номер патента: US12133383B2. Автор: Ashok Kumar Muthukumaran,Ramanathan GANDHI,Donghua LI,Venkatakrishnan Sriraman,Dae Hong EOM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

High-density EEPROM arrays having parallel-connected common-floating-gate NFET and PFET as memory cell

Номер патента: US09947677B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory arrays

Номер патента: US09881971B2. Автор: Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory cell array and cell structure thereof

Номер патента: US09768298B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory cell having dielectric memory element

Номер патента: US09721655B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Stacked vertical memory array architectures, systems and methods

Номер патента: US09672917B1. Автор: Yanli Zhang,Henry Chien,Yao-Sheng Lee,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar

Номер патента: US09455266B2. Автор: Theodore T. Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Integrated circuit constructions comprising memory and methods used in the formation of integrated circuitry comprising memory

Номер патента: US11785781B2. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Array Of Capacitors, Array Of Memory Cells, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20240237330A1. Автор: Andrea Gotti,Jordan D. GREENLEE,Silvia Borsari,David McShannon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Concurrent compensation in a memory system

Номер патента: US20240274720A1. Автор: Hiroshi Akamatsu,Kenji Yoshida,WonJun CHOI,Jacob Rice. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory cell array with semiconductor selection device for multiple memory cells

Номер патента: US20140097503A1. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Memory cell array with semiconductor selection device for multiple memory cells

Номер патента: US8981463B2. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Memory device having shared read/write data line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: EP3903349A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20220375950A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US12069847B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory cell array with semiconductor selection device for multiple memory cells

Номер патента: US20130207202A1. Автор: Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20170148852A1. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Charge-trapping memory arrays resistant to damage from contact hole formation

Номер патента: GB2415091B. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-04-05.

P-Channel germanium on insulator (GOI) one transistor memory cell

Номер патента: US20090256206A1. Автор: Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Method for reading out a resistive memory cell and a memory cell for carrying out the method

Номер патента: US09865343B2. Автор: Ilia Valov,Rainer Waser,Jan Van Den Hurk,Elke Linn. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods for operating a memory array

Номер патента: US09851913B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Three dimensional memory arrays and stitching thereof

Номер патента: US09627438B1. Автор: Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory array architecture with two-terminal memory cells

Номер патента: US09620206B2. Автор: Wei Lu,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Arrays of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09553262B2. Автор: Jun Liu,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor integrated circuitry and method for manufacturing the circuitry

Номер патента: US20040147077A1. Автор: Kenichi Kuroda,Masayuki Kojima,Kozo Watanabe,Kiyonori Ohyu,Masahiro Moniwa,Atsushi Ogishima,Syunichi Hashimoto,Nozomu Matsuda. Владелец: Nozomu Matsuda. Дата публикации: 2004-07-29.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US20220115061A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory device having 2-transistor memory cell and access line plate

Номер патента: US20240138158A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory device having 2-transistor memory cell and access line plate

Номер патента: US11871589B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory array architecture, and method of controlling same

Номер патента: US20070241405A1. Автор: Gregory Allan Popoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory cell suitable for dram memory

Номер патента: EP2225773A2. Автор: Sophie Puget,Pascale L. A. Mazoyer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Array of capacitors, array of memory cells, and methods used in forming an array of capacitors

Номер патента: WO2024151576A1. Автор: Andrea Gotti,Jordan D. GREENLEE,Silvia Borsari,David McShannon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Connector housing assembly and method for housing a connector contact connecting a wire to a conducting lead in a piece of foil

Номер патента: CA2602702A1. Автор: Auke Gerardus Talma,Jozef Maria Theodorus Lenssen,Paulus Marinus Gezina Maria Peters. Владелец: Paulus Marinus Gezina Maria Peters. Дата публикации: 2006-10-05.

A method of preparation of a composite material based on a conductive polymer

Номер патента: GB9116966D0. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2009-12-23.

Electrochemical cell, power generation method using electrochemical cell, and method for producing hydrogen gas using electrochemical cell

Номер патента: EP4386914A1. Автор: Yoshimi Okada,Kenichi Imagawa,Daisuke Kurosaki,Takuo YASUNISHI. Владелец: Chiyoda Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Passive devices formed in grooves on a substrate and a method of manufacture

Номер патента: US7286029B2. Автор: Mojtaba Joodaki. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2007-10-23.

A method for manufacturing a sintered body for forming a sintered magnet and a method for manufacturing a permanent magnet using a sintered body for forming a sintered magnet.

Номер патента: JP7063812B2. Автор: 憲一藤川,貴士山本,宏史江部,出光尾関. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2022-05-09.

Method for constructing passive devices on a substrate and a device fabricated in accordance with such a method

Номер патента: US20050248422A1. Автор: Mojtaba Joodaki. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2005-11-10.

Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays

Номер патента: US8674336B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Semiconductor memory device including a 3-dimensional memory cell array and a method of operating the same

Номер патента: US20160071596A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20120235108A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: EP2393957A1. Автор: John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-14.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: WO2010090900A1. Автор: John Smythe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-08-12.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20100288994A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Memory cell having GeN-containing material and variable resistance material embedded within insulating material

Номер патента: US8193607B2. Автор: John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Angiopoietin-like 4 and a method of its use in wound healing

Номер патента: US09931371B2. Автор: Nguan Soon Tan,Han Chung Kelvin Chong. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming memory cell using gas cluster ion beams

Номер патента: US20100193780A1. Автор: John Smythe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-05.

Angiopoietin-like 4 and a method of its use in wound healing

Номер патента: US10517075B2. Автор: Nguan Soon Tan,Han Chung Kelvin Chong. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-24.

Angiopoietin-like 4 and a method of its use in wound healing

Номер патента: US20150196616A1. Автор: Nguan Soon Tan,Han Chung Kelvin Chong. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-07-16.

Angiopoietin-like 4 and a method of its use in wound healing

Номер патента: EP2874708A1. Автор: Nguan Soon Tan,Han Chung Kelvin Chong. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-05-27.

Angiopoietin-like 4 and a method of its use in wound healing

Номер патента: US20180199327A1. Автор: Nguan Soon Tan,Han Chung Kelvin Chong. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

SRAM memory cell, memory cell arrangement and method for fabricating a memory cell arrangement

Номер патента: US20040099902A1. Автор: Thomas Schulz,Christian Pacha,Erhard Landgraf,Richard Luyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-27.

Memory array structures having multiple sub-blocks, apparatus containing such memory array structures, and operation of such apparatus

Номер патента: EP4397151A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory Cell With Resistance-Switching Layers Including Breakdown Layer

Номер патента: US20110310656A1. Автор: Chu-Chen Fu,Franz Kreupl,Yibo Nian. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-22.

Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer

Номер патента: WO2011159584A1. Автор: Chu-Chen Fu,Franz Kreupl,Yibo Nian. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-22.

Apparatus containing memory array structures having multiple sub-blocks

Номер патента: US12112805B2. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Streaming mode for accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US20240071476A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for fabricating a memory cell

Номер патента: US20050191806A1. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Pre-position dummy word line to facilitate write erase capability of memory apparatus

Номер патента: US12046305B2. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Modified verify scheme for programming a memory apparatus

Номер патента: US20210202022A1. Автор: Henry Chin,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Modified verify scheme for programming a memory apparatus

Номер патента: WO2021133426A1. Автор: Henry Chin,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20210082498A1. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20190325951A1. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US10861535B2. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

System and method for electrical charge transfer across a conductive medium

Номер патента: US09583954B2. Автор: Edin Insanic,Joshua Michael Cochin,Benjamin Phillip Bromberg,Will E. Leland. Владелец: Raytheon BBN Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Resistance variable memory cells and methods

Номер патента: US20120280195A1. Автор: Fabio Pellizzer,Federica Zanderigo,Andrea Piergiuseppe Marchelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20090250681A1. Автор: John Smythe,Gurtej Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays

Номер патента: US8034655B2. Автор: John Smythe,Gurtej Sandhu,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-11.

Memory devices including strings of memory cells and related systems

Номер патента: US20230380193A1. Автор: Jonghun Kim,David A. Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Connection region between adjacent memory arrays for three-dimensional memory device with terrace regions and method of making thereof

Номер патента: EP3631856A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-08.

A method and a device for reduced interference in a cellular access system

Номер патента: EP2127413A1. Автор: David Astely,Hannes Ekström,Per Skillermark,Erik Westerberg,Tobias Tynderfeldt. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2009-12-02.

Method and apparatus used in wireless communication

Номер патента: EP4451790A1. Автор: Xiaobo Zhang,Jinfang Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Systems and methodologies providing collaboration among a plurality of computing appliances, utilizing a plurality of areas of memory to store user input as associated with an associated computing appliance providing the input

Номер патента: US20190014159A9. Автор: David H. Sitrick,Russell T. Fling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-10.

