Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Integrated circuit layouts with source and drain contacts of different widths

Integrated circuit layouts with source and drain contacts of different widths

Номер патента: US20200135869A1
Опубликовано: 30-04-2020
Автор(ы): Hui-Zhong ZHUANG, Jung-Chan YANG, Li-Chun Tien, Shang-Syuan Ciou
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200090981A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Integrated circuit including transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220393032A1. Автор: Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-08.

Integrated circuit including transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274714A1. Автор: Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Source and drain stressors with recessed top surfaces

Номер патента: US09755077B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20240006541A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit structures with source or drain contacts having enhanced contact area

Номер патента: US20240178273A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Guowei Xu,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Self-aligned embedded source and drain contacts

Номер патента: US20230420528A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A3. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290825A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Elliot N. Tan,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit system employing gate shield and/or ground shield

Номер патента: SG140555A1. Автор: Teo Leng Xavier Seah. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-03-28.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit devices including stacked gate structures with different dimensions

Номер патента: US12051697B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20170186741A9. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Integrated circuits using guard rings for esd systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US20140299913A1. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Integrated circuits using guard rings for ESD systems, and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US9748361B2. Автор: Ming-Song Sheu,Jian-Hsing Lee,Yu-Chang Jong,Chun-Chien Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Backside shunt contact for improved integrated circuit layout

Номер патента: EP4195248A1. Автор: Patrick Morrow,Gokul Subramaniam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-14.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuit including field effect transistors having a contact on active gate compatible with a small cell area having a small contacted poly pitch

Номер патента: US20190148298A1. Автор: RWIK Sengupta,Mark Rodder,Titash Rakshit,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Integrated circuit with anti-punch through control

Номер патента: US20240371867A1. Автор: Chien Lin,Yi-Chen Ho,Ching-Lun Lai,Tzu-Wei Lin,Ju Ru HSIEH,Ming-Kai LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit with anti-punch through control

Номер патента: US12068317B2. Автор: Chien Lin,Yi-Chen Ho,Ching-Lun Lai,Tzu-Wei Lin,Ju Ru HSIEH,Ming-Kai LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Co-deposition of titanium and silicon for improved silicon germanium source and drain contacts

Номер патента: EP4109494A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Anand Murthy,Chi-hing Choi,Nazila Haratipour,Harold Kennel,Jitendra Kumar JHA,Debaleena Nandi,Omair Saadat,Adedapo Oni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: EP4246587A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader,Tanir Ghani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290844A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Transistors with Ballistic or Quasi-Ballistic Carrier Behavior and Low Resistance in Source and Drain Nodes

Номер патента: US20190334026A1. Автор: Ian Young,Raseong Kim,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for making high voltage integrated circuit devices in a fin-type process and resulting devices

Номер патента: US20160111422A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Preventing shorting between source and/or drain contacts and gate

Номер патента: US09972620B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Charan V. Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit device

Номер патента: US12113108B2. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Kihyun Hwang,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit with doped low-k sidewall spacers for gate stacks

Номер патента: US12136658B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240355622A1. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

3d high density devices integrated with source and drain rails

Номер патента: US20240071871A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220238666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Jaemun Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: US20240112916A1. Автор: Matthew J. Prince,Andrew Arnold,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Chun C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: EP4345869A1. Автор: Matthew Prince,Andrew Arnold,Alison Davis,Chun Kuo,Reza Bayati,Swapnadip Ghosh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20210343645A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US11769769B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,In-chan HWANG,Jae-Ran JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240258328A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit power device with automatic removal of defective devices

Номер патента: WO1991018417A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1991-11-28.

Integrated circuits devices with counter-doped conductive gates

Номер патента: US09991356B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit structures with backside conductive source or drain contact having enhanced contact area

Номер патента: US20240332302A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Debaleena Nandi,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240274677A1. Автор: Gunho JO,Bomi KIM,Chulsung Kim,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Multiple epitaxial layer source and drain transistors for low temperature computation

Номер патента: US20230317558A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Rajabali Koduri,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240321979A1. Автор: Davin Lee,Hyunseung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Source and drain regions for laterally adjacent gate-all-around (gaa) pmos and nmos

Номер патента: US20240071831A1. Автор: William Hsu,Deepak Sridhar,Oleg Golonzka,Chang Wan Han,Kevin J. Fischer,Biswajeet Guha,Suman Dasgupta,Vivek Thirtha,Ian Yang,Sameerah Desnavi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Fabrication of integrated circuit structures having uniformity among varying gate trench widths

Номер патента: US20240178227A1. Автор: Venkata Aditya Addepalli,Shyam Benegal KADALI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of making a multiple transistor integrated circuit with thick copper interconnect

Номер патента: US5728594A. Автор: Taylor R. Efland,Dale J. Skelton,David Cotton. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-17.

Integrated circuit having transistors with different width source and drain terminals

Номер патента: US20240088147A1. Автор: Ying Huang,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Cun Cun CHEN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Lateral MOSFET structure of an integrated circuit having separated device regions

Номер патента: US20050035424A1. Автор: James Beasom. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Integrated circuit devices with well regions and methods for forming the same

Номер патента: US11735485B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Mingo Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Integrated circuit devices with well regions

Номер патента: US11043431B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Mingo Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20020179963A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Epitaxial source and drain structures for high voltage devices

Номер патента: US20190096887A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Transistor, display driver integrated circuit including a transistor, and a method of fabricating a transistor

Номер патента: US7935992B2. Автор: Hoon Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Integrated circuit comprising complementary field effect transistors

Номер патента: US4799092A. Автор: Francois M. Klaassen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

Nano-wall Integrated Circuit Structure with High Integrated Density

Номер патента: US20220149198A1. Автор: Ke Feng,FAN Lin,Ping Li,Tao He,Xianghe ZENG,Yongbo Liao,Zhaoxi Hu,Yaosen LI,Chenxi PENG,Xuanlin XIONG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-05-12.

3d source and drain contacts tuned for vertically stacked pmos and nmos

Номер патента: US20230395718A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Christopher J. Jezewski,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Source and drain contacts formed using sacrificial regions of source and drain

Номер патента: EP4293724A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,Munzarin F. Qayyum,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Source and drain contacts formed using sacrificial regions of source and drain

Номер патента: US20230402513A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,Munzarin F. Qayyum,Subrina RAFIQUE,Nicloe K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Structure and method of integrated circuit having decouple capacitance

Номер патента: US11756959B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chun-Fu CHENG,Yu-Xuan Huang,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative Schottky barrier height

Номер патента: US12034078B2. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20240347641A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit with depletion mode JFET

Номер патента: US20070069250A1. Автор: David Kelly,Alan Chen,Stephen Kuehne,Daniel Kerr,Daniel Dolan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Integrated circuit including integrated standard cell structure

Номер патента: US20210134837A1. Автор: Ji Su YU,Jin Young Lim,Hyeon Gyu YOU,Gi Young Yang,In Gyum KIM,Hak Chul JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Integrated circuit including integrated standard cell structure

Номер патента: US20240243134A1. Автор: Ji Su YU,Jin Young Lim,Hyeon Gyu YOU,Gi Young Yang,In Gyum KIM,Hak Chul JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Process for producing, from an soi and in particular an fdsoi type substrate, transistors having gate oxides of different thicknesses, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20160276451A1. Автор: Simon Jeannot,Gregory Bidal,Dominique Golanski. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-09-22.

Process for producing, from an SOI and in particular an FDSOI type substrate, transistors having gate oxides of different thicknesses, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09786755B2. Автор: Simon Jeannot,Gregory Bidal,Dominique Golanski. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240322043A1. Автор: Hyungjin Lee,Kangwook Park,Hyangwoo KIM,Wooyeol Maeng,ChangKi Baek,Kyounghwan Oh. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US20180061976A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred J. Eller,Jerome J. B. Ciavatti. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US09842927B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jerome J. B. Ciavatti,Manfred J Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device with function of modulating gain coefficient and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20030006438A1. Автор: Yutaka Arima. Владелец: Exploitation of Next Generation Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4717684A. Автор: Hisao Katto,Kousuke Okuyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-01-05.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US20150357477A1. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US4907053A. Автор: Tadahiro Ohmi. Владелец: Tadahiro Ohmi. Дата публикации: 1990-03-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5021843A. Автор: Tadahiro Ohmi. Владелец: Tadahiro Ohmi. Дата публикации: 1991-06-04.

Self-aligned via for gate contact of semiconductor devices

Номер патента: WO2016003595A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-07.

Process for integrated circuit fabrication including a liner silicide with low contact resistance

Номер патента: US20160118305A1. Автор: Qing Liu,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-28.

3d source and drain contacts tuned for pmos and nmos

Номер патента: US20230395717A1. Автор: Nitesh Kumar,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Christopher J. Jezewski,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuit structure with backside source or drain contact selectivity

Номер патента: US20240332377A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuits with monolayer tmd channel and multilayer tmd source and drain

Номер патента: US20240355934A1. Автор: Uygar E. Avci,Kevin P. O'brien,Tristan A. TRONIC,Mahmut Sami KAVRIK,Jennifer Lux. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuits with monolayer tmd channel and multilayer tmd source and drain

Номер патента: EP4451339A1. Автор: Uygar E. Avci,Tristan A. TRONIC,Mahmut Sami KAVRIK,Jennifer Lux,Kevin P. O`BRIEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Fin-based nonvolatile memory structures, integrated circuits with such structures, and methods for fabricating same

Номер патента: US09911867B2. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Ming-Tsang Tsai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor integrated circuit and wafer having diffusion regions differing in thickness and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060226447A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Fin-based nonvolatile memory structures, integrated circuits with such structures, and methods for fabricating same

Номер патента: US20180006158A1. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Ming-Tsang Tsai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Transistor, integrated circuit, and manufacturing method of transistor

Номер патента: US12021154B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Protecting an integrated circuit from the drilling of a source and/or drain contact

Номер патента: US20210020663A1. Автор: Philippe Galy,Thomas Bedecarrats. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2021-01-21.

Field effect transistor, preparation method thereof and integrated circuit

Номер патента: US12113119B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Backside conductive structures extending through integrated circuit to meet frontside contacts

Номер патента: EP4451321A1. Автор: Charles Wallace,Gary Allen,Leonard GULER,Nicholas Thomson,Saurabh Acharya,Debaleena Nandi,Umang DESAI,Vivek Vishwakarma,Clifford ENGEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Backside conductive structures extending through integrated circuit to meet frontside contacts

Номер патента: US20240355915A1. Автор: Charles H. Wallace,Gary Allen,Leonard P. GULER,Nicholas A. Thomson,Saurabh Acharya,Clifford J. ENGEL,Debaleena Nandi,Umang DESAI,Vivek Vishwakarma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Metal-free integrated circuits comprising graphene and carbon nanotubes

Номер патента: US20120326129A1. Автор: Yu-Ming Lin,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Thin film transistors with raised source and drain contacts and process for forming such

Номер патента: US11908911B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Field effect transistor, preparation method thereof and integrated circuit

Номер патента: US20230069273A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Thin film transistors with offset source and drain structures and process for forming such

Номер патента: US11929415B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Travis W. LaJoie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US9275994B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Structure and method of making strained semiconductor CMOS transistors having lattice-mismatched semiconductor regions underlying source and drain regions

Номер патента: US6891192B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Huajie Chen,Haining S. Yang,Oleg G. Gluschenkov,An L. Steegen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-10.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170110400A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Vertical semiconductor device, manufacturing method therefor, integrated circuit and electronic device

Номер патента: US12096623B2. Автор: Huilong Zhu,Kunpeng JIA,Weixing Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit metal silicide method

Номер патента: WO2005089484A3. Автор: Jiong-Ping Lu,Duofeng Yue,Xiaozhan Liu,Lance S Robertson,Donald S Miles. Владелец: Donald S Miles. Дата публикации: 2006-12-14.

Integrated circuit metal silicide method

Номер патента: US20050208764A1. Автор: Jiong-Ping Lu,Donald Miles,Duofeng Yue,Lance Robertson,Xiaozhan Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-09-22.

Bottom-gate thin-body transistors for stacked wafer integrated circuits

Номер патента: US09812555B2. Автор: Irfan Rahim,Raminda Madurawe,Hamid Soleimani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure having buried gate, buried source and drain contacts, and strained silicon and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057578A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Electrostatic discharge (ESD) protection transistor devices and integrated circuits with electrostatic discharge protection transistor devices

Номер патента: US09831236B2. Автор: Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN,Xiangxiang LU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Three-dimensional integrated circuits (3dics) including bottom gate mos transistors with monocrystalline channel material

Номер патента: US20210202476A1. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Kimin Jun,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Zachary Geiger,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Metal oxide thin film transistor with source and drain regions doped at room temperature

Номер патента: US09960281B2. Автор: Lei Lu,Man Wong,Hoi Sing Kwok. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Bottom-gate thin-body transistors for stacked wafer integrated circuits

Номер патента: US20160353038A1. Автор: Irfan Rahim,Raminda Madurawe,Hamid Soleimani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Buried source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09793171B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,William J. Taylor,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Multi-layered source and drain contacts for a thin film transistor (tft) structure

Номер патента: US20230369426A1. Автор: Travis W. LaJoie,Mark Armstrong,Van H. Le,Abhishek Anil Sharma,Timothy JEN,Shailesh Kumar Madisetti,Albert B. CHEN,Afrin Sultana,Moshe Dolejsi,Vishak Venkatraman,Deepyanti Taneja,Kamal H. Baloch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Three-dimensional integrated circuits (3dics) including upper-level transistors with epitaxial source & drain material

Номер патента: US20210202319A1. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Ryan KEECH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Transistor including wrap around source and drain contacts

Номер патента: US20190305136A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Van H. Le,Sean Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09978883B2. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Three-dimensional integrated circuits (3DICs) including bottom gate MOS transistors with monocrystalline channel material

Номер патента: US11996404B2. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Kimin Jun,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Zachary Geiger,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

LDMOS transistor device, integrated circuit, and fabrication method thereof

Номер патента: US20050012147A1. Автор: Ulf Smith,Torkel Arnborg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-01-20.

