• Главная
  • Preventing shorting between source and/or drain contacts and gate

Preventing shorting between source and/or drain contacts and gate

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Finfet having upper spacers adjacent gate and source/drain contacts

Номер патента: US20200119000A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu,Scott Beasor. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Air gap spacer between contact and gate region

Номер патента: US09716158B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Integration of finfet and gate-all-around devices

Номер патента: US20240194673A1. Автор: Guillaume Bouche,Hwichan Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Transistor gate contacts and methods of forming the same

Номер патента: US12119259B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Middle of the line architecture with subtractive source/drain contact

Номер патента: US20240222448A1. Автор: Nelson Felix,Eric Miller,Andrew Herbert Simon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Scaled gate contact and source/drain cap

Номер патента: US20210066464A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Source/drain contact structure

Номер патента: EP3944296A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Ruei-Ping Lin,Chung-Hao CAI,Jason Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Via and source/drain contact landing under power rail

Номер патента: US20240186387A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20240055426A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Minimizing shorting between finfet epitaxial regions

Номер патента: US20210183856A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-06-17.

Minimizing shorting between FinFET epitaxial regions

Номер патента: US11664375B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Charan V. Surisetty. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-05-30.

Method for improving bridging between source/drain epitaxial layer and gate

Номер патента: US20230143668A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Protecting an integrated circuit from the drilling of a source and/or drain contact

Номер патента: US20210020663A1. Автор: Philippe Galy,Thomas Bedecarrats. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device including gate structures and gate isolation structure

Номер патента: EP4336549A1. Автор: Jisu Kang,Hojun Kim,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Forming source/drain contact in a tight tip-to-tip space

Номер патента: US20240339509A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Patterning of vertical nanowire transistor channel and gate with directed self assembly

Номер патента: US9054215B2. Автор: Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-09.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Contact and isolation in monolithically stacked VTFET

Номер патента: US11978796B2. Автор: Chen Zhang,LAN Yu,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Transistor arrangements with stacked trench contacts and gate straps

Номер патента: EP4016599A1. Автор: Guillaume Bouche,Charles Wallace,Andy Wei,Changyok Park,Hyuk RYU,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-22.

Semiconductor device having a thermal contact and method of making

Номер патента: US20230386958A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09922930B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US20230326860A1. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: US20240112916A1. Автор: Matthew J. Prince,Andrew Arnold,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Swapnadip Ghosh,Chun C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Metal gate cut formed after source and drain contacts

Номер патента: EP4345869A1. Автор: Matthew Prince,Andrew Arnold,Alison Davis,Chun Kuo,Reza Bayati,Swapnadip Ghosh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Contact and via structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220336642A1. Автор: Keng-Chu Lin,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Contact and via structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210184018A1. Автор: Keng-Chu Lin,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of Forming Source/Drain Contact

Номер патента: US20190115262A1. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of forming source/drain contact

Номер патента: US10522413B2. Автор: Hung-Chang Hsieh,Yu-Hsien Lin,Ming-Jhih Kuo,Jhun Hua CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Integrated circuit structure with recessed trench contact and deep boundary via

Номер патента: US20240178101A1. Автор: Feng Zhang,Guowei Xu,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Transistor arrangements with stacked trench contacts and gate contacts without gate caps

Номер патента: EP4053890A1. Автор: Oleg Golonzka,Farshid Adibi-rizi,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-07.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US20230360972A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US11756829B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US20240282633A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US12033894B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: EP2599111A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-06-05.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: US20130193494A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-08-01.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09768322B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

REDUCING SERIES RESISTANCE BETWEEN SOURCE AND/OR DRAIN REGIONS AND A CHANNEL REGION

Номер патента: US20190097050A1. Автор: Gluschenkov Oleg,EBRISH Mona A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

Reducing series resistance between source and/or drain regions and a channel region

Номер патента: GB202005136D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-20.

Semiconductor device with void-free contact and method for preparing the same

Номер патента: US20220399454A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Epitaxial structure of ga-face group iii nitride, active device, and gate protection device thereof

Номер патента: US20210083083A1. Автор: Chih-Shu Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-18.

Techniques for integration of ge-rich p-mos source/drain contacts

Номер патента: EP3120388A1. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-25.

Techniques for integration of Ge-rich p-MOS source/drain contacts

Номер патента: US09859424B2. Автор: Nabil G. Mistkawi,Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ying Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Bipolar transistor and gate structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US20240088272A1. Автор: Vibhor Jain,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Mos structures with remote contacts and methods for fabricating the same

Номер патента: US20080296682A1. Автор: Jianhong Zhu,David Wu,James F. Buller,Jinrong ZHOU. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING A DIELECTRIC EMBEDDED IN SOURCE AND/OR DRAIN

Номер патента: US20220293788A1. Автор: Lin Meng-Han,HUANG Chia-En. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-09-15.

Transistor including wrap around source and drain contacts

Номер патента: US20190305136A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Van H. Le,Sean Ma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Merged gate and source/drain contacts in a semiconductor device

Номер патента: US09960256B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Metal gate mos transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: WO2014074777A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-05-15.

Self-Aligned Source and Drain Contacts

Номер патента: US20220005934A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US10381442B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Low resistance source drain contact formation

Номер патента: US09972682B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Source/drain contacts for non-planar transistors

Номер патента: US09853156B2. Автор: Sameer S. Pradhan,Subhash M. Joshi,Jin-Sung Chun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A3. Автор: Madhukar B Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Ashok Kapoor. Дата публикации: 2008-12-31.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A2. Автор: Madhukar B. Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Transistor Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240021476A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tze-Liang Lee,Chun-Kai Chen,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Transistors with backside source/drain contact and spacer

Номер патента: US20240186219A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Self-aligned source/drain contact for vertical field effect transistor

Номер патента: US20200075775A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20210043763A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: EP4409627A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Source/drain contact positioning under power rail

Номер патента: US12107132B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with one-side-contact and method for fabricating the same

Номер патента: US9728638B2. Автор: Jin-Ku Lee,Young-Ho Lee,Mi-Ri Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Ultralow-K dielectric-gap wrapped contacts and method

Номер патента: US11978661B2. Автор: Mark D. Levy,Felix P. Anderson,Siva P. Adusumilli,Fuad H. Al-Amoody,Spencer H. Porter. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20220231159A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Integrated circuit structure with backside source or drain contact selectivity

Номер патента: US20240332377A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US20180061976A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred J. Eller,Jerome J. B. Ciavatti. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US09842927B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jerome J. B. Ciavatti,Manfred J Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Thin film transistors with raised source and drain contacts and process for forming such

Номер патента: US11908911B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device with shallow contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072166A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with shallow contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072165A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Self-aligned contacts and methods of fabrication

Номер патента: US20150279738A1. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andre Labonte,Gabriel Padron Wells. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Gate and source/drain contact structures for a semiconductor device

Номер патента: US20160268415A1. Автор: Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of concurrently forming source/drain and gate contacts and related device

Номер патента: US09837402B1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and gate structure for threshold voltage modulation in transistors

Номер патента: US20150123167A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Dual salicide integration for salicide through trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US20100164002A1. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Super-self-aligned contacts and method for making the same

Номер патента: US09818747B2. Автор: Michael C. Smayling. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Epitaxial structure of n-face group iii nitride, active device, and gate protection device thereof

Номер патента: US20210083086A1. Автор: Chih-Shu Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-18.

METHODS OF FORMING AIR GAPS BETWEEN SOURCE/DRAIN CONTACTS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20200075715A1. Автор: Pandey Shesh Mani,Xie Ruilong,Zang Hui,Kamineni Vimal. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Gate pad and gate feed breakdown voltage enhancement

Номер патента: US20140264619A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Kenji Sugiura. Владелец: MICHAEL W SHORE. Дата публикации: 2014-09-18.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20170047349A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-16.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09922993B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20180166469A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-14.

Lateral transistor structure having self-aligned base and base contact and method of fabrication

Номер патента: CA1179786A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-12-18.

Semiconductor device with air gap between bit line and capacitor contact and method for forming the same

Номер патента: US20220262802A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Asymmetric gate contact over source/drain contact

Номер патента: US20240332182A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Yann Mignot,Shahab Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming thickened source/drain contact regions for field effect transistors

Номер патента: US5250454A. Автор: Witold P. Maszara. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-10-05.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US20150380304A1. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor having a source/drain contact with a single inner spacer

Номер патента: US11901434B2. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor having a source/drain contact with a single inner spacer

Номер патента: EP4331013A1. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Gan device with extended drain contact

Номер патента: US20230411461A1. Автор: Qhalid Fareed,Dong Seup Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Gan device with extended drain contact

Номер патента: WO2023244954A1. Автор: Qhalid Fareed,Dong Seup Lee. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-21.

Self-aligned SOI device with body contact and NiSi2 gate

Номер патента: US6091123A. Автор: Shekhar Pramanick,Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-18.

Silicon carbide-based device contact and contact fabrication method

Номер патента: US20060178016A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Rockwell Scientific Licensing LLC. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of making bipolar transistor with integrated base contact and field plate

Номер патента: US20040036145A1. Автор: Sheldon Haynie. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Silicon carbide-based device contact and contact fabrication method

Номер патента: WO2006086336A2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Teledyne Licensing, Llc.. Дата публикации: 2006-08-17.

Formation method of electrode wiring to prevent short

Номер патента: KR100569260B1. Автор: 장종석,이석열. Владелец: 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2006-08-10.