Method and device used in UE and base station for wireless communication

Номер патента: US12068994B2. Автор: Xiaobo Zhang,Keying Wu. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

A method and a device for enhanced performance in a cellular wireless tdd system

Номер патента: EP2140587A1. Автор: David Astely,Hannes Ekström,Per Skillermark,Erik Westerberg,Tobias Tynderfeldt,Alireza Nejatian. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2010-01-06.

Method and apparatus used in node for wireless communication

Номер патента: EP4426015A1. Автор: YANG Hu,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Tuiluo Communication Technology Partnership LP. Дата публикации: 2024-09-04.

Method and device used in wireless communication

Номер патента: EP4443946A1. Автор: Xiaobo Zhang,Jinfang Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method and device used in node for wireless communication

Номер патента: US12127168B2. Автор: Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and apparatus used in communication node for wireless communication

Номер патента: EP4240083A1. Автор: Xiaobo Zhang,Qiaoling YU. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Method and apparatus used in communication node for wireless communication

Номер патента: EP4246851A1. Автор: Xiaobo Zhang,Qiaoling YU. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Blob pools, selectors, and command set implemented within a memory appliance for accessing memory

Номер патента: US20150177990A1. Автор: Keith Lowery,Vlad Fruchter. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-06-25.

Method and apparatus used in node for wireless communication

Номер патента: EP4451771A1. Автор: YANG Hu,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Blob pools, selectors, and command set implemented within a memory appliance for accessing memory

Номер патента: US09665533B2. Автор: Keith Lowery,Vlad Fruchter. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Read-only memory cell configuration with trench MOS transistor and widened drain region

Номер патента: US6043543A. Автор: Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-03-28.

Method and device used in wireless communication node

Номер патента: US12063183B2. Автор: Lin Yang,QI JIANG,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Tunable resistive random access memory cell

Номер патента: US12004435B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Complementary field effect transistor memory cell

Номер патента: US3882467A. Автор: Wilbur David Pricer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-05-06.

Method for monitoring a status in form of presence and/or absence of a network entity

Номер патента: EP3123667A1. Автор: Roberto BIFULCO. Владелец: NEC EUROPE LTD. Дата публикации: 2017-02-01.

A method of producing electronically resistive elements composed solely of a conductive substrate,an electrically resistive layer and suitable contactlayer

Номер патента: GB9821020D0. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-11-18.

Memory cell arrangement and a method for the production thereof

Номер патента: DE19617646C2. Автор: Wolfgang Dr Krautschneider,Franz Dr Hofmann,Joseph Dr Willer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-07-09.

Electrically erasable programmable rom memory cell array and a method of producing the same

Номер патента: EP0838092A1. Автор: Wolfgang Krautschneider. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-04-29.

Semiconductor memory cell configuration and a method for producing the configuration

Номер патента: US20030169629A1. Автор: Martin Popp,Harald Seidl,Bernd Goebel,Jorn Lutzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-11.

Method and device used in UE and base station for wireless communication

Номер патента: US11362790B2. Автор: Xiaobo Zhang,Keying Wu. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Method and device used in communication node for wireless communication

Номер патента: US11825542B2. Автор: Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method and device used in communication node for wireless communication

Номер патента: US11870719B2. Автор: Lin Yang,Zheng Liu,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method and device used in communication node for wireless communication

Номер патента: US20240097849A1. Автор: Lin Yang,Zheng Liu,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method and device used in wireless communication node

Номер патента: US20240056995A1. Автор: QI JIANG,Zheng Liu,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and apparatus used in node for wireless communication

Номер патента: EP4280524A1. Автор: YANG Hu,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Method and device used in node for wireless communication

Номер патента: EP4213400A1. Автор: Lu Wu,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

A method and device for power reduction in an lte system

Номер патента: EP2193609A1. Автор: Hannes Ekström,Jacob ÖSTERLING,Tobias Tynderfeldt. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2010-06-09.

Method and device used in communication node for wireless communication

Номер патента: US20240080906A1. Автор: Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method and device used in node for wireless communication

Номер патента: EP4362535A1. Автор: YANG Hu,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Method and device used in node for wireless communication

Номер патента: EP4387140A1. Автор: YANG Hu,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method and device used in wireless communication node

Номер патента: US20230412350A1. Автор: Lin Yang,QI JIANG,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and device used in wireless communication node

Номер патента: US11784778B2. Автор: Lin Yang,QI JIANG,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus used in node for wireless communication

Номер патента: EP4395439A1. Автор: YANG Hu,Xiaobo Zhang. Владелец: Shanghai Langbo Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method and apparatus for forming a tiered wireless local area network (WLAN) server topology

Номер патента: US09674767B2. Автор: Mohnish Anumala,Alexandros Moisiadis. Владелец: Avaya Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Yellow phosphor having an increased activator concentration and a method of making a yellow phosphor

Номер патента: US09447319B2. Автор: Brian T. Collins,Iliya S. TODOROV. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

ANGIOPOIETIN-LIKE 4 AND A METHOD OF ITS USE IN WOUND HEALING

Номер патента: US20180199327A1. Автор: TAN Nguan Soon,Chong Han Chung Kelvin. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

A method and device used in radio relay networks to re-construct the topology of networks

Номер патента: EP2309794A4. Автор: Xiaobing Leng,Shan Jin,Jikang Wang,Kaibin Zhang. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2015-07-29.

A security circuit for mobile radio telephones as well as a method to be used in connection with the circuit

Номер патента: WO1991009484A1. Автор: Jens Jakobsen,Bent Dahl. Владелец: Cetelco Cellular Telephone Company A/S. Дата публикации: 1991-06-27.

A method and device used in radio relay networks to re-construct the topology of networks

Номер патента: KR101521836B1. Автор: 샨 진,시아오빙 렝,카이빈 장,지캉 왕. Владелец: 알까뗄 루슨트. Дата публикации: 2015-05-20.

Angiopoietin-like 4 and a method of its use in wound healing

Номер патента: SG11201500186VA. Автор: Nguan Soon Tan,Han Chung Kelvin Chong. Владелец: Univ Nanyang Tech. Дата публикации: 2015-02-27.

Angiopoietin-like 4 and a method of its use in wound healing

Номер патента: EP2874708A4. Автор: Nguan Soon Tan,Han Chung Kelvin Chong. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-09.

Angiopoietin-like 4 and a method of its use in wound healing

Номер патента: SG10201700054SA. Автор: Nguan Soon Tan,Han Chung Kelvin Chong. Владелец: Univ Nanyang Tech. Дата публикации: 2017-02-27.

Cryto device of memory card and data writing and reading method using its

Номер патента: KR100836758B1. Автор: 김성현,강상욱,김상범,손건한,최철준,강병윤,윤중철,최종상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-06-10.

Memory arrays having multiple strings of series-connected memory cells selectively connected in parallel, their fabrication, and their operation

Номер патента: US20240079058A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Temperature compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: US20200350015A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

3D memory array clusters and resulting memory architecture

Номер патента: US11763872B2. Автор: Bruce L. Bateman. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Temperature and leakage compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: EP3844680A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Temperature and leakage compensation for memory cells in an analog memory system for use in a deep learning neural network

Номер патента: EP4138079A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Memory configured to generate a data value from a data line connected to more than one string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190341115A1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

A construction and a method to be used in a carrier rocket or a satellit

Номер патента: EP1335852A1. Автор: Orjan Arulf,Jörgen Remmelg,Rolf Thornkvist. Владелец: SAAB Ericson Space AB. Дата публикации: 2003-08-20.

Method for preparing from cultured cells a thromboplastic reagent suitable for use in the prothrombin time test

Номер патента: US5413919A. Автор: Ray F. Ebert,Rafael P. Valdes-Camin. Владелец: Akzo NV. Дата публикации: 1995-05-09.

A method for the use in offshore crew transfer

Номер патента: EP4265513A2. Автор: Morten Paranhos Perdomo Santos Rostrøm,Mikkel Haugaard Windolf,Niels Agner Jensen. Владелец: Orsted Wind Power AS. Дата публикации: 2023-10-25.

A method for the use in offshore crew transfer

Номер патента: EP4265513A3. Автор: Morten Paranhos Perdomo Santos Rostrøm,Mikkel Haugaard Windolf,Niels Agner Jensen. Владелец: Orsted Wind Power AS. Дата публикации: 2023-11-01.

Stable adhesive composite material made of polyurethane and of another thermoplastic material, a process for its production and a method for its use in motor vehicles

Номер патента: US20020025438A1. Автор: Manfred Schmidt,Dirk Wegener,Karsten Reihs,Holger Warth,Peter Heitkamper,Werner Rabhofer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

A method suitable for use in determination of non-apoptotic sperms

Номер патента: WO2021206659A1. Автор: Seda KARABULUT. Владелец: Istanbul Medipol Universitesi. Дата публикации: 2021-10-14.

A method of registering and bonding coatings to form a part, apparatus for manufacturing a part

Номер патента: AU2003217016A1. Автор: Jonathan Hayes. Владелец: 3D Systems Inc. Дата публикации: 2003-11-11.

