Method and layout of an integrated circuit
Номер патента: US20140195997A1
Опубликовано: 10-07-2014
Автор(ы): Hsiang-Jen TSENG, Hung-Jung TSENG, Li-Chun Tien, Ruei-Wun SUN, Shun Li CHEN, Ting-Wei Chiang, Wei-Yu Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-07-2014
Автор(ы): Hsiang-Jen TSENG, Hung-Jung TSENG, Li-Chun Tien, Ruei-Wun SUN, Shun Li CHEN, Ting-Wei Chiang, Wei-Yu Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods and structure for IC temperature self-monitoring
Номер патента: US20040162697A1. Автор: Fred Smith,Gabriel Romero. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.