LDMOS transistor device, integrated circuit, and fabrication method thereof

Номер патента: US7391084B2. Автор: Ulf Smith,Torkel Arnborg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-06-24.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043992A1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Tunnel unalloyed multi-shear field nanotransistor with contacts of schottky

Номер патента: RU2626392C1. Автор: Владимир Владимирович Вьюрков,Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Дмитрий Александрович Свинцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук. Дата публикации: 2017-07-26.

Gate cut, and source and drain contacts

Номер патента: US20240222447A1. Автор: Lin Hu,Anupama Bowonder,Brian Greene,Amritesh Rai,Reken Patel,Conor P. PULS,Krishna GANESAN,Shruti SUBRAMANIAN,Swapnadip Ghosh,Diana Ivonne PAREDES,Akitomo Matsubayashi,Sunzida Ferdous,Lateef Uddin Syed,Kyle T. HORAK,Gordon S. FREEMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Gate cut, and source and drain contacts

Номер патента: EP4394857A1. Автор: Lin Hu,Anupama Bowonder,Brian Greene,Amritesh Rai,Reken Patel,Conor P. PULS,Krishna GANESAN,Shruti SUBRAMANIAN,Swapnadip Ghosh,Diana Ivonne PAREDES,Akitomo Matsubayashi,Sunzida Ferdous,Lateef Uddin Syed,Kyle T. HORAK,Gordon S. FREEMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Sputter targets and sources for self-doped source and drain contacts

Номер патента: US20230420246A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Matthew V. Metz,Aaron A. Budrevich,Ilya V. Karpov,Dan S. Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Sputter targets for self-doped source and drain contacts

Номер патента: US20240186127A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Matthew V. Metz,Aaron A. Budrevich,Ilya V. Karpov,Dan S. Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US8884363B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US09673060B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20090184375A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: US20110133287A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Polycrystalline silicon resistive device for integrated circuits and method for making same

Номер патента: CA1040321A. Автор: Alfred C. Ipri. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Self-Aligned Source and Drain Contacts

Номер патента: US20220005934A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Silicon resistive device for integrated circuits

Номер патента: US4072974A. Автор: Alfred C. Ipri. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-02-07.

Method for forming strained channel pmos devices and integrated circuits therefrom

Номер патента: WO2009094376A3. Автор: Amitabh Jain. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-10-15.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US10211094B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US9853115B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for producing a high-voltage transistor with reduced footprint, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09978847B2. Автор: Christian Rivero,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-22.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US09972682B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US09853115B2. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US10381442B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor wafer having integrated circuits with bottom local interconnects

Номер патента: US20200303244A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Integrated circuit device and integrated circuit layout

Номер патента: US20240363615A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tzu-Ching Chang,Cheng-Hsiang Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Dummy fin cell placement in an integrated circuit layout

Номер патента: US20180137232A1. Автор: Bao-Ru Young,Yu-Jung Chang,Tung-Heng Hsieh,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Back side processing of integrated circuit structures to form insulation structure between adjacent transistor structures

Номер патента: US11894262B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180019336A1. Автор: Sang Yong Kim,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240003007A1. Автор: Kihyun Kim,Heesoo Lee,Pyung MOON,Hyoungsub Kim,Kongsoo Lee,Hoijoon KIM,Geunyoung Yeom. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having partitioned source or drain contact structures

Номер патента: EP3647263A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha,Stephanie Bojarski,Babita DHAYAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230299071A1. Автор: Jung-Chan YANG,Yi-Jui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit having a vertical power MOS transistor

Номер патента: US09825035B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for making source and drain regions of a MOSFET with embedded germanium-containing layers having different germanium concentration

Номер патента: US09806171B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Fin-FET semiconductor device with a source/drain contact having varying different widths

Номер патента: US09786764B2. Автор: Sung-Woo Kang,Sun-jung Lee,Jeong-Nam Han,Chan-jin Park,Young-Mook Oh,Chung-Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Electrostatic protection circuit, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US09935096B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor-on-insulator integrated circuit with selectively thinned channel region

Номер патента: US5418391A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-05-23.

Self-aligned integrated circuits

Номер патента: CA1043467A. Автор: Howard L. Kalter,Anatol Furman,Johann W. Nagel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-11-28.

Low Resistance Source Drain Contact Formation with Trench Metastable Alloys and Laser Annealing

Номер патента: US20190181012A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US20170125535A1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Hybrid source and drain contact formation using metal liner and metal insulator semiconductor contacts

Номер патента: US20180047824A1. Автор: Tenko Yamashita,Hiroaki Niimi,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Integrated circuit structures with source or drain dopant diffusion blocking layers

Номер патента: US20230343826A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Anupama Bowonder,Aaron Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with source/drain via

Номер патента: US20240266282A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating a vertical quadruple conduction channel insulated gate transistor, and an integrated circuit including this kind of transistor

Номер патента: US20020163027A1. Автор: Thomas Skotnicki,Emmanuel Josse. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-11-07.

Transistors with metal source and drain contacts including a heusler alloy

Номер патента: WO2018004700A1. Автор: Singh Kanwaljit,Chaudhry Anurag,Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor optoelectronic integrated circuit and methodology for making same employing gate-all-around epitaxial structures

Номер патента: WO2023192081A1. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Taylor Geoff W. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor optoelectronic integrated circuit and methodology for making same employing gate-all-around epitaxial structures

Номер патента: US20230317819A1. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-05.

Transistors with metal source and drain contacts including a heusler alloy

Номер патента: US20190181249A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Anurag Chaudhry,Kanwaljit Singh,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device with source/drain via

Номер патента: US12021023B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09917050B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit chips comprising forksheet devices connected with buried power rails

Номер патента: US20240290660A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuits with recessed gate electrodes

Номер патента: US10651093B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J. Weeks. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Methods of generating integrated circuit layout using standard cell library

Номер патента: US9460259B2. Автор: Jae-Woo Seo,Gi-young Yang,Sang-hoon BAEK,Dal-Hee LEE,Sung-wee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit structure with dual thickness cobalt silicide layers and method for its manufacture

Номер патента: US6040606A. Автор: Christopher S. Blair. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-21.

Integrated circuit with reduced stress on circuit components and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP3872849A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield SPALDING. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-09-01.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated Circuit Devices Having High Density Logic Circuits Therein Powered Using Multiple Supply Voltages

Номер патента: US20110233629A1. Автор: SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Integrated circuit and associated layout with gate electrode level portion including at least two complimentary transistor forming linear conductive segments and at least one non-gate linear conductive segment

Номер патента: US7943966B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Field-effect transistor, and integrated circuit device and switching circuit using the same

Номер патента: US20040188724A1. Автор: Hidetoshi Ishida,Tsuyoshi Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Layout of integrated circuit

Номер патента: US20240290771A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu,Ruei-Yau Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Layout of integrated circuit

Номер патента: EP4156267A2. Автор: Wei-Jen Wang,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu,Ruei-Yau Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Layout of integrated circuit

Номер патента: EP4156267A3. Автор: Wei-Jen Wang,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu,Ruei-Yau Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Methods of manufacturing integrated circuits including field effect transistors

Номер патента: GB1447236A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-08-25.

Field effect transistor with source-connected field plate

Номер патента: US11749726B2. Автор: Matt King,Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Kyle BOTHE,Jia GUO,Qianli MU. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Field effect transistor with source-connected field plate

Номер патента: EP4342001A1. Автор: Matt King,Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Kyle BOTHE,Jia GUO,Qianli MU. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

A high electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: WO2023100058A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Eunjung Cha,Bogdan ZOTA. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Transistors with vertically opposed source and drain metal interconnect layers

Номер патента: US20190198627A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Trench jfet integrated circuit elements

Номер патента: CA2009068C. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1999-01-26.

Complementary silicon-insulator-semiconductor field effect transis tor integrated circuit and a method for its manufacture

Номер патента: GB1363581A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1974-08-14.

Integrated circuit with multi-length power transistor segments

Номер патента: US20060110861A1. Автор: Balu Balakrishnan. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2006-05-25.

Integrated circuit layout method and system

Номер патента: US20210209284A1. Автор: Tzu-Ying LIN,Jian-Sing LI,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Integrated circuit

Номер патента: US12015062B2. Автор: Maciej Cwiklinski. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-06-18.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240332280A1. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Tao Yu,Chun-Yao Ku,Kuan-Ting Chen,Jyun-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Charge cancelling structure and method for integrated circuits

Номер патента: US3983414A. Автор: Kenneth R. Stafford,John P. Guadagna. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1976-09-28.

Monolithic three dimensional integration of semiconductor integrated circuits

Номер патента: WO2014138317A1. Автор: Yang Du. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-12.

Integrated circuit having fins crossing cell boundary

Номер патента: US11935888B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Ya-Chi CHOU,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Monolithic three dimensional integration of semiconductor integrated circuits

Номер патента: EP2965359A1. Автор: Yang Du. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Structure for realizing integrated circuit having schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20080096361A1. Автор: Seong-Hearn Lee,Sang-wook Kwon,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8872220B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize W. Xiong,Cloves R. Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8410519B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize Xiong,Cloves Rinn Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS finFET sidewall channels

Номер патента: US9053966B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize W. Xiong,Cloves R. Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Integrated circuits

Номер патента: GB1509486A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-05-04.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Method for forming integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8138035B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize Xiong,Cloves Rinn Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-03-20.

Method for forming integrated circuits with aligned (100) nmos and (110) pmos finfet sidewall channels

Номер патента: US20110151651A1. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize Xiong,Cloves Rinn Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Chemical mechanical polishing of metal gate cuts formed after source and drain contacts

Номер патента: US20240213026A1. Автор: Matthew J. Prince,Robert R. Mitchell,Girish Sharma,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Lawrence Zaino,Barry B. Butler,Rajaram A. Pai,Niels Sveum,Chun Chen Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit with backside power rail and backside interconnect

Номер патента: US20240258298A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Guo-Huei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Semiconductor integrated circuit and methodology for making same

Номер патента: US11799268B2. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor integrated circuit and methodology for making same

Номер патента: US20240006845A1. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor integrated circuit and methodology for making same

Номер патента: WO2022046611A1. Автор: Geoff Taylor. Владелец: Geoff Taylor. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor integrated circuit and methodology for making same

Номер патента: EP4186101A1. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-31.

Method of fabricating a metal gate MOS transistor with self-aligned first conductivity type source and drain regions and second conductivity type contact regions

Номер патента: US5547895A. Автор: Sheng-Hsing Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Fork sheet device with wrapped source and drain contact to prevent nfet to pfet contact shortage in a tight space

Номер патента: US20240213243A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Indira Seshadri,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Alignment of integrated circuit chip stack

Номер патента: US20150024549A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Qinghuang Lin,Sri M. Sri-Jayantha,Vijayeshwar D. Khanna,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Robert L. Wisnieff,Peter J. Sorce,Steven A. Cordes,Kenneth Latzko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Package having exposed integrated circuit device

Номер патента: WO2004053931A3. Автор: Shafidul Islam,Michael H Mckerreghan,Antonio Rico San. Владелец: Antonio Rico San. Дата публикации: 2004-08-05.

Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device

Номер патента: EP1021837A1. Автор: Thomas P. Glenn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20170047349A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-16.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09922993B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Polysilicon/silicon junction field effect transistors and integrated circuits (POSFET)

Номер патента: US4546366A. Автор: Bobby L. Buchanan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-10-08.

Method and structure for reducing resistance in integrated circuits

Номер патента: US4885627A. Автор: Nathen P. Edwards. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-12-05.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20180166469A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor integrated circuit, method of manufacturing semiconductor integrated circuit, charge pump circuit, layout designing apparatus, and layout designing program

Номер патента: EP1406188A3. Автор: Yoshihiro Nonaka. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-06-02.