Reel-up for winding a paper web into a roll and a method of winding a paper web to form a roll

Номер патента: US09738476B2. Автор: Ingvar Klerelid,Per-Olof Malmqvist. Владелец: VALMET AB. Дата публикации: 2017-08-22.

A method of registering and bonding coatings to form a part, apparatus for manufacturing a part

Номер патента: EP1507645A1. Автор: Jonathan Hayes. Владелец: 3D Systems Inc. Дата публикации: 2005-02-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240381638A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory Circuitry And Methods Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240349505A1. Автор: Yiping Wang,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11765902B2. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuitry, memory arrays comprising strings of memory cells, methods used in forming integrated circuitry, and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022015629A1. Автор: John Mark Meldrim,Jivaan Kishore Jhothiraman. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023027829A1. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Haoyu Li,Grady S. Waldo,M. Jared Barclay,Andrew Li,Bhavesh Bhartia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Integrated Circuitry, Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells, And Methods Used In Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20240257875A1. Автор: Richard T. Housley,Harsh Narendrakumar Jain,Shruthi Kumara Vadivel,Zhen Feng Yow,Kah Sing Chooi,Tien Minh Quan Tran,Quinn L. Roberts,Wei Deng Leong,Nils Monserud. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory Circuitry And Methods Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240341095A1. Автор: Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory circuitry comprising a vertical string of memory cells and a conductive via and method used in forming a vertical string of memory cells and a conductive via

Номер патента: US12052863B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh,Hongbin Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230276622A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022046418A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11871566B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240164092A1. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US20240114686A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuitry, memory circuitry, method used in forming integrated circuitry, and method used in forming memory circuitry

Номер патента: US12052857B2. Автор: Russell A Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895834B2. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889696B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023033948A1. Автор: John D. Hopkins,Haoyu Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory circuitry comprising a vertical string of memory cells and a conductive via and method used in forming a vertical string of memory cells and a conductive via

Номер патента: WO2017209929A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh,Hongbin Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-12-07.

Memory Circuitry And Methods Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240172412A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Vivek Yadav,Silvia Borsari,Li Wei Fang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20070115723A1. Автор: Yin Chen,Chih Yeh,Chun SU,Ming Chin,Tzung Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US20230307039A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US12062392B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory Circuitry And Methods Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240315027A1. Автор: Collin Howder,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory cell based on a phase-change material

Номер патента: US20240334712A1. Автор: DANIEL Benoit. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory Circuitry And Methods Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240260251A1. Автор: Dong Wan Kim,Russell A. Benson,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20240345744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US20240345728A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Creating segmented source plates for sub-block definition in a memory device

Номер патента: US20240315028A1. Автор: Matthew King,Aaron S. Yip,Paolo Tessariol,Giovanni Mazzone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory Circuitry And Method Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20230422483A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory circuitry and method used in forming memory circuitry

Номер патента: US11785762B2. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory Circuitry And Methods Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240224505A1. Автор: Prashant Raghu,Ying Rui,Martin Chen,Jordan D. GREENLEE,Yen Ting Lin,Silvia Borsari,Albert P. Chan,Elisabeth Barr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Cross-point magnetoresistive random memory array and method of making thereof using self-aligned patterning

Номер патента: US12041787B2. Автор: Lei Wan,Jordan Katine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile memory array organization and usage

Номер патента: WO2005112035A3. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh,Ki-tae Park,Tomoko Ogura. Владелец: Tomoko Ogura. Дата публикации: 2006-12-07.

Nonvolatile memory array organization and usage

Номер патента: WO2005112035A2. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh,Ki-tae Park,Tomoko Ogura. Владелец: HALO LSI, INC.. Дата публикации: 2005-11-24.

Capacitive pillar architecture for a memory array

Номер патента: US11729999B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Array Of Capacitors, Array Of Memory Cells, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20240268093A1. Автор: Jieun Lee,Andrea Gotti,Hsiao Wei Liu,Jordan D. GREENLEE,Silvia Borsari,David McShannon,Kai Yen Lo,Daniel Rave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Three-dimensional memory array and operation scheme

Номер патента: US20140160836A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Memory arrays

Номер патента: US11864386B2. Автор: Sanh D. Tang,Yi Fang Lee,Martin C. Roberts,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Phase Change Memory Cell Structure

Номер патента: US20120187362A1. Автор: Chieh-Fang Chen,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20240276736A1. Автор: Daniele Vimercati,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory Circuitry And Methods Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240290387A1. Автор: Gianpietro Carnevale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Control circuitry for memory cells

Номер патента: US20120314508A1. Автор: Luca Milani,Rainer Herberholz,Justin Penfold,Kwangseok Han. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US20130021850A1. Автор: Qing Peng Yuan. Владелец: Giantec Semiconductor Ltd Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20230393766A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US11989427B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Process for forming an electrically programmable read-only memory cell

Номер патента: US5382540A. Автор: Hisao Kawasaki,Umesh Sharma. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-01-17.

Integrated circuitry for generating a clock signal in an implantable medical device

Номер патента: EP2968914A1. Автор: Jordi Parramon,Goran N. Marnfeldt,Emanuel Feldman. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Integrated circuitry for generating a clock signal in an implantable medical device

Номер патента: WO2014143206A1. Автор: Jordi Parramon,Goran N. Marnfeldt,Emanuel Feldman. Владелец: Boston Scientific Neuromdulation Corporation. Дата публикации: 2014-09-18.

2-transistor memory cell and gate structure having multiple portions

Номер патента: US20240268091A1. Автор: Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Pankaj Sharma,Nicholas R. Tapias,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory cell gate structure having multiple portions

Номер патента: WO2024167843A1. Автор: Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Pankaj Sharma,Nicholas R. Tapias,Manuj Nahar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-15.

Block-to-block isolation and deep contact using pillars in a memory array

Номер патента: US12120878B2. Автор: Liu Liu,Deepak Thimmegowda,Krishna Parat,Srivardhan Gowda,Baosuo Zhou,Jong Sun Sel,Jui-Yen Lin,Brian J. Cleereman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of forming a substrate core structure using microvia laser drilling and conductive layer pre-patterning and substrate core structure formed according to the method

Номер патента: US09648733B2. Автор: Charan Gurumurthy,Islam Salama,Yonggang Li,Hamid Azimi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Josephson tunneling memory array including drive decoders therefor

Номер патента: US3626391A. Автор: Wilhelm Anacker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-12-07.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Self-aligned memory array

Номер патента: WO2017052565A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory block select using multiple word lines to address a single memory cell row

Номер патента: WO1998014950A1. Автор: John Christian Holst,Dennis Lee Wendell. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-04-09.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: US11984161B2. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Spintronic device, memory cell, memory array and read and write circuit

Номер патента: US20240013826A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: WO2007092536A2. Автор: Aaron Yip. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-16.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Mixed-use memory array and method for use therewith

Номер патента: WO2008016419A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2008-05-22.

Method of dynamically selecting memory cell capacity

Номер патента: US09437254B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory cell selector for high-voltage set and reset operations

Номер патента: US12087359B2. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory array driver

Номер патента: US09972385B2. Автор: Brent Buchanan,Phillip David Misek. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated Circuit Having a Memory Cell Arrangement and Method for Reading a Memory Cell State Using a Plurality of Partial Readings

Номер патента: US20090185425A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Gert Koebernik,Girolamo Gallo,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Memory cell selector for high-voltage set and reset operations

Номер патента: WO2023244583A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory cell selector for high-voltage set and reset operations

Номер патента: US20230402093A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-volatile memory array architecture

Номер патента: US5801994A. Автор: Guy S. Yuen,Shang-De Ted Chang,Chinh D. Nguyen. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US20230352111A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US12014788B2. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Fault-tolerant memory array

Номер патента: US4768169A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Fast parity scan of memory arrays

Номер патента: US7565597B1. Автор: Kee W. Park,Kenneth Branth. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Compensation of back pattern effect in a memory device

Номер патента: US20110194350A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Determining a state of a memory cell

Номер патента: US20180190333A1. Автор: Thomas Kern,Christian Peters,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-07-05.

Compensation of back pattern effect in a memory device

Номер патента: US7936606B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Nonvolatile memory and a method of writing data thereto

Номер патента: US5400280A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Variable resistance memory device having equal resistances between signal paths regardless of location of memory cells within the memory array

Номер патента: US20130215665A1. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: EP1864291B1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-13.

Configuring and reconfiguring blocks of memory cells to store user data and ECC data

Номер патента: US09594676B2. Автор: Michele Incarnati,William H. Radke,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory Array Having Word Lines with Folded Architecture

Номер патента: US20130044550A1. Автор: Chulmin Jung,Myron Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Memory arrays, memory devices and methods of reading memory cells

Номер патента: US20100259990A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Full sequence program for edge word line quad-level memory cells

Номер патента: US20240363167A1. Автор: Yanjie Wang,Sisi Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Technologies for clearing a page of memory

Номер патента: US09881659B2. Автор: Tomishima Shigeki,Kuljit S. Bains,Tomer Levy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Reading of soft bits and hard bits from memory cells

Номер патента: US12046296B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Triggering of stronger write pulses in a memory device based on prior read operations

Номер патента: US12131778B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert John Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Reducing Charge Loss In Data Memory Cell Adjacent To Dummy Memory Cell

Номер патента: US20180308556A1. Автор: Yingda Dong,Nan Lu,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-25.