Connection Between Source/Drain And Gate

Номер патента: US20220037340A1. Автор: Lin Yu-Kuan,Wang Ping-Wei,HUNG LIEN JUNG,Yang Chih-Chuan,Pao Chia-Hao,Lin Shih-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

CONNECTION BETWEEN SOURCE/DRAIN AND GATE

Номер патента: US20220352181A1. Автор: Lin Yu-Kuan,Wang Ping-Wei,Yang Chih-Chuan,Pao Chia-Hao,Lin Shih-Hao,HUNG Lien-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

III-V layers for n-type and p-type MOS source-drain contacts

Номер патента: US09705000B2. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Graphene/nanostructure fet with self-aligned contact and gate

Номер патента: WO2011160922A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey Sleight,Josephine Chang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-29.

SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH CONNECTORS SURROUNDED BY SOURCE AND / OR DRAIN AREAS.

Номер патента: DE3578533D1. Автор: Tsuneyoshi Aoki,Akiyasu Ishitani,Masayoshi Kanazawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1990-08-09.

Lateral insulated gate transistors with coupled anode and gate regions

Номер патента: CA1252225A. Автор: Sel Colak,Vladimir Rumennik. Владелец: Vladimir Rumennik. Дата публикации: 1989-04-04.

PROTECTING AN INTEGRATED CIRCUIT FROM THE DRILLING OF A SOURCE AND/OR DRAIN CONTACT

Номер патента: US20210020663A1. Автор: Galy Philippe,Bedecarrats Thomas. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2021-01-21.

Homogeneous source/drain contact structure

Номер патента: US20220336269A1. Автор: Po-Hsiang Huang,Chang-Wen Chen,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device structure with fine conductive contact and method for preparing the same

Номер патента: US20230034084A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Planar mosfet with textured channel and gate

Номер патента: EP2507838A2. Автор: Mark D. Kellam. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2012-10-10.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: US20240096698A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Graphene or carbon nanotube devices with localized bottom gates and gate dielectric

Номер патента: GB201322674D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Methods for Forming Gates in Gate-Last Processes and Gate Areas formed by the Same

Номер патента: US20120080755A1. Автор: Ho Young Kim,Jaeseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-05.

Methods of forming field effect transistors having self-aligned intermediate source and drain contacts

Номер патента: US6162690A. Автор: Kang-yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

Light source, device including light source, and/or methods of making the same

Номер патента: EP2625725A1. Автор: Vijayen S. Veerasamy,Jemssy Alvarez. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2013-08-14.

Cmos integrated circuit having a top-side substrate contact and method for making same

Номер патента: AU605853B2. Автор: Andre I. Nasr,Gregory J. Grula. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1991-01-24.

Self-aligned contact and method of forming the same

Номер патента: US20150206753A1. Автор: Cheng-Hao Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor structures including tight pitch contacts and methods to form same

Номер патента: SG183671A1. Автор: Luan C Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

AND gate based on ballistic electrons

Номер патента: US11211482B2. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim Chowdhurry. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-12-28.

AND Gate Based on Ballistic Electrons

Номер патента: US20210280704A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim Chowdhurry. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Transistor structures with interleaved body contacts and gate contacts

Номер патента: EP4404271A1. Автор: Steven M. Shank,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Transistor structures with interleaved body contacts and gate contacts

Номер патента: US20240243175A1. Автор: Steven M. Shank,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09960243B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Vertical nanowire transistor with axially engineered semiconductor and gate metallization

Номер патента: US09818864B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor Device with Stripe-Shaped Trench Gate Structures and Gate Connector Structure

Номер патента: US20160181408A1. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for fabricating semiconductor device to prevent short-channel-effect

Номер патента: KR100726146B1. Автор: 신승아. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-13.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: WO2024064567A3. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Selective tungsten contact plugs above gate and source/drain contacts

Номер патента: WO2024064567A2. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Chih-Sung Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having reduced capacitance between source and drain pads

Номер патента: US11817494B2. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Ancora Semiconductors Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US09779987B2. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for increasing bridging process window of contact hole and gate of device

Номер патента: US20240170277A1. Автор: Yenxia HAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Titanium silicide formation in a narrow source-drain contact

Номер патента: US20170372949A1. Автор: Min Gyu Sung,Hiroaki Niimi,Kwanyong LIM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Leadframe package with side solder ball contact and method of manufacturing

Номер патента: US20210050282A1. Автор: Jefferson Talledo,Tito Mangaoang. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2021-02-18.

Leadframe package with side solder ball contact and method of manufacturing

Номер патента: US20180286789A1. Автор: Jefferson Talledo,Tito Mangaoang. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2018-10-04.

Buried butted contact and method for fabricating

Номер патента: US6335272B1. Автор: Randy W. Mann,Jerome B. Lasky,Jed H. Rankin,Francis R. White,Archibald Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Method for forming self-aligned contacts and local interconnects simultaneously

Номер патента: US20070235798A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Buried butted contact and method for fabricating

Номер патента: MY125019A. Автор: W Mann Randy,Allen Archibald,B Lasky Jerome,H Rankin Jed,R White Francis. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-07-31.

Leadframe package with side solder ball contact and method of manufacturing

Номер патента: US09972558B1. Автор: Jefferson Talledo,Tito Mangaoang. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for preventing short-circuits or shunts in a large area thin film solar cell and cell obtained thereby

Номер патента: US4544797A. Автор: Gert Hewig. Владелец: Nukem GmbH. Дата публикации: 1985-10-01.

Semiconductor device having through hole, source and gate electrode structures

Номер патента: US20190165097A1. Автор: Shinji Kudoh,Shunsuke Fukunaga,Taro Kondo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for forming a field-effect transistor having difference in capacitance between source and drain with respect to shield layer

Номер патента: US5891757A. Автор: Yasuo Ohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-06.

Semiconductor device having a minimized region of sheild electrode and gate electrode overlap

Номер патента: US9577055B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure and process for contacting and interconnecting semiconductor devices within an integrated circuit

Номер патента: US4977440A. Автор: E. Henry Stevens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-12-11.

Process for contacting and interconnecting semiconductor devices within an integrated circuit

Номер патента: US5070036A. Автор: E. Henry Stevens. Владелец: Quality Microcircuits Corp. Дата публикации: 1991-12-03.

Solar cells including low recombination electrical contacts and systems and methods of forming the same

Номер патента: EP2657977A1. Автор: Eric M. Rehder. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2013-10-30.

Semiconductor devices having staggered conductive contacts, and associated systems and methods

Номер патента: US20230282246A1. Автор: Yushi Inoue,Yukitoshi Hirose. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for contacting and packetising a semiconductor chip

Номер патента: US11749638B2. Автор: Ralf Werner,Peter Seidel,Johannes Rudolph,Fabian Lorenz. Владелец: Technische Universitaet Chemnitz. Дата публикации: 2023-09-05.

Solid state lighting devices with improved contacts and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20190019931A1. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Solid state lighting devices with improved contacts and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20170236976A1. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Solid state lighting devices with improved contacts and associated methods of manufacturing

Номер патента: US11843084B2. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory cell having nonmagnetic filament contact and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US20140264675A1. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Paste for contacts and solar cell using the same

Номер патента: US9911519B2. Автор: Sang Gon Kim,Jin Gyeong Park,In Jae Lee,Soon Gil Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Solid state lighting devices with improved contacts and associated methods of manufacturing

Номер патента: US20240128425A1. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Paste for contacts and solar cell using the same

Номер патента: EP2603458A2. Автор: Sang Gon Kim,Jin Gyeong Park,In Jae Lee,Soon Gil Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-19.

Paste for contacts and solar cell using the same

Номер патента: WO2012020961A3. Автор: Sang Gon Kim,Jin Gyeong Park,In Jae Lee,Soon Gil Kim. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

Paste for contacts and solar cell using the same

Номер патента: WO2012020961A2. Автор: Sang Gon Kim,Jin Gyeong Park,In Jae Lee,Soon Gil Kim. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-02-16.

Paste for Contacts and Solar Cell Using the Same

Номер патента: US20130133742A1. Автор: Sang Gon Kim,Jin Gyeong Park,In Jae Lee,Soon Gil Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Solid state lighting devices with improved contacts and associated methods of manufacturing

Номер патента: US09691955B2. Автор: Martin F. Schubert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Alignment structure for use with a light source and/or a light gathering reflector

Номер патента: US20060262540A1. Автор: Kurt Stahl. Владелец: Infocus Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Alignment structure for use with a light source and/or a light gathering reflector

Номер патента: WO2006127194A3. Автор: Kurt A Stahl. Владелец: Kurt A Stahl. Дата публикации: 2007-03-22.

Alignment structure for use with a light source and/or a light gathering reflector

Номер патента: EP1889004A2. Автор: Kurt A. Stahl. Владелец: Infocus Corp. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for fabricating of MOS transistor to prevent short channel effect

Номер патента: KR100343135B1. Автор: 김현식,신헌종. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-09-18.

Method for manufacturing suspended fin and gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20120149162A1. Автор: Yi Song,Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-06-14.

Bias to detect and prevent short circuits in three-dimensional memory device

Номер патента: WO2016022320A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Jayavel Pachamuthu,Jiahui Yuan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-02-11.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US20070158693A1. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US7719034B2. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-18.

Cmos device with diodes connected between input node and gate electrodes

Номер патента: WO2000079596A1. Автор: Leonard R. Rockett. Владелец: LOCKHEED MARTIN CORPORATION. Дата публикации: 2000-12-28.