Method for designing integrated circuit layout by using analog/mixed-signal standard cells that do not violate layout rules of digital standard cells and associated computer system

Номер патента: US20240211673A1. Автор: Wei-Hsin Tseng,Kuan-Ta Chen,Chia-Hsin Hu,Pang-yen Chin,Yu-Sian Lin,Ri-cheng ZENG,Chi-Shun CHENG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated Circuit Layouts with Fill Feature Shapes

Номер патента: US20220277128A1. Автор: Ming-Yi Lin,Yen-Sen Wang,Yu-Cheng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method and system of merging memory cells into multi-bit registers in an integrated circuit layout

Номер патента: US09779197B1. Автор: Howard Shih Hao Chang,Kenneth David Wagner,Kanwaldeep Singh Chhokar,Redentor De La Merced,Yoo Ho Cho. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit design

Номер патента: US20170076033A1. Автор: Robert John Harrison,Ramnath Bommu Sabbiah SWAMY. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Integrated circuit design

Номер патента: US09984194B2. Автор: Robert John Harrison,Ramnath Bommu Sabbiah SWAMY. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit, layout design system, layout designing method, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: EP4386842A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Double rule integrated circuit layouts for a dual transmission gate

Номер патента: US20200006338A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Pin-Dai Sue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Double rule integrated circuit layouts for a dual transmission gate

Номер патента: US20200135732A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Pin-Dai Sue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Double rule integrated circuit layouts for a dual transmission gate

Номер патента: US20210098453A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Pin-Dai Sue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Double rule integrated circuit layouts for a dual transmission gate

Номер патента: US20220359512A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Pin-Dai Sue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Double rule integrated circuit layouts for a dual transmission gate

Номер патента: US11916074B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Pin-Dai Sue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Integrated circuit layout including standard cells of different gate line widths and same gate line pitch

Номер патента: US11862622B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Wei-Jen Wang,Chien-Hung Chen,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for designing integrated circuit layout by using analog/mixed-signal standard cells that do not violate layout rules of digital standard cells and associated computer system

Номер патента: EP4390748A1. Автор: Wei-Hsin Tseng,Kuan-Ta Chen,Chia-Hsin Hu,Pang-yen Chin,Yu-Sian Lin,Ri-cheng ZENG,Chi-Shun CHENG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Darlington circuit with constant voltage source and integrated circuit device integrated the darlington circuit with constant voltage source

Номер патента: WO2008038998A1. Автор: Ok-Sang Jin. Владелец: Ok-Sang Jin. Дата публикации: 2008-04-03.

Wafer trust via location locked circuit layout with measurable integrity

Номер патента: US20190229105A1. Автор: James L. Tucker. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Wafer trust via location locked circuit layout with measurable integrity

Номер патента: US20200212031A1. Автор: James L. Tucker. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Integrated circuit layout

Номер патента: EP4083847A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Wei-Jen Wang,Chien-Hung Chen,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

Integrated circuit layout

Номер патента: US20220344321A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Wei-Jen Wang,Chien-Hung Chen,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Notched gate configuration for high performance integrated circuits

Номер патента: US20020187646A1. Автор: Giuseppe Curello. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Integrated circuit having direction dependent wiring

Номер патента: US8464187B1. Автор: Qi-De Qian. Владелец: IYM Technologies LLC. Дата публикации: 2013-06-11.

Systems and methods for integrated circuit layout

Номер патента: US20240020451A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chun-Chen Chen,Shao-Huan Wang,Meng-Xiang LEE,Ren-Zheng Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Systems and methods for integrated circuit layout

Номер патента: US11748542B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chun-Chen Chen,Shao-Huan Wang,Meng-Xiang LEE,Ren-Zheng Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit layout structure

Номер патента: US20170194349A1. Автор: Chien-Hung Chen,Chun-Hsien Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Generating cutting forms along current flow direction in a circuit layout

Номер патента: WO2010083226A1. Автор: Hongmei Liao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-07-22.

Integrated circuit with EPROM cells

Номер патента: US5610421A. Автор: Claudio Contiero,Stefano Manzini,Tiziana Cavioni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-03-11.

Integrated circuit with EPROM cells

Номер патента: US5837554A. Автор: Claudio Contiero,Stefano Manzini,Tiziana Cavioni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-11-17.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: US20240222356A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: EP4398299A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Electrostatic discharge protection device and a method for simultaneously forming MOS devices with both lightly doped and non lightly doped source and drain regions

Номер патента: US5208475A. Автор: Gordon L. Mortensen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-05-04.

Semiconductor integrated circuit, layout design system, layout designing method, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: US20240194683A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit and method of designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7923755B2. Автор: Junichi Yano,Hidetoshi Nishimura,Emi Mizushino. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-12.

Layout design method and method of manufacturing integrated circuit device using the same

Номер патента: US20240104287A1. Автор: Inseop Lee,Hee JEONG,Dawoon Choi,Bongkeun Kim,Myungsoo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Power gate placement techniques in three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs)

Номер патента: US09754923B1. Автор: Yang Du,Javid Jaffari,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Logic-circuit layout for large-scale integrated circuits

Номер патента: CA1243423A. Автор: Joseph M. FitzGerald,Robert R. Williams,Bradford Dunham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-10-18.

Semiconductor device and method for generating integrated circuit layout

Номер патента: US20240014202A1. Автор: Chun-Cheng Ku,Kuan-Jung Jhu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of integrating optical devices and electronic devices on an integrated circuit

Номер патента: US20060105488A1. Автор: Omar Zia,Lawrence Gunn,Nigel Cave. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Through-silicon via (TSV) crack sensors for detecting TSV cracks in three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs), and related methods and systems

Номер патента: US09869713B2. Автор: Yang Du,Sung Kyu Lim,Ratibor Radojcic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100019835A1. Автор: Takayasu Ito,Naoya Arisaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7872520B2. Автор: Takayasu Ito,Naoya Arisaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110090001A1. Автор: Takayasu Ito,Naoya Arisaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor integrated circuit device with electrostatic damage protection

Номер патента: US5486716A. Автор: Yutaka Saito,Masaaki Kamiya,Yoshikazu Kojima,Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-23.

Heterolithic integrated circuits including integrated devices formed on semiconductor materials of different elemental composition

Номер патента: US11817450B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Cell row arrangement in regions of integrated circuit layout

Номер патента: US20210240901A1. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Tao Yu,Chun-Yao Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Generating cutting forms along current flow direction in a circuit layout

Номер патента: US8103994B2. Автор: Hongmei Liao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-01-24.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: US7355443B2. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-08.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: EP1520298B1. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-29.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Multi-orientation integrated cell, in particular input/output cell of an integrated circuit

Номер патента: US09735772B2. Автор: Emmanuel Josse,Alexandre Dray. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

ESD/EOS protection circuits for integrated circuits

Номер патента: US5450267A. Автор: Charvaka Duvvury,Carlos H. Diaz,Sung-Mo Kang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-09-12.

Complete system-on-chip (soc) using monolithic three dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) technology

Номер патента: WO2015009614A1. Автор: Yang Du. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-22.

Integrated circuit and method of generating integrated circuit layout

Номер патента: US20200126967A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Lee-Chung Lu,Aftab Alam KHAN,Sheng-Fong CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Integrated circuit and method of generating integrated circuit layout

Номер патента: US20230121153A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Lee-Chung Lu,Aftab Alam KHAN,Sheng-Fong CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Integrated circuit and method of generating integrated circuit layout

Номер патента: US11908853B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Lee-Chung Lu,Aftab Alam KHAN,Sheng-Fong CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: EP1982352A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-22.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: WO2007086019A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-08-02.

Capacitance memories operated with intermittently-energized integrated circuits

Номер патента: US4034239A. Автор: Otto Heinrich Schade, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-07-05.

Integrated circuits including abutted blocks and methods of designing layouts of the integrated circuits

Номер патента: US20230297752A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Sanghoon Baek,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit with protective element

Номер патента: US20240274595A1. Автор: Edgardo Laber,James Edwin Vinson. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of manufacturing integrated circuits having finfet structures with epitaxially formed source/drain regions

Номер патента: US20150099336A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hoong Shing Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Structure and process for contacting and interconnecting semiconductor devices within an integrated circuit

Номер патента: US4977440A. Автор: E. Henry Stevens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-12-11.

Process for contacting and interconnecting semiconductor devices within an integrated circuit

Номер патента: US5070036A. Автор: E. Henry Stevens. Владелец: Quality Microcircuits Corp. Дата публикации: 1991-12-03.

Field-effect transistor (fet) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US20140370681A1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Field-effect transistor (FET) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US8969152B2. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US20030203613A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US6974968B2. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-12-13.

Method and apparatus for fabricating self-aligned contacts in an integrated circuit

Номер патента: US20030100159A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Methods of making integrated circuits and components thereof

Номер патента: US20160064515A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Gerd Zschatzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Aluminum-based gallium nitride integrated circuits

Номер патента: US20210118871A1. Автор: James G. Fiorenza,Puneet Srivastava,Daniel Piedra,Andrew Proudman,Kenneth Flanders,Denis Michael Murphy,Leslie P. Green,Peter A. Stubler. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Aluminum-based gallium nitride integrated circuits

Номер патента: US20230133481A1. Автор: James G. Fiorenza,Puneet Srivastava,Daniel Piedra,Andrew Proudman,Kenneth Flanders,Denis Michael Murphy,Leslie P. Green,Peter R. Stubler. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Gallium nitride integrated circuits

Номер патента: US20230154875A1. Автор: James G. Fiorenza,Puneet Srivastava,Daniel Piedra,Andrew Proudman,Kenneth Flanders,Denis Michael Murphy,Leslie P. Green,Peter R. Stubler. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Gallium nitride integrated circuits including non-gold-based metallic materials

Номер патента: US12087713B2. Автор: James G. Fiorenza,Puneet Srivastava,Daniel Piedra,Andrew Proudman,Kenneth Flanders,Denis Michael Murphy,Leslie P. Green,Peter R. Stubler. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor integrated circuit device incorporating memory cell transistor and logic transistor, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040212010A1. Автор: Hideaki Aochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: EP2375451A3. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey. B Casady. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-04-18.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US9768173B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US20160336323A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Method for forming thickened source/drain contact regions for field effect transistors

Номер патента: US5250454A. Автор: Witold P. Maszara. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-10-05.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: WO2022246351A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-11-24.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: US11973019B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: EP4342002A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit layout, integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US11817402B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated Circuit Layout, Integrated Circuit, and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20220246548A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Integrated Circuit Layout, Integrated Circuit, and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20240071957A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Radhard power integrated circuit

Номер патента: US20010034094A1. Автор: Niraj Ranjan,Iulia Rusu,Milton Boden. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2001-10-25.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US09917087B2. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods for fabricating integrated circuits with low, medium, and/or high voltage transistors on an extremely thin silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09653365B1. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Jae Han Cha,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuits with image sensors and methods for producing the same

Номер патента: US20200161365A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and integrated circuit

Номер патента: US20220384447A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Integrated circuit package

Номер патента: US09754913B2. Автор: Jurgen Leonardus Theodorus Maria Raben. Владелец: Sencio BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit comprising capacitances of different capacitance values

Номер патента: CA1241454A. Автор: Arnoldus J.J. Boudewijns. Владелец: Arnoldus J.J. Boudewijns. Дата публикации: 1988-08-30.

Silicon-on-sapphire integrated circuit and method of making the same

Номер патента: US4751554A. Автор: George L. Schnable,Kenneth M. Schlesier. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Integrated circuit comprising an assembly of an electronic chip, an optical element and a substrate and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20240168245A1. Автор: Romain Coffy,Younes BOUTALEB. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-23.

Multi-dimensional photonic integrated circuits and memory structure for photonic integrated circuits and associated systems and methods

Номер патента: US20230207711A1. Автор: Danny Rittman,Aliza Schnapp. Владелец: GBT Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Insulated top side bump connection for a power device, for example for gate, source and drain contacts of a power field effect transistor

Номер патента: WO2014149579A1. Автор: Gregory Dix,Roger MELCHER. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200083235A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda,Yinghao HO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Integrated circuit layout and method for manufacturing integrated circuit device using the integrated circuit layout

Номер патента: US20240370619A1. Автор: Hyung Keun Park,Bong Keun KIM,Hee JEONG,Myung Soo NOH,Yun Kyoung SONG,Da Woon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Passive control thermal control system based on the circuit heat pipe for cooling of processors and programmable logic integrated circuits in space and aircraft electronic modules and servers

Номер патента: RU2685078C1. Автор: Юрий Фольевич Майданик,Владимир Григорьевич Пастухов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Теркон-КТТ" (ООО "Теркон-КТТ"). Дата публикации: 2019-04-16.

Method and system of forming integrated circuit

Номер патента: US20200051863A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Yi-Kan Cheng,Ka Fai CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for post decomposition density balancing in integrated circuit layouts, related system and program product

Номер патента: US20140065728A1. Автор: Kanak B. Agarwal,Lars W. Liebmann,Shayak Banerjee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Interconnect layer of a modularly designed analog integrated circuit

Номер патента: US20080083936A1. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi International Inc USA. Дата публикации: 2008-04-10.