Methods of reading memory cells

Номер патента: US20130286739A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Asymmetrical Random Access Memory Cell, A Memory Comprising Asymmetrical Memory Cells And A Method To Operate Such A Memory

Номер патента: US20070165447A1. Автор: Otto Wagner,Anthony Gus Aipperspach,Sebastian Ehrenreich,Torsten Mahnke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Storing highly read data at low impact read disturb pages of a memory device

Номер патента: US11762767B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Giuseppina Puzzilli,Tecla Ghilardi,Vamsi Pavan Rayaprolu,James Fitzpatrick,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory cell readout using successive approximation

Номер патента: US7821826B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer. Владелец: ANOBIT TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2010-10-26.

Electrically and optically accessible memory array

Номер патента: GB1328283A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-08-30.

Methods of operating a memory with redistribution of received data

Номер патента: US20180277200A1. Автор: Junchao CHEN,Preston A. Thomson,Peiling Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Methods of operating a memory with redistribution of received data

Номер патента: US10283195B2. Автор: Junchao CHEN,Preston A. Thomson,Peiling Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

A memory device and method of performing a read operation within such a memory device

Номер патента: GB2520291A. Автор: Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2015-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device with MONOS type memory cell

Номер патента: US20040062080A1. Автор: Hiroshi Kato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20230352086A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Compensation of back pattern effect in a memory device

Номер патента: US20090135650A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US12014775B2. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Timing signal delay for a memory device

Номер патента: US20220157365A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Triggering of stronger write pulses in a memory device based on prior read operations

Номер патента: US20240071491A1. Автор: Zhongyuan Lu,Robert John Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Improved reading of soft bits and hard bits from memory cells

Номер патента: US20210350856A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Improved Reading of Soft Bits and Hard Bits from Memory Cells

Номер патента: US20220139468A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Matrix-vector multiplications based on charge-summing memory cell strings

Номер патента: EP4390926A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Matrix-Vector Multiplications Based on Charge-Summing Memory Cell Strings

Номер патента: US20240212763A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Stefan Cosemans,Jonas Doevenspeck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-27.

Erasing memory cells

Номер патента: US20190267095A1. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Programming techniques for polarity-based memory cells

Номер патента: WO2023278946A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Connecting memory cells to a data line sequentially while applying a program voltage to the memory cells

Номер патента: US09779819B1. Автор: Toru Tanzawa,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Multi-Pass Data Programming in a Memory Sub-System having Multiple Dies and Planes

Номер патента: US20240377991A1. Автор: Mark Ish,Steven S. Williams,Sanjay Subbarao,John Edward Maroney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Accessing data using error correction operation(s) to reduce latency at a memory sub-system

Номер патента: US20240036973A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Zixiang Loh,Thomas Herbert Lentz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Accessing data using error correction operation(s) to reduce latency at a memory sub-system

Номер патента: US12007838B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Sampath K Ratnam,Zixiang Loh,Thomas Herbert Lentz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method and apparatus for protecting a memory from a write attack

Номер патента: US20220197826A1. Автор: Seyedmohammad Seyedzadehdelcheh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Electrode for use in a deionization apparatus and method of making same and regenerating the same

Номер патента: EP2078104A2. Автор: Peter Norman,Richard L. Hoover,Brian C. Large,Brian Elson. Владелец: Water Co LLC. Дата публикации: 2009-07-15.

Electrode for use in a deionization apparatus and method of making same and regenerating the same

Номер патента: WO2008091414A2. Автор: Peter Norman,Richard L. Hoover,Brian C. Large,Brian Elson. Владелец: The Water Company Llc. Дата публикации: 2008-07-31.

An integrated circuit having a memory cell array and a method of reading a memory cell state using a plurality of sub-read operations

Номер патента: DE102008005338A1. Автор: Detlev Richter,Roberto Ravasio,Girolamo Gallo,Gert Köbernik,Mirko Reissmann,Ramirez Xavier Veredas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-30.

Timing signal delay compensation in a memory device

Номер патента: US20220076720A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Electronic circuit with a memory matrix that stores pages including extra data

Номер патента: WO2007102117A3. Автор: Nicolaas Lambert,Acht Victor M G Van. Владелец: Acht Victor M G Van. Дата публикации: 2007-11-15.

Electronic circuit with a memory matrix that stores pages including extra data

Номер патента: EP1994470A2. Автор: Nicolaas Lambert,Victor M. G. Van Acht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-11-26.

Timing signal delay compensation in a memory device

Номер патента: US20210319816A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Organophosphorus containing composites for use in well treatment operations

Номер патента: RU2676341C2. Автор: Терри Д. МОНРО,Наима БЕСТАОУИ-СПАРР,Сумит БХАДУРИ,Ци ЦУ,Брайан Б. БИЛЛ,Кимберли ЛАНТ,Хоан ЛЭ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2018-12-28.

Background reads to condition programmed semiconductor memory cells

Номер патента: US20180225164A1. Автор: Antoine Khoueir,Stacey Secatch,Kevin Gomez,Ryan Goss. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

A tool, system and a method for determining barrier and material quality behind multiple tubulars in a hydrocarbon wellbore

Номер патента: CA3088619A1. Автор: Tonni Franke Johansen,Eirik ESPE,Fridtjof Nyhavn. Владелец: Wellguard AS. Дата публикации: 2019-08-01.

A method for determining barrier and material quality behind multiple tubulars in a hydrocarbon wellbore

Номер патента: AU2019211025B2. Автор: Tonni Franke Johansen,Eirik ESPE,Fridtjof Nyhavn. Владелец: Wellguard AS. Дата публикации: 2024-08-01.

Virtual grouping of memory

Номер патента: US09600187B2. Автор: Timothy J. Dell,Prasanna Jayaraman,Girisankar Paulraj,Anil B. Lingambudi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

TEMPERATURE COMPENSATION IN AN ANALOG MEMORY ARRAY BY CHANGING A THRESHOLD VOLTAGE OF A SELECTED MEMORY CELL IN THE ARRAY

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Tran Hieu Van,Do Nhan,Reiten Mark,Tiwari Vipin,Lemke Steven. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory architecture for storing data in a plurality of memory chips

Номер патента: US09672910B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Theodore Antonakopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Plastic tubing for making an inner case for repairing a linear structure, a method of making a case and a case made by such a method

Номер патента: RU2732906C2. Автор: Галина Юрьевна Зупанец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Промжилстрой". Дата публикации: 2020-09-24.

Sensing techniques for differential memory cells

Номер патента: WO2023278948A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Nand memory array incorporating capacitance boosting of channel regions in unselected memory cells and method for operation of same

Номер патента: AU2003300480A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Multi-rank topology of memory module and associated control method

Номер патента: EP3418902A3. Автор: Shang-Pin Chen,Chung-Hwa Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-03-13.

Memory system including a plurality of memory blocks

Номер патента: US20210064241A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory cell read failure reduction

Номер патента: US20090067238A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Programming techniques for polarity-based memory cells

Номер патента: EP4364143A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Methods and circuits for power management of a memory module

Номер патента: US12033683B2. Автор: Aws Shallal,Panduka Wijetunga,Joey M. Esteves. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Temperature and leakage compensation for memory cells in an analog memory system for use in a deep learning neural network

Номер патента: EP4138079B1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Method and device for determining motion parameters of a conductive, profiled surface

Номер патента: US20060071658A1. Автор: Martin Sellen,Felix Mednikov,Stanislav Mednikov,Werner GRÖMMER,Mark Netchaewskij. Владелец: Micro Epsilon Messtechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-04-06.

Biosoluble polymer or particle for delivery of an active agent and a method for the production

Номер патента: EP4419146A1. Автор: Amina Tijani. Владелец: Tijani Holding BV. Дата публикации: 2024-08-28.

METHODS OF PROGRAMMING DIFFERENT PORTIONS OF MEMORY CELLS OF A STRING OF SERIES-CONNECTED MEMORY CELLS

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Xu Jun,Liang Ke. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-19.

TEMPERATURE AND LEAKAGE COMPENSATION FOR MEMORY CELLS IN AN ANALOG NEURAL MEMORY SYSTEM USED IN A DEEP LEARNING NEURAL NETWORK

Номер патента: US20200066345A1. Автор: Tran Hieu Van,Do Nhan,Reiten Mark,Tiwari Vipin,Lemke Steven. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

TEMPERATURE COMPENSATION FOR MEMORY CELLS IN AN ANALOG NEURAL MEMORY SYSTEM USED IN A DEEP LEARNING NEURAL NETWORK

Номер патента: US20200350015A1. Автор: Tran Hieu Van,Do Nhan,Reiten Mark,Tiwari Vipin,Lemke Steven. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

A method for preparing a functional synthetic cell in form of a giant unilamellar vesicle

Номер патента: WO2018228894A1. Автор: Joachim P. Spatz,Lucia T. BENK,Johannes Patrick FROHNMAYER,Barbara HALLER,Jan-Willi JANIESCH,Yilia PLAZMAN,Marian WEISS. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2018-12-20.