Method of improving quality of interface between gate and gate oxide

Номер патента: US20030211672A1. Автор: June-Min Yao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Protective shield to prevent shorting in polymer battery

Номер патента: US6617823B2. Автор: Ronald V. O'Connell. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-09.

Detection and gating module, battery management system and battery management chip

Номер патента: US20240036120A1. Автор: Hao Zhou. Владелец: Zhuhai Maiju Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated ion focusing and gating optics for ion trap mass spectrometer

Номер патента: WO2003065404A1. Автор: Gregory J. Wells,Steven D. Schachterle. Владелец: Varian, Inc.. Дата публикации: 2003-08-07.

Integrated ion focusing and gating optics for ion trap mass spectrometer

Номер патента: EP1470567A1. Автор: Gregory J. Wells,Steven D. Schachterle. Владелец: Varian Inc. Дата публикации: 2004-10-27.

Mechanical and gate for interlocking electric power switches and distribution system incorporating same

Номер патента: CA2360905A1. Автор: William John Jones,Raymond Clyde Doran. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2002-05-03.

Sensor element for opening of doors and gates

Номер патента: US8223085B2. Автор: Klaus Mezger,Leon Audergon. Владелец: Bircher Reglomat AG. Дата публикации: 2012-07-17.

Sensor element for opening of doors and gates

Номер патента: US20090313897A1. Автор: Klaus Mezger,Leon Audergon. Владелец: Bircher Reglomat AG. Дата публикации: 2009-12-24.

Rotary switch with mounting means for a plurality of movable contacts, and integrally formed indexing means

Номер патента: US3584163A. Автор: Arthur White. Владелец: AB Electronic Components Ltd. Дата публикации: 1971-06-08.

Electrical contact and method for making same

Номер патента: CA1141836A. Автор: David O. Gallusser,Valentine J. Hemmer,Gary C. Toombs. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1983-02-22.

Vacuum circuit interrupter contacts and shields

Номер патента: US5120918A. Автор: Robert L. Thomas,Natraj C. Iyer,Allan J. Bamford, deceased. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Integrally molded cable termination assembly, contact and method

Номер патента: US4767352A. Автор: David A. Pretchel. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1988-08-30.

Electrical contact and method of making

Номер патента: CA1112321A. Автор: Paul D. Niles,Richard W. Normann. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1981-11-10.

Straight contact and branch contact for electrical connectors or electrical clamps

Номер патента: US5772464A. Автор: Wolfgang Hohorst. Владелец: Wago Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1998-06-30.

Vacuum circuit interrupter contacts and shields

Номер патента: CA2054058C. Автор: Natraj Chandrasekar Iyer,Allan John Bamford,Robert Leroy Thomas. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2001-07-03.

AC switch with cantelever contact and balance springs

Номер патента: US3944773A. Автор: Walter C. Schumacher. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-03-16.

Insulation piercing contact and connector

Номер патента: US3861772A. Автор: Howard Richard Shaffer. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1975-01-21.

Electronic device comprising an accumulator and a power supply contact and equipment including such a device

Номер патента: US6128197A. Автор: Arnaud Flegeo,Philippe Lebert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Spring receptacle contact and housing therefor

Номер патента: US3665378A. Автор: Kemper Martel Hammell,Karl Lester Kaylor. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1972-05-23.

Contact arrangement for low-voltage circuit breakers with main contacts and burn-off contacts

Номер патента: US4720613A. Автор: Bernd Adam. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-01-19.

Battery contact and method of retention

Номер патента: US5473242A. Автор: Patrick M. McKenna. Владелец: Intermec Corp. Дата публикации: 1995-12-05.

Insulation displacing electrical contact and method of making

Номер патента: CA1139387A. Автор: Edward K. Marsh,Dean R. Nelson. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1983-01-11.

Female elastic-blade contact and blade for such a contact

Номер патента: US5302145A. Автор: Gilbert Spinnato,Yves Dohan. Владелец: Souriau et Cie. Дата публикации: 1994-04-12.

Contact and socket device for testing semiconductor

Номер патента: US20200049736A1. Автор: Dong Weon Hwang,Logan Jae Hwang,Jae Baek Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor Laser with Integrated Contact and Waveguide

Номер патента: US20110069730A1. Автор: Christopher L. Chua,Noble M. Johnson,Andre Strittmatter. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2011-03-24.

Switch with a movable contact and an elastic assembly

Номер патента: US20230420194A1. Автор: Harsh Kumar,Upendra SINGH,Shrikant Hanumantrao Tarte. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Arrangement for making electrical contact, and current connector

Номер патента: US11563287B2. Автор: Heinz Reichert,Tobias Nusser,Oliver Küpfer. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-01-24.

Contact and connector including contact

Номер патента: US9954302B2. Автор: Yuji Kamei. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Contact and connector including contact

Номер патента: US20160190726A1. Автор: Yuji Kamei. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Electrical contact and electric component socket

Номер патента: US10847915B2. Автор: Satoru ISAGODA. Владелец: Enplas Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Electromechanical switch having movable contact and dampener

Номер патента: US20190326085A1. Автор: Roger Lee Thrush,Albert Yong Lee. Владелец: TE Connectivity Services GmbH. Дата публикации: 2019-10-24.

Pin contact and socket contact combination for a low insertion force electrical connector

Номер патента: IE46194B1. Автор: . Владелец: ITT. Дата публикации: 1983-03-23.

Dimm socket with seating floor to meet both longer length edge contacts and shorter length edge contacts

Номер патента: NL2031894B1. Автор: Li Xiang,VERGIS George. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Switch with a movable contact and an elastic assembly

Номер патента: WO2023247068A1. Автор: Harsh Kumar,Upendra SINGH,Shrikant Hanumantrao Tarte. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2023-12-28.

Contact pin and pipe contact, and method for production

Номер патента: US9875857B2. Автор: August Schwaiger,Mike Boening. Владелец: PLANSEE POWERTECH AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Arrangement for Making Electrical Contact, and Current Connector

Номер патента: US20210320447A1. Автор: Heinz Reichert,Tobias Nusser,Oliver Küpfer. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Electrical contact and electric component socket

Номер патента: US20200006882A1. Автор: Satoru ISAGODA. Владелец: Enplas Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Electrical contact and method of manufacturing

Номер патента: EP4018515A1. Автор: Mark Plested,Andrew Mcquilken,Scott Flower. Владелец: Harwin PLC. Дата публикации: 2022-06-29.

Contact pin and pipe contact, and method for production

Номер патента: US20160379765A1. Автор: August Schwaiger,Mike Boening. Владелец: PLANSEE POWERTECH AG. Дата публикации: 2016-12-29.

Memory cell having nonmagnetic filament contact and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US20130064010A1. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Broadband transition structure with mixed contact and non-contact protrusion

Номер патента: EP4391215A1. Автор: Tae Hwan YOO,Sung Hwan Kim. Владелец: Hjwave Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Broadband transition structure with mixed contact and non-contact protrusions

Номер патента: US20240213645A1. Автор: Tae Hwan YOO,Sung Hwan Kim. Владелец: Hjwave Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Dimm socket with seating floor to meet both longer length edge contacts and shorter length edge contacts

Номер патента: WO2022265711A1. Автор: Xiang Li,George Vergis. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-12-22.

Dimm socket with seating floor to meet both longer length edge contacts and shorter length edge contacts

Номер патента: EP4356378A1. Автор: Xiang Li,George Vergis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Dimm socket with seating floor to meet both longer length edge contacts and shorter length edge contacts

Номер патента: NL2031894A. Автор: Li Xiang,VERGIS George. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Integrated port contact and charging bezel

Номер патента: EP4398427A1. Автор: Adam Richard Weber,Emron Jackson Henry,Neil EVERSON. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Electrical assembly, electrical contact and method of mounting an electrical contact

Номер патента: US3971907A. Автор: David C. Lennon. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1976-07-27.

Zero insertion force compliant pin contact and assembly

Номер патента: US20020094708A1. Автор: Li Li,James Stack,Bruce Chamberlin,Mark Budman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

High voltage electrical switch with integral- contact and clamping means

Номер патента: UST927002I4. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1974-10-01.

Electric contact and socket for electric parts

Номер патента: US20150126081A1. Автор: Takahiro Oda. Владелец: Enplas Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

Electric contact and socket for electric parts

Номер патента: MY176738A. Автор: Oda Takahiro. Владелец: Enplas Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Earthing contact and method for dissipating electrical currents

Номер патента: US20230208257A1. Автор: Tom Nusch,Philipp HORNIK,Ralf HOERR. Владелец: Schunk Transit Systems Gmbh. Дата публикации: 2023-06-29.

Electric contact and connector terminal pair

Номер патента: US20190214758A1. Автор: Akihiro Kato. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Magnetic shielding structure for relay contact and relay

Номер патента: US20240312744A1. Автор: Meng Wang,Wenguang DAI,Songsheng CHEN,Fengzhu XIE,Liji SU. Владелец: Xiamen Hongfa Electric Power Controls Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Magnetic shielding structure for relay contact and relay

Номер патента: EP4435816A1. Автор: Meng Wang,Wenguang DAI,Songsheng CHEN,Fengzhu XIE,Liji SU. Владелец: Xiamen Hongfa Electric Power Controls Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Arc-ablation resistant switch contact and preparation method thereof

Номер патента: US09905376B2. Автор: Hongmei Zhang,Yang DING,Zhenxing WANG,Huisheng HAN. Владелец: Nantong Memtech Technologies Co ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Plug and receptacle having high density of electrical contacts and/or pins

Номер патента: US09716355B1. Автор: George Glen Daniel Cole. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Electric contact and socket for electrical part

Номер патента: US09698511B2. Автор: Takahiro Oda. Владелец: Enplas Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Preventing shorting dendritic migration between electrodes

Номер патента: US20140138834A1. Автор: John C. Pritiskutch,Richard R. Hildenbrandt. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-05-22.

