Method for making source and drain regions of a MOSFET with embedded germanium-containing layers having different germanium concentration
Номер патента: US09806171B2
Опубликовано: 31-10-2017
Автор(ы): Chii-Horng Li, Hsueh-Chang Sung, Kun-Mu Li, Tsz-Mei Kwok, Tze-Liang Lee
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-10-2017
Автор(ы): Chii-Horng Li, Hsueh-Chang Sung, Kun-Mu Li, Tsz-Mei Kwok, Tze-Liang Lee
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming low parasitic capacitance source and drain contacts
Номер патента: US09768062B1. Автор: Kim Changhwa,RWIK Sengupta,Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,David Seo,Kota Oikawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.