Temperature and leakage compensation for memory cells in an analog neural memory system used in a deep learning neural network

Номер патента: EP3844680B1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-23.

A tool, system and a method for determining barrier and material quality behind multiple tubulars in a hydrocarbon wellbore

Номер патента: WO2019147139A3. Автор: Tonni Franke Johansen,Eirik ESPE,Fridtjof Nyhavn. Владелец: Wellguard AS. Дата публикации: 2019-09-06.

Pre-diffused Al—Si coatings for use in rapid induction heating of press-hardened steel

Номер патента: US09677145B2. Автор: Jason J. Coryell,Paul J. Belanger. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Coating composition containing a polyaniline salt semiconductor, a method of preparing said composition and an element with a conductive layer formed from said composition

Номер патента: EP0017717B1. Автор: David John Steklenski,Tsang Jan Chen,Donald Allen Upson. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1982-07-07.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF A SINGLE-PHASE OXIDE (Fe,Cr)2O3 WITH A RHOMBOHEDRAL STRUCTURE ON A SUBSTRATE MADE OF STEEL OR A HEAT-RESISTANT ALLOY

Номер патента: RU2769915C1. Автор: Оливье РАККЮР,Жан-Мари ГЕНТЗБИТТЕЛЬ,Оливье СИКАРДИ,Франсис БУРГИНЬОН,Пьер-Жан МАРШЕ. Владелец: Маннесманн Пресизьон Тюб Франс. Дата публикации: 2022-04-08.

A construction and a method to be used in a carrier rocket or a satellit

Номер патента: AU2002215280A1. Автор: Orjan Arulf,Jörgen Remmelg,Rolf Thornkvist. Владелец: SAAB Ericson Space AB. Дата публикации: 2002-06-03.

Casting method using lost foam

Номер патента: US09862022B2. Автор: Kazuyuki Tsutsumi,Yusaku Takagawa. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING A 3-DIMENSIONAL MEMORY CELL ARRAY AND A METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160071596A1. Автор: LEE Hee Youl. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

MEMORY CONFIGURED TO GENERATE A DATA VALUE FROM A DATA LINE CONNECTED TO MORE THAN ONE STRING OF SERIES-CONNECTED MEMORY CELLS

Номер патента: US20190341115A1. Автор: VALI Tommaso,Roohparvar Frankie F.,Eldredge Kenneth J.,De Santis Luca. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-07.

Ferroelectric memory cell array and a method for storing data using the same

Номер патента: KR100449070B1. Автор: 노태문,김종대,양일석,유병곤. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-09-18.

Processing agent for the formation of a chrome-free insulating coating, a textured sheet of electrical steel with an insulating coating applied and a method for its manufacture

Номер патента: RU2765649C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Карин КОКУФУ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-02-01.

Biosoluble polymer or particle for delivery of an active agent and a method for the production

Номер патента: CA3236023A1. Автор: Amina Tijani. Владелец: Tijani Holding BV. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods for use in material processing of a two dimensional sheet like material

Номер патента: EP4180205A1. Автор: Tue Beijer. Владелец: Stilride AB. Дата публикации: 2023-05-17.

Method of Fabricating a Photomask Used to Form a Lens

Номер патента: US20110170197A1. Автор: Nobuhiko Sato,Yasuhiro Sekine,Masataka Ito,Masaki Kurihara,Hitoshi Shindo,Kyouhei Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method and device for stretching and forming a foil blank and product produced herewith

Номер патента: US20110308293A1. Автор: Thomas Halletz,Juergen Feil,Wolfgang Eglseer. Владелец: KIEFEL GMBH. Дата публикации: 2011-12-22.

Method and apparatus for forming a composite fabric

Номер патента: WO1997010101A1. Автор: Douglas Brian Mann,Andrew Bencich Woodside,Margaret Mary Woodside. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 1997-03-20.

Method of forming an etched part and a method of forming a metal plated part

Номер патента: US11965045B2. Автор: Ellen Cheng-chi Lee,Xiaojiang Wang,Shannon Christine Bollin,Robert D. Bedard,Matthew Cassoli. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of forming a hydrolysis resistant aqueous emulsion

Номер патента: US09868866B2. Автор: Donald Taylor Liles,Yihan Liu,Jean-Paul H. Lecomte,Ii Timothy Andrew Roggow,Jennifer A. Daoust. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Acid-stabilized calcium carbonate, process for its production and method for its use in the manufacture of acidic paper

Номер патента: US5043017A. Автор: June D. Passaretti. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 1991-08-27.

Acid-stabilized calcium carbonate, process for its production and method for its use in the manufacture of acidic paper

Номер патента: US5156719A. Автор: June D. Passaretti. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 1992-10-20.

Acid-stabilized calcium carbonate, process for its production and method for its use in the manufacture of acidic paper

Номер патента: CA2035808C. Автор: June D. Passaretti. Владелец: Minerals Technologies Inc. Дата публикации: 1997-03-04.

Digital dictation card and method of use in business

Номер патента: WO2000031726A1. Автор: Eric J. Peter. Владелец: Peter Eric J. Дата публикации: 2000-06-02.

Thermal plasma electrolysis of methane for generation of hydrogen and carbon black to be used in steel production

Номер патента: WO2023156904A1. Автор: James Maurice Small. Владелец: Pathfinder Holdings Corp.. Дата публикации: 2023-08-24.

Printing form precursor, a process for making the precursor, and a method for preparing a printing form from the precursor

Номер патента: US11858252B2. Автор: John Stephen Locke,Robert M Blomquist,Bradley K Taylor,Mark A Hackler. Владелец: DuPont Electronics Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonwoven fabric, a laminated fabric, a nonwoven fabric product, a multicomponent fibre, a web, and a method of producing the nonwoven fabric

Номер патента: US09850603B2. Автор: David Dudley Newkirk,Helmut Hartl,Juergen Friedrich Rudolph. Владелец: Fitesa Simpsonville Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

METHOD FOR STABILIZING THE PROPERTIES OF AN ALUMINUM ALLOY PART, A PART OBTAINED BY SUCH A METHOD, AND ITS USE IN AN AIRCRAFT

Номер патента: FR3088935A1. Автор: Céline LARIGNON,Nicolas BELLO,Joël DOUIN. Владелец: IRT Saint Exupery. Дата публикации: 2020-05-29.

Organopolysiloxane gels for use in cosmetics

Номер патента: CA2340498C. Автор: Bryan E. Fry. Владелец: Wacker Chemical Corp. Дата публикации: 2006-10-03.

Rebar-equipped lumber form and construction method using rebar-equipped lumber form

Номер патента: AU2020280509A1. Автор: Wataru Ebisawa. Владелец: Mitsubishi Estate Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Rebar-equipped lumber form and construction method using rebar-equipped lumber form

Номер патента: AU2020280509B2. Автор: Wataru Ebisawa. Владелец: Mitsubishi Estate Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Panel Interconnectable with Similar Panels for Forming a Covering

Номер патента: US20240240469A1. Автор: Eddy Alberic Boucke,Johan Christiaan Rietveldt. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-07-18.

Panel interconnectable with similar panels for forming a covering

Номер патента: US09874028B2. Автор: Eddy Alberic Boucke,Johan Christiaan Rietveldt. Владелец: INNOVATIONS 4 FLOORING HOLDING NV. Дата публикации: 2018-01-23.

ANGIOPOIETIN-LIKE 4 AND A METHOD OF ITS USE IN WOUND HEALING

Номер патента: US20150196616A1. Автор: TAN Nguan Soon,Chong Han Chung Kelvin. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

ANGIOPOIETIN-LIKE 4 ANTIBODY AND A METHOD OF ITS USE IN CANCER TREATMENT

Номер патента: US20150210758A1. Автор: TAN Ming Jie,Chong Han Chung Kelvin,WONG Yee Hwa,LESCAR Julien,Chua Wei Min Edmond,Tan Nguan Soon Andrew,Huang Royston-Luke. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

A method for the use in offshore crew transfer

Номер патента: EP3590817A1. Автор: Morten Paranhos Perdomo Santos Rostrøm,Mikkel Haugaard Windolf,Niels Agner Jensen. Владелец: Orsted Wind Power AS. Дата публикации: 2020-01-08.

Modified polyfunctional polymers used in particular to form a permanent twist in fibers

Номер патента: FR1307274A. Автор: . Владелец: JP Stevens and Co Inc. Дата публикации: 1962-10-26.

Dust-proof element and a method of its use in an electrical hand-held tool and with a working tool

Номер патента: US6551525B2. Автор: Karl-Heinz Hofmann,Alexander Löffler. Владелец: Hilti AG. Дата публикации: 2003-04-22.