Gallium nitride high electron mobility transistor and gate structure thereof

Номер патента: US20200212173A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Preventing shorting dendritic migration between electrodes

Номер патента: US20140138834A1. Автор: John C. Pritiskutch,Richard R. Hildenbrandt. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for preventing shorts between contact windows and metal lines

Номер патента: US20030022486A1. Автор: Joseph Wu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for preventing short circuit between metal conduction wires

Номер патента: TW503522B. Автор: Tz-Jing Tsai,Ping Hsu. Владелец: Nanya Plastics Corp. Дата публикации: 2002-09-21.

Method of preventing short circuits in magnetic film stacks

Номер патента: US6893893B2. Автор: AJAY Kumar,Padmapani C. Nallan,Ralph Kerns,Guangxiang Jin,Jeng H. Hwang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Process for production of gate electrode and gate electrode structure

Номер патента: US20020025664A1. Автор: Norihiko Samoto,Akio Wakejima,Walter Contrata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Display apparatus including clock wiring overlapping shielding pattern and gate pattern for reducing bezel area

Номер патента: US11588005B2. Автор: Hai-Jung In. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Epitaxial Layers In Source/Drain Contacts And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220359310A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Epitaxial Layers in Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200006159A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Vacuum gate valve, and gate opening/closing method using the gate valve

Номер патента: CN101849130B. Автор: 永井秀明,久江隆. Владелец: VERTEX CORP. Дата публикации: 2013-06-26.

Vacuum gate valve, and gate opening/closing method using the gate valve

Номер патента: KR101183562B1. Автор: 히데아키 나가이,다카시 히사에. Владелец: 가부시키가이샤 브이텍스. Дата публикации: 2012-09-21.

Mtj containing device encapsulation to prevent shorting

Номер патента: US20200243756A1. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for preventing short-circuit caused by soldering pin of semiconductor component

Номер патента: TW200539358A. Автор: Ticky Tsai,Spring Liu. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

METHOD FOR PREVENTING SHORT CIRCUIT BETWEEN METAL WIRES IN ORGANNIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20150050766A1. Автор: KO Kai-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

METHOD FOR PREVENTING SHORT CIRCUIT BETWEEN METAL WIRES IN ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20150140714A1. Автор: KO Kai-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

MTJ CONTAINING DEVICE ENCAPSULATION TO PREVENT SHORTING

Номер патента: US20200243756A1. Автор: Doris Bruce B.,Hashemi Pouya,Marchack Nathan P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Method for preventing short circuits or shunts in a large-area thin-film solar cell

Номер патента: DE3312053C2. Автор: Gert Dr. 8755 Alzenau Hewig. Владелец: Nukem GmbH. Дата публикации: 1985-03-28.

Method of preventing short circuit of wire and lead frame

Номер патента: JP2713220B2. Автор: 和博 田口. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-16.

Preventing short circuits in a solar cell

Номер патента: AU2612084A. Автор: Gert Hewigg. Владелец: Nukem GmbH. Дата публикации: 1984-10-04.

Vapor cells with transparent alkali source and/or sink

Номер патента: US09763314B1. Автор: Logan D. Sorenson,Christopher S. Roper,Matthew T. Rakher. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Electrochemical atom vapor source and/or sink with integrated heater

Номер патента: US11849532B1. Автор: Christopher S Roper. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Compression of interaction data using directional sources and/or testers

Номер патента: US7720651B2. Автор: Francis X. Canning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-18.

Multilayer separator for lithium secondary battery capable of preventing short-circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230024377A1. Автор: Jong Chan SONG. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

ELECTRICAL CONNECTOR PREVENTING SHORTING BETWEEN CONTACTS AND REINFORCING PLATE THEREOF

Номер патента: US20150200506A1. Автор: GUO JING-JIE. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Method and circuitry to detect and prevent shorting in fuel injector drive circuitry

Номер патента: WO2020234340A1. Автор: Pang Wilson. Владелец: Delphi France Sas. Дата публикации: 2020-11-26.

BATTERY CELL COMPRISING INSULATOR ASSEMBLY FOR PREVENTING SHORT CIRCUIT CAUSED BY NAIL

Номер патента: US20200194847A1. Автор: CHOI Jung Seok,Kim Seok Koo,YOON Jong Keon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2020-06-18.

BATTERY CELL HAVING MEANS FOR PREVENTING SHORT-CIRCUIT

Номер патента: US20160276632A1. Автор: KIM Dong-Myung,OH Jung Shik,Ryu Sang Baek,PARK Chan Ki. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2016-09-22.

FEATURES FOR PREVENTING SHORT CIRCUIT IN A BATTERY MODULE

Номер патента: US20160336578A1. Автор: DeKeuster Richard M.,Mack Robert J.,Czarnecki Jennifer L.,Lobert Jonathan P.,Thompson Michael L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Battery Pack With Fuse-Box Bracket of Preventing Short Circuit

Номер патента: KR20210139001A. Автор: 김동현,이형석,신주환. Владелец: 주식회사 엘지에너지솔루션. Дата публикации: 2021-11-22.

The secondary battery protection system for preventing short circuit accidents

Номер патента: KR102277326B1. Автор: 서정렬,곽춘웅. Владелец: 인셀(주). Дата публикации: 2021-07-14.

Secondary lithium ion battery including means for preventing short

Номер патента: KR100841144B1. Автор: 한경희,강영주,서영범. Владелец: 엘에스전선 주식회사. Дата публикации: 2008-06-24.

SPARK PLUG EQUIPPED WITH MEANS FOR PREVENTING SHORT CIRCUITS

Номер патента: FR2959071B1. Автор: Marc Pariente,Maxime Makarov. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2012-07-27.

Radio aerial for use on sailing boat - is enclosed by insulating sleeve to prevent short circuits caused by sea water

Номер патента: FR2223847A1. Автор: . Владелец: BOULCH JEAN MARIE. Дата публикации: 1974-10-25.

Supporter for preventing short circuit of distribution power line

Номер патента: KR101079762B1. Автор: 차경미. Владелец: 동재감리 주식회사. Дата публикации: 2011-11-04.

Battery pack with switch for preventing short circuit

Номер патента: KR100631046B1. Автор: 이관재. Владелец: (주)케이티에프테크놀로지스. Дата публикации: 2006-10-02.

Structure for preventing short of horizontal deflection coil in deflection yoke

Номер патента: KR200312967Y1. Автор: 박용수. Владелец: 파츠닉(주). Дата публикации: 2003-05-16.

Battery Cell Comprising Insulator Assembly for Preventing Short Circuit Caused by Nail

Номер патента: KR20180020061A. Автор: 최정석,김석구,윤종건. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2018-02-27.

Discharge tube with action point for preventing short circuit

Номер патента: CN109149372B. Автор: 胡洪伟. Владелец: Zhenjiang Hiya Electron Co ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Battery for preventing short circuit of vehicle

Номер патента: KR970047251U. Автор: 권태봉. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

The breaker of maloperation after a kind of prevention short circuit

Номер патента: CN105826142B. Автор: 李志雄,刘心长. Владелец: JUNLANG ELECTRIC Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-09.

Battery pack with enhanced structure for preventing short circuit and shock

Номер патента: EP3940867B1. Автор: Young-Su Son,Kwang-Bae Lee,Kun-Joo Yang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Method and circuitry to detect and prevent shorting in fuel injector drive circuitry

Номер патента: SG10201904601RA. Автор: Pang Wilson. Владелец: Delphi Tech Ip Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

And gates and clock dividers

Номер патента: EP3794727A1. Автор: Joao DE OLIVEIRA. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

And gates and clock dividers

Номер патента: US20210226629A1. Автор: Joao DE OLIVEIRA. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

And gates and clock dividers

Номер патента: WO2019220123A1. Автор: Joao DE OLIVEIRA. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

AND gates and clock dividers

Номер патента: US11316518B2. Автор: Joao DE OLIVEIRA. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Circuit and method for input to failsafe "and" gate

Номер патента: EP1247342A1. Автор: Thomas Hajjar. Владелец: GE Harris Railway Electronics LLC. Дата публикации: 2002-10-09.

Circuit and method for input to failsafe 'and' gate

Номер патента: WO2001050605A1. Автор: Thomas Hajjar. Владелец: Ge-Harris Railway Electronics, Llc. Дата публикации: 2001-07-12.

Circuit and method for input to failsafe “AND” gate

Номер патента: US6462606B2. Автор: Thomas Hajjar. Владелец: GE Harris Railway Electronics LLC. Дата публикации: 2002-10-08.

Fault tolerant and gate circuit

Номер патента: US5457403A. Автор: Eric B. Baum. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 1995-10-10.

Methods and nodes for policing and gating in a communication network

Номер патента: WO2015090389A1. Автор: Mattias LIDSTRÖM,Mona Matti. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2015-06-25.