Integrated circuit with constrained metal line arrangement

Номер патента: US20210110000A1. Автор: Yuan Ma,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Qiquan Wang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit with constrained metal line arrangement, method of using, and system for using

Номер патента: US20230367949A1. Автор: Yuan Ma,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Qiquan Wang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US20140051190A1. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US20140011307A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US8592323B1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Method of large-area circuit layout recognition

Номер патента: US9105518B2. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell,John A. Ott,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Gallium nitride transistors with source and drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: US20200227545A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Method and apparatus providing optical input/output through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: WO1999032910A1. Автор: Mario J. Paniccia,Valluri R. M. Rao. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-07-01.

Integrated circuit with constrained metal line arrangement

Номер патента: US11748550B2. Автор: Yuan Ma,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Qiquan Wang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit layout utilizing separated active circuit and wiring regions

Номер патента: CA1102009A. Автор: Algirdas J. Gruodis,John Balyoz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

Power grid layout designs for integrated circuits

Номер патента: EP3516690A2. Автор: Richard T. Schultz,Regina Tien Schmidt,Derek P. Peterson,Te-Hsuan Chen,Elizabeth C. Conrad,Catherina Simona Matheis Ionescu,Chu-Wen Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-07-31.

Power grid layout designs for integrated circuits

Номер патента: WO2018057778A2. Автор: Richard T. Schultz,Regina Tien Schmidt,Derek P. Peterson,Te-Hsuan Chen,Elizabeth C. Conrad,Catherina Simona Matheis Ionescu,Chu-Wen Wang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2018-03-29.

Photonic integrated circuit package

Номер патента: US20170194309A1. Автор: Jiaming Zhang,Fred A. Kish, Jr.,John W. Osenbach,Peter W. Evans,Miguel Iglesias Olmedo,Maria Anagnosti. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Multi-height & multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US20240304549A1. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuits (ics) employing multi-pattern metallization to optimize metal interconnect spacing for improved performance and related fabrication methods

Номер патента: US20230335489A1. Автор: Bed Raj Kandel,Katherine ZHANG,Thomas Hua-Min Williams. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Integrated circuits employing multi-pattern metallization to optimize metal interconnect spacing and related fabrication method

Номер патента: WO2023201140A1. Автор: Bed Raj Kandel,Katherine ZHANG,Thomas Hua-Min Williams. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-10-19.

Multiplexing of digital signals at multiple supply voltages in an integrated circuit

Номер патента: WO2005027348A1. Автор: Christopher K. Chun. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20240258235A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Multiplexing of digital signals at multiple supply voltages in an integrated circuit

Номер патента: US20050052204A1. Автор: Christopher Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Integrated circuit device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230394216A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and layout of an integrated circuit

Номер патента: US20140332971A1. Автор: Wei-Yu Chen,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Hsiang-Jen TSENG,Ruei-Wun SUN,Shun Li CHEN,Hung-Jung TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Method and system of forming integrated circuit

Номер патента: US12009260B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Yi-Kan Cheng,Ka Fai CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Hybrid integrated circuit architecture

Номер патента: WO2022203690A1. Автор: Florian G. Herrault. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Methods of routing clock trees, integrated circuits and methods of designing integrated circuits

Номер патента: US12056430B2. Автор: Bonghyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuits with resistive non-volatile memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20200321396A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: EP4042474A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: WO2021067909A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-04-08.

Integrated circuit die/package interconnect

Номер патента: US20080096323A1. Автор: Gilroy Vandentop,Hamid Azimi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Hybrid integrated circuit architecture

Номер патента: US20210233857A1. Автор: Florian G. Herrault. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2021-07-29.

Method and apparatus for control and suppression of stray light in a photonic integrated circuit

Номер патента: US12136681B2. Автор: Liming Wang,Martin A. Kits Van Heyningen. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Integrated circuit package and method of making the same

Номер патента: US20160254216A1. Автор: Chih-Liang Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US6573546B2. Автор: Makoto Ogasawara,Yoshitaka Tadaki,Masashi Horiguchi,Norio Hasegawa,Shinichi Fukada,Makoto Ohkura,Aritoshi Sugimoto,Kiyonori Ohyu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-03.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Process for fabricating an integrated circuit comprising a phase of forming trenches in a substrate and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20230238272A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Franck Julien. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-07-27.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Integrated circuit, construction of integrated circuitry, and method of forming an array

Номер патента: WO2020023087A1. Автор: Kevin R. Shea,Gurpreet Lugani,Alex Kogan,Kyle B. Campbell,Mario J. DI CINO,Aaron W. FREESE. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-30.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Integrated Circuit, Construction Of Integrated Circuitry, And Method Of Forming An Array

Номер патента: US20200035498A1. Автор: Kevin R. Shea,Gurpreet Lugani,Alex Kogan,Kyle B. Campbell,Mario J. DI CINO,Aaron W. FREESE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Integrated circuit, construction of integrated circuitry, and method of forming an array

Номер патента: EP3776645A1. Автор: Kevin R. Shea,Gurpreet Lugani,Alex Kogan,Kyle B. Campbell,Mario J. DI CINO,Aaron W. FREESE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US12135667B2. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US09948305B2. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Inversely alternate stacked structure of integrated circuit modules

Номер патента: US7795720B1. Автор: Hong-Chi YU. Владелец: Walton Advanced Engineering Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Modeling localized temperature changes on an integrated circuit chip using thermal potential theory

Номер патента: US20170147726A1. Автор: Frederick G. Anderson,Nicholas T. Schmidt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060114052A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Modeling localized temperature changes on an integrated circuit chip using thermal potential theory

Номер патента: US09971859B2. Автор: Frederick G. Anderson,Nicholas T. Schmidt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

IGFET Integrated circuit memory cell

Номер патента: US4125933A. Автор: Steven M. Baldwin,Donald L. Henderson, Sr.,Joel A. Karp. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

Method of making integrated circuits having a planarized dielectric

Номер патента: US5026666A. Автор: Graham W. Hills,Robert D. Huttemann,Kolawole R. Olasupo. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-06-25.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Circuit arrangement and integrated circuit

Номер патента: US20080303165A1. Автор: Winfried Bakalski,Markus Zannoth,Michael Asam,Krzysztof Kitlinski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-11.

Circuit arrangement and integrated circuit

Номер патента: US7808079B2. Автор: Winfried Bakalski,Markus Zannoth,Michael Asam,Krzysztof Kitlinski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-05.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Integrated circuit packages

Номер патента: US12057439B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith

Номер патента: US20130171933A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Hybrid system including photonic and electronic integrated circuits and cooling plate

Номер патента: US12100701B1. Автор: Ramakanth Alapati,Gabriel J. Mendoza. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and apparatus for sharing clocks between separate integrated circuit chips

Номер патента: US12095463B1. Автор: Hongwei Dai,Xiaofeng Tang,Gongqiong Li. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: AU2021366690A9. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US12085442B2. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit packages

Номер патента: US20240355782A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4443484A2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit including two substrates with qubits disposed within one of the two substrates

Номер патента: US12069967B2. Автор: Christopher A. Cantaloube. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods and apparatus for integrated circuit failsafe fuse package with arc arrest

Номер патента: US09865537B1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steve Kummerl,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748203B2. Автор: Kyunghwan Kim,DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Integrated-circuit protective system

Номер патента: RU2232420C2. Автор: Михель СМОЛА,Ян ОТТЕРШТЕДТ,Михель РИХТЕР,Мартин АЙЗЕЛЕ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-07-10.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Integral circuit assembly

Номер патента: RU2145732C1. Автор: Удо Детлеф,Киршбауер Йозеф,Менш Ханс-Георг,Штампка Петер,Штекхан Ханс-Хиннерк. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2000-02-20.

Package to mount chip in integrated circuit and process of its assembly

Номер патента: RU2191445C2. Автор: Стефен Уэсли МАККВЭРРИ,Уэйн Расселл СТОРР,Джеймс Уоррен УИЛСОН. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2002-10-20.

Method and layout of an integrated circuit

Номер патента: US20140195997A1. Автор: Wei-Yu Chen,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Hsiang-Jen TSENG,Ruei-Wun SUN,Shun Li CHEN,Hung-Jung TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Stacked integrated circuit chip assembly

Номер патента: WO2007047808A2. Автор: Chad A. Vos. Владелец: LITTELFUSE, INC.. Дата публикации: 2007-04-26.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit package stack

Номер патента: EP3479403A1. Автор: Saikumar Jayaraman,John S. Guzek,Yidnekachew S. MEKONNEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-08.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Integrated circuit package system with integrated circuit support

Номер патента: US20070108559A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan,Henry Bathan,Zigmund Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A3. Автор: Duncan Stewart,Frederick A Perner,R Stanley Williams,Gregory S Snider,Phillip J Kuekes. Владелец: Phillip J Kuekes. Дата публикации: 2007-08-16.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: EP1872398A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-01-02.

Three-dimensional integrated circuit, and process and device for three-dimensional integrated circuit alignment

Номер патента: EP4099369A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Riqing Zhang,Weihua Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Integrated circuit package

Номер патента: US20140070421A1. Автор: Martin Mchugh,Michael Anthony Higgins,Piers Tremlett. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor Integrated Circuit and Fabricating the Same

Номер патента: US20140203434A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Packaged integrated circuit device with built-in baluns

Номер патента: EP4071807A1. Автор: Antonius Johannes Matheus De Graauw,Cicero Silveira Vaucher,Waqas Hassan Sayed. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-10-12.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method and apparatus for image sensing using an integrated circuit-based compound eye

Номер патента: US20030111593A1. Автор: John Mates. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

90 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6541873B1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

Integrated circuit component with conductive terminals of different dimensions and package structure having the same

Номер патента: US12074066B2. Автор: Ming-Yen Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for improving prompt dose radiation response of mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20120306050A1. Автор: John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Dual-side interconnected cmos for stacked integrated circuits

Номер патента: EP2559066A1. Автор: Brian Henderson,Arvind Chandreaskaran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-02-20.

Dual-side interconnected cmos for stacked integrated circuits

Номер патента: WO2011130078A1. Автор: Brian Henderson,Arvind Chandreaskaran. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-10-20.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210020584A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzu Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A4. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2006-05-31.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: WO1999046965A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Technology, LLC. Дата публикации: 1999-09-16.

Multiple ball grid array (bga) configurations for a single integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20210066178A1. Автор: Dinesh Somasekhar,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20220285837A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Transfer molding of integrated circuit packages

Номер патента: US20050275091A1. Автор: Marie-Claude Paquet,Catherine Dufort,Marie-France Boyaud,Real Tetreault. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit package system with leadframe substrate

Номер патента: SG142329A1. Автор: Cheonhee Lee,Youngnam Choi. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

120 Degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098508A1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Enhanced static-dynamic stress techniques to accelerate latent defects for integrated circuits

Номер патента: US20240210466A1. Автор: Thomas Pompl,Steve Herndon,Andres Maldonado. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Enhanced jet impingement leak prevention for integrated circuit

Номер патента: US20240175917A1. Автор: Kelly Lofgreen,Joseph Petrini,Paul Diglio,Sami Alelyani,Craig Yost,Ruben NUNEZ BLANCO,Christopher Ackerman,Varun NARAYAN,Jensen STENBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Electrically Testable Integrated Circuit Packaging

Номер патента: US20190096772A1. Автор: Ronald Eugene Reedy,Mark Moffat,Andrew Christie,Duncan Pilgrim. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2000-12-27.

Integrated circuit to dielectric substrate transition

Номер патента: EP4395066A3. Автор: Ekrem Oran,Fatih Kocer,Arun Raj,Santosh Anil Kudtarkar,Christoph Maximilian STEINBRECHER,Sacid Oruc. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-25.

A method of determining the location of a defect in an integrated circuit and how to use this integrated circuit

Номер патента: EP1204122A3. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-02.

Apparatus and method for preventing configurable system-on-a-chip integrated circuits from beginning I/O limited

Номер патента: US7982321B2. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Through-silicon via layout for multi-die integrated circuits

Номер патента: US12107076B2. Автор: Edward Chang,Alan D. Smith,Jasmeet Singh Narang,John Wuu,Wonjun Jung,Tyrone HUANG,Christopher KLEMENT. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: ZA202301991B. Автор: Nikolas Radosevic (Deceased),Wijk Adrian Van. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Structural and thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US12046534B2. Автор: Brett W. Degner,Michael E. Leclerc,Kevin J. Ryan,Eric R. Prather,Simon J. TRIVETT,Mahesh S. Hardikar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Substrate with multiple core layers to provide varied thickness cavities supporting varied thickness embedded electrical devices, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20240355747A1. Автор: Xia Li,John Holmes,Bin Yang,Aniket Patil. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US09984964B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuit wafer integration with catalytic laminate or adhesive

Номер патента: US09922951B1. Автор: Konstantine Karavakis,Kenneth S. Bahl. Владелец: Sierra Circuits Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance

Номер патента: US09899329B2. Автор: Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09875913B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Radio frequency circuitr having an integrated harmonic filter and a radio frequency circuit having transistors of different threshold voltages

Номер патента: US09866178B2. Автор: Sergey Anderson. Владелец: DSP GROUP LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit package stack

Номер патента: US09859253B1. Автор: Saikumar Jayaraman,John S. Guzek,Yidnekachew S. MEKONNEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Three-dimensional integrated circuit structures providing thermoelectric cooling and methods for cooling such integrated circuit structures

Номер патента: US09847272B2. Автор: WEI Liu,Kheng Chok Tee,Juan Boon Tan,Kam Chew Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuits and molding approaches therefor

Номер патента: US09842776B2. Автор: Roelf Anco Jacob Groenhuis,Tonny Kamphuis,John Suman Nakka. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuit dies with through-die vias

Номер патента: US09799629B2. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-24.