Aqueous emulsions of alkenyl succinic anhydride, a process for their manufacture, and a method for their use in sizing paper

Номер патента: TW498124B. Автор: Richard Barkman Wasser. Владелец: Cytec Tech Corp. Дата публикации: 2002-08-11.

A method for the use in offshore crew transfer and a system for predicting vessel bow motion of a crew transfer vessel

Номер патента: TW202005871A. Автор: 米寇浩格韋恩道夫,摩汀帕倫奧思皮多門三圖思諾斯特沃姆,尼爾思安格能傑森. Владелец: 丹麥商沃旭風力能源公司. Дата публикации: 2020-02-01.

A method for the use in offshore crew transfer

Номер патента: EP3817974B1. Автор: Morten Paranhos Perdomo Santos Rostrøm,Mikkel Haugaard Windolf,Niels Agner Jensen. Владелец: Orsted Wind Power AS. Дата публикации: 2023-10-11.

A method for the use in offshore crew transfer

Номер патента: EP3817974C0. Автор: Morten Paranhos Perdomo Santos Rostrøm,Mikkel Haugaard Windolf,Niels Agner Jensen. Владелец: Orsted Wind Power AS. Дата публикации: 2023-10-11.

Liquid Coating Compositions for Use in Methods for Forming a Superhydrophobic, Superoleophobic or Superamphiphobic Layer

Номер патента: US20170152388A1. Автор: Seeger Stefan,Chu Zonglin,Olveira Sandro. Владелец: Silana GmbH. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for producing a bioresorbed tube based on methacrylized gelatine and methacrylized fibroin and a method for increasing the consistency of intestinal anastomosis using such a tube

Номер патента: RU2711545C1. Автор: Иван Викторович Бессонов,Мария Николаевна Копицына,Александр Владимирович Куликов,Михаил Михайлович Мойсенович,Дмитрий Александрович Куликов,Юрий Николаевич Филюшкин,Алла Аликовна Рамонова,Анастасия Юрьевна Архипова,Александр Владимирович Федулов,Анна Сергеевна Солдатенко,Константин Вольдемарович Шайтан,Полина Александровна Глазкова,Дарья Валерьевна Мосальская,Дмитрий Юрьевич Семенов,Анастасия Михайловна Мойсенович,Ирина Анатольевна Кондратьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-01-17.

A method of manufacturing a composite insert

Номер патента: CA2877744A1. Автор: Martin Hornung,Michael Flener,Josef Hudina,Gregory A. KRUEGER. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2014-01-03.

A method of making an inkjet printhead

Номер патента: GB2410466A. Автор: Kevin Dooley,Barry Fitzgerald,Philip Keenan,Pat Macdermott,Gerard Lowe. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-08-03.

A method for producing a coating liquid for forming a flattening film, a method for producing a coating liquid for forming a flattening film, a method for producing a metal foil with a flattening film, and a method for producing a metal foil with a flattening film.

Номер патента: JP7047927B2. Автор: 紀子山田,左和子山口,裕関口. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Liquid coating compositions for use in methods for forming a superhydrophobic, superoleophobic or superamphiphobic layer

Номер патента: EP3164228B1. Автор: Stefan Seeger,Sandro OLVEIRA,Zonglin CHU. Владелец: Silana GmbH. Дата публикации: 2020-03-04.

Receiver extension and a method of manufacturing it

Номер патента: US11833571B1. Автор: Paul T. Noonan,Aaron Neal Trout. Владелец: FM Products Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of manufacturing tampons by forming a softwind with contact elements

Номер патента: WO2014068422A1. Автор: Wayne Beyer,Charles Robert Tomsovic,Nick Wolter,Ronald A. Hilt,Joshua Fiedorowicz,Brian Alberts,Martin Gottvald,Steve Gehling. Владелец: KIMBERLY-CLARK WORLDWIDE, INC.. Дата публикации: 2014-05-08.

Receiver extension and a method of manufacturing it

Номер патента: US20240042509A1. Автор: Paul T. Noonan,Aaron Neal Trout. Владелец: FM Products Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

A method for producing a masonry unit and a masonry structure formed from said masonry unit

Номер патента: WO2009098481A1. Автор: John Paul Forth,Salah Zoorob. Владелец: UNIVERSITY OF LEEDS. Дата публикации: 2009-08-13.

Use of phanquinone for the treatment or prevention of memory impairment

Номер патента: US20030055078A1. Автор: Michel Xilinas,Panayotis Gerolymatos. Владелец: PN Gerolymatos SA. Дата публикации: 2003-03-20.

Use of phanquinone for the treatment or prevention of memory impairment

Номер патента: EP1140090A1. Автор: Panayotis Nikolas Gerolymatos,Michel Xilinas. Владелец: PN Gerolymatos SA. Дата публикации: 2001-10-10.

A scrubber for scrubbing exhaust gas of a combustion engine of a ship, a method for adapting an old scrubber, and a method for maintaining a scrubber

Номер патента: FI20185967A1. Автор: Jere Fabritius. Владелец: Valmet Technologies Oy. Дата публикации: 2020-05-17.

A REEL-UP FOR WINDING A PAPER WEB INTO A ROLL AND A METHOD OF WINDING A PAPER WEB TO FORM A ROLL

Номер патента: US20160031667A1. Автор: MALMQVIST Per-Olof,KLERELID Ingvar. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

A Method of manufacturing an optical device comprising forming a ceramic coating layer

Номер патента: KR102329470B1. Автор: 김성복,한원석,정용덕,조대형. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2021-11-25.

A reel-up for winding a paper web into a roll and a method of winding a paper web to form a roll

Номер патента: EP2989035A4. Автор: Ingvar Klerelid,Per-Olof Malmqvist. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2016-12-28.

A method of treating a suture portion and forming a suture tip for attachment to a needle

Номер патента: DE602004025867D1. Автор: Mark S Roby,Nicholas Maiorino. Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2010-04-15.

Panel interconnectable with similar panels for forming a covering

Номер патента: US11946261B2. Автор: Eddy Alberic Boucke,Johan Christiaan Rietveldt. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-04-02.

Panel interconnectable with similar panels for forming a covering

Номер патента: CA3111912C. Автор: Eddy Alberic Boucke,Johan Christiaan Rietveldt. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2023-09-26.

System and method for identification of faulty or weak memory cells under simulated extreme operating conditions

Номер патента: WO2002103706A2. Автор: Dhrumil Gandhi,Mark Templeton. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Apparatuses and methods of reading memory cells based on response to a test pulse

Номер патента: US09672908B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Concurrent slow-fast memory cell programming

Номер патента: US20230307055A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for operating memory array

Номер патента: US09978457B1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US11749359B2. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array

Номер патента: EP1568045A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Pre-boosting scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US11183245B1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Boost-by-deck during a program operation on a memory device

Номер патента: US20240339163A1. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Shyam Sunder Raghunathan,Leo Raimondo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005533A1. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: WO2023027903A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210406176A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210294741A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Reduced standby power memory array and method

Номер патента: US20020080676A1. Автор: David Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: EP3580759A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-18.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180366175A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20180226116A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20210104270A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: WO2018148064A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2018-08-16.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US20200035286A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220051724A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Pre-writing memory cells of an array

Номер патента: US11127450B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220351782A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Compute in memory (cim) memory array

Номер патента: US20240347101A1. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: US09530475B2. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Precharging scheme for reading a memory cell

Номер патента: US20040037137A1. Автор: Keith Wong,Michael Chung,Pau-Ling Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US20230267987A1. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Two-bit non-volatile flash memory array

Номер патента: US20110002166A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Single-Port Read Multiple-Port Write Storage Device Using Single-Port Memory Cells

Номер патента: US20140177324A1. Автор: Sheng Liu,Ting Zhou. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Spatial Correlation of Reference Cells in Resistive Memory Array

Номер патента: US20100110761A1. Автор: Xiaobin Wang,Hai Li,Henry Huang,Yiran Chen,Wenzhong Zhu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Distributed write driver for memory array

Номер патента: US20240170051A1. Автор: Mohit Gupta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and apparatus for intensifying current leakage between adjacent memory cells, and method and apparatus for current leakage detection

Номер патента: US12094516B2. Автор: Wei-Chou Wang,Huanhuan LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods for providing redundancy in a memory array comprising mapping portions of data associated with a defective address

Номер патента: US09779839B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Luigi Pilolli,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Current references for memory cells

Номер патента: US20240203490A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Apparatus, system and method to sense a logic state of a memory cell in a three-dimensional memory device

Номер патента: US12062410B2. Автор: Balaji Srinivasan,Ashraf B. Islam,Nicolas L. IRIZARRY,Yasir Mohsin Husain,Jaydip Bharatkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

High speed memory array architecture

Номер патента: US20040052128A1. Автор: Eric Stubbs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

High speed memory array architecture

Номер патента: US20030072183A1. Автор: Eric Stubbs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Stressing and testing semiconductor memory cells

Номер патента: US09704567B1. Автор: Juergen Pille,Stefan Payer,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Access line having a resistive layer for memory cell access

Номер патента: US11862215B2. Автор: Chandrasekhar MANDALAPU,Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan,Sateesh Talasila. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Techniques for multi-level chalcogenide memory cell programming

Номер патента: US12033695B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani,Matteo Impalà. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory module with failed memory cell repair function and method thereof

Номер патента: US20090129182A1. Автор: Chun Shiah,Ho-Yin Chen,Tzu Jen Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Devices including memory arrays, row decoder circuitries and column decoder circuitries

Номер патента: US09711224B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Error correction in a memory device

Номер патента: US09575835B2. Автор: Frederick A. Ware,Thomas Vogelsang,Wayne F. Ellis,Ian P. Shaeffer,Suresh N. Rajan. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US09406373B2. Автор: Bing Wang,Young Suk Kim,Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG,Derek C. Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Methods and systems for improving read and write of memory cells

Номер патента: US12027230B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method and apparatus for built-in self-repair of memory storage arrays

Номер патента: EP1352396A2. Автор: Timothy J. Wood,Gerald D. Zuraski, Jr.,Raghuram S. Tupuri. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-15.