Determining connections of a network between source and target nodes in a database

Номер патента: US20190273687A1. Автор: Joseph S. Zehri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Circuit and method for input to failsafe "AND " gate

Номер патента: US20010048316A1. Автор: Thomas Hajjar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Determination of Word Line to Word Line Shorts Between Adjacent Blocks

Номер патента: US20160012904A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks

Номер патента: US20170025182A1. Автор: Khanh Nguyen,Jagdish Sabde,Sagar Magia. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Systems and methods for providing contact and information exchange and management thereof

Номер патента: US20220103494A1. Автор: Chris Crass. Владелец: Pinme LLC. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory device having a protective layer provided between a source contact and a spacer insulating layer

Номер патента: US11792984B2. Автор: Takeo Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Techniques for pairing contacts and agents in a contact center system

Номер патента: US20240064240A1. Автор: Vikash KHATRI. Владелец: Afiniti Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Techniques for pairing contacts and agents in a contact center system

Номер патента: US20210051230A1. Автор: Vikash KHATRI. Владелец: Afiniti Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Ceramic pin heating element with integrated connector contacts and method for making same

Номер патента: US20010026035A1. Автор: Wilfried Aichele,Gert Lindemann,Friederike Lindner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Techniques for pairing contacts and agents in a contact center system

Номер патента: US20210250445A1. Автор: Vikash KHATRI. Владелец: Afiniti Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Techniques for pairing contacts and agents in a contact center system

Номер патента: US11778097B2. Автор: Vikash KHATRI. Владелец: Afiniti Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Contact and/or proximity-sensitive input device

Номер патента: US09966950B2. Автор: Michael Prinz,Uwe Heimann. Владелец: Diehl AKO Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods and systems for creating online unified contact and communication management (CM) platform

Номер патента: US09953465B2. Автор: Subrao Venugopal Shenoy,Seema Subrao Shenoy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Identifying changes between source and destination databases using snapshots of source database and invertible bloom filters

Номер патента: US11860891B2. Автор: Jason Nochlin. Владелец: Fivetran Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

An article and method for aerating and/or draining the soil

Номер патента: WO1994026984A1. Автор: Allan Wesley Ah Shay. Владелец: Allan Wesley Ah Shay. Дата публикации: 1994-11-24.

An electron valve auto control device for supplying water and/or draining

Номер патента: KR20020096149A. Автор: 조만희,최식. Владелец: 최식. Дата публикации: 2002-12-31.

Cleaning and / or draining device

Номер патента: JP4705166B2. Автор: ハンセン,ミシェル,ハル イエンセン,ベント. Владелец: コロプラスト アクティーゼルスカブ. Дата публикации: 2011-06-22.

Improvements in charging and/or draining liquid

Номер патента: GB2387201B. Автор: Michael Sketch. Владелец: THORNHILL BRIAN Ltd. Дата публикации: 2005-08-10.

FOAM PLATES AND BLOCKS FROM HOLLOW PROFILES, THEIR MANUFACTURE AND THE USE AS INSULATING AND / OR DRAINING PLATES.

Номер патента: NL8602935A. Автор: . Владелец: Marquet & Cie Noel. Дата публикации: 1987-06-16.

METHOD AND DEVICE FOR SEPARATION OF PARTICLES AND / OR DRAINS FROM GAS FLOW

Номер патента: DE60043218D1. Автор: Veikko Ilmasti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-10.

Stethoscope with Light Source and/or Timepiece

Номер патента: US20140005574A1. Автор: Ting Darren Talun Chiao. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

A power source and/or control component housing primarily for door mounted devices

Номер патента: AU2011257943A1. Автор: Stuart Clark,Harris Lambrou. Владелец: Gainsborough Hardware Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Drive module for a gate, a gate and fence provided therewith, and methods for providing such a drive and gate

Номер патента: EP4215713A1. Автор: Edward Wouter Hoog Antink. Владелец: Esedco Beheer BV. Дата публикации: 2023-07-26.

Isotropically articulating fence post and gate system

Номер патента: US20020070378A1. Автор: Donald Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Bonnet and gate arrangements for a gate valve in particulate-laden fluid environments

Номер патента: US09845897B2. Автор: Boris (Bruce) P. Cherewyk. Владелец: Isolation Equipment Services Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Secret lock with double scheme of coding for doors and gates

Номер патента: RU2391475C2. Автор: Федерико ФЕНИНИ. Владелец: Изео Серратуре Спа. Дата публикации: 2010-06-10.

Dump body and gate locking system

Номер патента: CA1155475A. Автор: Jean-Guy Lagace,Remi Lagace. Владелец: LAGACE JEAN GUY. Дата публикации: 1983-10-18.

Combined fence and gate post

Номер патента: GB1136223A. Автор: Charles Goodall,Maurice Goodall. Владелец: SWYFTITE Ltd. Дата публикации: 1968-12-11.

Mapping a computer code to wires and gates

Номер патента: WO2019213539A1. Автор: Daniel Joseph Bentley KLUSS. Владелец: Archeo Futurus, Inc.. Дата публикации: 2019-11-07.

Fence and gate decorative cover

Номер патента: US20230351929A1. Автор: Darline Riggs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Energy absorption soft-sided corner assembly for gate-opening sections and gates of dasher board assemblies

Номер патента: CA3150504A1. Автор: Roger NOSEWORTHY. Владелец: Sport Safe Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-28.

Energy absorption soft-sided corner assembly for gate-opening sections and gates of dasher board assemblies

Номер патента: US20230272665A1. Автор: Roger NOSEWORTHY. Владелец: Sport Safe Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Toner cartridge, toner supply mechanism and gate

Номер патента: RU2720130C1. Автор: Есуки КАСИИДЕ,Такаси КИМУРА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-04-24.

Toner cartridge, toner supply mechanism and gate

Номер патента: RU2697013C2. Автор: Есуки КАСИИДЕ,Такаси КИМУРА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-08-08.

Combined hot tap pipe cutter and gate valve for plastic pipe

Номер патента: US5269340A. Автор: Gregory J. Drzewiecki. Владелец: Institute of Gas Technology. Дата публикации: 1993-12-14.

Fence and gate decorative cover

Номер патента: US11741858B2. Автор: Darline Riggs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-29.

Fence and gate decorative cover

Номер патента: US20230196948A1. Автор: Darline Riggs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Spring-holder device for roller shutters and gates

Номер патента: EP1945900A1. Автор: Mario Gnaccarini. Владелец: Pastore SpA. Дата публикации: 2008-07-23.

Water-Ballasted Protection Barrier Array and Fencing and Gate Assemblies for Use with the Same

Номер патента: US20180223561A1. Автор: Shane D. Howell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-09.

Improvements in Bolts for Doors and Gates.

Номер патента: GB191310515A. Автор: Richard Cobden Cooper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1913-12-11.

System and method for micromechanical logical and gate

Номер патента: US20220382316A1. Автор: Robert Matthew Panas,Frederick SUN. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Machine part with improved surface texture for rolling contact and/or sliding contact

Номер патента: US5643054A. Автор: Peter Bach,Ernst Strian,Ludwig Kern. Владелец: INA Waelzlager Schaeffler oHG. Дата публикации: 1997-07-01.

Systems and methods for detecting tissue contact and needle penetration depth

Номер патента: US7106574B2. Автор: Dagmar Beyerlein. Владелец: Advanced Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Method and device for detecting catheter-tissue contact and interaction with tissue during catheter ablation

Номер патента: AU740503B2. Автор: Axel Muntermann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Pressure-contact and lift-off arrangement

Номер патента: CA1207175A. Автор: Hermann Idstein. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1986-07-08.

Apparatus and method for enhancing phase contact and chemical reactions

Номер патента: CA3051805A1. Автор: Giuliano Cavaglia'. Владелец: BOB SERVICE Srl. Дата публикации: 2018-08-16.

Bearing assembly having a dust seal arrangement with contacting and non-contacting dust seals

Номер патента: CA2691475A1. Автор: Paul A. Hubbard,John D. Oliver. Владелец: Amsted Industries Inc. Дата публикации: 2010-12-22.

Card reader contacts and non-contact coils on a printed circuit board

Номер патента: USRE35992E. Автор: Bernd Schuder,Heinrich Huis. Владелец: Amphenol Tuchel Electronics GmbH. Дата публикации: 1998-12-15.

Method and device for detecting catheter-tissue contact and interaction with tissue during catheter ablation

Номер патента: CA2285342C. Автор: Axel Muntermann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-19.

Method and apparatus for non-contact and rapid identification of wood species

Номер патента: CA2095208A1. Автор: Julien Tremblay,Wes R. Jamroz,Brian W. Wong. Владелец: MPB TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 1993-10-30.

Device for testing, contacting and/or wiring of sockets on a circuit board

Номер патента: IL101918A. Автор: . Владелец: Lang Dahlke Helmut. Дата публикации: 1994-12-29.

Spinal cord stimulation leads with centrally-concentrated contacts, and associated systems and methods

Номер патента: WO2017176782A1. Автор: Marc RUSSO. Владелец: Nevro Corp.. Дата публикации: 2017-10-12.

Contact and separating device and image forming apparatus

Номер патента: US20150018169A1. Автор: Yasuhiro Shimoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Contact and separating device and image forming apparatus

Номер патента: US9249868B2. Автор: Yasuhiro Shimoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Installation structure of conductive contact and electronic cigarette having same

Номер патента: CA3028717C. Автор: Junwei Ouyang. Владелец: Shenzhen IVPS Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Business System and Method for Managing Client Contact and Interaction Data

Номер патента: US20240135333A1. Автор: Greg Yarbrough,Sandi Yarbrough. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Combination contact and non-contact sensing edge

Номер патента: US20170198513A1. Автор: Daniel G. Lasley,Tim Castello,William KALIN. Владелец: Miller Edge Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Installation structure of conductive contact and electronic cigarette having same

Номер патента: CA3028717A1. Автор: Junwei Ouyang. Владелец: Shenzhen IVPS Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-30.