Packages for integrated circuits and methods of packaging integrated circuits

Номер патента: US09786838B2. Автор: Angelo V. Ugge. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

High density integrated circuit package structure and integrated circuit

Номер патента: US09768101B2. Автор: Dazhong LIANG. Владелец: CHINA CHIPPACKING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US09716056B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Integrated circuit layout wiring for multi-core chips

Номер патента: US10102327B2. Автор: Chetan BISHT,Harry Scrivener, III. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-10-16.

Multi-height and multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US12002754B2. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Multi-height & multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US20210407907A1. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Hermetic packaging of integrated circuit components

Номер патента: EP2404320A2. Автор: Premjeet Chahal,Francis J. Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-01-11.

Integrated circuit metallic ion diffusion defect validation

Номер патента: EP3915140A1. Автор: Mark Thomas McCormack,Anik MEHTA,Louis Charles II KORDUS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-12-01.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated circuit with topological semimetal interconnects

Номер патента: US20230030586A1. Автор: HyeukJin Han,Jeeyoung Cha. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-02.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Process for precision placement of integrated circuit overcoat material

Номер патента: US7884449B2. Автор: Rex W Pirkle,Sean M Malolepszy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Integrated circuit package with warpage control using cavity formed in laminated substrate below the integrated circuit die

Номер патента: EP4135022A3. Автор: Roseanne Duca. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Method of providing a gettering scheme in the manufacture of silicon-on-insulator (soi) integrated circuits

Номер патента: WO1999034432A1. Автор: Rene P. Zingg,Theodore J. Letavic. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-07-08.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2006-11-02.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: EP1465249A3. Автор: Anthony M Chiu,Tom Q Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-20.

Method of optimizing laser cutting of wafers for producing integrated circuit dies

Номер патента: US20230415269A1. Автор: Miguel CAMARGO SOTO,Juan Arturo Jerez,Luis Enrique Velazquez Cardenas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: EP1616380A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-18.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: WO2004091067A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Integrated circuit having state machine-driven flops in wrapper chains for device testing

Номер патента: US20210399729A1. Автор: Gustav Laub, III. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Substrate for integrated circuit package

Номер патента: US20170243799A1. Автор: Jae Young Choi,Hyung Soo Moon,Joon Soo Kim. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Integrated circuit (ic) packages employing a thermal conductive package substrate with die region split, and related fabrication methods

Номер патента: EP4100997A1. Автор: Aniket Patil,Dongming He,Kuiwon Kang,Bohan Yan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US12027472B2. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Ramji Sitaraman LAKSHMANAN,Laurence Brendan O'Sullivan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit, circuit board, and electronic apparatus

Номер патента: US20220385289A1. Автор: Yohei Ogawa,Yukio Ito,Keisuke Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A3. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Suresh Ramalingam. Дата публикации: 2001-01-11.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Embedded photonics integrated circuit in glass core of substrate

Номер патента: US20240027710A1. Автор: Xiaoqian Li,Srinivas V. Pietambaram,Brandon Christian Marin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated circuit system with carbon enhancement

Номер патента: SG146528A1. Автор: Li Wai-Kin,Liu Wuping,Lawrence A Clevenger,Kevin S Petrarca,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-30.

Radiation shield and radiation shielded integrated circuit device

Номер патента: WO2001039255A9. Автор: Joseph M Benedetto. Владелец: Aeroflex Utmc Microelectronic. Дата публикации: 2002-08-15.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Stackable integrated circuit package and method therefor

Номер патента: EP1644976A2. Автор: Hem P. Takiar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Integrated circuit package system with interconnect support

Номер патента: US20090250798A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey D. Punzalan,Henry D. Bathan,Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Large scale integrated circuit chip and large scale integrated circuit wafer

Номер патента: US20170278805A1. Автор: Atsushi Obuchi,Hiroshi Kaga,Takashi Yoneoka. Владелец: Wells Fargo Bank NA. Дата публикации: 2017-09-28.

Optical bus in 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012003530A9. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure

Номер патента: US20240258220A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same

Номер патента: US20200348587A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Johannes Cobussen,Leendertjan Mekking. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Power grid layout techniques on integrated circuits

Номер патента: EP1503416A3. Автор: John Campbell,Kim R. Stevens,Luigi De Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Methods and apparatus for integrated circuit ball bonding with substantially perpendicular wire bond profiles

Номер патента: US20050176232A1. Автор: Curtis Miller,Nelson Troncoso. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

System For Shielding Integrated Circuits

Номер патента: US20080093742A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit constructions having through substrate vias and methods of forming integrated circuit constructions having through substrate vias

Номер патента: EP2801111A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-12.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A2. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2000-09-08.

Integrated circuit package having an inductance loop formed from a multi-loop configuration

Номер патента: US20050045986A1. Автор: Kang Lee,Joonbae Park,Kyeongho Lee,Yido Koo,Jeong-Woo Lee,Hyungki Huh. Владелец: Gct Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Power integrated circuit with high insensitivity to parasitic inductances of wires for connection to a package and package for said integrated circuit

Номер патента: US20090073625A1. Автор: Edoardo Botti,Pietro Mario Adduci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-19.

120 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6617699B2. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated circuit formed with microphone transducer

Номер патента: WO2011081998A2. Автор: Marie Denison,Wei-Yan Shih,Brian E. Goodlin,Lance W. Barron. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-07-07.

Integrated circuit packaging configuration for rapid customized design and unique test capability

Номер патента: WO1988002553A2. Автор: Robert John Wojnarowski,Charles William Eichelberger,Kenneth Brakeley Ii Welles. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1988-04-07.

Integrated circuit package with improved electro-static discharge protection

Номер патента: US20050242415A1. Автор: Robert Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Apparatus For Implementing Multiple Integrated Circuits Using Different Gate Oxide Thicknesses On A Single Integrated Circuit Die

Номер патента: US20090289323A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Method and apparatus for interconnect layout in an integrated circuit

Номер патента: WO2011093961A3. Автор: Michael J. Hart. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Leadless integrated circuit packaging system and method of manufacture thereof

Номер патента: US8709873B2. Автор: Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-29.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

TRANSMITTER PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT (TxPIC) CHIP WITH ENHANCED POWER AND YIELD WITHOUT ON-CHIP AMPLIFICATION

Номер патента: EP1488485A2. Автор: David F. Welch,Fred A. Kish, Jr.,Frank H. Peters,Charles H. Joyner,Atul Mathur,Mark J. Missey,Richard P. Schneider,Andrew G. Dentai,Damien Jean Henri Lambert. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Optical integrated circuit device array having bi-directional characteristics and optical system using the same

Номер патента: US20190227150A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Bum Lee,Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Seong-Gu Kim,Jung-Ho Cha,Chang-Gyun Shin,Yong-Hwack SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Photonic integrated circuit for wavelength division multiplexing

Номер патента: WO2012041776A1. Автор: Romain Brenot,Alexandre Garreau. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2012-04-05.

Photonic integrated circuit for wavelength division multiplexing

Номер патента: SG189049A1. Автор: Romain Brenot,Alexandre Garreau. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2013-05-31.

Pogo pin integrated circuit package mount

Номер патента: US09844144B1. Автор: Emad Al-Momani,Srikanth Mothukuri,Jack Mumbo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Radio frequency oscillator with ceramic resonator and surface-mounted integrated circuit package

Номер патента: WO2024205890A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09960801B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit package comprising a crossed dipole antenna

Номер патента: US12021297B2. Автор: Imran Aziz,Dragos Dancila,Erik Öjefors,Johanna Hanning. Владелец: Sivers Wireless AB. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Compact microwave terrestrial radio utilizing monolithic microwave integrated circuits

Номер патента: CA2237613C. Автор: Jeffrey A. Paul,Roy Wien,Richard P. Mintzlaff,Richard T. Hennegan,Raymond Santos Jr.,Chaim Warzman,Steve Blacketer. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2002-08-06.

Multiple redundant reliability enhancement method for integrated circuits and transistors

Номер патента: WO2001031790A1. Автор: John W. Oglesbee. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 2001-05-03.

Integrated circuit memory system with dummy active region

Номер патента: US20070207558A1. Автор: Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Donghua Liu,Ching Dong Wang,Swee Tuck Woo,Louis Yoke Leng Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-09-06.

Integrated circuit memory system with dummy active region

Номер патента: SG135159A1. Автор: Liu Donghua,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,Jung Sung Mung,Wang Ching Dong,Lim Yoke Leng Louis. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-09-28.

Integrated circuit memory system with dummy active region

Номер патента: US7332378B2. Автор: Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Donghua Liu,Ching Dong Wang,Swee Tuck Woo,Louis Yoke Leng Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Integrated circuit having high voltage detection circuit

Номер патента: US5723990A. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1998-03-03.

Integrated circuit layout extraction using parallelized tile image processing

Номер патента: US20230298159A1. Автор: Adam G. Kimura,Adam R. Waite,James E. Schaffranek. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit apparatus

Номер патента: US20080174355A1. Автор: Masahiro Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Encoding method, decoding method, encoding device, decoding device, program and integrated circuit

Номер патента: RU2479936C2. Автор: Йоудзи Сибахара,Такахиро Ниси,Чонг Соон Лим. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2013-04-20.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Low frequency two phase oscillator including variable feedback integrator circuits

Номер патента: US3942131A. Автор: Allan I. Bennett. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1976-03-02.

Integrated circuit for control of an isolating resonant led converter, and method of operating the integrated circuit

Номер патента: EP4422052A1. Автор: Miguel Philipp Schneider. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Integrated circuit for control of an isolating resonant led converter, and method of operating the integrated circuit

Номер патента: WO2024175328A1. Автор: Miguel Philipp Schneider. Владелец: TRIDONIC GMBH & CO KG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090095884A1. Автор: Toshio Mochizuki,Takanobu Ambo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Programmable nonvolatile memory and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060244041A1. Автор: Takashi Tanaka,Seiichi Endo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

System level integrated circuit chip

Номер патента: US20190114268A1. Автор: Ning Song,Jinghui Zhu,ChienKuang Chen,Diwakar Chopperla,San-Ta Kow,Tun Jun Gao. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Programmable nonvolatile memory and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7812389B2. Автор: Takashi Tanaka,Seiichi Endo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Suppression of noise in an integrated circuit

Номер патента: WO2004049605A1. Автор: Jose D. J. Pineda De Gyvez,Rosario Capo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-06-10.

Process for the fabrication of an integrated circuit comprising MOS transistors for low voltage, EPROM cells and MOS transistors for high voltage

Номер патента: US20010018250A1. Автор: Nicola Zatelli,Barbara Crivelli,Elisabetta Palumbo,Daniela Peschiaroli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-30.

Multi-node, multi-stream photonic integrated circuit-based free-space optical communication device

Номер патента: US20240372623A1. Автор: Stephen P. Palese. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit and computing device having the same

Номер патента: US09983617B2. Автор: Chan Woo Park,Je Kook Kim,Min Shik SEOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Power switch with source-bias mode for on-chip powerdomain supply drooping

Номер патента: US09798344B2. Автор: Michael Gill,Ramakrishnan Venkatasubramanian,Shane Stelmach,Jose Luis Flores,Soman Purushotaman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Integrated circuit device including CMOS tri-state drivers suitable for powerdown

Номер патента: US20010054914A1. Автор: Naoto Okumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Epitaxial source/drain contacts self-aligned to gates for deposited fet channels

Номер патента: WO2011157487A1. Автор: Vijay Narayanan,Paul Chang,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-22.

Clock generator for integrated circuit

Номер патента: EP1537467A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal,Alan J. Drake,Kevin J. Nowka,Jeffrey L. Burns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-08.

Clock generator for integrated circuit

Номер патента: WO2004019192A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal,Alan J. Drake,Kevin J. Nowka,Jeffrey L. Burns. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2004-03-04.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor integrated circuit and image capturing apparatus

Номер патента: US09986185B2. Автор: Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Sho KAMEZAWA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Variable gain amplifier circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119792B2. Автор: Keiji Tanaka,Hiroshi Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated circuit authentication

Номер патента: US09970986B2. Автор: Craig E. Hampel,Scott C. Best. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Method and apparatus for coupling integrated circuit packages to bonding pads having vias

Номер патента: US20020108777A1. Автор: Stephen Joy,Dan Shier. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Method and apparatus for controlling or managing bandwidth of a filter circuit within a system having two integrated circuits

Номер патента: US20140084996A1. Автор: Dale G. Schwent,Ryan J. Goedken. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated circuit-based nano-relay

Номер патента: US12088082B2. Автор: Wei Xi,Yang Yu,Peng Li,Xiaobo Li,Hao Yao,Xiangjun Zeng,Tiantian CAI. Владелец: Digital Grid Research Institute China Southern Power Grid. Дата публикации: 2024-09-10.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Differential amplification circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09954503B2. Автор: Tomoyuki Arai. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit system and integrated circuit

Номер патента: US09854531B2. Автор: Kentaro Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus and method for providing a public key for authenticating an integrated circuit

Номер патента: US09813392B2. Автор: Ivan Hugh Mclean,Roberto Avanzi,Dean Lorenz,Boris Dolgunov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Multiplexer-memory cell circuit, layout thereof and method of manufacturing same

Номер патента: US09755651B2. Автор: Cheng C. Wang. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

IF signal processing circuit for video signal and sound system form in one integrated circuit

Номер патента: US6094229A. Автор: Tadaaki Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-25.