Method for modifying data more than once in a multi-level cell memory location within a memory array

Номер патента: US20130311715A1. Автор: Michael M. Abraham. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: WO2023278073A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2023-01-05.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

System, apparatus and method for simultaneous read and precharge of a memory

Номер патента: EP3570286A3. Автор: KAUSHIK Vaidyanathan,Tanay Karnik,Sreenivas Subramoney,Anant Nori,Lavanya Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-26.

Electronic device including a nonvolatile memory array and methods of using the same

Номер патента: WO2008124269A1. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Thomas Jew,Ronald J. Syzdek. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-10-16.

Single ended two-stage memory cell

Номер патента: US20020167846A1. Автор: Spencer Gold,Julie Staraitis. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09875815B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09837142B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Automated stressing and testing of semiconductor memory cells

Номер патента: US09805823B1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Stefan Payer,Yuen H. Chan,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09767924B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile memory device and related read method using adjustable bit line connection signal

Номер патента: US09437313B2. Автор: Eun-Jin Yun,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory array, memory device, and methods for reading and operating the same

Номер патента: US09418763B2. Автор: Chen-Yi Huang,Jiaqi Yang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: US09411392B2. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory array partitioned into memory blocks and sub-blocks and method of addressing

Номер патента: US6026021A. Автор: Loc B. Hoang. Владелец: Winbond Electronics Corp America. Дата публикации: 2000-02-15.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US12046288B2. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Ganged single level cell verify in a memory device

Номер патента: US12073895B2. Автор: Eric N. Lee,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory array voltage source controller for retention and write assist

Номер патента: US20140169075A1. Автор: Ajay Bhatia,Hang HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory array using mechanical switch and method for operating thereof

Номер патента: US20090021972A1. Автор: Jun-Bo Yoon,Weon-Wi Jang,Jeong-Oen Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-01-22.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Ganged single level cell verify in a memory device

Номер патента: US20240379178A1. Автор: Eric N. Lee,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Modular cell for a memory array, the modular cell including a memory circuit and a read circuit

Номер патента: US09502110B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Prioritizing refreshes in a memory device

Номер патента: US09418722B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Joab D. Henderson,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20230317124A1. Автор: Tung Ying Lee,Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Ping-Chun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183440A1. Автор: Hongmei Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Techniques to mitigate error during a read operation to a memory array

Номер патента: US20210304817A1. Автор: Kiran Pangal,Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: EP4078590A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: EP4413570A1. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20230012644A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method and system for discharging the bit lines of a memory cell array after erase operation

Номер патента: US20020091893A1. Автор: Cetin Kaya,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Corrective read with partial block offset in a memory device

Номер патента: US20240312529A1. Автор: Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee,Waing Pyie Soe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Low noise memory array

Номер патента: US20130286716A1. Автор: Robert Newton Rountree. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US09653127B1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Enable/disable of memory chunks during memory access

Номер патента: US09536582B2. Автор: Toru Tanzawa,Koichi Kawai,Satoru Tamada,Tetsuji Manabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Out-of-order programming of first wordline in a physical unit of a memory device

Номер патента: US20230418742A1. Автор: Deping He,Ching-Huang Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Creating dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: US20240071430A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Data conversion with data path circuits for use in double sense amp architecture with fractional bit assignment in non-volatile memory structures

Номер патента: US11776640B2. Автор: Minoru Yamashita,Masahiro Kano,Kyosuke Matsumoto,Yuki Fujita,Ryuji Yamashita,Kei Kitamura,Shuzo Otsuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and apparatus of reducing leakage power in multiple port sram memory cell

Номер патента: EP2761621A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Michael ThaiThanh Phan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-06.

Rewritable memory device with multi-level, write-once memory cells

Номер патента: EP2517209A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-10-31.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20200202901A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory Cell Device and Method for Operating a Memory Cell Device

Номер патента: US20210375330A1. Автор: Gunther Lehmann,Steffen Schumann,Prashant Chaudhry,Frederic Gueganton,Gurushiddappa Naduvinamane. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory unit for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, memory array structure for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20210125663A1. Автор: Meng-Fan Chang,Xin Si,Wei-Hsing Huang,Yung-Ning Tu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-04-29.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20190295642A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160012888A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: EP3167451A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US20240249792A1. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wen Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Pre-read operation for multi-pass programming of memory devices

Номер патента: US20230307058A1. Автор: Nagendra Prasad Ganesh Rao,Sead Zildzic, JR.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of reducing random telegraph noise in non-volatile memory by grouping and screening memory cells

Номер патента: US11769558B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US20230289062A1. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: WO2019118009A1. Автор: David R. Brown,Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-06-20.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Memory unit with multi-bit input local computing cell for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, memory array structure with multi-bit input local computing cell for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US11507275B2. Автор: Meng-Fan Chang,Pei-Jung Lu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-11-22.

Transpose memory unit for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, transpose memory array structure for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US11392820B2. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Chi Chou,Jian-Wei Su,Ru-Hui LIU. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-07-19.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20180268899A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US20160254050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Method and system for repairing faulty cells of memory device

Номер патента: US12112823B2. Автор: Ankit Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Deokgu Yoon,Keerthi Kiran Jagannathachar,Atishay Kumar,Damini. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Address verification at a memory system

Номер патента: US12124738B2. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US12131028B2. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Enhancing nucleation in phase-change memory cells

Номер патента: US09990989B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti,Davide Fugazza,Johannes A. Kalb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method and circuit for programming non-volatile memory cells of a volatile/non-volatile memory array

Номер патента: US09640257B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

System and method for reducing programming voltage stress on memory cell devices

Номер патента: US09570192B1. Автор: Sei Seung Yoon,Anil Kota,Bjorn Grubelich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Programming memory cells

Номер патента: US09543001B1. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Reference voltage modification in a memory device

Номер патента: US09349432B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Joab D. Henderson,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of recovering overerased bits in a memory device

Номер патента: CA2497528A1. Автор: Danut I. Manea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Sense flags in a memory device

Номер патента: US20180373451A1. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887663B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Counter-based methods and systems for accessing memory cells

Номер патента: US11880571B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887664B2. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Electrical fuse memory arrays

Номер патента: US20120057423A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Po-Hung Chen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Memory array with multiplexed select lines

Номер патента: US20210304804A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Content addressable memory array with an invalidate feature

Номер патента: US20100002484A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of improving error checking and correction performance of memory

Номер патента: US9779838B2. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of improving error checking and correction performance of memory

Номер патента: US20160062860A1. Автор: Joon-Sung Yang,Hyunseung HAN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of testing a memory circuit and memory circuit

Номер патента: US11749370B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US11735244B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of Correcting an Error in a Memory Array in a DRAM During a Read Operation and a DRAM

Номер патента: US20180336091A1. Автор: Alessandro Minzoni. Владелец: Unigroup Guoxin Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Voltage generator for memory array

Номер патента: US20100246282A1. Автор: Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of testing a memory circuit and memory circuit

Номер патента: US12106814B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Shih-Lien Linus Lu,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same

Номер патента: US09799387B1. Автор: Eng Huat Toh,Kangho Lee,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Selective reading of memory with improved accuracy

Номер патента: US09715419B2. Автор: Wayne Kinney,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory provided with associated volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US09620212B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-04-11.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Two-device memory cell with single floating capacitor

Номер патента: US4103342A. Автор: Ekkehard Fritz Miersch,Dominic Patrick Spampinato. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-07-25.

System for implementing write, initialization, and reset in a memory array using a single cell write port

Номер патента: US5802003A. Автор: Frank Ray Keyser, III,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Non-volatile memory comprising means for distorting the output of memory cells

Номер патента: US20050232021A1. Автор: Mathieu Lisart. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-10-20.

Device and method for repairing a memory array by storing each bit in multiple memory cells in the array

Номер патента: US6122213A. Автор: Michael A. Shore. Владелец: BOISE IDAHO. Дата публикации: 2000-09-19.