Installation structure of conductive contact and electronic cigarette having same

Номер патента: US20200100541A1. Автор: Junwei Ouyang. Владелец: Shenzhen IVPS Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Combination contact and non-contact sensing edge

Номер патента: EP3402951A1. Автор: Daniel G. Lasley,Tim Castello,William KALIN. Владелец: Miller Edge Inc. Дата публикации: 2018-11-21.

Electronic control device to discriminate false contacts and signal temporary contacts in a loom warp stop motion device

Номер патента: WO1998054384A3. Автор: Luigi Bernardi. Владелец: ACTEX SpA. Дата публикации: 1999-03-04.

Transfer roller contact and separation drive unit and transfer roller contact and separation drive method

Номер патента: US20070231002A1. Автор: Norio Kouzu. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Method and apparatus for improved contact and activity management and planning

Номер патента: WO2000070492A1. Автор: Robin Retallick,Susana Sanchez. Владелец: Appintec Corporation. Дата публикации: 2000-11-23.

Real-time voter identification, contact, and canvassing system

Номер патента: US20110289111A1. Автор: Nathan Price Chaney. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Contact and separation column and tray

Номер патента: US09895629B2. Автор: Jannes Koppen,Eric Johannes Vos,Peter Mervyn Wilkinson. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 2018-02-20.

Device for contacting and electrically stimulating biological tissue

Номер патента: US09802036B2. Автор: Martin Kokelmann. Владелец: Retina Implant AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods and systems for preventing short message service (sms) message flooding

Номер патента: EP1377909A4. Автор: Rick L Allison,Peter J Marisco. Владелец: Tekelec Inc. Дата публикации: 2008-07-23.

Piezoelectric resonator with scattering-prevention film to prevent short-circuit of the excitation electrode

Номер патента: US8053952B2. Автор: Takehiro Takahashi. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-08.

Gate drive apparatus, switching apparatus, and gate drive method

Номер патента: US20210083663A1. Автор: Kunio Matsubara,Tsuyoshi Nagano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Gate drive apparatus, switching apparatus, and gate drive method

Номер патента: US20200389167A1. Автор: Kunio Matsubara,Tsuyoshi Nagano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Gate drive apparatus, switching apparatus, and gate drive method

Номер патента: US11329644B2. Автор: Kunio Matsubara,Tsuyoshi Nagano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Presence-based automatic gate operation for marine barriers and gate systems

Номер патента: US20190236868A1. Автор: Eric G. Johnson,Eric H. Rines,Judson DeCEW. Владелец: Halo Maritime Defense Systems Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Gated camera and gated image acquisition method

Номер патента: US20240248211A1. Автор: Petr BRUZA. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2024-07-25.

Automatic, Highly Reliable, Fully Redundant Electronic Circuit Breaker That Reduces or Prevents Short-Circuit Overcurrent

Номер патента: US20180083435A1. Автор: Redler Yesaiahu. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

APPARATUS AND METHOD FOR PREVENTING SHORT CIRCUIT

Номер патента: US20200081052A1. Автор: CHOI Jin-Hwee. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2020-03-12.

Apparatus and method for preventing short

Номер патента: KR102423301B1. Автор: 최진휘. Владелец: 주식회사 엘지에너지솔루션. Дата публикации: 2022-07-19.

Information and communication cable manhole for preventing short circuit

Номер патента: KR102126193B1. Автор: 송해남. Владелец: 주식회사 한국나이스기술단. Дата публикации: 2020-06-24.

Working method of power control system for preventing short circuits or power failure

Номер патента: CN105610179A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-25.

Manufacturing device for preventing short betweenelectorde of OLED

Номер патента: KR100780042B1. Автор: 윤근천. Владелец: (주) 디오브이. Дата публикации: 2007-11-27.

PC board capable of preventing short circuit during welding

Номер патента: CN1164157C. Автор: 郑明和,李城模. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-25.

Copper clad laminates for preventing short-circuit of a via hole and the manufacturing method

Номер патента: KR20180085096A. Автор: 곽병훈. Владелец: 주식회사 비씨. Дата публикации: 2018-07-26.

Apparatus and method for preventing short circuit

Номер патента: EP3672006B1. Автор: Jin-Hwee CHOI. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

PC board capable of preventing short circuit during welding

Номер патента: CN1267182A. Автор: 郑明和,李城模. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-20.

Gate driving apparatus, switching apparatus and gate driving method

Номер патента: US11894837B2. Автор: Kunio Matsubara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Ddr phy critical clock switching and gating architecture

Номер патента: US20240161808A1. Автор: Yong Xu,Yuxin Li,Boris Dimitrov Andreev,Vikas Mahendiyan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Gate drive apparatus, switching apparatus, and gate drive method

Номер патента: US10855272B1. Автор: Kunio Matsubara,Tsuyoshi Nagano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Ddr phy critical clock switching and gating architecture

Номер патента: WO2024107505A1. Автор: Yong Xu,Yuxin Li,Boris Dimitrov Andreev,Vikas Mahendiyan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-23.

Power converter with adaptative stages and gate driver

Номер патента: US12095351B2. Автор: Gregory Szczeszynski,Buddhika Abesingha,Arezu Bagheri. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Combined circuit configuration for a CMOS logic inverter and gate

Номер патента: US5187388A. Автор: Thomas H. Moy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

Touch Display Device, Display Panel, and Gate Driving Circuit

Номер патента: US20230367410A1. Автор: Joonho Lee,Hyunho Park,Byoungwoo KIM,Sunghoon Paik. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Correlation between source code repositories and web endpoints

Номер патента: WO2022140014A1. Автор: Michaël HENDRICKX,Safwan Mahmud Khan. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Shift register and gate driving circuit thereof

Номер патента: US8831167B2. Автор: Tsung-Ting Tsai,Li-Wei Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-09-09.

Shift register and gate driving circuit thereof

Номер патента: US20140118052A1. Автор: Tsung-Ting Tsai,Li-Wei Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-05-01.

Correlation between source code repositories and web endpoints

Номер патента: EP4268098A1. Автор: Michaël HENDRICKX,Safwan Mahmud Khan. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Gate driving circuit applied to motor inverter and gate driving method

Номер патента: US20210242817A1. Автор: Chu-Chen YANG,Chung-Wei Huang. Владелец: Chicony Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Power management between sources and load

Номер патента: US09906024B2. Автор: Priya Ranjan Mishra,Rakeshbabu Panguloori,Vandana Prabhu. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Power supply and gate driver therein

Номер патента: US9698666B2. Автор: Hyun Soo Park,Jung-Ik Ha,Jaeha Kim,Jong Hyun Shin,Taewook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

RF switch with compensation and gate bootstrapping

Номер патента: US11916546B2. Автор: Valentyn Solomko,Semen Syroiezhin,Ivan Jevtic. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-27.

RQL majority gates, and gates, and or gates

Номер патента: AU2019215340A1. Автор: Alexander L. Braun,David Christopher Harms. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Automotive sensing system and gating camera

Номер патента: US20230311897A1. Автор: Manabu Kato,Yoshihisa Endo,Jun Kang,Yuichi Watano. Владелец: Brightway Vision Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Gate device and gate device arrangement structure

Номер патента: US20190279446A1. Автор: Hiroyuki Matsumoto,Masao Kubota,Yoshinori Kunieda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Rql majority gates, and gates, and or gates

Номер патента: WO2019152280A1. Автор: Alexander L. Braun,David Christopher Harms. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2019-08-08.

RQL majority gates, and gates, and or gates

Номер патента: AU2019215340B2. Автор: Alexander L. Braun,David Christopher Harms. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Rql majority gates, and gates, and or gates

Номер патента: CA3087681A1. Автор: Alexander L. Braun,David Christopher Harms. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Rql majority gates, and gates, and or gates

Номер патента: EP3747128A1. Автор: Alexander L. Braun,David Christopher Harms. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-12-09.

Rf switch with compensation and gate bootstrapping

Номер патента: US20240154610A1. Автор: Valentyn Solomko,Semen Syroiezhin,Ivan Jevtic. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-09.

Rf switch with compensation and gate bootstrapping

Номер патента: EP4050799A1. Автор: Valentyn Solomko,Semen Syroiezhin,Ivan Jevtic. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-08-31.

Shift register and gate line driving device

Номер патента: US8275089B2. Автор: Ming Hu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-25.

Phase line derived cosine-wave generator and gate pulse generator for thyristor control using such generator

Номер патента: US4385242A. Автор: Paul W. Wagener. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1983-05-24.

Ac Coupling And Gate Charge Pumping For Nmos And Pmos Device Control

Номер патента: US20080191784A1. Автор: Elie G. Khoury,DC Sessions. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-08-14.

Superconducting circuit for forbidden gate with exclusive-OR gate and AND gate

Номер патента: CN112740555A. Автор: A·L·布朗,J·R·鲍威尔. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-04-30.

Power Converter with Adaptative Stages and Gate Driver

Номер патента: US20230198376A1. Автор: Gregory Szczeszynski,Buddhika Abesingha,Arezu Bagheri. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Vehicle-mounted sensing system and gated camera

Номер патента: US20230336876A1. Автор: Manabu Kato,Yoshihisa Endo,Yuichi Watano,Jun Kano. Владелец: Brightway Vision Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Gate control device, gate control method, and gate control program

Номер патента: US11749044B2. Автор: Takuro Masuda. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Pixel and gate driving circuit

Номер патента: US20240321212A1. Автор: Wonkyu Kwak,Minjoo KIM,Minwoo BYUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Display apparatus and gate driving method thereof

Номер патента: US09875707B2. Автор: Po-Hsiang FANG,Jhih-Siou Cheng,Ju-Lin Huang,Yi-Chuan Liu,Po-Yu Tseng,Chieh-An Lin. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-01-23.

Liquid crystal display device and gate driving circuit

Номер патента: US09799293B2. Автор: Yao Yan,Ronglei DAI,Juncheng Xiao,Shangcao CAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Gate apparatus, control method for gate apparatus, program, and gate system

Номер патента: US20240273987A1. Автор: Muneharu YAJIMA. Владелец: Fast Retailing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Cable management for marine barriers and gate systems

Номер патента: US09863109B2. Автор: Eric G. Johnson,Justin Bishop,Eric H. Rines,Judson DeCEW,Michael Osienski. Владелец: Halo Maritime Defense Systems Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Liquid crystal display device and gate driving circuit

Номер патента: US09805680B2. Автор: Yao Yan,Ronglei DAI,Juncheng Xiao,Shangcao CAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Gate driver, display apparatus and gate driving method of outputting a multi-pulse waveform

Номер патента: US09799271B2. Автор: Zhongyuan Wu,Liye Duan,Lirong WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Display panel and gate driver with reduced power consumption

Номер патента: US09711075B2. Автор: Sang-Gon Lee,Yong Soon Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Liquid crystal display device and gate driving circuit thereof

Номер патента: US09620073B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Injection-molding gate cutting device and gate cutting method

Номер патента: US20240066775A1. Автор: Sang Min Lee,Jong Dae BACK. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Gate scan circuit, driving method thereof and gate scan cascade circuit

Номер патента: US09997101B2. Автор: Kuo Sun,Wenhui ZOU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Bias To Detect And Prevent Short Circuits In Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20160035426A1. Автор: Zhao Wei,Dong Yingda,PACHAMUTHU Jayavel,Yuan Jiahui. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Apparatus of prevention short circuit for LED lamp in house

Номер патента: KR101507394B1. Автор: 이철규. Владелец: (주)삼우전기컨설턴트. Дата публикации: 2015-04-07.

Method of preventing short sampling of a capillary or wicking fill device

Номер патента: US6571651B1. Автор: Alastair Mcindoe Hodges. Владелец: Lifescan Inc. Дата публикации: 2003-06-03.

Method of preventing short sampling of a capillary or wicking fill device

Номер патента: TW496952B. Автор: Alastair Mcindoe Hodges. Владелец: Usf Filtration & Separations. Дата публикации: 2002-08-01.

Battery tab for preventing short circuit

Номер патента: CN218867342U. Автор: 李基雄,吴亨仁,李东箫. Владелец: Boer New Energy Chuzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-04-14.

Method of preventing short sampling of capillary or wicking fill device

Номер патента: CN1213811C. Автор: A·M·霍格斯. Владелец: Lifescan Inc. Дата публикации: 2005-08-10.

Vibrating ball mill having baffle plate for preventing short circuiting of material through the mill

Номер патента: US2789773A. Автор: Robert B Stauber. Владелец: Allis Chalmers Corp. Дата публикации: 1957-04-23.

Method of preventing short sampling of a capillary or wicking fill device

Номер патента: AU4946801A. Автор: Alastair Mcindoe Hodges. Владелец: USF Filtration and Separations Group Inc. Дата публикации: 2001-10-08.

Liquid crystal device with electrode arrangement to prevent shorting and electronic equipment incorporating the same

Номер патента: US6831723B1. Автор: Yutaka Takeuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Method of preventing short sampling of a capillary or wicking fill device

Номер патента: US20040040394A1. Автор: Alastair Hodges. Владелец: Hodges Alastair McIndoe. Дата публикации: 2004-03-04.

Prevent short circuit AGM baffle

Номер патента: CN206040784U. Автор: 黄建忠,陈连强,郑书根,应志超. Владелец: ZHEJIANG CHANGTONG TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Front end structure of vehicle preventing short-circuit of cooling air

Номер патента: US20030051858A1. Автор: Satoshi Matsuura,Akira Uchikawa,Kouichi Mizukami,Norihisa Sasano. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Full throttle valve and method of tube and gate change

Номер патента: CA1136829A. Автор: Patrick D. King,Earl P. Shapland. Владелец: Flo Con Systems Inc. Дата публикации: 1982-12-07.

Device for preventing short circuiting flow around impellers

Номер патента: US1839514A. Автор: Arthur R Weis. Владелец: PACIFIC PUMP WORKS. Дата публикации: 1932-01-05.

Improvements to electric railroad systems with surface contact to prevent short circuits

Номер патента: FR328419A. Автор: . Владелец: DITE LORAIN STEEL Co Ste. Дата публикации: 1903-07-11.

Methods of preventing shorting in an electrified animal deterrent device

Номер патента: WO2012040009A3. Автор: Bruce Donoho. Владелец: BIRD-B-GONE, INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

Liquid crystal display device and gate driving circuit

Номер патента: US20170154594A1. Автор: Yao Yan,Ronglei DAI,Juncheng Xiao,Shangcao CAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Gate scanning signal generating circuit and gate driving method

Номер патента: EP3475940A1. Автор: LEI Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-01.

Gate driving circuit, display device and gate pulse modulation method

Номер патента: US20170092215A1. Автор: Chen-Chi Yang,Li-Shen Chang. Владелец: Fitipower Integrated Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-30.

Bi-directional scanning unit, driving method and gate driving circuit

Номер патента: US20170061861A1. Автор: Dongliang DUN. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Transitioning Between Source Data Repositories For A Dataset

Номер патента: US20230244403A1. Автор: Thomas Gill,David Grunwald,Saurabh Shukla,Connor Brooks,Larry Touchette. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Liquid crystal devices and gate driving circuits thereof

Номер патента: US09966028B2. Автор: Hua Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Improvements in operating mechanism for sliding bolts for doors and gates

Номер патента: GB895699A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1962-05-09.

Funnel-and-gate wall with a replaceable gate wall and method of making the same

Номер патента: US20230286025A1. Автор: Ryan DeWind,Becky DeWind. Владелец: One Pass Innovators LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Display Device and Gate Driving Circuit Thereof

Номер патента: US20170344179A1. Автор: Byeongseong So,Jiah KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Shift register unit, driving method and gate driving circuit

Номер патента: US20180277052A1. Автор: Yujie Gao,Yingmeng MIAO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Funnel-and-gate wall with a replaceable gate wall and method of making the same

Номер патента: US11969773B2. Автор: Ryan DeWind,Becky DeWind. Владелец: One Pass Innovators LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Goa device and gate driving circuit

Номер патента: US20230119817A1. Автор: Xiaohui Yao,Ilgon KIM,Zhida Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

GOA device and gate driving circuit

Номер патента: US11763769B2. Автор: Xiaohui Yao,Ilgon KIM,Zhida Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Adjustment of distance between source plasma and mirrors to change partial coherence

Номер патента: US20060289810A1. Автор: Bryan Rice,Manish Chandhok,Eric Panning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Gate and gate-fastening.

Номер патента: US1256805A. Автор: Edrick N Kiger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1918-02-19.

Security-reinforced door lock, and gate security management system using same door lock

Номер патента: US20220028199A1. Автор: Jae Soon JANG. Владелец: Dambee Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Bidirectional scanning unit, driving method and gate driving circuit

Номер патента: US20170061862A1. Автор: Dongliang DUN. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Portable business logic with branching and gating

Номер патента: WO2015134304A1. Автор: Nirav Shah,Palak Kadakia,Shashi Ranjan,Karan Srivastava. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2015-09-11.

Shift register unit, gate driving circuit, and gate driving method

Номер патента: US20240371328A1. Автор: Dacheng Zhang,Xuehuan Feng. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Shift register unit, driving method thereof, and gate driving circuit

Номер патента: US12014689B2. Автор: Xuehuan Feng,Sixiang Wu. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Liquid crystal display and gate driver on array circuit

Номер патента: US09786241B2. Автор: Peng Du. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

GATE CONTROL DEVICE, GATE CONTROL METHOD, AND GATE CONTROL PROGRAM

Номер патента: US20220084342A1. Автор: MASUDA Takuro. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

GATE DRIVING CIRCUIT AND GATE DRIVING METHOD, GATE DRIVER ON ARRAY (GOA) AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20160148568A1. Автор: Wang Ying. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-05-26.

Gate adapter and gate system for a gate adapter

Номер патента: EP2205419A1. Автор: Joachim Scheffer. Владелец: MHT Mold and Hotrunner Technology AG. Дата публикации: 2010-07-14.

Gate adapter and gate system for a gate adapter

Номер патента: WO2009056486A1. Автор: Joachim Scheffer. Владелец: MHT Mold & Hotrunner Technology AG. Дата публикации: 2009-05-07.

Gate, especially sectional gate and gate drive

Номер патента: EP3179022B1. Автор: Michael Hörmann. Владелец: Marantec Antriebs und Steuerungstechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-03-04.

Gate control method, apparatus and device, medium, gate and gate system

Номер патента: WO2021052091A1. Автор: 张琦,何朔,余玮琦,万四爽,吴金坛. Владелец: 中国银联股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-25.

Recoverable data replication between source site and destination site without distributed transactions

Номер патента: US5781912A. Автор: Sandeep Jain,Alan Demers. Владелец: Oracle Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Methods and apparatus for data transfer between source and destination modules using a ready signal

Номер патента: US5313594A. Автор: John F. Wakerly. Владелец: Alantec Inc. Дата публикации: 1994-05-17.

Display apparatus and gate-driver on array control circuit thereof

Номер патента: US20180366082A1. Автор: Chien-Chung Chen,Hsing-Shen Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2018-12-20.

A positive displacement engine operable by the continuous application of a heat source and/or a heat sink

Номер патента: AUPP508398A0. Автор: . Владелец: Thompson G A. Дата публикации: 1998-08-27.

Light source, device including light source, and/or methods of making the same

Номер патента: US20120087127A1. Автор: . Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2012-04-12.

DEVICE FOR LOCALIZING ACOUSTIC SOURCES AND/OR MEASURING THEIR INTENSITIES

Номер патента: US20120201391A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-09.

Improvements in Surface Contact Electric Railway Systems, for Preventing Short Circuits therein.

Номер патента: GB190300330A. Автор: William Milton Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-02-26.

Panel for roofs, walls, facades and gates

Номер патента: CA142547S. Автор: . Владелец: Poliuretanos S W SA de CV. Дата публикации: 2012-12-27.

Panel for roofs, walls, facades and gates

Номер патента: CA148686S. Автор: . Владелец: Poliuretanos S W SA de CV. Дата публикации: 2012-12-27.

Improvements in Hinges for Doors and Gates.

Номер патента: GB190611468A. Автор: John Charles Rouse,Harry Rudder. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-08-30.

Certain Improvements in Door and Gate Locks and Latches.

Номер патента: GB189804183A. Автор: Andrew Cashin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-01-07.

Improvements in and in the Manufacture of Bolts for Doors and Gates.

Номер патента: GB190405851A. Автор: John Tipper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-01-12.

Self-acting Opening and Closing Door and Gate Apparatus.

Номер патента: GB190100876A. Автор: Frederick Stead. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-01-14.

Improvements in Hinges for Doors and Gates

Номер патента: GB190524787A. Автор: John Charles Rouse,Harry Rudder. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-08-23.

Latch for doors and gates

Номер патента: CA108097S. Автор: . Владелец: D&D Group Pty Ltd. Дата публикации: 2006-01-27.

Improvements in Locks and Latches for Doors and Gates.

Номер патента: GB190103014A. Автор: David Waine. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-12-21.

Improvements in Door and Gate Fastenings.

Номер патента: GB189708817A. Автор: George Baldry. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-04-02.

Improvements in the Means for Automatically Closing Vestibule and other Doors and Gates, and in Attachments therefor.

Номер патента: GB189706843A. Автор: Thomas Little. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-04-17.

Improved Means for Operating and Fastening Sliding Window Sashes, Doors, and Gates.

Номер патента: GB189730122A. Автор: George Richard Hill. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-04-30.

Mold for and method of making contact and intraocular lenses

Номер патента: CA1281863C. Автор: Wilhelm F. Kunzler. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-03-26.

A connector cover, typically flash drive, with pivtol end contacts and covered by pivotal cover

Номер патента: NZ575034A. Автор: Michael Francis Woffindin. Владелец: Michael Francis Woffindin. Дата публикации: 2009-07-31.

Methods and systems for preventing short message service (sms) message flooding

Номер патента: AU2002335498A1. Автор: Rick L. Allison,Peter J. Marisco. Владелец: Tekelec Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for preventing short path in trommel

Номер патента: AU2008255186A1. Автор: Satoshi Matsumoto,Osamu Nakai,Keisuke Shibayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2009-08-06.

POWER TRANSFER TO A MEDICAL IMPLANT LOCATED ADJACENT TISSUE WHILE PREVENTING SHORT CIRCUITS THROUGH THE TISSUE

Номер патента: US20120215309A1. Автор: Markey Mathew R.,Saldanha Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

Displacement rotary adjustable machine with gates and gate seals

Номер патента: RU2224911C2. Автор: Ю.Ф. Тимофеев. Владелец: Тимофеев Юрий Федорович. Дата публикации: 2004-02-27.

Liquid crystal display capable of preventing short circuit of electric gold ball, and preparation method

Номер патента: CN1797075A. Автор: 陈学刚,邓超云. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-05.

Device for preventing short-term opening of electrical switch contacts

Номер патента: SU111518A1. Автор: В.Л. Мемелов,З.Е. Попов. Владелец: З.Е. Попов. Дата публикации: 1957-11-30.

Liquid crystal display capable of preventing short circuit of electric gold ball, and preparation method

Номер патента: CN100437231C. Автор: 陈学刚,邓超云. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-26.

Contact device for preventing short circuit current

Номер патента: CN212257297U. Автор: 壇博治. Владелец: Churod Electronics Co ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

A kind of TYPE-C Male head connectors for preventing short circuit

Номер патента: CN207517942U. Автор: 潘成禄. Владелец: Dongguan Rising Precision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-19.

Method for preventing short circuit between polysilicon in the self-aligned contact etching process

Номер патента: TW429532B. Автор: Kuen-Lin Wu,Yu-Tsai Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-11.

Prevent short chemical reaction of flowing groove device

Номер патента: CN205590331U. Автор: 顾宇宏. Владелец: JIANGSU SHUANGJING PURIFICATION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-21.

Light general formula students in middle and primary schools Preventing short-sighted instrument

Номер патента: CN204166663U. Автор: 徐扬,翟静妤. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-18.

Method for preventing short circuit between metal wires

Номер патента: CN1176490C. Автор: 许平,蔡子敬. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-17.

Method for preventing short circuit of anode frame by sticking thin teflon film

Номер патента: CN104947056A. Автор: 杨影. Владелец: HEILONGJIANG HANERGY THIN-FILM SOLAR Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-30.

Glasses capable of preventing short sight

Номер патента: CN201266278Y. Автор: 项春宝. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-01.

A kind of LED display wiring board for preventing short circuit

Номер патента: CN207305054U. Автор: 叶军. Владелец: MEIZHOU WASHENG ELECTRIC CIRCUIT CO Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Prevent short circuit transformer skeleton and transformer

Номер патента: CN213905112U. Автор: 向建军,谭凯,肖成新. Владелец: Zhongshan Ying Xing Electronics Co ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

A kind of electric automobile connecting line for preventing short circuit

Номер патента: CN206774761U. Автор: 徐浩. Владелец: Tianjin Derun Industry And Trade Co ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Vibrating ball mill having baffle plate for preventing short circuiting of material through the mill

Номер патента: CA569381A. Автор: B. Stauber Robert. Владелец: Allis Chalmers Corp. Дата публикации: 1959-01-20.

LCD panel preventing short circuiting between conductive frame and ITO layer and its manufacturing method

Номер патента: TW200500728A. Автор: Che-Chih Chang,Chun-Min Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-01-01.

Structure for preventing short-circuit in probe

Номер патента: TW200848748A. Автор: Chin-Chung Chen. Владелец: MJC Probe Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

Method for preventing short circuit during circuit layout

Номер патента: TWI230348B. Автор: Li-Yen Lin,Cheng-Hsun Ho,Vinci Huang. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

An Improved Door and Gate Fastener.

Номер патента: GB190628521A. Автор: Thomas Olson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-05-09.

"""and"" gate circuit and chips with the ""and"" gate circuit"

Номер патента: TWI376875B. Автор: Chao Sheng Huang. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2012-11-11.

Improvements in Door and Gate Latches

Номер патента: GB190211905A. Автор: Reverend George Castleden,John Studd. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-03-26.

Combined gate post and gate

Номер патента: USD186275S. Автор: Louis Blum. Владелец: . Дата публикации: 1959-10-06.

Improvements on iron fences gates and gate latches

Номер патента: CA15058A. Автор: Samuel W. Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1882-07-05.

Improvements in Gates and Gate Fittings.

Номер патента: GB190017481A. Автор: George Brownlees. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-11-17.

"AND" gate circuit and chips with the "AND" gate circuit

Номер патента: TW201041310A. Автор: Chao-Sheng Huang. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2010-11-16.

Process for LCD TFT gate-bus line and gate dielectric

Номер патента: TW265468B. Автор: Ming-Shiann Ferng,Tzeng-Jiin Luo,Chiou-Der Li. Владелец: Nat Science Committee. Дата публикации: 1995-12-11.

Gate release arrangement, and gate and latch combination

Номер патента: AU2023902334A0. Автор: Wayne Perkins,Nick Wansink. Владелец: E B Mcdonald Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Gate cover removal method for gate valve and gate valve

Номер патента: JP5976438B2. Автор: 充弘 森,信夫 宗友,光信 矢野,忍 安井. Владелец: Okayama City Office. Дата публикации: 2016-08-23.

Transfer cart with improved base and gate guides

Номер патента: CA1309117C. Автор: Ronald L. Rosa,Harold L. Nootenboom,Gerald D. Pederson. Владелец: Cannon Equipment LLC. Дата публикации: 1992-10-20.

Gate management system, gate management method, and gate management program

Номер патента: JP6740783B2. Автор: 祐司 小熊,周平 江本. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2020-08-19.