An integrated circuit layout for a television tuner

Номер патента: WO2006099119A3. Автор: Kazuyoshi Tanaka,Takatsugu Kamata,Kazunori Okui. Владелец: Kazunori Okui. Дата публикации: 2007-11-22.

Voltage level shift circuit for multiple voltage integrated circuits

Номер патента: US20140132329A1. Автор: Yu-Ren Chen,Qingchao Meng,Bright LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and apparatus for multiplexing pins of an integrated circuit

Номер патента: US20140091728A1. Автор: Donald Pannell. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Systems and methods for routing single photons from a trapped ion using a photonic integrated circuit

Номер патента: WO2024123697A1. Автор: Edo Waks,Mihika PRABHU,Dirk Englund,Uday SAHA,James D. SIVERNS,John HANNEGAN,Qudsia QURAISHI. Владелец: The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army, Army Research Laboratory. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Integrated circuit feature definition using one-time-programmable (otp) memory

Номер патента: US20080258757A1. Автор: Edwin A. Muth,James L. Archibald,Kang W. Lee,Clinton H. Holder,Kreg D. Ulery. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Profile management method, embedded universal integrated circuit card, and terminal

Номер патента: US12041456B2. Автор: Shunan Fan,Xiaobo Yu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Compact, all-layers-programmable integrated circuit arrangements

Номер патента: US20030001173A1. Автор: Martin Denham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Integrated circuit and an electronic device including integrated circuit

Номер патента: US20230097976A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee,Je Kyun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12095380B2. Автор: Shinji Matsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: US20240354483A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

A buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: EP4451565A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

MULTIPHASE N-CHANNEL HIGH-SIDE SWITCH FOR GaN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20240372543A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,John Glaser,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Interface for data communication between chiplets or other integrated circuits on an interposer

Номер патента: US11809800B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Systems for provisioning universal integrated circuit cards

Номер патента: US09886690B2. Автор: David K. Smith,Walter Cooper Chastain,David Harber,Brian Keith Rainer,Shih-Ming Wang,Stephen Emille Chin,Clifton Ashman Campbell. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US09755867B2. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Method for fabricating memory cell matrix having parallel source and drain interconnection metal lines formed on the substrate and topped by orthogonally oriented gate interconnection parallel metal lines

Номер патента: US5279982A. Автор: Pier L. Crotti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1994-01-18.

Power-up based integrated circuit configuration

Номер патента: WO2017180779A2. Автор: James E. Bartling,Bryan Kris. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-19.

Integrated circuit packages including damming and charge protection cover for harsh environments

Номер патента: US20080112143A1. Автор: Hugh Patton Hanley. Владелец: PathFinder Energy Services Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Integrated circuit device and method for applying error correction to sram memory

Номер патента: US20170039104A1. Автор: Ajay Kapoor,Steven Thoen,Nur Engin,Jose Pineda de Gyvez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-09.

Amplifier circuit, integrating circuit, and light-detection device

Номер патента: US20130038393A1. Автор: Shinya Ito,Haruhiro Funakoshi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-02-14.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US20050117266A1. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US7215523B2. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: US20040051516A1. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: EP1547246A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2005-06-29.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: WO2004027827A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2004-04-01.

Circuits and methods for transferring two differentially encoded client clock domains over a third carrier clock domain between integrated circuits

Номер патента: WO2021127772A1. Автор: Kamran Rahbar,Peter Meyer,Drew Jenkins. Владелец: Microsemi Semiconductor ULC. Дата публикации: 2021-07-01.

Extending a processor system within an integrated circuit

Номер патента: WO2012096735A1. Автор: Ting Lu,Bradley L. Taylor. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-07-19.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170103157A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Coupling of speakers with integrated circuit

Номер патента: US20100220868A1. Автор: Srinath Sridharan,Lionel Cimaz,Shyam Somayajula,Ramkishore Ganti,Sanjeev Ranganathan,Arnold D'Souza. Владелец: ST Ericsson India Pvt Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Modifying clock signals output by an integrated circuit

Номер патента: US20060139083A1. Автор: Ban Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-29.

Power source generation circuit and integrated circuit

Номер патента: US20130342175A1. Автор: Eiichi Sadayuki,Kazuki Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20120230105A1. Автор: Shinichi Yasuda,Shinobu Fujita,Keiko Abe,Masato Oda,Kumiko Nomura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Configurable communication integrated circuit

Номер патента: WO2003010940A3. Автор: Krishna Rangasayee,Amit Dhir. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Method and apparatus for fully integrating a voltage controlled oscillator on an integrated circuit

Номер патента: WO2000067376A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars G. Jansson,Lars Henrick Mucke. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Amplitude modulation circuit and semiconductor integrated circuit for optical communication system

Номер патента: US11588476B2. Автор: Keiji Tanaka,Hiroshi Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Method with function parameter setting and integrated circuit using the same

Номер патента: US09964979B2. Автор: Chih-Lien Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and apparatus for constraint graph based layout compaction for integrated circuits

Номер патента: WO2002003260A1. Автор: Mikhail Anatolievich Sotnikov,Venkata K. R. Chiluvuri,Alexander Mikhailovich Marchenko. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 2002-01-10.

Method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: US20040177329A1. Автор: Wolfdietrich Kasperkobitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Check tool and check method for design rule check rule deck of integrated circuit layout

Номер патента: US20210383053A1. Автор: Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for designing and manufacturing an integrated circuit, system for carrying out the method, and system for verifying an integrated circuit

Номер патента: US09965579B2. Автор: Sung-wook Ahn,Seung-Jae Jung,Su-Hyeon Kim,Sang-hoon BAEK,Chul-Hong Park,Sang-Kyu Oh,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Continuous global representation of local data using effective areas in integrated circuit layouts

Номер патента: US20210256189A1. Автор: Ralph Iverson. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for analyzing static analog integrated circuit layout

Номер патента: US12112111B1. Автор: Wei Dong,Gang Fang,Jiadong Gu,Zhenxin Zhao. Владелец: Tessersoft Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Circuit layouts, methods and apparatus for arranging integrated circuits

Номер патента: US09805155B2. Автор: Yu-Tung Chang,Chien-Pang Lu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods for modifying an integrated circuit layout design

Номер патента: US20150040091A1. Автор: Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Circuit layout technique with template-driven placement using fuzzy logic

Номер патента: WO1998012649A1. Автор: Ted Vucurevich,William H. Kao,George J. Gadelkarim. Владелец: CADENCE DESIGN SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 1998-03-26.

Enforcing simulation-based physical design rules to optimize circuit layout

Номер патента: WO2020219420A1. Автор: Christian Larsen,Michael R. Kobe,David Kostusiak. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2020-10-29.

Integrated circuit interconnect shape optimizer

Номер патента: WO2023158579A1. Автор: Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE87492B1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit interconnect shape optimizer

Номер патента: EP4449294A1. Автор: Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Systems and methods for generating a multiple patterning lithography compliant integrated circuit layout

Номер патента: US09996657B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chun-Chen Chen,Shao-Huan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for optimizing an integrated circuit layout design

Номер патента: US09747404B2. Автор: Shih-Ming Kuo,Te-Hsien Hsieh,Ming-Jui Chen,Ping-I Hsieh,Jing-Yi Lee,Yan-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Enforcing simulation-based physical design rules to optimize circuit layout

Номер патента: EP3959642A1. Автор: Christian Larsen,Michael R. Kobe,David Kostusiak. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Methods for modifying an integrated circuit layout design

Номер патента: US20160314234A1. Автор: Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Methods for modifying an integrated circuit layout design

Номер патента: US09747401B2. Автор: Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of selecting a set of illumination conditions of a lithographic apparatus for optimizing an integrated circuit physical layout

Номер патента: WO2010080028A3. Автор: Anurag Mittal,Martinus Maria Berkens. Владелец: TAKUMI TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2010-11-04.

Method of selecting a set of illumination conditions of a lithographic apparatus for optimizing an integrated circuit physical layout

Номер патента: EP2386074A2. Автор: Anurag Mittal,Martinus Maria Berkens. Владелец: Takumi Technology Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Method of selecting a set of illumination conditions of a lithographic apparatus for optimizing an integrated circuit physical layout

Номер патента: WO2010080028A2. Автор: Anurag Mittal,Martinus Maria Berkens. Владелец: TAKUMI TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2010-07-15.

Method And Device For Generating Integrated Circuit Layout

Номер патента: US20240330560A1. Автор: ZHONG Ding,Ke Ding,Chongxi ZHANG. Владелец: Cellixsoft Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and system for adapting a circuit layout to a predefined grid

Номер патента: WO2008015111A3. Автор: Christinus Werner Strolenberg,Van Jozefus Godefrid Gisbergen,Yulian Pogerov. Владелец: Yulian Pogerov. Дата публикации: 2008-03-27.

Legalizing a multi-patterning integrated circuit layout

Номер патента: US09904755B2. Автор: Sambuddha Bhattacharya,Subramanian Rajagopalan,Shabbir Husain Batterywala. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and apparatus for constraint graph based layout compaction for integrated circuits

Номер патента: US7086027B1. Автор: Mikhail Anatolievich Sotnikov,Venkata K. R. Chiluvuri,Alexander Mikhailovich Marchenko. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for designing circuit layout capable of propagating signals synchronously without significant alteration of layout

Номер патента: US20090222781A1. Автор: Ryoji Hamazaki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-03.

Method and apparatus for providing feedback from a compactor to a router to facilitate layout of an integrated circuit

Номер патента: US20040123252A1. Автор: Vadim Gouterman,Edward Moulding. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor integrated circuit and IC card

Номер патента: US20060164906A1. Автор: Toshio Yamada,Takeo Kanai,Yoshio Takazawa,Minoru Katoh,Toshihiro Araki,Shinichi Ozawa,Koudou Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Method and apparatus for compacting integrated circuit with transistor sizing

Номер патента: WO1995017730A1. Автор: Lawrence B. Edwards,Ling-Hui Hao. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1995-06-29.

Method of decomposing layout design for preparing photomask set printed onto wafer by photolithography, method of forming photomask set and method of fabricating integrated circuit

Номер патента: US09971250B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for verifying circuit layout design

Номер патента: WO1993015471A1. Автор: Pei Lin,Herve G. Duprez. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1993-08-05.

Method for designing circuit layout of non-neighboring metal bit lines to reduce coupling effect

Номер патента: US20020138815A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Kuo-Yu Liao,Yung-Feng Lin,Han-Sung Chen,Ho-Chun Liou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for determining an acceptable reticle tolerance for a reticle used to produce an integrated circuit layout

Номер патента: US20070275310A1. Автор: Yasushi Tanaka. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Management method for information of universal integrated circuit card and device thereof

Номер патента: EP2538374A4. Автор: Heyong WANG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-16.

Systems and methods for group constraints in an integrated circuit layout

Номер патента: US09842185B2. Автор: Lionel Riviere-Cazaux. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Circuit layout device, circuit layout method, and program for execution thereof

Номер патента: US20060265683A1. Автор: Ayumu Osanai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Method for designing and manufacturing an integrated circuit, system for carrying out the method, and system for verifying an integrated circuit

Номер патента: US20150302135A1. Автор: Sung-wook Ahn,Seung-Jae Jung,Su-Hyeon Kim,Sang-hoon BAEK,Chul-Hong Park,Sang-Kyu Oh,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Check tool and check method for design rule check rule deck of integrated circuit layout

Номер патента: US11983480B2. Автор: Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatus and method for designing an integrated circuit layout having a plurality of cell technologies

Номер патента: US20140344770A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Bor-Zen Tien,Tzong-Sheng Chang,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

System and Method for Manipulating Security of Integrated Circuit Layout

Номер патента: US20130298262A1. Автор: Yi-Jen Su,Ying-Sung Huang. Владелец: AnaGlobe Tech Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method and apparatus for integrated circuit layout

Номер патента: US20160370698A1. Автор: Yi-Fan Chen,Tung-Heng Hsieh,Yu-Bey Wu,Chin-Shan Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method and apparatus for integrated circuit layout

Номер патента: US09995998B2. Автор: Yi-Fan Chen,Tung-Heng Hsieh,Yu-Bey Wu,Chin-Shan Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Technique for modifying an integrated circuit layout

Номер патента: US5231590A. Автор: Jean P. Meunier,Niraj Kumar. Владелец: Zilog Inc. Дата публикации: 1993-07-27.

A method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: EP1407394A1. Автор: Wolfdietrich Georg Kasperkovitz. Владелец: Semiconductor Ideas To The Market Itom Bv. Дата публикации: 2004-04-14.

Method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: US7069529B2. Автор: Wolfdietrich Georg Kasperkovitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-27.

A method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: WO2003009182A1. Автор: Wolfdietrich Georg Kasperkovitz. Владелец: Semiconductor Ideas to the Market (ITOM) B.V.. Дата публикации: 2003-01-30.

Circuit Layout Techniques

Номер патента: US20210383050A1. Автор: Yulin Shi,Ettore Amirante,Vincent Philippe Schuppe. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Method and apparatus for mapping design memories to integrated circuit layout

Номер патента: US20070113212A1. Автор: Ranko Scepanovic,Andrey Nikitin,Alexandre Andreev,Ilya Neznanov. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Integrated circuit capable of communicating using different communication protocols

Номер патента: EP1636705A2. Автор: Pak-Lung Seto,Richard Beckett,Jr. Robert Sheffield. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-22.

Method and apparatus of designing integrated circuit

Номер патента: US20230010661A1. Автор: LI TANG,Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Integrated circuit having multiple modes of operation

Номер патента: EP1563390A1. Автор: Deif Atallah,Richard Beckett. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-08-17.

Integrated circuit having multiple modes of operation

Номер патента: EP1563390B1. Автор: Deif Atallah,Richard Beckett. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-02-13.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Apparatus for three dimensional integrated circuit testing

Номер патента: US09952279B2. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin,Ching-Fang Chen,Chung-Sheng Yuan,Chung-Han Huang,Meng-Lin Chung,Wen-Wen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Resistive capacitance determination method for multiple-patterning-multiple spacer integrated circuit layout

Номер патента: US09922162B2. Автор: Chia-Ming Ho,Hsiu-Wen Hsueh,jun-fu Huang,Shao-Heng Chou,C. Y. (Chia-Yi) CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Universal burn-in socket for testing integrated circuit chip

Номер патента: WO2002004968A3. Автор: Rafiqul Hussain,Phuc Dinh Do,Benjamin G Tubera. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Stress effect model optimization in integrated circuit spice model

Номер патента: US20140149954A1. Автор: Hua Xiang YIN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Method for integrated circuit layout

Номер патента: EP1089204A3. Автор: Walter Stadler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2009-06-17.

Functional circuit block harvesting in integrated circuits

Номер патента: US12061855B2. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Long range corrections in integrated circuit layout designs

Номер патента: US7234130B2. Автор: Nicolas B. Cobb,James Word,Yuri Granik. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2007-06-19.

Integrated circuit design and fabrication

Номер патента: US20200250281A1. Автор: ZHENG Xu,Arthur Brian LAUGHTON,Sean James SALISBURY,Charles Filip BREJ. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit design and fabrication

Номер патента: US10796040B2. Автор: ZHENG Xu,Arthur Brian LAUGHTON,Sean James SALISBURY,Charles Filip BREJ. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-10-06.

Method and system for configurable contacts for implementing different bias designs of an integrated circuit device

Номер патента: US8266562B2. Автор: Robert Paul Masleid,Steven T. Stoiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-11.

Method and apparatus for compacting integrated circuits with wire length minimization

Номер патента: US5689433A. Автор: Lawrence B. Edwards. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1997-11-18.

Method of resistor matching in analog integrated circuit layout

Номер патента: US20130145332A1. Автор: Chan-Liang Wu,Tsung-Yi Ho,Sheng-Jhih Jiang. Владелец: NCKU Research and Development Foundation. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of resistor matching in analog integrated circuit layout

Номер патента: US8751987B2. Автор: Chan-Liang Wu,Tsung-Yi Ho,Sheng-Jhih Jiang. Владелец: Oryx Holdings Pty Ltd. Дата публикации: 2014-06-10.

Composite optical lithography method for patterning lines of significantly different widths

Номер патента: EP1671187A2. Автор: Yan Borodovsky. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Power manager tile for multi-tile power management integrated circuit

Номер патента: WO2013086193A1. Автор: Steven Huynh. Владелец: Active-Semi, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

Systems and methods of automatic generation of integrated circuit IP blocks

Номер патента: US11741284B2. Автор: Danny Rittman,Mo Jacob. Владелец: GBT Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Single Event Effect Test Laser Facility for Integrated Circuits used in Aerospace

Номер патента: NL2028645B1. Автор: Zhu Xiang,Han Jianwei,Ma Yingqi,Shangguan Shipeng. Владелец: Nat Space Science Center Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-01-12.

Methods, apparatus and computer program products that perform layout versus schematic comparison of integrated circuits using advanced pin coloring operations

Номер патента: US6988253B1. Автор: Gary Bruce Lipton,Harry Clarkson Johnson, IV,Jonathan Calvin White. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2006-01-17.

Method of generating an integrated circuit layout

Номер патента: GB2520123A. Автор: Jean Luc Pelloie,Marlin Wayne Frederick. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2015-05-13.

Method and apparatus for generating a linked data structure for integrated circuit layout

Номер патента: WO1995017731A1. Автор: Lawrence B. Edwards. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1995-06-29.

Method and Apparatus for Integrated Circuit Layout

Номер патента: US20150140478A1. Автор: Yi-Fan Chen,Tung-Heng Hsieh,Yu-Bey Wu,Chin-Shuan Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Systems and methods for integrated circuit layout

Номер патента: US11853667B2. Автор: Kenan Yu,Qingwen Deng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Systems and methods for integrated circuit layout

Номер патента: US20210357561A1. Автор: Kenan Yu,Qingwen Deng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and system for double patterning technology (DPT) odd loop visualization for an integrated circuit layout

Номер патента: US9026958B1. Автор: Henry Yu,Sanjib Ghosh,Harindranath Parameswaran. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2015-05-05.

Integrated circuit layout generation method and system

Номер патента: US11842135B2. Автор: Ke-Ying Su,Ke-Wei Su,Keng-Hua KUO,Lester Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Integrated circuit layout validation using machine learning

Номер патента: US11914941B2. Автор: Chien-Wen Chen,Chin-Chang Hsu,Cheng-Chi Wu,Wen-Ju Yang,Rachid Salik. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Integrated Circuit Layout Validation Using Machine Learning

Номер патента: US20210240906A1. Автор: Chien-Wen Chen,Chin-Chang Hsu,Cheng-Chi Wu,Wen-Ju Yang,Rachid Salik. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Integrated Circuit Layout Validation Using Machine Learning

Номер патента: US20240152679A1. Автор: Chien-Wen Chen,Chin-Chang Hsu,Cheng-Chi Wu,Wen-Ju Yang,Rachid Salik. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of decomposing layout design for preparing photomask set printed onto wafer by photolithography, method of forming photomask set and method of fabricating integrated circuit

Номер патента: US20160132626A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Method and Apparatus for Using a Diagona Line to Measure Congestion in a Region of an Integrated-Circuit Layout

Номер патента: US20030188286A1. Автор: Steven Teig,Joseph Ganley. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Method of performing circuit simulation and generating circuit layout

Номер патента: US20140282310A1. Автор: Feng Wei KUO,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Simon Yi-Hung CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Optimizing method, device and non-transient computer readable medium for integrated circuit layout

Номер патента: US20230237240A1. Автор: Cheng-chen HUANG,Chun-Chuan Kuo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Design system of integrated circuit and its design method and program

Номер патента: US20030061585A1. Автор: Sho Matsumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Integrated circuit device with crossbar to route traffic

Номер патента: US20230273887A1. Автор: Roland Richter,Andreas Torno,Joaquin Ibanez Montemayor. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High-speed offloading of trace data from an integrated circuit

Номер патента: US20240330144A1. Автор: Ishita Ghosh,Elessar Taggart,Rishi Bharadwaj Subramanian,Jason Richard Villarreal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Optical isolators for photonic integrated circuits

Номер патента: US20240310664A1. Автор: Matthew BYRD,Jordan Goldstein,Michael Robert WATTS,Skylar Deckoff-Jones,Michael Zylstra. Владелец: ANALOG PHOTONICS LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor integrated circuit device and bit line capacitance adjusting method using the device

Номер патента: US20050152173A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor integrated circuit wiring condition processing method

Номер патента: US6401233B1. Автор: Katsuyoshi Suzuki,Masato Mogaki,Katsuaki Hongyo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-04.

Hierarchy-aware integrated circuit layout design

Номер патента: US20230297751A1. Автор: Noam Jungmann,Tomer Abraham Cohen,Muhammad Suleiman,Doris Bittruf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

System and method for optimizing integrated circuit layout based on neural network

Номер патента: US20230186007A1. Автор: Jong Min Lee,Chang Eun JANG. Владелец: Asicland Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Latch-based storage circuits having efficient integrated circuit layouts

Номер патента: US20230352084A1. Автор: Youngmin KANG,Kijun Lee,IkJoon CHANG,Kyomin Sohn. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Apparatus, method and system for providing termination for multiple chips of an integrated circuit package

Номер патента: US20190139592A1. Автор: Ge Chang,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Apparatus, method and system for providing termination for multiple chips of an integrated circuit package

Номер патента: EP2926342A1. Автор: Ge Chang,James A. McCall,Kuljit S. Bains,George Vergis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-07.

Integrated circuit design system and method

Номер патента: WO2018118078A1. Автор: Evan Jeffrey,Joshua Yousouf MUTUS,Julian Shaw Kelly. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2018-06-28.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Method and apparatus for improving a circuit layout using a hierarchical layout description

Номер патента: US7793238B1. Автор: Peter Rabkin,Zhiyuan Wu,Min-Hsing Peter Chen,Jane W. Sowards,Michael J. Hart,Min-Fang Ho. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor integrated circuit containing redundant memory element

Номер патента: US5293339A. Автор: Toshikazu Suzuki,Hironori Akamatsu,Hisakazu Kotani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-03-08.

Method and system for enhanced integrated circuit layout

Номер патента: US9009639B2. Автор: Wei-Chiang HUNG,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Method for concurrent migration and decomposition of integrated circuit layout

Номер патента: US20110004858A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chin-Hsiung Hsu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2011-01-06.

System and method for manipulating security of integrated circuit layout

Номер патента: US8910303B2. Автор: Yi-Jen Su,Ying-Sung Huang. Владелец: AnaGlobe Tech Inc. Дата публикации: 2014-12-09.

Method and apparatus for extracting bridges from an integrated circuit layout

Номер патента: US6519499B1. Автор: Sreejit Chakravarty,Sujit T. Zachariah,Carl D. Roth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-02-11.

Method and apparatus for locating short circuit faults in an integrated circuit layout

Номер патента: CA2573729A1. Автор: Val Gont,Jason Abt,Elmehdi Aitnouri,Edward Keyes,Stephen Begg,Vyacheslav L. Zavadsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Regulation of current through depletion devices in a MOS integrated circuit

Номер патента: US4283642A. Автор: Robert S. Green. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1981-08-11.

Method and System for Designing Fan-out Nets Connecting a Signal Source and Plurality of Active Net Elements in an Integrated Circuit

Номер патента: US20080059933A1. Автор: Juergen Koehl,Markus Buehler,Markus Olbrich,Philipp Panitz,Erich Barke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Peripheral access control for secondary communication channels in power management integrated circuits

Номер патента: EP4292006A1. Автор: Chris Rosolowski,Uma Mahesh Revuri,Aruna Kumar Tripathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and apparatus for verification of a circuit layout

Номер патента: US6427225B1. Автор: Osamu Kitada,Hironobu Taoka,Terutoshi Yamasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-30.

Visual representation of different structure ports in schematics of photonic integrated circuits

Номер патента: US20210181414A1. Автор: Thomas Hakkers. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor integrated circuit device and contactless electronic device

Номер патента: US20010026186A1. Автор: Kazuki Watanabe,Keiji Kamei,Norihisa Yamamoto,Ryouzou Yoshino,Hajime Kinota. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor integrated circuit device and contactless electronic device

Номер патента: EP1139280A3. Автор: Kazuki Hitachi Ltd. Int. Prop. Group Watanabe,Ryouzou Hitachi Ltd. Int. Prop. Group Yoshino,Norihisa Hitachi Ltd. Int. Prop. Group Yamamoto,Hajime Hitachi Ltd. Int. Prop. Group Kinota,Keiji Hitachi ULSI Systems Co. Ltd. Kamei. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-15.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Methods and apparatus for facilitating physical synthesis of an integrated circuit design

Номер патента: WO2004017367A3. Автор: Qing Wu,Andrew Lines,Peter Beerel. Владелец: Fulcrum Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-05-21.

Methods and apparatus for facilitating physical synthesis of an integrated circuit design

Номер патента: WO2004017367A2. Автор: Qing Wu,Andrew Lines,Peter Beerel. Владелец: FULCRUM MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2004-02-26.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Integrated circuit device and method for dual-mode transponder communication

Номер патента: US09969355B2. Автор: Robert Kofler. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-05-15.

Display driver integrated circuit architecture with shared reference voltages

Номер патента: US09952264B2. Автор: Hopil Bae,Kingsuk Brahma,David A. STRONKS,Wei H. Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Computer implemented method for generating an integrated circuit design

Номер патента: US5586046A. Автор: David Feldbaumer,Frederick L. Lum,Vickie Mercier,Mark B. Weaver,Jan-Chung Wong,Rimon Shookhtim. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-12-17.

Method and system for shape processing within an integrated circuit layout for parasitic capacitance estimation

Номер патента: US6086238A. Автор: Sharad Mehrotra,Paul Gerard Villarrubia,David James Widiger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Integrated circuit design method, system and computer program product

Номер патента: US20240086609A1. Автор: Chih-Liang Chen,Cheng-Yu Lin,Chia Chun Wu,Han-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Resistive capacitance determination method for multiple-patterning-multiple spacer integrated circuit layout

Номер патента: US20150205905A1. Автор: Chia-Ming Ho,Hsiu-Wen Hsueh,jun-fu Huang,Shao-Heng Chou,Y. Chen C. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Resistive capacitance determination method for multiple-patterning-multiple spacer integrated circuit layout

Номер патента: US20160103948A1. Автор: Chia-Ming Ho,Hsiu-Wen Hsueh,jun-fu Huang,Shao-Heng Chou,C. Y. (Chia-Yi) CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Integrated circuit generator using a provider

Номер патента: US20240211665A1. Автор: Henry Cook,Megan Wachs,Jack Koenig. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190065657A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10534891B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Tester for integrated circuits on a silicon wafer and integrated circuit

Номер патента: US20160259002A1. Автор: Alexandre Croguennec,Cyrille LAMBERT,Sébastien Bayon. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2016-09-08.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20220138391A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Recommending changes in the design of an integrated circuit using a rules-based analysis of failures

Номер патента: WO2024078160A1. Автор: Charles Gates,Kerim Kalafala,Steven Joseph Kurtz,Chaitra M. Bhat,Morgan D. Davis,SheshaShayee K. Raghunathan,Debra Dean,Chris Cavitt,Richard William Taggart. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240233663A9. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240135892A1. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

System and element for laterally positioning papper rolls of different width

Номер патента: US20070069063A1. Автор: Alberto Colombi,Marco Dellea. Владелец: Telecom Italia SpA. Дата публикации: 2007-03-29.

System and element for laterally positioning paper rolls of different width

Номер патента: US7651048B2. Автор: Alberto Colombi,Marco Dellea. Владелец: Telecom Italia SpA. Дата публикации: 2010-01-26.

System and element for laterally positioning paper rolls of different width

Номер патента: WO2005047152A1. Автор: Alberto Colombi,Marco Dellea. Владелец: TELECOM ITALIA S.P.A.. Дата публикации: 2005-05-26.

System and element for laterally positioning paper rolls of different width

Номер патента: EP1685048A1. Автор: Alberto Colombi,Marco Dellea. Владелец: Telecom Italia SpA. Дата публикации: 2006-08-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20210248295A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US11657200B2. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-05-23.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089178A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US12050341B2. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: WO2022035850A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-02-17.

Photonic integrated circuit, light detection and ranging system and method for operating the same

Номер патента: WO2021133445A1. Автор: Amnon Yariv,George Rakuljic,Naresh Satyan,Israel Petronius,Yaakov VILENCHIK,Daniel Grodensky,Ron Friedman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of testing multiple modules on an integrated circuit

Номер патента: US20030221150A1. Автор: Prashant Balakrishnan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-27.

Method, computer system and computer-readable storage medium for creating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US20150213185A1. Автор: Rainer Mann,Ulrich Hensel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Ground contact of an integrated circuit testing apparatus

Номер патента: PH12013000304B1. Автор: Wei Kuong Foong,Eng Kiat Lee,Kok Sing Goh,Shamal Mundiyath. Владелец: JF Microtechnology Sdn Bhd. Дата публикации: 2015-04-20.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A2. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Cornelis Van Eijk. Владелец: Magma Design Automation, Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US20240272353A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatuses, test cards and methods for testing photonic integrated circuits, and photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023156271A1. Автор: Stefan Richter,Tobias Härter,Heiner Zwickel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Integrated circuit assembly cleaning apparatus and method

Номер патента: US20020134408A1. Автор: John Pratt,William Hanna,Pamela Christison,Lawrence Houdek,Russell Bjorlie,Perry Pierce. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-26.

System for testing integrated circuits

Номер патента: US20050283331A1. Автор: Yih-Min Lin. Владелец: PROGenic Tech Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Method and apparatus for increasing security in a system using an integrated circuit

Номер патента: US20100244888A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Thomas E. Tkacik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110242896A1. Автор: Atsushi Nakakubo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

All-resonant actuation of photonic integrated circuits

Номер патента: US20240118537A1. Автор: Dirk Robert Englund,Mark DONG,Gerald Neal GILBERT,Matthew Scott EICHENFIELD. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: US20220049945A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-02-17.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: EP4196744A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-06-21.

Latency reduction for transitions between active state and sleep state of an integrated circuit

Номер патента: US20240319781A1. Автор: Ashish Jain,Randall Brown,Gia Tung Phan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: WO2002086884A2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Integrated circuit generation with improved interconnect

Номер патента: US20240338329A1. Автор: David Parry,Henry Cook,Robert P. Adler,Rick H. Y. Chen. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and an integrated circuit for executing a trusted application within a trusted runtime environment

Номер патента: US09927995B2. Автор: Patrik Ekdahl,Arash VAHIDI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit and method for detecting a stress condition in the integrated circuit

Номер патента: US09910087B2. Автор: William P. Taylor,Jeffrey Eagen,Maxim Klebanov. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrating manufacturing feedback into integrated circuit structure design

Номер патента: US09858368B2. Автор: Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Xiaoyue Wang,Jeffrey G. Hemmett,Nathan C. Buck,John P. Dubuque,Brian M. Dreibelbis,Vladmimir Zolotov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US20240370630A1. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

High diagnosability, quality managed-compliant integrated circuit for implementing ASIL B-compliant automotive safety-related functions

Номер патента: US09677480B2. Автор: Giovanni Dallara,Piero Carbonaro,Loris Lambertini,Alberto Pezzoli,Alessandro Fusari,Francesco Traversi. Владелец: Magneti Marelli SpA. Дата публикации: 2017-06-13.

Functional Circuit Block Harvesting in Integrated Circuits

Номер патента: US20240104280A1. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods and systems for computer aided design of 3d integrated circuits

Номер патента: WO2007014300A3. Автор: Lisa Mcilrath. Владелец: R3 Logic Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Functional circuit block harvesting in integrated circuit

Номер патента: WO2024064263A1. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A3. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: US20240103604A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Load adjusted populations of integrated circuit decoupling capacitors

Номер патента: WO2023091279A1. Автор: William Paul Hovis,Vlad Radu CALUGARU. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC.. Дата публикации: 2023-05-25.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190347380A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20210117608A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10977419B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20140320160A1. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2014-10-30.

Integrated circuit and method for diagnosing an integrated circuit

Номер патента: US11953546B2. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Etienne Auvray,Tommaso Melis. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Modular socket of integrated circuit

Номер патента: US20040046583A1. Автор: Wei-Fang Fan,Wann-Chyuan Jou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Method and system for powering an integrated circuit

Номер патента: US7446559B2. Автор: Emmanuel Alie. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-11-04.

Method and System for Synthesizing Relative Timing Constraints on an Integrated Circuit Design to Facilitate Timing Verification

Номер патента: US20110161902A1. Автор: Yang Yu,Kenneth S. Stevens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089187A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-09-29.

Method and testing apparatus for testing integrated circuits

Номер патента: US20050218924A1. Автор: Reiner Diewald. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Path-based congestion reduction in integrated circuit routing

Номер патента: US20160012172A1. Автор: Sourav Saha,Sven Peyer,Harald Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Socket for testing of an integrated circuit

Номер патента: EP4407323A1. Автор: Gianluigi Frigerio,Alessandro Copeta. Владелец: Officina Meccanica Di Precisione G3. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated circuit chip of radiofrequency identifier

Номер патента: RU2465645C1. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2012-10-27.

Device for protecting contacts of integration circuits with metal-dielectric-semiconductor structure from electrostatic discharges

Номер патента: RU2308146C2. Автор: Наталья Михайловна Горшкова,Наталь Михайловна Горшкова,Ярослав Сергеевич Губин,Артур Гини тович Сибагатуллин,Артур Гиниятович Сибагатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз". Дата публикации: 2007-10-10.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to make hybrid integral circuit of shf band

Номер патента: RU2537695C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Константин Владимирович Дудинов,Татьяна Сергеевна Кудрова,Александр Генрихович Далингер. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2015-01-10.

IMAGE MANAGEMENT DEVICE, IMAGE MANAGEMENT METHOD, PROGRAM, RECORDING MEDIUM, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120002881A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CODING APPARATUS, IMAGE CODING METHOD, PROGRAM, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120002022A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated circuit housing

Номер патента: RU2457575C2. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,Вячеслав Леонидович Троицкий. Владелец: ЗАО "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ". Дата публикации: 2012-07-27.

Method for manufacturing of mos integral circuits

Номер патента: RU2105382C1. Автор: Юрий Иванович Щетинин,Александр Владимирович Зеленцов,Василий Васильевич Дерендяев,Евгений Степанович Сельков,Борис Александрович Бабаев,Сергей Александрович Гуреев. Владелец: Сергей Александрович Гуреев. Дата публикации: 1998-02-20.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Coupler for connection of large integrated circuits to contact elements of printed circuit boards

Номер патента: RU2026611C1. Автор: Оник Погосович Нерсесян,Владимир Мурадович Кочарян,Валерий Хоренович Петросян,Максим Асатурович Акопян,Константин Грачикович Геворкян,Корюн Ваникович Мовсисян. Владелец: Владимир Мурадович Кочарян. Дата публикации: 1995-01-09.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing complementary vertical bipolar transistors as parts of integrated circuits

Номер патента: RU2244985C1. Автор: Н.М. Манжа,М.И. Лукасевич,С.Л. Хмельницкий,А.Н. Еременко,А.Н. Долгов,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-01-20.

Method of selecting highly reliable integrated circuits

Номер патента: RU2365930C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Екатерина Александровна Золотарева,Николай Николаевич Козьяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-08-27.

Casing of integral circuit

Номер патента: RU2329568C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-07-20.

Method for nondestructive check for moisture content in under- package space of integrated circuits

Номер патента: RU2263369C2. Автор: А.В. Андреев,М.И. Горлов,Л.П. Ануфриев,Н.А. Золотарева. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-10-27.

Large-scale integrated circuit (version)

Номер патента: RU2006991C1. Автор: Константин Иванович Баринов,Анатолий Демьянович Масляный,Владимир Евгеньевич Власов,Юрий Иванович Горбунов,Татьяна Сергеевна Володина. Владелец: Татьяна Сергеевна Володина. Дата публикации: 1994-01-30.

Method for comparative evaluation of reliability of integrated circuit lots

Номер патента: RU2467339C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Роман Михайлович Тихонов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-11-20.

Method for determining potentially unstable digital integral circuits

Номер патента: RU2257591C1. Автор: М.И. Горлов,И.А. Шишкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи". Дата публикации: 2005-07-27.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Electrical pin used in integrated circuit test sockets

Номер патента: CA134434S. Автор: . Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Method of integrated circuit division upon reliability criterion

Номер патента: RU2324194C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Леонидович Ануфриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-05-10.

Integrated circuit

Номер патента: RU2065653C1. Автор: Б.А. Гарбуз,В.Л. Опалев,С.А. Коновалов. Владелец: Акционерное общество "Кремний". Дата публикации: 1996-08-20.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2290719C2. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Виктор Григорьевич Моргунов,Александр Андреевич Лисицин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2006-12-27.

Method for manufacturing thin-film structure of microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2293400C1. Автор: Татьяна Николаевна Курбанова,Вера Сергеевна Гвоздаева,Анатолий Юрьевич Павлов,Тать на Николаевна Курбанова (RU),Вера Сергеевна Гвоздаева (RU),Анатолий Юрьевич Павлов (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2007-02-10.

Method for manufacturing microwave integrated circuit

Номер патента: RU2557317C1. Автор: Константин Владимирович Дудинов,Михаил Петрович Духновский,Александр Михайлович Темнов,Александр Юрьевич Городецкий. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-07-20.

Integrated circuit case

Номер патента: RU2331138C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько,Вячеслав Леонидович Троицкий,В чеслав Леонидович Троицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-08-10.

Method to make hybrid integral circuit of shf band

Номер патента: RU2536771C1. Автор: Юрий Николаевич Калашников,Виктор Анатольевич Иовдальский,Константин Владимирович Дудинов,Татьяна Сергеевна Кудрова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток". Дата публикации: 2014-12-27.

Method which tests correctness of integral circuit topology

Номер патента: RU2077752C1. Автор: С.А. Гаряинов. Владелец: Предприятие перспективных исследований "Научный центр". Дата публикации: 1997-04-20.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Device for filling and draining rocket booster oxidiser

Номер патента: RU2440919C1. Автор: Михаил Викторович Рожков,Владимир Владимирович Ерпылев. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2012-01-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.