Device and method for repairing a memory array by storing each bit in multiple memory cells in the array

Номер патента: US6023432A. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Enhanced gradient seeding scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US11901010B2. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Vinh Q. Diep. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Magnetic cache for a memory device

Номер патента: US11948617B2. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: EP3039685A1. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-06.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: US20160005447A1. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Compute in memory (CIM) memory array

Номер патента: US11996137B2. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Enhanced gradient seeding scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US20240120010A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu,Vinh Q. Diep. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Magnetic cache for a memory device

Номер патента: US20220180912A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Grouping and error correction for non-volatile memory cells

Номер патента: US20240168844A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Grouping and error correction for non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024112355A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Analog content addressable memory device, analog content addressable memory cell and method for data searching and comparing thereof

Номер патента: US20230395148A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Method and apparatus for writing a memory device

Номер патента: EP1278203A1. Автор: Manish Sharma,Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-01-22.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

A method for storing data in a rfid transponder

Номер патента: EP2097838A2. Автор: Francesco Gallo,Hauke Meyn. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-09-09.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Memory cell sensing using two step word line enabling

Номер патента: US12073864B2. Автор: Makoto Kitagawa,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US12062408B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods to reduce the impact of short bits in phase change memory arrays

Номер патента: US11557369B2. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Method and device for multi-level programming of a memory cell

Номер патента: EP1020870A1. Автор: Chin Hsi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-19.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

High-speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: US20050122760A1. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Partial local self-boosting of a memory cell channel

Номер патента: US20100238731A1. Автор: Takao Akaogi,Ya-Fen Lin,YouSeok Suh,Yi-Ching Wu,Colin Stewart Bill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Apparatuses and methods including circuits in gap regions of a memory array

Номер патента: US20240177744A1. Автор: Hirokazu Ato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory with selectable single cell or twin cell configuration and method of operating a memory

Номер патента: WO2006069761A1. Автор: Harald Lorenz,Thomas Vogelsang,Wolfgang Hokenmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-06.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US20240355364A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Using embedded switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240331740A1. Автор: Yih Wang,Chia-Ta Yu,Sai-Hooi Yeong,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Nand detect program completion (ndpc) with power off charge loss calibration in a memory sub-system

Номер патента: WO2024229144A1. Автор: Lei Lin,Peng Zhang,Zhengang Chen,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-11-07.

Reading memory cells

Номер патента: US09972383B2. Автор: Chun Hsiung Hung,Han Sung Chen,Ming Chao Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09966132B2. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory system including a memory device, and methods of operating the memory system and the memory device

Номер патента: US09728279B2. Автор: Sang-Yong Yoon,Hye-Jin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US09715929B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Apparatus and method for drift cancellation in a memory

Номер патента: US09613691B2. Автор: Prashant S. Damle,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Hanmant P. Belgal,Abhinav PANDEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Apparatuses and methods of reading memory cells

Номер патента: US09570167B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Flexible clock scheme of flash memory, memory module, computer-readable recording medium and operating method using the same

Номер патента: US09449704B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and system for fast initialization of a memory unit

Номер патента: US09424896B2. Автор: Cas Groot,Maurits Storms. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-23.

Apparatuses including cross point memory arrays and biasing schemes

Номер патента: US09361979B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Test method of semiconductor memory device and semiconductor memory system transferring fail address data from a volatile to a non-volatile memory array using an error-correction code engine

Номер патента: US9747998B2. Автор: Sua Kim,Sung Hyun Lee,Hak-soo Yu,Jun Hee Yoo,Chulwoo PARK,Jaeyoun Youn,Hyojin Choi,Dongsoo Kang,Jinsu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Sectored flash memory comprising means for controlling and for refreshing memory cells

Номер патента: US6965526B2. Автор: Bruno Leconte,Sebastien Zink,Paola Cavaleri. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-11-15.

Method, system, and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20070153575A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US20220051735A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: EP3635721A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20210050046A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20190122718A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20180358072A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20200335147A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Cell bottom node reset in a memory array

Номер патента: US20190051343A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20190311757A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Current references for memory cells

Номер патента: US11942151B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Write buffer implementation for multiple memory array memory spaces

Номер патента: US20210048952A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Pattern generation for multi-channel memory array

Номер патента: US20220091776A1. Автор: Sang-Hoon Shin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: US11837285B2. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: WO2018226478A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Method, system and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20080180999A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Differential storage in memory arrays

Номер патента: US20240127877A1. Автор: Marcello Mariani,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Angelo Visconti,Alessandro Calderoni,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US20230040099A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US11935604B2. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: WO2022035986A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Current references for memory cells

Номер патента: US20230335191A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Umberto Di Vincenzo,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Device, system, and method to verify data programming of a multi-level cell memory based on one of temperature, pressure, wear condition or relative position of the memory cell

Номер патента: US20210257036A1. Автор: Xiang Yang,Shantanu Rajwade,Arun THATHACHARY,Narayanan RAMANAN,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI,Matin Amani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of refreshing memory array, driving circuit and display

Номер патента: US20150116306A1. Автор: Tsun-Sen Lin,Chung-Hsin Su. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-04-30.

Memory with retargetable memory cell redundancy

Номер патента: EP1946326A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-23.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Screening of memory circuits

Номер патента: EP3939045A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Francisco Adolfo Cano,Anthony Martin HILL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-01-19.

Systems and methods to test a memory device

Номер патента: US20200118639A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Johnathan Tsung-Yung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory Arrays And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20130320283A1. Автор: Sills Scott E.,Ramaswamy D. V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-12-05.

A method for measuring the thickness of insulating coatings on a conductive non-magnetic base by an eddy current method

Номер патента: SU561079A1. Автор: Лев Исаакович Трахтенберг,Виктор Григорьевич Вяхорев. Владелец: Предприятие П/Я А-1857. Дата публикации: 1977-06-05.

NON-VOLATILE MEMORY CELL STRUCTURE AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120181595A1. Автор: HUANG Sheng He. Владелец: SYSTEMS ON SILICON MANUFACTURING CO. PTE LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

Device and a method to be used in any field that requires material crushing, especially in mineral crushing

Номер патента: ZA200706976B. Автор: Avendano Sergio Rodrigo Soto. Владелец: Avendano Sergio Rodrigo Soto. Дата публикации: 2008-09-25.

A Device and A Method To Be Used In Any Field That Requires Material Crushing, Especially In Mineral Crushing

Номер патента: AU2007204088A1. Автор: Sergio Rodrigo Soto Avendano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

A porous mold and a method of using the porous mold to form a sanitary appliance

Номер патента: TWI551373B. Автор: yong-chang Zhang. Владелец: Hocheng Corp. Дата публикации: 2016-10-01.

EXPERT SYSTEM, SYSTEM ELEMENT AND A METHOD TO BE USED IN THE SYSTEM

Номер патента: US20130268477A1. Автор: KOIVULA Tommi. Владелец: PROFIUM OY. Дата публикации: 2013-10-10.

A DEVICE FOR CARRYING SPOKES AND A METHOD OF ITS USE IN OSTEOSYNTHESIS OF Fractures OF A DISTAL RADIAL BONE

Номер патента: RU2009142509A. Автор: Глеб Владимирович Коробушкин,Александр Васильевич Скороглядов,Денис Станиславович Афанасьев,Хамид Мохамед Хассан Алькатф,Александр Васильевич Скороглядов (RU),Глеб Владимирович Коробушкин (RU),Хамид Мохамед Хассан Алькатф (RU),Денис Станиславович Афанасьев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный медицинский университ. Дата публикации: 2011-05-27.

A method and system used in the Internet for effectively accessing URL web page

Номер патента: TW567423B. Автор: Je-Yuan Jang. Владелец: Je-Yuan Jang. Дата публикации: 2003-12-21.

A method and a device for rolling and forming a ball plug body of a ball valve

Номер патента: TW446592B. Автор: Jeng-Shian Ye. Владелец: Shan Ling Ind Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-21.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND INFORMATION DISPLAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003990A1. Автор: LEE Min Ku. Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Jet Injector Use In Oral Evaluation

Номер патента: US20120003601A1. Автор: CHEN Yi,HUNTER Ian W.,Hogan N. Catherine,Ruddy Bryan P.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-01-05.

DNA CHIP, KIT FOR DETECTING OR GENOTYPING BACTERIA CAUSING SEXUALLY TRANSMITTED DISEASES, GENOTYPING ANTIBACTERIAL DRUG RESISTANCE AND DETECTING OR GENOTYPING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120004113A1. Автор: . Владелец: GOODGENE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

PROTOCOL ACCELERATOR MODULE WITH PACKET FORWARDING FUNCTION AND A METHOD OF TRANSCEIVER OPERATION FOR RAPID FORWARDING OF DATA PACKETS

Номер патента: US20120002669A1. Автор: Langendorfer Peter,Dietterle Daniel. Владелец: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Institut fur innovative. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated circuitry, a memory array comprising strings of memory cells, a method used in forming a conductive via, a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты